TWI343054B - Optical recording medium - Google Patents

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TWI343054B
TWI343054B TW096107883A TW96107883A TWI343054B TW I343054 B TWI343054 B TW I343054B TW 096107883 A TW096107883 A TW 096107883A TW 96107883 A TW96107883 A TW 96107883A TW I343054 B TWI343054 B TW I343054B
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Hiroko Ohkura
Kazunori Ito
Hajime Yuzurihara
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Description

1343054 Ο) 九、發明說明 * 【發明所屬之技術領域】 、本發明係相關於使用相變材料的可重寫，可相變光學 記錄媒體，尤其是相關於能夠高速記錄和範圍廣的記錄線 性速度；及用以提高能夠以8x速度或更高記錄具有與 DVD向下相容性之光學記錄媒體的記錄靈敏度和儲存可 靠度。 【先前技術】 近年來，已逐漸發展具有由相變材料所組成的記錄層 之光學記錄媒體（下文中可稱作“相變光碟”，”光碟" ，或“可相變光學記錄媒體”）。 - 通常，在相變光碟中，將特定溝槽形成在透明塑膠基 - 體上，及將薄膜形成在溝槽上。當作基體的塑膠材料，主 要使用聚碳酸酯樹脂，及使用塑料注射成型法形成基體的 % 溝槽。形成在基體上的薄膜具有以第一保護層，記錄層， 第二保護層，及反射層的此順序形成在基體上之多層結構 〇 分別以氧化物、氮化物、硫化物等形成第一保護層和 第二保護層。其中，ZnS-Si〇2，ZnS和Si02的混合物較佳 υ 就記錄層而言，可使用含有SbTe的相變材料當作主 要成分。尤其是，相變材料的例子包括Ge-sb_Te’ In-Sb_ Te，Ag-In-Sb-Te » Ge-In-Sb-Te ^ Ge-Sn-S-Te » Ge-Te * -5- (2) (2)1343054
In-Sb，Ga-Sb，及 Ge-Sb。 就反射層而言，可使用金屬材料，但是’以光學特性 和導熱性的角度來看，可使用諸如Al，Ag，Au，Cu等金 屬材料及其合金。此外，就提高各種碟特性的目的而言， 可在上述各自層之間形成稱作插入層或介面層的不同層， 或可以多層形成各層本身。 就形成各個這些層而言，可使用諸如電阻線加熱法、 電子束蒸發法、濺鍍法、CVD法等各種層形成法。其中 ，從大量生產角度看來，濺鍍法尤其適用。 在形成這些層的多層膜後，藉由旋轉塗層將多層膜塗 層有樹脂以保護薄膜。 在以此方式生產的相變光碟中，用於記錄層的相變材 料是在非晶狀態，及相變光碟通常經過使記錄層結晶之所 謂的初始化步驟。在用以初始化相變光碟的典型初始化法 中，在半徑方向轉動碟和移動雷射束的同時，以來自具有 寬度幾微米、長度幾十微米到幾百微米的半導體雷射之雷 射束照射碟。在許多例子中，藉由設置有聚焦功能以雷射 束更有效率地照射光碟。在初始化相變光碟中，根據任意 預定的發光圖型（記錄策略）藉由以雷射照射碟可形成任意 非晶標記。此外’相變光碟可完成所謂的直接覆寫（D0W) 記錄之同時拭除和記錄。此處’拭除意謂使非晶狀態中的 標eS結晶’及錄思§胃從結晶標§3形成非晶狀態中的標記 〇 記錄策略包括記錄功率（P w)、拭除功率（p e)、和偏壓 -6 - (3)1343054 功率（Pb)的三元功率（pw>pe>Pb)。藉由組合這 衝寬度，記錄具有特定標記長度的標記。就用 生資料的調變法而言，有用於CDs的EFM DVDs的EFM +調變。因爲這些調變法利用標 模式，所以控制標記長度就非常重要。抖動特 於控制標記長度的評估。 這些相變光碟被用於CD-RW、DVD + RW、 DVD-RAM，並且被廣泛用於視聽應用和用於 錄資訊。近來，因爲高磁卷的數位容量，也開 相變光碟到較高磁卷的HD-DVD、藍光碟。隨 容量的增加，也期待更進一步的高速記錄。 高速記錄意謂藉由主要增加碟的轉動數量 錄，也意謂以如同DVDs的標準線性速度之8 多與28m/s或更多的線性速度一樣快的速度記彳 而且，鑑於實用性，與市面上已可取得的 置具有相容性之光學記錄媒體（所謂的向下相ί 因此不僅需要高速記錄而且也需要低速記錄。 如上述，知道有以GaBb爲主的相變材料 1及2分別揭示高線性速度記錄。然而，因爲上 沒有特別說明有關可記錄線性速度範圍，所以 術無法達成在廣泛線性速度範圍中能夠記錄之 的。 在這些情況下，本發明人經歷適合高速記 料中之再生錯誤數目在特定記錄線性速度範圍 些和各種脈 以記錄和再 調變和用於 記邊緣記錄 性通常被用 DVD-RW、 電腦中的記 始應用這些 著此種記錄 可達成之記 X速度或更 缘。 光碟驅動裝 穿性）較佳， 。專利文件 述專利文件 這些相關技 本發明的目 錄的相變材 中增加的現 (4) (4)1343054 象。例如，非專利文件1說明類似這些現象的報告。 下面，將說明有關本發明的發明人所發現之現象。 圖1圖示被發展用於記錄DVD + RW 8x速度之碟的記 錄線性速度和DOW 10倍記錄的抖動特性和pi錯誤（同位 內碼錯誤：內碼同位錯誤）特性之間的關係。在圖1中，水 平刻度表示記錄線性速度，左側垂直刻度表示PI錯誤， 及右側垂直刻度表示DOW 1 0抖動。PI錯誤意謂上述再生 錯誤。此外，就記錄條件而言，使用抖動特性最理想的條 件。 從圖1可看出，3 X到8 X的速度之碟的抖動特性顯示出 絕佳結果，即大約9%或更少，而在中間線性速度之4χ速 度到7χ速度的範圍中，ΡΙ錯誤數量急遽增加。因此，當 ΡΙ錯誤數量是280或更多，尤其是350或更多時，在實際 使用時會產生問題。 在圖1中，圖示遠大於上述値的ΡΙ錯誤數量，及抖動 特性顯然與錯誤特性完全相反。在圖1中，雖然無須依賴 D Ο W倍數數量就可證實類似現象，但是結果會有某些程 度的變化。 爲了查驗此現象的細節，就圖1所使用的碟而言，使 用圖2所示的記錄策略記錄交替排列3Τ標記和3Τ空間之 單-·圖型。圖3 Α爲記錄標記形狀的圖型圖式。圖2的水平 刻度表示時間，垂直刻度表示信號強度。A標記形狀的形 狀是使用透射式電子顯微鏡的觀察結果。 圖3 A中的標記A和標記C是正常記錄標記，而標記 -8- (5) 1343054 B是晶體發生在標記內的不正常標記。 . 圖3 B爲記錄標記的再生信號圖。虛線是當記錄標記 是正常時的例子，而當記錄標記具有像標記B 一樣的晶體 時，再生信號可能如實線所示一般的失真。結果’二元化 信號像圖3C所示者，具有晶體的不正常標記B只被再生 成短於正常3T標記。此處，只圖示再生3T信號圖型的資 料’及證實此問題也發生在其他信號圖型中。 φ 圖4爲ΤΙ A(時間間隔分析器）所量測之此種信號的結 果圖型圖。圖4圖示不正常標記和正常標記的分布’水平 刻度（對數軸）表示標記長度，垂直刻度表示標記數目。 如圖4所示，可分成集中於3T的正常分佈之成分和分 佈在短於3 T的區域中之成分。分佈在短於3 T的區域中之 ‘ 成分對應於存在於記錄標記中之不正常標記數目，其將產 . 生PI錯誤。 圖示下面（1 )到（3 )當作晶體影響非晶標記的例子。 • (1 )報告由於餘熱的標記之局部再結晶’又稱作交叉 ^ 拭除（見專利文件3 )。 . (2)報告由於高速記錄中的不足結晶所產生之未拭除 標記（見專利文件4)。 (3)報告在DOW記錄多倍數時晶體被澱積在非晶標記 的四周（見專利文件5到專利文件7 )。 發現從現象不視D 0 W倍數的數目而定之角度看來， 該現象不同於習知已知現象，在所有非晶標記中不產生晶 體，不管是否是適合的抖動特性再生錯誤的數目都明顯增 -9- (6) (6)1343054 加，及晶體存在於標記內而非標記四周。 而且’當記錄密度增加到D V D s的程度時，認爲如上 述晶體存在於記錄標記中將導致再生錯誤的增加，及預料 此將在能夠較高密度記錄之使用藍雷射的相變光碟中產生 嚴重的問題。 本發明人進一步檢驗錯誤在中間線性速度中增加的現 象，發現該現象嚴重依賴相變材料的結晶速率。 圖5圖示各種相變材料的結晶速率和3 T標記的不正常 標記數目之間的關係。圖5的水平刻度表示結晶速率，垂 直刻度表示不正常標記的數目。 不正常標記的數目是TIA(時間間隔分析器）估算所獲 得的總數，並且是存在於比3 T的區域更短的區域中之不 正常標記數目的標準化者。從圖5可看出，不正常標記的 數目在特定結晶速率所圍成之高結晶速率區中增加。因此 ’爲了控制不正吊標gil ’需耍限制結晶速率在低於特定値 的値。 雖然專利文件8到1 0建議使用InSbx當作記錄層的材 料之發明，但是沒有有關使用氧化鋅、氧化銦、氧化錫、 及其混合物的任一個當作保護層材料之揭示或表示。 在專利文件9中，雖然有有關標準時脈頻率、記錄條 件的說明，但是記錄線性速度和記錄密度（最短標記長度） 之間的關係並不清楚。 專利文件1 〇揭示記錄原理是結晶化標記之間所引起的 變化，但是沒有有關結晶化標記和非晶標記之間所引起的 -10- (7) 1343054 變化之揭示或表示。 . 雖然專利文件1 1到1 6揭示第二保護層的主要成分是選 自氧化鋅、氧化銦、及氧化錫的至少其中之一，但是有下 列問題。 在專利文件1 1中，沒有有關與InSbx的化合之組成說 明，使得無法完成本發明的目的》 在專利文件1 2中，只有有關化合2種保護層材料的組 φ 成之表示，使得也無法完成本發明的目的。 專利文件1 3所說明的發明使用不同的記錄層材料並且 是與本發明的組成完全不同的技術。 在專利文件14到1 5中，沒有有關與inSbx的化合之組 成說明，使得無法完成本發明的目的。 ' 在專利文件1 6中’沒有有關與I n S b x的化合之組成說 - 明並且保護層材料的位置不同，使得無法完成本發明的目 的。 Φ 不僅爲了解決上述問題’也爲了達成高速記錄，需要 . 使結晶速率更快。原因通常被認爲是若結晶速率低於記錄 線性速度，則無法完成覆寫中的結晶，使得不能進行足夠 的拭除。 就8x速度記錄的DVD + RW光碟而言’雖然藉由最佳 化記錄方法和另外使用額外材料和層結構可達成3·3χ速 度的低速記錄，但是考量進一步的高速記錄和向下相容性 ，有難以達成較廣泛的記錄線性速度之問題。 [專利文件1]日本專利申請先行公開（Jp_A)N〇 2〇〇5_ -11 - (8) (8)1343054 145061 [專利文件2]日本專利申請先行公開（jp-a )n〇. 2004-203011 [專利文件3]日本專利申請先行公開（jp-a)No.2004-164850 [專利文件4]日本專利申請先行公開（jp-A)n〇.2004-164849 [專利文件5]日本專利申請先行公開（JP-A)No. 4-286683 [專利文件6]曰本專利申請先行公開（jp-A)No. 6-103609 f專利文件7 ]日本專利（j p _ b ) N 〇 . 3 4 7 4 7 1 4 [專利文件8]日本專利申請先行公開（JP-A)No. 2005-193663 [專利文件9]日本專利申請先行公開（JP-A)No. 2002-347341 [專利文件10]日本專利申請出版（·ΙΡ-Β)Νο· 3 -5265 1 [專利文件1 1]日本專利申請先行公開（JP-A)No. 200 5 -190642 [專利文件12丨日本專利申請先行公開（Jp-A)No· 5-1 0 1442 [專利文件1 3]日本專利申請出版（JP_B)No· 25 5 9803 [專利文件1 4]日本專利申請先行公開（JP-A)No. 5 · 159362 -12- 1343054 ⑼ [專利文件1 5]日本專利申請先行公開（jp_a)no 1 i -185294 [專利文件16]日本專利申請先行公開（jp_a)No. 5-208559 [非專利文件1] H. Spruit等人：高速DVD + RW記錄 > ISOM/ODSO5 Tech. Dig. (2005) TuCl 【發明內容】 本發明的目的係設置一.可相變光學記錄媒體，其能夠 防止不正常標記發生，允許DVDs的標準線性速度之8x 速度或更多之高速記錄’及以範圍廣泛的記錄線性速度獲 得令人滿意的抖動特性和再生錯誤特性之結果。 解決上述問題的機制如下： < 1 >光學記錄媒體，包括：第一保護層，記錄層，第 二保護層，和反射層，當從用以記錄和再生之雷射束照射 的側觀看時，以此順序形成，其記錄層包含以下面組成式 d·1) ’組成式（1-2)，和組成式（1-3)的任一種爲代表之相 變材料；及第二保護層包含選自氧化鋅，氧化銦，氧化錫 ’及其混合物的至少其中之一，以下面組成式（2)爲代表 的材料，和以下面組成式（3)爲代表的材料，
InalSbpiXl.,i ...組成式（1-1) 其中XI是選自Ge，Te，Zn，及Μη的至少其中之― :α1，βΐ，及γΐ分別表示原子比，其中〇.l〇SalS〇.25， °·65^β 1 <0.80 » 0.04<γ1<0.1 5 > -13- (10) (10)1343054
Gaa2Sbp2SnY2Ges2X2E2…組成式（ι_2) 其中X2是選自Te’Zn’Mn，及In的至少其中之— :α2，β2，γ2，δ2，及ε2分別表示原子比，其中〇 〇4<α2<〇 〇9 ’ 0.56€β2<0·79，0.05<γ2€0·30，0,030220.19，及 〇u2s〇.〇9，
Mna3Sbp3SnY3GeS3X3E3_組成式（ι_3) 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之一； cx3 ’（3 3，γ3 ’ δ3 ’及ε3分別表示原子比，其中0.04sa3<0 〇9， 0.56<β3<0·79，0.05<γ350·29，0.035δ3<0·23，及 〇$ε3<0·09， ΖηΟ-Α1-Υ[(100-α4-β4): α4: β4]…組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一；α4 及β4分別表示質量百分比，其中〇.5<α4^10·0，及 0<β4<25.0 > ΖηΟ-Αΐ2〇3-Ζ[(100-(χ5-β5): α5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μ η氧化物，G e氧化物，T i氧化物，及 其混合物的任一種；a5及P5分別表示質量百分比，其中 0.5<a5<10.0 .及 0<β5$30·0。 <2>根據<1>的光學記錄媒體，另外包括透明基體； 及至少第一保護層，記錄層，第二保護層，和反射層，當 從用以記錄和再生之雷射束照射的側觀看時，以此順序形 成在透明基體上。 <3>根據<1>的光學記錄媒體，另外包含透明覆蓋層 ;及至少第一保護層，記錄層，第二保護層，和反射層’ 當從用以記錄和再生之雷射束照射的側觀看時，以此順序 形成。 -14- (11) (11)1343054 <4>根據<1>的光學記錄媒體，其中記錄層包含以下 面組成式（1- υ爲代表的相變材料；及第二保護層包含選 自氧化鋅’氧化銦，氧化錫，及其混合物的至少其中之~
InaiSbp|XlYi …組成式（1-1) 其中乂1是選自（^，丁6，211，及1^11的至少其中之一 ;αΐ，βΐ，及γΐ分別表示原子比，其中〇.ι〇；ζακ〇.25， 0.65<β 1 <0.80 > 及 0.04<γ 1 <0· 1 5 。 <5>根據<1>的光學記錄媒體，其中記錄層包含以下 面組成式（1 -1)爲代表的相變材料；及第二保護層包含以 下面組成式（2)爲代表的材料，
InaiSbpiXlyi …組成式（1-1) 其中XI是選自Ge，Te，Zn，及Μη的至少其中之一 ;al，pi，及γΐ分別表示原子比，其中〇·ι〇<ακ〇25， 0.65<β 1 <0.80 > 0.04<γ1 <0.1 5 > ΖηΟ-Α1-Υ[(1〇〇-α4-β4): α4: β4]…組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一；α4 及Ρ4分別表示質量百分比，其中〇 5^a4y〇 〇，及 0<β4<25.0 - <6>根據< 1 >的光學記錄媒體，其中記錄層包含以下 面組成式（1 - 1 )爲代表的相變材料；及第二保護層包含以 下面組成式（3 )爲代表的材料， Ιηα〖S bp!X 1 γ1…組成式（丨_!) 其中XI是選自Ge，Tc’Zn’及Μη的至少其中之一 -15- 02)1343054 ;αΐ，βΐ，及γι分別表示原子比，其中〇.l〇saK〇.25 ’ 0.65<β1<〇.80 - 0.04<γ1<0-1 5 > ΖηΟ-Α12Ο3-Ζ[(100-α5-β5): β5]...組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種；a5及β5分別表示質量百分比，其中 0.5<α5<1〇.〇 » 及 0<β5<30·0。 <7>根據<1>的光學記錄媒體，其中記錄層包含以下 面組成式（1-2)爲代表的相變材料：及第二保護層包含選 自氧化鋅，氧化銦，氧化錫，及其混合物的至少其中之一
Gaa2Sbp2SnY2Ge52X2e2 …組成式（1-2) 其中X2是選自Te，Zn，Mn，及In的至少其中之一 ;α2，β2，γ2，δ2，及ε2分別表示原子比，其中〇.〇4S(x2S〇.〇9 ，0.56<β2<0.79 · 0.05<γ2<0.30 - 0.03<δ2<0.19 -及 0<ε2<0.09。
<8>根據<1：>的光學記錄媒體，其中記錄層包含以下 面組成式（1 -2)爲代表的相變材料；及第二保護層包含以 下面組成式（2)爲代表的材料，
Gaa2Sbp2SnY2Ge52X2e2···組成式（1-2) 其中X2是選自Te，Ζη，Μη，及In的至少其中之一 ;oc2，（52 ’ γ2 ’ δ2，及ε2分別表示原子比，其中0.04M2S0.09 ，0·56<β2€0·79，0‘055γ250.30，0.03<δ250·19，及 0€ε2<0.09， ΖηΟ-Α1-Υ[(1〇〇-α4·β4): α4: β4]…組成式（2) 其中Υ是選自Mn，Ge，及Ti的至少其中之一；α4 及β 4分別表示質量百分比，其中〇 . 5 S a 4 ^ 1 0.0，及 -16- (13) (13)1343054 0<β4<25.〇 〇 根據<1>的光學記錄媒體，其中記錄層包含以下 面組成式（1 -2)爲代表的相變材料；及第二保護層包含以 下面組成式（3)爲代表的材料，
Gaa2Sbp2SnY2Ges2X2e2 ...組成式（1-2) 其中X2是選自Te’Zn’Mn，及In的至少其中之一 ;α2 ’ β2，γ2 ’ δ2，及ε2分別表示原子比，其中〇 〇4<α2<〇 〇9 ，0.56^2S0.79，〇·〇5<γ25〇·30，〇.〇3<δ2<0·19 ,及 0<ε2€0.09， ΖηΟ-Α12Ο3·Ζ[(100-α5-β5): α5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物’ Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種；a 5及β 5分別表示質量百分比，其中 0.5<α5<1 0.0 .及 〇<β5<30.0。 <1〇>根據<1>的光學記錄媒體，其中記錄層包含以下 面組成式（1_3)爲代表的相變材料；及第二保護層包含選 自氧化鋅，氧化銦，氧化錫，及其混合物的至少其中之S ♦ Μηα381>ρ33ηγ3Οεδ3Χ3ε3..·組成式（1-3) 其中X3疋遜自Te’ In，Ζη’及Bi的至少其中之〜， cx3，P3 ’ 丫3 ’ S3，及㈡分別表示原子比，其中〇 〇4仏3別〇叭 <H>根據 <丨>的光學記錄媒體，其中記錄層包含以卞 面組成式（I-3)爲代表的相變材料；及第二保護層包含、 下面組成式（2)爲代表的材料， 乂 1411013313(5381^3〇653\30〜組成式（1_3) -17- (14)1343054 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之一； ct3，β3，γ3 ’ δ3，及ε3分別表示原子比，其中0.04<α3<0·09 ’ 0.56幺β3€0·79，0.05幺γ3$0·29，0.03幺δ3值23，及 0<ε3幺0.09， ΖηΟ·Α1-Υ[(ΐ〇〇·α4.ρ4): α4: β4]…組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一；a4 及β4分別表示質量百分比，其中〇·5^α4^10.0，及 0<β4<25·0 °
<12>根據<1>的光學記錄媒體，其中記錄層包含以下 面組成式（1 - 3 )爲代表的相變材料；及第二保護層包含以 下面組成式（3 )爲代表的材料，
Mna3Sbp3SnY3Ges3X3s3_組成式（1-3) 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之一： • a3 ’（33 ’ γ3，δ3，及㈡分別表示原子比，其中0.0β(χΚ0·09， ， 〇·56<β3<0·79，0.0543S0.29，0.03U3S0.23，及 0<ε3<0·09， ΖηΟ-Α12Ο3-Ζ[(100-(χ5-β5): α5: β5]…組成式（3) φ 其中2表不1^11氧化物’Ge氧化物，Ti氧化物，及 . 其混合物的任—種；a5及β5分別表示質量百分比，其中 0.5 幺(X5S10.0，及 〇<β5<3〇·〇。 <13>根據<1>的光學記錄媒體’其中第二保護層的電 阻率是 1.0xl(T4Q.cm 到 l.OxlOiQ.cm。 <14>根據<1>的光學記錄媒體’其中最大記錄線性速 度是3〇m/s到56m/s及最小記錄線性速度是1〇{11/3到14〇1/3 < 1 5>根據< 1 >的光學記錄媒體，其中最短記錄標記長 -18- (15) 1343054 度是〇.5μηι或更小。 【實施方式】 本發明的光學記錄媒體從記錄用的進來光線之方向相 繼由至少第一保護層、記錄層、第二保護層、反射層、及 視需要的其他層所組成。 模式（1)和模式（2 )當作光學記錄媒體較佳。模式（〗）及 φ (2)如下。（1)模式，具有透明基體；和至少第一保護層、 記錄層、第二保護層、和反射層，當從用以記錄和再生之 雷射束照射的一側觀看時，以此順序形成在透明基體上， 及（2)模式，具有透明覆蓋層；第一保護層、記錄層、第 二保護層、和反射層，當從用以記錄和再生之雷射束照射 ' 的―側觀看時，以此順序形成在透明基體上。 - 記錄層包括以下面組成式（1 -1 )，組成式（1 -2)，和組 成式（1-3)的任一種爲代表之相變材料；及 # 第二保護層包括選自氧化鋅，氧化銦，氧化錫，及其 ， 混合物的至少其中之一，以下面組成式（2)爲代表的材料 ’和以下面組成式（3 )爲代表的材料，
InalSbpiXlYl …組成式（1-1) 其中XI是選自Ge，Te，Zn，及Μη的至少其中之一 ;αΐ，βΐ，及γΐ分別表示原子比，其中0.10Scxld，25 ’ 0.65<β1<0.80 - R 0.04<γ1<0. 1 5 >
Gaa2Sbp2SnY2Ges2X2s2,..組成式（1-2) 其中乂2是選自丁6，211，\11\，及1〇的至少其中之 -19- (16) (16)1343054 ;α2，β2，γ2，δ2，及ε2分別表示原子比’其中0〇βα2<0·09 ，0.56<β2<0·79，〇·〇5<γ25〇·30，0.03<δ2<0.ΐ9 ’ 及 〇<ε2<0·〇9 ’
Mna3Sbp3SnY3Ges3X3E3·..組成式（卜3) 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之一： α3，β3，γ3，δ3，及ε3分別表示原子比，其中〇.〇4Sa3S〇.09 ’ 0.56<β3<0.79 > 0.05<γ3<0.29 ， 0.03<δ350.23 ，及 〇<ε3<0·09， ΖηΟ-Α 卜 Υ[(100-α4-β4): α4: p4]...組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一；α4 及Μ分別表示質量百分比，其中0.5^4^10.0，及 0<β4<25.0 > ΖηΟ-Α12〇3-Ζ[(1 00-α5-β5): α5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種；a5及P5分別表示質量百分比，其中 0.5<a5< 1 〇.〇 .及 0<β5<30·0。 本發明的光學記錄媒體是下面第一到第九模式的任― 種較佳。 在第一·模式中，記錄層包括以下面組成式（1 - 1)爲代 表的相變材料，及第二保護層包含選自氧化鋅，氧化銦， 氧化錫，及其混合物的至少其中之一。
Ina|SbpiXlYi ...組成式（1-1) 其中XI是選自Ge’ Te，Zn，及Μη的至少其中之— ;al，βΐ，及γι分別表示原子比，其中〇ι〇2αΚ〇25, 0.65<β1<0.80 -及 〇.04<γ1<0.1 5 。 在第二模式中，記錄層包括以下面組成式（1 - 1)爲代 -20- 07)1343054 表的相變材料 表的材料， 及第二保護層包含以下面組成式（2)爲代
InalSbpiXlYi ...組成式（1 -1 )
其中 Y 入1是選自Ge，Te，Zn，及Μη的至少其中之__ ；a 1 > β 1 〜 μΐ ’及γΐ分別表示原子比，其中O.lO^alSO.25，
0.6 5 < β 1 <： λ Q p ~υ·8〇，及 〇.〇4qn15， *7 η〇'Αΐ-γ[(ΐ〇〇·α4-β4): a4: β4]...組成式（2)
其中Y是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一；M 及P4分別表示質量百分比，其中〇 ,及 〇^β4<25.〇 0 &第三模式中，記錄層包括以下面組成式（1 -1)爲代 表的相變材料；及第二保護層包含以下面組成式〇)爲代 表的材料，
InalSbpiXlYl ...組成式（1-1) 其中XI是選自Ge，Te，Zn，及Μη的至少其中之〜 ;α1 ’ ，及γΐ分別表示原子比，其中O.lOScxKO.25， 0·655β12〇 8〇，及 〇 〇4<γ1《〇 15， ζη〇-Α12〇3-Ζ[(100-α5-β5): cx5: β5] 組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氣化物，及 其混合物的任一種；a5及P5分別表示質量百分比，其中 0.5<a5< 1 〇.〇 ,及 〇<β5<30·0 。 在第四模式中，記錄層包括以下面組成式（1 - 2 )爲代 表的相變材料：及第二保護層包含選自氧化鋅，氧化銦， 氧化錫’及其混合物的至少其中之一， -21 - (18) 1343054 (^〇128502311/2〇652乂262〜組成式（1_2) • 其中X2是選自Te，Zn，Μη，及In的至少其中之〜 :«2，P2，γ2，δ2，及^分別表示原子比，其中〇 〇4仏2別〇9 ’ 0.56外2$〇·79，〇.〇592<〇.30，0·03$δ2<0‘19，及 〇5ε2€〇·〇9。 在第S楔式中，記錄層包括以下面組成式（1 _ 2 )爲代 表的相變材料；及第二保護層包含以下面組成式（2)爲代 表的材料，
Gaa2Sbp2SnY2GeS2X2e2…組成式（1-2) 其中X2是選自Te，Ζη，Μη，及丨n的至少其中之_ ’ α2 ’ β2 ’ γ2，δ2，及ε2分別表示原子比，其中〇·〇4€α2$〇.〇9 ’ 〇·56$β2$〇·79，〇·〇55γ2<0·30，0.03£δ2€0·19，及（Κε25〇·〇9， Ζη〇_Α1-Υ[(1〇〇-α4-β4): α4: β4]...組成式（2) * 其中Υ是選自Μη , Ge，及Ti的至少其中之—；α4 - 及Μ分別表示質量百分比，其中0.5^α4^10·0，及 〇 幺 P4S25.0。 # 在第六模式中，記錄層包括以下面組成式（1 -2)爲代 • 表的相變材料；及第二保護層包含以下面組成式（3)爲代 表的材料，
Gao^SbpzSnpGeszXSu…組成式（1-2) 其中X 2是選自T e，Z n，Μ η，及I η的至少其中之_ ’ α2 ’ β2 ’ γ2 ’ δ2 ’及ε2分別表示原子比’其中〇.〇45α2$〇.〇9 °·56<β2<〇.79 - 0.05<γ2<0.30 > 0.03<δ2<0.ΐ9 - S.O<s2<〇.〇9 , Zn〇-Al2〇3-Z[(100-cx5-P5): α5: β5]...組成式（3) 其中Ζ表示Μ η氧化物，G e氧化物，Τ i氧化物，及 -22- (19) (19)1343054 其混合物的任一種；α5及β5分別表示質量百分比，其中 〇.5<α5^1 〇.〇 ,及 〇<β5 幺 30.0。 在第七模式中，記錄層包括以下面組成式（1-3)爲代 表的相變材料；及第二保護層包含選自氧化鋅，氧化銦， 氧化錫’及其混合物的至少其中之一，
Mna3Sbp3SnY3Ges3X3e3··.組成式（1-3) 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之; a3 ’ P3，γ3 ’ δ3，及ε3分別表示原子比，其中0.04Sa3S0.09， 〇·56<β3$〇.79，〇.〇55γ35〇·29，0·035δ3<0·23，及 05ε3£0·09。 在第八模式中，記錄層包括以下面組成式（1 - 3 )爲代 表的相變材料：及第二保護層包含以下面組成式（2)爲代 表的材料，
Mna3Sbp3SnY3Ge53X3s3.，·組成式（1-3) 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之〜； oc3 ’ P3 ’ γ3，δ3，及ε3分別表示原子比，其中〇.〇4k3s〇.〇9， 〇.56<β3$〇.79 ’ 0.05$γ3€0·29，0.03<δ3<0·23，及 〇<ε35〇·〇9， Ζη〇-Α1-Υ[(1〇〇-α4-β4): α4: β4]...組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一 ；α4 及Ρ 4分別表示質量百分比，其中〇 . 5 ^ a 4 S 1 0 . 〇，及 〇<β4525.〇 〇 在第九模式中，記錄層包括以下面組成式（1-3)爲代 表的相變材料；及第二保護層包含以下面組成式（3 )爲代 表的材料， 1^11013313(3381^3〇43\363...組成式（1-3) -23- (20) (20)1343054 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之一； «•3 ’ β3，γ3，δ3，及ε3分別表示原子比，其中0·04<α350.09， 0.56<β3<〇.79，O.O503SO.29，0.03<δ3£0.23，及 0<ε3<0.09， Ζη〇-Αΐ2〇3·Ζ[(100-α5-β5): α5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種；（X5及P5分別表示質量百分比，其中 〇 · 5<a5< 1 0.0 ^ 及 0€β5<30.0° 〈第一到第三模式的光學記錄媒體> 在第一到第三模式的光學記錄媒體中，爲了確保能夠 賦予DVDs的標準線性速度之8χ速度或更高的高線性速 度記錄之廣泛的記錄線性速度範圍，並且對DVDs的標準 線性速度之3.3x速度位準具有卓越的向下相容性，藉由限 制當作以下面組成式（1 _丨）爲代表的相變材料之記錄層的 主要成分以使結晶速率盡可能慢。記錄層中的主要成分意 謂含量是整個相變材料的98質量百分比或更多。
InalSbpiXlYi ...組成式（1-1) 其中XI是選自Ge’ Te，Zn，及Μη的至少其中之— ;al，βΐ，及γι分別表示原子比，其中〇 1〇gaU〇 & , 0 · 6 5 S β 1 ：$ 0.8 0 ’ 及 〇 . 〇 4 s γ 1 < 〇 . 1 5。 在高線性速度記錄之下，此變得無法拭除；然而，藉 由使用氧化鋅、氧化銦、氧化錫、或其混合物當作第二保 護層的主要成分變得可以拭除·原因被認爲是這些材料對 GaBb相變材料具有結晶加速作用，藉由此作用，使得在 -24- (21) (21)1343054 高線性速度記錄中變得可以拭除。主要成分是第二保護層 的整個材料之65質量百分比較佳，90質量百分比更好。 另一方面’因爲氧化鋅、氧化銦、及氧化錫具有結晶 加速作用’所以低速記錄對非晶化（標記形成）並不適合； 然而，經由調整低速記錄的記錄策略可充分記錄非晶標記 ’因爲這些是用於透明傳導層的材料，該透明傳導層具有 比正常電介質的導熱性大很多的導熱性和大的淬熄效應。 爲了獲得此種淬熄效應’變得需要使用氧化綷、氧化銦、 及氧化錫當作第二保護層的材料。 在組成式（1-1): InaiSbpiXlYl 中，0.10SalS0.25， 0.6541S0.80’ 及 0·04€γΚ0.15是必要的，〇.ΐ2<αΚ〇.20 ，0.67：ζβΒ0.78 ’ 及 0·055γΚ0·14 較好。若添加量（al)是 〇 . 1 〇或更少，則非晶標記的形成變得困難，因爲結晶速率 太快，反之若添加量大於0 · 2 5，則不利於儲存可靠性和記 錄特性，因爲InSb化合物易於被離析。若Sb的添加量 (P1)是0.65或更少，則無法獲得足夠的記錄特性，因爲結 晶速率慢，反之，若添加量大於0.8 0，則使記錄特性和儲 存可靠性產生問題，因爲結晶速率變得太慢。 添加在InSb相變材料中的X包括選自Ge , Te，Zn , 及Μη的至少其中之一。當添加Ge及Te時，提高儲存可 靠性，及當添加Zn及Μη時，記錄靈敏性和調變率都提 商。此外，因爲這些的任何一種都使結晶速率慢，所以添 加量（γ 1)在0.0 4 1 ^ 0 . 1 5的範圍中是必要的。 第二保護層包含以下面組成式（2)爲代表的材料當作 -25 - (22) (22)1343054 主要成分。此處，主要成分是第二保護層的整個材料之65 質量百分比或更多較佳，90質量百分比更好。
ZnO-A 卜 Υ[(1〇〇-α4-β4): α4: (34]…組成式（2) 其中Y是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一 ：α4 及Ρ4分別表示質量百分比，其中0.5^a4Sl0.0，及 0<β4<25.0 〇 Α1是減少電阻率的必要元素，及添加量（α4)是0.5質 量百分比到1〇.〇質量百分比較佳，1.0質量百分比到9.0質 量百分比更好，2.0質量百分比到5.0質量百分比最好。若 添加量（〇c2)是0.5質量百分比或更少，則電阻不夠小，反 之若添加量（α2)大於0.10質量百分比，則電阻變大，反之 亦然。 Y是選自Mn，Ge’及Ti的至少其中之一，及藉由添 加元素 Y，可進一步提高儲存可靠性。尤其是，使用Μη 當作Υ的ZnO-Al-Mn可在儲存可靠性上獲得明顯效果。 雖然不知道儲存可靠性提高的原因，但是被猜想如下。 因爲結晶加速作用不僅能夠在高速記錄中拭除，而且 也促進記錄的非晶標記之結晶，所以認爲使所謂的記錄資 料之檔案庫特性的保留特性退化。當作用以改良這些特性 的方法，認爲藉由添加Mn，Ge，及Ti可巧妙地調整結晶 加速作用，並且可達成高速記錄中的拭除和檔案庫特性的 改良二者。 Y的添加量（β4)是25.0質量百分比或更少較佳，10質 量百分比到20質量百分比更好。若添加量（β4)大於25質量 -26- (23) (23)1343054 百分比’則結晶加速作用減弱，使得高速記錄中的拭除變 成不可能。 第=保護層包含以下面組成式（3)爲代表的材料當作 主要成分。主要成分是第二保護層的整個材料之65質量百 分比或更多較佳，90質量百分比更好。 ΖηΟ-Α12〇3-Ζ[(10〇-α5-β5): α5: β5]...組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種；α5及β5分別表示質量百分比，其中 0·5£α5<10·0 ’ 及 〇5β5 幺 30.0。 就ΖηΟ而言，添力[j α12〇3、Μη氧化物、Ge氧化物、 Ti氧化物當作一模式可獲得與添加它們當作一元素類似 的作用。 如同添加量（cc4)—般，Al2〇3的添加量（α5)是0.5質量 百分比到10.0質量百分比較佳，1.0質量百分比到9.0質量 百分比更好，2.0質量百分比到5.0質量百分比最好。 Ζ表示Μ η氧化物，G e氧化物，T i氧化物，及其混 合物的任一種。說到Z，與添加元素Y比較，結晶加速作 用變得稍弱，添加量（P 5)是30質量百分比或更少較佳，15 質量百分比到25質量百分比更好。 <第四到第六模式的光學記錄媒體> 在第四到第六模式的光學記錄媒體中，爲了確保能夠 賦予DVDs的標準線性速度之8x速度或更高的高線性速 度記錄之廣泛的記錄線性速度範圍，並且對DVDs的標準 線性速度之速度位準具有卓越的向下相容性，藉由限 -27- (24) (24)1343054 制當作以下面組成式（丨-2)爲代表的相變材料之記錄層的 主要成分以使結晶速率盡可能慢。此處，主要成分意謂包 含整個原子的98原子百分比或更多。
Gaa2Sbp2SnY2Ges2X2e2·.•組成式（1_2) 其中X2是選自Te’Zn’Mn，及In的至少其中之一 :α2，P2，γ2，δ2，及ε2分別表示原子比，其中0 〇4<α2<〇 〇9 ，0.56SP2S0.79，0.05€γ2€0·30，0.030250.19，及 0Q2S0.09。 在高線性速度記錄之下，此變得無法拭除；然而，藉 由使用氧化鋅、氧化銦、氧化錫、或其混合物當作第二保 護層的主要成分變得可以拭除。原因被認爲是這些材料對 G a B b相變材料具有結晶加速作用，藉由此作用，使得在 高線性速度記錄中變得可以拭除。主要成分是第二保護層 的整個材料之65質量百分比較佳，90質量百分比更好。 另一方面’因爲氧化鋅、氧化銦、及氧化錫具有結晶 加速作用，所以低速記錄對非晶化（標記形成）並不適合； 然而’經由調整低速記錄的記錄策略可充分記錄非晶標記 ，因爲這些是用於透明傳導層的材料，該透明傳導層具有 比正常電介質的導熱性大很多的導熱性和大的淬熄效應^ 爲了獲得此種淬熄效應，變得需要使用氧化鋅、氧化銦、 及氧化錫當作第二保護層的材料。 就以組成式（1 -2)Gaa2Sbp2SnY2GeS2X2jji 代表的 GaSb 相變材料而言，若添加S η，則結晶速率增加，反之，若 S η被添加太多，則不利於保留特性。因此，S η的添加量 γ2 是 0·05<γ2<0·30 較佳，0.07$γ2<0.20 更好。 -28- (25) (25)1343054 若Ga的添加量（α2)是0.04或更少，則初始化之後的 反射信號之內部電路分佈變差，對記錄特性有不利的影響 ，反之若添加量大於0.09，則結晶速率變慢，高線性速度 記錄變得不可能，及記錄特性的抖動難以降低。因此，範 圍應是 〇 . 0 4 S (X 1 S 0.0 9。 藉由添加Ge，可提高儲存可靠性。尤其是，可改良 所謂的檔案庫特性之記錄資料的儲存。然而，若Ge被添 加太多，則結晶速率變慢，高線性速度記錄變得不可能。 因此，〇6的添加量02)是〇.〇3“2$〇.19較佳，〇.〇5025〇.15更 好。 而且，藉由添加Te，儲存可靠性提高，及藉由添加 Ζη、Μη、及In，記錄靈敏性和調變率提高，然而，這些 兀素的任一種具有使結晶速率變慢的作用。因此，添加量 (ε2)是 0U2<0.09較佳。 說到Sb，若0.5 6或更少，則無法實現高速記錄，反之 若添加量大於〇 · 7 9，則非晶標記的形成變得困難，使得記 錄變得不可能。因此，應該是0.56<βΚ0.79。 第二保護層包含以下面組成式（2)爲代表的材料當作 主要成分。此處，主要成分是第二保護層的整個材料之6 5 質量百分比或更多較佳，90質量百分比更好。 ΖηΟ-Αΐ-Υ[(100-α4-ρ4): α4·· β4]...組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之—.；α4 及β4分別表示質量百分比，其中〇.5^α4^1 〇.〇，及 〇S(34<25 ·0 ° -29 - (26) (26)Ϊ343054 A1是減少電阻率的必要元素，及添加量（α4)是〇 5質 量百分比到10.0質量百分比較佳，】.〇質量百分比到9 〇質 量百分比更好’ 2.0質量百分比到5.〇質量百分比最好a若 添加量（α2)是0.5質量百分比或更少，則電阻不夠小，反 之若添加量U2)大於〇.1〇質量百分比，則電阻變大，反之 亦然。 Υ是選自Mn，Ge，及Ti的至少其中之—，及藉由添 加元素γ ’可進一步提高儲存可靠性。尤其是，使用Μη 當作Υ的ZnO-Al-Mn可在儲存可靠性上獲得明顯效果。 雖然不知道儲存可靠性提高的原因，但是被猜想如下> 因爲結晶加速作用不僅能夠在高速記錄中拭除，而且 也促進記錄的非晶標記之結晶，所以認爲使所謂的記錄資 料之檔案庫特性的保留特性退化^當作用以改良這些特性 的方法，認爲藉由添加Mn，Ge，及Ti可巧妙地調獎結晶 加速作用，並且可達成高速記錄的拭除和檔案庫特性之間 的相容性。 Y的添加量（P4)是25.0質量百分比或更少較佳，1〇質 量百分比到20質量百分比更好。若添加量（p4)大於25質量 百分比，則結晶加速作用減弱，使得高速記錄中的拭除變 成不可能。 第二保護層包含以下面組成式（3 )爲代表的材料當作 主要成分。主要成分是第二保護層的整個材料之65質量百 分比或更多較佳，9 0質量百分比更好。 ΖηΟ-Α1203-Ζ[(ΐ〇〇-α5-β5): α5: β5]...組成式（3) i -30- (27) 1343054 其中Z表示Μ η氧化物，G e氧化物’ T i氧化物’ 其混合物的任一種；α 5及P 5分別表示質量百分比’其 0.5<α5<10.0 > 及 0<β5<30.0。 就ΖηΟ而言，添加Α12〇3、Μη氧化物、Ge氧化物 Ti氧化物當作一模式可.獲得與添加它們當作一元素類 的作用。 如同添加量（α4)—般，Ah〇3的添加量（α5)是0.5質 百分比到1〇.〇質量百分比較佳，1.0質量百分比到9.0質 百分比更好，2.0質量百分比到5.0質量百分比最好。 Z表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及其 合物的任一種。說到Z，與添加元素Y比較，結晶加速 用變得稍弱’添加量（β 5)是30質量百分比或更少較佳， 質量百分比到2 5質量百分比更好。 <第七到第九模式的光學記錄媒體> 在第七到第九模式的光學記錄媒體中，爲了確保能 賦予DVDs的標準線性速度之8χ速度或更高的高線性 度記錄之廣泛的記錄線性速度範圍，並且對D V D s的標 線性速度之3 .3 X速度位準具有卓越的向下相容性，藉由 制當作以下面組成式（1 -2)爲代表的相變材料之記錄層 主要成分以使結晶速率盡可能慢。此處，主要成分意謂 含整個原子的98原子百分比或更多。
Mna3SbP3SnY3Ges3X3s3..·組成式（1-3) 其中X3是選自Te’ in, Zn，及Bi的至少其中之— 及 中 似 量 量 混 作 15 夠 速 準 限 的 包 -31 - (28) 1343054 α3 ’ β3 ’ γ3，δ3，及ε3分別表示原子比，其中〇-〇4<α3彡0.09， - 〇.56<β3<〇.79 ， 0‘〇5<γ3<0.29， 0·032δ350·23 ，及（Κε3<0.09 ° . 在高線性速度記錄之下，此變得無法拭除；然而，藉 由使用氧化鋅、氧化銦、氧化錫、或其混合物當作第二保 護層的主要成分變得可以拭除。原因被認爲是這些材料對 GaBb相變材料具有結晶加速作用，藉由此作用，使得在 高線性速度記錄中變得可以拭除。主要成分是第二保護層 φ 的整個材料之65質量百分比較佳，90質量百分比更好。 另一·方面，因爲氧化鋅、氧化銦、及氧化錫具有結晶 加速作用，所以低速記錄對非晶化（標記形成）並不適合； 然而，經由調整低速記錄的記錄策略可充分記錄非晶標記 ，因爲這些是用於透明傳導層的材料，該透明傳導層具有 • 比正常電介質的導熱性大很多的導熱性和大的淬熄效應。 ， 爲了獲得此種淬熄效應，變得需要使用氧化鋅、氧化銦、 及氧化錫當作第二保護層的材料。 隹 就以組成式（卜3 )所代表的G e S b相變材料而言，若添 . 力Π S η ’則結晶速率增加’反之’若S η被添加太多，則保留 特性退化。因此’ 〇.〇5^γ3^0·29較佳’及〇.〇7^γ3：ζ〇_20更好 。Μη的添加量是0.04^α3^0·09。若Μη的添加量是〇〇4或 更少，則初始化之後的反射信號之內部電路分佈變差，對 吕己錄特性有不利的影·，反之若添加量大於〇 · 〇 9，則結晶 速率變慢’尚線性速度記錄變得不可能，及記錄特性的抖 動難以降低。 藉由添加Ge ’可提高儲存可靠性。尤其是，可明顯 -32- (29) (29)1343054 改良所謂的檔案庫特性之記錄資料的保留特性。Ge的添 力卩量δ3是0·03<δ3<0.23較佳，0.05<δ3<0.1 5更好。若Ge的 量太大’則結晶速率變慢及高速記錄變得不可能。 說到Sb的添加量，若添加量是0.56或更少，則結晶 速率變慢’使得無法獲得足夠的記錄特性，反之，若添加 量大於0.79，則結晶速率變得太快，如此產生記錄特性和 儲存可靠性的問題。 藉由添加Te，可提高儲存可靠性。藉由添加In及Zn ’可提高記錄靈敏性和調變率，但是這些具有使結晶速率 變慢的作用。藉由添加B i，結晶速率提高，但是若添加 量太多，則初始化之後的反射信號之內部電路分佈變差， 對記錄特性有不利的影響。因此，這些添加量是在 〇<ε ls〇. 〇9的範圍中。 第二保護層包含以下面組成式（2)爲代表的材料當作 主要成分。此處，主要成分是第二保護層的整個材料之65 質量百分比或更多較佳，90質量百分比更好。 ΖηΟ-ΑΙ-Υ[(1〇〇-α4-β4): α4: β4]…組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一.；cx4 及P4分別表示質量百分比，其中0.5^α4^10.0，及 0^β4<25.0 » Α1是減少電阻率的必要元素，及添加量（α4)是0.5質 量百分比到10.0質量百分比較佳，1.0質量百分比到9.0質 量百分比更好，2.0質量百分比到5.0質量百分比最好。若 添加量（α2)是〇.5質量百分比或更少，則電阻不夠小，反 -33- (30) (30)1343054 之若添加量（α2)大於0.10質量百分比’則電阻變大’反之 亦然。 Υ是選自Mn，Ge，及Ti的至少其中之一，及藉由添 加元素Y，可進一步提高儲存可靠性。尤其是’使用Μη 當作Υ的ΖηΟ-Α1-Μη可在儲存可靠性上獲得明顯效果。 雖然不知道儲存可靠性提高的原因，但是被猜想如下。 因爲結晶加速作用不僅能夠在高速記錄中拭除，而且 也促進記錄的非晶標記之結晶，所以認爲使所謂的記錄資 料之檔案庫特性的保留特性退化。當作用以改良這些特性 的方法，認爲藉由添加Mn，Ge，及Ti可巧妙地調整結晶 加速作用，並且可達成高速記錄的拭除和檔案庫特性之間 的相容性。 Y的添加量（P4)是25.0質量百分比或更少較佳，10質 量百分比到20質量百分比更好。若添加量（P4)大於25質量 胃分比’則結晶加速作用減弱，使得高速記錄中的拭除變 成不可能。 第二保護層包含以下面組成式（3)爲代表的材料當作 $黎成分。主要成分是第二保護層的整個材料之65質量百 分tb或更多較佳，9〇質量百分比更好。 ΖηΟ-Α12〇3-Ζ[(100-α5-β5): α5: β5]...組成式（3) 其中Ζ表示Μ η氧化物，G e氧化物，τ i氧化物，及 其海合物的任一種；α 5及β 5分別表示質量百分比，其中 〇·5$α5€ΐ〇·〇，及 〇45m〇。 就Ζ η 0而言，添加a 12 Ο 3 ' Μ η氧化物' 〇 e氧化物、 -34- (31) (31)1343054
Ti氧化物當作一模式可獲得與添加它們當作一元素類似 的作用。 如同添加量（α4)—般，Al2〇3的添加量（ct5)是0.5質量 百分比到1 〇 · 〇質量百分比較佳，1 · 0質量百分比到9.0質量 百分比更好，2.0質量百分比到5.0質量百分比最好。 Z表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及其混 合物的任一種。說到Z，與添加元素Y比較，結晶加速作 用變得稍弱，添加量（P 5)是30質量百分比或更少較佳，15 質量百分比到25質量百分比更好。 可藉由諸如真空蒸發法、濺鍍法、電漿CVD法、光 學CVD法、離子電鍍法、和電子束蒸發法等各種氣相生 長法形成記錄層。其中，從大量生產和膜的品質角度看來 ，濺鍍法尤其適用。 記錄層的厚度是5nm到20nm較佳，10nm到15nm更 好。若厚度脫離該範圍，則難以獲得足夠的記錄特性。 可藉由諸如真空蒸發法、濺鍍法、電漿CVD法、光 學CVD法、離子電鍍法、和電子束蒸發法等各種氣相生 長法形成第二保護層。其中，從大量生產和膜的品質角度 看來，濺鍍法尤其適用。 第二保護層的厚度是5nm到50nm較佳，l〇nm到40nm 更好，1 0 n m到2 0 n m最好。若厚度是5 n m或更少，則淬熄 效應變得太大，記錄靈敏度和抖動特性變差，反之，若添 加量大於5〇nm，則聚熱效應變得太大，非晶標記的形成 變困難，如此抖動特性和覆寫特性變差。
I -35 - (32) (32)1343054 在本發明中，爲了確保淬熄效應，第二保護層的電阻 率是 1 .0x1 (T4Q-cm 到 1 .OxlOiQcm 較佳，1 · Ο x 1 0.4 Ω. cm 至lj 9.8χ1Ο0Ω·(：ηι 更好。 雖然難以準確估算第二保護層的介電材料之導熱性， 但是可使用電阻率當作透明傳導層的介電材料時之替代物 ，並且認爲電阻率越小，導熱性較高。透明傳導層的介電 材料之電阻率下限大約是1.0xlCT4D.cm。若電阻大於ΐ.〇χ 1 0 1 Ω · c m，則不太適合，因爲無法獲得足夠的淬熄效應。 本發明的光學記錄媒體之最有效的記錄線性速度範圍 爲：最大記錄線性速度是3 0 m / s到5 6 m / s，最小記錄線性 速度是1 Om/s到1 4m/s。若記錄線性速度是在此範圍內， 則具有穩定不會產生不正常標記之令人滿意的記錄特性與 8x速度或大於DVDs的標準線性速度之高速記錄彼此可 相容。 此外，大部分不正常標記是3T標記，DVDs的最短標 記’因此認爲高度依賴標記的長度。考慮到3T標記的長 度是〇.4μπι及4T標記的次長度是〇·53μπι，假定經常發生 此種不正常標記的標記長度大約是〇 · 5 μπι或更少。事實上 ’在敢短記錄標記長度是〇.84pm的CD-RW媒體中，沒有 此種問題。 因此’爲了達成本發明的光學記錄媒體之全部效果， 必須執行最短記錄標記長度是〇 5 μ m或更少的記錄。 此處’圖6及圖7圖示本發明的光學記錄媒體之組成的 例子。圖 6 圖示 υ V D + R W ' D V D - R W ' 及 H D - D V D - R W 的 i -36- (33) 1343054 例子。圖7圖示藍光碟的例子。 ' 圖6圖示具有至少第一保護層2、記錄層3、第二保護 _ 層4、及反射層5，當從雷射束照射的一側觀看時，以此順 序形成在具有導引溝槽的透明基體上之疊層形式。在 D V D s和H D - D V D s的例子中，藉由旋轉塗層到反射層5上 以形成有機保護層5，及雖然未圖示在圖6，裝附通常與基 體相同材料和相同尺寸的一處。 φ 圖7圖示具有透明覆蓋層7、第一保護層2、記錄層3、 第二保護層4、及反射層5，當從雷射束照射的一側觀看時 ，以此順序形成在具有導引溝槽的透明基體1上之疊層形 式。 圖6及圖7所示的光學記錄媒體是記錄層是單層類型的 ' 例子，然而，也可使用具有經由透明中間層的兩記錄層之 < 光學記錄媒體。在此例中，距光線的進來方向之前側層必 須是半透明的以記錄後側層的再生。 ， -基體- 基體的示範材料是玻璃、陶瓷、及樹脂。其中，鑑於 可形成性和成本，使用樹脂較佳。 樹脂的例子包括聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂 '環氧樹 月旨、聚苯乙烯樹脂 '丙烯腈-苯乙烯共聚物樹脂、聚乙烯 樹脂、聚丙烯樹脂、矽氧烷系樹脂、氟系樹脂、AB S樹脂 、和胺基甲酸乙酯樹脂。其中，鑑於可形成性、光學特性 、和成本，聚碳酸酯樹脂和丙烯酸樹脂尤其適合。 -37- (34)1343054 基體被形成尺寸、厚度、和溝槽形狀符合 藉由利用拾波器的伺服機構以控制雷射束 中心而執行記錄和再生》就此控制而言，監視 掃描方向之垂直方向中由導引溝槽所繞射的光 束被定位在溝槽中心，使得抵消掃描方向中的 準。用於此控制的繞射光線之信號強度係由雷 溝槽寬度、和溝槽深度之間的關係所決定，並 成一般稱作推挽式信號的信號強度。信號強度 度增加而增加，但是因爲記錄標記之間的軌距 有限制。 例如，在非記錄狀態中，具有軌距0.74 μηι 錄系統具有〇 . 2到0.6的信號強度較佳。在 DVD + R、DVD-RW、及 DVD-R的各自寫入標 定義類似的値。JP-A No. 2002-237096揭示在 ，對應於此値的溝槽寬度是〇.17μιη到0·30μιη 速光學記錄媒體而言，〇.20μηι到0.30μηι較佳《 在使用藍LD的記錄和再生系統中，依據 的線性關係同樣地定義溝槽寬度。在任一例子 度被組配成大約是軌距的一半或稍微小於軌距 此導引溝槽通常是擺動，使得記錄裝置能 的頻率抽樣。藉由顛倒擺動的相位和改變已定 率可允許諸如記錄所需的位址和資訊等輸入。 -第一保護層- 標準。 照射在溝槽 關於光束的 線，及雷射 橫向信號位 射束直徑、 且通常轉變 隨著溝槽寬 固定，所以 的DVD記 DVD+RW ' 準中爲它們 溝槽的底部 較佳。就高 > 與雷射直徑 中，溝槽寬 的一半。 夠將記錄時 範圍內的頻 -38- (35) 1343054 並不特別限制第一保護層的材料，及可根據迄今爲止 ' 已知的材料之應用適當選擇。其例子包括Si，Zn，Mg，A1， . Ti，及Zr的氧化物’ Si，Ge，Al，丁丨，Bi,及Zr的氮化物；Zn 和Ta的硫化物；Si，Ta，B，W，Ti，及Zr的碳化物；鑽石 形碳；及其混合物。其中’具有接近7 : 3到8 : 2的莫耳比之 ZnS和Si〇2的混合物較佳。尤其是就位在記錄層和基體之 間且遭受熱膨脹、高溫、和室溫的變化所引起的熱破壞之 φ 第一保護層而言’莫耳基礎的（ZnS)8G(Si〇2)2Q較佳，因爲 光學常數、熱膨脹係數、及彈性係數對此組成最理想。在 疊層形式中也可以使用不同的材料。 第一保護層具有調整光學記錄媒體的反射比之效果， 及弟一保遵層的厚度是50nm到80nm較佳。若厚度是50nm ‘ 或更少，則厚度的反射比波動變大，反之，若厚度是 . 80nm或更多，則澱積時間延長而光學記錄媒體的生產量 下降。在用於DVDs的薄基體中，基體的變形變成一大問 • 題。 ^ 尤其適合的厚度是反射比變成最低者。已知第一保護 層的厚度嚴重影響反射比，及反射比顯示諸如厚度變化的 正弦波等變化此處，若選擇反射比變成最低的厚度，則產 生記錄靈敏度的提高和令人滿意的標記形成，因爲到記錄 層的進來光線是最有效率的。然而，若反射比太低，資料 信號的讀取變得困難。因此，有最低反射比的絕對値下限 -39- (36) (36)1343054 -反射層- 當作反射層的材料，諸如Al, Au，Ag，Cu等金屬和其 合金當作主要成分較佳。合金中的添加元素之例子包括 Bi，In, Cr，Ti，Si，Cu，Ag，Pd，及 Ta。 反射層的厚度是lOOnm到3 00nm較佳，120_到 200nm更好。若厚度是l〇〇nm或更少，則無法獲得熱幅射 效果。另一方面，即使厚度是3 00nm或更多，則熱輻射效 果仍保持相同，因此簡化不需要的形成厚度。 -覆蓋層- 藍光碟中的覆蓋層是允許光線入射和透射並且以具有 厚度ΙΟΟμηι的透明樹脂層所形成之層。 藉由濺鍍將上述的層相繼形成在基體上。然後，形成 和接合有機保護膜，或形成覆蓋層。在初始化處理之後， 產生光學記錄層。 初始化是具有強度1 W到2 W的1 X (幾十到幾百）μ m之 雷射束被掃描和照射以緊接在膜澱積之後將非晶狀態的記 錄層結晶。 本發明可設置一光學記錄媒體，其能夠控制不正常標 記的產生’標準線性速度DVDs的8x速度或更高的線性 速度記錄，與如DVDs的標準線性速度--般快之3 ·3χ速度 的絕佳向下相容性，並且獲得廣泛線性速度範圍中之抖動 特性和再生錯誤特性的絕佳結果。 下面將參考例子和比較例子更詳細闡釋本發明，然而 -40- (37) (37)1343054 ，本發明並不侷限於所揭示的例子。圖6圖示例子和比較 例子所生產的相變光碟之槪要結構° (例子A-1到A-2 1和比較例子A-1到A-12) 具有厚度60nm之ZnS-Si〇2(8〇莫耳百分比：20莫耳百 分比）所組成的第一保護層2，具有厚度14nm之表A1和表 A2(表A1和表A2中的値是原子比）所示的相變材料所組成 之記錄層3，具有厚度llnm之ΖηΟ-Α1-Μη(78質量百分比 :2質量百分比：20質量百分比）所組成的第二保護層4， 及具有厚度200nm之Ag所組成的反射層5以此順序形成在 具有直徑120mm和厚度0.6mm且有著軌距0.74μιη，溝槽 寬度（凹面部位）〇.3μπι，及溝槽深度30nm的溝槽形成在其 上之聚碳酸酯基體上。RF磁電管濺鍍法被用於形成第一 保護層，DC磁電管濺鏟法被用於形成記錄層、第二保護 層、及反射層。 然後，在反射層的表面上，以旋轉塗層法塗敷U V可 固化樹脂（DAINIPPON INK AND CHEMICALS，INCORPORATED 所製造，SD3 18)，使得膜具有4nm到5nm的厚度以形成抗 環境保護層6，最後，疊層類似蕋體（未圖示）到聚碳酸酯 基體當作保護基體，如此備製具有厚度1 .2mm的相變光碟 〇 然後’使用具有配備有聚焦輸出波長83 Onm，寬度 Ιμπι’長度75μιη，及最大輸出2W的雷射束之功能的雷射 頭之初始化裝置（Hitachi Capital Corporation所製造， -41 - (38) (38)1343054 POP 120-7 AH)初始化相變光碟。 使用具有波長660nm和數値孔鏡ΝΑ 0.65的光學拾波 器之 DVD 評估裝置（Pulstec Industrial Co.，Ltd.所製造， DDU- 1 0 00)評估相變光碟的記錄特性。評估結果圖示在表 A 1和表A 2。 <言己錄特性的評估> 2T寫入策略被用於記錄策略，和將最佳條件用於脈 衝寬度，寫入功率，和拭除功率。分別以DVD 3.3x速度 (11.5m/s)、DVD 6x 速度（21m/s)、DVD 8x 速度（28m/s)、 DVD 12x速度（42m/s)、及DVD 12x速度（56m/s)的記錄線 性速度，根據EFM +調變模式言己錄隨機圖型在同一五磁軌 上1 〇次，並且評估中間磁軌。 [評估標準] A :抖動（σ/Tw)是10%或更少 B :抖動（σ/Tw)大於1 0% 當作再生裝置，使用具有波長650nm和透鏡NA 0.6 的光碟評估裝置（Pulstec Industrial Co.，Ltd.所製造， DDU- 1 000)，使用〇.7mW的再生光線功率評估相變光碟。 評估結果圖示在表A 1和表A 2。 藉由以各個記錄線性速度重複記錄（DOW 10)在400磁 軌上1 0次加以量測PI錯誤，即再生錯誤，並且以1 X速度 再生記錄部分。 -42- (39) (39)1343054
[評估標準] A:再生錯誤（PI錯誤）數目是100或更少 B:再生錯誤（PI錯誤）數目是200或更少 C :再生錯誤（PI錯誤）數目是3 00或更少 D:再生錯誤（PI錯誤）數目大於300 -43- (40)1343054
PI錯誤 Ιβχ 瓶 < < < < < Q < < < Q < < < Q < < < Q 12χ 速度 < < < < < Q < < < Q < < < Q < < < a 8χ· 速度 < < < < < 〇 < < < CQ CQ < < < < < o 6χ· 速度 Q < < < < < D < < < 〇 < < Q CQ < < ί 3.3χ' :速度 U < < < < < 〇 < < < U < < < U < < < 抖動 16χ· 速度 < < < < < 0Q < < < PQ < < < CQ < < < CQ 12χ 速度 < < < < < 0Q < < < CQ < < < CQ < < < CQ 8χ' 速度 < < < < < CQ < < < < < < < CQ < < < CQ 6χ* 速度 PQ < < < < < cn < < < PQ < < < CQ < < < 1 3.3χ !速度 0Q < < < < < CQ < < <： < < < < < < c 0.03 0.04 »n 〇 0.16 N 0.03 0.04 ] 0.15 ί 0.16 0.03 0.04 0.15 0.16 <υ 〇 0.03 0.04 0.07 on 〇 o 0.16 0.79 0.79 I 0.76 0.71 0.70 0.70 0.79 0.79 0.70 0.70 0.79 0.79 J 1 0.70 1 0.70 0.79 0.79 0.70 1 0.70 0.18 1 0.17 ； 0.17 i 0.16 0.15 i 0.14 0.18 0.17 o I 0.14 0.18 0.17 1 0.15 , 0.14 0.18 卜 o L〇.15_—1 0.14 比較例子A-1 例子A-l 例子A-2 1 例子A-3 例子A-4 比較例子A-2 比較例子A-3 例子A-5 例子A-6 比較例子A-4 比較例子A-5 例子A-7 例子A-8 比較例子A-6 比較例子A-7 例子A-9 例子A-10 比較例子A-8 -44- 1343054
CN1V 撇 PI錯誤 16x 速度 Q < < < Q CQ < < < < < < < < < 12χ 速度 〇 < < < Q QQ < < < < < < < < < 8χ· 速度 < < < P3 CQ < < < < < < c < < < 6χ" 速度 < < CQ Q < < PQ u < < < < < < < 3.3χ 速度ι < < < Q < < < u < < < < < < < 抖動 16χ 速度 0Q < < < CQ < < < < < < < < < < 12χ 速度 CQ < < < CQ < < < < < < < < < < 8χ· 速度 < < < < < < < < < < < < < < < 6χ· 速度 < < < CQ < < < < < < < < < < < 3.3χ 速度， < < < CQ < < < CQ < < < < < < < a s 1 :0.02 0.02 0.02 0.02 N 0.02 0.02 ! 0.02 0.02 0.02 0.02 [ 0.02 1 0.02 0.02 <〇 o 0.09 0.10 CO O 〇 o 0.10 0.09 0.03 0.03 0.03 0.02 0.02 0.02 0.65 0.65 0.77 ' 0.78 ι 0.65 1 0.80 0.81 1 | 0.77 0.77 0.77 I 0.77 0.77 0.77 0.77 0.26 0.25 1 0.10 , 0.09 I 0.25 0.24 0.10 〇 o oo o I 0.18 0.18 0.17 0.17 0.17 0.15 比較例子A-9 例子A-ll 例子A-12 比較例子A-10 比較例子A-11 例子A-13 例子A-14 比較例子A-12 例子A-15 例子A-16 例子A-17 例子A-18 例子A-19 例子A-20 例子A-21 -45 - (42) 1343054 從表A1和表A2所示的結果，可發現當使用例子的碟 , 之組配時，能夠高速記錄，並且可在廣泛的線性速度範圍 ^ 中降低PI錯誤和抖動特性。 (比較例子A -1 3 ) • 除了使用表A2所示的例子A-15之相變材料，使用通 常在習知技術中所使用的21^-8丨〇2(80莫耳百分比：20莫耳 φ 百分比）形成第二保護層，第二保護層的厚度改成7nm，及 將具有厚度4 n m的以質量比7 : 3之T i C和T i Ο 2所組成的介 面層形成在兩層之間，使得第二保護層中的硫磺成分不影 響反射層中的Ag外，其他類似於例子A- 1 5產生相變光碟 〇 * 類似於表A 1所示者評估碟。 • 結果’在3.3x速度到8x速度的碟記錄之抖動被評估 作B，而在1 2 X速度到1 6 X速度的碟記錄之抖動被評估作 φ D，在3.3 X速度到8 X速度的碟之p I錯誤被評估作a，而 . 在1 2 X速度到1 6 X速度的碟之p I錯誤被評估作d。 (例子 A-22 到 A-27) 除了使用表A 2所不的例子A -1 5之相變材料外，宜他 類似於例子A - 1 5產生相變光碟，就第二保護層而言，使 用具有表A3所示的組成（質量百分比）之材料。 類似於表A 1所示者評估碟。表A 3圖示評估結果。 -46- 1343054 43
PI錯誤 16x' 速度 < < PQ < < < 12x' 速度ι < < C < < 8χ" 速度丨 < < < < < < 1 1 6χ* 速度丨 OQ PQ PQ OQ OQ OQ 1 3.3χ· 速度i < CQ < < < PQ 1 抖動 」 -1 16x_ 速度」 < < < c < < 12χ" 速度 < < < c < < -1 8χ· 速度 < < < <1 < < 6χ_ 速度 < < < < < < 1 3.3χ' 速度 < < < c < < Sn02 o f-M o o ZnO _1 o r~H o In2〇3 〇 例子A-22 例子A-23 例子A-24 例子A-25 例子A-26 例子A-27 -47- (44) (44)1343054 從表A3的結果可發現當使用例子A-22到A-27的組配 時，能夠高速記錄，並且可在廣泛的線性速度範圍中降低 PI錯誤和抖動特性。 (例子 A - 2 8 到 A - 3 3 ) 藉由在濺鍍期間添加氧到例子A-26中的第二保護層 並且控制氧量以改變第二保護層的電阻率。藉由通常用於 形成第二保護層的單層膜在聚碳酸酯樹脂基體上之四終端 方法量測電阻率。 藉由類似於表A 1所示的方法之方法評估以此方式產 生的相變光碟。表A 4圖示評估結果。例子A _ 2 6也被圖示 作爲比較。
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PI錯誤 16x' 速度 < CQ PQ ffl PQ m 12χ· 速度 < < < < < CQ m -1 8χ 速度 < < < < < < m -1 1 6χ' 速度 CQ CQ 0Q CQ « PQ -1 3.3χ- 速度 < < < < < CQ CQ 1 抖動 1 16χ· 速度 AA < < < < < < 12χ· 速度 < < < < < < < 8χ 速度 < < < < < < < 6χ· 速度 < < < < < < < 3.3χ· 速度 < C < < < < < S 〇 rn (N 〇 i H 1 < G X X X X X X 〇〇 X 〇 r—< <N C\ I I 固 Hi (N oo <N (N o m m < (N m < < < <； < < H- m -49 - (46) (46)1343054 從表A 4所示的結果可發現，當利用例子A - 2 8到A - 3 3 的組配時，能夠高速記錄’並且可在廣泛的線性速度範圍 中降低P I錯誤和抖動特性。 (例子A - 3 4到A - 4 7和比較例子A - 1 4到A - 1 8 ) 除了使用表A2的例子A-15所示的相變材料且將具有 表A5所示的組成（質量百分比）之材料用於第二保護層外 ，其他與例子A-15類似地產生相變光碟。 類似於表A I所示者評估碟。表A5圖示評估結果。
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PI錯誤 16χ· 速度 < < < < < < < < CQ < < < Ω < < Q < Q o S I < < < < < < < < cn CQ < < U < < U < CQ 8x 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < 0Q 6x* 速度 CQ CQ < < oa CQ < < < < < < < < < < < CQ Q 3.3x' 速度 0Q < < < < CQ < < < < < < < < < < < CQ < 抖動 i 16x' ! 速度 < < < < < < < < < CQ < < CQ < < < CQ CQ 12x* 速度 < < < < < < < < < < < < < < < CQ < < < 8x* 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 6χ' 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 3.3χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < o vn 25.0 26.0 o <υ α o vS 25.0 26.0 O C Ο ίο 10.0 25.0 26.0 o < ιη ο ο Ο (Ν ο ο Os 10.0 ο CN ο cs o (N 〇 CN 〇 (N o CN 0 01 〇 (N o (N O <N o (N o 11.0 I ΖηΟ | 99.5 99.0 98.0 95.0 91.0 90.0 93.0 88.0 73.0 72.0 93.0 73.0 72.0 93.0 73.0 72.0 83.0 99.6 89.0 例子Α-34 例子Α-35 例子Α-36 例子Α-37 例子Α-38 例子A-39 例子A-40 例子A-41 例子A-42 比較例子A-14 例子A-43 例子A-44 比較例子A-15 例子A-45 例子A-46 比較例子A-16 例子A-47 比較例子A-17 比較例子A-18 -51 - (48) 1343054 從表A5的結果可發現當將下面組成式（2)爲代表的材 ‘· 料用於第二保護層時，能夠高速記錄，並且可在廣泛的線 性速度範圍中降低PI錯誤和抖動特性。 ΖηΟ-Α1-Υ[(1〇〇-α4-β4): α4: β4]...組成式（2) 其中Υ是選自Mti，Ge，及Ti的至少其中之一；α4 及β4分別表示質量百分比，其中0.5Scx4d0.0，及 0彡β4<25.0 ° (例子Α-48到Α-62和比較例子Α-19到Α-23) 除了使用表Α2的例子Α-15之相變材料且將具有表Α6 所示的組成（質量百分比）之材料用於第二保護層外，其他 與例子A-1 5類似地產生相變光碟。 ‘ 類似於表A 1所示者評估碟。表Α6圖示評估結果。 -52- 1343054
I 9V嗽 PI錯誤 16x 速度 < < < < < < < < < CQ Q < Q < 0Q Q < Q Q 12χ' 速度 < < < < < < < < < CQ U < CQ U < DQ 〇 < CQ CQ 8χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < CQ 6χ" 速度 CQ CQ < < CQ < < < < < < < < < < < < CO U 3.3χ· 速度 < < < < CQ < < < < < < < < < < < < CQ C 抖動 1 16χ' 1 速度i < < < < < < < < < < 0Q < < m < < CQ < CQ 12χ· 速度 < < < < < < < < < < CQ < < CQ < < CQ < < < 8χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 6χ' 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < C < < < 3.3χ· 速度 < < < < < < < < < < < < < < < c < < < < Ti02 0 30.0 丨 31.0 ,10.0 Ge〇2 〇 tn 30.0 1 31.0 丨」0.0一 1 Μη02 0 1 10.0 25.0 30.0 ；31.0 L 10.0 AI2O3 〇 p ο (N Ο w-i 〇 〇\ 10.0 〇 (N 0 <N 0 (N 0 CN 〇 cs 〇 (N 0 CN 0 (N 0 CN 0 <N o (N 0 (N 0 11.0 1 ZnO ! 1 99.5 : 99.0 丨 98.0 ] 95.0 I 91.0 90.0 93.0 88.0 1 73.0 68.0 1 67.0 93.0 68.0 67.0 93.0 68.0 ί 67.0 68.0 99.6 89.0 例子A-48 例子A49 例子A-50 例子Α·51 1 例子A-52 例子A-53 例子A-54 例子A-55 例子A-56 例子A-57 比較例子A-19 例子A-58 例子A-59 比較例子A-20 例子A-60 例子A-61 比較例子A-21 例子A-62 比較例子A-22 比較例子A-23 -53- (50) 1343054 從表A6的結果可發現當將下面組成式（3)爲代表的材 * 料用於第二保護層時’能夠高速記錄’並且可在廣泛的線 性速度範圍中降低P I錯誤和抖動特性。 ΖηΟ-Α12Ο3-Ζ[(100-α5-β5): α5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種；α5及β5分別表示質量百分比，其中 0.5<α5<1 0.0 -及 0<β5€30·0° (例子 A - 6 3 到 A - 7 2 ) 此處’當以類似表A 1所示的記錄方法之記錄方法記 錄和以溫度80°C和相對濕度85%分別將碟儲存100小時時 ’評估例子 A-36、 A-41、 A-44、 A-46、 A-47、 A-50、 A- ^ 55、A·59、A·61、及A-62的各個光碟之抖動變化。 ' 將例子A·63到A-72的各自碟之評估結果圖示於表A7 。可發現本發明能夠設置具有絕佳檔案庫特性之光碟。 -54- 1343054 (51) 表A7 在 80°C，85%RH 下儲存 lOOhrs 例子A - 6 3 -^估 4.1 ^-- 例子A - 6 4 0 例子A - 6 5 0 〜'- 例子A-66 0 ^- 例子Α-67 Ί 0 ~'- 例子A - 6 8 ^ '—— 例子A - 6 9 0 ~~~- 例子A - 7 0 〇 --- 例子A-71 〇 -- 例子A-72 ----— 0
(例子A · 7 3 ) 利用與例子A- 1相同的膜形成方法將具有厚度丨4〇nm 之Ag99.5BiG.5(原子百分比）的反射層，具有厚度12nm之 ZnO-Al-Mn(78質量百分比：2質量百分比’· 20質量百分比） 所組成的第二保護層，例子A-1所示之相同材料所組成的 記錄層，及具有厚度33nm之ZnS-SiO2(80莫耳百分比·· 20 莫耳百分比）所組成的第一保護層以此順序形成在具有直 徑1 2 0 m m和厚度1 · 1 m m且有著軌距0.3 2 μ m，溝槽寬度（凹 面部位）0.2μπι，及溝槽深度22nm的溝槽形成在其上之聚 碳酸酯基體上。 最後，經由具有厚度25nm的UV可固化樹脂疊層具 有厚度7 5 n m的黏著劑薄片以形成具有厚度0 · 1 m m的光學 透明層；藉以產生光學記錄媒體。 然後，利用與例子A_ 1相同的方法初始化光學記錄媒 -55- (52) 1343054 體。 使用藍光碟評估裝置（Pulstec Industrial Co·,Ltd.所製 造，ODU- 1 00 0)評估各個備製的光學記錄媒體之記錄特性 〇 使用具有波長405nm、透鏡NA 0.85的拾波頭和使用 具有0.149μιη的最短標記長度之調變模式（1-7)RLL記錄隨 機圖型。 記錄線性速度被設定在4.9m/s、9.8m/s、及19.6m/s， 並且在選定各自光學記錄功率後記錄隨機圖型° 使用限制EQ (用於評估藍光碟的記錄特性之信號處理 技術）量測抖動，因此在同一五磁軌上執行記錄1 〇次並且 評估中間磁軌。 藉由以各個記錄線性速度在400磁軌上重複記錄（DOW 10) 10次以量測隨機SER(即再生錯誤），和利用再生功率 0.3 0mW和線性速度4.9m/s再生記錄部分。結果如下。 > 線性速度 抖動 隨機SER . 4.9 m/s 5.5 % 4.5x 1 〇·5 9.8 m/s 4.8 % 1 ,3x 1 〇'5 1 9 · 6 m / s 4.2 % 2.Ox 1 Ο'5 在實際當作藍光碟使用時，該値是十分令人滿意的値，及 證實利用例子的組配可獲得本發明的效果。 (例子B-1到B-26和比較例子B-1到B-12) 圖6爲例子和比較例子所生產的光學記錄媒體之槪要 -56- (53) (53)1343054 橫剖面圖。 就基底1而言，使用具有直徑120mm和厚度〇.6mm且 有著軌距0.74μηι，溝槽寬度（凹面部位）〇·3μπι，及溝槽深 度30 nm的導引溝槽形成在其上之聚碳酸酯基體。 第—保護層2是具有厚度60nm的ZnS-SiO2(80莫耳百 分比：20莫耳百分比），記錄層3係由具有表B1和表B2所 示之組成的厚度1 4nm之相變材料所組成，第二保護層4係 由具有厚度llnm的 ZnO-Al-Mn(78質量百分比：2質量百 分比：20質量百分比）所組成，及反射層5係由具有厚度 2 0〇nm的Ag所組成。RF磁電管濺鍍法被用於形成第一保 護層2 ’和DC磁電管濺鍍法被用於形成記錄層3、第二保 護層4、和反射層5。 然後，在塗敷UV可固化樹脂（DAINIPPON INK AND CHEMICALS, INCORPORATED 所製造，SD318)當作反射 層5表面上的抗環境保護層6以硬化UV可固化樹脂之後， 疊層類似於基體1的基體（未圖示），藉以獲得具有厚度 1 .2mm的各個光學記錄媒體（光碟）。 接著，利用具有配備有聚焦輸出波長83 Onrn，寬度 1 μη:，長度75μηα，及最大輸出2W的雷射束之功能的雷射 頭之初始化裝置（Hitachi Capital Corporation所製造， POP 12 0-7 AH)初始化相變光碟。 使用具有波長660nm和數値孔鏡NA 0.65的光學拾波 器之 DVD 評估裝置（Pulstec Industrial Co·,Ltd.所製造， D DU- 1 0 00)評估光學記錄媒體的記錄特性。 (54) (54)1343054 2T寫入策略被用於記錄策略，和將最佳條件用於脈 衝寬度，寫入功率，和拭除功率。分別以DVD 3.3χ速度 (lK5m/s)、DVD 速度（21m/s)、DVD 8x 速度（28m/s)、 DVD 12x速度（42m/s)、及DVD 12x速度（56m/s)的記錄線 性速度，根據EFM +調變模式記錄隨機圖型在同一五磁軌 上1 〇次，並且評估中間磁軌。評估結果圖示於表B 1和表 B2。 [評估標準] A:抖動（σ/Tw)是10%或更少 B :抖動（σ/Tw)大於1 0% 藉由以各個記錄線性速度重複記錄（DOW 10)在400磁 軌上1 〇次加以量測PI錯誤，即再生錯誤，並且以1 X速度 再生記錄部分。 當作再生裝置，使用具有波長65 Onm和透鏡NA 0.6 的光碟評估裝置（Pulstec Industrial Co.,Ltd.所製造， DDU- 1 00 0)，使用-〇.7mW的再生光線功率評估光學記錄 媒體。 [評估標準] A:再生錯誤（PI錯誤）數目是100或更少 B :再生錯誤（PI錯誤）數目是200或更少 C :再生錯誤（PI錯誤）數目是3 00或更少 D :再生錯誤（PI錯誤）數目大於300 -58- (55)1343054
PI錯誤 16χ· 速度 CQ < < ΙΏ Q CQ < u < < < Q u < < Q < < < < 12x' 速度i DQ < < CQ Q < u < < < Q u < < Q < < < < 8χ· 速度 < < < U U CQ < CQ < < < CJ CQ < < Q < < < < 6χ" 速度 Ο < < Ο < < < < Q < < CQ < < < < < < < < 3.3χ. 速度」 Ο < < CQ < < < < U < < < 〇 < < < < < < < 抖動 16χ 速度i < < < < PQ < < PQ < < < CQ < < < 0Q < < < m 12χ·； 速度」 < < < < CQ < < CQ < < < CQ < < < CQ < < < CQ δχ 速度; < < < CQ CQ < < < < < < DQ < < < CQ < < < PQ 6χ· 速度 CQ < < CQ < < < < CQ < < < < < < < < < < < 3.3χ· 速度 CQ < < < < < < < ffi < < < CQ < < < < < < < G S 1 1 I I t 1 1 1 1 I ι 1 1 1 1 1 1 1 1 1 N 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 < 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 < 1 1 1 1 ( 1 f 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 lo.oi I |〇〇2 I ! 0.09 0.10 <υ α 1 ο.ιο 1 0.09 0.04 1 0.03 1 0.10 1 o.io 1 0.10 0.10 0.10 0.09 <N 〇 (N 〇 0.02 0.03 〇^9 J 0.20 O o 丨 0.10 0.04 0.03 0.17 1 ο.π 0.17 丨 0.17 ι I 0.29 | Ι〇·2δ I 0.06 I 0.05 丨 0.31 1 0.30 0.05 | 0.04 | | 0.20 | 0.20 0.12 0.11 0.14 l—o.—14 0.14 0.14 1 0.70 1 0.70 0.70 0.70 _____I 0.56 丨 0.79 | 0.80」 I 0.56 ml! 0.79 I 0.79 | 0.70 0.70 0.65 1 0.65 0.69 0.69 ! 0.69 0.69 Λ Ο 0.03 0.04 0.09 0,10 ι 0.06 1 0.06 1 0.05 i 0.05 1 0.04 丨 0.04 1 0.04 | 0.05 I | 0.08 | 0.07 '0.04 0.04 1 0.06 0.05 0.04 0.04 比較例子Β-1 例子Β-1 例子Β-2 比較例子β-2 比較例子B-3 例子B-3 例子B-4 比較例子B-4 比較例子B-5 例子B-5 例子B-6 比較例子B-6 比較例子B-7 例子B-7 例子B-8 比較例子B-8 例子B-9 例子B-10 例子B-ll 比較例子B-9 -59- (56)1343054
PI錯誤 16x 速度 < < < < < < < Q < < < u < < < < < < 12χ 速度 < < < < < < < Q < < < u < < < < < < 8χ' 速度 < < < CQ < < < U < < < m < < < < < < 6χ' 速度 < < < Q < < < < < < < < < < < < < < 3.3χ 速度 < < < PQ < < < < < < c < < < < < < < 抖動 16χ 速度 < < < < < < < CQ < < < 0Q < < < < < < 12χ 速度 < < < < < < < m < < < CQ < < < < < < 8χ 速度 < < < < < < < CQ < < < < < < < < < < 6χ· 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < 3.3χ· 速度 < < < CQ < < < < < < < < < < < < < < c s 1 1 1 1 1 1 • 1 0.01 ,0.02 | 0.09 〇 o 1 1 | 0.01 1 0.01 J 0.01 N 1 1 1 1 1 o.oi | |〇.〇2 0.09 0.10 1 1 1 1 1 o.oi I 1 '0.01 1 I 0.01 a lo.oij 1 0.02 0.09 Lo-ioJ 1 1 1 1 1 1 1 1 ! o.oi 1 1 ：0.01 1 0.01 I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0.01 J o.oi I o.oi I 1 1 I <υ 〇 0.10 0.10 0.04 ： 0.03 | 〇 〇 0.10 ! 0.04 1 0.03 | 0.10 〇 〇 1 0.04 | | 0.03 | ：〇·!〇] 0.10 10.10 o o 'o-ioj ! 0.10 0-14 1 0.14 1 0.14 I — 0,14」 0.14 寸 o 0.14 0.14 LM4J <6 o i ον 1 0.14」 寸 〇 0.14 寸 o o ;0.14 0.69 ! 0.69 0.69 ! 0.69 1 0.69 0.69 0.69 0.69 ；0.69 0.69 0.69 ,0.69 0.69 1 0.69 ,0.69 0.69 0.69 0.69 a 〇 1 0.06 0.05 0.04 i I 0.04 0.06 0.05 0.04 1 0.04 0.06 0.05 1 0.04 | 0.04 l〇.〇5 1 0.05 I 0.05 0.05 0.05 i 0.05 例子B-12 例子B-13 例子B-14 比較例子B-10 例子B-15 I 例子B-16 仔 B-17 比較例子B-11 例子B-18 例子B-19 例子B-20 比較例子B-12 例子B-21 例子B-22 例子B-23 例子B-24 例子B-25 例子B-26 -60- (57) (57)1343054 從表B1和表B2所示的結果，可發現當使用例子的碟 之組配時，能夠高速記錄，並且可在例子B-1到B-26的廣 泛線性速度範圍中降低PI錯誤和抖動特性。 在以溫度80。(：和相對濕度85%儲存例子B-9和例子Β-ίΟ的 光學記 錄媒體 100小 時之後 ，以 上述類 似方法 記錄隨 機圖型。發現例子Β -1 0的光學記錄媒體顯示出各個線性 記錄之絕佳的抖動和ΡΙ錯誤結果和絕佳的儲存特性。 然後，比較例子 Β - 1 2，Β -1 3，Β - 1 5的各個光學記錄 媒體之最佳寫入功率與各個光學記錄媒體Β -1 6，Β - 1 8， 及Β-19的最佳寫人功率，發現，光學記錄媒體例子Β_ 13 、8-16、及8-19的抖動値具有低於光學記錄媒體例子8-12、Β-15、及 Β-18的抖動値之2mW到3mW，並且顯示出 更好的記錄靈敏度。 (比較例子B - 1 3 ) 除了將第二保護層的材料改成通常用於習知技術的 21^-3丨〇2(80莫耳百分比：20莫耳百分比），厚度改成711111， 及具有厚度4nm之以質量比7:3的TiC和Ti02所組成之介 面層形成在兩層之間，使得第二保護層中的硫磺成分不影 響反射層中的Ag之外，其他類似例子Β- 1地產生光學記 錄媒體。 利用與例子Β-1相同的方式評估光學記錄媒體。評估 結果證明3 · 3 X速度到8 X速度的碟之抖動被評估作β，而 12χ速度和16X速度的抖動被評估作〇，3.3x速度到8x速 -61 - (58) 1343054 度的碟之PI錯誤被評估作A，而6x速度、12x速度、及 1 6 X速度的P1錯誤被評估作D。 (例子 B - 2 7 到 B - 3 2 ) 除了表B3所示的材料被用於第二保護層4之外其他類 似例子B- 1地生產光學記錄媒體。各個化合物之欄中所示 的値表示組成（質量百分比）。 利用與例子B - 1相同的方式評估這些光學記錄媒體。 結果圖示於表B 3。 -62- (59)1343054
16x 速度 u u U U U u -1 12χ' 丨 速度 0Q CQ CQ CQ PQ CQ PI錯誤 8χ· 速度 CQ CQ CQ OQ OQ oa 6χ· 速度， m < 0Q OQ < PQ -1 3.3χ· 速度 CQ < PQ OQ < OQ 1 16χ· 速度 < < < < < < 12χ' 速度 < < < < < < 抖動 8χ· 速度： < < < < < < 6χ" 速度 < < < < < 3.3χ· 速度 < < < < < < Sn〇2 o r o o ZnO 1_______ o 〇 窆 In.2〇3 o g 卜 CN CQ 〇〇 <N ώ σ\ (N CQ o rn pQ rn CQ (N cn CQ 屮 屮 屮 m -63 - (60) (60)1343054 從表B3的結果可發現能夠高速記錄’並且可在例子 的廣泛線性速度範圍中降低PI錯誤和抖動特性。 (例子 B-33 到 B-37) 除了藉由在濺鍍期間添加氧並且控制氧量，使用與例 子B-3 1相同的材料改變第二保護層4的電阻率之外，其他 類似例子B-1地生產光學記錄媒體。 藉由通常用於形成第二保護層4的單層膜在聚碳酸酯 樹脂基體上之四終端方法量測電阻率。 利用與例子B- 1相同的方法評估這些光學記錄媒體， 及在具有例子B-3 1的結果之表B4中圖示評估結果。 -64 - (61)1343054
PI錯誤 16x' 速度 U U u U U u 12χ· 速度 PQ ffl CQ CQ CQ PQ 8χ 速度！ CQ CQ CQ CQ CQ CQ 6χ· 速度 < < CQ 0Q OQ CQ -1 3.3χ· 速度 < < < < < CQ 16χ" 速度 AA < < < < < 12χ" 速度 < < < < < < 8χ· 速度 < < < < < < 6χ" ι 速度 < < < < < < 3.3x' 速度 < < < < < < —s ε ο • C^l (N o O —<z> G X X X X X 〇〇 X 〇 Sf r~H H (N ON 囤 IS 1 < rn 〇Q 寸 cn CQ cn ώ v〇 cn CQ 卜 cn CQ 屮 屮 m -65- (62)1343054 從表B4的結果發現第二保護層的電阻率是 4Ω.cm到1.0x104.cm之光學記錄媒體可執行高速 能夠降低廣泛線性速度範圍中的PI錯誤和抖動特估 (例子B - 3 8到B - 5 1和比較例子B -1 4到B -1 8 ) 除了表B5所示的材料被用於第二保護層4之外 類似例子B -1地生產光學記錄媒體。各個化合物之 的値表示組成（質量百分比）^ 類似於例子B - 1所示者評估這些光學記錄媒體 圖示於表B 5。 1.0x10 記錄和 ，其他 欄所示 。結果
-66- (63)1343054
16χ· 速度 < < < < < < < < CQ ο < CQ U < CQ u < Q Q 12χ' 速度 < < < < < < < < < CQ < < CQ < CQ CQ < < < pi錯誤 8χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 6χ· 速度 CQ Ρ < < CQ CQ < < < < < DQ m < 〇Q m < ϋ Q 3.3χ 速度 CQ < < < < CQ < < < < < < < < < < < < < 16χ 速度 < < < < < C < < < < < < < < < < < CQ CQ 12χ' 速度 < < < < < C < < < < < C < < < < < < < 抖動 δχ· 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 6χ' 速度j < < < < < c < < < < < < < < < < < < < 3.3x 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < ο y/ί 25.0 26.0 ο <υ α Ο Π 25.0 26.0 ο C ο 〇 ο ο ο νη 〇 w-ΐ (Ν ν〇 (Ν < Ο ο ο (Ν ο •ri ο On 10.0 ο <Ν 〇 (Ν Ο (Ν 10.0 Ο fN 〇 (Ν 10.0 Ο <Ν 0 01 10.0 Ο oi d 11.0 Ο ο Ο ο Ο o Ο 〇 ρ ο Ο p 〇 ο 〇· 〇 ο ο Ν σ\ 〇\ 00 σ\ ΟΝ 5； g rn 00 〇〇 rn m ON cn S S ΓΟ 00 σ\ 〇s os oo 00 Ον Γ〇 ο (Ν 可 m Tl* •^r Ο 寸 1 PQ 卜 可 00 可 ό r· i 1 Ον 可 o VO 1 CQ 卜 1 CQ 00 1 CQ ώ Λ ώ ώ ώ ώ ώ ώ ώ ώ CQ ώ ώ ώ Η- 屮 匡 摩 u 餻 U -LA a jJ a-i -67- (64) (64)1343054 從表B5所示的結果，可發現當利用下面組成式（2)所 代表的树料當作第二保護層4的材料時，能夠高線性速度 p己錄 36且能夠在廣泛線性速度中降低pi錯誤和抖動特 性。 Ζη〇-Α1-Υ[(100-α4-β4): α4: β4]…組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge ’及Ti的至少其中之~ ; α4 及β4分別表示質量百分比，其中〇.5^α4$1〇·〇 ,及 0<β4<25.〇 〇 (例子Β52到Β66和比較例子Β19到Β23) 除了將表Β6所示的材料用於第二保護層4之外，其他 類似例子Β -1地生產光學記錄媒體。各個化合物的欄所示 之値表示組成（質量百分比）。 利用與例子Β- 1相同的方式評估這些光學記錄媒體。 結果圖示於表Β 6。 -68- (65)1343054
x m ^ m < < < < < < < < < m υ < CQ U < CQ U < Q Q x m CN Irvj < < < < < < < < < < CQ < CQ CQ < CQ CQ < < < PI錯誤 8x 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 6χ· 速度 CQ < < < CQ CQ < < < CQ CQ < 〇Q < CQ CQ < U CJ 3.3x. 速度 CQ < < < < CQ < < < < < < < < < < < < < < 16χ* 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < OQ CQ 1 12χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 抖動 8χ· :速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 1 6χ· 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 3.3χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < ο o p ο ‘口 »〇 ΓΛ ο ο p p Ο Ο Ά ίΛ cn — c ο ο ο ο ο ο Ο ο 2 <Ν m m Al2〇3 〇 ο Ο (N ο ο On 10.0 ο (Ν ο (Ν Ο (Ν Ο CN Ο »〇 ο (Ν 〇 〇i p ο (Ν o CN o v-i ο (Ν ο 〇 〇 ο Ο p Ο o ρ Ο ρ ρ Ο ρ q p Ο p 〇 Ο 'Ο p c N Os Os σ\ Os od σ\ Os m Qs οό οο ΓΠ οό Ό S od v〇 cn 〇Ν 〇6 οό os Os Os 00 <N »〇 in ?; 1 v〇 i〇 卜 in 00 ώ ΟΝ § νο ώ ΟΝ 碡 1 CQ <Ν v£> o (N ώ v〇 CQ (N ώ ν〇 ν〇 ώ CA (N DQ cn (N ώ ώ CQ CO ώ CQ ώ ώ ώ CQ CQ ώ 屮 If 屮 OJ a -69- (66) 1343054 、從袠B6所示的結果，可發現當利用下面組成式（3)所 代表的材料當作第二保護層的材料時，能夠高線性速度記 錄並且能夠在廣泛線性速度中降低p I錯誤和抖動特性 〇 Ζη〇-Α1203-Ζ[(1〇〇-α5-β5): α5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物’ Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種；cc5及PS分別表示質量百分比，其中 0.5Sa5s 1 〇·〇 ，及 0<β5<30‘0 。 在利用與例子Β-1相同的方式將隨機圖型記錄在例子 Β-40、 Β-45、 Β-48、例子 Β-50、 Β-51 、 Β-54、 Β-59、 Β-63、及Β66的各個光學記錄媒體上之後，以溫度go °c和 相對濕度8 5 %儲存光學記錄媒體1 0 0小時。各個光學記錄 媒體被採用當作例子B-67到B-76，並且利用與例子 相同的方式評估抖動的變化。評估結果圖示於表B7。
表B7 8〇°C ’ 85%RH下儲存lOOhrs後的抖動評估 例子B - 6 7 4.1 例子B - 6 8 0 例子B - 6 9 0 例子B - 7 0 0 例子B - 7 1 0 例子B-72 3.5 例子B - 7 3 0 例子B-74 0 例子B-75 0 例子B - 7 6 0 -70- (67) (67)1343054 從表B7所示的結果可發現，當將Mri、Ge、Ti、或其 混合物的任一種添加到ZnO-Al時，及當將Mn02、Ge02 、Ti〇2、或其混合物的任一種添加到zn0_A丨2〇3時，抖動 增加小於且檔案庫特性優於未添加它們的例子。 (例子B - 7 7) 將具有厚度14〇nm之Ag99.5BiQ.5(原子百分比）的反射 層’具有厚度llnm之 ΖηΟ-Α1-Μη(78質量百分比：2質量 百分比：20質量百分比）所組成的第二保護層，例子 所示之相同材料所組成的記錄層，及具有厚度3 3 nm之 ZnS-SiO2(80莫耳百分比：20莫耳百分比）所組成的第一保 護層相繼形成在具有直徑1 2 0 m m和厚度1 . 1 m m且有著軌距 0.32μιη，溝槽寬度（凹面部位）〇.2μιη，及溝槽深度22nm的 導引溝槽形成在其上之聚碳酸酯基體上。 最後，經由具有厚度25nm的UV可固化樹脂疊層具 有厚度75nm的黏著劑薄片以形成具有厚度0.1mm的光學 透明層；藉以產生光學記錄媒體。 然後，與例子B-1類似地初始化光學記錄媒體。 使用藍光碟評估裝置（Pulstec Industrial Co.,Ltd.所製 造，O D U - 1 0 0 0)評估各個備製的光學記錄媒體之記錄特性 〇 使用具有波長4 0 5 n m、透鏡N A 0.8 5的拾波頭和使用 具有0.1 49 μηι的最短標記長度之調變模式（1-7) RLL記錄隨 機圖型。 -71 - (68) (68)1343054 記錄線性速度被設定在4.9m/s、9.8m/s、及19.6m/s’ 並且在選定各自光學記錄功率後記錄隨機圖型。 使用限制EQ(用於評估藍光碟的記錄特性之信號處理 技術）量測抖動，因此在同一五磁軌上執行記錄1 〇次並且 評估中間磁軌。 而且，藉由以各個記錄線性速度在400磁軌上重複記 錄（DOW 10)10次以量測隨機SER(即再生錯誤），和利用再 生功率0.3 0 η nW和線性速度4.9m/s 再生記錄部分 下。 線性速度 抖動 隨機SER 4.9m/s 5.5 % 3.5xl0·5 9.8 m / s 4.3 % 9.5xl〇·6 1 9.6 m/s 4.9 % 1 ·8χ 1 Ο·5 在實際當作藍光碟使用時’上述値是十分令人滿意的 値，及證實利用例子的光學記錄媒體之組配也可獲得本發 明的效果。 (例子C-1到C-26和比較例子C-Γ到C-12) 具有圖6所示的層組成之可相變光學記錄媒體被備製 如下。 具有厚度60nm之ZnS-Si〇2(80莫耳百分比莫耳百 分比）所組成的第一保護層2 ’具有厚度1 4 n m之具有下面 表C 1和表C 2所示的組成之相變材料的記錄層3，具有厚 -72- (69) (69)1343054 度llnm之ΖηΟ-Α1-Μη(78質量百分比：2質量百分比：20 質量百分比）所組成的第二保護層4，及具有厚度200nm之 A g所組成的反射層5以此順序形成在具有直徑丨2 〇 m m和厚 度0.6mm且有著軌距0.74μηι’溝槽寬度（凹面部位）〇·3μιη ，及溝槽深度30nm的導引溝槽形成在其上之聚碳酸酯基 體上。 RF磁電管濺鍍法被用於形成第一保護層2，DC磁電 管灘鑛法被用於形成記錄層3、第二保護層4、及反射層5 〇 然後’塗敷U V可固化樹脂到反射層5上以形成抗環 境保護層6，最後，疊層類似基體（未圖示）到聚碳酸酯基 體當作保護基體，如此備製具有厚度1.2mm的光學記錄媒 體。 接著，使用具有配備有聚焦輸出波長830nm，寬度 1 μπι，長度75μπι，及骰大輸出2W的雷射束之功能的雷射 頭之初始化裝置（Hitachi Capital Corporation所製造， Ρ Ο P 1 2 0 - 7 A Η )初始化光碟。 使用具有波長660nm和數値孔鏡ΝΑ 0.65的光學拾波 器之 D V D 評估裝置（P u 1 s t e c I n d u s t r i a 1 C 〇 ·，L t d .所製造， DDU- 1 00 0)評估光學記錄媒體的記錄特性。 2T寫入策略被用於記錄策略，和將最佳條件用於脈 衝寬度 '寫入功率，和拭除功率。 分別以 DVD 3·3χ 速度（1 1 .5m/s)、DVD 6x 速度 (21m/s)、DVD 8x 速度（28m/s)、DVD 12x 速度（42m/s)、 -73- (70) (70)1343054 及DVD 12x速度（56m/s)的記錄線性速度，根據EFM +調 變模式記錄隨機圖型在同一五磁軌上1 〇次，並且評估中間 磁軌。 [評估標準] A:抖動（σ/Tw)是10%或更少 B :抖動（σ/Tw)大於1 0% 藉由以各個記錄線性速度重複記錄（DOW 10)在400磁 軌上1 0次加以量測PI錯誤，即再生錯誤，並且以1 X速度 再生記錄部分。 當作再生裝置，使用具有波長65 0nm和透鏡NA 0.6 的光碟評估裝置（Pul stec Industrial Co.，Ltd.所製造， DDU- 1 000)，使用〇.7mW的再生光線功率評估光學記錄媒 體。 [評估標準] A :再生錯誤（PI錯誤）數目是1〇〇或更少 B :再生錯誤（PI錯誤）數目是200或更少 C:再生錯誤（PI錯誤）數目是300或更少 D:再生錯誤（PI錯誤）數目大於300 評估結果圖示在表C 1和表C 2。 -74- (71)1343054
Π錯誤 16χ· 速度 CQ < < PQ Q CQ < U < < < Q u < < Q < < < < 12χ 速度 CQ < < CQ Q CQ < U < < < Q u < < Q < < < < 8χ'' 速度i < < < U U CQ < PQ < < < U CQ < < Q < < < < 6χ· 速度 Q < < 〇 < < < < Q < < CQ < < < < < < < < 3.3χ' 1 速度 U < < OQ < < < < U < < < Q < < < < < < < 抖動 16χ· 速度 < < < < CQ < < CQ < < < PQ < < < PQ < < < CQ 12χ' 1 速度i < < < < PQ < < CQ < < < 0Q < < < CQ < < < CQ 8x' ! 速度j < < < 0Q (¾ < < < < < < PQ < < < CO < < < DQ 6x_ 1 速度 CQ < < CQ < < < < CQ < < < < < < < < < < < 3.3χ· 1 速度i < < < < < < < CQ < < < CQ < < < < < < < s 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 N 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 • 1 1 1 1 1 1 1 • c 1 1 1 1 1 1 1 1 » 1 t 1 1 1 1 « ( 1 t 1 ^a> 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 • 0.01 1 0.02 1 0.09 0.10 a> a 0.10 ! 1 0.09 ' 1 0.04 1 I 0.03 | o 〇 | o.io 丨 o.io 1_ 1 o.ioj 1 0.10 1 1 0.10 0.12 i 0.12 0.02 1 0.03 0.23 1 0.24 0.10 0.10 0.04 0.03 1Q-171 1 〇·Π 卜 ο 0.17 | | 0.29 | 0.28 0.06 Lo-osJ 0.30 1 0-291 ：0.05 ! 0.04 i 〇.2〇i ;0.20 0.12 0.11 i 0.14 ! 0.14 0.14 0.14 0.70 ； 1 0.70 1 1 0.70 1 0.70 1 q-55 1 0.56 0.79 0,80」 0.56 1 0.57 ί 0.79 0,79 1 0.70 ] ! 0.70 0.61 ；0.61 0.69 1 0.69 0.69 0.69 c s 0.03 0.04 1 0.09 ί 0.10 | 0.06 ί 0.06 0.05 1 0.05J 0.04 ；0.04 0.04 0.05 0.08 0.07 0.04 0.04 0.06 0.05 0.04 0.04 比較例子C-I 例子c-1 例子C-2 比較例子c-2 I 比較例子C-3 例子C-3 例子C-4 比較例子C-4 比較例子C-5 例子C-5 例子C-6 比較例子C-6 比較例子C-7 例子C-7 例子C-8 比較例子C-8 例子C-9 例子C-10 例子c-11 比較例子C-9 -75- (72)1343054
P1錯誤 ^ 4ί¥4 —脚 < < < < < < < Q c < < U < < < < < < 12χ·丨 速度1 < < < < < < < Q < < < Ο < < < < < < 8χ· ! 速度1 < < < CQ < < < U < < < 0Q < < < < < < 6χ' 1 速度 < < < Q < < < < < < < < < < < < < < 3.3χ' 速度， < < < m < < < < < < < < < < < < < < 抖動 」 16χ 速度 < < < < < < < CQ < < < CQ < < < < < < 12Χ 速度 < < < < < < < < < < CQ < < < < < < 8χ· 速度 < < < < < < < 0Q < < < < < < < < < < 6χ' 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < 3.3χ 速度 < < < CQ < < < < < < < < < < < < < < m 1 1 1 1 1 1 1 1 0.01 I 0.02 1 0.09 0 0 1 1 1 0.01 1 0.01 1 0.01 N 1 1 1 ( 1 〇.〇1 1 0.02 0.091 1 o.iol 1 1 1 1 1 1 0.01 1 0.01 1 0.01 — 0.0—1 0.02 1 0.09 0.10 1 1 « 1 1 1 1 1 0.01 1 1 • L〇-〇i I0.01 I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Lmi」 1 0.011 1 0.01 1 1 1 1 <υ 〇 1 〇.1〇 〇 〇 0.04 0.03 L〇-i〇 0.10 0.04 1 0.03J 0.10 0.10 1 0.04 1 0.03 1 1 0.10 1 0.10 1 0.10 1 0.10J 0.10 0.10 0.14 I 0.14 1 0.14 1 0.14 I 0.14 0.14 0.丄4 I 0.14 1 0.14 1 0.14 14 I 0.14 1 1 0.14 Q-Η 1 0.14 1 0.14 0.14 0.14 0.69 0.69 0.69 0.69 0.69」 0.69 1 0.69 1 0.69J 0.69 0.69 1 0.69 1 1 0.69 I 0.69 ,0.69 ! 0.69 1 1 0.69」 1 0.69 0.69 C 1 0.06 0.05 1 I 0.04 1 0.04 I 0.06 I 0.05 0.04 I 1 0.04 0.06 1 0.05 1 0.04 I 1 0.04 1 0.05 ! 0.05 1 0.05 l〇-〇5 I j 0.05 j 0.05 例子C-12 例子C-13 例子C-14 比較例子C-10 | 例子C-15 j 例子C-16 例子C-17 比較例子c-11 例子C-18 例子C-19 例子c-20 比較例子c-12 例子c-21 例子c-22 例子C-23 例子C-24 例子C-25 例子C-26 -76- (73) (73)1343054 從表Cl及表C2所示的結果’發現例子c — 丨到 c_26的 光學記錄媒體能夠高速記錄，具有向下相容性，及能夠在 廣泛線性速度範圍中降低PI錯誤和抖動特性。 然後，以溫度8 0 ° C和相對濕度8 5 %儲存例子C - 9和例 子C -1 0的光學記錄媒體1 0 0小時。之後，以類似記錄方法 將隨機圖型記錄在例子B - 9和例子b -1 〇的光學記錄媒體上 ，表C 1和表C 2圖示結果，發現例子c -1 0的光學記錄媒體 在各個線性速度顯示出絕佳的抖動和PI錯誤。 然後，比較例子C -1 2、例子c -1 3、例子C -1 5、例子 C-16、例子C-18、及例子C19的光學記錄媒體之最佳寫入 功率，發現例子C - 1 3、例子C -1 6、及例子C -1 9具有低於 對應例子C - 1 2、例子C -1 5、及例子c -1 8的2 m W到3 m W， 並寫顯示出更好的記錄靈敏性u (比較例子C - 1 3 ) 除了將第二保護層4的材料改成通常用於習知技術的 ZnS-Si〇2(80莫耳百分比：20莫耳百分比），厚度改成7nm， 及具有厚度4nm之以質量比7: 3的TiC和Ti02所組成之介 面層形成在兩層之間’使得第二保護層中的硫磺成分不影 響反射層中的A g之外’其他類似例子c -1地產生光學記 錄媒體。 結果，3 · 3 X速度到8 X速度的碟之抖動被評估作b， 而1 2 X速度和1 6 X速度的抖動被評估作〇，3.3 X速度到8 X 速度的碟之PI錯誤被評估作A，而6x速度、12x速度、 及16x速度的PI錯誤被評估作d。 -77- 1343054 74
PI錯誤 12x 速度 < < CQ < < < 8χ' 速度 < < < < < < 6χ· 速度I CQ PQ PQ CQ 0Q 1 3.3χ· 速度 < m < c < CQ 抖動 12χ 速度 < < < < < < 8χ' ι 速度I < < < < < < 6χ· ι 速度J < < < < < < 3.3χ· 速度 < < < < < < Sn02 _1 o T——< O o ZnO _1 〇 〇 I ΙΠ2〇3 ο 例子C-27 例子C-28 例子C-29 例子C-30 例子C-31 例子C-32 -78- (75) (75)1343054 從表C3所示的結果，發現例子C-27到C-32的光學記 錄媒體能夠高速記錄，並且能夠在廣泛線性記錄範圍中降 低P I錯誤和抖動特性。 (例子 C - 3 3 到 C - 3 8) 除了藉由在形成第二保護層4期間加入氧並且控制氧 量以改變電阻之外，其他利用與例子C-3 1相同的方式生 產和評估光學記錄媒體。 使用通常用於形成第二保護層4的單層膜在聚碳酸酯 樹脂基體上之四終端方法量測電阻率。結果圖示於具有例 子C - 3 1的表C 4。 -79- (76)1343054
PI錯誤 16χ· 速度 < 0Q CQ CQ 0Q 12χ· 速度ι < < < < < PQ CQ 8χ 速度」 < < < < < < 0Q 6χ· 速度」 CQ PQ PQ 0Q CQ 0Q 0Q 3.3χ 速度 < < < < <ί PQ CQ 抖動 16χ· 速度 1 AA ί < < < < < < 12χ· 速度 C < < c < < < 8χ' 速度ι < < < < < < < 6x" 速度 < < < < c < < -1 3.3x" 速度 < c < < < < < a o • tJ- Tt- CN ι 1 O ι—H r-^ G X X X X X X 〇〇 X 〇 Sf r—^ r (N a\ t—^ ϋ r-H ΓΛ 〇 cn rn ΰ 寸 cn ό cn ό v〇 CO ό 卜 cn ύ oo cn 6 If If •τ^ι -80- (77)1343054 從表 C4的結果，發現當 1·0χ10·4Ω.(：ιώ 至 Ijl.OxlC^D.cm 的 ，能夠涵蓋向下相容性，並且能 降低PI錯誤和抖動特性。 第二保護層的電阻率在 範圍中時，能夠高速記錄 夠在廣泛線性速度範圍中
-81 - (78)1343054
16x 速度 < < < < < < < < CQ Q < < a < < Q < ο a 12χ·； 速度 < < < < < < < < CQ < < u < < U < υ < PI錯誤 8χ 速度 < < < < < < < < < < < < < C < < < < 6χ' 速度 CQ CO < < CQ CQ < < C < < < < c < < < CQ u 3.3χ' 速度 CQ < < < < 0Q < < < < < < < < < < < < < Γ 16χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < CQ < CQ CQ 12χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 抖勖 8χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 6χ· 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 3.3χ 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < ρ ο 25.0 26.0 Ο vS <υ α 〇 25.0 26.0 Ο C 〇 >〇 10.0 25.0 26.0 5..0 < Ο ο ο <Ν ο ο <JS 10.0 〇 (Ν ο fN ο (Ν ο (Ν 〇 (N 〇 CN ο (Ν ο ο (Ν o (N ο CN rr ο n.o Ο m ο Ο q Ο ο 〇 ο p Ο 〇 q Ο ρ Ο p ο ν〇 q Ν ΟΝ ΟΝ OS ON 00 Os 5； m On CO 00 m CN σ> pi (Ν m ΟΝ m CN οο ΟΝ σ\ 00 ΟΝ rn ο 叮 <N m 5 \ο "Τ 卜 呀 1 < t u 00 ON rr un r· t ό Ο »〇 ά ι〇 〇 6 (Ν 卜 1 ο 00 ό ύ ό U ΰ ΰ ύ ΰ ύ ΰ ό ΰ ΰ ΰ 屮 屮 屮 屮 屮 屮 ·Τ=·» 鎰 JJ JJ a AJ -82- (79) (79)1343054 從表C 5所示的結果，發現當下面組成式（2)所代表的 材料被用於第二保護層時，能夠高線性速度記錄’能夠涵 蓋向下相容性，並且能夠在廣泛線性速度中降低PI錯誤 和抖動特性。 ΖηΟ-Α1-Υ[(1〇〇-α4-ρ4): α4: β4]...組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一；α4 及Ρ4分別表示質量百分比，其中〇·5^α4£ΐΟ·〇，及 0<β4<25.0 。 (例子C - 5 3到C - 6 7和比較例子c _ 1 9到C - 2 3 ) 除了將第二保護層4的材料改成下面表格以所示的材 料之外，其他利用與例子C1相同的方式生產和評估光學 記錄媒體。表C6中的材料襴所示之値的單位是質量百分 比。結果圖示於表C6。 -83- 1343054
9u« PI錯誤 16x" 速度 < < < < < < < < < CQ D < CQ Q < CQ Q < Q Q 12χ 速度 < < < < < < < < < CQ 〇 < CQ 〇 < PQ U < CQ < 8χ·; 速 < < < < < < < < < < < < < < < < < < CQ < 6x" 速度」 CQ < < 0Q CQ < < < < < < < < < < < < 0Q U 3.3χ· ί 速度^ CQ < < < < CQ < < < < < < < < < < < < < < 1 抖動 i 16χ· 1 速度j < < < < < < < < < < PQ < < CQ < < CQ < P3 CQ 12χ· 1 速度ι < < < < < < < < < < CQ < < 0Q < < CQ < < < 1 8χ· 1速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 6χ' 速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 1 3.3χ' 1速度 < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 1 1 Ti〇2 o ,30.0 31.0 10.0 Ge02 〇 30.0 I 10.0 Μη02 o 10.0 1 25.0 I 30.0 \ 31.0 1 10..0 Al2〇3 〇 O o CN o o On 10.0 o (N 0 01 〇 (N O (N o o (N 〇 (N o o (N o (N 〇 0 01 o 1 11.0 ZnO [99二5 | | 99.0 I 198.0 I 1 95.0 I L9i^ |_90.0 ! 93.0 ι 88.0 1 73.0 68.0 l67.0 1 93.0 l 68.0 67.0 93.0 68.0 67.0 68.0 99.6 89.0 例子C-53 例子C-54 J 例子C-55 j |例子C-56 例子C-57 例子C-58 例子C-59 例子C-60 例子C-61 例子C-62 比較例子c-19 例子C-63 |例子C-64 比較例子C-20 例子C-65 |例子C-66 比較例子C-21 例子C-67 比較例子C-22 比較例子C-23 -84- (81) (81)1343054 從表C6所示的結果，發現當下面組成式（3)所代表的 材料被用於第二保護層時，能夠高線性速度記錄，能夠涵 蓋向下相容性，並且能夠在廣泛線性速度中降低PI錯誤 和抖動特性。 ΖηΟ-Α12〇3-Ζ[(100-α5-β5): cx5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種：α5及β5分別表示質量百分比，其中 °·5<α5<10.0 > 及 0<β5<30.0。 (例子 C - 6 8 到 C - 7 7 ) 利用與上述例子相同的方式將隨機圖型記錄在例子 c'4l 、 C-46 ' C-50 ' C-51 、 C-52、 C-55、 C-60、 C-64、 C- 66、及C-67的光學記錄媒體上，然後以溫度80°C和相對 濕度85%儲存1 00小時。這些光學記錄媒體分別被採用當 作例子C-68到C-77，並且評估抖動値的變化。結果圖示 於表C 7。 -85- (82) 1343054 表C7 80〇C，85%RH下儲存lOOhrs後的抖動評估 例子C-68 3.5 例子C-69 0 例子C-70 0 例子C-71 0 例子C-72 0 例子C-73 3 例子C - 7 4 0 例子C-75 0 例子C-76 0 例子C-77 0
從表C7所示的結果可發現，例子C-68到C-77顯示出 在實際使用時檔案庫特性的結果十分令人滿意。 (例子C-78) 將具有厚度140nm之Ag 9 9 5 BiQ.5(原子百分比）的反射 層，具有厚度llnm之ΖηΟ-Α1-Μη(78質量百分比：2質量 百分比：20質量百分比）所組成的第二保護層，具有厚度 1 4nm的例子C _丨所示之相同材料所組成的記錄層，及具 有厚度40nm之ZnS-SiO2(80莫耳百分比：20莫耳百分比） 所組成的第一保護層相繼形成在具有直徑丨20mm和厚度 1 · 1 m m且有著軌距〇 · 3 2 μ m ’溝槽寬度（凹面部位）〇 . 2 μ m， 及溝槽深度22nm的導引溝槽形成在其上之聚碳酸酯菡體 上。 最後’經由具有厚度25nm的UV可固化樹脂疊層具 "86 - (83) (83)1343054 有厚度75nm的黏著劑薄片以形成具有厚度0.1mm的光學 透明層；藉以產生光學記錄媒體。 然後，與例子C-1類似地初始化光學記錄媒體。 使用藍光碟評估裝置（Pulstee Industrial Co.，Ltd.所製 造，ODU- 1 000)評估各個光學記錄媒體的記錄特性。 使用具有波長405nm'透鏡NA 0.85的拾波頭和使用 具有0.149卜!!1的最短標記長度之調變模式（1-7)111^記錄隨 機圖型。 記錄線性速度被設定在4.9m/s、9.8m/s、及1 9.6m/s ’ 並且在選定各自光學記錄功率後記錄隨機圖型。 使用限制E Q (用於評估藍光碟的記錄特性之信號處理 技術）量測抖動，因此在同一五磁軌上執行記錄1 0次並且 評估中間磁軌。 而且，藉由以各個記錄線性速度在4〇〇磁軌上重複記 錄（DOW 10) 10次以量測隨機SER(即再生錯誤），和利用再 生功率0 · 3 0 m W和線性速度4.9 m / s再生記錄部分。結果如 下。 線性速度 抖動 隨機SER 4.9 m/s 5.8% 5.0x 1 0'5 9 · 8 m/s 4.6% 1 . 1 X 1 0'5 1 9.6m/s 5.2% 2.1 X 1 0'5 在實際當作藍光碟使用時， •上述値是十分令人滿意的 値，及證實利用例子的光學記錄媒體之組配也可獲得本發 明的效果。 -87- (84) (84)1343054 [工業應用] 例如，將本發明的光學記錄媒體用於具有諸％ DVD + RW、DVD-RW、BD-RE、HD-DVD-RW 等記錄層的 高密度可記錄光學記錄媒體較佳。 【圖式簡單說明】 圖1爲8x速度記錄的碟之記錄線性速度的說明_與 D Ο W 1 0記錄的抖動特性和p I錯誤特性之間的關係圖。 圖2爲3 T標記和3 T空間是交替配置之記錄策略的信 號圖型圖。 圖3 A爲當不正常標記產生在記錄標記中時的標記形 狀和再生信號之間的關係之平面圖與記錄標記的形狀之平 面圖。 圖3 B爲當不正常標記產生在記錄標記中時的標記形 狀和再生信號之間的關係圖與再生信號圖。 圖3 C爲當不正常標記產生在記錄標記中時的標記形 狀和再生信號之間的關係之圖型圖，與二元信號圖型圖。 圖4爲記錄標記的不正常標記和正常標記之分佈圖。 圖5爲各種相變材料的結晶速率和3 T標記中之不正常 標的數目之間的關係之說明圖。 圖6爲本發明的光學記錄媒體之例子的槪要圖，與 DVD + RW，DVD-RW，HD-DVD-RW 的例子之槪要圖。 圖7爲本發明的光學記錄媒體之例子的槪要圖，與藍 -88- (85) 1343054 光碟的例子之槪要圖 【主要元件符號說明 1 ： 2 ： • 3 ： 透明基體 第一保護層 記錄層 4 : • 第二保護層 反射層 6 ： 抗環境保護層 7 :透明覆蓋層

Claims (1)

1343054 第096107883號專利申請案中文申請專利範圍修正本
1 · 一種光學記錄媒體，包含： —第一保護層， 一記錄層， 一第二保護層，及 一反射層， 當從用以記錄和再生之雷射束照射的該側觀看時，以 此順序形成， 其中，該記錄層包含以該下面組成式（1-1)，組成式 (1-2)，和組成式（1-3)的任一者爲代表之相變材料：及 該第二保護層包含選自氧化鋅，氧化銦，氧化錫，及 其混合物的至少其中之一，以該下面組成式（2)爲代表的 材料，和以該下面組成式（3)爲代表的材料， nalSbpiXlYl …組成式（1-1) 其中XI是選自Ge’Te’Zn，及Μη的至少其中之一 ;αΐ，βΐ，及γΐ分別表示原子比，其中〇.10Sal<0.25, 〇· 65<β 1 <0.80 ， 0.04<γ1<0.1 5 > Gaa2Sbp2SnY2Ges2X2S2…組成式（1-2) 其中Χ2是選自Te，Ζη，Μη，及In的至少其中之一 ;α2，β2，γ2，52，及 ε2分另IJ 表示原子比，其中 0·045(χ2<0·09 > 〇.56<β2<0.79 ， 0.05<γ2<0.30 ， 0.03<δ2<0.1 9 > 及 0<ε2<0.09 ' T343054 Mna3Sb|33SnY3Ge53X3E3 …組成式（1-3) 其中X3是選自Te’ In’ Zn，及Bi的至少其中之一； a3 ’ β3 ’ γ3，δ3，及ε3分別表示原子比，其中0.04：ία350.09 ，0.56<β3<0.79 ， 0.05<γ3<0.29 ， 〇.〇3<δ3<0.23 ，及 0<ε3<0.09 > ΖηΟ-Α1-Υ[(100-α4-β4): α4: β4]…組成式（2) 其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一；α4 及β4分別表示質量百分比，其中0·5<α4^1〇.〇，及 0<β4<25.0 » ΖηΟ-Α12Ο3-Ζ[(100-α5-β5): α5: β5]...組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物，及 其混合物的任一種；a5及β5分別表示質量百分比，其中 0.5<α5< 1 0.0 - ^ 0<β5<30.0 > 其中該第二保護層的電阻率是1.〇χ1(Γ4Ω·(：πι到 l.OxlOh-cm。 2 .根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，另外包 含一透明基板；及至少該第一保護層，該記錄層，該第二 保護層，和該反射層，當從用以記錄和再生之雷射束照射 的該側觀看時，以此順序形成在該透明基體上。 3 .根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，另外包 含一透明覆蓋層；及至少該第一保護層，該記錄層，該第 二保護層，和該反射層，當從用以記錄和再生之雷射束照 射的該側觀看時，以此順序形成。 4.根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 -2 - 1343054 記錄層包含以該下面組成式（1 -1)爲代表的相變材料；及 該第二保護層包含選自氧化鋅’氧化銦，氧化錫，及其混 合物的至少其中之一’ Ina|SbpiXlYi …組成式（1-1) 其中XI是選自Ge’Te’Zn，及Μη的至少其中之一 ;αΐ，βΐ，及γΐ分別表示原子比，其中O.lOSal幺0.25, 0.65<β 1 <0.80 > 及 0.04<γ 1 SO. 1 5。 5 ·根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 記錄層包含以該下面組成式（1 -1)爲代表的相變材料：及 該第二保護層包含以該下面組成式（2)爲代表的材料， InaiSbpiXlYi ...組成式（1-1) 其中XI是選自Ge，Te，Zn，及Μη的至少其中之一 ;αΐ，βΐ，及γΐ分別表示原子比，其中0.10SalS0.25， 0.65<β 1 <0.80 - R 0.04<γ1 <0. 1 5 > ΖηΟ-Α1-Υ[(100-α4-β4): α4: β4]…組成式（2)
其中Υ是選自Μη，Ge，及Ti的至少其中之一；α4 及β4分別表示質量百分比，其中O.HaklO.O，及 0<β4<25.0 。 6.根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 記錄層包含以該下面組成式（1 - 1 )爲代表的相變材料；及 該第二保護層包含以該下面組成式（3)爲代表的材料， Inal Sbp i X 1 γ1 …組成式（1 -1 ) 其中XI是選自Ge，Te，Zn，及Μη的至少其中之一 ;αΐ ’ βΐ，及γΐ分別表示原子比，其中〇.i〇sais〇25, -3- 1343054 0.65<β1<0.80 * R 0.04<γ1 <0-1 5 > ΖηΟ-Αΐ2〇3-Ζ[(100-α5-β5): α5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μ η氧化物，G e氧化物’ Τ i氧化物，及 其混合物的任一種；α5及P 5分別表示質量百分比’其中 0.5<α5< 1 0.0 « 及 0<β5<30.0。 7.根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體’其中該 記錄層包含以該下面組成式（1 ·2)爲代表的相變材料；及 該第二保護層包含選自氧化鋅，氧化銦’氧化錫’及其混 合物的至少其中之一， Gac^SbpzSnyGesaXSe〗·..組成式 Ο-2) 其中X2是選自 Te，Ζη，Μη，及In的至少其中之一 ;α2，β2，γ2，S2，及ε2分別表示原子比，其中〇.〇4^χ2<0·09 ，0.56<β2<0.79 ， 0.05<γ2<0.30 ， 0.03<δ2<0.19 > R 〇<ε2<0.〇9 ο 8 .根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 記錄層包含以該下面組成式（1 -2)爲代表的相變材料；及 該第二保護層包含以該下面組成式（2)爲代表的材料， Gaa2Sbp2SnY2GeS2X2£2...組成式（1-2) 其中X2是選自Te，Ζη，Μη，及In的至少其中之一 ;α2，β2，γ2，δ2，及ε2分別表示原子比，其中0.04Sa2s0.09 ,0.56<β2<0.79 > 0·05<γ2<0.30 ， 0.03<δ2<0· 1 9 ，及Ο<ε2<0.〇9 ， ZnO-Al-Y[(100-a4-p4): α4: β4]…組成式（2) 其中Y是選自Mn，Ge，及Ti的至少其中之一：a4 及β4分別表示質量百分比，其中0.5 10.0，及004^25.0 -4- 1343054 9.根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體’其中該 記錄層包含以該下面組成式（1-2)爲代表的相變材料；及 該第二保護層包含以該下面組成式（3)爲代表的材料’ Gaa2Sbp2SnY2Ge52X2E2···組成式（卜2) 其中X2是選自Te，Ζη，Μη，及In的至少其中之一 ;α2，β2，γ2，δ2，及ε2分別表示原子比，其中〇·〇4<α2<0·09 • ， 0.56<β2<0.79 - 0.05<γ2<0.30 > 0.03<δ2<0· 1 9 ， ^0<ε2<0.09 > ΖηΟ-Α12〇3-Ζ[(1 00-α5-β5): α5 : β5]...組成式（3) 其中Ζ表示Μη氧化物，Ge氧化物，Ti氧化物’及 其混合物的任一種；a5及β5分別表示質量百分比’其中 0.5<α5< 1 0.0 > 及 0<β5<30·0。 1 〇 .根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體’其中該 ' 記錄層包含以該下面組成式（1 -3 )爲代表的相變材料；及 該第二保護層包含選自氧化鋅，氧化銦，氧化錫，及其混 ^ 合物的至少其中之一， • Mna3Sbp3SnY；3Ges3X3s3.·.組成式（1-3) 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之一； α3，β3，γ3，53，及ε3分另IJ表示原子比，其中0.04<α3<0·09 ’ 0.56<β3<0.79 ' 0.05<γ3<0.29 > 0.03<δ3<0.23 ·及 0<ε3<0·09 ° 1 1.根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 記錄層包含以該下面組成式（1 -3)爲代表的相變材料：及 該第二保護層包含以該下面組成式（2)爲代表的材料’ Mna3Sbp3SnY3Ges3X3E3·..組成式（卜3) 1343054 其中X3是選自Te，In’ Zn，及Bi的至少其中之一： α3，β3 ’ γ3 ’ δ3 ’及ε3分別表示原子比，其中〇.〇4Sa3S〇.09， 0·56<β3<0.79 ’ 0.05$γ350·29，0·035δ3$0.23，及 0<ε3<0.09， Ζ η Ο - A1 - Υ [ ( 1 0 0 - a 4 - β 4 ) : a 4 : β 4 ]…組成式（2 ) 其中Y是選自Μη’ Ge，及Ti的至少其中之一；a4 及β4分別表示質量百分比，其中0.5^α4^10.0，及 05β4<25.0 ° 12.根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 記錄層包含以該下面組成式（1 -3)爲代表的相變材料：及 該第二保護層包含以該下面組成式（3 )爲代表的材料， Mna3Sb(53SnY3Ges3X3e3 …組成式（1-3) 其中X3是選自Te，In，Zn，及Bi的至少其中之—： α3，β3，γ3 ’ δ3 ’及ε3分別表示原子比，其中〇.〇4Sa3s〇.〇9， 0.56<β3<0.79 - 0.05<γ3<0.29 - 0.03<δ3<0.23 - S.0<e3<0.09 » ΖηΟ-Α12Ο3-Ζ[(100-α5-β5): α5: β5]…組成式（3) 其中Ζ表示Μ η氧化物，G e氧化物，Τ i氧化物，及 其混合物的任一種；a5及β 5分別表示質量百分比，其中 0.5<α5<1 0.0 > 及 0$β5<30.0。 1 3 .根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 最大記錄線性速度是3 Om/s到5 6m/s及該最小記錄線性速 度是 1 0 m / s 至1] 1 4 m / s。 1 4.根據申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 最短記錄標記長度是〇 . 5 μιη或更小。
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