JPS60182414A - 表示装置 - Google Patents
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- JPS60182414A JPS60182414A JP59037989A JP3798984A JPS60182414A JP S60182414 A JPS60182414 A JP S60182414A JP 59037989 A JP59037989 A JP 59037989A JP 3798984 A JP3798984 A JP 3798984A JP S60182414 A JPS60182414 A JP S60182414A
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- display device
- film
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は駆動用スイッチング素子として薄膜トランジス
タを用いた表示装置に関するものである。
タを用いた表示装置に関するものである。
従来、液晶を用いた表示装置は時分割駆動法によｐ表示
量の増大を計ってきたが、時分割駆動法にも限界があシ
近年−やネル内に駆動用のスイッチング素子を持ったア
クティブマトリクス液晶表示装置が提案されて来た。こ
の方法によシクロストークの無いテレビ表示も可能な情
報量が可能となりて来た。アクティブマトリクスにおい
ても各種の材料が用いられているが最近、アモルファス
・シリコン（以下ａ−８ｌと略す）を応用した薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＰＴと略す）を基板上に形成する方
法が低温プロセス、大面積化可能、低コストの利点を有
し注目されている。
量の増大を計ってきたが、時分割駆動法にも限界があシ
近年−やネル内に駆動用のスイッチング素子を持ったア
クティブマトリクス液晶表示装置が提案されて来た。こ
の方法によシクロストークの無いテレビ表示も可能な情
報量が可能となりて来た。アクティブマトリクスにおい
ても各種の材料が用いられているが最近、アモルファス
・シリコン（以下ａ−８ｌと略す）を応用した薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＰＴと略す）を基板上に形成する方
法が低温プロセス、大面積化可能、低コストの利点を有
し注目されている。
しかしながらａ−８ｌは光の照射によシ自からの抵抗を
下げる（ ５ｔｅａｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果）性
質が１表示装置として大きな欠点をもっている。又、表
示装置として大面積のパネルは２枚の基板間隔のバラツ
キ発生が多くなシ色ムラとなって表示品位を著しく低下
させる欠点があった。
下げる（ ５ｔｅａｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果）性
質が１表示装置として大きな欠点をもっている。又、表
示装置として大面積のパネルは２枚の基板間隔のバラツ
キ発生が多くなシ色ムラとなって表示品位を著しく低下
させる欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去すると同時に極めて確
実にしかも容易に作製でき、特に光劣化を防止し大画面
で均一な表示コントラストを安易に得ることのできる高
品位の表示装置を提供することにある。
実にしかも容易に作製でき、特に光劣化を防止し大画面
で均一な表示コントラストを安易に得ることのできる高
品位の表示装置を提供することにある。
本発明による表示装置は、駆動用スイッチング素子を設
けた第１の基板と、対向電極を設けた第２の基板とを有
し、これ等の基板間で生ずる電気光学的変化を以って表
示を為す構成にした表示装置において感光性樹脂膜をエ
ツチングすることによシ形成したスペーサを第１と第２
の基板の間に配置した事を特徴とするものである。
けた第１の基板と、対向電極を設けた第２の基板とを有
し、これ等の基板間で生ずる電気光学的変化を以って表
示を為す構成にした表示装置において感光性樹脂膜をエ
ツチングすることによシ形成したスペーサを第１と第２
の基板の間に配置した事を特徴とするものである。
以下、図面を参照して説明する。
第１図および第２図は、駆動用スイッチング素子として
薄膜トランジスタアレイを設けた第１の基板と、対向電
極を設けた第２の基板との間に液晶物質を挾持した従来
型の液晶表示装置の一例を示す。
薄膜トランジスタアレイを設けた第１の基板と、対向電
極を設けた第２の基板との間に液晶物質を挾持した従来
型の液晶表示装置の一例を示す。
この表示装置は駆動用スイッチング素子として薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ ： Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎ
＠１ｓｔｏｒ）を設けた第１の基板１と、対向電極を設
けた第２の基板２との間に液晶層３を挾持したものであ
る（第２図参照）。第１図（、）に示すように、ガラス
等の基板１上に、２−１０本／畷程度の密度で駆動用薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ ）が配置される。
ンジスタ（ＴＦＴ ： Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎ
＠１ｓｔｏｒ）を設けた第１の基板１と、対向電極を設
けた第２の基板２との間に液晶層３を挾持したものであ
る（第２図参照）。第１図（、）に示すように、ガラス
等の基板１上に、２−１０本／畷程度の密度で駆動用薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ ）が配置される。
ＴＰＴは、基板上に形成された透明または金属の薄膜導
電膜からなるダート線４、該ダート線上に設けたダート
電極５、該ダート電極上に絶縁膜６を介して形成した薄
膜状の半導体７、該半導体の一端に接して設けた導電膜
から成るソース電極８、および該半導体の他端に設けた
ドレイン電極９等から構成されている。第１図（ｂ）は
第１図（、）の矢印Ｂ方向に見た平面図で、マトリクス
駆動回路の一部を示す。
電膜からなるダート線４、該ダート線上に設けたダート
電極５、該ダート電極上に絶縁膜６を介して形成した薄
膜状の半導体７、該半導体の一端に接して設けた導電膜
から成るソース電極８、および該半導体の他端に設けた
ドレイン電極９等から構成されている。第１図（ｂ）は
第１図（、）の矢印Ｂ方向に見た平面図で、マトリクス
駆動回路の一部を示す。
第２図は第１図（ｂ）のＡ −Ａ’線における断面を示
す。第２図中、１０は対向電極、１１は必要に応じて設
けられる絶縁膜を示す。また、６′はダート線上のみに
絶縁膜を形成した例を示す。
す。第２図中、１０は対向電極、１１は必要に応じて設
けられる絶縁膜を示す。また、６′はダート線上のみに
絶縁膜を形成した例を示す。
基板１，２はガラス等によって形成され、ドレイン電極
９および対向電極１０はＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２等の透明
導電膜或いは場合によりＡｕ、 Ａｔ、 Ｐｄ等の金属
薄膜により形成される。ダートを極５およびソース線８
はＡｔ＋ Ａｕ、 Ａｇ＋ Ｐｔ＋ Ｐｄ＋ Ｃｕ等の
金属で形成される。半導体７はＣｄＳ、 ＣｄＳｅ、
ａ−８ｉ等より成る。図中１２はシーリング部材を示す
。１９は、スペーサ部材で感光性樹脂膜をエツチングす
ることによシ形成される。特に好ましくは、適尚な染色
材でスペーサ部材１９を着色することによって、半導体
７に入射する光線に対して遮光機能を備えることができ
る。
９および対向電極１０はＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２等の透明
導電膜或いは場合によりＡｕ、 Ａｔ、 Ｐｄ等の金属
薄膜により形成される。ダートを極５およびソース線８
はＡｔ＋ Ａｕ、 Ａｇ＋ Ｐｔ＋ Ｐｄ＋ Ｃｕ等の
金属で形成される。半導体７はＣｄＳ、 ＣｄＳｅ、
ａ−８ｉ等より成る。図中１２はシーリング部材を示す
。１９は、スペーサ部材で感光性樹脂膜をエツチングす
ることによシ形成される。特に好ましくは、適尚な染色
材でスペーサ部材１９を着色することによって、半導体
７に入射する光線に対して遮光機能を備えることができ
る。
スぜ一す部材１９は、例えばＩリビニルアルコール液に
光重合剤（例えば重クロム酸アンモニウム）を含有させ
た樹脂溶液を駆動用スイッチング素子を設けた基体上に
塗布し、乾燥することによって感光性樹脂膜を形成した
後に、この感光性樹脂膜を常法の７オトリソ法によりエ
ツチング処理することによって得ることができる。その
他市販の感光性樹脂膜形成液（東京応化製のＯＭＲ−８
３）を用いることができる。
光重合剤（例えば重クロム酸アンモニウム）を含有させ
た樹脂溶液を駆動用スイッチング素子を設けた基体上に
塗布し、乾燥することによって感光性樹脂膜を形成した
後に、この感光性樹脂膜を常法の７オトリソ法によりエ
ツチング処理することによって得ることができる。その
他市販の感光性樹脂膜形成液（東京応化製のＯＭＲ−８
３）を用いることができる。
又、本発明の好ましい具体例では、前述のフォトリン法
によるエツチング処理前の感光性樹脂膜を例えば黒色染
料によって染色し、その後エツチング処理することがで
きる。尚、表示装置では、動的散乱モード（ＤＳＭ ）
・ねじれ配列ネマティック（ＴＮ）等表示モードのいず
れを利用するか或いは装置を透過型又は反射型にするか
に応じて、種々の液晶分子配向状態及び偏向板・λ／４
板・反射板等の光学検知手段が適宜設定される。又、本
発明の表示装置は、前述の液晶に代えてエレクトロクロ
ミック物質を用いることができる。
によるエツチング処理前の感光性樹脂膜を例えば黒色染
料によって染色し、その後エツチング処理することがで
きる。尚、表示装置では、動的散乱モード（ＤＳＭ ）
・ねじれ配列ネマティック（ＴＮ）等表示モードのいず
れを利用するか或いは装置を透過型又は反射型にするか
に応じて、種々の液晶分子配向状態及び偏向板・λ／４
板・反射板等の光学検知手段が適宜設定される。又、本
発明の表示装置は、前述の液晶に代えてエレクトロクロ
ミック物質を用いることができる。
駆動方法を概説すれば、例えばダート線４に画像信号を
、ソース線８には駆動用電圧を走育して印加すると（ダ
ート線に信号が入力されている間に限って）、これらの
電極の交点のうちの選択された箇所でソース電極−ドレ
イン電極間が導通して、ドレイン電極と対向電極１０と
の間で電場が生じ、液晶層３の液晶分子の配列状態が変
化することにより、表示が行なわれる。
、ソース線８には駆動用電圧を走育して印加すると（ダ
ート線に信号が入力されている間に限って）、これらの
電極の交点のうちの選択された箇所でソース電極−ドレ
イン電極間が導通して、ドレイン電極と対向電極１０と
の間で電場が生じ、液晶層３の液晶分子の配列状態が変
化することにより、表示が行なわれる。
第３図は、上記と同様に駆動用スイッチング素子として
ＴＰＴを設けた第１の基板１と対向電極ｌＯを設けた第
２の基板２との間に液晶層３を挾持した液晶表示装置に
おいて、半導体としてａ−８ｉが使用され、光劣化防止
のためにａ−８１層７を被う様にＡｔの遮光膜が設けら
れた従来型の液晶表示装置の例を示す。第３図中、第１
図、第２図に示すものと同等の部分は同じ符号によって
指示して、その説明を省略する。
ＴＰＴを設けた第１の基板１と対向電極ｌＯを設けた第
２の基板２との間に液晶層３を挾持した液晶表示装置に
おいて、半導体としてａ−８ｉが使用され、光劣化防止
のためにａ−８１層７を被う様にＡｔの遮光膜が設けら
れた従来型の液晶表示装置の例を示す。第３図中、第１
図、第２図に示すものと同等の部分は同じ符号によって
指示して、その説明を省略する。
第３図中、１３はアモルファス半導体層、１４は保護膜
、１５は配向膜、１６は画素電極を示す。
、１５は配向膜、１６は画素電極を示す。
図示のように、絶縁基板１に薄膜トランジスタが形成さ
れ、光劣化防止用にＡｔの遮光膜１７がａ−８１の半導
体層１３を被う様にフォト・リンプロセスにて形成され
ている。父上下基板のギャップを均一にする為にパネル
内に直径数ミクロンのスペーサ球１８が散布されている
。第３図（ｂ）は平面図を示し、Ａｔ遮光膜が電気的に
グランドに通じる様に形成されている。
れ、光劣化防止用にＡｔの遮光膜１７がａ−８１の半導
体層１３を被う様にフォト・リンプロセスにて形成され
ている。父上下基板のギャップを均一にする為にパネル
内に直径数ミクロンのスペーサ球１８が散布されている
。第３図（ｂ）は平面図を示し、Ａｔ遮光膜が電気的に
グランドに通じる様に形成されている。
このような従来の表示装置においては、上記の様な金属
材料による遮光膜の形成の為に電気的処置を必要としプ
ロセス上においても工程が増加するものである。又、ス
ペーサ球によるギャップ決定も均一散布が困難で、歩留
シの低下を来たす。
材料による遮光膜の形成の為に電気的処置を必要としプ
ロセス上においても工程が増加するものである。又、ス
ペーサ球によるギャップ決定も均一散布が困難で、歩留
シの低下を来たす。
本発明は、上記のような表示装置において光劣化防止の
ための遮光のために、薄膜トランジスタの半導体部を感
光性樹脂膜をエツチングすることによりスペーサ部材を
形成しているので、第１および第２の基板間の間隔を決
定することができ、基板間隔のバラツキを防止し表示品
位を著るしく向上させるのである。
ための遮光のために、薄膜トランジスタの半導体部を感
光性樹脂膜をエツチングすることによりスペーサ部材を
形成しているので、第１および第２の基板間の間隔を決
定することができ、基板間隔のバラツキを防止し表示品
位を著るしく向上させるのである。
第４図は本発明の別の実施態様を示す。第４図中、第３
図に示す部分に該当する部分は同一の符号によって指示
し、その詳細説明は省略する。
図に示す部分に該当する部分は同一の符号によって指示
し、その詳細説明は省略する。
第４図に示す実施態様においては、基板上に形成された
薄膜トランジスタの上に保―層が成膜された後に、少な
くとも半導体層１３を覆う感光性樹脂膜から形成したス
ペーサ部材１９が形成され、これによって、第１の基板
１と第２の基板２の間隔を規定する。その一実施例を以
下に記す。基板上に形成された薄膜トランジスタに保護
層１５が成膜された後に、ゴム系ネガレジストＯＭＲ−
８３（東京応化ｆｆ）２６０ｃｐｉ粘度のものをスピン
ナーで１０００ ｒｐｍ ３０秒塗布を行なう。８０℃
１５分間のグリベーク後、トランジスタの半導体層１３
にアライメントした露光マスクによシ感光を完了し、染
色現像液（富士薬品製）にて現像（エツチング）及びリ
ンスを行なう。ポストベーク１２０℃３０分を行ないプ
ロセスを終了する。
薄膜トランジスタの上に保―層が成膜された後に、少な
くとも半導体層１３を覆う感光性樹脂膜から形成したス
ペーサ部材１９が形成され、これによって、第１の基板
１と第２の基板２の間隔を規定する。その一実施例を以
下に記す。基板上に形成された薄膜トランジスタに保護
層１５が成膜された後に、ゴム系ネガレジストＯＭＲ−
８３（東京応化ｆｆ）２６０ｃｐｉ粘度のものをスピン
ナーで１０００ ｒｐｍ ３０秒塗布を行なう。８０℃
１５分間のグリベーク後、トランジスタの半導体層１３
にアライメントした露光マスクによシ感光を完了し、染
色現像液（富士薬品製）にて現像（エツチング）及びリ
ンスを行なう。ポストベーク１２０℃３０分を行ないプ
ロセスを終了する。
以上の基板にて液晶・母ネルを形成したものは、１００
０ ｌｕｘの螢光灯を照射しても異常を生ぜず、また１
２０問角の大面積・ぐネルにおいても全面均一なギャッ
プ（約８μ）が得られ、高品位な表示装置であった。
０ ｌｕｘの螢光灯を照射しても異常を生ぜず、また１
２０問角の大面積・ぐネルにおいても全面均一なギャッ
プ（約８μ）が得られ、高品位な表示装置であった。
以上のように、本発明による表示装置においては、下記
のような効果が達成される。
のような効果が達成される。
（１） 電気的処理（ＧＮＤ接地）のいらない遮光膜で
ある。
ある。
（２） ａ−８ｉ半導体上のみ遮光の為に表示の開口率
が上がる。
が上がる。
（３） フォト・レジストによるスペーサの為に、塗布
条件により任意のギヤ、ゾ設計が可能である。
条件により任意のギヤ、ゾ設計が可能である。
（４） 遮光とスペーサを兼用する為にプロセスが城ｂ
コスト・ダウンに通ずる。
コスト・ダウンに通ずる。
第１図（、）および（ｂ）は、液晶表示装置における駆
動用薄膜トランジスタアレイを設けた基板をπす斜視図
および平面図、第２図は第１図（ｂ）のＡ −Ａ’線に
おける表示装置の断面図である。第３図（ａ） （ｂ）
は従来型の液晶表示装置の他の例を示す断面図である。 第４図（ａ） （ｂ）は本発明の一実施態様を示す断面
図である。 １．２・・・基板 ３・・・液晶層 ４・・・ダート線 ５・・・ダート電極６・・・絶縁膜
７・・・半導体 ８・・・ソース電極 ９・・・ドレイン電極１０・・・
対向電極 １１・・・絶縁膜１２・・・シーリング部材 １３・・・アモルファス半導体層 １４・・・保護膜 １５・・・配向膜 １６・・・画素電極 １７・・・遮光膜１８・・・スペ
ーサ球 １９・・・スペーサ部材第１図 Ｃ（２’） ↓ 第１図 第２図
動用薄膜トランジスタアレイを設けた基板をπす斜視図
および平面図、第２図は第１図（ｂ）のＡ −Ａ’線に
おける表示装置の断面図である。第３図（ａ） （ｂ）
は従来型の液晶表示装置の他の例を示す断面図である。 第４図（ａ） （ｂ）は本発明の一実施態様を示す断面
図である。 １．２・・・基板 ３・・・液晶層 ４・・・ダート線 ５・・・ダート電極６・・・絶縁膜
７・・・半導体 ８・・・ソース電極 ９・・・ドレイン電極１０・・・
対向電極 １１・・・絶縁膜１２・・・シーリング部材 １３・・・アモルファス半導体層 １４・・・保護膜 １５・・・配向膜 １６・・・画素電極 １７・・・遮光膜１８・・・スペ
ーサ球 １９・・・スペーサ部材第１図 Ｃ（２’） ↓ 第１図 第２図
Claims (1)
- 駆動用スイッチング素子を設けた第１の基板と、対向電
極を設けた第２の基板とを有し、これ等の基板間で生ず
る電気光学的変化を以って表示を為す構成にした表示装
置において、感光性樹脂膜をエツチングすることによっ
て形成したス被−サを第１と第２の基板の間に配置した
事を特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037989A JPS60182414A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037989A JPS60182414A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182414A true JPS60182414A (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=12512973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59037989A Pending JPS60182414A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182414A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378924U (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | ||
| US5005951A (en) * | 1987-06-10 | 1991-04-09 | U.S. Philips Corporation | Liquid crystal display device |
| JPH04127128A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| US5181132A (en) * | 1990-05-31 | 1993-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and method for producing the same with metal spacer in hole of thin film device's insulator |
| EP0597432A1 (en) * | 1992-11-09 | 1994-05-18 | Sony Corporation | Plasma addressed liquid crystal display device |
| US5515191A (en) * | 1994-05-31 | 1996-05-07 | Motorola, Inc. | Liquid crystal display having enhanced conductors and adhesive spacers |
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