JP2001011135A - 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JP2001011135A JP2001011135A JP11186050A JP18605099A JP2001011135A JP 2001011135 A JP2001011135 A JP 2001011135A JP 11186050 A JP11186050 A JP 11186050A JP 18605099 A JP18605099 A JP 18605099A JP 2001011135 A JP2001011135 A JP 2001011135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste composition
- resin paste
- component
- composition according
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅リードフレーム及び有機基板を使用した際
にもリフロークラックのない樹脂ペースト組成物及びこ
れを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）一般式（１）で表されるアリルナ
ジイミド、（Ｂ）ラジカル反応性不飽和二重結合を有す
る希釈剤、（Ｃ）ラジカル開始剤及び（Ｄ）フィラーを
含有してなる樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導
体装置。 【化１】 （式中、Ｒは１価又は２価の有機基を表し、ｘは１又は
２を表す。）
にもリフロークラックのない樹脂ペースト組成物及びこ
れを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）一般式（１）で表されるアリルナ
ジイミド、（Ｂ）ラジカル反応性不飽和二重結合を有す
る希釈剤、（Ｃ）ラジカル開始剤及び（Ｄ）フィラーを
含有してなる樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導
体装置。 【化１】 （式中、Ｒは１価又は２価の有機基を表し、ｘは１又は
２を表す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半
導体素子をリードフレーム、有機基板等の支持部材に接
着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用いた
半導体装置に関する。
導体素子をリードフレーム、有機基板等の支持部材に接
着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用いた
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の実装方式は高密度実装の点
から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
ているが、マザーボードへの実装にはマザーボード全体
を赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いら
れ、パッケージが２００℃以上の高温に加熱されるた
め、パッケージ内部、特に接着剤層中又は封止材中に含
まれる水分の急激な気化・膨張によりパッケージクラッ
クが発生し、半導体装置の信頼性が低下するという問題
があった。この問題は４２アロイリードフレームよりも
銅リードフレーム及びガラスエポキシ基板（ガラス繊維
強化エポキシ樹脂からなる基板）、ＢＴ基板（シアネー
トモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドからな
るＢＴレジン使用基板）、ポリイミドテープ又はフィル
ム等の有機基板において特に深刻である。その理由の１
つとしては、銅リードフレーム及び有機基板に対して接
着剤の接着力が低いことが挙げられる。もう１つとして
は、銅リードフレーム及び有機基板のほうが４２アロイ
リードフレームよりも線膨張係数が大きいためにＳｉチ
ップとの線膨張係数の差が大きくなることで、チップク
ラックやチップ反りが発生するということがある。
から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
ているが、マザーボードへの実装にはマザーボード全体
を赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いら
れ、パッケージが２００℃以上の高温に加熱されるた
め、パッケージ内部、特に接着剤層中又は封止材中に含
まれる水分の急激な気化・膨張によりパッケージクラッ
クが発生し、半導体装置の信頼性が低下するという問題
があった。この問題は４２アロイリードフレームよりも
銅リードフレーム及びガラスエポキシ基板（ガラス繊維
強化エポキシ樹脂からなる基板）、ＢＴ基板（シアネー
トモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドからな
るＢＴレジン使用基板）、ポリイミドテープ又はフィル
ム等の有機基板において特に深刻である。その理由の１
つとしては、銅リードフレーム及び有機基板に対して接
着剤の接着力が低いことが挙げられる。もう１つとして
は、銅リードフレーム及び有機基板のほうが４２アロイ
リードフレームよりも線膨張係数が大きいためにＳｉチ
ップとの線膨張係数の差が大きくなることで、チップク
ラックやチップ反りが発生するということがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は樹脂ペースト
組成物の支持部材に対するピール強度、特に銅リードフ
レーム及び有機基板に対するピール強度を向上させ、ま
た、樹脂ペースト組成物を低応力化することによりチッ
プクラックやチップ反りの発生を抑制し、さらに、樹脂
ペースト組成物を低吸湿化することにより接着剤層中に
含まれる水分を低減することで前記の従来技術の欠点を
除去し、銅リードフレーム及び有機基板を使用した際に
もリフロークラックのない樹脂ペースト組成物及びこれ
を用いた半導体装置を提供するものである。
組成物の支持部材に対するピール強度、特に銅リードフ
レーム及び有機基板に対するピール強度を向上させ、ま
た、樹脂ペースト組成物を低応力化することによりチッ
プクラックやチップ反りの発生を抑制し、さらに、樹脂
ペースト組成物を低吸湿化することにより接着剤層中に
含まれる水分を低減することで前記の従来技術の欠点を
除去し、銅リードフレーム及び有機基板を使用した際に
もリフロークラックのない樹脂ペースト組成物及びこれ
を用いた半導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）一般式
（１）で表されるアリルナジイミド、（Ｂ）ラジカル反
応性不飽和二重結合を有する希釈剤、（Ｃ）ラジカル開
始剤及び（Ｄ）フィラーを含有してなる樹脂ペースト組
成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を用いて半導体
素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置
に関する。
（１）で表されるアリルナジイミド、（Ｂ）ラジカル反
応性不飽和二重結合を有する希釈剤、（Ｃ）ラジカル開
始剤及び（Ｄ）フィラーを含有してなる樹脂ペースト組
成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を用いて半導体
素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置
に関する。
【０００５】
【化６】 （式中、Ｒは１価又は２価の有機基を表し、ｘは１又は
２を表す。） 本発明は、また、上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び
（Ｄ）成分と、（Ｆ）ダイマージオール及びその誘導体
から選択される１種以上を均一分散させてなる樹脂ペー
スト組成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を用いて
半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導
体装置に関する。
２を表す。） 本発明は、また、上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び
（Ｄ）成分と、（Ｆ）ダイマージオール及びその誘導体
から選択される１種以上を均一分散させてなる樹脂ペー
スト組成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を用いて
半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導
体装置に関する。
【０００６】本発明は、また、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
及び（Ｄ）成分と、（Ｇ）液状ゴム成分を均一分散させ
てなる樹脂ペースト組成物、並びに、この樹脂ペースト
組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封
止してなる半導体装置に関する。
及び（Ｄ）成分と、（Ｇ）液状ゴム成分を均一分散させ
てなる樹脂ペースト組成物、並びに、この樹脂ペースト
組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封
止してなる半導体装置に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂ペースト組成物は、
（Ａ）成分として一般式（１）で表されるアリルナジイ
ミドを含有する。式中、Ｒは１価又は２価の有機基であ
るが、好ましくは炭素数６〜１００の１価又は２価の芳
香族炭化水素基、好ましくは炭素数１〜１００の１価又
は２価の飽和若しくは不飽和の脂肪族炭化水素基、好ま
しくは炭素数３〜１００の１価又は２価の飽和若しくは
不飽和の脂環式炭化水素基である。更に、これらの基の
水素原子に代えて官能基として−ＯＨ基、ＣＯＯＨ基、
グリシジル基等を有するものでもよい。
（Ａ）成分として一般式（１）で表されるアリルナジイ
ミドを含有する。式中、Ｒは１価又は２価の有機基であ
るが、好ましくは炭素数６〜１００の１価又は２価の芳
香族炭化水素基、好ましくは炭素数１〜１００の１価又
は２価の飽和若しくは不飽和の脂肪族炭化水素基、好ま
しくは炭素数３〜１００の１価又は２価の飽和若しくは
不飽和の脂環式炭化水素基である。更に、これらの基の
水素原子に代えて官能基として−ＯＨ基、ＣＯＯＨ基、
グリシジル基等を有するものでもよい。
【０００８】（Ａ）成分としては具体的には下記式で表
されるアリルナジイミドが好ましい。
されるアリルナジイミドが好ましい。
【０００９】
【化７】 （Ａ）成分の配合量は、樹脂ペースト組成物総量１００
重量部に対して１〜５０重量部とするのが好ましく、１
〜３０重量部とするのがより好ましく、２〜２０重量部
とするのが特に好ましい。（Ａ）成分の配合量が１重量
部未満では、耐半田リフロー性に劣る傾向がある。５０
重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の粘度が上昇し
ハンドリング性が低下する傾向がある。
重量部に対して１〜５０重量部とするのが好ましく、１
〜３０重量部とするのがより好ましく、２〜２０重量部
とするのが特に好ましい。（Ａ）成分の配合量が１重量
部未満では、耐半田リフロー性に劣る傾向がある。５０
重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の粘度が上昇し
ハンドリング性が低下する傾向がある。
【００１０】本発明の樹脂ペースト組成物は、（Ｂ）成
分としてラジカル反応性不飽和二重結合を有する希釈剤
を含有する。
分としてラジカル反応性不飽和二重結合を有する希釈剤
を含有する。
【００１１】（Ｂ）成分の希釈剤としては特に制限はな
いが、ラジカル反応性官能基を有するモノマーが好まし
く、ビニルエーテル誘導体、アクリル酸エステル及びメ
タクリル酸エステル誘導体、又は、スチレン及びスチレ
ン誘導体等がより好ましい。
いが、ラジカル反応性官能基を有するモノマーが好まし
く、ビニルエーテル誘導体、アクリル酸エステル及びメ
タクリル酸エステル誘導体、又は、スチレン及びスチレ
ン誘導体等がより好ましい。
【００１２】希釈剤の添加量は、特に限定されないが、
樹脂ペースト組成物総量１００重量部に対して０．５〜
５０重量部とするのが好ましく、１〜３０重量部とする
のがより好ましく、２〜２０重量部とするのが特に好ま
しい。この添加量が０．５重量部未満であると、樹脂ペ
ースト組成物の粘度が５００Ｐａ・ｓ以上となり、その
作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が悪くなる傾向
がある。５０重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の
粘度が５Ｐａ・ｓ以下となり、その使用時の塗布作業性
が悪くなる傾向がある。
樹脂ペースト組成物総量１００重量部に対して０．５〜
５０重量部とするのが好ましく、１〜３０重量部とする
のがより好ましく、２〜２０重量部とするのが特に好ま
しい。この添加量が０．５重量部未満であると、樹脂ペ
ースト組成物の粘度が５００Ｐａ・ｓ以上となり、その
作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が悪くなる傾向
がある。５０重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の
粘度が５Ｐａ・ｓ以下となり、その使用時の塗布作業性
が悪くなる傾向がある。
【００１３】上記希釈剤のビニルエーテル誘導体として
は、エチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテ
ル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエ
ーテル、イソブチルビニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチル
ビニルエーテル、ｔｅｒｔ−アミルビニルエーテル、２
−エチルヘキシルビニルエーテル、ドデシルビニルエー
テル、オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビ
ニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテ
ル、１，４−ブタンジオールモノビニルエーテル、１，
６−ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，６−ヘキ
サンジオールモノビニルエーテル、１，４−シクロヘキ
サンジメタノールジビニルエーテル、１，４−シクロヘ
キサンジメタノールモノビニルエーテル、エチレングリ
コールジビニルエーテル、エチレングリコールモノビニ
ルエーテル、エチレングリコールブチルビニルエーテ
ル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノビニルエーテル、トリエチレングリコ
ールジビニルエーテル、トリエチレングリコールメチル
ビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエ
ーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、
ポリエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールメチルビニルエーテル、ポリテトラヒドロ
フランジビニルエーテル等が好ましい。
は、エチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテ
ル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエ
ーテル、イソブチルビニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチル
ビニルエーテル、ｔｅｒｔ−アミルビニルエーテル、２
−エチルヘキシルビニルエーテル、ドデシルビニルエー
テル、オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビ
ニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテ
ル、１，４−ブタンジオールモノビニルエーテル、１，
６−ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，６−ヘキ
サンジオールモノビニルエーテル、１，４−シクロヘキ
サンジメタノールジビニルエーテル、１，４−シクロヘ
キサンジメタノールモノビニルエーテル、エチレングリ
コールジビニルエーテル、エチレングリコールモノビニ
ルエーテル、エチレングリコールブチルビニルエーテ
ル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノビニルエーテル、トリエチレングリコ
ールジビニルエーテル、トリエチレングリコールメチル
ビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエ
ーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、
ポリエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールメチルビニルエーテル、ポリテトラヒドロ
フランジビニルエーテル等が好ましい。
【００１４】上記希釈剤のアクリル酸エステル及びメタ
クリル酸エステル誘導体としては、ラウリルアクリレー
ト、ラウリルメタクリレート、ステアリルアクリレー
ト、ステアリルメタクリレート、２−フェノキシエチル
アクリレート、ジシクロペンテニルメタクレート、２−
（ジシクロペンテニルオキシ）エチルアクリレート、２
−（ジシクロペンテニルオキシ）エチルメタクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリプ
ロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリ
コールジアクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソ
デシルアクリレート、テトラエチレングリコールジアク
リレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、ポリプロピレングリコ
ールモノメタクリレート、トリエチレングリコールジメ
タクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチ
レングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオ
ールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタク
リレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，３
−ブチレングリコールジメタクリレート、トリメチロー
ルプロパントリメタクリレート等が好ましい。
クリル酸エステル誘導体としては、ラウリルアクリレー
ト、ラウリルメタクリレート、ステアリルアクリレー
ト、ステアリルメタクリレート、２−フェノキシエチル
アクリレート、ジシクロペンテニルメタクレート、２−
（ジシクロペンテニルオキシ）エチルアクリレート、２
−（ジシクロペンテニルオキシ）エチルメタクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリプ
ロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリ
コールジアクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソ
デシルアクリレート、テトラエチレングリコールジアク
リレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、ポリプロピレングリコ
ールモノメタクリレート、トリエチレングリコールジメ
タクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチ
レングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオ
ールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタク
リレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，３
−ブチレングリコールジメタクリレート、トリメチロー
ルプロパントリメタクリレート等が好ましい。
【００１５】上記希釈剤のスチレン誘導体としては、ｏ
−，ｍ−，ｐ−メチルスチレン、２，４−，２，５−，
２，６−，３，４−，３，５−ジメチルスチレン、２，
４，６−，２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタ
メチルスチレン、ｏ−，ｍ−，ｐ−エチルスチレン、
２，５−，３，５−ジエチルスチレン、２，４，５−ト
リエチルスチレン、２，３，４，５−テトラエチルスチ
レン、ペンタエチルスチレン、ｏ−，ｍ−，ｐ−イソプ
ロピルスチレン、ｐ−ｎ−，ｍ−ｓｅｃ−，ｐ−ｓｅｃ
−，ｍ−ｔｅｒｔ−，ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、
ｐ−ヘキシルスチレン、ｐ−ヘプチルスチレン、ｐ−オ
クチルスチレン、ｐ−ノニルスチレン、ｐ−デシルスチ
レン、ｐ−ドデシルスチレン、ｐ−テトラデシルスチレ
ン、ｐ−ヘキサデシルスチレン、ｐ−オクタデシルスチ
レン、ｐ−ｓｅｃ−ブチルスチレン、ｐ−ｓｅｃ−アミ
ルスチレン、ｐ−ｓｅｃ−ヘキシルスチレン、ｐ−ｓｅ
ｃ−ヘプチルスチレン、ｐ−ｓｅｃ−オクチルスチレ
ン、ｐ−ｓｅｃ−ノニルスチレン、ｐ−ｓｅｃ−デシル
スチレン、２，４，５−トリイソプロピルスチレン、
２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ
−シクロヘキシルスチレン、ｐ−ベンジルスチレン、１
−ビニル−２−（２−フェニルエチル）ベンゼン等が好
ましい。
−，ｍ−，ｐ−メチルスチレン、２，４−，２，５−，
２，６−，３，４−，３，５−ジメチルスチレン、２，
４，６−，２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタ
メチルスチレン、ｏ−，ｍ−，ｐ−エチルスチレン、
２，５−，３，５−ジエチルスチレン、２，４，５−ト
リエチルスチレン、２，３，４，５−テトラエチルスチ
レン、ペンタエチルスチレン、ｏ−，ｍ−，ｐ−イソプ
ロピルスチレン、ｐ−ｎ−，ｍ−ｓｅｃ−，ｐ−ｓｅｃ
−，ｍ−ｔｅｒｔ−，ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、
ｐ−ヘキシルスチレン、ｐ−ヘプチルスチレン、ｐ−オ
クチルスチレン、ｐ−ノニルスチレン、ｐ−デシルスチ
レン、ｐ−ドデシルスチレン、ｐ−テトラデシルスチレ
ン、ｐ−ヘキサデシルスチレン、ｐ−オクタデシルスチ
レン、ｐ−ｓｅｃ−ブチルスチレン、ｐ−ｓｅｃ−アミ
ルスチレン、ｐ−ｓｅｃ−ヘキシルスチレン、ｐ−ｓｅ
ｃ−ヘプチルスチレン、ｐ−ｓｅｃ−オクチルスチレ
ン、ｐ−ｓｅｃ−ノニルスチレン、ｐ−ｓｅｃ−デシル
スチレン、２，４，５−トリイソプロピルスチレン、
２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ
−シクロヘキシルスチレン、ｐ−ベンジルスチレン、１
−ビニル−２−（２−フェニルエチル）ベンゼン等が好
ましい。
【００１６】中でも（Ｂ）成分としては、（Ａ）成分と
の相溶性に優れることから下記式（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）で表されるアクリル酸エステルが好ましい。
の相溶性に優れることから下記式（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）で表されるアクリル酸エステルが好ましい。
【００１７】
【化８】 （式中、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは各々独立に０以上の整数で
あり、好ましくは、０〜２０の整数であり、特に好まし
くは、ｍ＋ｎ＝２を満たす整数、ｐ＋ｑ＝４を満たす整
数である。） また、本発明の樹脂ペースト組成物は、（Ｂ）成分の１
つとして（Ｅ）下記一般式（２）で表されるフタルイミ
ド誘導体及び一般式（２）で表されるマレイミド誘導体
から選択される１種以上をを含有することが好ましい。
あり、好ましくは、０〜２０の整数であり、特に好まし
くは、ｍ＋ｎ＝２を満たす整数、ｐ＋ｑ＝４を満たす整
数である。） また、本発明の樹脂ペースト組成物は、（Ｂ）成分の１
つとして（Ｅ）下記一般式（２）で表されるフタルイミ
ド誘導体及び一般式（２）で表されるマレイミド誘導体
から選択される１種以上をを含有することが好ましい。
【００１８】
【化９】 （式中はＲ1はフタル酸残基又はマレイン酸残基を表
し、Ｒ2はＨ又はメチル基を表し、ｒは１〜２０の整数
を表す。） （Ｅ）成分としては下記式で表されるＮ−アクリロイル
オキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、Ｎ−アクリロ
イルオキシエチル−１，２，３，６−テトラヒドロフタ
ルイミド、Ｎ−アクリロイルオキシエチル−３，４，
５，６−テトラヒドロフタルイミド及びＮ−アクリロイ
ルオキシエチルマレイミドから選択される１種以上のイ
ミドアクリレートが好ましい。
し、Ｒ2はＨ又はメチル基を表し、ｒは１〜２０の整数
を表す。） （Ｅ）成分としては下記式で表されるＮ−アクリロイル
オキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、Ｎ−アクリロ
イルオキシエチル−１，２，３，６−テトラヒドロフタ
ルイミド、Ｎ−アクリロイルオキシエチル−３，４，
５，６−テトラヒドロフタルイミド及びＮ−アクリロイ
ルオキシエチルマレイミドから選択される１種以上のイ
ミドアクリレートが好ましい。
【００１９】
【化１０】 本発明に用いられる（Ｃ）成分のラジカル開始剤として
は特に制限はないが、ボイド等の点から過酸化物が好ま
しく、また樹脂ペースト組成物の硬化性及び粘度安定性
の点から過酸化物の分解温度が５０〜２００℃のものが
好ましい。 （Ｃ）成分の配合量は、樹脂ペースト組成
物総量１００重量部に対して０．０１〜５０重量部とす
るのが好ましく、０．０５〜２０重量部とするのがより
好ましく、０．１〜１０重量部とするのが特に好まし
い。（Ｃ）成分の配合量が０．０１重量部未満では、樹
脂ペースト組成物の接着力が低下する傾向がある。５０
重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の粘度安定性が
著しく低下し、また、その接着力が低下する傾向があ
る。
は特に制限はないが、ボイド等の点から過酸化物が好ま
しく、また樹脂ペースト組成物の硬化性及び粘度安定性
の点から過酸化物の分解温度が５０〜２００℃のものが
好ましい。 （Ｃ）成分の配合量は、樹脂ペースト組成
物総量１００重量部に対して０．０１〜５０重量部とす
るのが好ましく、０．０５〜２０重量部とするのがより
好ましく、０．１〜１０重量部とするのが特に好まし
い。（Ｃ）成分の配合量が０．０１重量部未満では、樹
脂ペースト組成物の接着力が低下する傾向がある。５０
重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の粘度安定性が
著しく低下し、また、その接着力が低下する傾向があ
る。
【００２０】上記ラジカル開始剤の過酸化物としては、
メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケ
トンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メ
チルシクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトン
パーオキシド、イソブチルパーオキシド、ｏ−メチルベ
ンゾイルパーオキシド、ビス−３，５，５−トリメチル
ヘキサノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、
ベンゾイルパーオキシド、２，４，４−トリメチルペン
チル−２−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼ
ンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔｅｒｔ
−ブチルヒドロパーオキシド、ジクミルパーオキシド、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパー
オキシ）ヘキサン、１，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパ
ーオキシイソプロピル）ベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルク
ミルパーオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ
ド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル
パーオキシ）ヘキシン−３、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシ−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシシクロヘ
キサン、２，２−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ブ
タン、４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシバレリ
ック酸−ｎ−ブチルエステル、２，４，４−トリメチル
ペンチルパーオキシフェノキシアセトン、α−クミルパ
ーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキ
シネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２
−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ
イソブチレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘキ
サヒドロテレフタレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ
アセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート
等が好ましい。
メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケ
トンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メ
チルシクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトン
パーオキシド、イソブチルパーオキシド、ｏ−メチルベ
ンゾイルパーオキシド、ビス−３，５，５−トリメチル
ヘキサノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、
ベンゾイルパーオキシド、２，４，４−トリメチルペン
チル−２−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼ
ンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔｅｒｔ
−ブチルヒドロパーオキシド、ジクミルパーオキシド、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパー
オキシ）ヘキサン、１，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパ
ーオキシイソプロピル）ベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルク
ミルパーオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ
ド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル
パーオキシ）ヘキシン−３、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシ−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシシクロヘ
キサン、２，２−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ブ
タン、４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシバレリ
ック酸−ｎ−ブチルエステル、２，４，４−トリメチル
ペンチルパーオキシフェノキシアセトン、α−クミルパ
ーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキ
シネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２
−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ
イソブチレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘキ
サヒドロテレフタレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ
アセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート
等が好ましい。
【００２１】本発明に用いられる（Ｄ）成分のフィラー
としては特に制限はなく、各種のものが用いられるが、
例えば金、銀、銅、マンガン、ニッケル、鉄、アルミニ
ウム、ステンレスの単独もしくは合金、また、酸化ケイ
素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウ
ム、ホウ酸アルミ等の粉体が挙げられる。さらに、ポリ
（ビニリデンフルオライド）等のポリマー粒子、導電性
成分とポリマー粒子の複合粒子等も用いることができ
る。
としては特に制限はなく、各種のものが用いられるが、
例えば金、銀、銅、マンガン、ニッケル、鉄、アルミニ
ウム、ステンレスの単独もしくは合金、また、酸化ケイ
素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウ
ム、ホウ酸アルミ等の粉体が挙げられる。さらに、ポリ
（ビニリデンフルオライド）等のポリマー粒子、導電性
成分とポリマー粒子の複合粒子等も用いることができ
る。
【００２２】フィラーの配合量は、特に限定されない
が、樹脂ペースト組成物総量１００重量部に対して５〜
９５重量部とするのが好ましく、１０〜９０重量部とす
るのがより好ましく、２０〜８５重量部とするのが特に
好ましい。この配合量が５重量部未満であると、樹脂ペ
ースト組成物の粘度が著しく低くなり、その使用時の塗
布作業性が悪くなる傾向がある。また、その接着力が著
しく低下する。９５重量部を超えると、樹脂ペースト組
成物の粘度が著しく高くなり、その作製時の作業性及び
使用時の塗布作業性が悪くなる傾向がある。
が、樹脂ペースト組成物総量１００重量部に対して５〜
９５重量部とするのが好ましく、１０〜９０重量部とす
るのがより好ましく、２０〜８５重量部とするのが特に
好ましい。この配合量が５重量部未満であると、樹脂ペ
ースト組成物の粘度が著しく低くなり、その使用時の塗
布作業性が悪くなる傾向がある。また、その接着力が著
しく低下する。９５重量部を超えると、樹脂ペースト組
成物の粘度が著しく高くなり、その作製時の作業性及び
使用時の塗布作業性が悪くなる傾向がある。
【００２３】本発明の樹脂ペースト組成物は、（Ｆ）成
分としてダイマージオール及びダイマージオール誘導体
から選択される１種以上をを含有することが好ましい。
ここでダイマージオールとは、植物油から得られるオレ
イン酸、リノール酸などの炭素数１８の不飽和酸を２量
化した構造のダイマー酸における２つのカルボキシル基
（ＣＯＯＨ）の部分がＣＨ2ＯＨの構造を有するジオー
ルをいう。このようなジオールは例えば、ダイマー酸を
水添還元することにより得られる。
分としてダイマージオール及びダイマージオール誘導体
から選択される１種以上をを含有することが好ましい。
ここでダイマージオールとは、植物油から得られるオレ
イン酸、リノール酸などの炭素数１８の不飽和酸を２量
化した構造のダイマー酸における２つのカルボキシル基
（ＣＯＯＨ）の部分がＣＨ2ＯＨの構造を有するジオー
ルをいう。このようなジオールは例えば、ダイマー酸を
水添還元することにより得られる。
【００２４】ダイマージオール誘導体としては特に制限
はないが、前記ダイマージオールをアクリル酸やメタク
リル酸と反応させたダイマージアクリレート及びダイマ
ージメタクリレートやエポキシ変性したダイマージエポ
キシから選択される１種以上が好ましく、ダイマージメ
タクリレートが特に好ましい。
はないが、前記ダイマージオールをアクリル酸やメタク
リル酸と反応させたダイマージアクリレート及びダイマ
ージメタクリレートやエポキシ変性したダイマージエポ
キシから選択される１種以上が好ましく、ダイマージメ
タクリレートが特に好ましい。
【００２５】（Ｆ）成分の配合量は、樹脂ペースト組成
物総量１００重量部に対して０．１〜５０重量部とする
のが好ましく、０．５〜３０重量部とするのがより好ま
しく、１〜２０重量部とするのが特に好ましい。この配
合量が０．１重量部未満であると、樹脂ペースト組成物
のチップ反り低減効果、低吸湿化効果に劣る傾向があ
る。５０重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の粘度
が高くなり、その作製時の作業性及び使用時の塗布作業
性が悪くなる傾向がある。
物総量１００重量部に対して０．１〜５０重量部とする
のが好ましく、０．５〜３０重量部とするのがより好ま
しく、１〜２０重量部とするのが特に好ましい。この配
合量が０．１重量部未満であると、樹脂ペースト組成物
のチップ反り低減効果、低吸湿化効果に劣る傾向があ
る。５０重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の粘度
が高くなり、その作製時の作業性及び使用時の塗布作業
性が悪くなる傾向がある。
【００２６】本発明の樹脂ペースト組成物は、（Ｇ）成
分として液状ゴム成分を含有することが好ましい。
分として液状ゴム成分を含有することが好ましい。
【００２７】本発明に用いられる（Ｇ）液状ゴム成分と
しては特に制限はないが、ポリブタジエン、ポリブタジ
エン誘導体、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体及
びブタジエン・アクリロニトリル共重合体の誘導体から
選択される１種以上が好ましく、エポキシ基、ビニル
基、アクリル基、メタクリル基、カルボキシル基を持つ
ポリブタジエン誘導体及びブタジエン・アクリロニトリ
ル共重合体の誘導体から選択される１種以上がより好ま
しく、エポキシ当量が１０〜１０００であり粘度が１０
００Ｐａ・ｓ以下であるエポキシ化ポリブタジエン又は
その水素添加物、粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下であるア
クリル化ポリブタジエン又はその水素添加物、粘度が１
０００Ｐａ・ｓ以下であるメタクリル化ポリブタジエン
又はその水素添加物、粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下であ
るカルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共
重合体から選択される１種以上が特に好ましい（なお、
粘度はＥＨＤ型回転粘度計を用い、３°コーン、２５℃
にて測定したものである）。
しては特に制限はないが、ポリブタジエン、ポリブタジ
エン誘導体、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体及
びブタジエン・アクリロニトリル共重合体の誘導体から
選択される１種以上が好ましく、エポキシ基、ビニル
基、アクリル基、メタクリル基、カルボキシル基を持つ
ポリブタジエン誘導体及びブタジエン・アクリロニトリ
ル共重合体の誘導体から選択される１種以上がより好ま
しく、エポキシ当量が１０〜１０００であり粘度が１０
００Ｐａ・ｓ以下であるエポキシ化ポリブタジエン又は
その水素添加物、粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下であるア
クリル化ポリブタジエン又はその水素添加物、粘度が１
０００Ｐａ・ｓ以下であるメタクリル化ポリブタジエン
又はその水素添加物、粘度が１０００Ｐａ・ｓ以下であ
るカルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共
重合体から選択される１種以上が特に好ましい（なお、
粘度はＥＨＤ型回転粘度計を用い、３°コーン、２５℃
にて測定したものである）。
【００２８】（Ｇ）成分の配合量は、樹脂ペースト組成
物総量１００重量部に対して０．１〜５０重量部とする
のが好ましく、０．５〜３０重量部とするのがより好ま
しく、１〜２０重量部とするのが特に好ましい。この配
合量が０．１重量部未満であると、樹脂ペースト組成物
のチップ反り低減効果に劣り、また、その接着力が著し
く低下する傾向がある。５０重量部を超えると、樹脂ペ
ースト組成物の粘度が著しく高くなり、その作製時の作
業性及び使用時の塗布作業性が悪くなる傾向がある。
物総量１００重量部に対して０．１〜５０重量部とする
のが好ましく、０．５〜３０重量部とするのがより好ま
しく、１〜２０重量部とするのが特に好ましい。この配
合量が０．１重量部未満であると、樹脂ペースト組成物
のチップ反り低減効果に劣り、また、その接着力が著し
く低下する傾向がある。５０重量部を超えると、樹脂ペ
ースト組成物の粘度が著しく高くなり、その作製時の作
業性及び使用時の塗布作業性が悪くなる傾向がある。
【００２９】本発明の樹脂ペースト組成物の粘度は、５
〜５００Ｐａ・ｓが好ましく、２０〜３００Ｐａ・ｓが
特に好ましい（なお、粘度はＥＨＤ型回転粘度計を用
い、３°コーン、２５℃にて測定したものである）。粘
度が高すぎても低すぎてもその作製時の作業性及び使用
時の塗布作業性が劣る傾向がある。
〜５００Ｐａ・ｓが好ましく、２０〜３００Ｐａ・ｓが
特に好ましい（なお、粘度はＥＨＤ型回転粘度計を用
い、３°コーン、２５℃にて測定したものである）。粘
度が高すぎても低すぎてもその作製時の作業性及び使用
時の塗布作業性が劣る傾向がある。
【００３０】本発明になる樹脂ペースト組成物には、さ
らに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等
の吸湿剤、シランカップリング剤、チタネートカップリ
ング剤、アルミニウムカップリング剤、ジルコアルミネ
ートカップリング剤等の接着力向上剤、ノニオン系界面
活性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコー
ン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ
剤、重合禁止剤等を適宜添加することができる。
らに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等
の吸湿剤、シランカップリング剤、チタネートカップリ
ング剤、アルミニウムカップリング剤、ジルコアルミネ
ートカップリング剤等の接着力向上剤、ノニオン系界面
活性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコー
ン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ
剤、重合禁止剤等を適宜添加することができる。
【００３１】上記シランカップリング剤としては、ビニ
ルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチ
ルジシラザン、Ｎ，Ｏ−（ビストリメチルシリル）アセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ウレア、
Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、
３−４，５−ジヒドロイミダゾールプロピルトリエトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
３−シアノプロピルトリメトキシシラン、メチルトリ
（メタクリロイルオキシエトキシ）シラン、メチルトリ
（グリシジルオキシ）シラン、２−エチルヘキシル−２
−エチルヘキシルホスホネート、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシ
ラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−
ビス（トリメチルシリル）ウレア、Ｎ−トリメチルシリ
ルアセトアミド、ジメチルトリメチルシリルアミン、ジ
エチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミ
ダゾール、Ｎ−トリメチルシリルフェニルウレア、トリ
メチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルジイソシ
アネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシ
リルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシア
ンネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシラ
ントリイソシアネート等が好ましい。
ルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチ
ルジシラザン、Ｎ，Ｏ−（ビストリメチルシリル）アセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ウレア、
Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、
３−４，５−ジヒドロイミダゾールプロピルトリエトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
３−シアノプロピルトリメトキシシラン、メチルトリ
（メタクリロイルオキシエトキシ）シラン、メチルトリ
（グリシジルオキシ）シラン、２−エチルヘキシル−２
−エチルヘキシルホスホネート、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシ
ラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−
ビス（トリメチルシリル）ウレア、Ｎ−トリメチルシリ
ルアセトアミド、ジメチルトリメチルシリルアミン、ジ
エチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミ
ダゾール、Ｎ−トリメチルシリルフェニルウレア、トリ
メチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルジイソシ
アネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシ
リルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシア
ンネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシラ
ントリイソシアネート等が好ましい。
【００３２】上記チタネートカップリング剤としては、
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルト
リドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピ
ルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピ
ルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプ
ロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルト
リス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テ
トライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタ
ネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイ
ト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチ
ル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチ
タネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネー
ト、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセ
テートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネ
ート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレン
チタネート、ジイソプロポキシビス（２，４−ペンタジ
オネート）チタニウム（ＶＩ）、ジイソプロピルビスト
リエタノールアミノチタネート、チタニウムラクテー
ト、アセトアセティックエステルチタネート、ジ−ｉ−
プロポキシビス（アセチルアセトナト）チタン、ジ−ｎ
−ブトキシビス（トリエタノールアミナト）チタン、ジ
ヒドロキシビス（ラクタト）チタン、チタニウム−ｉ−
プロポキシオクチレングリコレート、チタニウムステア
レート、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、
チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノー
ルアミネート等が好ましい。
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルト
リドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピ
ルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピ
ルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプ
ロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルト
リス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テ
トライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタ
ネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイ
ト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチ
ル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチ
タネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネー
ト、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセ
テートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネ
ート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレン
チタネート、ジイソプロポキシビス（２，４−ペンタジ
オネート）チタニウム（ＶＩ）、ジイソプロピルビスト
リエタノールアミノチタネート、チタニウムラクテー
ト、アセトアセティックエステルチタネート、ジ−ｉ−
プロポキシビス（アセチルアセトナト）チタン、ジ−ｎ
−ブトキシビス（トリエタノールアミナト）チタン、ジ
ヒドロキシビス（ラクタト）チタン、チタニウム−ｉ−
プロポキシオクチレングリコレート、チタニウムステア
レート、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、
チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノー
ルアミネート等が好ましい。
【００３３】上記重合禁止剤としては、キノン類、ヒド
ロキノン、ニトロ・ニトロソ化合物、アミン類、ポリオ
キシ化合物、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、ピクリ
ン酸、ジチオベンゾイルジスルフィド等の含硫黄化合
物、塩化第二銅、ジフェニルピクリルヒドラジル、トリ
−ｐ−ニトロフェニルメチル、トリフェニルフェルダジ
ル、Ｎ−（３−Ｎ−オキシアニリノ−１，３−ジメチル
ブチリデン）アニリンオキシド等が好ましい。
ロキノン、ニトロ・ニトロソ化合物、アミン類、ポリオ
キシ化合物、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、ピクリ
ン酸、ジチオベンゾイルジスルフィド等の含硫黄化合
物、塩化第二銅、ジフェニルピクリルヒドラジル、トリ
−ｐ−ニトロフェニルメチル、トリフェニルフェルダジ
ル、Ｎ−（３−Ｎ−オキシアニリノ−１，３−ジメチル
ブチリデン）アニリンオキシド等が好ましい。
【００３４】本発明になる樹脂ペースト組成物には、さ
らに必要に応じてブリード抑制剤を添加することができ
る。ブリード抑制剤としてはパーフロロオクタン酸、オ
クタン酸アミド、オレイン酸等の脂肪酸、パーフロロオ
クチルエチルアクリレート、シリコーン等が好ましい。
らに必要に応じてブリード抑制剤を添加することができ
る。ブリード抑制剤としてはパーフロロオクタン酸、オ
クタン酸アミド、オレイン酸等の脂肪酸、パーフロロオ
クチルエチルアクリレート、シリコーン等が好ましい。
【００３５】本発明の樹脂ペースト組成物を製造するに
は、各成分を一括又は分割して撹拌器、らいかい器、３
本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を
適宜組み合わせ、必要に応じて加熱して混合、溶解、解
粒混練又は分散して均一なペースト状とすれば良い。
は、各成分を一括又は分割して撹拌器、らいかい器、３
本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を
適宜組み合わせ、必要に応じて加熱して混合、溶解、解
粒混練又は分散して均一なペースト状とすれば良い。
【００３６】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と支
持部材とを接着した後、封止することにより半導体装置
とすることができる。本発明の樹脂ペースト組成物を用
いて半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板
（ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板）、ＢＴ基
板（シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレ
イミドからなるＢＴレジン使用基板）、ポリイミドテー
プ又はフィルム等の有機基板、その他の支持部材に接着
させるには、まず支持部材上に樹脂ペースト組成物をデ
ィスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等に
より塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブ
ン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化する
ことにより行うことができる。さらに、必要に応じてワ
イヤボンド工程、封止工程等を経ることにより完成され
た半導体装置とすることができる。
て製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と支
持部材とを接着した後、封止することにより半導体装置
とすることができる。本発明の樹脂ペースト組成物を用
いて半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板
（ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板）、ＢＴ基
板（シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレ
イミドからなるＢＴレジン使用基板）、ポリイミドテー
プ又はフィルム等の有機基板、その他の支持部材に接着
させるには、まず支持部材上に樹脂ペースト組成物をデ
ィスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等に
より塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブ
ン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化する
ことにより行うことができる。さらに、必要に応じてワ
イヤボンド工程、封止工程等を経ることにより完成され
た半導体装置とすることができる。
【００３７】
【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。
が、本発明はこれによって制限されるものではない。
【００３８】以下の実施例及び比較例で用いた材料は、
下記の方法で作製したもの、あるいは入手したものであ
る。 （１）エポキシ樹脂の調製 ＹＤＦ−１７０（東都化成社製、商品名、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝１７０）７．５重
量部及びＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ社製、商品
名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝
１８５）７．５重量部を８０℃に加熱し、１時間撹拌を
続け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。 （２）硬化剤の調製 Ｈ−１（明和化成社製、商品名、
フェノールノボラック樹脂、ＯＨ当量＝１０６）１．０
重量部及び希釈剤としてＰＰ−１０１（東都化成社製、
商品名、アルキルフェニルグリシジルエーテル、エポキ
シ当量＝２３０）２．０重量部を１００℃に加熱し、１
時間撹拌を続け、均一なフェノール樹脂溶液を得た。 （３）硬化促進剤 ２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成社製、商品
名、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチル
イミダゾール）である。 （４）フィラー ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製、商品
名、銀粉）である。 （５）ビスアリルナジイミド ＢＡＮＩ−Ｘ（丸善石油
化学社製、商品名、一般式（１）のｘ＝２、Ｒ＝−ＣＨ
2−Ｐｈ−ＣＨ2−）である。 （６）アクリル酸エステル Ｒ−７１２（日本化薬製、
商品名、式（ｂ）で表される化合物、ｐ＋ｑ＝４の化合
物）である。 （７）ラジカル開始剤 トリゴノックス２２−Ｂ７５
（化薬アクゾ社製、商品名、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシシクロヘキサン）である。 （８）ダイマージオール誘導体 ＤＤＭＭ２４（東亜合
成社製、商品名、ダイマージメタクリレート（ダイマー
ジオールの両末端ジメタクリレート））である。 （９）イミド化合物 Ａｒｏｎｉｘ ＴＯ−１４２９
（東亜合成社製、商品名、Ｎ−アクリロイルオキシエチ
ルヘキサヒドロフタルイミド）である。 （１０）液状ゴム成分 エポリードＰＢ−４７００（ダ
イセル化学工業社製、商品名、エポキシ化ポリブタジエ
ン、エポキシ当量＝１５０〜２００）である。 （１１）添加剤（シランカップリング剤） Ａ−１７４
（日本ユニカー社製、商品名、３−メタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン）である。
下記の方法で作製したもの、あるいは入手したものであ
る。 （１）エポキシ樹脂の調製 ＹＤＦ−１７０（東都化成社製、商品名、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝１７０）７．５重
量部及びＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ社製、商品
名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝
１８５）７．５重量部を８０℃に加熱し、１時間撹拌を
続け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。 （２）硬化剤の調製 Ｈ−１（明和化成社製、商品名、
フェノールノボラック樹脂、ＯＨ当量＝１０６）１．０
重量部及び希釈剤としてＰＰ−１０１（東都化成社製、
商品名、アルキルフェニルグリシジルエーテル、エポキ
シ当量＝２３０）２．０重量部を１００℃に加熱し、１
時間撹拌を続け、均一なフェノール樹脂溶液を得た。 （３）硬化促進剤 ２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成社製、商品
名、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチル
イミダゾール）である。 （４）フィラー ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製、商品
名、銀粉）である。 （５）ビスアリルナジイミド ＢＡＮＩ−Ｘ（丸善石油
化学社製、商品名、一般式（１）のｘ＝２、Ｒ＝−ＣＨ
2−Ｐｈ−ＣＨ2−）である。 （６）アクリル酸エステル Ｒ−７１２（日本化薬製、
商品名、式（ｂ）で表される化合物、ｐ＋ｑ＝４の化合
物）である。 （７）ラジカル開始剤 トリゴノックス２２−Ｂ７５
（化薬アクゾ社製、商品名、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシシクロヘキサン）である。 （８）ダイマージオール誘導体 ＤＤＭＭ２４（東亜合
成社製、商品名、ダイマージメタクリレート（ダイマー
ジオールの両末端ジメタクリレート））である。 （９）イミド化合物 Ａｒｏｎｉｘ ＴＯ−１４２９
（東亜合成社製、商品名、Ｎ−アクリロイルオキシエチ
ルヘキサヒドロフタルイミド）である。 （１０）液状ゴム成分 エポリードＰＢ−４７００（ダ
イセル化学工業社製、商品名、エポキシ化ポリブタジエ
ン、エポキシ当量＝１５０〜２００）である。 （１１）添加剤（シランカップリング剤） Ａ−１７４
（日本ユニカー社製、商品名、３−メタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン）である。
【００３９】表１に示す配合割合で各材料を混合し、３
本ロールを用いて混練した後、５Ｔｏｒｒ以下で１０分
間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。
本ロールを用いて混練した後、５Ｔｏｒｒ以下で１０分
間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。
【００４０】この樹脂ペースト組成物の特性（粘度、ピ
ール強度、チップ反り及び耐半田リフロー性）を下記に
示す方法で調べた。その結果を表１に示す。 （１）粘度：ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器社製）で、
３°コーンを用いて２５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）を
測定した。 （２）ピール強度：実施例及び比較例により得た樹脂ペ
ースト組成物を銅リードフレーム及びガラスエポキシ基
板上に約３．２ｍｇを塗布し、この上に８ｍｍ×８ｍｍ
のＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオー
ブンで１５０℃まで３０分で昇温し１５０℃で１時間硬
化させた。これを自動接着力測定装置（日立化成工業社
製、内製）を用い、２４０℃における引き剥がし強さ
（Ｎ／６４ｍｍ2）を測定した。 （３）チップ反り：実施例及び比較例により得た樹脂ペ
ースト組成物を銅リードフレーム及びガラスエポキシ基
板上に約３．２ｍｇを塗布し、この上に５ｍｍ×１３ｍ
ｍのＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオ
ーブンで１５０℃まで３０分で昇温し１５０℃で１時間
硬化させた。これを表面粗さ計（Ｓｌｏａｎ社製、Ｄｅ
ｋｔａｋ ３０３０）を用い、チップ反り（μｍ）を測
定した。 （４）耐半田リフロー性：実施例及び比較例により得た
樹脂ペースト組成物を用い、下記リードフレーム及びガ
ラスエポキシ基板とＳｉチップを、下記の硬化条件によ
り硬化し接着した。その後日立化成工業社製エポキシ封
止材（商品名ＣＥＬ−９２００）により封止し、耐半田
リフロー試験用パッケージを得た。そのパッケージを温
度及び湿度がそれぞれ８５℃、６０％の条件に設定され
た恒温恒湿槽中で１６８時間吸湿させた。その後２４０
℃／１０秒のリフロー条件で半田リフローを行い、パッ
ケージの外部クラックの発生数を顕微鏡（倍率：１５
倍）で、また、パッケージの内部クラックの発生数を超
音波顕微鏡で観察した。５個のサンプルについてクラッ
クの発生したサンプル数を示す。
ール強度、チップ反り及び耐半田リフロー性）を下記に
示す方法で調べた。その結果を表１に示す。 （１）粘度：ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器社製）で、
３°コーンを用いて２５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）を
測定した。 （２）ピール強度：実施例及び比較例により得た樹脂ペ
ースト組成物を銅リードフレーム及びガラスエポキシ基
板上に約３．２ｍｇを塗布し、この上に８ｍｍ×８ｍｍ
のＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオー
ブンで１５０℃まで３０分で昇温し１５０℃で１時間硬
化させた。これを自動接着力測定装置（日立化成工業社
製、内製）を用い、２４０℃における引き剥がし強さ
（Ｎ／６４ｍｍ2）を測定した。 （３）チップ反り：実施例及び比較例により得た樹脂ペ
ースト組成物を銅リードフレーム及びガラスエポキシ基
板上に約３．２ｍｇを塗布し、この上に５ｍｍ×１３ｍ
ｍのＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオ
ーブンで１５０℃まで３０分で昇温し１５０℃で１時間
硬化させた。これを表面粗さ計（Ｓｌｏａｎ社製、Ｄｅ
ｋｔａｋ ３０３０）を用い、チップ反り（μｍ）を測
定した。 （４）耐半田リフロー性：実施例及び比較例により得た
樹脂ペースト組成物を用い、下記リードフレーム及びガ
ラスエポキシ基板とＳｉチップを、下記の硬化条件によ
り硬化し接着した。その後日立化成工業社製エポキシ封
止材（商品名ＣＥＬ−９２００）により封止し、耐半田
リフロー試験用パッケージを得た。そのパッケージを温
度及び湿度がそれぞれ８５℃、６０％の条件に設定され
た恒温恒湿槽中で１６８時間吸湿させた。その後２４０
℃／１０秒のリフロー条件で半田リフローを行い、パッ
ケージの外部クラックの発生数を顕微鏡（倍率：１５
倍）で、また、パッケージの内部クラックの発生数を超
音波顕微鏡で観察した。５個のサンプルについてクラッ
クの発生したサンプル数を示す。
【００４１】支持部材：銅リードフレーム チップサイズ：８ｍｍ×１０ｍｍ（厚さ０．４ｍｍ） パッケージ：ＱＦＰ、１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ 硬化条件：１５０℃まで３０分で昇温、１５０℃で１時
間硬化 支持部材：ガラスエポキシ基板 チップサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ（厚さ０．４ｍｍ） パッケージ：ＯＭＰＡＣ型ＢＧＡ、２４ｍｍ×２４ｍｍ
×１．５ｍｍ 硬化条件：１５０℃まで３０分で昇温、１５０℃で１時
間硬化
間硬化 支持部材：ガラスエポキシ基板 チップサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ（厚さ０．４ｍｍ） パッケージ：ＯＭＰＡＣ型ＢＧＡ、２４ｍｍ×２４ｍｍ
×１．５ｍｍ 硬化条件：１５０℃まで３０分で昇温、１５０℃で１時
間硬化
【００４２】
【表１】 表１の結果から、本発明の樹脂ペースト組成物（実施例
１〜４）はエポキシ樹脂を用いた樹脂ペースト組成物
（比較例１及び２）に比較してピール強度、チップ反り
で良好な値を示し、耐半田リフロー性も優れていた。こ
のことから、本発明の樹脂ペースト組成物によれば、パ
ッケージクラックの発生が抑制され、銅リードフレーム
及び有機基板を使用した際にも信頼性の高いパッケージ
が得られることが確認された。
１〜４）はエポキシ樹脂を用いた樹脂ペースト組成物
（比較例１及び２）に比較してピール強度、チップ反り
で良好な値を示し、耐半田リフロー性も優れていた。こ
のことから、本発明の樹脂ペースト組成物によれば、パ
ッケージクラックの発生が抑制され、銅リードフレーム
及び有機基板を使用した際にも信頼性の高いパッケージ
が得られることが確認された。
【００４３】
【発明の効果】本発明の樹脂ペースト組成物は、半導体
装置のダイボンディング材として使用した場合に、銅リ
ードフレーム及び有機基板を使用した際にもチップクラ
ックやチップ反り及び半田リフロー時のペースト層の剥
離を抑えることができ、リフロークラックの発生を低減
させる。その結果、半導体装置としての信頼性を向上さ
せることができる。
装置のダイボンディング材として使用した場合に、銅リ
ードフレーム及び有機基板を使用した際にもチップクラ
ックやチップ反り及び半田リフロー時のペースト層の剥
離を抑えることができ、リフロークラックの発生を低減
させる。その結果、半導体装置としての信頼性を向上さ
せることができる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J011 AA05 PA54 PB30 PB38 4J027 AA02 AJ02 BA13 CB03 4J040 CA042 CA072 FA042 FA132 FA142 FA152 FA162 FA172 FA191 HA066 HA076 HA136 HA176 HA206 HA306 HB41 JA05 KA11 KA24 KA42 LA06 NA20 4J100 AL65Q AQ06P AQ25P BA02Q BA08Q BA15Q BC28Q BC43P CA01 CA04 FA03 5F047 AA11 AA17 BA33 BA34 BA37 BA52 BA53 BB11 BB16
Claims (11)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）で表されるアリルナ
ジイミド、（Ｂ）ラジカル反応性不飽和二重結合を有す
る希釈剤、（Ｃ）ラジカル開始剤及び（Ｄ）フィラーを
含有してなる樹脂ペースト組成物。 【化１】 （式中、Ｒは１価又は２価の有機基を表し、ｘは１又は
２を表す。） - 【請求項２】 （Ａ）成分が下記式で表されるアリルナ
ジイミドのいずれかである請求項１記載の樹脂ペースト
組成物。 【化２】 - 【請求項３】 （Ｂ）成分が下記式で表されるアクリル
酸エステルのいずれかである請求項１又は２記載の樹脂
ペースト組成物。 【化３】 （式中、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは各々独立に０以上の整数を
表す。） - 【請求項４】 （Ｂ）成分の１つとして、（Ｅ）一般式
（２）で表されるフタルイミド誘導体及び一般式（２）
で表されるマレイミド誘導体から選択される１種以上を
含有する請求項１、２又は３記載の樹脂ペースト組成
物。 【化４】 （式中はＲ1はフタル酸残基又はマレイン酸残基を表
し、Ｒ2はＨ又はメチル基を表し、ｒは１〜２０の整数
を表す。） - 【請求項５】 （Ｅ）成分が下記式で表されるＮ−アク
リロイルオキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、Ｎ−
アクリロイルオキシエチル−１，２，３，６−テトラヒ
ドロフタルイミド、Ｎ−アクリロイルオキシエチル−
３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミド及びＮ−ア
クリロイルオキシエチルマレイミドから選択される１種
以上のイミドアクリレートである請求項４記載の樹脂ペ
ースト組成物。 【化５】 - 【請求項６】 請求項１記載の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
及び（Ｄ）成分と、（Ｆ）ダイマージオール及びその誘
導体から選択される１種以上を均一分散させてなる樹脂
ペースト組成物。 - 【請求項７】 （Ｆ）成分がダイマージアクリレート、
ダイマージメタクリレート及びダイマージエポキシから
選択される１種以上である請求項６記載の樹脂ペースト
組成物。 - 【請求項８】 請求項１記載の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
及び（Ｄ）成分と、（Ｇ）液状ゴム成分を均一分散させ
てなる樹脂ペースト組成物。 - 【請求項９】 （Ｇ）成分がポリブタジエン、ポリブタ
ジエン誘導体、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体
及びブタジエン・アクリロニトリル共重合体の誘導体か
ら選択される１種以上である請求項８記載の樹脂ペース
ト組成物。 - 【請求項１０】 請求項１記載の（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）及び（Ｄ）成分と、請求項６記載の（Ｆ）成分及
び請求項８記載の（Ｇ）成分を均一分散させてなる樹脂
ペースト組成物。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０何れか記載の樹脂ペ
ースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した
後、封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11186050A JP2001011135A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11186050A JP2001011135A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001011135A true JP2001011135A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=16181531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11186050A Pending JP2001011135A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001011135A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004050779A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置 |
| JP2005521764A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-07-21 | ヘンケル コーポレイション | マレイミドおよび関連化合物を含有するフィルム接着剤およびそれを用いた方法 |
| WO2007083810A1 (ja) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置 |
| JP2012197336A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | イミド樹脂組成物およびその製造方法、プリプレグ、金属張積層板並びにプリント配線板 |
| JP2013187375A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置用接着フィルム、半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2013187376A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置用接着フィルム、半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置 |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP11186050A patent/JP2001011135A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005521764A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-07-21 | ヘンケル コーポレイション | マレイミドおよび関連化合物を含有するフィルム接着剤およびそれを用いた方法 |
| WO2004050779A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置 |
| US7576141B2 (en) | 2002-11-29 | 2009-08-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device |
| US7795325B2 (en) | 2002-11-29 | 2010-09-14 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device |
| WO2007083810A1 (ja) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置 |
| KR101014483B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2011-02-14 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착시트, 및 그것을이용한 반도체장치 |
| JP4952585B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2012-06-13 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置 |
| JP2012197336A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | イミド樹脂組成物およびその製造方法、プリプレグ、金属張積層板並びにプリント配線板 |
| JP2013187375A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置用接着フィルム、半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2013187376A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置用接着フィルム、半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4752109B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2011037981A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
| JP2001181482A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2012236873A (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2011038080A (ja) | 接着剤組成物及び接続構造体 | |
| JP2000239616A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP5625248B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2001011135A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2013067673A (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2000234043A (ja) | 樹脂ぺースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2009120826A (ja) | 接着剤組成物及び半導体装置 | |
| JP2000104035A (ja) | 樹脂ぺースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2000072851A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP5482077B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
| JP2001181358A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2002012603A (ja) | 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| WO2012124527A1 (ja) | 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2002012637A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3503736B2 (ja) | ダイアタッチペースト | |
| JP2005154633A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2011082368A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
| JP4419227B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3985433B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4600429B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4929688B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |