TWI342968B - Liquid crystal display device, method for manufacturing the same, and spacer structure of display device - Google Patents

Description

1342968 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係種液晶顯示裝置’尤其是—種可防止觸碰缺 陷及重力缺陷之液晶顯示裝置及其製造方法。 、 【先前技術】

資訊依存社會的發展產生了對各種不同類型之顯示裝置之強 烈需求，為了滿足這些需求，近來業界在平面顯示裝置的研究上 投入了很多努力，這些平_示裝置如液晶顯示裝置（lcd)、電 漿顯示面板（PDP)、電致發光顯示器（ELD)、真空螢光顯示：。 (WD)。為了滿足不同之顯示目的，上述平面顯示=、置的其= 些正實際應用在各種不同設備中。

特別地，在以上提及之顯示裝置中，由於液晶顯示裝置 著特徵與優點，使得液晶顯示裝置已經取代陰極射線管顯干写 (CRT)。舉說，液關稀置具有高鱗畫質、質量和^ ===概嫩，因_顯犧卿以被廣泛 =答業界正在開舰晶顯稀置之不同朗，這些_不伽 =筆記型電腦之監等軸影像顯示裝置_，而且= 與顯示廣播作號夕雷拍14目口口 -、按又 ” υ之電視血視減膝上電腦監視器相關。 =裝置對於不同的影像顯示裝置之成功應用主要根據 期繼咖紐刪，能否實現 / &含A解析度、高亮度與大尺寸畫面等。 一般液晶顯示裝置包含有彼此相結合的第一基板與第二基 板，介於第一基板與第二基板之間有一特定間隔，並於其間形成 一液晶層。 \ 詳細來講，第一基板包含有依單一個方向排列且彼此之間具 : 有一固定間隙之複數條閘極線以及與複數條閘極線排列方向垂直 排列之複數條資料線，且複數條資料線之間具有一固定間隙。複 •數條閘極線與複數條資料線定義了畫素區域。第一基板更包含在 各自畫素區域上分佈之畫素電極以及在閘極線與資料線交叉區域 各卿成之薄膜電晶體。薄膜電晶體依據應用於問極線的信號而 將資料線的資料信號應用於每個畫素電極。 第一基板包含有一用以遮蔽非畫素區域之入射光線之黑色矩 陣層，而紅(R)、綠(G)、藍(B)色滤光片層分別形成於與畫素區域 相應之區域以表示色調，減於耗遽光層上形成可以重現影像 I 之共同電極。 在具有以上所述配置之液晶顯示裝置中，可以透過畫素電極 與共同電極之_㈣對形成於第—基板與第二基板之間液晶層 的液aa配向。並且根據液晶層之配向角度來調整可穿透液晶層的 光線量而加以顯示影像。 上述液晶顯不裝置稱為扭轉向列型⑽)液晶顯示裝置。由於 扭轉向列型液晶顯示裝置具有視角窄之缺點，因此為了克服此一 缺點而發展出一種平面切換型(ips)液晶顯示裝置。 1342968 在平面切換型液晶顯示裝置中，一晝素電極與一共同電極形 成於第一基板的各個畫素區域上，由於晝素電極與共同電極彼此 之間平行延伸且相間隔一距離，以產生一平板間電場（水平電 場）’因此允許液晶層的液晶在平板間電場中排列整齊。 同時，具有上述結構之間隔粒位於液晶顯示裝置之第一基板 及第二基板之間，以維持液晶層之預設間隙。 間隔粒依照其形狀可分為球形間隔粒與柱形間隔粒。 球形間隔粒為圓球形’散佈在第—基板與第二基板。即使第 土板第一基板彼此元全結合在一起，球形間隔粒仍可以相對 自由移動’且球形間隔粒與第—基板以及第二基板之接觸面積小。 柱狀間隔粒形成於第一基板或第二基板之陣列過程中。柱狀 間隔粒固定於第—基板與第二基板其中之―，且其為具有一定高 度之圓柱I。因此，與球形間隔粒相比，柱狀間隔粒與第一基板 與第二基板之接觸面積更大。 在下文’以_為參考，將對知技術中具有柱形間隔粒 之液晶顯示裝置進行闌述。 第1圖」係為習知技射具雜關隔粒之液晶顯示裝置 之剖面圖。 y 第1圖」卿，具有柱利赚讀關示裝置包含有 彼相對排列之第—基板30與第二基板4〇、至少-柱狀間隔粒 20形成於第一基板3〇與第二基板4〇之間、以及一液晶層（圖中 1342968 未示）填充於第-基板30與第二基板4〇之間。 第基板30包含有複數條閘極、線31與複數條資料線（圖中 未示），且兩者之·此相垂直蚊制並Μ定義畫素區域、薄 膜電晶體（TFT)形成於各個閘極線與資料線的交叉區域、以及畫 素電極（®巾未示）侧於各個畫素區域。 第二基板4G包含有—黑色矩陣層41形成於非畫素區域、彩 色濾、光層42 ’其具有色條_且與畫姐域相對應而形成，其中 畫素區域且屬於與資料線相平行之垂直線、以及共同電極或外塗 層43开》成於第二基板4〇之整個表面。 柱狀間隔粒2G形成對應於—特定位置於細之閘極線31之 頂部。 此外’第-基板30更包含有一閘極絕緣層％形成於具有閘 極線31之第-基板3〇的整個表面上、以及—保護層37形成於問 極絕緣層36上。 「第2A圖」及「第2B圖」係分別為具有柱狀間隔粒之液晶 顯示裝置的觸碰缺陷之平面圖及刮面圖。 如「第2A圖」及「第2B圖」所示，在如上所述之具有柱狀 間隔粒之液晶顯示|置的情形下，當时指或其他物體沿著一個 固疋方向持續觸職晶顯示面板1G上之_表面時，在所觸碰部份 會產生-缺醜，此缺陷點可稱為觸碰點，因為它是藉由與觸碰 行為而產生的’或者也可以叫做"觸碰缺陷"，因為它可由螢幕上 觀察到。 具有柱狀間隔粒之液晶顯林置產生觸碰缺陷的原因是由於 與球形間隔粒相比，柱狀間隔粒20與第一基板〗之間且有更大之 接觸面積’耻’崎槪秦力㈣生觸碰缺 陷詳細來說’如「第2B圖」所示，由於與球形間隔粒相比柱狀 間隔粒2G與I基板之财更大的接_積，因此當第-基板1 與第-基板2之間透獅贿為彼此產生餘的時候，由更大的 =觸面積而帶來之更大摩擦力會阻止面板迅速恢復至其初始狀 態。因此導致了持久缺陷點。 第3圖」係為液晶顯示裝置之重力缺陷的剖面圖。 曰如「第3圖」所示，若於第一基板1與第二基板2間注入液 晶3之液晶顯示裝置上’於第—基板丨與第二基板2間之一預設 4置上域有柱狀間隔粒2G，並純溫環境下垂直放置一定時 間’則填充於第-基板〗與第二基板2間之液晶3由於高溫而膨 脹’因此使得單元間隙增加且大於柱狀間隔粒之高度。結果， 重力使侍液晶移動至液晶顯示裝置之較低部份使得於液晶顯示 裝置之較低部份形成一鼓起部份。而此鼓起部份即稱為“重力缺 陷’’。 如上所述之具有柱狀間隔粒之傳驗晶顯示裝置具有以下問 題。 第’於柱狀間隔粒與基板之間之接觸面積很大，因此，當 1342968 透過觸碰行為而使基板產生移位時，大接觸面積則會產生大的摩 擦力，因此阻礙基板迅速恢復至其初始位置，而導致持久之觸碰 缺陷。 第二，若具有柱狀間隔粒之液晶顯示面板在高溫環境下垂直 放置一定時間，液晶由於在高溫狀態而膨脹，使得單元間隙增大 且大於柱狀間隔粒之高度。結果重力就致使液晶移動至液晶顯示 面板之較低部份，在液晶顯示面板較低部位形成一個鼓起部份。 而鼓起部份可以看到係為一暗部。 第二，當液晶顯示裝置在運輸之前經歷推力測試以檢查液晶 顯示裝置之敎性時，會在液晶顯示裝置之—個特定區域上施加 一預設壓力。在此情況下，若柱狀間個粒不足以於上基板與下基 板之間維持單元間隙，触狀間隔粒就可驗破壞，騎在柱狀 間隔粒所在位置產生“印痕缺陷點，，。 【發明内容】 赛於上述問題’本發明揭露一種液晶顯示裝置及其製造方 法’其中液晶顯林置及魏造方法充分解決習知技術中的局限 與缺點產生的一個或多個問題。 發月的目的在於&供一種能夠防止觸碰缺陷與重力缺陷以 及可抵抗推力職之敎結構之液㈣示裝置及其f造方法。 關於本發明之其它频及優點將於接下來軸容巾提出有 些於内容敘述中即可明顯得知，而有些可於本發明之實施例中得 t本發明之目的以及其他優點，可藉由揭露之結構以及方法而 揭露之圖式而得知。在不脫離本發明之精神與範圍 明所=之更動與顯’均屬本發明之專利保護範圍。關於本發 明所界定之简_請參考所附之中請專利範圍。 h ,為達上述目的’本發騎揭露之-種液晶顯示裝置， 二I舳相對之H板與—第二基板、至少一形成於第 柱=第一區域的凸出體’且凸出體中具有-凹部、-第-狀_形成於第：基板上，且與凸_ 層，位於第-與第二基板之間。 :發明的另一方面提供一種製造液晶顯示裝置之方法，此方 板匕开=下步驟，首先’預備"'第—基板及與之相對之一第二基 個凸出體於第-基板上之-第-區域，且凸出體 位詈接凹。卩料―第—間隔粒於第二基板上與凸出體相對應 基板與第二基板彼此相結合。基板與第—基板之間、以及使第一 一方面提供液晶顯示裝置之間隔粒結構，其令液 一基板及與之彼此相對冰 L且凸出體中具有1部m她 柱狀間隔_成於第二餘上且與凸_對應。八 X月之特徵與實作，茲配合賦作最佳實施例詳細說 1342968 明如下。 【實施方式】 以下將依_圖詳細描述本發明之較佳實施例，並且，附圖 ； 中相同之標號代表相同或者類似之元件。 :· 現在’賴_將躲關示裝置及其製造方法進行詳細說 明。 「第4圖」係為本發明之—實施例巾液晶顯示裝置的凸出體 鲁 結構的平面圖。 如「第4圖」所示’本發明之實施例中具有凸出體之液晶顯 示裝置其包含有彼此相對排列之一第一基板6〇及一第二基板 70、至少一柱狀間隔粒80形成於第一基板6〇上之一預設位置、 -凸出體85形成於第二基板7〇上且與柱狀間隔粒⑽部份接觸， 而凸出體85具有比柱狀間隔粒8〇更小的體積、以及一液晶層（圖 未示）填充於第一基板60與第二基板70之間。 ♦在本實施例中’當用手指連續觸碰第一基板6〇或第二基板7〇 之一表面時（即用手指沿一固定方向短暫或連續摩擦時），第一基 板60及第二基板70彼此之間會產生相互移位。而凸出體％係用 . 以減少柱狀間隔粒80與第二基板70間之摩擦力。具體地說，由 於凸出體85比柱狀間隔粒80具有更小的面積，因此從柱狀間隔 粒80之較大底面積換成凸出體85之較小面積，其中接觸面積顯 著的減小，而導致摩擦面積亦減小。結果，當透過觸碰行為使得 12 1342968 第一基板60與第二基板70彼此之間產生相對移位時，柱狀間隔 粒80與第二基板7〇之間的摩擦力也因而減小。目此可以使得其 迅速恢復至初始狀態。 如上所述之包含有凸出體85的結構中，若—預設壓力施加於 第-基板6G及第二_ 7G上’壓力會聚積在與凸出體相對應之 柱狀間隔粒80的部份。結果，除了與凸出體85相對應之柱狀間 隔粒80部份外，依次層狀排列於柱狀間隔粒8〇下面之外塗層（圖 未不）、色遽光層（圖未示）、黑色矩陣層（圖未示）也一並被 麼縮，使得柱賴隔粒80與凸讀85相對應之部份比柱狀間隔 粒80之其餘部份壓縮更多。 因此確切地說，-液晶顯示面板轉在高⑽件下，則由於 液晶的熱膨脹’使得單元間隙增加。而於第—基板6()與第二基板 7〇恢復至初始狀·_中，只要第—紐6()鮮二基板兀不 被過度壓縮’減間隔粒8G以及位於柱狀間隔粒⑽以下被壓縮 之一層或多層結構會維持第-基板⑷與第二基板7()之間所需之 單元間隙，因此防止了在液晶下降過程中產生的重力缺陷。 然而’當凸出體85形成相對應於柱關隔粒8()之中央且與 柱狀間隔粒80相接觸後，由於凸出體％比柱狀間隔粒8〇具有較 小的表面積’而且柱狀_粒8G比凸出體85具有更柔軟的彈性 材料所m因而’柱關驗8G可驗其接觸部份被凸出體過 分擠壓。 13 1342968 為了進一步闡述本發明，將以附圖為參考，對以下液晶顯示 裝置之實施例進行解釋。本發明實施例之液晶顯示裝置係透過利 用凸出體不僅能防止觸碰缺陷與重力缺陷而且能防止柱狀間隔 粒與排列於柱狀間隔粒以下之層狀結構之塑性形變。 以下係為本發明之第一實施例。 「第5圖」係為本發明之第一實施例之液晶顯示裝置的平面 圖。「第6圖」係為「第5圖」t第—柱狀間隔粒及其外圍區域之 大平面圖第7圖」係為「第5圖」$第-柱狀間隔粒與第二 柱狀間隔粒之剖面圖。 如「第5圖」至「第7圖」所示，本發明之第-實施例之液 晶顯不裝置其包含有彼此對應排列之-第-基板100及-第二基 板200、以及一液晶層（圖未示）填充於第一基板100及第二基板 200之間。 其中第基板包含有複數條閘極線ιοί與複數條資料線 102且彼此相互交又以定義晝素區域、薄膜電晶體形成於閉極線 101與資料線102之交又處、第一儲存電極1〇3a分別電性連接至 薄膜電晶體之祕職、畫素電極1G3自個別的第—儲存電極 103a向外延伸、共同電極1〇4自個另的第二儲存電極向外延伸， 而與畫素電極1G3交互制 '制電極線馳延伸平行於閘極線 101、以及第二健存電極1(>4b，其連接於共同電極線1〇4a及共同 電極104 與個別的第一儲存電極⑴如相重疊。 14 1342968 每-薄膜電晶體包含有-源極102a '一沒極職、以及一通 道區域，其定義於源極l〇2a與没極職之間。而源極臉内部 輪摩P為-U形，相對地’通道區域也為—u字形狀。薄膜電晶體 更包含有-閘極101a，其突出自複數條閘極線1〇1的其中之一。 ;而自複數條資料線102其中之一凸出之U形源極驗，並且當汲 極102b與源極102a相間隔-預設距離時，沒極1〇2b延伸至u形 源極102a中。此外，薄膜電晶體更包含有一半導體層（於「第5 圖」及「第6圖」中未示；參看「第圖」中標號隐)，其形 成於資料線1〇2、源極馳、沒極騰的下方以及形成於介於源 極102a與汲極l〇2b間之通道區域的下方。其中半導體層具有一 層狀結構，其包含有非晶石夕層（圖未示）及形成於非晶石夕層上之n +層（雜質層）（圖未示）。而n+層（雜質層）於半導體層中相對應 於介於源極102a及沒極102b間之通道區域之對應部分將被移 .除其中半導體層可選擇是否形成於源極1〇2a、没極！、以及 介於源極购舰極腿間之通道區域的下方歧形成於通 道區域以外之資料線102、源極職、以及沒極娜的下方。同 時，雖然本實施例_中之液晶顯示裝置中具有u形雜與〇形 通道區域，然而’本發明亦可應用於當源極脑為一直線形或者 任何其他形狀時。 並且’閘極線10卜共同電極線104a '以及共同電極1〇4係 由同一種金屬所組成，且形成同一層。 ^42968 而間極絕緣層1G5形成於閘極線1()1與半導體層之間， —保護層形成於資料線1〇2與畫素電極1〇3之間。 之放Γ夺’各個第二儲存電極_連接於其中之一跨越畫素區域 104^電極線购，且第—儲存電極1G3a形成於第二儲存電極 b上、而開極絕緣層105與保護層廳形成於組成一倚存 之兩儲存電極之間。 在此，分別形成於不同層上之没極腿與第一儲存電極膽 接軌職彼此械接，喊麻丨_翻細及極 2b上保護層106之預設部份而形成。 複數個凸出體120形成於閘極線101上之預設位置。每一凸 出體具有-層狀結構，其包含有由—半導體層_1213以及堆疊 在半導體層圖案121&上之源極/沒極金屬層122a。而凸出體⑽ 的組成如「第6圖」所示，於具有矩形水平截面之第—圖案碰 上形成-閉環形狀的凹部。關環形可以為—_、—多邊形或 者其他形狀。此外，於凹部内部形成—個比閉環狀凹部更小之一 圓形或者一多邊形之第二圖案職。雖然「第5圖」和「第6圖」 所示係為圓形閉環狀凹部以及圓形第二圖案職，然而本發明並 不局限於此，也可以為多邊形或者其他形狀。 如第7圖」所示，從凸出體120之垂直截面來看，第一圖 案120a包含有半導體層圖案ma_極力及極金屬層ma，而 第二圖案12Gb包含有半導體層（其解導體層圖案ma係為同 1342968 一層）。第i案ma與第二圖案懸相間隔—預設距離。當從 凸出體120之水平截面（即頂視圖）如「第5圖」與「第6圖」 所示’第-圖案120a形成凸出體12〇之矩形邊界，而第二圖案^ 形成於矩形的第-圖案12Ga之中心。從圖中可以理解，包含有第 -圖案120a與第二圖案1201)之凸出體12〇其在第一圖案咖與 第二圖案120b之間有一間隙。 半導體層_ 121a的厚度大約為〇.2_至G 3"m，並且源 極/沒極金騎122a之厚度大約為G.2"m至Q4"m。與問極線 101上不具有凸出體120關餘部份及各個凸出體的凹部區域相 比，第一圖案120a提升了大約〇,4//m至〇 7/^m的高度，而第二 圖案120b提升了大約〇.2㈣至〇.4//m的高度。因此，第—圖案 120a與第二圖案120b之間具有與源極/汲極金屬層122a之厚度 相等的南度差。如「第7圖」所示’在第一基板觀與第二基板 200相結合後，於凸出體120與凸出體120相應之第一柱狀間隔粒 210之間形成一具有W形狀垂直截面之一空間。 除了接觸孔l〇6a以外’保護層1〇6形成於整個凸出體上。 因此’於凸出體120之上的保護層1〇6係為第二基板2〇〇上實際 接觸於第一柱狀間隔粒210的部份。然而，在另一實施例中，保 護層106並沒有覆蓋於凸出體120之上，因此第一柱狀間隔粒21〇 直接與凸出體120接觸。 同時，與第一基板100相對應排列之第二基板200包含有一 17 1342968 黑色矩陣層201形成於在非畫素區域（對應於閘極線與資料線）、 一彩色濾光層202形成於具有黑色矩陣層201之第二基板200上、 以及一外塗層203形成於包含有黑色矩陣層201及彩色濾光層202 之第二基板200上。而外塗層203係用於之後的整平過程中。 外塗層203伴隨有第一柱狀間隔粒210形成於與各別凸出體 120相對應之位置。此外，外塗層2〇3也伴隨有第二柱狀間隔粒 220形成於與閘極線ιοί區域相對應之位置，而其中沒有凸出體 120形成。雖然於本實施例之圖示中，第一柱狀間隔粒21〇及第二 柱狀間隔粒220皆形成於外塗層203上，而本發明並不僅僅局限 於同時具有第一柱狀間隔粒210及第二柱狀間隔粒220之實施例 中。例如，僅有第一柱狀間隔粒210與其相對應之凸出體12〇的 情況也適用於本發明範圍。 於本實施例之圖示中，第一柱狀間隔粒210與第二柱狀間隔 粒220形成於外塗層203上且具有相同高度。如「第7圖」所示， 當第一基板100與第二基板200彼此相結合後，每一第一柱狀間 隔粒210與第一圖案120a上方之保護層1〇6相接觸。於此情況下， 保護層106於第二圖案120b上方的部份則與第一柱狀間隔粒21〇 相隔開。於第一基板1〇〇與第二基板2〇〇彼此相結合的狀態下， 從垂直截面來看，每一第二柱狀間隔粒220與形成於第一基板1〇〇 上之保護層106分隔開大約0.4#!»至0.7/zm的距離。在此種構 造下，當用手指沿著一定方向連續觸碰結合的第—基板與第二基 18 1342968 板之一表面時，介於第一基板100與第二基板200間之實際接觸 面積被限定於凸出體12〇中第一圖案i2〇a之部分表面面積。結 果，當透過觸碰行為使得基板間彼此產生移位時，僅產生一個报 小的摩擦力。因此使其更快速恢復至初始狀態，同時防止了觸碰 缺陷點的產生。 當以一預設壓力之推力測試實施至彼此結合之第一基板i 〇〇 與第二基板200時，具有彈性之第一柱狀間隔粒21〇被相應的凸 出體120推壓，詳細地說，第一柱狀間隔粒21〇首先在與第一柱 狀間隔粒210接觸的第一圖案12〇a相對應之部份發生形變，最 後，隨著施加至第一基板1〇〇及第二基板2〇〇上之壓力增大，而 與第二圖案120b相對應之中心部份亦發生形變。 上述之液晶顯示裝置的凸出體及柱狀間隔粒的結構不同於傳 統結構中凸出體僅僅與柱狀間隔粒之中心相對應，而能將推力測 4之壓力分散於第—圖案咖及第二圖案上。因此藉著依 照壓力比例而增加凸出體120與第-柱狀間隔粒210間之接觸面 積’並且減輕第—柱狀間隔粒21()於其接觸部份的過度塑性形變 且於測試巾維持—單元間隙介於第—基板〗⑻及第二基板之 間。 更詳細地說’當第一基板100與第二基板200相結合後的液 晶顯示裝置受到觸碰時’僅於凸出體120之第一圖案120a的頂部 與第-柱狀間隔粒21〇相接觸，而凸出體12〇之其餘部分與第— 19 1342968 柱狀間隔粒210相間隔，使得第-基板100與第二基板200之間 具有較小的接觸面積，從而顯著地降低產生觸碰缺陷的危險。 而且若圖7F令之液晶顯示裝置遭受推力測試之一預設壓力 :(超過兩基板集合所需要的壓力）且施加至彼此相結合之基板上 候&出體120與第一柱狀間隔粒21〇間之接觸面積亦逐漸增加。 因此’ P通著施加壓力的增加，壓力分散至與凸出體12〇相對應之 帛柱狀間隔粒210的整個表面上，而不是集中於第一柱狀間隔 粒210上之-特定部位。因而防止第一柱狀間隔粒训之特定部 位產生過度形變。若麼力進一步增加，和位於第一柱狀間隔粒 上對應於凸出體120之閉獅狀凹部的部分相同，第二柱狀間隔 粒220亦會與形成於第一基板1〇〇上之保護層1〇6相接觸。因此， 接觸面積大大增加以有效防止於第一柱狀間隔粒21〇及第二柱狀 間隔粒220產生非期望的或者過度形變。 帛-柱狀間隔粒210於功能上係作為一間隙維持間隔粒，用 以使第-基板100與第二基板200之間維持一單元間隙。而當受 壓時，第二柱狀間隔粒220於功能上係作為—消降預防間隔= •以減少柱狀間隔粒的形變。此外，由於其閉環形狀凹部或者其第 二圖案120b ’使得凸出體120於功能上可作為一個輔助的消降預 防間隔粒。 -旦第-基板100與第二基板2〇〇彼此結合後，組成了凸出 體⑵邊界之第-圖案施與第一柱狀間隔粒21〇相接觸。因此， 20 1342968 於=合過程t受到施加的壓力後，第一柱狀間隔粒加被壓低一 特定厚度。結果，動會集中於第—職_與第—柱狀間隔粒 210間之接觸區域上。然而’由於當液晶於高溫下膨脹時第一柱狀 ：間隔粒210在壓力集中部份有彈性恢復力，因此，它能夠在一定 :’ f度^穩定維持介於第-基板與第二基板間之單元間隙。詳細地 况’當液晶由於高溫而膨脹時，透過凸出體12〇之第—圖案⑽， *一柱狀間隔粒210彈性地克服施加於其中的消降力，因而達到 用以維持單元_崎需的續力。因此，即舰晶由於高溫而 膨騰，第-柱狀間隔粒亦提供—所需的支撐力，而防止重力缺陷 的產生。 同時，第-柱狀間隔粒21〇與第二柱狀間隔粒22()之位置不 僅僅限定於雜線1G1上，亦可形成於與閘極線⑼為同—金屬 層之共同電極線ma上。於本實施例中，各個凸出體12〇係設置 籲=與各個第-柱狀間隔粒210相對應之位置。例如，如圖所示， 虽第-柱狀間隔粒210形成於閘極線101上時，凸出體120亦形 成於開極線101上以相對應於第一柱狀間隔粒21〇。並且，當第一 枉狀間隔粒210形成於共同電極線购上時，凸出體12〇亦形成 : 於共同電極線104a上。 如上所述’第—域間隔粒21G與第二柱狀間隔粒⑽可形 成於閘極線101或者共同電極線购上。而從第一柱狀間隔粒⑽ 與第二柱狀間隔粒22〇下方開始，外塗層2G3層狀堆疊於彩色渡 21 I342968 光層202上’且彩色濾光層202則層裝堆疊於黑色矩陣層2〇i上， 而黑色矩陣層201層狀堆疊於第二基板2〇〇上。 凸出體120形成為薄膜電晶體，更詳細地說，半導體層（由 「第10E圖」標號l〇7a所指定）及包含有資料線1〇2及源極1〇2& /汲極102b之資料線層係透過使用半開式遮罩或衍射曝光遮罩而 形成圖案。 以下將詳細闡述本發明之第二實施例。 「第8圖」係為本發明第二實施例之液晶顯示裝置中第一柱 狀間隔粒及其外域之放大平面圖。而「第9圖」係為本發明 第二實施例中液晶顯示裝置之第—柱狀間隔粒與第二柱狀間隔粒 的剖面圖。 如「第8圖」及「第9圖」所示’除了凸出體14()的外形不 同外，本發明第二實施例之液晶顯示裝置與上述如「第5圖」至 「第7圖」所示本發明第一實施例之液晶顯示裝置基本上相同， 因而以下省去相類似結構的詳細描述。 如「第8圖」所示’凸出體M0具有一層狀結構，其包含有 一下層之半導體層】23，其具有矩形狀之水平剖面，以及上層之源 極/没極金屬層124a，其具有比半導體層123更小之水平剖面， 而源極/汲極金屬層124a的中心部份被環形移^。且第一柱狀間 隔粒310形成以相對於凸出體14〇。凸出體14〇及第一柱狀間隔粒 31〇皆可形成於共同電極線购上，並且第二柱狀間隔粒32〇形 22 1342968 成於外塗層2〇3上-相對應位置，其對應於閘極線⑼或者共同 電極線104a之區域，而其上沒有凸出體14〇形成。 如「第9圖」所示，保護層1〇6形成於整個閘極絕緣層⑽ 表面與凸出體140之上面。而第一柱狀間隔粒31〇形成於^二基 板200上且與凸出體14〇相對應。當第一基板1〇〇與第二基板2⑽ 彼此相結合時，於源極/沒極金屬層124a上之保護層的一部 份與第一柱狀間隔粒310相接觸。在本實施例中，保護層與 凸出體140中心相對應之部份上沒有源極/汲極金屬層i24a形 成，因此其與第一柱狀間隔粒310相分離。 與本發明之第一實施例類似，當施加一使第一基板1〇〇與第 二基板200相結合所需之壓力時，只有部分凸出體14〇 (形成有源 極/汲極金屬層124a的部分）與第一間隔粒31〇相接觸，而凸出 體140的其餘部份與第一柱狀間隔粒31〇相分離。因此，與傳統 中不具有相對應之凸出體的柱狀間隔粒相比較，由觸碰行為引起 的接觸面積縮減，因此能夠使其迅速恢復至其初始狀態，而防止 觸碰缺陷的產生。 此外，當本發明第二實例之液晶顯示裝置遭受一推力測試 時，推力測試中施加一預設壓力其大於基板間相結合之壓力，則 於源極/汲極金屬層124a上之部份保護層1〇6首先受到第一柱狀 間隔粒310所推壓。而在最後，在沒有形成源極//汲極金屬層12知 之半導體層123所對應之一部份保護層106才受到第一柱狀間隔

23 1342968 粒310所推壓。於推力測試過程中，隨著施加壓力的增大，凸出 體140與第-柱狀間隔粒310的接觸面積亦增大，而^致壓力分 散。且於推力測試過程巾’即使施加了更大的壓力，義能防止於 ! 第一柱狀間隔粒310上產生印痕缺陷點（推力缺陷點）。 ： 於基板間彼此結合之狀態下’第—柱狀間隔粒310與在源極 /汲極金屬層124a上之保護層1〇6相接觸，而第一柱狀間隔粒31〇 鲁在其接觸部份被壓縮-定的厚度，並且在高溫下液晶受熱而膨 脹，其程度與第一柱狀間隔粒310被壓下的厚度一樣大。因此可 防止第一基板1〇〇與第一柱狀間隔粒31〇分離。結果，在第一柱 狀間隔粒310與凸出體14〇相對應部份相接觸的狀態下，能夠防 止由於重力而導致液晶流下，即避免重力缺陷的產生。 以下，將描述本發明實施例之液晶顯示裝置的製造方法。尤 其將描述本發明第一實施例之液晶顯示裝置的製造方法。在下面 鲁的關巾’形成在第-基板上的凸出體及同凸出體—樣形成在同 一層上的半導體層與源極/汲極金屬層將得到展示。 「第10A圖」至「第1〇£圖」為一組剖面圖，顯示係分別為 本發明實施例中製造液晶顯示裝置之第一柱狀間隔粒及第二柱狀 • 間隔粒的分解步驟示意圖（平面圖請參考「第5圖」及「第6圖」）。 . 如「第10A圖」所示’金屬材料沉積於第一基板100之整個 表面上。然後將金屬材料選擇性地移除以形成於某一方向排列之 間極線101 ’而共同電極線104a在與閘極線101平行的方向上排 24 1342968 歹J且與閘極線丨〇1有均勻地相間隔一固定距離，並且共同電極 104自各別共同電極線104a上分岔出去，而閘極101a凸出於各自 閘極線101之特定部位上。 然後，閘極絕緣層105形成於包含有閘極1〇la、閘極線1〇1、 共同電極線l〇4a、以及制電極1〇4之第-基板⑽的整個表面 上。 其後，半導體層107與金屬層112依序地沉積於包含有閘極 絕緣層1G5之第—基板1GG的整個表面上。雖細未示，然而半 導體層1〇7係為一層狀結構，其具有一非晶石夕層以及一形成於非 晶石夕層上之雜質層。 如「第10B圖」所示，提供一遮罩4〇〇,並定義有蔽光部4〇卜 半透明部403、以及透明部402。 於金屬層112的全部表面上塗覆一陰性之感光層13〇後，遮 罩400則排列於包含有感光層130塗覆之第一基板1〇〇的頂部。 在此，遮罩400中之蔽光部401所對應的區域上之金屬層112 與半導體層107在經過圖案化過程後皆被完全移除，且遮罩4〇〇 中之透明部402所對應的區域上之金屬層IQ與半導體層1〇7在 經過圖案化過程後皆保留下來，而遮罩400中之半透明部4〇3所 對應的區域上之只有半導體層1〇7在經過圖案化過程後保留下來。 因此’透過使用遮罩400 ’感光層130主要經過曝光及顯影步 驟’而形成第一感光層圖案13〇a。 25 在元成曝光及顯影步驟後，與遮罩4⑻之透明部4〇2與半透 M03相對應之第一感光層圖案13〇a❾區域被保留下來。詳細 地說’與半透明部403相對應之第-感光層圖案13〇a區域被移除 的更多，厚度比與透明部402相對應之第一感光層圖案驗所保 留區域的更薄。結果使得第一感光層圖案丨咖具有—階梯結構而 不是平坦結構。 接著，藉由彻第—感光層_ 以及可選擇性侧金屬 « 112姓刻/今液或者氣體’而金屬層112 _成金屬層圖案必 (參看「第10C圖」）。 再者’如「第10D圖」所示，透過利用第一感光層圖案13如 以及可選擇性侧半導體層1σ7之触刻溶液或者氣體，使得半導 體層107被姓刻，以形成各個薄膜電晶體之半導體層浙a，並形 成第-圖案12〇a之半導體層圖案咖以及各個凸出體12〇之第 二圖案職。於此，第一圖案12〇a之半導體層圖案i2ia係為與 凸出體120之外圍相對應的部份，而第二圖案職係為與凸出體 120之中心相對應的部份。 其後’執行-個灰化步驟以完全移除階梯狀之第—感光層圖 案13〇a中較_部份’從而形成-第二感光層圖案13〇b。 然後’透過顧第二感光層圖案·以及可選擇性關金屬 層之姓刻溶K者纽，而形成祕脑、_職以及源極/ 沒極金屬層122a，其組成各個凸出體12()之第一圖案腕。 1342968 假設半導體層107 (參看「第10A圖」）具有一層狀結構，其 包含有一非晶矽層以及形成於非晶矽層上之n+層（雜質層），則透 過利用源極/汲極金屬層122a作為一蝕刻遮罩並透過利用可選擇 性移除雜質層之蝕刻溶液或者氣體，可以移除通道區域中之雜質 層。 於半導體層107、半導體層圖案i21a及第二圖案120b、以及 源極102a/汲極i〇2b形成圖案的過程中，如以上參考「第i〇c 圖」及「第10D圖」所述’資料線1〇2在與閘極線垂直之方 向上延伸以形成。於此情況下，源極1〇2a凸出於資料線1〇2上而 形成。 然後’移除第二感光層圖案13〇b。 如「第10E圖」所示’保護層1〇6形成於包含有半導體層1〇7a、 源極102a/汲極l〇2b、以及凸出體120之第一基板1〇〇的全部表 面上。 在此，遮罩400的透明部與蔽光部的形狀取決於感光層具有 陰性感級或是雜感紐。關係為具有陰㈣紐之感光層 130的情況。❿若感光層130具有陽性感光性，則遮罩彻的透明 部與蔽光㈣形狀會減，但是於此兩種情況下皆可達到相同的 圖案效果。 雖然圖未不，保護層106於各個汲極I〇2b上的位置可選擇性 地被移除，以形成一接觸孔l〇6a。 27 1342968 接著’ 一透明電極材料沉積於包含有接觸孔1〇6&之保護層1〇6 的全部表面上。然後，透明電極材料可選擇地被移除，以形成與 共同電極104交互排列之畫素電極丨。 其後’黑色矩陣層201形成於第二基板2〇〇上非畫素區域的 部份，而彩色濾光層202形成於黑色矩陣層2〇1上對應於畫素區 域的部份。外塗層203軸於包含有黑色矩陣層2〇1及彩色遽光 層202之第二基板2〇〇的全部表面上。 鲁 再者’一液晶材料（圖未示）沉積於第-基板1〇〇或者第二 基板200上’而沒有液晶材料沉積之另一基板則被翻轉過來，以 使得第一基板1〇〇與第二基板2〇〇彼此相結合。 本發明之上述實施例係以一平面切換型(In_plane驗比㈣； ips)模式為例，然而本發明亦同樣適用於扭轉向列型 =ematic ; TN)模式。而扭轉向列型模式，除了其第一基板之各個 ⑩畫素區域的晝素電極具有—單―圖案以及制電極形成於第二基 板之整個表面外’扭轉向列型模式與上述之平面切換型模式相類 似。在扭轉向列型模式下，沒有共同電極形成於畫素區域，因此， 所有第—與第二柱射摘粒與凸出體㈣成關極線上。 ' 由以上敘述賴看&本㈣讀晶顯示裝置及其f造方法具 有如下所述之優點。 、 百先’凸出體不是形成於與一個柱狀間隔粒的中心相對應位 置而形成於與整個柱狀間隔粒相對應位置，並且由於形成在其 28 1342968 中的凹掀得凸出體具有階梯結構。由於此結構，當第一基板與 第二基板航減合時，僅凸域之部分離關隔粒相接 觸因而減少了第-基板與第二基板間之接觸面積（更詳細地說 是柱狀間隔粒與凸出體間之接觸面積），因此與習知技術中整個柱 狀間隔粒與基板接_比，即使有—觸碰行為作用於其上也能更 迅速恢復至其初始狀態。結果，顯著降低了觸碰缺陷產生的危險。 其次，當附圖中之液晶顯示裝置經過—推力測試，其施加一 預設壓力大於基板間結合之壓力，其中#基板結合在—起時柱 狀間隔粒起先僅與凸出體的外圍相接觸。由於凸出體之階梯結 構’使得餘間隔粒與凸出體的接觸面積逐漸增大。詳細地說， 隨著於推力測試過程中施加壓力的增大，柱狀間隔粒與凸出體從 凹部的相對較淺部份逐漸地接觸至相對較深部份，因此可以分散 在推力測財所施加的壓力。結果，在壓力針雜狀間隔粒上 產生的塑性形變被減輕，而防止印痕斑點的產生。 第二，當液晶由於高溫轉脹時’在基板間彼此結合後，柱 狀間隔粒上被凸出體外圍壓縮之—部份補償了液晶膨脹效應，因 此達到-之重力限度，使得柱狀間隔粒在—絲度上防止重 力缺陷的產生。 雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本 發明。在不脫離本發明之精神與範圍内，所為之更動與潤飾，均 屬本發明之專利保護制。關於本發明所界定之保護範圍請參考 29 1342968 所附之申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖係為習知技術中具有柱形間隔粒之液晶顯示裝置之剖 第2A圖及第2B圖係分別為具有柱狀間隔粒之液晶顯示裝置 的觸碰缺陷之平面圖及剖面圖；

第3圖係為液晶顯示裝置之重力缺陷的剖面圖； 第4圖係為本發明之一實施例中液晶顯示褒置的凸出體結構 的平面圖； a 第5圖係為本發明之第一實施例之液晶顯示裝置的平面圖； 第6圖係為第5圖中第—柱狀間隔粒及其外域之放 面圖； 寸" 第7圖係為第5圖中第一柱狀間隔粒與第二柱狀間隔粒 面圖； °

第8圖係為本發明第二實施例之液晶顯示裝置中第一柱狀間 隔粒及其外圍區域之放大平面圖； 曰 第9圖係為本發明第二實施例中液晶顯示裝置之第一柱狀間 隔粒與第二柱狀間隔粒的剖面圖；以及 第10A圖至帛10E圖係分別為本發明實施例中製造液晶顯示 裝置之第-柱狀間隔粒及第二柱狀間隔粒的分解步驟示意圖。 【主要元件符號說明】 1342968 1、 30、60、100 2、 40、70、200 3 10 20、80 31 ' 101 36 ' 105 37、106 41 ' 201 42、202 43'203 85、120、140 101a 102 102a 102b 103 103a 104 104a 104b 第一基板 第二基板 液晶 液晶顯不面板 柱狀間隔粒 閘極線 閘極絕緣層 保護層 黑色矩陣層 彩色濾光層 外塗層 凸出體 閘極 資料線 源極 汲極 晝素電極 第一儲存電極 共同電極 共同電極線 第二儲存電極 31 1342968 106a 107、107a、123 112 112a 120a 120b 121a 122a ' 124a 130 130a 130b 210'310 220'320 400 401 402

403 TFT 接觸孔 半導體層 金屬層 金屬層圖案 第一圖案 第二圖案 半導體層圖案 源極/汲極金屬層 感光層 第一感光層圖案 第二感光層圖案 第一柱狀間隔粒 第二柱狀間隔粒 遮罩 蔽光部 透明部 半透明部 薄膜電晶體 32 (¾)

Claims (1)

1. 99年8月18日替換真 ---^______I 1342968 Φ I 〉 十、申請專利範圍： 1. 一種液晶顯示裝置，其包含有： 一第一基板與一第二基板，其中該第一基板與該第二基板 彼此相對排列； 至夕凸出體，形成於該第一基板上，其中該凸出體具有 :凹部’同時該凸出體包含有：一第一結構，該第一結構環繞 者該凹部；及—第二結構，該第二結構形成於該凹部之内部， 並且該第—結構無第二結構彼此間具有不同的高度； 一第-柱狀間隔粒，形成於該第二基板上且對應於該 體；以及 2. 3. 4. 5. 6. -液晶層，填充於該第―基板與該第二基板之間。 如申請專赚㈣丨稿述之液轉稀置，其中該第一桂狀 間隔粒與該凸出體相接觸。 如申請專利細第2項所述之液晶顯稀置，其中該第一柱狀 間隔粒具有-表面面對於該凸出體，且該第—柱狀間隔粒之該 表面與該凸出體部份接觸。 如申請專利細第3項所述之液晶_示裝置，其中僅 狀間隔粒之絲_部份與該^體相接觸。 如申請專利細第2項所述之液晶_示裝置，其中該凸出體之 该凹部係由該第-柱狀間隔粒與該凸出體封閉住以形成一個 空腔。 如申請專利賴第1項所述之液㈣示裝置，其中該第一結構 33 1342968 ^ 99年8月18日替換頁 係沿著該m卩之整個外圍延伸。 7.如申％專概圍第5項所述之液晶顯示裝置，其中該第一結構 /、°玄第一柱狀間隔粒相接觸，且該第二結構與該第一柱狀間隔 粒相分離。 8’如申4專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置，其中該第一枉狀 間隔粒具有—表面面對於該凸出體，且僅該第-柱狀間隔粒之 泫表面的周圍部份與該第一結構相接觸。 9. t申請專概圍$丨顧述之液晶齡裝置，其巾該第—結構 高於該第二結構。 10‘如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中更包含有— 第二桎狀間隔粒形成於該第二基板上，且對應於沒有形成該凸 出體的區域，其中該第二柱狀間隔粒與該第一基板上之—保護 層相分離。 u.如申請專利侧第丨項所述之液晶顯示褒置，其找凹部 一閉環。 、 顯示裝置，其中該閉環係 12.如申請專利範圍第11項所述之液晶 為一圓形或一多邊形。 顯示裝置，其中更包含有： ，形成於該第一基板上，且 以定義至少一畫素區域；以 13.如申請專利範圍第1項所述之液晶 複數條閘極線及複數條資料線 該等閘極線及該等資料線彼此交又 及 1342968 99年8月18日替換頁 •線之交 至 -細電晶體，形成於該等閘極線 叉處’且各該薄膜電晶體包含有： 一閘極； 一源極； ―沒極；以及 重疊 一料體層’形成於該閘極上，且與觸極/沒極部份 請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其中該凸出體 具有一雙層結構，其包含有： —半導體層圖案’與該半導體層位於同一層；以及 一金屬層，形成於該半導體層圖案 源極/沒極位於同-層。 且遠金屬層與該 15. 如申請專利麵第14項所述之液晶_裝置， 更包含有-保護層，直接形成於該雙層結構之上，、=體 狀間隔粒與該雙層結構上之該保護層趣接觸。邱—柱 16. 如申請專利翻第14顿述之液晶_示裝置， 之該凹部係透過該源極/汲極金屬層< 亥凸出體 17. 如申請專利範圍第14項所述之液晶如凸 :她陶過該源極/汲極金屬層之一移除部分:出體 〜源極/沒極金屬層以下之該半導 及位於 成。 .案的-移除部份形 35 1342968 队如申料嫌_ 13撕狀液關示 極及該共同電極於該第一基板之該畫素區域交互排列广、 19. 如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示裝置，1中㈣音電 ==第—基板之該畫素區域上，同電二 6玄第一基板之整個表面上。 20. 如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示裝置，其中該第一區域- 直接位於該第—基板之該㈣極線其t之-上或者該第一基 板之5玄專共同電極線其中之一上。 _ 預備一第一基板及一第二基板； 形成至J/-凸出體於該第—基板上，且該凸出體具有一四 21. -種製造液晶顯示裝置之方法，其包含以下步驟： 部 升y成第柱狀間隔粒於該第二基板上，且與該凸出體相 對應； 沈積液晶材料於該第一基板與該第二基板之間；以及 將該第一基板及該第二基板彼此結合， 其中，形成該凸出體之步驟包含有： 形成一第一結構並環繞該凹部；及 形成一第二結構於該凹部之内部，並且該第一結構與 該第二結構彼此間具有不同的高度。 22.如申請專利範圍第21項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 1342968

   中該結合之步驟包含有一將今笛^ ^ L^_8月丨峨頁 接觸之步驟。 料^柱狀間隔粒與邮出想相 2=申請專利範圍第22項所述之製造液晶顯 I： ::::將該第—柱狀間隔粒之該表面與該™ %如申請專利麵第23項所述之製造液晶顯林置之方法，其 中該接觸之步驟包含有—僅將該第—柱狀間隔粒之該表面的 周圍部分與該凸出體相接觸之步驟。 A如申請補棚第22撕狀製造液晶顯稀置之方法，盆 中該接觸之步驟更包含—藉由該第—柱狀間隔粒及該凸出體 而封閉該凸出體之凹部以形成一空腔。 26·如申請專利額第22項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中形成該第一結構之步驟包含有一形成沿著該凹部之整個外 圍延伸之該第一結構的步驟。 27.如申請專利範圍第26項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中該接觸之步驟包含有一將該第一結構與該第一柱狀間隔粒 相接觸，而使該第二結構不與該第一柱狀間隔粒相接觸之氺 驟。 V 28.如申請專利範圍第27項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中該第一柱狀間隔粒具有一表面面對於該至凸出體，且該接觸 37 1342968

   99年g 之步驟更包含有-僅糾-柱㈣崎之該 與該第一結構相接觸之步驟。 刀 29.如申請專利細第22項所述之製造液晶麻裝置之方法，发 中該第一結構高於該第二結構。 '其 3〇.如申請專娜圍第21 _述之製造液晶齡裝置之方法，其 中更包含有一形成一第二柱狀間隔粒形成於該第二基板上，2 對應於沒有形成該凸出體的區域之步驟，而其中結合之步驟2 含有一保持該第二柱狀間隔粒與該第一基板上之一保護層= 分離。 31. 如申請糊細第21項所述之製造液晶顯錢置之方法，其 中該凹部係為一閉環。 八 32. 如申請專利範圍第31項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中該閉環係為一圓形或一多邊形。 /' 33. 如申請專利範圍第21項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中更包含以下步驟： 〃 形成複數條閘極線於該第一基板上，且該等閘極線沿著一 方向延伸；以及 形成一半導體層及一金屬層於包含該等閘極綠之兮第 基板的整個表面上，其中形成該凸出體之步驟台人 3有一選擇性 地移除該金屬層及該半導體層之步驟。 34.如申請專利範圍第33項所述之製造液晶顯示装 置之方法 其 1342968 99年8月18曰替換頁 中形成該凸出體之步驟包含一形成一雙層結構之步驟，其中該 兩層結構包含有一半導體層圖案與該半導體層位於同一層以 及一金屬層層狀堆積於該半導體層圖案上，且該金屬層於該源 極/沒極位於同一層。 35.如申請專利範圍第34項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中形成該凸出體之步驟更包含有一形成一保護層直接於該雙 層結構之上之步驟，以及該結合之步驟包含有一將該第一柱狀 間隔粒與該雙層結構上之該保護層直接接觸之步驟。 36·如申請專利範圍第34項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中該凸出體之該凹部係透過移除源極/汲極金屬層之一部份 形成。 37. 如申請專利範圍第34項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中該凸出體之凹部份係透過移除源極/汲極金屬層之一部份 以及移除位於該源極/汲極金屬層下方之該半導體層圖案之 —部份形成。 38. 如申請專利範圍第33項所述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中形成該凸出體之步驟，其包含以下步驟： 塗蓋一具有一預設厚度之感光層於該金屬層的整個表面 上； 形成一第一感光層圖案，透過於感光層上方設置一遮罩且 透過利用該遮罩選擇性地曝光及顯影於該保護層上之特定區 39 1342968 ^ 月u日替換頁“ 域’以使該第一感光層圖案形成一階梯狀的上一"~ 一 % 形成一金屬層圖案及一半導體層圖案’該金屬層圖案與該 半導體層圖案係透過依序地移除部份該金屬層及部份該半導 體層而得到，其中於該金屬層及該半導體層的移除部份之該第 : 一感光層不存在，係透過利用該第一感光層圖案作為一蝕刻遮 .:: 罩； -’、、 形成一第一感光層圖案，該第二感光層圖案係透過經由一 灰化步驟，而移除該第一感光層圖案之一較薄部份而得到；以鲁 及 透過利用5玄第二感光層圖案以餘刻該金屬層之曝光部分。 39. 如申請專概圍第2丨補述之製造液晶顯示裝置之方法，其 中s亥凸出體直接位於該第一基板之該等閘極線其中之一上或 者該第一基板之該等共同電極線其中之一上。 40. -種液晶顯示裝置之間隔粒結構’其中該液晶顯示裝置具有彼 此相對之帛基板及一第二基板，而該間隔粒結構包含有：鲁 至少一凸出體形成於該第—基板之一第一區域上，且該凸 出體具有1部，其它該凸出體包含有：—第—結構，該第— 結構環繞著該凹部；及一第二結構，該第二結構形成在於該凹 部之内和並且该第一結構與該第二結構彼此間具有不同的高 度；以及 ’ -第-柱狀間隔粒形成於該第二基板上，錢該凸出體相 1342968 對應。 ~~

   礼如申請專利範圍第4G項所述之液晶知裝置之間隔粒 其中該第一柱狀間隔粒與該凸出體相接觸。 42. 如申請專利範圍第41項所述之液晶顯示裝置之間隔粒結構， 其中該第-柱狀間隔粒具有—表面面對於該凸出體，且該第— 柱狀間隔粒之該表面與該凸出體部份接觸。 43. 如申請專利範圍第42項所述之液晶顯示裝置之間隔粒結構， 其中僅該第-柱狀間隔粒之該表面的周圍部分與該凸出體相 接觸。 44·如申請專利翻第4〇項所述之液晶顯示裝置之間隔粒結構， 其更包含有一第二柱狀間隔粒形成於該第二基板上，且對應於 該第一基板上沒有形成該凸出體的一第二區域，其中該第二柱 狀間隔粒與該第一基板上之一保護層相分離。