TWI377366B - - Google Patents

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TWI377366B
TWI377366B TW094109803A TW94109803A TWI377366B TW I377366 B TWI377366 B TW I377366B TW 094109803 A TW094109803 A TW 094109803A TW 94109803 A TW94109803 A TW 94109803A TW I377366 B TWI377366 B TW I377366B
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hard coat
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TW094109803A
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Sachiko Miyagawa
Seiji Shinohara
Toshio Yoshihara
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Dainippon Printing Co Ltd
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Description

1377366 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於防止干擾條紋之發生’且’具有防止附 著塵埃之抗靜電性’且塗膜密黏性優良之液晶顯示’器和電 漿顯示器等之顯示器等之光學物品表面所用的抗反射薄膜 # 【先前技術】 液晶顯示器和電漿顯示器等之顯示器等光學物品的顯 示面,爲了提高其辨視性,乃要求來自螢光燈等之外部光 " 源所照射的光線反射少,爲了進行抗反射,於透明基材薄 - 膜上直接或透過其他層,於光學物品的表面進行貼附形成 比下層之折射率具有更低折射率之低折射率層的抗反射薄 膜。更且,若光學物品的表面有損傷則辨視性變差,故對 ® 抗反射薄膜進行賦予堅硬性能。又,由塑料所構成的光學 ^ 物品爲絕緣性,故經由靜電等而帶電,且若於表面附著塵 埃則辨識性變差,故要求對光學物品賦予抗靜電性。 作爲對抗反射薄膜賦予此類抗靜電性及堅硬性能者, % _ 於透明基材薄膜上形成含有金屬氧化物的抗靜電層,並再 於其上形成硬塗層,且最上層爲形成比下層之折射率更低 折射率之低折射率層的抗靜電性抗反射薄膜爲例如由特開 2 001 -2 5 5403號公報(專利文獻1 )所得知。又,於透明 基材薄膜上形成含有金屬氧化物之抗靜電性硬塗層的抗靜 電性抗反射薄膜爲由特開2003-301 0 1 8號公報(專利文獻 -5- (2) 1377366 2)、特開2002-375 1 (專利文獻26)所得知。 更且’於有機系抗靜電性硬塗層積層低折射率層的抗. 反射薄膜爲由特開2002-256053 (專利文獻27 )所得知》
[專利文獻1]特開2001-255403號公報 [專利文獻2]特開2003-301018號公報 [專利文獻3]特公昭49-23 82 8號公報 [專利文獻4]特公昭49-23827號公報 [專利文獻5]特公昭47-2893 7號公報 [專利文獻6]特開平7-41695號公報 [專利文獻7]特公昭55-734號公報 [專利文獻8]特開昭50-54672號公報 [專利文獻9]特開昭59-14735號公報 [專利文獻10]特開昭5 7- 1 8 1 75號公報 [專利文獻1丨]特開昭5 7 - 1 8 1 7 6號公報 [專利文獻12]特開昭57-56059號公報 [專利文獻13]特公昭53-13223號公報 [專利文獻14]特公昭57-15376號公報 [專利文獻15]特公昭5 3 -45 2 3 1號公報 [專利文獻16]特公昭55-145783號公報 [專利文獻17]特公昭55-65950號公報 [專利文獻U]特公昭55-67746號公報 [專利文獻19]特公昭57- 1 1 342號公報 [專利文獻20]特公昭57-19735號公報 [專利文獻21]特公昭5 8-568 5 8號公報 -6 - (3) 1377366 [專利文獻2 2 ]特開昭6 1 _ 2 7 8 5 3號公報 [專利文獻23]特開昭62-9346號公報 [專利文獻24]特開平10_279833號公報 [專利文獻U]特開2000-80169號公報 [專利文獻26]特開2002-3751號公報 [專利文獻27]特開2002-:25605 3號公報
【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 前述專利文獻1及專利文獻2中記載之抗反射薄膜爲 了防止粉塵對於顯示器表面吸黏所造成的視野性降低,乃 使用金屬氧化物作爲抗靜材料以形成抗靜電層。然而,金 屬氧化物一般爲比黏合樹脂更高折射率,且添加金屬氧化 物的抗靜電層爲比基材薄膜和硬塗層的折射率更高折射率 ’於基材薄膜與抗靜電層、或硬塗層與抗靜電層之間產生 折射率差。經由此些折射率差,發生干擾條紋並且具有顯 示器等之光學物品的辨視性變差的問題。 例如,若列舉先前之形成一般的抗靜電層之抗反射薄 膜的一例,則三乙醯纖維素薄膜(透明基材薄膜)之折射 率爲約1.5左右,含有金屬氧化物之抗靜電層之折射率爲 約1.57〜1.60,硬塗層爲約1.50左右,由於彼此連接之各 層的折射率差爲大,故於透明基材薄膜與抗靜電層的界面 、及抗靜電層與硬塗層的界面令來自各表面側入射的外來 光反射,且此些反射光爲引起干擾,並且以干擾斑(色斑 (4) 1377366 )型式被觀察到》 * 爲了防止此類折射率差所發生的干擾條紋,乃考慮使 用比金屬氧化物之折射率非更高的界面活性劑作爲抗靜電 劑。但是,界面活性劑易漏出,具有與其他層的密合性降 低的問題。更且,可列舉濕度依賴性大,且耐水性差的問 題。 > 於是,本發明爲以提供防止干擾條紋發生,且具有抗 ^ 靜電性、塗膜密黏性優良、高溫高濕度試驗後之塗膜透明 性良好的抗反射薄膜爲其目的。 (解決課題之手段) 解決前述課題之本發明之第一的抗反射薄膜,爲於透 明基材薄膜上,令選自高分子型抗靜電劑,具有交聯基之 低分子型抗靜電劑及導電性抗靜電劑之抗靜電劑、及含有 電離放射線硬化型樹脂的抗靜電性硬塗層、以及,比直接 連接於下層的折射率更低折射率的低折射率層以此順序形 成的抗反射薄膜,其特徵爲令該透明基材薄膜與該抗靜電 性硬塗層之折射率差的絕對値爲0.03以內則可防止干擾 條紋的發生。 上述本發明之第一的抗反射薄膜,雖對硬塗層賦予抗 靜電性之機能,但分成抗靜電性和堅硬性機能等二個機能 且以各別層型式設置亦可。即,本發明之第二的抗反射薄 膜爲於透明基材薄膜上,令選自高分子型抗靜電劑、具有 交聯基之低分子型抗靜電劑及導電性抗靜電劑之抗靜電劑 -8- (6) 1377366 ,形成抗靜電性硬塗層2-1,再於其上形成低折射率層3 〇 圖2爲示出本發明之第二形態之抗反射薄膜之層構成 的槪略剖面圖。圖2之抗反射薄膜爲將堅硬性和抗靜電性 分成二層所構成的抗反射薄膜,即,於透明基材1上,形 成抗靜電層2-2,再於其上形成硬塗層2-3,並再於其上形 > 成低折射率層3。 抗靜電性硬塗層/抗靜電層 本發明之抗靜電薄膜所用的抗靜電性硬塗層或抗靜電 _ 層,必須爲1 . Ο X 1 0 13 Ω / □以下以防止塵埃附著。1. Ο X • 1〇13 Ω /□〜Ι.ΟχΙΟ12 Ω /□下帶電並非以靜電荷蓄積,故薄 膜等可取得防止塵埃附著性。較佳爲帶靜電荷,但立即衰 減範圍爲Ι.ΟχΙΟ^Ω/ΙΙΙ-Ι.ΟχΙοΒω/□、更佳爲不帶電範 ^ 圍 1·〇χ1〇1(>Ω /□以下、最佳爲 1.0χ10*Ω /□以下》 ^ 作爲有機系抗靜電劑,以往,最一般進行的方法爲使 用低分子量之界面活性劑,且於形成抗靜電層用之塗層組 成物中添加以形成塗膜作成抗靜電層,或於表面塗佈界面 活性劑的方法。但是,低分子量之界面活性劑爲具有下列 所舉之缺點。•經由水洗、布擦拭等令抗靜電劑脫落,且 抗靜電效果無持續性。•經由抗靜電劑的漏出,引起黏合 等之表面特性惡化。•耐熱性多爲差,於成形加工時易分 解,又,集中於塗膜的界面,損害塗膜的密黏性,故易引 起剝離,因此本發明中未使用低分子量的界面活性劑。 -10- (7) 1377366 1 )抗靜電劑 本發明之抗反射薄膜之抗靜電性硬塗層或抗靜電層中 可使用的抗靜電劑,可列舉高分子型抗靜電劑,具有交聯 基之低分子型抗靜電劑、導電性抗靜電劑。形成本發明之
抗反射薄膜之抗靜電性硬塗層或抗靜電層的塗層組成物爲 將此等任一種抗靜電劑添加至電離放射線硬化型樹脂者》 高分子型抗靜電劑可列舉特公昭49-23 828號公報( 專利文獻3 )、特公昭49-23827號公報(專利文獻4 )、 特公昭47-28937號公報(專利文獻5 )、特開平7-41695 號公報(專利文獻6)中所示之陰離子性高分子化合物; 特公昭5 5 -7 34號公報(專利文獻7)、特開昭50-54672 號公報(專利文獻8 )、特開昭59- 1 473 5號公報(專利文 獻9)、特開昭5 7- 1 8 1 75號公報(專利文獻10)、特開 昭57- 1 8 1 76號公報(專利文獻1 1 )特開昭5 7-5 605 9號公 報(專利文獻12)等中所示之主鏈中具有解離基的離子型 聚合物;特公昭5 3- 1 3223號公報(專利文獻13 )、特公 昭5 7- 1 5 3 76號公報(專利文獻14)、特公昭5 3 -4523 1號 公報(專利文獻15)、特公昭55- 1 45 783號公報(專利文 獻16)、特公昭55-65950號公報(專利文獻17)、特公 昭55-67746號公報(專利文獻18)、特公昭57-11342號 公報(專利文獻1 9 )、特公昭5 7 - 1 9 7 3 5號公報(專利文 獻20)、特公昭58-56858號公報(專利文獻21)、特開 昭6 1 -2 7853號公報(專利文獻22 )、特開昭62-9346號 -11 - (8) 1377366 公報(專利文獻23 )、特開平1 0-2 798 3 3號公報(專利文 獻24)、特開2000-801 69號公報(專利文獻25)中所示 之陽離子性高分子化合物。特佳之高分子型抗靜電劑爲於 此等任一種之高分子型抗靜電劑中,具有分子交聯基的化 合物,抗反射薄膜之耐衝擊層中所用之較佳者爲含有四級 銨陽離子的構造體。更且四級銨系統抗靜電劑爲與鄰接層 > 的密黏性(再塗層性)佳,且於耐高溫•濕度試驗後最可 • 抑制透明性降低,故爲佳。 高分子型抗靜電劑中所含之四級銨鹽的構造列舉於下 ,但本發明並非限定於此。
X
ch3 .N 人 ΐί /2 . —+N—J—SO3
/2 —+Νς—J-COO 3-COO- w R2
Uu. .R4 Re 2X· R2、R/、R2":烷基鏈 χ-:陰離子(Cl-、Br—、「、F_、HS04 -、S042—、 (9) 1377366 N03-、P043·、HP042- > H2P〇4-、C6H5 ' S03- 、 〇H-等) 式中R3、R4、R5、R6爲表示碳數1~4個之經取代或 未取代之院基,R3與R4及/或R5與Re爲結合形成呢啡等 之含氮雜環亦可。A、B及D爲分別表示碳數2〜10個之經 取代或未取代之伸烷基、伸芳基、伸烯基、伸芳基伸院基 -R7COR8- ' - R9 C Ο Ο RI 〇 Ο C Ο R ] j - ' - R1 2 〇 C R j 3 C 0 0 R 1 4 - ' -Ri5-(ORi6)m- 、 -Ri7CONHRi8NHCOR19- 、 - R2〇OCONHR2INHCOR22-或-R25NHCONHR24NHCONHR25-。 R 7、R 8、R 9、R I 1、R 1 2、R 1 4、R 1 5、R 1 6、R 1 7、R 1 9、R 2 ο、 汉22、R23 及 Κ·25 爲表不伸院基,R|〇、Rl3、Rl8、R21 及 R24 爲分別表示經取代或未取代之伸烷基、伸烯基、伸芳基、 伸芳基伸烷基、伸烷基伸芳基中選出的連結基,m爲表示
X 鲁 澧 具 的 物 合 化 子 分 高 之 〇 鹽 子錢 。 離級此 陰四於 示有定 表含限 爲述被 上非 舉並 數歹明 整,發 正下本 之以但 4 , ~ϋ 1 侈
2 5a 3 I 3 CHurCH 广 CH CH2-σ CHurCH c δ"α· CHurCH /T B) h,H2 δΓΓ b
-13- 1377366 (1〇) ch3 E) -(ch2-ch^- -(ch2-c-)^
cHr cr COOCh^ CHs -N—CHs ch3 nicnJi ch, c〇〇-e^)rr013 φ cr -{-ch-ch2^- G) 十 CH2-pCH3 啦 •〇v [〇 0-(cH2-C(CH3)^- ch2 ch3 H3C ^CH3 ch3
h3c/|、ch3 ch3 高分子型抗靜電劑之四級銨鹽所含有的x値爲1~70 莫耳%。四級銨鹽量若爲1莫耳%以下’則無法發揮抗靜 電性能,若爲70莫耳%以上則與樹脂成分的相溶性變差。 更佳爲3~50莫耳%。 高分子型抗靜電劑爲比低分子量之界面活性劑,取得 持續性優良的永久制電性樹脂,且亦可防止抗靜電劑的漏 出,故於抗靜電層上方積層低折射率層時,可期待改善與 -14- (11) 1377366 低折射率層的密黏性。又,構成抗靜電劑之化合物若一分 子內具有聚合性官能基,則抗靜電劑經由紫外線照射或電 子射線照射,則可引起與硬塗層成分之電離放射線硬化型 黏合劑的化學鍵結,故被固定於硬塗層中,可減低漏出、 和水洗,布擦拭等所造成的抗靜電劑脫落,故爲佳。 . 於低分子型抗靜電劑中,若於分子中具有分子交聯基 >,則經由紫外線照射,引起與硬塗層成分之電離放射線硬 • 化型黏合劑的化學鍵結,故被固定於硬塗層中,可減低漏 出、和水洗、布擦拭等所造成的抗靜電劑脫落,故爲佳。 具有此類分子交聯基的低分子型抗靜電劑可爲陰離子性、 ' 非離子性或陽離子性化合物的任一種。 - 導電性抗靜電劑可列舉脂肪族共軛系之聚乙炔、芳香 族共軛系之聚(對伸苯基)、雜環式共軛系之聚吡咯、聚 噻吩、含雜原子共軛系之聚苯胺、混合型共軛系之聚(伸 > 苯基伸乙烯基)。其他亦可列舉於分子中具有複數共軛鏈 # 之複鏈型共軛系,於飽和高分子中接枝或分段共聚前述之 共軛高分子鏈之高分子的導電性複合體等。此等導電性抗 靜電劑爲高分子,故比低分子量之界面活性劑,可取得持 續優良的永久制電性樹脂,且亦可防止抗靜電劑的漏出, 於抗靜電層之上方積層低折射率層時,可期待改善與低折 射率層的密黏性。 2)黏合樹脂 使用作爲抗靜電性硬塗層或抗靜電層之黏合樹脂的電 -15- (12) 1377366 離放射線硬化型樹脂,可使用接受電離放射線之照射時, 或接受引發劑之作用間接地進行聚合和二聚化等之大分子 化且具有引起反應之聚合性官能基的單體、低聚物及聚合 物。具體而言,具有丙烯基、乙烯基、烯丙基等之乙烯性 不飽和鍵之自由基聚合性的單體、低聚物爲佳,且期望於 黏合成分的分子間生成交聯鍵般之於一分子內具有二個以 > 上,較佳爲3個以上之聚合性官能基的多官能黏合成分。 ♦ 但是,亦可使用其他之電離放射線硬化性的黏合成分,例 如,亦可使用如含環氧基之化合物的光陽離子聚合物單體 和低聚物。又,於提高導電性上,以離子傳搬性良好之 _ E0改質等親水性黏合劑爲佳。更且,使用分子中殘留羥 - 基的黏合成分爲佳。黏合劑中之羥基爲經由氫鍵而提高對 於硬塗層和低折射率層之鄰接層的密合性。 更且爲了附加防止捲曲等機能,以使用以下之黏合樹 > 脂爲佳。 I 光穿透性基材爲三醋酸酯纖維素(TAC)之情形中所 使用的樹脂爲選自丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、 聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚樹脂、環氧樹脂、胺基 甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、聚 硫醇聚醚樹脂、多元醇、(甲基)丙烯酸乙二醇酯、(甲 基)丙烯酸季戊四醇酯單硬脂酸酯等之(甲基)丙烯酸酯 樹脂。 具體而言,具有超過4個官能基之改質丙烯酸季戊四 醇酯爲選自三丙烯酸季戊四醇酯、四丙烯酸季戊四醇酯' -16- (13) 1377366 六丙烯酸二季戊醇酯及彼等之改質體。 具有三個以下官能基之異氰脲酸改質丙烯酸酯樹脂或 雙酚改質丙烯酸酯樹脂爲選自改質異氰脲酸E0改質二丙 烯酸酯、.改質異氰脲酸E0改質三丙烯酸酯、雙酚FEO 改質二丙烯酸酯、雙酚A E0改質二丙烯酸酯、環氧改質 雙酚A二丙烯酸酯等。 k 光穿透性基材爲聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之情形 ^ 中所使用的樹脂爲選自丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚烯烴樹 月旨、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚樹脂、環氧樹脂、 胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂 、聚硫醇聚酸樹脂、多元醇、(甲基)丙烯酸乙二醇酯、 - (甲基)丙烯酸季戊四醇酯單硬脂酸酯等之(甲基)丙烯 酸酯樹脂》 具體而言,具有超過4個官能基之改質丙烯酸季戊四 t 醇酯爲選自三丙烯酸季戊四醇酯、四丙烯酸季戊四醇酯、 ^ 六丙烯酸二季戊四醇酯及彼等之改質體。 具有三個以下官能基之異氰脲酸改質丙烯酸酯樹脂或 雙酚改質丙烯酸酯樹脂爲選自改質異氰脲酸E0改質二丙 烯酯、改質異氰脲酸E0改質三丙烯酸酯、雙酚F E0改 質二丙烯酸酯、雙酚A E0改質二丙烯酸酯、環氧改質雙 酚A二丙烯酸酯等。彼等於黏合樹脂中最低爲一種即可。 該黏合樹脂爲光硬化型樹脂之情形中,爲了令自由基 聚合開始,期望使用光引發劑。光引發劑並無特別限定, 可列舉例如乙醯苯類、二苯酮類、縮酮類、蒽醌類、二硫 -17- (14) 1377366 化合物類、秋蘭姆化合物類、氟胺化合物等。 ' 另外,如本發明第二之抗反射薄膜般,抗靜電層與硬 塗層爲以分別之塗膜型式積層的情形中,抗靜電層中所用 之樹脂即使未具有堅硬性能亦可,且非限定於電離放射線 硬化型樹脂,與鄰接之層具有接黏性者爲佳。抗靜電層與 硬塗層爲以分別之塗膜型式積層的情形中,抗靜電層的膜 > 厚可比形成抗靜電性硬塗層之情況更薄》 3 )溶劑 於抗靜電性硬塗層或形成抗靜電層用之塗層組成物中 " ,必須有將固形成分溶解分散的有機溶劑,其種類並無特 - 別限定。可列舉例如甲醇、乙醇、異丙醇等之醇類:甲基 乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等之酮類:醋酸乙酯、醋 酸丁酯等之酯類;鹵化烴類;甲苯、二甲苯等之芳香族烴 > 類。爲了防止干擾條紋的發生,使用(或倂用)對於光穿 ® 透性基材具有滲透性的溶劑(滲透溶劑)爲佳。本發明中 ,所謂滲透性溶劑之「滲透性」爲包含對於光穿透性基材 之滲透性、泡脹性、濕潤性等全部槪念。滲透性溶劑之具 體例可列舉異丙醇、甲醇、乙醇等之醇類:甲基乙基酮、 甲基異丁基酮、環己酮等之酮類;醋酸甲酯、醋酸乙酯、 醋酸丁酯等之酯類:鹵化烴類;甲苯、二甲苯等之芳香族 烴類、酚類;或彼等之混合物,較佳可列舉酯類(更佳爲 醋酸甲酯)。 光穿透性基材爲三醋酸酯纖維素(A TC )之情形中所 -18- (15) 1377366 使用的溶劑可列舉丙酮、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁醋 、氯仿、二氯甲烷、三氯乙烷、四氫呋喃、甲基乙基酮、 甲基異丁基酮 '環己酮、硝基甲烷、1,4-二鸣烷、二唁 茂烷、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺 '甲醇,乙 醇、異丙醇、丁醇、異丁醇、二異丙醚、甲基溶纖劑、乙 基溶纖劑、丁基溶纖劑。 > 光穿透性基材爲聚對苯二甲酸乙二酯(PET )之情形 ♦ 中所使用的溶劑可列舉苯酚、氯苯、硝基苯、氯基苯酚、 六氟異丙醇、丙酮、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、氯 仿、二氯甲烷、三氯乙烷、四氫呋喃、甲基乙基酮、甲基 ' 異丁基酮、環己酮、硝基甲烷、1,4-二噚烷、二鸣茂烷 - 、N-甲基吡咯烷嗣、N,N-二甲基甲醯胺、甲醇、乙醇、 異丙醇、丁醇、異丁醇、二異丙醚 '甲基溶纖劑 '乙基溶 纖劑。 I 特別,光穿透性基材爲三醋酸酯纖維素(TAC )之情 ® 形中所使用的溶劑以醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、甲 基乙基酮等爲合適β 光穿透性基材爲聚對苯二酸乙二酯(PET )之情形中 所使用的溶劑以苯酚、氯苯、硝基苯、氯基苯酚、六氟異 丙醇爲特別合適。 4)其他成分 於抗靜電性硬塗層或形成抗靜電層用之塗層組成物之 上述以外的成分中,視需要含有電離放射線硬化性之黏合 -19 - (16) 1377366 成分的聚合引發劑,更且,亦可配合其他成分。例如,視 ' 需要可使用紫外線遮蔽劑、紫外線吸收劑、表面調整劑( 均塗劑)等。 5 )調製法 抗靜電性硬塗層或形成抗靜電層用組成物可使用已被 > 油墨化者,且亦可組合抗靜電劑、電離放射線硬化型黏合 • 劑、光引發劑、溶劑等進行調整。使用上述各成分調整抗 靜電性硬塗層或形成抗靜電層用組成物上,可依據塗佈液 之一般性調製法予以分散處理即可。例如,將各必須成分 ' 及各所欲成分以任意順序混合處理則可取得塗層組成物。 - 抗靜電性硬塗層或形成抗靜電層用之塗層組成物爲例 如以旋塗法、浸漬法、噴霧法、滑動塗層法、棒塗法、輥 塗法、凹凸透鏡塗層法、可撓式印刷法、網版印刷法、焊 > 波塗層法等各種方法則可於基材上塗佈》塗佈物爲通常視 ^ 需要予以乾燥,其後,以紫外線和電子射線等之電離放射 線予以放射硬化令抗靜電層形成薄膜。 透明基材薄膜 透明基材薄膜的材質並無特別限定,可使用抗反射薄 膜中所用的一般材料,可例示例如,三醋酸酯纖維素( TAC )、聚對苯二甲酸乙二酯(PET )、三乙醯纖維素、 醋酸酯丁酸酯纖維素、聚醚硕、丙烯酸系樹脂、聚胺基甲 酸酯系樹脂、聚酯、聚碳酸酯、聚碾、聚醚、三甲基戊烯 -20- (17) 1377366 、聚醚酮、(甲基)丙烯腈等之各種樹脂所形成的薄膜等 。基材的厚度通常爲25μπι~1,000μιη左右。 硬塗層 如本發明第二之抗反射薄膜般,將抗靜電性和硬塗性 之機能分開,形成抗靜電層和硬塗層二層之情形中,於硬 > 塗層可使用一般所用的硬塗層。於形成硬塗層用之塗層組 ® 成物中,可使用前述詳述之抗靜電性硬塗層之黏合劑中所 用的電離放射線硬化型樹脂,且電離放射線硬化型樹脂爲 對塗膜賦予堅硬性能。 - 低折射率層 於本發明之抗反射薄膜最上層所疊層的低折射率層| 可使用形成一般所用之低折射率層的公知方法。例如,使 > 用含有矽石和氟化鎂等之低折射率無機微粒子和黏合樹脂 ® 的塗佈液,含有具有空隙之矽石和氟化鎂等之低折射率無 機微粒子和黏合樹脂的塗佈液、或含有氟系樹脂等之塗佈 液形成塗膜,或者將低折射率無機物微粒子予以蒸鑛,則 可取得低折射率層。 所謂「具有空隙的微粒子」爲指採用微粒子內部充塡 氣體之構造及/或含有氣體之多孔質構造的結果、或微粒 子爲形成集合體的結果、氣體爲折射率1.0之空氣的情況 ,與微粒子本來之折射率相比較反比於微粒子中之空氣佔 有率且折射率降低之微粒子及其集合體。例如,於增大比 -21 - (18) (18)1377366 表面積爲目的所製造,且於充塡用柱和表面之多孔質部吸 黏各種化學物質的徐放材料、固定觸媒用中所使用的多孔 質微粒子,和以嵌入隔熱材料和低介電材料爲目的之中空 微粒子中,以本發明中可使用之平均粒徑範圍者爲較佳使 用。 [實施例] (1 )關於實施例1〜4、比較例1〜3 層構成I (基材/AS + HC/AR) 於下述之實施例1〜3、及比較例1〜3中,透明基材薄 膜/抗靜電性硬塗層/低折射率層所構成之抗反射薄膜的製 作爲如下處理進行。 透明基材薄膜爲使用三乙醯纖維素(TAC )薄膜( TF-T8 0UZ :商品名、富士軟片(股)製、折射率1.49 ) ,並且於該透明基材薄膜上將下述之實施例1〜4、及比較 例1〜3所示之形成抗靜電性硬塗層組成物予以棒塗層,並 且以乾燥除去溶劑後,使用紫外線照射裝置(Fusion UV System Japan (股)製),並以照射量100mJ/cm2經由紫 外線照射令硬塗層硬化,取得膜厚約5 μιη之具有抗靜電性 硬塗層之透明基材薄膜/抗靜電性硬塗層所構成的積層薄
於所得之透明基材薄膜/抗靜電性硬塗層所構成的積 層薄膜上,將下述所示組成之形成低折射率層用塗層組成 物予以棒塗層,乾燥除去溶劑後,使用紫外線照射裝置( -22- (19) 1377366
Fusion UV System Japan (股)製)並以照射量 260mJ/cm2 進行紫外線照射,令塗膜硬化,取得低折射率層之膜厚爲 約lOOnm之透明基材薄膜/抗靜電性硬塗層/低折射率層所 構成的積層體(抗反射薄膜)。 形成低折射率層用塗層組成物的組成 > 具有空隙之矽石溶膠 ♦ (觸媒化成工業製20%異丙醇溶液) 14.28質量份 三丙稀酸季戊四醇酯(PETA ) 1.90質量份
Irugacure 907 (商品名、Ciba Specialty Chemicals 公司製)0.02 質量份
Iragacure 184 (商品名、Ciba Specialty Chemicals 公司製)〇·〇7 質量份 TSf 4460(商品名、GE東芝Silicon(股)製:
烷基聚醚改質矽酮油) 0.24質量份 甲基異丁基酮 83.49質量份 關於以下述之實施例1〜4及比較例1〜3所得之抗反射 薄膜的表面電阻率,最低反射率、低折射率層的折射率、 透明基材薄膜的折射率、有無干擾條紋之發生、塗膜密黏 性爲如下進行》 表面電阻率(Ω /□) 表面低效率爲使用高電阻率計(Hirestor. HT-210、 -23- (20) 1377366 商品名、三菱油化(股)製,以外加電壓500V、10秒鐘 進行積層.體最表面的測定® 最低反射率 使用具備5 °C正反射測定裝置之分光光度計(島津製 作所(股)製、UV-3100PC :商品名)測定反射率。另外 I,反射率爲表示於波長55 Onm附近成爲極小値時之數値》 折射率 於三乙醯纖維素薄膜基材(FT-T80UZ :商品名:富 ^ 士薄膜(股)製、折射率1.49)上以膜厚爲約0.1 μηι般進 行棒塗層。使用島津製作所(股)製分光光度計(UV-3 100PC)測定絕對反射率。另外,低折射率層的膜厚爲將 反射率之極小値設定成波長5 5 Onm附近。由所得之反射率 > 曲線,使用模擬法求出低折射率層的折射率。 干擾條紋 使用Fuhatac (股)製之干擾條紋檢査燈(Na燈), 並以目視檢查,以幾乎未察見發生干擾條紋之情況視爲良 好〇,察見者視爲普通△,清楚察見者視爲X。 塗膜密黏性 以JIS K54 00記載之棋盤格剝離法(以lmm間隔刻入 100個的棋盤格,並以賽洛玢膠帶(Nichiban公司製)進 -24- (21) 1377366 行試驗。評價方法爲經常以新的賽洛玢膠帶處理’進行5 回剝離試驗。剝離後,90%以上無損傷和剝離者視爲〇’ 5 0 %以上者爲△,其以下爲X。 塗膜透明性 霧値測定 > 根據JISK7105: 1981「塑料之光學特性試驗方法」 • ,測定防眩性積層體之最表面的霧値。 耐高溫•高濕度下的環境試驗 • 於80°C,90%之高溫高濕槽中將塗佈樣品放置500小 • 時,測定5 00小時後的霧値、表面電阻値。 [實施例1] 將作爲形成抗靜電性硬塗層用之塗層組成物的下列成 分混合,取得本實施例1之塗層組成物。 ASC-EX-90 00 (商品名、共榮社化學工業股份有限公 司製、作爲抗靜電性硬塗層被油墨化者,組成爲含有i含 四級銨鹽之高分子聚合物、ii電離放射線硬化型樹脂、iii 親水性丙烯酸酯低聚物、ii及iii之成分均具有經由UV 硬化而反應的反應基) 75質量份 醋酸甲酯 25質量份 用於使用該塗層組成物根據上述製造方法所製造的抗 -25- (22) 1377366 反射薄膜,以上述方法所測定的物性示於下述表卜 [實施例2] 將作爲形成抗靜電性硬塗層用之塗層組成物的下列成 分混合,取得本實施例2之塗層組成物。
UV- 1 000NT5 (商品名、日本化成化學股份有限公司 製、作爲抗靜電性硬塗層被油墨化者,爲四級銨系高分子 抗靜電劑) 60質量份 甲基乙基酮 30質量份 關於使用該塗層組成物根據上述製造方法所製造的抗 反射薄膜,以上述方法所測定之物性示於下述表1。 [實施例3] 將作爲形成抗靜電性硬塗層用之塗層組成物的下列成 分混合,取得本實施例3之塗層組成物。 UT-3806 C商品名 '曰本合成公司製、作爲抗靜電性硬 塗層被油墨化者,爲四級銨系高分子抗靜電劑) 75質量份 醋酸甲酯 25質量份 關於使用該塗層組成物根據上述製造方法所製造的抗 反射薄膜,以上述方法所測定之物性示於下述表1。 [比較例1]未使用抗靜電劑之例 -26- (23) 1377366 將作爲形成硬塗層用之塗層組成物的下列成分混合, '取得比較例1之塗層組成物。 三丙烯酸季戊四醇酯(PETA ) 2 8.5 7質量份
Irugacure 907 (商品名、Ciba Specialty Chemicals公司製) 〇·】1質量份 甲基異丁基酮 83.26質量份 > 關於使用該塗層組成物根據上述製造方法所製造的抗 ^ 反射薄膜,以上述方法所測定之物性示於下述表1。 [比較例2]使用金屬氧化物作爲抗靜電劑之例 將作爲形成抗靜電性硬塗層用之塗層組成物的下列成 分混合,取得比較例2之塗層組成物。 氧化銦錫分散液 (固形成分30%、甲基異丁基酮溶液) 33.3質量份 三丙烯酸季戊四醇酯(PETA) 1〇.〇質量份
Irugacure 184 (商品名、Ciba Specialty Chemicals 公司製)0.05 質量 份 甲基異丁基酮 90.3質量份 關於使用該塗層組成物的根據上述製造方法所製造的 抗反射薄膜,以上述方法所測定之物性示於下述表1。 [比較例3]使用分子中不具有交聯基之低分子型抗靜 電劑之例 -27- (24) 1377366 將作爲形成抗靜電性硬塗層用之塗層組成物的下列成 分混合,取得比較例3之塗層組成物。 三丙烯酸季戊四醇酯(PETA ) 15.0質量份 JP-5 18-0 [商品名、城北化學工業股份有限公司製: 烷基鏈磷酸酯(屬於分子中不具有交聯基的低分子型抗 靜電劑)] 15.0質量份
Irugacure 184 (商品名、Ciba Specialty Chemicals 公司製) 0·05 質量份 甲基異丁基酮 68.5質量份 關於使用該塗層組成物根據上述製造方法所製造的抗 反射薄膜,以上述方法所測定之物性示於下述表!。 [比較例4 ]
將作爲形成抗靜電性硬塗層用之塗層組成物的下列成 分混合,取得比較例4之塗層組成物。 U-601 LPA60(新中材化學股份有限公司製:活性能量 線反應性抗靜電劑) 30重量份 甲苯 70重量份 -28- (25) 1377366 表 1 例 表面電阻 値 最低反 射率% 折射率 干擾 條紋 密黏性 霧値 高溫·高濕度試驗後 霧値 表面電阻値 實施例1 109Ω/口 1.2 1.52 〇 〇 0.2 0.4 109Ω/〇 實施例2 109Ω/Π 1.4 1.51 〇 〇 0.4 0.5 ιο9ω/Π 實施例3 10"Ω/ϋ 1.2 1.51 〇 〇 0.4 0.5 10ι2Ω〇 比較例1 1014Ω〇 以上 1.1 1.5 〇 〇 0.2 0.3 ιο14ω/〇 以上 比較例2 107Ω/〇 1.3 1.58 X 〇 0.8 0.9 107Ω/ϋ 比較例3 10,0Ω/ϋ 1.4 1.51 〇 X 0.3 3 ιο14ω/口 以上 比較例4 10ΙΟΩ/ϋ 1.4 1.51 〇 X 0.4 4.1 10,4Ω〇
- (2 )關於實施例4〜6、比較例4~8 . 於下述之實施例5、及比較例5〜8中,由透明基材薄 膜/抗靜電層/硬塗層/低折射率層所構成之抗反射薄膜的製 作爲如下處理進行。 • 使用作爲透明基材薄膜之厚度80μιη的TAC薄膜(於 # 三乙醯纖維素薄膜上將下述實施例5、及比較例4~6所示 之形成抗靜電層用塗層組成物予以棒塗層,乾燥除去溶劑 後,使用紫外線照射裝置(Fusion UV System Japan (股 * )製),以照射量20mJ/cm2進行紫外線照射,令抗靜電 層硬化,製作膜厚約Ιμιη的抗靜電層》 於所得之透明基材薄膜/抗靜電層所構成的積層薄膜 上,將下述所不之形成硬塗層用塗層組成物予以棒塗層,
乾燥除去溶劑後,使用紫外線照射裝置(Fusion UV
System Japan (股)製),以照射量1 〇〇mJ/cm2進行紫外 線照射,令硬塗層硬化,取得膜厚約5μηι之具有硬塗層之 -29- (26) 1377366 透明基材薄膜/抗靜電層/硬塗層所構成的積層薄膜。 於所得之透明基材薄膜/抗靜電層/硬塗層所構成的積 層薄膜上,將上述「(1)關於實施例1〜4、及比較例1〜3 j之欄中所示之形成低折射率層組成物予以棒塗層,乾燥 除去溶劑後,使用紫外線照射裝置(Fusion UV System Japan (股)製)以照射量260mJ/cm2進行紫外線照射, 令塗膜硬化,取得低折射率層之膜厚爲約l〇〇nm之透明基 材薄膜/抗靜電層/硬塗層/低折射率層所構成的積層體(抗 反射薄膜)。 關於實施例5及比較例4~6之各抗反射薄膜。關於表 面電阻率(Ω/口)、最低反射率、折射率、有無干擾條 紋之發生、塗膜密黏性的測定爲如上述「(1)關於實施 例1〜4、及比較例1 ~3」之欄所示進行" ^ 形成硬塗層用塗層組成物的組成 配合下述組成之成分調製形成硬塗層用塗層組成物。 丙烯酸季戊四醇酯(PETA) 30.0質量份
Irugacure 184 - (Ciba Specialty Chemical 公司製) 1.5 質量份 甲基異丁基酮 73.5質量份 以金及鎳施以表面處理之平均粒徑5μπι的有機珠粒(曰 本化學工業(股)製、Blite 20GNR-4.6EH :商品名) 0.15質量份 -30- (27) 1377366 [實施例4]於上述層構成上塗佈實施例1之塗層溶液 [實施例5]於上述層構成上塗佈實施例2之塗層溶液 [實施例6]於上述層構成上塗佈實施例3之塗層溶液 關於使用該塗層組成物根據上述製造方法所製造的抗 反射薄膜,以上述方法所測定之物性示於下述表2。 [比較例4]未形成抗靜電層之例 於前述實施例5中,除了未形成抗靜電層以外完全同 實施例5處理,取得比較例4之抗靜電薄膜。關於比較例 4之抗反射薄膜,以上述方法所測定之物性示於下述表2 [比較例5]使用金屬氧化物作爲抗靜電劑之例 將作爲形成抗靜電層用之塗層組成物的下列成分混合 取得比較例5之塗層組成物。 氧化銦錫分散液(固形成分30%、甲基異丁基酮溶液) 3 3.3質量份 三丙烯酸季戊四醇酯(PETA ) 10.0質量 份
Irugacure 184 (商品名、Ciba Specialty Chemicals 公司製)0.05 質量 份 甲基異丁基酮 90.3質量份 關於使用該塗層組成物根據上述製造方法所製造的抗 -31 - (28) 1377366 反射薄膜,以上述方法所測定的物性示於下述表2。 [比較例6]使用分子中不具有交聯基之低分子型抗靜 電劑之例 將作爲形成抗靜電層用之塗層組成物的下列成分混合 ,取得比較例6之塗層組成物。 三丙烯酸季戊四醇酯(PET A ) 15·〇質量份 JP-5 18-Ο [商品名、城北化學工業股份有限公司製: 烷基鏈磷酸酯(屬於分子中不具有交聯基的低分子型抗 靜電劑)] 1 5 · 0質量份
Irugacure 184 - (商品名、Ciba Specialty Chemicals 公司製) 〇.〇5 質量份 甲基異丁基酮 68.5質量份 關於使用該塗層組成物根據上述製造方法所製造的抗 > 反射薄膜,以上述方法所測定之物性示於下述表2。 表 2 例 表面電阻値 最低反 折射 干擾 密黏性 霧値 高溫· 高濕度試驗後 射率% 率 條紋 霧値 表面電阻値 實施例4 1010Ω〇 1.2 1.52 〇 〇 0.2 0.3 1〇'°Ω/ϋ 實施例5 1010Ω〇 1.3 1.51 〇 〇 0.4 0.5 10,0Ω〇 實施例6 1014Ω/口 1.2 1.51 〇 〇 0.2 0.5 1014Ω/口 比較例5 1014Ω/□以上 1.2 1.5 〇 〇 0.2 0.3 1014Ω/□以上 比較例6 1014Ω/口 1.3 1.58 X 〇 0.8 0.9 1014Ω/□以上 比較例7 1010Ω/口 1.4 1.52 〇 X 0.3 2.5 1014Ω/□以上 比較例8 10Ι3Ω〇 1.4 1.51 〇 X 0.3 4.6 10,3Ω〇 -32- (29) 1377366 [產業上之可利用性] 本發明之抗反射薄膜可防止麈埃附著,且防止發生干 擾條紋上優良,塗膜密黏性優良,故可用於液晶顯示器和 電漿顯示器等之顯示器的光學物品表面所用的抗反射薄膜
【圖式簡單說明】 [圖1]示出本發明之第一形態之抗反射薄膜之層構成 的槪略剖面圖。 [圖2]示出本發明之第二形態之抗反射薄膜之層構成 的槪略剖面圖。 【主要元件符號說明】 透明基材薄膜
1 2-1 2-2 2-3 抗靜電性硬塗層 抗靜電層 硬塗層 3 低折射率層 33-

Claims (1)

1377366 第094丨09803號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國101年2月15日修正 十、申請專利範園 1. 一種抗反射薄膜,其特徵爲於透明基材薄膜上, 令使用含有抗靜電劑、電離放射線硬化型樹脂及溶劑 之組成物所形成之抗靜電性硬塗層,及 比直接連接於下層之折射率更低折射率的低折射率層 Φ ,以此順序形成的抗反射薄膜;前述透明基材薄膜爲三醋 酸酯纖維素,前述抗靜電劑爲僅由含有超過1莫耳%、未 滿70莫耳%之四級銨陽離子之高分子型抗靜電劑所構成, , 前述溶劑爲選自由醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯及甲基 乙基酮所成之群; 經由令前述透明基材薄膜與前述抗靜電性硬塗層之折射率 差的絕對値爲〇. 03以內則可防止干擾條紋的發生。 2. 如申請專利範圍第1之抗反射薄膜,其中將該抗反 φ 射薄膜於溫度80°C、濕度90%之環境下放置5 00小時樣品 後之霧値變化爲3以內。
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