TWI310246B - Light emitting device for ac power operation - Google Patents

Description

1310246 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種發光裝置，尤其有關一種用於交流 (AC)電力操作之發光裝置，該發光裝置具有一陣列的串 聯連接之發光單元。 【先前技術】 發光二極體（LED)為一具有N型半導體與P型半導 體被接合在一起的結構之電致發光裝置，且經由電子及電 洞的再結合而發光。此種LED被廣泛使用於顯示器及背 光。此外’因為與傳統的燈泡及螢光燈相比時，LED具有 較少的電力消耗及較長的使用壽命，所以LED的應用領域 已擴展到將其使用於一般照明，而同時取代了傳統的白熾 燈泡及螢光燈。 在交流(AC)電源下，LED依據電流的方向而重複開啟 /關閉。因此，如果使用LED而同時將LED直接連接到 交流電源，則會有LED無法連續發光，且容易因反向電流 而受損的問題。 為了解決LED的此種問題，在由SAKAI等人所提出 申請之標題為 “LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS” 的國際專利公報 WO 2004/023568A1中提出了一種可被直接連接到高壓交流 (AC)電源來予以使用之LED。 依據W0 2004/023568A1的揭示，係在諸如藍寶石基 體的絕緣基體上二維地串聯連接LED而形成LED陣列。 在該藍寶石基體上反向並聯連接兩個LED陣列。結果，提 1310246 供了一種可利用交流(AC)電源來予以驅動的單晶片發光 裝置。 第1及2圖為例舉具有串聯連接之發光單元的習知發 光裝置之示意電路圖；第3圖為例舉該習知發光裝置中之 驅動電壓和電流與時間之示意圖形；以及第4圖為例舉是 該習知發光裝置的驅動電壓與發光量之示意圖形。 參照第1及2圖，發光單元C1至Cn被串聯連接而構 成一陣列。在第2圖中，在一單晶片15内提供至少兩個陣 列，且彼此互相反向地並聯連接這些陣列。此時，第2圖 所示之交流(AC)電壓電源10被連接到該等陣列的兩端。 如第2圖所示，一外部電阻ri被連接於交流(AC)電源1〇 與LED 15之間。 該陣列的發光單元C1至Cn係在該交流電壓電源的 1/2週期中操作，且與該陣列反向並聯連接的另一陣列係 交流電壓電源的另一 1/2週期中操作。因此，利用該 乂仙'電壓電源來交替地操作該等陣列。 =々然而，係利用交流電壓而同時開啟或關閉串聯連接的 該等發光單元。因此，當該交流電壓具有大於該等發光單 元之臨界電壓的總和之值時，電流開始流經該等發光單 =。亦即，當該交流電壓超過該等臨界電壓的總和時，該 光單綱時開始制啟，且在鼓流錢小於該等臨 ft總和之情況中，該等發光單元同時被關閉。 參照第3圖’在交流電壓超過—預定值之前，該等發 早7L不會被開啟，且電流不會流經該等發光單元。此時， 1310246 田經過了某—段時間，且交流電壓超過該預定值時’電流 j始流經該陣列的發光單元。此時，當該交 ς ^而同時時間是在τ/4時，電流具有最大值，而後減^ -方面，如果該交流電壓小於該預定值，則該等發光單 且電流不會流_科光單元。因此，電流流 、、該等，光單元之期間的時間係相對地短於τ/2。 參照第4(a)及(b)圖，當預定電流流經該等發光單元 等發光單元發光。因此，鱗發光單元被驅動而發 間的g g的有效時間變成短於電流流經該等發光單元之期 隨著發光之期_有效時間變短，光輸出減少。因此， =需要驅動電朗高峰值，以便增加該有效時間。然而， 障形巾’料部電阻R1中之電力絲增加，且電流 1該驅動電壓的提高而增加。電流的增加將導致該等

I 低該等且該接面温度的升高將會降 ’因為只有#交流電源的電壓超過鱗列内之該 ，早70_界電壓之總和時，料發光單元才會以慢 、:m源的相位改變速率之速率操作。因此，無法在 =體上連續地發出均勾的光，且將會發生_效應。舍 =2有某一段距離之移動的物體時，此觀爍： 專力一聰出現，雖然無法以肉眼來觀察該效應，但是如 ㈣:段長的時間期間中將該等發光單元使用於照明，則 該效應可能會造成眼睛的疲勞。 8 1310246 【發明内容】 技術問題 本發明之一目的在於提供一種用於交流(AC)電力操 作之發光裝置，其中可避免或減輕閃爍效應，且係以對應 於交流電壓的相位改變之方式來增加發光之期間的時間 本發明之另一目的在於提供一種發光裝置，其中在比 先前技術小的電流下進行操作，藉以提高發光效率。 技術解決方案 為達到這些目的，本發明提供一種用於交流(AC)電力 操作之發光裝置，該裝置具有一陣列之串聯連接的發光單 元。本發明的一樣態提供一種發光裝置，其中諸陣列内之 發光單元被依序開啟及關閉。依據本發明的該樣態之發光 裝置包含：一發光二極體（LED)晶片，該LED晶片具有 一陣列的串聯連接之發光單元；以及被分別連接到該等發 光單元間之節點的切換方塊。當該陣列被連接到交流電壓 電源且被該交流電壓電源所驅動時，藉由該等切換方塊而 依序開啟及關閉該等發光單元。因為依序開啟及關閉該等 發光單元，所以可整體地增加該等發光單元發光的期間之 有效時間。 該等切換方塊可被連接到該陣列的電源及接地端。此 時’當該電源與接地端間之電壓差Vae係在（預定電壓χη) 至（預定電壓x(n+l))的範圍内時，第11個切換方塊可將 該接地端及一連接到該第η個切換方塊的節點短路，且如 果該電壓差Vac大於（預定電壓χ(η+1))，則該第η個切換 9 1310246 方塊可使該節點與該接地端斷路。因此’當交流電壓 時，該等切換方塊依序地重複該短路及斷路，因、: 地開啟該等發光單元。當該交流電廢降低時，該 元被依序地關閉。 早 ，預定電财妓鱗發解元在—參考電流下的順 ，電壓。因此，可驗纖料料元的紐岐地保持 該參考電流的H因此，可難該參考電流而提 南該等發光單福發光效率。例如，該參考電流可 至25宅安(mA)。 可按照與該等發光單元被開啟的順序相反之順序來關 =等發光單元。或者，可按麟等發光單元被開啟的順 序來關閉該等發光單元。 該等發光單元中之每-發光單元可包含一 ^^型半導體 層、一 P型半導體層、以及一被插入該兩半導體層間之主 動層。此外’可由—以氮化鎵（⑽）為基底的半導體來 構成該等半導體層。 同時’該LED晶片可在該陣列的串聯連接之發光單元 之外，另包含另一陣列的串聯連接之發光單元。係以相互 反向之方式來並聯連接這些陣列。切換方塊可分別被連接 f該另一_的串聯連接之發光單元内之該等發光單元的 節點。此時’被連制該陣列的串聯連接之發光單元内之 該等發光單元的節狀該等切換方塊可分顺連接到該另 一陣列的該等發光單元之節點。 本發明的另一樣態提供一種用於交流電力操作之發光 1310246 裝置’該裝置包含複數個陣列，該複數個陣列具有不同數 目的串聯賴之發光單元’且該複數辦列係互相並聯連 接。依據本發明的該樣態之交流發光裝置包 數個第-_躲在該上。料第―_具有不同= 目的串聯連接之發光單元，麟等第—陣列係以相互反向 之方式而並聯連接。此外’魏個第二陣列餘在該基體 上。該等第二陣列具有不同數目的串聯連接之發光單元， 且該等第二陣列被反向並聯連接到該等第一陣列。因此， 可提供-種錢發絲置，其㈣在妓t釘依序地開 啟該等陣列，而後按照相反的順序關閉該等陣列，因而可 減低閃爍效應，並可增加發光時間。 、在一些實施例中，該發光裝置可另包含一切換方塊， 用以根據交流電源的電壓位準而控制該複數個第及第二陣 列中之每一陣列的發光。該切換方塊根據該交流電源的電 壓位準而選擇性地控制該等陣列的發光。此時，該等第一 及第二陣列中之每一陣列的一端被共同連接到一第一電源 連接端，且該等每一陣列的另一端被分別連接到第二電源 連接端。此外，該切換方塊可被連接於該等第二電源連接 端與該交流電源之間，以便根據該交流電源的電壓位準而 形成一電流路徑，藉以控制該等陣列的發光。 在一些實施例中，該等第二陣列中之每一陣列可具有 與該等第一陣列中之各對應陣列的每一陣列相同數目之發 光單元。因此，可提供一種依據一交流電源的相位改變而 具有相同的光輸出及發光頻譜之發光裝置。此外，在該等 11 1310246 第一及第二陣列中具有較多數目的發光單元之一陣列可具 有較大的發光單元。 八 在一些實施例中，可將第一電阻器分別串聯連接到該 等第一陣列。況且，可將第二電阻器分別串聯連接到該等 第一陣列。該等第一及第二電阻被使用來防止過多的電流 流進該專第一及第二陣列中。 該等第一電阻器可具有不同的電阻值，且該等第二電 阻器亦可具有不同的電阻值。可將該等第一及第二電阻哭 分別串聯連接到該等第一及第二陣列，以使具有較大電阻 值的電阻器被連接到具有較少數目的發光單元之陣列。因 此’可防止過多的電流流進首先被開啟的陣列。 同時，該等第二電阻器可具有對應於該等第一電阻器 的電阻值之電阻值。因此，可提供-種與交流電源的相位 改變相關而具有相同的光輸出及發光頻譜之發光裝置。 代替該等第一及第二電阻器，可將一共同的電阻器共 同地串聯連接到該等第一及第二陣列。因此，由於發光單 元的數目之差異而依序地操作該等陣列。因為該共同的電 阻器被連接到該等個別的陣列，所以簡化了連接電阻的程 序0 可將該等電阻器或該共同的電阻器定位在該基體上戋 該基體之外4即’可在-LED晶片之内部形成該等電^ 器或該共同的電阻器’或者可在-額外的電阻器裝置中带 成該等電阻n或該共_電阻器，且又將魏外的電㈣ 裝置連接到該等陣列。 ° 12 1310246 同時，在該等第一及第二陣列的每一陣列中，具有最 少數目的發光單元之陣列内之各發光單元可具有大於具有 最多數目的發光單元之陣列内之各發光單元的光強度之光 強度。因此，可提供一種交流發光裝置，其中，係在一交 流電源下依序地開啟該等陣列，然後按照相反的順序來關 閉該等陣列，因而可增加發光時間，且首先被開啟的陣列 具有較大的光強度，因而可減輕閃爍效應。 具有最少數目的發光單元的該陣列内之發光單元可具 有粗縫化的表面，使該等發光單元可具有比具有最多數目 =發光單元的該陣助之發光單元的光強度還大之光強 又該等發光單元的粗糙化表面可防 造成的全反射’因而提高了發射到外部㈣之取 (ext動on efflciency )。因此，增加了發光單元的光強度。 i ^有粗糙化表面的發光單元可構成數目是該等第一及 =之每一陣列之陣列數目的Μ之陣列。在此情 目的發^ 表面的發光單元之該等陣列具有較少數 ===:陣-:第二陣-之每-陣列之具Ϊ ^的發光單元的該陣列内之 ==的側表面提高了取光效率，而增加= 13 1310246 具有傾斜的侧表面之發光單元可構成數目是該等第一 及第二陣列中之每一陣列之陣列數目的1/2之陣列。在此 情況中’具有傾斜的侧表面之發光單元之該料列具有較 ^數目的發料元。同時，可將具有傾斜_表面之發光 單兀之該等陣列限制在該等第一及第二陣列中之每一陣列 之具有最少數目的發光單元之陣列。 本發明的又一樣態提供一種用於交流電力操作之發光 裝置，該裝置包含一橋式整流器。 依據該樣態的該交流發光裝置包含一基體。複數個陣 ，係定位在該基體上。該複數個陣列具有不同數目的串聯 連接之發光單元，且該複數辦列仙互相反向之方式並 聯連接。料，—橋式紐ϋ被連接舰複數個陣列。該 橋式整流器的_節點被分別連接到該料列的兩個末端 部分。因此，可提供一種交流發光裝置 該橋式整流器整流的電流來驅動該等陣列，料 t流發光裝置’其巾，由於發光單元的數目之差異而依 開啟該等陣列，而後按照相反的順序來關閉該等陣列。 纽可ΐ雜奸㈣粒在縣體上。因此，可連同該 -;㈣成該橋式整流11。相反地，可個別地提供 w Μ器，然後將該橋式整流器連接到該等陣列。 f -些實施例中，可將—_方塊連接在該等陣列的 方塊橋式整流器的其中-個節點之間。該切換 電墨位準而控制該複數個陣列令之每 1310246 在一些實施例中，可將電阻器定位於該橋式整流哭斑 該複數個陣列之間，且該等電阻器可被分別串 = 複數個陣列。該等電阻器防止過大的電流流進該等陣列f 該等電阻器可具有不同的電阻值。此時，可 阻器分別串聯連接到該等陣列，使具有較大電阻值=電阻 器被連接到具有較少數目的發光單元之陣列。因此， 止過大的電流流進首先被開啟的陣列中。 代替該複數個電阻器，可將一共同的電阻器共同 $連接到該複數個陣列。如果使用該共同的電阻器 簡化連接電阻器的程序。 、 =時’該複數個陣列中具有較多數目發光單元之陣列 可具有較大的發光單元。

I 在-些實施例中，於該複數個陣列中，具有最少數 =二之陣列内之各發光單元可具有大於具有最多數 的發^早兀之-陣列内之各發光單元的光強度之光強 = 士’具有最少數目的發光單元的該陣列内之發光單 表面’以使該等發光單元可具有比具有最 2光單元的該陣列内之發光單元的光強度大之光 側表面，以使該等發光單元可具有= 光ί度光軍元的該陣列内之發光單元的光強度大之 t發明之又—樣態提供—種包含延遲鱗光體（她y P哪or)之交流發光裝置。依據該樣態的交流發光裝置 15 1310246 包含：一 LED晶片’該LED晶片具有複數個發光單元； 一透明構件，用以覆蓋該LED晶片；以及一延遲磷光體’ 該延遲磷光體被自該等發光單元所發出的光激勵，而發出 在可見光範圍内之光。 在本發明中，術語“延遲磷光體”也被稱為長餘輝磷 光體（long afterglow phosphor )，且意指一種在激勵光源被 阻隔之後具有長衰減時間之磷光體。在本發明中，係將衰 減時間定義為在激勵光源被阻隔之後到達起始值的10%所 耗用之時間。在此實施例中，該延遲磷光體可具有1毫秒 或更長且最好是大約8毫秒或更長的衰減時間。同時，雖 然該延遲磷光體的衰減時間之上限並未限於特定的值，但 疋最好疋根據發光裝置的用途而不要太長。例如’在將發 光裝置用於一般家庭照明的情形中，該延遲磷光體的衰減 時間最好是幾分鐘或更短。對室内照明而言，1〇小時或更 短的哀減時間也是足夠的。

依據該實施例，當LED晶片發射可見光時，自該LED 晶片發射的光與自該延遲磷光體發射的光混合，而增加了 該發光裝置的發光時間，因而避免了交流發光裝置的閃燦 效應。 可將該延遲魏財位在該LED晶片與該透明構件 之間，或者可將該延遲磷光體散佈在該透明構件之内。 該延遲磷光體可以是紅色、綠色、及藍色鱗光體 構光體、或以上各鱗光體的組合。 除了該延遲璘光體之外，該交流發光裝置可另包含另 16 1310246 一磷光體，該磷光體被自該LED晶片所發射的光激勵，而 發射在可見光範圍内之光。係將該磷光體用來提供可藉由 轉換自LED晶片發射的光之波長而發射具有各種顏色的 光之發光裴置。例如，在該LED晶片發射紫外光的情形 中’該等其他的磷光體可以是紅色、綠色、及（或）藍色 磷光體，以便經由與自該延遲磷光體發射的可見光範圍内 之光混合，而發射白光。此外，在該LED晶片發射藍光的 情形中，該荨其他的麟光體可以是紅色碟光體及（或）綠 色磷光體、或黃色構光體。 0 有利的效果 依據本發明，可供一種用於交流電力操作之發光裝 置，其中可避免或減輕閃爍效應，且係以對應於交#雷愿 的相位改變之方式增加發光的時間。此外，== 裝置，其中可以比先前技術還小的電流來進行操作，因而 提局了發光效率。 【實施方式】 在下文中，將參照各附圖而詳細說明本發明的較佳實 施例。只是為了例示之目的而提供下文中之實施例，使熟 悉此項技術者可完全了解本發明的精神。因此，本發明^ 不限於下文中之實施例，而是可以其他的形式實施本發 明。在該等圖式中，為了便於解說，各元件的寬度、長度、 及厚度等的尺寸將被放大。在整個說明書及圖式中，相同 的參考數字表示相同的元件。 第5圖為依據本發明的一實施例的發光二極體（led) 17 1310246 之一部分刳面圖。 請參照第5圖，相互間隔開的一些發光單元（3〇)被 定位在一基體（20)上。每一發光單元（3〇)包含一第— 導電類型半導體層（25)、被定位在該第一導電類型半導體 層（25)的區域上之第二導電類型半導體層（29)、以及一 被插入該第一與第二導電類型半導體層之間的主動層 (27)。在此，該第一及第二導電類型半導體層(25)及（29) 分別為一N型及一 p型的半導體層、或一 p型及一 的半導體層。 可在該第二導電類型半導體層（29)上形成一電極 (31)。該電極（31)可以是可透射光線的透明電極。 可在基體（20)上形成該等個別的半導體層及一電極 層，然後使用微影及餘刻製程而在該等層中產生圖案。基 體（20)可以是由氧化銘（A12〇3)、碳化矽（SiC)、氧^ 鋅（ZnO)、矽、砷化鎵（GaAs)、磷化鎵（Gap)、鋰/氧 化銘（LiA12〇3)、氮化硼（BN)、氮化鋁（A1N)、或氮化 鎵（GaN)所製成的基體，且根據將要在基體（2〇)上形 成的半導體層之材料來選擇該基體（2〇)。如果形成了以氮 化鎵（GaN)基底的半導體層，則基體（2〇)可以是氧化 銘（A1203)或碳化矽（Sic)基體。 可在基體（20)與每一發光單元（3〇)之間插入一緩 衝層（21)。緩衝層（21)是用來在晶體生長時減少基體（2〇) 與隨後各層間之晶格失配（lattice mismatch)。例如，緩衝 層（21)可以是一氮化鎵（GaN)或氮化鋁（A1N)薄膜。 18 1310246 該N型半導體層是在該層中產生電子且可由以n型雜質掺 雜的氮化鎵（GaN)形成之層。該P型半導體層是在該層 中產生電洞且可由以P型雜質摻雜的氮化鋁鎵（AlGaN) 形成之層。 主動層（27)是作出預定的能帶間隙及量子井而可使 電子及電洞再結合之區域，且主動層（27)可包括一 AlxInyGazN層。電子及電洞結合時所發射光之波長係隨著 構成主動層（27)的各元素之成分比率而改變。因此，選 擇鋁、銦、與鎵之間的成分比率，以便發射具有所需波長 的光，例如，紫外光或藍光。 可在第一導電類型半導體層（25)的區域上形成一電 極墊（33a) ’並可在電極（31)上形成一電極墊（33b)。 可使用剝離（lift-off)技術，而在所需的位置上形成電極 塾（33a)及（33b)中之每一電極塾。 導線（41)將相鄰的電極（31)在電氣上相互連接， 以便形成具有被串聯連接的發光單元（30)之陣列。如此 圖所示’每一導線（41)將一發光單元的第一導電類型半 導體層（25)上所形成之電極墊（33a)連接到另一發光單 元的電極（31)上所形成之電極墊（33b)。可使用空氣橋 (Air bridge)或階梯覆蓋（step-coverage)製程來形成導 線（41)。 第6圖是依據本發明的另一實施例的LED之剖面圖。 因為此實施例的LED係與第5圖所示之LED大部分相 同，所以將只說明差異的部分。 1310246 請參閱第6圖，在每一電極（31)上形成一反射金屬 層（51)。可以一單層或多層之方式來形成反射金屬層 (51)。例如，可以銀製成該反射金屬層，且可在該反射金 屬層之上及之下分別形成用來避免銀的擴散之阻障金屬層 (barrier metal layer)。該反射金屬層將自主動層（27)產 生的光長向基體（20)反射。因此，基體（2〇)最好是是 一光透射基體。可在反射金屬層（51)上形成電極墊（33b)， 或者可省略掉電極墊（33b)。同時，並不形成反射金屬層 (51)，而是可形成電極（31)作為一反射金屬層。 同時，在反射金屬層（51)上形成一金屬凸塊（53)。 該金屬緩衝塊（53)被接合在一次載具（subm〇um)(圖中 未示出）上，以便傳導自一發光單元產生的熱。 根據該實施例，提供了一種具有與一次載具有熱接觸

的一些金屬凸塊（53)之一覆晶型LED。此種覆晶型LED 具有較優異的散熱效率，因而提供高光輸出。 第7圖疋根據本發明的m施例較流(Ac)發光裝 置之-電路示意®，^第8圖是根據本發明的該第一實施 例的該交流發光裝置中之驅動電壓及電流與時間之示意圖 形。 發參，該發光裝置包含-陣列的串聯連接之 發先早兀C1至Cn。係在單一 LED晶片上 ::單曰!片匕上形成複數個陣列’且係以相互反向之方式並 聯連接这些_。因此，料發光單 源而被驅動。 』又洲冤 20 1310246

該等發光單元C1至^被串聯連接，且節點li至 Ln_1被疋位於各發光單元之間。切換方塊G1 i Gn_l被分 別連接^該等節點L1至Ln」。亦即’切換方塊G1被連接 到發光單it C1與C2間之節點L1，且切換方塊Μ被連接 到發光單tgC2與C3間之節點L2。切換方塊Gn-Ι以此種 方式被連接到發光單元Cn-Ι與Cn間之節點Ln-Ι。

合一中參照第5及6 ®所述的，每—發光單元包 丰導靜^體層、—P型半導體層H被插入該等 介人撕間的主動層。可用以氮化鎵（GaN)為基底的 體層之方式來形成該等半導體層及該主動層。 層及該主動層並不限於該以氮化鎵（GaN)為 if膜开匕ΐ物半導體層’而是可使用各種技術而以各種材 料薄膜形成該等半導體層及該主動層。 當交流電壓Vac沿著正向而提高時，該等切換方塊⑺ 至〇11-1被依序操作，而將該等發光單元C1至Cn依序開 啟。此外，如果該交流電壓通過一峰值且降低，則該等切 換方塊G1至Gn-Ι再度被依序操作，而將該等發光單元 C1至Cn依序關閉。 母一切換方塊G1至Gn-Ι被連接到該陣列的發光單元 之電源端S及接地端G。在此，如果交流電壓電源被電連 接到該陣列的兩端，則電流經其而流進該陣列的一端點被 稱為電源端S，且電流經其而流出該陣列的一端點被稱為 接地端G。該交流電壓電源可被連接到該電源端s，且可 將該接地端G接地。或者，該電源及接地端s及G可分別 21 1310246 、 被連接到該交流電壓電源的兩端。在此，為了便於解戈， 將把接地端G說明為被接地。如果該接地端G被接地，則 可將該等切換方塊G1至Gn· 1分別接地，而不是將該等切 換方塊連接到該陣列的接地端G。 可利用該電源與接地端S與G間之電壓差而驅動該等 切換方塊G1至Gn-Ι ’且將於下文中說明此種操作。 當該電源端S的電壓Vac係在（預定電壓xn)至（預 φ 定電壓x(n+l))的範圍内時，該等切換方塊中之每一切換 方塊Gn將節點Ln與接地端G點短路。在此，n表示切換 方塊的序數。在此情況中，切換方塊G1至Gn-i將電流旁 通到該接地端G。同時，如果該電源端s的電壓Vac為（預 定電壓x(n+l))或更高時，則該等切換方塊中之每一切換 方塊Gn將節點Ln自該接地端G斷路。在此情況中，經 由切換方塊G1至Gn-Ι而旁通的電流被切斷。此外，如果 該電源端S的電壓Vac低於（預定電壓χη)，則該等切換 方塊G1至Gn-Ι中之每一切換方塊將節點Ln自該接地 ® G斷路。 該預定電壓可以是在參考電流下的該等發光單元之順 向電壓。考慮到該等發光單元之發光效率而決定該參考電 流、。例如，可將該參考電流決定為該等發光單元的發光效 率被最大化時之電流。該電流可以是15至25毫安，且該 ，流在基於氮化鎵（GaN)的半導體層及主動層中是2〇 ^ 安。 下文中將詳細說明依據該實施例的發光裝置之操作。 22 1310246 在此’將把發光單元在一參考電流下之順向電壓Vf敘述 為該預定電壓。 如果交流電壓電源被連接到該電源端s’使該電源端 的電壓高於該順向電壓Vf，則切換方塊G1將節點L1與 接地端G短路。因此，該參考電流開始流經發光單元C1 及切換方塊G1，且發光單元ci被操作而發光。如果交流 電壓Vac進一步增加’則超過該參考電流的電流流經發 單元C1。 然後，如果該交流電壓到達2Vf，則切換方塊G1將節 點L1自該接地端ό斷路，而切斷旁通電流。同時，切換 方塊G2將節點L2與接地端G短路。因此，發光單元 被開啟’且該參考電流經由發光單元Cl及C2、以及切換 =塊G2而流入該接地端^亦即，電流係利用切換方 而自節點L2旁通到接地端g。 短路職Vae增加時，重複切換方塊G1至Gn-1被 路，因、=，之程序’使切換方塊G1至⑼-1被依序斷 _發光單兀C1至Cn被依序開啟。 則原^齡如果經過Μ的時間之後，交流電壓*減少， 關閉。=路Γ刀換方塊Gn_1被短路，且發光單元cn被 如切Ϊ路果交流電壓VaC進一步減少，則切換方塊 出）被短路，而且的切換方塊Gn_2 (圖中未示 I減少時，發光早元㈤。亦即，當交流電壓 斷路之程序，方H至如被短路然後被 五該等發光早7〇被依序關閉。 23 1310246 下表1概述該等發光單元在1/2週期的時間中之開啟 及關閉操作。 汗

表1

請參閱表1 ’發光單元C1至Cn係隨著時間的經過而 依序被開啟，然後在經過T/4的時間之後按照相反順序被 關閉。在先前技術中開啟所有發光單元的驅動電壓We 下，根據該實施例的所有發光單元也被開啟，此外，根據 該實施例，甚至在該驅動電壓Vac開啟所有的發光 前，某些發光單元已被開啟。 兀 24 1310246 =第8圖，當驅動電壓Vac增加時，在所有的發 光早兀被開啟之前’流經該等發光單元C1至Cn的電流具 =·固定的電流值。該電流大致對應於參考電流 可看出·軸麵有的發光單元制啟之後，鶴電壓Vac 進一步增加，流經該等發光單元的電流並未增加。 同時，因為該等發光單元係被依序開啟， 驅動㈣Vac具有一較小值時，某些發光單:也= 光。此外’ ϋ為料發光單元储依序_，所以縱然驅 動電壓Vac具有-較小值時，#些發光單元仍然發光。因 此，增加了該等發光單元被磕動的有效時間❶ 根據該實施例，因為該等發光單元C1 開”關閉，所以與先前技術相比時，整體上 發光單元被開啟而發光的有效咖。因此，如果使用盘先 前技術相同的交流電壓電源，則可增加光輸出。換言^， 縱然將驅動電壓Vac的峰紐定為比先前技術小的值，也 可提供與先前技術相同的光輸出。因此，可使用小電流驅 動該等發光單元。因此，使降低該等發光單元的接面溫度， 因而提南發光效率。 該等切換方塊G1至Gn-Ι並不限於該實施例，而是可 將該等切換方塊G1至Gn-丨實施成各種修改。例如，可將 該等切換方塊配置成相同的電路，且可加入用來依序操作 該等切換方塊之額外的電路。此外，可在該等發光裝置内， 或以與該等切換方塊分離之方式，提供一電路，用以在電 源電壓Vac在某一範圍内增加時，避免過大的電流流經工 25 1310246 作的發光單元。例如，該電路可包括諸如㈣二極體或電 阻器等的蚊電壓源。因此，在任意的發光單元Cn被開 啟之前，可聽讓過大的電錢經已被敝 元ci 至Cn-卜 、同時，可以相互反向之方式並聯連接至少兩個陣列的 被串聯連接之發光單元’且各切換方塊可被分別連接到每 -陣列的該等發光單元n點。同時，該等切換方塊可 共同地被連接到該等個別的陣列。因此，該等切換方塊可 讓陣列内之該等發光單元在i，2的週期中被依序開啟或 關閉，然後讓另一陣列内之該等發光單元在後續的1/2的 週期中被依序開啟或關閉。 第9圖為依據本發明的第二實施例的交流發光裝置之 電路示意圖，且第1〇圖為依據本發明的該第二實施例的該 交流發光裝置的驅動電壓與發光量之示意圖形。 請參閱第9圖，依據該實施例的該交流發光裝置包含 一 LED (200)及一切換方塊（3〇〇)。LED (2〇〇)包含複 數個陣列（101)至（1〇8)，每一陣列具有被串聯連接的發 光單元。該專陣列（1〇1)至（1〇8)被定位在一單一基體 上，且每一陣列具有不同數目的串聯連接之發光單元，因 而每一陣列係在一不同的電壓位準下被驅動。 陣列（101)至（1〇8)的一端點被連接到第一電源連 接端（110)，且陣列（101)至（108)的其他端點被分別 連接到複數個第二電源連接端（121)至（128>同時，切 換方塊（300)被連接到發光二極體（200)的該複數個第 26 1310246 二電源連接端（121)至（128)，而根據諸如外部電源（1〇〇〇) 的電壓值，形成了該外部電源（1000)與該等第二電源連 接端（121)至（128 )中之第二電源連接端間之電流路徑。 此處，該第一電源連接端（110)被連接到該外部電源 (1000)。 例如，LED (200)包含如第9圖所示之8個發光單元 陣列（101)至（108)，且在該等發光單元陣列（1〇1)至 (108)中之每一發光單元陣列中串聯連接複數個發光單元 (30) ’使該等發光單元（3〇)在不同的電壓下發光。 亦即，第一至第四陣列（101)至（1〇4)中之每一陣 列具有不同數目的串聯連接之發光單元（3〇)，且該等發光 單70 (30)係沿著順向方向而被連接於該等第二電源連接 端（121)至（124)與該第一電源連接端（11〇)之間。第 五至第八陣列（105)至（1〇8)中之每一陣列具有不同數 目的串聯連接之發光單元（30)，且該等發光單元（3〇)係 沿著反向方向而被連接於該等第二電源連接端（125)至 (128),與該，一電源連接端（11〇)之間。此時，術語“順 向方向A反向方向”意指兩個端點間之電流的流動方 向。電流自該專第一電源連接端（丨21)至（丨28)流到該 第-電源連接端（110)的（以該等第二電源連接端（121) 至（128)為基準之）方向被稱為順向方向，且電流自該第 一電源連接端（no)流到該等第二電源連接端（121)至 (128)的方向被稱為反向方向。 在此，第二陣列（102)具有數目大於第一陣列（ι〇ι) 27 1310246 的數目之發光單元（30)，第三陣列（1〇3)具有數目大於 第二陣列（102)的數目之發光單元（30)，且第四陣列（104) 具有數目大於第三陣列〇03)的數目之發光單元（3〇)。 此外，第六陣列（106)具有數目大於第五陣列（1〇5)的 數目之發光單元（30)，第七陣列（107)具有數目大於第 六陣列（106)的數目之發光單元（3〇)，且第八陣列（1〇8) 具有數目大於第七陣列⑽）的數目之發光單元⑼）。 此時，第一至第四陣列⑽）、（1〇2)、⑽）'及（ 最好是分別包含數目與第五至第八陣列（1〇5)、（ (1〇7)、及（108)的數目相同之發光單元.(3〇)。 丄當使用一個220伏特的交流電源（1_)時’ f擇第一及第五陣列〇〇1)及（1〇5)中之每-陣列内 流的絕對值是1至7。伏特時的範圍内之光;= 兀（30)的數目，使該等發光單 =之發先早 ^值是71至_特時的範圍内之光=== 七陣列⑽）及⑽）巾之每m第二及第 的數目，使該等發光單元發光單元（30) 141至210伏特時的範 X射交流電壓的絕對值是 _及⑽) 可選擇第四及第八陣 數目，使該等發光單元( =之發光早元（30)的 至280伏特時的範圍内之光。父〜電壓的絕對值是211 剧文所述之電蝴㈣嫩騎改變各該發 28 1310246 光單元陣列内被串聯連接的發光單元之數目，而調整該電 壓範圍。發光單元的數目決定了一發光單元陣列之驅動電 壓。 如第9圖所示，根據該實施例的切換方塊（3〇〇)包含 被連接到父流電源（1〇〇〇)的一末端之第一端點、以及分 別被連接到該複數個第二電源連接端（121)至（128)之 複數個第二端點。此外，切換方塊（3〇〇)包含：一電壓位 準決定單元，用以決定交流電源（1〇〇〇)的電壓位準；以 及開關，用以根據電壓位準而改變交流電源（1〇〇〇)與 該等第，電源連接端（121)至（128)間之電流·路徑。係 根據沿著順向或反向方向施加的電壓，而將切換方塊（3〇〇) 選擇性地旁通到該等第二電源連接端（121)至（128)。 切換方塊（300)根據交流電源（1〇〇〇)的電壓位準， 而形成第一至第八陣列（101)至〇〇8)該等第二電源連 接端（121)至（128)與該交流電源（1000)間之電流路 徑。例如，如果施加了一低順向電壓，則在該交流電源 (1000)與第一陣列（101)的第二電源連接端（121)之 間形成了電流路徑，因而第一陣列（101)内之發光單元可 發光；且如果施加了 一高反向電壓，則在該交流電源（1〇〇〇) 與第八陣列（1〇8)的第二電源連接端（128)之間形成了 電流路徑，因而第八陣列（1〇8)内之發光單元可發光。 第10圖為依據該實施例的交流發光裝置的驅動電壓 與發光篁之示意圖形。此處，第1 〇(a)圖示出交流電源之波 形圖’且第10(b)圖示出該發光裝置之發光量。 29 1310246 請參閱第ίο圖，切換方塊（300)根據交流電源（1〇〇〇) 的電壓位準而改變交流電源（1〇〇〇)與第一至第八陣列 (101)至（1〇8)間之電流路徑。亦即，第一至第八陣列 doi)至（108)中之任一陣列發射某一強度的光。因此， f為根據該實施例的發光裝置在交流電源（1〇〇〇)的大部 分之電壓位準下發光，所以減輕了f力損失及閃爍效應。 、如i〇(a)圖所示，係隨著時間的經過而週期性地交流電 源（1〇〇〇)的電壓。當該交流電源處於順向方向時，係將 順向的電源之電壓位準定義為區域A、B、C、及D，且係 根據該等11域而蚊可發光辦列。亦即，如果交流電源 U000)的電壓存在於區域A之内，則切換方塊（3〇〇) 形成至第一陣列（101)的一電流路徑’因而第一陣列（1 〇 1) 内之發光單元可發光（請參閱第1〇(b)圖中之A，）。因為 第一陣列（101)中之小數目的發光單元（3〇)係相互串聯， 所以易於以一低電壓開啟該等發光單元（3〇)。此外，如果 該交流電源的電壓存在於區域B之内，則切換方塊（3〇〇) 形成至第二陣列（1〇2)的一電流路徑，因而第二陣列（1〇2) 内之發光單元可發光（請參閱第1〇(b)圖中之B，）。此外， 如果該交流電源的電壓存在於區域c之内，則切換方塊 (300)形成至第三陣列（1〇3)的一電流路徑，因而第三 陣列（103)内之發光單元可發光（請參閱第1〇(b)圖中之 C’ ）。此外，如果該交流電源的電壓存在於區域D之内， 則切換方塊（300)形成至第四陣列（1〇4)的一電流路徑， 因而第四陣列（104)内之發光單元可發光（請參閱第1〇1) 30 1310246 圖中之D’ ）。 同時，當沿著反向方向而施加該交流電源時，係將反 向的電源之電壓位準定義為區域E、F、G、及H，且係根 據該專區域而改變可發光的陣列。亦即，切換方塊（300) 係根據父流電源（1〇〇〇)的電壓位準而選擇性地形成至第 五至第八陣列（105)、（1〇6)、（1〇7)、及（1〇8)之電流路 徑，因而該等陣列中之每一陣列内之發光單元可依序發光 (請參閱第10(b)圖中之Ε， 、F’ 、G’ 、及Η，）。 第_11圖為依據本發明的第三實施例的交流發光裝置 之電路示意圖，第12圖為依據本發明的第三實施例的該交· 流發光裝置的修改之電路示意圖，且第13圖為依據本發明 的第三實施例的交流發光裝置的驅動電壓及發光量之示意 圖形。 凊參閱第11及12圖，依據該實施例的交流發光裝置 包含··一橋式整流器（400)，用以將來自交流電源（1〇〇〇) 的電流整流；複數個陣列（101)至（1〇3)，每一陣列具有 在其中被串聯連接的複數個發光單元；以及一被連接到該 等陣列之切換方塊（3〇〇)。該等陣列（1〇1)至（1〇3)具 有不同數目的發光單元。 八 同時，該複數個陣列（101)至（103)的每一陣列之 一端點被連接到與橋式整流器（4〇〇)連接之第一電源連接 端（110) ’且該複數個陣列（101)至（1〇3)的每一陣列 之另一端點分別被連接到該複數個第二電源連接端（121) 至（123)。切換方塊（300)被連接到發光裝置（2〇〇)的 31 1310246 =數個第二電源連接端（121)至（123)、以及橋式整流 =(400)。切換方塊（300)根據橋式整流 ^的電壓之位準，而形成橋式整㈣（ ^ 接端（m)至（123)間之電流路徑。”第一電源連 如第η圖所示，可以被配置在第一至第四節點^至 =之的-極體部分（410)至（440)形成橋式整流器（刪。 第一二巧體部分（彻）的陽極及陰極端分別被連接 1第一及第二節點Q1及q2。第二二極體部分（侧的 陽極及陰極端分別被連接到第三及第二節點Q3及吸。第 極體部分（430)的陽極及陰極端分別.被連接到第四及 第二節點Q4及Q3。第四二極體部分（44〇)的陽極及陰 極端分別被連接到第四及第一節點（^及卩丨。第一至第四 二極體部分（410)至（440)可具有與發光單元（3〇)相 同的結構。亦即，於形成該等發光單元（3〇)時，可在相 同的基體上形成第一至第四二極體部分（41〇)至（44〇)。 此時’橋式整流器（400)的第一及第三節點ςμ及吸被 連接到交流電源（1000 )’第二節點Q2被連接到切換方塊 (300) ’且第四節點Q4被連接到第一電源連接端（11〇)。 可使用與LED (200)分離的整流二極體來提供橋式 整流器（400)。 如第12圖所示’可將LED (200)定位在橋式整流器 内。該圖示出：於製造發光二極體時，使用在該LED晶片 的邊緣部分上形成之額外的發光單元以製造橋式整流器 (400)，其中該發光二極體包含陣列，每一陣列具有被串 32 1310246 ^ 聯連接的複數個發光單元。 第13圖為依據本發明的第三實施例的交流發光裂置 的操作之示意圖形。在此，第13(a)圖為被施加到橋式整流 器（400)的第二節點Q2的交流電源之波形圖，且第13作) 圖為該發光裝置的發光量之圖形。 當施加交流電壓時，如第13(a)圖所示，係經由橋式整 流器（400)的整流操作而產生了一反向電壓被反向的形= • 之電源。因此，只有順向電壓被施加到切換方塊（3〇〇)。 因此’陣列（101)、（102)、及（1〇3)被相互並聯連接， 使LED (200)可回應該順向電壓而發光。 如果橋式整流器（400)所整流的交流電源之電壓位準 存在於區域A，則切換方塊（300)形成至第一陣列（1〇1) 的電流路徑，因而該第一陣列内之發光單元可發光。此時， 如果所施加的電壓大於第一陣列（1〇1)内被串聯的發光單 元（30)的臨界電壓之總和，則開始發光，且當所施加的 隱電壓增加時，發光量也增加。然後，如果電壓上升而使該 電壓位準到達區域B時，切換方塊（3〇〇)形成至第二陣 列（102)的電流路徑；以及如果該電壓位準到達區域c 時，形成至第三陣列（103)的電流路徑。 根據該實施例的交流發光裝置在沒有電力消耗的情況 下在父流電源的大部分之電壓位準下發光，且增加了發光 的時間，而減少閃爍效應。 第Μ圖為依據本發明的第四實施例的交流發光裝置 之電路® °在下文中，η代表2或更大的整數。 33 1310246 凊參閱第14圖，該發光裝置具有一 LED (200)，且 又包含第—電阻R1至Rn、以及第二電阻R，1至11，n。 LEE) (200)在單一基體上包含複數個第一陣列A1至 An、以及複數個第二陣列RAi至RAn，每一陣列具有被 串聯的些發光單元（第5圖中之30)。該等第一陣列Ai 至An係相互並聯連接，且該等第二陣列RA1至RAn係與 該等第一陣列反向並聯連接。 該等第一陣列A1至An具有不同數目的串聯連接之發 光單元。亦即，陣列A1内之發光單元的數目小於陣列八2 内之發光單元的數目，且陣列A2内之發光單元的數目小 於陣歹〗An内之發光單元的數目。此外，該等第二陣列rai 至RAn具有不同數目的串聯連接之發光單元。亦即，陣列 RA1内之發光單元的數目小於陣列RA2内之發光單元的 數目’糊RA2内之發光單元的數目小於陣^ 之發光單元的數目。 隹键該ί第二陣列⑽至驗可具有數目分別對應於該 等第一陣列所具有的數目之發光單元。亦即，_ RA1具 有數目等於Ρ車列Α1所具有的數目之發光單元，陣列謹 具有數目等於陣列Α2所具有的數目之發光單元，且陣列 RAn具有數目等於陣列Α續具有的數目之發光單元。因 此，被反向並聯連接的個別之第二陣列係與各對 陣列配對。 可將該等第-及第二陣列的末端部分在基體（第5圖 中之20)上相互連接。為達到此一目的，在基體（2〇)上 34 1310246 提供了一接合墊（圖中未示出），且該等陣列的該等末端部 分可經由導線而被連接到該接合墊。可於形成第5圖中之 導線（41)時，形成用來將該等陣列連接到基體（20)上 的接合墊之該等導線。亦即，無須經由接合導線而連接該 等陣列之該等末端部分，因而簡化了佈線製程。 同時，在該等第一及第二陣列A1至An以及RA1至 RAn中，具有最大數目的發光單元之一陣列可具有較大的 發光單元（30)。亦即，同一陣列内之發光單元可具有大致 為相同尺寸之主動層（第5圖中之27)，但是不同的陣列 内之發光單元可具有尺寸不同的主動層。當發光單元的主 動層（27)變得較大時’發光單元（30)的整體電阻（bulk resistance)將降低。因此，當在大於臨界電壓的電壓下提 高電壓時’流經發光單元（30)的電流量將迅速增加。 同時，該等第一電阻器R1至Rn分別被串聯連接到該 等第一陣列A1至An，且該等第二電阻器R’ 1至r’ n 分別被串聯連接到該等第二陣列RA1至RAn。該等第一及 第二電阻可分別經由導線而被連接到該等陣列。 該等第一電阻器R1至Rn可具有不同的電阻值，且該 等第二電阻器r’ 1至R’ η亦可具有不同的電阻值。此 時’最好是將該等第一及第二電阻器分別串聯連接到該等 第一及第二陣列’使具有較大電阻值的電阻器被連接到具 有較少數目的發光單元（30)之陣列。亦即，具有較大電 阻，的電阻器R1或R，1被串聯連接到具有較少數目的發 光單元（30)之陣列A1或RA1，且具有較小電阻值的電 35 1310246 阻器Rn或R’ (30)之陣列A串聯連接到具有較多數目的發光單元 η 或 RAh。 到交St器部分及該等陣列的末端部分被連接 可以是一般的家庭點。在此’交流電源（1〇〇〇) 流發光I置的^域電壓電源。下文中將詳細說明該交 阻哭^ 5 ^ Ϊ明利用交流電源將一正電壓施加到該等電 :二到在該等電阻器之對向的該等陣列 的母列的-末端部分之-半週期。 施加電壓自零電壓增加時，開啟了係沿著順向方向 :加偏軸等第一陣列Α…η。因為該等第一陣列 t /奴有不同數目的發光單元（3〇)，所以係自具有 y目的發光單％之陣列A1開始開啟該等第一 車^ A1至An。當該交流縣超過該_ Al内之該等發 光單7G的臨界電壓之總和時，即開啟該陣列A卜當 電麗增加時，電流即增加，而發光。㈣，如果該交流^ 塵進-步增加且因而使該電流增加，則因電阻Ri而產生 的電壓降㈣較大。因此，避免過大的電雜_陣列Μ。 如果該交流電壓進一步增加且因而超過該陣列A2内 之該等發光單元的臨界電壓之總和時，即開啟該陣列八2 而發光。當重複該程序時，開啟陣列An而發光。亦即， 自具有較少數目的發光單元（30)之陣列開始而依序開啟 該等陣列。 然後，如果該交流電壓通過T/4上的最大峰值，然後 36 1310246 ^小於該陣列An内之該等發光單元的臨界電壓之 時，則該陣列An被關閉。_，該交流電壓進 因而該陣列A2被關閉，且然後陣列M被關閉。亦即， =較大數目的發光單元（3G)之陣列開始而依序關閉該 專第-陣列。储贿該序相反 ^ 成該等陣列的關閉。 當該交流電麼再度變為零時’即完成了該半週期。在 後半週期巾’雜作於該交流電壓的相位改變時被沿著 向方向施加偏壓得料第二㈣㈣至RAn{>係以與該等 第一陣列相同的方式操作該等第二陣列。 、Λ 依據該實施例，提供了一種利用交流電源（1〇〇〇)驅 動之交流發光裝置。此外，因為係重複依序開啟該等第一 及第二陣列A1 An及RA1 SRAn然、後按照相反順序關 閉該等陣列之程序，所以與傳統的發光裝置相比時，可減 ν'閃爍效應，並可增加該發光裝置發光的時間。 同時，藉由將具有較大電阻值的電阻器連接到具有較 夕數目的發光單元之陣列，即可防止過大的電流流經因電 壓增加而先被開啟的陣列。 此外，藉由將較大的發光單元連接到具有較多數目的 發光單元之陣列，即可迅速地增加流經根據電壓的增加而 較晚被開啟的陣列。亦即，具有較多數目的發光單元之陣 列的整體電阻可能小於具有較少數目的發光單元之陣列的 整體電阻器。因此，一旦開啟了具有較多數目的發光單元 之陣列，則當該電壓增加時，流經該陣列的電流將迅速增 37 1310246 . 加。因此，不使過大的電流流經最初被開啟的一陣列.此 外’因為可調整發光單元的尺寸而避免過大的電流，所以 可減少電阻器的電阻值間之差異，因而可減少電阻器的電 阻值。電阻器的電阻值之減少可增加發光單元的光輸出。 第15圖為依據本發明的第五實施例的一交流發光裝 置之電路不意圖。 請參閱第15圖，該發光裝置具有一 LED (2〇〇)，且 • 又具有—共_電_ Rt。^⑽）具有與前文中參 鮮14圖所述的LED( 200)的那些組件大致相同之組件。 在LED (200)巾，如同前文中參照第14圖所述的， 可在第5圖所示之基體（20)上將該等第一及第二陣列M 至An及RA1至RAn之末端部分相互連接。此外，亦可在 第5圖所示之基體（2〇)上將該等第一及第二陣列之另一 末端部分相互連接。可經由導線將該等另一末端部分連接 到基體（20)上提供的接合墊（圖中未示出），且可於形成 第5圖所不之導線（41)時，形成該等導線。 同時，，並不使用第14圖所示之第一及第二電阻器幻 至Rn及R’ 1至R’ n’而是將該共同的電阻器扮共同地 串聯連接到該等第-及第二陣列A1至An及⑽至 RAn此時’可經由—導線而將該共同阻器r 該接合墊上。 依據該實施例，因為該共同的電阻器Rt被連接到該等 第-及第二_，所以與第14_示之發光裝置相比時， 簡化了連接電阻器的程序。 38 1310246 第16圖為依據本發明的第六實施例的一交流發光裝 置之電路示意圖。 請參閱第16圖，該發光裝置具有一 LED (5〇〇)及一 播式整流器（350)，且可包含電阻器R1至以。

LED (500)包含複數個陣列A1至An，每一陣列具 有在第5圖獅之單-基體⑽）±被㈣連接之發光以 元（30)。該等陣列A1至An被相互並聯連接。 該等陣列A1至An具有不同數目的串聯連接之發光單 疋。亦即，陣列A1 0之發光單元的數目小於陣列A2内之 發光單元缝目，A_A2狀發光單元雜目小 歹An内之發光單元的數目。 一 平一叫"丨，丨、〜巫腿上相互連接該等陣列的 末端部分。為達到此一目的，在基體（2())上提供了一 合墊（圖中未示出）’且可經由導線而將該等陣列的

，端部分連接到該接合墊。可於形成第5圖所示之^ =)時，形成用來將該等陣列連接到基體（2〇)上的該 钱σ塾之導線。 此外，在陣列A1至An中，具有較多數目的發 2列可具有較大的發光單元(3〇)。可以與發 : :同的發光單元配置橋式整流器⑽）。因此(〇) 時’形成該橋式整流器的該等發光單^成 ϊ(35ίή 1至如的一末端部分被共同地連接到橋式整、、古 ㈣。顿轉料麟㈣及職合备: 39 1310246 同時，該等電阻器R1至Rn可分別被串聯連接到該等 陣列A1至An。 該等電阻器R1至Rn可具有不同的電阻值。此時，最 好是將該等電阻器分別串聯連接到該等陣列，使具有較大 電阻值的電阻器被連接到具有較少數目的發光單元（3〇) 之陣列。亦即，具有較大電阻值的電阻器Rl被串聯連接 到具有較少數目的發光單元（30)之陣列A1，且具有較小 電阻值的電阻If Rn被串聯連接·有較多數目 元（30)之陣列An。 •如該®所示，該等電_311至Rn的-末端部分 制該橋式整㈣的另-_。 ％丨刀破連 交流電源（1000)的兩個端點分別被連接到 器（350)的兩個其他的節點。此處，交 ^ $ 家庭交流電壓電源。下文中將說‘= 首先，當交流電源（1000)施加電 整流器_將-正電壓施加職等電】 電壓對向的該等陣列之末端： 施加了係沿著順向方向 A1至An具有不同數目的發光單元n(3:)為 ^少數目的發光單元⑽）之陣列Μ開始開啟有 陣列Α1至An。當該交流·超過 該等第- 光單元的臨界電壓之總和時，即開啟該陣列A1。 1310246 時’電流即增加’而發光。同時，如果該交流電 的電^變雜大。因此，防止過大的電流舰該陣列1 之哕笪ίΪ,流電壓進一步增加且因而超過該陣列A2内 而^止’單兀的臨界電壓之總和時’即開啟該陣列Α2 當重複該程序時，開啟陣列Αη而發光。亦即， 數目的發光單元⑽之陣列開始而依序開啟 然後’如果該交流電㈣過ΤΜ上的最大峰值， =得小於該Ρ㈣Αη内之該等發光單元齡界電壓之總和 時，則該陣列An被關閉。然後，該交流電壓進一步降低， 因而該陣列A2被關閉，且然後陣列A1被關閉。亦即，自 具有較大數目的發光單元（30)之陣列開始而依序關閉該 等第一陣列。係按照與開啟該等陣列的順序相反的順序完 成該等陣列的關閉。 當該交流電壓再度變為零時，即完成了該半週期。甚 至在後半週期中，橋式整流器（350)係以相同的方式操作 該等陣列A1至An。 依據該實施例’提供了一種利用交流電源（1〇〇〇)驅 動之交流發光裝置。此外，因為係重複依序開啟該等陣列 A1至An然後按照相反順序關閉該等陣列之程序，所以與 傳統的發光裝置相比時，可減少閃爍效應，並可增加該發 光裝置發光的時間。 雖然在該實施例中’該等電阻器R1至Rn係分別被串 1310246 聯連接到該等陣列A1至An，但是可如第15圖所示，可 連接用來取代電阻器R1至以的共同的電阻器Rt。在此 情況中，可在第5圖所示之基體（2〇)上將該等陣列A1 至An的末端部分相互連接。 同時，在該等前文所述的實施例中，發光單元的數目 或發光單元間之尺寸差異產生了該等陣列間之相對光強度 差異亦即，因為首先被開啟的陣列具有較少數目的發光 單元，所以該陣列的整體光強度是較弱的。此外，因為最 後被開啟的陣列具有較多數目的發光單元，所以該陣列的 光強度是較強的。可因發光單元的尺寸及電阻的差異而擴 大此種差異。雖财在早細啟陣列的伽，但是最初被 開啟的_之錢度是較小的。因此，可能無法對閃燦效 應的減少有較大的幫助。因此，必須增加最初被開啟的陣 歹二之光強度。為達到此一目的，可以不同的方式建構各別 陣列=之發光單元的結構。第17及18圖為某些陣列内之 發光单兀的結構被修改以增加該等陣列内 強度的LED之剖面i 林兀的光 第5 Γ圖’依據該實施例的咖與前文中參照 第5圖所述之LED大致相同，且可以 ===置該等發光單元陣列。然而，該實 發先单兀與歧中參照第5圖所述之發 分別具有表面為粗輪化的第二導電類型半導體層 42 1310246 (29a)之發光單元可建構已述於前文的本發明的第一及第 六實把例中之該等陣列。此外，在第一及第六實施例中， 可以具有表面為粗縫化的第二導電類型半導體層（29a)之 發光單元建構數目為整個陣列的數目的1/2或更少之陣 列。例如，可以具有表面為粗糙化的第二導電類型半導體 層（29a)之發光單元建構數目為第14及15圖所示該等第 一陣列的數目的1/2或更少之陣列、以及數目為第14及 15圖所示該等第二陣列的數目的ι/2或更少之陣列；以及 可以具有表面為粗糙化的第二導電類型半導體層（29a)之 發光單元建構數目為第16圖所示該等陣列的數目的1/2或 更少之陣列。此時，具有表面為粗糙化的第二導電類型半 導體層（29a)之發光單元建構了具有較少數目的發光單元 之陣列’且具有平坦表面的發光單元建構了具有較多數目 的發光單元之陣列。 可依序地形成一第一導電類型半導體層（25)、一主動 層（27)、以及該第二導電類型半導體層，並使用光電化學 蝕刻技術以蝕刻該第二導電類型半導體層的區域，而形成 具有粗糙化表面的第二導電類型半導體層（29a)。同時， 可在該第二導電類型半導體層的區域中形成諸如厚度為 10至500埃的金屬薄膜，並執行熱處理及對該金屬薄膜的 餘刻’而形成該粗糙化表面。 然後，蝕刻該等半導體層之該區域，以形成該等具有 表面為粗糙化的第二導電類型半導體層（29a)之發光單 元，並電氣上將該等發光單元相互連接，而形成個別的發 43 1310246 光單元陣列。 同k，在具有粗糙化表面的第二導電類型半導體層 (29a)上形成一電極墊（33b)，且亦可在該第二導電類型 半導體層（29a)上形成第5圖所示之電極〇1)。以具有 粗糙化表面的該等發光單元建構具有較少數目的發光單元 之每一陣列（例如，第14及15圖所示之陣列Ai及RAJ、 或第16圖所示之陣列A1)，因而可增加這些陣列的光強 度。因此，因為當施加一交流電壓時最初被開啟的該等陣 列A1及RA1之光強度是大的，所以可進一步減少閃爍效 應。 可在第6圖所示基體的下表面上形成該粗糙化表面。 或者，第6圖所示之基體（20)可以是分離的，且可在第 -導電類型半導體層（25)的下表面上形成該粗糙化表面。 請參閲第18圖，依據該實施例的發光單元與前文中參 …第5圖所述之發光早元大致相同，且可以與前文中參照 第一至第六實施例所述之相同方式配置該等發光單元陣 列。然而，在該實施例中，係將每一發光單元形成為具有 傾斜的侧表面。分別具有傾斜的侧表面之該等發光單^ 成該等陣列（第14至17圖所示之A1及^丨），且係以與 ^有粗糙化表面的發光單元之相同方式首先開啟該等發^ 單元，而且該等發光單元可構成數目為第14至口圖所示 之該等第一及第二陣列的數目的1/2之陣列。 在形成該等半導體層之後的發光單元分離製程中，可 回熔-光_案，然後將該絲圖㈣來作為—钱刻遮罩 1310246 以钱刻4等半導體層，而形成該等傾斜的側表面 。此外， 备第-導電類型半導體層（25)的—區域露出時 ，可執行 該光阻_的_，麵_第二導電_半導體層及該 主動層，而形成該等傾斜的側表面。 該等發光單元的傾斜之侧表面可減少因全反射而造成 的^耗損’因而提高了該等發光單元的光強度。因此，如 同刖文中參照第17圖所述的’可藉由湘此種發光單元形 成首先被開啟的陣列，而減少閃爍效應。 第19圖為依據本發明的第七實施例的交流發光裝置 之剖面圖。 請參閱第19圖，交流發光裝置（丨）包含一 LED晶片 (3)。該LED晶片（3)具有複數個被串聯連接的發光單 元。每一發光單元可以是可發出紫外光或藍光的以

AlxInyGazN為基底之半導體。該led晶片（3 )及該等發 光單元之結構係與前文中參照第5或6圖所述者相同。該 等發光單元被串聯連接，且構成一陣列。LED晶片（3) 可包含被反向並聯連接的兩個陣列，且可包含一橋式整流 器，因而可利用一交流電源驅動LED晶片（3 )。 係經由引線端（圖中未示出）而將該LED晶片（3 ) 電連接到外部電源。為達到此一目的，LED晶片（3)可 具有兩個接合墊（圖中未示出），用以連接到該等引線端。 係經由接合導線（圖中未示出）而將該等接合墊連接到該 等引線端。相反地，可以覆晶法將LED晶片（3)接合到 一次载具基體（圖中未示出）’然後經由該次載具基體將該 45 1310246 LED晶片（3)電連接到該等引線端。 同時’可將LED晶片（3)定位在一反射杯基座 (reflection cup) (9)内。該反射杯基座（9)在一所需視 角範圍内反射自LED晶片（3)發出的光，以便增加某一 視角範圍内的亮度。因此，反射杯基座（9)具有根據所需 視角的預定傾斜表面。 同時，磷光體（7)被定位在LED晶片（3)之上，然 後以自該等發光單元發出的光激勵鱗光體（7)，而發出在 了見光範圍内之光。碟光體（7)包括一延遲填光體。該延 遲磷光體可具有1毫秒或更長·的衰減時間，且最好是具有 8毫秒或更長的衰減時間。同時，可根據發光裝置的用途 而選擇該該延遲磷光體的衰減時間之上限，且該衰減時間 之上限可以是（但不特別限於）10小時或更短。尤其在將 發光裝置用於一般家庭照明的情形中，該延遲填光體的衰 減時間最好是幾分鐘或更短。 該延遲填光體可以是在美國專利5,770，111、 5,839,718、5,885,483、6,093,346、及 6,267,911 等的專利 中揭示的矽酸鹽、鋁酸鹽、或硫化物磷光體等的延遲磷光 體。例如’該延遲磷光體可以是硫化鋅鎘摻銅 ((Zn，Cd)S:Cu)、紹酸錄摻销鋼（SrA1204:Eu，Dy)、硫化 約銷摻级（（Ca，Sr)S:Bi)、石夕酸鋅掺销（znsi〇4:Eu) 、（Sr，Zn，Eu，Pb，Dy)0.(Al，Bi)203、m(Sr，Ba)0.n(Mg，M) 〇.2(Si，Ge)02:Eu，Ln (其中，1.5^^3.5 ; 〇.5snsi.5 ;肘是 自包含鈹（Be)、鋅（Zn)、及鎘（Cd)的一組元素中選出 46 1310246 的至少一種元素；以及Ln是自包含钪（sc)、纪（γ)、鋼 (La)、^(Ce)，（Pr)，（Nd)、#(Sm)、c(Gd)、 試（Tb)、鎖（Dy)、鈥（Ho)、_(Er)、链（Tm)、镱（Yb)、 孤、棚（3)、紹（入1)、鎵（〇&)、銦（111)、銳（1：1)、 銻（Sb)、M (Bi)、神（As)、磷 〇>)、錫（Sn)、錯、 鈦（Ti)、鍅（Z〇、給（Hf)、釩（V)、銳（Nb)、纽（Ta)、 麵（Mo)、鎢（W)、鉻（Cr)、以及錳（Mn)等的一組元 素中選出的至少一種元素。 LED晶片（3)發出的光激勵該延遲磷光體，而發出 諸如紅、綠、·及（或）藍光懂得在可見光範圍内之光。因 此，可提供一種可將LED晶片（3)發出的光與自該延遲 磷光體發出的光混合而發出具有各種色彩的光之發光裝 置，且可提供一種可發出白光之發光裝置。 同時，磷光體（7)可包括在被來自LED晶片（3)的 光激勵時可發出可見光範圍内的光之其他磷光體，例如， 除了延遲填光體以外的紅色、綠色、及（或）藍色、或黃 色磷光體。例如，該等其他填光體可以是以紀銘石權石掺 雜錦（YAG:Ce )為基底的磷光體、以正矽酸鹽（〇rth〇silicate ) 為基底的磷光體、或硫化物磷光體。 選擇該等延遲璘光體或其他鱗光體，使該發光裝置發 出具有所需彩色的光。在白光發光裝置的情形中，可由磷 光體的各種組合構成該等延遲磷光體或其他磷光體，使將 自LED晶片（3)發出的光與被轉換的光混合而得到的光 變成白光。此外，可在考慮到閃爍效應、發光效率、及演 47 1310246 色性指數（color rendering index)等因素之情形下，選擇 該延遲磷光體及其他磷光體的組合。 同時，一透明構件（5)可覆蓋LED晶片（3)。該透 明構件（5)可以是一塗佈層、或使用模型以形成的一模製 構件。透明構件（5)覆蓋LED晶片（3)，使LED晶片（3) 不會接觸到諸如溼氣或外力等的外部環境。例如，可由環 氧樹脂或梦樹脂製成透明構件（5 )。在LED晶片（3 )被 定位在反射杯基座（9)之内的情形中’可如該圖所示，將 透明構件（5)定位在反射杯基座（9)之内。 磷光體（7)可被定位在透明構件（5·)與LED晶片（3 ) 之間。在此情況中，係在將磷光體（7)施加到LED晶片 (3)之後，才形成透明構件（5)。相反地，可如該圖所示， 將磷光體（7)散佈在透明構件（5)之内。已知有可將磷 光體（7)散佈在透明構件（5)之内的各種技術。例如， 可使用磷光體與樹脂粉末混合的混合粉末執行轉注成型 (transfermolding)，或將磷光體散佈在液態樹脂内，並將 該液態樹脂硬化’而形成透明構件（5)。 第20圖為依據本發明的一實施例的交流發光裝置的 發光特性之示意圖形。此處’虛線⑷為傳統交流發光裝 置的發光特性之示意曲線，且實線為依據本發明的該 實施例的發光裝置的發光特性之示意曲線。 Λ 請f閱第20圖’並未採用延遲鱗光體的該傳統發光裝 置利用讀·的施加而週雛地重·啟及義啡 交流電源的職是T，則在_射，輪流地操作兩個： 48 1310246 單元。因此，㈣具有被㈣連接的發光 期間中發光。同時^發光裝置係㈣的 等發光單k臨界‘==壓並未超過被串聯的該 該等發光單元的時間之間的一段時間 時間）中G二==該等發光單元的臨界電壓之一段 的時ϋ間此，因在操作該等發光單元 裝置。、a ，而使閃爍效應可能出現在該傳統發光 用延ί鱗2二為依據本發明的該實施例·的發光裝置採 元保捭t SI _ Α以如實線（b)所示’縱使在該等發光單 4時’也會發光。因此，雖然光強度有所 減ί門㈣間變得較短’且在延遲麟光體的衰 時5長，形下，該發光裝置將持續地發光。 ft :家庭父流電源在大約6〇赫兹的頻率下施加電壓 士源的週期是大約16 7毫秒，且半週期是8毫秒。因 a#M :該發光裝置在操作中時’所有的發光單元被關閉的 b曰係小於8毫秒。因此，如果該延遲鱗光體的衰減時間 毫秒或更長’則可充分地減少_效應。尤其，果該 遲碟光體的衰減時瞧似於所有的發光單元被關閉之時 竭，則該發光裝置可持續地發光。 【圖式簡單說明】 第1及2圖係傳統交流發光裝置之電路示意圖。 第3圖係該傳統交流發光裝置中之驅動電壓與驅動電 49 丄3l〇246 凌間之示意圖形。 _第4圖係該傳統交流發光裝置的驅動電壓與發光量間 之不意圖形。 第5圖係依據本發明的一實施例的發光二極體（LED) 之一部分剖面圖。 第6圖係依據本發明的另一實施例的交流LED之一部 分剖面圖。 第7圖係依據本發明的第一實施例的交流發光裝置之 電路示意圖。 第8圖係依據本發明的該第一實施例的該交流發光裝 置中之驅動電壓及電流與時間之間的示意圖形。 第9圖係依據本發明的第二實施例的交流發光裝置之 電路示意圖。 第10圖係依據本發明的該第二實施例的該交流發光 裝置的驅動電壓與發光量之示意圖形。 第11圖係依據本發明的第三實施例的交流發光裝置 之電路示意圖。 第12圖係依據本發明的第三實施例的該交流發光裝 置的修改之電路示意圖。 第13圖係依據本發明的第三實施例的交流發光裝置 的驅動電壓及發光量之示意圖形。 第14圖係依據本發明的第四實施例的一交流發光裝 置之電路示意圖。 第15圖係依據本發明的第五實施例的一交流發光裝 1310246 置之電路示意圖。 第16圖係依據本發明的第六實施例的一交流發光裝 置之電路示意圖。 第17及18圖係可適用於本發明的實施例的LED之剖 面圖。 第19圖係依據本發明的第七實施例的一交流發光裝 置之剖面圖。 第20圖係依據本發明的第七實施例的一交流發光裝 置的發光特性之示意圖形。 【主要元件符號說明】 10 :交流電源 15,500 :發光裝置 30 :發光單元 20 :基體 25 :第一導電類型半導體層 29,29a:第二導電類型半導體層 27 :主動層 31 :電極 21 :缓衝層 33a，33b :電極墊 41 :導線 51 :反射金屬層 53 :金屬凸塊 300 :切換方塊 1310246

101-108 :陣列 110 :第一電源連接端 121-128 :第二電源連接端 200 :發光二極體 400,350 :橋式整流器 410_440 ··二極體部分 交流發光裝置 發光裝置晶片 磷光體 透明構件

I 52

Claims (1)

1310246 十、申請專利範圍： 1. 一種發光裝置，包含： 一發光二極體（LED)晶片，該LED晶片具有一陣 列之串聯連接的發光單元；以及 被分別連接到該等發光單元間之節點的切換方塊，

其中當該陣列被連接到一交流(AC)電壓電源且被該 父々丨1_(八(1；)包壓電源所驅動時，藉由該等切換方塊而依序開 啟及關閉該等發光單元。 2·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該等切 換方塊被連接到該陣列的電源及接地端；以及 δ該電源與接地端間之電壓差（Vac)係在（預定電壓 xn)至（預定電壓x(n+1))的範圍内時，第n個切換方 塊使該接地端及一連接該第η個切換方塊的節點短路， 且如果該電壓差（Vac)大於（預定電壓χ(η+1))時，該 第η個切換方塊使該節點與該接地端斷路。

3. 如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中該預定 電壓是該等發光單元在一參考電流下的順向電壓。 4. 如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該參考 電)的值疋15至25毫安(mA)。 5^如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中係按照 與該等發光單元被開啟的順序相反之順序來關閉該等發光 口 π 一 早兀0 6.如申請專利範圍第}項之發光裝置，另包含另一 陣列之串聯連接的發光單元，該另一陣列係反向並聯連接 53 1310246 到該串聯連接之發光單元的該陣列。 請專利範圍第6項之發光裝置，其中該串聯 在、之二早疋的該另—陣列内之該等發光單元間的節點 係分別連接到該等切換方塊。 入· 8.種用於交流(Ac)電力操作之發光裝置，該裳置包 一基體； _ 的上且具有不同數目之串聯連接之發光單元 : n該等第一陣列係彼此互相並聯連接； 以及 於Ϊ基體上且具有不同數目之串聯連接之發光單元 楚個々一陣列’該等第二陣列係反向並聯連接到 第一陣列。 9·如申明專利範圍第8項之用於交流(ac)電力操作 I ^發光裝置’料含—切換方塊，用以根據交流(AC)電源 的電屢位準而控制該複數個第—及第二 的發光。 J 10. 如申請專利範圍第9項之用於交流(AC)電力操 作之發光裝置，其中該等第—及第二陣列中之每一陣列的 一端係共同連接到第-電源連接端，域等每—陣列 一端係分別連接到第二電源連接端。 11. 如申請專利範圍第10項之用於交流(AC)電力操 4之發光裝置’其巾該切換方塊係連接在該等第二電源 接端與該交流(AC)電源之間’以便根據該交流(AC)電源的 54 1310246 電壓位準而形成一電流路徑。 12·如申請專利範圍f 8項之用於 作之發光裝置，直中嗲輦筮_父瓜〜)電力知 =-陣財之對二二 的發光單元之陣列具有較大的列中具有較多數目 14·如申請專利_第8項 作之發光裝置，另包含： 乂μ叫電力知 聯連接到該等第—陣列之第一電阻器；以及 /刀別串聯連接到該等第二陣列之第二電阻哭。 作之14項之用於域:c)電力操 其中該等第-電阻器具有不同的電阻值； 該等第二電阻器具有不同的電阻值；以及 該等第-及第二電阻器係以具有較大電阻值的電 被連接到具有較少數目的發光單元之_如此之 ^ 別串聯連接到該等第一及第二陣列。 刀 !6.如申請專利範圍第15項之用於交流(ac)電力操 ’其中該等第二電阻器分別具有對應於該等 第一電阻的電阻值之電阻值。 Π.如申請專利範_ Η項之用於交流(AC)電力 作之發光裝置，其中該等第-及第二電阻器係位在該基體 55 1310246 上 作之Γ光圍第8項之用於交流(ac)電力操 ，另匕含一係共同串聯連接到該等第一 二陣列之共用電阻器。 矛禾及弟 作之:光7-請專二範圍第8項之用於交流㈣電力操 作之發先裝置，其中在該等第—及第二陣_每—_

二且二2數目的發光單元之陣列内之發光單元具有大 於;^ 目的發光單元之陣_之發光單摘光強度 之光強度。 作之二2請t利範圍第19項之用於交流(AC)電力操 ^ ，/、中具有最少數目的發光單元的陣列内之 發光單元具有粗糙化的表面，使得該等發光單元可具有大 於具有最錄目㈣料元的陣肋之發光單元的光強度 21.如申凊專利範圍第W項之用於交流(AC)電力操

作之^光裝置，其巾具有最少數目的發光單元的陣列内之 發光單，具有傾斜的側表面，使得該等發光單元可具有大 於具有取錄目的發光單元轉咖之發光單元的光強度 之光強度。 22· —種用於交流(AC)電力操作之發光裝置，該裝置 包含： 一基體； 一位在該基體上，且具有不同數目之串聯連接之發光單 元的複數個陣列，且該等陣列係彼此互相並聯連接；以及 56 1310246 -橋式整流器’該橋式整流器的兩個節點係分別電連 接至該等陣列的兩個末端部分。 23. 如申請專利範圍f 22項之用於交流(ac)電力操 乍之發光裝置’其中該橋式整流器係位在該基體上。 24. 、如申請專利範圍第22項之用於交流(ac)電力操 之發光裝置’另包含—係連接在該轉㈣-末端部分 =橋式整流H的其中_個節點之間的娜方塊，以根據 y(AC)電源的電壓位準而控制該複數個陣列中之 陣列的發光。 从ϋ申研專利範圍第22項之用於交流(AC)電力操 列之置：另包含係位於該橋式整流器與該複數個陣 個5 '阻器’ 該等電阻器係分別串聯連接到該複數 個陣列。 π ϋ如申明專利範圍第25項之用於交流(AC)電力操 ^發光裝置，其中該等電阻器具有不同的電阻值，且Ϊ 具，電阻值的電阻器被連接到具有較少 、、70之陣列’如此之方式而分別串聯連接到該 複數個陣列。 27.如申5月專利範圍第η項之用於交流⑽電力操 乍^發光裝置，另包含-係共同串聯連接到該複數個 之共用電阻器。 J 28·、如申睛專利範圍第22項之用於交流電力操 之發光裝置，其+該複數個㈣ ^ 單元之陣财錄大㈣料元。料^的發先 57 1310246 29·如申請專利範圍第22 作之發光裝置，其中在哕递螌彻陆用於父流(AC)電力操 最少數目的射。：^複數個陣列的每—陣列中，具有 ί數目的發光單元之陣列内之發先單元二= 3〇.如申請專利範圍第29項之用於交 ==，其中具有最少數目的發光=車= 發先皁具有祕化絲面，使得該 =數目的發光單元的陣列内之發光 作之^申晉請t,圍第29項之用於交流(AC)電力操 作之，光裝置’其中具有最少數目的發光單元的陣列内之 發光單元具有傾斜的側表面，使魏等發光單元可具有大 於具有最多數目的發光單元的陣肋之發光單元的光強度 之光強度。 32·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括： 一透明組件，用以覆蓋該發光二極體晶片；以及 一延遲磷光體，該延遲磷光體係藉由自該等發光二極 體晶片所發射出的光來予以激勵，而發光於可見光範圍中。 33. 如申請專利範圍第32項所述之發光裝置，更包 括另一磷光體，該另一磷光體係藉由自該發光二極體晶片 所發射出的光來予以激勵，而發光於可見光範圍中。 34. 如申請專利範圍第8項或第22項所述之用於交流 (AC)電力操作之發光裝置，更包括： 58 1310246 明組件’用以覆蓋該發光單元；以及 议从山△遲碟光體’該延遲磷光體係藉由自該發光單元所 ，而發光於可見光範圍中。 力接>申请專利範圍帛34項所述之用於交流(AC)電 係裝ΐ ’更包括：另—填光體，該另一墙光體 可見光範光單疋所發射出的光來予以激勵，而發光於

59 1310246 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（5 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 30:發光單元 20 :基體 25 :第一導電類型半導體層 29 :第二導電類型半導體層 27 :主動層 31 :電極 21 :緩衝層 33a，33b :電極墊 41 :導線 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：