TWI390552B - Excimer lamp device - Google Patents

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TWI390552B
TWI390552B TW096126192A TW96126192A TWI390552B TW I390552 B TWI390552 B TW I390552B TW 096126192 A TW096126192 A TW 096126192A TW 96126192 A TW96126192 A TW 96126192A TW I390552 B TWI390552 B TW I390552B
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Nobuyuki Hishinuma
Shinichi Endo
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Ushio Electric Inc
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Description

準分子燈裝置
本發明係關於被使用在如液晶面板基板、半導體晶圓、磁碟基板、光碟基板等般地,對玻璃、半導體、樹脂、陶瓷、金屬等、或這些的複合基板表面照射紫外光,進行洗淨、蝕刻等的基板處理之準分子燈裝置。
搭載了在專利文獻1等已知之準分子燈的準分子燈裝置,係將從準分子燈放射之200nm以下100nm以上的範圍之紫外光,在氧微量存在的氛圍下照射被處理物的表面,藉由產生的活性氧和透過的紫外光之相乘效果而使被處理物的表面之有機物分解飛散而進行洗淨之物。
也就是,從準分子燈例如將波長172nm的紫外光照射於基板表面,藉由分解構成有機物的化學鍵結而使其低分子化、同時使有機污染物活性化。同時,對浮遊於基板表面的氧照射紫外光,由產生的活性氧,藉由有機污染物與活性氧的氧化反應而變換為揮發物質,放出至空氣中而除去。
使用如此的準分子燈之乾洗淨,係因為在分解氧時消耗紫外光,而因存在於準分子燈與基板之間的氧量而到達基板表面的紫外光產生變化,所以在超過對有機污染物的氧化必要之量而存在高濃度的氧分子的情況,變得無益地消耗紫外光而不能到達基板表面。因此,從先前在準分子燈裝置重覆改良,開發關於有效利用紫外光的技術。
例如:(1)已知:將複數的棒狀的準分子燈配置於作為大略密閉的狀態之矩形箱狀的框體內部,將如此的框體內部變換為紫外光透過性的氛圍,也就是填充了氮氣等的惰性氣體之氛圍,經由設置於框體的一面之紫外光透過窗構件而放射紫外光之準分子燈裝置。
而且,亦已知:(2)為了作到通過了紫外光透過窗構件之紫外光不無益地消耗,所以藉由在窗構件與基板之間流動氮氣等的惰性氣體而變低氧氣分壓,而提高紫外光透過性之物。
另外,在最近,為被處理物之液晶面板基板係進行大面積化,對應於此的紫外光透過窗構件的製造變得越困難。因此亦開發:不使用窗構件,將來自準分子燈的紫外光直接照射於基板之準分子燈裝置。在如此之物,係(3)在準分子燈與基板之間流動的惰性氣體及將氧控制於所期待處,可抑制來自準分子燈的紫外光之衰減,有效率地對基板照射紫外光。
在最近,作為基板表面的洗淨時的反應性氣體,代替氧而使用水蒸氣的技術在專利文獻1(日本特開2001-137800號公報)、專利文獻2(日本特開2001-162240號公報)等被提案出來。如此的技術,係為了維持紫外光透過性而對被供給的氮氣氣體施加濕度而作為加濕化氮,將水吸收紫外光、進行分解而產生的OH自由基或H自由基利用在基板的洗淨處理之物。
第11圖係將有關記載於專利文獻1的技術之基板處理裝置,對燈的管軸在垂直面切斷之準分子燈裝置的說明用剖面圖。
此準分子燈裝置,係於紙面下方開口的燈室72內部例如具備3支棒狀的準分子燈7,以包含燈室72的下部以及用以搬運基板70的滾子輸送帶71的方式設置處理室76。
於燈室72的內部係作為惰性氣體之氮氣氣體從氣體供給用配管73供給而置於內部不含有氧之氛圍下,由此變得可抑制來自準分子燈7的紫外光衰減。
另外,於處理室76的下方係連接加濕化惰性氣體的供給管75,由此變得可供給水蒸氣與氮氣氣體之混合流體。另外,於處理室76的上方係設置排氣管78,藉由強制排氣而加快處理室76的入口的流速,防止臭氧的洩漏。
在基板70的表面係照射從準分子燈7之紫外光而清淨化、同時存在於基板70表面的水蒸氣亦被照射紫外光而產生氧化性的OH自由基和還原性的H自由基。藉由如此的OH自由基和H自由基的作用而將附著於基板70表面之由有機物質所構成之污染物質變換、分解為揮發物質,可從排氣管放出至外部,進行基板的乾洗淨。
〔專利文獻1〕日本特開2001-137800號公報〔專利文獻2〕日本特開2001-162240號公報
然而,在記載於專利文獻1的裝置,係有將燈室72內以惰性氣體填充之必要。在有關於上述構成的裝置,有因為於光照射用而開口燈室72所以有供給多量的惰性氣體之必要,有運轉成本變為高價的問題。有鑑於此,在將燈室72的開口以紫外光透過性的石英玻璃製的窗等覆蓋的情況,難以追隨在最近液晶面板基板的大面積化、同時因為窗構件非常高價,所以裝置也成為高價之物。
另外,在搬運基板70之處理室76,係有將內部保持在高濕度氛圍之必要,不可避免構造變得複雜之情事。而且,因為藉由來自加濕化惰性氣體的供給管75的供給氣體量和藉由排氣管78的排氣而管理控制處理室76內的氛圍,所以將基板70表面的氛圍維持於一定為非常困難,有洗淨處理不安定的問題。
在專利文獻2,記載有關於與上述技術相同,藉由將加濕化惰性氣體供給於基板表面、同時照射來自準分子燈的紫外光,分解由基板表面的有機物質所構成之污染物質,變換為揮發物質,進行除去之乾洗淨方法。在此方法係搬入基板至處理室內,注入加濕反應氣體而作為特定的氛圍後,將來自準分子燈的紫外光照射於基板表面而進行乾洗淨。然後排氣被放出的揮發物質,搬出基板。
然而在藉由如此的方法之情況,因為在搬出基板前一旦除去揮發氣體,所以有提高處理室的氣密性之必要,有裝置構造變得複雜、高價之問題。
另外,藉由在處理室內設置加濕化氣體供給用配管而濕度檢測器,而應該控制氛圍的相對濕度,但因為顯現出氛圍濕度不均,所以加濕器的控制變難,難以作出安定的處理氛圍。
而且在此技術係因為控制相對濕度,所以即使相同%,亦因溫度而被含有的含有水份的絕對量亦變化。如含有水分量變多,則紫外光的吸收量增加而激發活性種增加,但因為紫外光不達到工作所以變得得不到洗淨效果。因為如含有水份量變少則紫外光照射量增加但激發活性種少,所以變得得不到洗淨效果。
也就是,在作為先前周知的技術,係基板處理空間的水份絕對量變化,有不能進行基板的安定處理之問題。
在如此的實情之外,再加上伴隨燈的高輸出化而燈溫度亦有變高的傾向,由燈的溫度變化之基板附近氛圍的溫度係有受到數十度的影響。在如此進行的情況,在相對濕度的控制係更難進行安定的基板處理。
於是本發明打算解決的課題,係可良好地對應基板的大型化、同時可降低運轉成本,可確實地進行基板表面的處理,提供準分子燈裝置。
為了解決上述課題,有關於本發明的準分子燈裝置,以具備:準分子燈、和收納準分子燈,具有放出從該準分子燈所放射的紫外光之光照射口的燈室、和配置於燈室內 ,相對於準分子燈平行而且交互地配設之,設置了氣體噴出口而形成之氣體供給用配管、和導入含有水蒸氣的惰性氣體到氣體供給用配管之氣體供給機構;藉由前述氣體供給機構而絕對濕度被控制在特定之惰性氣體,被供給於前述氣體供給用配管作為其特徵。
另外,前述絕對濕度係換算為重量絕對濕度為0.5~6.5g/kg為佳。
另外,含有前述水蒸氣的惰性氣體,係具備:流過準分子燈與氣體供給用配管之間而從燈室的開口流出之構成為佳。
另外,於前述準分子燈的周圍,係具備:將來自準分子燈放射的紫外光之中放射至與光照射口的方向相異之方向的光,進行遮光的遮光機構為佳。
另外,前述準分子燈,係具備:至少一部分為由使紫外光透過的介電質材料所構成,於內部封入放電氣體的放電容器、和配置於此放電容器的外面之第一電極、與該第一電極至少經由1片介電體,配置於放電容器的內部或外部之第二電極而構成,在配置於放電空間的外部之電極的表面形成耐氧化性的保護膜或是對於紫外光具有透過性的保護管,於保護管的內部收納準分子燈者為佳。
(1)可對為被處理物的基板表面均勻的供給含有水蒸氣的惰性氣體,而且因為控制水蒸氣量,所以在形成於 準分子燈與基板之間的空間產生溫度變化的情況,也可將H自由基和OH自由基的生產量維持於一定、同時可抑制紫外光之過剩的衰減,可實現安定的洗淨效果。
(2)將惰性氣體中的水蒸氣量作為重量絕對濕度0.5~6.5 g/kg,可確實的得到藉由將水蒸氣使用於自由基源之洗淨效果。
(3)以使含有水蒸氣的惰性氣體流過準分子燈和氣體供給用配管之間而從燈室的開口使其流出,可均勻地控制供給於基板表面的水蒸氣量。
(4)藉由在準分子燈的周圍,具備將從準分子燈放射的紫外光之中放射至與光照射口的方向係相異的方向之光,進行遮光之遮光機構,在以基板與準分子燈形成的空間以外的部份不產生、消耗H自由基或OH自由基般地解決,可有效率地使這些自由基作用於基板,可得高的洗淨效果。
(5)於準分子燈的電極的表面形成耐氧化性的保護膜、或是藉由準分子燈被收納於保護管的內部,可避免電極氧化,可維特安定的點燈狀態。
以下,關於本發明參照圖面而詳細地說明。
第1圖進行具備準分子燈的被處理物之的乾洗淨之準分子燈裝置,同圖係在垂直於準分子燈的管軸的剖面而表示之說明用部分剖面圖。
此準分子燈裝置10係按照必要配置基底構件12,與其內周形成光照射口12A、同時全體配置長方體的箱狀之外裝蓋體13,構成燈室11。在此燈室11的內部,在對光照射口12A平行的面上,為紫外光光源之複數的準分子燈20以相互平行地延伸的方式配置。在本實施形態係具備4支準分子燈。
準分子燈裝置10,係以在工廠內的滾子輸送帶等的基板搬運用機構16的上部設置光照射口12A的方式設置,在形成於光照射口12A的下方之空間S搬運液晶面板基板等的被處理物之基板W。
第2圖係說明第1圖中的準分子燈(a)為管軸方向剖面圖、(b)為在垂直於管軸的方向切斷的剖面圖。
準分子燈20的放電容器21藉由透過紫外光的石英玻璃而構成。在放電容器21的內部係為準分子產成氣體,為放電氣體之氙氣氣體以60kPa的封入壓力而封入。
於放電容器21的內部係由金屬製的線圈所構成之一方的電極22,沿著該放電容器21的軸而配置,連接在埋設於形成在放電容器21的兩端之箍縮密封(pinch seal)部21A、21B之金屬箔24A、24B而被保持。
於放電容器21的外表面上,係由金屬板所構成而成形至剖面半圓形之槽狀的另一方電極23,密接配置於該放電容器21的上部位置。在本實施形態,另一方的電極23係由對於紫外光具有反射性的材質,理想為由鋁所構成,兼作為將從放電容器21的上方出射之紫外光朝向在準分子燈裝置(10)的光照射口(12A)而反射之反射鏡。而且,在如此的另一方的電極23,係亦可為於其上橫亙放電容器21全周而舖蓋網狀電極。在此情況放電區域擴大,可期待更高的光輸出。
另外,此另一方的電極23,係亦有作為將從準分子燈20放射於光照射口(12A)以外的方向的紫外光進行遮光的遮光機構之機能。
藉由具備如此的遮光機構,在第1圖,放射至形成於基板W與準分子燈20之間之空間S以外的部分的紫外光被遮光,對基板W的污染物質應進行作用之H自由基及OH自由基,成為可避免在空間S的前方被產生、消耗,可提高基板W的洗淨效果。如此的遮光機構,係使構成準分子燈20的構件具備遮光機能以外,亦可對燈使用別的構成而附加地設置。
再次參照第2圖而說明燈構成。在同圖,符號25係由介電體所構成的管材,藉由覆蓋一方的電極22的全長,可使產生在一方與另一方的電極22、23之間的放電及於燈的長度方向之全體而安定化。另外於放電容器21的兩端部附近係於放電空間內部配置中空圓板狀的支撐構件26A、26B,於該中心貫穿管材25而支撐。
在第1圖,於準分子燈20的上方,係配置:與該準分子燈20隔開特定距離,冷卻用的流體流通之配管14A係被設置於內部之冷卻用塊狀體14。於冷卻用塊狀體14的上方,係安裝省略圖示之準分子燈20點燈用的電源裝置,將在點燈中,由電源裝置產生的熱及由準分子燈20所產生的熱以有關的冷卻用塊狀體14吸收,謀求兩空間的絕熱、同時抑制準分子燈裝置10的過熱。
於冷卻用塊狀體14的下方係配置氣體供給用配管15。氣體供給用配管15係由鋁、不銹鋼等所構成,例如:藉由於冷卻用塊狀體14的底面具備省略圖示的夾具而固定,保持為中空。在本實施形態氣體供給用配管15係全部具有5支,對於準分子燈20的軸,管的軸為平行而且從基板W的搬運方向(箭頭)來看燈與配管係成為交替般地排列。而且,此氣體供給用配管15與準分子燈20係不限定於每隔1支交替地配置之構成,亦可每隔複數支交替地配置。
第3圖為取出氣體供給用配管(15)和準分子燈(20)的一部分而表示、說明用之立體圖。如同圖所示,於氣體供給用配管的側面係朝向準分子燈的上方的空間設置開口,構成氣體噴出口15a。氣體噴出口15a係於氣體供給用配管15的長度方向及於準分子燈20的全長多數地設置,若對氣體供給用配管15供給控制了含有水蒸氣量之惰性氣體,則從氣體噴出口15a噴出已加濕化之惰性氣體,於各準分子燈20的上部空間成為可到處供給加濕化惰性氣體。而且在本實施形態係藉由多數的孔而構成氣體噴出口15a,但不限於此,狹縫狀、噴嘴狀等為合適。
從氣體噴出口15a放出之加濕化惰性氣體,係如在第1圖所示般地滯留於準分子燈20的上部空間之後,沿著準分子燈20的管壁,通過氣體供給用配管15與準分子燈20的間隙而朝向燈室11的光照射口12A噴出。如此,因為使從氣體噴出口15a供給的氣體滯留一下之後,再朝向空間S放出,所以加濕化惰性氣體的流速變慢、同時於燈的軸方向變得均勻,H2 O的濃度變為均勻。
而且,在準分子燈20的上部空間,係因為配置另一方的電極23所以紫外光被遮光,沒有被照射紫外光。因而H2 O在放出至形成於準分子燈20與基板W之間的空間S以前,H2 O不被激發,不產生、消耗無益的H自由基或OH自由基,可確實地防止電極23的氧化。
接著,參照第4、5圖而詳細地說明關於本發明的氣體供給機構之一例。而且,關於之前在第1~3圖已說明的構成係以相同符號表示,省略有關詳細說明。
第4圖係簡略圖示在第1圖的準分子燈裝置有關氣體供給機構的構成之說明用圖、第5圖為表示加濕裝置的構成之一例的說明用圖。而且,在此係表示作為惰性氣體而使用氮氣氣體(N2 )之例子,但當然也可能使用其他的惰性氣體。
在第4圖,氮氣氣體供給源40係由氣瓶(gas canister)等所構成,由此氮氣氣體供給源40而供給氮氣氣體於加濕裝置50。一方面,加濕用的水源41係由供給水槽等所構成,去離子水(DIW)與前述相同,供給於加濕裝置50。然後,將這些作為基礎,在加濕裝置50產生絕對濕度被調整至特定之加濕化氮氣氣體,通過可預防凝結之配管51及分歧配管52,成為可供給於在準分子燈裝置10的各氣體供給用配管15。
使用第5圖而詳細地說明加濕裝置之一例。在第5圖,水源41係經由閥53及止回閥54而連接於加濕槽55,如同圖所示於加濕槽55係導入供給水(去離子水(DIW))。液面控制器56係藉由設置於加濕槽55側面之液位開關57而監視加濕槽55中的去離子水的水位,一測出超過液位開關57的下限而水面變低之情事,則經由連接於液面控制器56與閥53之間的配線,從該液面控制器56對閥53發出促使供水於加濕槽55的指示。
於此加濕槽55的內部供給氮氣氣體,氮氣氣體被加濕化處理。以下,詳細說明有關於此之情事。
從氮氣氣體供給源40,經由流量計58及針閥59而從配管60對加濕槽55供給乾燥氮氣氣體。另外,分歧的配管61的前頭係經由針閥62而與連通於加濕槽55內的配管63合流,連接於濕度控制裝置64。
濕度控制裝置64係具備:檢測包含於惰性氣體中的水量而檢測絕對濕度(一般亦稱為「混合比」(單位:g/kg))之濕度感測器641、與將來自此濕度感測器641之類比輸出電壓值變換為數位輸出電壓值之A/D變換部642、與記憶部643、與使用來自A/D變換部642的資訊以及記憶於記憶部643的資料等而進行演算之演算部644、與將來自演算部644的結果作為基礎發出控制針閥62的開閉狀態的訊號之控制部645。
然後,監視供給之氮氣氣體中的絕對濕度,在加濕化氮氣氣體中的絕對濕度比特定的範圍低的情況,促使針閥62的閉鎖而使已進行加濕化的氮氣氣體量增大。在絕對濕度超過特定的範圍而高的情況,係打開針閥62而使乾燥氮氣氣體量增大,使絕對濕度下降。
而且,如在同圖所示地,於加濕槽55係設置監視容器內部的壓力之壓力計66、及安全閥67。另外,符號68為用以排出加濕槽55內的水之排洩閥。
如此進行,出自加濕裝置50的氣體,通過配管(51)及分歧管(52)而供給於在準分子燈裝置(10)的氣體供給用配管(15)。
接著,參照第6圖而說明關於與上述係相異的構成之加濕裝置。而且,關於與之前藉由第4圖、第5圖而說明的構成相同之構成係以相同符號表示而省略詳細說明。
於加濕槽55係導入供給水(去離子水(DIW)),在本例係藉由浮球閥(ball tap)70而監視水量。浮球閥70的位置若低於特定則從水源41經由配管69而自動供給供給水。
關於來自氮氣氣體供給源40的氣體供給經路及來自加濕槽55的加濕惰性氣體的經路,係與上述例為相同。也就是,在導入供給水之加濕槽55,已加濕化的氮氣氣體係經由配管63而被送至濕度控制裝置64而在濕度感測器641測定絕對濕度,在絕對濕度未滿特定之情況係閉鎖針閥62而提高濕度,一方面,在絕對濕度比特定高的情況係打開針閥62而增加乾燥氮氣氣體的比例而降下濕度,可進行絕對濕度的調整。如此進行而含有已調整之水蒸氣的氮氣氣體,係成為可流過配管51而供給於在準分子燈裝置(10)的氣體供給用配管(15)。
如以上般地,藉由具備乾燥惰性氣體的供給源、水源、加濕裝置及配管而構成而成之氣體供給機構,而水蒸氣量被控制於特定之惰性氣體被供給於氣體供給用配管。
藉由具備上述的加濕裝置,從氣體供給裝置供給將絕對濕度、也就是含有之水蒸氣量控制在特定之惰性氣體。因而,即使在燈室內的溫度變化的情況,浮遊於基板表面附近的水分子量亦不增減,可實現安定的乾洗淨處理。若浮遊於基板表面附近的H2 O分子的數過多,則紫外光的衰減變大而照射於基板表面的紫外光不足,不能充分地進行污染物質的活性化。一方面,若H2 O的數過少,則雖然向基板的紫外光照射被確實地進行,但是H自由基及OH自由基不足,活性化之污染物質的分解變得困難。
在基板的乾洗淨作為必要的水蒸氣量,重量絕對濕度為0.5~6.5g/kg、較理想為1.0~6.0g/kg、更理想為1.5~4.5g/kg。以將重量絕對濕度作為0.5~6.5g/kg的範圍,即使與作為自由基源使用氧(不使用水)之基板洗淨比較,亦變為可提昇大的洗淨效果。而且,若將重量絕對濕度作為1.0~6.0g/kg的範圍,則純水的接觸角成為可更變小5°以上,可確實地得到洗淨效果。然後再加上,若將重量絕對濕度作為1.5~4.5g/kg,則基板的純水的接觸角能變小至於洗淨被要求的10。附近,變為可得大的洗淨效果。一方面,若重量絕對濕度成為7.0g/kg以上,則比起作為自由基源僅使用氧(不使用水)之基板洗淨,洗淨效果下降。
在此,將有關以上的構成之準分子燈裝置的處理,參照第1圖同時說明。在第1圖,若在形成於光照射口12A的下方之空間S搬運由液晶面板基板等所構成的被處理用的基板W,則從氣體噴出口15a被放出的加濕化惰性氣體經由準分子燈20的上部空間,通過準分子燈20與氣體供給用配管15之間而流出至基板W表面。與此同時,來自準分子燈20的紫外光(UV光)照射於基板W的表面及水蒸氣。
而且,一對藉由附著於基板表面的有機物質所構成之污染物質照射紫外光,則污染物質活性化、同時吸收了紫外光(UV光)的水蒸氣(H2 O)被激發而分解為H自由基和OH自由基而成為活性種(seed),這些作用於被活性化之污染物質而變換為揮發物質。於空間S係因為從準分子燈裝置10連續流出加濕化惰性氣體,所以產生的揮發物質係從基板表面飛散,通過排氣口(不圖示)而放出至準分子燈裝置10的外部。
如藉由此的準分子燈裝置10,因為加濕化惰性氣體均勻地供給於形成在光照射口12A的下方之空間S(燈與基板間的空間),所以可一定化浮遊於基板(W)的表面之H自由基及OH自由基量、同時被照射的紫外光量亦一定化,可確實地進行基板(W)表面的處理。
特別是,以將惰性氣體的重量絕對濕度作為0.5~6.5g/kg的範圍,可抑制從準分子燈放射的紫外光之衰減,對於基板亦可照射適當量的紫外光、同時由H2 O分子產生的H自由基及OH自由基量,均亦產生對基板無過與不及的量,成為可提昇高的洗淨效果。
另外,在上述裝置,關於惰性氣體,係因為如供給於光照射口12A的下方的空間S則足夠,所以亦無填充於大的裝置全體之必要,可節約使用的惰性氣體量而可降低運轉成本。而且,亦無將準分子燈裝置10的光照射口12A以石英玻璃氣密地覆蓋的必要,可自由地進行準分子燈裝置10之大型化,亦可降低裝置本體的成本。
再加上,在有關本發明的準分子燈裝置,係如設置於基板處理裝置中的搬運線之一區劃為佳,可省空間而且簡單地構成裝置,可作為泛用性高的裝置。
接著,第7圖,係說明本發明的第2實施形態之準分子燈裝置的說明用剖面圖。而且,關於之前在第1圖~第6圖已說明的構成係以相同符號表示,省略詳細說明。
此實施形態與上述實施形態不同之點係準分子燈的形態,在此使用具備了成形至矩形箱狀的放電容器之物。
首先,參照第8圖而說明準分子燈構成。第8(a)圖為放大準分子燈而表示之以一部分虛線顯示的透過立體圖、(b)為以(a)中的A-A切斷之說明用剖面圖。放電容器31的材質與上述相同,由透過紫外光的石英玻璃所構成,於放電容器31的內部,係封入氙氣氣體。在放電容器31的外表面之光放出側的一面(在紙面下方的面)係形成已形成至網狀的一方的電極32,相對於此面之外表面形成另一方的電極33。由一方的電極32,係藉由從網的間隙透過紫外光,如在第7圖所示地,朝向配置於相對面的基板而照射紫外光。
在本實施形態,於一方與另一方的電極32、33的表面,形成耐氧化性的保護膜34。而且作為保護膜,由之前亦敘述之SiO2 、Al2 O3 、TiO2 或這些的複合物等所構成之膜為合適。而且形成於一方的電極32上之保護膜34係選擇對紫外光具有透過性之物。
如第7圖所示地,若由配置於燈室11上部之氣體供給用配管,供給水蒸氣量被調整至特定之惰性氣體,則通過準分子燈30和氣體供給管15的間隙,朝向基板W的表面上流過。在與此同時,來自準分子燈30的紫外光照射於基板W表面,將由附著的有機物質所構成之污染物質活性化、同時吸收了紫外光(UV光)的水蒸氣(H2 O)被激發而分解為H自由基和OH自由基而成為活性種(seed),這些作用於被活性化之污染物質而變換為揮發物質。
如此,如藉由關於本發明的準分子燈裝置,則不問準分子燈的形態而可確實地發揮洗淨處理機能。
而且,尤其如本實施形態般地,在準分子燈的光放出面對於基板的被處理面為平面的構成之情況,氣體的流動容 易安定化,可更圓滑地進行自由基群的回收而為合適。
以上,關於有關本發明的實施形態之準分子燈裝置已詳細地說明,但本案發明當然不限定於此實施形態,可適宜變更。
例如:作為準分子燈,提示出表示在第2圖、第8圖之物但不限定於這些構成。具體而言,即使使用作為放電容器形狀如記載於從先前已知的專利文獻1之將直徑小的內管部與直徑大的外管部配置於同軸,熔接其兩端部而密封,形成中空圓筒狀的放電空間之物也沒有關係。另外,在上述實施形態於第2圖所示之準分子燈,係另一方的電極應該作為反射板而發揮機能,但不被限定於此態樣,在放電容器的上部外表面形成反射膜亦佳。另外,對於另一方的電極不使其具備反射性,安裝另外的反射鏡亦佳。
另外,在配置於放電容器的外表面之電極係如第8圖所示,形成耐氧化性的保護膜,或藉由以外的機構而防止電極的氧化為最佳。在本實施形態未採用,但如使用對紫外光具有透過性的保護管,收納燈全體於此,將電極等從H自由基或OH自由基加以保護般構成亦佳。
以如此採用耐氧化性的保護膜或保護管,即使在另一方的電極的周圍浮遊H自由基或OH自由基的情況亦無電極被氧化之情事,可實現安定的放電。
接著,為了確認發明的效果而進行實驗例1~2。而且,在下述實驗例1~2使用的裝置規格為一例,不限定於此。
[實施例1]
根據第1圖的構成而製作準分子燈裝置(10)的實驗機。此準分子燈裝置(10)之具體的構成按照以下所述。
準分子燈(20)係具有表示於第2圖的構成,具備:外徑為18.5mm、內徑為16.5mm、全長為2470mm之石英玻璃製的圓筒狀的放電容器(21),於管的中心配置一方的電極(22)、同時於放電容器(21)的外表面上配置半圓筒形的另一方的電極(23)而構成。另外,於此放電容器(21)的內部封入壓力為60kPa的準分子產生氣體,製作額定消耗電力600W之準分子燈。
使用4支如此製作的準分子燈(20),安裝於有關第1圖的構成之準分子燈裝置。
鄰接於準分子燈(20)而配置之氣體供給用配管為鋁製,在相對於準分子燈的上部空間的位置,將內徑0.7mm的小孔所構成之氣體噴出口,以間距10mm形成之物。
在具有以上的構成之準分子燈裝置(10),於基板搬運用機構(16)上載置了作為被處理物之基板(W)。將基板以厚度0.7mm、寬度2200mm、長度2400mm之無鹼玻璃構成,而且使用將其表面進行污染處理,將純水的接觸角作為約40°之物。
以基板(W)的被處理面與準分子燈(20)之最接近距離成為3mm的方式進行調節而設置燈室(11)。此距離,係應該接近於一般上使用之準分子燈裝置的配置條件。
另外,基板(W)的搬運速度作為5m/min。在燈室的照射區為約250mm的情況,根據此條件,由準分子燈(20)之紫外光照射時間成為約3秒鐘。
使用有關上述構成之實驗裝置,使導入至氣體供給管之惰性氣體的濕度各式各樣地變化而研究基板表面之純粹的接觸角。第9圖係表示以以下的條件1~6進行了洗淨處理的結果之圖,縱軸為純水的接觸角(°)、橫軸為相對濕度(%RH)。
[條件1]
由氣瓶直接將不含水蒸氣之乾燥氮氣氣體導入氣體供給管。在不進行水蒸氣導入之情況,由準分子燈的光照射於浮遊在基板表面的氧而產生臭氧,而且藉由在臭氧分解時產生之活性氧的作用,進行基板的乾洗淨。此結果,了解:基板表面的純水的接觸角係在紫外光照射前為40°之物下降至20°。此條件係在第9圖對應於相對濕度0%。
接著,於氣體供給用配管附設加濕裝置而構成:可將已加濕化的惰性氣體供給於燈室內之實驗裝置。
[條件2]
將供給的氣體溫度強制冷卻至5℃同時保持於一定,使相對濕度從0%~100%變化而供給氮氣,確認洗淨效果。將此結果於第9圖中以×符號表示。
[條件3]將供給的氣體溫度保持在10℃,使相對濕度從0%~100%變化而供給氮氣,確認洗淨效果。將此結果於第9圖中以菱形符號表示。
[條件4]將供給的氣體溫度保持在20℃,使相對濕度從0%~100%變化而供給氮氣,確認洗淨效果。將此結果於第9圖中以正方形符號表示。
[條件5]將供給的氣體溫度保持在30℃,使相對濕度從0%~100%變化而供給氮氣,確認洗淨效果。將此結果於第9圖中以三角形符號表示。
[條件6]將供給的氣體溫度保持在45℃,使相對濕度從0%~100%變化而供給氮氣,確認洗淨效果。將此結果於第9圖中以圖形符號表示。
如從第9圖的結果了解地,在各溫度接觸角變為最低的相對濕度係相異。此係意味著,換言之在即使控制相對濕度而不控制氣體的溫度的情況,係不能得到有效的洗淨效果。
例如:在相對濕度為約5%,供給之惰性氣體溫度為30~45℃的情況,可下降至在此種玻璃之洗淨被要求之接觸角10°±1°以下。但即使維持相同的相對濕度5%,若氣體的溫度變為20℃以下則純水的接觸角變得比15°大,變為得不到作為所希望之效果。
另外,在相對濕度20%的情況,最合適的溫度為20℃,在此情況係可下降至接觸角10°±1°以下。但是,在比溫度20℃有進行變化的情況,係不能下降至接觸角10°±1°以下。而且,在氣體的溫度為45℃的情況係接觸角超過35°而變為比不導入水蒸氣的情況還差的結果,了解到不能得到洗淨效果。
[實施例2]
在上述實驗例1使用的準分子燈裝置附設在第4、5圖所示之氣體供給裝置而構成實驗裝置。作為被處理物使用與在上述實驗例1使用之物相同構成之基板,使惰性氣體中的絕對濕度(重量絕對濕度)在0~8.0g/kg之間變化,進行洗淨,測定基板表面的純水之接觸角。而且,裝置的驅動條件亦作為與上述實驗例相同。
將實驗例2的結果表示於第10圖。
隨著使水蒸氣從重量絕對濕度0g/kg開始增大,基板的純水的接觸角變小,在3.0~3.5g/kg附近變得可得到最低的接觸角。由此重量絕對濕度一變大則接觸角徐徐地變大,若超過重量絕對濕度7.0g/kg,則變得比不含有水蒸氣的情況還差。因而,作為必要的水蒸氣量,係重量絕對濕度為0.5~6.5g/kg,由此,與在不使用水蒸氣而洗淨的情況比較下可實現高的效果。而且,在重量絕對濕度為1.0~6.0g/kg的情況係可達成未滿接觸角15°,而且若作為1.5~4.5g/kg,則可下降至在玻璃洗淨被要求之接觸角10°±1°以下。
如由以上的實驗例的結果明暸般地,在準分子燈裝置以相對濕度控制、管理含有水分量的情況,因為由供給氣體的溫度而基板的洗淨效果係不同,所以難以維持安定的洗淨條件。在以相對濕度管理的情況,以亦管理進行供給的氣體之溫度,成為可得到所期待之洗淨效果,但若思索實際使用則不實際。也就是說,假設實際上係因為準分子燈本體變為高溫,所以在處理基板的空間氛圍溫度亦產生不少影響,氣體的溫度亦產生變動。伴隨惰性氣體的溫度變化而必須使相對濕度變化,但在處理室內設置濕度感測器的情況,係除了難以控制、再加上回應良好地調整相對濕度亦對實現性非常地缺乏。
一方面,在管理絕對濕度的情況係可將洗淨效果控制所期望的範圍,而且因為幾乎不相依於溫度,所以可不考慮準分子燈的溫度上昇等,可確實地提高洗淨效果。
如此,在基板的表面處理,係意味著存在於處理基板的空間之水分子的絕對量之控制為不可欠缺。因此,控制惰性氣體中的絕對濕度為必要。
S...空間
W...基板
7...準分子燈
10...準分子燈裝置
11...燈室
12...基底構件
12A...光照射口
13...外裝蓋體
14A...配管
14...冷卻用塊狀體
15...氣體供給用配管
15a...氣體噴出口
16...基板搬運用機構
20...準分子燈
21...放電容器
21A...箍縮密封部
21B...箍縮密封部
22...電極
23...電極
24A...金屬箔
24B...金屬箔
25...管材
26A...支撐構件
26B...支撐構件
30...準分子燈
31...放電容器
32...電極
33...電極
34...保護膜
40...氮氣氣體供給源
41...加濕用的水源
50...加濕裝置
51...配管
52...分歧配管
53...閥
54...止回閥
55...加濕槽
56...液面控制器
57...液位開關
58...流量計
59...針閥
60...配管
61...配管
62...針閥
63...配管
64...濕度控制裝置
66...壓力計
67...安全閥
68...排洩閥
69...配管
70...基板
70...浮球閥
71...滾子輸送帶
72...燈室
73...氣體供給用配管
75...加濕化惰性氣體的供給管
76...處理室
641...濕度感測器
642...A/D變換部
643...記憶部
644...演算部
645...控制部
65...加熱器
〔第1圖〕表示本發明的第1實施形態,在垂直於準分子燈的管軸的剖面顯示之說明用部分剖面圖。
〔第2圖〕係說明關於本發明的第1實施形態的準分子燈,(a)為管軸方向剖面圖、(b)為在垂直於管軸的方向切斷的剖面圖。
〔第3圖〕取出有關本發明的第1實施形態之氣體供給用配管和準分子燈的一部分而圖示、說明用的立體圖。
〔第4圖〕簡略圖示有關關於本發明的實施形態之氣體供給機構的構成之說明用圖。
〔第5圖〕顯示有關本發明的實施形態之加濕裝置的構成之一例的說明用圖。
〔第6圖〕簡略圖示有關關於本發明的其他實施形態之氣體供給機構的構成之說明用圖。
〔第7圖〕係說明本發明的第2實施形態之準分子燈裝置的說明用剖面圖。
〔第8圖〕為有關於本發明的第2實施形態之(a)圖為放大準分子燈而表示之以一部分虛線顯示的透視立體圖、(b)為以(a)中的A-A切斷之說明用剖面圖。
〔第9圖〕顯示實驗例1的結果,表示惰性氣體的相對濕度與純水的接觸角之關係之圖。
〔第10圖〕顯示實驗例2的結果,表示惰性氣體的絕對濕度與純水的接觸角之關係之圖。
〔第11圖〕將有關先前技術的基板處理裝置,對燈的管軸在垂直的面切斷之準分子燈裝置的說明用剖面圖。
10...準分子燈裝置
11...燈室
12...基底構件
12A...光照射口
13...外裝蓋體
14...冷卻用塊狀體
14A...配管
15...氣體供給用配管
16...基板搬運用機構
20...準分子燈
23...電極
S...空間
W...基板

Claims (5)

  1. 一種準分子燈裝置,具備有:準分子燈,和收納準分子燈且具有放出來自該準分子燈所放射的紫外光之光照射口的燈室,和配置於燈室內、相對於準分子燈平行而且交互地配設之設置了氣體噴出口而形成之氣體供給用配管,和導入含有水蒸氣的惰性氣體到氣體供給用配管之氣體供給機構;藉由前述氣體供給機構,絕對濕度換算成重量絕對溼度且被控制在0.5~6.5g/kg範圍內之惰性氣體,是被供給到前述氣體供給用配管。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的準分子燈裝置,其中,包含前述水蒸氣之惰性氣體,流過準分子燈和氣體供給用配管之間而從燈室的開口流出。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的準分子燈裝置,其中,於前述準分子燈的周圍,具備:對從準分子燈所放射的紫外光之中,放射至與光照射口的方向相異方向的光進行遮光之遮光機構。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的準分子燈裝置,其中,前述準分子燈,係構成具有:至少一部分為由使紫外光透過的介電質材料所構成且於內部封入放電 氣體的放電容器,和配置於此放電容器的外面之第一電極,和與該第一電極至少經由1片介電體且配置於放電容器的內部或外部之第二電極;在配置於放電空間的外部之電極的表面形成耐氧化性的保護膜。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的準分子燈裝置,其中,前述準分子燈,係構成具有:至少一部分為由使紫外光透過的介電質材料所構成且於內部封入放電氣體的放電容器,和配置於此放電容器的外面之第一電極,和與該第一電極至少經由1片介電體且配置於放電容器的內部或外部之第二電極;該準分子燈係具備針對紫外光具有透過性的保護管,於保護管的內部收納準分子燈。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5092808B2 (ja) * 2008-03-06 2012-12-05 ウシオ電機株式会社 紫外線照射ユニットおよび紫外線照射処理装置
US8022377B2 (en) * 2008-04-22 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for excimer curing
JP5195051B2 (ja) * 2008-06-09 2013-05-08 ウシオ電機株式会社 紫外線照射装置
JP5195111B2 (ja) * 2008-07-17 2013-05-08 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ装置
TWI466735B (zh) * 2008-09-18 2015-01-01 Gs Yuasa Int Ltd 紫外線照射裝置
JP5045945B2 (ja) * 2008-10-01 2012-10-10 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ装置
JP5083184B2 (ja) * 2008-11-26 2012-11-28 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ装置
JP5304354B2 (ja) * 2009-03-16 2013-10-02 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ
JP5201042B2 (ja) * 2009-03-23 2013-06-05 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ
WO2011007663A1 (ja) * 2009-07-17 2011-01-20 ウシオ電機株式会社 照射装置
DE102009058962B4 (de) * 2009-11-03 2012-12-27 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
JP5510792B2 (ja) * 2009-12-02 2014-06-04 岩崎電気株式会社 紫外線照射装置
JP5541508B2 (ja) * 2010-06-14 2014-07-09 ウシオ電機株式会社 光照射装置
CN102157338A (zh) * 2011-01-26 2011-08-17 王颂 无极准分子灯
JP5729034B2 (ja) * 2011-03-15 2015-06-03 ウシオ電機株式会社 光照射装置
JP5776631B2 (ja) * 2012-06-04 2015-09-09 ウシオ電機株式会社 テンプレート洗浄方法、パターン形成方法、光洗浄装置およびナノインプリント装置
JP6152010B2 (ja) * 2013-08-08 2017-06-21 株式会社Screenホールディングス 光照射装置および光照射方法
CN103464424B (zh) * 2013-08-28 2015-12-02 西安耀北光电科技有限公司 紫外辐射臭氧光清洗机
CN104858193B (zh) 2015-06-12 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 玻璃基板的紫外光清洗装置
DE102015011177B4 (de) 2015-08-27 2017-09-14 Süss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Aufbringen eines mit UV-Strahlung beaufschlagten flüssigen Mediums auf ein Substrat
CN106098531A (zh) * 2016-06-23 2016-11-09 卜弘昊 一种窄波紫外光源放电灯
CN105977131A (zh) * 2016-06-23 2016-09-28 卜弘昊 一种高频激励介质放电灯
CN105957799A (zh) * 2016-06-23 2016-09-21 卜弘昊 一种大功率真空紫外放电灯
CN108261555A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 优志旺电机株式会社 杀菌方法
JP6984206B2 (ja) * 2017-07-19 2021-12-17 ウシオ電機株式会社 光照射装置
JP7058177B2 (ja) * 2018-05-22 2022-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7038004B2 (ja) * 2018-05-24 2022-03-17 本田技研工業株式会社 光学部品の洗浄方法及び洗浄装置
JP7300105B2 (ja) * 2019-07-22 2023-06-29 ウシオ電機株式会社 ガス処理装置及びガス処理方法
JP2021023708A (ja) * 2019-08-08 2021-02-22 ウシオ電機株式会社 ガス処理装置、ガス処理システム及びガス処理方法
JP6896919B1 (ja) * 2020-08-03 2021-06-30 株式会社クォークテクノロジー 殺菌ランプ
JP2022077183A (ja) 2020-11-11 2022-05-23 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置および紫外線処理方法
CN114682569A (zh) * 2022-02-28 2022-07-01 歌尔股份有限公司 Uv清洗验证设备及清洗验证方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2705023B2 (ja) * 1993-11-26 1998-01-26 ウシオ電機株式会社 被処理物の酸化方法
JP3388706B2 (ja) * 1998-11-12 2003-03-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3671389B2 (ja) * 1999-12-03 2005-07-13 三菱電機株式会社 基板処理方法および装置
JP2005136439A (ja) * 1999-12-03 2005-05-26 Mitsubishi Electric Corp 基板処理方法
JP2001162240A (ja) * 1999-12-09 2001-06-19 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd 基板ドライ洗浄方法及び装置
US6918389B2 (en) * 2000-03-21 2005-07-19 Fisher & Paykel Healthcare Limited Breathing assistance apparatus
TWI251506B (en) * 2000-11-01 2006-03-21 Shinetsu Eng Co Ltd Excimer UV photo reactor
JP2002292235A (ja) * 2001-03-30 2002-10-08 Hoya Corp 湿度調整装置及びこれを用いた光触媒装置
JP2003159571A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Ushio Inc 紫外線照射装置
JP2003320242A (ja) * 2002-05-01 2003-11-11 Shin-Etsu Engineering Co Ltd エキシマuvフォトリアクター
JP4013923B2 (ja) * 2003-09-04 2007-11-28 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ
JP4337547B2 (ja) * 2003-12-26 2009-09-30 株式会社ジーエス・ユアサコーポレーション 紫外光洗浄装置および紫外光洗浄装置用紫外線ランプ
JP4305298B2 (ja) * 2004-06-28 2009-07-29 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ

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Publication number Publication date
CN101131228B (zh) 2010-10-13
KR101046023B1 (ko) 2011-07-01
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