CN100399573C - 半导体图像传感器模块及制备方法、相机及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了半导体图像传感器模块及其制备方法，以及相机及其制备方法。半导体图像传感器模块(1)至少包括：半导体图像传感器芯片(2)，具有在半导体衬底第一主表面上形成的晶体管形成区域，并具有形成在与第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片(3)，在其中对在半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；其中，多个凸点电极(15a)形成在第一主表面上，多个凸点电极(15b)形成在图像信号处理芯片(3)上，芯片(2，3)通过散热装置(4)而层叠形成，并且半导体图像传感器芯片(2)的多个凸点电极(15a)和在图像信号处理芯片(3)上的多个凸点电极(15b)是电连接的。

Description

半导体图像传感器模块及制备方法、相机及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体图像传感器模块及制备方法、相机及其制备方法，在该半导体图像传感器模块中安装了半导体图像传感器芯片和视频信号处理芯片。
背景技术
在比如数字静态相机或数字视频相机的成像设备中，使用了比如CCD图像传感器和CMOS图像传感器的半导体图像传感器。在布线衬底上安装了多个比如图像信号处理芯片的部件，用于处理从成像设备的图像拾取元件所输出的图像信号，图像拾取透镜安装在布线衬底上。
在图1示出了一种技术用于形成在图像拾取元件和信号处理芯片之间的散热器(参见专利文档1)，以作为相关技术。
图1所示的芯片安装结构包括CCD图像传感器110、薄板状散热器112、信号处理芯片116，其中，CCD图像传感器110是半导体图像传感器芯片，散热器112作为散热装置，信号处理芯片116是用于处理来自CCD图像传感器的图像信号的半导体集成电路IC。而且，在上述芯片安装结构中，散热器112由比如铝的具有高导热性的材料形成，并且设置在CCD图像传感器110和图像信号处理芯片116之间。
而且，也已经公开了一种视觉芯片，其中通过倒装芯片键合方法，A/D转换器线路7和作为半导体图像传感器芯片的光接收单元3由倒装芯片键合凸点电极连接来形成模块(参见专利文档2)。
专利文档1：日本专利公开No.2003-33254。
专利文档2：日本专利公开No.2003-23573。
采用专利文档1的芯片安装结构，由于半导体图像传感器芯片的CCD图像传感器110和作为用于处理图像信号的IC的信号处理芯片116相电连接，其中半导体图像传感器芯片通过比如引线框架的CCD图像传感器的接触端子111连接到图像信号处理IC，所以需要考虑接触端子的电阻和电容，这些会导致对高速图像处理的干扰。而且，由于分别包含于封装中，所以半导体图像传感器芯片和图像信号处理IC作为半导体传感器模块在尺寸上变大。依靠封装系统(System in Package，SIP)通过使用凸点电极直接连接半导体芯片的技术引起了人们的注意。
但是，通过上述未改进的SIP技术和倒装芯片技术，难于组合半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片，其中光接收表面和电极焊盘设置在同一表面上。此外，由于图像信号处理芯片散热，该热量传输到半导体图像传感器芯片的热量而导致了暗电流和白噪声，所以难于将彼此相近的芯片呈混合状态安装。而且，图像信号处理芯片没有封装，需要对光进行屏蔽，但是由于前照射型半导体图像传感器的布线层的电极焊盘和接收表面形成在相同表面上，所以当将半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片层叠而彼此连接时，难于将对图像信号处理芯片屏蔽光。
发明内容
鉴于上述要点，本发明提供了半导体图像传感器模块和用于制备该半导体图像传感器模块的方法，以及相机和用于制备该相机的方法，其中，将半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片连接而具有最小的寄生电阻和电容，并且同时获得了有效的散热和光屏蔽。
根据本发明实施例的半导体图像传感器模块至少包括：半导体图像传感器芯片，具有形成在半导体衬底第一主表面上的晶体管形成区域，并具有形成在与第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片，在图像信号处理芯片中处理在半导体图像传感器芯片中形成的图像信号；其中，多个凸点电极形成在半导体图像传感器芯片的第一主表面上，多个凸点电极形成在图像信号处理芯片上，半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片通过散热装置而层叠形成，并且半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在图像信号处理芯片上的多个凸点电极是电连接的。
根据本发明的半导体图像传感器模块的上述实施例，可以使用上述结构进行模块尺寸最小化的高速信号处理，由图像信号处理芯片所产生的热可以通过使用散热装置消散，并且可以减少对半导体图像传感器芯片的热传导。
优选的是，散热装置由导电材料形成，且具有形成于对应于其中的多个凸点电极的位置的开口，在开口中，形成导电电极来用绝缘材料围绕；且半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在图像信号处理芯片上的多个凸点电极通过所述导电电极而电连接。
采用上述结构，可以进行模块尺寸最小化的高速信号处理，由图像信号处理芯片所产生的热可以通过使用散热装置消散，并且可以减少对半导体图像传感器芯片的热传导。
优选的是，上述散热装置由绝缘材料形成，且具有形成于对应于散热装置的多个凸点电极的位置的开口，在开口中形成导电电极，且半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在图像信号处理芯片上的多个凸点电极通过导电电极而电连接。
采用上述结构，可以进行模块尺寸最小化的高速信号处理，由图像信号处理芯片所产生的热可以通过使用散热装置消散，并且可以减少对半导体图像传感器芯片的热传导。
此外，优选的是，散热装置由绝热材料和导热材料的双层结构形成，在其中形成了导电电极的开口形成于对应于多个凸点电极的位置，以及散热装置的绝热材料一侧与半导体图像传感器芯片接触，而导热材料与图像信号处理芯片接触，以通过导电电极将半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在图像信号处理芯片上的多个凸点电极电连接。
采用上述结构，通过以上结构可以进行模块尺寸最小化的高速信号处理，由图像信号处理芯片所产生的热可以通过使用散热装置消散，并且可以减少对半导体图像传感器芯片的热传导。
优选的是，半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在图像信号处理芯片上的多个凸点依靠连接中间构件而电连接，连接中间构件在其两个表面上形成了凸点电极，而且形成散热装置来由连接中间构件围绕。
采用上述结构，由于芯片可以通过连接中间构件的导电电极彼此连接，所以由图像信号处理芯片所产生的热可以通过使用散热装置消散，并且可以减少对半导体图像传感器芯片的热传导。
优选的是，散热装置也作为用于图像信号处理芯片的光屏蔽板。
采用上述结构，由于半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片设置在它们之间的散热装置的两侧上，即使当半导体图像传感器芯片接收光时，图像处理芯片本身也能够被屏蔽光。
根据本发明的半导体图像传感器模块的实施例，由于采用上述结构可以进行模块尺寸最小化的高速信号处理，由图像信号处理芯片所产生的热可以通过散热装置消散，可以防止对半导体图像传感器芯片的暗电流和白噪声发生。由于半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片通过凸点电极直接连接，所以在将芯片连接时可以最小化寄生电阻和寄生电容。此外，在后照射型半导体图像传感器芯片的光接收侧设置图像信号处理芯片，并且散热装置设置在半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片之间，可以屏蔽光。
根据本发明实施例的制备半导体图像传感器模块的方法包括如下步骤：在半导体图像传感器芯片的第一主表面上形成多个凸点电极，其中，晶体管形成区域形成在半导体衬底的第一主表面上，具有光入射表面的光电转换区域形成在与第一主表面相对一侧上的第二主表面上；在图像信号处理芯片上形成多个凸点电极，图像信号处理芯片用于处理在半导体图像传感器芯片内形成的图像信号；通过散热装置层叠半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片；以及将半导体图像传感器芯片的多个凸点电极连接到在图像信号处理芯片上的多个凸点电极。
根据本发明实施例的相机包括：半导体图像传感器模块，其至少包括：半导体图像传感器芯片，具有在半导体衬底第一主表面上形成的晶体管形成区域，并具有形成在与第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片，在其中对在半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；其中，多个凸点电极形成在半导体图像传感器芯片的第一主表面上，多个凸点电极形成在图像信号处理芯片上，半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片通过散热装置而层叠形成，并且半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在图像信号处理芯片上的多个凸点电极是电连接的。
根据本发明实施例的制备相机的方法包括如下步骤：在半导体图像传感器芯片的第一主表面上形成多个凸点电极，其中，晶体管形成区域形成在半导体衬底的第一主表面上，具有光入射表面的光电转换区域形成在与第一主表面相对一侧上的第二主表面上；在图像信号处理芯片上形成多个凸点电极，图像信号处理芯片用于处理在半导体图像传感器芯片内形成的图像信号；通过散热装置层叠半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片；将半导体图像传感器芯片的多个凸点电极连接到在图像信号处理芯片上的多个凸点电极；在半导体图像传感器模块的第二主表面上形成透镜。
附图说明
图1是根据相关技术的安装结构的示意性结构；
图2是示出了后照射型半导体图像传感器的实施例的示意性结构图；
图3A到图3C是示出了本发明的后照射型半导体图像传感器模块的示意性结构图，其中图3A是分解透视图，图3B是组装后的透视图，和图3C是组装后的侧视图；
图4是示出了根据本发明另一实施例的后照射型半导体图像传感器模块的示意性结构视图；
图5是示出了(第一)散热器实例的横截面示意图；
图6是示出了(第二)散热器实例的横截面示意图；
图7是示出了(第三)散热器实例的横截面示意图；
图8A到图8C是根据本发明的后照射型半导体图像传感器模块的另一个实施例的示意性结构图，其中图8A是分解透视图，图8B是组装之后的透视图，和图8C是组装之后的侧视图；
图9示出了根据本发明实施例的相机的示意性结构视图。
具体实施方式
下面将参考附图对本发明的实施例进行说明。
首先，将说明根据本发明的半导体图像传感器模块所用的后照射型半导体图像传感器。图2是示出了根据本发明的半导体图像传感器模块所用的后照射型半导体图像传感器的实施例的示意性结构图，并且具体地示出了作为光传感器的光接收部分附近的相关部分。
如图2所示，后照射型CMOS固态成像设备(称为半导体图像传感器)51包括：光电二极管53，作为形成在例如n型硅衬底61中的光接收部分；转移晶体管54，形成在与p型像素分隔区域62相邻的p型阱区63的衬底前表面侧上；多个MOS晶体管55，比如其它晶体管(重置晶体管、寻址晶体管、放大晶体管)等；而且还包括通过层间绝缘膜72形成在多个MOS晶体管上的多层布线层73。光电二极管53由n型半导体区域(衬底)61、高杂质密度的n型电荷累积区域61B、成为累积层的p+半导体区域64和68形成。在转移晶体管54的栅极下形成了沟道区域65。而且，虽然在图中没有示出，但是滤色器、芯片上透镜等形成在该衬底的后表面上。后照射型半导体图像传感器51具有大的光接收面积，因为光L是从没有设置布线层73的后表面70接收的。此外，由于布线层73设置在典型的前表面侧，所以可以防止发生在从典型的前表面侧接收光时所导致的光晕映(vignetting)，而且此外取得接收信号之处的凸点电极(未示出)设置在与布线层73相同的表面上。这里，各个n+区域57、58、59变成为源极-漏极区域，并且各个电极66、67变成各个MOS晶体管54、55的栅极区域。
下面，将说明本发明使用上述后照射型半导体图像传感器的半导体图像传感器模块的实施例。
图3A到图3C是示出了本发明的后照射型半导体图像传感器模块的示意性结构图。图3A是分解透视图，图3B是组装后的透视图，图3C是组装后的侧视图。
本发明的后照射型半导体图像传感器模块1包括：半导体图像传感器芯片2，对其提供带有设置在上述布线层侧上的多个凸点电极15a的后照射型半导体图像传感器51的后照射型半导体图像传感器；图像信号处理芯片3，对其提供有用于处理来自半导体图像传感器芯片2的图像信号的图像信号处理装置，并提供有设置在其表面上的多个凸点电极15b；其中，半导体图像传感器芯片2和图像信号处理芯片3同设置在其间的散热器4相层叠。散热器4在对应于凸点电极15a、15b的位置具有通孔，并且在通孔12中形成有导电电极13，芯片2和3的凸点电极15a、15b通过散热器4的导电电极13相连接。此外，将层叠半导体图像传感器芯片2、散热器4和图像信号处理芯片3结合的表面，即，除凸点电极15a、15b之外的那些相结合的表面通过粘结剂16机械结合(参见图4)。
由于根据本发明实施例的后照射型半导体图像传感器模块1具有这样的结构，其中半导体图像传感器芯片2和图像信号处理芯片3通过散热器4电连接，从图像信号处理芯片3产生的热可以被消散并因此通过散热器4减少，并且防止对半导体图像传感器芯片2热传导。于是，减少了半导体图像传感器模块的暗电流和白噪声。由于散热器4设置在半导体图像传感器芯片2和图像信号处理芯片3之间，即使在半导体图像传感器芯片2接收光时，散热器4也可以对图像信号处理芯片3屏蔽光。
图4是示出了根据本发明另一实施例的半导体图像传感器模块的横截面视图。即，图4是其中存储器芯片随同图3的芯片2、3和散热器4安装的相关部分的示意性横截面视图。根据该实施例的半导体图像传感器模块11包括：后照射型半导体图像传感器芯片2通过凸点电极15a设置在散热器4的一个表面上，而此外，图像信号处理芯片3和存储器芯片7通过各自的凸点电极15b、15c设置在散热器4的另一个表面上。芯片2、3、7的各自的凸点电极15a、15b、15c电连接到形成在散热器4的通孔12中的导电电极13，而且还通过粘结剂16被强力地机械结合。
图像信号处理芯片3具有信号处理部分18、布线层19和连接到其上的凸点电极15b。信号处理部分18进行从半导体图像传感器芯片2输出的信号的操作处理。存储器芯片7具有存储器部分28、布线层29以及连接到其上的凸点电极15c。例如，非易失性存储器、DRAM等可用作存储器芯片7。例如，存储器芯片通常用于图像信号的压缩/解压缩，其顺序是：从图像传感器→图像信号处理芯片→存储器→待输出的图像信号处理芯片。而且，当进行解压缩时，在移动图像的矢量检测(运动检测)的情形中，图像处理顺序是：从图像传感器→图像信号处理芯片→存储器→决定待跳过的信息的图像信号处理芯片(仅仅将移动的图像信号化，而对于背景信息，使用早先输出的图像)。另外，还存在存储器用于噪声校正的情形，其中，将噪声存储来内插或删除。其顺序是：从图像传感器→图像信号处理芯片→存储器→待输出的图像信号处理芯片(在图像传感器中的图像信号的内插/删除)。
半导体图像传感器芯片2可以由如下的制成：后照射型半导体图像传感器51，后照射型半导体图像传感器51包括：多个像素，在图2所示的半导体衬底上形成为矩阵，每个像素由光电二极管53和多个MOS晶体管制成；和多层布线层73，通过层间绝缘膜72形成于衬底的前表面侧上；以及加强支撑衬底74，比如硅衬底等，例如结合至布线层73。在该情形中，将凸点电极15a连接到穿透支撑衬底74的导电层，并且形成在支撑衬底74上。
在后照射型半导体图像传感器51中，光电二极管53接收从后表面70侧进入的光，并且对其进行光电转换的电荷作为信号通过前表面上的布线层73输出到凸点电极15a。来自半导体图像传感器芯片2的信号作为信号通过在散热器4中形成并连接到凸点电极15a的导电电极13输入到图像信号处理芯片3中。
而且，在存储器芯片7中，信号通过存储器芯片7的凸点电极15c和导电电极13输入和输出。
由于根据该实施例的半导体图像传感器模块11具有这样的结构，其中半导体图像传感器芯片2、图像信号处理芯片3和存储器芯片7通过散热器4电连接，所以从图像信号处理芯片3产生的热可以由散热器4消散和减少，可以防止对半导体图像传感器芯片2热传导。于是，减少了半导体图像传感器模块的暗电流和白噪声。由于散热器4设置在半导体图像传感器芯片2和图像信号处理芯片3之间，即使在半导体图像传感器芯片2接收光时，图像处理芯片3和存储器芯片7也可以被屏蔽光。
图5至图7是示出了上述散热装置的各个实例的横截面视图。
如图5所示的散热器4是一种散热装置，其是使用比如铝板和铜板的金属导电材料4a作为材料的实例。在该情形中，通孔12形成在导电材料4a中，并且由比如玻璃等的绝缘材料14围绕的导电电极13形成在通孔12中。
如图6所示的散热器4是一种散热装置，其是使用比如陶瓷衬底的绝缘材料4b作为材料的实例。在该情形中，通孔12形成在绝缘材料4b中，导电电极13形成在这些通孔中。
此外，如图7所示的散热器4是一种散热装置，其由层叠板6制成，层叠板6中包括散热器4和绝热板5。在层叠板6中，散热器4形成来与图像信号处理芯片3侧接触，且绝热板5侧设置来与半导体图像传感器芯片2侧接触。关于层叠板6的材料，作为用于散热器4的材料，例如可以使用比如陶瓷等的绝缘材料，并且在绝缘材料的情形，导电电极形成在通孔12中。作为用于散热器4的材料，当使用例如Al和铜的导电材料时、形成通孔12，并且通孔12的内壁由比如玻璃等的绝缘材料围绕，由此形成在通孔12中的导电电极。作为用于绝热板5的材料，例如可以使用树脂等。
当使用层叠板6时，尽管由图像信号处理芯片3产生的热最有效地由散热器4消散，但是传输到半导体图像传感器芯片2的热可以由绝热板5阻止。
图8A到图8C是根据本发明的半导体图像传感器模块的另一个实施例的示意性结构图。图8A是分解透视图，图8B是组装之后的透视图，图8C是组装之后的侧视图。
根据本实施例的半导体图像传感器模块2包括：半导体图像传感器芯片2和图像信号处理芯片3，以及设置在这些芯片之间用于电连接芯片2和3的散热器4和围绕散热器4的连接中间构件8。具体而言，散热器4不具有与半导体图像传感器芯片2和图像信号处理芯片3的各个凸点电极15a、15b的电接触，并且各个凸点电极15a、15b和连接中间构件8的导电电极23电连接。连接中间构件8形成为U形，并且具有将后照射型半导体图像传感器芯片2的凸点电极15a电连接到图像信号处理芯片3的凸点电极15b。散热器4插入到U形连接中间构件8中，并且结合散热器4来将半导体图像传感器芯片2从图像信号处理芯片3电绝缘。
为了电连接芯片2、3的凸点电极15a、15b，可以制备U形连接中间构件8来使得在绝缘板中形成通孔22，并且在通孔22中形成导电电极23。除此之外，例如，所谓的硅内插入件可以用于连接中间构件8。
对于散热器4，例如，可以使用早先所说明的铝和铜，或者作为绝缘材料的陶瓷等。此外，可以使用层叠板6，其中层叠上述散热器和绝热板。散热器4尤其可以消散从图像信号处理芯片3产生的热量。该实施例示出了这样的实例，其中对于散热器4，可以不使用通孔。
图9示出了根据本发明实施例的相机的示意性结构视图。根据该实施例的相机是能够拾取移动图像的视频相机。
根据该实施例的相机包括：半导体图像传感器模块11、光学系统210、快门装置211、驱动电路212和信号处理电路213。
当接收到来自物体的图像光时，光学系统210在半导体图像传感器模块11的成像表面上聚焦图像。这样，在半导体图像传感器模块11中累积了相关信号电荷持续一段特定时间。
快门装置211控制了半导体图像传感器模块11上的光照射和屏蔽时段。
驱动电路212提供用于控制半导体图像传感器模块11的转移操作和快门装置211的快门操作的驱动信号。通过提供自驱动电路212的驱动信号(定时信号)，进行半导体图像传感器模块11的电荷转移。信号处理电路213进行各种信号处理。对其进行信号处理的图像信号存储在比如存储器的存储介质中，或输出到监视器。
作为本发明的另一个实施例，例如，有这样的半导体图像传感器模块，其包括加载到半导体图像传感器芯片2上的模拟/数字转换电路(ADC)、图像信号处理芯片3和存储器芯片7，它们通过散热器4设置并电连接。
根据本发明实施例的半导体图像传感器模块，由于从图像信号处理芯片产生的热可以由散热器减少，所以可以抑制对半导体图像传感器芯片的暗电流和白噪声的发生。此外，由于半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片通过设置在其间的散热器层叠，所以布图面积可以作得比平面设置的情形要小，这使得该半导体图像传感器模块可以加载到比如手机的要求小型化的装置上。此外，由于这些芯片是通过凸点电极电连接的，所以可以在图像信号处理芯片中进行高速信号处理，获得高质量的模块。由于半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片直接通过凸点电极连接，所以可以连接两个芯片，而寄生电阻和电容最小。在根据相关技术封装的CCD图像传感器和散热器中，整个封装受热，并该热量通过散热器逸出，相反，在本发明中，仅在进行高速处理的图像信号处理芯片等中局部产生的热量可以有效地通过散热器消散。此外，在其中使用典型的SIP技术和半导体图像传感器芯片在没有散热器的情形连接到图像信号处理芯片的结构中，部分高发热的图像信号处理芯片对直接和部分层叠的半导体图像传感器芯片有不利的影响。但是，根据本发明的上述构造，可以抑制这些不利的影响。因此，可以针对每个像素或每列(使用每条信号线)进行高速处理，或者通过并行输出比如四个像素等的多个像素的并行处理。此外，如相关技术所述，通过减少对引线键合的寄生电容和寄生电阻可以进行高速处理。
本领域的普通技术人员应该理解，依赖于就落入权利要求及其等同物的范围内的设计要求和其它因素，可以进行各种改进、组合、子组合和变化。
本发明包含涉及于2004年10月26日在日本专利局提交的日本专利申请JP2004-311062的主题，其全部内容引入于此作为参考。

Claims (14)

1.一种半导体图像传感器模块，包括：
半导体图像传感器芯片，具有形成在半导体衬底第一主表面上的晶体管形成区域，并具有形成在与所述第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及
图像信号处理芯片，在其中对在所述半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；
其中，多个凸点电极形成在所述半导体图像传感器芯片的第一主表面上；
多个凸点电极形成在所述图像信号处理芯片上；
所述半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片通过散热装置而层叠形成，并且
所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极是电连接的。
2.根据权利要求1的半导体图像传感器模块，其中，所述散热装置是由导电材料形成的，
所述散热装置具有在对应于所述多个凸点电极的位置的开口，在所述开口中形成了由绝缘材料围绕的导电电极，以及
所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极通过所述导电电极而电连接。
3.根据权利要求1的半导体图像传感器模块，其中，所述散热装置是由绝缘材料形成的，
所述散热装置具有在对应于所述多个凸点电极的位置的开口，在所述开口中形成了导电电极，以及
所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极通过所述导电电极而电连接。
4.根据权利要求1的半导体图像传感器模块，其中，所述散热装置是由绝热材料和导热材料的双层结构形成的，
所述散热装置具有在对应于所述多个凸点电极的位置的开口，在所述开口中形成了导电电极，以及
所述散热装置的绝热材料一侧与所述半导体图像传感器芯片接触，而所述导热材料与所述图像信号处理芯片接触，以通过导电电极将所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极电连接。
5.根据权利要求1的半导体图像传感器模块，其中，所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点依靠连接中间构件电连接，所述连接中间构件在其两个表面上形成了凸点电极，以及
所述散热装置形成来由所述连接中间构件围绕。
6.根据权利要求1的半导体图像传感器模块，其中，所述散热装置也作为用于所述图像信号处理芯片的光屏蔽板。
7.一种制备半导体图像传感器模块的方法，包括如下步骤：
在半导体图像传感器芯片的第一主表面上形成多个凸点电极，其中，晶体管形成区域形成在半导体衬底的第一主表面上，具有光入射表面的光电转换区域形成在与所述第一主表面相对一侧上的第二主表面上；
在图像信号处理芯片上形成多个凸点电极，所述图像信号处理芯片用于处理在所述半导体图像传感器芯片内形成的图像信号；
通过散热装置层叠所述半导体图像传感器芯片和所述图像信号处理芯片；以及
将所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极连接到在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极。
8.一种相机，包括：
半导体图像传感器模块，其至少包括：半导体图像传感器芯片，具有形成在半导体衬底第一主表面上的晶体管形成区域，并具有形成在与所述第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片，在其中对在所述半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；其中，
多个凸点电极形成在所述半导体图像传感器芯片的第一主表面上；
多个凸点电极形成在所述图像信号处理芯片上；
所述半导体图像传感器芯片和图像信号处理芯片通过散热装置而层叠形成，并且
所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极是电连接的。
9.根据权利要求8的相机，其中，所述散热装置是由导电材料形成的，
所述散热装置具有在对应于所述多个凸点电极的位置的开口，在所述开口中形成了由绝缘材料围绕的导电电极，以及
所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极通过所述导电电极而电连接。
10.根据权利要求8的相机，其中，所述散热装置是由绝缘材料形成的，
所述散热装置具有在对应于所述多个凸点电极的位置的开口，在所述开口中形成了导电电极，以及
所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极通过所述导电电极而电连接。
11.根据权利要求8的相机，其中，所述散热装置是由绝热材料和导热材料的双层结构形成的，
所述散热装置具有在对应于所述多个凸点电极的位置的开口，在所述开口中形成了导电电极，以及
所述散热装置的绝热材料一侧与所述半导体图像传感器芯片接触，而所述导热材料与所述图像信号处理芯片接触，以通过导电电极将所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极电连接。
12.根据权利要求8的相机，其中，所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极和在所述图像信号处理芯片上的多个凸点依靠连接中间构件电连接，所述连接中间构件在其两个表面上形成了凸点电极，以及
所述散热装置形成来由所述连接中间构件围绕。
13.根据权利要求8的相机，其中，所述散热装置也作为用于所述图像信号处理芯片的光屏蔽板。
14.一种制备相机的方法，包括如下步骤：
在半导体图像传感器芯片的第一主表面上形成多个凸点电极，其中，晶体管形成区域形成在半导体衬底的第一主表面上，具有光入射表面的光电转换区域形成在与所述第一主表面相对一侧上的第二主表面上；
在图像信号处理芯片上形成多个凸点电极，所述图像信号处理芯片用于处理在所述半导体图像传感器芯片内形成的图像信号；
通过散热装置层叠所述半导体图像传感器芯片和所述图像信号处理芯片；
将所述半导体图像传感器芯片的多个凸点电极连接到在所述图像信号处理芯片上的多个凸点电极；
在所述半导体图像传感器模块的第二主表面上形成透镜。
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