DE102017216962A1 - Mikromechanische Sensoranordnung - Google Patents

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DE102017216962A1
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Monika Koster
Denis Gugel
Jan Waldmann
Michael Jaax
Benny Pekka Herzogenrath
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine mikromechanische Sensoranordnung umfassend eine Masse, welche zumindest in z-Richtung auslenkbar ist, wobei an der Masse auf zumindest einer der in z-Richtung orientierten Seiten über eine Verbindungseinrichtung eine federnd ausgebildete Anschlagseinrichtung angeordnet ist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft eine mikromechanische Sensoranordnung umfassend eine Masse, welche zumindest in z-Richtung auslenkbar ist.
  • Die Erfindung trifft weiter ein Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Sensoranordnung.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung allgemein auf mikromechanische Sensoranordnungen anwendbar ist, wird die vorliegende Erfindung in Bezug auf mikromechanische Inertialsensoren erläutert.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung allgemein auf beliebige auslenkbare Massen anwendbar ist, wird die vorliegende Erfindung in Bezug auf eine seismische Masse eines Feder-Masse-Systems erläutert.
  • Mikromechanische Inertialsensoren werden unter anderem als Beschleunigungssensoren oder Neigungssensoren verwendet. Bei mechanischer Überlast kommt deren seismische Masse in Berührung mit festen Anschlagsstrukturen, welche die weitere Bewegung der seismischen Masse einschränken. Der Ausschlag der seismischen Masse kann dabei parallel zu einer Ebene des Substrats, als auch bei Beschleunigung und Drehratensensoren senkrecht zur Substratebene erfolgen. Im letzteren Fall sind dann Anschlagsstrukturen senkrecht zur Substratebene angeordnet. Beim Auftreten einer mechanischen Überlast kann die seismische Masse an der Anschlagsstruktur anhaften. Bei Überlast können sich zudem die Anschlagsstrukturen und/oder die seismische Masse aufgrund der beim Anschlag übertragenen kinetischen Energie verformen.
  • Aus der US 2010/007874 A1 ist eine mikromechanische Sensoranordnung bekannt geworden, die eine Masse umfasst, welche in z-Richtung auslenkbar ist. Hierbei weist die Masse ein mit der Masse verbundenes zusätzliches Federelement auf, welches in der Ebene der Masse angeordnet ist und in z-Richtung auslenkbar ist und das ausgebildet ist, eine Kraft entgegen der Auslenkungskraft der Masse bereit zu stellen.
  • Aus der US 2016/0094156 A1 ist ein mikromechanischer Sensor bekannt geworden. Der mikromechanische Sensor umfasst ein Feder-Massesystem. Darüber hinaus sind Anschläge auf einem Substrat für die Masse des Feder-Massesystems angeordnet. Die Anschläge sind dabei auf einem plattenförmigen flexiblen Element angeordnet, das wiederum auf festen Lagerpunkten angeordnet ist.
  • Aus der KR 2015/0090629 A ist ein mikromechanischer Sensor mit einer Membran bekannt geworden, die Anschläge für eine auslenkbare Masse aufweist. Die Membran samt Anschlägen ist dabei oberhalb und unterhalb der auslenkbaren Masse fest angeordnet.
  • Offenbarung der Erfindung
  • In einer Ausführungsform stellt die Erfindung eine mikromechanische Sensoranordnung bereit, umfassend eine Masse, welche zumindest in z-Richtung auslenkbar ist, wobei an der Masse auf zumindest einer der in z-Richtung orientierten Seiten über eine Verbindungseinrichtung eine federnd ausgebildete Anschlagseinrichtung angeordnet ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform stellt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einem der Ansprüche 1-11 bereit, wobei nacheinander eine Anschlagsschicht umfassend die Anschlagseinrichtung und die dünne Schicht, eine Verbindungsschicht, umfassend die Verbindungsstruktur, und die Masse hergestellt wird, wobei nacheinander für jede Schicht:
    • - Material für diese Schicht abgeschieden wird,
    • - das abgeschiedene Material strukturiert wird,
    • - eine Opferschicht auf das strukturierte Material abgeschieden wird, und
    • - die Opferschicht strukturiert wird,
    und wobei anschließend alle Opferschichten entfernt werden.
  • Einer der damit erzielten Vorteile ist, dass eine Reduktion der übertragenen kinetischen Energie im Überlastfall ermöglicht wird. Ein weiterer Vorteil ist, dass damit Beschädigungen und Verformungen von mikromechanischen Strukturen vermieden werden. Ein weiterer Vorteil ist, dass eine Adhäsion der ausgelenkten Masse an einer Anschlagsstruktur, einem Substrat oder dergleichen vermieden oder zumindest die Wahrscheinlichkeit für eine Adhäsion reduziert wird.
  • Der Begriff „z-Richtung“, in Bezug auf eine Auslenkung, ist im weitesten Sinne zu verstehen und bezieht sich in den Ansprüchen, vorzugsweise in der Beschreibung auf eine beliebig orientierte Auslenkrichtung.
  • Weitere Merkmale, Vorteile und weitere Ausführungsformen der Erfindung sind im Folgenden beschrieben oder werden dadurch offenbar:
  • Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung ist die Verbindungseinrichtung in Form einer Verbindungschicht angeordnet. Einer der damit erzielten Vorteile ist, dass damit die Verbindungseinrichtung auf einfache Weise herstellbar ist.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung umfasst die Anschlagseinrichtung eine dünne Schicht, insbesondere hergestellt aus Silizium, die auf ihrer der Masse abgewandten Seite zumindest einen Anschlag aufweist. Vorteil hiervon ist, dass damit eine effiziente Federwirkung durch Zusammenwirken des Anschlags mit der dünnen Schicht bereitgestellt wird. Darüber hinaus ist das Anbringen beziehungsweise Aufbringen von Anschlägen auf einfache Weise möglich. Unter einer dünnen Schicht ist hier insbesondere eine Schicht zu verstehen, deren Dicke in z-Richtung wesentlich kleiner ist als die Dicke der Masse, vorzugsweise weniger als 25 %, insbesondere weniger als 20 %, insbesondere weniger als 15 %, bevorzugt lediglich 10 % der Dicke der Masse in z-Richtung aufweist. Das Verhältnis der Dicke der dünnen Schicht und der Erstreckung der Anschläge in z-Richtung beträgt vorzugsweise zwischen 1 und 15, insbesondere zwischen 2 und 7, vorzugsweise 3. Die Größe der Erstreckung der Anschläge in z-Richtung und der Dicke der dünnen Schicht liegen insbesondere zwischen 0,25 µm und 2 µm.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung sind mehrere Anschläge angeordnet, die zumindest in z-Richtung unterschiedliche Erstreckung und/oder unterschiedliche Stetigkeit aufweisen. Damit wird zum einen eine feine Unterteilung der Dämpfung der Masse durch die Anschläge ermöglicht, zum anderen kann durch die Anordnung von mehreren Anschlägen in äußerst flexibler Weise eine Dämpfungswirkung mittels der Dämpfungsanordnung durch die Anordnung beziehungsweise Ausbildung der Anschläge zur Verfügung gestellt werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung weisen die Anschläge in zumindest eine Richtung entlang der dünnen Schicht zunehmende Erstreckung in z-Richtung auf. Damit lässt sich in äußerst flexibler Weise eine abgestufte Dämpfung entlang der zumindest einen Richtung zur Verfügung stellen.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung weist die dünne Schicht zumindest eine Ausnehmung und/oder zumindest ein Loch und/oder zumindest eine Erhebung auf. Einer der damit erzielten Vorteile ist, dass die Dämpfungswirkung beziehungsweise die Federwirkung der dünnen Schicht auf einfache und gleichzeitig äußerst flexible Weise an vorgegebene Bedingungen angepasst werden kann.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung sind mehrere Ausnehmungen und/oder Löcher in periodischer und/oder symmetrischer Weise angeordnet. Vorteil hiervon ist, dass eine Strukturierung der dünnen Schicht zur flexiblen Festlegung der Dämpfungswirkung beziehungsweise der Federwirkung auf einfache Weise erfolgen kann.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung sind Anschläge mit einer höheren Steifigkeit in Bereichen der dünnen Schicht angeordnet, die mit der Verbindungseinrichtung verbunden sind. Damit wird ein übermäßiges Durchbiegen der dünnen Schicht verhindert.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung sind mehrere Anschläge asymmetrisch auf der dünnen Schicht angeordnet. Mittels einer asymmetrischen Anordnung kann ein Kippmoment bereitgestellt werden, was die Adhäsionsneigung der Anschläge bei Überlast an einem Substrat oder dergleichen weiter vermindert.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung ist die Verbindungseinrichtung in U-Form ausgebildet und an zwei gegenüberliegenden Seiten der dünnen Schicht angeordnet, wobei die jeweiligen Ecken abgerundet sind. Damit wird ein Eintrag von Stress, Verwindungen oder dergleichen auf die dünne Schicht mittels der Verbindungseinrichtung vermieden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung ist die Masse als seismische Masse als Teil eines Feder-Masse-Systems ausgebildet. Auf diese Weise kann ein äußerst zuverlässiger Inertialsensor zur Verfügung gestellt werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung wird das strukturierte Material von zumindest einer der Schichten nach Strukturieren der jeweiligen Opferschicht erneut strukturiert. Dies ermöglicht beispielsweise eine Strukturierung der dünnen Schicht mit Aussparungen oder dergleichen.
  • Weitere wichtige Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen, aus den Zeichnungen, und aus dazugehöriger Figurenbeschreibung anhand der Zeichnungen.
  • Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Bevorzugte Ausführungen und Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert, wobei sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche oder ähnliche oder funktional gleiche Bauteile oder Elemente beziehen.
  • Figurenliste
  • Dabei zeigt in schematischer Form
    • 1 im Querschnitt eine mikromechanische Sensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 2 im Querschnitt eine mikromechanische Sensoranordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 3 eine Draufsicht auf einen Teil einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 4 eine Draufsicht auf einen Teil einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
    • 5 eine Ansicht von unten auf eine dünne Schicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • 1 zeigt in schematischer Form im Querschnitt eine mikromechanische Sensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Im Detail ist in 1 ein Querschnitt durch eine mikromechanische Sensoranordnung 100 gezeigt. Die mikromechanische Sensoranordnung 100 umfasst eine seismische Masse 4, die in z-Richtung 7, also in 1 nach oben beziehungsweise unten translatorisch bewegbar beziehungsweise auslenkbar ist. Auf der Unterseite 4' der seismischen Masse 4 - also einer der beiden Seiten der seismischen Masse 4 in Richtung einer Auslenkung in z-Richtung 7 - ist teilweise eine Verbindungschicht 3 angeordnet, die mit einer dünnen Schicht 2 verbunden ist. Zwischen der seismischen Masse 4 und der dünnen Schicht 2 ist ein nachgiebiger Bereich angeordnet. Dieser wird dadurch gebildet, dass die Verbindungschicht 3 zwischen seismischer Masse 4 und dünner Schicht 2 eine Aussparung 8 aufweist. Auf der der seismischen Masse 4 abgewandten Seite der dünnen Schicht 2 sind zwei Anschläge 5 und 6 gezeigt. Der Anschlag 5 weist eine größere Dicke in z-Richtung 7 auf als der zweite Anschlag 6. Darüber hinaus ist der Anschlag 5 weiter außenliegend bezogen auf den Mittelpunkt (hier nicht gezeigt, dieser liegt im Bereich im weiteren Verlauf der seismischen Masse nach rechts in 1) der seismischen Masse 4 als der Anschlag 6. Die seismische Masse 4 kann dabei aus Silizium hergestellt sein, ebenso die Verbindungschicht 3. Seismische Masse 4 und Verbindungsschicht 3 sind mechanisch fest mit der dünnen Schicht 2, die ebenfalls aus Silizium sein kann hergestellt, verankert beziehungsweise verbunden. Die beiden Anschläge 5 beziehungsweise 6 können aus Silizium, Siliziumnitrid oder Germanium hergestellt sein.
  • Wird nun die bewegliche mikromechanische Sensoranordnung 100 durch mechanische Überlast in negative z-Richtung 7 ausgelenkt, so setzt zuerst der erste Anschlag 5 auf einer unbeweglichen Silizium-, Siliziumnitrid-, Kupfer- oder Aluminiumschicht mit Substratanbindung 1 auf. Bei weiterer Auslenkung gibt die dünne Schicht 2 der Bewegung nach und absorbiert dabei einen Teil der kinetischen Energie der Überlast. Ab einer bestimmten Auslenkung der dünnen Schicht 2 in negative z-Richtung 7 setzt dann der zweite Anschlag 6, welcher hier eine höhere Steifigkeit aufweist als der erste Anschlag 5, auf der unbeweglichen Siliziumschicht 1 auf und die bewegliche Masse 4 der mikromechanischen Sensoranordnung 100 kommt zum Ruhen.
  • 2 zeigt in schematischer Form im Querschnitt eine mikromechanische Senderanordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 2 ist im Wesentlichen eine mikromechanische Sensoranordnung 100 gemäß 1 gezeigt. Im Unterschied zur mikromechanischen Anordnung 100 gemäß 1 weist die mikromechanische Sensoranordnung 100 gemäß 2 nun gleich ausgebildete Anschläge 5, 5' auf. Darüber hinaus ist die mikromechanische Sensoranordnung 100 nun als z-Wippe ausgebildet, das heißt anstelle einer translatorischen Bewegung der seismischen Masse 4 gemäß 1 kann diese nun eine rotatorische Bewegung ausführen. Es kann hier somit auf den zweiten Anschlag mit festerer Steifigkeit, in 1 mit Bezugszeichen 6 bezeichnet, verzichtet werden. In 2 sind zwei gleich ausgebildete Anschläge 5, 5' angeordnet, die zum einen gleiche Erstreckung in z-Richtung aufweisen zum anderen auch aus dem gleichen Material beziehungsweise der gleichen Schicht hergestellt wurden.
  • 3 zeigt in schematischer Form eine Draufsicht auf einen Teil einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 3 ist im Detail eine Draufsicht auf eine strukturierte dünne Schicht 2 aus Silizium einer mikromechanischen Sensoranordnung 100 gezeigt. Angedeutet ist weiter ein in die Zeichenebene der 3 hineinragender Anschlag 5 in der Mitte der dünnen Schicht 2. Rechteckförmig umrandet wird die dünne Schicht 2 durch eine Verbindungseinrichtung 3. Darüber hinaus weist die dünne Schicht 2 in x-Richtung 9 eine kleinere Erstreckung auf als in y-Richtung 9'. Des Weiteren weist die dünne Schicht 2 in x-Richtung 9 drei Reihen rechteckförmiger Aussparungen 10 auf, die dazu dienen, um die Steifigkeit der Anschlagseinrichtung 2, 5 insgesamt anzupassen beziehungsweise einzustellen. Rechteckförmige Aussparungen 10 lassen sich auf einfache Weise herstellen, während insbesondere kreisförmige Aussparungen eine verbesserte Stressentlastung bereitstellen. Die Breite der Aussparungen in y-Richtung 9' kann beispielsweise zwischen 500 nm und 8 µm, insbesondere zwischen 2 µm und 5 µm betragen.
  • 4 zeigt in schematischer Form eine Draufsicht auf einen Teil einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 4 ist im Wesentlichen eine dünne Schicht 2 sowie eine Verbindungseinrichtung 3 gemäß 3 gezeigt. Im Unterschied zur Verbindungseinrichtung 3 gemäß 3 ist die Verbindungseinrichtung 3 gemäß 4 nun lediglich an den schmalen Seiten 11, 11' der dünnen Schicht 2 angeordnet und rechteckförmig ausgebildet. Damit lässt sich ebenfalls die Steifigkeit der Anschlageinrichtung 2, 5 einstellen. Eine weitere hier nicht gezeigte Abwandlung der Verbindungseinrichtung 3 besteht darin, diese lediglich in y-Richtung 9' über einen Teil der gesamten Schicht 2 jeweils oben und unten zu erstrecken, sodass links und rechts auf den Schmalseiten 11, 11' der dünnen Schicht 2 eine Verbindungseinrichtung 3 in U-Form entsteht. Vorteilhafterweise sind die Übergänge der Verbindungseinrichtung 3 an den Ecken der U-Form abgerundet, was den Stress in der Verbindungseinrichtung 3 reduziert.
  • 5 zeigt in schematischer Form eine Ansicht von unten auf eine dünne Schicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 5 ist eine dünne Schicht 2, hergestellt aus Silizium, mit Ansicht von unten gezeigt. Die dünne Schicht 2 weist dabei keinerlei Strukturierung 10 auf. Weiterhin sind drei Anschläge 5, 5" gezeigt, wobei der Anschlag 5 im Wesentlichen in der Mitte der dünnen Schicht 2 angeordnet ist und in x-Richtung 9 gegenüber den beiden anderen Anschlägen 5" versetzt angeordnet ist. In y-Richtung 9' ist der Anschlag 5 im Wesentlichen in der Mitte der beiden Anschläge 5" angeordnet.
  • Wird nun die dünne Schicht 2 ohne Strukturierung entlang ihrer unteren Längsseite um die y-Achse 9' gedreht, kommt zuerst der obere Anschlag 5 in Kontakt mit einem Substrat und bei weiterer Überlastung dann gleichzeitig die beiden anderen Anschläge 5". Die Anschläge 5, 5" sind beziehungsweise bilden somit eine kaskadierte Anschlagseinrichtung 5, 5". Mit anderen Worten wird eine elastische Anschlagskaskade bereitgestellt. Dies wird durch die in y-Richtung 9' symmetrische Anordnung der Anschläge 5, 5" und deren asymmetrischer Anordnung entlang der x-Richtung 9 ermöglicht.
  • Eine weitere Ausführungsform kann darin bestehen, einen der beiden Anschläge 5" zu entfernen, sodass insgesamt eine asymmetrische Anordnung der Anschläge 5, 5" entsteht. Auf diese Weise kann eine Kippbewegung auf eine damit verbundene seismische Masse 4 ausgeübt werden, was insgesamt ein Verkleben beziehungsweise Festkleben der Anschläge 5, 5" weiter vermindert.
  • Durch den jeweiligen Winkel der Anschläge 5, 5" zueinander beziehungsweise zur Auslenkungsrichtung kann das Kräfteverhältnis zwischen den Anschlägen 5, 5" eingestellt werden. Je größer der Winkel gewählt wird, desto größer sind die Kräfte auf den mittigen Anschlag 5 und desto weniger auf die beiden in x-Richtung 9 seitlichen Anschläge 5".
  • Zur Herstellung der mikromechanischen Sensoranordnung können die Schichten in einem additiven Prozess nacheinander hergestellt werden. So kann beispielsweise zunächst Silizium abgeschieden werden, dieses strukturiert werden und dann mit einer abgeschiedenen und strukturierten Opferschicht, beispielsweise einem Oxid, versehen werden. Anschließend wird erneut Material abgeschieden, strukturiert und mit einer Oxidschicht versehen. In einem weiteren Schritt werden durch Gasphasenätzen die Oxidschichten aus den Zwischenräumen entfernt und die Sensoranordnung damit freigestellt.
  • Zusammenfassend weist die Erfindung unter anderem den Vorteil auf, dass eine Adhäsion an Anschlagstrukturen vermieden werden kann, ebenso wie Beschädigungen der mikromechanischen Sensoranordnung. Darüber hinaus kann eine definierte Aufteilung von Anschlagskräften ermöglicht werden. Ebenso kann eine hohe Rotationssteifigkeit der Anschlagseinrichtung in einer Sensorebene bereitgestellt werden. Durch eine flexible Strukturierung der dünnen Schicht, insbesondere in Form einer dünnen Platte und deren Einspannung, also der Ausbildung der Verbindungseinrichtung, lässt sich in Abhängigkeit der Fläche und Dicke der dünnen Schicht die Steifigkeit der Anschlagseinrichtung senkrecht zu einer Sensorebene einstellen und damit können insbesondere hohe Steifigkeiten erreicht werden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie nicht darauf beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2010007874 A1 [0006]
    • US 2016/0094156 A1 [0007]
    • KR 2015/0090629 A [0008]

Claims (13)

  1. Mikromechanische Sensoranordnung (100), umfassend eine Masse (4), welche zumindest in z-Richtung (7) auslenkbar ist, wobei an der Masse (4) auf zumindest einer der in z-Richtung (7) orientierten Seiten (4') über eine Verbindungseinrichtung (3) eine federnd ausgebildete Anschlagseinrichtung (2, 5) angeordnet ist.
  2. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß Anspruch 1, wobei die Verbindungseinrichtung (3) in Form einer Verbindungsschicht angeordnet ist.
  3. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß einem der Ansprüche 1-2, wobei die Anschlagseinrichtung (2, 5) eine dünne Schicht (2), insbesondere hergestellt aus Silizium, umfasst, die auf ihrer der Masse (4) abgewandten Seite zumindest einen Anschlag (5, 5', 5", 6) aufweist.
  4. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß Anspruch 3, wobei mehrere Anschläge (5, 5', 5", 6) angeordnet sind, die zumindest in z-Richtung (7) unterschiedliche Erstreckung und/oder unterschiedliche Steifigkeit aufweisen.
  5. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß Anspruch 4, wobei die Anschläge (5, 5', 5", 6) in zumindest einer Richtung entlang der dünnen Schicht (2) zunehmende Erstreckung in z-Richtung (7) aufweisen.
  6. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß einem der Ansprüche 3-5, wobei die dünne Schicht (2) zumindest eine Ausnehmung (10) und/oder zumindest ein Loch und/oder zumindest eine Erhebung aufweist.
  7. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß Anspruch 6, wobei mehrere Ausnehmungen (10) und/oder Löcher in periodischer und/oder symmetrischer Weise angeordnet sind.
  8. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß Anspruch 4, wobei Anschläge (5, 5', 5", 6) mit einer höheren Steifigkeit in Bereichen der dünnen Schicht (2) angeordnet sind, die mit der Verbindungseinrichtung (3) verbunden sind.
  9. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß einen der Ansprüche 1-8, wobei mehrere Anschläge (5, 5', 5'') asymmetrisch auf der dünnen Schicht (2) angeordnet sind.
  10. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß einem der Ansprüche 1-9, wobei die Verbindungseinrichtung (3) in U-Form ausgebildet und an zwei gegenüberliegenden Seiten (11, 11') der dünnen Schicht (2) angeordnet ist, wobei die jeweiligen Ecken abgerundet sind.
  11. Mikromechanische Sensoranordnung gemäß einer der Ansprüche 1-10, wobei die Masse (4) als seismische Masse als Teil eines Feder-Masse-Systems ausgebildet ist.
  12. Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einem der Ansprüche 1-11, wobei nacheinander eine Anschlagsschicht umfassend die Anschlagseinrichtung (5, 5', 5") und die dünne Schicht (2), eine Verbindungsschicht (3), umfassend die Verbindungsstruktur, und die Masse (4), hergestellt wird, wobei nacheinander für jede Schicht: - Material für diese Schicht abgeschieden wird, - das abgeschiedene Material strukturiert wird, - eine Opferschicht auf das strukturierte Material abgeschieden wird, und - die Opferschicht strukturiert wird, und wobei anschließend alle Opferschichten entfernt werden.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei das strukturierte Material von zumindest einer der Schichten nach Strukturieren der jeweiligen Opferschicht erneut strukturiert wird.
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