KR100644214B1 - 직렬 연결된 발광셀들의 어레이를 갖는 발광소자 - Google Patents

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Abstract

직렬 연결된 발광셀들의 어레이를 갖는 발광소자가 개시된다. 이 발광소자는 직렬 연결된 발광셀들의 어레이를 갖는 발광 다이오드 칩 및 발광셀들 사이의 노드들에 각각 연결된 스위칭 블록들을 포함한다. 발광셀들의 어레이가 교류 전압 전원에 연결되어 구동될 때, 스위칭 블록들에 의해 발광셀들이 순차적으로 턴온 및 턴오프된다. 이에 따라, 발광셀들이 동시에 턴온 및 턴오프되는 종래기술에 비해 전체적으로 발광셀들이 동작하는 시간이 증가한다.
발광소자, 발광셀, 교류 전압, 스위칭 블록, 광출력.

Description

직렬 연결된 발광셀들의 어레이를 갖는 발광소자{LIGHT EMITTING DIODE HAVING AN ARRAY OF LIGHT EMITTING CELLS IN SERIES}
도 1은 종래기술에 따른 발광소자를 설명하기 위한 개략적인 회로도이다.
도 2는 종래기술에 따른 발광소자의 시간에 따른 구동전압 및 전류를 설명하기 위한 개략적인 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 개략적인 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 시간에 따른 구동전압 및 전류를 설명하기 위한 개략적인 그래프이다.
본 발명은 직렬 연결된 발광셀들을 갖는 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 직렬 연결된 발광셀들이 순차적으로 턴온 및 턴오프되어 전체적인 발광셀들의 동작 시간을 증가시킬 수 있는 발광소자에 관한 것이다.
발광 다이오드는 N형 반도체와 P형 반도체가 서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발산한다. 이러한 발광 다이오드는 표시소자 및 백라이트로 널리 이용되고 있다. 또한, 발광 다이오드는 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길어, 백열전구 및 형광등을 대체하여 일반 조명 용도로 그 사용 영역을 넓히고 있다.
발광 다이오드는 교류전원하에서 전류의 방향에 따라 온/오프를 반복한다. 따라서, 발광 다이오드를 교류전원에 직접 연결하여 사용할 경우, 발광 다이오드가 연속적으로 빛을 방출하지 못하며, 역방향 전류에 의해 쉽게 파손되는 문제점이 있다.
이러한 발광 다이오드의 문제점을 해결하여, 고전압 교류전원에 직접 연결하여 사용할 수 있는 발광 다이오드가 국제공개번호 WO 2004/023568(Al)호에 "발광 성분들을 갖는 발광소자"(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS)라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있다.
상기 WO 2004/023568(Al)호에 따르면, LED들이 사파이어 기판과 같은 절연성 기판 상에 2차원적으로 직렬연결되어 LED 어레이를 형성한다. 이러한 두개의 LED 어레이들이 상기 사파이어 기판 상에서 역병렬로 연결된다. 그 결과, AC 파워 서플라이에 의해 구동될 수 있는 단일칩 발광소자가 제공된다.
도 1은 종래기술에 따른 직렬연결된 발광셀들을 갖는 발광소자를 설명하기 위한 개략적인 회로도이고, 도 2는 종래기술에 따른 종래기술에 따른 발광 다이오드의 시간에 따른 구동전압 및 전류를 설명하기 위한 개략적인 그래프이다.
도 1을 참조하면, 발광셀들(C1 ~ Cn)이 직렬로 연결되어 어레이를 구성한다. 이러한 어레이들이 단일칩내에 두 개 이상 제공되며, 이들 어레이들이 서로 역병렬로 연결된다. 한편, 상기 어레이의 양단에 교류 전압 전원(도시하지 않음)이 연결된다. 상기 교류전압 전원의 1/2 사이클 동안, 상기 어레이의 발광셀들이(C1 ~ Cn)이 동작하며, 다른 1/2 사이클 동안 상기 어레이에 역병렬로 연결된 다른 어레이가 동작한다. 이에 따라, 교류전압 전원에 의해 상기 어레이들이 교대로 동작하게 된다.
그러나, 상기 직렬연결된 발광셀들은 교류전압에 의해 동시에 턴온되고, 동시에 턴오프된다. 따라서, 상기 교류전압이 상기 발광셀들의 문턱전압들의 합 보다 큰 값이 될 때, 상기 발광셀들을 통해 전류가 흐르기 시작한다. 즉, 상기 발광셀들은 상기 교류전압이 상기 문턱전압들의 합 이상이 될 때 동시에 턴온되기 시작하며, 상기 문턱전압들의 합 미만인 경우 동시에 턴오프된다.
도 2를 참조하면, 교류전압이 소정값이 되기 전, 상기 발광셀들은 턴온되지 않으며, 전류가 흐르지 않는다. 일정시간이 경과하고, 상기 교류전압이 소정값이 된 경우, 상기 발광셀들의 어레이를 통해 전류가 흐르기 시작한다. 한편, 교류전압이 더욱 증가하여 시간이 T/4 일 때, 전류는 최대값을 가지며, 그 후 감소한다. 한편, 교류전압이 소정값 미만인 경우, 발광셀들이 턴오프되고 전류가 흐르지 않는다. 따라서, 상기 발광셀들을 통해 전류가 흐르는 시간은 T/2에 비해 상대적으로 짧다.
한편, 발광셀들은 소정의 전류가 흐를때 광을 방출한다. 따라서, 상기 발광 셀들을 구동하여 광을 방출하는 유효시간은 상기 발광셀들을 통해 전류가 흐르는 시간 보다 더 짧아진다.
광이 방출되는 유효시간이 짧아짐에 따라, 광출력이 감소하며, 유효시간을 증가시키기 위해 구동전압의 피크값을 더 증가시킬 수 있다. 그러나, 이 경우, 전력소모가 크고, 구동전압 증가에 따라 전류가 증가한다. 전류의 증가는 발광셀들의 접합 온도 증가로 이어지고, 접합 온도 증가는 발광셀들의 발광효율을 감소시킨다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 직렬연결된 발광셀들에서 광이 방출되는 유효시간을 증가시킬 수 있는 발광소자를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 종래기술에 비해 저전류 동작이 가능하여 발광효율을 개선할 수 있는 발광소자를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여, 본 발명은 순차적으로 턴온 및 턴오프되는 직렬 연결된 발광셀들을 갖는 발광소자를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 발광소자는 직렬연결된 발광셀들의 어레이를 갖는 발광 다이오드 칩 및 상기 발광셀들 사이의 노드들에 각각 연결된 스위칭 블록들을 포함한다. 상기 어레이가 교류 전압 전원에 연결되어 구동될 때, 상기 스위칭 블록들에 의해 상기 발광셀들이 순차적으로 턴온 및 턴오프된다. 상기 발광셀들이 순차적으로 턴온 및 턴오프되므로, 발광셀들이 광을 방출하는 전체적인 유효시간을 증가시킬 수 있다.
상기 스위칭 블록들은 상기 어레이의 소오스 단자 및 그라운드 단자에 연결 될 수 있다. 이때, 제n 스위칭 블록은 상기 소오스 단자와 그라운드 단자의 전압차(Vac)가 소정전압×n 내지 소정전압×(n+1) 범위에 있을 때, 상기 제n 스위칭 블록이 연결된 노드와 상기 그라운드 단자를 단락시키고, 상기 전압차(Vac)가 상기 소정 전압×(n+1) 이상인 경우, 상기 각 노드와 상기 그라운드 단자를 개방시킨다. 이에 따라, 교류전압이 증가할 경우, 상기 스위칭 블록들이 순차적으로 단락 및 개방을 반복하여, 상기 발광셀들이 순차적으로 턴온되고, 교류전압이 감소할 경우, 상기 발광셀들이 순차적으로 턴오프된다.
상기 소정 전압은 기준 전류에서의 상기 발광셀의 순방향 전압일 수 있다. 이에 따라, 상기 발광셀들을 흐르는 전류를 기준전류에 가까운 전류로 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 상기 기준전류를 조절하여, 상기 발광셀들의 발광효율을 향상시킬 수 있다. 상기 기준 전류는 예컨대 15 내지 20mA일 수 있다.
상기 발광셀들은 턴온된 순서의 역순으로 턴오프될 수 있으며, 이와 달리 턴온된 순서로 턴오프될 수도 있다.
상기 발광셀들 각각은 N형반도체층, P형 반도체층 및 상기 N형 및 P형 반도체층들 사이에 개재된 활성층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체층들은 질화갈륨(GaN) 계열의 반도체 물질로 형성될 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 직렬 연결된 발광셀들의 어레이 이외에 다른 직렬 연결된 발광셀들의 어레이를 더 포함할 수 있다. 이들 어레이들은 서로 역병렬로 연결된다. 상기 다른 직렬 연결된 발광셀들의 어레이 내의 발광셀들의 노 드들에도 스위칭 블록들이 각각 연결될 수 있다. 이때, 상기 직렬 연결된 발광셀들의 어레이 내의 발광셀들의 노드들에 연결된 스위칭 블록들이 상기 다른 어레이 내으 발광셀들의 노드들에도 연결될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 직렬연결된 발광셀들을 갖는 발광소자를 설명하기 위한 개략적인 회로도이다.
도 3을 참조하면, 상기 발광소자는 직렬연결된 발광셀들(C1~Cn)의 어레이를 포함한다. 상기 어레이는 단일의 발광다이오드 칩 상에 형성된다. 이러한 어레이들은 단일 칩 상에 복수개 형성될 수 있으며, 상기 어레이들이 서로 역병렬로 연결된다. 이에 따라, 상기 발광셀들을 교류 전원에 연결하여 구동할 수 있다.
상기 발광셀들 각각은 N형 반도체층, P형 반도체층 및, 상기 N형 및 P형 반도체층들 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 상기 반도체층들 및 활성층은 질화갈륨(GaN) 계열의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 반도체층들 및 활성층은 상기 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층에 한정되는 것은 아니며, 다양한 물질막 과 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
상기 발광셀들(C1~Cn)은 직렬로 연결되며, 발광셀들 사이에 노드들(L1~Ln -1)이 위치한다. 상기 노드들(L1~Ln -1) 각각에 스위칭 블록들(G1~Gn -1)이 연결된다. 즉, 발광셀(C1)과 발광셀(C2) 사이의 노드(L1)에 스위칭 블록(G1)이 연결되고, 발광셀(C2)와 발광셀(C3) 사이의 노드(L2)에 스위칭 블록(G2)가 연결된다. 이러한 방식으로, 발광셀(Cn-1)과 발광셀(Cn) 사이의 노드(Ln -1)에 스위칭 블록(Gn -1)이 연결된다.
상기 스위칭 블록들(G1~Gn -1)은 교류전압(Vac)이 순방향으로 증가함에 따라 순차적으로 동작하여 상기 발광셀들(C1~Cn)을 순차적으로 턴온시킨다. 또한, 상기 스위칭 블록들(G1~Gn -1)은 교류전압이 피크값을 지나 감소하는 경우, 다시 순차적으로 동작하여 상기 발광셀들(C1~Cn)을 순차적으로 턴오프 시킨다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 스위칭 블록들(G1~Gn-1)은 각각 상기 발광셀들의 어레이의 소오스 단자(S)와 그라운드 단자(G)에 연결된다. 여기서, 교류전압전원이 상기 어레이의 양단에 전기적으로 연결된 경우, 상기 어레이에 전류가 흘러 들어가는 단자를 소오스 단자(S)라 하고, 전류가 흘러 나오는 단자를 그라운드 단자(G)라 한다. 상기 소오스 단자(S)에 교류전압전원이 연결되고, 상기 그라운드 단자(G)는 접지될 수도 있으며, 상기 교류전압전원의 양단에 상기 소오스 단자(S)와 그라운드 단자(G)를 연결할 수도 있다. 여기서는 설명 의 편의상 상기 그라운드 단자(G)를 접지시킨 것으로 설명한다. 상기 그라운드 단자(G)를 접지시킨 경우, 상기 스위칭 블록들(G1~Gn -1)은 상기 어레이의 그라운드 단자(S)에 연결되는 대신, 별도로 접지시킬 수도 있다.
상기 스위칭 블록들(G1~Gn-1)은 소오스 단자(S)와 그라운드 단자(G)의 전압차이에 의해 구동될 수 있으며, 이하에서 이 동작을 설명한다.
상기 각 스위칭 블록(Gn)은, 상기 소오스 단자(S)의 전압(Vac)이 소정전압×n과 소정전압×(n+1) 범위 내에 있을 때, 각 노드(Ln)와 상기 그라운드 단자(G)를 단락시킨다. 여기서, n은 상기 스위칭 블록의 서수를 나타낸다. 이 경우, 상기 스위칭 블록들(G1~Gn -1)은 전류를 그라운드 단자(G)로 우회시킨다. 한편, 상기 소오스 단자(S)의 전압(Vac)이 상기 소정전압×(n+1) 이상인 경우, 상기 각 스위칭 블록들(Gn)은 노드(Ln)와 그라운드 단자(G)를 개방시킨다. 이 경우, 상기 스위칭 블록들(G1~Gn -1)을 통해 우회하는 전류는 차단된다. 또한, 상기 소오스 단자(S)의 전압(Vac)이 상기 소정전압×n 보다 작을 경우, 상기 스위칭 블록들(G1~Gn-1)은 상기 노드(Ln)와 그라운드 단자(G)를 개방시킨다.
상기 소정전압은 기준전류에서의 상기 발광셀들의 순방향 전압일 수 있다. 상기 기준전류는 상기 발광셀들의 발광효율을 고려하여 결정된다. 예컨대, 상기 기준전류는 상기 발광셀들의 발광효율이 가장 높은 전류로 결정될 수 있으며, 이러한 전류는 15 내지 25mA 일 수 있으며, 질화갈륨 계열의 반도체층들 및 활성층에서 약 20mA이다.
이하, 본 실시예에 따른 발광소자의 동작을 구체적으로 설명한다. 여기서, 기준전류에서의 발광셀의 순방향 전압(Vf)을 상기 소정전압으로 설명한다.
소오스 단자(S)에 교류전압전원이 연결되어, 상기 소오스 단자(S)의 전압이 순방향 전압(Vf) 보다 커지면, 스위칭 블록(G1)은 노드(L1)와 그라운드 단자(G)를 단락시킨다. 이에 따라, 발광셀(C1) 및 스위칭 블록(G1)을 통해 기준전류가 흐르기 시작하며, 발광셀(C1)이 동작하여 광을 방출한다. 교류전압(Vac)이 더 증가하면, 발광셀(C1)에 기준전류 이상의 전류가 흐른다.
이어서, 교류전압(Vac)이 2Vf에 도달하면, 스위칭 블록(G1)은 노드(L1)와 그라운드 단자(G)를 개방시키어 우회하는 전류를 차단한다. 한편, 스위칭 블록(G2)이 노드(L2)와 그라운드 단자(G)를 단락시킨다. 이에 따라, 발광셀(C2)이 턴온되고, 기준전류는 발광셀(C1, C2) 및 스위치 블록(G2)를 거쳐 그라운드 단자(G)로 흐른다. 즉, 전류는 스위칭 블록(G2)에 의해 노드(L2)에서 그라운드 단자(G)로 우회한다.
교류전압(Vac)이 증가함에 따라, 스위칭 블록들(G1~Gn -1)이 단락된 후 개방되는 과정이 반복되어, 스위칭 블록들(G1~Gn -1)이 순차적으로 개방되며, 상기 발광셀들 (C1~Cn)을 순차적으로 턴온된다.
한편, 시간 T/4가 지나서 교류전압(Vac)이 감소하는 경우, 개방되었던 스위칭 블록(Gn -1)이 단락되고 발광셀(Cn)이 턴오프된다. 이어서, 교류전압(Vac)이 더 감소하면, 스위칭 블록(Gn-1)은 개방되고, 개방되었던 스위칭 블록(Gn -2, 도시하지 않음)이 단락되어 발광셀(Cn-1)이 턴오프된다. 즉, 교류전압(Vac)이 감소함에 따라 스위칭 블록들이 단락된 후 개방되는 과정을 차례로 반복하고, 발광셀들이 차례로 턴오프된다.
표1은 1/2 사이클 동안 시간에 따른 상기 발광셀들의 턴온 및 턴오프 동작을 요약한 것이다.
시간 C1 C2 C3 … Cn -1 Cn
0 off off off … off off
on off off … off off
on on off … off off
on on on … off off
on on on … on off
on on on … on on
T/4 on on on … on on
on on on … on on
on on on … on off
on on on … off off
on on off … off off
on off off … off off
T/2 off off off … off off
표1을 참조하면, 발광셀들(C1~Cn)은 시간이 지남에 따라 순차적으로 턴온된 후, 시간 T/4를 경과한 후, 턴온된 순서의 역순으로 턴오프된다. 종래기술에서 발광셀들이 모두 턴온되는 구동전압(Vac)하에서, 본 실시예에 따른 발광셀들도 모두 턴온된다. 이에 더하여, 본 실시예에 따르면, 구동전압(Vac)이 발광셀들을 모두 턴온시키기 전에도 일부 발광셀들이 턴온된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 시간에 따른 구동전압 및 전류를 설명하기 위한 개략적인 그래프이다.
도 4를 참조하면, 구동전압(Vac)이 증가함에 따라, 발광셀들(C1~Cn)을 흐르는 전류는 모든 발광셀들이 턴온될 때 까지 대체로 일정한 전류값을 갖는다. 상기 전류는 대체로 기준전류와 일치한다. 물론, 모든 발광셀들이 턴온된 후에도 구동전압(Vac)이 더욱 증가되면, 발광셀들을 흐르는 전류는 증가한다.
한편, 상기 발광셀들은 순차적으로 턴온되므로, 구동전압(Vac)이 작은 값을 갖는 경우에도 일부 발광셀들에서 광이 방출된다. 또한, 상기 발광셀들이 순차적으로 턴오프되므로 구동전압(Vac)이 작은 값을 갖는 경우에도 일부 발광셀들은 광을 방출한다. 따라서, 상기 발광셀들이 구동되는 유효시간이 증가된다.
본 실시예에 따르면, 상기 발광셀들(C1~Cn)이 순차적으로 턴온되고, 턴오프됨에 따라, 종래기술에 비해 발광셀들이 턴온되어 광을 방출하는 유효시간이 전체적으로 증가된다. 이에 따라, 종래기술과 동일한 교류전압전원을 사용한 경우, 광출력이 향상된다. 달리 말하면, 구동전압(Vac)의 피크값을 종래기술에 비해 작게 해도 종래기술과 동일한 광출력을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 발광셀들을 저전류를 사용하여 구동할 수 있으며, 이에 따라 발광셀들의 접합 온도를 낮출 수 있어 발광효율을 개선할 수 있다.
상기 스위칭 블록들(G1~Gn -1)은 본 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 변형예가 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 스위칭 블록들은 동일한 회로로 구성될 수 있으며, 스위칭 블록들을 순차적으로 동작시키기 위한 별도의 회로가 추가될 수 있다. 또한, 소오스 전압(Vac)이 일정한 전압 범위 내에서 증가할 때, 동작하는 발광셀들 내에 과도한 전류가 흐르는 것을 방지하기 위한 회로가 스위칭 블록들 내에 또는 별도로 구비될 수 있다. 이러한 회로는 예컨대, 제너 다이오드와 같은 정전압원 또는 저항체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 임의의 발광셀(Cn)이 턴온되기 전, 턴온된 발광셀(C1~Cn-1)들에 과도한 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
한편, 적어도 두개의 직렬 연결된 발광셀들의 어레이들이 서로 역병렬로 연결될 수 있으며, 각 어레이의 발광셀들 사이의 노드들에 스위칭 블록들이 연결될 수 있다. 한편, 상기 스위칭 블록들은 상기 각 어레이에 공통으로 연결될 수도 있다. 이에 따라, 상기 스위칭 블록들은 1/2 사이클 동안 하나의 어레이 내의 발광셀들을 순차적으로 턴온 및 턴오프 시키고, 그 후 1/2 사이클 동안 다른 하나의 어레이 내의 발광셀들을 순차적으로 턴온 및 턴오프 시킬 수 있다.
본 실시예들에 따르면, 직렬연결된 발광셀들에서 광이 방출되는 유효시간을 증가시킬 수 있는 발광소자를 제공할 수 있다. 이에 따라,종래기술과 동일한 교류전압전원을 사용한 경우, 광출력이 향상된다. 또한, 구동전압(Vac)의 피크값을 종래 기술에 비해 작게 해도 종래기술과 동일한 광출력을 제공할 수 있으므로, 상기 발광셀들을 저전류를 사용하여 구동할 수 있어, 발광셀들의 발광효율을 개선할 수 있다.

Claims (8)

  1. 직렬 연결된 발광셀들의 어레이를 갖는 발광 다이오드 칩; 및
    상기 발광셀들 사이의 노드들에 각각 연결된 스위칭 블록들을 포함하되,
    상기 어레이가 교류 전압 전원에 연결되어 구동될 때, 상기 스위칭 블록들에 의해 상기 발광셀들이 순차적으로 턴온 및 턴오프되는 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 스위칭 블록들은 상기 어레이의 소오스 단자 및 그라운드 단자에 연결되되,
    제n 스위칭 블록은 상기 소오스 단자와 그라운드 단자의 전압차(Vac)가 소정전압×n 내지 소정전압×(n+1) 범위에 있을 때, 상기 제n 스위칭 블록이 연결된 노드와 상기 그라운드 단자를 단락시키고, 상기 전압차(Vac)가 상기 소정 전압×(n+1) 이상인 경우, 상기 각 노드와 상기 그라운드 단자를 개방시키는 발광소자.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 소정 전압은 기준 전류에서의 상기 발광셀의 순방향 전압인 발광소자.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 기준 전류값은 15 내지 25mA인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광셀들은 턴온된 순서의 역순으로 턴오프되는 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광셀들 각각은 N형반도체층, P형 반도체층 및 상기 N형 및 P형 반도체층들 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 직렬 연결된 발광셀들의 어레이에 역병렬로 연결된 다른 직렬 연결된 발광셀셀들의 어레이를 더 포함하는 발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 다른 직렬 연결된 발광셀들의 어레이 내의 발광셀들 사이의 노드들은 각각 상기 스위칭 블록들에 연결된 발광소자.
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