JP5729034B2 - 光照射装置 - Google Patents
光照射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5729034B2 JP5729034B2 JP2011056096A JP2011056096A JP5729034B2 JP 5729034 B2 JP5729034 B2 JP 5729034B2 JP 2011056096 A JP2011056096 A JP 2011056096A JP 2011056096 A JP2011056096 A JP 2011056096A JP 5729034 B2 JP5729034 B2 JP 5729034B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- lamp
- gas
- excimer lamp
- lamp house
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本発明は、半導体素子やフラットパネルディスプレイの製造工程において、ウエハやガラス基板等の基板の表面を光洗浄するために好適な光照射装置に関する。
半導体素子、液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイ、太陽電池などの製造工程においては、一般に、シリコンウエハやガラス基板等の基板に対して密着性の高い薄膜を形成するために、基板の表面を洗浄処理することによって、当該基板の表面に存在する有機物等の汚染物を除去することが行われており、基板の表面を洗浄処理する方法としては、水や有機溶剤等を使用しないドライ洗浄方法が広く利用されている。このドライ洗浄方法としては、被処理物の表面に、エキシマランプからのエキシマ光を照射すると共に、エキシマ光の照射により生じたラジカル酸素、オゾンなどを作用させることによって、当該被処理物の表面を洗浄する光洗浄法が知られている。
このような光洗浄法に用いられる光照射装置は、例えば合成石英ガラスよりなる紫外線透過窓を有するランプハウスと、このランプハウス内に収納された、紫外線を放射するエキシマランプとを具えてなるものが知られている（特許文献１参照）。
この光照射装置においては、エキシマランプから放射された紫外線が、ランプハウスの紫外線透過窓に到達するまでに当該ランプハウス内のガスによって吸収されることを防止するため、ランプハウス内には窒素ガスなどの不活性ガスを充填して循環することが行われている。従って、光照射装置には、不活性ガスを循環する循環機構を設けることが必要となり、そのため、光照射装置の製造コストが高くなり、また、光照射装置の使用時には窒素ガスなどの不活性ガスを用いることが必要であることから、被照射物の洗浄処理の処理コストが高くなる、という問題がある。
この光照射装置においては、エキシマランプから放射された紫外線が、ランプハウスの紫外線透過窓に到達するまでに当該ランプハウス内のガスによって吸収されることを防止するため、ランプハウス内には窒素ガスなどの不活性ガスを充填して循環することが行われている。従って、光照射装置には、不活性ガスを循環する循環機構を設けることが必要となり、そのため、光照射装置の製造コストが高くなり、また、光照射装置の使用時には窒素ガスなどの不活性ガスを用いることが必要であることから、被照射物の洗浄処理の処理コストが高くなる、という問題がある。
而して、最近においては、紫外線放射強度の高いエキシマランプが開発され、これにより、当該エキシマランプからの紫外線がランプハウス内のガスによって吸収されても、被照射物に対して十分な強度の紫外線を照射することが可能であることから、ランプハウス内に大気を導入して当該ランプハウスの排気口から排出させながら、エキシマランプからの紫外線を被照射物に照射する光照射装置が提案されている（特許文献２参照）。
このような光照射装置によれば、不活性ガスを循環する循環機構や、高価な紫外線透過窓を設けることが不要であるため、光照射装置の製造コストの低減化を図ることができ、また、光照射装置の使用時には窒素ガスなどの不活性ガスを用いることが不要であることから、被照射物の洗浄処理の処理コストの低減化を図ることができる。
このような光照射装置によれば、不活性ガスを循環する循環機構や、高価な紫外線透過窓を設けることが不要であるため、光照射装置の製造コストの低減化を図ることができ、また、光照射装置の使用時には窒素ガスなどの不活性ガスを用いることが不要であることから、被照射物の洗浄処理の処理コストの低減化を図ることができる。
しかしながら、上記の光照射装置においては、被照射物に付着した有機物等の汚染物と、ランプハウス内に導入される大気中に含まれるＡＭＣ（Ａｉｒｂｏｒｎｅ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔｓ）などの汚染物質とが、エキシマランプからの紫外線により活性化されることによって反応し、その反応生成物がランプハウスの内壁面に堆積した後、当該ランプハウスの内壁面から離散して被照射物に付着するため、所要の光洗浄処理を確実に達成することが困難となる、という問題があることが判明した。この現象はパーティクルが被照射物を汚染するようなものとは異なる。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、被照射物に付着した有機物等の汚染物と大気中に含まれる汚染物質との反応生成物が被照射物に付着することを防止または抑制することができ、従って、所要の光洗浄処理を確実に達成することができる光照射装置を提供することにある。
本発明の光照射装置は、扁平な箱型の放電容器を有し、紫外線を放射する単一のエキシマランプと、
この単一のエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口を下面に有すると共に、内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、
前記エキシマランプの下方に位置される被照射物の上面に沿って当該ランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構と
を備えてなり、
前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう、前記放電容器の少なくとも上壁部および４つの側壁部並びに下壁部の周辺部分に当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられていることを特徴とする。
この単一のエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口を下面に有すると共に、内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、
前記エキシマランプの下方に位置される被照射物の上面に沿って当該ランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構と
を備えてなり、
前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう、前記放電容器の少なくとも上壁部および４つの側壁部並びに下壁部の周辺部分に当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられていることを特徴とする。
本発明の光照射装置においては、前記光遮蔽手段は、前記エキシマランプにおける放電容器の内面または外面に形成された光遮蔽膜であることが好ましい。
また、前記光遮蔽膜は、前記エキシマランプにおける放電容器内において発生した光を反射する光反射機能を有するものであることが好ましい。
また、前記光遮蔽膜は、前記エキシマランプにおける放電容器内において発生した光を反射する光反射機能を有するものであることが好ましい。
本発明の光照射装置によれば、エキシマランプには、その放射光がランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられていることにより、ランプハウス内のガス流通路を流れる大気にエキシマランプからの光が照射されることが防止または抑制される結果、被照射物に付着した有機物等の汚染物と、ランプハウス内に導入される大気中に含まれる汚染物質とが反応することを防止または抑制することができるので、その反応生成物が被照射物に付着することを防止または抑制することができ、従って、被処理物に対する所要の光洗浄処理を確実に達成することができる。
以下、本発明の光照射装置の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の光照射装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。この光照射装置は、半導体素子やフラットパネルディスプレイの製造工程において、ウエハやガラス基板等の基板の表面を光洗浄するためのものであって、例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線Ｌを下方に位置される被照射物Ｗに向かって放射するエキシマランプ１０を有し、このエキシマランプ１０からの紫外線Ｌを外部に出射する開口２１を下面に有する金属製のランプハウス２０が、当該エキシマランプ１０を取り囲むよう配置されている。
ランプハウス２０における一側壁には、内部のガスを排出するガス排出口２２が形成されている。ランプハウス２０における一側壁の外面には、ランプハウス２０の開口２１から当該ランプハウス２０の内部に大気Ａを導入し、エキシマランプ１０を介してガス排出口２２から排出するガス排出機構３０が一体的に設けられ、このガス排出機構３０には、ガス排出管３５が接続されている。また、ランプハウス２０内には、ガス排出機構３０によって導入される大気が流れるガス流通路を形成するガス流通路部材２５が設けられている。
また、ランプハウス２０の下方には、被照射物Ｗを搬送する複数の搬送ローラ４１を有する搬送機構４０が設けられている。
図１は、本発明の光照射装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。この光照射装置は、半導体素子やフラットパネルディスプレイの製造工程において、ウエハやガラス基板等の基板の表面を光洗浄するためのものであって、例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線Ｌを下方に位置される被照射物Ｗに向かって放射するエキシマランプ１０を有し、このエキシマランプ１０からの紫外線Ｌを外部に出射する開口２１を下面に有する金属製のランプハウス２０が、当該エキシマランプ１０を取り囲むよう配置されている。
ランプハウス２０における一側壁には、内部のガスを排出するガス排出口２２が形成されている。ランプハウス２０における一側壁の外面には、ランプハウス２０の開口２１から当該ランプハウス２０の内部に大気Ａを導入し、エキシマランプ１０を介してガス排出口２２から排出するガス排出機構３０が一体的に設けられ、このガス排出機構３０には、ガス排出管３５が接続されている。また、ランプハウス２０内には、ガス排出機構３０によって導入される大気が流れるガス流通路を形成するガス流通路部材２５が設けられている。
また、ランプハウス２０の下方には、被照射物Ｗを搬送する複数の搬送ローラ４１を有する搬送機構４０が設けられている。
図２は、図１に示す光照射装置におけるエキシマランプ１０の構成を示す説明用断面図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は横断面図である。このエキシマランプ１０は、エキシマ用ガスが気密に封入された放電空間Ｓを形成する放電容器１１を有する。この放電容器１１は、互いに対向するそれぞれ矩形の上壁部１１ａおよび下壁部１１ｂと、上壁部１１ａおよび下壁部１１ｂの周縁を連接する４つの側壁部１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆよりなる扁平な箱型のものであって、全体が例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線の透過性に優れた材料により構成されている。
放電容器１１における上壁部１１ａの外面（図２において上面）には、網状の一方の電極１２が設けられ、当該放電容器１１における下壁部１１ｂの外面（図２において下面）には、網状の他方の電極１３が設けられており、一方の電極１２および他方の電極１３の各々は、高周波電源（図示省略）に接続されている。
放電容器１１における上壁部１１ａの外面（図２において上面）には、網状の一方の電極１２が設けられ、当該放電容器１１における下壁部１１ｂの外面（図２において下面）には、網状の他方の電極１３が設けられており、一方の電極１２および他方の電極１３の各々は、高周波電源（図示省略）に接続されている。
放電容器１１を構成する材料としては、真空紫外線を良好に透過するもの、具体的には、合成石英ガラスなどのシリカガラス、サファイアガラスなどを用いることができる。
放電容器１１の寸法の具体的な一例を示すと、上壁部１１ａ、下壁部１１ｂの幅方向の長さが７０ｍｍ、側壁部１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆの高さ方向の長さが１８ｍｍ、肉厚が３．０ｍｍである。
放電容器１１の寸法の具体的な一例を示すと、上壁部１１ａ、下壁部１１ｂの幅方向の長さが７０ｍｍ、側壁部１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆの高さ方向の長さが１８ｍｍ、肉厚が３．０ｍｍである。
一方の電極１２および他方の電極１３を構成する材料としては、金、銀、銅、ニッケル、クロムなどの耐腐食性を有する金属材料を用いることができる。また、一方の電極１２および他方の電極１３は、上記の金属材料を含む導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、或いは上記の金属材料を真空蒸着することにより、形成することができる。
一方の電極１２および他方の電極１３の各々の厚みは、例えば０．１μｍ〜数十μｍである。
一方の電極１２および他方の電極１３の各々の厚みは、例えば０．１μｍ〜数十μｍである。
放電容器１１内に封入されるエキシマ用ガスとしては、真空紫外線を放射するエキシマを生成し得るもの、具体的には、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、希ガスと、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンガスとを混合した混合ガスなどを用いることができる。エキシマ用ガスの具体的な例を、放射される紫外線の波長と共に示すと、キセノンガスでは１７２ｎｍ、アルゴンとヨウ素との混合ガスでは１９１ｎｍ、アルゴンとフッ素との混合ガスでは１９３ｎｍである。
また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば１０〜１００ｋＰａである。
また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば１０〜１００ｋＰａである。
そして、エキシマランプ１０には、その放射光がランプハウス２０内におけるガス流通路を形成する壁面（図示の例では、ランプハウス２０の内面およびガス流通路部材２５の表面）に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられている。具体的には、この例の光遮蔽手段は、エキシマランプ１０の放電容器１１における上壁部１１ａおよび４つの側壁部１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆの各々の内面全面並びに下壁部１１ｂの周辺部分の内面を覆うよう形成された光遮蔽膜１５によって構成されている。
光遮光膜１５は、エキシマランプ１０における放電容器１１内の放電空間Ｓにおいて発生した紫外線を反射する光反射機能を有するものであることが好ましく、これにより、高い光の利用率が得られる。
このような光反射機能を有する光遮蔽膜１５としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどよりなるものを用いることができ、例えばシリカ粒子とアルミナ粒子とからなるもの、特に、光遮蔽膜１５におけるシリカ粒子の含有割合が３０〜９９質量％で、アルミナ粒子の含有割合が１〜７０質量％であるものが好ましい。
このような光反射機能を有する光遮蔽膜１５としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどよりなるものを用いることができ、例えばシリカ粒子とアルミナ粒子とからなるもの、特に、光遮蔽膜１５におけるシリカ粒子の含有割合が３０〜９９質量％で、アルミナ粒子の含有割合が１〜７０質量％であるものが好ましい。
上記の光照射装置においては、エキシマランプ１０における一方の電極１２と他方の電極１３との間に、高周波電源によって高周波電界が印加され、当該高周波電界によって、エキシマランプ１０における放電容器１１内の放電空間Ｓにおいて誘電体バリア放電が発生し、この誘電体バリア放電によってエキシマ用ガスに由来するエキシマ分子が形成され、これにより、例えば波長２００ｎｍ以下の紫外線Ｌが発生し、この紫外線Ｌは、直接または光遮光膜１５に反射されて放電容器１１の下壁部１１ｂから下方に放射される。
一方、ガス排出機構３０が作動されることにより、光照射装置の外部の大気Ａがランプハウス２０の開口２１から当該ランプハウス２０の内部に導入された後、ランプハウス２０内のガス流通路に沿って流れ、当該ランプハウス２０のガス排出口２２から外部に排出される。このとき、エキシマランプ１０は、ランプハウス２０内におけるガス流通路内に配置されているため、ランプハウス２０内のガス流通路を流れる大気Ａによって冷却される。
そして、エキシマランプ１０からの紫外線Ｌは、ランプハウス２０の開口２１から下方に出射されて、搬送機構４０によってランプハウス２０の直下の位置に搬送された被処理物Ｗに照射され、これにより、被処理物Ｗに対する光洗浄処理が達成される。
一方、ガス排出機構３０が作動されることにより、光照射装置の外部の大気Ａがランプハウス２０の開口２１から当該ランプハウス２０の内部に導入された後、ランプハウス２０内のガス流通路に沿って流れ、当該ランプハウス２０のガス排出口２２から外部に排出される。このとき、エキシマランプ１０は、ランプハウス２０内におけるガス流通路内に配置されているため、ランプハウス２０内のガス流通路を流れる大気Ａによって冷却される。
そして、エキシマランプ１０からの紫外線Ｌは、ランプハウス２０の開口２１から下方に出射されて、搬送機構４０によってランプハウス２０の直下の位置に搬送された被処理物Ｗに照射され、これにより、被処理物Ｗに対する光洗浄処理が達成される。
以上において、エキシマランプ１０と被処理物Ｗとの間の離間距離は、３〜５ｍｍであることが好ましい。この離間距離が過大である場合には、大気中の酸素によって１７２ｎｍの光が吸収されてしまい、被処理物Ｗに到達する光の光量が小さくなるからである。このため、離間距離が５ｍｍを超えても、それなりの効果はあるが実用上不適である。一方、この離間距離が過小である場合には、搬送機構４０の搬送ローラ４１上における被処理物Ｗのたわみ、搬送による被処理物Ｗの上下振動、搬送ローラ４１自体のたわみ、光照射装置自体のたわみなどがあるときには不都合となる。
また、被照射物Ｗに対する紫外線Ｌの照射時間は、例えば０．５〜２．０秒間である。 また、ランプハウス２０の開口２１から導入される大気Ａの流量は、２０００〜５０００Ｌ／ｍｉｎであることが好ましい。大気Ａの流量が過小である場合には、流速が低いために光照射装置内に大気Ａの滞留が生じたり、あるいは逆流が生じたりしてしまう。一方、大気Ａの流量が過大である場合には、化学的作用としては問題ないが、排気装置の大型化、ダクト径の大型化を必要とするため装置全体が大きくなりすぎ、実用的な装置コストという観点から不適である。
上記の光照射装置によれば、エキシマランプ１０における放電容器１１の内表面には、当該エキシマランプ１０の放電容器１１内の放電空間Ｓにおいて発生する紫外線Ｌが、ランプハウス２０内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該紫外線Ｌを遮蔽する光遮蔽膜１５が形成されていることにより、ランプハウス２０内のガス流通路を流れる大気Ａに紫外線Ｌが照射されることが防止または抑制される結果、被照射物Ｗに付着した有機物等の汚染物と、ランプハウス２０内に導入される大気Ａ中に含まれる汚染物質とが反応することを防止または抑制することができるので、その反応生成物が被照射物Ｗに付着することを防止または抑制することができ、従って、被処理物Ｗに対する所要の光洗浄処理を確実に達成することができる。
本発明の光照射装置においては、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。
例えばランプハウス２０内には、複数のエキシマランプ１０が設けられていてもよい。 また、光遮蔽膜１５は、エキシマランプ１０の放電容器１１の外面に形成されていてもよく、また、光遮蔽手段としては、光遮蔽膜１５に限定されず、エキシマランプ１０の放射光がランプハウス２０内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する適宜のものを設けることができる。
また、ランプハウス２０のガス排出口２２は、当該ランプハウス２０の上側壁に形成されていてもよい。
また、光遮蔽膜１５は、光反射機能を有さないものであってもよく、その材質としては、酸化マグネシウム、酸化イットリウムなどを用いることができる。
例えばランプハウス２０内には、複数のエキシマランプ１０が設けられていてもよい。 また、光遮蔽膜１５は、エキシマランプ１０の放電容器１１の外面に形成されていてもよく、また、光遮蔽手段としては、光遮蔽膜１５に限定されず、エキシマランプ１０の放射光がランプハウス２０内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する適宜のものを設けることができる。
また、ランプハウス２０のガス排出口２２は、当該ランプハウス２０の上側壁に形成されていてもよい。
また、光遮蔽膜１５は、光反射機能を有さないものであってもよく、その材質としては、酸化マグネシウム、酸化イットリウムなどを用いることができる。
以下、本発明の光照射装置の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
図１および図２の構成に従い、幅が１６０ｍｍ、高さが２５０ｍｍ、エキシマランプを収納する部分の高さが１００ｍｍ、全長（奥行）が３０００ｍｍのランプハウスと、全長が２５００ｍｍ、幅が７０ｍｍ、高さが１８ｍｍ、有効発光長が２２００ｍｍのエキシマランプとを有する光照射装置を作製した。この光照射装置におけるエキシマランプは、放電容器の内部にはキセノンガスが封入されており、また、光遮蔽手段として、放電容器における上壁部および４つの側壁部の各々の内面全面並びに下壁部の周辺部分の内面を覆うよう紫外線遮蔽膜が形成されている。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、エキシマランプのランプ電力が１．６ｋＷ、放電容器の外表面における紫外線照度が１５０ｍＷ／ｃｍ2 、エキシマランプと被照射物との離間距離が４ｍｍ、ガス排気量が３０００ｌ／ｍｉｎ、搬送機構によるガラス基板の搬送速度が４ｍ／ｍｉｎの条件で、ガラス基板の洗浄処理を行い、洗浄処理前および洗浄処理後におけるガラス基板の表面の接触角を測定した。
その結果、ガラス基板の表面の接触角は、洗浄処理前において４０°であったが、洗浄処理後において２°であった。液晶用のガラス基板の表面の接触角の要求レベルは５°以下とされていることから、高い洗浄処理能力が得られることが確認された。
さらに、この光照射装置を６ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行ったところ、ガラス基板の洗浄処理に不具合は発生せず、６ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、４°であった。
図１および図２の構成に従い、幅が１６０ｍｍ、高さが２５０ｍｍ、エキシマランプを収納する部分の高さが１００ｍｍ、全長（奥行）が３０００ｍｍのランプハウスと、全長が２５００ｍｍ、幅が７０ｍｍ、高さが１８ｍｍ、有効発光長が２２００ｍｍのエキシマランプとを有する光照射装置を作製した。この光照射装置におけるエキシマランプは、放電容器の内部にはキセノンガスが封入されており、また、光遮蔽手段として、放電容器における上壁部および４つの側壁部の各々の内面全面並びに下壁部の周辺部分の内面を覆うよう紫外線遮蔽膜が形成されている。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、エキシマランプのランプ電力が１．６ｋＷ、放電容器の外表面における紫外線照度が１５０ｍＷ／ｃｍ2 、エキシマランプと被照射物との離間距離が４ｍｍ、ガス排気量が３０００ｌ／ｍｉｎ、搬送機構によるガラス基板の搬送速度が４ｍ／ｍｉｎの条件で、ガラス基板の洗浄処理を行い、洗浄処理前および洗浄処理後におけるガラス基板の表面の接触角を測定した。
その結果、ガラス基板の表面の接触角は、洗浄処理前において４０°であったが、洗浄処理後において２°であった。液晶用のガラス基板の表面の接触角の要求レベルは５°以下とされていることから、高い洗浄処理能力が得られることが確認された。
さらに、この光照射装置を６ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行ったところ、ガラス基板の洗浄処理に不具合は発生せず、６ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、４°であった。
＜実施例２＞
紫外線遮蔽膜を形成する位置を、放電容器における上壁部および４つの側壁部の各々の外面全面並びに下壁部の周辺部分の外面に変更したこと以外は、実施例１と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、実施例１と同様の条件で、ガラス基板の洗浄処理を行い、洗浄処理前および洗浄処理後におけるガラス基板の表面の接触角を測定した。
その結果、ガラス基板の表面の接触角は、洗浄処理前において４０°であったが、洗浄処理後において２°であり、高い洗浄処理能力が得られることが確認された。
さらに、この光照射装置を６ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行ったところ、ガラス基板の洗浄処理に不具合は発生せず、６ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、４°であった。
紫外線遮蔽膜を形成する位置を、放電容器における上壁部および４つの側壁部の各々の外面全面並びに下壁部の周辺部分の外面に変更したこと以外は、実施例１と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、実施例１と同様の条件で、ガラス基板の洗浄処理を行い、洗浄処理前および洗浄処理後におけるガラス基板の表面の接触角を測定した。
その結果、ガラス基板の表面の接触角は、洗浄処理前において４０°であったが、洗浄処理後において２°であり、高い洗浄処理能力が得られることが確認された。
さらに、この光照射装置を６ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行ったところ、ガラス基板の洗浄処理に不具合は発生せず、６ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、４°であった。
＜比較例１＞
放電容器の内面に紫外線遮蔽膜が形成されていないこと以外は、実施例１と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、エキシマランプのランプ電力が１．６ｋＷ、放電容器の外表面における紫外線照度が１００ｍＷ／ｃｍ2 、エキシマランプと被照射物との離間距離が４ｍｍ、ガス排気量が３０００ｌ／ｍｉｎ、搬送機構によるガラス基板の搬送速度が４ｍ／ｍｉｎの条件で、２ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、２ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、１０°以上であり、また、ガラス基板を観察したところ、その表面に付着物が目視で確認されるようになった。
放電容器の内面に紫外線遮蔽膜が形成されていないこと以外は、実施例１と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、エキシマランプのランプ電力が１．６ｋＷ、放電容器の外表面における紫外線照度が１００ｍＷ／ｃｍ2 、エキシマランプと被照射物との離間距離が４ｍｍ、ガス排気量が３０００ｌ／ｍｉｎ、搬送機構によるガラス基板の搬送速度が４ｍ／ｍｉｎの条件で、２ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、２ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、１０°以上であり、また、ガラス基板を観察したところ、その表面に付着物が目視で確認されるようになった。
＜比較例２＞
紫外線遮蔽膜が、放電容器における上壁部のみに形成されていること以外は、実施例１と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、実施例１と同様の条件で、３ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、３ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、５°であったが、更に、３ヶ月間（合計６ヶ月間）連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、３ヵ月間（合計６ヶ月間）経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、１０°以上であり、また、ガラス基板を観察したところ、その表面に付着物が目視で確認されるようになった。
紫外線遮蔽膜が、放電容器における上壁部のみに形成されていること以外は、実施例１と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、実施例１と同様の条件で、３ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、３ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、５°であったが、更に、３ヶ月間（合計６ヶ月間）連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、３ヵ月間（合計６ヶ月間）経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、１０°以上であり、また、ガラス基板を観察したところ、その表面に付着物が目視で確認されるようになった。
１０ エキシマランプ
１１ 放電容器
１１ａ 上壁部
１１ｂ 下壁部
１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ 側壁部
１２ 一方の電極
１３ 他方の電極
１５ 光遮蔽膜
２０ ランプハウス
２１ 開口
２２ ガス排出口
２５ ガス流通路部材
３０ ガス排出機構
３５ ガス排出管
４０ 搬送機構
４１ 搬送ローラ
Ｗ 被照射物
１１ 放電容器
１１ａ 上壁部
１１ｂ 下壁部
１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ 側壁部
１２ 一方の電極
１３ 他方の電極
１５ 光遮蔽膜
２０ ランプハウス
２１ 開口
２２ ガス排出口
２５ ガス流通路部材
３０ ガス排出機構
３５ ガス排出管
４０ 搬送機構
４１ 搬送ローラ
Ｗ 被照射物
Claims (3)
- 扁平な箱型の放電容器を有し、紫外線を放射する単一のエキシマランプと、
この単一のエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口を下面に有すると共に、内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、
前記エキシマランプの下方に位置される被照射物の上面に沿って当該ランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構と
を備えてなり、
前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう、前記放電容器の少なくとも上壁部および４つの側壁部並びに下壁部の周辺部分に当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられていることを特徴とする光照射装置。 - 前記光遮蔽手段は、前記エキシマランプにおける放電容器の内面または外面に形成された光遮蔽膜であることを特徴とする請求項１に記載の光照射装置。
- 前記光遮蔽膜は、前記エキシマランプにおける放電容器内において発生した光を反射する光反射機能を有するものであることを特徴とする請求項２に記載の光照射装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011056096A JP5729034B2 (ja) | 2011-03-15 | 2011-03-15 | 光照射装置 |
| TW100149232A TWI575559B (zh) | 2011-03-15 | 2011-12-28 | Light irradiation device |
| KR1020120012764A KR101553735B1 (ko) | 2011-03-15 | 2012-02-08 | 광 조사 장치 |
| CN201210067052.1A CN102671891B (zh) | 2011-03-15 | 2012-03-14 | 光照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011056096A JP5729034B2 (ja) | 2011-03-15 | 2011-03-15 | 光照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012195058A JP2012195058A (ja) | 2012-10-11 |
| JP5729034B2 true JP5729034B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=46804818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011056096A Active JP5729034B2 (ja) | 2011-03-15 | 2011-03-15 | 光照射装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5729034B2 (ja) |
| KR (1) | KR101553735B1 (ja) |
| CN (1) | CN102671891B (ja) |
| TW (1) | TWI575559B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5928527B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2016-06-01 | ウシオ電機株式会社 | エキシマ光照射装置 |
| JP7003431B2 (ja) * | 2017-04-06 | 2022-01-20 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| JP6984206B2 (ja) * | 2017-07-19 | 2021-12-17 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| JP7115036B2 (ja) | 2018-05-25 | 2022-08-09 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3653980B2 (ja) * | 1998-04-09 | 2005-06-02 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線照射装置 |
| JP3704677B2 (ja) * | 2000-06-28 | 2005-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2002219429A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板処理装置及び処理方法 |
| JP4126892B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2008-07-30 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| JP2003144913A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-20 | Ushio Inc | 誘電体バリア放電ランプによる処理装置、および処理方法 |
| JP2004290935A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Optrex Corp | 基板処理装置 |
| JP4407252B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2010-02-03 | ウシオ電機株式会社 | 処理装置 |
| JP2007088116A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外光照射装置および光洗浄装置 |
| JP4857939B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2012-01-18 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ |
| JP5019156B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-09-05 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ装置 |
| JP5092808B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2012-12-05 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線照射ユニットおよび紫外線照射処理装置 |
| JP2010055956A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Tokai Rika Co Ltd | コネクタ接続治具 |
| JP5151816B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-02-27 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ |
-
2011
- 2011-03-15 JP JP2011056096A patent/JP5729034B2/ja active Active
- 2011-12-28 TW TW100149232A patent/TWI575559B/zh active
-
2012
- 2012-02-08 KR KR1020120012764A patent/KR101553735B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-14 CN CN201210067052.1A patent/CN102671891B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101553735B1 (ko) | 2015-09-16 |
| JP2012195058A (ja) | 2012-10-11 |
| CN102671891B (zh) | 2016-01-20 |
| TWI575559B (zh) | 2017-03-21 |
| KR20120105356A (ko) | 2012-09-25 |
| TW201237927A (en) | 2012-09-16 |
| CN102671891A (zh) | 2012-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI390552B (zh) | Excimer lamp device | |
| JP4337547B2 (ja) | 紫外光洗浄装置および紫外光洗浄装置用紫外線ランプ | |
| JP5895929B2 (ja) | 光照射装置 | |
| JP5729034B2 (ja) | 光照射装置 | |
| JP5765504B1 (ja) | 光照射装置 | |
| JP2000260396A (ja) | エキシマランプ、エキシマ照射装置および有機化合物の分解方法 | |
| JP5987815B2 (ja) | アッシング方法およびアッシング装置 | |
| JP4640421B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
| TW200814185A (en) | Excimer light irradiation apparatus | |
| TWI303850B (ja) | ||
| JP2004097986A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JP2001300451A (ja) | 紫外光照射装置 | |
| JP2013033948A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JP2009117161A (ja) | 紫外線照射処理装置 | |
| JP2005317555A (ja) | エキシマランプ及びエキシマ照射装置 | |
| JP2009183949A (ja) | 紫外光洗浄装置および紫外光洗浄装置用紫外線ランプ | |
| JP4479466B2 (ja) | エキシマ光照射装置 | |
| JP2001219053A (ja) | 誘電体バリア放電を使った酸化方法、および酸化処理装置 | |
| JP4645781B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP2011131149A (ja) | ドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置 | |
| JP2000216127A (ja) | 紫外線照射による基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2007149938A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びにディスプレイ装置 | |
| WO2015076030A1 (ja) | アッシング装置および被処理物保持構造体 | |
| JP3214154B2 (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した洗浄方法 | |
| JP2001217216A (ja) | 紫外線照射方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130924 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140317 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140605 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150204 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150310 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150323 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5729034 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |