JP2005012221A - 固体撮像用半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 固体撮像用レンズと向かい合う受光ホールが設けられた回路基板と、前記回路基板の下部に電気的に接続され、前記受光ホールを通して入射した前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、前記固体撮像用レンズからの光を遮断しないように前記固体撮像用レンズと固体撮像用半導体チップ間に垂直方向で位置して、水平方向に前記固体撮像用半導体チップと少なくても一部分がオーバーラップされるように形成され、レンズ取付部の下端に固着され且つ前記回路基板の上部に電気的に接続され、前記固体撮像用半導体チップの画像信号を処理する第1画像処理用半導体チップとを含む。
【選択図】 図3
Description
15 レンズ取付部
20 固体撮像用レンズ
25 赤外線カットフィルタ
30 フレキシブル配線基板
35 配線接合部
40 固体撮像用半導体チップ
45 ワイヤボンディング
60 第1画像処理用半導体チップ
65 ワイヤボンディング
70 絶縁性封止樹脂
80 第2画像処理用半導体チップ
110 回路基板
145、165、180 電気的接続手段
200、205、210 絶縁性封止樹脂
Claims (22)
- 固体撮像用レンズと向かい合う受光ホールが設けられた回路基板と、
前記回路基板の下部に電気的に接続され、前記受光ホールを通して入射した前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、
前記固体撮像用レンズからの光を遮断しないように前記固体撮像用レンズと固体撮像用半導体チップとの間に垂直方向に位置して、水平方向で前記固体撮像用半導体チップと少なくとも一部分がオーバーラップするように形成され、レンズ取付部の下端に固着され且つ前記回路基板の上部に電気的に接続され、前記固体撮像用半導体チップの画像信号を処理する第1画像処理用半導体チップと、
を含むことを特徴とする固体撮像用半導体装置。 - 前記第1画像処理用半導体チップは、前記固体撮像用レンズからの光が通る部分に開口部を備えるか、或いは光が通る経路の周囲に形成されることを特徴とする請求項1記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用レンズが取り付けられたレンズ取付部をさらに含み、前記レンズ取付部内で前記固体撮像用レンズと向かい合いながら、前記固体撮像用レンズからの光が通る部分に位置する赤外線カットフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項2記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用半導体チップは前記回路基板の下部に第1電気的接続手段によって電気的に接続され、前記第1画像処理用半導体チップは前記回路基板の上部に第2電気的接続手段によって電気的に接続され、
前記第1及び第2電気的接続手段は金属バンプ或いは半田ボールであることを特徴とする請求項3記載の固体撮像用半導体装置。 - 前記第1または第2電気的接続手段は絶縁性封止樹脂で封止されることを特徴とする請求項4記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用レンズからの光を遮断しないように前記固体撮像用レンズと固体撮像用半導体チップとの間に垂直方向に位置して、水平方向で前記固体撮像用半導体チップと少なくとも一部分がオーバーラップするように形成され、レンズ取付部と前記第1画像処理用半導体チップとの間に位置して前記レンズ取付部の下端に固着され、前記第1画像処理用半導体チップに第3電気的接続手段を介して電気的に接続される第2画像処理用半導体チップをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第2画像処理用半導体チップは、前記固体撮像用レンズからの光が通る部分に開口部を備えるか、或いは光が通る経路の周囲に形成されることを特徴とする請求項6記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記レンズ取付部内で前記固体撮像用レンズと向かい合いながら、前記固体撮像用レンズからの光が通る部分に位置する赤外線カットフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項7記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第1画像処理用半導体チップと前記第2画像処理用チップとを電気的に接続する第3電気的接続手段は金属バンプ或いは半田ボールであることを特徴とする請求項8記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第1画像処理用半導体チップと前記第2画像処理用半導体チップとを電気的に接続する第3電気的接続手段は絶縁性封止樹脂で封止されることを特徴とする請求項9記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第1または第2画像処理用半導体チップは多重分割半導体チップであることを特徴とする請求項6記載の固体撮像用半導体装置。
- 第1画像処理用半導体チップと、
前記第1画像処理用半導体チップの下部に電気的に接続され、入射した固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換する固体撮像用半導体チップと、を含み、
第1画像処理用半導体チップは前記固体撮像用レンズからの光を遮断しないように前記固体撮像用レンズと固体撮像用半導体チップとの間に垂直方向に位置して、水平方向で前記固体撮像用半導体チップと少なくとも一部分がオーバーラップするように形成されることを特徴とする固体撮像用半導体装置。 - 前記第1画像処理用半導体チップは、前記固体撮像用レンズからの光が通る部分に開口部を備えるか、或いは光が通る経路の周囲に形成されることを特徴とする請求項12記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用レンズが取り付けられたレンズ取付部をさらに含み、前記レンズ取付部内で前記固体撮像用レンズと向かい合いながら、前記固体撮像用レンズからの光が通る部分に位置する赤外線カットフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項13記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用半導体チップは前記第1画像処理用半導体チップの下部に第1電気的接続手段によって電気的に接続され、前記第1電気的接続手段は金属バンプ或いは半田ボールであることを特徴とする請求項14記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第1電気的接続手段は絶縁性封止樹脂で封止されることを特徴とする請求項15記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記固体撮像用レンズからの光を遮断しないように前記固体撮像用レンズと固体撮像用半導体チップとの間に垂直方向に位置して、水平方向で前記固体撮像用半導体チップと少なくとも一部分がオーバーラップするように形成され、レンズ取付部と前記第1画像処理用半導体チップとの間に位置して前記レンズ取付部の下端に固着され、前記第1画像処理用半導体チップに第2電気的接続手段を介して電気的に接続される第2画像処理用半導体チップをさらに含むことを特徴とする請求項12記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第2画像処理用半導体チップは、前記固体撮像用レンズからの光が通る部分に開口部を備えるか、或いは光が通る経路の周囲に形成されることを特徴とする請求項17記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記レンズ取付部内で前記固体撮像用レンズと向かい合いながら、前記固体撮像用レンズからの光が通る部分に位置する赤外線カットフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項18記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第1画像処理用半導体チップと前記第2画像処理用チップとを電気的に接続する第2電気的接続手段は金属バンプ或いは半田ボールであることを特徴とする請求項19記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第1画像処理用半導体チップと前記第2画像処理用半導体チップとを電気的に接続する第2電気的接続手段は絶縁性封止樹脂で封止されることを特徴とする請求項20記載の固体撮像用半導体装置。
- 前記第1または第2画像処理用半導体チップは多重分割半導体チップであることを特徴とする請求項17記載の固体撮像用半導体装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110254988A1 (en) * | 2008-12-26 | 2011-10-20 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensing device and method for fabricating the same |
JP2013207201A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Kyocera Corp | イメージセンサおよび読取装置 |
JP2014216625A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2014229683A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2017037962A (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 大日本印刷株式会社 | イメージセンサモジュール |
JP2020113772A (ja) * | 2020-03-03 | 2020-07-27 | 大日本印刷株式会社 | インターポーザ基板 |
WO2024084865A1 (ja) * | 2022-10-19 | 2024-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置 |
WO2024157715A1 (ja) * | 2023-01-23 | 2024-08-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び半導体装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4214060B2 (ja) * | 2004-01-05 | 2009-01-28 | フジノン株式会社 | 撮像装置 |
JP4349232B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2009-10-21 | ソニー株式会社 | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
KR100721167B1 (ko) * | 2005-08-24 | 2007-05-23 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 모듈과 그 제조 방법 및 이를 이용한 카메라모듈 |
US8107004B2 (en) * | 2007-02-26 | 2012-01-31 | Hoya Corporation | Imaging device |
JP5685898B2 (ja) * | 2010-01-08 | 2015-03-18 | ソニー株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
JP2011243612A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器 |
WO2012067377A2 (en) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Camera module and method for manufacturing the same |
US10090349B2 (en) | 2012-08-09 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same |
US8957358B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-02-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same |
US9153565B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensors with a high fill-factor |
US8629524B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for vertically integrated backside illuminated image sensors |
CN104122541B (zh) | 2013-04-28 | 2016-08-17 | 意法半导体研发(深圳)有限公司 | 具有互连层的接近检测器设备及相关方法 |
CN106657720A (zh) * | 2015-10-30 | 2017-05-10 | 富港电子(东莞)有限公司 | 摄像模块及其制造方法 |
TWI613477B (zh) * | 2016-09-12 | 2018-02-01 | 台睿精工股份有限公司 | 雙鏡頭機械零傾角結構及其調整方法 |
CN109300930A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-01 | 象山邱工联信息技术有限公司 | 用于降低功耗的图像传感器封装方法 |
CN112992956B (zh) * | 2021-05-17 | 2022-02-01 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 芯片封装结构、芯片封装方法和电子设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04200161A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチチップイメージセンサ |
JPH0964330A (ja) | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Olympus Optical Co Ltd | 電子内視鏡用固体撮像装置 |
JP2001245186A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置と撮像装置組立方法 |
JP2002330319A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | 撮像素子モジュールの実装構造 |
JP2002368235A (ja) | 2001-03-21 | 2002-12-20 | Canon Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003168792A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3035784B2 (ja) * | 1990-01-09 | 2000-04-24 | コニカ株式会社 | 画像記録装置 |
JPH10321827A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Sony Corp | 撮像装置及びカメラ |
JP2002010116A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Sharp Corp | 撮像装置およびそれに用いられる撮像素子 |
-
2003
- 2003-06-18 KR KR1020030039525A patent/KR100568223B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-06-14 US US10/865,882 patent/US20040263668A1/en not_active Abandoned
- 2004-06-16 JP JP2004178743A patent/JP2005012221A/ja active Pending
- 2004-06-18 CN CNB2004100593431A patent/CN100444392C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04200161A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチチップイメージセンサ |
JPH0964330A (ja) | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Olympus Optical Co Ltd | 電子内視鏡用固体撮像装置 |
JP2001245186A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置と撮像装置組立方法 |
JP2002368235A (ja) | 2001-03-21 | 2002-12-20 | Canon Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002330319A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | 撮像素子モジュールの実装構造 |
JP2003168792A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110254988A1 (en) * | 2008-12-26 | 2011-10-20 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensing device and method for fabricating the same |
US8605212B2 (en) * | 2008-12-26 | 2013-12-10 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensing device having a reduced size and method for fabricating the same |
JP2013207201A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Kyocera Corp | イメージセンサおよび読取装置 |
JP2014216625A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2014229683A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP2017037962A (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 大日本印刷株式会社 | イメージセンサモジュール |
JP2020113772A (ja) * | 2020-03-03 | 2020-07-27 | 大日本印刷株式会社 | インターポーザ基板 |
JP7014244B2 (ja) | 2020-03-03 | 2022-02-01 | 大日本印刷株式会社 | インターポーザ基板 |
WO2024084865A1 (ja) * | 2022-10-19 | 2024-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置 |
WO2024157715A1 (ja) * | 2023-01-23 | 2024-08-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び半導体装置 |
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