TWI333501B - - Google Patents

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TWI333501B
TWI333501B TW96102571A TW96102571A TWI333501B TW I333501 B TWI333501 B TW I333501B TW 96102571 A TW96102571 A TW 96102571A TW 96102571 A TW96102571 A TW 96102571A TW I333501 B TWI333501 B TW I333501B
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adhesive
film
resin
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TW96102571A
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Takashi Masuko
Masanobu Miyahara
Keisuke Okubo
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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1333501 23456pif 九、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於-種I占著劑組成物、薄膜狀黏著劑、黏 著片以及使用該些的半導體裝置。 • 【先前技術】 先前’於半導體元件與半導體元件搭載用支持構件的 • 接合中，主要是使用銀膏(silverpaste)。然而，隨著近年來 半導胆元件的大型化、半導體封裝(pacl(age)的小型化及高 鲁 性能化，對所使用的支持件亦提出小型化、精密化的要求。 對於這種要求，於銀膏中，由於因濕擴散因數(wet spread factor)、溢出（overflow)或半導體元件傾斜(inciinati〇n)而造 成的線接合(wire bond)時的不良情況、銀膏厚度控制的困 難、以及銀嘗的空洞(void)產生等原因，故一直無法滿足上 述要求。因此，為了應對上述要求，近年來已開始使用薄 膜狀的黏著劑(例如，參照日本專利特開3_192178號公報、 曰本專利特開4-234472號公報）。 鲁 遠薄膜狀黏著劑(film adhensive)，目前是於單片貼附 方式（single attachment method)或者晶背貼附方式（wafer back attachment method)中使用。當使用前者的單片貼附方 式的薄膜狀黏著劑來製造半導體裝置時，首先藉由切割 (cutting)或打孔(punching)而將捲筒（reel)狀薄膜狀黏著劑 自單片中切出’然後將其黏著於支持構件上，且藉由晶片 切割（dicing)步驟將單片化的半導體元件接合於具有上述 薄膜狀黏著劑的支持件上，以製作附有半導體元件的支持 6 23456pif 構件。其後，經線接合步 , 元件(例如，參照日本專;㈣等，㈣得半導體 為了使用上述單片貼附方、4 _綱號公報）。然而，
膜狀黏著劑切出再郅菩认的薄^黏著劑，必須有蔣薄 (^mbly equipment) ： M 造成本變高之問題。此存在與使用銀膏的方法相比製 造半導體裝置時，首貝占附方式的薄膜狀黏著劍來製 _的背面，進狀黏著劑的-面貼附於半導 黏著劊的另—面。^刀^片（di血g sheet)貼附於薄膜狀 圓以單片取出，且撿:附彻f牛自上述晶 元件，將其與支接早片化潯肤狀黏著劑的半導體 而獲得半導體裝置tt’其後經線接合、密封等步驟， 附帶薄膜狀黏著⑽貼附方式的薄膜狀黏著劑，將 需將薄膜狀黏著心 部分㈣改由對附熱盤(heat bGard)等的裝置的— 著劑的|配方、、2 此，該方法作為於使用薄膜狀黏 辈老==將製造成本控制於比較低之方法而受到 ”二’ ' D ’參照曰本專利特開平4-196246號公報）。 化外Ί功!!來，除了半導體元件的小型薄型化、高性能 化的半導體震置 ^时^月丑凡例貝層 裝置的;急速 方面，因上述半導體 極薄化了二=方向發t ’ Ϊ半導體晶圓亦更進一步地 τ，搬送日^的晶圓破損、對晶背貼附薄膜 1333501 23456pif 狀黏著劑時的晶圓破損變得明顯。為.了防止這種情況，一 直是採用於晶背貼合軟質賴帶(通稱為背面研^帶( grind tape))之方法。然而，因上述背面研磨帶的軟化溫度 為小於等於HKTC，而且為了抑制由貼合時的熱應力所造 成的晶圓翹曲（warp)，故業者強烈需求可於低於1〇〇。〇溫度 下貼附於晶背之薄膜狀黏著劑。 又，為了簡化裝配步驟，目前提出有以下方法：可利
用將切割片與濤膜狀黏著劑的一面貼合之黏著片、亦即使 切軎J片（dicing sheet)與黏晶片（dieb〇nd fiim)一體化之薄膜 (以下’稱為一體型薄膜），而使與晶背貼合的步驟簡化。 為了製作如上述之-體型_，f者正謀求—薄膜狀黏著 劑，其與上述背面研磨膠帶同樣，可於低於1〇〇。〇溫度下 人曰曰用貼附，並且具有晶片切割後的拾取(pickup)性、亦即 與暫時貼合的切割片的易剝離性等半導體裝置裝配時的良 好操作特性。
^ 义川崎狀队勒考劑的半導體裝置，亦要求具有可 罪I1生亦即而;j·熱性、而；j·濕性、抗回填性(r⑷㈣似匕加㈣等。 ^ 了確保抗回填性’則要求半導體裝置於·^左右的回 二加熱溫度下’具有可抑制霉“日日層_或斷裂之高黏著強 :如此，對於可问度兼備包含低溫積層如油扯)性的操 特性與包含抗回銲性的半導體裝置可靠性之薄膜狀黏著 劑的要求逐漸增加。 士另―方面，當支持件是於其表面上具有配線的有機基 板Wganic substrate)時’為了確保半導體裝置的耐濕可靠 8 1333501 23456pif 性以及配線_絕緣可靠性，重要較確騎上述配線階 梯(wmng bump)而言具有充分的填充性（埋入性上述埋 入性’可II由於半導體元件㈣配步财，利用密封步驟 中白味注模(transfer mold)成形時的熱及壓力，而達成。缺 而’如上所述，隨著多個半導體元件的積層化的進展，於 用以將=個半導體兀件接合、積層化所f之熱 ·^ Μ㈣步驟(黏晶、以及線接合等）中，存在著盥半導體元 件的積層數的增大的同時亦鱗間化之傾向。因此，於積 層有^畔導^㈣半導辟置巾，在麟將處於最下 ㈣+導體元件與附帶配線階梯的有機基板間加以接合之 雜狀黏者射，在黏晶與轉送模成形步驟之間，經歷了 用以將上段半導體元件積層之熱歷程。因此，因加敎硬化 f使得流動性降低，且對於基板表面的配線間隔而言，變 付，以確保轉送模成形步驟巾的湘熱及壓力之埋入性。 =法確保上述埋人性時，則由於因未填充而造成空洞的 '、’而擔心其耐濕可靠性及抗回填性會降低。因此，用 乍為如上相半導體裝置最下段的半導體元件與附配 二s弟的有機基板加以接合之薄膜狀黏著劑中，較好的 =’±可確保於將半導體元件與有機基板接合的步驟亦即黏 :可對基板表面配線間隔的埋入性。為了抑制因熱應力而 j的半導體元件的㈣以及對半導體元.件上的電路面的 ’則_晶0㈣熱及壓力條件設為較進行轉送模成形 守的熱及壓力為更低溫、更低壓、進而更短時間，因此， 作為上述溥膜狀黏著劑，較好的是，於此條件不產生因起 9 1333501 23456pif 泡或未填充所造成的空料^ 間隔的埋入性之熱時流動性。確保對基板表面配線 薄：=:== =耐熱性，提出有- 性樹脂加以組合(例如 二=時流動性與包含抗回_高溫= =充分;其中，熱時流 ===。因此，為了開發高度= 【發明内容】 Μ進仃更坪細或精密之材料設計。 計，’作為用以兼備低溫加工性與耐熱性之設 ° 刖為止，提出有一樹脂組成，該樹脂組成中含右Te 厂幸乂低的聚酸亞胺樹脂(polyimide resin)或丙 (-Π g⑽)以及環氧樹脂(epoxy resin)，另外提出 2，其是藉由以增量比例添加低分子量且低黏度的 ς 曰^而於Β步驟(B_stage)c):/，獲得兼備於低溫、低壓、及 1’條件下埋入基板表面的配線間隔的熱時流動性盥C =中的耐熱性。然而’隨著環氧樹脂量的增加，系统 正肢内的離子性雜質量的增大、熱應力的增大、點著性的 降低以及耐熱性的降低等問題已明顯化。 ，於上述先前技術的問題’本發明之目的在於提供一 種黏著劑組成物以及_狀黏著劑，雜著劑組成物 備對於被黏附體的填充性(埋入性)及低溫積層性等之操作 23456pif W又3=填性等半導體裝置之可靠性。 的易剝離性^=目± =於提供—種自上述切割片上剝離 _ %作4寸性為優異之黏著片。 時的高黏著強i明之目的在於提供—種生紐優異、加熱 1·的=錢度以及耐祕為優異之半導體裝置。 究，最發明者們’為解決上述問題而進行了精心研 二’、以下解決方法。即，本發明將以下（])〜（19) 中所揭示項目作為其特徵。 ⑴-種黏著賴成物’歧肋將半導^件與被黏 附體黏者’此黏著触成物之特徵在於：其是含有⑷熱塑 !生树月a (B)以下述通式⑴所表示的雙烯丙基二醯亞胺 (bisallylnadimide)、以及(c)大於等於2官能的 functional)(甲基）丙稀酸醋化合物而成。
(式中’ R】表示含有芳香族環以及/或者直鏈、支鏈或 環狀脂肪族烴的2價有機基） (2)如上述第（1)項所述之黏著劑組成物，其中雙婦丙基 二醯亞胺是以下述結構式(Π)及/或(III)來表示。 1333501
(3)如上述第（1)或(2)項所述之黏著劑組成物，其中上 述(C)大於等於2官能的（曱基）丙烯酸酯化合物，是以下述 結構式(IV)來表示。
Η户C—Γ〇 0 ' 0 (IV) (式中，R2為2價有機基’ R3以及R4分別獨立表示礼 或甲基’ m及η是大於等於1的整數） (4) 如上述第（1)至第（3)項中任一項所述之黏著劑組成 物’其是更含有(D)馬來酿亞胺(maieimide)化合物及/或單 官能縮合多環噁嘻(oxazine)化合物而形成。 (5) 如上述第（4)項之黏著劑組成物，其中上述順丁烯二 醯亞胺化合物’是以下述通式(V)所表示之雙馬來醯亞胺 (bismaleimide)化合物、或者以下述通式(νί)所表示的盼酸 清漆(novolac)型馬來醯亞胺化合物。 12 1333501 23456pif
N—R5—N
V V 〇 〇 (V) (式中，R5是含有芳香族環以及/或者直鍵、支鍵或環 狀脂肪族烴的2價有機基）
(VI) (式中，η表示0〜20的整數） (6)如上述第（4)或(5)項所述之黏著劑組成物，其中上 述單官能縮合多環噁嗪化合物，是以下述通式(VII)所表示 的化合物。
(VII) (式中[A ]表示相鄰的碳原子共有噁嗪環而形成縮合環 之單環或者縮合多環芳香族烴環；R1以及R2分別獨立地 選自氫原子以及碳數1〜1 〇的取代或非取代之一價煙基， 1333501 23456pif 全部可相同，亦可不同，n表示〇或’1〜4的整數）。 (7)如上述第（6)項所述之黏著劑組成物，其中以上述通 式(VII)所表示的單官能縮合多環噁嗪化合物，是以下述通 式(VIII)所表示之化合物。
(VIII) (式中R1及R2分別獨立地選自氫原子以及碳數〗〜10 的取代或非取代之一價烴基，全部可相同亦可不同，η表 示0或者1〜4的整數）。 (8) 如上述第（丨）至第（7)項中任一項所述之黏著劑組成 物’其是進一步含有(Ε)環氧樹脂而形成。 (9) 如上述第（1)至第（8)項中任一項所述之黏著劑組成 物’其是進一步含有(F)填充料而形成。 (1〇)如上述第（1)至第（9)項中任一項所述之黏著劑組 成物’其中上述(Α)熱塑性樹脂是聚醯亞胺樹脂。 (11)如上述第（1〇)項所述之黏著劑組成物，其中上述聚 醯亞胺樹脂是使四羧酸二酐與至少含有以下述式(lxb)所 表示的脂肪族醚二胺的二胺進行反應所獲得之聚醯亞胺樹 脂。 ?Hs ( ?H3 X CH3 (IXb) H2N—CHCH2-|--〇—CHCH2-j-〇—CHCH2—NH2 14 1333501 23456pif (式中’P表示〇〜80的整數） (12) 如上述第（10)或第（11)項所述之黏著劑組成物，其 中上述聚醯亞胺樹脂的Tg為小於等於1⑼。C。 (13) 如上述第（1)至第（12)項中任一項所述之黏著劑組 成物，其是更含有(G)光起始劑而形成。 (14) 如上述第（1)至第（13)項中任一項所述之黏著劑組 成物，其中上述被黏附體，是附有配線階梯的有機基板。
(15) —種薄膜狀黏著劑，其特徵在於：使用如上述第 (1)至第（M)項中任一項所述之黏著劑組成物而形成。 (16) —種黏著片’其特徵在於：其是具有將如上述第 G 5)項所述之薄膜狀黏者劑及切割片積層之構造而形成。 (17) 如上述第（16)項所述之黏著片，其中上述切割片， 疋具有基材薄膜、及設置於該基材薄膜上的放射線硬化型 黏著劑層而形成。 (18) 如上述第（16)項所述之黏著片，其中上述切割片是 聚稀烴系薄膜。
、十、種半導體裝置，其特徵在於：其是具有利用如 、f ^ 至〇4)項中任—項所述之黏著劑組成物或者如上 ^ 賴狀㈣劑，將切體元件與半導體搭載 ⑴構造，以及/或者具有利用如上述第 15)頂1 項所述之黏著劑組成物或者如上述第 而形成的=咖，w以❹彻元件黏著 根據上述本發明，可提供一種薄膜狀黏著劑，其可對 15 1333501 23456pif 應於將極薄晶圓以及多個半導體元件，加以積層的半導體裝 置之晶背貼附方式。在將薄膜狀黏著劑貼附於晶背時，通 木加熱直至薄膜狀黏著劑溶融的溫度，但若使用本發明之 4膜狀黏著劑，則可以極薄的晶圓保護膠(pr〇tect 1叩£)、或 者方；低於所貼合的晶片切割帶（出匕叩tape)的軟化溫度的 恤度下貼附於晶背。藉此降低熱應力，因而可解決大直徑 :、薄化的晶圓的㈣等問題。又，可藉由黏晶時的熱及 壓力，而確保可良好地埋入基板表面的配線階梯之熱時流 動性’，可較佳地對應於將多個半導體元件積層的半導體裝 步驟。又’因可確保高溫時的高黏著強度，故可 、止熱性以及耐濕可靠性’進而可簡化半導體裝置的製 曰^可藉由使黏著劑組成最佳化，而更為降低 日日圓想曲荨的敎廡士 -Τ-, %)，可具備拾取ί生本1抑制晶片切割時的晶圓飛出（chip 釋氣(〇mga推。㈣I置製造辆㈣性、以及低 又，根據本發明，可 切割片貼合而成之黏著如仏一種將上述薄膜狀黏著劑與 功能。根據本發明之黏#其兼備切割片及黏晶片的兩種 貼附步驟簡化，且可提=片，可使至晶片切割步驟為止的 裝的組合熱歷程亦為穩種材料，其可確保即使對於封 進而，根據本發明，^性。 劑之半導體裝置。本發日耗供一種使用上述薄膜狀黏著 化、可靠性優異之半導俨之半導體裝置，是使製造步驟簡 有於半導體元件搭載用$裝置。本發明之半導體裝置’具 夺件上封裝熱膨脹係數差大的半 23456pif 導體元件時所要求之耐熱性及耐濕性·。 · 另外’本申請案基於同一申請人先前於日本國提出申 凊的曰本專利申請案第2006-013854號（申請曰2006年j 月23曰）以及曰本專利申請案第2006-197324號（申請曰 2006年7月19日）而同時主張其優先權，為了參照而將這 些申請案的說明書編入於此。 又’本發明中之術語曱基）丙烯酸酯」’是指曱基丙 稀酸醋及丙稀酸酯之兩者。 【實施方式】 本發明之黏著劑組成物，其特徵在於：其是至少含有 (A)熱塑性樹脂、（B)以下述通式(1)所表示之雙烯丙基二酿 亞胺、及(C)大於等於2官能的（甲基）丙烯酸酯化合物而形 成。
(式中，R!是含有芳香族環以及/或者直鏈、支鏈或環 狀脂肪族烴的2價有機基） 上述通式⑴中的R! ’較好的是，可列舉：苯殘基 (benzene residue)、曱苯殘基(t〇iuene residue)、二甲苯殘基 (xylene residue)、萘殘基（naphthalene residue)、直鏈 1333501 23456pif · » (linear)、支鏈(branching)、或環狀烧基(alkyl)、或者這些基 的混合基，更好的是，可列舉以下述結構式(la)、（lb)、（Ic) 中所表示的任一種以上之2價有機基。
18 1333501 • 23456pif
· (lb) 19 F3c
(式中，n表示1〜10的整數。）
其中，以下述結構式(II)所表示的液狀六亞曱基型雙烯 丙基二醯亞胺或以下述構造(III)所表示的低熔點（熔點：約 40°C)固體狀的苯二曱基型雙烯丙基二醯亞胺，亦作為構成 黏著劑組成物的不同成分之間的相溶化劑而起作用，且就 可賦予黏著劑組成物的B步驟中以良好的熱時流動性而 言，為更好。特別是，固體狀的苯二曱基型雙烯丙基二醯 亞胺，除了有良好的熱時流動性以外，亦可抑制於室溫下 薄膜表面黏著性的上升，因而改善黏著劑的操作性。再者， 上述雙烯丙基二醯亞胺，可單獨使用或者組合兩種或兩種 20 1333501 23456pif ' 以上使用。
又，本發明中使用的上述(B)雙烯丙基二醯亞胺，若於 無觸媒下進行單獨硬化，必需有大於等於250°c的硬化溫 度，因此成為實用化時的大的障礙。又，即使於使用觸媒 的系統中，僅可使用強酸(Strong acid)或鑷鹽（Onium salt) 等於電子材料中成為重大缺陷之金屬腐蝕性觸媒，且於最 終硬化中必需有250°C左右的溫度。因此，以將上述硬化 溫度設為小於等於200°C為目的而進行了各種研究，結果 發現，可藉由將雙烯丙基二醯亞胺與下述的（C)大於等於2 官能的（甲基）丙烯酸酯化合物或者馬來醯亞胺化合物中的 任一化合物併用，而達成上述目的。雖然上述反應機理的 詳細情況尚不明了，然可推測如下：藉由雙烯丙基二醯亞 胺中的烯丙基與（曱基）丙烯酸酯化合物中的（曱基）丙烯酸 酯基或馬來醯亞胺化合物中的馬來醯亞胺基之間的烯反應 21 1333501 23456pif (ene reaction)、以及迪爾-阿德反應(Dlels-Alder reaction)， 而達成立體化（參照八.1^111^,八.10^11^，”八丨1)^1^(^〇 Imides: A New Class of Heat-Resistant Thermosets", J.
Polym. Sci.，Part A Polym. Chem.,第 27 卷，第]3]0 頁 (1989)) 〇 又’為了有效地兼備本發明之黏著劑組成物的Β步驟 中的良好之熱時流動性以及C步驟中之耐熱性，上述(Β) 雙烯丙基二酸亞胺的添加量’相對於1 〇〇重量份的(Α)熱塑 性樹脂，較好的是1〜250重量份，更好的是5〜2〇〇重量 份，尤其好的是10〜100重量份。若該添加量小於]重量 份，則向兼備上述特性的效果變小的方向發展，若超過250 重量份’則向不損害薄膜形成性的方向發展，因此任一種 情況均不好。 本發明中所使用的上述(C)大於等於2官能的（甲基）丙 稀酸酯化合物，若是1分子中所含（甲基）丙烯酸官能基的 數目為大於等於2之化舍物，則無特別限制，例如可列舉： 丙烯酸戊烯酯（pentenyl acrylate)、丙烯酸四氫σ夫喃醋 (tetrahydrofurfuryl acrylate)、二乙二醇二丙稀酸酷 (diethylene glycol diacrylate)、三乙二醇二丙稀酸酉旨 (triethylene glycol diacrylate)、四乙二醇二丙稀酸酿 (tetraethylene glycol diacrylate)、三羥甲基丙烷二丙稀酸醋 (trimethylol propane diacrylate)、三羥曱基丙烷三丙烯酸醋 (trimethylol propane triacrylate)、1，4-丁二醇二丙稀酸酉旨 (1,4-butanediol diacrylate)、1,6-己二醇二丙歸酸 @旨 22 1333501 23456pif (1,6-hexanediol diacrylate)、聚乙上醇二丙稀酸酉旨 (polyethyleneglycol diacrylate)、氧化乙婦（ethyleneoxide)改 質新戊二醇丙烯酸酯(neopentyl glycol acrylate)、聚丙稀醇 二丙烯酸醋(Polypropylene glycol diacrylate)、丙稀酸苯氧 基乙S旨（phenoxyethyl acrylate)、二丙稀酸三環癸烧二經甲 基酉旨（tricyclo decanedimethylol diacrylate)、二（三經甲基）丙 烧四丙烤酸 g旨（ditrimethylolpropane tetraacrylate)、異戊四 醇三丙烯酸自旨（pentaerythritol triacylate)、異戊四醇四丙稀 酸酉旨（pentaerythritol tetraacylate)、二異戊四醇六丙烯酸面旨 (dipentaerythritol hexaacylate)、三（β-經乙基）異氰脲酸 (tris(P-hydroxyethyl)isocyanurate)的三丙稀酸酿，曱基内稀 酸戊烯酯、四氫呋喃曱基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯 酸酯、三乙二醇二曱基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙稀酸 酯、三羥曱基丙烷二曱基丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三甲基 丙烯酸酯、1,4-丁二醇二曱基丙烯酸酯、1,6-己二醇二曱基 丙烯酸酯、聚乙二醇二曱基丙烯酸酯、氧化乙烯改質新戊 二醇曱基丙烯酸酯、聚丙烯醇二曱基丙烯酸酯、曱基丙稀 酸苯氧乙基酯、三環癸烷二羥曱基二甲基丙烯酸酯、二(三 羥曱基丙烷）四曱基丙烯酸酯、異戊四醇三曱基丙烯酸酯、 異戊四醇四曱基丙烯酸酯、二異戊四醇六曱基丙烯酸酯、 三（β-羥乙基）異氰脲酸的三曱基丙烯酸酯等。又，除上述 以外’以及可列舉以下述結構式（IV)所表示的2官能的（曱 基）丙烯酸酯等，其中，以下述結構式(IV)所表示的液狀2 官能的（曱基）丙烤酸酯化合物，就可賦予Β步驟以良好的 23 1333501 23456pif 熱時流動性之方面而言，為較好。另‘外，下述結構式(ιν) 的具體例，可列舉：以下述結構式(IVa)所表示的2官能的 (曱基）丙烯酸酯、或者以下述結構式(IVb)所表示的2官能 的（曱基）丙烯酸酯等。另外，以上（曱基）丙烯酸酯化合物， 可單獨使用或者將兩種或兩種以上併用。 h2c=c—c—o-^-h2ch2co ο
och2ch 2~\〇—C—C==CH2 Π〇 (IV)
(式中5 R2為2價之有機基，R3以及R4分別獨立表不 氫或者曱基，m及η為大於等於1的整數） Η,Ο
OCH2CH
—c—c=ch2 II 2 〇 (IVa)
(式中，R3表示氫或者曱基，m以及p為大於等於1 的整數） H2C=C—C—0 〇 -h2ch2co· q
och2ch24o—c—Ο r〇 -ch2 (IVb) (式中，R4表示氫或者曱基，q以及r是大於等於1的 整數） 又，上述(C)大於等於2官能的（曱基）丙烯酸酯化合物 的添加量，相對於100重量份的上述(B)雙烯丙基二醯亞 胺，較好的是1〜250重量份’更好的是5〜200重量份’ 尤其好的是〇〜1 〇〇重量份。若其添加量小於1重量份，則 存在無法賦予雙烯丙基二醯亞胺以低溫硬化性之傾向， 24 1333501 23456pif 又’若超過250重量份’則存在釋氣、量增多同時耐熱性受 損之傾向。 構成本發明之黏著劑組成物的(A)熱塑性樹脂，並無特 別限定，例如可使用選自以聚醯亞胺樹脂（P〇]yimide resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、聚醯胺醯亞胺樹脂 (polyamide imide resin)、聚_酿亞胺樹脂(p〇lyether imide resin)、承月女®日 亞胺樹脂(polyurethane imide resin)、聚胺 酯醯胺醯亞胺樹脂(polyurethane amideimide resin)、石夕氧烧 酿亞私樹脂（siloxane polyimide resin)、聚g旨酿亞胺樹脂 (polyester imide resin)、或者其等的共聚物、其他為苯氧基 樹脂(phenoxy resin)、聚砜樹脂(p〇丨ysuif〇ne奶叫、聚醚颯 樹脂(P〇iyethersuif〇neresin)、聚苯硫醚樹脂(p〇lyphenylene sulfide resin)、聚酯樹脂（p〇lye伽⑽叫、聚醚酮樹脂 (polyether ketone resin)、重量平均分子量為丨〇萬〜丨⑼ 的（甲基)丙烯酸共聚物等所組成之族群中的至少丨種或萬】 種以上之樹脂，其巾較好的是使用親亞胺樹脂。 上述聚醯亞胺樹脂，例如可利用眾所周知的方法使四 ^^^(tetracarboxync dianhydnde)#^„(diamirie)it# 縮合反應，而獲得。亦即，於右嬙、、六t mm 有機劑中，使四叛酸二酐與 一胺以荨莫耳 或者根播, lp .. 很n相對於吨酸二酐的合計 1.0 mo卜二胺的合計〇 5〜9 η 1 θ 〇 ο 1π . ·0 m〇1，將上述組成比調整為 較好的疋0.8〜L0 _的範圍(各成分 反應溫度小於等於8〇。(：、軔妊& θ 厅]心）於 U #乂好的是〇 C〜60。(：下進行加# 反應。隨著反應的進行，反庫L卜退仃加成 丁汉應液的黏度緩慢上升，有且作 25 丄 丄 23456pif 與二胺的:::物:::胺酸產生’另外’若四羧酸二酐 的合計為超過20mnl 久酉夂一酐的σ °十】.〇mol，二胺 =?亞_物: 二量:多二二^
量變低，勺八士义斤k的聚醯亞胺樹脂的重量平均分子 降低。又匕:4§:ΐ黏著劑組成物的耐熱性之各種特性 化成分時，；：=些末端具有反應性的環氧樹脂等硬 =者劑組成物的保存穩定性變差之傾向，該：向ΐ; 上述組成比並不==多_得明t因此，偏離 聚醯亞胺樹θ y σ下所t，因％氧樹脂亦作為 故考歲到= 亞胺寡聚物的交聯劑而起作用， 當決;四_二=著==必=性’較好的是適
n / 酸，亦可藉由於6G C〜8G°C的溫度下 二 '、、:以使其解聚合，而調整其分子量。聚酸亞胺樹脂， Μ上述反應物（聚_酸)進行脫水閉環，而獲得。脫水 展可利用加熱處理的熱閉環法、及使用脫水劑的化學 閉壞法而進行。 ^又，為了抑制本發明之接層劑組成物各特性的降低， 較好的是，於使用前於低於單體熔點10。〇〜20它的低溫度 一將上述一酐加熱乾燥1 2小時以上，或者以無水乙酸進 仃再結晶精製處理；作為原料之純度指標，較好的是使用 26 1333501 23456pif 示差掃描熱量測定儀(D S C)測定的吸熱起始溫度與吸熱峰 的溫度差為10°C以内。另外’上述吸熱起始溫度以及吸熱 峰溫度’是使用以下列條件進行測定時的值：使用 DSC(Perkindmer公司製DSC-7型），樣品量為5 mg，升溫 速度為5°C/min，測定環境：氮氣。 用作上述聚酿亞胺樹脂原料的上述四叛酸二肝，並無 特別限制，例如可列舉.均苯四曱酸二g：p (pyr⑽ellitic dianhydride)、3,3丨，4,4'-聯苯四曱酸二酐（3,3'，4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride)、2,2，，3,3，-聯苯四甲酸二酐、2,2- 雙(3,4-二羧基苯基）丙烷二酐、2,2_雙(2,3_羧基苯基）丙烷二 酐、1，1-雙(2,3-二羧基苯基）乙烷二酐、丨山雙^，‘二羧基苯 基）乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基）曱烷二酐、雙(3,4_二羧 基苯基）曱烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基）颯二酐、3,4,9,]0-一奈甘欠本四曱酸一酉于（3,4,9,10-perylene tetracarboxylic dianhydride)、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯4,2,3,4-四甲 酸二酐、3,3,3',4'-二苯曱酮四曱酸二酐、2,3,2,,3,-二苯曱酮 四曱酸二酐、3,3,3'，4’-二苯曱酮四曱酸二酐、1,2,5,6-萘四 曱酸二酐、1，4,5,8-萘四曱酸二酐、2,3,6,7-萘四甲酸二酐、 1，2,4,5-萘四曱酸二酐、2,6-二氯化萘-1,4,5,8-四曱酸二酐、 2,7-二氣化萘-1,4,5,8-四曱酸二酐、2,3,6,7-四氯化萘 -1，4,5,8-四曱酸二酐、菲-1,8,9,10-四曱酸二酐 (phenanthrene-1,8,9,10-tetracarboxylie dianhydride) 、 口比嘻 -2,3,5,6-四叛酸二 g干（pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride)、噻吩-2,3,5,6-四曱酸二酐(thi〇phene-2,3,5,6- 27 1333501 23456pif tetracarboxylic dianhydride)、2,3,3’,4r-聯苯四曱酸二酐、 3,4,3'，4'-聯苯四曱酸二酐、2,3,2|，3|-聯苯四甲酸二酐、雙 (3,4-二羧基笨基）二曱基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基笨基）曱 基苯基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷二酐、n 雙（3,4-二羧基苯基二曱基曱矽烷基）苯二酐（1，4-1)叫3,4-dicarboxyphenyldimethylsilyl)benzene dianhydride)、1，3_雙 (3,4-二羧基苯基)-1，1，3,3-四曱基二環己烷二酐、對伸笨基 雙(偏苯三酸酉干）(p-phenylene(trimellitate anhydride))、乙稀 四曱酸二酉Kethylene tetracarbonic acid anhydride)、1,2,3,4- 丁烧四曱酸二酐、十氫化萘-1，4,5,8-四曱酸二酐((16〇&丨1>^〇 naphthalene-l，4,5,8-tetracarbonic acid anhydride)、4,8-二曱 基-1，2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四曱酸二酐、環戊烧-1,2,3,4-四甲酸二酐、D比口各烧-2,3,4,5-四曱酸二肝①丫犷⑺⑹丨此-2,3,4,5-tetracarbonic acid anhydride)、1，2,3,4-環丁;)：完四曱酸 二酐、雙（外雙環[m]己烷_2,3_二曱酸二酐(bis(ex〇七icyl〇 [2.2.1]heptane-2,3-dicarbonic acid anhydride)、雙環[2.2.2] 辛烷-7-烯-2,3,5,6-四曱酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基）丙 烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]丙烷二酐、2,2-雙 (3,4-二羧基苯基）六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基） 苯基]六氟丙烷二酐、4,4·-雙(3,4-二羧基笨氧基)二苯硫醚二 酐 （4,4’-bis(3,4-dicarboxyphenoxy) diphenylsulfide dianhydride)、1，4-雙（2-羥基六氟異丙基）苯雙（偏苯三酸 酐）、1,3-雙(2-羥基六氟異丙基）苯雙(偏苯三酸酐）、5-(2,5-二氧四氫呋喃基）-3-曱基-3-環己烯-1，2-二曱酸二酐 28 1333501 (5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-'3-cyclohexene- ]，2-dicarbonic acid anhydride)、四氫咳喃-2,3,4,5-四曱酸二 酐(tetrahydrofurane-2,3,4,5-tetracarbonic acid anhydride)、 4,4'-氧基二（苯二曱酸二酐）、以下述結構式（10)所表示的四 羧酸二酐、以下述結構式（11)所表示的四羧酸二酐，其中， 就可賦予優異之耐濕可靠性而言，較好的是4,4'-氧二（苯二 甲酸)二酐，或者以下述結構式（11)所表示的四羧酸二酐。 這些四敌酸二酐，可單獨使用或者組合兩種或兩種以上使 用。
(式中，η表示2〜20的整數)
又，以上述結構式（10)所表示的四羧酸二酐，例如， 可由偏苯三酸酐一氣化物（trimellitate anhydride monochloride)以及對應的二醇而合成。偏苯三酸酐一氯化 物，例如可列舉：1，2-(伸乙基)雙(偏苯三酸酐)(1，2-(ethylene) bis(trimellitate anhydride))、1,3-(三亞曱基）雙（偏苯三酸 ^)(l，3-(trimethylene)bis(trimellitateanhydride；))、l,4-(ra# 29 1333501 23456pif 曱基）雙（偏笨三酸酐）、l，5-(五亞曱基）雙（偏苯三酸酐）、 1,6-(六亞曱基）雙（偏苯三酸酐）、1，7-(七亞甲基）雙（偏笨三 酸酐）、1，8-(八亞曱基)雙(偏苯三酸酐）、1，9-(九亞曱基)雙(偏 苯三酸酐）、U0-(十亞曱基)雙(偏苯三酸酐）、1,12-(十二亞 曱基)雙(偏苯三酸酐）、1，16-(十六亞曱基)雙(偏苯三酸酐）、 1，18-(十八亞曱基)雙(偏苯三酸酐）等。 用作上述聚醯亞胺樹脂原料的上述二胺，並無特別限 制，例如可列舉：鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、3,3匕 二胺基二苯醚(3，3 '-diaminodiphynyl ether)、3,4'-二胺基二笨 醚、4,4’-二胺基二苯醚、3,3'-二胺基二苯基曱烷（3,3，_ diaminodiphynyl methane)、3,4'-二胺基二苯基曱烧、4,4’- 二胺基二苯基曱烷、雙(4-胺基-3,5-二曱基苯基）曱烷、雙(4_ 胺基-3,5-二異丙基苯基）甲烷、3,3’-二胺基二苯基二說曱 烷、3,4·-二胺基二苯基二氟甲烷、4,4’-二胺基二苯基二氟 曱烧、3,3’-二胺基二苯石風(3,3'-diamino diphenylsulfone)、 3,4'-二胺基二苯砜、4,4’-二胺基二苯颯、3,3'-二胺基二苯硫 醚、一月女基一本硫i^p/’-diaminodiphenylsulfide)、4,4'_ 二胺基二苯硫醚、3,3，-二胺基二苯基酮（3,3，-diamino diphenylketone)、3,4'-二胺基二笨基酮、4,4，_二胺基二苯基 酮、2,2’-雙(3-胺基苯基）丙烷、2,2,_(3,4，_二胺基二苯基）丙 烧、2,2-雙(4-胺基苯基）丙垸、2,2_雙(3_胺基苯基）六氣丙 烧、2,2-(3,4’-二胺基二笨基)六i丙烧、2,2_雙&胺基笨基) 六氣丙烧、1，3-雙(3-胺基笨氧基)笨、M-雙(3_胺基苯氧基) 苯、雙(4·胺基苯氧基)苯、认(1，4·伸苯基雙&甲基亞 30 1333501 23456pif 乙基））二苯胺（3,3’-(l,4-phenylenebis(l-methyl ethylidene))bisaniline)、3,4’-(1，4-伸苯基雙（1-曱基亞乙基)) 二苯胺、4,4'-(l,4-二伸苯基雙(1-甲基亞乙基))二苯胺、2,2_ 雙(4-(3-胺基二苯氧基)苯基）丙烷、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基) 本基）六氟丙炫、2,2-雙(4-(4-胺基苯氣基)苯基）六氟丙燒、 雙（4-(3-胺基苯氧基）苯基）硫_ (bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl) sulfide)、雙(4-(4-胺基苯氧 基）本基）硫酸、雙（4-(3-胺基苯氧基）苯基）石風 (bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone)、雙(4-(4-胺基笨氧 基)笨基>風、3,3’-二羥基-4,4'-二胺基聯苯、3,5-二胺基笨曱 酸(3,5-diaminobenzoic acid)等芳香族二胺、1,3-雙（胺基甲 基)環己烷、2,2-雙(4-胺基苯氧基笨基）丙烷、以下述式(Ιχ) 所表示的脂肪族醚二胺、更具體而言，為下述結構式(D(a) 的脂肪族醚二胺中之任一者，或者以下述式(IXb)所表示的 脂肪族醚二胺，進而以下述結構式(χ)所表示的脂肪族二胺 等。
η2ν
Qi—HO Q2U〇~Q^—_ (IX) (式中’ Q丨、Q2以及Q3分別獨立表示碳數為1〜10的 伸燒基，m表示2〜80的整數） 31 1333501 23456pif H2N-fCH2^-〇-(CH2V〇^CH2^-NH2 HzN-fCHz^O-fCHz^O-^CHz^-O-iCHzVNHz H2N-fCH2^-〇4CH2^-〇4CH2^-〇4CH2)j-〇-fCH2^-NH2 H2N-fCH2)5-f〇-(CH2)4}7〇-fCH2^j-NH2 Mw=350 H2N-6CH2)jf 0 4CH2)j^- O-f CH2)7NH2 Mw=750 h2nKch24^cHch2)^chch2^nh2 Mw=1100 H2hHCH2^{<HCH2^^0—CH2^"NH2 Mw=2100 HzN-CH(CH3HCH2>{〇-CH(CH3HCH2H^-〇-(CH2)-CH(CH3)-NH2 Mw=230 h2n-ch(ch3Hch2>{o-ch(ch3Hch2)^-〇^ch23-ch(ch3>-nh2 Mw=400 H2N-CH(CH3HCH2>{〇-CH(CH3HCH2^ 0-eCH2)-CH(CH3)-NH2 Mw=2000 .•(IXa)
(式中，n表示2〜80的整數） 9h3 , ch3 、 ch3
I / I \ I h2n—chch24-〇—CHCH2-)-〇—chch2—nh2 v 八 (IXb) (式中，P表示0〜80的整數） H2N-fcH2^NH2 (χ) (式中，n表示5〜20的整數） 以上述結構式(X)所表示的脂肪族二胺，具體而言，可 歹J舉丨，2-乙__胺、1，3-丙二胺、1,4-丁二胺、1，6-戍二胺、 1,6_ 己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、1，9-壬二胺、1，10- 癸二胺、Ml-二胺基十一烷、1，12-二胺基十二烷、1,2-環 己二胺等。 又’在決定上述聚醯亞胺樹脂之組成時，其玻璃轉移 溫度（以下’稱為Tg)，較好的是將其設計為小於等於 I00C ’更好的是設為8(TC以下，更好的是-2(TC〜60。(：， 32 1333501 23456pif 尤其好的是-20°C〜40°C。若該Tg超過l〇〇°c，則如下所 述’向晶背貼附的溫度超過8 0 C之可能性變高。另一方 面，若Tg低於-20°c，則存在由本發明之黏著劑組成物所 組成的薄膜表面於B步驟狀態下之黏著性變得過強，因而 操作性變差之傾向。為了將該Tg設計為小於等於1〇(rc， 則較好的是’使用以上述式(IXb)所表示的脂肪族峻二胺， - 作為成為聚酿亞胺樹脂原料的二胺。耳f而士，
Suntechnochemical(股份）製 Geffermine D-230、D-400、 • D-2_、D-4000、ED-600、ED-900、ED-2001、ΕΕ)ΓΜ48、 BASF(製）聚醚胺D_23〇、ΕΜ00、D_2〇〇〇等聚氧基伸炫基 二胺(polyoxyalkylenediamine)等脂肪族醚二胺。以上述式 所表示的脂肪族醚二胺’當該式(Ixb)的p為大於等於 ¥，#乂好的疋總一胺的1〜莫耳％，更好的是5〜6〇 莫耳/。。若小於1莫耳％，則存在變得難以賦予本發明之 黏著劑組成物以低溫黏著性、熱時流動性之傾向，另一方 面’ f大於80莫耳％，則存在聚酿亞胺樹脂的Tg變得過 •低、’薄膜的自我支持性受損的可能性變高之傾向。再者， ^述Tg’是將本發明之黏著劑組成物進行薄膜化時的主分 峰破度二是使用Rheometrics公司製黏彈性分析儀 、2 ，溥膜大小為35 mmxio mmx40 μητι厚度、升溫 速度為5 C/min '頻率為〗Ηζ、測定溫度為_15〇。〇〜3〇〇它 Η卞件下進行測疋，且測定Tg附近的加δ峰溫度，將該 溫度作為主分散溫度。 又，上述二胺’亦可使用以下述通式（12)所表示的矽 1333501 23456pif 氧烧二胺。 Q5 Q7 H2N~Q4- Si- - 0— Si- - q9- NH, (12) (式中，Q以及Q9分別獨立表示碳數卜5的伸 或者可具有取代基的伸苯基，q5、q6、q7以及q8分另= 立表示碳數1〜5 基、苯基或者苯氧基，p表示ι〜蜀 的整數） 5 更具體而言，上述式（12)中，(1)為1時），存在有：u,33_ 四曱基-1，3-雙(4-胺基苯基）二石夕氧垸⑴^她邮灿外 l，3-b1S(4-aminophenyl)disil〇xane)、u，3,3_ra 苯氧基_13 雙 (4-胺基乙基)二魏烧、u，3,3_四笨基]，3_雙(2_胺基乙基） 二石夕氧烧、1，1，3,3-四笨基_1，3_雙(3_胺基丙基)二石夕氧烧、 1，1，3,3-四曱基_1，3_雙(2_胺基乙基)二石夕氧烧、u二3_四曱 基-1，3-雙(3-胺基丙基)二石夕氧烧、四甲基u-雙(3_ 胺基丁基)二發氧烧、1，3-二曱m甲氧基^雙⑷胺 基丁基)一石夕氧烧等；（P為2時），可列舉：ι，],3,3,5 5-六曱 基-1，5_雙（4-胺基苯基）三矽氧烷〇，丨，3,3,5,5_hexamethyi_ l，5-bis(4-aminophenyl)trisiloxane)、1 1 5 5-四茉美 U -甲 基-U-雙(3-胺基丙基)三嫩)M二 氧基-1，5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、】四苯基_3,3_二 曱氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、u,5,5_四曱基_3,3_ 一甲氧基-1,5-雙(2-胺基乙基）三矽氧烧、四曱基 -3,3-一曱氧基_1，5_雙(4-胺基丁基）三矽氧烷、四曱 34 1333501 23456pif 基-3,3-二f氧基·1，5‘雙(5_絲戊基)与氧⑥、 六曱基-1,5-雙（3-胺基丙基）三矽氧烷、} 3 ，，5- -1，5-雙(3-胺基丙基)三石夕氧烧、^说^六丙基^、^ 胺基丙基)三矽氧烷等矽氧烷二胺。 ，又(3- 上逖合禋二胺 … w 丁巧〜711次有將兩種或由备 以上組合使用。進而’由上述各種酸二軒與二 ^ ^ 各種聚酿亞胺樹脂，可單獨使用或者根據需要 種以上加以混合(摻合）。 里我译
又，
上述聚si亞胺樹脂的重量平均分子量， 控制於10000〜200000的範圍内，更好的是^ :是 100000，尤其好的是2麵〜8_。若上述聚酿亞二 的重量平均分子量在丨麵〜誦⑻的範圍内，則將= 其的本發明之黏著劑組成物製成料狀或者薄膜狀時^ 度、可撓性、及黏著性為適當，而且熱時流動性為適當， 故可確保埋入基板表面配線階梯的良好埋入性。另外:若 上述重量平均分子4小於1G_，則存在薄卿成性變^ 之傾向，而且存在薄膜的強度變小之傾向。另一方面，若 上述重量平均分子量超過200000，則存在熱時流動性^ 差，對於基板上的凹凸的埋入性降低之傾向，因此兩者均 不好。又，上述重夏平均分子量，是使用高性能液相層析 儀(high performance liquid chiOmatograph)(島津製作所製 C-R4A)，以聚苯乙稀換算所測定的重量平均分子量。 如上所述，若用作（A)熱塑性樹脂的聚酿亞胺樹脂之
Tg為小於等於i〇(TC，且其重量平均分子量為100⑻〜 35 丄：)：)：> 丄 23456pjf =範圍内’ f不僅可將由含有其的本發明之黏著劑 附l斤組成的黏著劑薄板或者薄膜狀黏著劑向晶背的貼 度控制於低溫，而且亦可降低將半導體 =導體搭載用支持件時之加熱溫度(點= (lebondmg temperature)) ’可抑制半導體元件翹曲的增 大。進而，可有效地賦予黏晶時的流動性。又，當上述^ 導體元件搭載用支持件為有機基板時，可確保控制進行黏
晶時於加熱溫度下因上述有機基板的吸濕水分的氣化所形 成蒸氣壓之強度，可抑制因上述蒸氣壓所造成的黏晶材層 的起泡。 胃 除上述必須成分(A)、（Β)及(C)以外，本發明之黏著劑 組成物，較好的是更含有(D)馬來醯亞胺化合物及/或單^ 能縮合多％ °惡。秦化合物而形成。
上述馬來醯亞胺化合物’並無特別限定，但較好的是 於分子内含有大於等於2個馬來醯亞胺基的化合物，例如 可列舉：以下述通式(V)所表示的雙馬來醯亞胺化合物，气 者以下述通式(VI)所表示的酚醛清漆型馬來醯亞胺化合物 等。 〇
(式中’ &是含有芳香族環以及/或者直鏈、支鏈或王署 36 1333501 23456pif 狀脂肪族烴的2價有機基)
(式中，η表示0〜20的整數）
上述式(V)中的R5若為含有芳香族環以及/或者直鏈、 支鏈或環狀脂肪族烴的2價有機基，則無特別限定，但較 好的是，可列舉：苯殘基、曱苯殘基、二曱苯殘基、萘殘 基、直鏈、支鏈、或環狀烷基，或者這些基的混合基，更 好的是，可列舉於上述結構式(Ia)、（Ib)、（Ic)或下述結構式 (Id)中所表示的任一種或一種以上之2價有機基。
37 1333501 23456pif (式中，n是1〜i〇的整數。） 相、<有效赋予本發明之著劑組成物的C步驟中
、而'，墟以及向溫#著力而言，可較佳地使訂述結構式 (:=，丁烯二酿亞胺化合物及/或上述 清漆型馬來醯亞胺化合物。 ㈣ 〇
又，為了使上述馬來酿亞胺化合物硬化，，亦 丙基(allyl)化雙紛八、氛酸酯(cya崎)化合物等，或者 使用過氧化轉㈣。這些用於硬化的化合物或觸媒之添 加量以及有無添加，可在可確保作為目的之特 以適當調整。 加 ，是以下述通式 又，上述單官能縮合多環噁嗪化合物 (VII)所表示的化合物。
(式中[A]表示相鄰的碳原子共有噁嗪環而形成縮合環 之單環或縮合多環芳香族烴環，R1以及R2分別獨立地選 自氫原子以及碳數1〜10的取代或非取代之一價烴基，全 部可相同亦可不同，n表示〇或者1〜4的整數）。土 38 1333501 23456pif 以上述通式(VII)中的[A]所表示的相鄰的碳原子共有 噁嗪裱而形成縮合環之單環或縮合多環芳香族烴環，例如 ^列舉：苯環、萘環、蒽環等，其中較好的是苯環。又， R1以及R2，例如可列舉：氫原子、甲基、乙基、丙基、異 丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、 癸基、十二烷基等鏈狀烷基，環戊基、環己基、環丁基、 %戊烯基、環己烯基等環狀烷基，节基、苯乙基等芳基取 代烷基，曱氧基取代烷基、乙氧基取代烷基、丁氧基取代 烷基等烷氧基取代烷基，二甲基胺基、二乙基胺基等胺基 取代烷基，羥基取代烷基、乙烯基、丙烯基、丁烯基等烯 基’笨基、萘基、聯苯基等無取代芳基(aryl)，甲苯基、二 曱基苯基、乙基笨基、丁基苯基、第三丁基笨基、二曱基 萘基等烷基取代芳基，甲氧基苯基、乙氧基苯基、丁氧基 苯基、第三丁氧基苯基、甲氧基萘基等烷氧基取代芳基等， 其中較好的是氫原子、甲基、苯基、曱苯基、丙烯基(allyl)。 又’上述通式(VII)中的η表示〇或者1〜4的整數，較好 的是〇或者1。 上述單官能縮合多環°惡°秦化合物的較好的構造，是以 下述通式(VIII)來表示，進而可例示以下述結構式（！）〜(9) 的化合物。 ΓΤ〇χι (R2)/^X/NvR, (VIII) (式中R1及R2分別獨立地選自氫原子以及碳數〗〜 39 1333501 23456pif 的取代或非取代之—價烴基，全部吁相同亦可不同；n表 示ϋ或者1〜4的整數）。 〇、
〇 (1)
No (2) °Ί 丨丨N、CH3⑶
N (4) CH3
(5) CH,
Ν· (6) CH3
V7) ch2=ch-ch:
N.(8)
N (9) ch2-ch=ch2 上述單官能縮合容 法，由1分子中且右！衣噁嗪化合物，可利用周知的方 八 個粉性經基、且將位於經基@鄰位 的至少1個羥基取代之單严十π人少垆“# 巷的钟1 早％或細合多％ S分類、甲駿、以及 1分子中具有1個胺基的—級胺類而合成。例如，可使用 將酚類溶解於二噁烷(dioxane)、甲苯、甲醇、乙二醇二曱 醚(ethylene glycol dimethylether)等溶劑中，再將—級胺類 及甲醛添加於其中的方法。通常是於無觸媒條件下使反鹿 進行，但亦可使用鹼金屬、鹼土類金屬的氫氧化物、: 1333501 23456pif 胺等作為觸媒。原料的投入比，通常為酚類/一級胺類/曱 醛=1/2(莫耳比）’於反應溫度60°C〜120T：下使其反應2 〜24小時。經過規定時間後’可藉由以蒸餾等方法將作為 反應生成物之有機層及反應中生成的縮合水排除至系統 外，而獲得作為目的之單官能縮合多環噁嗪化合物。 當使用上述(D)順丁烯二醯亞胺化合物及/或單官能缩 合多環噁嗪化合物時之添加量’相對於100重量份的(A) 熱塑性樹脂，上述(D)馬來醯亞胺化合物以及/或者單官能 縮合多環。惡嗪化合物的合計量’較好的是1〜200重量份， 更好的是5〜1〇〇重量份，尤其好的是1〇〜80重量份。若 §亥添加堇小方；1重里伤’則存在無法有效賦予C步驟中的 耐熱性之傾向，若超過200重量份，則存在薄膜形成性受 損之傾向。 進而，本發明之黏著劑組成物，較好的是含有(Ε)環氧 樹脂。所使用的(Ε)環氧樹脂，並無特別限定，更好的是於 分子内含有至少2個環氧基，就硬化性或硬化物特性而 5，最好的疋苯酚的環氧丙基醚(glycidyl ether)型環氧樹 脂。具體而言，例如可列舉：雙酚A型（或者AD型、s型、 F型）的環氧丙基醚、氫化細A型的環氧丙基醚、乙稀氧 化物加成物雙⑽A型的醇環氧丙基鍵、丙烯氧化物加成物 雙盼A型的環氧丙躺、祕清漆樹脂㈣⑽1 novolac _)的環氧丙基_、鄰曱_樹脂㈣。丨的 壞乳丙基_、_緖_脂的環氧丙細、萘樹脂的環 氧丙基峻、3冑能型（或者4官能型）的環氧丙基鱗、雙環戊 23456pif 一 对月日（dicyclopentadien pheno】 resin)的環氧丙基、 acid)的環氧丙基酯、3官能型（或者4官能 、、縮水甘油胺、奈樹脂的縮水甘油胺等。這些可單獨使 a =者將兩種或兩種以上組合使用。又，上述環氧樹脂， :，貝_子即驗金屬離子、驗土類金屬離子、鹵素離子、 是氯離子或水解性氯等降低至3〇〇ppm以下的高純度 柯带口 °亥％氧树脂可防止電遷移(electromigrati〇n)或金屬導 月豆电路的腐蝕，故為較好。 ，當使用上述聚醯亞胺樹脂作為(A)熱塑性樹脂時， 八)每氧樹脂’因加熱而與魏亞胺韻巾所含的募聚物成 刀的酸或者鱗的反應性末端基進行反應，因此 :;== 的交聯劑而起作用。因此’當選擇聚醯亞胺樹 曰為()'、，'塑性樹脂時，除了添加(B)雙稀内基二酿亞胺 於等於2官能的丙烯酸酯化合物以外再添加(E) 日，可達成C步驟的高交聯密度，就可賦予本發明) 站者劑組成物以高溫時的高黏著力而言，為較好。又， 、:：：予本發明之黏著劑組成物以B步驟中 ==的 熱塑性樹脂，較好的是。.。卜·重量份，更好里'的A) 1 重〇〇4量好:是5〜5〇重量份姻 在難以獲得因添加環氧樹脂而形成高溫時的 二钻者力效果之傾向，若超過200重量份，則薄膜 叉損，系統全體的離子性雜質變多，加熱時的釋氣量變多， 42 1333501 23456pif . 又，存在黏著性降低之傾向。 又，當使用上述(E)環氧樹脂時，根據需要可使用硬化 劑’藉此’可抑制半導體裝置裝配加熱時成為半導體元件 或者裝置等的污染原因之加熱時的釋氣。該硬化劑，例如 了列舉，齡系化合物、脂肪族胺、脂壞族胺、芳香族聚胺、 聚醯胺、脂肪族酸酐、脂環族酸酐、芳香族酸酐、二氰二 自监胺(雙氰胺’ dicyanediamide)、有機酸二臨肼、三氟化石朋 胺錯合物、咪唑類、第三級胺等，其中較好的是酚系化合 物’更好的是，分子中至少具有2個酚性羥基的酚系化合 物。上述酚系化合物，例如可列舉：酚醛樹脂（phen〇1 novolac resin)、鄰曱酚酸樹脂（cres〇l nov〇iac resin)、第三 丁基酚經樹脂、二環戊二烯鄰曱酚醛樹脂、二環戊二稀紛 醛樹脂、苯二曱基改質酚醛樹脂、萘酚系化合物(naphth〇丨 compound)、三苯酚系化合物（trisphen〇1 c〇mp〇und)、四盼 類酉分搭樹脂(tetrakis phenol novolac resin)、雙酚A盼酸樹 月曰、聚-對-乙稀基苯紛樹脂(p〇ly_P_vinylphen〇lresin)、苯西分 芳烧基樹脂(phenol aralkyl resin)等，其中，較好的是，數 量平均分子量為400〜1500的範圍的化合物。另外，為了 確保本發明之黏著劑組成物的硬化物之耐熱性，酚系化合 物的添加量，以環氧樹脂的環氧當量與酚系化合物的羥^ 當量的當量比計，較好的是0.95〜1.05 : L05。 又’根據需要，亦可使用硬化促進劑。該硬化促進劑， 若可促進熱硬化性樹脂的硬化，則無特別限制，可使用周 知的硬化促進劑，例如可列舉：咪唑類(imidaz〇le)、二氰 43 1333501 23456pif 二酿胺衍生物（dicyandiamide derivative)、二醯二肼 (dicarboxylic dihydrazide)、三苯基膦（triphenyl phosphine)、四苯基鱗四苯石朋酸醋（traphenyi phophonium tetraphenylborate)，2-乙基-4-甲基咪唑-四苯硼酸酯 (2-ethyI-4-methylimidazole tetraphenylborate)、1,8-二氮雜環 雙[5.4.0]十一烯 _7_ 四苯硼酸醋（1，8_diazabicyd〇[5 4 〇] undecene-7-tetraphenylborate)等。
"、十奴％<鉑者削殂烕物中，亦可添加(F)填充 料。該填充料，例如可列舉：銀粉、金粉、銅粉、錄粉等 金屬填充料，氧化!g、氫氧她、A氧化鎂、碳酸妈、碳 酸鎖、石夕酸舞、石夕酸鎖、氧化約、氧化鎮、氧化紹、氮化 鋁、結晶性石夕土、非晶性石夕土、氮化哪、二欽 機填充料，破、橡膠系填充料等有機填 狀㈣如何，可鱗觀制地使用。 处(F)真充料，可根據所期望獲得
=區別使用。例如’為了㈣電，以 _性恤〇 nature)等，可於 '、、、得導眭 充料；為了賦予熱傳導性、麟成物中添加金屬填 於黏著劑組成物中添加非金屬忒=低吸濕性等，可 等，可於黏著劑組成物中添加有’為了賦予韋刃性 料、無機填充料或者有機填充料，可=枓。這些金屬填充 或兩種以上組合使用。复中， 早獨使用或者將兩種 料中所要求之導電性、熱傳導性^『，導體裝置用黏著材 而言’較好的是使用金屬填充料、：：：特性、絕緣性等 …機填充料、或者絕緣 44 23456pif 料；於無機填充料或者 α漆中的分耑μ _征0 π， 凡竹甲’就於樹脂 好的是氮I；良好且可賦予加熱時的高黏著力而言，較 又專乂好的是，上述⑻填充料的 =粒徑小於等於25_;更好的二= 取大粒徑超過25叫1,則存在無法滹γ扭古 常任===之傾向。。粒徑的下限並無特別限^ Γ但i 同時滿又’較好的是，上述(F)填充料， …且平均粒徑= 用承二_則存在热法獲得高黏著強度之傾向。又， 埴充料句粒到、於等於1〇 ,且最大粒徑超過25 _的 "充枓’職徑分佈變歧且黏著強度易於出現不均。又， 於本《明t，在將黏著劑組成物加工成薄膜狀使用時，存 在表面變粗因而黏著力降低之傾向。另外，上述填充料的 平均粒徑以及最大粒徑的測定方法，例如可列舉··使用掃 描式電子顯微鏡(SEM，sweep dectron micr〇sc〇pe)測定 2〇〇 個左右的填充料的粒徑之方法等。使用SEM的測定方法， 例如可列舉以下方法··將黏著劑組成物製成薄膜狀，使用 該薄膜狀組成物將半導體元件與半導體搭载用支持件加以 黏著，然後製作經加熱硬化(較好的是15(rc〜2〇(rc，j〜 10小時）的樣品，將該樣品的中心部分切斷，再以SEM觀 察其剖面。此時，較好的是，同時滿足上述粒徑條件的填 45 23456pif 充料率為大於等於總填充料的8〇%。 处⑦)填充料之添加量，是 組成物的特性或者功能 X 本如明之黏著劑 的合計1 對於樹脂成分與填充料 的是5〜3〇體積％。 二4^散，更好 性率化，有效改盖日填枓的1，而财高彈 _、線接合生::=)(=，物 若將埴$伽」 +)、加熱時軸著強度。但， 咸、充狀加至必要量以 „及與，附體的界面黏著性受損，= = 1降低，因此填充料的使用量較好的Ϊ歸 —° ί 了祕所期望㈣性平衡，較好的是4 疋取二充料含量。又，當添加填充料時的、 可將通常的攪拌機、研蛛機、 了、.朿 適當組合而進行。 ^專刀放機加以 =，於本發明之黏著麻絲巾，根據需要可添加⑹ 自該⑹光起始劑’是利用照射放射線而生成游離 光驗合起㈣、或相職減射“產生驗之 上述光聚合起始劑，例如可列舉：二笨 (benzophenone)、Ν，Ν，-四甲基 _4,4,_ 二胺基二 (MiChlei.，S酉同）、Ν,Ν,_四乙基-Μ·-二胺基二苯曱s同、4_甲氧 f :,曱基胺基二笨曱_、2韻_2_二曱基胺基-嗎 。林基本基m同-二甲氧基#二苯基乙燒小鋼、卜經 基-¼己基苯基_、2HM4_(T硫基)笨基)·2_嗎琳基丙 46 1333501 23456pif 酮-1,2,4-二乙基°塞°頓酮（2-11^]171-1-(4-(11^11；711:11丨〇)卩]^11}/1)-2-Morpholinopropane-l，2,4-diethylthioxanthone)、2-乙基;g 職(24出>4311出^(^1^1101^)、菲醒(卩11611&11±代1^91^110116)等芳 香族酮、苯甲酿苯曱醇甲i|(benzoin methyl ether)、苯甲酿 笨甲醇乙醚、苯曱醯苯曱醇苯醚等苯甲醯苯曱醇醚，甲基
苯曱酸苯曱醇(methyl benzoin)、乙基苯曱醯苯曱醇(ethyi benzoin)等苯曱醯苯曱醇(benzoin)、苄基二曱基縮酮(keta|) 等苄基衍生物’ 2-(鄰氣苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2鄰 氣笨基）-4,5_二（間甲氧基苯基）。米唾二聚物、2_(鄰氟笨 基)-4,5-苯基咪唑二聚物、2·(鄰曱氧基苯基)_4,5_二苯基咪 唑二聚物、2-(對甲氧基苯基)_4,5-二笨基咪唑二聚物、2，冬 二(對曱氧基笨基)-5-笨基咪唑二聚物、2-(2,4-二曱氧基笨 ^)-4,5-二苯基咪唑二聚物等2,4,5_三芳基咪唑二聚物，1 苯基吖啶(9-phenylacridine)、7-雙(9-吖啶基）己烷等吖啶衍 生物等，這些光起始劑，可單獨使用或者將兩種或兩種= 上組合使用。又，上述光聚合起始劑的使用量，並無 限制’但相對於100質量份的上述(c)大於 酸醋化合物，通常較好的是_〜3Qf量份。 上述光驗產生劑 入 人此 _ …右砀照射放射線時產生鹼的化 口物’ I特別限制。所產生_，就反應性、硬化 而「較好的是強驗性化合⑯。作為驗性 ς 用酸=常_對數即pKa值，較好的是在水 a為大於寻於7的鹼，更好的是啦值大於等於〜 ^。顯示如上述之鹼性的化合物之例，可列舉：'味: 47 1333501 23456pif (imidazole)、2,4-二曱基咪唑、1-曱基咪唑等咪唑衍生物， 哌嗪(piperazine)、2,5-二甲基哌嗪等哌嗪衍生物，哌啶 (piperidine)、1,2-二甲基哌啶等哌啶衍生物，脯胺酸(pr〇iine；) 衍生物，三甲胺、三乙胺、三乙醇胺等三烷基胺衍生物， 4-曱基胺基吡啶、4-二曱基胺基吡啶等之4位以胺基或烷 基胺基取代的D比啶衍生物，吡洛烧(pyrolizine)、正曱基吡 σ各院等°比σ各烧衍生物’三伸乙基二胺（triethylene diamine)、1，8-二氮雜雙環（5,4,0)十一碳烯-1(1,8-diaza biscyclo(5,4,0)imdecene-l)(DBU)等脂環式胺衍生物，苄基 甲胺、苄基二曱胺、苄基二乙基胺等苄胺衍生物等。 作為利用照射放射線而產生驗的化合物，可使用例如 於 Journal of Photopolymer Science and Technology 第 12 卷’第 313〜314 項（1999 年）或者 ChemstryofMaterals 第 11卷，第Π0〜176項（1999年）等中所揭示的四級銨鹽衍 生物。這些化合物，因利用照射活性光線而生成高鹼性的 三烷基胺(trialkyl amine)，故最適於環氧樹脂的硬化。又， 可使用於 Journal of American Chemical Society 第 118 卷 第 12925 頁（1996 年)或 Polymer Journal 28 卷第 795 頁 (1996年）等中所記載的胺基曱酸衍生物（carbamic acid derivative)。又，可使用：利用照射活性光線而產生一級胺 基的肟衍生物(oxime derivative)、作為光自由基產生劑而市 售的2-曱基-1 -(4-(曱硫基）苯基)_2_嗎啉基丙烷小酮(Ciba speciality Chemicals 公司製 lrugacure 907)、2-苄基-2-二曱 基胺基-1-(4-嗎。林基笨基）丁酮_i(Ciba speciality Chemicals 48 1333501 23456pif 公司製Irugacure 369)、六芳基雙咪唑衍生物（鹵素、烷氧 基、石肖基、氰龄取代基可被取代絲基）、苯並I。惡㈣ (benz〇is〇-oxazolone)衍生物等。又，除了利用活性光線的 釦產生劑外，可利用光弗瑞斯重排反應（Light沂以 rearrangement)，光克來森重排反應⑸凼aeisen
re_ngement)或克爾蒂斯重排反應（curdus 而服gement)、斯蒂文斯重排反應伽侧re隨ngemem) 產生鹼性化合物，以進行環氧樹脂的硬化。 人 上述光驗產生劑，除可用作分子量小於等於500 的低分子化合物外’尚可用作導人高分子主鏈以及側鍵的 化5物此日^•刀子里’就作為黏接著劑的黏接著性、流動 性之觀點而言，以重量平均分子量計，較好的是議〜
1〇_0 ’更好的是5〇00〜30_。上述化合物於溫室下 在不照射放麟雜態下，殘*與環氧樹〗旨的反應性， 因此，有於室溫下之儲藏穩定性非常優異的特徵。〜 藉由使用以上(G)林始劑，而可於轉體裝置的 步驟中，於晶片切割步驟結束後，於含有上述⑹光起始劑 的本發明之賴狀黏讀上_放射線，使(c)㈣酸隨化 合物及/或順丁烯二醯亞胺化合物聚合硬化，以使薄膜 著劑與基材界面_著力降低，從而可拾取半導體元: 於本發明之黏著劑組成物中，為了使異種材料間的衣 面良好地結合’亦可添加各種輕合劑。輕合劑，例如可^ 舉：石夕烧系:鈦系、叙系等，其中就效果高而言，較 矽烷(silane)糸耦合劑。上述耦合劑的使用量，就效果戈耐 49 ^33501 23456pif 熱性以及成本而言，相對於100 較好的是0,01〜20重量份。 為了吸附該組成物中可含有的離子性 時的絕緣可靠性，亦可於本發明之黏著组忐 同及濕 子捕獲劑。上述離子捕獲劑，並並特Μ ϋ 中添加離 _ ，，、、付别限制，例如可列蛊.
二嗪(tdazine)化合物或雙酚系還原劑等、已知作為牛立 鋼離子化而溶出的銅害防止劑之化合物，㈣ζι__ 糸、銻(antimony)、鉍(bismuth)系鎂鋁化合物等盔機離 附劑等。上述離子祕劑的使用量，就添加之效果或耐敎 性、成本等而言，相對於上述100重量份的(A)熱塑性； 月旨，較好的是〇 · 〇 1〜1 〇重量份。
重量份的(A)熱塑性樹脂， 本％明之黏著劑組成物，根據需要，可使用除 丙基二醯亞胺、（C)大於等於2官能的丙烯酸酯化合物 馬來醯亞胺化合物及/或單官能縮合多環噁嗪化合物、以及 (E)環氧樹脂以外的熱硬化性樹脂。熱硬化性樹脂，是因加 熱而引起交聯反應的反應性化合物，作為上述化合物，例 如可列舉：氰酸酯樹脂(cyanate ester resin)、盼樹脂(phen〇I resin)、尿素樹脂（urea resin)、三聚氰胺樹脂 resin)、酸醇樹脂(aikyd resin)、丙稀酸樹脂（acryl resin)、不 飽和聚酯樹脂（polyester resin)、二炼丙基苯二曱酸樹脂 (diaryl phthalate resin)、石夕樹脂(silicone resin)、間笨二酉分_ 甲搭樹脂（resorcinol formaldehyde resin)、二曱笨樹月旨 (xylene resin)、°夫喃樹脂（furan resin)、聚胺酯樹脂 (polyurethane)、酮樹脂（ketone resin)、三聚氰酸三缚丙酉旨 50 〜j 丄 23456pif ^(ma^ya讀ate)、聚異氰酸酉旨(p〇iyis〇cy讀)樹脂、 二二(2_經基乙基)異氮腺酸醋的樹脂、含有偏笨三酸三 細兩基㈣樹脂、.由環戊二稀合成的熱硬化性樹脂、芳香 :μ氰月女(Cyanamide)的二聚合(terP〇lymer)的熱硬化性樹 月曰=這些熱硬化性樹脂可翔❹或者將兩種或兩種以 、，且5使用。又’為了使上述熱硬化性樹脂硬化，可使用
石^劑或觸’根據需要’可將硬化触硬化促進劑併用， 或者將觸媒與助觸媒併用。 當使用上述熱硬化性樹脂時，就可兼備低釋氣性與薄 ，形成性(韋刃性)且有效地職予因熱硬化所引起的耐熱性之 觀..^而σ ’可適當s周整其添加量。其添加量，相對於刚 重里伤的(A)熱塑性樹脂，較好的是〇 〇1〜1〇〇重量份。
添進而，於本發明之黏著劑組成物中，亦可適當添加軟 匕4丨抗老化劑、著色劑、阻燃劑(fire retardant)、萜稀樹 ，(terpene resin)等增黏劑、熱可塑系高分子成分。用以提 =黏著性、賦予硬化時的應力緩和性之熱可塑系高分子成 刀 了列舉·聚乙焊醇縮丁搭樹脂（p〇ly(vinyl butyral) reSin)、來乙均^醇縮曱搭樹脂(poly(vinyl formal) resin)、聚 自曰树月曰(p〇lyester resin)、聚酿胺樹脂(polyamide resin)、聚 酸亞胺樹脂(p〇lyimide resin)、二曱苯樹脂(Xyiene resin)、 本氣秘脂（phenoxy resin)、聚胺 g旨樹脂（polyurathane iesin)、尿素樹脂(urea resin)、丙稀酸橡膠等。這些高分子 成分的分子量，較好的是5000〜500000。 (薄膜狀黏著劑之製造方法） 51 1333501 23456pif 本發明之薄膜狀黏著劑，可藉由如下方法而獲得，例 如，將上述本發明之黏著劑組成物於有機溶劑中進行混 合、混練以調製清漆，然後於基材薄膜上形成該清漆的層， 於加熱乾燥後，除去基材薄膜。另外，上述混合、混練曰， 可將通常的攪拌機、研钵機(m〇rtai. machine)、三輥、球磨 機;等分散機適當組合而進行。又，上述加熱乾燥條件，若 為使所使用溶劑充分揮發之條件，則無特別限制，但通常 是於50°C〜200t下加熱〇·1〜90分鐘而進行。上述有機 溶劑即清漆溶劑，若可均勻地溶解、混練或者分散本發明 之黏著劑組成物’則無特別限制’例如可列舉：二甲基甲 fe月女、一曱基乙酿胺、Ν-甲基-2-。比略咬酮（N-methyl-2_ pyrrolidone)、二曱基亞砜(dimethyl sulfoxide)、二乙二醇二 曱醚(diethylene glycol dimethyl ether)、甲笨(toluene)、苯 (benzene)、二甲苯（Xylene)、τ 基乙基酮（methyl eihyl ketone)、曱基異 丁基酮（methyi butyl ketone)、四氫。夫喃 (tetrahydrofurane)、乙基溶纖劑（ethyl cellosolve)、乙基溶 纖劑乙酸酯（ethyl cellosolve acetate)、丁基溶纖劑（butyl cellosolve)、二噁烷(dioxane)、環己酮(cyclohexanone)、乙 酸乙 S旨（ethyl acetate)等。 又’上述基材薄膜’若可耐受上述加熱、乾燥條件， 則無特別限定’例如可列舉：聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚 對苯二曱酸乙二酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、 聚醚苯二曱酸薄膜、甲基戊烯薄膜等。又，基材薄膜，可 為將大於等於2層的異種或同種基材薄膜進行積層之多層 52 1333501 23456pif 薄膜，亦可為以矽酮(silicone)系等脫模劑等對表面進行處 理而形成的薄膜。 又’本發明之薄膜狀黏著劑的厚度，可根據用途或使 用方法而適當地決定’並無制限定，較好較】〜· μη” 又本务明之薄膜狀黏著劑的形態，如圖】所示，可 ^舉i皁層的薄膜狀黏著劑1(5於此實施例時，較好的是， 製成5度為1〜20 mm左右的帶狀或寬度為1〇〜5〇⑽左 右的薄膜狀’且以捲入卷芯的形態進行搬送。又，本發明 之薄膜狀黏著劑的形態，亦可為於基材薄膜2的單面（未圖 不）或兩面（參照圖2)上設置薄膜狀黏著劑1的層而形成之 構造。另外’為了防止薄膜狀黏著劑的損傷及污染，亦可 適當地於薄膜狀黏著劑上設置覆蓋薄膜(_er扭叫等，例 如如圖3所示’亦可成為具有以下構造之形態：於基材薄 膜2上，置薄膜狀黏著劑！之層、進而設置覆蓋薄膜3。 接著，一面列舉數個較佳實施例一面說明本發明。 作為本發明之-實施例之薄膜狀黏著劑，較好的是， 使用W(將半導體元件料於彳錄_前）的纟分溫 為小於等於10G°C。更好的是，主分散峰溫度為_2〇= 80C。上駐分散，是針對❹前_職點 使用版〇_.以公司製黏彈性分析儀RSA-2，以薄^ 黏著劑大小為35 mmx1G咖、升溫速度為穴/如頁 為1 Hz’測定溫度為七叱〜3〇〇t：的條件，以抗張桓^ (mode)測定時之Tg F付近的_ δ峰溫度。若該主分散= 53 1333501 23456pif 度㈣峰溫度)小於2(rc，則存在薄膜狀黏著劑表面的黏 著力變得過強，操作性變差之傾向；若上述tan5,溫度超 過1⑽c，則能夠向晶背貼附的溫度超過1〇(rc的可能性捭 加。另外，本發明之薄膜狀黏著劑的能夠向晶背貼附的^ 度，較好的是，小於等於晶圓的保護帶以及切割片之軟化 /m度，又，就抑制半導體晶圓的翹曲之觀點而言，更好的 是20。(：〜100T：，更好的是2〇t〜8〇t，尤其好的是2〇t： 了 60C。為了能夠貼附於上述溫度範圍内的晶背，較好的 是’如上所述’將薄膜狀黏著劑的丁§設為小於等於]⑻。◦， 因此，較好的是將（A)熱塑性樹脂的Tg設為小於等於 100C，更好的是小於等於80。〇，進而更好的是_2〇它〜 80 C，尤其好的疋-20 c〜60¾。若(A)熱塑性樹脂的Tg超 過100 C，則向晶背貼附的溫度超過80。〇的可能性提高， 若該Tg低於-2(TC，則存在B步驟狀態下的薄膜背面的黏 著性變得過強，操作性變差之傾向。 作為本發明一實施例之薄膜狀黏著劑，於使用前(半導 # 體70件黏著於被黏附體前)於18(TC的熱盤上將其加熱壓著 時的流量(flow)，較好的是大於等於1〇〇〇μηι。更好的是大 於等於1500 μιη ’上限並無特別設置，較好的是小於等於 4000 μηι。若流量小於1000 μιη，則由於黏晶時的熱及壓 力’故存在難以確保薄膜狀黏著劑充分埋入附配線的有機 基板上的凹凸之熱時流動性之傾向。又，若流量超過4〇〇〇 μη，則存在以下傾向：由於黏晶時的熱及壓力而使得薄膜 狀黏著劑的流動變大，因而自半導體元件的面積中溢出的 54 23456pif J高，同時易將殘存於上述基板上的凹凸間的氣泡 ，成為空洞而殘存於薄膜狀黏著劑層中，以該空洞成 而在吸濕回焊㈣〇w)時易於起泡。另外，流量，是 =材（5〇 _厚的PE丁薄膜）上形成有1〇 _χΐ〇 _厚大小（另外’以厚度±5 μηι的誤差進行調整； 厚度誤差的記載與上述相同，故省略）薄膜狀黏 \、泉口口，夾持於2片載玻片（MATSUNAMI製，76 〜以麵厚）得請。c㈣上施加剛 4111： ^ 90 # 5 勺4邊的溢出量時之平均值。又，上述流 里又口i可稭由增減填充料的添加量’而容易地調整。 片功本發明之—實施例，可列舉：具有將起黏晶 以本=之薄膜狀黏著劑與切割片進行積層之構造 基材薄膜等:本ί=Γ:、或起切割片功能的 4所示，將基材薄膜7二6':::二列舉:如圖 著劑1 有剐層6以及本發明之薄膜狀黏 美材薄膜\ = 之黏著片4 ’或者如圖5所示，將 锻月之薄膜狀黏著劑1進行積層而形成之 膜:ί所之黏著片’是兼備切割片及黏晶薄 晶時起$曰Μ ’於晶片切割時起切割片功能、於黏 發明曰Γ—體型黏著片。總之，一面加熱本 ΐ面，二面將薄膜狀黏著劑積層於半導體晶圓的 曰曰片則後’可作為附薄膜狀黏著劑的半導體元件 55 23456pif ^進行拾取。另外，於該實施例時，本發 劑’較好的是使其縣軸接近㈣之形_^= ―,上述黏著劑層，可為感壓型或者放射線硬化型中的任 2 ’但放射線硬化型黏著劑層，於晶片切割時具有高黏 ’可猎由於拾取前照射紫外線(UV)而使得黏著力變 型的黏著力而言，為較好。上述放射線硬化 的黏者劏層，右於晶片切割時具有充分的不使
件飛散的㈣力、且於其後的半導體元件拾取步驟^有 =使半導體it件受損傷程度的低黏著力，則無特別限制， 可使用先前眾所周知黏著劑層。 ’上述基材薄膜，若可確保施加抗張拉力⑽_ 可勺伸長(通稱為擴展(expand))，則無特別限制，並 好的是聚稀烴。 ' 本發明之黏著劑組成物及薄膜狀黏著劑，可用作黏晶 用黏著材料，該黏晶用黏著材料，是用以使IC、LSI^ =
導體元件與被黏附體進行貼合；該被黏附體是42合金引線 框架（alloy lead frame)、銅引線框架等引線框架，聚醯亞胺 樹脂、環氧樹脂等塑膠薄膜，使玻璃不織布等 读取 醯亞胺樹脂、環氧樹脂等塑膠、且使其硬化者，半導體搭 載用支持構件等的被黏附體。其中，可適於用作將表=丄 具備有機抗蝕劑層（resist)而形成的有機基板、於表面具有 配線的有機基板等的表面具有凹凸的有機基板與半導體元 件進行黏著之黏晶用黏著材料。 又，於具有將多個半導體元件堆積的構造的 56 1333501 23456pif
Stacked-PKG中，亦可適於用作將半導體元件與半導體元 件黏著之黏著材料。 & 對於本發明之薄膜狀黏著劑的用途，利用圖式來具體 說明具有本發明之薄膜狀黏著劑的半導體裝置。另外了近 年來提出有各種構造的半導體裝置，本發明之_狀黏著 劑的用途，並不限定於具有以下說明構造之半導體裝置。
圖6表示一般構造之半導體裝置。圖6中，經由本發 明之薄膜狀黏著劑1將半導體元件9黏著於半導體搭載用 支持構件10上，經由導線Π將半導體元件9的接線端子 (connecting terminal^未圖示）與外部接線端子（未圖示）進 行電連接’再利用密封材12將其密封。
又，圖7表不具有將半導體元件彼此黏著構造之半喜 體裝置之-例。圖7中’經由本發明之薄膜狀黏著劑！ ^ 第-段的半導體元件9a黏著於半導體搭制支持構件ι 上，進而經由本發明之薄膜狀黏著劑1將第二段的半導旁 元件9b黏著於第一段的半導體元件％上。第—段的半I 體元件9a錢第二段的半導體元件％的接線端又子⑷ 示），經由導線11而與外部接線端子進行電性連接，γ 由密封材12而將其密封。如此，本發明之軸狀點著^ 亦可適用於具有將多個半導體元件重㈣構造的半導& :备,· 用丄地稱造的半導體裝置（半導體封裝 如可藉㈣本發明之薄餘料獻躲铸體元 導體搭載用支持件之間’再進行加減著而將兩者黏] 57 1333501 23456pif 其後經過線接合步驟、根據需要經過使用密封材的密封步 驟等步驟，而獲得。上述加熱壓著步驟中的加熱溫度通常 為20°C〜250°C，荷重通常為〇.〇1〜20kgf，加熱時間通常 為0·]〜300秒。 [實施例] 以下，根據實施例具體說明本發明，但本發明並不限 定於這些實施例。 (聚醯亞胺樹脂(PI)的合成） (PI-1) 於裝備有溫度計、攪拌機、冷卻管以及氮氣流入管的 300 mL 燒瓶(flask)中，加入 2.71 g(0.045 mo】）l,12-二胺基 十二烷、5.77 g(0.001 mol)聚醚二胺(BASF 製，D2000(分子 量：1923))，3.35 g(0.045 mol)l,3-雙(3-胺基丙基）四曱基二 矽氧烷(信越化學製LP-7100)、以及113 g的N-曱基-2-吡 咯啶酮，攪拌反應液。待1，12-二胺基十二烷及聚醚二胺溶 解後，一面於冰洛中冷卻燒瓶，一面每次少量添加總計 15.62 g(0.1 mol)預先以無水乙酸進行再結晶精製的 4,4’-(4,4'-異亞丙基二苯氧基)雙（苯二曱酸二酐)(使用DSC 測得的吸熱起始溫度與吸熱峰溫度之差為5.0°C)。於室溫 下反應8小時，隨後加入75.5 g二曱苯，一面吹入氮氣氣 體一面於180°C下進行加熱，藉此將水與二曱苯一併共沸 除去。將該反應液注入大量水中，藉由過濾獲取沈澱的聚 合物，進行乾燥，獲得聚驢亞胺樹脂(PI-1)。測定所獲得聚 醯亞胺樹脂的GPC時，以聚苯乙烯換算，Mw=53800、 58 1333501 23456pif
Mn= 17300。又，所獲得聚醯亞胺樹脂的Tg為22°c。 (PI-2) 於裝備有溫度計、攪拌機、冷卻管以及氮氣流入管的 300 mL 燒瓶(flask)中，加入 2.10 g(0.035 mol)]，12-二胺基 十二烷、17.31 g(0_03 mol)聚醚二胺(BASF 製 D2000(分子 量：1923))，2.61 g(0.035 mol)l,3-雙-(3-胺基丙基）四曱基二 矽氧烷(信越化學製LP-7100)、以及113 g的N·曱基-2-吡 D各啶酮，檀拌反應液。待1，12-二胺基十二烧以及聚醚二胺 溶解後，一面於冰浴中冷卻燒瓶，一面每次少量添加總計 15.62 g(0.1 mol)的預先以無水乙酸進行再結晶精製的 W-(4,4L異亞丙基二苯氧基)雙(苯二曱酸二酐)(使用DSC 所測得的吸熱起始溫度與吸熱峰溫度之差為5.0°C)。於室 溫下反應8小時，隨後加入75.5 g二曱苯，一面吹入氮氣 氣體一面於180°C下進行加熱，藉此將水與二曱苯一併共 沸除去。將該反應液注入大量水中，藉由過濾獲取沈澱的 聚合物，進行乾燥，獲得聚醯亞胺樹脂(PU)。測定所獲得 聚醯亞胺樹脂的GPC時’以聚笨乙燦換算，mw = 70000、 Mn = 20800。又’所獲得聚酿亞胺樹脂的丁g為。 (PI-3) 於裝備有溫度計、攪拌機、冷卻管以及氮氣流入管的 300 mL· 燒瓶（flask)中，加入 32.6〇 g(0j m〇1)聚醚二胺 (BASF 製 D400(分子量：452.4))、以及 1〇5 -曱基_2_ 0比°各σ定酮’攪拌反應液。待上述聚_二胺溶解後，一面於 冰浴中冷卻燒瓶’一面每次少量添加總計37.40 g(0.1 mol) 59 1333501 23456pif 預先以無水乙酸進行再結晶精製的4,4，-(454，-異亞丙基二 苯氧基)雙（苯二曱酸二酐X使用DSC所測得的吸熱起始溫 度與及熱峰溫度之差為5.〇°C)。一面吹入氮氣氣體，一面 於I7〇c下加熱5小時，藉此將所產生的水餾去。將該反 應液注入大量水中’藉由過濾獲取沈澱的聚合物，進行乾 燥’獲得聚醯亞胺樹脂(PI_3)。測定所獲得的聚醯亞胺樹脂 . 的GPC時，以聚苯乙烯換算，Mw=72000、Mn = 34000。 又’所獲得聚醯亞胺樹脂的Tg為37°C。 • (PI-4) 於裝備有溫度計、攪拌機、冷卻管以及氮氣流入管的 300 mL燒瓶中，加入6.83 g(0.05 mol)2,2-雙(4-胺基苯氧基 苯基）丙烷、3.40 g(0.05 mol)4,9-二氧雜癸烷-1，12-二胺 (4,9-dioxadecane-l,l2-diamine)、以及 110.5 g 的 N-曱基-2-°比咯啶酮，攪拌。待二胺溶解後，一面於冰浴中冷卻燒瓶， 一面每次少量添加總計17.40 g(0.10 mol)的預先以無水乙 酸進行再結晶精製的十亞曱基雙偏笨三酸二酐 • (decanemethylene bistrimellitate)(使用 DSC 所測得的吸熱 起始溫度與吸熱峰溫度之差為5·0°〇。於室溫下反應8小 時’隨後加入74 g二甲苯，一面吹入氮氣氣體一面於180°C 下進行加熱，藉此將水與二曱苯一併共彿除去。將該反應 液注入大量水中，藉由過濾獲取沈澱的聚合物，進行乾燥， 獲得聚醯亞胺樹脂(PI-3)。測定所獲得的聚醯亞胺樹脂的 GPC時，以聚苯乙稀換算，Mw= 88600、Mn= 28900。又， 所獲得聚醯亞胺樹脂的Tg為73°C。 60 23456pif (PI-5) 於襞備有溫度計、攪拌機、冷卻管以及氮氣流入管的 3〇0 mL燒瓶(flask)中，裝入13.67 g(0.1 mol)(4-胺基苯氧基 苯基）丙烷、以及124 g的N-甲基-2-吡咯啶酮’攪拌。待 二胺溶解後’一面於冰浴中冷卻燒瓶，一面每次少量添加 總計17.40 g(〇.l m〇i)的預先以無水乙酸進行再結晶精製的 十亞甲基雙偏笨三酸二酐(使用DSC所測得的吸熱起始溫 度與吸熱峰溫度之差為5.0。〇。於室溫下反應8小時，隨 後加入83 g二曱笨，一面吹入氮氣氣體一面於180°C下進 行加熱’藉此將水與二曱苯一併共沸除去。將該反應液注 入大量水中，藉由過濾獲取沈澱的聚合物，進行乾燥，獲 得聚酸亞胺樹脂(PI-4)。測定所獲得聚醯亞胺樹脂的GPC 時’以聚苯乙烯換算，Mw= 121000、Mn = 22800。又，所 後得聚醯亞胺樹脂的Tg為12〇。〇。 (黏著劑組成物之製備） 使用上述所獲得的各聚醯亞胺樹脂朽—丨〜朽。，以如 :述:乂及2的調配表中所示方式，製備黏 漆。另外，下述表卜2中之各種符號如下所示。成物，月 脂樹，物罐侧狀環氧樹 B ANI-H :丸善石油化學， 雙烯丙基二醯亞胺） 下述結構式（13)(六亞曱基型 1333501 2j456pif
BANI-X :丸善石油化學，下述結構式（14)(苯二曱基 型雙烤丙基二酿亞胺(bisally lnadimide))
/n-CH2v^/CH2_n、
(14) 3]\41-1000:和光純藥，下述結構式（15)(4,4'-二苯基曱 〇 烷雙順丁烯二醯亞胺） 〇 | N- ch2-
•N (1 0 0 BMI-2000 :大和化成，下述結構式（16)(酚醛清漆型順 丁稀二酸亞胺化合物，分子量366.26) 0=\ , 〇=、/>=〇〇=^ /=〇〇=\ >〇 'Η Ν Ν’ (16) ch2- [ch2- R-712 :日本化藥，下述結構式（17)(乙氧基化雙酚F 二丙烯酸酉旨） 62
1333501 (式中，q + r=4) ABE-300 :新中村科學，下述結構式（〗8)(乙氧基化雙 酚A二丙烯酸酯）
(式中，m + p = 3) RO-X5 :曰立化成，下述結才冓式（19)(苯ϋ。惡«匕β物）
Η-1 :明和化成、酚類酚醛清漆(ΟΗ當量：103) ΤΡΡΚ:東京化成，四苯基鎮四苯基爛酸自旨(tetraphenyl phosphonium tetraphenylborate) NMP :關東化學，N-曱基-之-吼略^定酉同 MEK :關東科學，曱基乙基酮 HP-P1 :水島合金鐵，氮化硼（平均粒徑：ι〇 μηι、最 大粒徑：5.1 μιη) 63 1333501
〔Id 實施例9 PI-3(100) BANI-X (10) R-712 (1〇) BMI2000 (20) 1 ESCN195 (2〇) HP-Pl(lO) NMP(255) ΜΕΚ(ΠΟ) 實施例8 PI-2(100) BANI-H (10) R-712 (10) BMI2000 |(2〇) 1 ESCN195 (20) HP-Pl(lO) NMP(265) MEK(llO) 實施例7 PI-1(100) BANI-X (10) R-712 (10) 1 1 1 HP-Pl(lO) NMP(196) MEK(84) 實施例6 PI-1 (100) BANI-H (10) R-712 (10) 1 RO-X5(20 ) ESCN195 (20) HP-Pl(lO) NMP(265) MEK(llO) 實施例5 PI-l(lOO) BANI-H (10) R-712 (10) 1 RO-X5(20 ) 1 HP-Pl(lO) NMP(230) MEK(100) 實施例4 PI-l(lOO) BANI-H (10) ABE-300 (10) BMI1000 :(20) 1 1 HP-Pl(lO): j NMP(230) MEK(100) 實施例3 PI-l(lOO) BANI-H (10) R-712 (10) BMI2000 (20) 1 ESCN195 (20) HP-Pl(lO) NMP(265) MEK(llO) 實施例2 PI-1(100) BANI-H (10) R-712 (10) BMI2000 (20) 1 1 HP-Pl(lO) NMP(230) MEK(100) 實施例1 PI-1 (100) BANI-H (10) R-712 (10) 1 1 1 HP-Pl(lO) NMP(195) MEK(85) 成分 基本樹脂 (t量份） 雙烯丙基二醯亞 胺(重量份） 丙烯酸酯化合物 (重量份） 順丁烯二醯亞胺 化合物（重量份） 笨並噁嗪化合物 (t量份） 環氧樹脂 (重量份） 填充料 (重量份） 塗佈溶劑 (重量份） 寸9 1333501
比較例8 ΡΙ-5(100) 1 1 1 HP-Pl(lO) NMP(420) 比較例7 PM(IOO) ESCN195 (26.2) H-l(13.6) TPPK(0.2) HP-Pl(lO) NMP(420) 比較例6 PI-2(100) ESCN195 (26.2) H-l(13.6) ΤΡΡΚ(0.2) I HP-Pl(lO) NMP(420) 比較例5 PI-1(100) ESCN195 (40) 1 1 HP-Pl(lO) NMP(330) 比較例4 PI-l(lOO) ESCN195 (20) 1 1 HP-Pl(lO) NMP(280) 比較例3 PI-l(lOO) ESCN195 (26.2) H-l(13.6) ΤΡΡΚ(0.2) HP-Pl(lO) NMP(330) 比較例2 PI-1(100) ESCN195 (13.1) H-l(6.8) TPPK(O.l) HP-Pl(lO) NMP(280) 比較例1 PI-1(100) 1 1 1 HP-Pl(lO) MEK(300) 成分 基本樹脂 (重量份） 環氧樹脂 (重量份） 硬化劑 (重量份） 硬化促進劑 (重量份） 填充料 (體積％) 塗佈溶劑 (重量份） 1333501
23456pif I (薄膜狀黏著劑之製造及評價） 將上述製備的實施例1〜9以及比較例1〜8的各黏著 劑組成物清漆塗佈於基材(50 μιη厚PET基材薄膜，表面剝 離處理）上，使其塗佈厚成為40 μΐΏ ’置於烘箱（〇ven)中於 80 C下加熱30分鐘，繼而，當清漆溶劑為單獨MEK或者 NMP/MEK混合溶劑時，於12〇。(：下加熱30分鐘，當清漆 溶劑單獨為NMP時於15(rc下加熱3〇分鐘，獲得附基材 之薄膜狀黏著劑。各薄膜狀黏著劑的特性評價結果示於下 • 述表3、4。另外，評價項目及評價方法如下所示。 •主分散峰溫度 對於使用前(硬化前，以下稱為B步驟）的薄膜狀黏著 劑（硬化前），使用Rheometrics公司製黏彈性分析儀 尺8八-2’以薄膜大小為35 111111(長)><1〇111^(寬）><4(^111(厚）、 升溫速度為5 C/min、頻率為1 Hz、測定溫度為_15〇。(；〜 3〇〇 C的條件，測定Tg附近的tan§峰溫度，將該溫度作為 薄膜狀黏著劑的主分散溫度。 φ •晶背貼附溫度（晶片切割時的飛片） 將附有基材的薄膜狀黏著劑積層於5英吋、3〇〇 厚矽晶圓的背面，使用具有輥及支持物的裝置，以25t、 4(TC、5(TC、6(TC、7(TC、8(TC、9(TC、locrc、litre、 12〇ΐ、130°C、MOt：、l5〇t：、16(TC、17(TC、8〇t：的任 —輥溫度、線壓：4 kgf/cm，傳送速度：〇 5 m/min的條件 進行，繼而將基材自薄膜狀黏著劑上剝離，獲得附有薄膜 狀黏著劑的晶圓。其後，將於基材薄膜上具有感壓型黏著 66 23456pif 劑層的黏著再剝離型切 μ叫積層於與薄膜狀黏著劑的/予工業製AD-顧，厚80 使該黏著劑層與薄膜狀黏著劑面::接觸面的相反面’以 其後’使用晶片切割刀，η : mm/seC、旋轉數為30_ rpm的停曰曰片切割速度為1〇 割為5_、大小時有4Γ，觀測將晶圓晶片切
厂%時的飛片設為「無」，將可確保飛片 …、」的取低層壓溫度設為晶背貼附溫度。 價二:。aa0端部的晶片切出的殘部飛片’並不作為評 •流量 —將附有10麵XU)娜<40陶厚大小的基材的薄膜狀 黏者劑（使用前薄膜）製成樣品’將其夾持於2片載玻片 (MATSUNAMI製，76麵，mmxi糾2麵厚）之間， 置於180。(：熱盤上施加i〇〇kgf/cm2的面壓，加熱壓著9〇秒 後，以帶刻度光學顯微鏡分別測量此時黏著劑 自上述基材
薄膜4邊的溢出量，將其平均值作為流量。 •薄膜表面黏著力 方；B步驟·狀悲的薄膜狀黏著劑(4〇 μηι厚)所塗佈的上 面’使用Resca公司製採針黏性試驗機(pr〇be tack tester)， 依照JIS0237-1991中所記載方法(探針直徑為5.1 mm、剝 離速度為10 mm/s、接觸荷重為1〇〇 gf/cm2、接觸時間為1 s)，測定40°C下之黏著力。 •25°C的彈性率 67 1333501 23456pif . 争 對於β步驟狀態的薄膜狀黏著劑’使用Rhe〇metdes 公司製黏彈性分析儀RSA-2，以黏著劑層大小為35 mm(長）x]〇 mm(寬)χ4〇 μπι(厚）、升溫速度為 5〇c/min、頻 率為I Hz，測定溫度為_15(TC〜300〇C的條件進行測定， 估算25°C的儲藏彈性率。 •100°C溶融黏度 將3〜7片B步驟狀態的40 μηι厚薄膜狀黏著劑加以 重豐貼合，調整至1〇〇 μηι〜3()() μΐΏ厚度；對於該薄臈， 使用 Rheometric 科學公司（Rheometric Scientific)製旋轉型 流變儀ARES(Rheometer ARES)，將上述薄膜樣品以厚度 小方；樣品厚度2〜5 μιη的間隙寬(gap broad)夾持於平行圓 板(直徑8 mm)中，以頻率為1 Hz、變形率為5%、升溫速 度為5它/1^!1、測定溫度為30。(：〜300。(：：的條件測定1〇〇。(：： 之複數黏度(complex viscosity)值，將其作為1〇(rc溶融黏 度。 * •260°C的彈性率 對於C步驟狀態的薄膜狀黏著劑（製備薄膜後，置於烘 箱中以180°C5小時的條件進行加熱硬化），使用 Rheometdcs公司製黏彈性分析儀RSA_2，於黏著劑層大小 為35 mm(長）xl〇 mm(寬）x4〇 _(厚）、升溫速度為 5°C/min、頻率為1 Hz、測定溫度為_15〇〜3〇〇t^々條件進 行測定，估算260°C的儲藏彈性率。 •剝離強度(peel strength) 使用薄膜狀黏著劑(5 mmx5 mmx40 mm厚），以溫度： 68 1333501 23456pif 構成薄膜狀接管劑的聚醯亞胺樹脂的Tg+100°c，壓力： 500 gf/chip ’時間：3秒的條件進行黏晶，隨後將轉送模 成形的熱及壓力設為預定條件，即以溫度：18〇°C、壓力： 5 kgf/chip、時間：90秒的條件’將矽晶片（siiicoll chip)(半 導體元件、5 mmx5 mmxO.4 mm厚度)加熱壓著於表面上附
阻焊劑（solder mask)層（厚度15 μηι)的有機基板（厚度 0.1mm)上。進而，將上述試驗片置於烘箱中以18〇ΐ、5 小時的條件使其加熱硬化，進而置於26〇t：埶盤上加埶2〇 秒’隨後使用如圖8中所表示的黏著力評價裝置⑽:、引 ； 14 ：^^^t(push-pull gauge), !5： 疋速度$ 0.5 mm/See的條件測定㈣片與薄膜 剝離強度，將其值作為剝離強度。 者一
69 1333501
〔£ 實施例9 s 1 1750 On 1000 2800 o ir) 30.0 實施例8 CN 1850 m oo cn 1000 32.0 實施例7 On (N 1590 s t -N 〇 cn o oo ，一 〇 17.0 實施例6 c<\ 2350 o CN 1100 1000 寸 ΙΑ) 28.0 實施例5 CN υο (N 2700 〇\ 1 1 0 1 1 900 ΟΙ ο 20.0 實施例4 〇〇 CN 2400 o (N 910 15.0 實施例3 ·— ί * (N 2200 o 〇\ 980 cn 27.0 實施例2 οο m (N 2500 rn Os —— 1000 900 (N o 18.0 實施例1 so CN 2850 200 o oo 800 1 ' o 10.0 σπ 主分散溫度(°c) 晶背贴附溫度(°c) 流量（μΓη) 薄膜背面黏著力(gf) 25°c彈性率(MPa) 100°C的熔融黏度(Pa-s) 260°C 彈性率(MPa) 剝離強度(N/chip) 【寸1 比較例8 1 120 ο r— ο to τ < 2000 53000 |溶融流動 比較例7 I · 〇〇 Ο »ι « 280 3000 55000 ο 25.0 比較例6 寸 Ο οο Ο 了 VO 1000 51000 ο 〇6 19.2 比較例5 cn (N (Ν CO 寸 o W ， * 49000 〇〇 ο 寸 r^i 比較例4 CN <N § § ^Ti § § 50000 " < rn 〇> 比較例3 δ Ο CN S 0 CN 1 i 52000 CN 产— 比較例2 Ο VD o < 1 一 51000 Ο 11.2 比較例1 CN <N § 2700 〇 CO o o 1200 炫融流動 (N 〇 項目 s -Jr/ Ήΐ 晶背貼附溫度(°c) 流動(μιη) 薄膜背面掛力(gf) 25 °C彈性率(MPa) 100°C的熔融黏度(Pa-s) 260°C 彈性率(MPa) 剝離強度(N/chip) 23456pif 物而黏著_ 於等於K)麻p，又，中，祕強度全部為大 =溫度=於較低溫度。又，回填量全部是在= :’因此認為對於被黏附體的填充性(埋 優異’樹月曰溢出或空洞的產生亦難以出現。 【圖式簡單說明】 圖K表示本4明之薄膜狀黏著劑的一實施例的剖面 圖。 圖2是表示本發明之薄膜狀黏著劑的一實施例的剖面 圖。 圖圖3是表示本發明之薄膜狀黏著劑的一實施例的剖面 圖4是表示本發明之黏著片的一實施例的剖面圖。 圖5是表示本發明之黏著片的一實施例的剖面圖。 圖6是表示使用本發明之薄膜狀黏著劑的半導體裴置 的一實施例的概念圖。 义 圖7是表示使用本發明之薄膜狀黏著劑的半導體裴置 的一實施例的概念圖。 & 圖8是表示剝離強度測定裝置的概略圖。 【主要元件符號說明】 1 :薄膜狀黏著劑 2、7 :基材薄膜 3:覆蓋薄膜 1333501 23456pif 4 :黏者片 6:黏著劑層 9、9a、9b :半導體元件 10 :支持構件 11 :導線 12 :密封材
72

Claims (1)

1^33501 23456pif 十、申請專利範圍： 附體^著種:二劑:,成物，其是用以將半導體元件與被黏 脂、物之特徵在於包括⑷熱塑性樹 大於上(1)絲㈣雙朗L胺、以及(C) 、、；2 g能的（甲基）丙烯酸酯化合物
N-—R|—n
脂肪i烴的香族環以及/或者直鏈、支鏈或環狀 2.如申請專利範園筮 上述⑻雙和基1 ^所叙減劑組成物，其中 所表示的六亞甲基^下述結構式⑻及/或⑽ T丞又烯丙基二醯亞胺
CH
1333501 23456pif
(III) ° 3.如申請專利範圍第1或2項所述之黏著劑組成物， 其中上述(C)大於等於2官能的（曱基）丙烯酸酯化合物是以 下述結構式（IV)表示，
^4 OCH2CH24〇—C—c=ch2 u … 又 (IV) 式中’ R2是2價之有機基，R3以及R4分別獨立表不 氫或者曱基，m及η是大於等於1的整數。 4. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著劑組成物， 其是更含有(D)馬來醯亞胺化合物及/或單官能的縮合多環 °惡σ秦化合物而形成。 5. 如申請專利範圍第4項所述之黏著劑組成物，其中 上述馬來醯亞胺化合物，是以下述通式(V)所表示的雙馬來 醯亞胺化合物，或者以下述通式(VI)所表示的酚醛清漆型 馬來醯亞胺化合物
(V) 式中，R5是含有芳香族環以及/或者直鏈、支鏈或環狀脂肪 74 h456pif 族烴的2價有機基； h456pif
式中’ η表示0〜20的整數。 6.如申請專利範圍* 4項所述 早官能的縮合多環噁唪化八物，θ 4、且攻物其中 的化合物 以下料式⑽)所表示
(R2)n (VII) 式中[A ]表示相鄰的碳原子共有噁嗪環 _ν、γ八炙卢鞏采u OT , 向开/成、伯&王展之單 %或細合夕％方香知烴壞，Rl以及R2分別獨立地選 原子以及祕1〜H)的取代或非取代之—價烴基，全部ς 相同亦可不同’η表示〇或1〜4的整數。 7.如申凊專利範圍第6項所述之黏著劑組成物，其中 以上述通式(VII)所表示之單官能縮合多環噁嗪化合物了是 以下述通式(VIII)所表示之化合物
(VIII) 1333501 23456pif 式中R1及R2分別獨立地選自氫原子以及碳數1〜10的取 代或非取代之一價烴基，全部可相同亦可不同，η表示0 或1〜4的整數。 8. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著劑組成物， 其是更含有(Ε)環氧樹脂而形成。 9. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著劑組成物， 其是更含有(F)填充料而形成。 10. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著劑組成物， 其中上述(Α)熱塑性樹脂是聚醯亞胺樹脂。 11. 如申請專利範圍第10項所述之黏著劑組成物，其 中上述聚醯亞胺樹脂，是使四羧酸二酐與含有以下述式 (IXb)所表示的脂肪族醚二胺的二胺反應而獲得之聚醯亞 胺樹脂 ch3 , CH3 \ ch3 I / I \ I H2N—CHCH2i-〇—chch2-i-o—chch2—nh2 v 八 (IXb) 式中，P表示0〜80的整數。 12. 如申請專利範圍第10項所述之黏著劑組成物，其 中上述聚醯亞胺樹脂的Tg為小於等於100°c。 13. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著劑組成物， 其是更含有（G)光起始劑而形成。 14. 如申請專利範圍第1或2項所述之黏著劑組成物， 其中上述被黏附體是附配線階梯的有機基板。 15. —種薄膜狀黏著劑，其特徵在於··使用如申請專利 範圍第1至第14項中任一項所述之黏著劑組成物而形成。 76 1333501 23456pif 16.—種黏著片，其特徵在於：其是具有將如申請專利 範圍第〗5項所述之薄膜狀黏著劑及切割片加以積層的構 造而形成。 Π.如申請專利範圍第16項所述之黏著片，其中上述 切割片，是具有基材薄膜、及設置於該基材薄膜上的放射 線硬化型黏著劑層而形成。 18.如申請專利範圍第16項所述之黏著片，其中上述 切割片是聚稀烴系薄膜。 • 19.一種半導體裝置，其特徵在於具有以下構造： 該構造是利用如申請專利範圍第1至第14項中任一項 所述之黏著劑組成物或者如申請專利範圍第15項之薄膜 狀黏著劑，將半導體元件與半導體搭載用支持構件加以黏 著而形成者，以及/或者 該構造是利用如申請專利範圍第1至第14項中任一項 所述之黏著劑組成物或者如申請專利範圍第15項之薄膜 狀黏著劑，將半導體元件與半導體元件加以黏著而形成者。 參 77
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