JP2003186023A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JP2003186023A JP2003186023A JP2001385336A JP2001385336A JP2003186023A JP 2003186023 A JP2003186023 A JP 2003186023A JP 2001385336 A JP2001385336 A JP 2001385336A JP 2001385336 A JP2001385336 A JP 2001385336A JP 2003186023 A JP2003186023 A JP 2003186023A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 液晶の汚染を回避する。
【解決手段】 樹脂層をエッチングする等の製法で柱状
のスペーサＳＰを設けるが、そのスペーサの周辺の液晶
が汚染されることがある。そこで、液晶を介して対向配
置される各基板ＳＵＢのうち一方の基板の液晶の面側に
他方の基板とのギャップを確保する柱状のスペーサが形
成され、該スペーサの少なくとも側壁面の一部に対向電
極の材料等の透光性の導電材料が被覆されている構造と
することにより汚染を防止した。
のスペーサＳＰを設けるが、そのスペーサの周辺の液晶
が汚染されることがある。そこで、液晶を介して対向配
置される各基板ＳＵＢのうち一方の基板の液晶の面側に
他方の基板とのギャップを確保する柱状のスペーサが形
成され、該スペーサの少なくとも側壁面の一部に対向電
極の材料等の透光性の導電材料が被覆されている構造と
することにより汚染を防止した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に横電界方式と称される液晶表示装置に関する。
り、特に横電界方式と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極の間に電
界を発生させる対向電極とが形成され、該電界のうち基
板に平行な成分によって液晶の光透過率を制御するよう
になっている。また、このような構成の液晶表示装置
は、液晶の層厚のバラツキが該液晶の挙動に敏感である
ことから、一方の基板に対する他方の基板のギャップを
確保するスペーサとして、前記基板のいずれかの液晶の
面側にたとえば樹脂層をフォトリソグラフィ技術で選択
エッチングすることによって得られる柱状のスペーサを
用いたものが知られている。該スペーサは前記樹脂層を
平坦に形成する限りにおいてその高さを一定にすること
ができるからである。
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極の間に電
界を発生させる対向電極とが形成され、該電界のうち基
板に平行な成分によって液晶の光透過率を制御するよう
になっている。また、このような構成の液晶表示装置
は、液晶の層厚のバラツキが該液晶の挙動に敏感である
ことから、一方の基板に対する他方の基板のギャップを
確保するスペーサとして、前記基板のいずれかの液晶の
面側にたとえば樹脂層をフォトリソグラフィ技術で選択
エッチングすることによって得られる柱状のスペーサを
用いたものが知られている。該スペーサは前記樹脂層を
平坦に形成する限りにおいてその高さを一定にすること
ができるからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような柱
状のスペーサを用いた場合、その周辺の液晶が汚染され
るということが指摘されるに至った。この現象は、前記
樹脂層としてたとえば光硬化型の樹脂を用いた場合に、
その未硬化の部分が液晶に対する汚染源となることが推
定される。本発明は、このような事情に基づいてなされ
たものであり、液晶の汚染を回避できる液晶表示装置を
提供することにある。
状のスペーサを用いた場合、その周辺の液晶が汚染され
るということが指摘されるに至った。この現象は、前記
樹脂層としてたとえば光硬化型の樹脂を用いた場合に、
その未硬化の部分が液晶に対する汚染源となることが推
定される。本発明は、このような事情に基づいてなされ
たものであり、液晶の汚染を回避できる液晶表示装置を
提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
の面側に他方の基板とのギャップを確保する柱状のスペ
ーサが形成され、該スペーサの少なくとも側壁面の一部
に透光性の導電材料が被覆されていることを特徴とする
ものである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
の面側に他方の基板とのギャップを確保する柱状のスペ
ーサが形成され、該スペーサの少なくとも側壁面の一部
に透光性の導電材料が被覆されていることを特徴とする
ものである。
【０００５】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電極、有
機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電界を発
生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形成さ
れ、前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基
板のうち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを
構成するとともに、このスペーサの少なくとも側壁面の
一部は前記対向電極の材料で被われていることを特徴と
するものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電極、有
機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電界を発
生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形成さ
れ、前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基
板のうち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを
構成するとともに、このスペーサの少なくとも側壁面の
一部は前記対向電極の材料で被われていることを特徴と
するものである。
【０００６】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電極、有
機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電界を発
生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形成さ
れ、前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基
板のうち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを
構成するとともに、このスペーサの少なくとも側壁面の
一部は前記対向電極の一部あるいは延在部で被われてい
ることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電極、有
機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電界を発
生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形成さ
れ、前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基
板のうち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを
構成するとともに、このスペーサの少なくとも側壁面の
一部は前記対向電極の一部あるいは延在部で被われてい
ることを特徴とするものである。
【０００７】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差されて並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、該画素
領域にゲート信号線からの走査信号によって作動される
薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してド
レイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、
この画素電極との間に電界を発生させる対向電極とを備
え、前記薄膜トランジスタ、画素電極、ドレイン信号線
は有機材料からなる絶縁膜の下側の層として形成される
とともに、対向電極は前記絶縁膜の上側の層として少な
くとも前記ドレイン信号線に重畳して形成されるものを
有して形成され、前記絶縁膜のドレイン信号線の上方の
一部が突出されその突出部が前記各基板のうち他方の基
板とのギャップを確保するスペーサを構成するととも
に、このスペーサの少なくとも側壁面の一部は前記対向
電極で被われていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差されて並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、該画素
領域にゲート信号線からの走査信号によって作動される
薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してド
レイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、
この画素電極との間に電界を発生させる対向電極とを備
え、前記薄膜トランジスタ、画素電極、ドレイン信号線
は有機材料からなる絶縁膜の下側の層として形成される
とともに、対向電極は前記絶縁膜の上側の層として少な
くとも前記ドレイン信号線に重畳して形成されるものを
有して形成され、前記絶縁膜のドレイン信号線の上方の
一部が突出されその突出部が前記各基板のうち他方の基
板とのギャップを確保するスペーサを構成するととも
に、このスペーサの少なくとも側壁面の一部は前記対向
電極で被われていることを特徴とするものである。
【０００８】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電極、有
機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電界を発
生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形成さ
れ、前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基
板のうち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを
構成するとともに、このスペーサは他方の基板の液晶側
の面に形成された導電性のブラックマトリクスの遮光部
に対向する位置に配置され、かつ、該スペーサの頂部の
少なくとも一部にまで前記対向電極が延在されて形成さ
れていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電極、有
機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電界を発
生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形成さ
れ、前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基
板のうち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを
構成するとともに、このスペーサは他方の基板の液晶側
の面に形成された導電性のブラックマトリクスの遮光部
に対向する位置に配置され、かつ、該スペーサの頂部の
少なくとも一部にまで前記対向電極が延在されて形成さ
れていることを特徴とするものである。
【０００９】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段５の構成を前提に、他方の基板の液晶側の
面にはブラックマトリクスをも被って絶縁膜が形成され
ていることを特徴とするものである。
とえば、手段５の構成を前提に、他方の基板の液晶側の
面にはブラックマトリクスをも被って絶縁膜が形成され
ていることを特徴とするものである。
【００１０】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶の面側に、他方の基板とのギャップを確保
するスペーサと、このスペーサの突起が顕在化できる程
度に該スペーサをも被って形成される有機材料からなる
絶縁膜とが形成されているとともに、前記一方の液晶側
の画素領域の前記絶縁膜よりも下層側にて画素電極が、
該絶縁膜の上層にて前記画素電極との間に電界を発生さ
せる対向電極が形成され、前記スペーサを被う前記絶縁
膜の少なくとも側壁面の一部は前記対向電極の材料で被
われていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶の面側に、他方の基板とのギャップを確保
するスペーサと、このスペーサの突起が顕在化できる程
度に該スペーサをも被って形成される有機材料からなる
絶縁膜とが形成されているとともに、前記一方の液晶側
の画素領域の前記絶縁膜よりも下層側にて画素電極が、
該絶縁膜の上層にて前記画素電極との間に電界を発生さ
せる対向電極が形成され、前記スペーサを被う前記絶縁
膜の少なくとも側壁面の一部は前記対向電極の材料で被
われていることを特徴とするものである。
【００１１】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶の面側に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、該画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号により作動される薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を発生させる対向電極とを備
え、前記ドレイン信号線をも被って形成された有機材料
からなる絶縁膜の該ドレイン信号線に沿って突出された
突出部を他方の基板とのギャップを確保するスペーサと
して構成し、前記画素電極は前記ドレイン信号線の走行
方向に平行に形成された帯状のパターンとなっていると
ともに、前記対向電極は前記スペーサの少なくとも前記
画素電極の側の側壁面にて前記ドレイン信号線の走行方
向に平行に形成された帯状のパターンとなって形成され
ていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶の面側に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、該画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号により作動される薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を発生させる対向電極とを備
え、前記ドレイン信号線をも被って形成された有機材料
からなる絶縁膜の該ドレイン信号線に沿って突出された
突出部を他方の基板とのギャップを確保するスペーサと
して構成し、前記画素電極は前記ドレイン信号線の走行
方向に平行に形成された帯状のパターンとなっていると
ともに、前記対向電極は前記スペーサの少なくとも前記
画素電極の側の側壁面にて前記ドレイン信号線の走行方
向に平行に形成された帯状のパターンとなって形成され
ていることを特徴とするものである。
【００１２】手段９．本発明による液晶表示装置は、手
段８の構成を前提に、対向電極は透光性の導電材料で構
成されていることを特徴とするものである。
段８の構成を前提に、対向電極は透光性の導電材料で構
成されていることを特徴とするものである。
【００１３】手段１０．本発明による液晶表示装置は、
手段１、２、３、５、９のうちいずれかの構成を前提
に、透光性の導電材料はＩＴＯ、ＩＴＺＯ、もしくはＩ
ＺＯからなることを特徴とするものである。
手段１、２、３、５、９のうちいずれかの構成を前提
に、透光性の導電材料はＩＴＯ、ＩＴＺＯ、もしくはＩ
ＺＯからなることを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《全体構成》図２は本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す等価回路図である。同図は等価回路を示すが実
際の幾何学的配置に対応した図となっている。まず、液
晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ
１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１
に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール
材ＳＬによって封入されている。
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《全体構成》図２は本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す等価回路図である。同図は等価回路を示すが実
際の幾何学的配置に対応した図となっている。まず、液
晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ
１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１
に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール
材ＳＬによって封入されている。
【００１５】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬと
で囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら
各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを
構成するようになっている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬと
で囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら
各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを
構成するようになっている。
【００１６】また、ｘ方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
【００１７】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、前記
対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に
電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制
御させるようになっている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、前記
対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に
電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制
御させるようになっている。
【００１８】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。垂直走査
駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接
する複数のゲート信号線どおしがグループ化され、これ
ら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるよう
になっている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。垂直走査
駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接
する複数のゲート信号線どおしがグループ化され、これ
ら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるよう
になっている。
【００１９】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線どおし
がグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体
装置があてがわれるようになっている。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線どおし
がグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体
装置があてがわれるようになっている。
【００２０】また、ｘ方向に併設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。こ
の端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。こ
の端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
【００２１】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬの
それぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬの
それぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
【００２２】なお、上述した実施例では、垂直走査駆動
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場
合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場
合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
【００２３】《画素の構成》図３は前記画素領域の一実
施例を示す平面図である。また、図１は図３のＩ−Ｉ線
における断面図を、図４は図３のIV−IV線における断面
図を示している。各図において、透明基板ＳＵＢ１の液
晶側の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される
一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。
施例を示す平面図である。また、図１は図３のＩ−Ｉ線
における断面図を、図４は図３のIV−IV線における断面
図を示している。各図において、透明基板ＳＵＢ１の液
晶側の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される
一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００２４】これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のド
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。このようにゲート信号線ＧＬが形成された透
明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁
膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。このようにゲート信号線ＧＬが形成された透
明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁
膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。
【００２５】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。そして、この絶縁膜Ｇ
Ｉの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳
するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導
体層ＡＳが形成されている。
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。そして、この絶縁膜Ｇ
Ｉの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳
するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導
体層ＡＳが形成されている。
【００２６】この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型
トランジスタを構成することができる。
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型
トランジスタを構成することができる。
【００２７】ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に延
在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成さ
れ、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在され
てドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン
電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だ
け離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に延
在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成さ
れ、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在され
てドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン
電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だ
け離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００２８】また、このソース電極ＳＤ２は画素領域内
に形成される画素電極ＰＸと一体に形成されている。す
なわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそのｙ方向に延在
しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から
構成されている。このうちの一つの画素電極ＰＸの一方
の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、他方の端部では
他の画素電極ＰＸの対応する個所にて互いに電気的接続
が図れるようになっている。
に形成される画素電極ＰＸと一体に形成されている。す
なわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそのｙ方向に延在
しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から
構成されている。このうちの一つの画素電極ＰＸの一方
の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、他方の端部では
他の画素電極ＰＸの対応する個所にて互いに電気的接続
が図れるようになっている。
【００２９】なお図示していないが、半導体層ＡＳとド
レイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２との界面には
高濃度の不純物がドープされた薄い層が形成され、この
層はコンタクト層として機能するようになっている。こ
のコンタクト層は、たとえば半導体層ＡＳの形成時に、
その表面にすでに高濃度の不純物層が形成されており、
その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１およびソース電
極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれから露出された
前記不純物層をエッチングすることによって形成するこ
とができる。
レイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２との界面には
高濃度の不純物がドープされた薄い層が形成され、この
層はコンタクト層として機能するようになっている。こ
のコンタクト層は、たとえば半導体層ＡＳの形成時に、
その表面にすでに高濃度の不純物層が形成されており、
その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１およびソース電
極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれから露出された
前記不純物層をエッチングすることによって形成するこ
とができる。
【００３０】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイ
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面には保護膜ＰＳＶが形成されている。この保護膜
ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の
接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性
劣化を防止せんとするようになっている。前記保護膜Ｐ
ＳＶは樹脂等の有機材料層、あるいはＳｉＮのような無
機材料層と樹脂等の有機材料層の順次積層体から構成さ
れている。
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面には保護膜ＰＳＶが形成されている。この保護膜
ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の
接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性
劣化を防止せんとするようになっている。前記保護膜Ｐ
ＳＶは樹脂等の有機材料層、あるいはＳｉＮのような無
機材料層と樹脂等の有機材料層の順次積層体から構成さ
れている。
【００３１】なお、この実施例では、保護膜ＰＳＶはＳ
ｉＮのような無機材料層からなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂
等の有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２の順次積層体か
らなっている。このように保護膜ＰＳＶとして少なくと
も有機材料層を用いているのは保護膜自体の誘電率を低
減させることにある。
ｉＮのような無機材料層からなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂
等の有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２の順次積層体か
らなっている。このように保護膜ＰＳＶとして少なくと
も有機材料層を用いているのは保護膜自体の誘電率を低
減させることにある。
【００３２】また、保護膜ＰＳＶ２のたとえばドレイン
信号線ＤＬ上の一部にて、樹脂膜で形成された突出部が
形成され、この突出部によって柱状のスペーサＳＰが構
成されるようになっている。
信号線ＤＬ上の一部にて、樹脂膜で形成された突出部が
形成され、この突出部によって柱状のスペーサＳＰが構
成されるようになっている。
【００３３】保護膜ＰＳＶの上面には対向電極ＣＴが形
成されている。この対向電極ＣＴは前述の画素電極ＰＸ
と同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図
では３本）の電極群から構成され、かつ、それら各電極
は、平面的に観た場合、前記画素電極ＰＸの間に位置付
けられるようになっている。
成されている。この対向電極ＣＴは前述の画素電極ＰＸ
と同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図
では３本）の電極群から構成され、かつ、それら各電極
は、平面的に観た場合、前記画素電極ＰＸの間に位置付
けられるようになっている。
【００３４】すなわち、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
は、一方の側のドレイン信号線から他方の側のドレイン
信号線にかけて、対向電極、画素電極、対向電極、画素
電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間隔に配置され
ている。
は、一方の側のドレイン信号線から他方の側のドレイン
信号線にかけて、対向電極、画素電極、対向電極、画素
電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間隔に配置され
ている。
【００３５】ここで、画素領域の両側に位置づけられる
対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳
されて形成されているともに、隣接する画素領域の対応
する対向電極ＣＴと共通に形成されている。
対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳
されて形成されているともに、隣接する画素領域の対応
する対向電極ＣＴと共通に形成されている。
【００３６】換言すれは、ドレイン信号線ＤＬ上には対
向電極ＣＴがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該
対向電極ＣＴの幅はドレイン信号線ＤＬのそれよりも大
きく形成されている。ドレイン信号線ＤＬに対して左側
の対向電極ＣＴは左側の画素領域の各対向電極ＣＴの一
つを構成し、右側の対向電極ＣＴは右側の画素領域の各
対向電極ＣＴの一つを構成するようになっている。
向電極ＣＴがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該
対向電極ＣＴの幅はドレイン信号線ＤＬのそれよりも大
きく形成されている。ドレイン信号線ＤＬに対して左側
の対向電極ＣＴは左側の画素領域の各対向電極ＣＴの一
つを構成し、右側の対向電極ＣＴは右側の画素領域の各
対向電極ＣＴの一つを構成するようになっている。
【００３７】このようにドレイン信号線ＤＬの上方にて
該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形
成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力
線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線Ｄ
Ｌからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形
成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力
線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線Ｄ
Ｌからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
【００３８】この場合、前記対向電極ＣＴは前記柱状の
スペーサＳＰを充分に被うようにして形成されることに
なる。このことは、樹脂からなる該スペーサＳＰは該樹
脂から汚染物が液晶側へ染み出すのを防止することがで
きる。
スペーサＳＰを充分に被うようにして形成されることに
なる。このことは、樹脂からなる該スペーサＳＰは該樹
脂から汚染物が液晶側へ染み出すのを防止することがで
きる。
【００３９】電極群からなる各対向電極ＣＴは、ゲート
信号線ＧＬを充分に被って形成される同一の材料からな
る対向電圧信号線ＣＬと一体的に形成され、この対向電
圧信号線ＣＬを介して基準電圧が供給されるようになっ
ている。
信号線ＧＬを充分に被って形成される同一の材料からな
る対向電圧信号線ＣＬと一体的に形成され、この対向電
圧信号線ＣＬを介して基準電圧が供給されるようになっ
ている。
【００４０】ゲート信号線ＧＬを充分に被って形成され
る対向電圧信号線ＣＬは、そのゲート信号線ＧＬからは
み出した部分において、その下層に前記各画素電極ＰＸ
の接続部が位置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと
対向電圧信号線ＣＬとの間に保護膜ＰＳＶを誘電体膜と
する容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。この容量素子
Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信
号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようにな
っている。
る対向電圧信号線ＣＬは、そのゲート信号線ＧＬからは
み出した部分において、その下層に前記各画素電極ＰＸ
の接続部が位置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと
対向電圧信号線ＣＬとの間に保護膜ＰＳＶを誘電体膜と
する容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。この容量素子
Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信
号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようにな
っている。
【００４１】そして、このように対向電極ＣＴが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲ
Ｉ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成され
たラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定
づけるようになっている。
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲ
Ｉ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成され
たラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定
づけるようになっている。
【００４２】このように構成された透明基板ＳＵＢ１と
対向する透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、その各画
素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭが形
成されている。すなわち、少なくとも液晶表示部に形成
されたブラックマトリクスは各画素領域の周辺部を残す
領域に開口が形成されたパターンをなし、これにより表
示のコントラストの向上を図っている。
対向する透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、その各画
素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭが形
成されている。すなわち、少なくとも液晶表示部に形成
されたブラックマトリクスは各画素領域の周辺部を残す
領域に開口が形成されたパターンをなし、これにより表
示のコントラストの向上を図っている。
【００４３】また、このブラックマトリクスは透明基板
ＳＵＢ１側の薄膜トランジスタＴＦＴを充分被うように
して形成され、該薄膜トランジスタＴＦＴへの外来光の
照射を妨げることによって該薄膜トランジスタの特性劣
化を回避するようになっている。また、このブラックマ
トリクスＢＭは、この実施例では導電性を有するように
して形成され、たとえばＣｒからなる金属層で形成され
ている。
ＳＵＢ１側の薄膜トランジスタＴＦＴを充分被うように
して形成され、該薄膜トランジスタＴＦＴへの外来光の
照射を妨げることによって該薄膜トランジスタの特性劣
化を回避するようになっている。また、このブラックマ
トリクスＢＭは、この実施例では導電性を有するように
して形成され、たとえばＣｒからなる金属層で形成され
ている。
【００４４】ブラックマトリクスＢＭが形成された透明
基板ＳＵＢ２の表面にはこれらブラックマトリクスＢＭ
をも被って平坦化膜ＯＣが形成されている。この平坦化
膜ＯＣは塗布によって形成できる樹脂膜からなり、前記
ブラックマトリクスＢＭの形成によって顕在化する段差
をなくすために設けられる。
基板ＳＵＢ２の表面にはこれらブラックマトリクスＢＭ
をも被って平坦化膜ＯＣが形成されている。この平坦化
膜ＯＣは塗布によって形成できる樹脂膜からなり、前記
ブラックマトリクスＢＭの形成によって顕在化する段差
をなくすために設けられる。
【００４５】この平坦化膜ＯＣの表面には配向膜ＯＲＩ
１が形成され、この配向膜ＯＲＩ１は液晶と直接に当接
する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液
晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになってい
る。
１が形成され、この配向膜ＯＲＩ１は液晶と直接に当接
する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液
晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになってい
る。
【００４６】なお、この実施例では、カラーフィルタを
省略して示したものであるが、このカラーフィルタは透
明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成してもよく、また、
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成した保護膜ＰＳＶ
２に該カラーフィルタを兼用させた構成とするようにし
てもよい。
省略して示したものであるが、このカラーフィルタは透
明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成してもよく、また、
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成した保護膜ＰＳＶ
２に該カラーフィルタを兼用させた構成とするようにし
てもよい。
【００４７】このように構成した液晶表示装置は、上述
したように、柱状のスペーサＳＰが形成され、その表面
は対向電極ＣＴによって被われたものとなっている。こ
のため、樹脂からなる該スペーサＳＰは該樹脂から汚染
物が液晶側へ染み出すのを防止でき、これによる残像の
発生を回避することができる。
したように、柱状のスペーサＳＰが形成され、その表面
は対向電極ＣＴによって被われたものとなっている。こ
のため、樹脂からなる該スペーサＳＰは該樹脂から汚染
物が液晶側へ染み出すのを防止でき、これによる残像の
発生を回避することができる。
【００４８】上記実施例に示した構成にすることによっ
て、液晶の比抵抗が２．０×１０１ ２Ωｃｍ（初期比抵
抗値：１．０×１０１３Ωｃｍ）となり、残像消失時間
を１０秒とすることができた。これに対して、対向電極
の材料で被覆しない柱状のスペーサＳＰを設けた場合、
液晶の比抵抗は５．０×１０１１Ωｃｍとなり、残像消
失時間は１分であった。
て、液晶の比抵抗が２．０×１０１ ２Ωｃｍ（初期比抵
抗値：１．０×１０１３Ωｃｍ）となり、残像消失時間
を１０秒とすることができた。これに対して、対向電極
の材料で被覆しない柱状のスペーサＳＰを設けた場合、
液晶の比抵抗は５．０×１０１１Ωｃｍとなり、残像消
失時間は１分であった。
【００４９】なお、液晶汚染性評価方法の一例を示す
と、まず、市販のガラス製５０ｍｌサンプル瓶をアル
カリ性の洗浄を用いて約５分間超音波洗浄し、純粋で５
分程度を２回超音波洗浄した。さらにアセトンで５分程
度４回超音波洗浄した。上述のサンプル瓶に２ｃｍ×
２ｃｍのサンプル基板を入れて、液晶を２ｍｌ入れた。
ふたをして一週間１００℃で加熱した。液晶の比抵抗
を安藤電気製ＬＥ−２１溶液セルを使用し、印加電圧１
Ｖにおける液晶の比抵抗値を測定した。
と、まず、市販のガラス製５０ｍｌサンプル瓶をアル
カリ性の洗浄を用いて約５分間超音波洗浄し、純粋で５
分程度を２回超音波洗浄した。さらにアセトンで５分程
度４回超音波洗浄した。上述のサンプル瓶に２ｃｍ×
２ｃｍのサンプル基板を入れて、液晶を２ｍｌ入れた。
ふたをして一週間１００℃で加熱した。液晶の比抵抗
を安藤電気製ＬＥ−２１溶液セルを使用し、印加電圧１
Ｖにおける液晶の比抵抗値を測定した。
【００５０】そして、残像評価方法は、まず、目視によ
り３段階で評価した。２５℃で黒表示エリア上に固定パ
ターン（輝度最大となる階調）を３０分間印加した後、
画面全体を黒表示した時の固定パターン表示部に目視で
残像がなくなるまでの時間を測定した。ここで、前記保
護膜ＰＳＶ２はたとえばポジ型感光樹脂（JSR、Optmer
PC３３５）が用いられ、その膜厚は約１．０μｍとな
っている。
り３段階で評価した。２５℃で黒表示エリア上に固定パ
ターン（輝度最大となる階調）を３０分間印加した後、
画面全体を黒表示した時の固定パターン表示部に目視で
残像がなくなるまでの時間を測定した。ここで、前記保
護膜ＰＳＶ２はたとえばポジ型感光樹脂（JSR、Optmer
PC３３５）が用いられ、その膜厚は約１．０μｍとな
っている。
【００５１】そして、樹脂膜を形成した後、９０℃９０
秒ホットプレートによるプリベークし、ｉ線による露光
３００ｍＪ／ｃｍ２がなされる。その後の現像は東京応
化ＮＭＤ−３（２．３８％ＴＭＡＨ、界面活性剤入り）
を０．４％に希釈したものが用いられる。そして、常温
スプレー現像、純粋常温スプレー現像によるリンス、２
００℃５分ホットプレートによるポストベークを経て形
成される。また、前記柱状のスペーサＳＰはたとえばネ
ガ型光硬化樹脂（JSR、ＪＮＰＣ−７２）が用いられ、
そして膜厚は約５μｍとなっている。
秒ホットプレートによるプリベークし、ｉ線による露光
３００ｍＪ／ｃｍ２がなされる。その後の現像は東京応
化ＮＭＤ−３（２．３８％ＴＭＡＨ、界面活性剤入り）
を０．４％に希釈したものが用いられる。そして、常温
スプレー現像、純粋常温スプレー現像によるリンス、２
００℃５分ホットプレートによるポストベークを経て形
成される。また、前記柱状のスペーサＳＰはたとえばネ
ガ型光硬化樹脂（JSR、ＪＮＰＣ−７２）が用いられ、
そして膜厚は約５μｍとなっている。
【００５２】そして、樹脂膜を形成した後、９０℃９０
秒ホットプレートによるプリベークし、Ｇ線による露光
２００ｍＪ／ｃｍ２がなされ、その後の現像は東京応化
ＮＭＤ−３（２．３８％ＴＭＡＨ、界面活性剤入り）を
０．４％に希釈したものが用いられる。そして、常温ス
プレー現像、２３０℃６０分ホットプレートによるポス
トベークを経て形成される。
秒ホットプレートによるプリベークし、Ｇ線による露光
２００ｍＪ／ｃｍ２がなされ、その後の現像は東京応化
ＮＭＤ−３（２．３８％ＴＭＡＨ、界面活性剤入り）を
０．４％に希釈したものが用いられる。そして、常温ス
プレー現像、２３０℃６０分ホットプレートによるポス
トベークを経て形成される。
【００５３】さらに、対向電極ＣＴは、その材料として
たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられ、たと
えばスパッタリング方法により約１５０ｎｍの膜厚に形
成される。その後、たとえば東京応化ＯＦＰＲ−８００
からなるホトレジストを膜厚約１．５μｍで塗布し、９
０℃９０秒のプリベークを行なう。そして、Ｇ線による
露光３０ｍｊ／ｃｍ２を行い、東京応化ＮＭＤ−３
（２．３８％ＴＭＡＨ、界面活性剤入り）による現像
（常温浸漬６０秒）を行なう。さらに、常温純水揺動浸
漬によるリンス、１４５℃３分のポストベーク、を経た
後、王水（硝酸：塩酸＝１：３混合液）を用いたエッチ
ング、レジスト剥離を経て形成される。
たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられ、たと
えばスパッタリング方法により約１５０ｎｍの膜厚に形
成される。その後、たとえば東京応化ＯＦＰＲ−８００
からなるホトレジストを膜厚約１．５μｍで塗布し、９
０℃９０秒のプリベークを行なう。そして、Ｇ線による
露光３０ｍｊ／ｃｍ２を行い、東京応化ＮＭＤ−３
（２．３８％ＴＭＡＨ、界面活性剤入り）による現像
（常温浸漬６０秒）を行なう。さらに、常温純水揺動浸
漬によるリンス、１４５℃３分のポストベーク、を経た
後、王水（硝酸：塩酸＝１：３混合液）を用いたエッチ
ング、レジスト剥離を経て形成される。
【００５４】なお、対向電極ＣＴの材料としては、たと
えば、ITZO（Indium Tin Zinc Oxide）、IZO（Indium
Zinc Oxide）等であっても同様の効果が得られることは
いうまでもない。また、上述した実施例では、ブラック
マトリクスＢＭを導電性の材料で構成することにより、
透明基板ＳＵＢ２の液晶側の液晶表示部ＡＲの全域にわ
たって対向電極ＣＴの電位と同電位に保持させることが
できるようになる。このことは、対向電極ＣＴに供給す
る電圧信号の電位を安定化でき、低周波による輝度むら
を大幅に低減させることができる。
えば、ITZO（Indium Tin Zinc Oxide）、IZO（Indium
Zinc Oxide）等であっても同様の効果が得られることは
いうまでもない。また、上述した実施例では、ブラック
マトリクスＢＭを導電性の材料で構成することにより、
透明基板ＳＵＢ２の液晶側の液晶表示部ＡＲの全域にわ
たって対向電極ＣＴの電位と同電位に保持させることが
できるようになる。このことは、対向電極ＣＴに供給す
る電圧信号の電位を安定化でき、低周波による輝度むら
を大幅に低減させることができる。
【００５５】すなわち、ブラックマトリクスＢＭは柱状
のスペーサＳＰによって対向電極ＣＴと近接配置される
ことになり、たとえば対向電極ＣＴに＋Ｖの電位を有す
場合には、ブラックマトリクスＢＭは−Ｖの電位に保持
され、その電位は液晶表示部ＡＲの全域にわたることに
なる。このため、対向電極ＣＴに供給される信号の電位
は均一に＋Ｖに保たれることになる。
のスペーサＳＰによって対向電極ＣＴと近接配置される
ことになり、たとえば対向電極ＣＴに＋Ｖの電位を有す
場合には、ブラックマトリクスＢＭは−Ｖの電位に保持
され、その電位は液晶表示部ＡＲの全域にわたることに
なる。このため、対向電極ＣＴに供給される信号の電位
は均一に＋Ｖに保たれることになる。
【００５６】さらに、ブラックマトリクスＢＭに電位が
保持されるため、透明基板ＳＵＢ１側から透明基板ＳＵ
Ｂ２側へ縦方向の電界が発生するようになり、このこと
から液晶を駆動する効率が大きくなり、該駆動電圧を低
減させることができる効果も奏するようになる。
保持されるため、透明基板ＳＵＢ１側から透明基板ＳＵ
Ｂ２側へ縦方向の電界が発生するようになり、このこと
から液晶を駆動する効率が大きくなり、該駆動電圧を低
減させることができる効果も奏するようになる。
【００５７】実施例２．図５は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図とな
っている。図１の場合と比較して異なる構成は、柱状の
スペーサＳＰを被う対向電極ＣＴは該柱状のスペーサＳ
Ｐの頂部までは形成されていないようになっている。ま
た、ブラックマトリクスＢＭは導電性となってはおら
ず、たとえば樹脂材に黒色の顔料を含有させたのみの構
成となっている。このように構成した液晶表示装置は、
その柱状のスペーサＳＰからの汚染物が液晶側へ染み出
すのを被覆された対向電極ＣＴで防止する効果のみを図
った構成としている。なお、この実施例では、前記ブラ
ックマトリクスＢＭは導電性をもたないものをもちいた
が、必ずしもこれに限定されることはなく、導電性を有
するようにしてもよいことはいうまでもない。
置の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図とな
っている。図１の場合と比較して異なる構成は、柱状の
スペーサＳＰを被う対向電極ＣＴは該柱状のスペーサＳ
Ｐの頂部までは形成されていないようになっている。ま
た、ブラックマトリクスＢＭは導電性となってはおら
ず、たとえば樹脂材に黒色の顔料を含有させたのみの構
成となっている。このように構成した液晶表示装置は、
その柱状のスペーサＳＰからの汚染物が液晶側へ染み出
すのを被覆された対向電極ＣＴで防止する効果のみを図
った構成としている。なお、この実施例では、前記ブラ
ックマトリクスＢＭは導電性をもたないものをもちいた
が、必ずしもこれに限定されることはなく、導電性を有
するようにしてもよいことはいうまでもない。
【００５８】実施例３．図６は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図５と対応した図とな
っている。図５の場合と比較して異なる構成は、柱状の
スペーサＳＰを被う対向電極ＣＴは該スペーサＳＰの裾
の部分のみで、それより上方および頂部には該対向電極
ＣＴが被われていないことにある。柱状のスペーサＳＰ
の材料としてたとえば光硬化型の樹脂を用いた場合に、
その未硬化の部分が生じ易いのは該スペーサＳＰの裾の
内部であり、この部分から液晶を汚染する物質が放出さ
れ易いことに鑑みてなされたものである。このため、該
スペーサＳＰの裾の部分のみを対向電極ＣＴで被うよう
にしても充分な効果が得られるようになる。
置の他の実施例を示す構成図で、図５と対応した図とな
っている。図５の場合と比較して異なる構成は、柱状の
スペーサＳＰを被う対向電極ＣＴは該スペーサＳＰの裾
の部分のみで、それより上方および頂部には該対向電極
ＣＴが被われていないことにある。柱状のスペーサＳＰ
の材料としてたとえば光硬化型の樹脂を用いた場合に、
その未硬化の部分が生じ易いのは該スペーサＳＰの裾の
内部であり、この部分から液晶を汚染する物質が放出さ
れ易いことに鑑みてなされたものである。このため、該
スペーサＳＰの裾の部分のみを対向電極ＣＴで被うよう
にしても充分な効果が得られるようになる。
【００５９】実施例４．図７は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図とな
っている。図１の場合と比較して異なる構成は、保護膜
ＰＳＶ２を形成する前に柱状のスペーサＳＰか形成さ
れ、その後に該柱状のスペーサＳＰをも被って保護膜Ｐ
ＳＶ２が形成されていることにある。このようにした場
合、該柱状のスペーサＳＰを被う保護膜ＰＳＶ２もスペ
ーサとしての機能を有するともに、その傾斜は該柱状の
スペーサＳＰ自体のそれよりもなだらかに形成される。
このため、スペーサとしての機能を有する保護膜ＰＳＶ
２を被う対向電極ＣＴはその段切れが生じ難い状態で形
成される効果を奏する。また、同様の理由で、これらの
上面に形成される配向膜ＯＲＩ１のラビングが均一にで
き、いわゆるラビング影が生じないという効果も奏す
る。さらに、対向電極ＣＴを所定のパターンに形成する
際のフォトリソグラフィ技術によって柱状のスペーサＳ
Ｐの剥がれを防止することができる。柱状のスペーサＳ
Ｐを被って形成される保護膜ＰＳＶ２が該剥がれを回避
するからである。
置の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図とな
っている。図１の場合と比較して異なる構成は、保護膜
ＰＳＶ２を形成する前に柱状のスペーサＳＰか形成さ
れ、その後に該柱状のスペーサＳＰをも被って保護膜Ｐ
ＳＶ２が形成されていることにある。このようにした場
合、該柱状のスペーサＳＰを被う保護膜ＰＳＶ２もスペ
ーサとしての機能を有するともに、その傾斜は該柱状の
スペーサＳＰ自体のそれよりもなだらかに形成される。
このため、スペーサとしての機能を有する保護膜ＰＳＶ
２を被う対向電極ＣＴはその段切れが生じ難い状態で形
成される効果を奏する。また、同様の理由で、これらの
上面に形成される配向膜ＯＲＩ１のラビングが均一にで
き、いわゆるラビング影が生じないという効果も奏す
る。さらに、対向電極ＣＴを所定のパターンに形成する
際のフォトリソグラフィ技術によって柱状のスペーサＳ
Ｐの剥がれを防止することができる。柱状のスペーサＳ
Ｐを被って形成される保護膜ＰＳＶ２が該剥がれを回避
するからである。
【００６０】図８は、上述した構成において、スペーサ
が剥がれるまでの時間、ラビング影の有無、液晶比抵
抗、残像消失時間、対向電極の断線のそれぞれの試験結
果を、保護膜ＰＳＶの上面にスペーサを形成した場合と
比較して示している。なお、同図に示す柱状のスペーサ
ＳＰは、高さが５μｍ、幅１０μｍの円筒形状で、その
材料はＪＳＲ製、ＪＮＰＣ−７２ ２．３８％ ＴＭＡ
Ｈのものを用い、界面活性剤現像液は東京応化製ＮＭＤ
−３のものを用いた。また、ラビング影の観察は液晶表
示装置を黒点灯させ、配線脇の光漏れを顕微鏡で測定す
ることによって行なった。なお、この場合において、ブ
ラックマトリクスＢＭを絶縁性の材料で形成してもよ
く、また、対向電極ＣＴは、スペーサとしての機能を有
する保護膜ＰＳＶ２は少なくとも裾の部分に形成される
ようにして構成してもよいことはいうまでもない。
が剥がれるまでの時間、ラビング影の有無、液晶比抵
抗、残像消失時間、対向電極の断線のそれぞれの試験結
果を、保護膜ＰＳＶの上面にスペーサを形成した場合と
比較して示している。なお、同図に示す柱状のスペーサ
ＳＰは、高さが５μｍ、幅１０μｍの円筒形状で、その
材料はＪＳＲ製、ＪＮＰＣ−７２ ２．３８％ ＴＭＡ
Ｈのものを用い、界面活性剤現像液は東京応化製ＮＭＤ
−３のものを用いた。また、ラビング影の観察は液晶表
示装置を黒点灯させ、配線脇の光漏れを顕微鏡で測定す
ることによって行なった。なお、この場合において、ブ
ラックマトリクスＢＭを絶縁性の材料で形成してもよ
く、また、対向電極ＣＴは、スペーサとしての機能を有
する保護膜ＰＳＶ２は少なくとも裾の部分に形成される
ようにして構成してもよいことはいうまでもない。
【００６１】実施例５．図９は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す平面図で、図３に対応した図とな
っている。図３の場合と比較して異なる構成は、柱状の
スペーサＳＰにあり、この柱状のスペーサＳＰは各画素
領域ごとにドレイン信号線ＤＬに沿って形成されたもの
となっている。この場合の該スペーサＳＰを被う対向電
極ＣＴの構成は上述した各実施例のいずれに記載した構
成のものであってもよい。すなわち、図９のＸ−Ｘ線に
おける断面で観る限り、たとえば図１、図３ないし図７
のうちのいずれかに示すものと同様となっている。
置の他の実施例を示す平面図で、図３に対応した図とな
っている。図３の場合と比較して異なる構成は、柱状の
スペーサＳＰにあり、この柱状のスペーサＳＰは各画素
領域ごとにドレイン信号線ＤＬに沿って形成されたもの
となっている。この場合の該スペーサＳＰを被う対向電
極ＣＴの構成は上述した各実施例のいずれに記載した構
成のものであってもよい。すなわち、図９のＸ−Ｘ線に
おける断面で観る限り、たとえば図１、図３ないし図７
のうちのいずれかに示すものと同様となっている。
【００６２】このようにした場合、スペーサＳＰの少な
くとも側壁面に形成された対向電極ＣＴはスペーサＳＰ
の汚染放出防止の機能ばかりでなく、画素電極ＰＸとそ
の長手方向に沿って対向して配置されるため、対向電極
ＣＴ自体の機能を有するようになる。すなわち、画素電
極ＰＸが形成された平面に対して互いに向き合うように
して傾斜された対向電極ＣＴを備えるようになる。この
場合、透明基板ＳＵＢ１側から透明基板ＳＵＢ２側への
縦方向の電界成分が多くなることから、駆動電圧を低減
でき低電圧駆動を達成することができるようになる。
くとも側壁面に形成された対向電極ＣＴはスペーサＳＰ
の汚染放出防止の機能ばかりでなく、画素電極ＰＸとそ
の長手方向に沿って対向して配置されるため、対向電極
ＣＴ自体の機能を有するようになる。すなわち、画素電
極ＰＸが形成された平面に対して互いに向き合うように
して傾斜された対向電極ＣＴを備えるようになる。この
場合、透明基板ＳＵＢ１側から透明基板ＳＵＢ２側への
縦方向の電界成分が多くなることから、駆動電圧を低減
でき低電圧駆動を達成することができるようになる。
【００６３】実施例６．この実施例は、上述の各実施例
において柱状のスペーサＳＰが形成された透明基板ＳＵ
Ｂ１の液晶側の面において、対向電極ＣＴを形成する場
合のフォトリソグラフィ技術による選択エッチングの工
程において、たとえばフォトレジストの現像等の際に該
透明基板ＳＵＢ１を回転等させるようにしている。現像
液を透明基板ＳＵＢ１の表面にて均一にいきわたらせ、
また、この際に柱状のスペーサＳＰによって現像液がか
きわけられて乱流が発生し、これにより、寸法ずれのな
いフォトマスクを形成することができる。このため、こ
のフォトマスクによって対向電極ＣＴに所定のパターン
化を図る場合、その寸法ずれを小さくすることができ
る。ここで、この実施例によって形成される対向電極Ｃ
Ｔの寸法ずれは、±０．５μｍとすることができた。ち
なみに、この実施例を用いないで形成した対向電極ＣＴ
の寸法ずれは±０．９μｍであった。なお、この実施例
によって形成される対向電極ＣＴの寸法ずれの測定は、
３００×４００ｍｍ（旭硝子ＡＮ６３５、０．７ｍｍ
厚）の透明基板ＳＵＢ１において、そのコーナ部より３
０ｍｍ内側部×４カ所のそれぞれと基板中央部の線幅が
１０μｍの各対向電極ＣＴを測定した。
において柱状のスペーサＳＰが形成された透明基板ＳＵ
Ｂ１の液晶側の面において、対向電極ＣＴを形成する場
合のフォトリソグラフィ技術による選択エッチングの工
程において、たとえばフォトレジストの現像等の際に該
透明基板ＳＵＢ１を回転等させるようにしている。現像
液を透明基板ＳＵＢ１の表面にて均一にいきわたらせ、
また、この際に柱状のスペーサＳＰによって現像液がか
きわけられて乱流が発生し、これにより、寸法ずれのな
いフォトマスクを形成することができる。このため、こ
のフォトマスクによって対向電極ＣＴに所定のパターン
化を図る場合、その寸法ずれを小さくすることができ
る。ここで、この実施例によって形成される対向電極Ｃ
Ｔの寸法ずれは、±０．５μｍとすることができた。ち
なみに、この実施例を用いないで形成した対向電極ＣＴ
の寸法ずれは±０．９μｍであった。なお、この実施例
によって形成される対向電極ＣＴの寸法ずれの測定は、
３００×４００ｍｍ（旭硝子ＡＮ６３５、０．７ｍｍ
厚）の透明基板ＳＵＢ１において、そのコーナ部より３
０ｍｍ内側部×４カ所のそれぞれと基板中央部の線幅が
１０μｍの各対向電極ＣＴを測定した。
【００６４】実施例７．上述の各実施例でのスペーサ
は、ゲート信号線の上の領域に、スペーサ上に対向電極
が重畳領域を有するように構成してもよい。スペーサか
らの汚染防止の効果を奏することができるからである。
は、ゲート信号線の上の領域に、スペーサ上に対向電極
が重畳領域を有するように構成してもよい。スペーサか
らの汚染防止の効果を奏することができるからである。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、その液晶の汚染を
回避することができる。
本発明による液晶表示装置によれば、その液晶の汚染を
回避することができる。
【図１】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
構成図で、図３のＩ−Ｉ線における断面図である。
構成図で、図３のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図２】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
全体構成図である。
全体構成図である。
【図３】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】 図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図７】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図８】 図７に示した構成の効果を示す図表である。
【図９】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トラン
ジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＳＰ…柱状
のスペーサ。ＰＳＶ１…保護膜（無機材料層）、ＰＳＶ
２…保護膜（有機材料層）。
ン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トラン
ジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＳＰ…柱状
のスペーサ。ＰＳＶ１…保護膜（無機材料層）、ＰＳＶ
２…保護膜（有機材料層）。
フロントページの続き
(72)発明者 柳川 和彦
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H089 JA08 LA03 LA09 QA16 TA02
TA05 TA09
2H090 HA02 LA01 LA02 LA04
2H091 FA35Y FD04 GA03 GA07
GA08 GA13 LA30
2H092 GA35 HA03 JA24 JB52 KA19
KB04 NA25 PA03 PA06 PA09
Claims (10)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶の面側に他方の基板とのギャップを
確保する柱状のスペーサが形成され、該スペーサの少な
くとも側壁面の一部に透光性の導電材料が被覆されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電
極、有機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電
界を発生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形
成され、 前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基板の
うち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを構成
するとともに、このスペーサの少なくとも側壁面の一部
は前記対向電極の材料で被われていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電
極、有機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電
界を発生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形
成され、 前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基板の
うち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを構成
するとともに、このスペーサの少なくとも側壁面の一部
は前記対向電極の一部あるいは延在部で被われているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差されて並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 該画素領域にゲート信号線からの走査信号によって作動
される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生させる対向電極
とを備え、 前記薄膜トランジスタ、画素電極、ドレイン信号線は有
機材料からなる絶縁膜の下側の層として形成されるとと
もに、対向電極は前記絶縁膜の上側の層として少なくと
も前記ドレイン信号線に重畳して形成されるものを有し
て形成され、 前記絶縁膜のドレイン信号線の上方の一部が突出されそ
の突出部が前記各基板のうち他方の基板とのギャップを
確保するスペーサを構成するとともに、このスペーサの
少なくとも側壁面の一部は前記対向電極で被われている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の画素領域に、少なくとも画素電
極、有機材料からなる絶縁膜、前記画素電極との間に電
界を発生させる透光性の導電材料からなる対向電極が形
成され、 前記絶縁膜の一部が突出されその突出部が前記各基板の
うち他方の基板とのギャップを確保するスペーサを構成
するとともに、このスペーサは他方の基板の液晶側の面
に形成された導電性のブラックマトリクスの遮光部に対
向する位置に配置され、 かつ、該スペーサの頂部の少なくとも一部にまで前記対
向電極が延在されて形成されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項６】 他方の基板の液晶側の面にはブラックマ
トリクスをも被って絶縁膜が形成されていることを特徴
とする請求項５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶の面側に、他方の基板とのギャップ
を確保するスペーサと、このスペーサの突起が顕在化で
きる程度に該スペーサをも被って形成される有機材料か
らなる絶縁膜とが形成されているとともに、 前記一方の液晶側の画素領域の前記絶縁膜よりも下層側
にて画素電極が、該絶縁膜の上層にて前記画素電極との
間に電界を発生させる対向電極が形成され、前記スペー
サを被う前記絶縁膜の少なくとも側壁面の一部は前記対
向電極の材料で被われていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項８】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶の面側に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号により作動
される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生させる対向電極
とを備え、 前記ドレイン信号線をも被って形成された有機材料から
なる絶縁膜の該ドレイン信号線に沿って突出された突出
部を他方の基板とのギャップを確保するスペーサとして
構成し、 前記画素電極は前記ドレイン信号線の走行方向に平行に
形成された帯状のパターンとなっているとともに、 前記対向電極は前記スペーサの少なくとも前記画素電極
の側の側壁面にて前記ドレイン信号線の走行方向に平行
に形成された帯状のパターンとなって形成されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 対向電極は透光性の導電材料で構成され
ていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１０】 透光性の導電材料はＩＴＯ、ＩＴＺ
Ｏ、もしくはＩＺＯからなることを特徴とする請求項
１、２、３、５、９に記載のうちいずれかに記載の液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001385336A JP2003186023A (ja) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001385336A JP2003186023A (ja) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003186023A true JP2003186023A (ja) | 2003-07-03 |
Family
ID=27594782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001385336A Pending JP2003186023A (ja) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003186023A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005221947A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Jsr Corp | 突起および／またはスペーサー形成用の感放射線性樹脂組成物並びに突起および／またはスペーサーの形成方法 |
| US7298449B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-11-20 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2010039302A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Sony Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| US7679712B2 (en) | 2006-04-12 | 2010-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display comprising a semiconductor formed in an opening of a partition formed on a source electrode and a drain electrode and method of manufacturing thereof |
| US7697099B2 (en) | 2003-11-07 | 2010-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
| CN103309091A (zh) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 株式会社日本显示器西 | 液晶显示装置、其制造方法以及电子设备 |
| JP2015158649A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 大日本印刷株式会社 | 液晶レンズ用基板 |
| JP2016001350A (ja) * | 2015-10-06 | 2016-01-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-12-19 JP JP2001385336A patent/JP2003186023A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7298449B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-11-20 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same |
| US7697099B2 (en) | 2003-11-07 | 2010-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
| JP2005221947A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Jsr Corp | 突起および／またはスペーサー形成用の感放射線性樹脂組成物並びに突起および／またはスペーサーの形成方法 |
| JP4569119B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-10-27 | Ｊｓｒ株式会社 | 突起および／またはスペーサー形成用の感放射線性樹脂組成物並びに突起および／またはスペーサーの形成方法 |
| US7679712B2 (en) | 2006-04-12 | 2010-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display comprising a semiconductor formed in an opening of a partition formed on a source electrode and a drain electrode and method of manufacturing thereof |
| JP2010039302A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Sony Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| JP4683090B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2011-05-11 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| US8355108B2 (en) | 2008-08-06 | 2013-01-15 | Sony Corporation | Liquid-crystal display device and method of manufacturing same |
| CN103309091A (zh) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 株式会社日本显示器西 | 液晶显示装置、其制造方法以及电子设备 |
| JP2013186148A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Japan Display West Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、および、電子機器 |
| US9638961B2 (en) | 2012-03-06 | 2017-05-02 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device, manufacturing method of the same and electronic equipment |
| US10379404B2 (en) | 2012-03-06 | 2019-08-13 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device, manufacturing method of the same and electronic equipment |
| US10962842B2 (en) | 2012-03-06 | 2021-03-30 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US11397355B2 (en) | 2012-03-06 | 2022-07-26 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US11774806B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-10-03 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| JP2015158649A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 大日本印刷株式会社 | 液晶レンズ用基板 |
| JP2016001350A (ja) * | 2015-10-06 | 2016-01-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 |
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