JP2006032561A - 半導体イメージセンサ・モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板の第1の主面側に信号電荷を読み出す手段の形成領域を有し、半導体基板の第1の主面と反対側の第2の主面に光入射面を有する光電変換領域を有する半導体イメージセンサ234を少なくとも具備する半導体イメージセンサ・モジュール31であって、半導体イメージセンサ34が透明基板33上に、この半導体イメージセンサ34の第2の主面と透明基板33とが対向するように固定され、半導体イメージセンサ34の第1の主面側の面上に形成された電極パッドと、透明基板33に形成された導電パターン32とが電気的に接続されて成る。
【選択図】 図2
Description
図7に示す半導体イメージセンサ・モジュール10は、CCD型の半導体イメージセンサ1をセラミックパッケージ2内に固定すると共に、電気的接続をワイヤボンディング法によりボッディングワイヤ3を使用して行い、半導体イメージセンサ1の受光部1a側をカバーガラス4で蓋をして半導体イメージセンサ1を保護するように構成される。セラミックパッケージ2からは金属製のリード5を介して出力信号が取り出されるようになされている。このリード5はプリント基板等の所定の端子に接続される。また、セラミックパッケージ2を囲むように、樹脂からなる空間フィルタ固定モールド体6が設けられる。この空間フィルタ固定モールド体6とフィルタガラス7aとにより、カバーガラス4の前方に空間フィルタ7が構成される。
Claims (4)
- 半導体基板の第1の主面側に信号電荷を読み出す手段の形成領域を有し、
前記半導体基板の第1の主面と反対側の第2の主面に光入射面を有する光電変換領域を有する半導体イメージセンサを少なくとも具備する半導体イメージセンサ・モジュールであって、
前記半導体イメージセンサが透明基板上に、該半導体イメージセンサの第2の主面と該透明基板とが対向するように固定され、
前記半導体イメージセンサの第1の主面側の面上に形成された電極パッドと、前記透明基板に形成された導電パターンとが電気的に接続されている
ことを特徴とする半導体イメージセンサ・モジュール。 - 前記透明基板上に、前記歯にから出力された画像信号を処理する信号処理チップが搭載され、
かつ前記半導体イメージセンサの前記電極パッドに接続された接続手段と前記透明基板に形成された導電パターンとを介して、前記半導体イメージセンサと前記信号処理チップとが電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体イメージセンサ・モジュール。 - 前記半導体イメージセンサが裏面照射型のCMOS固体撮像素子である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体イメージセンサ・モジュール。 - 前記半導体イメージセンサが裏面照射型のCMOS固体撮像素子である
ことを特徴とする請求項2記載の半導体イメージセンサ・モジュール。
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