TWI299172B - Laminated ceramic capacitor and manufacturing method therefor - Google Patents

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1299172 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於積層陶瓷電容器及其製造方法。 【先前技術】 * 一般而言，積層陶瓷電容器係構成爲··多數內部電極 ^ 隔著陶瓷層而層積，且被交互地導出至陶瓷基體的兩端 部。在這樣的積層陶瓷電容器中，在陶瓷基體之端部和中 央部之間，亦即，從層積方向所見，內部電極和空白區域 φ 所交互相配置的部分、和僅配置內部電極的部分之間，會 產生因內部電極的有無而造成的段差。該段差係導致陶瓷 基體之尺寸扭曲，成爲在積層陶瓷電容器之實際安裝的安 裝不良的原因。 ' 作爲用於解決上述段差問題的技術，已知有在內部電 ^ 極之周圍印刷段差吸收用的陶瓷漿（ceramic paste)的技術 (參照特開2 0 0 1 - 3 5 8 0 3 6號公報）。 不過，在內部電極的周圍印刷段差吸收用的陶瓷漿的 φ 情況下，必須以正確的印刷圖案來印刷陶瓷漿，要求要有 高印刷精度。附加這種步驟係招致製造步驟的繁雜化。 另外，在內部電極的周圍上印刷段差吸收用的陶瓷漿 的情況下，產生薄片侵蝕的問題。亦即，陶瓷漿內的溶劑 A 係滲透到生胚薄片和PET膜之間，恐怕會有生胚薄片從PET " 膜剝離的疑慮。 【發明內容】 本發明的課題係提供一種積層陶瓷電容器以及此製造 方法，能消除陶瓷基體之尺寸扭曲，並防止在實際安裝時 1299172 的安裝不良，且能夠使製造步驟簡化，而且能夠防止薄片 侵蝕。 <積層陶瓷電容器> 爲了解決上述的課題，本發明的積層陶瓷電容器係具 備陶瓷基體和多數內部電極。 前述陶瓷基體係以長度方向、寬度方向以及厚度方向 所定義的形狀。前述多數內部電極係在厚度方向上隔著間 隔而層積在前述陶瓷基體內部，且被交互導出至前記陶瓷 基體之從長度方向所見的兩端部。 前述陶瓷基體係在厚度方向上相對的兩面中的一面爲 平面狀，關於從前述一面到最外側內部電極的距離，在從 長度方向所見之端部的値Db係比從長度方向所見之中央 部的値Da還要大，比値Db/Da係2.1以下。 在上述本發明的積層陶瓷電容器中，多數內部電極係 在厚度方向上隔著間隔而層積在陶瓷基體內部，且被交互 導出至前記陶瓷基體之從長度方向所見的兩端部。因此， 能獲得積層陶瓷電容器基本的構造。 此外’陶瓷基體係在厚度方向上相對的兩面中的一面 爲平面狀’關於從前述一面到最外側內部電極的距離，從 長度方向所見之端部的値Db係比從長度方向所見之中央 部的値D a還要大。藉由該構造，能夠吸收在陶瓷基體之端 部以及中央部之間產生的內部電極之段差、消除陶瓷基體 的尺寸扭曲。因此，能防止積層陶瓷電容器之實際安裝時 的安裝不良（實際安裝不良）。 而且’藉由上述構造，在積層陶瓷電容器的製造步驟 1299172 中，在內部電極之周圍印刷段差吸收用之陶瓷漿的步驟變 得不需要。因此，積層陶瓷電容器的製造步驟被簡化。 此外，因爲在內部電極之周圍印刷段差吸收用之陶瓷 漿的步驟變得不需要，所以能防止薄片侵蝕。 此外，在本發明中，關於從陶瓷基體的前述一面到最 外側內部電極爲止的距離，端部之値Db和中央部之値Da 的比値Db/Da設爲2.1以下。若將比値Db/Da設爲2.1以下， 能夠將積層陶瓷電容器之實際安裝不良的發生率以及脫層 的發生率壓低。 <積層陶瓷電容器的製造方法〉 有關本發明的積層陶瓷電容器的製造方法，準備有第 1陶瓷生胚薄片，其在一面上將多數內部電極層形成爲互 相隔著空白區域。此外，準備有第2陶瓷生胚薄片，其在 一面上形成有段差吸收層且不具有內部電極層。 然後，將在多數前述第1陶瓷生胚薄片外側具備至少 一層之前述第2陶瓷生胚薄片的薄片積層體製作成：從該 積層方向所見的內部電極層和空白區域交互配置的部分重 疊有段差吸收層。 上述本發明之積層陶瓷電容器的製造方法中，在第1 陶瓷生胚薄片的一面，互相隔著空白區域形成多數內部電 極層，並製作具備多數前述第1陶瓷生胚薄片的薄片積層 體。因此，能獲得積層陶瓷電容器的基本構造。 作爲本發明的特徵，在一面形成段差吸收層，並準備 沒有內部電極層的第2陶瓷生胚薄片。此外，將在前述多 數前述第1陶瓷生胚薄片外側具備至少一層前述第2陶瓷 1299172 - 生胚薄片的薄片積層體製作成：從該積層方向所見的內部 電極層和空白區域交互配置的部分重疊有段差吸收層。藉 由這種段差吸收構造，能夠吸收段差，而該段差係產生在 從積層方向所見只有內部電極層配置的部分和內部電極層 和空白區域交互相配置的部分之間。因此，能消除裁斷薄 片積層體而產生的陶瓷基體之尺寸扭曲。因此，能防止積 層陶瓷電容器之實際安裝時的安裝不良。 而且，藉由上述段差吸收構造，變得不需要第1陶瓷 | 生胚薄片的一面上於內部電極層的周圍印刷段差吸收用之 陶瓷漿的步驟。因此，積層陶瓷電容器的製造步驟被簡化。 此外，不需要第1陶瓷生胚薄片的一面上於內部電極 層的周圍印刷段差吸收用之陶瓷漿的步驟，所以防止薄片 侵触。 如以上所述，藉由本發明，能消除陶瓷基體的尺寸扭 曲並防止在實際安裝時的安裝不良，能夠使製造步驟簡 化、而且，能夠防止薄片侵蝕，能提供積層陶瓷電容器以 _ 及其製造方法。 【實施方式】 <積層陶瓷電容器> 第1圖係表示本發明之積層陶瓷電容器的實施形態的 . 截面圖。第2圖係沿著第1圖之2-2線的截面圖。如圖所 • 示，本發明的積層陶瓷電容器係具備陶瓷基體1與η層的 內部電極2 1〜2 η。 陶瓷基體1係由例如以欽酸鎖爲主要成分的介電體材 料等等構成。陶瓷基體1係由長度方向L、寬度方向W以 1299172 及厚度方向τ所定義的形狀。具體而言，陶瓷基體1係成 爲具有長度方向L、寬度方向W以及厚度方向Τ的略長方 體形狀。關於陶瓷基體1的尺寸’若舉出數値例’長度尺 寸、寬度尺寸以及厚度尺寸分別是3.2mm、1.6mm以及 1 · 6mm 〇 在從長度方向L所見的陶瓷基體1的兩端面160、170 係設有端子電極4 1、4 2。端子電極4 1、4 2係能由例如：以 S η爲主要成分的外層、以N i爲主要成分的中間層以及以 Cu爲主要成分的基底所組成的多層構造所構成。 內部電極21〜2n係在陶瓷基體1的內部於厚度方向T 上隔著間隔而被層積。詳細言之，內部電極2 1〜2n係分別 成爲從垂直於厚度方向T的平面所見，具有長度方向L以 及寬度方向W的長方形狀，且隔著介電質層而被層積。 此外，內部電極2 1〜2n係被交互地導出至從長度方向 L所見之陶瓷基體1的兩端部1 6、1 7。首先，內部電極2 1 之從長度方向L所見的一端係被導出至陶瓷基體1的端面 160，且被連接至端子電極41，從長度方向L所見的另一 端係在從陶瓷基體1的又一個端面170在長度方向L上隔 著間隔。下一個內部電極2 2，從長度方向L所見的一端係 從陶瓷基體1之端面1 60，在長度方向L上隔著間隔，從 長度方向L所見的另一端係被導出至陶瓷基體1之端面170 並連接至端子電極42。剩餘的內部電極23〜2n亦相同。藉 由這種內部電極的導出構造，在從長度方向L所見之陶瓷 基體1的兩贿部16、17中’從積層.方向T所見，內部電極 和空白區域係交互地被配置。另外，在從長度方向L所見 1299172 之陶瓷基體1的中央部18中，從積層方向T所見，只配置 有內部電極。 內部電極21〜2η係由例如Ni或Cu等等所構成。內部 電極2 1〜2n的層厚度T 1以及層數η係被設定爲任意的値。 另外，在陶瓷基體1之中央部1 8所見，被夾在內部電極之 間的介電質層之層厚度Τ2(參照第1圖）被設定爲任意的 値。如果舉出數値例，內部電極的層數η係被設定爲400， 內部電極的層厚度Τ1係被設定爲介電質層的層 厚度Τ2係被設定爲1.0// m。 陶瓷基體1以及內部電極2 1〜2n的基本構成係如以上 所說明。接著，就本發明的特徵構成進行說明。 陶瓷基體1係在厚度方向上相對的兩面1 0 1、1 02中的 一面1 0 1成爲平面狀。所謂的平面狀，係可以從積層陶瓷 電容器之實際安裝時產生安裝不良的觀點來所見是否爲平 面狀而進行解釋。 此外，陶瓷基體1，關於從面1 0 1到最外側內部電極 2n爲止的距離，從長度方向L所見之端部1 7的値Db係變 得比從長度方向L所見之中央部1 8的値D a還要大。如果 詳細地說明，在中央部1 8中，從厚度方向T所見，該內部 電極2n係位在從面1 0 1算起大約固定的位置。在端部i 7 中，從厚度方向T所見，內部電極2n係比位在中央部1 8 中之位置還要高的位置，値Db係在端面170附近所見的値。 此外，値Db和値Da的比値Db/Da係變爲2.1以下。 因此，整理關於比値Db/Da的範圍，如同以下。 1 < Db/Da ^ 2.1 ⑴ -10- 1299172 ， 在圖示實施形態中，陶瓷基體1的另一個面1 02亦成 爲平面狀。此外，關於從此面1 02到最外側內部電極2 1爲 止的距離，從長度方向L所見的端部1 6之値係變得比從長 度方向L所見的中央部1 8之値還要大。詳細言之，從面 • 1 0 1到內部電極2n爲止的距離相同，則省略重複說明。 . 如同參照第1圖以及第2圖所說明，在本發明的積層 陶瓷電容器中，內部電極2 1〜2n係在厚度方向T上隔著間 隔而層積在陶瓷基體1內部，且被交互導出至前記陶瓷基 φ 體1之從長度方向L所見的兩端部1 6、17。因此，能獲得 積層陶瓷電容器基本的構造。 此外，陶瓷基體1係在厚度方向T上相對的兩面1 0 1、 1 02中的一面1 〇 1爲平面狀，關於從此面1 0 1到最外側內部 - 電極2η的距離，在從長度方向L所見之端部17的値Db . 係比從長度方向L所見之中央部1 8的値D a還要大。藉由 該構造，能夠吸收在陶瓷基體1之端部1 7以及中央部1 8 之間產生的內部電極2 1〜2n之段差、消除陶瓷基體1的尺 I 寸扭曲。因此，能防止積層陶瓷電容器之實際安裝時的安 裝不良（實際安裝不良）。 而且，藉由上述構造，在積層陶瓷電容器的製造步驟 中，在內部電極2 1〜2n之周圍印刷段差吸收用之陶瓷漿的 • 步驟變得不需要。因此，積層陶瓷電容器的製造步驟被簡 . 化。 此外，因爲在內部電極2 1〜2n之周圍印刷段差吸收用 之陶瓷漿的步驟變得不需要，所以能防止薄片侵蝕。 此外，在本發明中，關於從陶瓷基體的面1 〇 1到最外 -11 - 1299172 側內部電極2η爲止的距離，端部1 7之値Db和中央部1 8 之値Da的比値Db/Da設爲2.1以下。若將比値Db/Da設爲 2 · 1以下，能夠將積層陶瓷電容器之實際安裝不良的發生率 以及脫層的發生率壓低。 以下參照表1〜表4，列舉實驗資料來進行說明。在表 中’在各個樣品N 〇係表示內部電極層的層數^、內部電極 的層厚度Τ1、介電質層的層厚度Τ2、內部電極的層厚度 Τ1和介電質層Τ2的比Τ1/Τ2、外裝厚度、陶瓷基體之中央 部的値Da、端部的値Db、端部的値Db和中央部的値Da 之比値Db/Da、太鼓化率、實際安裝不良的發生率以及脫 層的發生率。太鼓化率係表示晶片的變形度，數値越大變 形越大，容易發生實際安裝不良。另外，實際安裝不良的 發生率以及脫層的發生率係表示在各個樣品No製作 1 00000個積層陶瓷電容器時的實際安裝不良發生率以及脫 層的發生率° 首先，表1係値Da爲200/zm，內部電極層之層厚T1 爲1.5/z m時的實驗資料。 -12- 1299172

脫層的發 生率 (%) ρ r-H (N rn 琳S a 〇 沄 8 太鼓化率 〇 寸 σ\ g g 1 Ί wn cs H s τ—H Ο CN cn S a 鹦5 v〇 CN 〇 VO (N 异 CO 寸 8 卜 占a 迴5 § o CN o CN ο cs 〇 CN 外裝厚度 (^m) § 8 cs o CSJ ο CN 〇 比 T1/T2 ο S O 8 r—H ο wn τ-Η 〇 cn 介電質層 的層厚T2 (/zm) to v〇 p vn 內部電極 的層厚T1 (βτή) v〇 to in· 內部電極 的層數η 〇 寸 o 寸 o 寸 8 寸 § 寸 § ^ f- H csi cn 寸 -13- 1299172 參照表1時’在比値Db/Da爲2·ΐ〇以下的區域中，實 際安裝不良的發生率被抑制在50ppm以下。另外，脫餍的 發生率亦被抑制在0.3 %以下。 相對於此，比値Db/Da超過2.1 0時，實際安裝不良的 發生率就超過50ppm且急劇地增大。另外，脫層的發生率 亦超過0.3%且急劇地增大。例如，比値Db/Da爲3.50的時 候，實際安裝不良的發生率成爲3000ppm，脫層的發生率 是 3.0%。 接著，表2係値Da爲200 v m，內部電極層之層厚T1 爲1.0 // m時的實驗資料。

-14- 1299172

【ί£ 脫層的發 生率 (%) P ρ r-H <N o cs 實際安裝 不良的發 生率(ppm) 〇 ο 吳 8 oo 太鼓化率 〇 m oo r-j i5\ g r—Η r i ο r-H s r-H 8 cn S e 5 Ο <N g CM cn 〇 s Q S m 5 8 CN Ο 异 o ΟΪ 〇 cs o 异 外裝厚度 ("m) Ο οα Ο 异 8 03 8 (N o CN 比 T1/T2 ο ο ο δ c5 O · 8 CN 介電質層 的層厚T2 (^m) m p v〇 ϋ 1¾ ε §S i5 2 eg ρ ρ p p p 內部電極 的層數η 8 寸 8 寸 8 寸 8 寸 o 寸 r- CO Os o -15- 1299172 參照表2時，在比値D b / D a爲2 · 1 0以下的區域中’實 際安裝不良的發生率被抑制在50ppm以下。另外，脫廢的 發生率亦被抑制在0.3 %以下。 相對於此，比値Db/Da超過2.10時，實際安裝不良的 發生率就超過5 0 p p m且急劇地增大。另外，脫層的發生率 亦超過0.3 %且急劇地增大。例如，比値Db/Da爲3.00的時 候，實際安裝不良的發生率成爲800ppm，脫層的發生率是 1.2%。 接著，表3係値Da爲100/zm，內部電極層之層厚T1 爲1 .5 // m時的實驗資料。

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【£«】 脫層的發 生率 (%) p r—Η oq wn 實際安裝 不良的發 生率(ppm) ο g O 异 8 太鼓化率 CS 寸 i—H iT) g 另· r-H s f—H o CN cn vd S a 鍥5 闵 r ·_Η s τ—H O CO o v〇 VO 占s 舉5 Ο τ—Η 〇 t—Ή o r—H o < '4 〇 1 蟑 外裝厚度 (βνη) Ο f—Η 8 f—h o t-H o r-H 〇 r—H 比 Τ1/Τ2 沄 CZ) S O 〇 r-H r—H o cn 介電質層 的層厚Τ2 (A^m) S wn csi in· p irj 1! η _ ϋ 1¾ ε §S is 5 Eg wo in un in 內部電極 的層數η 8 寸 〇 寸 O 寸 o 寸 o 寸 § ^ i 1 cn 寸· iT) -17- 1299172 參照表3時，在比値Db/Da爲2.10以下的區域中’質 際安裝不良的發生率被抑制在50ppm以下。另外，脫餍的 發生率亦被抑制在〇 . 3 %以下。 相對於此，比値Db/Da超過2.10時，實際安裝不良的 發生率就超過50ppm且急劇地增大。另外，脫層的發生率 亦超過0.3%且急劇地增大。例如，比値Db/Da爲2.40的時 候，實際安裝不良的發生率成爲80ppm，脫層的發生率是 0.4%。 最後，表4係値Da爲100/zm，內部電極層之層厚T1 爲1.0 // m時的實驗資料。

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【寸s 脫層的發 生率 (%) p ρ <Ν νο ρ 揪S 3 i«K-#] ο ο ο r-H ο 太鼓化率 τ—Η <m 卜 ι—( r-j g ν〇 γ-·Η Γ1 Η ι—Η τ—Η Ο CN S s m 5 τ-Η » i r-H ο (Ν 泛 wn a b m 3 Ο τ—( ο ι 丨蟮 8 ψ ^ Ο ι ί Ο 外裝厚度 (⑽） Ο τ~Η Ο r—* ο r-H Ο » < Ο r-H 比 Τ1/Τ2 异 Ο Ο CD νο ο Ο ι—Η Ο CS 介電質層 的層厚Τ2 (//m) VO οα ρ ϋ ft a §S ¢5 2 eg ρ ρ ρ ρ ρ 內部電極 的層數η S 寸 ο 寸 ο 寸 8 寸 8 寸 οο ο\ -19- 1299172 參照表4時，在比値Db/Da爲2· l〇以下的區域中，實 際安裝不良的發生率被抑制在5 0 p p m以下。另外，脫層的 發生率亦被抑制在0.3 %以下。 相對於此，比値Db /D a超過2 · 1 〇時，實際安裝不良的 發生率就超過50ppm且急劇地增大。另外，脫層的發生率 亦超過0 · 3 %且急劇地增大。例如’比値d b /D a爲2.4 0的時 {丨矢’貫際女裝不良的發生率成爲lOOppm，脫層的發生率是 0.5%。 以上，從表1〜表4的實驗資料，能理解到可將比値 Db/Da的上限値設定爲2.10。 此外，關於Db/Da的下限値，實質上被認爲是比値Db/ D a > 1。本發明係以在至少1個內部電極的周圍上不印刷段 差吸收用之陶瓷漿的構成爲前提，値D b比値D a還要大。 <積層陶瓷電容器的製造方法〉 接著，就有關本發明的積層陶瓷電容器之製造方法的 一實施形態進行說明。此實施形態係有關第1圖以及第2 圖所示之積層陶瓷電容器的製造方法。 第3圖係包含本發明的積層陶瓷電容器之製造方法的 一種實施形態之步驟的表不圖。第4圖係沿著第3圖之4 - 4 線的截面圖。參照第3圖以及第4圖時，第1陶瓷生胚薄 片（未燒成陶瓷薄片）1 1係附著在支撐體91的一面。第1陶 瓷生胚薄片1 1係由混合陶瓷粉末、溶劑以及黏著劑等等的 陶瓷漿所構成並成爲一定的厚度。第1陶瓷生胚薄片丨丨之 厚度係例如1.5 /z m。另外，支撐體9 1係由適合的可撓性塑 膠膜所構成。 -20- 1299172 • 接著，如第3圖以及第4圖所示，在第1陶瓷生胚薄 片1 1之一面形成多數內部電極層20。這些內部電極層20 係在第1陶瓷生胚薄片11之面上，互相在長度方向L上隔 著空白區域S1，並且形成爲在寬度方向W上隔著空白區域 S2。如果詳細地說明，內部電極層20係成爲分別有長度方 向L以及寬度方向W的長方形狀，從長度方向L所見的長 度L0係例如6.0mm、從寬度方向W所見的寬度W0係例如 1.2mm。這些內部電極層20係沿著長度方向L以及寬度方 | 向W被配置成行列狀。空白區域S 1係在寬度方向W上延 伸的帶狀區域，從長度方向L所見的寬度L 1係例如 0.4mm。另外，空白區域S2係在長度方向L上延伸的帶狀 區域，從寬度方向W所見的寬度W2係例如0.4mm。 這種內部電極層20係藉由以既定圖案來印刷混合導 體粉末、溶劑以及黏著劑等等的導體漿而形成。作爲印刷 手法係舉出網版印刷法、凹版印刷法或者平版印刷法等 等。關於內部電極層20之層厚度係如先前所述。 _ 第5圖係包含第3圖以及第4圖所示之積層陶瓷電容 器之製造方法的另一步驟的表示圖。第6圖係沿著第5圖 之6-6線的截面圖。參照第5圖以及第6圖時，第2陶瓷 生胚薄片1 2係正被附著於支撐體92的一面。第2陶瓷生 • 胚薄片1 2係與第1陶瓷生胚薄片1 1同樣地由陶瓷漿所構 . 成，成爲一定的厚度。第2陶瓷生胚薄片12的厚度係例如 1 · 5 // m 〇 接著，如第5圖以及第6圖所示，在第2陶瓷生胚薄 片1 2之一面形成段差吸收層1 4。段差吸收層1 4係成爲包 -21- 1299172 • 含第3圖及第4圖所示之空白區域S 1與追加區域S 3。追 加區域S 3係分別被設置於在長度方向L上相鄰之空白區域 S 1之間，且在寬度方向上延伸的帶狀區域。追加區域s 3 係從長度方向L所見，具有與空白區域S 1相同的寬度L 1。 • 追加區域S3和空白區域S1的之間的間隔L2是例如2.8mm。 • 另外，段差吸收層1 4係形成爲從寬度方向W所見， 包含第3圖所示的空白區域S2的圖案。 這種段差吸收層1 4係藉由以既定圖案來印刷陶瓷漿 φ 而形成。作爲印刷手法係舉出網版印刷法、凹版印刷法或 者平版印刷法等等。段差吸收層1 4係基本上以與第2陶瓷 生胚薄片1 2相同之構成的陶瓷漿所構成。 段差吸收層14之層厚係考慮了積層陶瓷電容器之製 • 造步驟的各種數値而決定，例如··具有段差吸收層的第2 β 陶瓷生胚薄片的積層數、內部電極層的層厚以及層數等 等。關於段差吸收層的層厚，舉出數値例時，具有段差吸 收層的第2陶瓷生胚薄片之積層數係40，內部電極層之層 $ 厚以及層數係分別爲1.0 // m、400時候，可將段差吸收層 之層厚設爲3.0//m。 第3圖、第4圖所示之步驟以及第5圖、第6圖所示 之步驟之間的時間順序關係是隨意的。例如’第3圖 ' 第 - 4圖的步驟之後進行第5圖、第6圖的步驟亦可’第5圖、 . 第6圖的步驟之後進行第3圖、第4圖的步驟亦可。或者， 亦可同時進行第3圖、第4圖的步驟和第5圖、第6圖的 步驟。 接著，如第7圖所示地製作薄片積層體’而該薄片積 -22- 1299172 層體係在複數層（η層）的第1陶瓷生胚薄片Π外側至少具 備一層第2陶瓷生胚薄片1 2。詳細而言’將具備有內部電 極層20以及空白區域S 1的第1陶瓷生胚薄片Π作爲單位 層61〜6η來製作薄片積層體。此外，除了适些單位層61 〜6 η，將具備段差吸收層1 4的第2陶瓷生胚薄片1 2作爲 上層單位層51〜5m以及下層單位層71〜7m製來作薄片積 層體。上層單位層51〜5m以及下層單位層71〜7m係從積 層方向T所見，係分別從單位層6 1〜6n而配置在上層以及 下層。 在薄片積層體的製作中，單位層6 1〜6 η係相互交錯地 配置在從長度方向L所見的位置。具體而言，單位層61〜 6η係被配置於：除了在積層方向Τ上僅配置有內部電極層 20的部分81之外，產生內部電極層20與空白區域S1爲交 互配置的部分82。更具體而言，從積層方向Τ所見僅設置 有內部電極層20的部分8 1係位在從長度方向L所見的內 部電極層20之兩端部。從積層方向Τ所見內部電極層20 與空白區域S1爲交互配置的部分82係位在從長度方向L 所見的內部電極層2 0之中央部。 上層單位層51〜5m係關於長度方向L以及寬度方向 W，根據單位層6 1〜6n之位置而被配置。具體而言，說明 關於長度方向L的配置位置時，上層單位層5 1〜5m係從積 層方向T所見，被配置在使段差吸收層1 4重疊在內部電極 層20與空白區域S 1交互配置的部分82的位置。另外，說 明關於寬度方向W的配置位置時，上層單位層5 1〜5m係 從寬度方向W所見，被配置在使段差吸收層1 4重疊在內 -23- 1299172 . 部電極層2 0之間的空白區域S 2 (參照第3圖）的位置。 下層單位層71〜7m也關於長度方向L以及寬度方向 W，根據單位層6 1〜6 η的位置而被配置。關於詳細情況， 和上層單位層5 1〜5m相同，則省略重複說明。 在圖示實施形態中，作爲用以製作薄片.積層體的手 法，將具備內部電極層20的第1陶瓷生胚薄片1 1準備爲 單位層6 1〜6n，將具備段差吸收層1 4的第2陶瓷生胚薄片 12準備爲上層單位層51〜5m以及下層單位層71〜7m之 > 後，採用將這些單位層51〜5m、61〜6n以及71〜7m依序 在積層台93上進行積層的手法，本發明並未被限定於該手 法。亦可採用以下手法：例如，製作上層單位層5 1〜5 m的 一次積層體、單位層61〜6n的一次積層體以及下層單位層 71〜7m的一次積層體之後，將這些一次積層體進行層積並 製作薄片積層體。另外，亦可採用以下手法：在可撓性支 撐體上，僅以必要的次數來重複進行陶瓷生胚薄片的形成 步驟或內部電極層以及段差吸收層的印刷步驟等等，藉以 製作薄片積層體。 b 將以此方式獲得的薄片積層體進行加壓之後，裁切成 一晶粒區域時，能獲得積層生胚晶粒。此外，進行脫脂、 燒成以及端子電極形成等等的步驟時，能獲得第1圖以及 .第2圖所示的積層陶瓷電容器。 在本發明之積層陶瓷電容器的製造方法中，如第3圖 及第4圖所示，在第1陶瓷生胚薄片11的一面，互相隔著 空白區域S 1形成多數內部電極層20。此外，如第7圖所示， 製作具備多數層（n層）前述第1陶瓷生胚薄片11的薄片積 -24- 1299172 層體。因此，能獲得積層陶瓷電容器的基本構造。 作爲本發明的特徵，如第5圖及第6圖所示，在一面 形成段差吸收層1 4，並準備沒有內部電極層的第2陶瓷生 胚薄片12。此外，如第7圖所示，將在多數層之前述第1 陶瓷生胚薄片1 1外側具備至少一層第2陶瓷生胚薄片1 2 的薄片積層體製作成：從該積層方向T所見的內部電極層 20和空白區域S1交互配置的部分82重疊有段差吸收層14。 藉由這種段差吸收構造，能夠吸收段差，而該段差係 產生在從積層方向T所見只有內部電極層20配置的部分 8 1和內部電極層20和空白區域S 1交互相配置的部分8 2 之間。因此，能消除裁斷薄片積層體而獲得的陶瓷基體的 尺寸扭曲。因此，能防止積層陶瓷電容器之實際安裝時的 安裝不良。 而且，藉由上述段差吸收構造，變得不需要第1陶瓷 生胚薄片1 1的一面上於內部電極層20的周圍印刷段差吸 收用之陶瓷漿的步驟。因此，積層陶瓷電容器的製造步驟 被簡化。 此外，因爲不需要在第1陶瓷生胚薄片1 1的一面上於 內部電極層20的周圍印刷段差吸收用之陶瓷漿的步驟，所 以防止薄片侵蝕。 參照第7圖時，在圖示實施形態中，作爲薄片積層體 的構成，第2陶瓷生胚薄片1 2係採用了從複數層第1陶瓷 生胚薄片1 1所見具備上層以及下層雙方的構成，但本發明 並非被限定於此構成。就這點而言，例如，第2陶瓷生胚 薄片1 2係採用了從複數層第1陶瓷生胚薄片1 1所見僅具 -25- 1299172 • 備下層的構成，亦能顯然地獲得同樣的作用效果。 另外’在圖示實施形態中，作爲薄片積層體的構成， 採用具備複數層第2陶瓷生胚薄片1 2的構成，但本發明並 非被限定於這種構成，第2陶瓷生胚薄片1 2的層數爲任 意。就這點而言，例如，即使是只具備一層第2陶瓷生胚 薄片1 2的構成，也能顯然地獲得基本的作用效果。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明之積層陶瓷電容器的實施形態的 | 截面圖。 第2圖係沿著第1圖之2-2線的截面圖。 第3圖係表示包含本發明的積層陶瓷電容器之製造方 法的一種實施形態之步驟的平面圖。 第4圖係沿著第3圖之4-4線的截面圖。 第5圖係包含表示第3圖以及第4圖所示之積層陶瓷 電容器之製造方法的另一步驟的平面圖。 第6圖係沿著第5圖之6 - 6線的截面圖。 第7圖係第3圖、第4圖所示之步驟以及第5圖、第6 I 圖所示之步驟以後的步驟的表示圖。 【主要元件符號說明】 1 陶 瓷 基 體 11 第 1 陶 瓷 生 胚 薄 片 12 第 2 陶 瓷 生 胚 薄 片 14 段 差 吸 收 層 16 端 部 17 端 部 -26- 1299172

18 中 央 部 20 內 部 電 極 層 21〜 2 η 內 部 電 極 41 端 子 電 極 42 丄山 m 子 電 極 5 1〜 5 m 上 層 單 位 層 6 1〜 6n 單 位 層 7 1〜 7m 下 層 單 位 層 91 . 支 撐 體 92 支 撐 體 93 積 層 台 101 面 102 面 160 端 面 170 端 面 S 1 空 白 區 域 S2 空 白 區 域 S3 追 加 1S 域 -27

Claims (1)

1299172 十、申請專利範圍： 1 · 一種積層陶瓷電容器，其具備陶瓷基體和多數內部電 極，其特徵爲： 前述陶瓷基體係以長度方向、寬度方向以及厚度方 向所定義的形狀， 前述多數內部電極係在厚度方向上隔著間隔而層積 在前述陶瓷基體內部，且被交互導出至前記陶瓷基體之 從長度方向所見的兩端部， 前述陶瓷基體係在厚度方向上相對的兩面中的一面 爲平面狀，關於從前述一面到最外側內部電極的距離， 從長度方向所見之端部的値Db係比從長度方向所見之 中央部的値Da還要大，比値Db/Da係2.1以下。 2.—種積層陶瓷電容器的製造方法，其特徵爲： 準備有第1陶瓷生胚薄片，其在一面上將多數內部電極 層形成爲互相隔著空白區域， 準備有第2陶瓷生胚薄片，其在一面上形成有段差 吸收層且不具有內部電極層， 將在多數前述第1陶瓷生胚薄片外側具備至少一層 之前述第2陶瓷生胚薄片的薄片積層體製作成：從該積 層方向所見的內部電極層和空白區域交互配置的部分重 疊有段差吸收層。 -28-