JP2011169971A - 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011169971A JP2011169971A JP2010031416A JP2010031416A JP2011169971A JP 2011169971 A JP2011169971 A JP 2011169971A JP 2010031416 A JP2010031416 A JP 2010031416A JP 2010031416 A JP2010031416 A JP 2010031416A JP 2011169971 A JP2011169971 A JP 2011169971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- molding material
- optical
- layer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12002—Three-dimensional structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12104—Mirror; Reflectors or the like
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
Abstract
【解決手段】光導波路200は、基板10上に形成される。光導波路200は、基板10に対して水平方向に光路が形成された第1の光導波路と、第1の光導波路と連通し、基板10に対して斜め方向に光路が形成された第2の光導波路と、第2の光導波路と連通し、第1の光導波路と段違いであって基板10に対して水平方向に光路が形成された第3の光導波路と、を有する。
【選択図】図1
Description
最初に、図1(a)に示したように、基板10上に屈折率n2の下部クラッド層20を成膜する第1の成膜工程が実行される。この工程では、下部クラッド層20形成用の材料を塗布し、乾燥またはプリベークさせて下層用薄膜を形成する。そして、この下層用薄膜に、紫外線等を照射することにより硬化させて、下部クラッド層20を形成する。なお、下部クラッド層2の形成工程では、薄膜の全面にエネルギーを与え、その全体を硬化させることが好ましい。
次に、斜めのパターンを形成する第1のインプリント工程が実行される。具体的には、第1のインプリント工程では、斜めのパターンが形成された成形材としてのモールド100を第1の成膜工程にて成膜された下部クラッド層20に圧着させる。これにより、モールド100の斜めのパターンが下部クラッド層20に転写され、下部クラッド層20の端部に、テーパ形状20aが形成される。
第1のインプリント工程後、屈折率n1(ただし、n1<n2)のコア層30を成膜する第2の成膜工程が実行される。この成膜工程では、まず、第1のインプリント工程にて型押しされた領域に屈折率n1のコア層30を成膜する。そして、さらにクラッド層20上部も含む全体に屈折率n1のコア層30を成膜する。
次に、モールド100を用いた第2のインプリント工程が実行される。すなわち、モールド100を第2の成膜工程にて成膜された屈折率n1のコア層30に圧着させることにより、モールド100の斜めのパターンをコア層30に転写する。これにより、コア層30に、テーパ形状20bが形成される。コア層30のテーパ形状20bは、第1のインプリント工程で形成された下部クラッド層20のテーパ形状20aと概ね同角度に傾斜している。斜めの角度は、コア層30の屈折率n1とクラッド層20の屈折率n2との比に応じて最適化される。
第2のインプリント工程後、屈折率n2の上部クラッド層40を成膜する第3の成膜工程が実行される。具体的には、コア層30の表面に上部クラッド層形成用材料を塗布し、乾燥またはプリベークさせて上部クラッド層用薄膜を形成する。この上部クラッド層用薄膜に対し、紫外線等を照射して硬化させることにより、図1に示したように上部クラッド層40を形成する。
次に、ナノインプリント技術を用いた光導波路のテーパ形状20aの形成工程の基本例について、図3を参照しながら説明する。テーパ形状20bの形成工程については、テーパ形状20aの形成工程と同様であるためここでは説明を省略する。テーパ形状20aの形成工程では、(a)圧着工程、(b)転写工程、(c)離型工程を一連の工程として下部クラッド層20へのパターン転写が実行される。
まず、圧着工程では、モールド100を基板10に向けて降下させ、そのモールド1000を下部クラッド層20に圧着させる。これにより、下部クラッド層20がモールド100の凹部に入り込む。このようにして、モールド100の傾斜パターンが、下部クラッド層20に形成される。
次に、転写工程では、UV光源45から紫外線を照射し、基板10上の下部クラッド層20を硬化させる。これにより、モールド100の反転パターンを下部クラッド層20に転写する。下部クラッド層20に室温で瞬時に硬化する光硬化樹脂を使用するため、加熱、加圧によるパターン変形を生じず、高速プロセスが可能である。
次に、離型工程(剥離工程)では、転写工程で硬化した下部クラッド層20からモールド100を剥離する。離型工程では、モールド100を下部クラッド層の圧着方向(ここではモールド降下方向)と反対方向に引き離す。これにより、モールド100が下部クラッド層20から剥離され、全工程が完了する。
さらに、ナノインプリント工程の変形例について、図4を参照しながら説明する。本変形例では、専用ピンを利用してモールド100を剥離する技術が新たに加えられている。本変形例では、(a)圧着工程、(b)転写工程、(c)離型工程、(d)ピン退避工程、を一連の工程として下部クラッド層20へのパターン転写を実行する。
まず、圧着工程が実行される。圧着工程は、ナノインプリント工程の基本例と同じであるため説明を省略する。本工程で、モールド100の傾斜パターンが、下部クラッド層20に形成される。
次に、転写工程が実行される。転写工程では、ナノインプリント工程の基本例と同様にUV光源45から紫外線を照射し、基板10上の下部クラッド層20を硬化させる。
次に、離型工程(剥離工程)が実行される。離型工程では、転写工程で硬化した下部クラッド層20からモールド100を剥離する。本変形例では、離型工程は、モールド100を下部クラッド層20の圧着方向(ここではモールド降下方向)と反対方向に引き離す動作(引離し工程)に加え、下部クラッド層20をモールド100の圧着方向と同方向に押し付ける動作(押付け工程)が行われる。
最後に、ピン退避工程ではモールド100が下部クラッド層20から完全に剥離したら、モールド100の上方までピン50を上昇させ、モールド100の移動時にピン50が邪魔にならないようにピン50を退避させる。
以上に説明した光導波路200の変形例を図5に示す。本変形例に係る光導波路200は、下部クラッド層20及び上部クラッド層40に隣接して中間層として誘電体分離層60が形成されている点が上記実施形態に係る光導波路200の構成と異なる。なお、誘電体分離層50は、誘電体に限られず、導体等どんな素材を用いても構わない。
20 下部クラッド層
30 コア層
40 上部クラッド層
45 UV光源
50 ピン
60 誘電体分離層
100 モールド
100a 貫通穴
200 光導波管
Claims (8)
- 基板上に形成される光導波路であって、
基板に対して水平方向に光路が形成された第1の光導波路と、
前記第1の光導波路と連通し、前記基板に対して斜め方向に光路が形成された第2の光導波路と、
前記第2の光導波路と連通し、前記第1の光導波路と段違いであって前記基板に対して水平方向に光路が形成された第3の光導波路と、
を備えることを特徴とする光導波路。 - 前記第1〜第3の光導波路のそれぞれは、
光を反射させる反射層としてのクラッド層と前記光路となるコア層とを含み、
前記第2の光導波路は、前記第1の光導波路を伝送した光を前記第2の光導波路のクラッド層にて反射させながら前記第3の光導波路に伝送させることにより第3の光導波路に伝えることを特徴とする請求項1に記載の光導波路。 - 前記コア層を形成する素材の屈折率n1は、前記クラッド層を形成する素材の屈折率n2より小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の光導波路。
- 前記第2の光導波路の斜めの角度は、前記コア層の屈折率n1と前記クラッド層の屈折率n2との比に応じて定められる請求項1〜3のいずれか一項に記載の光導波路。
- 基板上に形成された請求項1〜4のいずれか一項に記載の光導波路と、
前記光導波路に信号光を放出する発光素子と、
前記光導波路を伝送する信号光を検出する受光素子と、
を備える光集積回路。 - 屈折率n2のクラッド層を成膜する第1の成膜工程と、
斜めのパターンが形成された成形材を前記第1の成膜工程にて成膜されたクラッド層に圧着させることにより、前記成形材の斜めのパターンを前記クラッド層に転写する第1のインプリント工程と、
前記第1のインプリント工程後、屈折率n1のコア層を成膜する第2の成膜工程と、
斜めのパターンが形成された成形材を前記第2の成膜工程にて成膜されたコア層に圧着させることにより、前記成形材の斜めのパターンを前記コア層に転写する第2のインプリント工程と、
前記第2のインプリント工程後、屈折率n2のクラッド層を成膜する第3の成膜工程と、を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 前記第1のインプリント工程及び前記第2のインプリント工程は、
前記斜めのパターンが形成された成形材を被成形材に圧着させることにより、前記成形材の斜めパターンを前記被成形材に形成する圧着工程と、
加熱または光の照射により前記被成形材を硬化させることにより、前記成形材の反転パターンを前記被成形材に転写する転写工程と、
前記転写工程により前記被成形材が硬化した後、前記被成形材から前記成形材を剥離させる離型工程と、を含むことを特徴とする請求項6に記載の光導波路の製造方法。 - 前記離型工程は、
前記成形材を前記被成形材の圧着方向と反対方向に引き離す引離し工程と、
前記被成形材を前記成形材の圧着方向と同方向に押し付ける押付け工程と、
を含むことを特徴とする請求項7に記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010031416A JP2011169971A (ja) | 2010-02-16 | 2010-02-16 | 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法 |
PCT/JP2011/052345 WO2011102239A1 (ja) | 2010-02-16 | 2011-02-04 | 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010031416A JP2011169971A (ja) | 2010-02-16 | 2010-02-16 | 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011169971A true JP2011169971A (ja) | 2011-09-01 |
JP2011169971A5 JP2011169971A5 (ja) | 2013-03-28 |
Family
ID=44482828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010031416A Pending JP2011169971A (ja) | 2010-02-16 | 2010-02-16 | 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011169971A (ja) |
WO (1) | WO2011102239A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002712A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 光デバイスの製造方法及び光デバイス |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07128531A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-05-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積回路およびその作製方法 |
JP2003222750A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Toshiba Corp | 光デバイスの製造方法 |
JP2006011274A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Bridgestone Corp | 光導波路の製造方法 |
JP2007010760A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学部品を形成する方法 |
JP2007223169A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | 樹脂成形品の製造方法、並びにインクジェットヘッドの製造方法及びそれにより得られるインクジェットヘッド |
JP2008016444A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
2010
- 2010-02-16 JP JP2010031416A patent/JP2011169971A/ja active Pending
-
2011
- 2011-02-04 WO PCT/JP2011/052345 patent/WO2011102239A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07128531A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-05-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積回路およびその作製方法 |
JP2003222750A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Toshiba Corp | 光デバイスの製造方法 |
JP2006011274A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Bridgestone Corp | 光導波路の製造方法 |
JP2007010760A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学部品を形成する方法 |
JP2007223169A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | 樹脂成形品の製造方法、並びにインクジェットヘッドの製造方法及びそれにより得られるインクジェットヘッド |
JP2008016444A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002712A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 光デバイスの製造方法及び光デバイス |
JPWO2016002712A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2017-04-27 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 光デバイスの製造方法及び光デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011102239A1 (ja) | 2011-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI396874B (zh) | Optical wiring printing board manufacturing method and optical wiring printed circuit board | |
CN101620300B (zh) | 兼容cmos的集成电介质光波导耦合器和制造 | |
US7063467B2 (en) | Optical module and method of manufacturing the same, and hybrid integrated circuit, hybrid circuit board, electronic apparatus, opto-electricity mixed device, and method of manufacturing the same | |
TWI220542B (en) | Semiconductor device | |
US20080044127A1 (en) | Printed Circuit Board Element Comprising at Least One Optical Waveguide, and Method for the Production of Such a Printed Circuit Board Element | |
KR100688845B1 (ko) | 광도파로 제조방법, 상기 광도파로를 포함하는 광전기인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
CN104377188A (zh) | 玻璃基多芯片封装 | |
KR20040036614A (ko) | 복합 칩 모듈 및 그 제조 방법, 및 복합 칩 유닛 및 그제조 방법 | |
JP2009251033A (ja) | 光導波路の製造方法、光導波路及び光送受信装置 | |
JP6730801B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
US7106921B2 (en) | Optical waveguide interconnection board, method of manufacturing the same, precursor for use in manufacturing optical waveguide interconnection board, and photoelectric multifunction board | |
JP6084027B2 (ja) | 光導波路装置及びその製造方法 | |
JP4211188B2 (ja) | 光導波路の形成方法および光送受信装置の製造方法 | |
WO2011102239A1 (ja) | 光導波路、光集積回路及び光導波路の製造方法 | |
TWI393509B (zh) | 光電混載電路板及其製造方法 | |
CN111103658A (zh) | 用于光学耦合的设备及用于通信的系统 | |
US20210247568A1 (en) | High-density optical waveguide structure and printed circuit board and preparation method thereof | |
JP4234061B2 (ja) | 光導波路デバイスの製造方法 | |
US11119280B2 (en) | Grating couplers and methods of making same | |
JP4280677B2 (ja) | 光導波路構造付きデバイスの製造方法 | |
JP2011180276A (ja) | 光伝送基板および光モジュール | |
JP2009098485A (ja) | ミラー貼り付け光路変換素子とその作製方法 | |
JP5300396B2 (ja) | 光路変換体とそれを具備する光伝送基板 | |
JP2006052992A (ja) | 光導波路配線基板又は光電気混載基板の検査方法 | |
JP2003197808A (ja) | 半導体装置および電子部品実装用基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110701 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130206 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130815 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130903 |