JP2007010760A - 樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学部品を形成する方法 - Google Patents

樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学部品を形成する方法 Download PDF

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Abstract

【課題】光学式ナノインプリント法によりパターン形成された樹脂体を用いて光導波路のための構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】紫外線硬化剤11aを含む樹脂体11を被処理物体13上に形成する。モールド15を樹脂体11に押しつける。この押しつけにより、樹脂体11はモールド15のパターン15aに応じて変形して、樹脂体17が形成される。樹脂体17には、紫外線19が照射される。モールド15を樹脂体21に押しつけた状態で第1の温度T1より低い第2の温度T2にモールド15および樹脂体21の温度を下げる。樹脂体21の温度を下げた後に、モールド15を樹脂体21から離して離型する。
【選択図】図1

Description

本発明は、樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学レンズを有する光学部品を形成する方法に関する。
特許文献1には、所望の位置に孔を形成した構造体を製造する方法が記載されている。この製造方法は、複数の凸構造を有する押圧部材と基板とを用意する工程と、該基板の上に部材より強度の弱い材料を用いて層を形成する工程と、層に部材を押圧し層に部材の凸構造に対応した窪みを形成する工程と、層をエッチングし少なくとも基板表面の一部を露出させる工程と、基板を陽極酸化し基板に孔を形成する工程とを有する。
非特許文献1には、ナノ流路といった構造物が記載されており、このナノ流体構造物は、DNAやタンパク質といった生体分子の解析や取扱のために用いられる。非特許文献2には、半導体集積回路に適用されるナノインプリント技術が記載されている。非特許文献3には、半導体集積回路や冷陰極に適用されるナノインプリント技術が記載されている。非特許文献4には、ナノスケールのフォトディテクタ、シリコン量子ドット、量子線、リングトランジスタ等に適用されるナノインプリント技術が記載されている。
特開2004−66447号公報 Jian Wang et al., "Fabrication of 10 nm enclosed monofluidic channels,"APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 81, No. 1, pp.174-176 Stephen Y. Chou et el., "Imprint of sub-25 nm vias and trenched inpolymers," APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 67(21), pp.3114-3116 Akiyoshi BABA et al., "Easy Release of Mold In Imprint Lithography UsingIon-Beam-Irradiated Photoresist Surface," Jap J. Appl. Phys. Vol. 41(2002),pp.4190-4193 Stephen Y. Chou et el., "Nanoimprint Lithography," J. Vac. Sci. Technol. B14(6) Nov/Dec 1996, pp.4129-APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 67(21), pp.4129-4133
特許文献1に記載された方法では、複数の凸構造を有する押圧部材を、部材より強度の弱い材料からなる層に押圧した後に、押圧部材を層から離している。この結果、層に部材の凸構造に対応した窪みが形成される。しかしながら、この方法によると、凸構造に対応した窪みが層に形成されるけれども、押圧部材の凸構造と比較すると、形成された窪みを有する層にはパターンの欠陥が生じている。
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、光学式ナノインプリント法によりパターン形成されると共にパターン欠陥が少ない樹脂体を形成する方法を提供することを目的とし、また光学式ナノインプリント法によりパターン形成された樹脂体を用いて光導波路のための構造を形成する方法および、光学部品を形成する方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面は、光導波路のための構造を形成する方法に係る。この方法は、(a)第1の屈折率を有する第1の領域上に、紫外線硬化剤を含む樹脂体を形成する工程と、(b)前記樹脂体の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成り光導波路のためのパターンを有するモールドを、前記樹脂体に第1の温度において押しつける工程と、(c)前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で該樹脂体に紫外線を照射して、硬化した樹脂体を形成する工程と、(d)前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で前記第1の温度より低い第2の温度に前記モールドおよび前記樹脂体の温度を下げて前記樹脂体を収縮させる工程と、(e)前記樹脂体の温度を下げた後に前記モールドを前記樹脂体から離して、パターン形成された樹脂体を形成する工程と、(f)前記パターン形成された樹脂体から形成されたマスクを用いて前記第1の領域をエッチングして、パターン形成された第1の領域を形成する工程と、(g)前記パターン形成された第1の領域上に、前記第1の屈折率と異なる第2の屈折率を有しており前記パターンに対応して第2の領域を形成する工程とを備える。
この方法によれば、モールドを樹脂体に押しつけた状態で第1の温度より低い第2の温度にモールドおよび硬化した樹脂体の温度を下げて樹脂体を収縮させた後に、モールドを樹脂体から離している。これ故に、パターン欠陥が少ない樹脂体が形成される。パターン形成された樹脂体から形成されたマスクを用いて第1の領域をエッチングするので、モールドの形状に正確に対応した形状が得られる。
本発明に係る方法は、(h)第2の屈折率より小さい第3の屈折率を有する第3の領域を前記第1および第2の領域上に形成する工程をさらに備え、前記第1の領域は、光導波路のためのクラッドのための領域であり、前記第2の領域は、光導波路のためのコアのための領域であることが好ましい。
この方法によれば、モールドの形状に正確に対応した形状のクラッドを形成できる。
本発明に係る方法では、前記第1の領域は、前記第1の屈折率を有するシリコン酸化物から成り、前記第2の領域は、前記第2の屈折率を有するシリコン酸化物から成り、前記第3の領域は、前記第3の屈折率を有するシリコン酸化物から成ることが好ましい。
この方法によれば、モールドの形状に正確に対応しておりシリコン酸化物からなる光導波路を形成できる。
本発明の別の側面は、マイクロレンズ構造を有する光学部品を形成する方法に係る。この方法は、(a)紫外線硬化剤を含む樹脂体を被処理領域上に形成する工程と、(b)第1の温度において、前記樹脂体の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成りマイクロレンズ構造のためのパターンを有するモールドを、前記樹脂体に押しつける工程と、(c)前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で該樹脂体に紫外線を照射して、硬化した樹脂体を形成する工程と、(d)前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で前記第1の温度より低い第2の温度に前記モールドおよび前記樹脂体の温度を下げて前記樹脂体を収縮させる工程と、(e)前記樹脂体の温度を下げた後に前記モールドを前記樹脂体から離して、パターン形成された樹脂体を形成する工程と、(f)パターン形成された樹脂体を形成した後に、前記パターンにより規定されるマイクロレンズ構造を前記被処理領域にイオンミリングにより形成する工程とを備える。
この方法によれば、モールドを樹脂体に押しつけた状態で第1の温度より低い第2の温度にモールドおよび硬化した樹脂体の温度を下げて樹脂体を収縮させた後に、イオンミリング法により被処理領域にマイクロレンズ構造を形成する。これ故に、モールドの形状に正確に対応した形状が得られる。
本発明に係る方法は、(g)マイクロレンズ構造を前記被処理領域に形成するに先立って、前記パターン形成された樹脂体をエッチングしてイオンミリングのための樹脂マスクを形成すると共に、前記被処理領域の表面を露出させる工程を更に備え、マイクロレンズ構造を前記被処理領域に形成する前記工程では、前記樹脂マスクおよび前記被処理領域をイオンミリング法により加工することが好ましい。
この方法によれば、マイクロレンズ構造に対応するパターンを有する樹脂マスクを樹脂体からエッチングにより形成できる。
本発明の更なる別の側面は、光学式ナノインプリント法によりパターン形成される樹脂体を形成する方法に係る。この方法は、(a)紫外線硬化剤を含む樹脂体を被処理物体上に形成する工程と、(b)第1の温度において、前記樹脂体の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成りパターンを有するモールドを、前記樹脂体に押しつける工程と、(c)前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で該樹脂体に紫外線を照射して、硬化して樹脂体を形成する工程と、(d)前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で前記第1の温度より低い第2の温度に前記モールドおよび前記樹脂体の温度を下げて前記樹脂体を収縮させる工程と、(e)前記樹脂体の温度を下げた後に前記モールドを前記樹脂体から離して、パターン形成された樹脂体を形成する工程とを備える。
この方法によれば、モールドを樹脂体に押しつけた状態で第1の温度より低い第2の温度にモールドおよび硬化した樹脂体の温度を下げて樹脂体を収縮させた後に、モールドを樹脂体から離している。これ故に、パターン欠陥が少ない樹脂体が形成される。
本発明に係る方法では、前記紫外線は前記モールドを通して照射されることが好ましい。この方法によれば、モールドに対面する樹脂体に紫外線が照射される。
本発明に係る方法では、(f)前記パターン形成された樹脂体を形成した後に、前記第2の温度より高い第3の温度に、前記パターン形成された樹脂体の温度を変更する工程を更に備え、前記第3の温度は実質的に室温に等しいことが好ましい。
この方法によれば、第3の温度は実質的に室温に等しく、また第2の温度より高い。これ故に、第2の温度は室温より低く設定される。
本発明に係る方法では、前記モールドは石英製であることが好ましい。紫外線は石英を透過すると共に、石英は所望の機械的強度および機械的加工容易性を有する。
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
以上説明したように、本発明の一側面によれば、光学式ナノインプリント法によりパターン形成された樹脂体を用いて光導波路のための構造を形成する方法が提供される。また、本発明の別の側面によれば、光学式ナノインプリント法によりパターン形成された樹脂体を用いて、マイクロレンズ構造を有する光学部品を形成する方法が提供される。また、本発明のさらなる別の側面によれば、光学式ナノインプリント法によりパターン形成されると共にパターン欠陥が少ない樹脂体を形成する方法が提供される。
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学部品を形成する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
(第1の実施の形態)
図1(A)、図1(B)、図1(C)および図1(D)を参照しながら、光学式ナノインプリント法によりパターン形成された樹脂体を形成する方法を説明する。図1(A)に示されるように、樹脂体11を被処理物体13上に形成する。樹脂体11は紫外線硬化剤11aを含む。被処理物体13の少なくともその表層13aは、パターン形成された樹脂体の形状が転写されるべき材料からなる。また、被処理物体13は、所望の機械的な強度を有することが好ましく、例えば自立可能である。紫外線硬化剤11aを含む樹脂体11としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂等を用いることができる。樹脂体11の厚さTは、モールド15の主面15bに設けられたパターン15aの深さDより大きい。樹脂体11の形成は、例えば、樹脂の塗布、樹脂膜の貼り付け等により行われることができるが、これらに限定されるものではない。
次いで、所定のパターン15aを有するモールド15を準備する。モールド15は、樹脂体11の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成る。モールド15は、例えば石英製である。紫外線は石英を透過すると共に、石英は所望の機械的強度および機械的加工容易性を有する。
樹脂体17の温度は、第1の温度T1であり、好ましくは、モールド15の温度も第1の温度T1にほぼ等しい温度である。第1の温度は、例えば摂氏25度〜120度であることが好ましい。図1(B)に示されるように、このモールド15を樹脂体11に押しつける。この押しつけにより、樹脂体11はモールド15のパターン15aに応じて変形して、樹脂体17が形成される。
図1(B)に示されるように、樹脂体17には、紫外線19が照射される。この照射は、モールド15を樹脂体17に押しつけた状態で行われる。この結果、樹脂体17内の紫外線硬化剤11aが硬化して、パターン形成された樹脂体21が形成される。
この方法では、紫外線19はモールド15を通して照射されることが好ましい。この方法によれば、モールド15に対面する樹脂体11に紫外線が照射される。ただし、基板13が紫外線に対して透明な媒質の場合には、基板13を通して紫外線が照射されるようにしてもよい。
図1(C)に示されるように、モールド15を樹脂体21に押しつけた状態で第1の温度T1より低い第2の温度T2、例えば温度50Kにモールド15および樹脂体21の温度を下げる。この結果、温度の変化幅△T1(=T1−T2:350K〜50K)および熱膨張係数に応じて、樹脂体21は収縮する。また、温度の変化幅(△T1)および熱膨張係数に応じて、モールド15も収縮する。単位長さ当たりの樹脂体21の収縮量は、例えば△L1であり、単位長さ当たりのモールド15の収縮量は、例えば△L2である。モールド15の材料の熱膨張率は、樹脂体21の材料の熱膨張率より小さいので、樹脂体21の収縮量△L1は、モールド15の収縮量△L2より大きい。これ故に、図1(C)に示されるように、パターン形成された樹脂体21とモールド15との間に僅かな隙間Gが形成される。第2の温度T2は、例えば摂氏マイナス100度〜プラス25度であることが好ましい。
図1(D)に示されるように、樹脂体21の温度を下げた後に、モールド15を樹脂体21から離して離型する。この結果、パターン形成された樹脂体21が形成される。
この方法によれば、モールド15を硬化した樹脂体11から離すことなくモールド15および硬化した樹脂体21の温度を第2の温度T2に下げて樹脂体21を変形させる。この後に、モールド15を樹脂体21から離しているので、パターン欠陥が少ない樹脂体21が形成される。また、離型の際にモールドに加わる力が小さいので、モールドの摩耗も小さい。
図1(D)に示されるように、パターン形成された樹脂体21を形成した後に、パターン形成された樹脂体21の温度を第3の温度T3に変更する。第3の温度T3は、第2の温度T2より高い。この方法によれば、第3の温度T3は第2の温度T2より高いので、第1の温度T1と第2の温度T2との温度差を大きくできる。加えて、第3の温度T3は、第1の温度T1より低いことが好ましい。この方法によれば、第3の温度T3は第1の温度T1より低く第2の温度T2より高いので、第1の温度T1と第2の温度T2との温度差を大きくできる。第3の温度T3は、例えば摂氏プラス10度〜プラス50度であることが好ましい。第3の温度T3は実質的に室温に等しいことが好ましい。
モールドの材料として例えば合成石英を用いると、合成石英の熱膨張係数はおよそ5×10−7/K程度であり、紫外線硬化樹脂として例えばアクリル系樹脂を用いると、アクリル系樹脂の熱膨張係数は約10−5〜10−6/Kであるので、石英製のモールド熱膨張係数よりも1〜2桁大きい。例えば、室温でモールドを樹脂に押し付け、紫外線照射した後、基板、樹脂体およびモールドの全部(或いは、基板付近のみ)を温度50K程度まで冷却すると、石英製のモールドの収縮が25ppm程度であり、樹脂体は250ppm程度収縮する。この差により、石英製マスクと樹脂体が離型されやすくなる。この温度において、物理的な力をマスクおよび樹脂体に加えてこれらを離型した後に樹脂体を室温に戻せば、樹脂体に転写されたパターンはモールド形状が再現される。この方法によれば、モールドの表面と樹脂体の表面の密着性によって、樹脂体の一部がモールドと固着してしまい、離型の際にパターン欠陥を生じることが防止される。
以上説明したように、この実施の形態によれば、光学式ナノインプリント法によりパターン形成されると共にパターン欠陥が少ない樹脂体を形成する方法が提供される。
(第2の実施の形態)
光導波路のための構造を形成する方法を説明する。図2(A)に示されるように、紫外線硬化剤11aを含む樹脂体11を基板31の第1の領域31a上に形成する。第1の領域31aは第1の屈折率を有する。例えば、第1の領域31aは、第1の屈折率を有するシリコン酸化物から成ることができる。樹脂体11の形成は、第1の実施の形態の方法と同様に行われることができるが、これに限定されるものではない。
図2(A)に示されるように、樹脂体11の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成るモールド33を準備する。モールド33は、光導波路のためのパターン33aを有する。図2(B)に示されるように、モールド33を樹脂体11に第1の温度T1において押しつけて、モールド33のパターン33aに合わせて変形された樹脂体35を形成する。
図2(C)に示されるように、モールド33を樹脂体35に押しつけた状態で該樹脂体35に紫外線37を照射する。樹脂体35内の紫外線硬化剤が紫外線37に反応して樹脂の硬化が生じ、パターン形成された樹脂体39が形成される。
図3(A)に示されるように、モールド33を樹脂体39に押しつけた状態で第2の温度T2にモールド33および樹脂体39の温度を下げる。第2の温度T2は第1の温度T1より低いので、モールド33および樹脂体39はそれぞれ変形する。
図3(B)に示されるように、樹脂体の温度T2において、モールド33を樹脂体39から離して、パターン形成された樹脂体39を得る。樹脂体39は、モールド33の突起33bに押されて窪んだ第1の部分39aと、モールド33の突起33bの間の窪み33cに対応しており突出した第2の部分39bとを含む。第1の部分39aは、例えば溝形状であることができ、第2の部分39bは例えばリッジ形状であることができる。
図3(C)に示されるように、パターン形成された樹脂体39を形成した後に、この樹脂体39の温度を第3の温度T3に変更する。既に説明したように、第3の温度T3は、好ましくは室温である。硬化した樹脂体39のパターン寸法は、第3の温度T3において所望の値になる。
図4(A)に示されるように、樹脂体39をエッチングする。エッチャント40として、例えば下記の条件
エッチングガス
O:7sccm
CHF:20sccm
RF出力:45W
DCバイアス:−200V
圧力:2.7Pa(20mTorr)
を用いることができる。異方性エッチングを用いれば、第1の部分39aの上部がエッチングされるけれどもモールド33のパターンの寸法がエッチング後にも保たれる。必要な場合には、等方性エッチングを用いることもできる。図4(B)に示されるように、エッチングにより、第2の部分39bを除去して第1の領域31aの表面31bを部分的に露出させる。この結果、所望のパターンを有する樹脂マスク41が樹脂体39から形成される。樹脂マスク41を第1の領域31aをエッチングするために用いることができる。
図4(C)に示されるように、パターン形成された樹脂体から形成されたマスク41を用いて第1の領域31aをエッチングして、パターン形成された第1の領域31cを形成する。第1の領域31aがシリコン酸化物からなるとき、エッチャント43として、例えば下記の条件
エッチングガス
CF:40sccm
:5sccm
RF出力:60W
DCバイアス:−200V
圧力:6.7Pa(50mTorr)
を用いることができる。エッチャント43により、樹脂マスク41に覆われていない第1の領域31aがエッチングされる。第1の領域31cには樹脂マスク41のパターンが転写される。第1の領域31cは、樹脂マスク41のパターンに対応した溝31dが形成されている。
図5(A)に示されるように、第1の領域31cの溝31dの深さよりも十分に厚く膜を堆積して、第1の領域31cの溝31dを埋め込む第2の領域45を形成する。この後に、第2の領域45から余分な部分を除去し、第2の領域47が形成される。この除去は、例えば、ポリッシング、エッチバック等により行われる。この結果、図5(B)に示されるように、第1の領域31c上に第2の領域47が形成される。第2の領域47は、第1の屈折率と異なる第2の屈折率を有している。第2の領域47は、第1の領域31cの溝を埋め込むように形成されており、第2の領域47は、例えば第2の屈折率を有するシリコン酸化物から成る。
この方法によれば、モールド33を樹脂体11に押しつけた状態で、第2の温度T2にモールド33および樹脂体39の温度を下げて樹脂体39を収縮させた後に、モールド33を樹脂体39から離している。これ故に、樹脂体39のパターン欠陥は少ない。また、この樹脂体39から形成されたマスク41を用いて第1の領域31aをエッチングするので、モールド33の形状に正確に対応した形状が得られる。
図5(C)に示されるように、第3の領域49を第1の領域31cおよび第2の領域47上に形成する。第3の領域49は、第2の屈折率より小さい第3の屈折率を有する。第1の領域31cおよび第3の領域49は、光導波路のためのクラッドのための領域であることができ、第2の領域47は、光導波路のためのコアのための領域であることができる。この方法によれば、モールド33の形状に正確に対応した形状のクラッドを形成できる。第3の領域49は、例えば第3の屈折率を有するシリコン酸化物から成る。例えばボロンまたはフッ素を添加することにより、シリコン酸化物の屈折率を変更することができる。この方法によれば、モールドの形状に正確に対応しておりシリコン酸化物からなる光導波路を形成できる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、光学式ナノインプリント法によりパターン形成された樹脂体を用いて光導波路のための構造を形成する方法が提供される。
(第3の実施の形態)
マイクロレンズ構造を有する光学部品を形成する方法を説明する。第1の実施の形態と同様に、パターン形成された樹脂体53を被処理物体51上に形成する。被処理物体51の少なくともその表層51aは、レンズのための材料からなる。図6(A)に示されるように、樹脂体の温度を下げた後にモールドを樹脂体から離して、パターン形成された樹脂体から形成された樹脂マスク53を形成する。本実施の形態において使用されるべきモールド(第1の実施の形態におけるモールド15と同等)は、樹脂体の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成りレンズ構造のためのパターンを有する。レンズ構造を被処理領域に形成するに先立って、必要な場合には、図4(A)に示されるように、パターン形成された樹脂体をエッチングして、イオンミリングのための樹脂マスクを形成することができる。この方法によれば、レンズ構造に対応するパターンを有する樹脂マスク53を、モールドを用いてパターン形成された樹脂体からエッチングにより形成できる。引き続く説明は、樹脂マスク53を用いてマイクロレンズ構造を有する光学部品を形成する方法を説明する。イオンミリングの条件として、例えば下記の条件
イオンビーム:Ar
加速電圧10kV
を用いることができる。樹脂体のミリングレートは被処理領域のミリングレートとほぼ同じである。
図6(B)に示されるように、樹脂マスク53を形成した後に、樹脂マスク53のパターンにより規定されるレンズ構造がイオンミリング55により被処理領域51aに形成される。樹脂マスク53および第1の領域51aの両方が、イオンミリングにより徐々に除去されていく。樹脂マスク53の全てが除去されるまで、イオンミリングを行う。図6(C)に示されるように、レンズ構造を有する被処理領域51bが形成される。この結果、このレンズ構造は、モールドのパターンにより規定される。
この方法によれば、モールドを樹脂体に押しつけた状態で第1の温度より低い第2の温度にモールドおよび硬化した樹脂体の温度を下げて樹脂体を収縮させた後に、イオンミリング法により被処理領域にレンズ構造を形成する。これ故に、モールドの形状に正確に対応した形状が得られる。このような方法によれば、0.1μmから500μm程度の直径を有するマイクロレンズ構造を作製できる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、マイクロレンズといった光学部品を形成する方法が提供される。
以上、いくつかの実施の形態を参照しながら、本発明を説明した。例えば、本発明に係る方法では、パターン形成された樹脂体を形成した後に、第2の温度より高い第3の温度に、パターン形成された樹脂体の温度を変更するようにしてもよい。この第3の温度は実質的に室温に等しいことが好ましい。この方法によれば、実質的に室温に等しい第3の温度は第2の温度より高いので、第1の温度と第2の温度との温度差を大きくできる。
また、例えば、本発明に係る方法では、パターン形成された樹脂体を形成した後に、第1の温度より低く第2の温度より高い第3の温度に、パターン形成された樹脂体の温度を変更するようにしてよい。この第3の温度は実質的に室温に等しいことが好ましい。この方法によれば、実質的に室温に等しい第3の温度は第1の温度より低く第2の温度より高いので、第1の温度と第2の温度との温度差を大きくできる。
さらに、第1の温度が第3の温度に実施的に等しいようにしてもよい。例えば、室温で押し付けた後に、樹脂を硬化させる。この硬化の後に、樹脂およびモールドを冷却する。冷却後にモールドを樹脂体から離す。この後に、樹脂体を室温に戻す。この方法によれば、室温におけるモールドパターンの寸法と樹脂体の寸法との差が小さくなる。
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本実施の形態では、例えば、光導波路およびレンズといった光学部品の形成を説明したけれども、本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。本実施の形態では、光導波路およびレンズといった光学部品の形成を例示的に説明しており、DNAやタンパク質といった生体分子の解析や取扱のために用いられるナノ流路、ナノスケールの半導体集積回路のためのパターン、ナノスケールのフォトディテクタ、シリコン量子ドット、量子線、リングトランジスタ等に適用されることもできる。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
図1(A)、図1(B)、図1(C)および図1(D)は、光学式ナノインプリント法によりパターン形成された樹脂体を形成する方法を説明する図面である。 図2(A)、図2(B)および図2(C)は、光導波路のための構造を形成する方法を説明する図面である。 図3(A)、図3(B)および図3(C)は、光導波路のための構造を形成する方法を説明する図面である。 図4(A)、図4(B)および図4(C)は、光導波路のための構造を形成する方法を説明する図面である。 図5(A)、図5(B)および図5(C)は、光導波路のための構造を形成する方法を説明する図面である。 図6(A)、図6(B)および図6(C)は、マイクロレンズのための構造を形成する方法を説明する図面である。
符号の説明
11…樹脂体、11a…紫外線硬化剤、13…被処理物体、13a…被処理物体表層、T…樹脂体厚さ、15…モールド、15b…モールド主面、15a…モールドパターン、17…パターン形成された樹脂体、21…硬化した樹脂体、T1…第1の温度、T2…第2の温度、T3…第3の温度、△T1…温度の変化幅、△L1…樹脂体の収縮量、△L2…モールドの収縮量、31…基板、31a…第1の領域、31c…第1の領域、31d…溝、33…モールド、33a…モールドパターン、33b…モールドの突起、33c…モールドの窪み、35…樹脂体、37…紫外線、39…樹脂体、39a…第1の部分、39b…第2の部分、41…樹脂マスク、45…第2の領域、47…第2の領域、49…第3の領域、51…被処理物体、51a…被処理物体の表層、53…樹脂マスク、55…イオンミリング

Claims (9)

  1. 光導波路のための構造を形成する方法であって、
    第1の屈折率を有する第1の領域上に、紫外線硬化剤を含む樹脂体を形成する工程と、
    前記樹脂体の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成り光導波路のためのパターンを有するモールドを、前記樹脂体に第1の温度において押しつける工程と、
    前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で該樹脂体に紫外線を照射して硬化した樹脂体を形成する工程と、
    前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で前記第1の温度より低い第2の温度に前記モールドおよび前記樹脂体の温度を下げて前記樹脂体を収縮させる工程と、
    前記樹脂体の温度を下げた後に前記モールドを前記樹脂体から離して、パターン形成された樹脂体を形成する工程と、
    前記パターン形成された樹脂体から形成されたマスクを用いて前記第1の領域をエッチングして、パターン形成された第1の領域を形成する工程と、
    前記パターン形成された第1の領域上に、前記第1の屈折率と異なる第2の屈折率を有しており前記パターンに対応して第2の領域を形成する工程と
    を備える、ことを特徴とする方法。
  2. 第2の屈折率より小さい第3の屈折率を有する第3の領域を前記第1および第2の領域上に形成する工程をさらに備え、
    前記第1の領域は、光導波路のためのクラッドのための領域であり、
    前記第2の領域は、光導波路のためのコアのための領域である、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
  3. 前記第1の領域は、前記第1の屈折率を有するシリコン酸化物から成り、
    前記第2の領域は、前記第2の屈折率を有するシリコン酸化物から成り、
    前記第3の領域は、前記第3の屈折率を有するシリコン酸化物から成る、ことを特徴とする請求項2に記載された方法。
  4. マイクロレンズ構造を有する光学部品を形成する方法であって、
    紫外線硬化剤を含む樹脂体を被処理領域上に形成する工程と、
    第1の温度において、前記樹脂体の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成りマイクロレンズ構造のためのパターンを有するモールドを、前記樹脂体に押しつける工程と、
    前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で該樹脂体に紫外線を照射して、硬化した樹脂体を形成する工程と、
    前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で前記第1の温度より低い第2の温度に前記モールドおよび前記樹脂体の温度を下げて前記樹脂体を収縮させる工程と、
    前記樹脂体の温度を下げた後に前記モールドを前記樹脂体から離して、パターン形成された樹脂体を形成する工程と、
    パターン形成された樹脂体を形成した後に、前記パターンにより規定されるマイクロレンズ構造をイオンミリングにより前記被処理領域に形成する工程と
    を備える、ことを特徴とする方法。
  5. マイクロレンズ構造を前記被処理領域に形成するに先立って、前記パターン形成された樹脂体をエッチングしてイオンミリングのための樹脂マスクを形成すると共に、前記被処理領域の表面の一部を露出させる工程を更に備え、
    マイクロレンズ構造を前記被処理領域に形成する前記工程では、前記樹脂マスクおよび前記被処理領域をイオンミリングにより加工する、ことを特徴とする請求項4に記載された方法。
  6. 光学式ナノインプリント法によりパターン形成される樹脂体を形成する方法であって、
    紫外線硬化剤を含む樹脂体を被処理物体上に形成する工程と、
    第1の温度において、前記樹脂体の材料の熱膨張率より小さい熱膨張率の材料から成りパターンを有するモールドを、前記樹脂体に押しつける工程と、
    前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で該樹脂体に紫外線を照射して、硬化した樹脂体を形成する工程と、
    前記モールドを前記樹脂体に押しつけた状態で前記第1の温度より低い第2の温度に前記モールドおよび前記樹脂体の温度を下げて前記樹脂体を収縮させる工程と、
    前記樹脂体の温度を下げた後に前記モールドを前記樹脂体から離して、パターン形成された樹脂体を形成する工程と
    を備える、ことを特徴とする方法。
  7. 前記紫外線は前記モールドを通して照射される、ことを特徴とする請求項6に記載された方法。
  8. 前記パターン形成された樹脂体を形成した後に、前記第2の温度より高い第3の温度に、前記パターン形成された樹脂体の温度を変更する工程を更に備え、
    前記第3の温度は実質的に室温に等しい、ことを特徴とする請求項6または請求項7に記載された方法。
  9. 前記モールドは石英製である、ことを特徴とする請求項6〜請求項8のいずれか一項に記載された方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009004630A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子の製造方法
JP2009283557A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光デバイスの製造方法
WO2011102239A1 (ja) * 2010-02-16 2011-08-25 東京エレクトロン株式会社 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法
JP2012028338A (ja) * 2011-09-30 2012-02-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
KR20120099538A (ko) * 2011-01-18 2012-09-11 신화인터텍 주식회사 기능성 필름의 제조방법

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2150398A2 (en) * 2007-04-23 2010-02-10 Tessera North America, Inc. Mass production of micro-optical devices, corresponding tools, and resultant structures
KR100843552B1 (ko) * 2007-07-19 2008-07-04 한국전자통신연구원 나노 임프린트 공정을 이용한 나노 전극선 제조 방법
JP5101325B2 (ja) * 2008-02-07 2012-12-19 日東電工株式会社 タッチパネル用光導波路の製造方法
JP2011066238A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp パターン形成用テンプレートの作製方法
JP4806063B2 (ja) * 2009-09-30 2011-11-02 シャープ株式会社 レンズ成形装置およびレンズ成形方法
US20110263108A1 (en) * 2010-04-27 2011-10-27 Technische Universitat Berlin Method of fabricating semiconductor quantum dots
US9426886B2 (en) 2013-01-30 2016-08-23 Seagate Technology Llc Electrical connection with reduced topography
US9385089B2 (en) 2013-01-30 2016-07-05 Seagate Technology Llc Alignment mark recovery with reduced topography
US9343089B2 (en) 2013-03-08 2016-05-17 Seagate Technology Llc Nanoimprint lithography for thin film heads
US10224224B2 (en) 2017-03-10 2019-03-05 Micromaterials, LLC High pressure wafer processing systems and related methods
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
KR102574914B1 (ko) 2017-06-02 2023-09-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 보론 카바이드 하드마스크의 건식 스트리핑
US10269571B2 (en) 2017-07-12 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Methods for fabricating nanowire for semiconductor applications
US10234630B2 (en) * 2017-07-12 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Method for creating a high refractive index wave guide
US10179941B1 (en) 2017-07-14 2019-01-15 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for high pressure processing chamber
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
WO2019036157A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Applied Materials, Inc. HIGH PRESSURE AND HIGH TEMPERATURE RECOVERY CHAMBER
KR102659317B1 (ko) 2017-09-12 2024-04-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 보호 배리어 층을 사용하여 반도체 구조들을 제조하기 위한 장치 및 방법들
US10643867B2 (en) 2017-11-03 2020-05-05 Applied Materials, Inc. Annealing system and method
SG11202003355QA (en) 2017-11-11 2020-05-28 Micromaterials Llc Gas delivery system for high pressure processing chamber
US10854483B2 (en) 2017-11-16 2020-12-01 Applied Materials, Inc. High pressure steam anneal processing apparatus
WO2019099255A2 (en) 2017-11-17 2019-05-23 Applied Materials, Inc. Condenser system for high pressure processing system
JP7299898B2 (ja) 2018-01-24 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高圧アニールを用いたシーム修復
JP7239598B2 (ja) 2018-03-09 2023-03-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 金属含有材料の高圧アニーリングプロセス
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US10566188B2 (en) 2018-05-17 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Method to improve film stability
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
CN112640065A (zh) 2018-10-30 2021-04-09 应用材料公司 用于蚀刻用于半导体应用的结构的方法
CN112996950B (zh) 2018-11-16 2024-04-05 应用材料公司 使用增强扩散工艺的膜沉积
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film
CN114683463A (zh) * 2022-03-28 2022-07-01 业成科技(成都)有限公司 光波导治具及光波导的制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04170328A (ja) * 1990-11-02 1992-06-18 Canon Inc 光学素子の製造方法
JPH08327842A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路
JPH11189425A (ja) * 1990-01-24 1999-07-13 Hoya Corp レンズ成形用型
JP2000232095A (ja) * 1999-02-12 2000-08-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体表面の微細パターン形成方法
JP2001116942A (ja) * 1999-08-06 2001-04-27 Nhk Spring Co Ltd 光導波路の製造方法
JP2002071993A (ja) * 2000-09-05 2002-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光導波路基板とその製造方法、及び光導波路部品とその製造方法
JP2003089532A (ja) * 2001-09-11 2003-03-28 Canon Inc 光学素子の成形方法
WO2004027843A1 (en) * 2002-09-18 2004-04-01 Tokyo University Of Science Surface processing method
JP2004288802A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Hitachi Ltd 光透過ナノスタンプ方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US6939487B1 (en) * 2000-10-13 2005-09-06 Novartis A.G. Deblocking contact lenses
US6878634B2 (en) * 2002-04-10 2005-04-12 Canon Kabushiki Kaisha Structure having recesses and projections, method of manufacturing structure, and functional device
JP3848303B2 (ja) 2002-06-07 2006-11-22 キヤノン株式会社 構造体、機能性構造体及び磁気記録媒体の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11189425A (ja) * 1990-01-24 1999-07-13 Hoya Corp レンズ成形用型
JPH04170328A (ja) * 1990-11-02 1992-06-18 Canon Inc 光学素子の製造方法
JPH08327842A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路
JP2000232095A (ja) * 1999-02-12 2000-08-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体表面の微細パターン形成方法
JP2001116942A (ja) * 1999-08-06 2001-04-27 Nhk Spring Co Ltd 光導波路の製造方法
JP2002071993A (ja) * 2000-09-05 2002-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光導波路基板とその製造方法、及び光導波路部品とその製造方法
JP2003089532A (ja) * 2001-09-11 2003-03-28 Canon Inc 光学素子の成形方法
WO2004027843A1 (en) * 2002-09-18 2004-04-01 Tokyo University Of Science Surface processing method
JP2004288802A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Hitachi Ltd 光透過ナノスタンプ方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009004630A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子の製造方法
JP2009283557A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光デバイスの製造方法
WO2011102239A1 (ja) * 2010-02-16 2011-08-25 東京エレクトロン株式会社 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法
JP2011169971A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Tokyo Electron Ltd 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法
KR20120099538A (ko) * 2011-01-18 2012-09-11 신화인터텍 주식회사 기능성 필름의 제조방법
KR101677451B1 (ko) * 2011-01-18 2016-11-18 신화인터텍 주식회사 기능성 필름의 제조방법
JP2012028338A (ja) * 2011-09-30 2012-02-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

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