TWI281347B - Semiconductor image sensor module, manufacturing method of semiconductor image sensor module, camera and manufacturing method of camera - Google Patents

Semiconductor image sensor module, manufacturing method of semiconductor image sensor module, camera and manufacturing method of camera Download PDF

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TWI281347B
TWI281347B TW094136353A TW94136353A TWI281347B TW I281347 B TWI281347 B TW I281347B TW 094136353 A TW094136353 A TW 094136353A TW 94136353 A TW94136353 A TW 94136353A TW I281347 B TWI281347 B TW I281347B
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Description

1281347 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 一 本發明係關於構裝半導體圖像檢測器晶片及圖像信號處 * ③晶片之半導體圖像檢測器模組、半導體圖像檢測器模組 之製造方法、照相機及照相機之製造方法技術。 【先前技術】 數位相機，或數位攝影機等攝影裝置，使用圖像檢 φ 測器或（：撾〇8圖像檢測器等半導體圖像檢測器晶片。於佈線 基板上構裝，處理由該攝影元件輸出之攝影信號之圖像信 號處理晶片，及攝影鏡頭等複數零件。 作為先刖技術，於圖8表示於攝影元件與信號處理晶片間 形成散熱板之技術（參照專利文獻丨）。
於圖8所不構裝構造，具備：半導體圖像檢測器晶片2之 CCD圖像檢測器丨丨〇 ;散熱機構之薄板狀散熱板丨12 :及處 理由CCD圖像檢測器ι10之攝影信號之半導體集體電路IC • 之信號處理晶片116。然後，上述構裝構造，於CCD圖像檢 測器110與圖像信號處理晶片116之間，介在以熱傳導性高 的銘等材料所成形之散熱板112。 又’揭示有藉由覆晶接合法，將半導體圖像檢測器晶片 之受光元件3與A/D轉換器陣列7，以覆晶接合之凸塊電極連 接而形成模組之視訊晶片（參照專利文獻2)。 [專利文獻1]特開2003-332549號公報 [專利文獻2]特開2003-23573號公報 【發明内容】 103959.doc 1281347 而’於專利文獻1之構裝構造’由於半導體圖像檢測器 晶片之CCD圖像檢測器110,及處理攝影信號之半導體集體 電路1C之“號處理晶片116，係經由導線架等之CCD圖像檢 • 測器之連接端子111與半導體圖像檢測器晶片，及處理攝影 信號之1C電性連接，會有連接端子之電阻或電容，妨礙高 速的影像處理。再者，由於半導體圖像檢測器晶片，與處 =攝影“號之1C係個別封裝故作成半導體圖像檢測器模組 • 會大型化。於此，使用SIP (System on package :系統構裝）， 將半導體晶片直接以凸塊電極連接之技術逐漸受到矚目。 但是，即使直接使用上述SIP技術及覆晶接合法，仍難以 組合受光面與電極塾在同一面之半導體圖像檢測器晶片與 圖像信號處理晶片。又，i你国你，士站w，丨八
103959.doc ’由於圖像信號晶片會發熱而將該 則器晶片，而會成為暗電流或白雜 旧片互相相鄰混載。再者，由於圖 1281347 本發明之半導體圖像檢測器模組，其特徵在於：至少具 備.半導體圖像檢測器晶片，其係於半導體基板之第丨主面 具有電晶體形成區域，於該第丨主面之相反側之第2主面形 成具有光人射面之光電轉換區域者；及圖像信號處理晶 片，其係信號處理於半導體圖像檢測器晶片所形成之圖像 信號者’且於上述半導體圖像檢測器晶片之第i主面形成有 複數凸塊電極’於上述圖像信號處理晶片上形成有複數凸 ，電極’上述半導體圖像檢測器晶片與上述圖像信號處理 晶片’經由散熱機構層疊形成’上述半導體圖像檢測器晶 片之複數凸塊電極與上述圖像信號處理晶片之複數凸塊電 極電性連接。 藉由該構造可以最 ’圖像信號處理晶 減少對半導體圖像 於本杳明之半導體圖像檢測器模組， 小的模組尺寸，且同時可高速信號處理 片所發出之熱亦可藉由散熱機構散熱， 檢測器晶片之熱傳導。 上述散熱機構係以導電材料形成，於上述散熱機構對應 上述複數凸塊電極之部分形成有開口冑，於該開口部内形 成有以絕緣材料圍繞之導電性電極，、經由該導電性電極電 性連接上述半導體圖像檢測器晶片之複數凸塊電極與上述 圖像#號處理晶片上之複數凸塊電極為佳。 π工现稱造 理，圖像信號處理晶片 ^ 7 ^出之熱亦可猎由散熱機構散 …，減 >、對半導體圖像檢測器晶片之熱傳導。 上述放熱機構係以絕緣材料形成 Τ+办成於上述散熱機構對應 103959.doc 1281347 过複數凸塊電極之部分形成㈣ 成有導電性電極，經由兮Μ… 於4開口部内形 同游由°亥¥電性電極電性連接上述半導體 θ象祆測器晶片之複數凸塊 上之複數凸塊電極為佳。-相像“虎處理晶片 於上述構造’可以最小的模組尺寸且同時 理’圖像信號處理晶片所發出、：:处 Μ ^ , …、力J精由散熱機構散 …、，減 >、對半導體圖像檢測器晶片之熱傳導。 又’上述《機構係以_材與熱料㈣之2層構造形 成，於上述散熱機構對應上述複數凸塊電極之部分形成有 =口部’於該開口部内形成有導電性電極， 構之隔熱材側與上述半導體圖像檢測器晶片接觸，且= 述熱傳導材料側與上述圖像信號處理晶片接觸，經由 :性電極電性連接上述半導體圖像檢測器晶片之複數凸塊 電極與上述圖像信號處理晶片上之複數凸塊電極為佳。 於上述構造，可以最小的槿 理。將_號處理晶時可高速信號處 々尸叮心出之熱散熱，且可抑制對半 ¥體圖像檢測器晶片之熱傳導。 上述半導體圖像檢測器晶片之複數凸塊電極與上述圖像 ㈣處理晶片之複數凸塊電極藉由於雙面形成有凸塊電極 之連接用中間構件電性連接，於上述連接用中間構件圍繞 形成上述散熱機構為佳。 曰於上述構造，可經由連接用中間構件之導電性電極將兩 晶片互相連接’且可使用散熱機構將圖像信號處理晶片所 產生的熱散熱，可減少對半導體圖像檢測器晶片之熱傳導。 I03959.doc 1281347 上述散熱機構兼作對上述圖像信號處理晶片之遮光板為 佳。 # 於上述構造，由於夾著散熱機構於兩側配置半導體圖像 檢測器晶片與圖像信號處理晶片，故即使在於半導體圖像 檢測器晶片受光中，可將圖像信號處理晶片本身遮光。 根據本發明之半導體圖像檢測器模組，由於藉由上述構 成可以最小的模組尺寸，且同時可高速信號處理，圖像信 號處理晶片所發出之熱亦可藉由散熱機構散熱，因此可抑 制對半導體圖像檢測器晶片之暗電流、白雜訊。由於半導 體圖像檢測器晶片與圖像信號處理晶片經由凸塊電極直接 連接故可使寄生電阻與寄生電容最小地連接兩晶片間。 又，圖像信號處理晶片，由於夾著背面照射型半導體圖像 檢測器晶片之受光面側及散熱機構配置而可遮光。 【實施方式】 以下，參照附圖說明本發明之實施形態。 首先’說明用在關於本發明之半導體圖像檢測器模組之 背面照射型半導體圖案檢測器。圖7係表示用在關於本發明 之半導體圖像檢測器模組之背面照射型半導體圖案檢測器 之-實施形態之概略構成圖。特別表示光檢測器之受光部 周邊之要部。 。。該背面照射型_CM0S固體攝影裝置(所謂半導體圖像檢測 裔）5 1 ’如圖7所不’例如於划功装4 孓11型矽基板q形成成為受光部之 光電二極體53，並且於連接於P型像素隔離區域62之p型井 區域63之基板表面側形成傳輸電晶心、其以外的電晶體 103959.doc 1281347 (重置電晶體、位址電晶體、放大電晶體）55等複數M〇s電 晶體’另外，於該複數M0S電晶體上經由層間絕緣膜乃形 成多層佈線層73。光電二極體53係以η型半導體區域（美 板）6ΐ、高雜質濃度之電荷儲存區域61Β、成為儲存層I Ρ +半導體區域64、68形成。於傳輸電晶體54之閘極下形成 通道區域65。再者，雖未圖示但於基板背面側形成有彩色 濾光片及晶片上透鏡等。該背面照射型半導體圖像檢測器 51藉由由沒有佈線層73之背面70側接收光L，可大幅取得受 光面積。又，佈線層73配置於先前之表面侧，因此不會有 先前由表面側受光而於佈線層將光踢掉，另外，於與佈線 層73同一面，配置受光信號之取出電極之凸塊電極（未圖 示）。於此，各η+區域57、58、59成為源極、汲極區域，各 電極66、67成為各MOS電晶體54、55之閘極。 其次，說明使用如上所述背面照射型半導體圖像檢測器 而成之關於本發明之半導體圖像檢測器模組之實施形態。 圖1係表示關於本發明之背面照射型之半導體圖像檢測 器模組之一實施形態之概略構成圖。再者，圖1Α係分解立 體圖、圖1Β係組裝後之立體圖、圖1C係組裝後之侧面圖。 關於本實施形態之背面照射型之半導體圖像檢測器模組 1具有：半導體圖像檢測器晶片2,其係具備於上述佈線層 側配置複數凸塊電極丨5a之背面照射型半導體圖像檢測器 51者；及圖像信號處理晶片3,其係形成有處理來自半導體 圖像檢測器晶片2之圖像信號之圖像信號處理機構，於表面 配置複數凸塊電極15b者，且半導體圖像檢測器晶片2與圖 103959.doc -10- 1281347 像信號處理晶片3經由於其間為散熱機構之散熱板4層疊而 成。於忒散熱板4形成有貫通對應兩凸塊電極15a、15b之位 置之貝通孔12，於該貫通孔形成導電性電極丨3，經由該散 熱板4之導電性電極13電性連接兩晶片2及3之凸塊電極⑸ 及1 5b又層®之半導體圖像檢測器晶片2、散熱板4及圖 像L唬處理曰日片之相互的接合面，即凸塊電極丨^ 5七以 外之接合面，經由接著劑16 (參照圖2)機械地連接。 根據關於|發明之f面照射型帛導體圖像檢_器模組 1，由於係將半導體圖像檢測器晶片2與圖像信號處理晶片3 經由散熱板4而電性連接之構㊄，故可將圖像信號處理晶片 3所產生的熱以散熱板4散熱減低，可阻斷對半導體圖像檢 測杰晶片2之熱傳導。藉此，可減低半導體圖像檢測器模組 之暗電流或白雜訊。由於是在半導體圖像檢測器晶片2與圖 像信號處理晶片3之間夾散熱板4之構造，即使是半導體圖 像核測裔晶片2受光中，亦可藉由散熱板4遮蔽圖像信號處 理晶片3。 圖2係表示關於本發明之半導體圖像檢測器模組之其他 實施形態之剖面圖。即，圖2係模式地表示於圖丨之兩晶片 2、3及散熱板4混載記憶體晶片之要部剖面圖。 關於本只把形悲之半導體圖像檢測器模組11，於散熱板4 之一邊的面經由凸塊電極1Sa配置背面照射型半導體圖像 檢測器晶片2，再者於散熱板4之另一邊的面分別經由凸塊 電極15b、15c配置圖像信號處理晶片3及記憶體晶片7。各 晶片2、3及7之凸塊電極15a、15b及15c，係與形成於散熱
U I03959.doc 1281347 板4之貫通孔12之導電性電極13電性連接’再者，使用接著 劑16亦以機械地牢固地黏貼。 圖像信號處理晶片3，形成有信號處理部18、與此連接之 佈線層19及凸塊電極〗5b。該信號處理部i 8，演算處理由半 導體圖像檢測器晶片2之輸出信號。又，於記憶體晶片7， 形成有記憶體部28、與此連接之佈線層29及凸塊電極15。。 於記憶體晶片7，例如使用非揮發性記憶體、DRAM等記憶 體。例如，記憶體晶片之用途，一搬使用於圖像信號之壓 縮/解壓縮，其序列係圖像檢測器+圖像信號處理晶片今記 fe體4圖像“號處理晶片輸出。又，於解廢縮，動書時 之向量檢測（動作檢測）時，成如圖像檢測器+圖像信號處理 晶片+記憶體+圖像信號處理晶片+決定略過的資訊（僅將 有在動的圖像資訊信號化、背景使用以前所輸出之圖像）之 圖像處理序列。再者，記憶體亦有使用於雜訊修正之情形。 將雜訊記憶將雜訊插補或取消之處理。序列成圖像檢測器 +圖像信號處理晶片+記憶體+圖像信號處理晶片（將圖像 感測器之圖像信號插補/取消雜訊）+輸出。 作為半導體圖像檢測器晶片2，可由例如於圖7所示半導 體基板矩陣狀形成包含光電二極體53及複數]^〇8電晶體之 複數像素，於基板秒密側經由層間絕緣膜72形成多層佈線 層73之背面照設型半導體圖像檢測器51，及另外藉由接合 於佈線層73側之補強用之例如以矽基板等之支持基板74所 構成。此時，凸塊電極15a矽連接貫通支持基板74之導電層 形成於支持基板74之面上。 103959.doc -12- 1281347 月面β?、射型半導體圖像檢測器5 1 ’係由背面7 〇受光於光 電二極體53，將光電轉換之電荷通過佈線層73信號輸出於 凸塊電極15a。由半導體圖像檢測器晶片2之輸出信號，經 由形成於與凸塊電極1 5 a連接之散熱板4之導電性電極13， 信號輸入圖像信號處理晶片3。 又’ s己體晶片7，經由記憶體 熱板4之導電性電極13進行信號之輸出入。 Φ 根據關於本實施形態之半導體圖像檢測器模組1丨，由於 係將半導體圖像檢測器晶片與圖像信號處理晶片3經由散 熱板4電性連接之構造，可將圖像信號處理晶片^所產生的 熱以散熱板4散熱減低，可阻斷對半導體圖像檢測器晶片2 之熱傳導。藉此，可減低半導體圖像檢測器模組之暗電流 或白雜訊。由於是在半導體圖像檢測器晶片2與圖像信號處 :日日片<3之間夾散熱板4之構造，即使是半導體圖像檢測器 曰曰片2受光中’可藉由散熱板4對圖像信號處理晶片3遮光。 圖3〜圖5係表示之前說明之散熱機構之各例之剖面圖。 m示散熱機構之散熱板4，#、於㈣❹純或銅板 2屬製導電材料4a之例。此時，於導電材料㈣成貫通 -之導：Γ貫通孔12間形成例如以玻璃等絕緣性材料14圍 %之導電性電極13。 圖4所示散熱機構之散埶叔 例如陶瓷芙板等m 材料使用絕緣材料4b =基板專之例。此時’於導電材， 亥貝通孔12内形成導電性電極13。 在者圖5所示散熱機構， ’、層豐放熱板4與隔熱板5之層 】03959.doc
Cs) 1281347
$板構成。該層疊板6之中使散熱板4與圖像信號處理晶片3 接觸，另外使隔熱板5側與半導體圖像檢測器晶片2接觸地 配置。於此層疊板6之材料之中，首先散熱板4之材料使用 例如陶瓷等絕緣材料，絕緣材料時，於貫通孔U内形成導 _、·電極13又放熱板4之材料使用例如A1或銅等導電材 ;斗夺將貝通孔12形成，於將該貫通孔12之内壁例如以玻 ，等絕緣性材料圍、繞，於貫通孔12内形成導電性電極& 隔熱板5之材料可使用例如樹脂等。 使用该層$板6時，最能有效地將圖像信號處理晶片3所 產生的熱以散熱板4散熱’且能以隔熱板5阻止熱傳導至半 導體圖像檢測器晶片2。 圖6係表示關於本發明之半導體圖像檢測器模組之立他 實施形態之概略構成圖。再者，圖6A係分解立體圖、圖沾 係組裝後之立體圖、圖6C係組裝後之側面圖。 關於本實施形態之半導體圖像檢測器模組2ι，係於半導 體圖像檢測器晶片3及圖像__ _ 口 1豕1。唬處理晶片3之間，介插散埶 板4及圍繞該散熱板4電性連接兩晶片2、3間之連接用中間 構件8之構成。即，散熱板4’不與半導體圖像檢測器晶片2 及圖像信號處理晶片3之各 π , 合凸塊電極15&、15b電性接觸，各 凸塊電極15a、15b，藉由連接用中 接用中間構件8之導電性電極23 電性連接。於該連接用中間構 稱件8係例如形成為J字形狀， 具有電性連接背面照射型半導 千導體圖像檢測器晶片2之凸塊 電極15a與圖像信號處理晶片3 熱板4插入〕字形狀連接用1電極…之功能。成散 狀連接用中間構件8之構成，該散熱板4’ 103959.doc 1281347 電性絕緣地黏貼半導體圖像檢測器晶片2與圖像信號處理 晶片3。 - 17字形狀連接用中間構件8，為電性連接兩晶片2、3之凸 塊電極15a、15b，亦可例如於絕緣板形成貫通孔22，於該 貫通孔内形成導電性電極23而構成。其他，連接用中間構 件8 ’可使用例如稱為矽内插板者。 ★於散熱板4,可使狀前說明之例如導電材料之ai或銅 • $，或絕緣材料之陶究等。再者，亦可上述層疊散熱板與 隔熱板之層疊板6。散熱板4’特別是可將圖像信號處理晶 片3之散熱發散。是散熱板不使用貫通孔之良好的一例。 於圖9表示關於本發明之實施形態之照相機之剖面圖。關 於本實施形態之照相機，係可拍攝動畫之攝影機為例。 關於本實施形態之照相機，具有：半導體圖像檢測器模 組11、光學系210、快門裝置211、驅動電路212、及信號處 理電路21 3。 , 光學系210係將由被拍攝物之像光（入射光）結像於半導 體圖像檢測器模組11之攝影面上。藉此於半導體圖像檢測 器模組11内儲存一定期間之該信號。 快門裝置211，控制對半導體圖像檢測器模組"之光照射 期間及遮光期間。 驅動電路212，供給控制半導體圖像檢測器模組丨丨之傳輸 動作及快門裝置2 11之快門動作之驅動信號。藉由從驅動電 路2 12供給之驅動#號（時序信號），進行半導體圖像檢測器 杈組11之電荷傳輸。信號處理電路2〗3係進行各種信號處 103959.doc
-15- 1281347 婵體乍ϋ 5虎處理之影像信號將，記憶於記憶體等之記憶 媒體，或輪出於監視器。 、:為本^明之其他貫施形態’例如’可於半導體圖像檢 搭載類比/數位轉換電路（adc)，經由散熱板依 。象U處理晶片3或記憶體晶片7電性連接作為半導體 圖像模組。 根據關於本實施形態之半導體圖像檢測器模組，由於可 將圖像信號處理晶片所發之熱以散熱板減輕，可抑制對半 導體圖像檢測器晶片產生暗電流或白雜訊。又，由於夾著 散熱板層疊半導體圖像檢測器晶片與圖像信號處理晶片， 可較平面配置雖小佈局面積’可作為半導體圖像檢測器模 組搭載於行動電話等被要求小型化之機器。再者，由於將 晶片互相通過凸塊電極電性連接’故圖像信號處理晶片可 作高速信號處理’故作為模組可得高的性能。由於半導體 ®像檢測H晶片與圖像㈣處理晶片經由凸塊電極直接連 接故將兩晶片間以最小的寄生電阻及寄生電容連接。以先 前之封裝化之CCD圖像檢測器與散熱板’雖封裝全體被熱 加熱而以散熱板放掉，本發明係將圖像信號處理晶片等之 部分的發熱部分以散熱板有效地放掉。又，使用先前之⑽ 技術連接半導體圖像檢測器晶片與圖像信號處理晶片之構 成，於沒有散熱板之構造，部分地變高溫 晶片對直接部分地層疊之半導體圖像檢測器晶片;= 影響。但是，依上述之本發明之構成，則可以抑制如此的 不良影響。即，作為高速信號處理，可以整個像素、或整 103959.doc • 16 - 1281347 行（正個彳§號線）或以… 高速化，咬者如數㈣平行輸出之平行處理 4有如先別技術所 寄生電容、寄因減低對打線接合之 可生兔阻而兩速化。 f圖式簡單說明】 圖1 A係表示關於本發明 器模組之—實施开，能 …射型之半導體圖像檢測 立體円 /心/刀解立體圖。B係圖1A之組裝後之 立體圖。C係圖1B之側面圖。 ’俊之 圖2係表示關於本發明 # ^ 月之月面照射型半導體圖像檢測器 杈組之其他實施形態之概略構成圖。 圖3係表不散熱板之_例之剖面圖（其1)。 圖4係表示散熱板之一例之剖面圖（其2)。 圖5係表示散熱板之一例之剖面圖（其3)。 圖6Α係表示關於本發明 u 之月面照射型之半導體圖像檢測 益果組之一實施形態之分解立體圖。B係圖6A之組裝後之 立體圖。C係圖6B之側面圖。 圖7係表示背面照射型半導體圖像檢測器模組之一例之 構成圖。 圖8關於先前例之構裝構造之概略構成。 【主要元件符號說明】 圖9係關於本發明之實施形態之照相機之剖面圖。 1 、 11 、 21 2 3 4[4a、4b] 半導體圖像檢測器模組 背面照射型半導體圖像檢測器晶片 圖像信號處理晶片 散熱板 103959.doc 17 1281347
5 隔熱板 6 層疊板 7 記憶體晶片 8 連接用中間構件 12、22 貫通孔 13、23 導電性電極 14 絕緣性材料 15[15a、15b] 凸塊電極 16 接著劑 18 信號處理部 19、29 佈線層 28 記憶體部 51 背面照射型半導體圖像檢測器 53 光電二極體 54 傳輸電晶體 55 MOS電晶體 57 、 58 、 59 n+區域 61 $夕基板 62 像素隔離區域 64、68 P +半導體區域 65 通道區域 66、67 電極 70 背面 71 表面 103959.doc -18- 1281347 72 絕緣層 73 佈線層 110 CCD圖像檢測器 111 連接端子 112 散熱板 116 圖像信號處理晶片
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Claims (1)

1281347 、申請專利範圍： 種半導體圖像檢測器模組，其特徵在於至少具備 半導體圖像檢測器晶片，其係於半導體基板之第i主面 # t 胃$成區4 ’於該第i主面之相反側之第2主面 形成具有光入射面之光電轉換區域者；及圖像信號處理 晶片’其係信號處理由上述半導體圖像檢測器晶片所形 成之圖像信號者； 於上述半導體圖像檢測器晶片之第1主面形成有複數 凸塊電極； 上形成有複數凸塊電極 於上述圖像信號處理晶片 、士由放熱機構而層疊形成上述半導體圖像檢測器晶片 與上述圖像信號處理晶片； 電性連接上述半導體圖像檢測器晶片之複數凸塊電極 ”上述圖m就處理晶片上之複數凸塊電極。 2.
如凊求項1之半導體圖像檢測器模組，其中 上述散熱機構係以導電材料形成； 於上述散熱機構，對應上述複數凸塊電極之部分形成 有開口部’於該開口部内形成有以絕緣材料圍繞之導電 性電極； 經由該導電性電極而電性連接上述半導體圖像檢測器 晶片之複數凸塊電極與上述圖像信號處理晶片上之複數 凸塊電極。 3.如請求項1之半導體圖像檢測器模組，其_ 上述散熱機構係以絕緣材料形成，· 103959.doc 1281347 於上述散熱機構， 有開口部，於上述開 經由該導電性電極 晶片之複數凸塊電極 凸塊電極。 對應上述複數凸塊電極之部分形成 口部内形成有導電性電極； 而電性連接上述半導體圖像檢測器 與上述®像㈣處理晶#上之複數 4.如請求項1之半導體圖像檢測器模組，其中 成 ^逑散熱機構仙隔熱材與熱傳導材料之兩層構造形 ;述散熱機構，對應上述複數凸塊 有開口部’於上述開口部内形成有導電性電極/刀㈣ 使上述散熱機構之隔熱材側與上述半 =觸’且使上述熱傳導材料側與上述圖像信= =接^經由該導電性電極而電性連接上述半導體圖 欢測益晶片之複數凸塊電極與上述圖像信號處理晶片 上之複數凸塊電極。 5.如凊求項1之半導體圖像檢測器模組，其中 t述半導體圖像檢測器晶片之複數凸塊電極與上述圖 像信號處理晶片上之複數凸塊電極藉由於雙面形成有凸 塊電極之連接用中間構件電性連接； 以由上述連接用中間構件所圍繞之方式形成上述散埶 機構。 6·如請求項1之半導體圖像檢測器模組，其中 上述散熱機構兼作對上述圖像信號處理晶片之遮光 板0 103959.doc 1281347 種半導體圖像檢測器模組之製造方法，其特徵在於具 備： /、 於半導體圖像檢測器晶片之第〗主面形成複數凸塊電 極之步驟，該半導體圖像檢測器晶月係於半導體基板之 第1主面具有電晶體形成區域，於該第〗主面之相反側之 第2主面形成具有光入射面之光電轉換區域者； 於圖像“號處理晶片上形成複數凸塊電極之步驟，該 圖像信號處理晶片係信號處理由半導體圖像檢測器晶片 所形成之圖像信號者； 經由散熱機構而層疊形成上述半導體圖像檢測器晶片 與上述圖像信號處理晶片之步驟；及 電性連接上述半導體圖像檢測器晶片之複數凸塊電極 與上述圖像信號處理晶片上之複數凸塊電極之步驟。 8. -種照相機，其特徵在於具備半導體圖像檢測器模組及 透鏡， 該半導體圖像檢測器模組係至少具備： 半導體圖像檢測器晶片，其係於半導體基板之第U 面具有電晶體形成區域，於該^主面之相反側之第2主 面T成具有光入射面之光電轉換區域者；及圖像信號處 理晶片，其係信號處理由半導體圖像檢測器晶片所形成 之圖像信號者； 於上述半導體圖像檢測器晶片之第1主面形成有複 數凸塊電極； 於上述圖像信號處理晶片上形成有複數凸塊電極； 103959.doc 1281347 經由散熱機構而層疊形成上述半導體圖像檢測器晶 片與上述圖像信號處理晶片； 电性連接上述半導體圖像檢测器晶# 極與上述圖像信號處理晶片上之複數凸塊電極； 該透鏡係於上述半導體圖像檢測器模組之上述第2 主面側。 9·如請求項8之照相機，其中 上述散熱機構係以導電材料形成； 於上述散熱機構 有開口部，於該開 性電極； ，對應上述複數凸塊電極之部分形成 口部内形成有以絕緣材料圍繞之導電 曰=該：電性電極而電性連接上述半導體圖像檢測器 I m數凸塊電極與上述圖像信號處理晶片 凸塊電極。 锻數 1 〇·如請求項8之照相機，其中 上述散熱機構係以絕緣材料形成； =上述散熱機構’對應上述複數凸塊電極之 有開口部，於上述開口部内形成有導電性電極.4 :該=電極而電性連接上述半導體圖像 硬數凸塊電極與上述圖像信號處理晶片上… 凸塊電極。 日日月上之複數 11.如請求項8之照相機，其中 上述散熱機構係以隔熱材與 成； 傅蜍材枓之兩層構造形 103959.doc 1281347 於上述散熱機構，對應上述複數凸塊電極之部分形成 有開口部，於上述開口部内形成有導電性電極； 使上述散熱機構之隔熱材側與上述半導體圖像檢測器 晶片接觸’且使上述熱傳導材料側與上述圖像信號處理 晶片接觸’經由該導電性電極而電性連接上述半導體圖 像檢測器晶片之複數凸塊電極與上述圖像信號處理晶片 上之複數凸塊電極。 12·如請求項8之照相機，其中 上述半導體圖像檢測器晶片之複數凸塊電極與上述圖 像信號處理晶片上之複數凸塊電極藉由於雙面形成有凸 塊電極之連接用中間構件電性連接； 以由上述連接用中間構件所圍在 再旰所W繞之方式形成上述散熱 機構。 13·如請求項8之照相機，其中 上述散熱機構兼作對上述圖後#咕# w J工迎圖像#唬處理晶片之遮光 板0 裡脱相機之製造方 升W徵在於具備· 於半導體圖像檢測器晶片之第1主面形成複數凸塊電 極之步驟’該半導體圖像檢測器晶片係於半導體基板之 約主面具有電晶體形成區域，於該第1±面之相反側之 弟2主面形成具有光入射面之光電轉換區域者； 於圖像信號處理晶片上形成複數凸塊電極之步驟，該 圖像信號處理晶片係传祙老TO L唬處理由半導體圖像檢測器晶片 所形成之圖像信號者； 103959.doc 1281347 經由散熱機構而層疊形成 取上4半導體圖像檢測器晶片 與上述圖像信號處理晶片之步騾； 電性連接上述半導體圖像檢測器晶片之複數凸塊電極 與上述圖像信號處理晶片上之複數凸塊電極之步驟；及 於上述半導體圖像檢測器模組之上述第2主面側形成 透鏡之步驟。
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