TWI343594B

TWI343594B -

Info

Publication number: TWI343594B
Application number: TW093123599A
Authority: TW
Inventors: Yuichi Shibazaki
Original assignee: Nikon Corp
Priority date: 2003-08-07
Filing date: 2004-08-06
Publication date: 2011-06-11
Also published as: JP2009147385A; CN100468624C; KR20110106424A; EP1655765A1; CN101504512B; ATE429031T1; KR20060054426A; JPWO2005015615A1; TW200511390A; JP4552146B2; EP1655765B1; EP1995769A1; WO2005015615A1; CN1833309A; US20090251679A1; US20100177295A1; JP5152067B2; KR101181684B1; CN101504512A; DE602004020634D1

Description

九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係有關曝光方法及曝光裝置、載台裝置、以及 Γ件製造方法，詳而言之係有關肖2個基板載台上之基板 :互進灯曝光處理之曝光方法及曝光裝置、適用於該曝光勢置之載台裝置 '以及使用該曝光裝置來進行曝光製造方法。卞【先前技術】習知’製造半導體元件（積體電路）或液晶顯示元之際’在微影製程中’使用了各種之曝光裝置。近年來，隨著半導體元件之高積體化，步進且重複方式之縮小投影曝光裝置(所謂步進機)、在該步進機施以改良之步進且掃指方式之掃描型投影曝光裝置（所謂掃描步進機（亦稱: 機))等之逐次移動型之投影曝光裝置成為主流。田例如，在埤用於半導體元件製造之投影曝光裝置中晶圓交換製程（用來交換晶圓載台上之晶圓）、晶圓對準势長（用來正確求出晶圓上之各照射區域位置）、及曝光、 (根據該晶圓對準之結果控制晶圓載台之位置，將形成^ 線片（或光罩）之圖案轉印於晶圓上之各照射區域）這3 程之處理，係使用1個晶圓載台依序重複進行。但是，因曝光裝置係使用於半導體元件等之量產者，故提高產能與提高曝光精度係最重要課題之一，實際上曝光裝置之提高產能之要求是無止盡的。因此，近年來，從更提高產能之觀點來看，設置2個 :圓載台，使用該2個晶圓載台’例如，並行晶圓交換動乍及對準動作 '曝光㈣，即雙晶圓載台型之曝光裝置亦各種提案（例如’參照專農文獻1、專利文獻2)。的確’依專利文獻i所記載之曝光裝置，則藉由2個 :::載台上之前述同時並行處理，能更提高產能。但是，口亥專利文獻1所記載之眼 #% ^ •"先裝置，具有對準感測器之晶圓 1糸統係配置於投影光學系統-側和另-側，因使用各、退订日日圓之對準，故在對準結果 ’：須極力避免產生誤差。就其對策而t，係必須針對 2個晶圓對準系統，分旦旦^ 〗爭刖測里對準感測器所造成之測 = 根據該測量結果’進行修正晶圓對準結果之作業，其，纟口果，上述之對準璣測哭你I α 砍測為所造成之測量誤差之事前測量成為降低產能之要因。又，這種情形，要調整成在差相當困難。㈣"相互間元全不產生測量誤性化另二利文獻2所記載之裝置，因只設置-個特 μΙΓ 0對準系統）’即使進行上述對準感測益所引起之測量誤差之塞於事别測5，只須針對1個特性化單 =進广測量即可’故幾乎不會降低產^但是，該專利文獻2所記載之裝置係1個特性化單元，因此，爲將2個基材保持器分。、 > 、成符性化早兀下方位置，必須父換這些2個基材保接击 “。就其交換之方法而言，上述專利文獻2記載之裝置， 4，«由接頭刀又；2個線性χ馬達（χ轴線性馬達）之沿著第 1343^ 1部分（固定構件）移動之第2 接頭構件(分別設置於2個基材。:目::㈣機性之結合）。即，為將各基材伴持(機械性或電 …達之活動構件係採用剛圓載二)連接於線專利文獻2所記載之裝置機構°因此，在上述 .. 4 置中父換基材保持器之際，包含機械性抓取之伴隨不確 ° 3 了確實進行該動作，會作㈣，並且為達之第2部分正確對位之更、吏基材保持器和線性Χ馬 “時之好I不便。又，由於接頭構件彼此間、-U ^之娅撞，基材保持器上之能偏離。河（日日圓#)之位置亦可【專利文獻1】日本特開平1(Μ6職號公報【專利文獻2】曰本特表2〇〇〇 5117〇4號公報【發明内容】 =明有鑑於上述問題而構成者，其帛丨目的係提供 j方法及曝光裝置’在對2個基板載台上之基板交互進仃曝光處理之曝光處理掣ρ β , 氣私中，不使曝光精度降低，而謀求提高產能。又’本發明之第2目的係提供元件製造方法，以提高微元件之生產性。【實施方式】本發月之第I蜣點係_種曝光方法，係對2個基板載 0上之基板父互進行曝光處理；包含以下步驟·· 與對一基板載台上之基板進行曝光動作並行，為了交換兩基S載台而使另一基板載台暫時位於該—基板載台下 1343594 方位置。依此方法，因包含以下步驟，即與對一基板載台上之基板進行曝光動作並行，為了交換兩基板載台而使另一基板載台暫時位於該—基板載台下方位置，例如，與對一基板載D上之基板進行曝光動作並行，使另一基板載台暫時位於忒一基板載台下方位置，依此方式即可進行兩基板載台之父換動作之-部分n與對一基板載台上之基板進行曝光動作完成之時點才開始進行兩基板載台交換動作之情形相較’能用更短時間進行該交換，藉此’能課求曝光處理製私(對2個基板載台上之基板交互進行曝光處理）產π提昇又，基板載台之交換只須順沿既定之路徑來移動各基板載台，而不須進行前述機械性 : 定性的動作，不須進行該動作之對位且不產生基偏離等’故不會降低曝光精度。 =情形下’該步驟係可以是使另一基板載台在該二土板載。下方暫時待機之㈣，或是使該另—基。’在對基板進行對準之期間和曝光期間步驟之一部分。〗抄動之移動本兔明之第1曝光裝置從第2觀點來看基板載台上之基板交曝光光學系統，基板載台上之基板曝互進行曝光處理係將位於既定之第光；係對2個其具備位置附近之該各標記檢測系統，係檢測出位於與該第位置附近之該各基板載台上之基：置不同之第 |〜成之標記；以及 1343594 …交換裝置，以使該2個基板載台中至少一基板載台(特疋載0)暫時位於另一基板載台下方位置之方式，在使用該曝光光學系統之基板曝光動作和使用該標記檢測系統之基板上標記檢測動作之間，交換該兩載台。依此曝光裝置係備有交換裝置，以使該2個基板載台中至）一基板載台（特定載台）暫時位於另一基板載台下方位置之方式，在使用該曝光光學系統之基板曝光動作和使用s玄標e檢測系統之基板上之標記檢測動作之間交換該兩載台。因此，藉由該交換裝置’例如，與對位於第丨位置寸近位置之基板載台上之基板以曝光光學系統進行曝光動作並打，使第2位置附近之使用標記檢測系統之基板上標記檢測動作完成之另一基板載台暫時位於該一基板載台下方位置，依此方式能進行兩基板載台交換動作之一部刀因此，與對一基板載台上之基板進行曝光動作完成之時點才開始兩基板載台之交換動作之情形相較，能用更短時間進行交換，藉此，能謀求曝光處理步驟（對2個基板載台上之基板交互進行曝光）之產能提昇。又，基板載台之交換只須順沿既定路徑來移動各基板載台，故不須進行該機械性抓取之伴隨不確定性的動作，不須進行該動作之對位且不產生基板之位置偏離等，故不會降低曝光精度❶更因標記檢測系統只要丨個就夠了，故標記檢測系統有複數個時所導致之前述之不便情況亦能消除。在這種情形下，該交換裝置能使該特定載台暫時位於另一基板載台之下方待機。 1343594 又，該特定載台係該2個基板載台形，該交換裝置能使該特定土板載。之情方來移動。疋载°移動經由該另―載台之下在這種情形下’該交換裝置係包含：上下移動機構’係在該第2位置和位置之間，上下移動該特定載台；以卩第3 第2上下移動機構，係在第4 2位置相反側）和其下方之第5位f 立於1位置之第載台。，上下移動該特定從第3觀點來看，本發明係第於能沿著既定面移動之載二；"，係對保持備： ^之基板，進行曝光處理，其具驅動裝置’係連接於該載a 移動；以及 L ’沿者該既定面使該裁台八上了移動機構，係使該載台和該驅動裝置之至少— 分朝與該既定面交又之方向移動。在這種情形下，可進_步具備曝光光m該先子糸統之成像面，當該載台沿著該既定面、= 位於保持於該載台之該基板上。 ①把又，該驅動裝置儀斑兮μ : ^ 、ΌΧ下移動機構獨立，能使該栽台朝與該既定面交又之方向移動。又，可設定既定之第1 ¥ , m 置（用以對被保持於該載台之基板，進行曝光處理）、及筮。 )及第2位置€用以對該基板，進杆與該曝光處理不同之處理^該上下移動機構係在該第2位 1343594 置：近，使該載台和該驅動裝置之至少一部分朝與該既定面父又之方向移動。 β在^種情形下，該第2位置亦能包含該基板裝載位置，或疋月b更具備標記檢測系統，其配置於該第2位置附近，用以檢測形成於該基板之標記。本發明之第2曝光裝置，更具備：第I導引面，沿著該既定面移動該載台之際，用以支持該載台；以及

第2導引面，當藉由該上下移動機構朝與該既定面交叉之方向移動載台時，用以支持該載台。在k種情形下，該上下移動機構係使該第2導引面朝與該既定面交叉之方向移動。從第4觀點來看，本發明係第工載台裝置，具備：載台’係能沿著既定面移動；第]艇動裝置，係被連接於該載台，沿著既定面使該载台移動；以及

上下移動機構，係使該載台和該第4動裝置之至少一部分朝與該既定面交又之方向移動。在這種情形下，更具備：第1導引面，當沿著該既定面移動該載台之際，用以第2導引面叉之方向移動载台第2驅動裝置當藉由該上下移動機構朝與該既定面交時，用以支持該載台；以及，係驅動被該第2導y面支持之载台。 12 1343594 導引面朝與該既定面又’該上下移動機構係使該第交叉之方向移動。從第5觀點來看進行既定處理之第j 交換裝置’用以將該台下方之位置。，本發明之第2載台裝置，係對用來位置’使2個載台交互移動，其具備 2個載台中一載台暫時移動至另一載上下m"，該交換裝置可包含上下移動機構，係上下移動该-载台’使其移動面較另一載台為下方。又二：微影製程中，使用本發明之第丨、· 2曝光裝之任-a置來進行μ，藉此，能將圖案精度佳地形成 '藉此，旎良率高地製造更高積體度之微元件。口此徒別的觀點來看，本發明係包含使用本發明第【、第2曝光裝置之任一裝置之元件製造方法。一以下，根據第1圖〜第10(C)圖，來說明本發明之一〆心一第1圖係概略表示一實施形態之曝光裝置1 〇。艮4曝光裝置10係步進且掃描方式之掃描型曝光裝置， /所吻之知·彳田步進機（亦稱為掃描機”其係在一維方向（此系4曰第1圖中之紙面内左右方向（γ軸方向）），邊同步移動作為光罩之標線片R和作為感光物之晶圓W1 (或 :2) ’邊透過曝光光學系統之投影光學系统PL，將形成於払線片R之電路圖案分別轉印於晶圓w丨（或W2)上之複數個照射區域。 n曝光裝置1 〇係具備：照明系統12(藉由照明光IL來 ‘”、明標線片R)、標線片栽台RST(用來裝載標線片R)、投 13 1343594 影光學系統PL(將從標線片R射出之照明光仏投射於晶圓叫或W2)上）、載台裝置2〇(包含分別裝載晶圓wi'w2 之2個基板載台’即晶圓載台WSTl、^)、對準系統 ALG(作為標記檢測系統）、及主控制裝置5〇(用以統合控制全體裝置）。該照明系統《 12係包含有光源及照明光學系统在配置 2其内部之視野光圈（亦稱為遮光葉片、標線片遮簾）所規疋之矩形或圓弧狀之照明區域IAR，照射照明光，用均勻之照度來照明形成有電路圖案之標線片R。與照明系統 12同樣之照明系統，例如，係揭示於日本專利特開平6_ 3497〇1號公報及對應該公報之美國專利第5,534,97〇號公報等。此處，就照明光IL而言，係使用KrF準分子雷射光（波長為248nm)、或是ArF準分子雷射光（波長為193nm) 寺运各外光、或是雷射光（波長為1 5 7nm)等真空紫外光等。就照明光IL而言，亦能使用來自超高壓水銀燈之紫外光區之亮線（g線、i線）^在本國際專利所指定之指定國或所選擇之選擇國之國内法令許可下，援用上述美國專利之揭示當作本說明書記載之一部分。在該標線片載台RST上，例如，標線片R係藉由真空吸附或靜電吸附來固定。標線片載台RST係藉由標線片載台驅動部22，於垂直於照明系統1 2之光軸（與後述之投影光學系統PL之光軸AX —致）之XY平面内的X軸方向、 Y轴方向、Θ z方向（Z軸旋轉之旋轉方向）微小驅動，並且，在沿著未圖示之標線片載台基座上面，以既定之掃描方向 14 ^43594 (γ細方向）能用指定之掃描速度來驅動。還有，台觝红* 加碌片載 °P 22係把線性馬達、音圈馬達等當作驅動構，伯+松初你之機 I在第1圖中，為了便於圖示，只用方塊來表示。還有，就標線片載台RST而言，當然亦可採用具有粗動载 (係在Υ軸方向一維驅動）、和微動載台（對該粗動載台，2 ^在3自由度方向（X軸方向、Υ軸方向' 方向）能微小驅動）之粗微動構造之載台。心線片載台RST之ΧΥ面内之位置（包含旋轉）係萨由標線片雷射干涉計（以下，叫做「標線片干涉計」）1 6，透過形成於（或設置於）標線片載台RST端部之反射面，例如，用0.5〜lnm左右之解析度經常進行檢測。來自標線片干涉計16之標線片載台RST之位置資訊…艺旋轉量，搖動里）係供應至主控制裝置5〇。主控制裝置5〇係根據標線片載台RST之位置資訊，透過標線片載台驅動部22驅動控制標線片載台RST。就該投影光學系統PL而言，係使用物體面側（標線片側）和像面側（晶圓側）兩側呈遠心、投影倍率1 /4(或1 Μ)之化小系統。為此，若在標線片r上，從照明系統12照射妝明光（紫外脈衝光）IL的話，則在形成於標線片R上之電路圖案區域中，被紫外脈衝光照明之部分之成像光束係射入投影光學系統PL，該照明光IL之照射區域（前述之照明區域IAR)内之電路圖案像（局部倒立像）係在紫外脈衝光之各脈衝照射時’在投影光學系統pL之像面側之視野中央之X軸方向，受限制於細長狹縫狀（或矩形狀（多角形））而 15 1343594 成像。η，被投影之電路圖案之局部倒立像，係被縮小轉印於投影光學系統PL之成像面所配置之晶圓W1(或W2) 上之複數個照射區域中之一照射區域表面之光阻層。就投影光學系統PL而言，使用KrF -準分子雷射光等來作為照明光IL之情形：== 僅由折射光學元件（透鏡元件）所構成之折射系統但當使用F2雷射光來作為照明光儿之情形，例如，主要係使用組合如日本專利㈣平3·助27號公報及對應該公報之美國專利第5’220,454號等所揭示之折射光學元件和反射光本元件（凹面鏡或分光鏡等）之反射折射系統，或僅由反射光學7L件所構成之反射系統。但是，使用匕雷射光之情形，能使用折射系統。在本國際專利所指定之指定國或所選擇之選擇國之國内法令許可下，援用上述美國專利之揭示當作本說明書記載之一部分。該載台裝置20係配置於投影光學系統PL之第】圖的下方。該載台裝置20係具備保持晶圓（wi、W2)之晶圓載台（WST1、WST2)及驅動該晶圓載台（WST1、WST2)之驅動系統等。第2圖，係用立體圖概略表示載台裝置2〇之投影光學系統PL、對準系統Alg等，第3圖係表示載台裝置2〇之分解立體圖。針對載台裝置20之構成等，以這些第2圖及第3圖為中心，且適當參照其他圖式，來加以說明。一晶圓載台WST1係如第2圖所示，嵌入構成移動單元MUT1之俯視（從上方看）矩形之框23。同樣地，另一晶 16 1343594 圓載台WST2係如第2圖所示，嵌入構成移動單元則丁2 之俯視（從上方看）矩形之框1 23。一移動單元MUT1係藉由後述之驅動系統，在第2圖所示之與XY面平行之面（第丨面）内，沿著Y軸方向，在投影光學系統PL下方之第！位置和對準系統則下方之第2位置之間’來回驅動。又，另一移動單元則丁2係藉由後述之驅動系統，與移動單元MUT1同樣，在第]面内沿著γ軸方向來回驅動之外，在投影光學系統pL下方之第2位置和對準系統ALG下方之第3位置之間、及第4位置(位於第“立置之第2位置相反側)和其下方之第5位置之間，分別上下移動，並且，沿著第】面下方之第2面(即，在第2圖中，移動單元MUT2所在之面），在第“立置和第 5位置之間，在Y軸方向來回驅動，該-移動單元丽卜由第2圖可知，係由俯視(由上方看）矩形框狀之^ 23、固定構件單元叫架設於該框23 之X軸方向之一側和另一側之側壁間，包含以乂轴方向當作長邊方向之固定構件群組)、及晶圓载台wst 固定構件單元27之固定構件群組等；、成以動)所構成。卡。…相對移同樣地’另-移動單元助丁2，由第2圖可知，係由俯視（由上方看）㈣框狀之框123、固^^ 設於該框123…方向之-側和另-側之側壁相互門包含以X軸方向當作長邊方向之固定構件群組）、及:圓載台WST2(與構成該固定構件軍分丨” 久日日早凡丨27之固定搆件群組等 17 1343594 卡合’能進行相對移動）所構成。就該框（23、123)而言，係使用重量輕之碳纖框。在该框23之x轴方向一側（+X)、另-側（-X)之側壁外面，如第2圖所示，公s丨丨< as 口所不刀別设置Y活動構件（33A、33B)。同樣地，在該框12 3 $ Y i 之X軸方向一側（+x)、另—側（_ χ) 之側壁外面，如H 2 if]如 - λ 弟圖所不，分別設置γ活動構件（1 33A、 133B)〇 _ 5又置於該框23之—Y活動構件33A係如第4(A)圖所系-磁鐵單元，該磁鐵Μ具有：活動構件本體Μ(其件本截面^概略Η字狀）、複數個場磁鐵93(係在該活動構面，下2組之Χ轴方向之對向面中之上側對向 ° 方向以既定間隔分別配設）、及複數個埸磁镪 95(係在該活動構件本體39之上下磁鐵面中之下側上下2、·且之X軸方向之對向 D面，沿γ軸方向以既定間隔分別配設）。廷二複數個場磁鐵（93、9 之場磁鐵間、在π γ 4 )在〜γ軸方向彼此相鄰逆極性。因此方向彼此相對向之場磁鐵間相互呈在丫轴方向分別=動構件本體39之上下空間之内部， χ方向），x ^成父替磁場（磁通之方向為+ χ方向或〜 ,, Α 活動構件本體39之+ Χ側面之ζ # 大致中央，闳〜乙罕*万向中，在其下面Μ體㈣㈣41。在該氣體靜㈣4承Μ 就設置於:二2側之面)設置加麼氣體之喷出口。 .4rB_於该框U之另一 Y活動構件33B而成之磁鐵單元，_!使用與上述^動構件说大致同樣構口又置於一X側面之氣體靜壓軸承丨41係與 18 ^43594 叹置於戎Y活動構件33A之氣體靜壓軸承4丨不同。即，氣體靜壓軸承141，在一 z側面(下面）、和—χ側面(側面) 皆設置加壓氣體噴出口。 «又置灰框123之一活動構件丨33 Α係與前述γ活動構件33A同樣之構成，另一 γ活動構件mB係與前述活動構件3 3 B同樣之構成。前述驅動系統係如第3圖之分解立體圖一組固定構件單元⑽、綱（與該γ活動構件33/、^ 及Υ活動構件133Α、丨33Β卡合），導引機構51(主要由配置於固定構件單元35Α、35Β外側之複數個構件所構幻。綜合第2圖及第3圓可知，該固定構件35α係具有·· 一對支持柱⑷Α、43Β)(於地板面f上沿γ _方向隔既定距離配置，分別往上下方向延伸），2個γ固定構件㈣、㈣）（分別架設於該支持柱43Α、43Β相互間，上下隔既定間隔配設而以γ軸方向當作長邊方向）。 Υ固定構件(45Α、45Β)係電樞單元，該電樞單元且有框體（ΧΖ截面呈Ζ軸方向細長之長方形）、及複數個電樞線圈（在該框體内，沿著丫轴方向隔既定間隔配置，未圖示）。上側之Υ固定構件45Α技ι古&上人干45 Α係具有旎卡合於Υ活動構件 33Α、133Α之上側空間（即’設置場磁鐵93之空間）之形狀，下側之Υ固定構件45Β係具有能卡合Η活動構件似、 1/3Α之下側空間（即’設置場磁鐵％之空間）之形狀。但是’在本實施形態中’在裝置構成上，γ活動構件DA和 γ ®定構件45Β實際上不能卡合。 19 1343594 綜合第2圖及笫3固π A _ 乐3圖可知，泫固定構件35B係具有一對支持柱143A、143B(於地板面F上沿γ軸方向隔既定距離配置，分別往上下方向延伸)、…固定構件("Μ、 lCB)(係分別架設於該 /久将柱143Α、143Β相互間，上下隔既定間隔配設而以Υ軸方向當作長邊方向）。 ‘ Υ固定構件Ι45Α、145Β係電拖單元，該電拖單元1 有框體（ΧΖ截面呈Ζ軸方向八 Α 万向細長之長方形）、及複數個電樞線圈（在該框體内，沿著γ 考γ轴方向隔既定間隔配置，未圖示）。上側之Υ固定構件⑷Α係具有能卡合於¥活動構件 [133Β)之上側空間之形狀’下側之Υ固定構件145Β 係具有能卡合於γ活動構件曰再1干卩川' 13沾）之下側空間。但疋在本貫施形態中，在努署媒士“ 忒置構成上，Υ活動構件3 3 Β和 Υ固定構件l45B實際上不能卡合g 本實施形態中之移動單元卿】，係於第3圖所示之上方第】面）上’使γ活動構件似和γ固定構件以卡合，且γ活動構件加和^定構件⑽卡合。因此’構成Y固定構件45A之雷枳.丈、3今+ 疋罨柜飢通之電流、和設置於 Y活動構件33A之場磁場（上以上側之场磁鐵）93所產生之交替磁％間，依電磁相互作用所產王^，各伶这力反作用力係對 Y活動構件33A，發揮γ ν π〜子乃叼之驅動力作用，又，構成固疋構件I 45 Α之電枢流通之雷..*、、夂電/瓜和設置於Y活動構之場磁場9 3所產生之交替磁埸 ^ ^ 人④枢~間，依電磁相互作斤屋生之洛倫茲力反作用力係货'對Υ活動構件33Β，發揮 20 1343594 y軸方向之驅動力作用β 即’藉由Υ活動構件33Α和Υ固定構件45Α構成可動磁鐵型之Y軸線性馬達，藉由Y活動構件33B和Y固疋構件145 A構成可動磁鐵型之γ軸線性馬達，這一組γ 軸線性馬達構成之移動單元MUT1，係在γ軸方向以既定行私進行來回驅動。在以下之說明中，這一組γ軸線性馬達係分別使用與其活動構件相同之符號而稱為γ軸線性馬達 33A、33B。又’當移動單元MUT2位於第3圖及第2圖等所示之高度時，Y活動構件！33A係與下側之γ固定構件45B卡合，Y活動構件133B係與下側之γ固定構件145B卡合。因此，在這種狀態下，藉由Y活動構件133A和γ固定構件45Β來構成電磁力驅動方式之可動磁鐵型之γ軸線性馬達，藉由Υ活動構件133Β和γ固定構件145Β來構成電磁力驅動方式之可動磁鐵型之γ軸線性馬達，藉由這一組 Υ軸線性馬達，位於第3圖和第2圖等所示之移動單元 MUT2係在γ軸方向以既定行程來回驅動前述第2面上。在以下之說明中，這一組Υ軸線性馬達係分別使用與其固定構件相同之符號而稱為γ軸線性馬達45Β、145β。在本實施形態中，移動單元MUT2係藉由後述之第！、第2之上下動機構來上升驅動，械位於與第3圖及第2圖中之移動單元MTU1相同高度位置，在該位置，γ活動構件133Α係與上側之γ固定構件45Α卡合，丫活動構件υ儿係與上側之Υ固定構件Ι45Α卡合。並且，在這種狀態下， 21 1343594 糟由γ活動構件13从和γ固定構件45B來構成電磁力驅動方式之可動磁鐵型之γ軸線性馬達，藉由γ活動構件 133B和γ以構件M5B來構成電磁力驅動方式之可動磁鐵型之Y軸線性馬達，藉由這一組γ轴線性馬達，與第3 圖和第2圖等所示之移動單元則^相同高度之移動單元 MUT2，係在γ軸方向以既定行程來回驅動前述第1面上。 =乂下之。兒明中’違一組γ軸線性馬達係分別使用與固定構件相同之符號而稱為γ軸線性馬達45八、一該導引機構51係如第3圖所示’具備沿"由方向隔既疋間隔配置之第1導引部似、第2導引部52β、結該等導引部一部分彼此之連結板6丨。此處，針料引機構51之構成各部，進— 1導引部似係如第2圖所示1置於前述固定構件單^ 35Α之+ X側，第2導引元35Β之-X側。 Η己置於别迹固定構件單定二引部52Α綜合第2圖及第3圖可知，係由固疋導件Μ與構成固定構件單元35Α^γ固定構件㈣之長邊方向大致中央部相對向，設置於地板㈣上早凡EU1、EU2(分別設置㈣固定導件53 之-側…)、另一側(—γ側))等3部分所構二轴方向該固定導件5从係如第3圖所示，係由古并工丄2：A T T A ^側之面具構:所構二槽之以γ轴方向為長邊方向之長方體 Λ=:;□成為第5圖所示之第1導引…。形成於遠固定導件53…X側高度方向中間部之凹 22 1343594 槽之一對對向面中之下側面係當作第3圖、第5圖所示之第2導引面153b。在第1導引面153a，噴吹氣體來自設置於鈾述之Y活動構件3 3 A或1 3 3 A之氣體靜壓軸承41之加壓氣體，藉由該加壓氣體之靜壓，在氣體靜壓軸承41 和導引面1 5 3 a之間，透過數从m左右之間隙，以非接觸方式浮動支持移動單元MTU1或MTU2。又，在第2導引面 153b，噴吹氣體來自設置於位於第3圖等所示之高度位置之移動單το MUT2之氣體靜壓軸承41之加壓氣體，藉由該加壓氣體之靜壓，在氣體靜壓軸承41和導引面153b之間，透過數/zm左右之間隙，以非接觸方式浮動支持移動單元MTU2。前述之升降單元EU1係如第2圖所示，具有固定塊 65A(係由長方體構件所構成，於固定導件53八之+ γ側及 + x側之位置、對固定導件53A呈對角配置）、及上下移動導件55A(配置於該固定塊65a夕 γ ,01 . 心尼05Α之一X側，其+ χ側之面具有第3圖所示之上下方向之導弓丨& 乏導引槽155，以Y軸方向為長邊方向之四角柱狀構件）。廷種h形，在上下移動導件〜丨償 i；〇t)之户部’埋設未圓示之活動構件’與其相對向’在固定塊Μ 之-X側之面，設置固定構件66A(係與該活動構件；成轉軸馬達（或線性馬達））（參照第3圖）。在本實施形態令’藉由上述之轉軸馬達件55A係對固定塊65a 移動導 A…上下方向（2軸方向下之說明中，將上述韃舳民，去找m t m 在以轉轴馬達使用與其固定構件相同之符 23 1343594 號，稱為轉軸馬達66A。此處，上下移動導件55A係把其上面1 55a當作噴吹來自Y活動構件133A之氣體靜壓軸承41之加壓氣體之導引面155a。該上下移動導件55A係藉由轉軸馬達66a，使導引面155a在與前述第2導引面15外同_面之第5圖所示之下側移動極限位置、和與前述第！導引面153a同一面之第6圖所示之上側移動極限位置之間，進行驅動。該升降單元EU2係如第2圖所示’具有固定塊67八（由長方體構件所構成，於固定導件53A之—γ側及+ χ側之位置對@] &導件53Α呈對角置）、及上下移動導件57Α(配置於該固定塊67Α之-χ側，在其+ χ側之面具有第3圖所不之上下方向之導引们57b，w γ車由方向為長邊方向之四角柱狀構件）。立這種情形，在上下移動導件57A之導引槽157b之内 4，埋設未圖示之活動構件，與其相對向，在固定塊67八之-X側之面，設置固定構件68A(與該活動構件一起構成轉軸馬達（或線性馬達）)（參照第3圖）。在本貝轭形嘘中，藉由上述之轉軸馬達，上下移動導件则對固定塊67[沿上下方向(2軸方向)驅動。在以下之6兄明將上述轉轴馬達使用與其固定構件相同之符號’稱為轉軸馬達68A。此處，上下移動導件57A係把其上面155a當作噴吹來自Y活動構件133A之氣體靜壓軸承41之加壓氣體之導引面157a°該上下移動導件57A係藉由轉軸馬it 68A，使 24 1343594 導引面丨57a在與前述第2導引面】㈣同一面之第5 示之下側移動極限位置、和與前述第】導引面仙同圖所面之第6圖所示之上側移動極限位置之間，進行驅動，综合第2圖及第3圓可知，該第2導？/部52B係由因疋導件53B(與構成固定構件單元35B之γ目定構件1彻之長邊方向大致中央部對向，設置於地板面f上）、升降單兀EU3、EU4(分別設置於該固定導件53B之γ轴方向之 —側側）、另一側（—Υ側））等3部分所構成。 4固义導件53B係、如第3圖所示，由整體長方體狀構 :所構成。該構件係在+χ側之面的上端部，形成裁面[ 字形之段部’並且 > 在其下方形錢面大彡u字形凹槽，而以γ軸方向當作長邊方向。該固定導件53Β之上㈣面 L字形之段部上面係當作導引面仙，側面係當作導引面

㈣。又，該固定導件53B之上述凹槽之一對對向面中之下側面係當作第5圖所示之導引面253c，凹槽之内部底面 (+X側之面）係當作導引面25…還有，該固定導件53B 係在與前述固定料53A相對向之狀態下，配置於地板面上，透過連結板61，連結於固定導件53八。 ^導引面253a，從設置於前述之γ活動構件33B 或】33B之氣體靜壓料⑷了面之喷出口，體’藉由該加壓氣體之靜壓’在氣體靜壓轴承ΐ4ι引面253a之間，透過數力亡支持移動單元_二以非接觸方式浮動 ^移動早^州或謝2。又，在第2導^ 枚錢體靜壓軸承⑷側面之喷出口 25 !343594 由該加壓氣體之靜壓’在氣體靜壓軸承i4i和導引面⑽ 之間’維持數^左右之間隙。即，導引面253b能對移動單元MUT1或MUT2，完成搖動導弓丨之任務。在-亥導引面253c ’從氣體靜壓軸承1 4“係設置於位於第3圖等所示高度位置之移動單體則丁 ^下面之喷出口，喷吹加麼氣體，藉由該加壓氣體之靜壓，纟氣體靜壓軸承 14i和導引面253e之間，透過數"m左右之間隙，以非接觸方式浮動支持移動單Α Μυτ2。χ，在該引面2別，從該氣體靜壓軸纟m側面之喷出σ，喷吹加壓氣體藉由該加壓氣體之靜壓，在氣體靜壓軸承141和導引面25刊，間，維持數㈣左右之間隙。即’導引面253d能對移動单元MUT2’完成搖動導引之任務。該升降單元EU3係如第5圖等所示，具有固定塊65b(係由長方體構件所構成，其於固定導件53β之+ γ侧及— 側之位置係對固定導件53B呈對角配置）、及上下移動^ 件55B(配置於該固定塊65B之+ χ側，將γ軸方向當作長邊方向之四角柱狀構件）。這種情形’在上下移動導件55Β之+ χ側面，在其内部埋設未圖示之活動構件或形成上下方向之導引槽，與其相對向’在固定塊65Β之+ X側面，設置固定構件66β(與該活動構件一起構成轉軸馬達（或線性馬達））。在本實施形態中’藉由上述轉軸馬達，上了移動導件 55Β係對固定塊65Β沿上下方向（ζ軸方向）驅動。在以下之說明中，將上述轉軸馬達使用與該固定構件相同之令 26 1343594 號，稱為轉柏馬達66B。此處在上下移動導件55B，在帛5圖之狀態下，係形成分別與前述導引面253c、253d呈同一平面之導引面 255a、255b坆種情形，在該導引面255a，從氣體靜壓軸承141 (係設置於位於笫3阁隹 _ '弟3圖荨所示高度位置之移動單元 MUT2之Y活動搆+ 辱仟33B)下面之噴出口，喷吹加壓氣體，藉由該加壓氣體之靜壓，在氣體靜壓軸承i4i和導引面加之間，透過數以m左太夕ρ丨, 右之間隙，以非接觸方式浮動支持移動單元MUT2。又，在兮道w 任哀導引面255b，從該氣體靜壓軸承 141側面之喷出口，哈舟4 嘴人加壓乳體，藉由該加壓氣體之靜壓，在氣體靜壓軸承141和導引面255b之間，維持數"m 左右之間隙。即，廷種情形，導引面25兄能對移動單元 MUT2，完成搖動導引之任務。 4上下移動導件55B係藉由轉軸馬達MB，使導引面 a在與刖述導引面253c同一面之第5圖所示之下側移動極限位置、和與前述導引面仙同―面之第6圖所示之上側移動極限位置之間，進行驅動。又，在上側移動極限位置設有上下移動導件55B，當移動單元MUT1位於該上下移動導件55B上時，在該導引 5a從氣體靜壓軸承〖41 (係設置於前述移動單元MUT} •广動構件33B)下面之喷出口，喷吹加麼氣體，藉由該加壓氣體之靜壓’在氣體靜壓軸承141和導引面255a之間，透過數 MUT1。 A m左右之間隙，以非接觸方式浮動支持移動單元且在該導引面255b，從該氣體靜壓軸承141側面 27 之喷出口，嗔吹加屋氣體’藉由該加愿體靜壓軸承141和導引$ 2s h 、靜壓，在氣子守W面255b之間，維持隙。即，導引面255d能對蒋叙„„ 字數"m左右之間之任務。 "對移動早疋靖卜完成搖動h 該升降單元EU4係如第5圈長方巧禮杜基λ, ^ 寻斤不”有固定塊67B(由長&構件所構成，其於固定導件53 之位置係對固定導# 53B呈對角 Y側及1側，配置於該固定塊67Β^χ側，…方: =四:柱狀構件)、及轉轴馬達68Β等，係2 升降早兀EU3同樣之構成。〈此處，在上下移動導件57Β，在第5圓之狀態形成分別與前述導引面253c、253d呈同—平面之導引面 257a、257b。這種情形’在該導引面257a，從氣體靜壓軸承⑷(係設置於位於第3圖等所示高度位置之移動單元 MUT2之Y活動構件133B)下面之喷出口，喷吹加壓氣體，藉由該加壓氣體之靜壓，在氣體靜壓軸承141和導引面255a 之間，透過數// m左右之間隙，以非接觸方式浮動支持移動單tl MUT2。又，在該導引面25几，從該氣體靜壓轴承 141側面之喷出口’噴吹加壓氣體，藉由該加壓氣體之靜壓，在氣體靜壓軸承141和導引面255b之間，維持數"爪左右之間隙。即’這種情形，導引面255(i對移動單元MUT2，能完成搖動導引之任務。該上下移動導件57B係藉由轉軸馬達68B ’使導引面 257a在與前述導引面253c同一面之第5圖所示之下側移 28 二極限位置、和與前述導…33同_面之第上側移動極限位置之間，進行驅動。由以上之說明可知，在本實施形態中，當上下移動導 55A、57A、55B、57B全部位於上下移動極限位 5圖所示之狀態，上下移動導件55A之導引面⑽、上；移動導件57A之導引面1573、固^導件53a之第2導引 =⑽之高度係分別一致，並且，上下移動導件別之導引面灿、上下移動導件別之導引面257a、固件53B之導引面253c之高度係分別一致。藉此，移動單凡MUT2能沿$ γ轴方向’從上下移動導件55八、爪上之+ γ側移動極限位置至上下移動導件55B、57b上之側移動極限位置，來回移動。又，當上下移動導件55A、57A、55B、谓全部位於下移動極限位置之第6圖所示之狀態，上下移動導件5 5 a =導引面l55a、上下移動導件57A之導引面❿、固定 V件53A之第！導引面153a之高度係分別—致並且，上下和動導件55B之導引面255a、上下移動導件別之導面257a、固定導件53B之導引面253a之高度係分別一又’在上下移動導件55A之+ X側面、_ γ側面、上年夕動導件5 7 A之+ X側面、+ γ側面、上下移動導件5 5 B 之~ X側面、~ Y側面、及上下移動導件57B之一X側面、 β Υ側面’分別設置未圖示之氣體靜壓軸承，從該氣體靜 [軸承朝相對向之面噴吹氣體，#此，各上下移動導件藉 29 1343594 由所對應之轉軸馬達，相對於固定導件53A哎觸方式沿上下方心行驅動。^ H53B以非接構成該-移動單元MUT1之固定構顯示晶圓載台WST] 兀27，如同時示，係由以X車由方6=1固定構件單元27之第7⑷圖所 4L 46E、°46F、向之6個固定構件(46Α，Β、板29所構成。、及以X軸方向為長邊方向之支持以：χΓ平構:大似係具有框體(以Χ轴方向為長邊方向，端固定於框23)二的方式’將該長邊方向-端… 23)、和複數個電柩線圈（沿χ 隔配置於該框體内部，但未圖示卜㈣向隔既定間該固定構件46B、46D、46C都是以χ軸方向，以從固定構件46Α往+ γ側隔 =長邊上到下依序以隔既定間隔_χγ面平行：二置，從 -端和另-端固定於框23。 "刀別將體(其長邊方向之一…：&構件_係具有框插線圈# 框23)、和複數個電圖_、轴方向隔既定間隔配置於該框體内部，但未丁又，固定構件46D係具有框體（大致定構件偏下方，以Χ轴方向為長邊/千丁己f於固框體内之1或複數個電樞線圈，沿：… 間隔配置之"…呈細長延伸之長方形：：方向隔既定圈）°又’固定構件46C係與上述㈣㈣成，士 & 、上屺U疋構件46B同樣之構固定=:置:固定構件-之下方。這種情形，以蒸件仙為中心，㈣構件彻和^構件批係配 30 1343594 置於上下對稱之位置。該固定構件46E係具有框體（於固定構件46 側隔既Μ隔平行配置，以χ軸方向為長邊方向）、

置方、忒框體内之丨或複數個電樞線圈(例如，沿 :无定間隔配置，X㈣向呈細長延伸之長方形狀的樞線圏 >該固定構件46F係具有框體（於固定構件46Β〜46D γ側’以與xz面平行的方式配置，以X軸方向為長向）、及配置於該框體内之1或複數個電樞線圈（例如， =軸方向隔既定間隔配置’x軸方向呈細長延伸之長方 ^狀的一對電枢線圈）。山該支持板29係由平板狀構件所構成。其長邊方向之— :和另-端固定於該框23，以與χγ平面大致平行的方式 X軸方向延設。該支持板29係由高剛性之板狀後述’係用來支持晶圓載台™之自重(維持I 圓載〇 WST1之Ζ位置）。芬照苐2圖，另一固定·堪处π〇 - η _ U疋構件早兀127係與上述之固定構件早元27同樣之構成。邮=晶圓載台WSTH系如第7(B)圖所示，具備：長方姐：晶圓載台本體31、活動構件群(以既定之位置關係，二：f性地固定於該晶圓載台本冑川，整體具有概略長 ::狀之形狀。其中，晶圓载台本體31係由重量輕且高之材料’例如’金屬複合材料（金屬和陶究之複合體（以以：金或金屬石夕為基體材料’其中使用各種陶究強化材加複合化））所構成。 3] 1343594 /構成W载纟WST1之該活動構件群如第圖所不’係“ 6個活動構件44 A '桃' 44C、他、44£及導 :活動構件44A係如第7⑻圓所示，係具備：整體形祕之輊52(固定於晶圓載台本體31之―γ側之側面， ==截面呈矩形）、複數個場磁鐵54(沿著χ軸方向隔既疋Κ，分別酉己置於該幸厄52内部左右對向面）。這種情形，沿X軸方向彼此相鄰之場磁鐵54、沿ζ轴方向彼此對向 ^場磁鐵54係、相互地形成逆極性。因此，於扼52之内部二間，/σ X軸方向，形成交替磁場（把+ Υ方向及—Υ方向 §作磁場之方向）。又，在第2圖所示之晶圓載台WST1和固定構件單元 2^7之固定構件群組及支持板29卡合之狀態下，前述之固定構件46A係插入扼52之内部空間，藉由構成固定構件之複數個電樞線圈所流通之電流、和活動構件“A之軛” 内部空間之交替磁場間之電磁相互作用所產生之洛倫茲力，在活動構件44A產生χ軸方向之驅動力作用，活動構件44Α係沿著固定構件46Α，在χ軸方向驅動。即，在本只知升> 態中，藉由固定構件46Α和活動構件44Α，構成χ 軸線性馬達LX,(係由可動磁鐵型之線性馬達所構成參照第 7(A)圖）。 ^ 該活動構件44B、44D、44C係分別對應前述之固定構件46B、46D、46C者，對應這些固定構件之配置，依活動構件44B、44D、44C之順序在上下積層之狀態下，酊定於晶圓載台本體3 I之+ Y側之側面。 32 1343594 詳而言之’該活動構件44B %成於軛内部空間之交替磁場之磁通方向成為+ Z戋—7大心y 你〜及Z方向，但基本上該構成係與則述之活動構件44A同樣。因吐，+姑 # ^ 像因此，在第2圖所示之晶圓载σ WST1和固定禮杜置；π I 之固定構件群組及支持板29 :二之狀態下，在活動構件44Β中產生χ轴方向之驅動力， =構件桃係沿著固定構件46β，在χ轴方向驅動。即， t 形態中’藉由固定構件他和活動構件44Β，構軸線性馬係由可動磁鐵型之線性馬達成）（翏照第7(A)圖）。該活動構件44C形成於軛内部空間之交替磁場之磁通之2為+Z或一Z方向，但基本上，該構成等係與前述之固舌_件椒同㈣此，在第2圖所示之晶圓載台_ :口疋構件單元27之固定構件群组及支持板29卡合之狀悲下，在活動構件44C中產生X舳# + 轴方向之驅動力作用，活件則沿著固定構件46C，在χ轴方向驅動。即， =本貫施形態中，藉由固定構件46C和活動構件4化，構 =X轴線性馬彡LX3(係由可動磁鐵型之線性成）（芩照第7(A)圖）。 =實施形態中，m線性馬達之各驅 y’x軸線性馬達LX,之驅動力為2xf，藉此相對 =構件單元27之固定構件群組及切板29，能在w ^區^大致重心驅動）晶圓載台WST1。又，使χ轴線馬達lx2'lx3所發生之驅動力不同’藉此能在繞γ軸之紅轉方向（轉動方向）微小驅動晶圓載台，並且，使 33 1343594 X轴線性馬達LA、LX3所發生之驅動力之合力和χ軸線比馬達LX,所發生之驅動力不同，藉此能在繞z軸之旋轉方向（搖動方向），微小驅動晶圓載台WST1。該活動構件44D係如第7(B)圖所示，具備：框狀構件 56(係由χζ截面為矩形框狀之磁性體所構成）、一對永久磁鐵58A、58B(係分別固定於該框狀構件56之内側之上下十向面（上面及下面），沿X軸方向細長延伸）。永久磁鐵5 8 a 和永久磁鐵58B係相互逆極性。因此，在永久磁鐵58八和永久磁鐵58B之間，產生磁通之方向為+ z方向（或—z方向）之磁％。因此，在第2圖所示之晶圓載台wsti和固定構件單兀27之固定構件群組及支持板29卡合之狀態下，疋構件46D係插入永久磁鐵5 8a、5 8B之間，構成固定構件46D之一對電樞線圈之各大致内側之一半部分，係位於上述永久磁鐵58A和永久磁鐵58B間之磁場中。因此，該一對電樞線圈係相互流通逆向之電流，在上述磁場中，在各電枢線圈所流通之電流方向都成為+χ方向（或1方向），藉由各電樞線圈所流之電流、與永久磁鐵58八和〆久磁鐵58Β間之磁場間之電磁相互作用所產生之洛^ 力，相對固定構件46D ’在γ軸方向微小驅動活動：及晶圓載台WST1)。即，藉由固^構件彻和件彻，構成γ軸微動馬達νγ(係在丫軸方向微曰圓載台WST1)(參照第7(八）圖）。動日日該活動構件44E係對應前述之固定構件46£者，且框狀構件60(係由固定於活動構件44八 ”.

J 1則面之 YZ 34 1343594 戴面矩形框狀之磁性體所構成）、一對永久磁鐵6 2 A、6 2 B (係分別設置於該框狀構件60内側之一對對向面（士 γ側之

面）’沿X軸方向細長延伸）。永久磁鐵6 2 A和永久磁鐵6 2 B 係相互逆極性。因此，在永久磁鐵62A和永久磁鐵62B之間，產生磁通之方向為+ Y方向（或_γ方向）之磁場。因此，在第2圖所示之晶圓載台WST1和固定構件單元27 之固定構件群組及支持板29卡合之狀態下，固定構件46e 係插入永久磁鐵62A、62B之間，構成固定構件46E之一對電樞線圈之各大致内側之一半部分，係位於上述之永久磁鐵62A和永久磁鐵62B間之磁場中。因此，該一對電樞線圈係相互流著逆向之電流，在上述磁場中，在各電樞線圏所流之電流方向都成為+ X方向（或—χ方向），藉由各電枢線圈料之電流、與永久磁鐵62Α和永久磁鐵I間之磁場間之電磁相互作用所產生之洛倫茲力，相對固定構件婉，在ζ軸方向微小驅動活動構件44£(及 WST1)。 _ 料。即，在本實施形態中’藉由活動構件44Ε &固 46Ε，構成第！之ζ軸微動馬達ν 叙曰m # ^ K你在Z軸方向微小驅動日日0載σ WST1)(參照第7(A)圖）。該活動構件44F係如第7(B)圖所 Λ ^ s又置於活動槿杜樣因4Γ广之…卜該構成係與該活動構件4則 ;;;此，在第2圖所示之晶圓載〜和固定構件；兀27之固定構件群組及支持板29卡人 “ 動構件44F和固定構件術精由活再战第2之Ζ軸微動馬達 35 1343594 VZ2(係在Z軸方向，相對固定構件46F微小驅動晶圓載台 WST1 (及活動構件44F))(參照第7(A)圖）。本實施形態之情形，係使上述第！、帛2之z軸微動馬達vz,、VZ2所產生之驅動力相同，藉此能在z軸方向微小驅動晶圓載台WST1，並且，使各z軸微動馬達之驅動力相’、藉此此在繞X軸之旋轉方向（俯仰方向）微小驅動晶圓載台WST1。如以上所述，在本實施形態中，藉由γ軸微動馬達νγ、 X軸線性馬達LXi〜Lx3、及第i和第2之ζ轴微動馬達籲 (VZ,、VZ2)’構成6自由度驅動機構（相對固定構件單元，在6自由度方向驅動晶圓載台wsti)。還有，雖說明的順序顛倒，但在晶係如第卿圖所示，沿著X轴方向形成貫穿孔31a，:圓載台WST1係在卡合於固定構件單元27之固定構件群組及支持板29之第2圖之狀下，成為支持板29插入貫穿孔3la之狀態。在貫穿孔3U之内部’設置未圖示之自重消除器。該自重消除器係具有汽缸部和活塞部，在汽缸部* 之内部供應氣體’藉此被設定在正壓。因此，藉由該汽缸部内部之正壓，將晶圓載台WST1 $體以能對支持板29 相對移動之狀態來加以支持。 <還有，支持板29及自重消除器係並非必須設置，當未设置支持板29及自重消除器之情形，較佳係使第）和第2 、z軸4動馬達（vz,、VZ2)產生與晶圓載台WST1之自重平衡之Z軸方向之力’藉此來支持晶圓載台WST1之自重。 36 1343594 該另一晶圓載台WST2係與上述之晶圓載台WSTl同樣之構成。因此，如第2圖所示’在晶圓載台赠2和固定構件單元127之固定構件群組及支持板卡合之狀態下，與前述之晶圓載台WST1之情形同樣，藉由晶圓載台WSU 之活動構件群㈣.定構件單元127之固定構件群組，能在6自由度方向驅動晶圓載台WST2。在構成晶圓載台WST2之晶圓載台本體，係虚晶圓載台WST!側之晶圓載台本體31同樣，對應支持板形成貫穿孔，在晶圓載台WST2和固定構件單元127之固定構件群組及支持板卡合之狀態下，藉由設置於該貫穿孔部分之自重㈣器’將晶圓載台WST2整體以能對支持板相對移動之狀態來加以支持。在該—晶圓載台WST1之上面（+z側面），如第7(b) 圖斤丁 S X轴方向之一端（+ χ側之端部）設置 ΜΧ1(沿Υ軸方向延伸）夕勒兄甲乃在γ軸方向之一端（+ γ側之端部）設置Υ移動鏡MY1 兄軸方向延伸），在γ軸方向之 :「端在側之端部)設置Υ移動鏡Μ卿W方向延干涉㈣統之各測長軸之干涉計，投射干涉計光束（測長光束），用久用各干涉計來接收該反射光，藉此測量與各移動鏡反射面之、統側面、或對準般而言，係在投影光學系 /'，，·先之側面，配置固定反射鏡，以準面）之位移，藉此此為丞、里移動早元MUTU晶圓載台WST1) 之2 t准位置。又，在曰在日日圓載台WST1之上面，透過未圖示 37 1343594 之晶圓支持器，B p! ^ 的阳圓W 1係藉由靜電吸附或真空吸附來固定。還有，在第丨闻^ 圖中’就晶圓載台w S T1側之移動鏡而言’只圖示向之位置測量用之移動鏡MY1 a、MY lb。 _ 之日日圓載台WST2之上面（+ Z側面），如第2 在X軸方向之一端（+ X側之端部）設置X移動鏡 MX2(沿Y車由方向延伸），在Y軸方向之一端（+Y側之端部）’設，Y移動鏡MY2a(沿X軸方向延伸），纟γ軸方向之另鳊（Y側之端部），設置γ移動鏡MY2b^ χ軸方向延伸)。在這些移動鏡MX2、MY2a、MY2b之各反射面，從構成後述之干涉計系統之各測長轴t干涉言十，投射干涉計光束（測長光束），用各干涉計來接收該反射光，藉此測量與各移動鏡反射面之基準位置之位#，藉此，測量晶圓載台WST2之2維位置。又，在晶圓載台WST2之上面，透過未圖示之晶圓支持器’晶圓W2係藉由靜電吸附或真空吸附來固定。還有’在第丨圖中’就晶圓載台”丁2側之移動鏡而言，只圖示γ軸方向之位置測量用之移動鏡 MY2a、MY2b。在本實施形態中，構成載台裝置2〇之上述之各馬達之各電枢線圈所供應之電流大小及方向係藉由第1圖之主控制裝置50來進行控制，藉此’能任意控制各馬達所產Z 之驅動力之大小及方向。該對準系統ALG係如第1圖及第2圖所示，設置於投影光學系統P L·之+ Y側且一 X側之離開既定距離位置（即，斜偏離之位置）。該對準系統ALG，例如係使用影像處理 38 1343594 方式之成像式對準感測器之—種、即FIA(Fieid Alignment)系統之對準感測器。該對準系統al(}係由光源 (鹵燈）及成像光學系統、指標板（形成檢測基準之指標記號）、及攝影7L件（CCD)等所構成。該對準系統ALG係藉由來自光源之寬頻帶光來照明檢測對象之標記，來自該標記附近之反射光，係透過成像光學系統，與來自指標之光一起被CCD接收。此時，標記像與指標像一起成像於ccD 之攝影面。因此，對來自CCD之影像信號（攝影信號）施以既定之信號處理，藉此來測量標記位置（係把檢測中心之指標記號之中心當作基準）。在本實施形態+，對準系，統ALG係用來測量：晶圓載台WST1、WST2上未圖示之基準標記板上之基準標記、及保持於晶圓載台WST1、WST2上之晶圓上之對準標記之位置貢訊。來自對準系統ALG之影像信號係藉由未圖示之對 2控制裝置，進行A/D轉換，將數位化之波形信號進行運算處理，檢測出以指標中心為基準之標記位置。這種標記

位置之資訊，係從未圖示之對準控制裝置傳送至主控制裘置 50。 ’ V 其次，針對測量晶圓載台WST1、WST2位置之干涉叶系統，簡單加以說明。在第1圖中，在晶圓載台WST1、WST2上之移動鏡 MYlb之反射面，從Y軸干涉計116照射，通過投影光學系統PL之光轴、且與丫軸平行方向之干涉計光束（測長光束）。同樣地，在晶圓載台WST〗、WST2上之移動鏡MY2a 39 ^^594 之反射面’從γ軸干涉計118 ’照射通過對準系統alg之丨中^㈠曰標記號之中心）、且與Y柏平行方向之干涉計光束《因此，用Y軸干涉計（1 16、n8)分別接收來自移動鏡（MYlb ' MY2a)之反射光’藉此從各反射面之基準位置，測里相對位移，測量晶圓載台WST1、WST2之γ軸方向位置。此處’ Y軸干涉計（116、1 18)皆係多軸干涉計，除了測量晶圓載台WST1、WST2之Y軸方向之位置資訊之外，亦能測量俯仰（繞X軸之旋轉（χ旋轉））及搖動（z方向之旋轉）°各測長軸之輸出值能獨立測量。又’在晶圓載台WST1上之移動鏡MY1之反射面，從未圖示之X軸干涉計，照射通過投影光學系統PL之光軸、且與Y轴干涉計Π6之干涉計光束垂直交又之干涉計光束 (測長光束）。同樣地’在晶圓載台WST2上之移動鏡ΜΥ2 之反射面，從未圖示之χ軸干涉計，照射通過對準系統alg 之檢測中心（指標記號之中心）、且與Y軸干涉計11 8之干 ^ °十光束垂直交叉之干涉計光束（測長光束）。因此，用上述各X轴干涉計分別接收來自移動鏡（MX1、MX2)之反射光’藉此從各反射面之基準位置，測量相對位移，測量晶圓載台WST1、WST2之X軸方向位置。此處，X軸干涉 s十係多軸干涉計，除了測量晶圓載台WST][、WST2之χ 轴方向之位置資訊之外，亦能測量轉動（繞Y軸之旋轉（y 旋轉））及搖動（z方向之旋轉）。各光軸之輸出值能獨立測量。 40 1343594 因此，本貫施形雜孫益丄 ’、’、稭由2個X軸干涉計及γ軸井計1 1 ό、1 18合計4個千、、牛+ . y 干涉汁，來構成晶圓干涉計系制晶圓載台WST1、WST2 < χγ 2 、Λ γ 2維座；^位置）。構成晶圓干涉計系統之各干涉舛 θ ° τ ν叶之測賈值係傳送至主控制裝置 5 0 〇還有，以下’射出通過上述對準系統ALG之檢測中心 (指標記中心）、且肖丫轴干涉計118之干涉計光束垂直交叉之干涉計光束之X轴干涉計稱為對準用χ 1 出通過投影光學系統PL之光轴、且與丫軸干涉計116之干涉計光束垂直交叉之干涉計光束之x軸干涉計稱為曝光用X軸干涉計。主控制裝置50係在後述之曝光時，根據曝光用X軸干涉計及Y料涉計116之測量值，能無阿貝（abbe)誤差地高精度控制晶圓載台WST1、WST2之χγ面内之位置，後述之晶圓對準時，根據對準用χ軸干涉計及¥軸干涉計 118之測量值，能無阿貝誤差地高精度控制晶圓載台 WST1、WST2之ΧΥ面内之位置。但是，在本實施形態中，移動單元MUT1、MUT2並非恒保持第i ®、第2圖等之位置關係，而如後述，進行晶圓載台WST1、WST2之交換（及移動單元mtui、mtu2 之交換广此時’在晶圓載台WST2上之移動鏡，有時照射不到干涉計光束。考慮該點，能持續測量移動單元讀2 之y軸方向之位置資訊之未圖示之線性編碼器，係分別設置於既定位置。 41 因此’主控制裝置50在進行晶圓載台wsin、WST2 之人換之際，當無法藉由γ軸干涉計測量晶圓載台WST2 之位置時’係根據線性編碼器所測量之該Y軸方向之位置貧訊，來控制晶圓載台WST2(移動單元MUT2)i γ位置。又’在本實施形態中’在晶圓載台WST1、WST2之Υ 2方向之移動中，來自X軸干涉計之干涉計光束有時無法照射於晶圓載台WST1、WST2上之移動鏡。

方、疋，主控制裝置5 0 ,當基於某些理由使干涉計光束從移動鏡偏離，當那時無法測量之任一干涉計之干涉計光 j再度照射於晶圓載台WST1 ' WST2上之移動鏡時，能重設（或預設）當時無法測量之該干涉計之測量值。其次，針對使用上述構成之曝光裝置之一系統曝光程序，按照第8(A)圖〜第i〇(c)圖加以說明。弟8(A)圖係表示，在圓載台wST1上之晶圓W1透過投影光學系統PL進行

光動作並行’對晶圓載台WST2上之晶圓使用對準統ALG a行晶圓對準動作之狀態（該帛8(A)圖係對應第圖之狀態）。在亥第8(A)圖之狀態前，在既定之裝載位置（對準位置k)有阳圓載台WST2(及移動單元廳丁2)時，藉由未圖示之晶圓裝載哭，冰t ^ 〇〇來進仃裝載於晶圓載台WST2上之曝光完成之晶圓卸載及渐B圊κ ,… 執及新日日® W2之裝載（即晶圓交換）。 ‘上述之晶圓對讓#Λ於. 、了旱動作之際，主控制裝置50，係邊根據前述之Υ摩由干涉計1 1 8 及對準用X軸干涉計之測量值邊 42 1343594 控制晶圓載台wsm XY面内之位i，邊使用對準系統 ALG’來檢測出附設於晶圓W2上之特定複數個照射區域(樣本照射區域）之對準標記（樣本標記）之位置資訊。該晶圓對準(及前述晶圓交換)之際，主控制裝置5〇係使用前述γ軸線性馬達45A、145A，纟丫軸方向用長行程來驅動移動單元MUT2(晶圓載台WST2)，並且，透過構成移動單元則丁2 之前述6自由度驅動機構，在χ、γ、ζ、0χ、0 、θζ 方向，微小驅動晶圓載台WST2。又，主控制裝置L，在Ζ X軸方向用長行程來驅動晶圓载台WST2之際，係使用構成移動單元MUT2之6自由度驅動機構之3 χ抽線性馬達。其次，主控制裝置50係根據上述位置資訊之檢測結果和該特定照射區域（或樣本標記）之設計上之位置座標，例如，藉由揭示於曰本專利特開昭6】_44429號公報及對應此公報之美國專利第4,78M17號等使用最小平方法之統計運算’來求出晶圓W2 t所有照射區域之排列座標而執行 EGA(Enhanced Global A]ignment)方式之晶圓對準。在本國際申清所指定之指定國(或所選擇之選擇國)之國内法令許可範圍下’援用上述公報及對應該公報之上述美國專利之揭示’當作本說明書記載之一部分。又，這種情形，主控制裝置50係在檢測樣本標記之位 :資訊之前後，檢測出晶圓載台WST2上之未圖示之基準標记板上之第I基準標記之位置資訊。因此，主控制裝置 50知將先削所求出之晶gj W2上之所有照射區域之排列座 43 1343594 私’轉換為把帛1基準標記之位置當作原點之位置座標。如上述’在晶圓載台WST2側，執行晶圓交換、晶圓對準。與該晶圓交換、晶圓對準並行，在移動單元MUT1 側’係在主控制裝置50之管理下進行步進且掃描方式之曝光動作、即重複進行照射間步進動作與掃描曝光動作。該照射間步進動作，係根據業已進行之晶圓對準結果，使晶圓載台WST1移動至裝載於晶圓載台WST1上之晶圓W1 上之各照射區域之曝光用的加速開始位置；該掃描曝光動乍係使‘、線片R(標線片載台RST)和晶圓w 赠υ在γ轴方向相對掃描，透過投影光學系統(PL圓= 成於標線片R之圖案轉印於晶圓W1上之曝光對象之照射區域。在開始上述之步進且掃描方式之曝光 …〇,係邊根據Y轴干涉計116及曝光用X轴干= 控制晶圓栽…之位置，邊使用未圖示1 才示線片對準系統，I ,、目丨曰 +予元來冽Ϊ晶圓載台WSTI上未圖示之標記板上之一對第2基準俨q 4μ n 對準標記。因此，主押制;^才示線片汉上之一對標線片片H牵之:制裝i 50係根據其測量結果（標線片圖案之才又影中心和基車pl 第… 之一對第2基準標記(該弟2基旱仏s己和刖述之第心弟1基準標記之位置關係係已知）之 ,置關係)和先前所進行之晶圓對準之結果(以第丨基準標 δ己為基準之晶圓w 1之各昭紐F从 ^ W〇T] .. …、射£域之位置座標），使晶圓載 D WSTi移動至晶圓w 開始位置。《各騎區域之曝光用的加速 44 ^43594 因此’開始曝光動作前，使用標線片對準系統，來測量^線片圖案之投影中心和基準標記板上之一對第2基準才示S己之位置關係，故在晶圓對準後到開始曝光之間，即使干涉计產生無法測量晶圓載台位置之情形，亦不會造成問題。上述之步進且掃描方式之曝光動作之際，主控制裝置 50係使用前述γ軸線性馬達33A、33B，在Y軸方向，用長行程來驅動移動單元MUT1 (晶圓載台WST1)，並且，透過構成移動單元MUT1之前述6自由度驅動機構，在χ、 ' X、6» y、0 z方向’微小驅動晶圓載台wsti。又，主控制裝置50 ,在X軸方向用長行程來驅動晶圓載台 WST1之際，係使用構成移動單元MUTi之6自由度驅動機構之3個X軸線性馬達LX,〜LX3。還有’該曝光動作本身之步驟等係與通常之掃描步進機同樣，故進一步的詳細說明予以省略。對上述晶圓載台WST2上之晶圓之晶圓對準動作、和對上述晶圓載# WST1 i之晶圓之曝光動作，通常，晶圓對準動作先結束。因此，主控制裝置5〇，在晶圓對準完成後對日曰圓載台WST1上之晶圓持續進行曝光作動的期間，與此並行，使具有晶圓載台WST2之移動單元MUT2，經由具有晶圓載纟WST1之移動單元MUT1之下方移動至移動早7L MUT1之-γ側，而執行晶圓載台之交換。具體而言’主控制裝置5G係透過前述轉軸馬達66a、 66B m(A)圖所示之上端移動位置，將上下移動導件 45 1343594 55A 下降驅動至第8(b)圖所示之下端移動位置。藉由或上下移動導件55A、55B下降驅動，使移動單元MUT2 下降驅動，而使設置於移動單元MUT2之一對Y活動構件 133A ' 133B分別卡合於γ固定構件45B、145B。又，藉由上述移動單元MUT2之下降，先前照射於移動鏡MX2及MY2之干涉計光束變成照射不到這些移動鏡。因此，移動單元MUT2之下降結束之同時，移動單元mut2 之Y軸方向之位置測量係用前述編碼器來進行。士因此，當上下移動導件55A、55B下降至下端移動位鲁置4 ’上下移動導件57A、57B亦如第8(B)圓所示，位於下端移動位置。此時，固定導件53A之導引面153b和上下移動導件55A、似之導引面155a、⑽之高度位置一並且固疋導件53B之導引面253a和上下移動導件 55B、5 7B之導引面255a、257b之高度位置—致（參照第5 圖）〇於是，主控制裝置50係邊監控前述編碼器之測量值，邊·^動γ轴線性馬達45B ' 145B，而驅動成，使移動單元肅2從第8(B)圖所示之上下移動導件55A' 55B上之位置、經由帛8(C)圖所示之固定導件53A'別上之位置（移動單元mm之下方位置）、到達第9(A)圖所示之上下移動導件57A、57B之位置。其次’主控制裝置50係透過前述轉軸馬達68八、68b，使上下移動導# 57Α、57β朝向第9剛所示之上端移動位置進行上升驅動。但是’此時，在晶圓載台術】側， 46 1343594 對晶圓W1持續進行曝光，該晶圓載台WST1之位置係藉由^由干涉計m及曝光用x轴干涉計來測量。為此由隨著上下移動導件57A、57B之上升驅動之晶圓載台 WST2之位置變化，為避免遮擋來自干涉計IK之干涉計光束’在晶圓载台WST1側之曝光動作結束前，主控制裝置50係將上下移料件57A、㈣上升驅動至較第9⑻圖稍下方之位置，在該位置待機。 ^因此，晶圓載纟WSTH則之曝光動作結束後，主控制裝置50係透過轉軸馬達68八、68B，進一步上升驅動上下 :動導件W…剛所示之高度位置，但在該 :中來自Y軸干涉計i ! 6之干涉計光束變成照射不到晶圓載台WSTI ±之移動鏡MYlb，同時，照射於晶圓載台 WST2上之移動鏡MY2b。此處’主控制裝置50,當來自上述¥軸干涉計ιΐ6之干涉計光束變成照射不到晶圓載台WST1上之移動鏡_ 之前’將測量晶圓載台WST2之γ轴方向位置之干涉計、切換為此時干涉計光束照射移動鏡MYla之γ軸干涉計 m。又，將用於測量晶圓載台WST2(移動單元之 Y軸方向之位置之測量裝置，從編碼器切換為 116。在上述之干涉計切換完成時點，係如第9(B)圖所示，上下移動導件55A、55B係藉由轉軸馬達66八、_，驅動至上端移動位置。其次’主控制裝置50係分別驅動γ軸線性馬達“a、 47 1343594 M5A及Y柄線性馬達33A、33B，如第9(C)圖所示，向+ Y方向，分別移動晶圓載台WST2(移動單元MUT2)和晶圓載σ WST1(移動單元MUT1)。具链而言，主控制裝置係使曰a圓載台WST2移動至基準標記板位於投影光學系統下方之位置’使晶圓載台w s τ丨移動至晶圓交換位置。 .因此主控制裝置5 0係在基準標記板移動至位於投影光子系統PL之下方位置之晶圓載台WST2側使用前述 ^線片對準系統，來測量晶圓載纟WST2上之基準標記板之對第2基準標記和標線片R上之一對標線片對準標。己後根據泫測量結果和前述晶圓對準結果，對晶圓W2 上之各照射區域，開始步進且掃描方式之曝光動作（來昭第 9(C)圖）。

〆、上述a曰圓載台WST2側之晶圓W2之曝光動作並行，在移動至晶31交換位置之晶圓载纟WST1上，在主控制裝置50之扎不下，晶圓w丨係透過未圖示之晶圓搬送裝置’ μ 乂卸載，下一晶圓（此處係假設晶圓W3)係透過晶圓搬送茗置加以扁載。該晶圓交換後，主控制裝i Μ係對晶圓載台WST1上之晶圓们執行晶圓對準。因此，圓載台WST2側之曝光動作及晶圓載台WSTi 之對準動作皆在結束之階段，主控制裝置Μ係朝—Y方向平盯移動晶圓載台WST2(移動單元則τ2)和晶圓載台 WST1(參照第10(Α)圖）。圓載台WST2在位於上 57B上之階段，主控制因此’如第10(A)圖所示，曰 1 a曰端移動位置之上下移動導件57a、 48 1343594 裝置50係如第10(B)所示，將上下移動導件57A、57B下 11牛驅動。藉由該下降驅動，來自Y軸干涉鏡丨丨6之干涉計光束（先前照射於晶圓載台WST2之移動鏡MY2b)係從該移動鏡MY2b偏離，並照射於晶圓載台WST2之移動鏡 MY2b，故主控制裝置5〇係將測量晶圓載台wsti之γ軸位置之干涉計切換為Y軸干涉計π 6。先前，在晶圓載台 WST1之移動鏡Μχ丨，照射來自曝光用X軸干涉計之干涉十光束，藉由該曝光用χ軸干涉計來測量晶圓載台夏之X位置。

因此，切換上述之γ軸干涉計以後，晶圓載台wsT J 之XY面内位置係藉由曝光用X軸干涉計及Y軸干涉計i 16 來測量。 …、後在曰曰圓载台WST1側，係和前述同樣，對晶圓 W3開始進行曝光動作。另一方面’將上下移動導件57A、57B下降驅動至第 1 0(B)圖所示之下端蔣叙办里α %移動位置後，主控制裝置5〇係在移動單元MUT2之γ缸士人一轴方向之位置測量中使用編碼器。此處，隨著上述之上下移動導件5 7A、5 7B之下降驅動，移動單元MUT2之γ活叙槐μ , 砂切早動構件133Α、133Β係與Υ固定構件45Β、 1 45Β卡合。主控制裝置5〇,與上下移動導件57Α、57Β之上述下降驅動大致同時，侦上述卜下移動導件55A、55B亦從第10(A，因:！：置，下降驅動至第之下端移動位置，上下移動導件57Α、55Α& 57β、55β在下降 49 1343594 驅動至下端移動位置之階段’主控制裝置50係使帛γ軸線f生馬達45Β、Ι45Β，朝+ γ方向驅動移動單元Μυτ2(晶圓载口 WST2)，使其經由移動單元MUn (晶圓裁台下方位置，移動至第]〇(c)圖所示之位置。並且，主控制裝置50係從第1〇(c)圖之狀態，上升驅動上下移動導件 55A、55B。藉此’恢復與第8(A)圖同樣之狀態。在這種情形下：亦從藉由編碼器之晶圓載纟WST2 <位置測量，切換為藉由干涉計之位.置測量。以後，重複進行使用第8(A)圖〜第】〇(c)圖來說明之上述晶圓載台WST1、WST2之並行處理動作。由以上之說明可知’本實施形態之曝光裝置10係藉由前述驅動系統（33A、33B、133A、n3B、35a、MB、叫 =主控制裝置50來構成交換裝置。χ，藉由前述之升降早兀EUI來構成第】上下移動機構，#由升降單元㈣、 EU4來構成第2上下移動機構。如以上詳細說明，依本實施形態之曝光裝f 1〇，係且備交換裝置（33A、33B、133a、133b、35a、35b、515〇)/，、其以2個晶圓載台WSTI、術2中一晶圓載台ws職 ^載台）暫時位於另-晶圓載台WST1下方位置之方式，在藉由技W光學系統PL之日日日圓曝光動作和藉由對準系統之晶圓上之標記檢測動作（晶圓對準動作）之間，進行兩晶因此，在本實施形態中，圓載台（WST1、WST2)之交換藉由該交換裝置，如前述，系統PL之位置）附近之一晶對位於第1位置（設置投影光學圓載台WST1上之晶圓藉由投 50 1343594 影光學系統PL進行曝光動作，與此並行，在第2位置（設， ^對準系統ALG之位置）附近，使採用對準系統alg檢測曰曰圓上之標記動作完成之晶圓載台WST2暫時位於該一晶圓載台WST1下方位置，而能進行兩晶圓載台交換動作之 —部分。因此，比起對一晶圓載台上之晶圓完成曝光動作之時點才開始進行兩晶圓載台之切換動作之情形，能用更短時間來進行該交換，藉此，能謀求曝光處理製程（對2個基板载台上之基板交互進行曝光處理）之產能提昇。又，基板載 _ 台之交換只須順沿既定之路徑來移動各基板載台，而不須進行前述機械性抓取之伴隨不確定性的動作，不須進行該動作之對位且不產生晶圓之位置偏離等，故不會降低曝^ 精度。又，僅使用1個對準系統ALG即可，故可防止複數個對準系統所造成之前述問題。又，依本實施形態之曝光裝置10 ,則如使用第8(a)圖〜第10(C)圖所說明，藉由上述之交換裝置，對投影光學系統PL下方之第1位置（既定位置），使2個晶圓載台 _ WST1、WST2交互移動之際，只使2個晶圓載台中一晶圓載台WST2移動至暫時位於另一之晶圓載台WSTi下方之位置。即，晶圓載台WST1係在既定面（前述之第】面）内移動，只晶圓載台WST2在上下移動及前述之第】面内移動’即可使2個晶圓載台WST1、WST2交互移動至第1位置。因此，例如，連接於晶圓載台WST1、WST2之配線等不纏繞，能使2個晶圓載台ws丁交互移動至第1位置。 51 1343594 還有，在上述實施形態中，雖 WST2係特定載台，使該晶圓載台台下方移動之兩晶圓载台晶圓對準完成之晶圓）之晶圓載台 WST1 本發明係不限定於此者。即 WST1、WST2兩者。該情形，台WST1、WST2循環之構成曝光的剩下之晶圓載台下方 WST1、WST2 之交換。是針對既定一晶圓載台 WST2經由另一晶圓載之父換情形加以說明，但特定載台亦可係晶圓載台父換裝置亦可採用使晶圓載該構成係使特定載台（保持 ’暫時待機於已進行晶圓而依此方式進行晶圓載台

还有，在上述實施形態中，就照明光江而言，係使用

KrF準分子雷射光等遠紫外光、&雷射、ΑΓρ準分子雷射等真空紫外區A、或來自超高壓水銀燈之紫外區之亮線線、i線）等者，但不受限於此，亦可使用A。雷射光（波長 1 26nm)等其他真空紫外光。又，例如，就真空紫外光而言，不文限於從上述各光源所輸出之雷射光，亦可用摻入餌

(Er)(或鎮和镱（Yb)兩者）之光纖放大器來放大dfb半導體雷射或光纖雷射所振盪之紅外區、或可視區之單一波長雷射光，並以非線性光學結晶進行波長轉換為紫外光之高次言皆波。又，就照明光IL而言’在使用X線、電子線和離子束等帶電粒子線之曝光裝置，亦適用本發明。例如，使用帶電粒子線之曝光裝置之情形，電子光學系等帶電粒子線光學系統係構成曝光用光學系統。其他，例如，在國際公開WO99/49504號等所揭示之投影光學系統Pl和晶圓間， 52 1343594 填滿液體之液浸切曝光裝置等中，办可適用本發明β 還有’在上述實施形態中，係針對在步進且掃描方式等掃描型曝光裝寰中，適用本發明之情形加以說明，但本發明之適用範圍當然不限定於此。即，在步進且重複方式之縮小投影曝光裝置中，本發明亦能適用。還有，將由複數個透鏡所構成之照明光學系統、投影光學系統組裝入曝光裝置本體中，進行光學調整，並將由夕數個機械元件所構成之標線片載台和晶圓載台安裝於曝光裝置，連接配線和配管，進一步進行綜合調整（電氣調整、動作確認等），即可製造上述實施形態之曝光裝置。還有，曝光裝置之製造較佳係在控制溫度及清潔度等之無塵室來進行。逛有，本發明不受限於半導體製造用之曝光裝置’亦 L用於·包含液晶顯示元件等之顯示器之製造用、將元圖案Ιτ印於玻璃板上之曝光裝i，將薄膜磁頭之製造所吏用之兀件圖案轉印於陶瓷晶圓上之曝光裝置、及使用於攝影π件（CCD等）、微機械、有機肛、驗晶片等製造之曝光裝置等。又，本發明尤信、由由&在I ^ ♦敛明不僅適用於製造半導體元件等微元件，亦適用於，為了製勺】九曝光裝置、Euv曝光裝置、 X線曝光裝置、及電子線珉去琛曝先裒置專所使用之標線片或光罩’而在玻璃基板或石夕晶圓箄絲圓寻轉印電路圖案之曝光裝置。此處’使用DUV(遠紫外^知ντΐλ//古 " 系外）先和VUV(真空紫外）光等之曝光裝置’ 一般係使用透過型栌％ ^ m备 ^棕線片，就私線片基板而言，可使用石奂玻璃、摻氟之石央琥离螢石 '氟化鎂、或水晶 53 1343594 等又近接方式之x線曝光裝置、或電子線曝光裝置等，係使用透過型光罩（模板光罩、隔膜光罩），就光罩基“ 言’係使用矽晶圓等。 (元件製造方法）其次，針對在微影L 1 袅私使用上述之曝光裝置之元件製造方法之貫施形態加以說明。第1丨圖係表示矿丁 7L件（1C和LSI等半導體晶片、液晶面板、CCD、湾膜磁頭、微機械等)之製造例之流程。如第I! ^所不^先’在步驟2Q1(設計步驟）中，進行元件之功能、性能设計（例如，丰邋牛導體7L件之電路設計等），進來實現該功能之圊幸今钟。 m 驟）中，製作形成所設叶之φ吆固# 早表埝步人叮。又。卞之電路圖案之光罩。另一面，驟：㈣製造步驟)中，使用”材料，來製造晶圓/ 牛/:所1步驟2〇4(晶圓處理步驟）中，使用步㈣1〜步驟203所準借夕止变β 在曰圓上υ一圓，如後述’藉由微影技術等，日曰乂成貫際之電路等。其次，在步裝步驟）中，使用步〇5(兀件組 /驟204所處理之晶圓，進在該步驟205中，+ 丁兀仵、，且裝。

^ , ’視1^要，包含切割製程、接合萝鞀R 封裝製程(晶片封裝)等製程。要。“、及最後，在步规i 之元件之動作確“-步驟)中，進行步驟2。5所製作後，完成元件，將耐久測試等檢查。經過這些製程將凡件出貨。第1 2圖係表干生# ^ y、半導體元件之上述步驟2〇4之蟑έ 士立例。在第u圖巾+ y 叫之评細流程 ’在步驟2丨1(氧化步驟)中，使晶圓之表 54 1343594 面氧化。在步驟212(CVD纟驟）中，纟晶圓表面形成絕緣膜。在㈣2η(電極形成步驟)中，藉由蒸鍍將電極形成於晶圓上。在步驟214(離子植入步驟)中，將離子植入晶圓。以上之步驟211〜步驟214，係分別構成晶圓處Μ 階段之前處理製程’在各階段中，選擇所需要之處理來執行。在晶圓製程之各階段，當上述前處理製程完成後，如以下，執行後處理製程。在該後處理製程中，首先，在步驟215(光阻形成步驟）中，將感光劑塗布於晶圓。|次，在步驟叫曝❹驟)中，係藉由以上所說明之微影系統(曝光裝置）及曝光方法’將光罩之電路圖案轉印於晶圓上。其次，在步驟217(顯影步驟）中，將被曝光之晶圓顯影，: 步驟218(触刻步驟）中，藉由敍刻將先阻殘存部分以外部分之露出構件去除。@jtb，在步驟219(光崎去步驟）中，除去已完成敍刻而不再需要的光阻。重複進行這些前處理製程和後處理製程，在晶圓上形成多重電路圖案。使用以上所說明之本實施形態之元件製造方法，在曝光製程（步驟2 1 6)中，因使用上述實施形態之曝光裝置，故不會降低曝光精《，能進行高產能之曝光。因此，能提同肜成有微細圖案之高積體度微元件之生產性。本發明之曝光方法及曝光裝置係適用於對2個基板載台上之基板交互進行曝光處理。又。本發明之載台裝置係適用於本發明之曝光裝置。χ，本發明之元件製造方法係 55 1343594 適用於微元件之製造。【圖式簡單說明】第1圖係概略表示本發明一實施形態之曝光裝置。第2圖係表示第i圊之晶圓載台裝置之立體圖。第3圖係表示第2圖之晶圓載台裝置之分解立體圖第4(A)圖係表示γ軸線性馬達之活動構件（其1)。第4(B)圖係表示γ軸線性馬達之活動構件（其第5圖係表示導引機構之立體圖（其1)。之立第6圖係表示導引機構之立體圖（其2)。第7(A)圖係表示將移動單元Mlm之框局部截斷狀雖 IS1。％、

第7(B)圖係表示晶圓載台之立體圖。第8(A)圖係用來說明曝光處理程序（其〇 ^ 第8(B)圖係用來說明曝先處理程序（其2)。第8(C)圖係用來說明曝光處理程序（其3)。第9(A)圖係用來說明曝光處理程序（其句c 第9(B)圖係用來說明曝光處理程序（其。第9(C)圖係用來說明曝光處理程序（其6)。第10(A)圖係用來說明曝光處理程序（其7) 第10(B)圖係用來說明曝光處理程序（其8) 第l〇(C)圖係用來說明曝光處理程序（其9)

:η圖係用來說明本發明之元件製造方法之流程圖。第12圖係表示帛11圖之步驟204之具體例流程圖。【主要元件符號說明】 56 1343594 ALG :對準系統 ΑΧ :光軸 CCD :攝影元件 EU1、EU2、EU3、EU4 :升降單元 F :地板面 IAR :照明區域 IL :照明光 LX,、LX2、LX3 : X軸線性馬達 MUT1、MUT2 :移動單元 MX1、MX2 : X移動鏡 MYla、MYlb、MY2a、MY2b : Y 移動鏡 PL :投影光學系統 R :標線片 RST :標線片載台 VY : Y軸微動馬達 VZ,:第1之Z軸微動馬達 VZ2 :第2之Z軸微動馬達

Wl、W2、W3 :晶圓 WST1、WST2 :晶圓載台 10 :曝光裝置 1 2 :照明系統 16 :標線片干涉計 20 :載台裝置 22 :標線片載台驅動部 57 1343594 23 ' 123 :框 27、127 :固定構件單元 29 :支持板 3 1 :晶圓載台本體 3 1 a :貫穿孔 33A、33B、133A、133B: Y 活動構件 35A、35B :固定構件單元 39 :活動構件本體 41、141 :氣體靜壓軸承 43A、43B、143A、143B :支持柱 44A、44B、44C、44D、44E、44F :活動構件 45A、45B、145A、145B : Y 固定構件 46A、46B、46C、46D、46E、46F :固定構件 50 :主控制裝置 51 :導引機構 52 :軛 52A :第1導引部 52B :第2導引部 53A、53B :固定導件 54 :場磁鐵 55A、55B、5 7A、5 7B:上下移動導件 56 :框狀構件 58A、58B、62A、62B :永久磁鐵 60 :框狀構件 1343594 6 1 :連結板 65A、65B :固定塊 66A、66B :轉軸馬達 67A :固定塊 68A :轉軸馬達 93、95 ··場磁鐵 1 1 6、1 1 8 : Y軸干涉計 127 :固定構件單元 1 4 1 :氣體靜壓軸承 153a :第1導引面 153b :第2導引面 155a、157a、253a、253b、253c、253d、255a、255b、255c :導引面 155b、157b :導引槽 255d、257a、257b :導弓丨面

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Claims

1343594 100年2月<25*曰修正替換頁十、申請專利範圍·· 一一~~― 1、一種曝光方法，係對分別保持於第1基板保持具及第2基板保持具之基板交互進行曝光處理；其特徵在於，包含以下步驟：暴板保持具上之第丨基板進行第在對該第 -‘曝光動作後，對該第2基錢持具上之第2基板進㈣2曝光動作時，使完成該曝光動作之該第1基板保持具、盥接著進行曝光動作之該第2基板保持具之一方，暫時位於該第卜第2基板保持具之另一基板保持具之下方。 2、如申請專利範圍第丨項之曝光方法，其中，在對該第1基板保持具所保持之該第】基板進行該第】曝 =作後，對M2基板保持具所保狀_2基板進行持之，2第曝f乍時’在檢測形成於㈣2基板保持具所保 '^第2基板之標記後，該第2基板保持具。 “仃”以處理之位置配置广如申請專利範圍第2項之曝光方法，其中，在。亥第1或第2曝光動作時或該標記之面上分別麒叙-* 士彳才在既疋千 “!艇動狄置有該帛i基板保持具之置有該第2基板保持具之第2載台。恭申^專利範圍第3項之曝光方法’其中，^第1 載台與該第2 ，、甲，忒第1 構件協同動作係分別藉由具有岐構件及與該固定動，且今固一件之驅動裝置在該既定平面上驅 s 疋構件在該第1載台與該第2載台共用，如申凊專利範圍第4項之曝光方法’其中該步驟， 60 1343594 100年2月巧日修正替換頁係使s玄第1基板保持具與該第丨载台一起暫時位於該第基板保持具及該第2載台下方。 6、一種曝光裝置，係對2個基板載台上之基板交互進行曝光處理；其特徵在於，具備：曝光光學系統，係將位於既定之第1位置附近之該各基板載台上之基板曝光；標記檢測系統，係檢測出位於與該第1位置不同之第2 位置附近之該各基板載台上之基板所形成之標記；以及2 交換裝置，係以該2個基板載台中至少一基板栽台（特定載台）暫時位於另一基板載台下方位置之方式，在使用該 *光光干系統之基板曝光動作和使用該標記檢測系統之基板上之標記檢測動作之間，交換該兩載台。 & ，叫寸Μ托图弟6項之曝光裝置，其中該置，係使該特定載台暫時位於、〜基板載台之下方待機。 8、如申㈣專利範圍第6項之曝光裝置，口係該2個基板栽台令—基板裁台； 1 交換m使該特定載台經由該另1 △之下方來移動。之下方 —寻利範圍帛8項之曝光裝置甲該交換』置係包含：第1上下移動機構，係在該位置之間，上下移動和其下方之第 F移動該特定裁台；以及第2上下移動機構，係在反側之第4位置之與第2位置] 之第5位置之間’上下移⑽ 1343594 特定載台。 100年2月25"曰修正替換頁 1 υ -曝光裝置’係對能在既定平面上分別移動第1基板保持且及第2其亏八及第2基板保持具所裝載之基板，行曝光處理；其特徵在於，具備：進搬送裝置’用以將基板裝載於該第1基板保第2基板保持具： 4違曝光光學系統，係對裝載於該第1基板保持具及該第2 基板保持具之該基板進行曝光；以及

乂換裝置，係配置於從藉由該搬送裝置進行褒載動 ^立置起’該帛I基板保持具及該第2基板保持具移動至糟由違曝光光學系統進行該曝光處理之位置途中，使裝有完成該曝光處理之該基板之該帛1基板保持具及該第2 基板保持具之—方、與裝載有接著進行曝光處理之基板之該第1基板保持具及該帛2基板保持具之另—方，以對該 -基板保持具與該另一基板保持具直行於該既定平面之；向彼此成上下關係之順序進行交換。

11、如申請專利範圍第10項之曝光裝置，其進—步具備標記檢測系統’用以檢測形成於該帛丨及第2基板” 具所裝載之基板之標記； ’'、在對該第1基板保持具所保持之該第i基板進㈣第丨曝光動作後’對該S 2基板保持具所保持之該第2基板進行該'2曝光動作時，在檢測形成於㈣2基板保持具所保持之《玄帛2基板之標記後，在進行該曝光處理之位置該第2基板保持具。 62 1343594 ' -- 100年2月25*日修正替換頁 12、如申請專利範圍第項之曝光裝 1驅動裝置，在該第1或第2曝光動作時或該標記之檢測日’’在％定平面上分別驅動設置有該帛】基板保#罝之載台、與設置有該第2基板保持具之第2載台。、 3如申。Η專利範圍第丨2項之曝光裝置，其具備：第1驅動裝置，具有第1固定構件及與該第1固定構件協同動作之第：移動構件固疋構載台；以及纟該既疋+面上驅動該第! 第2职動裝置，具有第2固定構件及與該件協同動作之第2移動固疋構載台；在°玄既疋平面上驅動該第2 該第1固定構件與該第該第1驅動裝置t 構件係共通構件，且在牧置與該第2驅動裝置共用。丨4、如申請專利範圍第13項 1基板保持具與該第ip 、裝置’、中，該第及該第2載台下方。起暫時位於該第2基板保持具 15、—種元件製造方法於：係包含微影製程，其特徵在使用申請專利範圍第！項之第10項之曝光裝置，來進行基：法或申“利範圍對完成該曝光之基板進 ’、、' 仃處理从形成元件。十一、圖式：如次頁 63