CN1717775A - 用于在洁净室内封闭容器的高压设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种非常紧凑的设备和一种借助于旋转对称的往复式活塞装置封闭容器的方法，该往复式活塞装置包括一个工作活塞和一个导向缸并且基本上通过在容器中作为过程介质使用的相同的流体运行。其中工作活塞的端面形成容器封闭件的至少一部分和与封闭件刚性连接。在此，一种超临界的流体作为工作介质用于驱动活塞并且作为过程介质理想地使用。

Description

用于在洁净室内封闭容器的高压设备
技术领域
本发明涉及一种非常紧凑的设备和一种借助于旋转对称的往复式活塞装置封闭容器的方法，该往复式活塞装置包括一个工作活塞和一个导向缸并且基本上通过在容器中作为过程介质使用的相同的流体运行。其中工作活塞的端面形成容器封闭件的至少一部分或与封闭件刚性连接。在此，一种超临界的流体作为工作介质用于驱动活塞并且作为过程介质理想地使用。
背景技术
在半导体制造、光电工业和其他工业部门中开发了越来越多借助于微米结构或纳米结构或在微米结构或纳米结构的基础上实现主要的功能的产品。这些微米结构和纳米结构在其制造过程中尤其对于非常小的污染物特别敏感。因此对制造工艺的元件关于许可的排放提出非常高的要求。部分地，对于纳米结构的表面所必需的清洁措施通过常用的清洗液是不再可能的或很难的。因此一段时间以来大量地使用具有改进的润湿性能和清洁性能的超临界流体。由此过程压力从150至300bar是必需的，它要求特别的装备。迄今为止机械上适合的高压成套设备不适合或不直接适合于洁净室。本发明描述一种用于在洁净室内使用的高压成套设备，它在高的压力水平上负载快速变换时只产生很小的排放，并且设计成一种非常紧凑的结构形式。
对于压力高于150bar的往复式活塞机构，在各种技术应用中和在专利文献和专业文献中已经充分地描述。流体和气体作为工作介质，其中对于直至约160bar压力使用水而对于高于160bar的压力优选使用液压油。惰性气体和空气是常用的气态工作介质。对于高压应用，液压油具有重要的有利的特性，其中这些特性在于滑动面的润滑、小的压缩性和高的耐热性。
此外，在活塞装置中不能完全补偿的不利效果是工作介质的材料侵蚀和泄漏。摩擦和压力引起的材料侵蚀例如磨损、汽化和液化以微小的程度在基础材料的本身并且尤其在密封装置上发生。在往复式活塞机构中的材料侵蚀基本上取决于滑动面的表面特性和构件的制造公差、密封材料和密封件的径向压紧力以及温度。
此外，在每一个工作冲程中夹带的一定量的工作介质的泄漏在功能上取决于表面特性、粘性、缸内腔中的静压力以及取决于密封结构和其径向的压紧力。
高的工作压力要求彼此接触的和相互滑动的面的有充分的润滑，这导致相应的泄漏量。这种效果可以通过合适的密封装置和高质量的表面处理最小化。但为了抑制泄漏而提高压紧力的可能性是有限的，随着压力的提高也增加了密封材料的损坏和侵蚀，这同样产生排放并且短时间内导致泄漏量的增大。此外，达到可承受机械负载和经济的运行方式的极限。
由上述来源的材料侵蚀和泄漏导致的污染物在制造领域中尤其对于洁净室处理是非常不利的。纯净等级例如在DIN 2083或在联邦标准209D中规定。任一类型的排放直接地影响在该工艺过程中的制造质量并且通过高的设备和组织的费用最小化，这与相应的成本有关。由油雾导致的污染物是特别困难的和不利的，因为含油的排放物经常是化学活性的，并且只能通过含溶解剂的材料重新去除，另一方面它又是洁净室中不期望的并且非常不利。
对于复杂的生产链，在其中使用洁净室适合的并且不太合适的元件，实现一个空间上的分隔。在所谓的“维护区”中安置这些对洁净室不适合的装备，并且在所谓的“绝对清洁室”中安置洁净室适合的装备元件。这些解决方案需要耗费的闸门和机构措施，以便阻挡来自于“维护区”的污染物。
已知的是，油压的往复式活塞装置在洁净室中的使用有问题，并且通过合适的抽吸可以适合用于洁净室[瑞士污染控制5(1992)，第5期，第8页]。在使用压制工具用于制造CD片时，在半成品上出现油粘附物。实验表明，该污染物的来源是液压油。通过在工具的推杆上安装封闭的密封圈和抽吸压制机壳体以及来自密封圈的空气可以建立所期望的洁净室的适宜性。
另一专业论文公开一种没有活塞杆的的结构的气动缸[Dr.-ing.E.Fritz；第1篇，流体技术学术论坛，第2卷，第283页及其后]。洁净室的适宜性通过以下措施达到，即在覆盖带和密封带之间的空间中产生一部分真空。由此在缸管上安装真空接头并且导出排放物。
在上述带抽吸的往复式活塞装置中不利的是，需要安装而且必须永久地运行额外的用于保证颗粒浓度最小化的装置。
在专利文献US5,314,574中公开一种处理装置，它在晶片制造的领域内使用。在所述的文献中公开一种往复式活塞装置，为了达到洁净室的适用性，该往复式活塞装置以这样的方式将所需的往复式活塞杆和缸与过程腔隔开，即，可展开的金属波纹套固定在伸出的活塞端板和过程容器的底板之间，所述活塞穿过该底板。因此，该金属波纹套套在活塞杆和活塞缸上并且在每一个往复运动过程中手风琴式地折叠和展开。在专利文献US5,259,407中公开了一种类似的结构。在这样的装置中的缺点是，大量的空气在金属波纹套的外侧挤压，因为通过折叠产生相对大的表面，该表面基本上横向于移动方向设置并且在每一个往复运动时加速。此外不利的是，高的结构费用和受高应力的波纹套材料的可预料到的易损坏性。
在专利文献US5,169,408中公开一种用于处理圆晶片的旋转对称的装置，其中它包括一个气动往复式活塞装置和一个过程容器，在该过程容器中放入圆晶片并且进行实际的处理。该往复式活塞装置还包括多个气动驱动的往复式活塞，其中一个气动活塞对中地固定在过程容器的上部的部分上，并且用于上升和下降容器部件。在下部的的过程容器部分上，在旋转轴线之外旋转对称地安装多个往复式活塞，并且用于上升和下降所连接的下部的容器部分。在由专利文献US5,169,408公开的装置中使用的工作介质基本上为氮气和水。对该发明不利的是昂贵的往复式活塞装置，该往复式活塞装置对于一个往复运动过程设置越来越多的必须相互协调驱动的往复式活塞。尤其在高压时，需要所述活塞绝对同步的运行方式，这需要高的控制费用。所述气动驱动的往复式活塞的使用限于将已公开的装置和方法在低压时使用。
US6,067,728公开一种用于借助超临界的CO2来干燥圆晶片的装置和方法，其中描述一种气动-机械的封闭装置。容器的封闭通过一个气动活塞和一个杠杆装置实现，其中通过这种结构实现预压。盖的闭锁通过夹子实现。在过程腔的气动-机械封闭之后，一个和多个静止的夹子对称地定位在盖的边缘上。夹子被机械地推动超过容器盖和容器底部的边缘并且保证在内压升高时处理期间容器的密封性。
发明内容
本发明的目的在于，通过结构的和工艺技术的解决方案，在实际的往复式活塞装置上避免附加的抽吸装置和安全装置以及空间的划分和多个即不同的过程流体和工作流体的使用。此外应该达到这些结构形式，用尽可能小的移动和尽可能少的移动构件达到可靠的洁净室运行的要求。
本发明按独立权利要求通过以下措施达到该目的，即通过用于在洁净室的条件下封闭容器的高压设备，它基本上包括至少一个基础件和一个封闭件并且具有一个在所述两个部件之间的密封面，为了进行处理，通过至少一种过程流体借助于一旋转对称的往复式活塞装置，该往复式活塞装置包括至少一个移动的旋转对称的各带一个导向缸的工作活塞，并且工作活塞在位于导向缸中的活塞端部上具有至少一个在外表面上径向环绕的增强部，使得在导向缸和工作活塞之间的内腔被分成至少两个缸内腔，并且在导向缸中至少一个孔通向每一个缸内腔，以及这些孔直接地或经由管与至少一个阀相连接，该阀控制导向缸的缸内腔的输入和排出，其特征在于，用于驱动工作活塞的流体与在压力容器中使用的流体的主要成分是相同的，其中工作活塞的头部区域至少是封闭件的一部分或与容器的封闭件刚性地连接，并且这个封闭件相对于工作活塞同样基本上沿旋转轴线移动，并且容器设置在工作活塞端面的对面，并且工作活塞的底面大于设置在容器基础件和封闭件之间的压紧面。
此外，滑动面中的至少一个滑动面具有一个大于60％的支承比(Tragverhaeltniss)，其中所述支承比为表面结构中凸出部分和凹下部分的比值，和/或该滑动面是淬硬的，以便防止滑动面咬住，所述滑动面在缸内表面和活塞表面上定位在缸表面和活塞表面相互接触地对置并且平行于旋转轴线相互地移动的那些区域内。
优选使用奥氏体材料，在此按本发明的设备不限于这样材料组。
用于制造高的支承比的方法在文献中已广泛地描述。例如珩磨、研磨或滚压作为可能的方法可供使用。这样预处的表面的淬硬可以借助于离子渗氮、表面富碳处理(Kolsterisierung：不损失耐蚀性的奥氏体不锈钢表面硬化)或硬镀铬实现。这些方法被视为现有技术并且在商业上由专门的公司提供。
对于最优化的控制，已公开设备的一种按本发明的结构在于，在输入管道和排出管道和/或排出管中接入至少一个节流器和/或至少一个其他的阀。由此保证，工作活塞在端面上的压紧力在基本上通过阀触发的不同的加载步骤和卸载步骤期间总是大于过程腔中的压力。
已公开设备的功能这样地运行，使得通过阀的操纵使在工作活塞底面下方的空腔和容器经压力管道和孔用流体加载，继而
·工作活塞从初始位置“容器打开”移动至“容器关闭”的位置，并且封闭容器，以及
·在容器中工艺过程结束之后，这样操纵阀，使在下部的缸内腔和过程腔中的流体卸载，以及
·接着通过继续操纵阀，在导向缸中的缸空腔经压力管道和孔用流体加载，使得工作活塞重新移到初始位置“容器打开”。
如上所述，一种有利的方法实施例在于，当过程腔和下部的缸内腔同时以流体加载时，至容器中的输入流通过被节流和/或时间上延迟，使得在容器的基础件和封闭件之间的密封面上的压紧力总是大于在容器中的压力。
类似于上述方法的优化，可以在其中看出进一步的构成，即当容器和下部的缸内腔同时卸载时，从下部缸内腔的流体排出被节流和/或在时间上延迟，使得在容器的基础件和封闭件之间的密封面上的压紧力总是大于在过程腔中的压力。
通过直接地耦联在过程腔和缸内腔中的压力以及通过在各个往复运动的步骤中错接流体流，相对于装置简化了控制和调节，如其从现有技术中清楚已知的那样，并且也可以在很高的压力的情况下实现多个往复运动数量。
一种特别有利的方法的实施例在于，使用超临界的流体作为流体，并且所述流体为例如二氧化碳(CO2)、压缩空气、氮气或一种惰性气体，或者由它们组成的混合物。其中可以在所述流体中以小的百分比加入一种洁净物质。
本方法另一个有利的构成在于，作为流体使用一种从由乙醇、甲醇、异丙醇和类似的材料或其混合物构成的组中选择的易挥发介质，或者使用一种基本上由CO2、氧气、氮气、一种惰性气体或其混合物构成的气体。其中可以在所述流体中以小的百分比加入一种洁净物质。
有利地，上述按本发明的设备和方法是合适的，以便在工作活塞的端面上和/或在过程腔中按规则达到高于160bar的工作压力以及所述设备和方法在高于160bar的压力下运行。
有利地，按本发明的设备用于与半导体工业和/或晶片制造的应用、生产或工艺有关的工艺过程。
使用已公开设备的其他有利的领域为光学工业、制药和/或医药工业的过程、应用或生产工艺。正是在医学-制药工业中需要多个压热处理、包装过程或压制过程，这些工艺过程借助于已公开的设备可以简化和改进。
为此，相对于已知地往复式活塞装置有利地公开一种可以非常有利地应用于所有工业领域中的设备，在这些领域中对于工艺过程的纯净性有特别高的要求，同时满足高的通流率和高的压力的要求。由于省去额外的工作流体和所述结构形式以及最小化移动过程，它非常紧凑和牢固，使得在经济方面相对于现有技术也具有明显的优点。
附图说明
图1至3以纵向剖视图示出本设备。
图1往复式活塞装置和调整单元
图2往复式活塞装置处在初始位置(“容器打开”)
图3往复式活塞装置(“容器封闭”)
具体实施方式
借助于解释和示例将更详细地说明本设备和方法。图1示出往复式活塞装置和一个调整单元20，在这里所有的压力管道以及输入和排出管道示例性地流经调整单元20。
图2和图3示例性示出作为阀20、阀26和节流阀27的调整单元。此外，它们还示出在结合上述按本发明的设备的情况下已公开方法的实施。它这样进行，通过操纵阀20使位于工作活塞1的底面11下方的空腔和容器8经压力管道和孔用流体加载，此时阀26关闭压力管道23，继而
·工作活塞1从初始位置“容器打开”(图2)移动至“容器封闭”的位置(图3)并且封闭容器，以及，
·在工艺过程结束之后，这样操纵阀20，使得在下部的缸内腔12和过程腔7中的流体卸载，并且
·接着通过继续操纵阀，使得在导向缸中的上部缸内腔13经压力管道24和孔6用流体加载，使工作活塞1又重新移到初始位置“容器打开”。
以下借助一个示例将更详细地说明本发明的设备和其使用的方法。
如在图2中所示，该设备包括一个用于封闭容器的装置，其基本上由一个静止的基础件和一个可活动的封闭件组成。在这两个部件之间设置一个密封面。在两个部件之间构成的过程腔中，用至少一种过程流体实现所述工艺过程。借助于一个旋转对称的往复式活塞装置进行封闭，该往复式活塞装置由一个移动的旋转对称的工作活塞1和一个导向缸4组成。
位于导向缸4中的活塞端部具有一个在外表面上径向环绕的增强部3，使得在导向缸和工作活塞之间的内腔被分成两个空腔。每一个在导向缸中的孔通向这两个空腔中的任一个，其中这些孔经压力管道与阀连接。过程流体和工作流体经输入管21导入，使得对于活塞驱动和在过程腔(Prozessraum)7中的工艺过程(Prozess)基本上使用同样的流体。其中可以将添加剂加入到流体中，这对于在过程腔7中的工艺过程是必需的。
工作活塞的端面作为容器8的封闭件，并且沿旋转轴线垂直地移动。工作活塞1的底面11大于在容器基础件和封闭件之间的压紧面。
如图2和图3所示，上述的设备包括一个中心阀20和设置在排出管道22中的节流阀27，以及安装在输入管道23中的阀26。
·在往复循环开始时，阀26关闭；
·通过调节阀20，下部的缸空腔12经压力管道25和孔5用流体加载，其中流体同时经孔6和压力管道24从上部的缸内腔13中排出。管道23和24在开始时通过阀20和26封闭；
·通过在压力管道23中或在端面10中或在一段设定的时间之后达到规定的压力，阀26被打开并且过程腔7经孔9和压力管道29用流体加载。加载的过程流体经孔30和压力管道31流出；
·在过程腔7中的工艺过程结束之后，通过定位阀28来降低过程腔7中的压力，其中流体可以经孔9和压力管道28排出；
·在卸载过程期间和接着定位阀20使上部缸内腔13经压力管道24和孔6用流体加载，并且同时下部缸内腔12中的压力经压力管道25和孔5释放。由此工作活塞返回到“容器打开”的位置并且过程腔可以被排空或加载；
·在调节阀28之后，其使得压力管道23关闭，往复循环又到达初始位置。
如上所述，洁净室装置的有利功能在于，当过程腔7和下部缸内腔12用流体同时加载时，经管路23至容器8中的输入被节流或在时间上延迟，使得在容器的基础件和封闭件之间的密封面内的压紧力总是大于容器内的压力。
类似于上述的优化，可以看出其中有利的构成，当容器8和下部的缸内腔12同时卸载时，从下部缸空腔12的流体排出被节流或在时间上延迟，使得在容器8的基础件和封闭件之间的密封面内的压紧力总是大于过程腔7内的压力。
附图标记清单
1工作活塞                 17密封件
2工作活塞的头部区域       18密封件
3活塞底部的扩展区域       19密封件
4导向缸                   20调整单元/阀
5孔                       21输入管道
6孔                       22排出管道
7压力容器的过程腔         23压力管道
8压力容器                 24通至/来自上部缸内腔的压力管道
9孔                       25通至/来自下部缸内腔的压力管道
10工作活塞的端面          26阀/节流阀
11工作活塞的底面          27阀/节流阀
12下部的缸内腔            28压力管道
13上部的缸内腔            29压力容器
14滑动面                  30孔
15滑动面                  31压力容器
16滑动面

Claims (15)

1.一种用于在洁净室内封闭容器(8)的高压设备，该容器包括至少一个基础件和一个封闭件并且具有一个在这两个部件之间的密封面，为了通过至少一种过程流体借助一个旋转对称的往复式活塞装置实施一种工艺过程，该往复式活塞装置包括至少一个带有各一个导向缸(4)的移动的旋转对称的工作活塞(1)，并且工作活塞(1)在位于导向缸(4)中的活塞端部上具有至少一个在外表面上径向环绕的增强部(3)，使得在导向缸(4)和工作活塞(1)之间的内腔被分为至少一个下部的缸空腔(12)和一个上部的缸空腔(13)，并且在导向缸(4)中至少一个孔(5)和(6)通向这些缸空腔(12和13)中的每一个缸空腔，并且这些孔(5)和(6)直接地或经由管道(24和25)与至少一个对导向缸(4)缸内腔(12和13)的输入和排出进行控制的调节和控制单元(20)连接，其特征在于：
-用于驱动工作活塞(1)的流体与在压力容器(8)中使用的流体的主要成分是相同的，并且流体或者是超临界的气体或者是易挥发的介质；
-其中，工作活塞的端面至少是封闭件的一部分或与容器的封闭件刚性地连接，并且这个封闭件相对于工作活塞同样基本上沿旋转轴线移动，并且容器设置在工作活塞端面的对面，并且工作活塞的底面大于容器基础件和封闭件之间的压紧面，以及
-滑动面(14、15和16)中的至少一个滑动面具有一个高于60％的支承比，所述滑动面在缸内表面和活塞表面上定位在缸表面和活塞表面相互接触地对置且平行于旋转轴线相互移动所在的那些区域内，其中所述支承比为表面结构中凸出部分和凹下部分的比值。
2.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，滑动面(14、15和16)中的至少一个滑动面是淬硬的，这些滑动面在缸内表面和活塞表面上定位在缸表面和活塞表面相互接触地对置且平行于旋转轴线相互地移动所在的那些区域内。
3.按照权利要求1或2所述的设备，其特征在于，与所述孔连接的各管道中的至少一个管道直接在阀之前或直接在阀之后包括一个节流器。
4.按照权利要求1至3之一所述的设备，其特征在于，
■通过操纵阀，使位于工作活塞的底面下方的空腔和所述容器经压力管道和孔用流体加载，继而
■工作活塞从初始位置“容器打开”移动至“容器关闭”的位置，并且封闭该容器，以及
■在工艺过程结束之后，在调节和控制单元中这样进行操纵，使得在底面下方的空腔内的和在过程腔内的流体卸载，以及
■接着通过继续操纵阀，使在导向缸中的空腔经压力管道和孔用流体加载，从而工作活塞重新移到初始位置“容器打开”。
5.按照权利要求4所述的设备，其特征在于，调节和控制单元包括至少一个阀。
6.按照权利要求4或5所述的设备，其特征在于，调节和控制单元包括至少一个静态的或动态的流体节流器。
7.按照权利要求4至6之一所述的设备，其特征在于，当容器和缸内腔同时用流体加载时，向容器的输入被节流和/或在时间上延迟。
8.按照权利要求4至7之一所述的设备，其特征在于，当在容器中和下部的缸空腔中的压力同时卸载时，从工作缸底面下方的缸空腔中的流体排出被节流和/或在时间上延迟。
9.按照权利要求1至8之一所述的设备，其特征在于，超临界的流体是例如二氧化碳(CO2)、压缩空气、氮气或一种惰性气体或其混合物。
10.按照权利要求1至8之一所述的设备，其特征在于，易挥发的介质选自于由乙醇、甲醇、异丙醇和类似的材料或其混合物构成的组，或使用一种基本上由CO2、氧气、氮气、一种惰性气体或其混合物构成的气体。
11.按照权利要求1至10之一所述的设备，其特征在于，在工作活塞的端面上，工作压力按规则达到高于160bar。
12.按照权利要求1至11之一所述的设备，其特征在于，在容器中，压力按规则达到高于160bar。
13.一种按照权利要求1至12之一所述的方法或设备的应用，其特征在于，该设备或方法与半导体工业和/或晶片制造业的应用、生产或工艺结合使用。
14.一种按照权利要求1至13之一所述的方法或设备的应用，其特征在于，该设备或方法与光学工业的应用、生产或工艺结合使用。
15.一种按照权利要求1至13之一所述的方法或设备的应用，其特征在于，该设备或方法与制药或医药-制药工业的应用、生产或工艺结合使用。
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TW (1) TWI295344B (zh)
WO (1) WO2004048783A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116498755A (zh) * 2023-06-27 2023-07-28 中北大学 一种超临界二氧化碳压差控制式快速开关阀

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004032659B4 (de) * 2004-07-01 2008-10-30 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum chemischen oder elektrolytischen Behandeln von Behandlungsgut sowie die Verwendung der Vorrichtung
KR100721757B1 (ko) * 2006-06-08 2007-05-25 두산디앤디 주식회사 웨이퍼 표면연마장비의 세정물질 가압장치
CN101912750B (zh) * 2010-08-18 2012-09-05 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 一种旋转推进装置
KR102358561B1 (ko) * 2017-06-08 2022-02-04 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5838010U (ja) * 1981-09-07 1983-03-12 エスエムシ−株式会社 増力シリンダ
JPS58157005U (ja) * 1982-04-15 1983-10-20 株式会社小松製作所 複動シリンダ装置
JPS61119874A (ja) * 1984-11-14 1986-06-07 Hitachi Constr Mach Co Ltd シリンダ装置
JPS6317455U (zh) * 1986-07-16 1988-02-05
US4962776A (en) * 1987-03-26 1990-10-16 Regents Of The University Of Minnesota Process for surface and fluid cleaning
JPS6445131A (en) * 1987-08-14 1989-02-17 Hitachi Ltd Cleaning and oxidation of semiconductor wafer
JPH0662639B2 (ja) * 1987-12-04 1994-08-17 武田薬品工業株式会社 セフェム塩酸塩の結晶
JPH01170026A (ja) * 1987-12-25 1989-07-05 Chlorine Eng Corp Ltd 半導体基板の洗浄方法
JPH01204427A (ja) * 1988-02-10 1989-08-17 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0780846B2 (ja) * 1988-04-02 1995-08-30 三井東圧化学株式会社 高純度インドールの製造方法
JPH01294516A (ja) * 1988-05-20 1989-11-28 Koroido Res:Kk 多孔質シリカ系ゲルの製造方法
JPH0225447A (ja) * 1988-07-13 1990-01-26 Nippon Oil & Fats Co Ltd 高度不飽和脂肪酸類の製造方法
JPH0761462B2 (ja) * 1988-07-14 1995-07-05 ユニオン・カーバイド・コーポレーション 超臨界流体を希釈剤として用い、オリフィスから吹付けるコーティングの静電液体吹付け塗装
JPH0298928A (ja) * 1988-10-05 1990-04-11 Toshiba Corp 半導体基板の洗浄方法
US5013366A (en) * 1988-12-07 1991-05-07 Hughes Aircraft Company Cleaning process using phase shifting of dense phase gases
JPH02238887A (ja) * 1989-03-10 1990-09-21 Mitsui Toatsu Chem Inc 酵素生産物の精製方法
JPH02292216A (ja) * 1989-05-02 1990-12-03 Mori Seiyu Kk 超臨界炭酸ガス抽出による医薬品類の脱溶剤方法
NL8901578A (nl) * 1989-06-22 1991-01-16 Suiker Unie Werkwijze voor het zuiveren van produkten met esters van een niet-reducerende suiker en een of meer vetzuren.
JPH0351576A (ja) * 1989-07-20 1991-03-05 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 耐摩耗性油圧装置
JPH03174330A (ja) * 1989-09-08 1991-07-29 Seiko Epson Corp ガラスの製造方法
JPH03127832A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び乾燥装置
JPH03135402A (ja) * 1989-10-20 1991-06-10 Hitachi Ltd 超臨界ガスまたは液化ガス抽出装置
JPH0367704U (zh) * 1989-10-25 1991-07-02
GB8928250D0 (en) * 1989-12-14 1990-02-21 Erba Carlo Spa Use of supercritical fluids to obtain porous sponges of biodegradable polymers
US5169408A (en) * 1990-01-26 1992-12-08 Fsi International, Inc. Apparatus for wafer processing with in situ rinse
JPH03261128A (ja) * 1990-03-09 1991-11-21 Sumitomo Seika Chem Co Ltd 有機硬化膜の除去方法
JPH03285658A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Shirako:Kk 無臭海苔及び生理活性物質の製造方法
JPH0417333A (ja) * 1990-05-10 1992-01-22 Hitachi Ltd 基板の超臨界ガスによる洗浄方法及び洗浄システム
AU666464B2 (en) * 1990-05-23 1996-02-15 Lipogenics, Inc. Processes for recovering tocotrienols, tocopherols and tocotrienol-like compounds
US5259407A (en) * 1990-06-15 1993-11-09 Matrix Inc. Surface treatment method and apparatus for a semiconductor wafer
US5139681A (en) * 1990-10-09 1992-08-18 The Dow Chemical Company On-line multidimensional chromatographic system with large volume injection handling for supercritical fluid chromatography
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH08181050A (ja) * 1995-08-21 1996-07-12 Masaru Nishikawa レジストの除去方法及び基板の洗浄方法
US5857368A (en) * 1995-10-06 1999-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion
CN2257511Y (zh) * 1996-06-19 1997-07-09 陈立群 多功能油压卸轮器
DE19746241C2 (de) * 1997-10-20 2000-05-31 Vat Holding Ag Haag Einrichtung zum Verschließen einer Öffnung
US6067728A (en) * 1998-02-13 2000-05-30 G.T. Equipment Technologies, Inc. Supercritical phase wafer drying/cleaning system
US6602349B2 (en) * 1999-08-05 2003-08-05 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
US6508259B1 (en) * 1999-08-05 2003-01-21 S.C. Fluids, Inc. Inverted pressure vessel with horizontal through loading
US6334266B1 (en) * 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
US6612317B2 (en) * 2000-04-18 2003-09-02 S.C. Fluids, Inc Supercritical fluid delivery and recovery system for semiconductor wafer processing
US6497239B2 (en) * 1999-08-05 2002-12-24 S. C. Fluids, Inc. Inverted pressure vessel with shielded closure mechanism
US20040025908A1 (en) * 2000-04-18 2004-02-12 Stephen Douglas Supercritical fluid delivery system for semiconductor wafer processing
US20040003831A1 (en) * 2000-04-18 2004-01-08 Mount David J. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
JP4724353B2 (ja) * 2000-07-26 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 半導体基板のための高圧処理チャンバー
CA2444296A1 (en) * 2001-04-10 2002-10-24 Supercritical Systems Inc. High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features
US20030116176A1 (en) * 2001-04-18 2003-06-26 Rothman Laura B. Supercritical fluid processes with megasonics
JP2002327712A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 航空機脚揚降装置
DE10255230A1 (de) * 2002-11-26 2004-06-09 Uhde High Pressure Technologies Gmbh Hochdruckvorrichtung und -verfahren zum hydraulisch-pneumatischen Krafthub für Reinraumanwendungen
US7077917B2 (en) * 2003-02-10 2006-07-18 Tokyo Electric Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7225820B2 (en) * 2003-02-10 2007-06-05 Tokyo Electron Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116498755A (zh) * 2023-06-27 2023-07-28 中北大学 一种超临界二氧化碳压差控制式快速开关阀
CN116498755B (zh) * 2023-06-27 2023-08-29 中北大学 一种超临界二氧化碳压差控制式快速开关阀

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EP1565656B1 (de) 2006-09-20
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DE10255231A1 (de) 2004-06-09
ATE340410T1 (de) 2006-10-15
AU2003298050A8 (en) 2004-06-18

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