JPH0359667A - 感光性組成物 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、平版印刷版、多色印刷の校正刷、オーバーヘ
ッドプロジェクタ−用図面、更には半導体素子の集積回
路を製造する際に微細なレジストパターンを形成するこ
とが可能なポジ型感光性組放物に関する。
ッドプロジェクタ−用図面、更には半導体素子の集積回
路を製造する際に微細なレジストパターンを形成するこ
とが可能なポジ型感光性組放物に関する。
[従来の技術]
0−ナフトキノンジアジド化合物とノボラック型フェノ
ール樹脂からなる感光性組成物は、非常に優れた感光性
組成物として平版印刷版の製造に用いられてきた。
ール樹脂からなる感光性組成物は、非常に優れた感光性
組成物として平版印刷版の製造に用いられてきた。
しかし主体として用いられるノボラック型フェノール樹
脂の性質上、基板に対する密着性が悪いこと、皮膜がも
ろいこと、塗布性が劣ること、耐摩耗性が劣り、平版印
刷版に用いた時の耐刷力が十分でないこと等の問題点が
ある。
脂の性質上、基板に対する密着性が悪いこと、皮膜がも
ろいこと、塗布性が劣ること、耐摩耗性が劣り、平版印
刷版に用いた時の耐刷力が十分でないこと等の問題点が
ある。
一方、半導体素子、磁気バブルメモリ、集積回路等の電
子部品を製造するためのパターン形成法としては、従来
より、紫外線又は可視光線に感光するフォトレジストを
利用する方法が幅広く実用に供されている。フォトレジ
ストには、光照射により被照射部が現像液に不溶化する
ネガ型と、反対に可溶化するポジ型とがあるが、ネガ型
はポジ型に比べて感度が良く、湿式エツチングに必要な
基板との接着性および耐薬品性にも優れていることから
、近年までフォトレジストの主流を占めていた。しかし
、半導体素子等の高密度化、高集積化に伴ない、パター
ンの線幅や間隔が極めて小さくなり、また、基板のエツ
チングにはドライエツチングが採用されるようになった
ことから、フォトレジストには高解像度および高ドライ
エツチング耐性が望まれるようになり、現在ではポジ型
フォトレジストが大部分を占めるようになった。特に、
ポジ型フォトレジストの中でも、感度、解像度、ドライ
エツチング耐性に優れることから、例えばジェー・シー
・ストリエータ著、コダック・マイクロエレクトロニク
ス・セミナー・プロシーデインゲス、第116頁(19
76年) (J、 C。
子部品を製造するためのパターン形成法としては、従来
より、紫外線又は可視光線に感光するフォトレジストを
利用する方法が幅広く実用に供されている。フォトレジ
ストには、光照射により被照射部が現像液に不溶化する
ネガ型と、反対に可溶化するポジ型とがあるが、ネガ型
はポジ型に比べて感度が良く、湿式エツチングに必要な
基板との接着性および耐薬品性にも優れていることから
、近年までフォトレジストの主流を占めていた。しかし
、半導体素子等の高密度化、高集積化に伴ない、パター
ンの線幅や間隔が極めて小さくなり、また、基板のエツ
チングにはドライエツチングが採用されるようになった
ことから、フォトレジストには高解像度および高ドライ
エツチング耐性が望まれるようになり、現在ではポジ型
フォトレジストが大部分を占めるようになった。特に、
ポジ型フォトレジストの中でも、感度、解像度、ドライ
エツチング耐性に優れることから、例えばジェー・シー
・ストリエータ著、コダック・マイクロエレクトロニク
ス・セミナー・プロシーデインゲス、第116頁(19
76年) (J、 C。
5trteter、Kodak Mtcroelec
tronics SeminarProceedin
gs 、 116 (1976) )等に挙げられる
、アルカリ可溶性のノボラック樹脂をベースにしたアル
カリ現像型のポジ型フォトレジストが現行プロセスの主
流となっている。
tronics SeminarProceedin
gs 、 116 (1976) )等に挙げられる
、アルカリ可溶性のノボラック樹脂をベースにしたアル
カリ現像型のポジ型フォトレジストが現行プロセスの主
流となっている。
しかしながら、近年電子機器の多機能化、高度化に伴な
い、更に高密度、ならびに高集積化を図るべくパターン
の微細化が強く要請されている。
い、更に高密度、ならびに高集積化を図るべくパターン
の微細化が強く要請されている。
即ち、集積回路の横方向の寸法の縮小に比べてその縦方
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウェハー上
でレジストパターンの寸法変化を押さえていくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってきた
。更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小に
伴ない問題が生じてきている0例えば、光による露光で
は、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精度
に大きな影響を与えるようになり、一方電子ビーム露光
においては、電子の後方散乱によって生ずる近接効果に
より、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大きく
することができなくなった。
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウェハー上
でレジストパターンの寸法変化を押さえていくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってきた
。更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小に
伴ない問題が生じてきている0例えば、光による露光で
は、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精度
に大きな影響を与えるようになり、一方電子ビーム露光
においては、電子の後方散乱によって生ずる近接効果に
より、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大きく
することができなくなった。
これらの多くの問題は多層レジストシステムを用いるこ
とにより解消されることが見出された。
とにより解消されることが見出された。
多層レジストシステムについては、ソリッドステート・
テクノロジー、74 (1981)[5olid 5t
ate Technology 、 74 (1981
) ]に概説が掲載されているが、この他にもこのシス
テムに関する多くの研究が発表されている。−船釣に多
層レジスト法には3層レジスト法と2層レジスト法があ
る。3層レジスト法は、段差基板上に有機平坦化膜を塗
布し、その上に、無機中間層、レジストと重ね、レジス
トをバターニングした後、これをマスクとして無機中間
層をドライエツチングし、さらに、無機中間層をマスク
として有機平坦化膜を0tRIE (リアクティブイオ
ンエツチング)によりパターニングする方法である。こ
の方法は、基本的には、従来からの技術が使用できるた
めに、早くから検討が開始されたが、工程が非常に複雑
である。あるいは有機膜、無機膜、有機膜と三層物性の
異なるものが重なるために中間層にクランクやピンホー
ルが発生しやすいといったことが問題点になっている。
テクノロジー、74 (1981)[5olid 5t
ate Technology 、 74 (1981
) ]に概説が掲載されているが、この他にもこのシス
テムに関する多くの研究が発表されている。−船釣に多
層レジスト法には3層レジスト法と2層レジスト法があ
る。3層レジスト法は、段差基板上に有機平坦化膜を塗
布し、その上に、無機中間層、レジストと重ね、レジス
トをバターニングした後、これをマスクとして無機中間
層をドライエツチングし、さらに、無機中間層をマスク
として有機平坦化膜を0tRIE (リアクティブイオ
ンエツチング)によりパターニングする方法である。こ
の方法は、基本的には、従来からの技術が使用できるた
めに、早くから検討が開始されたが、工程が非常に複雑
である。あるいは有機膜、無機膜、有機膜と三層物性の
異なるものが重なるために中間層にクランクやピンホー
ルが発生しやすいといったことが問題点になっている。
この3層レジスト法に対して、2層レジスト法では、3
層レジスト法でのレジストと無機中間層の両方の性質を
兼ね備えたレジスト、すなわち、酸素プラズマ耐性のあ
るレジストを用いるために、クランクやピンホールの発
生が抑えられ、また、3層法から2層になるので工程が
簡略化される。しかし、3層レジスト法では、上層レジ
ストに従来のレジストが使用できるのに対して、2層レ
ジスト法では、新たに酸素プラズマ耐性のあるレジスト
を開発しなければならないという課題があった。
層レジスト法でのレジストと無機中間層の両方の性質を
兼ね備えたレジスト、すなわち、酸素プラズマ耐性のあ
るレジストを用いるために、クランクやピンホールの発
生が抑えられ、また、3層法から2層になるので工程が
簡略化される。しかし、3層レジスト法では、上層レジ
ストに従来のレジストが使用できるのに対して、2層レ
ジスト法では、新たに酸素プラズマ耐性のあるレジスト
を開発しなければならないという課題があった。
以上の背景から、2層レジスト法等の上層レジストとし
て使用できる酸素プラズマ耐性に優れた、高感度、高解
像度のポジ型フォトレジスト、特に、現行プロセスを変
えることなく使用できるアルカリ現像方式のレジストの
開発が望まれていた。
て使用できる酸素プラズマ耐性に優れた、高感度、高解
像度のポジ型フォトレジスト、特に、現行プロセスを変
えることなく使用できるアルカリ現像方式のレジストの
開発が望まれていた。
これに対し、従来のオルトキノンジアジド感光物に、ア
ルカリ可溶性を付与したポリシロキサン又は、ポリシル
メチレン等のシリコンポリマーを組合せた感光性組成物
、例えば特開昭61−144639号、同61−256
347号、同62−159141号、同62−1918
49号、同62−220949号、同62−22913
6号、同63−90534号、同63−91654号、
並びに米国特許第4722881号記載の感光性組成物
、更には特開昭62−136638号記載のポリシロキ
サン/カーボネートのブロック共重合体に有効量のオニ
ウム塩を組合せた感光性U酸物が提示されている。
ルカリ可溶性を付与したポリシロキサン又は、ポリシル
メチレン等のシリコンポリマーを組合せた感光性組成物
、例えば特開昭61−144639号、同61−256
347号、同62−159141号、同62−1918
49号、同62−220949号、同62−22913
6号、同63−90534号、同63−91654号、
並びに米国特許第4722881号記載の感光性組成物
、更には特開昭62−136638号記載のポリシロキ
サン/カーボネートのブロック共重合体に有効量のオニ
ウム塩を組合せた感光性U酸物が提示されている。
しかしながら、これらのシリコンポリマーは何しモフェ
ノール性OH基又はシラノール基(3Si−OH)導入
により、アルカリ可溶性を付与するもので、フェノール
性OH基導入によりアリカリ可溶性を付与する場合は、
製造が著しく困難となり、またシラノール基によりアル
カリ可溶性を付与する場合は経時安定性が必ずしも良好
ではない、という問題点があった。
ノール性OH基又はシラノール基(3Si−OH)導入
により、アルカリ可溶性を付与するもので、フェノール
性OH基導入によりアリカリ可溶性を付与する場合は、
製造が著しく困難となり、またシラノール基によりアル
カリ可溶性を付与する場合は経時安定性が必ずしも良好
ではない、という問題点があった。
[発明が解決しようとする課題]
本発明の目的は、上記問題点が解決された新規なポジ型
感光性組成物を提供することである。即ち基板との密着
性、塗布性に優れた新規な平版印刷版用ポジ型感光性組
成物を提供することである。
感光性組成物を提供することである。即ち基板との密着
性、塗布性に優れた新規な平版印刷版用ポジ型感光性組
成物を提供することである。
本発明の別の目的は、酸素プラズマ耐性に優れた、アル
カリ現像方式によるポジ型感光性組成物を提供すること
である。
カリ現像方式によるポジ型感光性組成物を提供すること
である。
更に本発明の別の目的は製造が簡便で、容易に取得でき
る新規なポジ型感光性組成物を提供することである。
る新規なポジ型感光性組成物を提供することである。
[課題を解決するための手段]
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討を加えた結
果、以下に述べる新規ポジ型感光性組成物を用いること
で上記目的が達成されることを見い出した。即ち本発明
は(a)一般式(1)、(n)、(III)、(III
)で表される化合物(以下(A)という)と、一般式(
V)、(VI)(VII)、(■)または(VIII)
で表される化合物(以下(B)という)との環化熱付加
反応生成物から由来されるシロキサン単位を少なくとも
1モル%含有するポリシロキサン化合物と、 (b) キノンジアジド化合物 とを含有する感光性組成物を提供するものである。
果、以下に述べる新規ポジ型感光性組成物を用いること
で上記目的が達成されることを見い出した。即ち本発明
は(a)一般式(1)、(n)、(III)、(III
)で表される化合物(以下(A)という)と、一般式(
V)、(VI)(VII)、(■)または(VIII)
で表される化合物(以下(B)という)との環化熱付加
反応生成物から由来されるシロキサン単位を少なくとも
1モル%含有するポリシロキサン化合物と、 (b) キノンジアジド化合物 とを含有する感光性組成物を提供するものである。
1(′′
X+
Q−P’−CミC−R’ (VIII)(
式中R1,、R%は同一でも相異していても良く、水素
原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換
アリール基、シリル基、置換シリル基、シロキシ基また
は置換シロキシ基を示す。具体的には、アルキル基とし
ては直鎖、分枝または環状のものであり、好ましくは炭
素原子数が約1ないし約10のものである。さらに具体
的には、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、イソプロピ
ル基、イソブチル基、ter t−ブチル基、2−エチ
ルヘキシル基、シクロヘキシル基などが含まれる。
式中R1,、R%は同一でも相異していても良く、水素
原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換
アリール基、シリル基、置換シリル基、シロキシ基また
は置換シロキシ基を示す。具体的には、アルキル基とし
ては直鎖、分枝または環状のものであり、好ましくは炭
素原子数が約1ないし約10のものである。さらに具体
的には、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、イソプロピ
ル基、イソブチル基、ter t−ブチル基、2−エチ
ルヘキシル基、シクロヘキシル基などが含まれる。
また、置換アルキル基は、上記のようなアルキル基に例
えば塩素原子のようなハロゲン原子、例えばメトキシ基
のような炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えばフ
ェニル基のようなアリール基、例えばフェノキシ基のよ
うなアリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基などの置換
したものが含まれ、具体的にはモノクロロメチル基、ジ
クロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基
、2−クロロエチル基、2−ブロモエチル基、2−メト
キシエチル基、2−エトキシエチル基、フェニルメチル
基、ナフチルメチル基、フェノキシメチル基、2−ニト
ロエチル基、2−シアノエチル基などが挙げられる。ま
た、アリール基は単環あるいは2環のものが好ましく、
例えばフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基な
どが挙げられる。
えば塩素原子のようなハロゲン原子、例えばメトキシ基
のような炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えばフ
ェニル基のようなアリール基、例えばフェノキシ基のよ
うなアリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基などの置換
したものが含まれ、具体的にはモノクロロメチル基、ジ
クロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基
、2−クロロエチル基、2−ブロモエチル基、2−メト
キシエチル基、2−エトキシエチル基、フェニルメチル
基、ナフチルメチル基、フェノキシメチル基、2−ニト
ロエチル基、2−シアノエチル基などが挙げられる。ま
た、アリール基は単環あるいは2環のものが好ましく、
例えばフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基な
どが挙げられる。
置換アリール基は上記のようなアリ−Jし基に、例えば
メチル基、エチル基などの炭素原子数1〜6個のアルキ
ル基、例えばメトキシ基、エトキシ基などの炭素原子数
1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素原子などのハロゲ
ン原子、ニトロ基、フェニル基、カルボキシ基、ヒドロ
キシ基、アミド基、イミド基、シアノ基などが置換した
ものが含まれ、具体的には4−クロロフェニル基、2−
クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、4−ニトロ
フェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、4−フェニル
フェニル基、4−メチルフェニル基、2−メチルフェニ
ル基、4−エチルフェニル基、4−メトキシフェニル基
、2−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、
2−カルボキシフェニル基、4−シアノフェニル基、4
−メチル−1−ナフチル基、4−クロロ−1−ナフチル
基、5−ニトロ−1−ナフチル基、5−ヒドロキシ−1
−ナフチル基、6−クロロ−2−ナフチル基、4−ブロ
モ−2−ナフチル基、5−ヒドロキシ−2−ナフチル基
などがあげられる。シリル基、置換シリル基としては例
えばトリアルキルシリル基、トリアリールシリル基など
のようなアルキル、アリール置換シリル基であり、この
ようなアルキル、アリール基としては上記に示したもの
が挙げられる。
メチル基、エチル基などの炭素原子数1〜6個のアルキ
ル基、例えばメトキシ基、エトキシ基などの炭素原子数
1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素原子などのハロゲ
ン原子、ニトロ基、フェニル基、カルボキシ基、ヒドロ
キシ基、アミド基、イミド基、シアノ基などが置換した
ものが含まれ、具体的には4−クロロフェニル基、2−
クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、4−ニトロ
フェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、4−フェニル
フェニル基、4−メチルフェニル基、2−メチルフェニ
ル基、4−エチルフェニル基、4−メトキシフェニル基
、2−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、
2−カルボキシフェニル基、4−シアノフェニル基、4
−メチル−1−ナフチル基、4−クロロ−1−ナフチル
基、5−ニトロ−1−ナフチル基、5−ヒドロキシ−1
−ナフチル基、6−クロロ−2−ナフチル基、4−ブロ
モ−2−ナフチル基、5−ヒドロキシ−2−ナフチル基
などがあげられる。シリル基、置換シリル基としては例
えばトリアルキルシリル基、トリアリールシリル基など
のようなアルキル、アリール置換シリル基であり、この
ようなアルキル、アリール基としては上記に示したもの
が挙げられる。
また、シロキシ基もしくは置換シロキシ基である場合に
は、下記に示すように、これらの基が隣接する構造単位
のシロキシ基もしくは置換シロキシ基と結合した構造、
または、他の分子中のシロキシ基もしくは置換シロキシ
基と結合した構造などの二次元もしくは三次元的構造の
ものであってもよい。
は、下記に示すように、これらの基が隣接する構造単位
のシロキシ基もしくは置換シロキシ基と結合した構造、
または、他の分子中のシロキシ基もしくは置換シロキシ
基と結合した構造などの二次元もしくは三次元的構造の
ものであってもよい。
R6は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリー
ル基、置換子り−ル基、 アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリー
ル基の具体例はそれぞれR1,R5の具体例と同様なも
のがあげられる。
ル基、置換子り−ル基、 アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリー
ル基の具体例はそれぞれR1,R5の具体例と同様なも
のがあげられる。
R7−R9は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、
アリール基、置換アリール基、アルコキシ基、置換アル
コキシ基、シアノ基、ニトロ基、−O−−CO−−co
o−−oco−1CONR” NR”COSow
−または一5O1−を含んでいてもよい。このうちアル
キル基、置換アルキル基で好ましいのは、それぞれ炭素
数が1〜10のものであり、アリール基、置換アリール
基についてはそれぞれ炭素数が6〜14のもので、その
具体例としてはそれぞれR1−R5の具体例と同様のも
のが挙げられる。
アリール基、置換アリール基、アルコキシ基、置換アル
コキシ基、シアノ基、ニトロ基、−O−−CO−−co
o−−oco−1CONR” NR”COSow
−または一5O1−を含んでいてもよい。このうちアル
キル基、置換アルキル基で好ましいのは、それぞれ炭素
数が1〜10のものであり、アリール基、置換アリール
基についてはそれぞれ炭素数が6〜14のもので、その
具体例としてはそれぞれR1−R5の具体例と同様のも
のが挙げられる。
RIOは水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリ
ール基または置換アリール基を示し、好ましくは水素原
子、炭素数が1〜10のアルキル基、炭素数が1−10
の置換アルキル基、炭素数が6〜14のアリール基、炭
素数が6〜14の置換アリール基であり、アルキル基、
置換アルキル基、アリール基、置換アリール基の具体例
としてはそれぞれR’−R’の具体例と同様のものが挙
げられる。
ール基または置換アリール基を示し、好ましくは水素原
子、炭素数が1〜10のアルキル基、炭素数が1−10
の置換アルキル基、炭素数が6〜14のアリール基、炭
素数が6〜14の置換アリール基であり、アルキル基、
置換アルキル基、アリール基、置換アリール基の具体例
としてはそれぞれR’−R’の具体例と同様のものが挙
げられる。
R7とR1またはR7とp+は結合して環を形成してい
ても良い。
ても良い。
X l、、X 2はヒドロキシ基または加水分解可能な
基であり、好ましくは塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などの
ような炭素原子数1〜10個のアルコキシ基、フェノキ
シ基などのような炭素原子数6〜IO個のアリーロキシ
基、アセトキシ基などのような炭素原子数1〜10個の
アシルオキシ基、メチルアルドキシムなどのような炭素
原子数1〜6個のオキシム基、更には、アミド基、ウレ
イド基、アくノ基などが含まれる。
基であり、好ましくは塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などの
ような炭素原子数1〜10個のアルコキシ基、フェノキ
シ基などのような炭素原子数6〜IO個のアリーロキシ
基、アセトキシ基などのような炭素原子数1〜10個の
アシルオキシ基、メチルアルドキシムなどのような炭素
原子数1〜6個のオキシム基、更には、アミド基、ウレ
イド基、アくノ基などが含まれる。
P1〜P3は単結合、アルキレン基、置換アルキレン基
、アリーレン基または置換アリーレン基を示し、−〇−
1−CO−1−C○o−−oco−CONRIo
NR”Co 5Ch−または−303−を含んで
いてもよい。
、アリーレン基または置換アリーレン基を示し、−〇−
1−CO−1−C○o−−oco−CONRIo
NR”Co 5Ch−または−303−を含んで
いてもよい。
具体的には、アルキレン基としては、直鎖、分枝、環状
のもの、より好ましくは直鎖のものであり、好ましくは
炭素原子数が1〜10個のものであって、例えばメチレ
ン、エチレン、ブチレン、オクチレンなとの多基が含ま
れる。置換アルキレン基は、上記アルキレン基に、例え
ば塩素原子のようなハロゲン原子、炭素原子数1〜6個
のアルコキシ基、炭素原子数6〜10個のアリーロキシ
基などが置換されたものである。アリーレン基は、好ま
しくは単環および2環のものであって、例えばフェニレ
ン基、ナフチレン基などが含まれる。
のもの、より好ましくは直鎖のものであり、好ましくは
炭素原子数が1〜10個のものであって、例えばメチレ
ン、エチレン、ブチレン、オクチレンなとの多基が含ま
れる。置換アルキレン基は、上記アルキレン基に、例え
ば塩素原子のようなハロゲン原子、炭素原子数1〜6個
のアルコキシ基、炭素原子数6〜10個のアリーロキシ
基などが置換されたものである。アリーレン基は、好ま
しくは単環および2環のものであって、例えばフェニレ
ン基、ナフチレン基などが含まれる。
また置換アリーレン基は、上記のようなアリーレン基に
、例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数1〜6個
のアルキル基、例えばメトキシ基、エトキシ基などの炭
素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素原子など
のハロゲン原子などが置換したものが含まれる。具体的
にはクロロフェニレン基、ブロモフェニレン基、ニトロ
フェニレン基、フェニルフェニレン基、メチルフェニレ
ン基、エチルフェニレン基、メトキシフェニレン基、エ
トキシフェニレン基、シアノフェニレン基、メチルナフ
チレン基、クロロナフチレン基、ブロモナフチレン基、
ニトロナフチレン基などがあげられる。
、例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数1〜6個
のアルキル基、例えばメトキシ基、エトキシ基などの炭
素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素原子など
のハロゲン原子などが置換したものが含まれる。具体的
にはクロロフェニレン基、ブロモフェニレン基、ニトロ
フェニレン基、フェニルフェニレン基、メチルフェニレ
ン基、エチルフェニレン基、メトキシフェニレン基、エ
トキシフェニレン基、シアノフェニレン基、メチルナフ
チレン基、クロロナフチレン基、ブロモナフチレン基、
ニトロナフチレン基などがあげられる。
Yは3価の芳香環を示し、好ましくは炭素数が6〜14
の芳香環である。
の芳香環である。
QはpKaが12以下の酸基を示す。
具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール
性水酸基、イミド基、N−ヒドロキシイミド基、N−ス
ルホニルアミド基、スルホンアミドL N−スルホニル
ウレタン基、N−スルホニルウレイド基あるいは活性メ
チレン基等を有する基であり、より具体的には coztr OsH (mは1〜5の整数を示す) −SO□NHR” −C0NHCO−R”
−CON (OH) GO−R’° −5O2NH
CONHR10,5O3NHCOOR” NH
SOtNHCOR10−C0C)I zco −R’。
性水酸基、イミド基、N−ヒドロキシイミド基、N−ス
ルホニルアミド基、スルホンアミドL N−スルホニル
ウレタン基、N−スルホニルウレイド基あるいは活性メ
チレン基等を有する基であり、より具体的には coztr OsH (mは1〜5の整数を示す) −SO□NHR” −C0NHCO−R”
−CON (OH) GO−R’° −5O2NH
CONHR10,5O3NHCOOR” NH
SOtNHCOR10−C0C)I zco −R’。
がその例として挙げられる。
7
)
−CO−N−CO−−Y”” −(PI−Q)nl
Q を示す。Y n * 2は(n+2)価の芳香環で好ま
しくは炭素数が6〜1 4個の芳香環を示す。
Q を示す。Y n * 2は(n+2)価の芳香環で好ま
しくは炭素数が6〜1 4個の芳香環を示す。
nは1
〜3の整数を示す。
以下Zの具体例を示す。
−CONHCO−
−CON (OH) GO−
以下に本発明の感光性組成物の成分について詳細に説明
する。
する。
(ポリシロキサンヒム
本発明のポリシロキサン化合物は(A)とCB)の熱付
加反応、即ちDiels−Alder反応で得られる環
状生成物(IX)〜(XXIV)から由来されるシロキ
サン単位を少なくとも1モル%、好ましくは3モル%以
上さらに好ましくは5モル%以上有するポリシロキサン
である。
加反応、即ちDiels−Alder反応で得られる環
状生成物(IX)〜(XXIV)から由来されるシロキ
サン単位を少なくとも1モル%、好ましくは3モル%以
上さらに好ましくは5モル%以上有するポリシロキサン
である。
(IX)
(XI)
(X)
(XIr)
(XI[I)
(XV)
(XIV)
(XVI)
(X■)
(XIX)
(X■)
(XX)
<XXX>
(XXII)
(XXI[I) (XXIV)本
発明のポリシロキサン化合物の製造法としては、単独ま
たは複数の(A)を加水分解、またはアルコキシ化した
後、縮合し、得られたポリシロキサンに単独または複数
の〔B〕を熱付加させる方法と、単独または複数の〔A
〕と単独または複数の〔B〕を熱付加して(IX)〜(
XXI’V)を台底した後、加水分解、またはアルコキ
シ化の後、縮合する方法があり、いずれの方法も簡便で
ある。
発明のポリシロキサン化合物の製造法としては、単独ま
たは複数の(A)を加水分解、またはアルコキシ化した
後、縮合し、得られたポリシロキサンに単独または複数
の〔B〕を熱付加させる方法と、単独または複数の〔A
〕と単独または複数の〔B〕を熱付加して(IX)〜(
XXI’V)を台底した後、加水分解、またはアルコキ
シ化の後、縮合する方法があり、いずれの方法も簡便で
ある。
また、製造時に金属触媒を添加する必要がない。
本発明のポリシロキサンは(IX)〜(XXIV)に下
記(XXV)〜(XXIX)の単独または複数を共存さ
せ、縮合させることにより性能の改善をはかることがで
きる。
記(XXV)〜(XXIX)の単独または複数を共存さ
せ、縮合させることにより性能の改善をはかることがで
きる。
この場合は〔A〕とCB〕の環化熱付加反応生成物から
由来されるシロキサン単位が共縮合後のポリシロキサン
中に少なくとも1モル%含まれていなければならないが
、アルカリ可溶性の観点から3モル%以上が好ましく、
さらに好ましくは5モル%以上である。
由来されるシロキサン単位が共縮合後のポリシロキサン
中に少なくとも1モル%含まれていなければならないが
、アルカリ可溶性の観点から3モル%以上が好ましく、
さらに好ましくは5モル%以上である。
4
R” −3i−X’
×6
(XXV)
4
11
一5t−X’
l2
(XXVI)
R11〜R14は水素原子、アルキル基、置換アルキル
基、アリール基、置換アリール基を示し具体的にはR”
と同様な例が挙げられる。
基、アリール基、置換アリール基を示し具体的にはR”
と同様な例が挙げられる。
X4〜X7はヒドロキシル基あるいは、加水分解可能な
基を示し、具体的にはX1〜X3と同様な例が挙げられ
る。
基を示し、具体的にはX1〜X3と同様な例が挙げられ
る。
R4は単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、アリ
ーレン基、置換アリーレン基であり、−〇−1−co−
−coo−−oco−−CONRIo−1−NRI’C
0−5−3O□−1−SO,−を含んでいてもよい。具
体的にはpl〜P3と同様な例があげられる。
ーレン基、置換アリーレン基であり、−〇−1−co−
−coo−−oco−−CONRIo−1−NRI’C
0−5−3O□−1−SO,−を含んでいてもよい。具
体的にはpl〜P3と同様な例があげられる。
そのほか本発明のポリシロキサン化合物は(A)とCB
)の熱付加の際に下記(XXX)あるいは(XXXI)
の化合物の単独または複数を共存させる事によっても性
能改善を図ることができる。
)の熱付加の際に下記(XXX)あるいは(XXXI)
の化合物の単独または複数を共存させる事によっても性
能改善を図ることができる。
DI−C5C−D” (XXXI)DI、D2は同
一であっても異なっていてもよく、結合して環を形成し
ていてもよいが、いずれもpKaが12以下の酸性基を
有しない基で、好ましくは水素原子、アルキル基、置換
アルキル基、アリール基、置換アリール基、アルコキシ
基、置換アルコキシ基、シリル基、置換シリル基、シロ
キシ基、置換シロキシ基、シアノ基、ニトロ基であり、
さらに好ましくは水素原子、炭素数が1〜10のアルキ
ル基、炭素数が1〜10の置換アルキル基、炭素数が6
〜14のアリール基、炭素数が6〜14の置換アリール
基である。なお、これらは−〇−1−CO−−CO0−
−〇C0−−CONR”−1−NR”CO−−3o、−
または一5O1−を含んでいてもよい。
一であっても異なっていてもよく、結合して環を形成し
ていてもよいが、いずれもpKaが12以下の酸性基を
有しない基で、好ましくは水素原子、アルキル基、置換
アルキル基、アリール基、置換アリール基、アルコキシ
基、置換アルコキシ基、シリル基、置換シリル基、シロ
キシ基、置換シロキシ基、シアノ基、ニトロ基であり、
さらに好ましくは水素原子、炭素数が1〜10のアルキ
ル基、炭素数が1〜10の置換アルキル基、炭素数が6
〜14のアリール基、炭素数が6〜14の置換アリール
基である。なお、これらは−〇−1−CO−−CO0−
−〇C0−−CONR”−1−NR”CO−−3o、−
または一5O1−を含んでいてもよい。
この場合も(A)とCB)の熱付加反応生成物に由来す
るシロキサン単位がポリシロキサン化合物中に少なくと
も1モル%以上含まれており好ましくは3モル%以上さ
らに好ましくは5モル%以上である。
るシロキサン単位がポリシロキサン化合物中に少なくと
も1モル%以上含まれており好ましくは3モル%以上さ
らに好ましくは5モル%以上である。
本発明のポリシロキサン化合物の分子量は好ましくは重
量平均で500以上、さらに好ましくは1.000〜5
00,000である。
量平均で500以上、さらに好ましくは1.000〜5
00,000である。
本発明のポリシロキサン化合物を台底する際に溶媒を用
いても良い。溶媒としては例えばシクロヘキサノン、メ
チルエチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール
、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレング
リコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセ
テート、1−メトキシ−2−プロパツール、1−メトキ
シ−2−プロピルアセテ−)、N、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チル、γ−ブチロラクトン、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン等が挙げられる。これらの溶媒は単独あるいは2
種以上混合して用いられる。
いても良い。溶媒としては例えばシクロヘキサノン、メ
チルエチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール
、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレング
リコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセ
テート、1−メトキシ−2−プロパツール、1−メトキ
シ−2−プロピルアセテ−)、N、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チル、γ−ブチロラクトン、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン等が挙げられる。これらの溶媒は単独あるいは2
種以上混合して用いられる。
本発明のポリシロキサン化合物は単独で用いても混合し
て用いても良い。感光性組成物中に含まれるこれらのポ
リシロキサン化合物の含有量は約5〜95重量%であり
、好ましくは約20〜80重量%である。
て用いても良い。感光性組成物中に含まれるこれらのポ
リシロキサン化合物の含有量は約5〜95重量%であり
、好ましくは約20〜80重量%である。
以下本発明のポリシロキサン化合物の代表的な例を示す
。
。
)υ3tl
(キノンジアジド化合物)
本発明に用いられるキノンジアジド化合物は一般にスル
ホニルクロライド等のハロゲノスルホニル基を4位又は
5位に有する1、2−ナフトキノン−2−ジアジド化合
物と、モノ又はポリヒドロキシフェニル化合物との化学
的な縮合で得られるスルホニル酸エステル化合物として
表わすことができる。このようなモノ又はポリヒドロキ
シフェニル化合物として代表的なものはヒドロキシ基を
有するベンゾフェノン化合物であり、−例を挙げると、
4−ヒドロキシベンゾフェノン、2.4−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン、2.2”−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、4.4′−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3.
4−)ジヒドロキシベンゾフェノン、2.4.6−トリ
ヒドロキシベンゾフエノン、2,4.4’−)ジヒドロ
キシベンゾフェノン、2,3,4.4’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2.2”、4.4”−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、2,3,4.2’テトラヒドロ
キシベンゾフエノン、3.3’、4゜4′−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンの他、特開昭62−150245
号公報に示されているようなヒドロキシ基を5個以上有
するベンゾフェノン、並びにその誘導体が含まれる。更
にp−クレゾール、p−t−7”チルフェノール、レゾ
ルシン、ピロガロールや2,3.4−)リヒドロキシア
セトフェノン、2,3.4−)ジヒドロキシフェニルペ
ンチルケトン、2,3.4−)ジヒドロキシフェニルへ
キシルケトン等のポリヒドロキシフェニルアルキルケト
ン類、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、
ビス(2,3,4−)IJヒドロキシフェニル)メタン
、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン−1
、ビス(2゜3.4−)ジヒドロキシフェニル)プロパ
ン−1、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス((ポ
リ)ヒドロキシフェニル)アルカン類、3,4.5−ト
リヒドロキシ安息香酸プロピル、2,3.4−トリヒド
ロキシ安息香酸フェニル、3,4.5−トリヒドロキシ
安息香酸フェニル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル
類、ビス(2,3,4−)リヒドロキシベンゾイル)メ
タン、ビス(3−アセチル−4,5,6−トリヒドロキ
シフエニル)−メタン、ビス(2,3,4−)リヒドロ
キシベンゾイル)ベンゼン、−ビス(2,4,6−ト1
)ヒドロキシベンゾイル)ベンゼン等のビス(ポリヒド
ロキシベンゾイル)アルカン又はビス(ポリヒドロキシ
ベンゾイル)アリール類、エチレングリコールージ(3
,5−ジヒドロキシベンゾエート)、エチレングリコー
ルージ(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)等
のアルキレンージ(ポリヒドロキシベンゾエート)類、
2.3.4−ビフェニルトリオール、3,4.5−ビフ
ェニルトリオール、3,5.3”、5”−ビフェニルテ
トロール、2,4.2’、4”−ビフェニルテトロール
、2,4,6.3’、5”−ビフェニルベントール、2
,4,6.2”、4’、6”−ビフェニルヘキソール、
2.3,4.2’ 3’4′−ビフェニルヘキソール
等のポリヒドロキシビフェニル類、4.4′−チオビス
(1,3’ジヒドロキシ)ベンゼン等のビス(ポリヒド
ロキシ)スルフィド類、2.2′、4.4′−テトラヒ
ドロキシジフェニルエーテル等のビス(ポリヒドロキシ
フェニル)エーテル類、2.2’、4゜4′−テトラヒ
ドロキシジフェニルスルフオキシド等のビス(ポリヒド
ロキシフェニル)スルフオキシド類、2.2”、4.4
”−ジフェニルスルフォン等のビス(ポリヒドロキシフ
ェニル)スルフォン類、4.4’、3“、4“−テトラ
ヒドロキシ−3,5,3”、5”−テトラメチルトリフ
ェニルメタン、4. 4”、2”、3’、4’ペンタ
ヒドロキシ−3,5,3’、5”−テトラメチルトリフ
ェニルメタン、2,3,4.2’3′ 4′−へキサヒ
ドロキシ−5,5′−ジアセチルトリフェニルメタン、
2,3,4.2’3’ 4’ 3’ 4’−オク
タヒドロキシ−5゜5′−ジアセチルトリフェニルメタ
ン、2,4゜6.2”、4′、6”−へキサヒドロキシ
−5゜5′−ジブロビオニルトリフェニルメタン等のポ
リヒドロキシトリフェニルメタン類、3,3゜3′ 3
′−テトラメチル−1,1′−スピロビーインダン−5
,6,5’、6’−テトロール、3.3.3’、3”−
テトラメチル−1,1′スピロビーインダン−5,6,
7,5’、6 ′7′−へキソオール、3.3.3’、
3゛−テトラメチル−1,1゛−スピロビーインダン−
4゜5.6.4′、5”、6”−へキソオール、3゜3
.3’、3″−テトラメチル−1,1′−スピロビーイ
ンダン−4,5,6,5’、6”、7′−へキソオール
等のポリヒドロキシスピロビーインダンi、3.3−ビ
ス(3,4−ジヒドロキシフェニル)フタリド、3.3
−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)フタリ
ド、3′4’ 5’ 6”−テトラヒドロキシスピ
ロ〔フタリド−3,9′−キサンチン〕等のポリヒドロ
キシフタリド類、あるいはモリン、ケルセチン、ルチン
等のフラボノ色素類等を用いることができる。また更に
、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂または、0−1m
−1又はp−クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂なども
本発明に使用できる。
ホニルクロライド等のハロゲノスルホニル基を4位又は
5位に有する1、2−ナフトキノン−2−ジアジド化合
物と、モノ又はポリヒドロキシフェニル化合物との化学
的な縮合で得られるスルホニル酸エステル化合物として
表わすことができる。このようなモノ又はポリヒドロキ
シフェニル化合物として代表的なものはヒドロキシ基を
有するベンゾフェノン化合物であり、−例を挙げると、
4−ヒドロキシベンゾフェノン、2.4−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン、2.2”−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、4.4′−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3.
4−)ジヒドロキシベンゾフェノン、2.4.6−トリ
ヒドロキシベンゾフエノン、2,4.4’−)ジヒドロ
キシベンゾフェノン、2,3,4.4’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2.2”、4.4”−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、2,3,4.2’テトラヒドロ
キシベンゾフエノン、3.3’、4゜4′−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンの他、特開昭62−150245
号公報に示されているようなヒドロキシ基を5個以上有
するベンゾフェノン、並びにその誘導体が含まれる。更
にp−クレゾール、p−t−7”チルフェノール、レゾ
ルシン、ピロガロールや2,3.4−)リヒドロキシア
セトフェノン、2,3.4−)ジヒドロキシフェニルペ
ンチルケトン、2,3.4−)ジヒドロキシフェニルへ
キシルケトン等のポリヒドロキシフェニルアルキルケト
ン類、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、
ビス(2,3,4−)IJヒドロキシフェニル)メタン
、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン−1
、ビス(2゜3.4−)ジヒドロキシフェニル)プロパ
ン−1、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス((ポ
リ)ヒドロキシフェニル)アルカン類、3,4.5−ト
リヒドロキシ安息香酸プロピル、2,3.4−トリヒド
ロキシ安息香酸フェニル、3,4.5−トリヒドロキシ
安息香酸フェニル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル
類、ビス(2,3,4−)リヒドロキシベンゾイル)メ
タン、ビス(3−アセチル−4,5,6−トリヒドロキ
シフエニル)−メタン、ビス(2,3,4−)リヒドロ
キシベンゾイル)ベンゼン、−ビス(2,4,6−ト1
)ヒドロキシベンゾイル)ベンゼン等のビス(ポリヒド
ロキシベンゾイル)アルカン又はビス(ポリヒドロキシ
ベンゾイル)アリール類、エチレングリコールージ(3
,5−ジヒドロキシベンゾエート)、エチレングリコー
ルージ(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)等
のアルキレンージ(ポリヒドロキシベンゾエート)類、
2.3.4−ビフェニルトリオール、3,4.5−ビフ
ェニルトリオール、3,5.3”、5”−ビフェニルテ
トロール、2,4.2’、4”−ビフェニルテトロール
、2,4,6.3’、5”−ビフェニルベントール、2
,4,6.2”、4’、6”−ビフェニルヘキソール、
2.3,4.2’ 3’4′−ビフェニルヘキソール
等のポリヒドロキシビフェニル類、4.4′−チオビス
(1,3’ジヒドロキシ)ベンゼン等のビス(ポリヒド
ロキシ)スルフィド類、2.2′、4.4′−テトラヒ
ドロキシジフェニルエーテル等のビス(ポリヒドロキシ
フェニル)エーテル類、2.2’、4゜4′−テトラヒ
ドロキシジフェニルスルフオキシド等のビス(ポリヒド
ロキシフェニル)スルフオキシド類、2.2”、4.4
”−ジフェニルスルフォン等のビス(ポリヒドロキシフ
ェニル)スルフォン類、4.4’、3“、4“−テトラ
ヒドロキシ−3,5,3”、5”−テトラメチルトリフ
ェニルメタン、4. 4”、2”、3’、4’ペンタ
ヒドロキシ−3,5,3’、5”−テトラメチルトリフ
ェニルメタン、2,3,4.2’3′ 4′−へキサヒ
ドロキシ−5,5′−ジアセチルトリフェニルメタン、
2,3,4.2’3’ 4’ 3’ 4’−オク
タヒドロキシ−5゜5′−ジアセチルトリフェニルメタ
ン、2,4゜6.2”、4′、6”−へキサヒドロキシ
−5゜5′−ジブロビオニルトリフェニルメタン等のポ
リヒドロキシトリフェニルメタン類、3,3゜3′ 3
′−テトラメチル−1,1′−スピロビーインダン−5
,6,5’、6’−テトロール、3.3.3’、3”−
テトラメチル−1,1′スピロビーインダン−5,6,
7,5’、6 ′7′−へキソオール、3.3.3’、
3゛−テトラメチル−1,1゛−スピロビーインダン−
4゜5.6.4′、5”、6”−へキソオール、3゜3
.3’、3″−テトラメチル−1,1′−スピロビーイ
ンダン−4,5,6,5’、6”、7′−へキソオール
等のポリヒドロキシスピロビーインダンi、3.3−ビ
ス(3,4−ジヒドロキシフェニル)フタリド、3.3
−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)フタリ
ド、3′4’ 5’ 6”−テトラヒドロキシスピ
ロ〔フタリド−3,9′−キサンチン〕等のポリヒドロ
キシフタリド類、あるいはモリン、ケルセチン、ルチン
等のフラボノ色素類等を用いることができる。また更に
、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂または、0−1m
−1又はp−クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂なども
本発明に使用できる。
また同じく特開昭56−1045号公報、特開昭56−
1044号公報、特公昭43−28403号公報および
特公昭49−24361号公報等に開示された多価フェ
ノール類とアルデヒド・ケトン類との縮合物、特開昭5
9−84238号公報、特開昭59−84239号公報
に開示されたカテコール、レゾルシン、又はハイドロキ
ノンと置換フェノール類とのアルデヒド・ケトン類によ
る共縮合物、特開昭60−31138号公報記載の置換
フェノールとベンズアルデヒドとの縮合物のほか、フェ
ノールと0−5m−1又はP−クレゾール等の置換フェ
ノールとのアルデヒド・ケトン類による共縮合物、p−
ヒドロキシスチレンポリマー等も使用できる。
1044号公報、特公昭43−28403号公報および
特公昭49−24361号公報等に開示された多価フェ
ノール類とアルデヒド・ケトン類との縮合物、特開昭5
9−84238号公報、特開昭59−84239号公報
に開示されたカテコール、レゾルシン、又はハイドロキ
ノンと置換フェノール類とのアルデヒド・ケトン類によ
る共縮合物、特開昭60−31138号公報記載の置換
フェノールとベンズアルデヒドとの縮合物のほか、フェ
ノールと0−5m−1又はP−クレゾール等の置換フェ
ノールとのアルデヒド・ケトン類による共縮合物、p−
ヒドロキシスチレンポリマー等も使用できる。
本発明に使用される1、2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−4−及び/又は5−スルホン酸エステル化合物は、
上記モノ又はポリヒドロキシフェニル化合物の1種又は
2種以上と、1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−4
−及び/又は5−スルホニルハライドを反応媒質中、塩
基性触媒存在下で反応させることにより合成される。1
,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−及び/又は5
−スルホニルハライドの使用量は、ポリヒドロキシフェ
ニル化合物の水酸基の数によって適宜調整され、特に限
定されるものではないが、通常、水酸基1当量に対して
011〜1モルである。
ド−4−及び/又は5−スルホン酸エステル化合物は、
上記モノ又はポリヒドロキシフェニル化合物の1種又は
2種以上と、1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−4
−及び/又は5−スルホニルハライドを反応媒質中、塩
基性触媒存在下で反応させることにより合成される。1
,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−及び/又は5
−スルホニルハライドの使用量は、ポリヒドロキシフェ
ニル化合物の水酸基の数によって適宜調整され、特に限
定されるものではないが、通常、水酸基1当量に対して
011〜1モルである。
塩基性触媒としては、例えばトリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド等のアミン類、または水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等の無
機アルカリ類が用いられる。
チルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド等のアミン類、または水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等の無
機アルカリ類が用いられる。
これらの塩基性触媒の使用量は、1.2−ナフトキノン
−2−ジアジド類1モル当たり、通常、0.8〜2.0
モル、好ましくは1.0〜1.5モルである。
−2−ジアジド類1モル当たり、通常、0.8〜2.0
モル、好ましくは1.0〜1.5モルである。
前記反応において、通常、反応媒質として、例えばアセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状
エーテル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の
環状ケトンl、N。
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状
エーテル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の
環状ケトンl、N。
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトア
ミド等のアミド類、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン
、炭酸プロピレン等のエステル類、ピロリドン、N−メ
チルピロリドンまたは水が用いられる。これらの反応媒
質の使用量は、ヒドロキシフェニル化合物100重量部
に対して、通常、100〜1ooo重量部である。また
、この反応の反応温度は、通常、−30〜60″C1好
ましくは0°C〜40°Cである。
ミド等のアミド類、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン
、炭酸プロピレン等のエステル類、ピロリドン、N−メ
チルピロリドンまたは水が用いられる。これらの反応媒
質の使用量は、ヒドロキシフェニル化合物100重量部
に対して、通常、100〜1ooo重量部である。また
、この反応の反応温度は、通常、−30〜60″C1好
ましくは0°C〜40°Cである。
これらの1.2−ナフトキノン−2−ジアジド化合物の
添加量は全組成物の固形分に対し5〜70wt%、好ま
しくは10〜50wt%である。
添加量は全組成物の固形分に対し5〜70wt%、好ま
しくは10〜50wt%である。
(アルカリ可溶性ポリマー)
本発明のポジ型感光性組底物には、上記ポリシロキサン
化合物及びキノンジアジド化合物に、更にアルカリ可溶
性ポリマーを添加してもよい。
化合物及びキノンジアジド化合物に、更にアルカリ可溶
性ポリマーを添加してもよい。
このようなアルカリ可溶性ポリマーは、好ましくはフェ
ノール性水酸基、カルボン酸基、スルホン酸基、イミド
基、スルホンアミド基、N−スルホニルアミド基、N−
スルホニルウレタン基、活性メチレン基等のpKa11
以下の酸性水素原子を有するポリマーである。好適なア
ルカリ可溶性ポリマーとしては、ノボラック型フェノー
ル樹脂、具体的にはフェノールホルムアルデヒド樹脂、
0−クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、m−クレゾー
ル−ホルムアルデヒド樹脂、p−クレゾールホルムアル
デヒド樹脂、キシレノール−ホルムアルデヒド樹脂、ま
たこれらの共縮合物などがある。
ノール性水酸基、カルボン酸基、スルホン酸基、イミド
基、スルホンアミド基、N−スルホニルアミド基、N−
スルホニルウレタン基、活性メチレン基等のpKa11
以下の酸性水素原子を有するポリマーである。好適なア
ルカリ可溶性ポリマーとしては、ノボラック型フェノー
ル樹脂、具体的にはフェノールホルムアルデヒド樹脂、
0−クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、m−クレゾー
ル−ホルムアルデヒド樹脂、p−クレゾールホルムアル
デヒド樹脂、キシレノール−ホルムアルデヒド樹脂、ま
たこれらの共縮合物などがある。
更に特開昭50−125806号公報に記載されている
様に上記のようなフェノール樹脂と共に、t−ブチルフ
ェノールホルムアルデヒド樹脂のような炭素数3〜8の
アルキル基で置換されたフェノールまたはクレゾールと
ホルムアルデヒドとの縮合物とを併用してもよい。また
N−(4−ヒドロキシフェニル)メタクリルアミドのよ
うなフェノール性ヒドロキシ基含有モノマーを共重合成
分とするポリマー p−ヒドロキシスチレン、O−ヒド
ロキシスチレン、m−イソプロペニルフェノール、p−
イソプロペニルフェノール等の単独又は共重合のポリマ
ー、更にまたこれらのポリマーを部分エーテル化、部分
エステル化したポリマーも使用できる。
様に上記のようなフェノール樹脂と共に、t−ブチルフ
ェノールホルムアルデヒド樹脂のような炭素数3〜8の
アルキル基で置換されたフェノールまたはクレゾールと
ホルムアルデヒドとの縮合物とを併用してもよい。また
N−(4−ヒドロキシフェニル)メタクリルアミドのよ
うなフェノール性ヒドロキシ基含有モノマーを共重合成
分とするポリマー p−ヒドロキシスチレン、O−ヒド
ロキシスチレン、m−イソプロペニルフェノール、p−
イソプロペニルフェノール等の単独又は共重合のポリマ
ー、更にまたこれらのポリマーを部分エーテル化、部分
エステル化したポリマーも使用できる。
更に、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含
有モノマーを共重合成分とするポリマー特開昭61−2
67042号公報記載のカルボキシル基含有ポリビニル
アセタール樹脂、時開[63−124047号公報記載
のカルボキシル基含有ポリウレタン樹脂も好適に使用さ
れる。
有モノマーを共重合成分とするポリマー特開昭61−2
67042号公報記載のカルボキシル基含有ポリビニル
アセタール樹脂、時開[63−124047号公報記載
のカルボキシル基含有ポリウレタン樹脂も好適に使用さ
れる。
更にまた、N−(4−スルファモイルフェニル)メタク
リルアミド、N−フェニルスルホニルメタクリルアミド
、マレイミドを共重合成分とするポリマー、特開昭63
−127237号公報記載の活性メチレン基含有ポリマ
ーも使用できる。
リルアミド、N−フェニルスルホニルメタクリルアミド
、マレイミドを共重合成分とするポリマー、特開昭63
−127237号公報記載の活性メチレン基含有ポリマ
ーも使用できる。
これらのアルカリ可溶性ポリマーは単独で使用できるが
、数種の混合物として使用してもよい。
、数種の混合物として使用してもよい。
感光性組成物中の好ましい添加量は、感光性組成物全固
形分に対し、1〜90−t%、更に好ましくは5〜80
−t%の範囲である。
形分に対し、1〜90−t%、更に好ましくは5〜80
−t%の範囲である。
(その他の好ましい成分)
本発明の組成物中には、感度を高めるために環状酸無水
物、露光後直ちに可視像を得るための焼出し剤、画像着
色剤としての染料やその他のフィラーなどを加えること
ができる。環状酸無水物としては米国特許第4,115
.128号明細書に記載されているような無水フタル酸
、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル
酸、3,6−ニンドオキシーΔ4−テトラヒ6ドロ無水
フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、無水マレイン酸
、クロル無水マレイン酸、α−フェニル無水マレイン酸
、無水コハク酸、ピロメリット酸等がある。これらの環
状酸無水物を全組成物の固形分に対して1から15重量
%含有させることによって感度を最大3倍程度に高める
ことができる。露光後直ちに可視像を得るための焼出し
剤としては露光によって酸を放出する感光性化合物と塩
を形威し得る有機染料の組合せを代表として挙げること
ができる。具体的には特開昭50−36209号公報、
特開昭53−8128号公報に記載されている0−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸ハライドと塩形成性
有機染料の組合せや特開昭53−36223号、同54
−74728号、同60−3626号、同61−143
748号、同61−151644号、同63−5844
0号公報に記載されているトリハロメチル化合物と塩形
成性有機染料の組合せを挙げることができる。画像の1
着色剤として前記の塩形成性有機染料以外に他の染料も
用いることができる。塩形成性有機染料を含めて好適な
染料として油溶性染料および塩基染料をあげることがで
きる。具体的には、オイルイエロー#101、オイルイ
エロー#130.オイルピンク#312゜オイルグリー
ンBG、オイルブルーBO3,オイルブルー#603、
オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラ
ックT−505(以上、オリエント化学工業株式会社製
)、ビクトリアピュアブルー、クリスタルバイオレット
(CI42555)、メチルバイオレット(CI425
35)、ローダミンB (C1145170B)、マラ
カイトグリーン(CI42000)メチレンブルー(C
I52015)などをあげることができる。また、特開
昭62−293247号公報に記載されている染料は特
に好ましい。
物、露光後直ちに可視像を得るための焼出し剤、画像着
色剤としての染料やその他のフィラーなどを加えること
ができる。環状酸無水物としては米国特許第4,115
.128号明細書に記載されているような無水フタル酸
、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル
酸、3,6−ニンドオキシーΔ4−テトラヒ6ドロ無水
フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、無水マレイン酸
、クロル無水マレイン酸、α−フェニル無水マレイン酸
、無水コハク酸、ピロメリット酸等がある。これらの環
状酸無水物を全組成物の固形分に対して1から15重量
%含有させることによって感度を最大3倍程度に高める
ことができる。露光後直ちに可視像を得るための焼出し
剤としては露光によって酸を放出する感光性化合物と塩
を形威し得る有機染料の組合せを代表として挙げること
ができる。具体的には特開昭50−36209号公報、
特開昭53−8128号公報に記載されている0−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸ハライドと塩形成性
有機染料の組合せや特開昭53−36223号、同54
−74728号、同60−3626号、同61−143
748号、同61−151644号、同63−5844
0号公報に記載されているトリハロメチル化合物と塩形
成性有機染料の組合せを挙げることができる。画像の1
着色剤として前記の塩形成性有機染料以外に他の染料も
用いることができる。塩形成性有機染料を含めて好適な
染料として油溶性染料および塩基染料をあげることがで
きる。具体的には、オイルイエロー#101、オイルイ
エロー#130.オイルピンク#312゜オイルグリー
ンBG、オイルブルーBO3,オイルブルー#603、
オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラ
ックT−505(以上、オリエント化学工業株式会社製
)、ビクトリアピュアブルー、クリスタルバイオレット
(CI42555)、メチルバイオレット(CI425
35)、ローダミンB (C1145170B)、マラ
カイトグリーン(CI42000)メチレンブルー(C
I52015)などをあげることができる。また、特開
昭62−293247号公報に記載されている染料は特
に好ましい。
ユ’a W)
本発明のポジ型感光性組成物を、平版印刷版用の材料と
して使用する場合は上記各成分を溶解する溶媒に溶かし
て支持体上に塗布する。また半導体等のレジスト材料用
としては、溶媒に熔解したままで使用する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
、メタノール、エタノール、プロパツール、エチレング
リコールモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−プロ
パツール、エチレングリコールモノエチルエーテル、2
−メトキシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロ
ピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸
エチル、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメ
チルホルムアミド、テトラメチルウレア、N−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、T−ブ
チロラクトン、トルエン、酢酸エチル、エチルセロソル
ブアセテートなどがあり、これらの溶媒を単独あるいは
混合して使用する。そして上記成分中の濃度(添加物を
含む全固形分)は、2〜50重量%である。また、塗布
して使用する場合塗布量は用途により異なるが、例えば
感光性平版印刷版についていえば一般的に固形分とし、
て0.5〜3.0g/ボが好ましい。塗布量が少くなる
につれて感光性は大になるが、感光膜の物性は低下する
。
して使用する場合は上記各成分を溶解する溶媒に溶かし
て支持体上に塗布する。また半導体等のレジスト材料用
としては、溶媒に熔解したままで使用する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
、メタノール、エタノール、プロパツール、エチレング
リコールモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−プロ
パツール、エチレングリコールモノエチルエーテル、2
−メトキシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロ
ピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸
エチル、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメ
チルホルムアミド、テトラメチルウレア、N−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、T−ブ
チロラクトン、トルエン、酢酸エチル、エチルセロソル
ブアセテートなどがあり、これらの溶媒を単独あるいは
混合して使用する。そして上記成分中の濃度(添加物を
含む全固形分)は、2〜50重量%である。また、塗布
して使用する場合塗布量は用途により異なるが、例えば
感光性平版印刷版についていえば一般的に固形分とし、
て0.5〜3.0g/ボが好ましい。塗布量が少くなる
につれて感光性は大になるが、感光膜の物性は低下する
。
(平版 刷版等の製゛告)
本発明のポジ型感光性組成物を用いて平版印刷版を製造
する場合、その支持体としては、例えば、紙、プラスチ
ックス(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレンなど)がラミネートされた紙、例えばアルミニウ
ム(アルミニウム合金も含む。)、亜鉛、銅などのよう
な金属の板、例えば二酢酸セルロース、三酢酸セルロー
ス、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪
酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン
、ポリカーボネート、ポリビニルアセタールなどのよう
なプラスチックのフィルム、上記の如き金属がうξネー
ト、もしくは蒸着された祇もしくはプラスチックフィル
ムなどが含まれる。
する場合、その支持体としては、例えば、紙、プラスチ
ックス(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレンなど)がラミネートされた紙、例えばアルミニウ
ム(アルミニウム合金も含む。)、亜鉛、銅などのよう
な金属の板、例えば二酢酸セルロース、三酢酸セルロー
ス、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪
酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン
、ポリカーボネート、ポリビニルアセタールなどのよう
なプラスチックのフィルム、上記の如き金属がうξネー
ト、もしくは蒸着された祇もしくはプラスチックフィル
ムなどが含まれる。
これらの支持体のうち、アルミニウム板は寸度的に著し
く安定であり、しかも安価であるので特に好ましい。更
に、特公昭48−18327号公報に記されているよう
なポリエチレンテレフタレートフィルム上にアルミニウ
ムシートが結合された複合体シートも好ましい。アルミ
ニウム板の表面はワイヤブラシダレイニング、研磨粒子
のスラリーを注ぎながらナイロンブラシで粗面化するブ
ラシグレイニング、ボールダレイニング、溶体ホーニン
グによるグレイニング、バフグレイニング等の機械的方
法、HFやAlclz 、HClをエッチャントとする
ケミカルグレイニング、硝酸又は塩酸を電解液とする電
解グレイニングやこれらの粗面化法を複合させて行なっ
た複合グレイニングによって表面を砂目室てした後、必
要に応じて酸又はアルカリによりエツチング処理され、
引続き硫酸、リン酸、蓚酸、ホウ酸、クロム酸、スルフ
ァミン酸またはこれらの混酸中で直流又は交流電源にて
陽極酸化を行いアルミニウム表面に強固な不動態皮膜を
設けたものが好ましい。この様な不動態皮膜自体でアル
ミニウム表面は親水化されてしまうが、更に必要に応じ
て米国特許第2.714,066号明細書や米国特許第
3.181.461号明細書、に記載されている珪酸塩
処理(ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム)、米国特許
第2,946,638号明細書に記載されている弗化ジ
ルコニウム酸カリウム処理、米国特許第3.201,2
47号明細書に記載されているホスホモリブデート処理
、英国特許第1.108.559号明細書に記載されて
いるアルキルチタネート処理、独国特許第1.091.
433号明細書に記載されているポリアクリル酸処理、
独国特許第1,134.093号明細書や英国特許第1
.230.447号明細書に記載されているポリビニル
ホスホン酸処理、特公昭44−6409号公報に記載さ
れているホスホン酸処理、米国特許第3.307.95
1号明細書に記載されているフィチン酸処理、特開昭5
8−16893号や特開昭58−18291号の各公報
に記載されている親水性有機高分子化合物と2価の金属
よりなる複合処理、特開昭59−101651号公報に
記載されているスルホン酸基を有する水溶性重合体の下
塗によって親水化処理を行ったものは特に好ましい、そ
の他の親水化処理方法としては米国特許第3,658.
662号明細書に記載されているシリケート電着をもあ
げることが出来る。
く安定であり、しかも安価であるので特に好ましい。更
に、特公昭48−18327号公報に記されているよう
なポリエチレンテレフタレートフィルム上にアルミニウ
ムシートが結合された複合体シートも好ましい。アルミ
ニウム板の表面はワイヤブラシダレイニング、研磨粒子
のスラリーを注ぎながらナイロンブラシで粗面化するブ
ラシグレイニング、ボールダレイニング、溶体ホーニン
グによるグレイニング、バフグレイニング等の機械的方
法、HFやAlclz 、HClをエッチャントとする
ケミカルグレイニング、硝酸又は塩酸を電解液とする電
解グレイニングやこれらの粗面化法を複合させて行なっ
た複合グレイニングによって表面を砂目室てした後、必
要に応じて酸又はアルカリによりエツチング処理され、
引続き硫酸、リン酸、蓚酸、ホウ酸、クロム酸、スルフ
ァミン酸またはこれらの混酸中で直流又は交流電源にて
陽極酸化を行いアルミニウム表面に強固な不動態皮膜を
設けたものが好ましい。この様な不動態皮膜自体でアル
ミニウム表面は親水化されてしまうが、更に必要に応じ
て米国特許第2.714,066号明細書や米国特許第
3.181.461号明細書、に記載されている珪酸塩
処理(ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム)、米国特許
第2,946,638号明細書に記載されている弗化ジ
ルコニウム酸カリウム処理、米国特許第3.201,2
47号明細書に記載されているホスホモリブデート処理
、英国特許第1.108.559号明細書に記載されて
いるアルキルチタネート処理、独国特許第1.091.
433号明細書に記載されているポリアクリル酸処理、
独国特許第1,134.093号明細書や英国特許第1
.230.447号明細書に記載されているポリビニル
ホスホン酸処理、特公昭44−6409号公報に記載さ
れているホスホン酸処理、米国特許第3.307.95
1号明細書に記載されているフィチン酸処理、特開昭5
8−16893号や特開昭58−18291号の各公報
に記載されている親水性有機高分子化合物と2価の金属
よりなる複合処理、特開昭59−101651号公報に
記載されているスルホン酸基を有する水溶性重合体の下
塗によって親水化処理を行ったものは特に好ましい、そ
の他の親水化処理方法としては米国特許第3,658.
662号明細書に記載されているシリケート電着をもあ
げることが出来る。
また砂目立て処理、陽極酸化後、封孔処理を施したもの
も好ましい。かかる封孔処理は熱水及び無機塩又は有機
塩を含む熱水溶液への浸漬並びに水蒸気浴などによって
行われる。
も好ましい。かかる封孔処理は熱水及び無機塩又は有機
塩を含む熱水溶液への浸漬並びに水蒸気浴などによって
行われる。
活 龜 は ・ )
本発明の感光性組成物の露光に用いられる活性光線の光
源としては例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キ
セノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯など
がある。放射線としては電子線、X線、イオンビーム、
遠紫外線などがある。
源としては例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キ
セノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯など
がある。放射線としては電子線、X線、イオンビーム、
遠紫外線などがある。
好ましくはフォトレジスト用の光源として、g線、i線
、Deep −U V光が使用される。また高密度エネ
ルギービーム(レーザービーム又は電子、%%)による
走査露光も本発明の感光性組成物に使用することができ
る。このようなレーザービームとしてはヘリウム・ネオ
ンレーザ−、アルゴンレーザークリプトンイオンレーザ
−、ヘリウム・カドミウムレーザー、KrFエキシマ−
レーザーなどが挙げられる。
、Deep −U V光が使用される。また高密度エネ
ルギービーム(レーザービーム又は電子、%%)による
走査露光も本発明の感光性組成物に使用することができ
る。このようなレーザービームとしてはヘリウム・ネオ
ンレーザ−、アルゴンレーザークリプトンイオンレーザ
−、ヘリウム・カドミウムレーザー、KrFエキシマ−
レーザーなどが挙げられる。
ユ」Il建[
本発明のポジ型感光性組放物に対する現像液としては、
珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化リチウム、第三リン酸ナトリウム
、第ニリン酸ナトリウム、第三リン酸アンモニウム、第
ニリン酸アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、重炭酸ナ
トリウム、アンモニア水などのような無機アルカリ剤及
びテトラアルキルアンモニウムOH塩などのような有機
アルカリ剤の水溶液が適当であり、それらの濃度が0,
1〜10重量%、好ましくは0.5〜5重量%になるよ
う添加される。
珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化リチウム、第三リン酸ナトリウム
、第ニリン酸ナトリウム、第三リン酸アンモニウム、第
ニリン酸アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、重炭酸ナ
トリウム、アンモニア水などのような無機アルカリ剤及
びテトラアルキルアンモニウムOH塩などのような有機
アルカリ剤の水溶液が適当であり、それらの濃度が0,
1〜10重量%、好ましくは0.5〜5重量%になるよ
う添加される。
また、該アルカリ性水溶液には、必要に応じ界面活性剤
やアルコールなどのような有機溶媒を加えることもでき
る。
やアルコールなどのような有機溶媒を加えることもでき
る。
本発明のポジ型感光性組酸物は基板との密着性、塗布性
、ならびに酸素プラズマ耐性に優れており、またアルカ
リ現像が可能である。また製造が簡便で、容易に取得で
きる。
、ならびに酸素プラズマ耐性に優れており、またアルカ
リ現像が可能である。また製造が簡便で、容易に取得で
きる。
以下、本発明を合成例、実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明の内容がこれにより限定されるものではな
い。
るが、本発明の内容がこれにより限定されるものではな
い。
合成例1゜
(本発明のポリシロキサン(化合物例50))マレイミ
ド7.3g、2−)リメトキシシリル−1,3−ブタジ
ェン13.1 gをジオキサン500−に溶解し、10
0″Cで1時間反応させた。反応液にフェニルトリエト
キシシラン102gを加えた後、蒸留水10dと塩酸0
.2 mを加えて30分加熱濃縮した。
ド7.3g、2−)リメトキシシリル−1,3−ブタジ
ェン13.1 gをジオキサン500−に溶解し、10
0″Cで1時間反応させた。反応液にフェニルトリエト
キシシラン102gを加えた後、蒸留水10dと塩酸0
.2 mを加えて30分加熱濃縮した。
濃縮液を蒸留水2000idに撹拌しながら投入し、析
出した固体を減圧下乾燥することにより目的のポリシロ
キサン51gを得た。
出した固体を減圧下乾燥することにより目的のポリシロ
キサン51gを得た。
ゲルパーミェーションクロマトグラフィーにより、この
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ12
00であった 合成例2゜ (本発明のポリシロキサン(化合物例39))アセチレ
ンジカルボン酸11.4g、2−トIJメトキシシリル
ー1,3−ブタジェン17.4g、)リルトリメトキシ
シラン122.6 gをジオキサンを溶媒として合成例
1と同様な方法で反応させ、目的のポリシロキサン43
gを得た。
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ12
00であった 合成例2゜ (本発明のポリシロキサン(化合物例39))アセチレ
ンジカルボン酸11.4g、2−トIJメトキシシリル
ー1,3−ブタジェン17.4g、)リルトリメトキシ
シラン122.6 gをジオキサンを溶媒として合成例
1と同様な方法で反応させ、目的のポリシロキサン43
gを得た。
ゲルパーミェーションクロマトグラフィーにより、この
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ86
00であった。
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ86
00であった。
合成例3゜
(本発明のポリシロキサン(化合物例25))N−(p
−ヒドロキシフェニル)マレイミド18.9g、2−)
リフトキシシリル−1,3−ブタジエン17.4 gを
エチレングリコールモノメチルエーテル500−を溶媒
として合成例1と同様な方法で反応させて褐色の目的物
18gを得た。
−ヒドロキシフェニル)マレイミド18.9g、2−)
リフトキシシリル−1,3−ブタジエン17.4 gを
エチレングリコールモノメチルエーテル500−を溶媒
として合成例1と同様な方法で反応させて褐色の目的物
18gを得た。
ゲルパーミェーションクロマトグラフィーにより、この
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ33
00であった。
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ33
00であった。
金虞舊玉
(本発明のポリシロキサン(化合物例27))N−(p
−スルファモイル)マレイミド25.2g、2−トリメ
トキシシリル1,3−ブタジェン17、4 gをN、N
−ジメチルアセトアミド500−を溶媒として合成例1
と同様な方法で反応させ、褐色の目的物36gを得た。
−スルファモイル)マレイミド25.2g、2−トリメ
トキシシリル1,3−ブタジェン17、4 gをN、N
−ジメチルアセトアミド500−を溶媒として合成例1
と同様な方法で反応させ、褐色の目的物36gを得た。
ゲルパーミェーションクロマトグラフィーにより、この
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ23
00であった。
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ23
00であった。
合成例5゜
(本発明のポリシロキサン(化合物例(44) )N−
(p−1ルエンスルホニル)アクリルアミド22.5g
、2−1リメトキシシリル−1,3−ブタジェン17.
4 g、4−クロロフェニルトリメトキシシラン64g
をエチレングリコールモノメチルエーテル500ru1
を溶媒として合成例1と同様な方法で反応させて目的物
40gを得た。
(p−1ルエンスルホニル)アクリルアミド22.5g
、2−1リメトキシシリル−1,3−ブタジェン17.
4 g、4−クロロフェニルトリメトキシシラン64g
をエチレングリコールモノメチルエーテル500ru1
を溶媒として合成例1と同様な方法で反応させて目的物
40gを得た。
ゲルパーミェーションクロマトグラフィーにより、この
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ47
00であった。
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ47
00であった。
合成例6゜
(本発明のポリシロキサン(化合物例(57))アセト
アセトキシエチルアクリレート10.0g。
アセトキシエチルアクリレート10.0g。
1−トリメトキシシリル−1□ 3−ブタジェン17.
4g、N−フェニルアクリルアミド8.4gをジオキサ
ンを溶媒として合成例1と同様な方法で反応させ、目的
のポリシロキサン25.1 gを得た。
4g、N−フェニルアクリルアミド8.4gをジオキサ
ンを溶媒として合成例1と同様な方法で反応させ、目的
のポリシロキサン25.1 gを得た。
ゲルパーミェーションクロマトグラフィーにより、この
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ17
00であった。
ポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ17
00であった。
大隻班エニi
厚さ0.24mmの2Sアルミニウム板を80°Cに保
った第3燐酸ナトリウムの10%水溶液に3分間浸漬し
て脱脂し、ナイロンブラシで砂目立てした後アルミン酸
ナトリウムで約10分間工・ソチングして、硫酸水素ナ
トリウム3%水溶液でデスマット処理を行った。このア
ル果ニウム板を20%硫酸中で電流密度2A/drrf
において2分間陽極酸化を行いアルミニウム板を作成し
た。
った第3燐酸ナトリウムの10%水溶液に3分間浸漬し
て脱脂し、ナイロンブラシで砂目立てした後アルミン酸
ナトリウムで約10分間工・ソチングして、硫酸水素ナ
トリウム3%水溶液でデスマット処理を行った。このア
ル果ニウム板を20%硫酸中で電流密度2A/drrf
において2分間陽極酸化を行いアルミニウム板を作成し
た。
次に下記感光液(A)の本発明のポリシロキサン化合物
の種類を変えて、6種類の感光液(A)−1〜(A)−
6を調製し、この感光液を陽極酸化されたアルミニウム
板の上に塗布し、100 ”Cで2分間乾燥して、それ
ぞれの感光性平版印刷版(A)−1〜(A)−6を作成
した。このときの塗布量は全て乾燥重量で1.5g/r
y?であった。
の種類を変えて、6種類の感光液(A)−1〜(A)−
6を調製し、この感光液を陽極酸化されたアルミニウム
板の上に塗布し、100 ”Cで2分間乾燥して、それ
ぞれの感光性平版印刷版(A)−1〜(A)−6を作成
した。このときの塗布量は全て乾燥重量で1.5g/r
y?であった。
また感光液(A)−1〜(A)−6に用いた本発明のポ
リシロキサン化合物は第1表に示す。
リシロキサン化合物は第1表に示す。
感光液(A)
(メチルセロソルブ
10g
感光性平版印刷版[A]−1〜CA〕−6の感光層上に
濃度差0.15のグレー名ケールを密着させ、2kwの
高圧水銀灯で50cmの距離から2分間露光を行った。
濃度差0.15のグレー名ケールを密着させ、2kwの
高圧水銀灯で50cmの距離から2分間露光を行った。
露光した感光性平版印刷版〔A〕−l〜[:A] −6
をDP−4(商品名:富士写真フィルム■製)の8倍希
釈水溶液で25℃において60秒間浸漬現像したところ
、鮮明な緑色のポジ画像が得られた。
をDP−4(商品名:富士写真フィルム■製)の8倍希
釈水溶液で25℃において60秒間浸漬現像したところ
、鮮明な緑色のポジ画像が得られた。
第1表
実施例7〜12
シリコンウェハー上に実施例1〜6の感光液CA〕−1
〜[A]−6からオイルブルーを除いた感光液CA’
E−1〜[A’ ) −6をスピナーで塗布し、ホット
プレート上で90℃において2分間、乾燥させた。膜厚
は1.0μmであった。
〜[A]−6からオイルブルーを除いた感光液CA’
E−1〜[A’ ) −6をスピナーで塗布し、ホット
プレート上で90℃において2分間、乾燥させた。膜厚
は1.0μmであった。
次に波長436nmの単色光を用いた縮小投影露光装置
(スッテパー)により露光し、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキシドの2.4%水溶液で60秒間現像す
ることによりレジストパターンを形成させた。その結果
、0.8μmのライン&スペースの良好なパターンが得
られた。
(スッテパー)により露光し、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキシドの2.4%水溶液で60秒間現像す
ることによりレジストパターンを形成させた。その結果
、0.8μmのライン&スペースの良好なパターンが得
られた。
実施例13
シリコンウェハー上に、ノボ゛ラック系市販レジストH
PR−204(富士ハントケミカル■製)をスピナーで
塗布し、220℃で1時間乾燥させて下層を形成した。
PR−204(富士ハントケミカル■製)をスピナーで
塗布し、220℃で1時間乾燥させて下層を形成した。
下層の膜厚は2.0μmであった。
その上に下記感光液[B]をスピナーで塗布し、ホット
プレート上で90℃において2分間乾燥させ、厚さ0.
5μm17)塗膜を形成させた。
プレート上で90℃において2分間乾燥させ、厚さ0.
5μm17)塗膜を形成させた。
感光液CB)
次に実施例7〜12と同様に露光、現像を行なったとこ
ろ、0.8μmのライン&スペースの良好なパターンが
得られた。
ろ、0.8μmのライン&スペースの良好なパターンが
得られた。
その後、酸素ガスプラズマ(2,OXl0−” Tor
r、RF 0.06 W/afl)を用いて酸素プラズ
マエツチングを行なった結果、レジストパターンに覆わ
れていない部分の下層レジストは完全に消失した。
r、RF 0.06 W/afl)を用いて酸素プラズ
マエツチングを行なった結果、レジストパターンに覆わ
れていない部分の下層レジストは完全に消失した。
即ち本レジストが2層レジスト法の上層レジストとして
使用できることが確認された。
使用できることが確認された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (a)一般式( I )、(II)、(III)または(IV)で
表される化合物と、一般式(V)、(VI)(VII)また
は(VIII)で表される化合物との環化熱付加反応生成物
から由来されるシロキサン単位を少なくとも1モル%含
有するポリシロキサン化合物と、 (b)キノンジアジド化合物 とを含有する感光性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(V)▲数式、化学
式、表等があります▼(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII) 式中R^1〜R^5は水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、アリール基、置換アリール基、シリル基、置換
シリル基、シロキシ基、または置換シロキシ基を示す。 R^6は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリ
ール基、置換アリール基、▲数式、化学式、表等があり
ます▼または ▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 R^7〜R^9は水素原子、アルキル基、置換アルキル
基、アリール基、置換アリール基、アルコキシ基、置換
アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、−P^1−Qまた
は−P^1−Y^3▲数式、化学式、表等があります▼
Zであり、P3−O−、−CO−、−COO−、−OC
O−、−CONR^1^0−、−NR^1^0CO−、
−SO−または−SO_3−を含んでいてもよい。 R^1^0は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、
アリール基、置換アリール基を示す。 R^7とR^8あるいはR^7とP^1は結合して環を
形成していてもよい。 X^1〜X^3はヒドロキシ基または加水分解可能な基
を示す。 P^1〜P^3は単結合、アルキレン基、置換アルキレ
ン基、アリーレン基または置換アリーレン基を示し、−
O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONR
^1^0−、−NR^1^0CO−、−SO_2−、ま
たは−SO_3−を含んでいてもよい。 Yは3価の芳香環を示す。 QはpKaが12以下の酸基を示す。 P^1−Q Zは▲数式、化学式、表等があります▼、−CONHC
O−、−CON(OH)CO−、−CON(P^1−Q
)CO−、▲数式、化学式、表等があります▼ を示す。Y^n^+^2は(n+2)価の芳香環を示す
。 nは1〜3の整数を示す。
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EP0410760B1 (en) | 1994-09-14 |
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