JPH10253968A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH10253968A JPH10253968A JP9055741A JP5574197A JPH10253968A JP H10253968 A JPH10253968 A JP H10253968A JP 9055741 A JP9055741 A JP 9055741A JP 5574197 A JP5574197 A JP 5574197A JP H10253968 A JPH10253968 A JP H10253968A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配向不良を起こさない柱状スペーサを設けた
液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 対向配置させた一対の絶縁性基板の一方
にスイッチング素子を備えた液晶表示装置において、一
方の絶縁性基板上に、配向処理した配向膜と、前記配向
膜上にパターニングして形成された金属膜と、前記金属
膜上に形成された感光性樹脂を備える。
液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 対向配置させた一対の絶縁性基板の一方
にスイッチング素子を備えた液晶表示装置において、一
方の絶縁性基板上に、配向処理した配向膜と、前記配向
膜上にパターニングして形成された金属膜と、前記金属
膜上に形成された感光性樹脂を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタを用いた液晶表
示装置では、セル厚を均一に保つために、基板上に、薄
膜トランジスタを作製後、配向膜を塗布しラビング処理
後、プラスチックビーズ等を散布している。しかし、プ
ロジェクションの様に１００万ｌｘの光を照射する場
合、プラスチックビーズが原因で光抜けとなり輝点とな
ることがある。これを解決するために、特開昭６０−１
８２４１４号公報において、プラスチックビーズのかわ
りに、ラビング処理が施された配向膜が形成された基板
上に、感光性樹脂をプラスチックビーズの直径分の膜厚
を塗布し、柱状にパターン形成することで、セル厚を均
一に保つ方法が示されている。
示装置では、セル厚を均一に保つために、基板上に、薄
膜トランジスタを作製後、配向膜を塗布しラビング処理
後、プラスチックビーズ等を散布している。しかし、プ
ロジェクションの様に１００万ｌｘの光を照射する場
合、プラスチックビーズが原因で光抜けとなり輝点とな
ることがある。これを解決するために、特開昭６０−１
８２４１４号公報において、プラスチックビーズのかわ
りに、ラビング処理が施された配向膜が形成された基板
上に、感光性樹脂をプラスチックビーズの直径分の膜厚
を塗布し、柱状にパターン形成することで、セル厚を均
一に保つ方法が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６０−１８２４１４号公報の技術では、配向膜上に感光
性樹脂を塗布し、柱状にパターニングする際、配向膜表
面に分子膜を吸着するため配向規制力が弱まり、配向不
良が起こっていた。
６０−１８２４１４号公報の技術では、配向膜上に感光
性樹脂を塗布し、柱状にパターニングする際、配向膜表
面に分子膜を吸着するため配向規制力が弱まり、配向不
良が起こっていた。
【０００４】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、配向不良を起こさない柱状スペーサ
を設けた液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
されたものであり、配向不良を起こさない柱状スペーサ
を設けた液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶表示装置は、対向配置させた一対の絶縁性基板の一
方にスイッチング素子を備えた液晶表示装置において、
一方の絶縁性基板上には、配向処理した配向膜と、前記
配向膜上にパターニングして形成された金属膜と、前記
金属膜上に形成された感光性樹脂を備えたことを特徴と
している。
液晶表示装置は、対向配置させた一対の絶縁性基板の一
方にスイッチング素子を備えた液晶表示装置において、
一方の絶縁性基板上には、配向処理した配向膜と、前記
配向膜上にパターニングして形成された金属膜と、前記
金属膜上に形成された感光性樹脂を備えたことを特徴と
している。
【０００６】本発明の請求項２記載の液晶表示装置は、
請求項１記載の液晶表示装置であって、前記金属膜がス
イッチング素子上に形成されていることを特徴としてい
る。
請求項１記載の液晶表示装置であって、前記金属膜がス
イッチング素子上に形成されていることを特徴としてい
る。
【０００７】本発明の請求項３記載の液晶表示装置は、
請求項１記載の液晶表示装置であって、前記金属膜及び
前記感光性樹脂を柱状のスペーサとしたことを特徴とし
ている。
請求項１記載の液晶表示装置であって、前記金属膜及び
前記感光性樹脂を柱状のスペーサとしたことを特徴とし
ている。
【０００８】本発明の請求項４記載の液晶表示装置の製
造方法は、透明電極を設けた一対の絶縁性基板を前記透
明電極を内側にして間隙を設けて対向させ、前記透明電
極の重なり部を絵素電極とし、前記間隙に少なくとも液
晶化合物を含む液晶表示装置の製造方法において、配向
処理した配向膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属
膜上に感光性樹脂を形成する工程と、前記感光性樹脂を
パターニングする工程と、前記パターニングした感光性
樹脂をマスクとして前記金属膜をエッチングする工程を
備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
造方法は、透明電極を設けた一対の絶縁性基板を前記透
明電極を内側にして間隙を設けて対向させ、前記透明電
極の重なり部を絵素電極とし、前記間隙に少なくとも液
晶化合物を含む液晶表示装置の製造方法において、配向
処理した配向膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属
膜上に感光性樹脂を形成する工程と、前記感光性樹脂を
パターニングする工程と、前記パターニングした感光性
樹脂をマスクとして前記金属膜をエッチングする工程を
備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０００９】本発明の請求項５記載の液晶表示装置の製
造方法は、請求項４記載の液晶表示装置の製造方法であ
って、前記金属膜は３０００Ｗ以下でスパッタすること
により形成したものであることを特徴としている。
造方法は、請求項４記載の液晶表示装置の製造方法であ
って、前記金属膜は３０００Ｗ以下でスパッタすること
により形成したものであることを特徴としている。
【００１０】以下、上記構成による作用を説明する。
【００１１】本発明は、対向配置させた一対の絶縁性基
板の一方にスイッチング素子を備えた液晶表示装置にお
いて、一方の絶縁性基板上には、配向処理した配向膜
と、前記配向膜上にパターニングして形成された金属膜
と、前記金属膜上に形成された感光性樹脂を備えたこと
を特徴としているので、配向処理した配向膜表面を傷つ
けることなく、配向膜上に感光性樹脂を形成することが
できる。
板の一方にスイッチング素子を備えた液晶表示装置にお
いて、一方の絶縁性基板上には、配向処理した配向膜
と、前記配向膜上にパターニングして形成された金属膜
と、前記金属膜上に形成された感光性樹脂を備えたこと
を特徴としているので、配向処理した配向膜表面を傷つ
けることなく、配向膜上に感光性樹脂を形成することが
できる。
【００１２】また、前記金属膜がスイッチング素子上に
形成されていることを特徴としているので、スイッチン
グ素子に入射する光を遮光することができる。
形成されていることを特徴としているので、スイッチン
グ素子に入射する光を遮光することができる。
【００１３】また、前記金属膜及び前記感光性樹脂を柱
状のスペーサとしたことを特徴としているので、基板間
隔を一定に保持することができる。
状のスペーサとしたことを特徴としているので、基板間
隔を一定に保持することができる。
【００１４】本発明は、透明電極を設けた一対の絶縁性
基板を前記透明電極を内側にして間隙を設けて対向さ
せ、前記透明電極の重なり部を絵素電極とし、前記間隙
に少なくとも液晶化合物を含む液晶表示装置の製造方法
において、配向処理した配向膜上に金属膜を形成する工
程と、前記金属膜上に感光性樹脂を形成する工程と、前
記感光性樹脂をパターニングする工程と、前記パターニ
ングした感光性樹脂をマスクとして前記金属膜をエッチ
ングする工程を備えたことを特徴としているので、感光
性樹脂をエッチングする際、有機系の溶剤を用いて行う
が、配向膜と感光性樹脂の間に金属膜が形成されてお
り、金属膜は有機系の溶剤に溶けにくいので、配向膜を
傷つけることなく感光性樹脂をパターンニングすること
ができ、さらに金属膜をエッチングする際、酸を用いて
行うが、配向膜及び感光性樹脂は酸に強いので、配向膜
及びパターニングされた感光性樹脂に影響を与えること
なく、スペーサを形成することができる。
基板を前記透明電極を内側にして間隙を設けて対向さ
せ、前記透明電極の重なり部を絵素電極とし、前記間隙
に少なくとも液晶化合物を含む液晶表示装置の製造方法
において、配向処理した配向膜上に金属膜を形成する工
程と、前記金属膜上に感光性樹脂を形成する工程と、前
記感光性樹脂をパターニングする工程と、前記パターニ
ングした感光性樹脂をマスクとして前記金属膜をエッチ
ングする工程を備えたことを特徴としているので、感光
性樹脂をエッチングする際、有機系の溶剤を用いて行う
が、配向膜と感光性樹脂の間に金属膜が形成されてお
り、金属膜は有機系の溶剤に溶けにくいので、配向膜を
傷つけることなく感光性樹脂をパターンニングすること
ができ、さらに金属膜をエッチングする際、酸を用いて
行うが、配向膜及び感光性樹脂は酸に強いので、配向膜
及びパターニングされた感光性樹脂に影響を与えること
なく、スペーサを形成することができる。
【００１５】また、前記金属膜は３０００Ｗ以下でスパ
ッタすることにより形成したものであることを特徴とし
ているので、金属膜をスパッタする際の熱により配向膜
を傷付けることなく金属膜を形成することができる。
ッタすることにより形成したものであることを特徴とし
ているので、金属膜をスパッタする際の熱により配向膜
を傷付けることなく金属膜を形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。なお、本発明は、以下に述べる実施の形態
に限定されるものではない。
に説明する。なお、本発明は、以下に述べる実施の形態
に限定されるものではない。
【００１７】（実施の形態１）本発明の液晶表示装置に
適用する薄膜トランジスタのレイアウト図を図１に、図
２は図１におけるＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線の断面図を示
す。図１（ａ）及び図２（ａ）は画素部の薄膜トランジ
スタ構造を示し、図１（ｂ）及び図２（ｂ）は周辺駆動
回路部の薄膜トランジスタ構造を示す。
適用する薄膜トランジスタのレイアウト図を図１に、図
２は図１におけるＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線の断面図を示
す。図１（ａ）及び図２（ａ）は画素部の薄膜トランジ
スタ構造を示し、図１（ｂ）及び図２（ｂ）は周辺駆動
回路部の薄膜トランジスタ構造を示す。
【００１８】まず、薄膜トランジスタについて説明す
る。図１，２において、ガラスまたは石英等の絶縁表面
を有する絶縁性基板１上に、Ｔａをスパッタリング法を
用いて１００ｎｍ堆積させ、パターニングを行い遮光膜
２を形成する。この上に、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2からな
る絶縁膜３を例えばプラズマＣＶＤ法により３００ｎｍ
〜５００ｎｍ堆積する。
る。図１，２において、ガラスまたは石英等の絶縁表面
を有する絶縁性基板１上に、Ｔａをスパッタリング法を
用いて１００ｎｍ堆積させ、パターニングを行い遮光膜
２を形成する。この上に、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2からな
る絶縁膜３を例えばプラズマＣＶＤ法により３００ｎｍ
〜５００ｎｍ堆積する。
【００１９】次に、ｐ−Ｓｉ膜等の半導体膜を例えば減
圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）で２５ｎｍ〜２００ｎ
ｍ、望ましくは７０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積
させパターニングし、半導体層４を形成する。
圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）で２５ｎｍ〜２００ｎ
ｍ、望ましくは７０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積
させパターニングし、半導体層４を形成する。
【００２０】次に、半導体層４上にゲート絶縁膜のＳｉ
Ｏ2膜を例えばＰＣＶＤ法により２００ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、望ましくは２００ｎｍ程度の厚さで堆積させ、パタ
ーニングを行いゲート絶縁膜５を形成する。
Ｏ2膜を例えばＰＣＶＤ法により２００ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、望ましくは２００ｎｍ程度の厚さで堆積させ、パタ
ーニングを行いゲート絶縁膜５を形成する。
【００２１】次に、その上部より金属膜を例えばスパッ
タリング法により２００ｎｍ〜４００ｎｍ堆積させ、ゲ
ート電極６を形成する。
タリング法により２００ｎｍ〜４００ｎｍ堆積させ、ゲ
ート電極６を形成する。
【００２２】次に、その上部から例えばリン等のＶ族元
素またはその化合物及びボロン等のIII族元素またはそ
の化合物の不純物をチャネル領域に加速電圧５０ｋｅＶ
〜１００ｋｅＶでイオン注入を行いコンタクト層７を形
成する。
素またはその化合物及びボロン等のIII族元素またはそ
の化合物の不純物をチャネル領域に加速電圧５０ｋｅＶ
〜１００ｋｅＶでイオン注入を行いコンタクト層７を形
成する。
【００２３】次に、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2からなる絶縁
膜を例えばプラズマＣＶＤにより３００ｎｍ〜５００ｎ
ｍ堆積させ、所定の箇所をエッチングしコンタクトホー
ルを開口して層間絶縁膜８を形成する。
膜を例えばプラズマＣＶＤにより３００ｎｍ〜５００ｎ
ｍ堆積させ、所定の箇所をエッチングしコンタクトホー
ルを開口して層間絶縁膜８を形成する。
【００２４】次に、その上部から導電膜を例えばスパッ
タリング法により２００ｎｍ〜７００ｎｍ堆積させ、ソ
ース電極９及びドレイン電極１０を形成し、その上部か
らインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）を例えばスパッタリン
グ法により５０ｎｍ〜１００ｎｍ堆積させ、絵素電極１
１を形成してスイッチング素子としてのＴＦＴ２１が完
成する。
タリング法により２００ｎｍ〜７００ｎｍ堆積させ、ソ
ース電極９及びドレイン電極１０を形成し、その上部か
らインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）を例えばスパッタリン
グ法により５０ｎｍ〜１００ｎｍ堆積させ、絵素電極１
１を形成してスイッチング素子としてのＴＦＴ２１が完
成する。
【００２５】次に、上記のようにして形成されたＴＦＴ
基板上に突起を形成する方法について、図３を用いて説
明する。
基板上に突起を形成する方法について、図３を用いて説
明する。
【００２６】まず、ＴＦＴ２１の形成されたＴＦＴ基板
２０（図３（ａ））上に配向膜２２を塗布し、配向処理
を行う（図３（ｂ））。この後スパッタ法等を用いて金
属膜２３を好ましくは３０００Ｗ以下で成膜し（図３
（ｃ））、該金属膜２３上に感光性樹脂２４を４μｍ〜
５μｍ程度塗布し（図３（ｄ））、金属膜２３上、好ま
しくはＴＦＴ２１上に樹脂が残るようにパターン形成を
行う（図３（ｅ），（ｆ））。
２０（図３（ａ））上に配向膜２２を塗布し、配向処理
を行う（図３（ｂ））。この後スパッタ法等を用いて金
属膜２３を好ましくは３０００Ｗ以下で成膜し（図３
（ｃ））、該金属膜２３上に感光性樹脂２４を４μｍ〜
５μｍ程度塗布し（図３（ｄ））、金属膜２３上、好ま
しくはＴＦＴ２１上に樹脂が残るようにパターン形成を
行う（図３（ｅ），（ｆ））。
【００２７】こうして形成された柱４０がスペーサの代
わりとなりセル厚を制御する。また、ＴＦＴ２１上に樹
脂を形成することで金属膜２３がＴＦＴ２１上に残り、
上方からの光を遮光することができる。
わりとなりセル厚を制御する。また、ＴＦＴ２１上に樹
脂を形成することで金属膜２３がＴＦＴ２１上に残り、
上方からの光を遮光することができる。
【００２８】上記感光性樹脂２４としては、アクリル
酸、メタクリル酸と多価アルコールのエステル、アクリ
ルアミド、メタクリルアミドなどを用いてもよい。ま
た、黒色フィラーを分散させた黒色樹脂膜を用いること
ができる。
酸、メタクリル酸と多価アルコールのエステル、アクリ
ルアミド、メタクリルアミドなどを用いてもよい。ま
た、黒色フィラーを分散させた黒色樹脂膜を用いること
ができる。
【００２９】また、対向基板側は、図４を参照して説明
すると、ガラスまたは石英等の絶縁表面を有する絶縁性
基板３１上に印刷法、電着法またはスピンコーターで顔
料分散型カラーフィルタ３２を形成して所定の形状にパ
ターニングし、このカラーフィルタ３２上に透明導電膜
としてインジウム酸化錫（ＩＴＯ）を例えばスパッタリ
ング法により５０ｎｍ〜１００ｎｍ堆積させ、対向電極
３３を形成し対向基板とする。この上に配向膜３４を塗
布し配向処理を行う。
すると、ガラスまたは石英等の絶縁表面を有する絶縁性
基板３１上に印刷法、電着法またはスピンコーターで顔
料分散型カラーフィルタ３２を形成して所定の形状にパ
ターニングし、このカラーフィルタ３２上に透明導電膜
としてインジウム酸化錫（ＩＴＯ）を例えばスパッタリ
ング法により５０ｎｍ〜１００ｎｍ堆積させ、対向電極
３３を形成し対向基板とする。この上に配向膜３４を塗
布し配向処理を行う。
【００３０】この後、ＴＦＴ基板の絵素電極１１と対向
基板上のカラーフィルタ３２が合うように、両基板をシ
ール樹脂を用いて貼り合わせる。貼り合わせた基板に液
晶３５を注入した後注入口を封止し、液晶の配向を安定
させるために焼成を行うことで、図４に示す液晶表示パ
ネルが完成する。
基板上のカラーフィルタ３２が合うように、両基板をシ
ール樹脂を用いて貼り合わせる。貼り合わせた基板に液
晶３５を注入した後注入口を封止し、液晶の配向を安定
させるために焼成を行うことで、図４に示す液晶表示パ
ネルが完成する。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、対向配置させた一対の絶縁性
基板の一方にスイッチング素子を備えた液晶表示装置に
おいて、一方の絶縁性基板上には、配向処理した配向膜
と、前記配向膜上にパターニングして形成された金属膜
と、前記金属膜上に形成された感光性樹脂を備えたこと
を特徴としているので、配向処理した配向膜表面を傷付
けることなく、配向膜上に感光性樹脂を形成することが
できる。
基板の一方にスイッチング素子を備えた液晶表示装置に
おいて、一方の絶縁性基板上には、配向処理した配向膜
と、前記配向膜上にパターニングして形成された金属膜
と、前記金属膜上に形成された感光性樹脂を備えたこと
を特徴としているので、配向処理した配向膜表面を傷付
けることなく、配向膜上に感光性樹脂を形成することが
できる。
【００３２】また、前記金属膜がスイッチング素子上に
形成されていることを特徴としているので、スイッチン
グ素子に入射する光を遮光することができる。
形成されていることを特徴としているので、スイッチン
グ素子に入射する光を遮光することができる。
【００３３】また、前記金属膜及び感光性樹脂を柱状の
スペーサとしたことを特徴としているので、基板間隔を
一定に保持することができる。
スペーサとしたことを特徴としているので、基板間隔を
一定に保持することができる。
【００３４】本発明は、透明電極を設けた一対の絶縁性
基板を前記透明電極を内側にして間隙を設けて対向さ
せ、前記透明電極の重なり部を絵素電極とし、前記間隙
に少なくとも液晶化合物を含む液晶表示装置の製造方法
において、配向処理した配向膜上に金属膜を形成する工
程と、前記金属膜上に感光性樹脂を形成する工程と、前
記感光性樹脂をパターニングする工程と、前記パターニ
ングした感光性樹脂をマスクとして前記金属膜をエッチ
ングする工程を備えたことを特徴としているので、感光
性樹脂をエッチングする際、有機系の溶剤を用いて行う
が、配向膜と感光性樹脂の間に金属膜が形成されてお
り、金属膜は有機系の溶剤に溶けにくいので、配向膜を
傷付けることなく感光性樹脂をパターンニングすること
ができ、さらに金属膜をエッチングする際、酸を用いて
行うが、配向膜及び感光性樹脂は酸に強いので、配向膜
及びパターニングされた感光性樹脂に影響を与えること
なく、スペーサを形成することができる。
基板を前記透明電極を内側にして間隙を設けて対向さ
せ、前記透明電極の重なり部を絵素電極とし、前記間隙
に少なくとも液晶化合物を含む液晶表示装置の製造方法
において、配向処理した配向膜上に金属膜を形成する工
程と、前記金属膜上に感光性樹脂を形成する工程と、前
記感光性樹脂をパターニングする工程と、前記パターニ
ングした感光性樹脂をマスクとして前記金属膜をエッチ
ングする工程を備えたことを特徴としているので、感光
性樹脂をエッチングする際、有機系の溶剤を用いて行う
が、配向膜と感光性樹脂の間に金属膜が形成されてお
り、金属膜は有機系の溶剤に溶けにくいので、配向膜を
傷付けることなく感光性樹脂をパターンニングすること
ができ、さらに金属膜をエッチングする際、酸を用いて
行うが、配向膜及び感光性樹脂は酸に強いので、配向膜
及びパターニングされた感光性樹脂に影響を与えること
なく、スペーサを形成することができる。
【００３５】また、前記金属膜は３０００Ｗ以下でスパ
ッタすることにより形成されたものであることを特徴と
しているので、金属膜をスパッタする際の熱により配向
膜を傷付けることなく、金属膜を形成することができ
る。
ッタすることにより形成されたものであることを特徴と
しているので、金属膜をスパッタする際の熱により配向
膜を傷付けることなく、金属膜を形成することができ
る。
【図１】液晶表示装置に適用する薄膜トランジスタのレ
イアウトを示す図である。
イアウトを示す図である。
【図２】図１に示した薄膜トランジスタの断面図であ
る。
る。
【図３】柱状スペーサの製造工程を示す図である。
【図４】液晶表示装置の断面図である。
１，３１ 絶縁性基板 ２ 遮光膜 ３ 絶縁膜 ４ 半導体層 ５ ゲート絶縁膜 ６ ゲート電極 ７ コンタクト層 ８ 層間絶縁膜 ９ ソース電極 １０ ドレイン電極 １１ 絵素電極 ２０ ガラス基板 ２１ ＴＦＴ素子 ２２ 配向膜 ２３ 金属膜 ２４ 感光性樹脂 ２５ 絵素電極 ３２ カラーフィルタ ３３ 対向電極 ３４ 配向膜 ３５ 液晶
Claims (5)
- 【請求項１】 対向配置させた一対の絶縁性基板の一方
にスイッチング素子を備えた液晶表示装置において、 一方の絶縁性基板上には、配向処理した配向膜と、前記
配向膜上にパターニングして形成された金属膜と、前記
金属膜上に形成された感光性樹脂を備えたことを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記金属膜がスイッチング素子上に形成
されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記金属膜及び前記感光性樹脂を柱状の
スペーサとしたことを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項４】 透明電極を設けた一対の絶縁性基板を前
記透明電極を内側にして間隙を設けて対向させ、前記透
明電極の重なり部を絵素電極とし、前記間隙に少なくと
も液晶化合物を含む液晶表示装置の製造方法において、 配向処理した配向膜上に金属膜を形成する工程と、 前記金属膜上に感光性樹脂を形成する工程と、 前記感光性樹脂をパターニングする工程と、 前記パターニングした感光性樹脂をマスクとして前記金
属膜をエッチングする工程を備えたことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記金属膜は３０００Ｗ以下でスパッタ
することにより形成したものであることを特徴とする請
求項４記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
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| JP9055741A JPH10253968A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9055741A JPH10253968A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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Family Applications (1)
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| US6157431A (en) * | 1997-03-11 | 2000-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus suppressed of orientation defect having metal film and photosensitive resin as a columnar spacer and fabrication method thereof |
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- 1997-03-11 JP JP9055741A patent/JPH10253968A/ja active Pending
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1998
- 1998-03-04 US US09/034,577 patent/US6157431A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6157431A (en) * | 1997-03-11 | 2000-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus suppressed of orientation defect having metal film and photosensitive resin as a columnar spacer and fabrication method thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6157431A (en) | 2000-12-05 |
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