TWI326629B - A laser manufacturing process method and device thereof - Google Patents
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Description
1326629 九、發明說明: 雷 之 Η 加 作 物 象 對 Η 加 對 而 光 射 1g3 11 域由 領經 技有 之係 屬明 所發 明本 發 .射如工方法及雷射加工裝置° 【先前技術】 在以往的雷射加工技術中,係具有相對於用來將加工對 象物加工的雷射光集光之集光透鏡,取指定的間隔而倂設用 以測定加工對象物之主面高度的測定裝置(接觸式變位計及 φ 超音波距離計等)者(例如,參照下述專利文獻1之第6圖 〜第10圖。)。在此種雷射加工技術中,當沿著加工對象物 之主面以雷射光掃描之際,利用測定裝置測定加工對象物之 主面高度,而在其測定點到達集光透鏡之正下時,依據其主 面高度之測定値以使得集光透鏡與加工對象物之主面的距 離成爲一定般地使集光透鏡在其光軸方向驅動。 又’在對主面爲凸凹之加工對象物作加工的技術方面, 作爲加工準備’係把要施加加工之部分全部的平面度利用平 φ 面度測定裝置(具有投光器與反射光受光器之平面度測定 器)加以測定之後,將該平面度測定裝置換爲刀刃,再依據 所測定之平面度而對加工對象物作加工者(例如,參照下述 專利文獻2。)。 專利文獻1 :日本國專利特開2002-2 1959 1號公報 專利文獻2 :日本國專利特開平丨^45785號公報 【發明內容】 發明所欲解決之課顕 1326629 然而,在上述專利文獻1所記載的雷射加工技術中係具 有如次那樣需解決的課題。亦即,在從加工對象物之外側位 置開始雷射光之照射而使雷射光與加工對象物沿其主面移 . 動以執行加工的場合,測定裝置係從加工對象物的外側開始 測定,而成爲朝加工對象物的內側開始執行測定。然後,依 此測定所獲得之主面高度的測定値來驅動集光透鏡時,於加 工對象物的端部有時雷射光之集光點會偏離。 又,在使用有上述專利文獻2所記載的技術之場合,雖 φ 然可正確地把握加工對象物之主面的平面度,但是因爲在測 定時和加工時要交換各自所使用的裝置,所以交換費時同時 伴隨著交換而有產生偏離之虞。 於是本發明中,係以提供一種可極力減少雷射光之集光 點的偏離且可有效率地執行雷射加工之雷射加工方法及雷 射加工裝置爲目的。 解決課顆之丰段 本發明之雷射加工方法爲,將第1雷射光以透鏡集光, Φ 而使集光點對準加工對象物的內部作照射,以沿著加工對象 物的切斷預定線而在加工對象物的內部形成改質區域之雷 射加工方法,其具備有(1)把用以測定加工對象物之主面的變 位之第2雷射光以透鏡集光並朝加工對象物照射,而因應該 照射一邊檢測在主面被反射之反射光一邊取得沿著切斷預 定線之主面的變位之變位取得步驟,以及(2)照射第1雷射 光,並依據該取得的變位而一邊調整透鏡與主面之間隔,一 邊使透鏡與加工對象物沿著主面作相對移動,並沿著切斷預 1326629 定線形成改質區域之加工步驟。 » 若依本發明之雷射加工方法,因爲係沿著切斷預定線取 得主面的變位,且依據其取得的變位而一邊調整透鏡與主面 • 之間隔一邊形成改質區域,可在加工對象物內部之指定的位 置形成改質區域。又,因爲是以將加工用第1雷射光集光的 透鏡來將測定用第2雷射光集光,所以可更正確地取得主面 之變位。 又、在本發明之雷射加工方法方面,在變位取得步驟 φ 中,使透鏡與加工對象物以第一速度沿著主面一邊相對移 動,一邊以第一時間間隔取得沿著切斷預定線之主面的變 位’而在加工步驟中,使透鏡與加工對象物以較第一速度還 快的第二速度沿著主面作相對移動,一邊以較第一時間間隔 還短的第二時間間隔來調整透鏡與主面之間隔且一邊形成 改質區域者爲較佳。因爲係以較形成改質區域之際的第二速 度還慢的第一速度來取得主面的變位,所以例如即使在主面 具有大的段差之場合也可正確地取得主面之變位。又,因爲 φ 以較取得主面的變位之際的第一速度還快的第二速度來形 成改質區域,所以加工效率係提升。又例如,若以使得取得 主面的變位之切斷預定線方向的距離間隔與形成改質區域 之際調整透鏡與主面之間隔之際的切斷預定線方向的距離 間隔成爲相等般地各自設定第一速度、第二速度、第一時間 間隔、以及第二時間間隔的話,則依所取得的主面之變位, 可忠實地調整透鏡與主面之間隔。 又,在本發明之雷射加工方法方面,變位取得步驟係具 1326629 有如下者較佳:把透鏡保持於以第2雷射光的集光點會對準 相對於加工對象物之指定的位置所設定之測定初期位置的 測定準備步驟;在將該透鏡保持在初期位置之狀態下開始第 2雷射光的照射,使透鏡與加工對象物沿著主面作相對移 動,且因應在主面所反射之第2雷射光的反射光,將透鏡保 持在測定初期位置之狀態予以解除的第一測定步驟;以及在 該解除後,一邊檢測在主面被反射之第2雷射光的反射光一 邊調整透鏡與主面之距離以取得沿著切斷預定線之主面的 φ 變位之第二測定步驟。在測定初期位置保持透鏡的狀態對切 斷預定線之一端部照射第2雷射光之後,亦即透鏡與加工對 象物係相對移動而在透鏡臨近加工對象物之後,解除將透鏡 保持的狀態以取得主面的變位,所以可極力排除加工對象物 之端部形狀變動所造成的影響而取得變位。又,反射光之光 量係因應與反射的面之距離而變化,所以例如,將反射光的 光量指定的變化的部分假設視爲與加工對象物之主面的外 緣對應者而可解除將透鏡保持的狀態。 φ 又,在本發明之雷射加工方法方面,加工步驟爲具有, 依據於變位取得步驟所取得之沿著切斷預定線之主面的變 位而設定相對於主面之將透鏡予以保持的加工初期位置,再 透鏡保持於該設定的加工初期位置之加工準備步驟,和在將 該透鏡保持於加工初期位置的狀態下開始第1雷射光之照 射,且使透鏡與加工對象物相對移動並在切斷預定線之一端 部形成改質區域之第一加工步驟,以及在切斷預定線之一端 部形成了改質區域之後解除將透鏡保持在加工初期位置的 1326629 狀態,而在該解除後、依據於變位取得步驟所取得之沿著切 斷預定線之主面的變位而一邊調整透鏡與主面之間隔一邊 使透鏡與加工對象物相對移動而形成改質區域之第二加工 步驟者係較佳。因爲是在加工初期位置將透鏡保持的狀態下 於切斷預定線之一端部形成改質區域,且在其後解除將透鏡 保ίΦ的狀態而使一邊追隨主面的變位一邊形成改質區域,所 以可極力排除加工對象物之端部形狀變動所造成的影響而 形成改質區域。 ρ 又,在本發明之雷射加工方法方面,於變位取得步驟 中,在取得沿著切斷預定線之主面的變位之際一倂照射第1 雷射光而沿著切斷預定線形成改質區域者也較佳。因爲是配 合主面變位之取得而形成改質區域,所以能以一次的掃描來 執行測定和加工。 又’在本發明之雷射加工方法方面,於變位取得步驟中 所形成的改質區域係形成在於加工步驟所形成的改質區域 與主面之間者係較佳。相對於變位取得步驟中所形成之改質 • 區域,從雷射光的照射側觀察可知在加工步驟中所形成之改 質區域係位在遠處,所以在雷射光之出射方向可廣範地形成 改質區域。 又’在本發明之雷射加工方法方面,切斷預定線含有第 一切斷預定線及第二切斷預定線,於變位取得步驟,在使透 鏡相對於加工對象物以沿著第一切斷預定線的第一方向上 相對移動而取得沿著第一切斷預定線之主面的變位之後,使 透鏡相對於加工對象物以在與第一方向相反的第二方向相 J326629 對移動而取得沿著第二切斷預定線之主面的變位,且於加工 步驟’在朝第一方向形成沿著第一切斷預定線的改質區域之 後’朝第二方向形成沿著第二切斷預定線的改質區域者係較 佳。因爲係透鏡一邊朝第一方向移動且一邊取得沿著第一切 斷預定線之變位,一邊朝與其相反的第二方向移動而一邊取 得沿著第二切斷預定線的變位,所以可經由使透鏡對加工對 象物往復動作而取得變位。又,因爲對加工對象物乃係以透 鏡之往復動作而形成各自沿著第一切斷預定線及第二切斷 φ 預定線的改質區域,所以可更有效率的形成改質區域。 本發明之雷射加工裝置爲,使集光點對準加工對象物的 內部而照射第1雷射光,以沿著加工對象物的切斷預定線而 在加工對象物的內部形成改質區域之雷射加工裝置,其具備 有將第1雷射光及用以測定加工對象物之主面的變位之第2 雷射光朝加工對象物集光之透鏡、因應第2雷射光的照射而 檢測在主面反射之反射光而取得主面的變位之變位取得裝 置、使加工對象物與透鏡沿著加工對象物的主面移動之移動 φ 裝置、和使透鏡對主面進退自如地保持的保持裝置、以及用 以控制移動裝置及保持裝置各個動作之控制裝置,且一邊照 射第2雷射光,一邊控制裝置係以使加工對象物與透鏡沿著 主面相對移動般地控制移動裝置,變位取得裝置取得沿著切 斷預定線之主面的變位,且照射第1雷射光,控制裝置係依 據變位取得裝置所取得的變位而一邊調整透鏡與主面之間 隔一邊加以保持般地控制保持裝置,使透鏡與加工對象物沿 著主面相對移動般地控制移動裝置以形成前述改質區域。 -10- 1326629 若依本發明之雷射加工裝置,係沿著切斷預定線取得主面的 變位,再依據其取得的變位而一邊調整透鏡與主面之間隔一 邊形成改質區域,所以可在加工對象物內部之指定的位置形 成改質區域。又,因爲是以將加工用第1雷射光集光的透鏡 來將測定用第2雷射光集光,所以可更正確地取得主面之變 位。 又,在本發明之雷射加工裝置中,一邊照射第2雷射光 而一邊爲控制裝置使加工對象物與透鏡以第一速度沿著主 φ 面相對移動般地控制移動裝置,變位取得裝置係以第一時間 間隔取得沿著切斷預定線之主面的變位而照射第1雷射光, 控制裝置係使透鏡與加工對象物以較第一速度還快的第二 速度沿著主面相對移動般地控制移動裝置,且以較第一時間 間隔還短的第二時間間隔來調整透鏡與主面之間隔般地控 制保持裝置者爲較佳。因爲控制成以較形成改質區域之際的 第二速度還慢的第一速度來取得主面的變位,所以例如即使 是在主面具有大的段差之場合也可正確地取得主面之變 φ 位。又,因爲控制成以較取得主面的變位之際的第一速度還 快的第二速度來形成改質區域,所以加工效率係提升。又、 例如,以使得在取得主面的變位之切斷預定線方向的距離間 隔、與在形成改質區域之際在調整透鏡與主面之間隔之際的 切斷預定線方向之距離間隔成爲相等般地各自設定第一速 度、第二速度、第一時間間隔、及第二時間間隔的話,則可 依所取得之主面的變位而忠實地調整透鏡與主面之間隔。 又’在本發明之雷射加工裝置中,控制裝置係將透鏡保 1326629 持於以第2雷射光之集光點會對準加工對象物之指定位置般 所設定的測定初期位置上般地控制保持裝置,且在該透鏡保 持在測定初期位置之狀態下開始第2雷射光之照射,控制裝 置f系使透鏡與加工對象物沿著主面相對移動般地控制移動 裝置,且因應在主面被反射之第2雷射光的反射光而解除將 透鏡保持在測定初期位置的狀態般地控制保持裝置,而在該 解除之後,控制裝置係以一邊檢測在主面被反射之第2雷射 • 光的反射光一邊調整透鏡與主面之距離般地控制保持裝 φ 置,且變位取得裝置爲取得沿著切斷預定線之主面的變位者 爲較佳。在測定初期位置將透鏡保持的狀態下對切斷預定線 之一端部照射第2雷射光之後,亦即透鏡與加工對象物相對 移動而在透鏡臨近加工對象物之後,解除將透鏡保持的狀態 以取得主面的變位,所以可極力排除加工對象物之端部形狀 變動所造成的影響而取得變位。又,反射光之光量係因應與 反射的面之距離而變化,所以例如,將反射光的光量所要進 行指定變化的部分假設爲與加工對象物之主面外緣對應而 φ 可解除將透鏡保持的狀態。 又,在本發明之雷射加工裝置中,控制裝置係以依據變 位取得裝置所取得之沿著切斷預定線的主面之變位而設定 相對於主面之將透鏡予以保持的加工初期位置,而在該設定 的加工初期位置將透鏡保持般地控制保持裝置,且在將該透 鏡保持於加工初期位置的狀態下開始第1雷射光之照射,控 制裝置係使透鏡與加工對象物相對移動般地控制移動裝置 以在切斷預定線的一端部形成改質區域,在該一端部形成改 -12- 1326629 質區域之後,控制裝置係以解除將透鏡保持在加工初期位置 的狀態,且依據變位取得裝置所取得的主面之變位而調整透 鏡與加工對象物之間隔般地控制保持裝置,且使透鏡與加工 對.象物相對移動般地控制移動裝置而形成改質區域者爲較 佳。因爲是在加工初期位置將透鏡保持的狀態下於切斷預定 線之一端部形成改質區域,而在其後解除保持透鏡的狀態以 使一邊追隨主面的變位一邊形成改質區域,所以可極力排除 加工對象物之端部形狀變動所造成的影響而形成改質區域。 | 又,在本發明之雷射加工裝置中,在變位取得裝置取得 沿著切斷預定線之主面的變位之際一倂照射第1雷射光而沿 著切斷預定線形成改質區域者也較佳。因爲是配合主面變位 之取得而形成改質區域,所以能以一次的掃描來執行測定和 加工。 又,在本發明之雷射加工裝置中,移動裝置係可使加工 對象物在朝透鏡的方向移動,控制裝置係以在變位取得裝置 取得變位之際沿著切斷預定線而形成之改質區域可形成於 • 在其後沿著切斷預定線形成之改質區域與主面之間那樣地 控制移動裝置者爲佳。相對於變位取得步驟中所形成之改質 區域,從雷射光的照射側觀察可知在加工步驟中所形成之改 質區域係位在遠處,所以在雷射光之出射方向可廣範地形成 改質區域。 又,在本發明之雷射加工裝置中,切斷預定線含有第一 切斷預定線及第二切斷預定線,控制裝置係以在沿著第一切 斷預定線的第一方向,透鏡爲對加工對象物相對移動般地控 -13- 1326629 _ 制移動裝置,變位取得裝置係取得沿著第一切斷預定線之主 面的變位,在其後,控制裝置係以在與第一方向相反的第二 方向,透鏡爲對加工對象物相對移動般地控制移動裝置,變 位取得裝置係取得沿著第二切斷預定線之主面的變位,控制 裝置係,在朝第一方向形成沿著第一切斷預定線的改質區域 « 之後,朝第二方向形成沿著第二切斷預定線的改質區域般地 控制移動裝置者係較佳。因爲透鏡朝第一方向一邊移動一邊 取得沿著第一切斷預定線之變位,且朝與其相反的第二方向 φ 一邊移動一邊取得沿著第二切斷預定線之變位,所以可經由 使透鏡對加工對象物往復動作而取得變位。又,因爲對加工 對象物乃係以透鏡之往復動作而形成各自沿著第一切斷預 定線及第二切斷預定線的改質區域,所以可更有效率的形成 改質區域。 發明效里 依本發明之雷射加工方法及雷射加工裝置,可極力減少 雷射光之集光點的偏離而執行有效率的雷射加工。 • 【實施方式】 本發明之知識及見解係可參照由僅作爲例示之附件圖 面並考慮以下之詳細記述而可容易理解。緊接著,一邊參照 附件圖面一邊說明本發明之實施形態。在可能的場合,茲對 同一部分賦予同一符號並將重複之說明省略。 有關本實施形態之雷射加工裝置、茲參照第1圖來作說 明。如第1圖所示,雷射加工裝置1係在平台2(移動裝置) 上所載置的平板狀之加工對象物S的內部使集光點P對準以 -14- 1326629 照射加工用雷射光L1 (第1雷射光),而在加工對象物S之內 部形成依多光子吸收所產生的改質區域R之裝置。平台2爲 可朝上下方向及左右方向移動及旋轉移動者,此平台2之上 方主要配置著由雷射頭單元3、光學系本體部4及對物透鏡 單元5所成的雷射出射裝置6。又,雷射加工裝置1係具備 控制裝置7(控制手段),控制裝置7係對平台2及雷射出射 裝置6輸出用以控制各個動作(平台2之移動、雷射出射裝 置6之雷射光的出射等等)之控制信號。 | 雷射頭單元3係被裝卸自如地安裝在光學系本體部4的 上端部。此雷射頭單元3係具有L字狀之冷卻護套11,在 此冷卻護套11之縱壁11a內,流通著冷卻水的冷卻管12被 以蛇行的狀態埋設。此縱壁1 1 a的前面係安裝有,使加工用 雷射光L1朝下方出射之雷射頭13、以及選擇性執行開放及 閉鎖由此雷射頭1 3所出射之加工用雷射光L1的光路之快門 單元14。依此,可防止雷射頭13及快門單元14之過熱。此 外,雷射頭1 3係使用例如Nd : YAG雷射者,而作爲加工用 φ 雷射光L1係出射脈寬1μ5以下之脈衝雷射光。 另外,於雷射頭單元3中,在冷卻護套11之底壁lib 的下面,安裝有用以調整冷卻護套11之傾斜等之調整部 1 5。此調整部1 5係用以使雷射頭1 3所出射之加工用雷射光 L1的光軸α可在上下方向延伸般而使與光學系本體4及對物 透鏡單元5所設定之軸線β —致者。亦即,雷射頭單元3係 隔著調整部15而被安裝在光學系本體部4。在其後,當利用 調整部1 5調整冷卻護套1 1之傾斜後,伴隨著冷卻護套1 1 -15- 1326629 _ 之活動’雷射頭13之傾斜等也被調整,依此,加工用雷射 光L1係以其光軸α與軸線p 一致的狀態而在光學系本體4 內行。此外,冷卻護套11的底壁lib、調整部15及光學系 本體部4之筐體21係形成有加工用雷射光L1要通過的貫通 孔。 又,在光學系本體部4之筐體21內的軸線β上,係以 從上到下的順序配置有,用以放大從雷射頭1 3所出射之加 工用雷射光L1的射束尺寸之擴束器22、用以調整加工用雷 φ 射光L1的輸出之光學衰減器23、和用以觀察由光學衰減器 23所調整之加工用雷射光L1的輸出之輸出觀察光學系24、 以及用以調整加工用雷射光L1的偏光之偏光調整光學系 25 ° 此外,光學衰減器23係安裝有用以吸收被除去的雷射 光之射束阻尼(beam damper) 26,此射束阻尼26係經由熱 管27而與冷卻護套11作接續。依此,所以可防止吸收有雷 射光的射束阻尼26之過熱。 φ 再者,爲了觀察被配置於平台2上之加工對象物S,係 在光學系本體部4之筐體21安裝有用以將觀察用可視光導 光之光導28,且在筐體21內配置有CCD相機29。觀察用 可視光係經由光導28而導入筐體21內,而在依序通過光圏 31、調制盤32、及分光鏡33等之後,再被配置在軸線β上 之分光鏡34所反射。被反射之觀察用可視光係在軸線β上 朝下方行進而被照射於加工對象物S。此外,加工用雷射光 L1係將分光鏡34透過。 -16- 1326629 . 然後’在加工對象物S的表面S1被反射之觀察用可視 光的反射光係在軸線β朝上方行進並依分光鏡34而被反 射。由此分光鏡34所反射之反射光係因分光鏡33而再被反 射並通過成像透鏡35等而對c CD相機29入射。由此CCD 相機29所攝像之加工對象物S的圖像被映出於監視器(未圖 示)。 又,對物透鏡單元5係於光學系本體部4的下端部裝卸 自如地安裝。對物透鏡單元5因爲是利用複數個定位銷而定 φ 位於光學系本體部4的下端部,所以可容易使設定在光學系 本體4之軸線β與設定在對物透鏡單元5之軸線β —致。在 此對物透鏡單元5之筐體41的下端,介在著使用有壓電元 件的致動器43 (保持裝置),且以軸線β與光軸一致的狀態下 安裝加工用對物透鏡42。且,在光學系本體部4之筐體21 及對物透鏡單元5之筐體41係形成有加工用雷射光L1會通 過的貫通孔。又,依加工用對物透鏡42而被集光之加工用 雷射光L1的集光點Ρ之峰値功率密度係成爲ixi〇8(w/cm2) φ 以上。 且,在對物透鏡單元5之筐體41內,爲了使加工用雷 射光L1的集光點P位在距離加工對象物S的表面S1之指定 的深度,而配置有用以出射測距用雷射光L2(第2雷射光) 之雷射二極體44以及受光部45。測距用雷射光L2係從雷 射二極體44出射,而依序在鏡46、半鏡47被反射之後,被 配置在軸線β上之分光鏡48所反射。被反射之測距用雷射 光L2係在軸線β上朝下方行進’且通過加工用對物透鏡42 -17- 1326629 . 而被照射於加工對象物s的表面si。此外,加工用雷射光 L1係將分光鏡48透過》 接著’在加工對象物S之表面S1被反射的測距用雷射 光L2之反射光再入射於加工用對物透鏡42而在軸線β上朝 上方行進’再由分光鏡48反射。由此分光鏡48所反射之測 距用雷射光L2的反射光係通過半鏡47而入射於受光部45 內並集光於將光二極體4等分而成的4分割位置檢測元件 上。依據被集光在此4分割位置檢測元件上之測距用雷射光 φ L2的反射光之集光像圖案,可檢測依加工用對物透鏡42的 測距用雷射光L2之集光點位在加工對象物s的表面S 1那個 位置。被集光在4分割位置檢測元件上之測距用雷射光L2 的反射光之集光像圖案的相關資訊被輸出至控制裝置7。控 制裝置7係依據此資訊而對致動器43輸出控制信號用以指 示保持加工用對物透鏡42的位置。 控制裝置7係實體上具備有,用以執行平台2與雷射出 射裝置6之信號的授受之介面、CPU(中央運算裝置)、以及 φ 記憶體及HDD之類的記憶裝置,而CPU係依據記億裝置所 儲存的程式以執行指定的資訊處理,並將其資訊處理的結果 作爲控制信號而經由介面對平台2及雷射出射裝置6作輸 控制裝置7之機能性構成係顯示於第2圖。如第2圖所 示,控制裝置7在機能性方面係具備有,雷射出射控制部 701、平台移動控制部702、致動器控制部703、集光點運算 部704、端部判斷部705、和變位取得再生部7〇6(變位取得 -18- 1326629 ^ 裝置)、以及變位儲存部707。雷射出射控制部70 1係將用以 控制加工用雷射光L1及測距用雷射光L2之出射的信號各自 對雷射頭單元3的雷射頭13及對物透鏡單元5的雷射二極 體44輸出的部分。平台移動控制部702係將用以控制平台2 移動之控制信號對平台2輸出之部分。致動器控制部703係 將用以控制致動器43之驅動的控制信號朝對物透鏡單元5 的致動器43作輸出的部分。 變位取得再生部706係由致動器控制部703對致動器43 φ 輸出的控制信號而讀取致動器43的伸縮量,並將其伸縮量 儲存到變位儲存部707的部分。又,變位取得再生部706有 時也是讀取變位儲存部707所儲存的伸縮量而對致動器控制 部703作輸出的部分。致動器控制部703係以此輸出的伸縮 量來驅動致動器43般地輸出控制信號。此伸縮量係因應加 工對象物S之主面S1的變位而變化,所以也可作爲表示主 面S1的變位量來掌握。集光點運算部7〇4係依據由對物透 鏡單元5的受光部45所輸出之像差信號而算出加工對象物S # 與測距用雷射光L2的集光點之距離的部分。端部判斷部705 係依據受光部45所受光的光量而判斷加工用對物透鏡42是 否位在與加工對象物S的端部對應之位置的部分。此外有 關’各機能的構成要素之動作係如後述。 針對以上那樣構成之雷射加工裝置1的雷射加工方法之 槪要作說明。首先,於平台2上載置加工對象物S,使平台 2移動而在加工對象物S的內部使加工用雷射光L1的集光點 P對準。此平台2之初期位置係依據加工對象物S的厚度、 -19- 1326629 折射率、加工用對物透鏡42的數値孔徑等所決定。 接著,從雷射頭13出射加工用雷射光L1同時從雷射二 極體44出射測距用雷射光L2,而使得由加工用對物透鏡42 所集光的加工用雷射光LI及測距用雷射光L2可在加工對象 物S之所期望的線(切斷預定線)上作掃描般地使平台2移 動。此時,在受光部45之測距用雷射光L2之反射光受檢測, 致動器43係受控制裝置7回授控制、加工用對物透鏡42的 位置係在軸線β方向被微調整,而使得加工用雷射光L1之 集光點Ρ的位置總是位在距離加工對象物S之表面S1的一 定深度》 因此,例如即使在加工對象物S的表面S1具有面振, 也可在距表面S1 —定深度的位置形成依多光子吸收所產生 之改質區域R。如此當在平板狀之加工對象物S的內部形成 線狀之改質區域R之後,其線狀之改質區域R係成爲起點而 產生破損,沿著線狀改質區域R而可容易且高精度地將加工 對象物S切斷。 針對使用有本實施形態之雷射加工裝置1的雷射加工方 法、茲更具體地說明。在此雷射加工方法的說明中,也一倂 說明雷射加工裝置1之動作。本實施形態之雷射加工方法因 爲可區分成爲,用以取得晶圓狀之加工對象物S的表面 s 1 (主面)之變位的變位取得工程,以及照射加工用雷射光L1 而形成改質區域之加工工程’所以兹針對變位取得工程及加 工工程各自作說明。 首先,針對在此說明所使用的晶圓狀之加工對象物S, -20- 1326629 .•茲參照第3圖來作說明。加工對象物S被設定有2η條的切 斷預定線C,〜C2n。此切斷預定線C!〜C2n係以二條爲一組 而被施予雷射加工。例如,若爲切斷預定線(^〜(:2,則從切 斷預定線C,之延長線上的點X 1朝點X 2取得切斷預定線Q 的變位,接著從切斷預定線C2之延長線上的點X3朝點X4 取得切斷預定線C2之變位。若如此取得變位的話,則以從 點XI朝點X2方向使加工用對物透鏡42 (參照第1圖)移動 般地使平台2(參照第1圖)移動,其後從相反的點X 3朝點 φ X4方向使加工用對物透鏡42移動般地使平台2移動,所以 可有效率地執行平台2的移動。在切斷預定線(^〜(:2—取 得變位之後,依據其取得的變位而一邊將致動器43的移動 量再生一邊從切斷預定線C之延長線上的點XI朝點X2而 沿著切斷預定線Ci形成改質區域,接著從切斷預定線(:2之 延長線上的點X 3朝點X 4而沿著切斷預定線C2以形成改質 區域6 (變位取得工程)接著,針對沿著晶圓狀之加工對象物S φ 的切斷預定線以取得表面S1的變位之變位取得工程 作說明。 茲參照第4圖(Α)〜第4圖(C)來作說明。第4圖(Α)〜第 4圖(C)係顯示第3圖之ΙΙ-ΙΙ斷面的圖。此外,爲了可容易 理解,係省略第4圖(Α)〜第4圖(C)中之斷面的剖面線。如 第4(A)圖所示,加工對象物S係隔著切割薄膜2a而被吸附 固定在平台2。切割薄膜2a係由切割環(未圖示)所固定。 如第4圖(A)所示,以在與加工對象物2之切斷預定線 -21- 1326629 C!上的一點h對應的位置上配置加工用對物透鏡42般地使 平台2移動。而將加工用對物透鏡42保持的致動器43係從 最收縮的狀態成爲伸長25μπι的狀態。此伸長量25μπι係被 設定爲致動器43之最大伸長量50μιη的一半量。在此狀態以 觀察用可視光之反射光的焦點對準般地使平台2上下。在此 焦點對準的狀態下照射測距用雷射光L2,再依據其反射光 而獲得像差信號,並將此像差信號的値作爲基準値。 接著,如第4圖(Β)所示,使第4圖(Α)的狀態之致動器 φ 43之伸長量保持的狀態,使加工用對物透鏡42配置在與切 斷預定線(^的延長線上的點Χι對應的位置般地使平台2移 動。第4圖(B)所示鉛直方向之對加工對象物S之加工用對 物透鏡42的位置係成爲初期位置(測定初期位置)。在其後, 以加工用對物透鏡42在第4圖(B)中的箭頭F方向移動般地 使平台2(測定準備步驟)》 測距用雷射光L2於切割薄膜2a中之反射率低且被反射 的全光量少,但是在加工對象物S被反射之全光量係增大。 φ 亦即,受光部45(參照第1圖)之4分割位置檢測元件所檢測 的測距用雷射光L2之反射光的全光量變多,所以在反射光 之全光量超過預先決定的臨界値之場合,可判斷加工對象物 S切斷預定線Ci與加工用對物透鏡42係處於交差的位置。 因此,在受光部45(參照第1圖)之4分割位置檢測元件所檢 測的全光量成爲較預先決定的臨界値還大的場合,當作加工 用對物透鏡42係位在與切斷預定線C!的一端對應的位置, 在其時間點解除致動器43之伸長量的保持而以像差信號成 -22- 1326629 爲基準値般地開始致動器43伸長量之控制(第一測定步驟)。 因此,加工用對物透鏡42在第4圖(B)中之箭頭F方向 移動而成爲第4圖(C)所示的狀態。如第4圖(C)所示,於區 間G〆一端部),因爲成爲使加工用對物透鏡42由保持的狀 態追隨加工用對象物S之表面S1的變位之移行區間,所以 在此部分,致動器43之移動量並未與表面S1的變位對應。 在其後,於解除致動器43之伸長量的保持而以像差信號成 爲基準値般地執行致動器43伸長量的控制之區間G2中,致 φ 動器43之移動量係與表面S1的變位對應。因此,致動器 43之伸長量變化的軌跡G係成爲與表面S1的變位對應。之 後,如第4圖(C)所示,加工用對物透鏡42 —臨近切斷預定 線C之另端時,受光部4 5 (參照第1圖)的4分割位置檢測元 件所檢測之測距用雷射光L2之反射光的全光量變少。因 此,在受光部45(參照第1圖)之4分割位置檢測元件所檢測 的全光量成爲較預先決定的臨界値還小的場合,當作加工用 對物透鏡42係位在與切斷預定線Ci的一端對應的位置,保 φ 持在該時間點之致動器的伸長量同時結束軌跡G之記錄。此 軌跡G的資訊係被儲存在變位儲存部707(第二測定步驟)。 此外,在上述的說明中,爲了檢測加工用對物透鏡42 到達與切斷預定線C之一端對應的位置,所以係依據受光部 45(參照第1圖)之4分割位置檢測元件所檢測的全光量爲較 預先決定的臨界値還大者,但不在此限,也可適用其他基 準。茲將其一例參照第5圖(A)〜第5圖(B)來作說明。第5 圖(A)爲,在縱軸取受光部45(參照第1圖)之4分割位置檢 -23- 1326629 測元件所檢測的全光量,而在橫軸取時間而記錄受光部 4 5(參照第1圖)之4分割位置檢測元件所檢測之全光量的變 化之圖。在此場合,如同上述,在超出預先決定之臨界値 T!的時間點,係判斷加工用對物透鏡42到達與切斷預定線 Q之一端對應的位置。 從第5圖(A)之圖表,按指定的間隔(例如,各取樣點 (sampling point)),算出後面的全光量之値減去前面的全 光量之値的差分變化量,且縱軸取變化量而橫軸取時間的圖 φ 係以第5圖(B)表示。在此場合,正的峰値顯現的部分係全 光量之變化爲最大的點,亦即可視爲與加工對象物S的緣部 中央附近對應的部分。於是,在第5圖(A)所示之全光量成 爲臨界値之後,也可以在第5圖(B)所示之差分的峰値變化 收斂之後開始致動器43之追隨及其伸縮量之記錄。 又,在上述說明,爲了檢測加工用對物透鏡42位在與 切斷預定線Ci之他端對應的位置,乃係依據較受光部45(參 照第1圖)的4分割位置檢測元件所檢測之全光量被預先決 # 定的臨界値還小者,但不在此限亦可適用其他基準。茲將其 —例參照第6圖(A)〜第6圖(B)來作說明。第6圖(A)爲,縱 軸取受光部45 (參照第1圖)之4分割位置檢測元件所檢測之 全光量’橫軸取時間而將受光部4 5(參照第1圖)之4分割位 置檢測元件所檢測的全光量之變化加以記錄的圖。在此場 合、如同上述,在低於預先決定的臨界値T2之時間點,係 判斷加工用對物透鏡42位在與切斷預定線C之一端對應的 位置。 -24 - 1326629 . 從第6圖(A)之圖表,按指定的間隔(例如,各取樣點 (sampling point) ’算出由後面的全光量之値減去前面的 全光量之値的差分的變化量,且縱軸取變化量而橫軸取時間 的圖係以第6圖(B)表示。在此場合,出現負峰値的部分係 全光量之變化爲最大的點,亦即可視爲與加工對象物S之緣 部(外緣)中央附近對應的部分。於是,以與此部分對應的致 動器43之伸縮量固定而停止其伸縮量之記錄也可以。 針對此變位取得工程中之雷射加工裝置1的動作,茲參 φ 照第7圖所示之流程圖來說明。控制裝置7的平台控制部702 係對平台2輸出控制信號而使加工用對物透鏡42在C!上的 —點Qi移動(步驟S01)。平台2係因應此控制信號的輸出而 移動。接著、控制裝置7之致動器控制部703係對致動器43 輸出控制信號而使伸長20μιη。致動器43係因應此控制信號 的輸出而伸長20μιη。 在此狀態依可視觀察光使對準焦點般地使平台2上下, 而設定其可視觀察光之焦點所對準的位置(步驟S 02)。 φ 控制裝置7的雷射出射控制部701係對雷射二極體44 輸出控制信號而使測距用雷射光L2出射(步驟S03)。因應此 控制信號的輸出,雷射二極體44係出射測距用雷射光L2, 而在加工對象物S之表面S1被反射之反射光係由受光部45 之4分割位置檢測元件所受光。因應此受光所輸出之信號係 被輸出到集光點運算部704及端部判斷部705。 集光點運算部704係將此狀態之像差信號値作爲基準値 加以保持(步驟S04)。接著,由平台移動控制部702對平台 -25- 1326629 2輸出控制信號,以使加工用對物透鏡42移動到與加工對象 « 物S之切斷預定線Ci的延長線上的Χι對應的位置(步驟 S 05)。平台2係因應此控制信號的輸出而移動,加工用對物 透鏡42係移動到與加工對象物S之切斷預定線(^的延長線 上之X對應的位置。 接著,由平台移動控制部702對平台2輸出控制信號, 使得加工用對物透鏡42移動於第4圖(B)中之箭頭F方向。 平台2係因應此控制信號的輸出而移動,加工用對物透鏡42 0 係開始在箭頭F方向移動。 控制裝置7的端部判斷部705係依據受光部45所輸出 的信號,判斷加工用對物透鏡42是否已臨近加工對象物S 的端部(步驟S 06)。端部判斷部705係在一判斷出加工用對 物透鏡42臨近加工對象物S的端部時,係對致動器控制部 7 03輸出指示信號而指示致動器43開始伸縮並成爲像差信 號與保持的基準値相等般地輸出控制信號。致動器控制部 703係對致動器43輸出控制信號以開始伸縮且成爲使像差 φ 信號與所保持的基準値相等(步驟S07)。因應此控制信號的 輸出,致動器43係因應加工對象物S之表面S1的變位而伸 縮,並使像差信號成爲所保持的値般地(使加工用對物透鏡 42與加工對象物S之表面S1的距離成爲一定般地)將加工用 對物透鏡42予以保持。因此’致動器43之伸縮量的軌跡G 係因應加工對象物s之表面S1的變位而被形成(參照第4圖 (C))。控制裝置7之變位取得再生部706係開始此致動器43 伸縮量之記錄(步驟S08)。 -26- 1326629 • 端部判斷部705係依據受光部45所輸出的信號,判斷 加工用對物透鏡42是否已臨近加工對象物S的另一端(步驟 S 〇9)。端部判斷部705係在一判斷出加工用對物透鏡42臨 近加工對象物S的端部時即輸出指示信號以指示致動器控 制部703輸出將致動器43之伸縮停止的控制信號。画應此 指示信號的輸出,致動器控制部703係對致動器43輸出用 以停止伸縮以成爲保持狀態之控制信號(步驟S 1 0)。致動器 43係因應此控制信號的輸出而停止伸縮。因應致動器控制部 φ 703對致動器43輸出控制信號,變位取得再生部706係結束 致動器43之伸縮量的記錄(步驟S11)。平台移動控制部702 係在加工用對物透鏡42 —臨近切斷預定線C!的延長線上之 點X !時’即對平台2輸出控制信號而使移動停止(步驟 S1 2)。在其後’算出在變位儲存部706所儲存之致動器43 的伸縮量當中’作爲自結束記錄的時間點至指定時間前所記 錄者而被儲存之致動器43之伸縮量的平均値,且成爲此平 均値般地將致動器43的伸縮量固定(步驟S13)。 φ (加工工程)接著,針對照射加工用雷射光L1及測距用 雷射光L2而形成改質區域的加工工程作說明。 與第4圖(A)〜第4圖(C)同樣地,茲一邊參照第3圖之 Π-Π斷面所示的第8圖(A)〜第8圖(C)一邊作說明》此外, 爲了容易理解,係將第6圖(A)〜第6圖(C)中顯示斷面之剖 面線作省略◊第8圖(A)係顯示於切斷預定線Ci,加工用對 物透鏡42開始形成改質區域的狀態。在到達第8圖(A)之 前,平台2更上昇指定的距離(以下稱爲加工高度),加工對 -27 - 1326629 象物s之表面si與加工用對物透鏡42之距離係被設定爲只 » 靠近加工高度的量。若設定可視域之焦點位置與雷射光之集 光位置爲一致的話則加工用雷射光L 1成爲被集光於加工對 象物S的內部且位在與距離其表面S1爲加工高度與加工對 象物S之雷射波長的折射率之乘積値對應之位置。例如,若 設加工對象物S爲矽晶圓且其折射率爲3.6 (波長1.06 μπι), 加工高度爲ΙΟμιη的話,則成爲被集光至3.6x10 = 36 μπι的位 置。 Β 致動器43係被固定爲第4圖(C)所設定之伸長量,加工 用對物透鏡42被配置在初期位置(加工用初期位置)。從第4 圖(C)臨近第8圖(Α)的狀態之前,係被照射加工用雷射光L1 及測距用雷射光L2。以加工用對物透鏡42在圖中箭頭Η的 方向移動般地使平台2移動(加工準備步驟)。 測距用雷射光L2在切割薄膜2a之反射率低且被反射之 全光量少,但是在加工對象物S被反射之全光量係增大。亦 即,受光部45 (參照第1圖)之4分割位置檢測元件所檢測之 φ 測距用雷射光L2的反射光之全光量變多,所以在反射光之 全光量爲超過預先決定的臨界値之場合,可判斷加工對象物 S之切斷預定線Ci與加工用對物透鏡42係位在交差的位 置。因此,在受光部45 (參照第1圖)之4分割位置檢測元件 所檢測的全光量爲較預先決定的臨界値還大的場合,作爲加 工用對物透鏡42是在與切斷預定線C,之一端對應的位置 (成爲與第8圖(A)對應的狀態),解除在其時間點之致動器 43的伸長量之保持而開始致動器43之伸長量控制。此伸長 -28- 1326629 量係依據如既參照第4圖(A)〜第4圖(C)所作說明所取得之 ♦ 致動器43之伸長量的軌跡G而被控制。更具體言之,變位 取得再生部706係依變位儲存部707所儲存之軌跡G的資訊 而生成再生資訊,伴隨著從變位取得再生部706被輸出到致 動器控制部703之再生資訊,致動器控制部703係將控制信 號對致動器43作輸出。因此,加工用對物透鏡42移動於第 6圖(A)中的箭頭Η方向之後係成爲第8圖(B)所示的狀態。 如第8圖(Β)所示,在區間J(—端部)係以一定加工高度形成 φ 改質區域R。在此區間J中以一定加工高度形成改質區域R 之後,在其後,加工用對物透鏡42係沿著切斷預定線C!移 動而依加工用雷射光L1以形成改質區域R(第一加工步驟)。 從第8圖(B)所示狀態加工用對物透鏡42再往第8圖(A) 中箭頭Η方向移動之後,如第8圖(C)所示、加工用對物透 鏡42係臨近切斷預定線(^之另一端。加工用對物透鏡42 在到達離開加工對象物S的位置之後,則成爲與參照第8圖 (Α)所作說明者相反的狀態,受光部45(參照第1圖)之4分 φ 割位置檢測元件所檢測之測距用雷射光L2之反射光的全光 量係變少。因此,在受光部45 (參照第1圖)之4分割位置檢 測元件所檢測之全光量爲較預先決定的臨界値還小的場 合,作爲加工用對物透鏡42是位在與切斷預定線Q的一端 對應的位置(成爲與第8圖(C)對應的狀態),保持在其時間點 之致動器的伸長量。以按照保持致動器43的伸長量的使加 工用對物透鏡42到達第8圖(C)中之Χ2的位置般地使平台2 移動,且準備下一切斷預定線C2之加工(第二加工步驟)》 -29- 1326629 又,在上述的說明中,爲了檢測加工用對物透鏡42到 達與切斷預定線之一端對應的位置,係依據受光部45(參照 第1圖)之4分割位置檢測元件所檢測之全光量成爲較預先 決定的臨界値還大者,但是與在變位取得工程所作說明一樣 也可適用其他基準。又,爲了檢測加工用對物透鏡42到達 與切斷預定線之另一端對應的位置,係依據受光部45(參照 第1圖)之4分割位置檢測元件所檢測之全光量成爲較預先 決定的臨界値還小者,但是與在變位取得工程所作說明一樣 φ 也可適用其他基準。 針對此加工工程中之雷射加工裝置1的動作,茲參照第 9圖所示之流程圖來作說明。 以控制部7的平台移動控制部702爲相對於平台2僅上 昇加工高度量般地輸出控制信號(步驟S2 1)。因應此控制信 號的輸出,平台2係僅上昇加工高度量。 控制部7的雷射出射控制部701係使雷射頭1 3出射加 工用雷射光L1以及使雷射二極體44出射測距用雷射光L2 φ 般地各自輸出控制信號(步驟S22)。加工用雷射光L1及測距 用雷射光L2係因應此控制信號的輸出而各自被出射。 控制裝置7的平台控制部7〇2係對平台2輸出控制信號 而使加工用對物透鏡42在第8圖(A)之箭頭Η方向移動(步 驟S 23)。平台2係因應此控制信號的輸出而開始移動。 控制裝置7的端部判斷部705係依據受光部45所輸出 的信號,判斷加工用對物透鏡42是否已臨近加工對象物S 的端部(步驟S 24) »端部判斷部7〇5係在一判斷出加工用對 -30- !326629 k 物透鏡42臨近加工對象物S的端部時,即輸出指示信號, 以指示致動器控制部703輸出控制信號用以使致動器43開 始伸縮且保持測距用雷射光L2之集光點位置。致動器控制 部703係對致動器43輸出控制信號而使之開始伸縮,且使 像差信號成爲與所保持的基準値相等(步驟S25)。而因應此 控制信號的輸出,致動器43係伴隨著預先所記錄的伸縮量 (軌跡G)而保持加工用對物透鏡42(步驟S26)。因此,在與 加工對象物S之表面S1的變位對應的位置形成改質區域 φ R(參照第8圖(B))。 [0070]端部判斷部705係依據受光部45所輸出的信 號,判斷加工用對物透鏡42是否已臨近加工對象物S的另 —端(步驟S27)。端部判斷部705係在一判斷出加工用對物 透鏡42臨近加工對象物S的端部時,即輸出指示信號,以 指示致動器控制部703輸出用以停止致動器43之伸縮的控 制信號。因應此指示信號的輸出,致動器控制部703係對致 動器43輸出用以停止伸縮以成爲保持狀態之控制信號(步驟 φ S28)。致動器43係因應此控制信號的輸出而停止伸縮。平 台移動控制部702係在加工用對物透鏡42 —臨近切斷預定 線q之延長線上的點X 1時,即對平台2輸出控制信號而使 移動停止(步驟S 29)。在其後,算出在變位儲存部706所儲 存之致動器43的伸縮量當中,作爲自結束記錄的時間點至 指定時間前所記錄者而被儲存之致動器43之伸縮量的平均 値,且成爲此平均値般地將致動器43之伸縮量固定(步驟 S30) 〇 -31- 1326629 上述之準備工程及加工工程係在加工對象物s之全# % 的切斷預定線&〜(:„各自執行,且沿著各切斷預定線Ci〜c n形成有改質區域R。 此外,在本實施形態中係針對生成一段改質區域R的場 合作說明,但是也可以生成複數段改質區域。在此場合,兹 將第10圖(A)及第10圖(B)與第4圖(A)〜第4圖(c)作對比 參照而作說明。第4圖(A)〜第4圖(C)中,將加工用對物透 鏡42所集光之可視觀察光的焦點位置作爲基準而取得加工 | 對象物S之表面S1的變位。在此,於第4圖(A)中,僅使平 台2上昇加工高度量,若將該場合之像差信號設爲基準値, 則可使雷射光之集光點位在加工對象物S的內部。在該狀態 下一邊照射加工用雷射光L1及測距用雷射光L2 —邊使平台 2移動,則成爲第10圖(A)所示的狀態。亦即,在加工對象 物S之內部形成依加工用雷射光L1所產生的改質區域N,, 且將致動器43的伸縮量加以記錄的話,則可取得對應加工 對象物S之表面S1的變位的軌跡K。接著使平台2再上昇, φ 與既參照第8圖(A)〜第8圖(C)而作說明者同樣,若一邊再 生作爲軌跡K所記錄的致動器43之伸縮量一邊執行雷射加 工的話,則在加工對象物S的內部之因應其表面S1的變位 之位置形成改質區域N 2。 如此一邊記錄加工對象物S之表面S1的變位一邊執行 雷射加工的話,則可更有效率的形成改質區域。又,在取得 加工對象物S之表面S1的變位之際,測距用雷射光L2的集 光點被形成在加工對象物S的內部。因此,因爲加工對象物 -32- 1326629 S的表面S 1之測距用雷射光L2的射束直徑變大,所以可更 % 減少因表面S1的狀態(依背面硏磨(Back Grinding)等所造成 之硏磨痕的線等等)所造成的影響。 本實施形態中,變位取得工程中之平台2的移動速度與 加工工程中之平台2的移動速度成爲相等般地設定著,但是 作成使此等之移動速度不同者較佳。更具體言之,設定成變 位取得工程之平台2的移動速度(第一速度)比加工工程中之 平台2的移動速度(第二速度)還慢。在此場合,於變位取得 φ 工程中,取得主面S 1的變位之取樣周期(第一時間間隔)係 設定爲比在加工工程用以驅動致動器43之取樣周期(第二時 間間隔)'還長。例如,將變位取得工程之平台2的移動速度 設定爲60m/s、取樣周期設定爲lms,加工工程中之平台2 的移動速度設定爲3 OOm/s、取樣周期設定爲0.2ms。因爲移 動速度與取樣周期的積係成爲各動作的間距(切斷預定線方 向之距離間隔),所以在變位取得工程中之取得主面S 1的變 位之間距和在加工工程中之用以驅動致動器43的間距係成 # 相同,記錄與再生之間距係會一致。如此設定時,因爲變位 取得工程中之平台2的移動速度變慢,所以即使在加工對象 物S的主面S1有大的凹凸也可以追隨。 又,因爲加工工程中之加工速度不變,所以不會使加工 效率降低。 本實施形態中,沿著切斷預定線將致動器43之伸縮量 作爲與加工對象物S之表面S1的變位對應者而加以取得, 依據其取得的伸縮量而使致動器43 —邊伸縮一邊調整加工 -33- 1326629 用對物透鏡42與表面S1之間隔而形成改質區域,所以可在 加工對象物S內部之指定的位置穩定地形成改質區域。又、 因爲係以用來將加工用雷射光L1集光之加工用對物透鏡42 來將測距用雷射光L2集光,可回避例如依透鏡的交換等因 素所產生的偏離,所以可更正確地取得表面S1之變位。 又,加工用對物透鏡42與加工對象物S係相對移動而 在加工用對物透鏡42臨近加工對象物S之後,解除將加工 用對物透鏡4 2保持在初期位置的狀態而取得表面S1的變 φ 位,所以可極力排除加工對象物S之端部形狀變動所造成的 影響而取得變位。 又,在將加工用對物透鏡42保持在初期位置的狀態下 於切斷預定線的一端部形成改質區域,而其後係解除將加工 用對物透鏡42作保持的狀態而一邊追隨預先取得的表面S1 之變位一邊形成改質區域,所以可極力排除加工對象物S之 端部形狀變動所造成的影響而形成改質區域。 因爲可沿著切斷預定線而穩定地形成改質區域,所以在 φ 形成了改質區域之後,利用切割薄膜2a之擴張等方式將作 爲加工對象物的晶圓割斷、分離成晶片狀的工程中,即使是 在需要良好的切斷品質且割斷大量的晶圓之場合也可經常 穩定地執行晶圓之割斷。 產業上可利用件 依本發明之雷射加工方法及雷射加工裝置,可極力減少 雷射光之集光點的偏離而執行有效率的雷射加工。 【圖面簡單說明】 -34 - 丄326629 » 第1圖係顯示本實施形態之雷射加工裝置的構成圖。 第2圖係顯示本實施形態之雷射加工裝置所具備的控制 裝置之機能構成圖。 第3圖係顯示用以說明本實施形態之加工對象物的圖。 第4圖(A)〜(C)用以說明本實施形態之雷射加工方法的 圖。 第5圖(A)、(B)係用以說明本實施形態之雷射加工方法 的圖。 • 第6圖(A)、(B)係用以說明本實施形態之雷射加工方法 的圖。 第7圖係用以說明本實施形態之雷射加工方法的圖。 第8圖(A)〜第8圖(C)係用以說明本實施形態之雷射加 工方法的圖。 第9圖係用以說明本實施形態之雷射加工方法的圖。 第10圖(A)、(B)係用以說明本實施形態之雷射加工方 法的圖。 • 【元件符號說明】 1 ···雷射加工裝置 2···平台 3·.·雷射頭單元 4.·.光學系本體部 5·.·對物透鏡單元 6·.·雷射出射裝置 7...控制裝置 -35- 1326629 5.. .加工對象物 R...改質區域 42…加工用對物透鏡 43.. .致動器 1 3 ...雷射頭 44.. .雷射二極體 45…受光部
Claims (1)
1326629 十、申請專利範圍: 1. 一種雷射加工方法,係將第i雷射光以透鏡集光, 光點對準加工對象物的內部作照射,以沿著該加工 的切斷預定線而在該加工對象物的內部形成改質 雷射加工方法,其具備: 使測定該加工對象物之主面的變位之第2雷射光 鏡集光而朝該加工對象物照射,且因應該照射而一 在該主面被反射之反射光一邊取得沿著該切斷預 該主面的變位之變位取得步驟;及 照射該第1雷射光’依據該取得之變位一邊調整 與該主面之間隔一邊使該透鏡與該加工對象物沿 面相對移動而沿著該切斷預定線形成該改質區域 步驟。 2. 如申請專利範圍第1項之雷射加工方法,其中 於該變位取得步驟中,使該透鏡和該加工對象物 速度沿著該主面一邊相對移動一邊以第一時間間 得沿著該切斷預定線之該主面的變位, 該加工步驟中,使該透鏡和該加工對象物以較該 度還快的第二速度沿著該主面一邊相封移動而一 該第一時間間隔還短的第二時間間隔來調整該透 主面之間隔且一邊形成該改質區域。 3·如申請專利範圍第1項之雷射加工方法,其中 該變位取得步驟具有: 測定準備步驟,其將該透鏡保持於該第2雷射光 而使集 對象物 區域之 在該透 邊檢測 定線之 該透鏡 著該主 之加工 以第一 隔來取 第一速 邊以較 鏡與該 之集光 -37 - 1326629 點會對準相對於該加工對象物之指定的位置所設定的測 定初期位置; 以將該透鏡保持在測定初期位置的狀態下開始照射該 第2雷射光’使該透鏡和該加工對象物沿著該主面相對移 動’且因應在該主面被反射之該第2雷射光的反射光,解 除將該透鏡保持在該測定初期位置之狀態的第一測定步 驟;及 在該解除之後,一邊檢測在該主面被反射之該第2雷射 光的反射光一邊調整該透鏡與該主面之距離以取得沿著 該切斷預定線之該主面的變位之第二測定步驟。 4 .如申請專利範圍第1項之雷射加工方法,其中 該加工步驟具有: 依據在該變位取得步驟所取得之沿著該切斷預定線之 該主面的變位,設定相對於該主面之用以保持該透鏡之加 工初期位置,而在該設定之加工初期位置上保持該透鏡之 加工準備步驟; 以該透鏡保持在加工初期位置的狀態下開始該第1雷射 光之照射,使該透鏡與該加工對象物相對移動而在該切斷 預定線的一端部形成該改質區域之第一加工步驟;及 於該切斷預定線之一端部形成改質區域後,解除將該透 鏡保持在該加工初期位置之狀態,而在該解除之後,依據 在該變位取得步驟所取得之沿著該切斷預定線之該主面 的變位而一邊調整該透鏡與該主面之間隔一邊使該透鏡 與該加工對象物相對移動而形成該改質區域之第二加工 -38 - 1326629 • 步驟。 5. 如申請專利範圍第1項之雷射加工方法,其中 於該變位取得步驟,在取得沿著該切斷預定線之該主面 的變位之際,一併照射該第1雷射光而沿著該切斷預定線 形成該改質區域。 6. 如申請專利範圍第5項之雷射加工方法,其中 在該變位取得步驟所形成之改質區域係形成於在該加 工步驟所形成之改質區域和該主面之間。 φ 7 ·如申請專利範圍第1項之雷射加工方法,其中 該切斷預定線含有第一切斷預定線及第二切斷預定 線,於該變位取得步驟,係使該透鏡相對於該加工對象物 以沿著該第一切斷預定線的第一方向作相對移動而取得 沿著該第一切斷預定線之該主面的變位,之後,使該透鏡 相對於該加工對象物而在與該第一方向相反的第二方向 相對移動以取得沿著該第二切斷預定線之該主面的變位, 於該加工步驟,在朝該第一方向形成沿著該第一切斷預 φ 定線的改質區域之後,朝該第二方向形成沿著該第二切斷 預定線的改質區域。 8.—種雷射加工裝置,係使集光點對準加工對象物的內部而 照射第1雷射光,以沿著該加工對象物的切斷預定線而在 該加工對象物的內部形成改質區域之雷射加工裝置,其具 備. 使該第1雷射光及用以測定該加工對象物之主面的變位 之第2雷射光朝該加工對象物集光之透鏡; -39- 1326629 因應該第2雷射光的照射而檢測在該主面被反射之反射 光以取得該主面的變位之變位取得裝置; 使該加工對象物和該透鏡沿著該加工對象物的主面般 地移動之移動裝置;和 使該透鏡對該主面進退自如地保持的保持裝置;及 控制該移動裝置及該保持裝置各自的動作之控制裝 置;且 一邊照射該第2雷射光而一邊爲該控制裝置使該加工對 象物和該透鏡沿著該主面相對移動般地控制該移動裝 置,而該變位取得裝置係取得沿著該切斷預定線之該主面 的變位而照射該第1雷射光,該控制裝置係依據該變位取 得裝置所取得的變位而一邊調整該透鏡與該主面之間隔 一邊加以保持般地控制該保持裝置,且使該透鏡與該加工 對象物沿著該主面相對移動般地控制該移動裝置以形成 該改質區域。 9.如申請專利範圍第8項之雷射加工裝置,其中 一邊照射該第2雷射光而一邊爲該控制裝置係使該加工 對象物和該透鏡以第一速度沿著該主面相對移動般地控 制該移動裝置,該變位取得裝置係以第一時間間隔取得沿 著該切斷預定線之該主面的變位, 照射該第1雷射光,該控制裝置係使該透鏡和該加工對 象物以較該第一速度還快的第二速度沿著該主面相對移 動般地控制該移動裝置,且以較該第一時間間隔還短的第 二時間間隔來調整該透鏡與該主面之間隔般地控制該保 -40 - 1326629 持裝置。 1 0 ·如申請專利範圍第8項之雷射加工裝置,其中 該控制裝置係以將該透鏡保持於該第2雷射光的集光點 會對準相對該加工對象物之指定的位置所設定的測定初 期位置般地控制該保持裝置, 在將該透鏡保持在測定初期位置的狀態下開始該第2雷 射光的照射,該控制裝置係使該透鏡與該加工對象物沿著 該主面相對移動般地控制該移動裝置,且因應在該主面被 反射之該第2雷射光的反射光,解除將該透鏡保持在該測 定初期位置之狀態般地控制該保持裝置, 在該解除後,該控制裝置係以一邊檢測在該主面被反射 之該第2雷射光的反射光一邊調整該透鏡與該主面之距離 般地控制該保持裝置,該變位取得裝置係取得沿著該切斷 預定線之該主面的變位。 1 1.如申請專利範圍第8項之雷射加工裝置,其中 該控制裝置係依據該變位取得裝置所取得之沿著該切 斷預定線之該主面的變位而設定相對於該主面之用以保 持該透鏡的加工初期位置,而在該設定之加工初期位置上 保持該透鏡般地控制該保持裝置, 以該透鏡保持在加工初期位置的狀態下開始該第1雷射 光之照射,該控制裝置係以使該透鏡與該加工對象物相對 移動般地控制該移動裝置以於該切斷預定線的一端部形 成該改質區域, 在該一端部形成改質區域之後,該控制裝置係解除該透 -41 - 1326629 ^ 鏡保持在該加工初期位置的狀態,而依據該變位取得裝置 所取得之該主面的變位,調整該透鏡與該加工對象物之間 隔般地控制該保持裝置,且使該透鏡與該加工對象物相對 移動般地控制該移動裝置以形成該改質區域》 12.如申請專利範圍第8項之雷射加工裝置,其中 在該變位取得裝置取得沿著該切斷預定線之該主面的 變位之際,一倂照射該第1雷射光而沿著該切斷預定線形 成該改質區域。 φ 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之雷射加工裝置,其中 該移動裝置係可使該加工對象物朝向該透鏡的方向移 動, 該控制裝置係將該移動裝置控制成爲,於該變位取得裝 置取得該變位之際,沿著該切斷預定線形成之改質區域會 形成於其後沿著該切斷預定線形成的改質區域與該主面 之間。 14.如申請專利範圍第8項之雷射加工裝置,其中 φ 該切斷預定線含有第一切斷預定線及第二切斷預定 線,該控制裝置係以在沿著該第一切斷預定線的第一方 向,該透鏡爲對該加工對象物相對移動般地控制該移動裝 置,該變位取得裝置係取得沿著該第一切斷預定線之該主 面的變位,在其後,該控制裝置係以在與該第一方向相反 的第二方向,該透鏡爲對該加工對象物相對移動般地控制 該移動裝置,該變位取得裝置係取得沿著該第二切斷預定 線之該主面的變位,該控制裝置係在朝該第一方向形成沿 -42 - 1326629 著該第一切斷預定線的改質區域之後,朝該第二方向形成 沿著該第二切斷預定線的改質區域般地控制該移動裝置。
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TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
FR2852250B1 (fr) * | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
DE60315515T2 (de) * | 2003-03-12 | 2007-12-13 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Laserstrahlbearbeitungsverfahren |
ES2523432T3 (es) * | 2003-07-18 | 2014-11-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Chip semiconductor cortado |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4509578B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4601965B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4598407B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
KR101336523B1 (ko) | 2004-03-30 | 2013-12-03 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 반도체 칩 |
CN100548564C (zh) * | 2004-08-06 | 2009-10-14 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法及半导体装置 |
JP4754801B2 (ja) | 2004-10-13 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4762653B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4907965B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
EP1875983B1 (en) | 2006-07-03 | 2013-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
JP4977411B2 (ja) * | 2006-07-06 | 2012-07-18 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP5145673B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-02-20 | 住友電気工業株式会社 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
EP2065120B1 (en) * | 2006-09-19 | 2015-07-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5101073B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5132911B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4964554B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
KR101428824B1 (ko) * | 2006-10-04 | 2014-08-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공방법 |
JP5213366B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2013-06-19 | 日立コンピュータ機器株式会社 | フォーカス制御方法及び該フォーカス制御方法を用いたレーザ照射装置 |
JP5336054B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5134928B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5054496B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2010029927A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP5692969B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-04-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム |
CN101422848B (zh) * | 2008-11-21 | 2013-07-17 | 陈伟良 | 一种应用于激光切割加工的测距对焦方法 |
JP5254761B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241527B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
EP2394775B1 (en) | 2009-02-09 | 2019-04-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Workpiece cutting method |
KR101769158B1 (ko) | 2009-04-07 | 2017-08-17 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 |
JP5491761B2 (ja) | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
US20120061356A1 (en) | 2009-08-11 | 2012-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device and laser machining method |
US8722516B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
JP5752930B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2015-07-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
FR2971724A1 (fr) * | 2011-02-18 | 2012-08-24 | Air Liquide Welding France | Procede de coupage laser avec amorcage hors tole |
JP5397400B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2014-01-22 | オムロン株式会社 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
DE102014013107A1 (de) | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Neuartiges Waferherstellungsverfahren |
DE102015004603A1 (de) | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen |
KR20170087610A (ko) * | 2016-01-21 | 2017-07-31 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 절단 장치 |
CN114654082A (zh) | 2016-12-30 | 2022-06-24 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 用于延长镭射处理设备中的光学器件生命期的方法和系统 |
CN108393579A (zh) * | 2017-02-07 | 2018-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 激光加工装置及激光加工方法 |
JP6879832B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-06-02 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7034621B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2022-03-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
WO2019181063A1 (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 株式会社東京精密 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
CN110253157B (zh) * | 2019-06-25 | 2021-02-26 | 江苏守航实业有限公司 | 一种用于半导体材料的激光打孔切割系统 |
TW202115783A (zh) * | 2019-07-18 | 2021-04-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 處理裝置及處理方法 |
JP7394712B2 (ja) * | 2020-06-24 | 2023-12-08 | Towa株式会社 | 切断装置及び切断品の製造方法 |
Family Cites Families (126)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4624989Y1 (zh) | 1967-08-31 | 1971-08-28 | ||
US3629545A (en) | 1967-12-19 | 1971-12-21 | Western Electric Co | Laser substrate parting |
US4546231A (en) | 1983-11-14 | 1985-10-08 | Group Ii Manufacturing Ltd. | Creation of a parting zone in a crystal structure |
US4562333A (en) | 1984-09-04 | 1985-12-31 | General Electric Company | Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials |
US4769523A (en) | 1985-03-08 | 1988-09-06 | Nippon Kogaku K.K. | Laser processing apparatus |
AU585033B2 (en) | 1986-07-04 | 1989-06-08 | Tosoh Corporation | Quantitative dispenser for a liquid |
GB2236846B (en) * | 1988-11-22 | 1992-10-14 | Fiat Auto Spa | Laser welding monitoring systems. |
JPH02185602A (ja) | 1989-01-11 | 1990-07-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 動翼先端すき間計測装置 |
US5122648A (en) | 1990-06-01 | 1992-06-16 | Wyko Corporation | Apparatus and method for automatically focusing an interference microscope |
JPH0740336Y2 (ja) | 1990-11-07 | 1995-09-20 | 株式会社クボタ | 業務用自動炊飯装置の貯米装置 |
JPH0639572A (ja) | 1991-01-11 | 1994-02-15 | Souei Tsusho Kk | ウェハ割断装置 |
JPH04244910A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-01 | Nec Corp | 高さ検出装置 |
JPH04111800U (ja) | 1991-03-16 | 1992-09-29 | テイーデイーケイ株式会社 | リード線の切断折り曲げ装置におけるリード線挿入検出機構 |
JP2943499B2 (ja) * | 1992-04-22 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | 高さ測定方法および装置 |
JP3248275B2 (ja) | 1992-12-25 | 2002-01-21 | いすゞ自動車株式会社 | レーザー加工装置 |
JP2720744B2 (ja) * | 1992-12-28 | 1998-03-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工機 |
JPH0814968B2 (ja) | 1993-02-15 | 1996-02-14 | 九州日立マクセル株式会社 | ディスククリーナ |
JP2868384B2 (ja) | 1993-02-23 | 1999-03-10 | 株式会社東京精密 | ダイシング溝の深さ測定方法及びダイシング装置 |
US5637244A (en) | 1993-05-13 | 1997-06-10 | Podarok International, Inc. | Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material |
US5594235A (en) | 1993-06-17 | 1997-01-14 | Ultrapointe Corporation | Automated surface acquisition for a confocal microscope |
JPH07236985A (ja) | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ切断方法及びその装置 |
JP3082124B2 (ja) * | 1994-07-05 | 2000-08-28 | 株式会社山武 | 電磁流量計 |
CN2216443Y (zh) * | 1994-07-18 | 1996-01-03 | 王佛性 | 激光加工机的变焦距光学聚焦系统 |
US5776220A (en) | 1994-09-19 | 1998-07-07 | Corning Incorporated | Method and apparatus for breaking brittle materials |
US5622540A (en) | 1994-09-19 | 1997-04-22 | Corning Incorporated | Method for breaking a glass sheet |
US5543365A (en) | 1994-12-02 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon |
JP3162254B2 (ja) * | 1995-01-17 | 2001-04-25 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工装置 |
EP0847317B1 (en) | 1995-08-31 | 2003-08-27 | Corning Incorporated | Method and apparatus for breaking brittle materials |
CN2247070Y (zh) * | 1995-12-07 | 1997-02-12 | 中国科学院力学研究所 | 数控激光图形加工系统 |
KR0171947B1 (ko) | 1995-12-08 | 1999-03-20 | 김주용 | 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치 |
JP3660741B2 (ja) | 1996-03-22 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | 電子回路装置の製造方法 |
IL118030A0 (en) | 1996-04-25 | 1996-08-04 | Scitex Corp Ltd | A confocal measuring device and method |
US5883356A (en) * | 1996-05-13 | 1999-03-16 | Tip Engineering Group, Inc. | Laser scoring process and apparatus |
JP3079042B2 (ja) | 1996-07-19 | 2000-08-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | ストリーク管の掃引方法および掃引装置 |
DK109197A (da) | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Force Instituttet | Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle |
JPH10163780A (ja) | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Ngk Insulators Ltd | 圧電単結晶からなる振動子の製造方法 |
JPH10202381A (ja) | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ切断装置 |
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
DE19728766C1 (de) | 1997-07-07 | 1998-12-17 | Schott Rohrglas Gmbh | Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper |
JP3208730B2 (ja) | 1998-01-16 | 2001-09-17 | 住友重機械工業株式会社 | 光透過性材料のマーキング方法 |
JP3292294B2 (ja) | 1997-11-07 | 2002-06-17 | 住友重機械工業株式会社 | レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置 |
JP3449201B2 (ja) | 1997-11-28 | 2003-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP3604550B2 (ja) | 1997-12-16 | 2004-12-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP4132172B2 (ja) | 1998-02-06 | 2008-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | パルスレーザ加工装置 |
JPH11345785A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | ダイシング方法およびダイシング装置 |
JP3152206B2 (ja) | 1998-06-19 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法 |
JP2000015467A (ja) | 1998-07-01 | 2000-01-18 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 光による被加工材の加工方法および加工装置 |
US6407360B1 (en) * | 1998-08-26 | 2002-06-18 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Laser cutting apparatus and method |
JP3178524B2 (ja) | 1998-11-26 | 2001-06-18 | 住友重機械工業株式会社 | レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材 |
US6259058B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-07-10 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus for separating non-metallic substrates |
US6252197B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-06-26 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator |
US6420678B1 (en) | 1998-12-01 | 2002-07-16 | Brian L. Hoekstra | Method for separating non-metallic substrates |
US6211488B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-04-03 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe |
AU759282B2 (en) | 1998-12-23 | 2003-04-10 | Medispectra, Inc. | Systems and methods for optical examination of samples |
JP2000219528A (ja) | 1999-01-18 | 2000-08-08 | Samsung Sdi Co Ltd | ガラス基板の切断方法及びその装置 |
JP2000306865A (ja) | 1999-02-17 | 2000-11-02 | Toshiba Electronic Engineering Corp | ウェーハ切断方法およびその装置 |
JP2001093864A (ja) | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 |
US6489588B1 (en) | 1999-11-24 | 2002-12-03 | Applied Photonics, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic materials |
JP2001340979A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-12-11 | Toyota Auto Body Co Ltd | レーザ加工装置 |
WO2001085387A1 (en) | 2000-05-11 | 2001-11-15 | Ptg Precision Technology Center Limited Llc | System for cutting brittle materials |
JP4964376B2 (ja) | 2000-09-13 | 2012-06-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP5025876B2 (ja) | 2000-09-13 | 2012-09-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP2002107120A (ja) | 2000-10-02 | 2002-04-10 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 表面及び背面の位置検出装置、マーキング装置、及びマーキング方法 |
US6720522B2 (en) | 2000-10-26 | 2004-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining |
JP2002219591A (ja) | 2001-01-22 | 2002-08-06 | Toshiba Corp | レーザ光照射装置 |
US6720567B2 (en) | 2001-01-30 | 2004-04-13 | Gsi Lumonics Corporation | Apparatus and method for focal point control for laser machining |
JP4803568B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路の検査装置および検査方法 |
CN2470044Y (zh) * | 2001-04-05 | 2002-01-09 | 云南玉溪水松纸厂 | 一种薄型基材激光打孔的分光机构 |
JP2002321080A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-05 | Tokyo Instruments Inc | レーザ微細加工用オートフォーカス装置 |
KR100701013B1 (ko) | 2001-05-21 | 2007-03-29 | 삼성전자주식회사 | 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치 |
JP2003002677A (ja) | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Seiko Epson Corp | レーザ割断用支持テーブル、レーザ割断装置、レーザ割断方法、及び、液晶パネルの製造方法 |
JP3918583B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2007-05-23 | 株式会社デンソー | 高密度エネルギー加工装置及び高密度エネルギー加工方法 |
ATE493226T1 (de) | 2002-03-12 | 2011-01-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts |
TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
US8268704B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
US6580054B1 (en) | 2002-06-10 | 2003-06-17 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser |
US7469160B2 (en) | 2003-04-18 | 2008-12-23 | Banks Perry S | Methods and apparatus for evaluating image focus |
CN2571530Y (zh) * | 2002-09-25 | 2003-09-10 | 江苏大学 | 一种基于激光冲击波技术的快速制模装置 |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
KR101119262B1 (ko) | 2002-12-05 | 2012-03-16 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 |
JP2004188422A (ja) | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
FR2852250B1 (fr) | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
DE60315515T2 (de) | 2003-03-12 | 2007-12-13 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Laserstrahlbearbeitungsverfahren |
JP2004337903A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2004337902A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
ES2523432T3 (es) | 2003-07-18 | 2014-11-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Chip semiconductor cortado |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP2005086175A (ja) | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子 |
KR101195311B1 (ko) | 2004-01-07 | 2012-10-26 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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US7718510B2 (en) | 2004-03-30 | 2010-05-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and semiconductor chip |
KR101336523B1 (ko) | 2004-03-30 | 2013-12-03 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 반도체 칩 |
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CN100548564C (zh) | 2004-08-06 | 2009-10-14 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法及半导体装置 |
JP4754801B2 (ja) | 2004-10-13 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
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JP4762653B2 (ja) | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4237745B2 (ja) | 2005-11-18 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4907965B2 (ja) | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
EP1875983B1 (en) | 2006-07-03 | 2013-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
EP2065120B1 (en) | 2006-09-19 | 2015-07-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP5101073B2 (ja) | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5132911B2 (ja) | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4964554B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
KR101428824B1 (ko) | 2006-10-04 | 2014-08-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공방법 |
JP5336054B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP4402708B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
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