TWI381247B - 正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件 - Google Patents

正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件 Download PDF

Info

Publication number
TWI381247B
TWI381247B TW094140750A TW94140750A TWI381247B TW I381247 B TWI381247 B TW I381247B TW 094140750 A TW094140750 A TW 094140750A TW 94140750 A TW94140750 A TW 94140750A TW I381247 B TWI381247 B TW I381247B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
compound
group
positive photosensitive
carbon atoms
composition according
Prior art date
Application number
TW094140750A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200627069A (en
Inventor
Mitsuhito Suwa
Takenori Fujiwara
Masahide Senoo
Hirokazu Iimori
Original Assignee
Toray Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries filed Critical Toray Industries
Publication of TW200627069A publication Critical patent/TW200627069A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI381247B publication Critical patent/TWI381247B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/41—Compounds containing sulfur bound to oxygen
    • C08K5/42—Sulfonic acids; Derivatives thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

Description

正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件
本發明係有關於一正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件，用以形成液晶顯示元件、有機EL顯示元件等之薄膜電晶體(TFT)基板用平坦化膜、半導體元件的層間絕緣膜、或是光波導路的芯材或包覆材。
近年來，在液晶顯示器、有機EL顯示器等，已知有一種提升顯示裝置的開口率的方法(美國專利第5953084號說明書)，作為實現更高精細、高解像度的方法。該方法藉由將透明的平坦化膜設置在TFT基板的上部作為保護膜，能夠部分重疊數據線和像素電極，與先前技術比較可以提升開口率。
此種TFT基板用平坦化膜的材料必須是同時具有高耐熱性、高透明性、低介電常數性，以往係使用組合酚系樹脂與醌二疊氮化合物而成的材料(特開平7－98502號公報)、或是組合丙烯酸系樹脂與醌二疊氮化合物而成的材料(特開平10－153854號公報、特開2001－281853號公報)。但是，此等材料之耐熱性不充分，因基板之高溫處理會有硬化膜著色、透明性降低之問題。
另一方面，己知有將矽氧烷聚合物作為同時具有高耐熱性、高透明性、低介電常數性之材料。為了賦予矽氧烷聚合物正型的感光性而組合醌二疊氮化合物之系統，有組合在末端具有酚性羥基之矽氧烷與醌二疊氮化合物而成的材料(美國專利申請公開第2003/211407號說明書)、藉由環化熱加成反應，來組合已加成有酚性羥基或羧基等之矽氧烷聚合物與醌二疊氮化合物而成的材料(特開平3－59667號公報)。但是，此等材料因為含有多量的醌二疊氮化合物、在矽氧烷聚合物中存在有酚性羥基，容易造成塗布膜的白化或熱硬化時的著色，無法作為高透明性的材料。又，因為此等材料的透明性低，圖案形成時有感度低的問題存在。
本發明係基於如前述的情形而完成，目的係提供一種高感度的正型感光性矽氧烷組成物，具有高耐熱性、高透明性、低介電常數性的特性，可以使用於形成TFT基板用平坦化膜、層間絕緣膜、或是光波導路的芯材或包覆材。又，本發明的另外目的，係提供一種由上述正型感光性矽氧烷組成物所形成的TFT基板用平坦化、層間絕緣膜、光波導路的芯材或包覆材等的硬化膜、及具有該硬化膜之顯示元件、半導體元件、光波導路等之元件。
亦即，本發明提供一種正型感光性矽氧烷組成物，係含有矽氧烷聚合物、醌二疊氮化合物、溶劑之正型感光性矽氧烷組成物，其中，組成物的硬化膜在波長400奈米、膜厚度3微米左右之光穿透率為95%以上。
又，本發明的另外態樣係提供一種正型感光性矽氧烷組成物，係含有矽氧烷聚合物、醌二疊氮化合物、溶劑之正型感光性矽氧烷組成物，其中組成物在膜厚度3微米的硬化膜時，C光源或是F10光源時之硬化膜的穿透光，在XYZ表色系統之色度座標(x,y)，相對於C光源或是F10光源的色度座標(x0 ,y0 )，為(x－x0 )2 ＋(y－y0 )2 ≦6×10－ 6 。
依據本發明之正型感光性矽氧烷組成物，可以得到一種硬化膜，不會產生塗布膜白化、或硬化時產生著色，具有高耐熱性、高透明性、低介電常數特性。又，所得到的硬化膜，能夠進行通孔等圖案加工，可以適合使用作為TFT基板用平坦化膜、層間絕緣膜。
本發明係可以形成硬化膜的組成物，該組成物含有矽氧烷聚合物、醌二疊氮化合物、及溶劑，在波長400奈米、膜厚度3微米左右之光穿透率為95%以上。在波長400奈米、膜厚度3微米左右之光穿透率為95%以上係必要的，以98%以上為佳。若光穿透率低於95%時，使用作為液晶顯示元件之TFT基板用平坦化膜時，背光通過時，會有產生色變化、白色帶有黃味的情形。
前述在波長400奈米、膜厚度3微米左右之光穿透率，依藉由以下方法求得。使用旋轉塗布器以任意的旋轉數，將組成物旋轉塗布於TEMPAX(商品名)玻璃板上，使用熱板以100℃預烘焙2分鐘。隨後，脫色曝光係使用平行光遮罩對準器(PLA)，以6000J/m2 (換算成波長365奈米曝光量)之條件對膜全面以超高壓水銀燈進行曝光，使用烘箱在空氣中以250℃熱硬化1小時製成厚度3微米的硬化膜。使用島津製作所(股)製MultiSpec－1500測定所得到硬化膜紫外可見吸收光譜，求得在波長400奈米之穿透率。
又，本發明的另外態樣係提供一種組成物，係含有矽氧烷聚合物、醌二疊氮化合物、溶劑之組成物，其中組成物在膜厚度3微米的硬化膜時，C光源或是F10光源時之硬化膜的穿透光，在XYZ表色系統之色度座標(x,y)，相對於C光源或是F10光源的色度座標(x0 ,y0 )，為(x－x0 )2 ＋(y－y0 )2 ≦6×10－ 6 。(x－x0 )2 ＋(y－y0 )2 大於6×10－ 6 時，使用作為液晶顯示元件之TFT基板用平坦化膜時，背光通過時，會有產生色變化、白色帶有黃味的情形。
前述之C光源或是F10光源時之硬化膜的穿透光，在XYZ表色系統之色度座標(x,y)係使用以下的方法來求得。使用旋轉塗布器以任意的旋轉數，將組成物旋轉塗布於TEMPAX(商品名)玻璃板上，使用熱板以100℃預熱2分鐘。隨後，脫色曝光係使用平行光遮罩對準器(PLA)，以6000J/m2 (換算成波長365奈米曝光量)之條件對膜全面以超高壓水銀燈進行曝光，使用烘箱在空氣中以250℃熱硬化1小時製成厚度3微米的硬化膜。使用顯微分光高度計(大塚電子(股)製MCPD－2000)測定所得到硬化膜的穿透光譜，從該光譜計算C光源或是F10光源時之原刺激值X、Y、Z，求得色度座標(x,y)。
又，本發明之正型感光性矽氧烷組成物，使用超高壓水銀燈曝光之感度，換算成波長365奈米曝光量為100~1500J/m2 。感度大於1500J/m2 時，因為形成圖案時之放射線曝光時間變長，生產力降低、放射線曝光量增加，來自基底基板之反射量變多，圖案形狀變差。
前述的超高壓水銀燈曝光之感度，係使用以下的方法求得。使用旋轉塗布器以任意的旋轉數，將組成物旋轉塗布於矽晶圓上，使用熱板以100℃預烘焙熱2分鐘，製成厚度4微米的膜。使感度測定用的灰階遮罩介於中間，使用PLA對所製成的膜以超高壓水銀燈進行曝光後，使用自動顯像裝置(AD－2000、瀧澤產業(股)製)，以2.38wt%氫氧化四甲銨水溶液噴淋顯像80秒，隨後，以水沖洗30秒。在所形成的圖案，將10微米的線和間隙圖案(line and space pattern)以1對1的寬度解像之曝光量作為感度而求得。
本發明含有矽氧烷聚合物、醌二疊氮化合物、及溶劑，必須具有前述的光穿透率、及/或是色度座標，以下說明實施本發明之具體的組成。
本發明的正型感光性矽氧烷組成物含有矽氧烷聚合物。矽氧烷沒有特別的限制，其中相對於矽原子，矽氧烷聚合物中之酚性羥基的含有率，以使用20莫耳%以下之聚合物為佳。相對於矽原子，矽氧烷聚合物中之酚性羥基的含有率大於20莫耳%時，熱硬化時因酚性羥基所產生的分解，著色變為明顯，硬化膜的無色透明性降低。
而且，較佳是矽氧烷聚合物，可以舉出的有混合1種以上通式(4)所表示的有機矽烷，藉由反應所得到的矽氧烷聚合物，或是混合1種以上通式(5)所表示的直鏈狀聚矽氧烷，藉由反應所得到的矽氧烷聚合物，或是混合1種以上通式(4)所表示的有機矽烷及通式(5)所表示的直鏈狀聚矽氧烷，藉由反應所得到的矽氧烷聚合物。
R7 係表示氫基、碳數1~10的烷基、碳數2~10的烯基、碳數6~15的芳基中任一者，複數的R7 各自可以相同亦可以不同。R8 係表示氫基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的醯基、碳數6~15的芳基中任一者，複數的R8 可以相同亦可以不同。m係表示0至3的整數。
R9 、R1 0 、R1 1 、R1 2 係表示各自獨立的氫、碳數1~6的烷基、碳數2~6的烯基、碳數6~15的芳基中任一者，複數的R9 、R1 0 各自可以相同亦可以不同。R1 3 、R1 4 係各自獨立的氫、碳數1~6的烷基、碳數1~6的醯基、碳數6~15的芳基中任一者。p係表示1至1000的範圍。
通式(4)的R7 係表示各自獨立的氫、碳數1~10的烷基、碳數2~10的烯基、碳數6~15的芳基中任一者，複數的R7 可以相同亦可以不同。又，此等烷基、烯基、芳基任一者係無取代物、取代物都可以，可以按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例，可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第3丁基、正己基、正癸基、三氟甲基、3,3,3－三氟丙基、3－環氧丙氧基、2－(3,4－環氧環己基)乙基、3－胺基丙基、3－氫硫基丙基、3－異氰酸基丙基。烯基之具體例，可以舉出的有乙烯基、3－丙烯醯氧基丙基、3－甲基丙烯醯氧基丙基。芳基之具體例，可以舉出的有苯基、甲苯基、對羥基苯基、1－(對羥基苯基)乙基、2－(對羥基苯基)乙基、4－羥基－5－(對羥基苯基羰基氧基)己基、萘基。
通式(4)的R8 係表示各自獨立的氫、碳數1~6的烷基、碳數1~6的醯基、碳數6~15的芳基中任一者，複數的R8 可以相同亦可以不同。又，此等烷基、醯基、芳基任一者係無取代物、取代物都可以，可以按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例，可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基。醯基之具體例，可以舉出的有乙醯基。芳基的具體例可以舉出的有苯基。
通式(4)m係表示0至3之整數。m＝0時為4官能性矽烷、m＝1時為3官能性矽烷、m＝2時為2官能性矽烷、m＝3時為1官能性矽烷。
通式(4)所表示的有矽氧烷的具體例，可以舉出的有四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四乙醯氧基、四苯氧基矽烷等4官能性矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三正丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三正丁基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正丁基三甲氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3－丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3－丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、對羥基苯基三甲氧基矽烷、1－(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、2－(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、4－羥基－5－(對羥基苯基羰基氧基)戊基三甲氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷、3,3,3－三氟丙烷基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、3－環氧丙氧基三甲氧基矽烷、3－－環氧丙氧基三乙氧基矽烷、2－(3,4－環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3－氫硫基丙氧基三甲氧基矽烷等3官能性矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二乙醯氧基矽烷、二正丁基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、(3－環氧丙氧基丙基)甲基二甲氧基矽烷、(3－環氧丙氧基丙基)甲基二乙氧基矽烷等2官能性矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三正丁基乙氧基矽烷、(3－環氧丙氧基丙基)二甲基甲氧基矽烷、(3－環氧丙氧基丙基)二甲基乙氧基矽烷等1官能性矽烷。又，此等有機矽烷可以單獨使用亦可以組合2種以上使用。此等有矽烷中，從硬化膜的耐龜裂性和硬度而言，以使用3官能性矽烷為佳。
通式(5)之R9 、R1 0 、R1 1 、R1 2 係表示各自獨立的氫、碳數1~6的烷基、碳數2~6烯基、碳數6~15的芳基中任一者，複數的R9 、R1 0 各自可以相同亦可以不同。又，此等烷基、烯基、芳基任一者係無取代物、取代物都可以，可以按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例，可以舉出的有甲基、乙基、正丙基。烯基的具體例可以舉出的有乙烯基、丙烯醯氧基丙基、甲基丙烯醯氧基丙基等。芳基的具體例，可以舉出的有苯基、甲苯基、萘基等。
通式(5)之R1 3 、R1 4 係表示各自獨立之氫、碳數1~6的烷基、碳數1~6的醯基、碳數6~15的芳基。此等烷基、醯基、芳基任一者係無取代物、取代物都可以，可以按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例，可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基。醯基的具體例可以舉出的有乙醯基。芳基的具體例，可以舉出的有苯基。
通式(5)的p係在1至1000之範圍，以2~100之範圍為佳，以3~50之範圍為更佳。p大於1000時，塗布膜白濁而不容易得到高透明性的膜。
通式(5)所表示的直鏈狀聚矽氧烷的具體例，可以舉出的有1,1,3,3－四甲基－1,3－二甲氧基矽氧烷、1,1,3,3－四甲基－1,3－二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3－四乙基－1,3－二甲氧基二矽氧烷、1,1,3,3－四乙基－1,3－二乙氧二矽氧烷、下述所示GEREST公司製矽烷醇末端聚二甲基矽氧烷(以下表示商品名)“DMS－S12”(分子量400~700)、“DMS－S15”(分子量1500~2000)、“DMS－S21”(分子量4200)、“DMS－S27”(分子量18000)、“DMS－S31”(分子量26000)、“DMS－S32”(分子量36000)、“DMS－S33”(分子量43500)、“DMS－S35”(分子量49000)、“DMS－S38”(分子量58000)、“DMS－S42”(分子量77000)、下述所示GEREST公司製矽烷醇末端二苯基矽氧烷－二甲基矽氧烷共聚物“PSD－0332”(分子量35000、共聚合2.5~3.5莫耳%二苯基矽氧烷而成)、“PSD－1615”(分子量900~1000、共聚合14~18莫耳%二苯基矽氧烷而成)、GEREST公司製矽烷醇末端聚二苯基矽氧烷“PSD－9931”(分子量1000~1400)。又，此等的直鏈狀聚矽氧烷可以單獨或是組合二種以上使用。
使用直鏈狀聚矽氧烷時，可以改良組成物的儲藏安定性。這是藉由直鏈部分交聯地存在，未反應矽烷醇基之間不容易接近，在儲藏組成物之期間不容易產生副反應之縮合反應。
通式(4)所示的有機矽烷與通式(5)所示的直鏈狀聚矽氧烷混合使用時，混合比率沒有特別限制，較佳是Si原子莫耳數係有機矽烷/直鏈狀聚矽氧烷＝100~50/0~50。直鏈狀聚矽氧烷若大於50莫耳%時，會引起相分離，塗布膜白濁、透明性降低。但是，如前述，因為從維持硬化膜的高透明性的觀點，相對於Si原子，矽氧烷聚合物中的酚性羥基的含有率以20莫耳%以下為佳，相對於Si原子莫耳數，具有酚性羥基之有機矽烷的添加量以20莫耳%以下為佳。
又，從兼顧硬化膜的耐龜裂性及硬度之觀點，相對於Si原子，矽氧烷聚合物中的苯基的含有率以5~60莫耳%為佳。苯基的含有率大於60莫耳%時硬度降低，苯基的含有率小於5莫耳%時耐龜裂性降低。苯基的含有率係測定矽氧烷聚合物之2 9 Si－核磁共振譜(2 9 Si－NMR)，從鍵結有苯基之Si的尖鋒面積與未鍵結有苯基之Si的尖鋒面積之比而求得。
又，本發明所使用之矽氧烷聚合物的重量平均分子量(Mw)，沒有特別限制，其中以使用GPC(凝膠滲透色譜法)測定、換算成聚苯乙烯時為1000~100000為佳。以2000~50000為更佳。Mw小於1000時，塗膜性變差，大於100000時，圖案形成時組成物在顯像液中的溶解性變差。
本發明之矽氧烷聚合物，可以藉由使前述的有機矽烷及/或直鏈狀聚矽氧烷產生加水分解及部分縮合而得到。加水分解及部分縮合可以使用通常的方法。例如，在混合物中添加溶劑、水、及按照必要添加觸媒，在50~150℃加熱攪拌0.5~100小時左右。又，在攪拌中可以藉由蒸餾來餾去加水分解副產物(甲醇等醇類)或縮合副產物(水)。
上述的反應溶劑沒有特別限定，通常係使用後述的溶劑。相對於有機矽烷與直鏈狀聚矽氧烷的混合100重量份，溶劑的添加量以10~1000重量份為佳。又，加水反應所使用水的添加量，相對於加水分解性基1莫耳，以0.5~2莫耳為佳。
觸媒可以按照必要添加，沒有特別限制，其中以使用酸觸媒、鹼觸媒為佳。酸觸媒的具體例，可以舉出的有鹽酸、硝酸、硫酸、氟酸、氟酸、磷酸、乙酸、三氟乙酸、甲酸、多元羧酸或是其酐、離子交換樹脂。鹼觸媒的具體例，可以舉出的有三乙胺、三丙胺、三丁胺、三辛胺、二乙胺、三乙醇胺、二乙醇胺、氫氧化鈉、氫氧化鉀、具有胺基之烷氧基矽烷、離子交換樹脂。相對於有機矽烷與直鏈狀聚矽氧烷的混合100重量份，觸媒的添加量以0.01~10重量份為佳。
又，從組成物的儲藏安定性的觀點，加水分解、部分縮合後的矽氧烷聚合物溶液以不含觸媒為佳，可以按照必要進行去除觸媒。觸媒的去除方法沒有特別限制，其中以藉由水洗滌或離子交換樹脂的方法為佳。水洗滌係藉由適當的疏水性溶劑稀釋矽氧烷聚合物溶液後，使用蒸發器濃縮以水洗滌數次而得到的有機層之方法。藉由離子交換樹脂之去除方法，係使矽氧烷聚合物與適當的離子交換樹脂接觸之方法。
本發明的正型感光性矽氧烷組成物，係含有醌二疊氮化合物。醌二疊氮化合物之添加量沒有特別限制，其中相對於矽氧烷聚合物，以0.1~10重量%為佳。以0.1~4重量%為更佳。酯二疊氮化合物的添加量小於0.1重量%時，曝光部與未曝光部的溶解對比太低，不具有實際上的感光性。又，為了得到更為良好的溶解對比，以1重量%以上為佳。醌二疊氮化合物的添加量大於4重量%時，因為矽氧烷聚合物與醌二疊氮化合物的相溶性變差，會產生塗布膜白化、硬化膜的無色透明性降低。醌二疊氮化合物的添加量大於10重量%時，硬化膜的透明性更為降低，會有無法確保充分的透明性之情形。醌二疊氮化合物的添加量大於4重量%且10重量%以下時，藉由改變脫色製程、熟化製程等製程條件，可以得到具有良好的無色透明性之硬化膜。
醌二疊氮化合物沒有特別限制，較佳是具有酚性羥基之化合物與萘醌二疊氮磺酸進行酯鍵結而成的化合物，可以使用化合物，該化合物的酚性羥基的鄰位、及對位具有各自獨立的氫、或是通式(1)所示的取代基中任一者。
R1 、R2 、R3 係表示各自獨立的碳數1~10的烷基、羧基、苯基、取代苯基中任一者。又，在R1 、R2 、R3 亦可以形成環。
通式(1)所表示的取代基，R1 、R2 、R3 係表示各自獨立的碳數1~10的烷基、羰基、苯基、取代苯基中任一者。烷基係無取代物、取代物都可以，可以按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例，可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第3丁基、正己基、環己基、正庚基、正辛基、三氟甲基、2－羧基乙基。又，在苯基之取代基，可以舉出的有羥基。又，在R1 、R2 、R3 亦可以形成環。具體例可以舉出的有環庚環、環己環、金剛烷環、茀環。
酚性氫基之鄰位、及對位為上述以外，例如為甲基時，因熱硬化產生氧分解，會形成以醌型結構為代表之共軛系化合物，硬化膜著色、無色透明性降性。又，此等醌二疊氮化合物可以由具有酚性羥基的化合物與萘醌二疊氮磺酸氯進行酯化反應來合成。
具有酚性羥基之化合物的具體例，可以舉出的有以下的化合物(任一者都是本州化學工業(股)製)。
萘醌二疊氮磺酸可以使用4－萘醌二疊氮磺酸或是5－萘醌二疊氮磺酸。因為4－萘醌二疊氮磺酸酯化合物在i線(波長365奈米)區域具有吸收，可以適合i線曝光。又，因為5－萘醌二疊氮磺酸酯化合物在廣範圍的波長區域存存在有吸收，可以適合廣範圍的波長之曝光。最好是依照曝光波長選擇4－萘醌二疊氮磺酸酯化合物、5－萘醌二疊氮磺酸酯化合物。亦可以混合使用4－萘醌二疊氮磺酸酯化合物及5－萘醌二疊氮磺酸酯化合物。
萘醌二疊氮化合物的分子量，以300~1500為佳，以350~1200為更佳。萘醌二疊氮化合物的分子量大於1500時，即使0.1~10重量%、或是0.1~4重量%的添加量亦有可能無法形成圖案。另一方面，萘醌二疊氮化合物的分子量小於300時，會有無色透明性降低的可能性。
本發明的正型感光性矽氧烷組成物含有溶劑，溶劑沒有特別限制，較佳是使用具有醇性羥基的化合物及/或是具有羰基的環狀化合物。使用此等溶劑時，矽氧烷組成物和萘醌二疊氮化合物可以均勻地溶解，將組成物塗布成膜時亦不會產生白化，可以達成高透明性。
具有醇性羥基的化合物沒有特別限制，較佳是大氣壓下的沸點為110~250℃的化合物。沸點大於250℃時膜中殘留溶劑變多，熟化時的膜收縮變大，無法得到良好的平坦性。另一方面，沸點低於110℃時，塗膜時乾燥太快，膜表面變為粗糙等而使塗膜性變差。
具有醇性羥基的環狀化合物之具體例，可以舉出的有乙醯甲醇、3－羥基－3－甲基－2－丁酮、4－羥基－3－甲基－2－丁酮、5－羥基－2－戊酮、4－羥基－4－甲基－2－戊酮(雙丙酮醇)、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單正丙醚、丙二醇單正丁醚、丙二醇單第3丁醚、3－甲氧基－1－丁醇、3－甲基－2－甲氧基－1－丁醇等。此等之中，以具有羰基之化合物為更佳，以使用雙丙酮醇為特佳。又，此等具有醇性羥基的化合物可以單獨或是組合2種以上使用。
具有羰基的環狀化合物沒有特別限制，較佳是在大氣壓下的沸點為150~250℃之化合物。沸點大於250℃時，膜中的殘留溶劑量變多，熟化時的膜收縮變大，無法得到良好的平坦性。另一方面，沸點低於150℃時，塗膜時乾燥太快，膜表面變為粗糙等而使塗膜性變差。
具有羰基的環狀化合物之具體例，可以舉出的有γ－丁內酯、γ－戊內酯、δ－戊內酯、碳酸丙烯酯、N－甲基吡咯啶酮、環己酮、環丁酮。此等之中，以使用γ－丁內酯為特佳。又，具有此等羰基的環狀化合物，可以具有醇性羥基的化合物單獨或是組合2種以上使用。
前述具有醇性羥基的化合物和具有羰基的環狀化合物，可以單獨或是各自混合使用。混合使用時，其混合比例沒有特別限制，其中較佳是具有醇性羥基的化合物/具有羰基的環狀化合物＝99~50/1~50，更佳是97~60/3~40。具有醇性羥基的化合物大於99重量%(具有羰基的環狀化合物小於1重量%)時，矽氧烷聚合物和醌二疊氮化合物的相溶性變差，硬化膜產生白化、透明性降低。又，具有醇性羥基的化合物小於50重量%(具有羰基的環狀化合物大於50重量%)時，矽氧烷聚合物中的未反應矽烷醇基容易產生縮合反應，儲藏安定性變差。
本發明的正型感光性矽氧烷組成物，在不損害本發明的效果範圍內，可以含有其他的溶劑。其他的溶劑可以舉出的有乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、3－甲氧基－1－乙酸丁酯、3－甲基－3－甲氧基－1－乙酸丁酯等酯類，甲基異丁酮、二異丙酮、二異丁酮等酮類、二乙醚、二異丙醚、二正丁醚、二苯醚等醚類。
溶劑的添加量沒有特別限制，相對於矽氧烷聚合物100重量份，以100~1000重量份的範圍為佳。
本發明的正型感光性矽氧烷組成物，亦可以含有熱交聯性化合物。熱交聯性化合物係在熱硬化時與矽氧烷聚合物交聯的化合物，藉由含有熱交聯性化合物可以提高硬化膜的交聯度。藉此，硬化膜的硬度、耐藥品性提升、且抑制因熱硬化時的微細圖案的熔融所引起圖案解像度的降低。
熱交聯性化合物若是在熱硬化時能夠與矽氧烷聚合物交聯的化合物時，沒有特別限制，可以舉出的有具有2個以上反應基、例如環氧基、氧雜烷丁烷基、乙烯基、丙烯基、甲基丙烯基、羥甲基、烷氧基甲基、矽烷基之化合物。此等化合物之中，較佳是使用具有通式(2)所表示的基之化合物。及/或是通式(3)所表示的化合物。
R4 係表示氫、碳數1~10的烷基中任一者。又，通式(2)的複數R4 ，各自可以相同或是不同。
R5 係表示氫、碳數1~10的烷基、碳數2~10的烯基、碳數6~15之芳基中任一者。又，複數R5 ，各自可以相同或是不同。R6 係表示氫、碳數1~6的烷基、碳數2~6的醯基、碳數6~15之芳基中任一者。又，複數R6 ，各自可以相同或是不同。n係表示0至2的整數。
通式(2)的複數R4 係表示氫、碳數1~10的烷基中任一者。又，通式(2)的複數R4 ，各自可以相同或是不同。烷基的具體例可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第3丁基、正己基、正癸基等。
具有2個通式(2)所表示的基之化合物的具體例，可以舉出的有以下的三聚氰胺衍生物、尿素衍生物(SANWA CHEMICAL(股)製)、及酚性化合物(本州化學工業(股)製)。
具有2個通式(2)所表示的基之化合物，不只是作為熱交聯性化合物來提升硬化膜的硬度或圖案的解像度而已，對促進溶解亦有幫助，可以有效地改良感度或減少顯像時浮渣。這對以矽氧烷聚合物作為主成分的材料，係特別顯著見到的現象，可以認為是矽氧烷聚合物的疏水性較高的緣故。又，特別是使用具有2個通式(2)所表示的基之化合物時，不必新添加會使透明性降低之含有酚性羥基之化合物等，或是只添加少量即可，不會阻礙矽氧烷聚合物特有的透明性，可以維持所得到硬化膜的高透明性。此等化合物中，因為溶解促進效果大，以使用NIKARAK MX－270為特佳。具有2個通式(2)所表示的基之化合物可以單獨使用或組合2種以上使用。
通式(3)的R5 係表示氫、碳數1~10的烷基、碳數2~10的烯基、碳數6~15之芳基中任一者，複數R5 ，各自可以相同或是不同。又，此等烷基、烯基、芳基任一者係無取代物、取代物都可以，可以按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例，可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第3丁基、正己基、正癸基、三氟甲基、3,3,3－三氟丙基、3－環氧丙氧基、2－(3,4－環氧環己基)乙基、3－胺基丙基、3－氫硫基丙基、3－異氰酸基丙基。烯基之具體例，可以舉出的有乙烯基、3－丙烯醯氧基丙基、3－甲基丙烯醯氧基丙基。芳基之具體例，可以舉出的有苯基、甲苯基、對羥基苯基、1－(對羥基苯基)乙基、2－(對羥基苯基)乙基、4－羥基－5－(對羥基苯基羰基氧基)己基、萘基。
通式(3)的R6 係表示氫、碳數1~6的烷基、碳數2~6的烯基、碳數6~15之芳基中任一者，複數R6 ，各自可以相同或是不同。又，此等烷基、醯基、芳基任一者係無取代物、取代物都可以，可以按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例，可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基。醯基之具體例，可以舉出的有乙醯基。芳基的具體例可以舉出的有苯基。通式(3)的n係表示0至2之整數。
通式(3)所表示化合物的具體例，可以舉出的有四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四乙醯氧基、四苯氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三正丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三正丁基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正丁基三甲氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3－丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3－丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、對羥基苯基三甲氧基矽烷、1－(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、2－(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、4－羥基－5－(對羥基苯基羰基氧基)戊基三甲氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷、3,3,3－三氟丙烷基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、3－環氧丙氧基三甲氧基矽烷、3－環氧丙氧基三乙氧基矽烷、2－(3,4－乙氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3－氫硫基丙氧基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二乙醯氧基矽烷、二正丁基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、(3－環氧丙氧基丙基)甲基二甲氧基矽烷、(3－環氧丙氧基丙基)甲基二乙氧基矽烷等。又，此等化合物可以單獨使用亦可以組合2種以上使用。
通式(3)所表示的化合物係有機矽烷化合物，係與構成矽氧烷聚合物之通式(4)的有機矽烷化合物類似的化合物。因此，與矽氧烷聚合物的相溶性良好，可以維持硬化膜的高透明性。
熱交聯性化合物的添加量沒有特別限制，相對於矽氧烷聚合物100重量份，以0.1~10重量份的範圍為佳。熱交聯性化合物的添加量小於0.1重量份時，矽氧烷聚合物的交聯效果不充分。另一方面，熱交聯性化合物的添加量大於10重量份時，硬化膜的無色透明性降低、組成物的儲藏安定性降低。
本發明的正型感光性矽氧烷組成物可以含有交聯促進劑。交聯促進劑係藉由熱硬化時所產生矽氧烷聚合物中之未反應的矽烷醇基的縮合，來促進聚合物的交聯之化合物。又，係藉由前述熱交聯性化合物與矽氧烷聚合物的反應，來促進聚合物的交聯之化合物。藉此，可以提升硬化膜的硬度及耐藥品性，且可以抑制因熱硬化時微細圖案的溶融造成圖案解像度的降低。
交聯促進劑沒有特別限制，其中以使用藉由熱或光產生酸的化合物、藉由熱或光產生鹼的化合物。使用藉由熱或光產生酸、或是鹼的化合物時，在熱硬化時在膜中產生酸或是鹼，可以促進聚合物的交聯。另一方面，使用藉由熱或光產生酸、或是鹼的化合物時，在熱硬化前的脫色曝光時在膜中產生酸或是鹼，可以促進聚合物的交聯。
藉由熱或光產生酸、或是鹼的化合物，係在熱硬化時產生酸、或是鹼的化合物，以在組成物塗布後的預烘焙時不會產生酸、或是鹼，或是只會產生少量者為佳。因此，以在塗布膜預烘焙溫度以上產生酸之化合物為佳。預烘焙溫度係取決於組成物，其中可以舉出的有例如100℃以上。若在低於預烘焙溫度產生酸時，在預烘焙時矽氧烷變為容易產生交聯而使感度降低、顯像時產生浮渣。
藉由光產生酸、或是鹼的化合物，係脫色曝光時產生酸、或是鹼的化合物，藉由照射曝光波長365奈米(i線)、405奈米(h線)、436奈米(g線)、或是此等的混合線，會產生酸或是鹼之化合物。因此，在使用與脫色曝光相同光線之圖案曝光時，亦有產生酸或鹼的可能性，因為圖案曝光與脫色曝光比較時，曝光量較小，只會產生少量的酸或是鹼，不會成為問題。又，使用產生酸之化合物時，所產生的酸以全氟烷基磺酸、對甲苯磺酸等強酸為佳。產生羧酸之醌二疊氮化合物不具有在此所稱的聚合物交聯的機能，係與本發明之交聯促進劑不同之物。
藉由熱或是光產生酸、或是鹼的化合物，有離子性酸產生劑與非離子性酸產生劑。離子性酸產生劑以不含有重金屬、鹵素離子之物為佳，可以使用三有機鋶鹽系化合物。具體上可以舉出的有三苯基鋶、1－二甲基硫萘、1－二甲基硫－4－羥基萘、1－二甲基硫－4,7－羥基萘、4－羥基二苯基二甲基鋶、2－甲基苄基－4－羥基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－乙醯基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－苯甲醯基氧基苯基甲基鋶、此等的甲磺酸鹽、三氟甲磺酸鹽、樟腦磺酸鹽、對甲苯磺酸鹽等。又，苄基鋶鹽，可以舉出的有SI－60、SI－80、SI－100、SI－110、SI－145、SI－150、SI－80L、SI－100L、SI－110L、SI－145L、SI－150L、SI－160L、SI－180L(以上為商品名、三新化學工業(股)製)。
非離子性的酸發生劑可以使用鹵素含有化合物、重氮甲烷化合物、碸化合物、磺酸酯化合物、羧酸酯化合物、磷酸酯化合物、磺醯亞胺化合物、磺醯苯并三唑化合物等。
鹵素含有化合物的具體例，可以舉出的有鹵烷基含有雜環狀化合物。較佳之鹵素含有化合物，可以舉出的有1,1－雙(4－氯苯基)－2,2,2,－三氯乙烷、2－苯基－4,6－雙(三氯甲基)－對稱三、2－萘基－4,6－雙(三氯甲基)－對稱三。
重氮甲烷化合物之具體例可以舉出的有雙(三氟甲基磺醯)重氮甲烷、雙(環己基磺醯)重氮甲烷、雙(苯基磺醯)重氮甲烷、雙(對三磺醯)重氮甲烷、雙(2,4－二甲苯基磺醯)重氮甲烷、雙(對氯苯基磺醯)重氮甲烷、甲基磺醯－對甲苯磺醯重氮甲烷、環己基磺醯(1,1－二甲基乙基磺醯)重氮甲烷、雙(1,1－二甲基乙基磺醯)重氮甲烷、苯基磺醯(苯甲醯基)重氮甲烷。
碸化合物的具體例，可以舉出的有β－酮碸化合物、β－磺醯碸化合物、二芳基二碸化合物。較佳之碸化合物可以舉出的有4－三苯甲醯碸、基苯甲醯碸、雙(苯基磺醯)甲烷、4－氯苯基－4－甲基苯基二碸化合物。
磺酸酯化合物的具體例可以舉出的有磺酸烷基酯、磺酸鹵烷基酯、磺酸芳基酯、亞胺基磺酸酯。較佳之磺酸酯化合物可以舉出的有苯并吲哚酚－2－甲酸酯、焦棓酚苯三甲酸酯、硝基苄基－9,10－二乙氧基蒽－2－磺酸酯、2,6－二硝基苄基苯磺酸酯、PAI－101(MIDORI CHIMICAL(股)製)、PAI－106(MIDORI CHEMICAL(股)製)、CGI－1311(CIBA SPECIALTY CHEMICALS(股)製)。
羧酸酯化合物的具體例，可以舉出的有羧酸鄰硝基苄酯。
磺醯亞胺化合物的具體例，可以舉出的有N－(三氟甲基磺醯氧基)琥珀醯亞胺(SI－105(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(樟腦磺醯氧基)琥珀醯亞胺(SI－106(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(4－甲基苯基磺醯氧基)琥珀醯亞胺(SI－101(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(2－三氟甲基磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N－(4－氟苯基磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N－(三氟甲基磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N－(樟腦磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N－(2－三氟甲基苯基磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N－(2－氟苯基磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N－(三氟甲基磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺(PI－105(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(樟腦磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N－(4－甲基苯基磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N－(2－三氟甲基苯基磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N－(4－氟苯基磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N－(苯基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺(NDI－100(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(4－甲基苯基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺(NDI－101(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(三氟甲烷磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺(NDI－105(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(九氟丁烷磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺(NDI－109(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(樟腦磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺(NDI－106(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(樟腦磺醯氧基)－7－氧基雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺、N－(三氟甲基磺醯氧基)－7－氧基雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺、N－(4－甲基苯基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺、N－(4－甲基苯基磺醯氧基)－7－氧基雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺、N－(2－三氟甲基苯基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺、N－(2－三氟甲基苯基磺醯氧基)－7－氧基雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺、N－(4－三氟苯基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺、N－(4－氟苯基磺醯氧基)－7－氧基雙環[2.2.1]庚－5－烯－2,3－二磺醯亞胺、N－(三氟甲基苯基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷－5,6－氧基－2,3－二磺醯亞胺、N－(樟腦磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷－5,6－氧基－2,3－二磺醯亞胺、N－(4－甲基苯基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷－5,6－氧基－2,3－二磺醯亞胺、N－(2－三氟甲基苯基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷－5,6－氧基－2,3－二磺醯亞胺、N－(4－氟甲基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷－5,6－氧基－2,3－二磺醯亞胺、N－(三氟甲基苯基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺(NAI－105(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(樟腦磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺(NAI－106(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(4－甲基苯基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺(NAI－101(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(苯基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺(NAI－100(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(2－三氟甲基苯基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(4－氟苯基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(五氟乙基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(五氟丙基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(九氟丁基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺(NAI－109(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(乙基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(丙基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(丁基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺(NAI－1004(MIDORI CHEMICAL(股)製)、N－(戊基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(己基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(庚基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(辛基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺、N－(壬基磺醯氧基)萘基二磺醯亞胺。
上述的酸發生劑中，為了能使矽氧烷聚合物有效地交聯，較佳是能夠產生強酸，酸的pka為3以下，以2以下為佳，以1以下為更佳。從產生酸的強度而言，產生的酸以苯磺酸、烷基苯磺酸、全氟烷基磺酸、磷酸為佳。其中，從圖案的解像度在熱硬化中不會逆流(reflow)而能夠抑制解像度的降低而言，以鋶鹽、磺醯亞胺化合物為佳。
鋶鹽、磺醯亞胺化合物的具體例，可以舉出有4－羥基苯基二甲基鋶、2－甲基苄基－4－羥基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－乙醯基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－苯甲醯基氧基苯基甲基鋶、此等之甲烷磺酸鹽、三氟甲烷磺酸鹽、樟腦磺酸鹽、對甲苯磺酸鹽。又，可以舉出的有SI－60、SI－80、SI－100、SI－110、SI－145、SI－150、SI－80L、SI－100L、SI－110L、SI－145L、SI－150L、SI－160L、SI－180L(以上為商品名、三新化學(股)製)、SI－101、SI－105、SI－106、SI－109、PI－105、NDI－101、NDI－105、NDI－109、NAI－101、NAI－105、NAI－109(以上為商品名、三新化學(股)製)。
藉由熱或光產生鹼的化合物係鹼發生劑，可以舉出的有鈷等過渡金屬錯合物、鄰硝基胺基甲酸苄酯類、α,α－二甲基－3,5－二甲氧基胺基甲酸苄酯類、醯基氧基醯亞胺類。
藉由熱或光所產生鹼的種類，有機、無機的鹼中任一者都可以適合使用，從產生效率、對矽氧烷聚合物交聯的效果、在矽氧烷聚合物溶液中的溶解性等而言，以有機胺類為特佳。產生有胺類的種類係脂肪族、芳香族中任一者都可，又，可以是1官能亦可以是多官能。產生有機胺類的具體例，可以舉出的有氨、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、己胺、環己胺、癸胺、十六胺、羥胺、四亞甲二胺、六亞甲二胺、苄胺、苯胺、萘胺、苯二胺、甲苯二胺、二胺基二苯基甲烷、六甲基四胺、哌啶、哌。
較佳之鹼產生劑的具體例，過渡金屬錯合物可以舉出的有溴五氨鈷過氯酸鹽、溴五甲基胺鈷過氯酸鹽、溴五丙胺鈷過氯酸鹽、六氨鈷過氯酸鹽、六甲胺鈷過氯酸鹽、六丙胺鈷過氯酸鹽。
鄰硝基胺基甲酸苄酯類可以舉出的有[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]甲胺、[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]丙胺、[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]己胺、[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]環己胺、[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]苯胺、[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]甲胺、[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]哌啶、雙[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]六亞甲二胺、雙[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]苯二胺、雙[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]甲苯二胺、雙[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]二胺基二苯基甲烷、雙[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]哌、[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]甲胺、[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]丙胺、[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]己胺、[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]環己胺、[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]苯胺、[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]哌啶、雙[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]六亞甲二胺、雙[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]苯二胺、雙[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]甲苯二胺、雙[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]二胺基二苯基甲烷、雙[[(2,6－二硝基苄基)氧基]羰基]哌。
α,α－二甲基－3,5－二甲氧基胺基甲酸苄酯類，可以舉出的有[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]甲胺、[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]丙胺、[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]己胺、[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]環己胺、[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]苯胺、[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]哌啶、雙[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]六亞甲二胺、雙[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]苯二胺、雙[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]甲苯二胺、雙[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]二胺基二苯基甲烷、雙[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]哌。
醯基氧基醯亞胺類可以舉出的有丙醯基苯乙酮肟、丙醯基二苯基酮肟、丙醯基丙酮肟、丁醯基苯乙酮肟、丁醯基二苯基酮肟、丁醯基丙酮肟、己二醯基苯乙酮肟、己二醯基二苯基酮肟、己二醯基丙酮肟、丙烯醯基苯乙酮肟、丙烯醯基二苯基酮肟、丙烯醯基丙酮肟。
上述的鹼產生劑中，為了能使矽氧烷聚合物有效地交聯，較佳是能夠產生強鹼，鹼的pka為11以上，以12以上為佳，以13以上為更佳。特佳之物可以舉出有[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]環己胺、雙[[(2－硝基苄基)氧基]羰基]六亞甲二胺、雙[[(α,α－二甲基－3,5－二甲氧基苄基)氧基]羰基]六亞甲二胺。
前述交聯促進劑可以單獨使用亦可以組合2種以上使用。
交聯促進劑的添加量沒有特別限制，相對於矽氧烷聚合物100重量份，以0.01~5重量份的範圍為佳。添加量小於0.01重量份時效果不充分，添加量大於5重量份時，預烘焙時或圖案曝光時矽氧烷聚合物會產生交聯。
本發明的感光性矽氧烷組成物，亦可以含有敏化劑。藉由含有敏化劑，在促進萘醌二疊氮化合物(感光劑)的反應而提升感度之同時，當交聯劑係含有藉由光產生酸、或是鹼的化合物時，可以促進預烘焙曝光時的反應而提升硬化劑的硬度或耐藥品性。又，可以抑制熱硬化時因微細圖案的熔融所帶來圖案解像度的降低。
本發明所使用的敏化劑沒有特別的限制，較佳是藉由熱處理氣化，及/或是藉由光照射褪色之敏化劑。通常，敏化劑對圖案曝光或脫色曝光之光源波長為365奈米(i線)、405奈米(h線)、436奈米(g線)具有吸收。但是，因為通常敏化劑會殘留於曝光、顯像後的硬化膜中，在可見光區域會存在有吸收而使無色透明性降低。另一方面，因為本發明所使用的敏化劑係藉由光硬化等的熱處理氣化的化合物，不會存在於硬化膜中，或是即使存在亦不會在可見光區域會存在有吸收，硬化膜的無色透明性不會降低。
藉由前述的熱處理氣化、及/或藉由光照射褪色之敏化劑的具體例，可以舉出的有3,3’－羰基雙(二乙基胺基香豆素)等香豆素、9,10－蒽醌等蒽醌、二苯基酮、4,4’－二甲氧基二苯基酮、苯乙酮、4－甲氧苯乙酮、苯甲醛等芳香族酮、聯苯、1,4－二甲基萘、9－茀酮、茀、菲、三鄰亞苯、芘、蒽、9－苯基蒽、9－甲氧基蒽、9,10－二苯基蒽、9,10－雙(4－甲氧基苯基)蒽、9,10－雙(三苯基矽烷基蒽、9,10－二甲氧基蒽、9,10－二乙氧基蒽、9,10－二丙氧基蒽、9,10－二丁氧基蒽、9,10－二庚氧基蒽、2－第3丁基－9,10－二丁氧基蒽、9,10－雙(三甲基矽烷基乙炔基)蒽等縮合芳香族。
此等敏化劑中，藉由熱處理氣化之敏化劑，以藉由熱處理產生昇華、蒸發、因熱分解之熱分解物產生昇華或蒸發之敏化劑為佳。又，敏化劑的氣化溫度以130℃~400℃為佳，以150℃~250℃為更佳。敏化劑的氣化溫度低於130℃時，會有敏化劑在預烘焙中氣化而不存在於曝光製程中，感度無法提高之情形。又，為了極力抑制預烘焙中的氣化，敏化劑的氣化溫度以150℃以上為佳。另一方面，敏化劑的氣化溫度大於400℃時，敏化劑熱硬化時不會氣化而殘留在硬化膜中，會有無色透明性降低的情形。又，為了在熱硬化時完全氣化，敏化劑的氣化溫度以250℃以下為佳。
另一方面，藉由光照射褪色的敏化劑，從透明性的觀點，以在可見光區域藉由吸收光照射會產生褪色的敏化劑為佳。又，藉由吸收光照射會產生褪色之化合物，以藉由光照射有二聚化作用為更佳。藉由光照射有二聚化作用時，因為分子量增大而不熔化，可以得到提升耐藥品性、改良耐熱性、減少來自透明硬化膜的萃取物之效果。
敏化劑從可以達成高感度而言，從藉由光照射產生二聚化作用、褪色而言，以蒽系化合物為佳，以9,10－二取代蒽系化合物為更佳，在9,10位置為氫之蒽系化合物因為對熱不安定，在使用上不容易。而且從提升敏化劑的溶解性及光二聚作用反應的反應性的觀點，以通式(6)所示9,10－二烷氧基蒽系化合物為佳。
R1 5 、R1 6 、R1 7 、R1 8 、R1 9 、R2 0 、R2 1 、R2 2 係表示各自獨立之氫、碳數1~20的烷基、烷氧基、烯基、乙炔基、芳基、醯基、及具有其等取代基之有機基。R2 3 、R2 4 係碳數1~20的烷氧基及有此等取代基之有機基。
通式(6)的R1 5 ~R2 2 係表示各自獨立之氫、碳數1~20的烷基、烷氧基、烯基、芳基、醯基及具有其等取代基之有機基。烷基的具體例係甲基、乙基、正丙基。烷氧基的具體例可以舉出有甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。烯基的具體例可以舉出有乙烯基、丙烯醯氧基丙烯基、甲基丙烯醯氧基丙烯基。芳基的具體例可以舉出的有苯基、甲苯基、萘基。醯基的具體例有乙醯基。就化合物的氣化性、光二聚作用的反應性而言，R1 5 ~R2 2 以氫、或是碳數為1~6的有機基為佳。而且R1 5 、R1 8 、R1 9 、R2 2 以氫為更佳。
通式(6)的R2 3 、R2 4 係表示碳數1~20的烷氧基及具有其等取代基之有機基。烷氧基的具體例可以舉出的有甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基，其中從化合物的溶解性和光二聚作用而言，以丙氧基、丁氧基為佳。
相對於矽氧烷100重量份，敏化劑的添加量以0.01~5重量份的範圍為佳。脫離此等範圍時，透明性降低、感度降低。
本發明的正型感光性矽氧烷組成物亦可以按照必要，含有溶解促進劑、溶解抑制劑、界面活性劑、安定劑、消泡劑等添加劑。
特別是溶解促進劑可以提升感度。溶解促進劑以使用具有酚性羥基的化合物、或N－羥基二羧基醯亞胺化合物為佳。具體例可以舉出的有醌二疊氮化合物使用之具有酚性羥基的化合物。
以下說明本發明的正型感光性矽氧烷組成物所使用硬化膜形成方法。藉旋轉塗布器、浸漬器、狹縫塗布器等眾所周知的方法，將本發明的正型感光性矽氧烷組成物塗布在基底基板上，使用熱板、烘箱加熱裝置進行預烘焙。預烘焙係在50~150℃的範進行30秒~30分鐘，預烘焙後的膜厚度以在0.1~15微米的範圍為佳。
預烘焙後，使用步進機、鏡射遮罩對準器(MPA)、平行光遮罩對準器(PLA)等紫外可見曝光，使希望遮罩介於中間，進行10~4000J/m2 左右(換算成波長為365奈米之曝光量)之曝光。
曝光後，藉由顯像溶解曝光部，可以得到正型的圖案。顯像方法以使用噴淋、含浸、沖洗等方法在顯像液中浸漬5秒~10分鐘之間為佳。顯像液可以使用眾所周知的鹼顯像液。具體例可以舉出的有使用含有1種或2種以上鹼金屬的氫氧化物、碳酸鹽、磷酸鹽、矽酸鹽、硼酸鹽等無機鹼、2－二乙基胺基乙醇、單乙醇胺、二乙醇胺等胺類、氫氧化四甲銨、膽鹼等4級銨鹽之水溶液。
顯像後以水沖洗為佳。又，亦可以按照必要藉由熱板、烘箱等加熱裝置在50~150℃的範圍進行乾燥烘焙。
隨後，以進行脫色曝光為佳。藉由進行脫色曝光，在膜中殘留的未反應的醌二疊氮化合物產生光分解，膜的光透明性更為提升。脫色曝光的方法，係使用PLA等紫外可見曝光機，全面地進行100~20000J/m2 左右(換算成波長為365奈米之曝光量)之曝光。
按照必要使用熱板、烘箱等加熱裝置將脫色曝光後的膜在50~150℃的範圍進行軟烘焙後，藉由在熱板、烘箱等加熱裝置以150~450℃的範圍熟化1小時，可以形成顯示元件、有機EL顯示元件等之TFT平坦化膜、半導體元件的層間絕緣膜、或是光波導路的稱為芯材或包覆材之硬化膜。
本發明之元件係指具有如前述高透明性、高耐熱性、低介電常數性的硬化膜之顯示元件、半導體元件、或是光波導路材，特別是具有TFT用平坦化膜之液晶及有機EL顯示元件，從本發明的硬化膜具有優良的畫面明亮度和信賴性而言，特別是可以有效地使用於具有TFT用平坦化膜之液晶及有機EL顯示元件。
實施例
以下，舉出實施例來進一步說明本發明，但是本發明未限定在此等實施例。對Si原子之苯基含有率係藉由2 9 Si－NMR測定，對Si原子之酚性羥基含有率係藉由2 9 Si－NMR和1 H－NMR測定，聚合物的重量平均分子量(Mw)係使用GPC(展開溶劑：四氫呋喃)換算聚苯乙烯而求得。
合成例1 矽氧烷聚合物溶液(a)的合成在500毫升3口燒瓶，加入88.53克(0.65莫耳)甲基三甲氧基矽烷、69.41克(0.35莫耳)苯基三甲氧基矽烷、138.87克雙丙酮醇(DAA)，邊在室溫攪拌邊以30分鐘添加在54克的水中溶解0.158克磷酸(相對於加入單體為0.1重量%)而成的磷酸水溶液。隨後，將燒瓶浸漬在40℃的油浴、攪拌30分後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，隨後加熱攪拌2小時(此時溶液的內溫為100~110℃)。蒸餾出甲醇、水(反應中的副產物)合計120克。在所得到的矽氧烷聚合物的DAA溶液中，添加DAA和GBL使聚合物濃度為35重量%、溶劑組成為DAA/－γ丁內酯(GBL)(90/10)，得到矽氧烷聚合溶液(a)。又，相對於Si原子之酚性羥基含有率為0%、苯基含有率為35莫耳%。又，所得到聚合物的重量平均分子量(Mw)為3700。
合成例2 矽氧烷聚合物溶液(b)的合成在500毫升3口燒瓶，加入68.1克(0.5莫耳)甲基三甲氧基矽烷、59.49克(0.3莫耳)苯基三甲氧基矽烷、14.83克(矽烷原子莫耳數為0.2莫耳)直鏈狀聚矽氧烷(DMS－S12、GEREST公司製)、130.73克DAA，邊在室溫攪拌邊以30分鐘添加在43.2克的水中溶解0.142克磷酸(相對於加入單體為0.1重量%)而成的磷酸水溶液。隨後，將燒瓶浸漬在40℃的油浴、攪拌30分後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，隨後加熱攪拌3小時(此時溶液的內溫為100~110℃)。蒸餾出甲醇、水(反應中的副產物)合計97克。在所得到的矽氧烷聚合物的DAA溶液中，添加DAA和GBL使聚合物濃度為35重量%、溶劑組成為DAA/GBL(80/20)，得到矽氧烷聚合溶液(b)。又，相對於Si原子之酚性羥基含有率為0%、苯基含有率為30莫耳%。又，所得到聚合物的重量平均分子量(Mw)為5300。
合成例3 矽氧烷聚合物溶液(c)的合成在500毫升3口燒瓶，加入81.72克(0.6莫耳)甲基三甲氧基矽烷、59.49克(0.3莫耳)苯基三甲氧基矽烷、34.44克(0.1莫耳)4－羥基－5－(對羥基苯基羰基氧基)戊基三甲氧基矽烷、160.51克DAA，邊在室溫攪拌邊以30分鐘添加在54克的水中溶解0.176克磷酸(相對於加入單體為0.1重量%)而成的磷酸水溶液。隨後，將燒瓶浸漬在40℃的油浴、攪拌30分後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，隨後加熱攪拌2.5小時(此時溶液的內溫為100~110℃)。蒸餾出甲醇、水(反應中的副產物)合計120克。在所得到的矽氧烷聚合物的DAA溶液中，添加DAA和GBL使聚合物濃度為35重量%、溶劑組成為DAA/GBL(90/10)，得到矽氧烷聚合溶液(c)。又，相對於Si原子之酚性羥基含有率為10莫耳%、苯基含有率為40%。又，所得到聚合物的重量平均分子量(Mw)為7000。又，4－羥基－5－(對羥基苯基羰基氧基)戊基三甲氧基矽烷係下述結構之酚性羥基含有有機矽烷。
合成例4 矽氧烷聚合物溶液(d)的合成在500毫升3口燒瓶，加入81.72克(0.6莫耳)甲基三甲氧基矽烷、19.83克(0.1莫耳)苯基三甲氧基矽烷、103.33克(0.3莫耳)4－羥基－5－(對羥基苯基羰基氧基)戊基三甲氧基矽烷、196.2克DAA，邊在室溫攪拌邊以30分鐘添加在54克的水中溶解0.205克磷酸(相對於加入單體為0.1重量%)而成的磷酸水溶液。隨後，將燒瓶浸漬在40℃的油浴、攪拌30分後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，隨後加熱攪拌2.5小時(此時溶液的內溫為100~110℃)。蒸餾出甲醇、水(反應中的副產物)合計120克。在所得到的矽氧烷聚合物的DAA溶液中，添加DAA和GBL使聚合物濃度為35重量%、溶劑組成為DAA/GBL(90/10)，得到矽氧烷聚合溶液(d)。又，相對於Si原子之酚性羥基含有率為30莫耳%、苯基含有率為40莫耳%。又，所得到聚合物的重量平均分子量(Mw)為8500。
合成例5 矽氧烷聚合物溶液(e)的合成在500毫升3口燒瓶，加入81.72克(0.6莫耳)甲基三甲氧基矽烷、79.32克(0.4莫耳)苯基三甲氧基矽烷、142.67克3－甲基－1－丁醇(MB)，邊在室溫攪拌邊以30分鐘添加在54克的水中溶解0.161克磷酸(相對於加入單體為0.1重量%)而成的磷酸水溶液。隨後，將燒瓶浸漬在40℃的油浴、攪拌30分後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，隨後加熱攪拌4小時(此時溶液的內溫為100~110℃)。蒸餾出甲醇、水(反應中的副產物)合計120克。在所得到的矽氧烷聚合物的MB溶液中，添加MB和GBL使聚合物濃度為35重量%、溶劑組成為MB/GBL(70/30)，得到矽氧烷聚合溶液(e)。又，相對於Si原子之酚性羥基含有率為0%、苯基含有率為40莫耳%。又，所得到聚合物的重量平均分子量(Mw)為5500。
合成例6 矽氧烷聚合物溶液(f)的合成在500毫升3口燒瓶，加入95.34克(0.55莫耳)甲基三甲氧基矽烷、59.49克(0.45莫耳)苯基三甲氧基矽烷、135.08克DAA，邊在室溫攪拌邊以30分鐘添加在54克的水中溶解0.155克磷酸(相對於加入單體為0.1重量%)而成的磷酸水溶液。隨後，將燒瓶浸漬在40℃的油浴、攪拌30分後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，隨後加熱攪拌2小時(此時溶液的內溫為100~110℃)。蒸餾出甲醇、水(反應中的副產物)合計120克。在所得到的矽氧烷聚合物的DAA溶液中，添加DAA使聚合物濃度為35重量%、溶劑組成為DAA(100)，得到矽氧烷聚合溶液(f)。又，相對於Si原子之酚性羥基含有率為0%、苯基含有率為45莫耳%。又，所得到聚合物的重量平均分子量(Mw)為4500。
合成例7 矽氧烷聚合物溶液(g)的合成在500毫升3口燒瓶，加入88.53克(0.65莫耳)甲基三甲氧基矽烷、69.41克(0.35莫耳)苯基三甲氧基矽烷、138.87克二異丁基酮(DIBK)，邊在室溫攪拌邊以30分鐘添加在54克的水中溶解0.158克磷酸(相對於加入單體為0.1重量%)而成的磷酸水溶液。隨後，將燒瓶浸漬在40℃的油浴、攪拌30分後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，隨後加熱攪拌2小時(此時溶液的內溫為100~110℃)。蒸餾出甲醇、水(反應中的副產物)合計120克。在所得到的矽氧烷聚合物的DIBK溶液中，添加DIBK使聚合物濃度為35重量%、溶劑組成為DIBK(100)，得到矽氧烷聚合溶液(g)。又，相對於Si原子之酚性羥基含有率為0%、苯基含有率為35莫耳%。又，所得到聚合物的重量平均分子量(Mw)為5000。
合成例8 丙烯酸聚合物溶液(h)的合成將5克2,2’－偶氮雙(2,4－二甲基戊腈)、200克二伸乙甘醇乙基甲基醚(EDM)加入500毫升3口燒瓶中，接著加入25克苯乙烯、20克甲基丙烯酸、45克甲基丙烯酸環氧丙酯、10克參環[5.2.102 . 6 ]癸烷－8－基－甲基丙烯酸酯，暫時在室溫攪拌後，以氮氣取代燒瓶內。隨後，將燒瓶浸漬在70℃的油浴、加熱攪拌5小時。在所得到的丙烯酸聚合物的EDM溶液中，添加EDM使聚合物濃度為30重量%、溶劑組成為EDM(100)，得到丙烯酸聚合物(h)。又，所得到聚合物的重量平均分子量(Mw)為15000。
合成例9 醌二疊氮化合物(a)的合成在乾燥氮氣流下，將21.23克(0.05莫耳)TrisP－PA(商品名、本州化學工業(股)製、及37.62克(0.14莫耳)5－萘醌二疊氮磺醯氯溶解在450克1,4－二烷中，使其在室溫。在此，使50克1,4－二烷混合15.58克(0.154莫耳)三乙胺而成的溶液，以系統內不高於35℃之方式進行滴加。滴加後攪拌2小時。過濾三乙胺，將濾液投入水中。隨後，收集析出的沈澱、過濾。使用真空乾燥機乾燥該沈澱，得到下述結構的醌二疊氮化合物(a)。
合成例10 醌二疊氮化合物(b)的合成在乾燥氮氣流下，將15.32克(0.05莫耳)TrisP－HAP(商品名、本州化學工業(股)製、及22.84克(0.085莫耳)5－萘醌二疊氮磺醯氯溶解在450克1,4－二烷中，使其在室溫。在此，使50克1,4－二烷混合9.46克(0.0935莫耳)三乙胺而成的溶液，以系統內不高於35℃之方式進行滴加。滴加後於30℃下攪拌2小時。過濾三乙胺，將濾液投入水中。隨後，收集析出的沈澱、過濾。使用真空乾燥機乾燥該沈澱，得到下述結構的醌二疊氮化合物(b)。
合成例11 醌二疊氮化合物(c)的合成在乾燥氮氣流下，將14.52克(0.05莫耳)BisP－AP(商品名、本州化學工業(股)製、及26.87克(0.1莫耳)5－萘醌二疊氮磺醯氯溶解在450克1,4－二烷中，使其在室溫。在此，使50克1,4－二烷混合11.13克(0.11莫耳)三乙胺而成的溶液，以系統內不高於35℃之方式進行滴加。滴加後攪拌2小時。過濾三乙胺，將濾液投入水中。隨後，收集析出的沈澱、過濾。使用真空乾燥機乾燥該沈澱，得到下述結構的醌二疊氮化合物(c)。
合成例12 醌二疊氮化合物(d)的合成在乾燥氮氣流下，將17.42克(0.05莫耳)TrisOC－HAP(商品名、本州化學工業(股)製、及26.87克(0.1莫耳)5－萘醌二疊氮磺醯氯溶解在450克1,4－二烷中，使其在室溫。在此，使50克1,4－二烷混合11.13克(0.11莫耳)三乙胺而成的溶液，以系統內不高於35℃之方式進行滴加。滴加後於30℃下攪拌2小時。過濾三乙胺，將濾液投入水中。隨後，收集析出的沈澱、過濾。使用真空乾燥機乾燥該沈澱，得到下述結構的醌二疊氮化合物(d)。
合成例13 醌二疊氮化合物(e)的合成在乾燥氮氣流下，將21.23克(0.05莫耳)TrisP－PA(商品名、本州化學工業(股)製、及26.87克(0.1莫耳)5－萘醌二疊氮磺醯氯溶解在450克1,4－二烷中，使其在室溫。在此，使50克1,4－二烷混合11.13克(0.11莫耳)三乙胺而成的溶液，以系統內不高於35℃之方式進行滴加。滴加後於30℃下攪拌2小時。過濾三乙胺，將濾液投入水中。隨後，收集析出的沈澱、過濾。使用真空乾燥機乾燥該沈澱，得到下述結構的醌二疊氮化合物(e)。
實施例1
在黃色燈下混合30克合成例1的矽氧烷聚合物溶液(a)、0.3克合成例9的醌二疊氮化合物(a)、以及0.2克溶解促進劑(TrisP－PA、本州化學工業(株)製)，攪拌成均勻溶液後，以0.2微米的過濾器過濾，得到組成物1。
使用旋轉塗布器(MIKASA(股)製1H－360S)，以任意旋轉數將組成物1旋轉塗布於TEMPAX玻璃板(ASAHI TECHNO GLAS板(股)製)、及矽晶圓上，使用熱板(SCW－636、DAINIPPON SCREEN Mfg(股)製)，以100℃預烘焙2分鐘，製造膜厚度4微米的膜。將所製成的膜使用平行光遮罩對準器(以下稱為PLA)(PLA－501F、CANON(股)製)，使灰階遮罩介於中間進行曝光後，使用自動顯像裝置(AD－2000、瀧澤產業(股)製)，以2.38wt%氫氧化四甲銨水溶液(ELM－D、MITSUBISHI GAS CHEMICAL(股)製)噴淋顯像80秒，隨後，以水沖洗30秒。隨後，脫色曝光係使用PLA(PLA－501F、CANON(股)製)，以6000J/m2 (換算成波長365奈米曝光量)之條件對膜全面以超高壓水銀燈進行曝光，然後，使用烘箱(IHPS－222、ESPEC公司製)，以90℃、軟烘焙2分鐘，在空氣中以250℃熟化1小時製成硬化膜。
表4~6之評價係使用以下的方法進行。又，下述(1)、(2)、(3)、(4)、(8)的評價係使用矽晶圓、(6)、(9)的評價係使用TEMPAX玻璃板來進行。
(1)膜厚度測定使用DAINIPPON SCREEN Mfg(股)製之RAMDAES STM－602，以折射係數1.50來測定。
(2)顯像後殘膜率顯像後的殘膜率係依據下式算出。
顯像後殘膜率(%)＝顯像後的未曝光部膜厚度÷預烘焙後的膜厚度×100
(3)感度曝光、顯像後，將10微米的線和間隙圖案以1對1的寬度解像之曝光量(以下稱為最適當曝光量)作為感度而求得。
(4)解像度將在最適當曝量熟化後的最小圖案尺寸作為熟化後解像度。
(5)重量減少率將約100毫克組成物放入鋁盒中，使用熱重量測定裝置TGA－50(島津製作所(股)製)，在氮環境中，以升溫速度10℃/分鐘加熱至300℃，在此狀態下加熱1小時使其硬化，然後，以升溫速度10℃/分鐘升溫至400℃時，測定重量減少率。測定到達300℃時之重量，進而測定到達400℃時之重量，求得與300℃時的重量之差異，將減少的重量份當作重量減少率。
(6)光穿透率的測定使用MultiSpec－1500(島津製作所(股))，首先只測定TEMPAX玻璃板，將其紫外可見吸收光譜作為參照。接著，TEMPAX玻璃板形成各熟化膜，將其作為試樣，使用試樣，以單光束測定，求得3微米左右在波長400奈米時之光穿透率，將與參照之差異作為硬化膜的穿透率。
(7)介電常數的測定在鋁基板上，塗布組成物，預烘焙、曝光、熟化處理，形成薄膜。隨後，在該薄膜上形成鋁電極，使用LCR METER 4284A(Agilent Technology(股)製)，測定在1kHz時之靜電容量，藉由下式求得介電常數(ε)。又，未進行顯像處理。ε＝C．d/ε0 ．S其中，C為靜電容量、d為試樣膜厚度、ε0 為真空中的介電常數、S為上部電極面積。
(8)鉛筆硬度依照鉛筆硬度從硬到軟之順序使用砂紙將鉛筆芯磨尖，對熟化膜刮畫，以該膜不會被削去之最高硬度鉛筆硬度作為膜的鉛筆硬度。
(9)色度座標(x,y)的測定在TEMPAX玻璃板形成熟化膜後，使用顯微分光高度計(大塚電子(股)製MCPD－2000)測定所得到硬化膜的穿透光譜，從該光譜計算C光源時之原刺激值X、Y、Z，求得色度座標(x,y)。
實施例2~22、比較例1~5
如表1~3所記載的組成，與組成物1同樣地進行調配組成物2~27。又，熱交聯性化合物使用NIKARAK MX－270(SANWA CHEMICAL(股)製)、TML－BPAF(本州化學工業(股)製)、EPICOAT828(JAPAN EPOXY RESIN(股)製)、DMON－PTBT(SANWA CHEMICAL(股)製)，交聯促進劑使用NAI－105、NAI－109、NDI－105、NDI－109(都是MIDORI(股)製)，敏化劑使用DBA、DPA(都是川崎化成工業(股)製)，溶解促進劑使用TrisP－PA、TrisP－HAP、BisP－PR、BisP－AP、BisP－FL(都是本州化學工業(股)製)，係如下所示化合物。
使用組成物2－27，各自與實施例1同樣地製造硬化膜。其中，使用組成物27之比較例5，預烘焙後的膜厚度為3微米，顯像係使用0.3wt%氫氧化四甲銨水溶液(以水稀釋ELM－D而成之物)，淋浴顯像80秒鐘。又，使用組成9~23之資施例9~22與比較例1，進行在空氣中220℃熟化1小時。實施例及比較例的評價結果如表4~6所示。

Claims (19)

  1. 一種正型感光性矽氧烷組成物，其包含矽氧烷聚合物、醌二疊氮化合物及溶劑，其中相對於Si原子，矽氧烷聚合物中的苯基的含有率為5~60莫耳%，醌二疊氮化合物，係萘醌二疊氮磺酸酯鍵結於具有酚性羥基之化合物的化合物，該化合物的酚性羥基的鄰位、及對位係各自獨立地為氫、或是以通式(1)所示取代基中任一者，組成物的硬化膜在波長400奈米、膜厚度3微米左右之光穿透率為95%以上， (R1 、R2、 R3 係各自獨立地表示碳數1~10的烷基、羧基、苯基、取代苯基中任一者，亦可在R1 、R2 、R3 形成環)。
  2. 一種正型感光性矽氧烷組成物，其包含矽氧烷聚合物、醌二疊氮化合物及溶劑，其中相對於Si原子，矽氧烷聚合物中的苯基的含有率為5~60莫耳%，醌二疊氮化合物，係萘醌二疊氮磺酸酯鍵結於具有酚性羥基之化合物的化合物，該化合物的酚性羥基的鄰位、及對位係各自獨立地為氫、或是以通式(1)所示取代基中任一者，在組成物之膜厚度3微米的硬化膜，C光源或是F10光源之硬化膜的穿透光於XYZ表色系統之色度座標(x,y)，相對於C光源或是 F10光源的色度座標(x0 ,y0 )，為(x-x0 )2 +(y-y0 )2 ≦6×10-6 ， (R1 、R2、 R3 係各自獨立地表示碳數1~10的烷基、羧基、苯基、取代苯基中任一者，亦可在R1 、R2 、R3 形成環)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之正型感光性矽氧烷組成物，其中藉由超高壓水銀燈曝光之感度，換算成波長365奈米曝光量係100~1500J/m2 。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之正型感光性矽氧烷組成物，其中相對於矽氧烷聚合物，醌二疊氮化合物的含量為0.1~10重量%。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之正型感光性矽氧烷組成物，其中相對於矽氧烷聚合物，醌二疊氮化合物的含量為0.1~4重量%。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之正型感光性矽氧烷組成物，其中相對於Si原子，矽氧烷聚合物中之酚性羥基的含有率係20莫耳%以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之正型感光性矽氧烷組成物，其中該溶劑係具有醇性羥基的化合物及/或是具有羰基的環狀化合物。
  8. 如申請專利範圍第7項之正型感光性矽氧烷組成物，其中該具有醇性羥基的化合物係更具有羰基之化合物。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之正型感光性矽氧烷組成物，其中含有熱交聯性化合物。
  10. 如申請專利範圍第9項之正型感光性矽氧烷組成物，其中該熱交聯性化合物係具有2個以上的通式(2)所表示的基之化合物、及/或是通式(3)所表示的化合物， (R4 係表示氫、碳數1~10的烷基中任一者，又，化合物中的複數R4 ，各自可以相同或是不同) (R5 係表示氫、碳數1~10的烷基、碳數2~10的烯基、碳數6~15之芳基中任一者，又，複數R5 ，各自可以相同或是不同，R6 係表示氫、碳數1~6的烷基、碳數2~6的醯基、碳數6~15之芳基中任一者，複數R6 ，各自可以相同或是不同，n係表示0至2的整數)。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之正型感光性矽氧烷組成物，其中含有交聯促進劑。
  12. 如申請專利範圍第11項之正型感光性矽氧烷組成物，其中該交聯促進劑係藉由熱或光產生酸之化合物。
  13. 如申請專利範圍第11項之正型感光性矽氧烷組成物，其中該交聯促進劑係藉由熱或光產生鹼之化合物。
  14. 如申請專利範圍第11項之正型感光性矽氧烷組成物，其中該交聯促進劑係鋶鹽、磺醯亞胺化合物。
  15. 如申請專利範圍第1或2項之正型感光性矽氧烷組成物，其中含有敏化劑。
  16. 如申請專利範圍第15項之正型感光性矽氧烷組成物，其中該敏化劑係藉由熱處理氣化、及/或藉由光照射褪色。
  17. 如申請專利範圍第15項之正型感光性矽氧烷組成物，其中該敏化劑係蒽系化合物。
  18. 一種硬化膜，係由如申請專利範圍第1至17項中任一項之正型感光性矽氧烷組成物形成。
  19. 一種元件，係具備如申請專利範圍第18項之硬化膜。
TW094140750A 2004-11-26 2005-11-21 正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件 TWI381247B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004341850 2004-11-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200627069A TW200627069A (en) 2006-08-01
TWI381247B true TWI381247B (zh) 2013-01-01

Family

ID=36095876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094140750A TWI381247B (zh) 2004-11-26 2005-11-21 正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7374856B2 (zh)
EP (1) EP1662322B1 (zh)
KR (1) KR101242288B1 (zh)
CN (1) CN1782878B (zh)
SG (1) SG122901A1 (zh)
TW (1) TWI381247B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI832930B (zh) * 2018-11-29 2024-02-21 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 正型光敏樹脂組成物及由其製備之固化膜

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8105236B2 (en) * 2005-07-11 2012-01-31 Kyphon Sarl Surgical access device, system, and methods of use
EP1942150B1 (en) * 2005-10-28 2018-08-22 Toray Industries, Inc. Siloxane resin composition and method for producing same
EP1965256B1 (en) * 2005-11-30 2014-04-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition, and use of the same for manufacturing a semiconductor device and a display
KR100713237B1 (ko) * 2005-12-26 2007-05-02 제일모직주식회사 저장 안정성이 우수한 레지스트 하층막용 하드마스크조성물
CN101479664A (zh) * 2006-06-30 2009-07-08 霍尼韦尔国际公司 光敏材料及其应用
WO2008038550A1 (fr) 2006-09-25 2008-04-03 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composition sensible au rayonnement, procédé de formation d'un film de protection à base de silice, film de protection à base de silice, appareil et élément comportant un film de protection à base de silice et agent photosensibilisant destiné à isoler un film
KR101428718B1 (ko) * 2007-02-02 2014-09-24 삼성디스플레이 주식회사 감광성 유기물, 이의 도포 방법, 이를 이용한 유기막 패턴형성 방법, 이로써 제조되는 표시 장치
US8642246B2 (en) * 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
KR100910542B1 (ko) * 2007-05-04 2009-08-05 제일모직주식회사 반도체 미세 갭 필용 화합물 및 이를 이용한 반도체 미세갭 필용 조성물
WO2008146847A1 (ja) * 2007-05-30 2008-12-04 Nissan Chemical Industries, Ltd. 薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成剤
JP4947300B2 (ja) * 2007-06-14 2012-06-06 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの形成方法
CN101498813B (zh) * 2007-09-25 2011-01-05 苏州晶方半导体科技股份有限公司 光波导
US8211619B2 (en) * 2007-11-13 2012-07-03 Adeka Corporation Positive photosensitive composition, positive permanent resist, and method for producing positive permanent resist
KR20110065519A (ko) * 2008-10-21 2011-06-15 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 실리카계 피막의 형성 방법, 및 실리카계 피막을 구비하는 장치 및 부재
KR20100066808A (ko) * 2008-12-10 2010-06-18 주식회사 동진쎄미켐 포지티브형 감광성 유-무기 하이브리드 절연막 조성물
JP5533232B2 (ja) * 2009-06-29 2014-06-25 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性組成物、硬化膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の形成方法、表示素子、及び層間絶縁膜形成用のシロキサンポリマー
JP5338532B2 (ja) * 2009-07-13 2013-11-13 Ｊｎｃ株式会社 ポジ型感光性組成物
CN102472964B (zh) * 2009-09-29 2013-08-07 东丽株式会社 正型感光性树脂组合物、使用其的固化膜及光学设备
JP5397152B2 (ja) * 2009-10-22 2014-01-22 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法
WO2011078106A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP5649720B2 (ja) * 2011-04-06 2015-01-07 パナソニック株式会社 薄膜半導体装置及びその製造方法
JP5698070B2 (ja) * 2011-05-11 2015-04-08 株式会社Adeka ポジ型感光性組成物及びその硬化物
KR101290260B1 (ko) * 2011-07-15 2013-07-26 주식회사 케이씨씨 알칼리 가용성 실리콘 수지, 이를 포함하는 실리콘 수지 조성물 및 그 제조방법
JP5792548B2 (ja) * 2011-07-28 2015-10-14 東京応化工業株式会社 ガラス加工方法
TWI459145B (zh) * 2013-04-26 2014-11-01 Chi Mei Corp 光硬化性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件
TWI540396B (zh) * 2014-02-18 2016-07-01 奇美實業股份有限公司 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件
JP6248861B2 (ja) * 2014-08-19 2017-12-20 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
KR102369410B1 (ko) 2014-11-28 2022-03-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR20160064758A (ko) 2014-11-28 2016-06-08 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR102375191B1 (ko) * 2015-01-05 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20170053442A (ko) 2015-11-06 2017-05-16 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
JP2017173741A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 感光性シロキサン組成物
CN107300830B (zh) * 2016-04-15 2021-03-30 常州强力电子新材料股份有限公司 一种新型光固化组合物及其应用
KR102310794B1 (ko) 2016-05-19 2021-10-12 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR102472280B1 (ko) 2016-08-19 2022-12-01 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR20190043303A (ko) * 2017-10-18 2019-04-26 동우 화인켐 주식회사 착색 감광성 수지 조성물의 전기적 특성을 측정하기 위한 평가 셀의 제조방법
CN110164872A (zh) * 2019-05-29 2019-08-23 昆山维信诺科技有限公司 显示面板、显示装置、绝缘功能层及制备方法
KR20210001705A (ko) * 2019-06-28 2021-01-06 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
JP7368342B2 (ja) * 2020-12-07 2023-10-24 信越化学工業株式会社 ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0359667A (ja) * 1989-07-28 1991-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US6270941B1 (en) * 1999-01-28 2001-08-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive silicone-containing photosensitive composition

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198520A (en) * 1985-12-27 1993-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Polysilanes, polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
DE3760030D1 (en) * 1986-02-07 1989-02-02 Nippon Telegraph & Telephone Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane
JP2646289B2 (ja) * 1990-06-01 1997-08-27 富士写真フイルム株式会社 レジスト組成物
JPH0798502A (ja) 1993-09-29 1995-04-11 Tosoh Corp ポジ型熱硬化感光材料
KR970011972A (ko) 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3852867B2 (ja) 1996-11-22 2006-12-06 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP2001281853A (ja) 2000-04-03 2001-10-10 Fujifilm Arch Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
EP1400849B1 (en) * 2001-05-07 2012-04-04 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive photosensitive resin compositions and semiconductor device
JP3832572B2 (ja) * 2001-10-09 2006-10-11 信越化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び基板保護用フィルム
JP4373082B2 (ja) * 2001-12-28 2009-11-25 富士通株式会社 アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法
EP1331518A3 (en) * 2002-01-24 2004-04-07 JSR Corporation Radiation sensitive composition for forming an insulating film, insulating film and display device
US6887643B2 (en) * 2002-08-05 2005-05-03 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin precursor composition
TWI360565B (en) * 2003-07-09 2012-03-21 Toray Industries Photosensitive resin precursor composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0359667A (ja) * 1989-07-28 1991-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US6270941B1 (en) * 1999-01-28 2001-08-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive silicone-containing photosensitive composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI832930B (zh) * 2018-11-29 2024-02-21 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 正型光敏樹脂組成物及由其製備之固化膜

Also Published As

Publication number Publication date
EP1662322B1 (en) 2017-01-11
KR20060059202A (ko) 2006-06-01
EP1662322A2 (en) 2006-05-31
CN1782878B (zh) 2011-08-10
EP1662322A3 (en) 2010-07-28
CN1782878A (zh) 2006-06-07
KR101242288B1 (ko) 2013-03-11
TW200627069A (en) 2006-08-01
US7374856B2 (en) 2008-05-20
SG122901A1 (en) 2006-06-29
US20060115766A1 (en) 2006-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI381247B (zh) 正型感光性矽氧烷組成物、由其形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件
JP4655914B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP4687315B2 (ja) 感光性樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP4586655B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP4784283B2 (ja) ポジ型感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP4670693B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
KR101739607B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그것으로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
JP4853228B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子、並びにパターン形成方法
JP4725160B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP2007193318A (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜および硬化膜を有する素子
JP6318634B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、硬化膜及び素子
TWI797164B (zh) 正型感光性矽氧烷組成物、使用其之硬化膜及硬化膜的製造方法
TWI443465B (zh) 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件
JP5659561B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP4910646B2 (ja) 感光性シロキサン組成物およびその製造方法、感光性シロキサン組成物から形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP2007226214A (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP2009169343A (ja) 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP5343649B2 (ja) 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP5169027B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP5233526B2 (ja) 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
KR20200085900A (ko) 폴리실록산, 이를 포함하는 조성물 및 이를 사용하는 경화 필름
TW202039640A (zh) 正型感光性聚矽氧烷組成物
JP6186766B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、およびその硬化膜を有する素子
JP4670665B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP2013174872A (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、およびその硬化膜を有する素子