TWI296816B

TWI296816B - Substrate processing apparatus and related systems and methods

Info

Publication number: TWI296816B
Application number: TW092113033A
Authority: TW
Inventors: C John Dickinson; Frank Jansen; Daimhin P Murphy
Original assignee: Boc Edwards Inc
Priority date: 2002-06-13
Filing date: 2003-05-14
Publication date: 2008-05-11
Also published as: WO2003107396A8; WO2003107396A3; JP2005530343A; TW200307976A; CN1675401A; AU2003249616A1; AU2003249616A8; WO2003107396A2; US6846380B2; WO2003107396B1; EP1549780A4; US20030232512A1; EP1549780A2

Description

1296816 玖、發明說明：【相關申請案交互參照】本申請案係根據於2002年六月13日申請的美國專利申請案第10/170578號主張優先權，在此整體併入其揭示以供參考。【發明所屬之技術領域】本發明一般而言有關於基底之處理，如同諸如微小等 =元件I &序之部分。更特別的是’本發明有關於在高壓锿境中之基底處理（諸如去除、清潔、乾燥、表面備製二以及相似者），其能夠隔離大氣或者排空之環境，然而卻亦可功忐性地耦合於大氣或者排空之環境。 L无前技術】諸如積體電路⑽、光電、微機、體之微小等級元件包含微—以及次㈣尺寸之特徵= 疋根據-種精密順序之製 -乃下所形成的。通常提供諸如半導體晶= 動以及被動電路之部件，諸如電晶體、電阻哭、…主窃。執行半導體以及薄 °。以及電容塗層附加於其基底藉以改變塗層或者將 ί久性的，如同傳導平面或者電極、；=面：分能夠是者用來控制银刻處理效應之飯刻中止声。牛：，、，。構塗層、或部分塗層能夠是暫時 ®八他之塗層或者，’的’如同形成於基底與結構塗層之 1296816 間的中間犧牲塗層，其後則會結構塗層或者其一部份釋 =以“底將如此之阻塗層，如用於產生電…：者如同形成於基底上的光 .„ , _ 电子或者機械特徵之模板。許多上述之層、，工由一種諸如蝕刻之等向地沿著所需的方……、处（此能夠等向地或者非 #所而的方向發生），藉以完全或者藉以形成:⑴諸如開示一層 ,.« ^ . 4i 孔遏、裰室、微流體通道、以及溝木之特徵；⑵諸如接 » ^ ^ 包—綠、光學視窗、以及可偏向缚胲之二維結構之=唯社槿致動器、以及懸桁 t 一、、隹、、，口構。同樣也能夠藉鬼表面微機處理技術，來、械之研磨或者其他之制4 木貝現塗層或者部分塗層之移除。在衣k程序期間中所利用之初始美 /、其麻 π 土底，5者如一種矽或者玻璃广本身此夠受大體微機技術之支配，#以於1中形成口。此外由顯影能夠部分地以及藉由化學 ^或猎由電浆去除能夠全然地移除諸如光阻材質之暫態 $、在製造過程期間中’會需要一個或者多個清除步驟，移除各種型態之污染物或者其他所不想要的物質，或 η:曰由備n表面’以為其後塗層沉積之用。例如，起初 L 乂將渚如基底的大體初始物質之頂端表面氧化。該氧化情：能使基底表面與隨後的沉積程序不㈣，在此狀況下而要私除忒氧化情況’以沉積一額外塗層於基底表面上 ° ^另-個範射，在半導體基底上沉積金屬塗層可能需 =前述的釋放步驟，藉以去除基底之氣體。再者，光阻塗層之移除，在諸如電漿去除程序之後，可能會留下殘留= 因而需要清除步驟，藉以移除該殘留物。此外，藉由蝕 1296816 刻產生的諸如深溝渠之微型特徵形成可能會導致需要移除㈣留物或者微粒物質。研磨以及平坦化處理程序則為殘留的π染物之其他來源。已經使用了各種清除方式。特別是近來偏好於超臨界之二氧化碳⑽2)之使用，用以清除在 =如處理室之密封的環境中之基底表面。在製造程序處理』間中所需要的許多步驟會發生在箱室或者模組之内，其 =使用期間中係密閉地密封隔開於周遭環境，藉以保持所需的製程條件(例如，壓力、溫度、電場強度、流率）。端視所要實行之特定製程步驟而定，如此的箱室或者模組係被保持在降低的壓力(例如’電漿增強沉積）、大氣、或者 =大氣屢力下（例如’大氣屬力及低麼力之化學氣相沉 \ 而’大多數的沉積程序實施於降低壓力下的受控大乳中’而傳統清除處理程序則實施於周遭或者接近周遭之昼力下（例如’每平方英十I尺度mpsig)。用於 :積之各別設施以及清除處理程序乃是分開的，因此通常需要將所給定的基底從沉積箱室轉送至遠距設置的清除設 ,。所以，整體的製造流程乃是分散的，而且在前置清除與沉積之間或者沉積與後置清除之間的間程中，通常需要將其基底暴露於周遭環境。因此最好提供-種方法及設備，致使在最佳姐處理 ^之條件下，於密封的環境之中清洗基底，而同時以相 Γ之方式將該清除處理程序整合於製程中（此需要不同之取佳條件組)，而且不需要將基底傳送經過周遭環境。 1296816 【發明内容】概括而言，本於明6 .y 月包含一種用來處理微電子基底乃i 相似物之設備及方、法。底及其箱室之内。第-箱室^言，第一箱室係界定於第二至則連接到第二外殼嬙彼 ^ 叩乐一相铲^ ♦ 弟一外殼機件設計用以使第一相至處於開啟或者關閉斤便弟第H ^叫狀您。弟二殼機件則設計用以使第:”於開啟或者關閉之狀態。與第-箱室相結4 卜“件係機械地關聯於第二箱室。與 …二外殼機件則機械地關聯於第二箱室。相、、、。在本《明至少其中之—實施例中，第可移動於第二箱室之内的邊界，用以相關於第^^δ 擇地開啟或者關閉第_ /於弟一相至而選至在弟一相室之關蘭[:自t丄就結構上界定第一箱室之 ^ 心，其内部係流體隔離第二箱室之内部。在一特二/用，種曰曰0千口或夹頭）。在後者之情況中， :也充當-種基底移動(例如，舉起)機件之部丞低之傅迗）。盥繁-— 結合的第二外殼機件能夠提供一種在第二箱室二二目外部環境之間的可密閉之介Φ。例如 ”弟—相至 —閘閥或者相似之裝置。弟一外殼機件包含該設備之設計允許第：箱室的内容積在ι 下’當弟一箱室不是開啟便是關閉土罘相至不是開啟 1296816 便是關閉之時，包含並且保持一種適當氣體（例如，氮）之受控氣壓。該設備之設計進一步地允許第二箱室的内容積在實質周遭壓力或者次大氣壓力下，當第二箱室不是開啟便是關閉以及第一箱室不是開啟便是關閉之時，包含並且保持一氣體之受控氣壓。再者，該設備之設計允許第一箱室在關閉之時，於較高於周遭之壓力下（例如，大於大約 500Opsig)，包含並且保持一種適當之處理媒介，同時保持第二箱室於大氣壓力或接近之壓力、或者在真空。第一箱室係設計成周以容納一個或者多個之基底。在至少一個實施例中，藉由連續地作動第二外殼機件以及第一外殼機件，將基底傳'送至第一箱室。例如，當第二外殼機件開啟，該基底便經由已開啟之第二外殼機件而傳送至弟一箱室之中，該基底係被裝載於第一箱室之中，並且將乐一外殼機件關閉。在上述的實施例中，其中提供可移動之邊界用於支承並且移動該基底，將該基底經由已開啟之第一外忒機件傳送而裝載至邊界之上，並且將該邊界經由第一相室移動而成為關閉之狀態。在此一關閉之狀態下，忒基底便會侷限於第一箱室之内，並且流體地分隔於第二箱室。 — 以一種密封之方式，第二箱室便能夠設計用以機械地連接至第三箱；I；。例如’第二外殼機件能夠充當第二箱室以及基底傳送模組之間的一種介面。第三箱室（例如，基底傳送模組）在受控的氣壓中，能夠包含有一種基底操縱自動機械，而該氣壓則保持在周遭或者次大氣壓力。藉由 ^6816 之配置，第二箱室便能夠作以及周遭塵力或-大大…A 在南愿的第-箱室室。壓力的第三箱室之間的—種緩衝箱根據本發明之實施例，—種傷包含-主箱室、-用來包含微電子夷/“子基底之設 -流體導管。主箱…一電子基底之子箱室、以及之内部。子箱室配置於主箱室之内，；閉者主箱室箱室内部的子箱室障壁。子箱室包含一封閉著子部則用於以流體隔離主箱室。=’而子箱室内壁，該導管1 a A _導苫係通過主箱室障並且與子箱室内部連通。根據本發明之一觀點，子支承介面，其相對於子箱早土之邊界包含一基底的是，該邊界包含w ° "面係可移動的。可替代，該表面則是表面’相對於基底支承表面 Τ ®幻疋可移動的。根據另一麩 -基底支承表面以及一基底内部表木’该邊界包含對於彼此而可移動的。兩者，該表面則是相根據本發明之另一個實施例，底之設備包含一主箱宮以β 種用來處理微電子基封閉著主箱室2 —可㈣邊界。主箱室包含一主丨ΛΙ #的主箱室障壁。箱室内部之内，並且可於第二動的邊界配置於主在第一位置上，可ρ 14第一位置之間移動。箱室内部的子箱室。夕、界至少部分地界定流體隔離主根據本發明之另一個實，底之設備包含—主ρ ^ 種用來處理微電子基目至、-基底支承裝置、以及一流體導 12 1296816 官。主箱室包含-封閉著主箱室〜内邻矣 # 〇令主相室障壁以及一内#表面。基底支承裳置可於主 …及啟位置以及一關Μ # 之内移動在一開乂及關閉位置之間。基底承表面。在關閉位置上氣 ☆匕合-基底支且上基底支承表面以及主表面至少部分地界定_浐相至之内邛體導管延伸通過主|〜Ρ豆""相室内部之子箱室。流 …申通過主相室障壁，而與子箱明之一觀點，該設備進_步 ^據本發室障壁之$#壯I ± 種機械地關聯於主箱一=之置。較佳較，擋塊裝置包含_ 、

伸利几件、以及—與致動器及抑制元 DD 鏈結裳置。如同以下&# 〜 ”目互褐合之順應持於子乎、，，田巩明的，擋塊裝置係用於保丹万、子相至所容納的密封環境。 1干根據本發明之另一個每之設備勺入個““列，-用來處理微電子基底備包含移之基底支承結構、一處理箱室、一主 ! 以及致^、。可移動之基底支承結構包含-美底密封構件所限制。主箱室产…/底支承表面以及至，亚且封閉著主箱室之内部。± 〜处里相刼而卩5 „ + ^ 主相至内部乃是流體可密封而^開主箱室外部環境 ^ ^ 底支承表面，並且情理—相至。致動器連接至基之„。/M 處理相室於開啟狀態以及關閉狀態間在關閉狀態，穷《1+ M + 士、提供…咕構件在處理箱室以及主箱室之間露於主箱室之内部。狀s，絲底支承表面係暴面由根=發明某一個實施例’至少—部份的基底支承表面由一種向屈從強度之材質所建構。較佳的是，高曲從強 13 1296816 度材質之特性為大約i 2〇MegaPascals(MPa)或者更大之屈從強度，諸如SA-723之鋼鐵。此外，在這些或者其他實施例中，經由一種抗腐蝕材質，諸如HASTELLY®C-22或C_276( 可攸美國Kokomo Iowa之Haynes國際有限公司購得）、AL_ 、 6XN (可k美國賓州匹兹堡Ailegheny Ludlum股份有限公司購得）、口金25 —6Mo、鎳電鍍或包被、聚四氟乙烯 (PTFE)、或者perflu〇r〇aik〇xy(pFA)，來建構或者處理主箱室障壁之内部表面以及基底支承表面。根據本發明之另-個實施例，-種周來處理基底之設· 備可於基底處理模式以及基底出入模式之間調整。該設備包含I主箱室、一介面部件、以及一邊界。主箱室包含一于閉著主箱至内部的主箱室障壁。介面構件設置於主箱室，：且可於開啟狀態以及關閉狀態之間操作。纟開啟狀態 i介面構件允許經由主箱室外部的環境進入主箱室之出入仃為。在關閉狀態’介面構件會密封主箱室而與外部環境 ::離。邊界可於主箱室之内移動至相應於基底處理模式之第位置’亚可另移動至相應於基底出人模式之第二位χ _ 在第4立置上’邊界至少部分地界定一密封隔離主箱室内=並且適用來限制基底之可加壓子箱室。在第二位置上，，由開啟狀態的介面構件，該邊界允許基底傳送進出於主箱室。、如同以下所要詳細說明的’本發明會致使基底處理設轉合至其他用於基底傳送以及製造目的之模組。再者， ^明之貫施例能夠直接叙合於大氣或者真空操作模組。 14 1296816 因此，根據本發明s L + 另卜之貫施例，該設備進一步地包含一種封：著主箱室外部環境之基底操縱模組。在此-實施例 ’I面構件會相互耦合著主箱室以及基底操縱模組。在此一實施例之觀點卜，、上基底操縱模組包含一基底傳送箱室以及一酉己晉於盆i 4 、，、中的自動機械之末端受動器。經由該介面構件；I面構件適用來調節末端受動器之移動，進而往返於基底傳送箱室以及主箱室内部。，本I月同樣也提供一種用來處理微電子基底之方法。根據此一方法，本發明裎/u 么月促伏一種包含有一主箱室以及一子箱室之設備。主箱官白人_ t # 至匕3 —封閉者主箱室内部的主箱室障壁。子箱室包含一射胡I2 _ 封閉者子箱室内部的子箱室障壁，並且配置於主箱室内部之内。 — 千相至P早壁包含一邊界。微電子基底係被引進子箱宮Μ μ ^ 至内邛。子相室内部則流體地隔離主箱至内部。一種處理媒介係 — 八 W進子相至内部。該處理媒介冒對子相至内部加壓至大於人夂大矾之壓力，並且接觸該基底 Ο 因此’本發明之一目的乃是提供一種方法及設備，用 ::在較大的箱室之内生流體隔離的子箱室，而其中能夠以一種處理媒體將子笳宋 h「將子相至加壓1時將較大的箱室保持在低壓、大氣、或者真空之狀況。本發明的另一個目的為提供一裡乃汝及设備，用以餐合用於基底以及形成於基底上日# &上的衣置之清除以及製造的個別工具，猎此組合清除以及製造程。氣k私序而成為一種連續之流 15 1296816 本發明之另之直接|馬合而實除以及製造步驟上述的目白勺發明來實現之。一個目的為經由個別的清除以及製造工具施如此之整合，致使所要處理的基底在清之間，不易受周遭環境之影響。以及其他之目的係全部或者部分地藉由本以上已經說明了的本發式來閱讀以下詳細說明時，目的。明之一些目的，然而當參照圖便會清楚地了解本發明其他之【實施方式】 =本發明揭示之目的而言’在此使用之用語"連通"（例 :;件=件與第二部件連通)係藉以指示兩個或者多個籌件之間的-種結構、功能、機械、光學、或者流月豆之關係、或者其任件連通並m 種、、且曰。所以’一部件與第二部杜排除額外的部件可能會出現在第-與第二部件之間及/或與之操作結合或者相接合之可能性。 "、同在此所使用的用語,,大氣燃力"、"實質之大氣壓力、及接近大亂壓力"乃是意謂著相等於或者實質相等於本^月所k供的設備及/或系統外部環境之周遭壓力。因此所要了解的κ，大氣壓力的精確數值可以《友照諸如該設備或系統所在的高度或者依照例如，一般所了解的，海平面上的大氣壓力箄於U , • 寻於14·7 PS1絕對壓力（psia)或者0 P g ge(PSlg) ’而在較高的高度上，大氣壓力的數值則 t是之數值。#者，如同在此所使用的用語”大 16 ^968l6 氣壓力’’同樣也包含小的正壓（例如，在大約〇與大約 2〇Psig之間），其可能會導致諸如適當的清洗流體（例如，經由密閉容積而循環之狀況，如同以下所要說明的。為了方便起見，在此普遍使用之用語π微電子基底”係涵蓋了根據傳統積體電路（1C)製造技術以及在微機領域中使這種技術有最新之應用所處理的廣泛之各種微型工件。例如（本發明之範疇並不受限於此），”微電子基底，，能夠包含單一基底；藉由諸如陽極或黏著物之結合而結合在一起約基底組合；以及一基底，其與配置或形成於其上的一層或者夕層或薄膜組合（例如，傳導、非傳導、半傳導、去除、磊晶、晶格匹配、黏著物、或者結構層）、及/或與一或者夕個微型結構或藉由附加技術（例如，薄膜沉積、熱氧化、長晶、電鍍、旋轉塗層）及/或移除技術（濕式蝕刻、，乾式蝕刻、深反應離子蝕刻（DRIE)、離子射擊、研磨、平坦化、鑽孔）、及/或諸如換雜的取代或植入技術所造之光罩特徵組合。 x ^電子基底"能夠是—種諸如大㈣質之前導或者來產貝、或-種石夕鑲嵌所切割的晶圓、或者一種從晶圓所行中的二。"微電子基底”在某中間階段能夠構成一種進基底”能夠是—或種者或資料儲存裝置的^曰片’諸如一種具有邏輯電路測盥胃m IC日日片；一種組合諸如在單一基底上4 I、傳适的資料處理與系統功能之" . 级操縱毛細管型液ώ 不、；，用來瓦，瓜或壓印生物取樣陣列之微流體晶片或 17 1296816 :片上貫驗室"；-種發光二極體⑽)或者雷射二極體 )’ 一種微電機系統（MEMS)裝置（例如，繼電器開關、迴 ^、加速度計、電容性壓力感測器、微n即筒、喷墨管）丄1 重微光電機系統⑽EMS)裝置(例如，波導、可變：學哀減器(VOA)、光學快門）；一種光電子裝置、光子：置了、’”肩示杏、或者半導體的生物感測器或化學感測器\ ^ "微電子基底"之物質成份不受限於任何_種方式。不受限的範例包含半導體、金屬、以及非導體。這些；同種頭内，進一步範例包含矽質；含矽的混合物(例如，氧化物、碳化物、氮化物、以及矽質的氧氮化物）；⑴巧族之混=物（例如，GaN、A1N、InGaN);絕緣體上的石夕質（s〇i) ;藍寶石；諸如光阻成份之聚合體；玻璃；石彡；各種氧化物’以及其他。"微電子基底"之檢晶器或者其他任何之構件能夠是顯著的單一結晶狀、聚合結晶&、或者非結晶質0 如同在此所使用的用語”密度大的Μ〆，、，，密度大的二氧化碳”、”密度增加0“〇2”、以及，，密度增加的二氧化碳: 可相互父換使用，並且表示該二氧化碳在&伽與別丨下具有大於二氧化物碳氣體之密度(g/ml)。該用語同樣也表示置於-般在21。。下超過大約8〇〇psi的壓力之二氧化碳，而其在標準或室溫與壓力（STp)下通常為一種氣體。尺 -般而言’密度增加的二氧化碳為一種已經放置在大於大氣壓力或低溫下藉以增大其密度的二氧化碳。相對於加壓的金屬容器中所使用而藉以傳送泡沫產物的二氧化碳 18 1296816 4如滅火裔或到#|貧，密度增加的二氧化碳較佳地保持曰大的【力，老如大系勺80〇Psi以及更大者。6經發現的遂又（而不疋單獨的溫度或壓力）對增強二氧化碳的類似〆合劑特性而言’具有大得多的重要性。參照Brogle， (1982) Chem. lnd· 一倫敦 37 : 385 —39〇，在此合併參考之。如同在此所使用的用語"超臨界"以及，，超臨界相"指為 -種條件，其中諸如二氧化碳的基底會超過臨界溫度（例如二？二…氧化碳而言為31°C)以及壓力(例如，對二氧化碳 _ 口為/1 atm) ’在此點上，儘管進一步增加塵力，物質仍然不會濃縮成為液相。

T同在此所使用的用語"液體二氧化碳"及"液體co2”可相互又換使用’代表於液體形式之二氧化碳。當二氧化碳於溫度範圍約216.8度K(相應於三相點）到約謝2度相應於臨界點）香g ^ r I 又到至少約5.11 bar之壓力（相應於三相點 )時’其為液體形式。液體二氧化碳之密度介於〇·7及I? g/ml之間’ $占度則約為〇〇7 。可根據二氧化碳之表

面張力來將液體一氧化碳自其它二氧化碳相區分出來體二氧化碳之表面張力約為5 dynes/em。 / 如同在此所使用的用語，，超臨界流體二氧化碳，，表 3PC臨界溫度以及71大氣臨界壓力以增加壓力仍不能濃縮成為液相之二氧化碳。"吏進一步 "較佳為流體或者超臨界流體二氧化碳之密度增加的二氧化碳能夠用於本發明之方法及設備中。值得注音的曰一具有密度增加特性之其它分子同樣也能夠單獨或：混：: 19 1296816 用。這些分子包含而不受限於曱烷、乙烷、丙烷、氨、丁烷、η-戊烷、n-己烷、環己烷、n_庚烷、乙烯、丙烯、甲醇、乙醇、異丙醇、苯、甲苯、p_二甲苯、硫石黃二氧化物、氯三螢光曱⑦、三氯勞光甲烧、听螢光丙燒、氯二榮光曱烷、硫磺乙氟化物、臭氧、以及氮氧化物。如同在此所使用的用語，，流體"意謂著任何一種並非顯著固體的物相。儘管固體能夠藉由靜態變形來抗拒剪力應力之施加，然而流體並無法如此。只要一流體易受剪力應

力之影響’其流體便會因❿移動及/或變形而有所回應。因此，例如，用語"流體"包含液體、蒸汽、氣體、以及具有固體微粒物質的超臨界流體之混合物同在在流體流中所承載的粒子者。如同在此所使用的用語"處理媒介"—般意謂著任何一種適用來接觸基底以為執行基底上處理程序㈣之用的流體。 Μ 如同在此所使用的用語"高壓" 氣壓力（Opsig)的額定正壓力至大約一般包含從大於標準大 500〇Psig範圍之壓力

包含從大約10-7陶爾 Μ 如问在此所使用用語”真空，i 大至大氣壓力的範圍之壓力。如同在此所使用的用語"處理”意謂著任何一種在基底上所實現的程序，包含製造程序（例如，尽之附加、層、部分層、或者部分的基底石版印刷之移降· 、砂丨承，金屬化；沉積 ;以及以雜質摻雜基底或層）；處理程序 j 7、例如，退火、燒 20 1296816 。加熱、覆層、電錄、應力或張力之釋放）；去除程序（例如，光阻之移除）；清除程序（例如，後置I虫刻殘留物、抗反射塗覆、或者其他殘留物、在製造微電子構件所使用的污染物或者暫態物質之移除）；以及乾燥程序(例如，黏性強的表面流體之移除）。 ^ 如同在此所使用的用語，，高強度物質，，意謂著任何一種具有大約120MPa或者更大的屈從強度之物質，其中之一非限制的範例為SA-723鋼鐵。训同在此所使用的用語”抗腐蝕物質，，意謂著任何一種麵抗拒因接觸諸如清.除流體的處理媒體而產生所不想要的反應之物質。”抗腐餘物質”能夠構成一種固體之主體（例如，诸如C—22與C276的不銹鋼HASTELLOY®等級之合金、諸如 AL 6XN與合金25,的超奥氏體之不銹鋼、雙重不録鋼、 MONEL®合金（可從美國西維吉尼亞哈靈頓的I卿合金國際有限公司購得）、包含至少大約8%比重的鎳或至少大約1〇 /比重的鉻之含鐵金屬物質、或者所施加的屏蔽塗覆或處理。適用的屏蔽物質之非限制範例包含聚四氟乙烯（ptfe) _ 承乙醚酮（PEEK)、perf luoroalkoxy(PFA)、聚單氯三螢光乙烯(PCTFE)、乙烯基氟化物(PVDF)、氟化合半結晶狀聚合體、具有鎳或鉻或者鎳—鉻合金之薄膜/電鍍/包被。參照圖示’其中相似的元件符號表示所有的相似組件，2特別地參照圖1A、1B、以及2A，根據本發明示意地說明一以10來表示的基底處理設備。基底處理設備1〇較佳地可操作於兩不同操作狀態之其中一種-一基底裝載/移開 21 1296816 狀態或者一高壓基底處理狀態，其並且可於此兩狀態之間 5周整。圖1 a說明在基底裝載/移開狀態下的基底處理設備。圖1B說明在基底處理狀下的基底處理設備。繼續參照圖1A以及1B，基底處理設備1 〇廣泛地包含有一以20表示的主箱室以及一可於主箱室2〇内移動的邊界15。在較佳實施例中，藉由一連接到以4()表示的可移動基底支承裝置之基底支承表面，來提供可移動的邊界i 5 。主箱室20包含一主箱室結構23，其界定以25表示的主箱室之内部。基底支承裝置4〇適周來支承著諸如一種晶圓的基底S。的晶圓的基底s—般具有200mm或者3〇〇龍的直徑。然而，本發明並不受限於操縱如此之標準尺寸，而能夠包含從大約50至450_直徑的範圍之基底。基底s能夠構成-種微電子基底，如以上所廣泛界定者，可具有或b 不具有衣、於其上的薄膜、層、或者微型特徵物。在所說明的較佳實施例中，基底支承U40會在主箱室内部μ 之内而方；下Ρ牛位置（相應於圖i Α令所閣述的基底狀態)以及-提高位置(相應於圖1B中所說明的高壓載：理狀態）之間垂直移動。因此，基底支承裝置4以= 動-般會沿著或者平行於主箱室内：生，如箭號A所闡述的。爷軸L而發

繼續參照圖1Α α 0 1 D 乂及丨Β，基底處理設備i 0同様Φ 地包含一以60表示樣也較佳曰]卜邛相室。至少一部份的基置罐限於下部箱 1支承t 箱室結構63，其尺定以内下^目至60包含一下部 " 5表示的下部箱室之内部。在較 22 1296816 佳實施例中，下部箱室内構而物理以的分隔機相對於縱轴l橫向設置。》種二:\，該分隔機構係箱室二其確保下部箱室内_離主物質遷移而進入主箱室内二::：60’藉以避免污染 || - Rf) 由於部件之操作係於下部 6 〇之内移動’如以下所要毕物曾“士卜所要次明的，因而會產生這種污木物貝。如同在圖3β_4ί)中清楚

主箱官叫"… 月邊所不，波紋管74同樣也將 ± ^蜘於签底處理設備10外部的環境。 Ί績參照圖1Α以及1 R，I念由及1β基底處理設備10進一步地包 =:面部件75,諸如—種真空閘閥孔隙及所伴隨之閥裝、、提供在主箱室㈣25以及基底處理設備1〇 =的-種密封介面。適用來實現介面部件75的間裝置可攸知士 Haag 的 VAT Vakuumventile AG CH-9469 蹲得。、可

:;ι面。Η牛75開啟，藉以允許諸如一種自動機械部件（圖 A與1B中並無顯示)的基底操縱裝置進入。當介面部件π 處於f開啟狀態時’基底操縱裝置便能夠進人主箱室内部 25,藉以裝載基底於基底支承裝置4。之上，並且在基底S 已’工處理兀畢之後’將基底s從主箱室内部25移開。如此經由介面部件75並且進出於主箱室内部25的基底支承裝置之移動係以箭號B表示之。、以上所說明的外部環境可以是周遭的環境。然而較件的是，介面部件75充當-種在基底處理設備1G以及另二基底刼縱及/或處理模組之間密封的直接介面。根據本發 23 1296816 明，基底處理設備1〇_合於一種操作在内部大或者真空下的模組。因此，你丨4 入 ’、土此例如，介面部件75能夠提供主

箱室内部25以及群集工具之中心傳送箱室的排空内部之'間的流體連通，或者提供—種形成一部份的設施前端模J (酬）之大氣㈣自動機械。為了使主箱室内部25盘里他大氣氣Μ者真空環境直_合，基底處理㈣iq ^一排放線77,用以舖設主箱室内部25之管線至適用的真空源及/或排氣孔來源79。所以，主箱室2〇能夠在開啟= 部件75之排空，以備將主箱室2()流體搞合至另_個排空環境。可替代的是，當需要清洗污染物的主箱室Μ或者: 免基底污染時’主箱室2〇能夠保持在大氣壓力或者在正二力下”尤後者目的而言’基底處理設備】。能夠包 3導s 8卜用以舖設諸如氮的鈍氣流從純氣供應源μ 進入主箱室之管線。之後則能夠指定鈍氣從主箱室内部Μ 經過連接至真空源或排氣孔裳置79的排放線π之路炉。同樣的^，在基底處理設備1G麵合至大氣模組之狀況下，假如於高Μ清除程序期間有、;$漏發生（以下將說明），則介面部件75能夠對於大氣模組作為一種二次密封。圖1B 5兄明在高壓基底處理狀態下的基底處理設備1 〇如以下更為蛘細說明之内容，基底處理設備丨〇設計用以 j生一子相室（以90表示），配置於主箱室20之内。子箱 :9°能夠抵抗高壓(例如’高至大％ 5000psigauge)，同時：持流體隔離主箱室2。所保持的受控高純度之小型環境氣由一上部子箱室表面9〇A、一個或多個側邊子箱室表 24 1296816 面_、以及-下部子箱室表面幫來封閉著其子箱室9〇。在基底s為—種圓形或者實質圓形的晶圓之情況中，設有一單一連續的側邊子箱室表面9〇B，糟以延伸出圓柱狀的谷積，來界定子箱室9〇之内部。 b内部的較佳圓柱狀輪廓近似於基底S的圓形形狀，而内邻 to π 〇卩的内徑則此微大基底之直徑。此—配置會將子箱請所需的容積最小化、使處理媒介(例如，清除流體)可更佳地均勾分佈於基底S 之表面:以及藉此改善所需的處理事件之效率及功效。- 繼績詳細參照圖1B，Λ 了聲甘_老為厂1吏您底處理設備1 〇可調整地操作於其基底裝載/移閉狀慇以及基底處理狀態之間，至少其中一個封閉著子箱室的表面（例如，以上來昭圖 1所說明的可移動邊界15)， …Η 可移動而與封閉著子箱室9“穴4表面之-部分，係〇于相至9〇的一個或多個其他表面相密封接合。因此，在所說明的早乂1土貝知例中，上部子笳 90A以及側邊子箱定本工^ ηΛ 至表面】遺子相至表面90Β係固定的，而面90C則可移動而與丨千相至表施例中，下部子箱室h Qn表面9 〇 β接合。在較佳實並且勺人一其产、面9〇C與基底支承裝置40相結合，入广土 &支承表面以及任何-種基底支承表面竿置於其上的基部部件（你丨4 ▲ 木置箱它美部45) ^ 參照圖3B—4D中所說明的可移動相至巷口卜45)。因此最妊菇底S本身至接^ 舉起基底支承裝置40以及基低b尽身至提尚位置， 0ί— 建立子相室90，於該位置，美麻 "岔封地侷限於子箱室9◦之内。基底處理設備1 β > m ± , w又限於圖1A與1 β中所說明的實粑例，其中下部子笳玄门日j貝表面90C構成可移動之邊界15，而 25 1296816 可私動邊界15則機械地關聯於基底支承裝置4〇。明所提供的可替〇 $两@ ^ 圖n : 制的範例說明於簡化的。在该等替代之配置中，可移動之邊界15盥基底支承裝置4G無關’致使基底支承裝置用以充當基底舉起機件。在圖2A :作用官声而QnD 、 τ卞相至9〇之側邊子箱、以及下部子箱室表面90 W 1 r Q ,. 〜月Γ儿的’而可移動邊I 1 5則受到作動向下盥葬以摞徂工匕、側邊子相至表面90Β密封接合，猎以k供子箱室90的上部早铲—主二〕上4子相至表面90Α。在圖2Β中，邊界ι5為一種順著平行 ^ pa ρ〇朴丁、^ ^ [方向叩受到作動之出入口或閘門，猎以關閉側邊早# ^ * 相逯子相室表面議的開σ ’可移動的邊界15為—種以、g 一“ ^ 所支撐在盆““ γ 乂通㊉正切於縱軸L並且與基底 /r叉嫁在其上的平面（亦匕3圖2C的溥片板之平面）平行之方向受到作動的出入口或丁 w lc . 乂閘門在圖2D中，可移動之邊界15受到作動而順著相遺一力於縱軸L的曲線路徑轉動。藉由本發明而進行種高壓基底清除程序：：=利之基底處理程序乃是-S或者該基底至少-個清除程序通常包含將基底佳為一種密度增加之流體及媒介較為如起®品界之C〇2、液濟夕「η 、或者經由上述範例所說 a之co2 π况明的其他化學之作用。為目的，並參照圖1Β，基庙走為了此一 „ 1η 底處理設備提供處理婵介線1〇1，其指向而於子箱含Qn u媒；I供應 ^ 90之中，以為從處理媒駚松_ 源103引導處理媒體之媒體供應用。同樣也提供處理媒興x 1 a 1〇5,藉以將其流體以及地里媒體返回線抑a道山曾—士何一種藉由流體所攜帶的污毕矜

粒引導出基底處理設備丨〇 τ J巧木U I之外，而至媒介返回電路1〇7 26 1296816 。較佳的是，處理婼介迈w妗彳Λ e 系7丨返回、線105延彳通過基底支承裝置 40之主體。 < 1 -旦子相室90以處理媒介而充至高壓，則顯著的壓差便會逐漸產生於子箱室 T相至yu以及主箱室20之間。用以移動基底支承裝置40至其提高位置的直的已提供電力之致動器（在圖i A與1 β中並無表示，而於 A — ，，下况月之）月b夠用來辅助保持子相至90之閉合’而抗拒子箱室9〇高遂内部所授給之力 :,外’基底支承裝置40的提高位置較佳地結合於基底支承裝置40下端log以及下邻銪宕 ^ 汶Γ 口丨相至〇〇下端109之間所增加的餘隙。較佳並且如下所要兄明的是’設置有擋塊機 (I照圖4Α-5) ’藉以將限制元件143插入此一增加的餘隙之中’藉以輔助保持基底支承裝置4〇於其提高位置 :猎此保持由子箱室9。所界定的密封之高壓環境，並且藉由基底支承裝置4G所承受的轴向負載及/或因機件驅動基底支承裝置4〇所承受 1 J貝戰精由前唬C來表示限 :件143放射狀地向内移動至限制位置以及放射狀外移動至非活動位置。現在參照圖3A斑3R，1 % b日：a： r-上，、扣其次明基底處理設備10的較佳、、、口構配置。如圖3B中所、、主枯本— 〒所π疋表不的内容，將基底處理設備丄U定位，藉以操作於手笳 ^ ^ 卜、于相至90存在於主箱室20之内的基 &處理狀態下。敕伟4 η ]n 1 較‘的疋，子箱室90具有範圍從大約 /至1〇L左右的容積，以及範圍從大約50mm至大約人〇_左右的直徑。基底處理設備i。的主箱室結構Μ包充田主相至盍子的上部區段27、—側邊區段或主箱室壁 27 1296816 立、以及中間’反73 ’全部w拗问運作而用以封閉主箱室内 25主粕室20之側邊區段29較佳地具有内部側邊表面 29A ’其至少部分地界定主箱室内部25。如所說明之内容，内部側邊表面29A乃是圓柱狀環繞於主箱室内部25之中央縱軸。此一圓柱狀輪廓改善經過主箱室内部25的氣體流 =二並且藉由尖銳的結構特徵數g之最小化，而避免二= &至2 0之内的污染物^之累增。形成通過侧邊區段2 9的開口 29B提供介面部件75(參照目1A_2D)以及主箱室内部 25之間的出入口。下部箱室結構67封閉著下部箱室内^ 65，並且包含一凸緣區域67A、一側邊區域67β、以及一外 4末端區域67C。以一種類似於壓力容器建構之方式，藉由適當的固定器仙與111Β，將上部區段27、側邊區‘ 9、中間板73、以及下部箱室6〇牢固在一起，來組裝基底處理叹備1 〇之主結構。固定器！ J】Α與i 11Β能夠包含諸如方向平行於主箱室内部25的縱軸並且穿入下部箱室处構 Μ的凸緣區域27Α之高強度螺栓。較佳的是，、經由一^高強度物質來建構上部區段27以及側邊區段29，藉以抵： 2子相至90中所形成的高壓。適用的高強度物質其中之— 範例為SA-723鋼鐵。八如圖3β中所清楚闡述的，基底支承裝置40較佳地包 :-諸如軸43的軸向延長之元件以及附著於軸43上端二相室基部45。中間板73以及下部箱室結構67的外部末端區域67C兩者皆具有中心配置的軸向通孔113以及115而軸43則移動而分別貫穿之。車由43包含一放大直徑區段 28 1296816 4 3 A ’其能夠是一種按壓接合於軸4 3之上的環輪狀構件。放大直徑的區段43A之移動範圍侷限於中間板73以及外部末端區域6 7 C之間的下部箱室之内部6 5。如果基底支承穿置40因應於子箱室90加壓的内部所授與的力而向下移動，則放大直徑區段43A便會接觸到擋塊限制元件143。擔塊限制元件143因而提供基底支承裝置40向下移動之下限。如圖3A中所清楚表示的内容，下部箱室結構67的側邊區域67B具有通孔117，與擋塊元件ι43結合的鏈結元件（以下將說明）則穿過之。此外，波紋f 74冑輪狀地配置於軸43之周圍，並且連接於中間板73以及放大直徑區段 43A之間。如以上所說明的，波紋管74提供主箱室2〇以及周遭環境之間的密封，乃至於主箱室2〇以及下部箱室 60之間的密封’藉以避免因下部箱室6〇之内部件的操作所導致的主箱室20之污染。

繼續參照圖3A以及3B，基底支承裝置4〇的箱室基 45以軸43之軸向移動於提高以及降低位置之間，並且後於基底處理設備1G的基底裝載⑱開以及基底處理狀之間移動。所以，在較佳實施例中，箱室基部45及⑷ 置於箱室基部4 5上令石n 4击S m 4· 上省如一種日日圓夾頭或平台（參昭 4D)的基底壓制裝置12 衣直構成圖1Β中所標示的下部表面90C。較佳的是，箱 · 、相至基邛45的联上方區域包含一 j 成扇形狀或者凹底F c Λ ^ ^ 代π “η 基底能夠置於其中。凹幻上-^衣置_麥照圖4A_4D)設置於箱室』相至20的上部區段27之内部表面同樣也差 29 1296816 含一凹底區段27B，其可替代地充當個別的主箱室2〇以及子箱室90内部之上部邊界。當基底處理設備1〇處於其美底處理狀態時，箱室基部45便會以一種密封方式而接上部區段27，致使凹底區段27β以及45A協同作用而部分地界定子箱室90。較佳的是，直接接觸處理媒介並因而潮濕的所有表面（諸如上部區段27以及箱室基部托個別的内部表面）皆由抗腐蝕物質所建構。適用的抗腐蝕物質之非限制範例包含HASTELLOP C-22或C—276、諸如从―6狀0與合金25-6MO的超奥氏體之不銹鋼、Μ〇ΝΕγ合金、及其相似，。可替代的暴露於處理媒介的表面會塗刷或者電鑛者一種抗腐蝕之屏蔽物質，諸如pTFE、pCTFE、卯、、或者鉻。圖4A-4D說明基底處理設備1〇之額外結構以及摔作之特徵。基底壓制裝請設置於箱室基部45的凹底區段 45A之内。基底壓制裝4 12()包含—基底支承表自舰，可使用任何-種所需的固定技術，將基底適當地固持於其表7上热知本技術者在閱讀本發明揭示之後應會清楚地了解之。内部流體通道12〇β形成於基底壓制裝置⑵之中流體地連通於處理媒介出口導f 123。處理媒介出 =吕123較佳地延伸穿過基底支承裝置，包含通過下 :箱室：的軸向通孔115之軸43之下部區段樣。此省了 :成頟外的流體通孔穿過基底處理設備Μ的結構之需、、田基底，處理設備10處於基底處理狀態時（參照圖4C以鈿至9 0會兀整地耦合於處理媒介流量路徑。從 30 1296816 子箱室90逆流而上的處理媒介流量路徑之部分包含處理媒介供應源103、處理媒介供應線1〇1、以及形成而穿過主箱室20上部區段27的處理媒介入口導管127。從子箱室9〇順流而下的處理媒介流量路徑之部分包含基底壓制裝置 120的内部通道120B、出口導管123、處理媒介返回線_ 、以及處理媒介返回電路1〇7。此外’形成穿過側邊區段 29的放射狀通道129經由排放線77，提供主箱室内部μ 以及真空及/或排氣孔來源79之間的流體連通。形成穿過主相至w的側邊區段29之另一個放射狀通道（並無特別冑鲁不）則經由線81(觀看圖1A)，提供主箱室内部25以及鈍氣 (例如’ N2)供應源83之間的流體連通。較佳的是，相對於主箱室25内部之中心縱軸’這兩放射狀通道相對方向大約呈現60度左右。同圖4A-4D進一步所說明的，線性致動器49連接至基底支承裝置4〇的軸43之下部區段43β。線性致動器^ 較佳地包含_ + 、、 ^進馬達以及蝸輪，而同樣也能夠包含氣體或液體驅動之壬堂 vx JU 赢之活基，或者其他適用之裝置，熟知本技術者拳於閱讀本發明揭示後將了解之。表示* 4A 4D同樣也顯示本發明所提供的檔塊機件（以140 ^件1員外細即。擋塊機件140的主要部件包含擋塊限制 3線性擋塊致動器145、以及相互連接著限制部件 W3與擋塊致 —人力口口 145的鏈結元件147。擋塊機件.1 40能夠包含一個或去夕/ . t 夕個之早元，而每一個單元皆包含相應的擋塊限制元件]a Q ^ i 3、“塊致動器145、以及鏈結元件147。擋 31 1296816 塊致動器145較佳地以氣體方式驅動鏈結元件丨47以及限制元件14 3 ’並因而包含適用的空氣汽虹以及活塞配置。可替代的是，擋塊致動器145能夠是液體驅動的或者包含一種步進馬達以及適用之力傳送機構，諸如一種引線螺栓限制元件14 3的結構較佳地包含一種適用來抵抗在子箱室90之内所建立的高壓環境所授與的壓縮力之物質。適用於限制元件143的物質其中之一範例為SA —723鋼鐵。參照圖4A-4D，擋塊致動器145配置於子箱室6〇之外部，而鏈結元件147則延伸穿過在下部箱室6〇側邊區域 67B的厚度上之—個或者多個通& 117(如同以上所說明以及在圖3A與5中所說明的鏈結以147設計用以適當 :鏈广结以及限制元件― 置Μ運行方向並因而-般橫㈣主箱室内。"5的次軸方向。同時，鏈結元件η 曲，藉以容許直PP连丨4由 °十用以坪性地屈。午/、限制相應於負載而從承裝置40的子箱室要傳达通過基底支 …行方向之方“偏向。在順著平行於基底支承裝要之分量。鏈結元件二’此一屈曲或者偏向之方向具有重間基底支承裝置4〇之順應性因而避免由於在操作期之間的隔離介面。而保持子箱室9〇以及主箱室件所遭遇的失jr性動態負载而可能會由擋塊機不利地影響限制元二:然而同時，順應性公差並不會裝置40的提高位置，、41適當之功能’藉以保持基底支承 20 32 1296816 在圖5中所說明的較佳眚乂1土 μ %例中，鏈結元件147包含一個或者多個固體之橫杆u 、肝147A以及147β。較佳結元件147包含一對之掃杯U7a 瓦鏈也、杆147A以及147β。每一個 147Α與147Β皆具有範圍從大戶、、、、0 10至大約5〇_左右的具度（較佳為35_)，以及範圍 7長和…耗圍攸大約1至大約5_左右的直瓜（較佳為3_)。較佳的4 … 彳土的疋，母一橫杆147Λ與147B乃菩從AISI 6150彈力鋼鐵所建構的。蒼照圖4A，盆顧+且☆ 士 m ，、•、、…、土底處理設備10處於基底裝載/移開狀態，其中基底支承梦w ” -衣戰/私衣置4υ纟但回至其降低位置。在此一位置上’基底堡制裝置1 2 Π / 1 U及任何設置於其上的聂露於主箱室内部25内所包含 -+ 的％丨兄，並且分離的子箱室係不元全地被界定。基底壓制 -市j衣置120係配置於操作地與介面部件對齊所在之高产 Λ ^ 又在此一位置上，自動機械之末立而X動|§能夠側邊地行妳Ρ & 处⑪仃、、，工已開啟之介面構件75而進入主箱至2 0之區域之中，葬太者错以在處理刼作之前將基底裝載於基底 =、1 =置1 20之上，或者在處理操作之後將該基底移開。 ::、、的疋，基底支承裝置40提供主箱室20之内基底適 ^縱以及設置方向所需的唯一之ζ轴移動。換言之，用 =裝載或移開基底的任何一種自動機械末端受動器僅需要月b夠唯一或者至少主要在平面上移動。點組合基底支承以及基底舉起能力的結構提供數種之優 ^、首先’與基底處理設備丨〇結合使用於傳送工作的自動機械器具’相較於全然操作於3度空間中自動機械，能夠、有車乂為簡單、較低成本之設計。關於第一種優點，該配 33 1296816 置係辅助基底處理設備1 0與諸如真空操作中央處理機的另一封閉模組之整合。一般設有這種真空模組之自動機械具有受限的垂直移動能力。最後，由於不需要決定子箱室90 之尺寸來配合機械器具2軸的移動，因此子箱室90所需的容積係最佳地最小化。特別地參照圖4Β，其表示基底處理設備1〇處於高壓基底處理狀態，其中基底支承装置4〇延伸至其完全提高= 置’用以界定子箱t 90。再者’在此一提高位置上，軸43

的放大直徑區| 43A以及下部箱室6〇的外部末端區域⑽ 之間充分的轴向間隙便會產生，藉以允許擒塊限制元件 143向内放射狀地插入該間隙之中。藉由設置適用的宓封構件⑸於箱室基部45上，進而增強或確保子箱室^以及主箱室20之間的隔離。在較佳實施例中，環輪狀空間155放射狀地界底嶋置12〇以及箱室基部45的環輪狀肩部45β之門而環形的密封構件151則配置於該環輪狀空間155令曰 =處理媒介將子箱室9G加壓，則處理媒介的鏈由基底壓跑120以及主箱室2。上部區段 : 間的介面而發生，並進人環輪狀μ 155之中」結便會遭遇密封構件⑸’並且藉此避免跑脫至：箱；部25之卜較佳的是’密封構件ΐ5ι為，而不是一種簡單的〇—環哎者# 之铪封置〗2。的内側乃是内凹的。此種型式之二:

“目應於流體壓力而自我致動。因此，如果環輪I 34 1296816 間155以及杯狀密封件15ι的内凹部分因鏈結結果而加界，則其内凹部分便會擴張並且壓·抵箱室基部4^二及上部7二段27,藉以增強密封之品質。為了此一目的，經由適：：物質來建構杯狀密料151 ’該物質乃是有彈性的、化學上抗暴露於處理媒介之化學性質，並且能夠保持大至大約测响或者更大的塵差。適用於杯狀密封件⑸的物質其中之-非限制範例包含PTFE以及pcm。適用的杯狀密 ^件15“隱之密封件，可從美國賓州 breene Tweed&Co·購得。苴他穷-谣 A _ 八他在封才再件係可做為面密封調適型杯狀密封件設計之替代方崇，、^4 ϋ 曰代方案’其觀例包含活塞密封調適型杯狀密封件以及〇_環密封件。參照圖4C’其顯示擔塊限制元件143處在轴43的放 :直徑區段43Α以及下部箱室6〇的外部末端區域-間間隙之内之完全延展活動位置。一在活動位置上，每一個限制 =件⑷會接觸放大直徑㈣似的下側，藉以避免在子相室90加壓期間基底支 &衣置4〇所不想要的收縮，並因而在清除程序期間適當地保持其基底。圖_順應特徵之操作，其在子箱室9〇已經充有 :理媒介之後’加入於擔塊機件14〇的設計中。相應於由子箱室9 0的高壓交籍邮、笛m 賣斤運用之力，順應鏈結元件147係已經偏向至擋塊限制元侔] 牛143以壓縮方式而接觸軸43的放大直徑區段43A下側以β τ ^ > 及下σ卩相室60的外部末端區域67C兩者之點上。鍵結元件〗^ 147已經偏向用以佔有基底支承裝置 120中自由運動的可技曰接又！（例如，大約〇.5mm左右），而 35 1296816 不^將所不想要的應用加在鏈結元# ·| d 7 g / + 致動器145之上。疋件H7及/或個別的擋塊現在參照圖4A-4D來說明其矻老木兄絲底處理設備1G的操作。基設置μ底處理設備1G的外部環境中。外部環境 a :種包3基底刼縱自動機械的包圍環境，並且能夠疋大氧或者排空環境。外部大氣欣矾衣楗之一耗例為EFEM(例 i圖6中的刪_。外部排空環境之-範例為一種直空群集工具（例如圖8中的巧種… 人&加，· f木工具41〇)。外部環境經由 75 @合於基底處理設備…熟知本技術者皆了午置=部件75具有-内部閘門，可移動於開啟以及關閉位置之間’藉以有所選擇地經由介面料75進人 Γ〇2:。！一步要了解的是’在農載基底5於基底處理設備之別’基底3通常已經接受了-個或者多個之製造程 (列如，遮罩或者其他平版印刷技術，液與ϋν輻射、蝕刿、亦於 1 ^ 貝m ^ 雀虫刻、灰化、缚膜沉積、電鍍、接合襯墊、千面化、離子植入、摻雜、微機、研磨、應力釋放、加孰、以及其相似之程序），其造成之後的清除動作或者表面準備處理之必要性或需要。在裝載基底S於基底處理設備 W中之前，便能夠執行一些其他的預先步驟。例如，在與外部裱境流體耦合之前，便能夠備製主箱室内部。主* =内部25備製的方式則是端視基底處理設備1〇是否與= 空模組或者大氣模組成立介面而定。在基底處理設備^柄 =於真空模組之實例中，藉由建立與真空/排氣孔來源之流體連通，便能夠使主箱室内部25排空並且清洗。在美广 36 1296816 處理設備10耦合於大氣模組之實例中，藉由使一種諸如 n2的鈍氣循環通過主箱室内部25，便能夠清洗主箱室内部 25，就如同以上所說明的。此外’在裝載基底S於基底處理設備1〇内之前，或者至/在處理媒’h主入與在此所說明的高壓清除成序相結合的子㈣90之則’可能需要備製處理媒介。在執行清除程序之貝例中’用於本發明的處理媒介能夠是任何一種適用入溶劑於基底上所包含的殘留物質、及/或藉由壓緊基底s的表面用以經由高壓注入清除流體於子箱室9〇之 _ 中而剝取所不想要的物質，來清除基底S之流體。清除流體能夠具有單一成分，或者能夠為多成分之混合物、溶劑、或感光乳劑。在較佳實施例中，清除流體為大密度的液體co2，在引進子箱室9G之前，將之加熱並^加壓成為超臨界狀態。能夠將諸如和緩劑、反應物、鈍態物、乾燥劑、氧化劑、鹽基、表面活化劑、或者其他化學製品之附加物引進流經供應線101的C02流之中，或者在注入子箱室 9〇之刖將之與C〇2流合併。達到c〇2超臨界狀態所需的溫 _ 度以及壓力將視該附加物是否出現而定。就純液體之⑶〗而言，超臨界溫度為31。(：，而超臨界壓力則為71_。在較佳實施例中，在大約15〇〇至大約5〇〇〇psig左右的壓力下供應co2。一旦備製了處理媒體以及主箱室内部25，基底支承裝置40便會移動至圖4A中所示的降低位置，並且將介面部件75開啟。自動基底操縱器具會將基底s經由介面部件 37 1296816 75傳送’並且將基底放置於基底壓制裝置i2〇之上❶其底屢制裝置12 0能夠設計為使用任何數量的已知固定技術。其中之一範例乃是在基底壓制裝置120的最上部表面12〇上產生吸力。在基底固定於基底壓制裝置12〇上之後，介面部件75便會關閉，而基底支承裝置4〇則會舉起至提高位置，如圖4B中所顯示的。在該位置上，子箱室9〇便會形成並且封閉基底S。然後則作動擋塊機件丨4〇，藉以將限制元件143插入於圖4C中所顯示的位置，用以提供基底支承裝置40的軸向支承，並且保持在子箱室9〇以及主箱室内部25之間的介面上密封件之整體性。在此一點上，便可簡易地進行基纟S之清淨卫作。適當地順著處理媒介入口線101定位的-個或者多個閥開啟，而將處理媒介抽入子箱室90 H子箱室9G能夠以處理媒介加壓成範圍從 2〇PSlgi5_psig的壓力。如果有所需[在加壓之前，能夠在低壓下將處理媒介導流入子箱室9〇之中，並且指定返回電路H)7之路#用以清除來自子箱室9()之空氣，而相結合的流體路徑則會從子箱室90逆流而上以及順流而下 :在高壓清除程序期間，如果有所需$，以一種用來產生壓力脈波藉以增強5杳Μ _ 、月除效應的週期性方式，便能夠快速地對子箱室Μ加壓以及減壓。此-週期的減壓階段能夠用以從諸如形成於基底S上的溝渠或者孔道之微型特徵移除所不〜要的物貝（4如已經在加壓階段期間中軟化的光阻或者蝕刻殘留沉積物）。 ’、予元成’在處理媒介返回路徑中適當地定 38 1296816 位之閥便會開啟，致使能夠從子箱室9〇至返回電路旧沖洗，，媒介。沖洗步驟能夠包含將外加的純處理媒介經由子箱室9〇加以循環。此後’藉由移動基底支承裝置40至一述的IV低位置，將基底處理設備^ Q調整回圖中所顯不的裝載/移開狀態。介面部件75之後則開啟，藉以允許基底操縱器具進入主箱室内部25，以便將基底5從基底處理設備10移除’藉以依需求而在不同模組下從事進一步處理：能夠提供部件(以下所要說明的)用以重新恢復至少一部份用來清除基底s的處理媒介、用以將污染物質從處理媒介分開、以及用以重新循環已淨化的處理媒介返回至其系統之中，以為重新使用。參照圖6-8,其說明系統層級實施例之範例，其中基底處理設備10與處理媒介分佈電路以及其他處理模組整合在-起。® 6說明獨立的大氣系統(以2〇〇表示）。在此一糸統2 0 0中 > 基底虛王甲士/L /共1。低處理⑨備10經由介面部件75直接搞合於-種'，設施前端模組”或酬以21〇表示），其包含一種大氣基底傳送模組215以及基底裝載及/或分類排序裝置 220。基底傳送模組215能夠為傳統之設計，並且包含—外殼215A以及一基底傳送自動機械225。根據標準機械介面 (:=技：’ Ϊ底傳送模組215典型地耦合於基底裝載裝土底衣載U 220能夠是傳統設計的晶圓卡式或容器裝置(例如，一種SMIF容器，或一種前開式統一容哭或習”。藉由此-配置，自動機械225便能夠將基底；基底^載裝置220經由介面部件75傳送至基底處理設備 39 1296816 1 〇之中。在圖6中’耦合於基底處理設備！。的處理媒介分佈電路包含-供應/加壓子系統23Q(其能夠與圖ΐβ以及Μ仙中的處理媒介供應源103相結合），用以從主體儲存裝置供應已加壓的處理媒介給予基底處理設# 1()。在較佳實施例中，指定從此一子系統230所供應的處理媒介之路_，碑由適用的熱交換器235’將處理媒介加熱至或超過直超臨界溫度。提供附加物注入子系統24〇,藉以混合附加物與處理媒介’如同以上所說明的。提供重新循環交流子系統 245’藉以重新恢復並且淨化已使用過的處理媒介，如同以上所同樣說明的。最後，減壓子系統25〇(其能夠與圖ιβ 以及4A-4D中的真空/排氣孔來源79相結合）作用充當一種排氣系統，以為清洗、排氣、及/或排空基底處理設備工〇目的之用。圖7說明群集的大氣系統（以3〇〇表示）。在此一系統 300中，EFEM 310包含一可群集的大氣基底傳送模組315 以及複數個基底裝載裝置320A與320B(說明兩者）。基底籲傳达模組315 —般係包含一外殼315A以及基底傳送自動機械325。系統300同樣也提供複數個基底處理裝置1〇A與 1 0B(在範例中顯示兩者），其經由個別的介面部件75A與 75B ’ |馬合至基底傳送模組315。例如，對所有的基底處理設備10A與10B而言，供應/加壓子系統330以及減壓子系統350共用的，然而針對個別的基底處理設備1 〇A與丨 ’則設置有諸如附加物注入子系統340A與340B、熱交換 40 1296816 器335A與335B、以及重新循環子系統345A與345B之專用構件。圖8說明群集之真空系統（以4〇〇表示）。在此一系統 400中，基底處理設備10直接耦合至以41〇表示的真空群集工具。真空群集工具41 〇能夠是傳統的設計，並且包含一外殼410A以及一基底傳送自動機械425。外殼41〇A所保持的排空容積之需求為，使用一個或者多個負載室裝置 420A與420B來充當真空群集工具41〇以及相容的基底裝載稞殂（並無顯不）之間的介面。藉由個別的密閉閥429a與籲 429B，將一個或者多個微型裝置製造模組427A與“π耦合至真空群集工具410’並且可由基底傳送自動機械存取之。裝置製造模組427A與427B能夠適合用以在基底處理口又備10所執行的上述基底清除處理之前或之後實施製造程序°可月&的製造程岸之非附生丨妓

目以及型式之處理步驟。上 -大氣組織或者真空組織接整合，並且結合所需這些不同處理模組之間 41 1296816 的基底之傳送並不需要將基底暴露於周遭環境，藉此最佳化该系統使用者所預期的製造以及處理媒介之任何組合。所要了解的是，於不違反本發明範疇之前提下，可以改’變本發明之各種細節。再者，之前的說明僅為說明目的之用’而不為限制之目白勺。本發明乃是由申請專利範圍所界定。【圖式簡單說明】

圖1A為根據本發明所提供的基底處理設備之示意圖其中該設備處於一種基底裝載/移開狀態；理設備之示意圖，其圖1B為表示於圖1A中的基底處中該設備處於一種高壓處理狀態；壓的子箱室便能夠產生於所環繞著的主箱之；圖2A與2B為表示於圖⑽1B中的基底處理設備替代實施例之示意垂直剖面圖，顯示替代之方法，藉此可加室之内並且隔離

…圖2C與2D為表示於圖1A與1B中的基底處理設備代實施例之示意俯視平面圖’顯示另外之替代方法，藉可加壓的子箱室便能夠產生於所環繞著的主箱室之内並隔離之；圖3 A為根據本發明較伟者月孕乂牷只施例所架構的基底處理設之立體圖；圖3B為圖3A所表示的转社患曰]季乂佳貫施例之立體剖面圖示；圖4A-4D為根據本發明的| 4知3的基底處理設備之依序垂直 42 1296816 面圖，顯示設備於該基底裝載/移開位置與該高壓基底處理位置之間的調整；一处圖5為根據本發明的基底處理設備所配備之擋塊機件的俯視平面圖；圖6為根據本發明基底處理設備與獨立的大氣基底處理系統整合之示意方塊圖；圖7為根據本發明基底處理設備與群集的大氣基底處理系統整合之示意方塊圖；以及圖8為根據本發明基底處理設備與群集的真空基底處王里系統整合之示意方塊圖。【元件符號說明】 10 基底處理設備 10A 基底處理裝置 10B 基底處理裝置 15 可移動邊界 20 主箱室 23 主箱室結構 25 主箱室内部 27 上部區段 27A 凸緣區域 27B 凹底區段 29 側邊區段 29A 側邊區段之内部側邊表面側邊區段之開口可移動基底支承裝置之基底支承表面軸放大直徑區段可移動箱室之基部凹底區段線性致動器下部箱室下部箱室結構下部箱室内部下部箱室結構凸緣區域外部末端區域板波紋管介面部件介面部件介面部件排放線真空源及/或排氣孔來源導管鈍氣供應源子箱室上部子箱室表面 44 1296816 90B 側邊子箱室表面 90C 下部子箱室表面 101 處理媒介供應線 103 處理媒體供應源 105 處理媒介返回線 107 處理媒介返回電路 109 基底支承裝置之下端 111A 固定器 111B 固定器 113 軸向通孔 115 軸向通孔 117 通孔 120 基底壓制裝置 120A 基底壓制裝置之基底支承表面 120B 内部流體通道 123 處理媒介出口導管 127 處理媒介入口導管 129 放射狀通道 140 擋塊機件 143 擋塊限制元件 145 線性擋塊致動器 147 擋塊致動器之鏈結元件 147A 鏈結之固體橫杆 147B 鏈結之固體橫杆 45 1296816 151 密封構件 155 環輪狀空間 200 獨立的大氣系統 210 設施前端模組 215 基底傳送模組 215A 基底傳送模組之外殼 220 基底裝載裝置 230 供應/加壓子系統 235 熱交換器 240 附加物注入子系統 245 重新循環交流子系統 250 減壓子系統 300 群集的大氣系統 310 設施前端模組（EFEM) 315 可群集的大氣基底傳送模組 315A 基底傳送模組之外殼 315B 基底傳送模組之外殼 320A 基底裝載裝置 320B 基底裝載裝置 325 基底傳送自動機械 330 供應/加壓子系統 335A 熱交換器 335B 熱交換器 340A 附加物注入子系統 46 1296816

3 4 Ο B 附加物注入子系統 345A 重新循環子系統 345B 重新循環子系統 350 減壓子系統 400 群集之真空系統 410 真空群集工具 410A 真空群集工具之外殼 420A 負載室裝置 420B 負載室裝置 425 基底傳送自動機械 427A 微型裝置製造模組 427B 微型裝置製造模組 429A 密閉閥 429B 密閉閥

430 處理媒介分佈電路之構件 435 處理媒介分佈電路之構件 440 處理媒介分佈電路之構件 445 處理媒介分佈電路之構件 450 處理媒介分佈電路之構件 47

Claims

1296816 拾、申請專利範圍： 1 · 種用來處理微電子基底之設備，包含： (a) —包含有主箱室障壁的主箱室，該主箱室障壁封閉著主箱室内部；土 ” 一（b)—用來容納微電子基底的子箱室，該子箱室包含 ::封閉著子内部並且配置於該主箱室内部之内的子箱：其中該子箱室障壁包含—邊界，而該子箱室内部則、用表流體隔離該主箱室；以及 (C)-流體導管，穿過該主箱室障壁内部連通。 /、7卞相至 2·根據申請專利範圍第丨項適用杳位4士丄用/、T 4于相室持在該子箱室内部較該主箱室為高的壓力。 3·根據申請專利範圍第2項之設備，適用來保持在料箱室相至室内邱目,ι * ^ 丨人万、大軋的壓力，同時該主箱至内。卩則處於實質的大氣壓力之下。 4.根據申請專利範圍第2 適用來佯捭左；~ ~ + 員之δ又備，其中該子箱室木保符在子相室内部大於内部則卢,, 、^的反力，同時該主箱室貝丨處在小於大氣壓力之下。 5·根據申請專利範圍第丨介供；*、、码 ^ 貝之口又備’包含一處理媒 “、應源，其經由該流體導管與处媒 fi 子相至内部加壓至大於該主箱室内部的壓力。，2根據^請專利範Μ 1項之銭，包含-真空源人^主箱至内部流體連通。 7·根據申請專利範圍镇圍弟1，之設備，包含-排氣孔 48 1296816 與该主箱室内部流體連通。體供氣根據申請專利範圍第設備，包含 /、踢主箱室流體連通。立根據申請專利範圍f 1項之設備，其中穿過該主 P早壁的該流體導管為—…口導管，該設備進，尤原’與該主箱室流體連通韦 1 項之相至P早壁的該流體導管步地勺八一種流體入口守T ’孩設傾人°亥子箱至内部流體連通的流體出口導管。件，·根據申請專利範圍第i項之設備，包含-密封構且$田▲在D亥子相至内部以及該主箱室内部之間的介面並二。求増強該子箱室内部以及該主箱室内部之間的流體 I根據申請專利範圍第1〇項之設備，其中藉由配子箱室之内的基底支承表面來支承該密封構件。 12.根據申請專利範圍第i項之設備，包含一密閉密八勺閑Η ’提供該主箱室内部以及主箱室外部環境之間的 ;|面，其中該閘門係適用於選擇地提供進入該主箱室内部之出入口。 1 3 ·根據申請專利範圍第1項之設備，其中該子箱室 _ 内邛具有範圍從大約10ml左右至大約1〇1左右的容積。 14.根據申請專利範圍第1項之設備，其中該子箱室内°卩具有範圍從大約50mm左右至大約450mm左右的直獲。 15·根據申請專利範圍第1項之設備，其中該子箱室障壁的邊界可在該主箱室内部之内移動於一關閉位置以及一開啟位置之間，其中在該關閉位置上，該邊界至少部份地封閉著該子箱室内部，並且至少部份地流體隔離該主箱 49 I296816 室。 16·根據申請專利範圍第15項之設備，1中在1 ，的關閉位置處，該邊界會與設備的内部表面共同作：，错以封閉該子箱室之内部並且以流體方式將該子箱室内部隔離該主箱室内部。相至内π π.根據申請專利範圍第ί5項之設室障壁之邊界包含以下甘士八甲》亥子相 ,^ 3以下其中之-：⑴-基底支承表面，可相對於子箱室内Μ矣 J ，邛表面移動，·或者（⑴-子箱室内部表面

相對於配置在該子在名子稍至内部之内的該基底支承表面移二，或者(111) 一基底支承表面以及-子箱室内部表面，其 :基底支承表面以及該子箱室内部表面相對於彼此係可移動的。 18. 一種用來處理微電子基底之設備，包含： J —包含有主箱室障壁的主箱室，該主箱室障壁係封閉著主箱室内部；以及土係 (b) —可移動之邊界

1配置於該主箱室内部之内，並且可於一第一位置盥_箓一你罢^ ’、弟—位置之間移動，其中在該第一位置上’該可移動邊界至 — σ卩伤地界定一子箱室，該子箱至包含一流體隔離主箱室至内部的子箱室内部。 19·根據申請專利範人 ^ ^ a阗弟18項之設備，進一步地包各一延伸牙過該主箱室障辟管。土而與子箱室内部連通的流體導 2 〇.根據申請專利範圊士斤—降吨圍弟19項之設備’其中穿過該主相至卩早壁的流體導管為一机體入口導管，該設備進一步 50 1296816 地包含一與該子箱室内部流體連通的流體出口導管β 21. 根據申請專利範圍第18項之設備，包含一卢齡供應源’其與料箱㈣部料，藉精該子箱= 4加壓至大於該主箱室内部的壓力。内 22. 根據申請專利範圍第18項之設備，移動邊界的第一位置上，該、在4可室内部的壓力。 .子相…具有較大於該主箱 …23.根據申請專利範圍第22項之設備，其中在移動邊界的第一位置上，7 μ —〜 Μ可上战丁相至内部具有較大於大氣而該主箱室内部則具有實質的大氣壓力。 24. 根據申請專利範圍第22項之設備，移動邊界的第一位置上，兮工〜、丫隹δ亥可 #位置上’§亥子箱室内部具有大於大氣的题力，以及該主箱室内部具有小於大氣的壓力。 ^ 25. 根據申請專利範圍第18項之設備，其中在移動邊界之第-位置上，該邊界會與該設備面同作用1以封閉該子箱室之内部並且以流體方式= 箱室内部隔離該主箱室内部。飞將。亥子 26. 根據申請專利範圍第18項之設備，其動之邊界包含以下JL中之一盆私於子f生、 ·（1)一基底支承表面，可相對、相至内4表面移動；或者(⑴一子箱室内部表面，可 :於配置在該子箱室内部之内的基底支承表面移動；或 (ui)一基底支承表面以及一子箱室内部表面，其中該基 -支’、表面以及该子箱室内部表面相對於彼此係可移動的 1296816 根據申凊專利範圍第18項之設備，包含一直力源，與該主箱室内部流體連通。真二專利範圍18項之設備’包含一卿，、=亥主相至内部流體連通。供庫源，Hi凊專利範圍第18項之設備，包含-氣错 4源與该主箱室内部流體連通。 3〇.根據申請專利範圍第18項之設備，包含一配3 在該主箱室内部夕& ^ B 配J 第一、在、封構件，其中在該可移動邊界白<

室内部1，該密封構件將該子箱室内部流體隔離該主箱 :ι.據申請專利範圍第3。項之設備，其中藉由配土 W亥子相至之内的基底支承表面來支承該密封構件。 32·根據申請專利範圍第18項之設備，包含一密閉山封的閘門，提供該主箱室内部以及主箱室外部環境之間的介面，其中該閘門係適用於選擇地提供進入該主箱室内部之出入口。

33. 根據申請專利範圍第18項之設備，其中該子箱至内部具有範圍從大約1 〇ml左右至大約101左右的容積。 34. 根據申請專利範圍第18項之設備，其中該子箱至内部具有範圍從大約50mm左右至大約450mm左右的直徑 35· —種用來處理微電子基底之設備，包含ία) — 包含有主箱室障壁的主箱室，該主箱室障壁係封閉主相室内部並包含内部表面； 52 1296816 (b) —基底支承裝置’可在該主箱室内部之内移動於開啟位置與關閉位置之間，該基底支承裝置包含一基底支承表面’其中在該關閉位置上，該基底支承表面與内部表 2至少部份地界定一子箱室，該子箱室係流體隔離該主箱室内部；以及 (c) 一流體導管，延伸穿過該主箱室障壁而與該子箱室内部連通。〃

a 36.根據申請專利範圍第35項之設備，其中至少— 邰份的該基底支承裝置係由高屈從強度之物質所建構的。 37. 根據申請專利範圍第35項之設備，苴中至少— 部份的該主箱室障壁係由高屈從強度之物質所建構的。 38. 根據申請專利範圍.第&項之設備，其中該主箱 ^早壁之内部表面以及基底支承表面係由抗腐㈣質所建室的 39.根據申請專利範圍第35 P早^之内部表面以及基底支承表項之設備，其中該主箱面係以抗腐飿物質處理 40·根據申請專利範圍第密封的閘門，提供該主箱室内的介面，其中在該基底支承敦承表面通常與該閘門對齊，籍基底支承表面。 41 ·根據申請專利範圍第構件’配置於該主箱室之内， 35項之設備，包含一密閉部以及主箱室外部環境之間置的開啟位置處，該基底支以允許從外部環境出入於該 35項之設備，包含一密封其中在該基底支承裝置的關

53 1296816 閉位置處’ δ玄岔封構件提供該子箱室以及該主箱室内部之間的流體密封邊界。 42·根據申請專利範圍第41項之設備，其中該密封構件係藉由該基底支承裝置來支承之，並且界定該基底支承表面之界線。 43·根據申請專利範圍第35項之設備，其中在該基 -支？衣置的關閉位置處，該子箱室具有大於大氣的壓力，而該主箱室内部係具有實質的大氣壓力。

44.杈據申請專利範圍第35項之設備，在該兵底夫承裝置的關閉位置處，該子箱室具有大於大氣之壓：：而该主箱室内部係具有小於大氣之壓力。 ^ 45.根據申請專利範圍第犯項之設備，其中該主箱匕有-末端部分’該末端部分具有一進入該主箱室的辑 —6亥基底支承裝置可經由該通孔而移動，而且該設備途離二：3配置在該通孔處並且將該主箱室内部流體ΡΙ 主相至外部環境的密封構件。

恢根據申請專利範圍第35項之設備，包含一致象二：=基底支承裝置，用以移動該基底支承裝置- 邊開啟及關閉位置之間。 Ο·根據申請專利範第械方彳W貝之汉備，包含一以機械方式《於主箱室障壁的播塊裝置。 48.根據申請專利範圍第47 裝置包含一限制亓* 貝之-備’其中該擋塊主箱室障…“士，可於该基底支承裝置以及關聯於該王相至卩早壁的結構之間移動。 54 I296816 49·根據申凊專利範圍第“項之設備，其中該擋塊破置包含一致動器以及一相互耦合該致動器與該限制元件的順應鏈結。 50·根據申請專利範圍第49項之設備，其中該順應鏈結包含一橫杆。 51 ·根據申睛專利範圍第50項之設備，其中該橫杆具有砣圍從大約1〇_至大約1〇〇_左右的長度。 52·根據申請專利範圍第5〇項之設備，其中該橫杆具有範圍從大約lmm至大約5_左右的直徑。鲁 53.根據申請專利範圍第“項之設備，其中該順應鏈結包含至少兩個的橫杆。 54· —種用來處理基底之設備，包含： U) —可移動基底支承結構，包含有一基底支承表面與一密封構件； (b) 處理箱至，藉由該基底支承表面與該密封構件而受侷限； (c) 主鈿室，環繞著該處理箱室並且封閉著可流體 _ 隔離該主箱室外部以及隔離該處理箱室的主箱室内部；二及 (〇 —致動器，耦合於該基底支承表面並且適用來控制開啟狀態以及關閉狀態之間的處理箱室，其中在該關S 狀態，該密封構件提供在該處理箱室以及該主箱室之間的流體隔離邊界’而在該開啟狀態’該基底支承表面縣露於該主箱室内部。 55 1296816 55· —種用來處理微電子基底之設備，其可於基底處 i b式以及基底出人模式之間調整，該設備包含： (a)包3有主箱室障壁的主箱室，該主箱室障壁係封閉著主箱室之内部； °又於主箱室並且可操作於開啟狀態以及關艮狀態之間的介面槿株，甘A /·、 W彳牛其中（1 )在該開啟狀態，該介面構卡允。午k σ玄主相至外部環境至該主箱室内部之出入，以J

(1 )在.玄關閉狀怨’該介面構件會密封該主箱室而隔離言外部環境；以及 () 邊界’可於該主箱室之内移動至一相應於該j 底處理模式之第_ # @ 乐位置，並且可替代地移動至一相應於j 底出入模式之楚-^ga # ^ 弟—位置，其中（i)在該第一位置上，該邊^ 夕邛刀地界疋密封隔離該主箱室内部並且適用以侷限_ 基底之可加壓子箱室，（ii)在該第二位置上，該邊界允1 經由該開啟狀態之介面部件，傳送該基底進出於該主箱]

^ 56·根據申請專利範圍第55項之設備，包含一封著該外部環拷夕_ # 卜卜卜一基底操縱模組，其中該介面部件係與箱至以及该基底操縱模組相互耦合。 .根據申請專利範圍第56項之設直操縱模組包含_其危眉、、，斤— 八甲。亥基 — 基底傳运相室以及一配置於該基底傳送至之内的自動機械末端受㈣，而且該介從該基底傳详梦—#、 ' m 夕、幻返於該主箱室内部之該末端受動器 56 1296816 58·根據申請專利範圍第至以及该基底插縱模組係封閉 56項之設備，其中該主箱著個別之實質大氣壓力環境 /9.根據申請專利範圍帛58項之設備，包含—搞合於該基底操縱模組之基底裝載裝置。。 6、6〇·根據申請專利範圍帛56項之設備，其中該主箱至Μ及該基底操縱模組係封閉著個別之真空環境。 ^ 61·根據申請專利範圍第6〇項之設備，包含一封閉

禍合於該基底#縱模組之真空&底製造模組。 62· -種用來處理微電子基底之方法，該方法包含： (a)提供一設備，包含：該主箱室障壁係 —包含有主箱室障壁的主箱室封閉著主箱室内部；以及後U) 一包含有子箱室障壁的子箱室，該子箱室障壁 '、封閉者該子箱室内部，並且配置於該主箱室内部之内，其中該子箱室障壁包含有一邊界；

(b) 將微電子基底引進該子箱室内部； (c) 將该子箱室内部流體隔離該主箱室内部；以及八夕U)將處理媒介引進該子箱室内部，藉此該處理媒介 θ4子相至内部加壓至大於大氣之壓力並且接觸該基底屬上63.根據申請專利範圍第62項之方法，其中經由穿 ° 箱至卩早壁的流體導管，將該處理媒介引進該子箱室内部。 57 1296816 β4·根據申請專利範圍第62項之方法，包含之步驟為’保持該主箱室内部在於或者低於大氣壓力，而同時該子箱室係流體隔離該主箱室内部。 65·根據申請專利範圍第62項之方法，其中該流體隔離該子箱室内部之步驟包含將該子箱室障壁之邊界從開啟位置移動至關閉位置。

66·根據申請專利範圍第65項之方法，包含之步驟為，在該邊界處於該開啟位置之同時，經由該主箱室可密対之介面，將該基底傳送至該主箱室之中。 67.根據申請專利範圍第66項之方法，包含將該基底放置於該邊界上之步驟。項之方法，包含之步驟藉以將該邊界移動於該 68·根據申請專利範圍第65 為，使用耦合於該邊界的致動器，開啟以及關閉位置之間。 •根據申請專利範圍第62項之方至P早壁之邊界包含以直

相對於子箱室内部表面;I (1) 一基底支承表面：，可相對於配置在者(⑴-子箱室内⑻ ，·或者⑴υ-其底支？：之内的基底支承表㈣該基底支承表:以及^面以及—子箱室内部表面，肩動。 …目室内部表面係相對於彼此可 ’包含之步驟的結構之間移為，藉由在該邊界 "以及關聯於該主動一播塊裝置來保持該子箱室内部流 58 1296816 71. 根據申請專利範圍第70項之方法，其中使該擋塊裝置以機械方式接觸該主箱室障壁。 72. 根據申請專利範圍第71項之方法，其中該擋塊裝置係以機械方式關聯於該主箱室障壁。 73. 根據申請專利範圍第62項之方法，包含之步驟為，使用真空源藉以降低該主箱室内部壓力。 74. 根據申請專利範圍第62項之方法，包含之步驟為，經由與該主箱室内部流體連通之排氣孔清洗該主箱室内部。 75. 根據申請專利範圍第62項之方法，其中該處理媒介包含已增加密度的二氧化礙。 76. 根據申請專利範圍第75項之方法，其中該已增加密度的二氧化碳包含超臨界之流體二氧化碳。 77. 根據申請專利範圍第75項之方法，其中該已增加密度的二氧化碳包含液體之二氧化碳。拾壹、圖式：如次頁。 59