TWI295344B - High-pressure device for operating closures of vessels for clean-room applications - Google Patents
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- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 39
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940127554 medical product Drugs 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 239000002324 mouth wash Substances 0.000 claims 1
- 229940051866 mouthwash Drugs 0.000 claims 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 claims 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 239000010720 hydraulic oil Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000272517 Anseriformes Species 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010061218 Inflammation Diseases 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004054 inflammatory process Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
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- Pistons, Piston Rings, And Cylinders (AREA)
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Description
1295344 狄、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種用於藉由與一導引氣缸結合之對稱 旋轉往復式活塞機構來操作容器閉合件的非常簡潔裝置和 方法,該往復式活塞機構的作動主要係藉由同時在壓力容 器内作為加工流體之介質。該液壓活塞的上側表面至少有 一部份會組成容器閉合件之一個部位,或是被提供有一個 被連接至該閉合件之固定連桿。被用來驅動液壓活塞和施 行加工程序的理想介質係一超臨界流體。 【先前技術】 由半導體製造、光學電子和其他工業所發展之產品範 圍正持續擴大中,而且該產品容許吾人瞭解到藉由微結構 或奈米結構之協助或是依據該微結構或奈米結構所得到的 重要功旎。以上該微結構和奈米結構亦對於在製造過程中 所產生的極少量不純物係特別敏感。於是,在該周圍環境 内所使狀元件的容許污染排纟速率會有更加i格要求。 採用傳統清潔劑係無法完成奈米結構表面所需的潔淨步驟 或疋適且使用的/月潔劑係難以取得。由於超臨界流體能 夠增加潮渔作用和潔淨效果,該超臨界流體已被大量使用 _段時間°以上這些操作狀況所需的加工壓力係、從150巴 到超過300巴,而且通常需要特別的設備。目前,具有適 ,機械性能之高壓設備係無法直接適用於潔淨室操作,或 是甚至不適合用於此種應用範圍。本發明描述了 _種非常 1295344 簡潔設計之高壓單元,此高壓單元係適合於潔淨室之應用 ’而且在當負載交替變換發生於高壓之狀況下時,僅會產 生極少量的污染排放。 使用於壓力超過150巴之狀況下的往復式活塞機構係 以廣泛、不同技術應用之方式而被採用,並且已被適宜地 描述於特定專利與一般技術文獻中。液壓介質為流體和氣 體’其中水以是被使用於超過大約160巴的壓力為較適宜 ,而且液壓油的工作壓力係超過160巴。惰性氣體和空氣 為最常使用之操作介質。液壓油事實上係能夠提供重要的 性能,尤其是確保滑動表面的潤滑效果、低可壓縮性和較 高工作溫度之潛力。 從活塞種類系統中無法完全除去的不利作用包括有特 別是材料腐蝕和液壓流體洩漏。摩擦和壓力作用所導引的 腐蝕(例如是磨耗)、蒸發和液化現象會產生一定程产, 甚至是發生於母體材料本身上,而且特別是發生於密二構 件中。在往復式活塞單元中所發生的材料腐敍現象基本上 係由滑動表面之品質,以及滑動材料元件之機械加工公差 和推封構件之徑向接㈣力與溫度等結果所導致的功能。 液a流體的任何㈣(特㈣漏量係被容納於每一個 在後行程)基本是依據在氣缸室 舻摇厭 至巧之表面品質、黏度、液 體靜壓,以及依據密封系統與 在封構件之設計和密封構件 ,、崔封糸統之徑向接觸壓力而定。 在操作壓力較高之狀況下必 面針的矣而4L 4 4要適宜地潤滑彼此相互 面對的表面和被此相互接觸運 的表面,結果導致產生相 1295344 對應的液壓流體洩漏量。藉由適宜密封系統與高品質表 處理之作用,液壓流體產生洩漏的狀況可以減到最少。妙 而’為了抑制液壓流體洩漏而增加接觸壓力的可能性會2 到密封材料隨著壓力增加而產生劣化與腐蝕之限制,進= 增加污染排放量與短期内產生更大的液壓流體洩漏現象而 此外,負荷承載能力和經濟操作模式的限制亦能夠達到。 從材料磨耗所產生的不純物和來自以上所提及之來源 的洩漏現象在製造區域内是非常不利,特別是在潔淨室加 工程序之應用實例中。潔淨室等級係在例如於din _ 口 聯㈣票準2_中被料。然而,任何種類的污染物對㈣ 上這些加工程序之產品品質係有直接影響,而且高等級的 設施和組織化輸入會被施加,用以將污染量降到最低,同 時所需的相關成本亦隨之提高。特別嚴重的不利狀況係污 染物具有油霧,由於在許多項雁 一 夕項應用實例中,包含有油霧的 污染物係具有化學活性和僅鲊釣 不彳ϊ此夠使用含有溶劑的介質才可 以再次清除該污染物,右關士 有關此點,在潔淨室中係並不需要 ,而且事實上是非常不利。 對於採用尚未充分適宜之、、^ l 之办/尹至元件的更加複雜製造 鏈而言,其區段空間會被分 &^。不適合於潔淨室使用之設 施是被容納在被稱為,,保養區 脣匕域的工作區域内,同時,適 合於潔淨室使用之設施則是祜 疋被女置在被稱為,,白色工作室,, 的工作區域内。該配置方式 Λ & ^具有複雜和昂貴的流體鎖 附種類輸送系統和組織化預防 识I万動作,用以確保來自,,保養區 域”的不純物已被排出。 1295344 已知油液壓往稽+β ^± 设式活塞糸統在潔淨室的使用上是有問 題存在’而且必須 、错由適且排氣糸統(SWISS污染控制5 ( 1 992年)第5號,第R百、> 〜 8頁)之作用,才能夠適合於潔淨室 的應用。當一個壓_ ra β丨,《 , 变^用鑄模是被用來製作空白光碟片時, 油氣沈積會產生於丰忐口 ^ ajl ^ ^ 干成印上。調查結果顯示液壓流體是不 純物的來源。提供、、參、玄h 彳,、4淨至设施使用之適宜處是藉由將密封 概套裝配至每模的遠p ^、也』 、幻連柃和藉由壓製外罩之排氣和來自襯套 之空氣排放的作用而得到。 另外一項更進一步之技術文獻揭示了一種不具有活塞 桿的氣壓氣缸(作者·Ρ v ., , 、扑有· Ε· Fntz博士;第一屆國際流體技 術jolloquium論壇之論文’第二卷,第頁)。提供潔 淨室工作使用之適合處是藉由於在覆蓋條與密封條中間之 空間内產生部份真空而得到。為了達到此項㈣,真空管 路疋被裝配至氣缸官’而且污染物會被排放和輸送出去。 以上所提及之結合排氣系統之往復式活塞機構的一項 缺點S必須採用額外之設備’用以確保得到最少量的微粒 濃度和提供連續操作。 美國專利5,314,574描述了 -種制於晶圓製造設備 中的處理裝置。該項專利文件說明一個活塞系統被提供用 來從加工室内分離出必要的活塞桿和氣虹,導致彈性風箱 被安置於往外突出活塞端板與加工容器底板之間,使得當 活塞施行往復行程時,活塞桿和氣缸均能夠被每一次都^ 展開來的金屬風箱所包覆,於是,確保在潔淨室設備内的 適用性。一種相當的組件亦被說明於該項專利中。然而, 1295344 此種系、统之缺.點是由於其折具有相冑大的表面區域 ,在風箱之外部側邊上的空氣位移主要是會與活塞桿之運 動保持交又,以及每當往復行程被施行時,該线的位移 會被加速。其他缺點則是與複雜的設計有關和由於風箱材 料產生磨耗所導致的適用性變差。 美國專利5, 169, 408描述了一種用於晶圓處理的對稱 旋轉容器,尤^是包含有一個氣壓往復式活塞系統和一個 被進給有晶圓晶片和被用來處理其本身的加工容器。此往 復式活塞系統是由若干個氣壓活塞,以及一個被配置於加 工容器之上側部位中央和被用來升高、降低該容器部位的 氣壓活塞所組成。下側加工容器部位是被連結至若干個被 配置於旋轉軸之外側和被用來升高、降低下側容器部位的 對稱旋轉活塞。在該項專利中所描述之被使用於該容器中 的主要清潔劑是氮氣和水。此項發明的缺點是複雜往復式 活塞系統被提供有若干個活塞來完成一項升高操作,而且 該活塞必須要同步作動。在此項應用實例中,較高壓力特 別是需要所有往復式活塞具有絕對同步的運動,因此,需 要一個複雜的控制單元。於是,在該項專利中所描述之氣 壓往復式活塞會限制住該裝置和方法使用於較低壓力之狀 況〇 美國專利6,〇67, 728揭示了一種使用超臨界二氧化碳 來乾燥晶圓的裝置和加工方法,此種裝置和加工方法亦結 合一個氣壓〜機械式關閉系統。容器蓋板的關閉是藉由— 氣壓活塞和連桿機構之作用而得到,預先施加壓力的作用 1295344 亦是藉由此種配置方式而完丨。上述之容器蓋板是被夾子 固定於定位。在加工室被氣機械式系統關閉之後,一 個或是更多個靜態夹子是以對稱之方式而被安置於該蓋板 的邊緣上。隨著其内部壓力的增#,以上這些關閉夾子是 以機械之方式而被推動㈣容器蓋板和$器底冑的邊緣, 而且能夠於加工過程中,確保提供所需的氣密功能予容器 移 往
以上所提及之發明的一項缺點是具有許多移動件,驾 動件可以被視為是污染物的來源,而且亦會嚴格限制ϋ 復行程的數目和/或每單位時間的加工循環次數。此外 許多操作狀況亦必須要具有複雜的控制裝置。 【發明内容】 本發明之目的是在避免採用額外的排氣和保護系統, 和/或藉由在往復式活塞單元上提供適宜技術與加工程序 相關之解決方案而於可應用的空間内完成特定隔間,和/ 或使用若干或不同方法與操作流體。此外,能夠滿足安全 潔淨室操作狀況之需求和容許具有少 、巧 > 里運動、最少可能數 目的移動件。 本發明提供了 一種符合主要專利由▲主— 寻矛】申δ肖範圍的解決方案 ,而且疋有關一種用於操作潔淨 广“ 以矛至應用之容器閉合件的高 壓裝置,該項裝置主要是由一個 w你座部位和一個具有一被 配置於該部位中間之密封構侔的 、 τβ ,'構件的閉合件所組成,相關的加 工方法則是以至少一種加工流體 矛藉由一個對稱旋轉往復 11 1295344 式活塞系統之作用而被施行,該系統包含至少—個帶有一 的對稱旋轉液麼活塞,液a活塞是於活塞末端處 被連結至該導引氣&,而且於其外側表面上且有至小一 :=和周圍補強材料,使得介於導…與液星活塞之 4的内部空間能夠被分隔成為至少一個下側氣紅室和一個 = 導致至少一個被提供於導引氣紅内的内孔能 句使用在母一個氣缸室1内孔是會與至少一
該和本身収直接㈣心或是經由管件來控制 内孔’用以將加工流體輸送至導引氣缸的氣紅室内和 引氣缸的氣缸室内排出加工流體,1 ^ ^ ^ ^ m w 八寺徵為用於驅動液壓 活基的〜體疋與使用於壓力容器内之加工流體的主要成份 相同’液壓活塞的上側表面是會組成—部份閉合件, 被提供有—個被連結至容器之該閉合件的固定連桿,並且 =:=要部位亦會沿著旋轉軸而移動,是被配 置於液壓活塞之上側表面的相對側邊處,而且該液 的下側表面是要比介;^ ^ , ι
間的接觸表底座部位與容器閉合件部位之 :外’至少有一個滑動表面是被安置於氣缸的内部壁 面側邊上和位於個別不同的活塞表面i,並且由於構件是 彼此相互面對和平行於旋轉軸而㈣,該氣 =相互接觸,且該滑動表面是具有6g%的支撐_ 支撑比例則是在表面結構中,波峰部位與波谷部位相對# =損和/或該滑動表面會被硬化,用以防止滑動表: 12 1295344 •μ 2/天斯田材料是可以被使用,但是,在本發明中所 w迷之该項梦番 " 並不限於是沃斯田材料的群組。 用於侍到鬲支撐比率的方法已被適宜地描述在相關文 府可如用的加工程序包括有例如是搪光、研光和滾筒 打磨。表面、、炎、凑^ 〃、/乡透的硬化作用是可以藉由下列方式而得到: 水虱化法、K〇lsterizing,或是硬鉻電鍍法。以上這些 方法亦為目前最佳的技術和在市面上是能夠由特定公 司來製作完成。 #為了要將控制方式予以最佳化,在本發明中所描述之 咸置的一項實施例提供有至少一個限制器步驟,和/或至 少一個在輸送管線和排放管線和/或出口管線内的額外閥 ^此種配置方式確保位於液壓活塞之上側表面處的接觸 壓力能夠-直超過在加工室内之壓力i,此時,不同的負 載循環與減壓循環在正常之狀況下,均是由閥門來啟動。、 、在此所揭示之裝置的功能使得閥門之切換能夠啟動位 於液壓活塞下側表面下方之空間的加壓作肖,並且藉由流 體之協助而經由輸送管線和内孔來作動容器,於是: •液壓活塞從,,容器開啟,,之位置處移至,,容器關閉,,之 位置處,使得容器被關閉,以及 •閥η被切換至在容器内之加工程序的末端處,使得 位於下側氣缸室和在加工室内的流體能夠被減壓,以及 .閥門的更進一步被切換可以確保在導引氣缸内之上 側氣缸室能夠藉由流體經過輸送管線和内孔而被加壓,使 得該液壓活塞能夠回復到其”容器開啟,,之啟始位置處。 13 1295344 如同以上所描述之内容,加工方法之較佳實施例的特 徵為加工室和下侧氣缸室是同時被進給流體,流到容器内 的進給氣流會被限制住或是延遲,使得在介於容器底座部 位與容器閉合件中間之密封區域内的接觸壓力一直會超過 容器内的壓力。 與先前所提及之加工方法最佳化相類似,其中是具有 一項組成加工方法之增強功能的特點,亦即是容器和下側 氣缸室的同時減壓作用會限制住或延遲從下側氣缸室流出 之流體排放氣流,使得在介於容器底座部位與容器閉合件 中間之密封區域内的接觸壓力一直會超過加工室内的壓力 〇 相較於在此項技術中已習知的系統,在加工室和氣缸 室内之壓力的直接耦合,以及在個別不同活塞運動中之流 體氣流的控制模式大致上是有助於該控制與調節之配置方 式並且亦谷°午在非常咼之壓力下得到較高數目的活塞行 程。 一項加工方法之配置方式所具有的特別優點是一超臨 界流體被用來作為介質,該超臨界流體例如是二氧化碳、 壓縮空氣、氮氣或惰性氣體或是其混合物。低比例的少量 清潔物質是可以被加入至該超臨界流體中。 加工方法提供予流體之更進一步的有利實施例是一種 從乙醇、甲醇、異丙醇和類似物質或其混合物所共同組成 之群體中所得到的高度揮發性介質,或是該高度揮發性介 質亦可以是一種主要是由二氧化碳、氧氣、氮氣、貴重氣 14 1295344 -或“匕口物所組成的氣體。低比例的少量清潔物質是可 以被加入至該流體中。 之加工方法和裝置是非常適合被用 面上和/或於加工室内提供超過16〇 在本發明t所描述 來於液壓活塞之上側表 巴的操作壓力,而且是在超過 裝置和加工方法。 160巴之壓力下,操作該項 另外一項優點的得到是藉由將該項裝置應用至一個與 在半導體卫業和/或在晶圓製造業中所採用之應用方式、 生產方式或加工程序有關的加工方法。 …在本發日月中所描述之裝置的其他應用範圍是在光學、 製杂和二或醫療m業中的加工程序、應用方式或製造 方去藉由在本發明中所描述之裝置的協助,特別是在採 用許多以高壓蒸氣鍋為主之加工程序、封裝和壓製操作的 西療/醫藥產品工業中,以上這些操作程序是能夠被簡化 和加強其功能。 /目,於已習知的往復式活塞系統,於是,在此所揭示 之裝置是特別適用於加工潔淨度要求嚴格的產業,同時, :能夠符合高生產速率和高壓之需求。參考在此所描述之 設計和所必須施行之極少量運動,本裝置為非常簡潔和強 健的型式’使得本裝置亦具有極佳的經濟效益。 【實施方式】 本凌置和加工方法係依據此種配置方式而被加以說明 圖1表示出一個往復式活塞系統和相關的控制單元(2〇 15 1295344 )-中所有的輸达管線、進給管線和排放管 至該控制單元(20) 。 圖2和圖3表示出一個其型式為閥門(20) '閥門( 26)和限制器(27)的典型控制單元。此外,圖形中亦說 明本發明中所揭示之加工方法的施行和在本發明中所描述 之裝置的整合結果。控制循環的作動導致閥門(20)之切 換確保位於液Μ活塞⑴下側表面(⑴下方之空間和容 器(8)能夠被加Μ,此項加a作用的產生則是藉由流體 經過輸送管線和内H門(26)係制來關閉輸送管線 (2 3 ),使得: 移及 •液壓活塞(1 )從,,容器開啟 至’’容器關閉”之位置處(圖3 ) 之啟始位置處(圖 ,使得容器被關閉 2) ,以 •閥門(20)被切換至工作循環的末端處,使得位於 下側氣缸室(12)和在加工室⑺内的流體能夠被減壓, 以及 •閥門的更進一步被切換可以確保纟導引氣缸内之上 側氣缸至(13 )能夠藉由流體經過輪送管線()和内孔 (6)而被加壓,使得該液壓活塞(1)能夠回復到其,,容器 開啟”之啟始位置處。 以下所描述之範例是被用來說明依照本發明的裝置和 加工方法。 圖2表示出本裝置係一個主要由一靜態底座部位和一 可移動式閉合件所共同組成之容器閉合件。一個密封構件 16 1295344 被配置於以上這些元件之間。被安置於 :係被用來以至少一種加工流體而施行該加工方=二 口件的#作係精由-個對稱旋轉往復式活塞系統之 此往復式活塞系統本身則是包含具有導弓丨氣缸(可 移動式對稱旋轉液壓活塞(1 )。 被安置於導引氣紅(4)内的活塞末端S被提供有—個 位於其外部表面上之徑向、周圍補強材料(3),使得介 於導引氣缸與液壓活塞之間的内部空間能夠被分隔成為二 個工作室。該導引氣缸具有一個被連結至每一個該二工作 室的内孔’以上這些内孔本身則是經由輸送管線而被連砝 至閥門。進給管線(21)係被用來供應加工流體和液壓; 體,使得相同的流體能夠被用來驅動活塞和在加工室(7 )内作動。發生於加工t⑺内之加工方法所需要的添 加劑是可以被加入至流體中。 液壓活塞的上側表面係代表著容器(8)之閉合件,而 且是沿著旋轉軸做垂直方向移動。液壓活塞(丨)的下側 表面(11 )係大於在底座部位與閉合件部位之間的接觸表 面。 以上所描述之裝置係在圖2和圖3中被加以說明,而 且其中還包含有閥門(20)連同被配置於排放管線(22) 中的限制器(27 ),以及被安置於進給管線(23 )中的閥 門(26)。 •在往復式活塞循環啟動時,閥門(2 6 )會被關閉。 •閥門(20 )的個別不同設定值是會啟動下側氣缸室 17 1295344 Γ_______^Ί %年^月修(疼)正本^ w反 —— …......,.....,…_一.—. •閥門(20 )的個別不同設定值是會啟動下側氣缸室 (12 )連同流過輸送管線(25 )和内孔(5 )之流體的加 壓作用’於是,容許流體經由内孔(6 )和輸送管線(24 )而彳文上側氣缸室(丨3 )内被同時排出。在此初始階段, 官線(23、24)係藉由閥門(20、26)關閉。 •當在輸送管線(23 )内和在上側表面(1 〇 )處的預 疋壓力到達一段預設時間之後,閥門(26 )會開啟,並且 加工至(7 )經由内孔(9 )和管線(28 )而被充滿流體。 裝載完畢的加工流體則是經由内孔(30 )和管線(31 )而 被排放出去。 在加工至(7 )内之加工循環的末期,由於流體經由 内孔(9 )和官線(29 )而被排放出去,閥門(26 )的定 位將會造成加工室(7 )被減壓。 在減壓的過私中或是在減壓作用結束之後,閥門( 2〇)的定位會確保流體經由輸送管線(24)和内孔(6) 而被進給至上側氣缸室(! 3 ),而且同時經由管線⑺) 和内孔(5)來將下側氣缸室(12)減壓。此結果會導致 液壓活塞回復至其,,容器開啟,,之位置處,使得加工室能夠 被裝載流體或是排放流體。 則會回復到整個工作循環之啟始位置處 如同以上所描述之内容,谪人a、切 ^ 迥口於春淨室應用之裝置 具有的優點係能夠以流體來同時將加工室(7 )和下側 缸室(12)加壓,並且經由瞢飧r9q、 且左由&線(23)而將流到容器( 18 1295344 )内的進給氣流加以限制或是延遲,使得在介於容器底座 部位與容器閉合件部位中間之密封表面内的接觸壓力一直 - 會超過容器内的壓力。 與先前所提及之最佳化作用相類似的另外一項實施例 亦具有-項優點,Φ即是容器(8)和下侧氣缸室(12) · 的同時減壓作用會限制住或延遲從下側氣缸室(12)流出 - 之流體排放氣流,使得在介於容器(8)底座部位與容器 (8)閉合件部位中間之密封表面内的接觸壓力一直會超 過加工室(7)内的壓力。 ^ 【圖式簡單說明】 (一)圖式部分 圖1到圖3表示出本裝置之剖面圖。 圖1 ··具有控制單元之往復式活塞系統。 圖2:在啟始位置處(”容器開啟”)之往復式活塞 統。 / 圖3 :往復式活塞系統(,,容器關閉”。 φ (二)元件代表符號 1 ·液壓活塞 3·徑向周圍補強材料 内孔 7·壓力容器加工室 内孔 2·液壓活塞衝柱 4.導引氣缸 6.内孔 8.壓力容器 10.液壓活塞上側表面 19 1295344 11.液壓活塞下側表面 13.上側氣缸室 15.滑動表面 17.密封構件 19.密封構件 21.進給管線 23.輸送管線 25.連結下側氣缸室之輸 送管線 27.閥門/限制器 29.管線 31.管線 12.下側氣缸室 14.滑動表面 16.滑動表面 18.密封構件 20.控制單元/閥門 22.排放管線 24.連結上側氣缸室之輸 送管線 26.閥門/限制器 2 8.輸送管線 30.内孔
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Claims (1)
1295344 拾、申請專利範圍: 1· 一種用於操作容器⑴之閉合件和適合於潔淨室應 用的高壓裝置’該高壓裝置係由一個底座部位和一個且: -被配置於該部位中間之密封構件的閉合件所組成,相關 的:工方法則是以至少一種加工流體和藉由一個對稱旋轉 在復式活塞系統之作用而被施行,該系統包含至少—個帶 有導引氣缸(4)的對稱旋轉液壓活塞⑴,液壓活塞 ⑴係於活塞末端處而被連結至該導引氣缸⑷,而且 於其外側表面上具有至少一個徑向和周圍補強材料㈠) ’使侍介於導引氣缸(4 )與液壓活塞⑴之間的内部空 :能夠被分隔成為至少一個下側氣缸室⑴“。一個上側 孔缸至(13),導致至少—個被提供於導引氣缸⑷内 的内孔(5、6)能夠被使用在每—個氣缸室(12、13), 及内孔(5、6 )係會與至少一個控制單元(2〇 )相連結, 6亥控制早兀本身則是直接控制内孔或是經由管線(Μ、託 )來控制Θ孔,該可設定單元控制輸送至導引氣缸(4) 的氣缸室(12、13)内和從導弓丨氣缸⑷的氣缸室(12 、13 )内排出加工流體, 其特徵為: 用於驅動液壓活塞(丨)的流體係與使用於壓力容器 (8 )内之加工流體的主要成份相同,而且該加工流體為 一超臨界氣體或是一高度揮發性流體, 该液壓活塞的上側表面會組成一部份閉合件,或是 被提供有一個被連結至容器之該閉合件的固定連桿,並且 21 1295344 该閉合件的主要部位亦會沿著與液壓活塞相關之旋轉轴而 移動’該容器係被配置於係液壓活塞之上側表面的相對側 邊處,而且該液壓活塞的下側表面係要比介於該容器底座 部位與容器閉合件部位之間的接觸表面還要大,以及 一至少有一個滑動表面(14、15、16)係被安置於該 氣缸的内部壁面側邊上和位於個別不同的活塞表面上,並 且由於構件係彼此相互面對和平行於旋轉轴而移動,該氣 缸與活塞表面則會相互接觸,且該滑動表面具有6〇%的支 撐比例’該支撐比例則是在表面結構中,波峰部位與波谷 部位相對應的比例。 2_如申請專利範圍第1項之裝置, 其特徵在於,至少有一個滑動表面(14、15、16)會 承文一硬化加工程序,該滑動表面係被安置於氣缸的内部 壁面側邊上和位於個別不同的活塞表面上,並且當構件彼 此相互面對且平行於旋轉軸而移動時,該氣缸與活塞表面 則會相互接觸。 3·如申請專利範圍第1項之裝置, 其特徵在於’至少有一個與内孔相連結的管線係被提 供有一個直接位於閥門之上游處或下游處的限制器。 4 ·如申請專利範圍第1項之裝置, 其特徵在於: •該閥門之切換能夠啟動位於液壓活塞下側表面下方 之空間的加壓作用,並且藉由流體之協助而經由輸送管線 和内孔來作動該容器, 22 1295344 •於是’該液壓活塞會從”容器開啟,,之啟始位置處移 至”容器關閉”之位置處’使得該容器被關閉, •该閥門被切換至在該容考肉 # 裔内之加工程序的末端處, 使得位於該下側活塞末端下方 ^ Γ 4之空間内和在加工室内的流 體能夠被減壓, •閥門的更進-步被切換可以確保在該導引氣缸内之 上側氣缸室能夠藉由流體經過輸送管線和内孔而被加壓, 使得該液壓活塞能夠回復到其,,容器開啟,,之啟始位置處。
5·如申請專利範圍第4項之裝置, 其特徵在於,該設定和控制單元包含至少一個間門。 6 ·如申請專利範圍第4項之裝置, 其特徵在於,該設定和控制單元包含至少一個靜態流 體限制器或是動態流體限制器。 7 ·如申請專利範圍第4項之裳置, 其特徵在於,當該容器和氣缸室同時被流體加壓時, 流到該容器和氣缸室内的進給氣流會被限制住和/或延遲
〇 8 ·如申請專利範圍第4項之裝置, 其特徵在於,該容器和下側氣缸室會同時被減壓,從 位:該液壓活塞下側表面下方之氣缸室内所流出的流體排 放氣流係被限制住和/或延遲。 9.如申請專利範圍第7項之裝置, 其特徵在於,該容器和下側氣缸室會同時被減壓,從 位於該液壓活塞下側表面下方之氣缸室内所流出的流體排 23 1295344 放氣流係被限制住和/或延遲。 1〇·如申請專利範圍第1項、第8項和第9項中任何— 項之裝置, 〜其特徵在於,該超臨界流體係為例如是二氧化碳、壓 縮空氣、氮氣或惰性氣體或是其混合物。 U·如申請專利範圍第1項、第8項和第9項中任何_ 項之裝置, 其特徵在於,該高度揮發性流體係來自乙醇、甲醇、 〃丙醇#類似物貝或其混合物所共同組成的群體,或是, 高,揮發性流體,亦可以是一種主要係由二氧化碳、氧= 氮軋貝重氣體或其混合物所組成的氣體。 1 2.如申請專利範圍第1項之装置, 其特徵在於,在該液麼活塞之上側表面上所能夠 的正常工作壓力係大於160巴。 1 3.如申請專利範圍第1項之裝置, 其特徵在於,在該容器内的正常工作壓力係大於⑽ 巴。 14· 一種如中請專利範圍第1項到第13項中任何一項 之裝置的施行方式, 、 其特被在於,該裝置係被使用於 晶圓製造羋中斛γ ^ 守股工業和/或在 關的加工方^^之應用方式、生產方式或加工程序有 之裝1 置5.的 24 1295344 其特徵在於,該裴置係被使用於在 之應用方式、生產方戈十1 十士 業中所採用 生屋方式或加工程序有關的加工方法。 16.-種如申請專利範圍第i項到第中 之裝置的施行方式, 、平任何一項 其特徵在於,該裝置係被使用於在製藥 銥吝口 丁酱士 菜或醫療/醫 市產⑽業中所採用之應用方式、生產方式或加工程序 關的加工方法。 £
拾壹、圈式: 如次頁
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10255231A DE10255231B4 (de) | 2002-11-26 | 2002-11-26 | Hochdruckvorrichtung zum Verschließen eines Druckbehälters im Reinraum |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200419078A TW200419078A (en) | 2004-10-01 |
TWI295344B true TWI295344B (en) | 2008-04-01 |
Family
ID=32308733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092132981A TWI295344B (en) | 2002-11-26 | 2003-11-25 | High-pressure device for operating closures of vessels for clean-room applications |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070037399A1 (zh) |
EP (1) | EP1565656B1 (zh) |
JP (1) | JP2006508307A (zh) |
KR (1) | KR20050074639A (zh) |
CN (1) | CN100401462C (zh) |
AT (1) | ATE340410T1 (zh) |
AU (1) | AU2003298050A1 (zh) |
DE (2) | DE10255231B4 (zh) |
ES (1) | ES2268478T3 (zh) |
HK (1) | HK1086384A1 (zh) |
MY (1) | MY136175A (zh) |
TW (1) | TWI295344B (zh) |
WO (1) | WO2004048783A2 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004032659B4 (de) * | 2004-07-01 | 2008-10-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum chemischen oder elektrolytischen Behandeln von Behandlungsgut sowie die Verwendung der Vorrichtung |
KR100721757B1 (ko) * | 2006-06-08 | 2007-05-25 | 두산디앤디 주식회사 | 웨이퍼 표면연마장비의 세정물질 가압장치 |
CN101912750B (zh) * | 2010-08-18 | 2012-09-05 | 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 | 一种旋转推进装置 |
KR102358561B1 (ko) * | 2017-06-08 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치 |
CN116498755B (zh) * | 2023-06-27 | 2023-08-29 | 中北大学 | 一种超临界二氧化碳压差控制式快速开关阀 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-11-26 DE DE10255231A patent/DE10255231B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-03 MY MYPI20034193A patent/MY136175A/en unknown
- 2003-11-13 JP JP2004554203A patent/JP2006508307A/ja active Pending
- 2003-11-13 KR KR1020057009298A patent/KR20050074639A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-11-13 ES ES03795731T patent/ES2268478T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-13 WO PCT/DE2003/003756 patent/WO2004048783A2/de active IP Right Grant
- 2003-11-13 US US10/536,379 patent/US20070037399A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-13 AT AT03795731T patent/ATE340410T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-11-13 DE DE50305138T patent/DE50305138D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-13 AU AU2003298050A patent/AU2003298050A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-13 EP EP03795731A patent/EP1565656B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-13 CN CNB2003801041564A patent/CN100401462C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-25 TW TW092132981A patent/TWI295344B/zh active
-
2006
- 2006-05-26 HK HK06106114.2A patent/HK1086384A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004048783A3 (de) | 2004-08-05 |
WO2004048783A2 (de) | 2004-06-10 |
DE10255231B4 (de) | 2006-02-02 |
AU2003298050A1 (en) | 2004-06-18 |
CN1717775A (zh) | 2006-01-04 |
WO2004048783A8 (de) | 2005-09-29 |
AU2003298050A8 (en) | 2004-06-18 |
JP2006508307A (ja) | 2006-03-09 |
KR20050074639A (ko) | 2005-07-18 |
DE10255231A1 (de) | 2004-06-09 |
ES2268478T3 (es) | 2007-03-16 |
US20070037399A1 (en) | 2007-02-15 |
DE50305138D1 (de) | 2006-11-02 |
ATE340410T1 (de) | 2006-10-15 |
EP1565656A2 (de) | 2005-08-24 |
CN100401462C (zh) | 2008-07-09 |
TW200419078A (en) | 2004-10-01 |
EP1565656B1 (de) | 2006-09-20 |
HK1086384A1 (en) | 2006-09-15 |
MY136175A (en) | 2008-08-29 |
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