JP2006508307A - クリーンルーム内の容器を閉じる高圧装置 - Google Patents
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Abstract
本発明は、非常に小型な装置及び回転対称な往復系によって容器を閉じる方法に関する。この往復系は、作動ピストン及びガイドピストンを有し主にそれ自身の液体で駆動される。この液体は、工程媒体として容器内で使用される。この場合、動作ピストンの前面の少なくとも一部が、容器の蓋部分を形成するか又はこの蓋部分に固定されて接合されている。この場合、超臨界液体が、ピストンを駆動させる作動媒体として及び工程媒体として理想的に使用される。
Description
本発明は、非常に小型な装置及び回転対称な往復系によって容器を閉じる方法に関する。この往復系は、作動ピストン及びガイドピストンを有し主にそれ自身の液体で駆動される。この液体は、工程媒体として容器内で使用される。この場合、動作ピストンの前面の少なくとも一部が、容器の蓋部分を形成するか又はこの蓋部分に固定されて接合されている。この場合、超臨界液体が、ピストンを駆動させる作動媒体として及び工程媒体として理想的に使用される。
半導体製造，オプトエレクトロニクス産業やその他の工業部門では、多くの製品が常に発展する。これらの製品は、微細構造又はナノ構造を用いて又は基づいて重要な機能を実現する。これらの微細構造及びナノ構造は、特にそれらの生産の間に極めて僅かな不純物に対して極度に影響されやすい。それ故に、許容される汚染に関する最も高い要求が、製造方法の要素に対して課される。ナノ構造の表面に必要な洗浄ステップは、例えば従来の洗浄液によってはもはや不可能であるか又はほとんど不可能である。それ故に最近では、超臨界液体が大規模に使用される。これらの超臨界液体は、改良された湿潤特性及び洗浄特性を呈する。そのため、150 〜300barの工程圧力が必要である。これらの工程発力は、特別な設備を必要とする。機械的に適した高圧機械は、従来ではクリーンルームに適さないか又は直接には適さない。本発明は、クリーンルーム内で使用するための高圧機械に関する。この高圧機械は、高圧レベルでの急激な負荷の変化時でも極めて僅かな汚染しか発生させずかつ非常に小型な形状で構成されている。
150barを超える圧力向けの往復機械が、多様な技術用途並びに特許明細書及び専門書に十分に記載されている。液体及び気体が、作動媒体として使用される。この場合、約160barまでの圧力に対しては水が使用され、160barより上では主に油圧オイルが使用される。不活性ガス及び空気が、従来の気体の作動媒体である。油圧オイルは、高圧の用途に対して重要で肯定的な特性を有する。これらの特性は、特に摺動面の注油，僅かな圧縮率及び温度の高い不変性にある。
ピストン系の補償すべき不完全な有害な効果は、特に材料の磨耗及び作動媒体の漏れである。例えば磨耗，蒸発及び液化のような摩擦や圧力による材料の磨耗が、基礎材料自身及び特に密閉系に対して稀に起こる。往復機械の材料磨耗は、主に摺動面の表面の性状，構成部材の製造公差，密閉材料，パッキンの押圧力及び温度に依存する。
往復工程ごとに特定量生じる作動媒体の漏れは、特に機能的に表面の性状，粘性，シリンダ室内の流体静力学的な圧力，パッキン構造及びパッキン構造の半径方向の押圧力に依存する。
高い作動圧力は、対応する漏れ量を招く接触して磨耗する対向面の十分な注油を要求する。この効果は、適切な密閉系及び高価な表面加工によって低減され得る。漏れを抑える押圧力を上げる可能性は、圧力の上昇と共に同様に汚染を招き短期間に漏れ量を増やすパッキン材料の破損又は磨耗も増大することによって確かに制限されている。さらに、機械的な負荷能力及び経済的な運転が制限される。
材料の磨耗からの不純物及び上述した原因からの漏れは、生産領域内で特にクリーンルームの工程に対して非常に有害である。洗浄度クラスは、例えばＤＩＮ２０８３又は米国連邦規格２０９Ｄで規定される。このような種類の汚染は、これらの工程中の製品の品質に直接影響を与え、装置に関する高い経費と構成に関する高い経費によって抑えられる。このことは、対応するコストにつながる。オイルミストによる不純物が、特に深刻でかつ有害である。何故なら、オイルを含む汚染は、多くの場合に活性であってかつ溶剤を含む物質によって再び除去する必要があるからである。これらの物質は、同様に不都合であるか又は非常に有害である。
クリーンルームに適さない要素及びほとんど適さない要素が使用されるより複雑な作業連鎖に対しては、空間的な隔離が実現される。いわゆる「保守領域」内では、クリーンルームに有用でない設備が格納される。いわゆる「ホワイトルーム」内では、クリーンルームに有用な設備が格納される。「保守領域」からの不純物を保持するため、このような手段は、経費のかかるエアロック及び構成上の安全措置を必要とする。
油圧式往復系はクリーンルームの使用では問題があってクリーンルームの用途に適した吸引によって有用になり得ることが公知である［SWISS Contamination Control 5(1992) 第５号第８頁〜］。ＣＤ板を生産するプレス工具を使用する場合、オイルが半製品に付着する。この不純物の原因は作動油であることが分かっている。閉ざされているスリーブを工具の連接棒に取り付け加圧ハウジングを設けスリーブから空気を吸引することによって、希望のクリーンルーム適用性が得られ得る。
別の専門書は、ピストンロッドなしの構成の空気式シリンダを開示する［Dr.-Ing. E. Fritz; Schritt zum 1. Int. Forum Fluidtechnisches Kolloquium第２巻第２８３頁〜］。部分真空が、カバーストリップと密閉ストリップとの間の空間内に生成されることによって、クリーンルームが有用になる。そのため、真空連結部がシリンダ管に装着され、汚染が阻止される。
微細な粒子を集めることを保証する追加の系が必要である点が、吸引を伴うこの往復機械の欠点である。これらの系は、設置されて持続的に運転する必要がある。
ウェハー生産の範囲で使用される処理装置が、米国特許発明第 5,314,574号明細書中に開示されている。この明細書では、往復系が開示されている。この往復系は、展開可能な金属ベローズが突出しているピストン端部のプレートと処理容器の底板との間に固定されていることによってクリーンリームの適用性を得るために必要な往復ロッド及び往復シリンダを処理室から分離する。往復ピストンが、これらのベローズを通過する。したがって金属ベローズは、ピストンロッド及びピストンシリンダを包囲しかつ往復行程ごとにアコーディオン状に折り畳められるか又は展開される。同様な構造が、米国特許発明第 5,259,407号明細書中に開示されている。空気が金属ベローズの外側で強く押しのけられる点が、これらの系の欠点である。何故なら、比較的大きい表面が折り畳むことによって発生するからである。この表面は、移動方向に対してほぼ横に配置されていて行程ごとに加速される。さらに、構造上の高い経費及び高い負荷のかかるベローズ材の予測される破損のおそれが欠点である。
米国特許発明第 5,169,408号明細書では、ウェハー板を処理する回転対称な装置が開示されている。この装置は、特に空気式往復系及び処理容器を有する。ウェハー板がこれらの処理容器内に入れられ、実際の処理が進行する。この場合、空気式ピストンが、処理容器の上部中心に固定されていてこの容器部分を上げ下げするために使用される。多数の往復ピストンが、下の処理容器部分に沿って回転軸線の外側に回転対称に配置されていて連結されている下の容器部分を上げ下げするために使用される。この米国特許発明第 5,169,408号明細書によって開示された装置で使用される作動媒体は、主に窒素と水である。経費のかかる往復系が、本発明の欠点である。この往復系は、往復行程に対して常に多数の往復ピストンを有する。これらの往復ピストンは、互いに同調させて駆動させる必要がある。特に高圧の場合、往復ピストンを完全に同期させて運転することが必要である。このことは、高い制御経費を必要とする。空気式に駆動される往復ピストンの使用は、開示された装置及び方法の低圧への使用を制限する。
米国特許発明第 6,067,728号明細書は、超臨界ＣＯ2 によってウェハー板を乾燥する装置及び方法を開示する。この場合、空気機械式の密閉系が説明されている。容器の蓋の密閉が、空気式ピストン及びレバー装置によって実現される。この場合、予備加圧が、この配置によって実現される。蓋が、フックによってロックされる。１つ又は多数の静的なフックが、蓋の縁に沿って対称に位置決めされる。このフックのロック部分は、容器の蓋と容器の底の縁によって機械的にずれて内圧が上昇しても処理の間の容器の密閉性を保証する。
汚染に関して危険とみなす必要のある多数の可動部分が、この発明の欠点である。これらの可動部分は、往復数又は単位時間当たりの可能な処理サイクルを必要な手段によって非常に制限する。さらに、多くの工程が経費のかかる制御を必要とする。
米国特許発明第 5,314,547号明細書
米国特許発明第 5,169,408号明細書
米国特許発明第 6,067,728号明細書
本発明の課題は、追加の吸引系及び安全系又は空間的な分割及び多数の若しくは異なる処理液体及び作動液体の使用を実際の往復系に対する構造的で方法技術的な手段によって不要にすることにある。さらに、より確実なクリーンルームの運転の条件を可能な限り僅かな移動及び僅かに移動する構造部材によって実現する構造形を実現しなければならない。
本発明のこの課題は、請求項１にしたがって、クリーンルームの条件下で容器を密閉する高圧装置が、回転対称な往復系によって少なくとも１つの処理液体で処理を実施するためにガイドシリンダを１つずつ有する移動する回転対称な少なくとも１つの作動ピストンから構成され、容器は、主に少なくとも基礎部材と密閉部材とから構成されかつ密閉面をこれらの両部分間に有し、作動ピストンは、ガイドシリンダ内に存在するピストン端部に、外面に放射状に延在する少なくとも１つの拡張部分を有し、その結果、ガイドシリンダと作動ピストンとの間の内部空間が、少なくとも２つのシリンダ室に分割され、ガイドシリンダの少なくとも１つの開口部が、この各シリンダ室に通じ、これらの孔は、直接に又は配管を通じて少なくとも１つの弁に連結されていて、この弁は、ガイドシリンダのシリンダ室の充填及び排除を制御する高圧装置において、作動ピストンを作動させる液体が、圧力容器に入れられる液体の主成分に等しく、この場合、作動ピストンのヘッド領域の少なくとも一部が、密閉部分であるか又は容器の密閉部分に不動に連結されていて、この密閉部分は、作動ピストンに対して同様にほぼ回転軸線に沿って移動し、容器は、作動ピストンの前面に向かって配置されていて、作動ピストンの底面は、容器の基礎部材と密閉部分との間に配置されている加圧面よりも大きいことを特徴とする高圧装置によって解決される。
さらに、摺動面のうちの少なくとも１つの摺動面が、60％を超える支持比を有する。これらの摺動面は、シリンダ面とピストン面とが対向して接触し回転軸線に対して平行に相対移動する領域内のシリンダの内面とピストンの外面とに位置されている。この場合、この支持は、表面構造内の凹部分に対する凸部分の比であり及び／又は摺動面の固着を阻止するため、これらの摺動面は硬くされている。
好ましくは、オーステナイト系の材料が使用される。この場合、本発明の装置は、このグループに限定されない。
高い支持比を実現する方法が、本明細書中に詳しく説明されている。可能な方法としては、例えばホーニング，ラッピングやタンブリングがある。こうして前処理された表面の硬化は、プラズマ窒化，コルステライジング(Kolsterisierung) 又は高クロム化によって実現され得る。これらの方法は、従来の技術とみなされかつ当業者によって商業的に提供される。
最適な制御に関しては開示された装置の本発明の構成は、少なくとも１つのスロットル段及び／又は少なくとも１つの別の弁と供給管及び処理管及び／又は排出管とを連結する点にある。したがって、前面に対する作動ピストンの加圧が、主に弁によって起動される異なる荷重ステップ又は解放ステップの間も処理室内の圧力よりも常に大きいことが保証される。
開示された装置の機能では、液体が、弁を切り換えることによって圧力管及び孔を通じて作動ピストンの底面の下の中空室及び容器に供給される。
・作動ピストンが、開始位置「開いている容器」から位置「閉じている容器」に移行されて容器を密閉する。
・液体が下のシリンダ室内と処理室内で解放されるように、弁が容器内の処理の終了後に切り換えられる。
・引き続き、液体が、別の弁を切り換えることによって圧力管及び孔を通じてガイドシリンダ内の上のシリンダ室に供給される。その結果、作動ピストンが、開始位置「開かれた容器」に再び移行する。
・作動ピストンが、開始位置「開いている容器」から位置「閉じている容器」に移行されて容器を密閉する。
・液体が下のシリンダ室内と処理室内で解放されるように、弁が容器内の処理の終了後に切り換えられる。
・引き続き、液体が、別の弁を切り換えることによって圧力管及び孔を通じてガイドシリンダ内の上のシリンダ室に供給される。その結果、作動ピストンが、開始位置「開かれた容器」に再び移行する。
上述したように、好適な方法は、液体が処理室と下のシリンダ室とに同時に供給される場合に、配管を通じた容器内への供給が抑制されるか又は時間的に遅延される点にある。その結果、容器の基礎部分と密閉部分との間の密閉面内の加圧が、容器内の圧力よりも常に大きい。
この方法の上述した最適化と同様に、さらなる改良では、容器と下のシリンダ室とを同時に解放する場合に、下のシリンダ室からの液体の排出が抑制されるか及び／又は時間的に遅延される。その結果、容器の基礎部分と密閉部分との間の密閉面内の加圧が、処理室内の圧力よりも常に大きい。
処理室内とシリンダ室内の圧力を直接連結し個々の往復ステップで液体の流れを切り換えることによって、制御及び調整が、従来の技術から公知である系に比べて明らかに簡単になる。高い往復数が、非常に高い圧力でも実現可能である。
特に好適な方法では、超臨界液体が液体として使用される。この液体は、例えば二酸化炭素（ＣＯ2 ），圧縮空気，窒素又は不活性ガスであるか又はこれらの混合物から成る。この場合、僅かなパーセントの洗浄物質を添加してもよい。
この方法の別の好適な構成では、揮発しやすい媒体が、液体としてエタノール，メタノール，イソプロパノール及び匹敵する物質又はこれらの混合物から構成されているか又は気体が使用されるグループから使用される。このガスは、主にＣＯ2 ，酸素，窒素，不活性気体又はこれらの混合物から成る。この場合、僅かなパーセントの洗浄物質を液体に添加してもよい。
本発明の装置及び方法は、作動圧力を作動ピストンの前面に対して及び／又は処理室内で160barより上にするためにつまり装置及び方法を160barより上で使用するために適している。
本発明の装置は、半導体産業及び／又はウェハー製造の使用，生産又は方法に関連する処理に対して利用される。
開示された装置を使用する別の好適な範囲は、光学産業，薬品産業及び／又は医療産業の処理，用途又は生産方法である。医療薬品産業では、オートクレーブ処理，梱包工程又は加圧工程が必要である。これらのオートクレーブ処理，梱包工程又は加圧工程は、開示された装置によって簡単になり得て改良され得る。
したがって、好ましくは公知の往復系に関しては、処理の極めて高い純度が要求され同時に高いスループットレート及び高圧が要求される全ての産業部門で非常に好適に使用可能である装置が開示されている。追加の作動液の省略，説明した構造及び最小限の移動変位によって、往復系が非常にコンパクトでありかつ丈夫である。その結果、経済的な観点でも従来の技術に比べて明らかな利点がある。
図１〜３は、装置の縦断面を示す。
図１は、往復系及びアクチュエータを示す。
図２は、開始位置の往復系を示す（「開いている容器」）。
図３は、往復系を示す（「閉じている容器」）。
図１は、往復系及びアクチュエータを示す。
図２は、開始位置の往復系を示す（「開いている容器」）。
図３は、往復系を示す（「閉じている容器」）。
装置及び方法を説明及び例に基づいて詳しく説明する。図１は、図１は、往復系及びアクチュエータ２０を示す。この場合、ここでは例示的に全ての圧力管，供給管及び排出管が、このアクチュエータ２０を通過する。
図２，３は、弁２０，弁２６及びスロット２７としてのアクチュエータを例示的に示す。さらにこれらの図は、説明した本発明の装置に関連した開示された方法の実施を示す。液体が、弁２０を切り換えることによって圧力管及び孔を通じて作動ピストン１の底面１１の下の中空空間及び容器８に供給されるように、この方法は進行する。この場合、弁２６が、圧力管２３を閉鎖する。したがって、
・作動ピストン１が、開始位置「開いている容器」（図２）から位置「閉じている容器」（図３）に移行されて容器を密閉する。
・液体が下のシリンダ室１２内と処理室７内で解放されるように、弁２０が容器内の処理の終了後に切り換えられる。
・引き続き、液体が、別の弁を切り換えることによって圧力管２４及び孔６を通じてガイドシリンダ内の上のシリンダ室１３に供給される。その結果、作動ピストン１が、開始位置「開かれた容器」に再び移行する。
・作動ピストン１が、開始位置「開いている容器」（図２）から位置「閉じている容器」（図３）に移行されて容器を密閉する。
・液体が下のシリンダ室１２内と処理室７内で解放されるように、弁２０が容器内の処理の終了後に切り換えられる。
・引き続き、液体が、別の弁を切り換えることによって圧力管２４及び孔６を通じてガイドシリンダ内の上のシリンダ室１３に供給される。その結果、作動ピストン１が、開始位置「開かれた容器」に再び移行する。
以下に、本発明の装置及びこの装置を使用する方法を例に基づいて詳しく説明する。
図２中に示したように、装置は、容器を密閉する装置を有する。この容器は、主に静的な基礎部分と可動な密閉部分とから構成される。密閉面が、両部分間に配置されている。これらの両部分間に形成されている処理室内では、処理が少なくとも１つの処理液によって実施される。密閉は、回転対称な往復系によって実施される。この往復系は、ガイドシリンダ４を有し移動する回転対称な作動ピストン１から構成される。
ガイドシリンダ４内にあるピストン端部が、外面上で放射状に延在する拡張部分３を有する。その結果、ガイドシリンダと作動ピストンとの間の内部空間が、２つの中空室に分離される。ガイドシリンダ内の各開口部が、これらの両中空空間の各々に至る。この場合、これらの孔は、圧力管を通じて弁に連結されている。処理液体及び作動液体が、供給管２１を通じて供給される。その結果、主に同じ液体が、処理室７内のピストン駆動部と処理とに対して利用される。この場合、添加物を液体に添加してもよい。この添加物は、処理室７内の処理に対して必要である。
作動ピストンの前面は、容器８の密閉部分を示しかつ回転軸線に沿って垂直に延在する。作動ピストン１の底面１１は、容器の基礎部分と密閉部分との間の加圧面よりも大きい。
上述した装置は、図２，３中に示したように主弁２０，排出管２２に連結されているスロット２７及び供給管２３に取り付けられた弁２６を有する。
・弁２６が、往復サイクルの開始に対して閉じられている。
・液体が、圧力管２５と下のシリンダ室１２の孔５を通じて弁２０の位置に供給される。この場合、同時に液体が、上のシリンダ室１３から孔６及び圧力管２４を通じて排出され得る。管２３，２４は、最初は弁２０，２６によって閉じられている。圧力管２３内又は前面１０内の所定の圧力の到達によって又は規定された時間後に、
・弁２６が開かれて、液体が、孔９及び圧力管２９を通じて処理室７に供給される。加圧された処理液が、孔３０及び圧力管３１を通じて排出される。処理室７内の処理の終了後に、
・液体が孔９及び圧力管２８を通じて排出され得ることによって、処理室７内の圧力が、弁２８の位置によって解放される。この解放工程の間に又は引き続き、
・液体が、弁２０の位置によって圧力管２４及び孔６を通じて上のシリンダ室１３に供給される。同時に下のシリンダ室１２内の圧力が、圧力管２５及び孔５を通じて解放される。これによって、作動ピストンが、位置「開いている容器」内に移行し、処理室が解放又は加圧され得る。
・圧力管２３を閉鎖する弁２８の位置に応じて、往復サイクルの開始位置に再び到達している。
・弁２６が、往復サイクルの開始に対して閉じられている。
・液体が、圧力管２５と下のシリンダ室１２の孔５を通じて弁２０の位置に供給される。この場合、同時に液体が、上のシリンダ室１３から孔６及び圧力管２４を通じて排出され得る。管２３，２４は、最初は弁２０，２６によって閉じられている。圧力管２３内又は前面１０内の所定の圧力の到達によって又は規定された時間後に、
・弁２６が開かれて、液体が、孔９及び圧力管２９を通じて処理室７に供給される。加圧された処理液が、孔３０及び圧力管３１を通じて排出される。処理室７内の処理の終了後に、
・液体が孔９及び圧力管２８を通じて排出され得ることによって、処理室７内の圧力が、弁２８の位置によって解放される。この解放工程の間に又は引き続き、
・液体が、弁２０の位置によって圧力管２４及び孔６を通じて上のシリンダ室１３に供給される。同時に下のシリンダ室１２内の圧力が、圧力管２５及び孔５を通じて解放される。これによって、作動ピストンが、位置「開いている容器」内に移行し、処理室が解放又は加圧され得る。
・圧力管２３を閉鎖する弁２８の位置に応じて、往復サイクルの開始位置に再び到達している。
上述したように、クリーンルーム装置の好適な機能では、液体が処理室７及び下のシリンダ室１２に同時に供給される場合に、配管２３を通じた容器８内への供給が抑制されるか又は時間的に遅延される。その結果、容器の基礎部分と密閉部分との間の密閉面内の加圧が、容器内の圧力よりも常に大きい。
上述した最適化と同様に、好適な構成では、容器８及び下のシリンダ室１２の同時の解放時に、この下のシリンダ室１２からの液体の排出が抑制されるか又は時間的に遅延される。その結果、容器８の基礎部分と密閉部分との間の密閉面内の加圧が、処理室７内の圧力よりも常に大きい。
１ 作動ピストン
２ 作動ピストンのヘッド領域
３ ピストン脚の拡張領域
４ ガイドシリンダ
５ 孔
６ 孔
７ 圧力容器の処理室
８ 圧力容器
９ 孔
１０ 作動ピストンの前面
１１ 作動ピストンの底面
１２ 下シリンダ室
１３ 上シリンダ室
１４ 摺動面
１５ 摺動面
１６ 摺動面
１７ パッキン
１８ パッキン
１９ パッキン
２０ アクチュエータ／弁
２１ 供給管
２２ 排出管
２３ 圧力管
２４ 圧力管への／からの上シリンダ室
２５ 圧力管への／からの下シリンダ室
２６ 弁／スロットル段
２７ 弁／スロットル段
２８ 圧力管
２９ 圧力容器
３０ 孔
３１ 圧力容器
２ 作動ピストンのヘッド領域
３ ピストン脚の拡張領域
４ ガイドシリンダ
５ 孔
６ 孔
７ 圧力容器の処理室
８ 圧力容器
９ 孔
１０ 作動ピストンの前面
１１ 作動ピストンの底面
１２ 下シリンダ室
１３ 上シリンダ室
１４ 摺動面
１５ 摺動面
１６ 摺動面
１７ パッキン
１８ パッキン
１９ パッキン
２０ アクチュエータ／弁
２１ 供給管
２２ 排出管
２３ 圧力管
２４ 圧力管への／からの上シリンダ室
２５ 圧力管への／からの下シリンダ室
２６ 弁／スロットル段
２７ 弁／スロットル段
２８ 圧力管
２９ 圧力容器
３０ 孔
３１ 圧力容器
Claims (15)
- 容器８を密閉する高圧装置が、回転対称な往復系によって少なくとも１つの処理液体で処理を実施するためにガイドシリンダ４を１つずつ有する移動する回転対称な少なくとも１つの作動ピストン１から構成され、容器は、少なくとも基礎部材と密閉部材とから構成されかつ密閉面をこれらの両部分間に有し、作動ピストン１は、ガイドシリンダ４内に存在するピストン端部に、外面に放射状に延在する少なくとも１つの拡張部分３を有し、その結果、ガイドシリンダ４と作動ピストン１との間の内部空間が、少なくとも１つの下のシリンダ室１２と１つの上のシリンダ室１３とに分割され、ガイドシリンダ４の少なくとも１つの孔５，６が、この各シリンダ室１２，１３に通じ、これらの孔は、直接に又は配管２４，２５を通じて少なくとも１つのアクチュエータ及び制御ユニット２０に連結されていて、この弁は、ガイドシリンダ４のシリンダ室１２，１３の充填及び排除を制御する高圧装置において、
−作動ピストン１を作動させる液体が、圧力容器８に入れられる液体の主成分に等しく、この液体は、超臨界の気体又は流れやすい媒体であり、
−この場合、作動ピストンの前面の少なくとも一部が、密閉部分であるか又は容器の密閉部分に不動に連結されていて、この密閉部分は、作動ピストンに対して同様にほぼ回転軸線に沿って移動し、容器は、作動ピストンの前面に向かって配置されていて、作動ピストンの底面は、容器の基礎部材と密閉部分との間の加圧面よりも大きく、
−摺動面１４，１５，１６のうちの少なくとも１つの摺動面が、60％を超える支持比を有し、これらの摺動面は、シリンダ面とピストン面とが対向して接触し回転軸線に対して平行に相対移動する領域内のシリンダの内面とピストンの外面とに位置されていて、この場合、この支持は、表面構造内の凹部分に対する凸部分の比であることを特徴とする装置。 - 摺動面１４，１５，１６のうちの少なくとも１つの摺動面が、硬化されていて、これらの摺動面１４，１５，１６は、シリンダ面とピストン面とが対向して接触し回転軸線に対して平行に相対移動する領域内のシリンダの内面とピストンの外面とに位置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
- 孔に連結されている管のうちの少なくとも１つの管が、弁の直前又は直後にスロットル段を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
- ・液体が、弁を切り換えることによって圧力管及び孔を通じて作動ピストンの底面の下の中空室及び容器に供給され、
・作動ピストンが、開始位置「開いている容器」から位置「閉じている容器」に移行されて容器を密閉し、
・液体が底面の下の中空室内と処理室内で解放されるように、調整段及び制御段内の処理の終了後に切り換えられ、
・引き続き、液体が、別の弁を切り換えることによって圧力管及び孔を通じてガイドシリンダ内の上のシリンダ室に供給され、その結果、作動ピストンが、開始位置「開かれた容器」に再び移行することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。 - 調整段及び制御段は、少なくとも１つの弁を有することを特徴とする請求項４に記載の装置。
- 調整段及び制御段は、少なくとも１つの静的な又は動的な液体スロットを有する請求項４又は５に記載の装置。
- 液体が、容器とシリンダ室とに同時に供給される場合、この容器内への供給が抑制されるか及び／又は時間的に遅延されることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の装置。
- 容器内と下のシリンダ室内との圧力が同時に解放される場合、作動ピストンの底面の下のシリンダ室からの液体の排出が抑制されるか及び／又は時間的に遅延されることを特徴とする請求項４又は７に記載の装置。
- 超臨界液体は、例えば二酸化炭素（ＣＯ2 ），圧縮空気，窒素又は不活性ガスであるか又はこれらの混合物から成ることを特徴とする請求項１又は８に記載の装置。
- 揮発しやすい媒体が、液体としてエタノール，メタノール，イソプロパノール及び匹敵する物質又はこれらの混合物から構成されているか又は気体が使用されるグループから使用され、このガスは、主にＣＯ2 ，酸素，窒素，不活性気体又はこれらの混合物から成ることを特徴とする請求項１又は８に記載の装置。
- 作動圧力が、作動ピストンの前面に対して均質に160barより上に達することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の装置。
- 圧力が、容器内で均質に160barより上に達することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の装置。
- 装置又は方法は、半導体産業及び／又はウェハー製造の用途，生産又は方法に関連して使用されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法又は装置の使用。
- 装置又は方法は、光学産業の用途，生産又は方法に関連して使用されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法又は装置の使用。
- 装置又は方法は、薬学又は医療薬学産業の用途，生産又は方法に関連して使用されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法又は装置の使用。
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Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004032659B4 (de) * | 2004-07-01 | 2008-10-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum chemischen oder elektrolytischen Behandeln von Behandlungsgut sowie die Verwendung der Vorrichtung |
| KR100721757B1 (ko) * | 2006-06-08 | 2007-05-25 | 두산디앤디 주식회사 | 웨이퍼 표면연마장비의 세정물질 가압장치 |
| CN101912750B (zh) * | 2010-08-18 | 2012-09-05 | 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 | 一种旋转推进装置 |
| KR102358561B1 (ko) * | 2017-06-08 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치 |
| CN116498755B (zh) * | 2023-06-27 | 2023-08-29 | 中北大学 | 一种超临界二氧化碳压差控制式快速开关阀 |
Citations (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5838010U (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-12 | エスエムシ−株式会社 | 増力シリンダ |
| JPS58157005U (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-20 | 株式会社小松製作所 | 複動シリンダ装置 |
| JPS61119874A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-07 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | シリンダ装置 |
| JPS6317455U (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-05 | ||
| JPS6445131A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-17 | Hitachi Ltd | Cleaning and oxidation of semiconductor wafer |
| JPH01170026A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Chlorine Eng Corp Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPH01204427A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH01238589A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-09-22 | Takeda Chem Ind Ltd | セフェム塩酸塩の結晶 |
| JPH01254660A (ja) * | 1988-04-02 | 1989-10-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 高純度インドールの製造方法 |
| JPH01294516A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Koroido Res:Kk | 多孔質シリカ系ゲルの製造方法 |
| JPH0225447A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 高度不飽和脂肪酸類の製造方法 |
| JPH0298928A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPH02111478A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-04-24 | Union Carbide Corp | 超臨界流体を希釈剤として用い、オリフィスから吹付けるコーティングの静電液体吹付け塗装 |
| JPH02238887A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-21 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 酵素生産物の精製方法 |
| JPH02292216A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-03 | Mori Seiyu Kk | 超臨界炭酸ガス抽出による医薬品類の脱溶剤方法 |
| JPH0331293A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-12 | Coop Vereniging Suiker Unie Ua | 非還元糖と一種類以上の脂肪酸とのエステルを含有する生成物を精製する方法 |
| JPH0351576A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 耐摩耗性油圧装置 |
| JPH03123604A (ja) * | 1988-12-07 | 1991-05-27 | Hughes Aircraft Co | 濃縮相ガスの相変化を用いる洗浄プロセス |
| JPH03127832A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び乾燥装置 |
| JPH03135402A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Hitachi Ltd | 超臨界ガスまたは液化ガス抽出装置 |
| JPH0367704U (ja) * | 1989-10-25 | 1991-07-02 | ||
| JPH03174330A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-07-29 | Seiko Epson Corp | ガラスの製造方法 |
| JPH03503975A (ja) * | 1988-05-03 | 1991-09-05 | リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・ミネソタ | 表面および液体の洗浄方法 |
| JPH03261128A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-21 | Sumitomo Seika Chem Co Ltd | 有機硬化膜の除去方法 |
| JPH03285658A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Shirako:Kk | 無臭海苔及び生理活性物質の製造方法 |
| JPH0417333A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Hitachi Ltd | 基板の超臨界ガスによる洗浄方法及び洗浄システム |
| JPH04505775A (ja) * | 1989-12-14 | 1992-10-08 | フアルミタリア・カルロ・エルバ・エツセ・エルレ・エルレ | 生分解性ポリマーの多孔質スポンジを得るための超臨界流体の使用 |
| JPH06502495A (ja) * | 1990-10-09 | 1994-03-17 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | 超臨界流体クロマトグロフィーを取り扱う多量の注入を行うオンライン多次元クロマトグラフィーシステム |
| JPH06502844A (ja) * | 1990-05-23 | 1994-03-31 | リポジェニックス，インコーポレイテッド | トコトリエノール、トコフェロールおよびトコトリエノール様化合物の回収プロセス |
| JPH08181050A (ja) * | 1995-08-21 | 1996-07-12 | Masaru Nishikawa | レジストの除去方法及び基板の洗浄方法 |
| WO2002084709A2 (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Supercritical Systems Inc. | High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features |
| JP2002327712A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 航空機脚揚降装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5169408A (en) * | 1990-01-26 | 1992-12-08 | Fsi International, Inc. | Apparatus for wafer processing with in situ rinse |
| US5259407A (en) * | 1990-06-15 | 1993-11-09 | Matrix Inc. | Surface treatment method and apparatus for a semiconductor wafer |
| JPH0613361A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US5857368A (en) * | 1995-10-06 | 1999-01-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion |
| CN2257511Y (zh) * | 1996-06-19 | 1997-07-09 | 陈立群 | 多功能油压卸轮器 |
| DE19746241C2 (de) * | 1997-10-20 | 2000-05-31 | Vat Holding Ag Haag | Einrichtung zum Verschließen einer Öffnung |
| US6067728A (en) * | 1998-02-13 | 2000-05-30 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Supercritical phase wafer drying/cleaning system |
| US6334266B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-01-01 | S.C. Fluids, Inc. | Supercritical fluid drying system and method of use |
| US6612317B2 (en) * | 2000-04-18 | 2003-09-02 | S.C. Fluids, Inc | Supercritical fluid delivery and recovery system for semiconductor wafer processing |
| US6497239B2 (en) * | 1999-08-05 | 2002-12-24 | S. C. Fluids, Inc. | Inverted pressure vessel with shielded closure mechanism |
| US6602349B2 (en) * | 1999-08-05 | 2003-08-05 | S.C. Fluids, Inc. | Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces |
| US6508259B1 (en) * | 1999-08-05 | 2003-01-21 | S.C. Fluids, Inc. | Inverted pressure vessel with horizontal through loading |
| US20040003831A1 (en) * | 2000-04-18 | 2004-01-08 | Mount David J. | Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces |
| US20040025908A1 (en) * | 2000-04-18 | 2004-02-12 | Stephen Douglas | Supercritical fluid delivery system for semiconductor wafer processing |
| EP1303870A2 (en) * | 2000-07-26 | 2003-04-23 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
| US20030116176A1 (en) * | 2001-04-18 | 2003-06-26 | Rothman Laura B. | Supercritical fluid processes with megasonics |
| DE10255230A1 (de) * | 2002-11-26 | 2004-06-09 | Uhde High Pressure Technologies Gmbh | Hochdruckvorrichtung und -verfahren zum hydraulisch-pneumatischen Krafthub für Reinraumanwendungen |
| US7225820B2 (en) * | 2003-02-10 | 2007-06-05 | Tokyo Electron Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
| US7077917B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Tokyo Electric Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
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Patent Citations (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5838010U (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-12 | エスエムシ−株式会社 | 増力シリンダ |
| JPS58157005U (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-20 | 株式会社小松製作所 | 複動シリンダ装置 |
| JPS61119874A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-07 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | シリンダ装置 |
| JPS6317455U (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-05 | ||
| JPS6445131A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-17 | Hitachi Ltd | Cleaning and oxidation of semiconductor wafer |
| JPH01238589A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-09-22 | Takeda Chem Ind Ltd | セフェム塩酸塩の結晶 |
| JPH01170026A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Chlorine Eng Corp Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPH01204427A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH01254660A (ja) * | 1988-04-02 | 1989-10-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 高純度インドールの製造方法 |
| JPH03503975A (ja) * | 1988-05-03 | 1991-09-05 | リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・ミネソタ | 表面および液体の洗浄方法 |
| JPH01294516A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Koroido Res:Kk | 多孔質シリカ系ゲルの製造方法 |
| JPH0225447A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 高度不飽和脂肪酸類の製造方法 |
| JPH02111478A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-04-24 | Union Carbide Corp | 超臨界流体を希釈剤として用い、オリフィスから吹付けるコーティングの静電液体吹付け塗装 |
| JPH0298928A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPH03123604A (ja) * | 1988-12-07 | 1991-05-27 | Hughes Aircraft Co | 濃縮相ガスの相変化を用いる洗浄プロセス |
| JPH02238887A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-21 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 酵素生産物の精製方法 |
| JPH02292216A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-03 | Mori Seiyu Kk | 超臨界炭酸ガス抽出による医薬品類の脱溶剤方法 |
| JPH0331293A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-12 | Coop Vereniging Suiker Unie Ua | 非還元糖と一種類以上の脂肪酸とのエステルを含有する生成物を精製する方法 |
| JPH0351576A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 耐摩耗性油圧装置 |
| JPH03174330A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-07-29 | Seiko Epson Corp | ガラスの製造方法 |
| JPH03127832A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び乾燥装置 |
| JPH03135402A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Hitachi Ltd | 超臨界ガスまたは液化ガス抽出装置 |
| JPH0367704U (ja) * | 1989-10-25 | 1991-07-02 | ||
| JPH04505775A (ja) * | 1989-12-14 | 1992-10-08 | フアルミタリア・カルロ・エルバ・エツセ・エルレ・エルレ | 生分解性ポリマーの多孔質スポンジを得るための超臨界流体の使用 |
| JPH03261128A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-21 | Sumitomo Seika Chem Co Ltd | 有機硬化膜の除去方法 |
| JPH03285658A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Shirako:Kk | 無臭海苔及び生理活性物質の製造方法 |
| JPH0417333A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Hitachi Ltd | 基板の超臨界ガスによる洗浄方法及び洗浄システム |
| JPH06502844A (ja) * | 1990-05-23 | 1994-03-31 | リポジェニックス，インコーポレイテッド | トコトリエノール、トコフェロールおよびトコトリエノール様化合物の回収プロセス |
| JPH06502495A (ja) * | 1990-10-09 | 1994-03-17 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | 超臨界流体クロマトグロフィーを取り扱う多量の注入を行うオンライン多次元クロマトグラフィーシステム |
| JPH08181050A (ja) * | 1995-08-21 | 1996-07-12 | Masaru Nishikawa | レジストの除去方法及び基板の洗浄方法 |
| WO2002084709A2 (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Supercritical Systems Inc. | High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features |
| JP2002327712A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 航空機脚揚降装置 |
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