JPH117021A - 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置Info
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- JPH117021A JPH117021A JP16140397A JP16140397A JPH117021A JP H117021 A JPH117021 A JP H117021A JP 16140397 A JP16140397 A JP 16140397A JP 16140397 A JP16140397 A JP 16140397A JP H117021 A JPH117021 A JP H117021A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配向不良がなく視野角が広い液晶表示装置を
製造できる液晶表示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 この液晶表示装置の製造方法は、絵素領
域１１５の第１分割領域部２１に対向する領域に残した
金属酸化膜１３をマスクとして、第１分割領域部２１に
隣接する領域にある配向膜１２の配向状態を変える。し
たがって、配向膜１２を感光性樹脂３５の現像液に接触
させることなく、金属酸化膜１３をマスクとして、配向
膜１２の第１分割領域部２１と隣接する分割領域部を異
なる配向状態にすることができる。したがって、配向不
良を引き起こすことなく、１画素内で配向方向を２つに
分けて、視野角を広くできる。
製造できる液晶表示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 この液晶表示装置の製造方法は、絵素領
域１１５の第１分割領域部２１に対向する領域に残した
金属酸化膜１３をマスクとして、第１分割領域部２１に
隣接する領域にある配向膜１２の配向状態を変える。し
たがって、配向膜１２を感光性樹脂３５の現像液に接触
させることなく、金属酸化膜１３をマスクとして、配向
膜１２の第１分割領域部２１と隣接する分割領域部を異
なる配向状態にすることができる。したがって、配向不
良を引き起こすことなく、１画素内で配向方向を２つに
分けて、視野角を広くできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の製
造方法および液晶表示装置に関する。
造方法および液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジス
タ−液晶表示装置）の大型化が進み、ＣＲＴ（カソード
・レイ・チューブ）に対する欠点も少なくなってきてい
る。このＴＦＴ液晶表示装置に残る課題としては、視野
角の拡大がある。
タ−液晶表示装置）の大型化が進み、ＣＲＴ（カソード
・レイ・チューブ）に対する欠点も少なくなってきてい
る。このＴＦＴ液晶表示装置に残る課題としては、視野
角の拡大がある。
【０００３】従来、広視野角なＴＦＴ液晶表示装置を作
る方法としては、ＴＦＴを作成後、ＴＦＴ基板上に配向
膜を塗布し所定の方向にラビングした後、この配向膜の
上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を画素内を分
割する所望の形状にパターニングし、上記とは逆方向に
ラビングし、感光性樹脂のパターニングの有無によっ
て、１画素内で配向膜の配向方向を１８０°変えるもの
がある（特開平５−１０７５４４号公報）。この方法に
よれば、１画素内で配向方向を１８０°変えた配向膜に
よって、１画素内の液晶分子の配向方向を１８０°変え
て、画素内の配向を分割し広視野角なＴＦＴ液晶表示装
置を製造する。
る方法としては、ＴＦＴを作成後、ＴＦＴ基板上に配向
膜を塗布し所定の方向にラビングした後、この配向膜の
上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を画素内を分
割する所望の形状にパターニングし、上記とは逆方向に
ラビングし、感光性樹脂のパターニングの有無によっ
て、１画素内で配向膜の配向方向を１８０°変えるもの
がある（特開平５−１０７５４４号公報）。この方法に
よれば、１画素内で配向方向を１８０°変えた配向膜に
よって、１画素内の液晶分子の配向方向を１８０°変え
て、画素内の配向を分割し広視野角なＴＦＴ液晶表示装
置を製造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の製
造方法では、配向膜上に感光性樹脂をパターニングする
ときに、感光性樹脂の除去に弱アルカリ性の現像液を使
用するので、この現像液が配向膜の表面をエッチングす
ることになり、配向膜の配向規制力が弱まる。このた
め、部分的に配向不良が起こり問題となる。
造方法では、配向膜上に感光性樹脂をパターニングする
ときに、感光性樹脂の除去に弱アルカリ性の現像液を使
用するので、この現像液が配向膜の表面をエッチングす
ることになり、配向膜の配向規制力が弱まる。このた
め、部分的に配向不良が起こり問題となる。
【０００５】そこで、この発明の目的は、配向不良がな
く視野角が広い液晶表示装置を製造できる液晶表示装置
の製造方法を提供することにある。
く視野角が広い液晶表示装置を製造できる液晶表示装置
の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、２枚の絶縁性基板を間隙を設け
て対向させ、この２枚の絶縁性基板の内側に設けた透明
電極の重なり部を絵素領域とし、上記間隙に少なくとも
液晶化合物を設けた液晶表示装置の製造方法において、
上記絶縁性基板，透明電極上に配向膜を形成し、この配
向膜を第１の方向に配向処理する工程と、上記第１の方
向に配向処理した配向膜上に金属または金属酸化膜を成
膜し、この金属または金属酸化膜上に感光性樹脂を塗布
する工程と、上記絵素領域の内の分割領域部に対向する
部分の感光性樹脂をマスクして露光し、露光した感光性
樹脂を溶解して除去する工程と、上記対向部分に残した
の感光性樹脂をマスクとして上記金属または金属酸化膜
をエッチングして、上記金属または金属酸化膜を上記分
割領域部に対向する領域に残す工程と、上記分割領域部
に対向する領域に残された金属または金属酸化膜をマス
クとして、上記配向膜の配向状態を変える工程とを備え
たことを特徴としている。
め、請求項１の発明は、２枚の絶縁性基板を間隙を設け
て対向させ、この２枚の絶縁性基板の内側に設けた透明
電極の重なり部を絵素領域とし、上記間隙に少なくとも
液晶化合物を設けた液晶表示装置の製造方法において、
上記絶縁性基板，透明電極上に配向膜を形成し、この配
向膜を第１の方向に配向処理する工程と、上記第１の方
向に配向処理した配向膜上に金属または金属酸化膜を成
膜し、この金属または金属酸化膜上に感光性樹脂を塗布
する工程と、上記絵素領域の内の分割領域部に対向する
部分の感光性樹脂をマスクして露光し、露光した感光性
樹脂を溶解して除去する工程と、上記対向部分に残した
の感光性樹脂をマスクとして上記金属または金属酸化膜
をエッチングして、上記金属または金属酸化膜を上記分
割領域部に対向する領域に残す工程と、上記分割領域部
に対向する領域に残された金属または金属酸化膜をマス
クとして、上記配向膜の配向状態を変える工程とを備え
たことを特徴としている。
【０００７】この請求項１の発明によれば、絵素領域の
分割領域部に対向する領域に残した金属または金属酸化
膜をマスクとして、上記分割領域部に隣接する領域にあ
る配向膜の配向状態を変える。
分割領域部に対向する領域に残した金属または金属酸化
膜をマスクとして、上記分割領域部に隣接する領域にあ
る配向膜の配向状態を変える。
【０００８】したがって、配向膜を感光性樹脂の現像液
に接触させることなく、金属酸化膜をマスクとして、配
向膜の分割領域部と隣接する別の分割領域部を異なる配
向状態にすることができる。したがって、配向不良を引
き起こすことなく、１画素内で配向方向を２つに分け
て、視野角を広くできる。
に接触させることなく、金属酸化膜をマスクとして、配
向膜の分割領域部と隣接する別の分割領域部を異なる配
向状態にすることができる。したがって、配向不良を引
き起こすことなく、１画素内で配向方向を２つに分け
て、視野角を広くできる。
【０００９】なお、金属または金属酸化膜のエッチング
液は酸が多く、通常配向膜で用いられるポリイミドは耐
酸性が高いためエッチング液で配向膜が変質することは
ない。また、請求項２の発明は、請求項１に記載の液晶
表示装置の製造方法において、上記分割領域部は、１絵
素の実質的に半分の領域を占めていることを特徴として
いる。
液は酸が多く、通常配向膜で用いられるポリイミドは耐
酸性が高いためエッチング液で配向膜が変質することは
ない。また、請求項２の発明は、請求項１に記載の液晶
表示装置の製造方法において、上記分割領域部は、１絵
素の実質的に半分の領域を占めていることを特徴として
いる。
【００１０】この請求項２の発明によれば、１画素を略
２等分した分割領域の配向方向を異ならせて、視野角を
広くできる。
２等分した分割領域の配向方向を異ならせて、視野角を
広くできる。
【００１１】また、請求項３の発明は、請求項１に記載
の液晶表示装置の製造方法において、上記分割領域部に
対向する領域に残された金属膜または金属酸化膜をマス
クとして、上記配向膜を第２の方向に配向処理する工程
を備えたことを特徴としている。
の液晶表示装置の製造方法において、上記分割領域部に
対向する領域に残された金属膜または金属酸化膜をマス
クとして、上記配向膜を第２の方向に配向処理する工程
を備えたことを特徴としている。
【００１２】この請求項３の発明は、上記金属または金
属酸化膜をマスクとして、上記配向膜を第２の方向に配
向処理するから、１絵素を上記第１の方向に配向処理さ
れた分割領域と上記第２の方向に配向処理された別の分
割領域とに分けて、視野角を広くできる。
属酸化膜をマスクとして、上記配向膜を第２の方向に配
向処理するから、１絵素を上記第１の方向に配向処理さ
れた分割領域と上記第２の方向に配向処理された別の分
割領域とに分けて、視野角を広くできる。
【００１３】また、請求項４の発明は、請求項３に記載
の液晶表示装置の製造方法において、上記第１の方向と
第２の方向とは１８０°ずれていることを特徴としてい
る。
の液晶表示装置の製造方法において、上記第１の方向と
第２の方向とは１８０°ずれていることを特徴としてい
る。
【００１４】この請求項４の発明は、１絵素内におい
て、配向膜の第１の配向方向と第２の配向方向とが１８
０°異なっているから、視野角をより広くできる。
て、配向膜の第１の配向方向と第２の配向方向とが１８
０°異なっているから、視野角をより広くできる。
【００１５】また、請求項５の発明は、請求項１に記載
の液晶表示装置の製造方法において、上記分割領域部に
対向する領域に残された金属または金属酸化膜をマスク
として、上記配向膜に波長２００ｎｍ乃至４００ｎｍの
紫外線を照射して、上記配向膜の配向状態を変えること
を特徴としている。
の液晶表示装置の製造方法において、上記分割領域部に
対向する領域に残された金属または金属酸化膜をマスク
として、上記配向膜に波長２００ｎｍ乃至４００ｎｍの
紫外線を照射して、上記配向膜の配向状態を変えること
を特徴としている。
【００１６】この請求項５の発明は、紫外線照射により
上記分割領域部に隣接する領域の配向膜の配向状態を変
える。したがって、ラビングより簡単な工程により、上
記分割領域部の配向状態と、上記分割領域部に隣接する
領域の配向状態とを異ならせて、視野角を広くできる。
上記分割領域部に隣接する領域の配向膜の配向状態を変
える。したがって、ラビングより簡単な工程により、上
記分割領域部の配向状態と、上記分割領域部に隣接する
領域の配向状態とを異ならせて、視野角を広くできる。
【００１７】また、請求項６の発明は、請求項１に記載
の液晶表示装置の製造方法において、上記金属または金
属酸化膜は、３０００Ｗ以下の高周波電力でスパッタし
て上記配向膜上に形成することを特徴としている。
の液晶表示装置の製造方法において、上記金属または金
属酸化膜は、３０００Ｗ以下の高周波電力でスパッタし
て上記配向膜上に形成することを特徴としている。
【００１８】この請求項６の発明は、金属または金属酸
化膜をＲＦパワー３０００Ｗ以下でスパッタして成膜す
るので、上記第１の方向に配向させた配向膜のプレティ
ルト角を低下させることがない。仮に、金属酸化膜を成
膜するときのＲＦパワーが３０００Ｗよりも高いとこの
成膜の初期に配向膜の表面が逆にエッチングされて、配
向膜がダメージを受けて、プレティルト角が低下する。
化膜をＲＦパワー３０００Ｗ以下でスパッタして成膜す
るので、上記第１の方向に配向させた配向膜のプレティ
ルト角を低下させることがない。仮に、金属酸化膜を成
膜するときのＲＦパワーが３０００Ｗよりも高いとこの
成膜の初期に配向膜の表面が逆にエッチングされて、配
向膜がダメージを受けて、プレティルト角が低下する。
【００１９】また、請求項７の発明は、２枚の絶縁性基
板を間隙を設けて対向させ、この２枚の絶縁性基板の内
側に設けた透明電極の重なり部を絵素領域とし、上記間
隙に少なくとも液晶化合物を設けた液晶表示装置におい
て、上記絶縁性基板，透明電極上に形成され、第１の方
向に配向処理された第１分割部と、上記第１分割部に隣
接していて、上記第１分割部に対向する金属または金属
酸化膜をマスクとして上記第１の方向の配向とは異なる
配向状態になされた第２分割部とを有する配向膜を備え
たことを特徴としている。
板を間隙を設けて対向させ、この２枚の絶縁性基板の内
側に設けた透明電極の重なり部を絵素領域とし、上記間
隙に少なくとも液晶化合物を設けた液晶表示装置におい
て、上記絶縁性基板，透明電極上に形成され、第１の方
向に配向処理された第１分割部と、上記第１分割部に隣
接していて、上記第１分割部に対向する金属または金属
酸化膜をマスクとして上記第１の方向の配向とは異なる
配向状態になされた第２分割部とを有する配向膜を備え
たことを特徴としている。
【００２０】この液晶表示装置の上記配向膜は、感光性
樹脂の現像液に接触させられることなく、金属酸化膜を
マスクとして、第１分割部と隣接する第２分割部が異な
る配向状態になされている。したがって、配向膜が配向
不良を引き起こすことなく、１画素内で配向方向を２つ
に分けて視野角を広くできる。
樹脂の現像液に接触させられることなく、金属酸化膜を
マスクとして、第１分割部と隣接する第２分割部が異な
る配向状態になされている。したがって、配向膜が配向
不良を引き起こすことなく、１画素内で配向方向を２つ
に分けて視野角を広くできる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。
態により詳細に説明する。
【００２２】〔第１の実施の形態〕図１に、この発明の
液晶表示装置の製造方法で製造するＴＦＴ液晶表示装置
のＴＦＴの断面を示す。また、このＴＦＴの上面を図２
に示す。このＴＦＴは次のようにして作製される。
液晶表示装置の製造方法で製造するＴＦＴ液晶表示装置
のＴＦＴの断面を示す。また、このＴＦＴの上面を図２
に示す。このＴＦＴは次のようにして作製される。
【００２３】まず、絶縁表面を有する基板１上に、プラ
ズマＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜を１００ｎｍ〜５００
ｎｍ程度の厚さで堆積させ、べースコート膜２を形成す
る。次に、ｐ−Ｓｉ膜等の半導体膜をたとえば減圧化学
気相成長法（ＬＰＣＶＤ）で２５〜２００ｎｍ、望まし
くは７０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積させパターニン
グし、半導体層３を形成する。次に、この半導体層３上
にゲート絶縁膜としてのＳｉＯ2膜を、ＣＶＤ法（化学
蒸着法）により２００〜５００ｎｍ、望ましくは２００
ｎｍ程度の厚さで堆積させ、ゲート絶縁膜４を形成す
る。次に、その上部より金属膜を例えばスパッタリング
法により２００〜４００ｎｍ堆積させ、パターニングを
行い、ゲート電極５を形成する。次に、その上部から例
えばリン等のＶ族元素またはその化合物や、ボロン等の
III族元素またはその化合物の不純物をチャネル領域に
加速電圧５０〜１００ｋｅＶでイオン注入を行い、コン
タクト層６を形成する。次に、ＳiＮxやＳiＯ2膜からな
る層間絶縁膜を例えばプラズマＣＶＤ法により３００〜
５００ｎｍだけ堆積させ、所定の箇所をエッチングし、
コンタクトホールを開口して層間絶縁膜７を形成する。
ズマＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜を１００ｎｍ〜５００
ｎｍ程度の厚さで堆積させ、べースコート膜２を形成す
る。次に、ｐ−Ｓｉ膜等の半導体膜をたとえば減圧化学
気相成長法（ＬＰＣＶＤ）で２５〜２００ｎｍ、望まし
くは７０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積させパターニン
グし、半導体層３を形成する。次に、この半導体層３上
にゲート絶縁膜としてのＳｉＯ2膜を、ＣＶＤ法（化学
蒸着法）により２００〜５００ｎｍ、望ましくは２００
ｎｍ程度の厚さで堆積させ、ゲート絶縁膜４を形成す
る。次に、その上部より金属膜を例えばスパッタリング
法により２００〜４００ｎｍ堆積させ、パターニングを
行い、ゲート電極５を形成する。次に、その上部から例
えばリン等のＶ族元素またはその化合物や、ボロン等の
III族元素またはその化合物の不純物をチャネル領域に
加速電圧５０〜１００ｋｅＶでイオン注入を行い、コン
タクト層６を形成する。次に、ＳiＮxやＳiＯ2膜からな
る層間絶縁膜を例えばプラズマＣＶＤ法により３００〜
５００ｎｍだけ堆積させ、所定の箇所をエッチングし、
コンタクトホールを開口して層間絶縁膜７を形成する。
【００２４】次に、その上部から導電膜を、スパッタリ
ング法により２００〜７００ｎｍだけ堆積させ、パター
ニングしてソース電極８およびドレイン電極９を形成す
る。その上部に、プラズマＣＶＤ法により３００〜５０
０ｎｍだけ絶縁物を堆積させ、所定の箇所をエッチング
し、コンタクトホールを開口してパッシベーション膜１
０を形成する。次に、上部からインジウム錫酸化膜（Ｉ
ＴＯ）をスパッタリング法により５０〜１００ｎｍだけ
堆積させ絵素電極２０を形成する。これにより、ＴＦＴ
が完成する。
ング法により２００〜７００ｎｍだけ堆積させ、パター
ニングしてソース電極８およびドレイン電極９を形成す
る。その上部に、プラズマＣＶＤ法により３００〜５０
０ｎｍだけ絶縁物を堆積させ、所定の箇所をエッチング
し、コンタクトホールを開口してパッシベーション膜１
０を形成する。次に、上部からインジウム錫酸化膜（Ｉ
ＴＯ）をスパッタリング法により５０〜１００ｎｍだけ
堆積させ絵素電極２０を形成する。これにより、ＴＦＴ
が完成する。
【００２５】次に、図３（Ａ）〜（Ｅ）と図４（Ｆ）〜
（Ｊ）を順に参照して、上記ＴＦＴが形成されたＴＦＴ
基板１１に対する配向膜１２に関する処理を説明する。
（Ｊ）を順に参照して、上記ＴＦＴが形成されたＴＦＴ
基板１１に対する配向膜１２に関する処理を説明する。
【００２６】まず、図３（Ａ）に示すＴＦＴ基板１１上
に、図３（Ｂ）に示すように配向膜１２を塗布し、図３
（Ｃ）に示すように、矢印１０１で示した方向に配向処
理としてのラビング処理を行う。この後、図３（Ｄ）に
示すように、スパッタ法等を用いて金属または金属酸化
膜１３（例えばＡｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＩＴＯ等）をＲＦパ
ワー３０００Ｗ以下で１００〜２００ｎｍだけを成膜す
る。
に、図３（Ｂ）に示すように配向膜１２を塗布し、図３
（Ｃ）に示すように、矢印１０１で示した方向に配向処
理としてのラビング処理を行う。この後、図３（Ｄ）に
示すように、スパッタ法等を用いて金属または金属酸化
膜１３（例えばＡｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＩＴＯ等）をＲＦパ
ワー３０００Ｗ以下で１００〜２００ｎｍだけを成膜す
る。
【００２７】ここで、上記金属または金属酸化膜１３を
ＲＦパワー３０００Ｗ以下で成膜するのは、図３（Ｃ）
で配向膜１２を配向処理して生じさせたプレティルト角
を低下させないためである。もしも、金属酸化膜１３を
成膜するときのＲＦパワーが高いとこの成膜の初期に配
向膜１２の表面が逆にエッチングされて、配向膜１２が
ダメージを受けて、プレティルト角が低下する。
ＲＦパワー３０００Ｗ以下で成膜するのは、図３（Ｃ）
で配向膜１２を配向処理して生じさせたプレティルト角
を低下させないためである。もしも、金属酸化膜１３を
成膜するときのＲＦパワーが高いとこの成膜の初期に配
向膜１２の表面が逆にエッチングされて、配向膜１２が
ダメージを受けて、プレティルト角が低下する。
【００２８】次に、図３（Ｅ）に示すように、金属また
は金属酸化膜１３上に、感光性樹脂１４を塗布する。
は金属酸化膜１３上に、感光性樹脂１４を塗布する。
【００２９】次に、図４（Ｆ）に示すように、上記感光
性樹脂１４を、１画素の領域１１５の略半分の領域１１
６に対向する部分が残るように、マスクして露光し、露
光した部分の感光性樹脂（レジスト）１４を溶解して、
除去する。次に、図４（Ｇ）に示すように、感光性樹脂
１４をマスクとして金属酸化膜１３をウェットエッチン
グして、パターン形成を行う。次に、図４（Ｈ）に示す
ように、感光性樹脂（レジスト）１４を除去する。この
ようにして、１画素の領域１１５の半分の領域１１６に
残った金属酸化膜１３に対向する領域の配向膜１２が、
第１の分割部２１をなす。
性樹脂１４を、１画素の領域１１５の略半分の領域１１
６に対向する部分が残るように、マスクして露光し、露
光した部分の感光性樹脂（レジスト）１４を溶解して、
除去する。次に、図４（Ｇ）に示すように、感光性樹脂
１４をマスクとして金属酸化膜１３をウェットエッチン
グして、パターン形成を行う。次に、図４（Ｈ）に示す
ように、感光性樹脂（レジスト）１４を除去する。この
ようにして、１画素の領域１１５の半分の領域１１６に
残った金属酸化膜１３に対向する領域の配向膜１２が、
第１の分割部２１をなす。
【００３０】次に、図４（Ｉ）に示すように、上記第１
の分割部２１の対向領域に残った金属酸化膜１３をマス
クとして、上記第１の分割部２１以外の領域の配向膜１
２に、図３（Ｃ）での配向処理方向とは１８０°方向が
異なる矢印１０３の方向に配向処理を行なう。
の分割部２１の対向領域に残った金属酸化膜１３をマス
クとして、上記第１の分割部２１以外の領域の配向膜１
２に、図３（Ｃ）での配向処理方向とは１８０°方向が
異なる矢印１０３の方向に配向処理を行なう。
【００３１】次に、図４（Ｊ）に示すように、上記金属
酸化膜１３からなるマスクをエッチングして除去する。
これにより、１絵素の領域１１５の半分の領域１１６に
対向する配向膜１２の第１分割部２１の配向方向と、こ
の第１分割部２１に隣接する領域の配向膜１２の配向方
向とを１８０°異ならせることができる。
酸化膜１３からなるマスクをエッチングして除去する。
これにより、１絵素の領域１１５の半分の領域１１６に
対向する配向膜１２の第１分割部２１の配向方向と、こ
の第１分割部２１に隣接する領域の配向膜１２の配向方
向とを１８０°異ならせることができる。
【００３２】次に、図５（Ａ）〜（Ｅ）と図６（Ｆ）〜
（Ｊ）を順に参照して、上記ＴＦＴ基板１１に対向する
基板３１に対する配向膜３３に関する処理を説明する。
（Ｊ）を順に参照して、上記ＴＦＴ基板１１に対向する
基板３１に対する配向膜３３に関する処理を説明する。
【００３３】まず、図５（Ａ）に示すように、絶縁表面
を有する基板３１上に透明導電膜としてインジウム酸化
錫（ＩＴＯ）を、例えば、スパッタリング法により５０
〜１００ｎｍだけ堆積させて対向電極３２を形成し対向
基板とする。次に、図５（Ｂ）に示すように、この対向
基板上に配向膜３３を塗布し、図５（Ｃ）の矢印１１１
で示す方向に配向処理としてのラビング処理を行う。
を有する基板３１上に透明導電膜としてインジウム酸化
錫（ＩＴＯ）を、例えば、スパッタリング法により５０
〜１００ｎｍだけ堆積させて対向電極３２を形成し対向
基板とする。次に、図５（Ｂ）に示すように、この対向
基板上に配向膜３３を塗布し、図５（Ｃ）の矢印１１１
で示す方向に配向処理としてのラビング処理を行う。
【００３４】この後、図５（Ｄ）に示すように、スパッ
タ法等を用いて金属または金属酸化膜３４（例えば、Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＩＴＯ）を１００〜２００ｎｍだけ成
膜する。次に、図５（Ｅ）に示すように、この金属酸化
膜３４上に、感光性樹脂３５を塗布する。
タ法等を用いて金属または金属酸化膜３４（例えば、Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＩＴＯ）を１００〜２００ｎｍだけ成
膜する。次に、図５（Ｅ）に示すように、この金属酸化
膜３４上に、感光性樹脂３５を塗布する。
【００３５】次に、図６（Ｆ）に示すように、上記感光
性樹脂３５を部分的にマスクして露光し、露光部の感光
性樹脂（レジスト）３５を溶解，除去し、１画素の領域
１１７の略半分１１８に対向する部分を金属酸化膜３４
上に残す。
性樹脂３５を部分的にマスクして露光し、露光部の感光
性樹脂（レジスト）３５を溶解，除去し、１画素の領域
１１７の略半分１１８に対向する部分を金属酸化膜３４
上に残す。
【００３６】次に、図６（Ｇ）に示すように、上記感光
性樹脂３５をマスクとして、金属酸化膜３４をエッチン
グすることによって、パターン形成する。
性樹脂３５をマスクとして、金属酸化膜３４をエッチン
グすることによって、パターン形成する。
【００３７】次に、図６（Ｈ）に示すように、パターン
形成された金属酸化膜３４上の感光性樹脂（レジスト）
３５を除去する。この金属酸化膜３４下に対向する配向
膜３３が、分割部２２をなす。
形成された金属酸化膜３４上の感光性樹脂（レジスト）
３５を除去する。この金属酸化膜３４下に対向する配向
膜３３が、分割部２２をなす。
【００３８】次に、図６（Ｉ）に示すように、上記分割
部２２に対向する領域に残された金属酸化膜３４をマス
クとして、図５（Ｃ）での配向処理の方向と１８０°異
なる矢印１１２の方向に配向膜３３の配向処理を行な
う。次に、図６（Ｊ）に示すように、金属酸化膜３４を
エッチングで除去する。
部２２に対向する領域に残された金属酸化膜３４をマス
クとして、図５（Ｃ）での配向処理の方向と１８０°異
なる矢印１１２の方向に配向膜３３の配向処理を行な
う。次に、図６（Ｊ）に示すように、金属酸化膜３４を
エッチングで除去する。
【００３９】そして、前述した図４（Ｊ）のＴＦＴ基板
１１上の絵素電極２０と上記対向基板３１上の対向電極
３２とが対向するように、ＴＦＴ基板１１と対向基板３
１をシール樹脂を用いて貼り合わせる。
１１上の絵素電極２０と上記対向基板３１上の対向電極
３２とが対向するように、ＴＦＴ基板１１と対向基板３
１をシール樹脂を用いて貼り合わせる。
【００４０】このように、この実施の形態の液晶表示装
置の製造方法によれば、配向膜１２，３３を感光性樹脂
１４，３５の現像液にさらすことなく、金属酸化膜１
３，３４をマスクとして、配向膜１２，３３の分割領域
部２１，２２と隣接する別の分割部とを１８０°異なる
配向とすることができる。したがって、配向不良を引き
起こすことなく、１画素内で配向方向を２つに分けて、
視野角を広くできる。
置の製造方法によれば、配向膜１２，３３を感光性樹脂
１４，３５の現像液にさらすことなく、金属酸化膜１
３，３４をマスクとして、配向膜１２，３３の分割領域
部２１，２２と隣接する別の分割部とを１８０°異なる
配向とすることができる。したがって、配向不良を引き
起こすことなく、１画素内で配向方向を２つに分けて、
視野角を広くできる。
【００４１】そして、この貼り合わせた基板１１と基板
３１との間に液晶３６を注入し、注入口を封止し、液晶
３６の配向を安定させるために焼成を行う。このように
して作製されたＴＦＴ液晶表示装置は、図７（Ａ）に示
すように、１画素内で配向が分割部２１と２２とに２分
割された広視野角な表示を行なうことができる。なお、
図７（Ｂ）は上記液晶３６を上方から見た様子を示す。
３１との間に液晶３６を注入し、注入口を封止し、液晶
３６の配向を安定させるために焼成を行う。このように
して作製されたＴＦＴ液晶表示装置は、図７（Ａ）に示
すように、１画素内で配向が分割部２１と２２とに２分
割された広視野角な表示を行なうことができる。なお、
図７（Ｂ）は上記液晶３６を上方から見た様子を示す。
【００４２】〔第２の実施の形態〕次に、この発明の第
２の実施の形態を、図８，図９および図１０，図１１と
を順に参照しながら説明する。なお、ＴＦＴ部分の作製
方法は第１の実施の形態ですでに述べた内容と同じであ
るので、省略する。
２の実施の形態を、図８，図９および図１０，図１１と
を順に参照しながら説明する。なお、ＴＦＴ部分の作製
方法は第１の実施の形態ですでに述べた内容と同じであ
るので、省略する。
【００４３】まず、図８（Ａ）〜（Ｅ）と図９（Ｆ）〜
（Ｊ）を順に参照して、ＴＦＴ基板４１側の処理内容を
説明する。
（Ｊ）を順に参照して、ＴＦＴ基板４１側の処理内容を
説明する。
【００４４】図８（Ａ）に示すＴＦＴ基板４１上に、図
８（Ｂ）に示すように、配向膜４２を塗布し、図８
（Ｃ）に示すように、矢印３０１に示す方向にラビング
処理（配向処理）をおこなう。
８（Ｂ）に示すように、配向膜４２を塗布し、図８
（Ｃ）に示すように、矢印３０１に示す方向にラビング
処理（配向処理）をおこなう。
【００４５】この後、図８（Ｄ）に示すように、スパッ
タ法等を用いて金属または金属酸化膜４３（例えば、Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＩＴＯ）をＲＦ（高周波）パワー３０
００Ｗ以下で１００〜２００ｎｍだけ成膜する。
タ法等を用いて金属または金属酸化膜４３（例えば、Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＩＴＯ）をＲＦ（高周波）パワー３０
００Ｗ以下で１００〜２００ｎｍだけ成膜する。
【００４６】ここで、金属酸化膜４３をＲＦパワー３０
００Ｗ以下で成膜するのは、図８（Ｃ）で配向膜４２を
配向処理して生じさせたプレティルト角を低下させない
ためである。もしも、金属酸化膜１３を成膜するときの
ＲＦパワーが高いとこの成膜の初期に配向膜４２の表面
が逆にエッチングされて、配向膜４２がダメージを受け
て、プレティルト角が低下する。
００Ｗ以下で成膜するのは、図８（Ｃ）で配向膜４２を
配向処理して生じさせたプレティルト角を低下させない
ためである。もしも、金属酸化膜１３を成膜するときの
ＲＦパワーが高いとこの成膜の初期に配向膜４２の表面
が逆にエッチングされて、配向膜４２がダメージを受け
て、プレティルト角が低下する。
【００４７】次に、図８（Ｅ）に示すように、金属酸化
膜４３上に、感光性樹脂４４を塗布する。
膜４３上に、感光性樹脂４４を塗布する。
【００４８】次に、図９（Ｆ）に示すように、上記感光
性樹脂４４をマスクして露光し、露光部の感光性樹脂
（レジスト）４４を溶解，除去し、１画素の領域３０２
の略半分に対向する領域に感光性樹脂４４を残す。次
に、図９（Ｇ）に示すように、上記感光性樹脂４４をマ
スクとして、金属酸化膜４３をエッチングし、パターン
形成を行う。次に、図９（Ｈ）に示すように、感光性樹
脂（レジスト）４４を除去する。これにより、上記１画
素の領域の半分に対向する領域３０２に金属酸化膜４３
をマスクとして残せる。この金属酸化膜４３下の配向膜
４２が第１の分割領域部５１をなす。
性樹脂４４をマスクして露光し、露光部の感光性樹脂
（レジスト）４４を溶解，除去し、１画素の領域３０２
の略半分に対向する領域に感光性樹脂４４を残す。次
に、図９（Ｇ）に示すように、上記感光性樹脂４４をマ
スクとして、金属酸化膜４３をエッチングし、パターン
形成を行う。次に、図９（Ｈ）に示すように、感光性樹
脂（レジスト）４４を除去する。これにより、上記１画
素の領域の半分に対向する領域３０２に金属酸化膜４３
をマスクとして残せる。この金属酸化膜４３下の配向膜
４２が第１の分割領域部５１をなす。
【００４９】次に、図９（Ｉ）に示すように、上記金属
酸化膜４３をマスクとして、配向膜４２に波長２００ｎ
ｍ〜４００ｎｍの紫外線を照射し、第１分割部５１に隣
接する分割領域部を、第１分割領域部５１よりも弱い配
向状態にする。
酸化膜４３をマスクとして、配向膜４２に波長２００ｎ
ｍ〜４００ｎｍの紫外線を照射し、第１分割部５１に隣
接する分割領域部を、第１分割領域部５１よりも弱い配
向状態にする。
【００５０】この後、図９（Ｊ）に示すように、上記金
属酸化膜４３をエッチングして金属酸化膜４３を除去す
る。
属酸化膜４３をエッチングして金属酸化膜４３を除去す
る。
【００５１】次に、図１０（Ａ）〜（Ｅ）と図１１
（Ｆ）〜（Ｊ）を順に参照して、上記ＴＦＴ基板４１に
対向する基板６１に設ける配向膜６３に対する処理を説
明する。まず、絶縁表面を有する基坂６１上に透明導電
膜としてインジウム酸化錫（ＩＴＯ）を、例えばスパッ
タリング法により５０〜１００ｎｍだけ堆積させ、対向
電極６２を形成して対向基板とする。
（Ｆ）〜（Ｊ）を順に参照して、上記ＴＦＴ基板４１に
対向する基板６１に設ける配向膜６３に対する処理を説
明する。まず、絶縁表面を有する基坂６１上に透明導電
膜としてインジウム酸化錫（ＩＴＯ）を、例えばスパッ
タリング法により５０〜１００ｎｍだけ堆積させ、対向
電極６２を形成して対向基板とする。
【００５２】次に、図１０（Ｂ）に示すように、対向基
板６１上に、配向膜６３を塗布する。次に、図１０
（Ｃ）に示すように、上記配向膜６３に対して、矢印４
０１の方向に、配向処理を行う。この後、図１０（Ｄ）
に示すように、スパッタ法等を用いて金属または金属酸
化膜６４（例えばＡｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＩＴＯ）を１００
〜２００ｎｍを成膜する。
板６１上に、配向膜６３を塗布する。次に、図１０
（Ｃ）に示すように、上記配向膜６３に対して、矢印４
０１の方向に、配向処理を行う。この後、図１０（Ｄ）
に示すように、スパッタ法等を用いて金属または金属酸
化膜６４（例えばＡｌ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＩＴＯ）を１００
〜２００ｎｍを成膜する。
【００５３】次に、図１０（Ｅ）に示すように、この金
属酸化膜６４上に、感光性樹脂６５を塗布する。次に、
図１１（Ｆ）に示すように、上記感光性樹脂６５をマス
クして、１画素の領域４０２の略半分に対向する領域に
感光性樹脂６５を残す。次に、図１１（Ｇ）に示すよう
に、上記感光性樹脂６５をマスクとして、金属酸化膜６
４をエッチングしてパターン形成して、１画素の領域４
０２の半分に対向する領域に金属酸化膜６４を残す。次
に、図１１（Ｈ）に示すように、感光性樹脂（レジス
ト）６５を除去する。これにより、１画素の領域４０２
の半分の領域に対向する領域の配向膜６３の上に、金属
酸化膜６４だけが残り、この金属酸化膜６４に対向する
領域の配向膜６３が、分割部５２を形成する。
属酸化膜６４上に、感光性樹脂６５を塗布する。次に、
図１１（Ｆ）に示すように、上記感光性樹脂６５をマス
クして、１画素の領域４０２の略半分に対向する領域に
感光性樹脂６５を残す。次に、図１１（Ｇ）に示すよう
に、上記感光性樹脂６５をマスクとして、金属酸化膜６
４をエッチングしてパターン形成して、１画素の領域４
０２の半分に対向する領域に金属酸化膜６４を残す。次
に、図１１（Ｈ）に示すように、感光性樹脂（レジス
ト）６５を除去する。これにより、１画素の領域４０２
の半分の領域に対向する領域の配向膜６３の上に、金属
酸化膜６４だけが残り、この金属酸化膜６４に対向する
領域の配向膜６３が、分割部５２を形成する。
【００５４】次に、図１１（Ｉ）に示すように、上記金
属酸化膜６４をマスクとして、配向膜６３に紫外線を照
射し、上記分割部５２に隣接する配向膜６３の部分の配
向状態を上記分割部５２の配向状態よりも弱くする。
属酸化膜６４をマスクとして、配向膜６３に紫外線を照
射し、上記分割部５２に隣接する配向膜６３の部分の配
向状態を上記分割部５２の配向状態よりも弱くする。
【００５５】次に、図１１（Ｊ）に示すように、上記金
属酸化膜６４をエッチング除去する。
属酸化膜６４をエッチング除去する。
【００５６】そして、前述の図９（Ｊ）に示すＴＦＴ基
板４１の絵素電極３８と、上記対向基板６１の対向電極
６２とが対向するように、ＴＦＴ基板４１と対向基板６
１とを、シール樹脂を用いて貼りあわせる。そして、こ
の貼り合わせた基板４１，６１間に液晶を注入して、注
入口を封止し、液晶の配向を安定させるために焼成を行
う。
板４１の絵素電極３８と、上記対向基板６１の対向電極
６２とが対向するように、ＴＦＴ基板４１と対向基板６
１とを、シール樹脂を用いて貼りあわせる。そして、こ
の貼り合わせた基板４１，６１間に液晶を注入して、注
入口を封止し、液晶の配向を安定させるために焼成を行
う。
【００５７】このようにして作製されたＴＦＴ液晶表示
装置は、感光性樹脂４４，６５の現像液を配向膜４２，
６３の表面に接触させることなく、金属酸化膜４３，６
４をマスクとして、配向膜４２，６３の分割部５１，５
２と隣接する分割部とを異なる配向方向にできる。した
がって、配向不良を起こすことなく、１画素内で配向方
向を２つに分けて、視野角を広くできる。
装置は、感光性樹脂４４，６５の現像液を配向膜４２，
６３の表面に接触させることなく、金属酸化膜４３，６
４をマスクとして、配向膜４２，６３の分割部５１，５
２と隣接する分割部とを異なる配向方向にできる。した
がって、配向不良を起こすことなく、１画素内で配向方
向を２つに分けて、視野角を広くできる。
【００５８】尚、上記第１，第２の実施の形態では、Ｔ
ＦＴ液晶表示装置について説明したが、この発明は、Ｓ
ＴＮ（スーパーツイストネマティック）液晶表示装置や
ＴＮ（ツイストネマティック）液晶表示装置にも適用で
きる。
ＦＴ液晶表示装置について説明したが、この発明は、Ｓ
ＴＮ（スーパーツイストネマティック）液晶表示装置や
ＴＮ（ツイストネマティック）液晶表示装置にも適用で
きる。
【００５９】
【発明の効果】以上より明かなように、請求項１の発明
によれば、絵素領域の分割領域部に対向する領域に残し
た金属または金属酸化膜をマスクとして、分割領域部に
隣接する領域にある配向膜の配向状態を変える。
によれば、絵素領域の分割領域部に対向する領域に残し
た金属または金属酸化膜をマスクとして、分割領域部に
隣接する領域にある配向膜の配向状態を変える。
【００６０】したがって、配向膜を感光性樹脂の現像液
に接触させることなく、金属酸化膜をマスクとして、配
向膜の分割領域部と隣接する別の分割領域部を異なる配
向状態にすることができる。したがって、配向不良を引
き起こすことなく、１画素内で配向方向を２つに分け
て、視野角を広くできる。なお、金属または金属駿化膜
のエッチング液は酸が多く、通常配向膜で用いられるポ
リイミドは耐酸性が高いためエッチング液で配向膜が変
質することはない。
に接触させることなく、金属酸化膜をマスクとして、配
向膜の分割領域部と隣接する別の分割領域部を異なる配
向状態にすることができる。したがって、配向不良を引
き起こすことなく、１画素内で配向方向を２つに分け
て、視野角を広くできる。なお、金属または金属駿化膜
のエッチング液は酸が多く、通常配向膜で用いられるポ
リイミドは耐酸性が高いためエッチング液で配向膜が変
質することはない。
【００６１】また、請求項２の発明は、請求項１に記載
の液晶表示装置の製造方法において、上記分割領域部
は、１絵素の実質的に半分の領域を占めている。この請
求項２の発明によれば、１画素を略２等分した分割領域
の配向方向を異ならせて、視野角を広くできる。
の液晶表示装置の製造方法において、上記分割領域部
は、１絵素の実質的に半分の領域を占めている。この請
求項２の発明によれば、１画素を略２等分した分割領域
の配向方向を異ならせて、視野角を広くできる。
【００６２】また、請求項３の発明は、上記金属または
金属酸化膜をマスクとして、上記配向膜を第２の方向に
配向処理するから、１絵素を上記第１の方向に配向処理
された分割領域と上記第２の方向に配向処理された別の
分割領域とに分けて、視野角を広くできる。
金属酸化膜をマスクとして、上記配向膜を第２の方向に
配向処理するから、１絵素を上記第１の方向に配向処理
された分割領域と上記第２の方向に配向処理された別の
分割領域とに分けて、視野角を広くできる。
【００６３】また、請求項４の発明は、１絵素内におい
て、配向膜の第１の配向方向と第２の配向方向とが１８
０°異なっているから、視野角をより広くできる。
て、配向膜の第１の配向方向と第２の配向方向とが１８
０°異なっているから、視野角をより広くできる。
【００６４】また、請求項５の発明は、紫外線照射によ
り上記分割領域部に隣接する領域の配向膜の配向状態を
変える。したがって、ラビングより簡単な工程により、
上記分割領域部の配向状態と、上記分割領域部に隣接す
る領域の配向状態とを異ならせて、視野角を広くでき
る。
り上記分割領域部に隣接する領域の配向膜の配向状態を
変える。したがって、ラビングより簡単な工程により、
上記分割領域部の配向状態と、上記分割領域部に隣接す
る領域の配向状態とを異ならせて、視野角を広くでき
る。
【００６５】また、請求項６の発明は、金属または金属
酸化膜をＲＦパワー３０００Ｗ以下でスパッタして成膜
するので、上記第１の方向に配向させた配向膜のプレテ
ィルト角を低下させることがない。仮に、金属酸化膜を
成膜するときのＲＦパワーが３０００Ｗよりも高いとこ
の成膜の初期に配向膜の表面が逆にエッチングされて、
配向膜がダメージを受けて、プレティルト角が低下す
る。
酸化膜をＲＦパワー３０００Ｗ以下でスパッタして成膜
するので、上記第１の方向に配向させた配向膜のプレテ
ィルト角を低下させることがない。仮に、金属酸化膜を
成膜するときのＲＦパワーが３０００Ｗよりも高いとこ
の成膜の初期に配向膜の表面が逆にエッチングされて、
配向膜がダメージを受けて、プレティルト角が低下す
る。
【００６６】また、請求項７の発明の液晶表示装置の配
向膜は、感光性樹脂の現像液に接触させられることな
く、金属酸化膜をマスクとして、第１分割部と隣接する
第２分割部が異なる配向状態になされている。したがっ
て、配向膜が配向不良を引き起こすことなく、１画素内
で配向方向を２つに分けて視野角を広くできる。
向膜は、感光性樹脂の現像液に接触させられることな
く、金属酸化膜をマスクとして、第１分割部と隣接する
第２分割部が異なる配向状態になされている。したがっ
て、配向膜が配向不良を引き起こすことなく、１画素内
で配向方向を２つに分けて視野角を広くできる。
【図１】 この発明の液晶表示装置の製造方法の第１の
実施の形態を説明するためのＴＦＴ部の断面図である。
実施の形態を説明するためのＴＦＴ部の断面図である。
【図２】 上記ＴＦＴ部の上面図である。
【図３】 上記第１の実施の形態のＴＦＴ基板側での配
向処理の前半の工程を説明する工程図である。
向処理の前半の工程を説明する工程図である。
【図４】 上記配向処理の後半の工程を説明する工程図
である。
である。
【図５】 上記第１の実施の形態の対向基板側での配向
処理の前半の工程を説明する工程図である。
処理の前半の工程を説明する工程図である。
【図６】 上記配向処理の後半の工程を説明する工程図
である。
である。
【図７】 上記第１の実施の形態で作製した液晶表示装
置の液晶の配向状態を説明する模式図である。
置の液晶の配向状態を説明する模式図である。
【図８】 この発明の液晶表示装置の製造方法の第２の
実施の形態のＴＦＴ基板側での配向処理の前半の工程を
説明する工程図である。
実施の形態のＴＦＴ基板側での配向処理の前半の工程を
説明する工程図である。
【図９】 上記配向処理の後半の工程を説明する工程図
である。
である。
【図１０】 上記第２の実施の形態の対向基板側での配
向処理の前半の工程を説明する工程図である。
向処理の前半の工程を説明する工程図である。
【図１１】 上記対向基板側での配向処理の後半の工程
を説明する工程図である。
を説明する工程図である。
１、１１、３１、４１、６１…ガラス基板、２…べース
コート、３…半導体層、４…ゲート絶縁膜、５…ゲート
電極、１６…コンタクト層、７…層間絶縁膜、８…ソー
ス露極、９…ドレイン電極、１０…バッシベーション
膜、２０…絵素電極、３２、６２…対向電極、１２、３
３、４２、６３…配向膜、３６…液晶、１３、３４、４
３、６４…金属、２１、５１…第１の分割領域部、２
２、５２…第２の分割領域部。
コート、３…半導体層、４…ゲート絶縁膜、５…ゲート
電極、１６…コンタクト層、７…層間絶縁膜、８…ソー
ス露極、９…ドレイン電極、１０…バッシベーション
膜、２０…絵素電極、３２、６２…対向電極、１２、３
３、４２、６３…配向膜、３６…液晶、１３、３４、４
３、６４…金属、２１、５１…第１の分割領域部、２
２、５２…第２の分割領域部。
Claims (7)
- 【請求項１】 ２枚の絶縁性基板を間隙を設けて対向さ
せ、この２枚の絶縁性基板の内側に設けた透明電極の重
なり部を絵素領域とし、上記間隙に少なくとも液晶化合
物を設けた液晶表示装置の製造方法において、 上記絶縁性基板，透明電極上に配向膜を形成し、この配
向膜を第１の方向に配向処理する工程と、 上記第１の方向に配向処理した配向膜上に金属または金
属酸化膜を成膜し、この金属または金属酸化膜上に感光
性樹脂を塗布する工程と、 上記絵素領域の内の分割領域部に対向する部分の感光性
樹脂をマスクして露光し、露光した感光性樹脂を溶解し
て除去する工程と、 上記対向部分に残した感光性樹脂をマスクとして上記金
属または金属酸化膜をエッチングして、上記金属または
金属酸化膜を上記分割領域部に対向する領域に残す工程
と、 上記分割領域部に対向する領域に残された金属または金
属酸化膜をマスクとして、上記配向膜の配向状態を変え
る処理を行なう工程とを備えたことを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の液晶表示装置の製造方
法において、 上記分割領域部は、１絵素の実質的に半分の領域を占め
ていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の液晶表示装置の製造方
法において、 上記分割領域部に対向する領域に残された金属膜または
金属酸化膜をマスクとして、上記配向膜を第２の方向に
配向処理する工程を備えたことを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の液晶表示装置の製造方
法において、 上記第１の方向と第２の方向とは１８０°ずれているこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の液晶表示装置の製造方
法において、 上記分割領域部に対向する領域に残された金属または金
属酸化膜をマスクとして、上記配向膜に波長２００ｎｍ
乃至４００ｎｍの紫外線を照射して、上記配向膜の配向
状態を変えることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項６】 請求項１に記載の液晶表示装置の製造方
法において、 上記金属または金属酸化膜は、３０００Ｗ以下の高周波
電力でスパッタして上記配向膜上に形成することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 ２枚の絶縁性基板を間隙を設けて対向さ
せ、この２枚の絶縁性基板の内側に設けた透明電極の重
なり部を絵素領域とし、上記間隙に少なくとも液晶化合
物を設けた液晶表示装置において、 上記絶縁性基板，透明電極上に形成され、第１の方向に
配向処理された第１分割部と、上記第１分割部に隣接し
ていて、上記第１分割部に対向する金属または金属酸化
膜をマスクとして上記第１の方向の配向とは異なる配向
状態になされた第２分割部とを有する配向膜を備えたこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16140397A JPH117021A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16140397A JPH117021A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH117021A true JPH117021A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15734434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16140397A Pending JPH117021A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH117021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7580101B2 (en) | 2001-03-21 | 2009-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having 4-divided domains |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP16140397A patent/JPH117021A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7580101B2 (en) | 2001-03-21 | 2009-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having 4-divided domains |
| US8077279B2 (en) | 2001-03-21 | 2011-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
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