TWI362109B - Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and imaging apparatus - Google Patents

Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and imaging apparatus Download PDF

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Description

1362109 九、發明說明 本發明包含的主題與2007年10月3日向 提出申請之曰本專利申請案JP 2007-259501 文內容倂入本文參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明與具有電洞積聚二極體的固態攝像 造方法與攝像裝置有關。 【先前技術】 在視訊攝影機、數位照相機及類似物中廣 態攝像裝置，諸如CCD (電荷耦合裝置）與 感測器。在所有各類型的固態攝像裝置中，提 降低雜訊乃爲重要的議題。 特別是，當從光接收面之基板介面中之微 的電荷（電子）被當成信號輸入時而被偵測爲 暗電流，或者，在沒有入射光的狀態中，雖然 光之光電轉換而產生純信號電荷，但由於感測 間之介面上的介面狀態所產生的暗電流，係固 中所要降低的雜訊。 關於抑制介面狀態導致產生暗電流的技術 圖9B所示，使用具有在感測器段（例如光二彳 以p +層所形成之電洞積聚層23的內埋式光二 此外，在本說明書中，將內埋式的光二極^ 曰本專利廳 有關，該全 裝置、其製 泛地使用固 CMOS影像 高靈敏度與 小瑕疵產生 極小電流的 無藉由入射 器段與上層 態攝像裝置 ，例如，如 亟體）12上 極體結構。 豊結構稱爲 -4- 1362109 HAD (電洞積聚二極體）結構。如圖9A所示，在未設置 有HAD結構的結構中，由於介面狀態所產生的電子流到 ' 光二極體成爲暗電流。另一方面’如圖9B所示’在HAD ， 結構中，從介面所產生的電子’被形成在該介面上的電洞 積聚層23抑制。此外’即使從介面產生電荷（電子）’ 電荷（電子）也不會流到電荷積聚段（其爲感測器段12 之N +層中的勢井），而是流到存在有很多電洞之P +層的 φ 電洞積聚層23。於是’電荷（電子）可被消滅。結果是 ，由於其可防止由於介面所產生的電荷被當暗電流而被偵 測，因此，由介面狀態所造成的暗電流可被抑制。 CCD與CMOS攝像感測器都可採用抑制暗電流的方 法，且不僅習知的頂放射式的攝像感測器可採用，背面照 明的攝像感測器也可採用（例如參考JP-A-2003 -3 3 8 6 1 5 ) 〇 關於形成HAD結構的方法’通常是穿過形成在基板 φ 上的熱氧化矽層或CVD氧化矽層以實施例如硼（B )或二 氟化硼（BF2)之雜質的離子植入以形成P +層，藉由退火 以活化被注入的雜質，接著在介面附近形成P型區。不過 ，爲了活化所摻雜的雜質，基本上要在700°C或更高的高 溫中熱處理。因此，在400t或更低的低溫製程中，很難 使用離子_入來形成電洞積聚層。在爲了阻止雜質擴散而 想要避免以高溫長時間活化的情況中，實施離子植入及退 火來形成電洞積聚層的方法並不受歡迎。 此外，當形成在感測器段之上層上的氧化矽或氮化矽 1362109 例如是以低溫電漿CVD法形成時，相較於光接收面與在 高溫所形成之層之間的介面，其介面狀態下降。介面狀態 降低會使暗電流增加。 如前所述，在想要避免離子植入及在高溫中退火處理 的情況中，不僅無法藉由習知的離子植入來形成電洞積聚 層，反而會使暗電流更爲增加。爲解決此問題，變得必須 以不是根據相關技術之離子植入的另一方法來形成電洞積 聚層。 如在感測器段之上層上形成具有負固定電荷之層的例 子。在此方法中，電洞積聚層係藉由具有負固定電荷之層 所造成之電場而形成在感測器段之光接收面之一側的介面 上。於是，從該介面所產生的電荷（電子）被抑制。此外 ，即使從該介面產生電荷（電子），該等電荷（電子）也 不流到在感測器段中做爲勢井的電洞積聚部，而是流到其 中存在有很多電洞的電洞積聚層。結果是，電荷（電子） 可被消滅。因此，由於其可防止感測器段偵測到介面上之 電荷所產生的暗電流，因此，介面狀態所導致的暗電流被 抑制。因此，藉由使用具有負固定電荷的層，不用離子植 入與退火也能形成HAD結構。具有負固定電荷的層例如 可用氧化鈴（Hf02 )來形成。 不過，如前所述，當將光接收面上形成有負固定電荷 層的結構應到背面照明的C C D或C Μ Ο S攝像感測器時， 例如圖1 〇所示，要在感測器段1 2的整個光接收面1 2s上 形成具有負固定電荷的層22。因此，電洞積聚層23 (P + -6- 1362109 層）不僅形成在基板上需要形成HAD的像素區域中，也 形成在周邊電路段14上之半導體基板11的表面上。 例如，當周邊電路段14中出現井區、擴散層、電路 、及類似物（如圖中例所示的擴散層1 5 )時，以致在半 導體基板11的背側產生負電位，具有正電荷的電洞流到 負電位而被擴散。於是，由於正電荷的流動而無法獲得到 所想要的負電位，且所輸出的電位從設計値朝向正側偏移 。結果是，對於使用該電位之感測器段的施加電壓有不利 影響，造成像素特性改變的問題。 【發明內容】 所要解決的問題是由於無法獲得到所想要的負電位及 周邊電路段輸出的電位從設計値朝向正電位側偏移，對使 用該電位之感測器段的施加電壓有不利影響，造成像素特 性改變。 鑑於上述問題，吾人想要藉由消除周邊電路段中具有_ 倉^_定電荷之層的影響，以介.許周邊電路段正常I作-。 按照本發明的第一實施例，固態攝像裝置包括：爲了 將入射光轉換成電信號而形成在半導體基板中的複數個感 測器段；形成在該半導體基板中的周邊電路段，以便置於 該感測器段旁；以及爲了在該感測器段的光接收表面上形 成電洞積聚層，而形成在該感測器段之光入射側之具有負 固定電荷的層。N型雜質區，形成在該周邊電路段與具有 負固定電荷的該層之間。 1362109 在按照本發明第一實施例的固態攝像裝置中，由於N 型雜質區係形成在該周邊電路段與具有負固定電荷的該層 ‘ 之間，因此，N型雜質區阻止了半導體基板之介面上所產 * 生之電洞的移動。因此，由於其阻止了該電洞移動進入到 該周邊電路段，因此，形成在該周邊電路段中以便產生負 電位之井區、擴散層、電路及類似物之電位的改變被抑制 〇 φ 按照本發明的第二實施例，固態攝像裝置包括：爲了 將入射光轉換成電信號而形成在半導體基板中的複數個感 測器段：形成在該半導體基板中的周邊電路段，以便置於 該感測器段旁；以及爲了在該感測器段的光接收表面上形 成電洞積聚層，而形成在該感測器段之光入射側之具有負 固定電荷的層。 在按照本發明第二實施例的固態攝像裝置中，由於在 該感測器段之該光接收面上形成該電洞積聚層之具有負固 φ 定電荷的該層係形成在該感測器段的該光入射側上，因此 ，在該周邊電路段中並未形成具有負固定電荷的該層。因 此，由於具有負固定電荷之該層所產生的該電洞積聚層未 形成在該周邊電路段中，因此，電洞不會在該周邊電路段 中積聚，且由於電洞不會移動進入該周邊電路段，因此， 形成在該周邊電路段中以便產生負電位之井區、擴散層、 電路及類似物之電位的改變不會發生。 按照本發明的第三實施例，一製造固態攝像裝置方法 ，該固態攝像裝置具有：爲了將入射光轉換成電信號而形 -8- 1362109 成在半導體基板中的複數個感測器段，形成在該半導體基 板中的周邊電路段，以便置於該感測器段旁，以及爲了在 該感測器段之光接收表面上形成電洞積聚層而形成在該感 測器段之光入射側之具有負固定電荷的層，該方法的步驟 包含：在該周邊電路段與具有負固定電荷的該層之間形成 N型雜質區。 在按照本發明第三實施例的固態攝像裝置中，由於N 型雜質區係形成在該周邊電路段與具有負固定電荷的該層 之間，因此，N型雜質區阻止了半導體基板之介面上所產 生之電洞的移動。因此，由於其阻止了該電洞移動進入到 該周邊電路段，因此，形成在該周邊電路段中以便產生負 電位之井區、擴散層、電路及類似物之電位的改變被抑制 〇 按照本發明的第四實施例，一製造固態攝像裝置方法 ，該固態攝像裝置具有：爲了將入射光轉換成電信號而形 成在半導體基板中的複數個感測器段，形成在該半導體基 板中的周邊電路段，以便置於該感測器段旁，以及爲了在 該感測器段之光接收表面上形成電洞積聚層而形成在該感 測器段之光入射側之具有負固定電荷的層，該方法的步驟 包含：形成具有負固定電荷的該層；以及去除該周邊電路 段上之具有負固定電荷的該層。 在按照本發明第四實施例的方法中，由於在該感測器 段之該光接收面上形成該電洞積聚層之具有負固定電荷的 該層係形成在該感測器段的該光入射側上，因此，在該周 -9- 1362109 邊電路段中並未形成具有負固定電荷的該層。因此，由於 具有負固定電荷之該層所產生的該電洞積聚層未形成在該 周邊電路段中，因此，電洞不會在該周邊電路段中積聚， 且由於電洞不會移動進入該周邊電路段，因此，形成在該 周邊電路段中以便產生負電位之井區、擴散層、電路及類 似物之電位的改變不會發生。 按照本發明的第五實施例，一攝像設備包括：聚光光 學段，其聚集入射光；固態攝像裝置，其接收該聚光光學 段所聚集的光，並實施該所接收之光的光電轉換；以及信 號處理段，其處理被光電轉換的信號。該固態攝像裝置包 括：爲了將入射光轉換成電信號而形成在半導體基板中的 複數個感測器段；形成在該半導體基板中的周邊電路段， 以便置於該感測器段旁；以及爲了在該感測器段的光接收 表面上形成電洞積聚層而形成在該感測器段之光入射側之 具有負固定電荷的層。N型雜質區，形成在該周邊電路段 與具有負固定電荷的該層之間。 在按照本發明第五實施例的攝像設備中，使用按照本 發明之實施例的固態攝像裝置。因此，即使在該感測器段 之該光接收面上形成用來形成電洞積聚層之具有負固定電 荷的該層，所使用的該固態攝像裝置有能力抑制形成在該 周邊電路段中用來產生負電位之井區、擴散層、電路及類 似物之電位的改變。 按照本發明的第六實施例，一攝像設備包括：聚光光 學段，其聚集入射光；固態攝像裝置，其接收該聚光光學 -10- 1362109 段所聚集的光，並實施該所接收之光的光電轉換；以及信 號處理段，其處理被光電轉換的信號。該固態攝像裝置包 ' 括：爲了將入射光轉換成電信號而形成在半導體基板中的 • 複數個感測器段；形成在該半導體基板中的周邊電路段， 以便置於該感測器段旁；以及爲了在該感測器段的光接收 表面上形成電洞積聚層而形成在該感測器段之光入射側之 具有負固定電荷的層。 φ 在按照本發明第六實施例的攝像設備中，使用按照本 發明之實施例的固態攝像裝置。因此，即使使用在該感測 器段之該光接收面上形成用來形成電洞積聚層之具有負固 定電荷的該層，該固態攝像裝置形成在該周邊電路段中用 來產生負電位之井區、擴散層、電路及類似物之電位的改 變 。 在按照本發明之第一實施例的固態攝像裝置中，N型 雜質區係形成在該周邊電路段之電路與具有負固定電荷的 φ 該層之間。於是，由於其阻止了該半導體基板之該介面上 所產生的電洞移動進入到該周邊電路段，因此，所具之優 點係形成在周邊電路段中之電路的電位改變可被抑制。結 果是，藉由形成在感測器段之光接收面上之具有負固定電 荷之該層所產生的電洞積聚層可減少感測器段的暗電流， 且不會造成該周邊電路段之電位的變動。 在按照本發明之第二實施例的固態攝像裝置中，在該 周邊電路段中不形成具有負固定電荷的該層。於是，由於 其可防止周邊電路段之半導體基板的介面上產生電洞，因 -11 - 1362109 此，所具之優點係形成在該周邊電路段中之電路的電位不 會發生改變。結果是，藉由形成在感測器段之光接收面上 之具有負固定電荷之該層所產生的電洞積聚層，可減少感 測器段的暗電流，且不會造成該周邊電路段之電位的變動 〇 在按照本發明第三實施例之製造固態攝像裝置的方法 ，N型雜質區係形成在該周邊電路段之電路與具有負固定 電荷的該層之間。於是，由於其阻止了該半導體基板之該 介面上所產生的電洞移動進入到該周邊電路段，因此，所 具之優點係形成在周邊電路段中之電路的電位改變可被抑 制。結果是，藉由形成在感測器段之光接收面上之具有負 固定電荷之該層所產生的電洞積聚層，可減少感測器段的 暗電流，且不會造成該周邊電路段之電位的變動。 在按照本發明第四實施例之製造固態攝像裝置的方法 ，在該周邊電路段中不形成具有負固定電荷的該層。於是 ，由於其可防止周邊電路段之半導體基板的介面上產生電 洞，因此，所具之優點係形成在該周邊電路段中之電路的 電位不會發生改變。結果是，藉由形成在感測器段之光接 收面上之具有負固定電荷之該層所產生的電洞積聚層，可 減少感測器段的暗電流，且不會造成該周邊電路段之電位 的變動。 在按照本發明第五及第六實施例的攝像設備中，使用 按照本發明之實施例之能夠減少該感測器段之暗電流，且 不影響該周邊電路段之電位的該固態攝像裝置做爲攝像裝 -12- 1362109 置。因此，所具之優點係可記錄高品質的影像。 【實施方式】 現將參考說明槪略結構之圖1的橫剖面視圖 照本發明之實施例（第一例）的固態攝像裝置。 如圖1所示，固態攝像裝置1包括在半導體 半導體層）11內實施入射光之光電轉換的感測· 在感測器段12的一側段上設置其中形成有井區 、電路及類似物（如圖中之例所示的擴散層1 5 電路段14，且像素分隔區13插置於其間。以下 導體基板11來做解釋。在感測器段（包括將在 的電洞積聚層23) 12的光接收面12s上，形成 降低層2 1。介面狀態降低層21例如是由二氧化 )所形成。在介面狀態降低層21上形成具有負 的層22。因此，在感測器段12之光接收面12s 成了電洞積聚層23。因此，至少在感測器段12 成之介面狀態降低層21的膜厚，即是藉由具有 荷之層22在感測器段1 2之光接收面1 2s之一側 電洞積聚層23的厚度。例如，該膜厚設定爲等 —個原子層且等於或小於lOOnm» 在當固態攝像裝置1爲CMOS攝像感測器時 ’例如，設置被組構來包括電晶體（諸如傳輸電 置電晶體、放大電晶體、及選擇電晶體）的像素 周邊電路段14。此外，還包括實施由複數個感'1 來描述按 基板（或 !段 12。 、擴散層 )的周邊 將使用半 稍後描述 介面狀態 矽（Si02 固定電荷 的一側形 上，所形 負固定電 所形成之 於或大於 的情況中 晶體、重 電路做爲 J器段12 -13- 1362109 所形成之像素陣列段之讀取線上讀取信號之操作的驅動電 路、傳送所讀取之信號的垂直掃瞄電路、移位暫存器或位 * 址解碼器、水平掃瞄電路及類似物。 • 此外，在當固態攝像裝置1爲CCD攝像感測器時的 情況中，例如，設置讀取藉由感測器段12所光電轉換之 信號電荷給垂直傳輸閘的讀取閘，及在垂直方向傳送所讀 取之信號電荷的垂直電荷傳輸段做爲周邊電路段14。此 φ 外，也包括水平電荷傳輸段及類似電路。 此外，在半導體基板1 1之光入射側的相反側上，形 成有包括接線51之佈線層53，接線51係設置於複數層 之上；以及用來在接線51之各層之間及在每一層的接線 5 1之間形成絕緣的絕緣層52 ^ 具有負固定電荷的層22例如是由氧化給（Hf02)層 、氧化鋁（Al2〇3 )層、氧化锆（Zr02 )層、氧化鉬（ Ta205 )層、或氧化鈦（Ti02 )層所形成。這類層已用來 φ 做爲隔離之場效電晶體及類似物的閘極絕緣層。因此，由 於層的形成方法爲習知，故該等層可以很容易地被形成。 形成該層之方法的例子包括化學氣相沈積法、濺鍍法、及 原子層沈積法。在此，以使用原子層沈積法爲較佳，因爲 其可在膜形成期間同時形成厚度1 nm之降低介面狀態的 Si02層。此外，除了上述的那些材料之外，也可使用氧化 鑭（La203 )、氧化鐯（Pr203 )、氧化铈（Ce02 )、氧化 鈸（Nd203 )、氧化鉅（Pm2〇3 )、氧化釤（Sm203 )、氧 化銪（Eu203 )、氧化釓（Gd203 )、氧化铽（Tb203 )、 -14- 1362109 氧化鏑（Dy203 )、氧化鈥（Ho2〇3 )、氧化餌（Er203 ) 、氧化錶（Tm203 )、氧化鏡（Yb2〇3 )、氧化鐳（Lu203 ' )、氧化釔（Y2〇3 )及類似材料。此外，具有負固定電荷 • 的層22也可用氮化給層、氮化鋁層、氧氮化铪層、氧氮 化鋁層來形成。 在對絕緣特性無不利影響的範圍內，具有負固定電荷 的層22中可添加矽（Si)或氮（N)。其濃度要適當地決 φ 定在對該層之絕緣特性無不利影響的範圍內。因此，藉由 添加矽（Si)或氮（N)，變得可以提高該層的耐熱或在 處理期間防止離子植入的能力。 在半導體基板11中之周邊電路段14與具有負固定電 荷的層22之間形成N型雜質區16。N型雜質區16例如 以N型雜質來形成，諸如磷（P )及砷（As )，且例如藉 由離子植入來形成。N型雜質區的雜質剖面例如與通道阻 絕層的相同。 # 在具有負固定電荷的層22上形成絕緣層41，並在絕 緣層41上位於周邊電路段14處的上方形成遮光層42。 雖未顯示，但無光入射到感測器段12上的區域係由遮光 層42所產生，且影像中的黑位準係由感測器段12的輸出 來決定。此外，由於遮光層42阻止了光入射到周邊電路 段14上，因此，光入射在周邊電路段上所導致的特性改 變被抑制。此外，形成允許入射光從其穿透的絕緣層43 。絕緣層43的表面以平坦爲較佳。此外，在絕緣層43上 形成抗反射層（未顯示）、據色層44及聚光透鏡45。 -15 - 1362109 在按照第一實施例的固態攝像裝置1中，白 雜質區16係形成在周邊電路段14與具有負固定 • 22之間，因此，半導體基板11之介面上所產生 . 移動被N型雜質區16阻止。於是，由於其阻止 動到周邊電路段14內，因此，形成在周邊電路| 來產生負電位的井區、擴散層15、電路、及類 位的改變被抑制。結果是，感測器段1 2的暗電 φ 形成在感測器段12之光接收面12s上之具有負 之層22所產生的電洞積聚層23來予以降低，且 周邊電路段14之電位的上下變動。 接下來，將參考說明槪略結構之圖2的橫剖 描述本發明之實施例（第二例）的固態攝像裝置 如圖2所示，固態攝像裝置2包括在半導體 半導體層）11中實施入射光之光電轉換的感測署 在感測器段1 2的一側段設置周邊電路段1 4，井 φ 層、電路、及類似物（如圖中例子所示的擴散擇 插置於其間的像素分隔區13 —起形成於其中。 用半導體基板11來做解釋。在感測器段（包括 描述的電洞積聚層23) 12的光接收面12s上形 態降低層2 1。介面狀態降低層21例如由二氧化 )所形成。在介面狀態降低層21上形成具有負 的層22。因此，在感測器段12之光接收面12s 成了電洞積聚層23。因此，至少在感測器段12 狀態降低層2 1所形成的膜厚’即是具有負固定 I於N型 電荷的層 之電洞的 了電洞移 友14內用 似物之電 流可藉由 固定電荷 不會造成 面視圖來 〇 基板（或 穿段12。 區、擴散 ，15 )與 以下將使 將在稍後 成介面狀 矽（Si02 固定電荷 的一側形 上，介面 電荷之層 -16- Ϊ362109 22在感測器段12之光接收面12s之一側所形成之電洞積 聚層23的厚度。例如，該膜厚被設定爲等於或大於一個 原子層，及等於或小於lOOnm。 在當固態攝像裝置1爲CMOS攝像感測器時的情況中 ，例如，設置被組構來包括電晶體（諸如傳輸電晶體、重 置電晶體、放大電晶體、及選擇電晶體）的像素電路做爲 周邊電路段14。此外，還包括實施由複數個感測器段12 所形成之像素陣列段之讀取線上讀取信號之操作的驅動電 路、傳送所讀取之信號的垂直掃瞄電路、移位暫存器或位 址解碼器、水平掃瞄電路及類似物。 此外，在當固態攝像裝置1爲CCD攝像感測器時的 情況中，例如，設置讀取藉由感測器段12所光電轉換之 信號電荷給垂直傳輸閘的讀取閘，及在垂直方向傳送所讀 取之信號電荷的垂直電荷傳輸段做爲周邊電路段14。此 外，也包括水平電荷傳輸段及類似電路。 此外，在半導體基板1 1之光入射側的相反側上，組 構佈線層53來包括接線51，接線51係設置於複數層之 上’以及用來在接線51之各層之間及在每一層的接線51 之間形成絕緣的絕緣層52。 具有負固定電荷的層22例如是由氧化飴（Hf02)層 、氧化鋁（Al2〇3 )層、氧化銷（Zr02 )層、氧化钽（ Ta205)層、或氧化駄（Ti〇2)層所形成。這類層已用來 做爲隔離之場效電晶體及類似物的閘極絕緣層。因此，由 於層的形成方法爲習知，故該等層可以很容易地被形成。 -17- 1362109 形成該層之方法的例子包括化學氣相沈積法、濺鍍法、及 原子層沈積法。在此，以使用原子層沈積法爲較佳，因爲 可在膜形成期間同時形成厚度1 nm之降低介面狀態的 Si 02層。此外’除了上述的那些材料之外，也可使用氧化 鑭（La203 )、氧化鐯（Pr203 )、氧化鈽（Ce02 )、氧化 銨（Nd203)、氧化鉅（Pm203)、氧化釤（Sm203)、氧 化銪（Eu203 )、氧化釓（Gd203 )、氧化铽（Tb203 )、 氧化鏑（Dy203 )、氧化鈥（Ho2〇3 )、氧化餌（Er203 ) 、氧化錶（Tm203 )、氧化鏡（Yb2〇3 )、氧化餾（Lu203 )、氧化釔（Y2〇3 )及類似材料。此外，具有負固定電荷 的層22也可用氮化鈴層、氮化鋁層、氧氮化給層、氧氮 化鋁層來形成。 在對絕緣特性無不利影響的範圍內，具有負固定電荷 的層22中可添加矽（Si)或氮（Ν)。其濃度要適當地決 定在對該層之絕緣特性無不利影響的範圍內。因此，藉由 添加矽（Si)或氮（N)，變得可以提高該層的耐熱或在 處理期間防止離子植入的能力。 具有負固定電荷的層22僅形成在感測器段12上，使 得電洞積聚層23被形成在感測器段12的光接收面12s， 而不形成在周邊電路段1 4上（光入射側）。 在具有負固定電荷的層22上形成絕緣層41，並在位 於周邊電路段14上方之絕緣層41上形成遮光層42»雖 未顯示，但無光入射到感測器段i 2上的區域係由遮光層 42所產生，且影像中的黑位準係由感測器段1 2的輸出來 -18- 14 1362109 決定。此外，由於遮光層42阻止光入射到周邊電路段 上，因此，光入射在周邊電路段上所導致的特性改變被 制。此外，形成允許入射光從其傳送的絕緣層43。絕 層43的表面以平坦爲較佳。此外，在絕緣層43上形成 反射層（未顯示）、濾色層44及聚光透鏡45。 在按照第二例的固態攝像裝置2中，由於形成電洞 聚層23之具有負固定電荷的層22係形成在感測器段 的光接收面12s上，因此，在周邊電路段14中並未形 有具有負固定電荷的層22»因此，由於藉由具有負固 電荷之層22所產生的電洞積聚層23並未形成在周邊電 段14內，且因此形成在周邊電路段14內用來產生負電 的井區、擴散層15、電路、及類似物之電位的改變不 發生。結果是，感測器段1 2的暗電流可藉由形成在感 器段12之光接收面12s上之具有負固定電荷之層22所 生的電洞積聚層23來予以降低，且不會造成周邊電路 14之電位的上下變動。 此外，在第一與第二例中，在形成了具有負固定電 的層22之後，藉由存在於該層中的負固定電荷，介面 鄰近區域可被用來做爲電洞積聚層23。因此，由感測 段1 2與介面狀態降低層2 1間之介面上之介面狀態所產 的暗電流被抑制。亦即，從介面所產生的電荷（電子） 抑制。此外，即使從該介面產生了電荷（電子），該電 (電子）也不會流到在感測器段1 2中做爲勢井的電荷 聚部，而是流到其中存在有許多電洞的電洞積聚層23 抑 緣 抗 積 12 成 定 路 位 會 測 產 段 荷 的 器 生 被 荷 積 -19- 1362109 且電荷（電子）可因此而被消除。因此，由於其可防止介 面上之電荷所產生的暗電流被感測器段1 2偵測到，因此 * ，該介面狀態所導致的暗電流被抑制。此外，由於在感測 • 器段12之光接收面12s上形成有介面狀態降低層21，因 此，進一步抑制了由於介面狀態導致電子的產生。結果是 ，其抑制了由於介面狀態所產生的電子成爲流到感測器段 12的暗電流。 φ 在以上的每一例中，已解釋了背面照明的固態攝像裝 置，其包括複數個像素段，其每一個像素段都具有用來將 入射光轉換成電信號的感測器段12，以及設置於半導體 基板11表面上，與像素段一同形成的佈線層53，感測器 段1 2接收從佈線層5 3面之背面側入射的光。本發明之實 施例的組構也可應用於頂部發射式的固態攝像裝置，其中 入射光是從形成有佈線層及類似物的一側入射到感測器段 上。 φ 接下來，將參考說明主要部分之圖3A至4之製程的 橫剖面視圖來描述製造按照本發明之實施例（第一例）之 固態攝像裝置的方法。圖3A至4顯示固態攝像裝置1之 製程的例子。 如圖3A所示，在半導體基板（或半導體層）11中形 成實施入射光之光電轉換的感測器段1 2、用來分隔感測 器段12的像素隔離區13、以及周邊電路段14，其中井區 、擴散層、電路、及類似物（如圖之例中所示的擴散層 1 5 )與插置於周邊電路段1 4與感測器段1 2之間的像素隔 -20- 1362109 離區13 —起形成。接著，在半導體基板11之光入射側之 相反側上形成佈線層53，佈線層53被組構來包括設置於 * 複數個層上的接線51，以及用來在接線51之各層之間與 ' 每一層之各接線51之間絕緣的絕緣層52。用來製造上述 結構的製造方法爲習知的製造方法。 接著，在感測器段12之光接收面12s上形成介面狀 態降低層21，實際上是形成在半導體基板11上。介面狀 φ 態降低層21例如是以氧化矽（Si02 )層來形成。接著， 在介面狀態降低層21上形成具有負固定電荷的層22。因 此，在感測器段12的光接收面側形成電洞積聚層23。因 此，至少在感測器段1 2上，所需形成之介面狀態降低層 21的膜厚，即是藉由具有負固定電荷的層22在感測器段 12之光接收面12s之一側所形成之電洞積聚層23的厚度 。例如，該膜厚被設定爲等於或大於一個原子層，及等於 或小於1 0 0 n m 〇 # 具有負固定電荷的層22例如是由氧化給（Hf02 )層 、氧化IS (AI2O3)層、氧化銷（Zr〇2)層、氧化鉬（ Ta205 )層、或氧化鈦（Ti02 )層所形成。這類層已用來 做爲隔離之場效電晶體及類似物的閘極絕緣層。因此，由 於層的形成方法爲習知，故該等層可以很容易地被形成。 形成該層之方法的例子包括化學氣相沈積法、濺鍍法、及 原子層沈積法。在此，以使用原子層沈積法爲較佳，因爲 可在膜形成期間同時形成厚度1 nm之降低介面狀態的 S i Ο 2 層0 -21 - 1362109 此外’除了上述的那些材料之外，也可使用氧化鑭（ La203 )、氧化鐯（Pr2〇3)、氧化鈽（Ce〇2)、氧化鈸（ Nd203 )、氧化鉅（Pm2〇3 )、氧化釤（Sm2〇3 )、氧化銪 . (Eu203 )、氧化釓（Gd2〇3 )、氧化铽（Tb203 )、氧化 鏑（Dy203 )、氧化鈥（Ho2〇3 )、氧化餌（Er203 )、氧 化錶（Tm2〇3 )、氧化鏡（Yb203 )、氧化鐳（Lu203 )、 氧化釔（Y2〇3 )及類似材料。此外，具有負固定電荷的層 φ 22也可用氮化耠層、氮化鋁層、氧氮化給層、氧氮化鋁 層來形成。這些層例如可使用化學氣相沈積法、濺鍍法、 或原子層沈積法來形成。 此外，在對絕緣特性無不利影響的範圍內，具有負固 定電荷的層22中可添加矽（Si)或氮（Ν)。其濃度要適 當地決定在對該層之絕緣特性無不利影響的範圍內。因此 ，藉由添加矽（Si)或氮（N)，變得可以提高該層的耐 熱或在處理期間防止離子植入的能力。 φ 接著，如圖3B所示，藉由將N型雜質注入周邊電路 段14與具有負固定電荷之層22之間的半導體基板11內 以形成N型雜質區16。關於製造N型雜質區16之方法的 特定例，在具有負固定電荷的層22上形成光阻層61，並 接著藉由使用微影技術在周邊電路段14上的光阻層61中 形成開孔62。之後，使用光阻層61做爲離子植入的遮罩 ，藉由在周邊電路段14上實施N型雜質進入到之半導體 基板11內的離子植入，以在周邊電路段14與具有負固定 電荷之層22之間的半導體基板11內形成N型雜質區16 -22- 1362109 由於N型雜質區16例如具有與通道止擋層相同的雜 * 質剖面，因此，N型雜質區16阻止了半導體基板11之介 • 面上所產生的電洞移動進入到半導體基板11，抑制了形 成在半導體基板11內之井區（未顯示）之電位或擴散層 15之電位的改變。接著，將光阻層61去除。 接著，如圖3C所示，在具有負固定電荷的層22上形 φ 成絕緣層41，並接著在絕緣層41上形成遮光層42。絕緣 層41例如是由氧化矽層形成》此外，遮光層42例如是由 具有遮光特性的金屬層形成。因此，遮光層42之金屬與 由氧化給層所形成之具有負固定電荷之層22的反應，例 如可藉由在具有負固定電荷之層22上形成遮光層42，以 絕緣層41插置於其間來予以防止。此外，由於絕緣層41 可做爲蝕刻遮光層之時的飩刻止擋層，因此’可防止蝕刻 對於具有負固定電荷的層22造成損壞。 φ 雖然未顯示，感測器段12上無光入射的區域係由遮 光層42所產生，且影像中的黑位準是由感測器段12的輸 出來決定。此外，由於遮光層42防止光入射在周邊電路 段14上，因此，光入射在周邊電路段上所造成的特性改 變被抑制。 接著，如圖4所示’在絕緣層41上形成絕緣層43’ 以縮小遮光層42所造成的水平差異。絕緣層43例如以被 覆絕緣層來形成，且表面以平坦爲較佳。 接著，在絕緣層43上位於感測器段1 2上方的位置形 -23- 1362109 成抗反射層（未顯示）及濾色層44，並接著以習知的製 造技術在濾色層44上形成聚光透鏡45。在此情況，爲了 防止在透鏡製程之時，對濾色層44的加工損壞，可在濾 色層44與聚光透鏡45之間形成透光絕緣層（未顯示）。 因此，固態攝像裝置1被形成。 在製造固態攝像裝置之方法的第一例（第一製造方法 )中，由於周邊電路段14與具有負固定電荷的層22之間 形成有N型雜質區16，因此，N型雜質區16阻止了半導 體基板11之介面上所產生之電洞的移動。因此，由於其 阻止了電洞移動進入到周邊電路段14，因此，形成在周 邊電路段14中之井區、擴散層15、電路、及類似物等之 電位的改變被抑制。結果是，周邊電路段14內可獲得到 所想要的負電位。 結果是，感測器段1 2的暗電流可藉由形成在感測器 段12之光接收面12s上之具有負固定電荷之層22所產生 的電洞積聚層23而降低，且不會造成周邊電路段14之電 位的變動。亦即，由於形成了電洞積聚層23，從介面所 產生的電荷（電子）被抑制。即使從介面產生了電荷（電 子），該電荷（電子）也不會流入到在感測器段12內做 爲勢井的電荷積聚部，而是流到其中存在有許多電洞的電 洞積聚層23。結果是，電荷（電子）可被消除。因此， 由於其可防止介面上之電荷所產生的暗電流在感測器段 1 2中被偵測到，因此，介面狀態所導致的暗電流被抑制 。此外，由於在感測器段12之光接收面上形成有介面狀 -24- 1362109 態降低層2 1，因此，由於介面狀態所產生的電子被進一 步抑制。結果是，其抑制了由於介面狀態所產生的電子成 爲流到感測器段1 2的暗電流。 N型雜質區16可在形成具有負固定電荷的層22之前 形成，或如前述，在具有負固定電荷的層22形成之後形 成。 例如，如圖5A所示，在形成介面狀態降低層21 (未 顯示）之前，藉由使用具有以前述相同方法設置在周邊電 路段14上之開孔64的光阻層63，在半導體基板11上形 成離子植入所用的遮罩，並接著使用離子植入法將N型 雜質區16形成在周邊電路段14上的半導體基板11內。 接著，雖未顯示，在移除光阻層63之後，陸續形成介面 狀態降低層21與具有負固定電荷的層22。 在此情況中，由P離子被植入到半導體基板11內， 因此，半導體基板11中可能發生離子植入損壞。不過， 由於半導體基板11中形成有N型雜質區16的部分並非 形成井區、擴散層、及類似物的區域，因此，即使發生離 子植入損壞，亦無實際上的損害。 或者，例如，如圖5 B所示，在形成介面狀態降低層 21 (未顯示）之後，藉由使用具有以前述相同方法設置在 周邊電路段14上之開孔66的光阻層65，在半導體基板 11上形成離子植入所用的遮罩，並接著使用離子植入法 將N型雜質區16形成在周邊電路段14上的半導體基板 11內。接著，雖未顯示，在移除光阻層65之後，陸續形 -25- 1362109 成介面狀態降低層21與具有負固定電荷的層22。 在此情況中，由於在離子植入時有介面狀態降低層 ' 21做爲緩衝層，因此可減輕離子植入對半導體基板11的 . 損害。 因此，N型雜質區16也可在形成具有負固定電荷的 層22之前形成。 接下來，將參考說明主要部分之圖6A至7B之製程 φ ' 的橫剖面視圖來描述製造按照本發明之實施例（第二例） 之固態攝像裝置的方法。圖6A至7B顯示固態攝像裝置2 之製程的例子。 如圖6A所示，在半導體基板（或半導體層）11中形 成實施入射光之光電轉換的感測器段1 2、用來分隔感測 器段12的像素隔離區13、及周邊電路段14，其中井區、 擴散層、電路、及類似物（如圖示例中所示的擴散層15 )與插置於周邊電路段1 4與感測器段1 2之間的像素隔離 # 區13 —起形成。接著，在半導體基板11之光入射側之相 反側上形成佈線層53，佈線層53被組構來包括設置於複 數個層上的接線51，以及用來在接線51之各層之間與每 一層之各接線51之間絕緣的絕緣層52。用來製造上述結 構的製造方法爲習知的製造方法。 接著，在感測器段12之光接收面12s上形成介面狀 態降低層21，實際上是形成在半導體基板11上。介面狀 態降低層2 1例如是以氧化矽（Si02 )層來形成。接著， 在介面狀態降低層21上形成具有負固定電荷的層22。因 -26- 1362109 此，在感測器段12之光接收面12s的一側形成電洞積聚 層23»因此，至少在感測器段12上，所需形成之介面狀 ’ 態降低層21的膜厚，即是藉由具有負固定電荷的層22在 • 感測器段12之光接收面12s之一側所形成之電洞積聚層 23的厚度。例如，該膜厚被設定爲等於或大於一個原子 層，及等於或小於l〇〇nm。 具有負固定電荷的層22例如是由氧化給（Hf02 )層 φ 、氧化鋁（Al2〇3 )層、氧化錆（Zr〇2 )層、氧化钽（ Ta205 )層、或氧化鈦（Ti02 )層所形成。這類層已用來 做爲隔離之場效電晶體及類似物的閛極絕緣層。因此，由 於層的形成方法爲習知，故該等層可以很容易地被形成。 形成該層之方法的例子包括化學氣相沈積法、濺鍍法、及 原子層沈積法。在此，以使用原子層沈積法爲較佳，因爲 可在膜形成期間同時形成厚度lnm之降低介面狀態的 S i Ο 2 層。 # 此外’除了上述的那些材料之外，也可使用氧化鑭（ La2〇3)、氧化鐯（Pr2〇3)、氧化姉（Ce〇2)、氧化銳（ Nd203 )、氧化鉅（pm2〇3 )、氧化釤（Sm2〇3 )、氧化銪 (Eu203 )、氧化釓（Gd203 )、氧化铽（Tb203 )、氧化 鏑（Dy203 )、氧化鈥（h〇2〇3 )、氧化餌（Er203 )、氧 化铥（Tm203 )、氧化鏡（Yb2〇3 )、氧化鍇（Lu203 )、 氧化釔（Y2〇3)及類似材料。此外，具有負固定電荷的層 22也可用氮化耠層、氮化鋁層、氧氮化給層、氧氮化鋁 層來形成。這些層例如可使用化學氣相沈積法、濺鍍法、 -27- 1362109 或原子層沈積法來形成。 此外，在對絕緣特性無不利影響的範圍內，具有負固 * 定電荷的層22中可添加矽（Si)或氮（N)。其濃度要適 • 當地決定在對該層之絕緣特性無不利影響的範圍內》因此 ，藉由添加矽（Si)或氮（N)，變得可以提高該層的耐 熱或在處理期間防止離子植入的能力。 接著，如圖6B所示，在具有負固定電荷的層22上形 φ 成光阻層67,並接著使用微影技術去除周邊電路段14上 的光阻層6 7。 接著，如圖6C所示，藉由使用光阻層67 (參考圖 6B)做爲蝕刻遮罩，去除周邊電路段14上之具有負固定 電荷的層22。 在使用乾蝕刻來去除具有負固定電荷的層22的情況 中，乾蝕刻所用的光阻層係使用光阻層67。此外，關於 乾蝕刻，例如使用氬氣與六氟化硫（SF6 )做爲蝕刻氣體 φ 。在具有負固定電荷的層22的情況中，可以使用以上的 蝕刻氣體來蝕刻。此外，用來蝕刻其它金屬氧化物的飩刻 氣體也可用來實施乾蝕刻。接著，去除光阻層67。 在以上的乾蝕刻中，由於在具有負固定電荷之層22 的基礎上形成有氧化矽層的介面狀態降低層21’因此’ 半導體基板11並未被離子直接撞擊。因此’蝕刻對半導 體基板1 1的損害降低。 在使用濕蝕刻來去除具有負固定電荷之層22的情況 中，濕蝕刻所用的光阻層係使用光阻層67。此外’關於 -28- 1362109 濕蝕刻，例如可使用氟酸及氟化銨做爲蝕刻液。在具有負 固定電荷之層22的情況中，可以使用上述的蝕刻液來蝕 * 刻。此外，也可使用蝕刻其它金屬氧化物的蝕刻液來實施 • 很好的蝕刻。接著，去除光阻層67。 在以上的濕蝕刻中，由於在具有負固定電荷之層22 的基礎上形成有氧化矽層的介面狀態降低層21，因此， 蝕刻液從周邊段到像素區的滲透作用被抑制。 φ 接著，如圖7A所示，在具有負固定電荷的層22上 形成絕緣層41，並接著在絕緣層41上形成遮光層42»絕 緣層4 1例如是以氧化矽層來形成。此外，遮光層42例如 是以具有遮光特性的金屬層來形成。因此，遮光層42之 金屬與由氧化給層所形成之具有負固定電荷之層22的反 應，例如可藉由在具有負固定電荷之層22上形成遮光層 42，以絕緣層4 1插置於其間來予以防止。此外，由於絕 緣層41可做爲蝕刻遮光層之時的蝕刻止擋層，因此，可 φ 防止蝕刻對於具有負固定電荷的層22造成損壞。 雖然未顯示，感測器段12上無光入射的區域係由遮 光層42所產生，且影像中的黑位準是由感測器段12的輸 出來決定。此外，由於遮光層42防止光入射在周邊電路 段14上，因此，光入射在周邊電路段上所造成的特性改 變被抑制。 接著，如圖7B所示，在絕緣層41上形成絕緣層43 ，以縮小遮光層42所造成的水平差異。絕緣層43例如以 被覆絕緣層來形成且表面以平坦爲較佳。 -29- 1362109 接著，在絕緣層43上位於感測器段12上方的位置形 成抗反射層（未顯示）及濾色層44’並接著以習知的製 造技術在濾色層44上形成聚光透鏡45。在此情況，爲了 防止在透鏡製程之時對濾色層44的機械損壞，可在濾色 層44與聚光透鏡45之間形成光傳送隔離層（未顯示）。 固態攝像裝置1因此被形成。 在製造固態攝像裝置之方法的第二例中，由於周邊電 路段14上之具有負固定電荷的層22被移除，因此，具有 負固定電荷的層22並未形成在周邊電路段14上。因此， 由於藉由具有負固定電荷之層22所產生的電洞積聚層23 未形成於周邊電路段14中，因此，電洞不會積聚在周邊 電路段14中，且由於電洞不會移動到周邊電路段14內， 因此，形成在周邊電路段14中用來產生負電位之井區、 擴散層15、電路、及類似物之電位的改變不會發生。 結果是，藉由形成在感測器段12之光接收面12s上 具有負固定電荷之層22所產生的電洞積聚層23，感測器 段12的暗電流可被降低，且不會造成周邊電路段14之電 位的變動。亦即，由於形成了電洞積聚層23，從介面所 產生的電荷（電子）被抑制。即使從介面產生了電荷（電 子），該電荷（電子）也不會流入到在感測器段12內做 爲勢井的電荷積聚部，而是流到其中存在有許多電洞的電 洞積聚層23。結果是，電荷（電子）可被消除。因此， 由於其可防止介面上之電荷所產生的暗電流在感測器段 1 2中被偵測到，因此，介面狀態所導致的暗電流被抑制 -30- 1362109 。此外，由於在感測器段12之光接收面上形成有介面狀 態降低層21，因此，由於介面狀態所產生的電子被進一 ' 步抑制。結果是，其抑制了由於介面狀態所產生的電子成 • 爲流到感測器段1 2的暗電流。 在以上各例的每一個固態攝像裝置1與2中包括複數 個像素段，其每一個像素段都具有用來將入射光轉換成電 信號的感測器段，以及設置於半導體基板之表面上，與像 φ 素段一起形成的佈線層，且可應用於其結構爲每一個感測 器段係接收從其上形成有佈線層之面之背面側入射之光的 背面照明式固態攝像裝置。不用說，每一個固態攝像裝置 1與2也可應用於頂部發射型的固態攝像裝置，其中佈線 層係形成在光接收面側上，且藉由將入射在光接收段上之 入射光的光學路徑設定爲不形成佈線層的區域，而使得入 射在光接收段上的入射光不被阻擋。 接下來，將參考圖8的方塊圖來描述按照本發明之實 • 施例（例子）攝像設備。攝像設備的例子包括視訊攝影機 、數位相機、及行動電話的攝影機。 如圖8所示，攝像設備100包括設置在攝像段101中 的固態攝像裝置（未顯示）。將影像成像的攝像光學系統 102設置在攝像段1〇1的聚光側。具有用來驅動攝像段 101之驅動電路、用來將在固態攝像裝置中被光電轉換之 影像處理成影像的信號處理電路、及類似電路的信號處理 段103連接到攝像段1〇1。此外，藉由信號處理段所處理 的影像信號可儲存在影像儲存段（未顯示）中。在攝像設 -31 - 1362109 備100中，可使用以上實施例所描述的固態攝像裝置1至 2做爲固態攝像裝置。 在按照本發明之實施例的攝像設備1〇〇中，按照本發 明之實施例的固態攝像裝置1或2，有能力降低感測器段 的暗電流，且不會改變周邊電路段的電位，其有利於記錄 高品質的影像。 此外，按照本發明之實施例的攝像設備1 00，並不限 於具有上述結構，而可應用於具有各種類型之結構的攝像 設備，只要是使用固態攝像裝置的攝像設備即可。 此外，固態攝像裝置1或2可形成爲單晶片型的裝置 或模組式的裝置，其中，攝像段與信號處理段或光學系統 被全體地包裝且具有攝像功能。此外，本發明不僅可應用 於固態攝像裝置，也可應用於攝像設備。在此情況中，在 攝像設備中可獲得到增進影像品質的效果。在此，攝像設 備例如意指攝影機或是具有攝像功能的可攜式設備。此外 ’就廣義來說’“攝像”不僅包括攝影機正常拍照時之影像 的成像，還包括指紋及類似物的偵測。 熟悉此方面技術之人士須瞭解，只要在所附申請專利 範圍或其相等物的範圍之內’視設計需求及其它因素而定 ，各種的修改、組合、次組合及替代都可能出現。 【圖式簡單說明】 圖1係說明按照本發明之實施例（第一例）之固態攝 像裝置之槪略結構的橫剖面視圖； -32- 1362109 圖2係說明按照本發明之實施例（第二例）之固態攝 像裝置之槪略結構的橫剖面視圖： • 圖3A至3C係說明製造按照本發明之實施例（第— • 例）之固態攝像裝置之方法的橫剖面視圖； 圖4係說明製造按照本發明之實施例（第—例）之固 態攝像裝置之方法之製程的橫剖面視圖； 圖5A及5B爲修改按照本發明第一例之製造方法之 φ 製程的橫剖面視圖； 圖6A至6C係說明製造按照本發明之實施例（第二 例）之固態攝像裝置之方法之製程的橫剖面視圖； 圖7A及7B係說明製造按照本發明之實施例（第二 例）之方法之製程的橫剖面視圖： 圖8的方塊圖說明按照本發明之實施例的攝像設備； 圖9A及9B係說明光接收段之槪略結構的橫剖面視 圖，其顯示抑制由於介面狀態所產生之暗電流的技術： • 圖1 〇的橫剖面視圖係爲了解釋習知固態攝像裝置之 問題而說明其中形成具有負固定電荷之層之習知固態攝像 裝置的槪略結構。 【主要元件符號說明】 1 :固態攝像裝置 1 2 :感測器段 23 :電洞積聚層 12s :光接收面 -33- 1362109 22 :負固定電荷層 11 :半導體基板 . 14 :周邊電路段 • 15 :擴散層 2 1 :介面狀態降低層 53 :佈線層 51 :接線 φ 5 2 :絕緣層 16 : N型雜質區 4 1 :絕緣層 42 :遮光層 4 3 :絕緣層 44 :濾色層 4 5 :聚光透鏡 2 :固態攝像裝置 鲁 63 :光阻層 64 :開孔 6 5 :光阻層 66 :開孔 6 7 :光阻層 1 0 0 :攝像設備 1 〇 1 :攝像段 1 02 :攝像光學系統 1 03 :信號處理段 -34-

Claims (1)

1362109 十、申請專利範圍 1-—種固態攝像裝置，包含： * 爲了將入射光轉換成電信號而形成在半導體基板中的 - 複數個感測器段； 形成在該半導體基板中的周邊電路段，以便置於該感 測器段旁；以及 爲了在該感測器段的光接收表面上形成電洞積聚層， φ 而形成在該感測器段之光入射側之具有負固定電荷的層。 2.如申請專利範圍第1項的固態攝像裝置，另包含 複數個像素段，該等像素段皆具有將入射光轉換成該 電信號的該感測器段；以及 設置在該半導體基板表面上的接線層，與該像素段一 起成形， 其中該固態攝像裝置係背面照明的固態攝像裝置，其 φ 在該感測器段中接收從其上形成有該接線層面相反側入射 的光。 3- 如申請專利範圍第1項的固態攝像裝置， 其中具有負固定電荷的該層係形成在該半導體基板上 之該感測器段的光接收表面上，位於該感測器段的該光入 射側，以及 N型雜質區，形成在該周邊電路段與具有負固定電荷 的該層之間。 4- 如申請專利範圍第3項的固態攝像裝置，另包含 -35- 1362109 複數個像素段，該等像素段皆具有將入射光轉換成該 電信號的該感測器段；以及 設置在該半導體基板表面上的接線層，與該像素段一 起成形， 其中該固態攝像裝置係背面照明的固態攝像裝置，其 在該感測器段中接收從其上形成有該接線層面相反側入射 的光。 5 ·—種製造固態攝像裝置方法，該固態攝像裝置具 有：爲了將入射光轉換成電信號而形成在半導體基板中的 複數個感測器段；形成在該半導體基板中的周邊電路段， 以便置於該感測器段旁；以及爲了在該感測器段之光接收 表面上形成電洞積聚層而形成在該感測器段之光入射側之 具有負固定電荷的層，該方法的步驟包含： 在該周邊電路段與具有負固定電荷的該層之間形成N 型雜質區。 6. 一種製造固態攝像裝置方法，該固態攝像裝置具 有：爲了將入射光轉換成電信號而形成在半導體基板中的 複數個感測器段；形成在該半導體基板中的周邊電路段， 以便置於該感測器段旁；以及爲了在該感測器段之光接收 表面上形成電洞積聚層而形成該感測器段之光入射側之 具有負固定電荷的層，該方法的步驟包含： 1 形成具有負固定電荷的該層；以及 去除該周邊電路段上之具有負固定電荷的該層。 -36- 1362109 7· —種攝像設備，包含： 聚光光學段，其聚集入射光； 固態攝像裝置，其接收該聚光光學段所聚集的光，並 實施該所接收之光的光電轉換；以及 信號處理段，其處理被光電轉換的信號， 其中該固態攝像裝置包括： « 爲了將入射光轉換成電信號而形成在半導體基板中的 複數個感測器段； 形成在該半導體基板中的周邊電路段，以便置於該感 測器段旁；以及 爲了在該感測器段的光接收表面上形成電洞積聚層而 形成在該感測器段之光入射側之具有負固定電荷的層。 8.如申請專利範圍第7項的固態攝像裝置， 其中具有負固定電荷的該層係形成在該半導體基板上 之該感測器段的光接收表面上，位於該感測器段的該光入 射側，以及 Ν型雜質區，形成在該周邊電路段與具有負固定電荷 的該層之間。 -37-
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