KR200285408Y1 - Ｃｍｏｓ 카메라 시스템용 이미지 센서 장치 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치에 관한 것으로, CMOS 카메라 시스템의 소형화를 위하여, 마더보드에 실장되어 있던 화상처리용 반도체 소자를 CMOS 카메라와 일체화된 이미지 센서 장치를 제공한다. 즉, 본 고안은 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치로서, 촬상영역을 중심으로 해서 일면의 외곽에 배선패턴이 형성된 유리기판과; 상기 유리기판의 타면에 설치되고, 상기 촬상영역에 대향 배치된 렌즈를 갖는 렌즈 유니트와; 상기 촬상영역에 대향하게 상기 유리기판의 배선패턴에 플립 칩 본딩된 촬상용 반도체 칩과; 상기 촬상용 반도체 칩 위에 배치되고, 상기 촬상용 반도체 칩 외측의 상기 유리기판의 배선패턴과 전기적 접속을 이루고, 상기 촬상용 반도체 칩의 화상신호를 처리하는 화상처리용 반도체 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치를 제공한다.

Description

ＣＭＯＳ 카메라 시스템용 이미지 센서 장치{Image sensor device for CMOS camera system}
본 고안은 CMOS 카메라 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CMOS 카메라와 화상처리용 반도체 소자가 일체로 형성된 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치에 관한 것이다.
휴대단말기나 휴대전화기 등의 모바일 장치에는, 촬상용 반도체와 렌즈 유니트를 조합시킨 형태의 CMOS 카메라로 불리는 이미지 센서 장치에 탑재되고, 더구나, CMOS 카메라에서 얻어진 화상신호를 처리하는 화상처리용 반도체 소자와, 처리신호에 대응한 화상을 표시하는 표시장치 등과의 조합에 의해, CMOS 카메라 시스템이 구성되어 있다.
도 1은 종래기술에 따른 CMOS 카메라 시스템을 보여준다. CMOS 카메라(1)는 렌즈(2)를 갖는 렌즈 유니트(3)와, 렌즈(2)에 대향 배치된 촬상용 반도체 소자(4)로 구성되어 있다. 플랙서블 배선기판(5)은 CMOS 카메라(1)를 지지하는 동시에, 촬상용 반도체 소자(4)와의 본딩 와이어(6) 접속을 거쳐 화상신호를 주고받는 배선기판으로서, 폴리이미드로 구성되어 있다. 플랙서블 배선기판(5)의 일측은 마더보드(7)의 커넥터에 연결되어 전기적 접속을 이룬다. 그리고 마더보드(7)에는 촬상용 반도체 소자(4)로부터의 화상신호를 처리하는 화상처리용 반도체 소자(9)와, 처리된 화상신호를 보존하기 위한 메모리 등을 포함하는 컨트롤 유니트(10) 및 화상을 표시하는 디스플레이 장치(11)가 실장되어 있다.
그런데, 종래의 CMOS 카메라 시스템은 각각의 소자가 평면적으로 설치되기 때문에 소형화에 한계가 있다.
그리고 플랙서블 배선기판 위에 촬상용 반도체 소자가 실장된 구조를 갖는데, 플랙서블 배선기판은 습기를 흡수하는 특성을 가지고 있기 때문에, 촬상용 반도체 소자의 회로 패턴이 부식되어 고장을 일으킬 수 있다.
또한 봉합된 촬상용 반도체 소자의 영역에 수분이 잔존할 경우 렌즈를 통하여 촬영된 이미지가 촬상용 반도체 소자에 도달하기 전에 수분에 반사되거나 굴절되어 처음의 이미지가 촬상용 반도체 소자에 전달되지 못하는 불량이 발생될 수 있다.
따라서, 본 고안의 목적은 CMOS 카메라 시스템을 더욱 소형화시킬 수 있는 이미지 센서 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래기술에 따른 CMOS 카메라 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 고안의 제 1 실시예에 따른 이미지 센서 장치를 포함하는 CMOS 카메라 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 3은 도 2의 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 고안의 제 3 실시예에 따른 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 고안의 제 4 실시예에 따른 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 고안의 제 5 실시예에 따른 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 고안의 제 6 실시예에 따른 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
도 9는 본 고안의 제 7 실시예에 따른 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
도 10은 본 고안의 제 8 실시예에 따른 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
도 11은 본 고안의 제 9 실시예에 다른 이미지 센서 장치를 보여주는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
20, 120, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820 : 이미지 센서 장치
21 : 플랙서블 배선기판
27 : 마더 보드
23 : 컨트롤 유니트
24 : 디스플레이 장치
30, 130 : CMOS 카메라
50, 150, 250, 350 : 화상처리용 반도체 소자
70, 170, 270, 370 : 솔더 볼
80, 180, 280, 380 : 커넥터
100 : CMOS 카메라 시스템
상기 목적을 달성하기 위하여, 마더보드에 실장되어 있던 화상처리용 반도체 소자를 CMOS 카메라와 일체화된 이미지 센서 장치를 제공한다. 즉, 본 고안은 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치로서, 촬상영역을 중심으로 해서 일면의 외곽에 배선패턴이 형성된 유리기판과; 상기 유리기판의 타면에 설치되고, 상기 촬상영역에 대향 배치된 렌즈를 갖는 렌즈 유니트와; 상기 촬상영역에 대향하게 상기 유리기판의 배선패턴에 플립 칩 본딩된 촬상용 반도체 칩과; 상기 촬상용 반도체 칩 위에 배치되고, 상기 촬상용 반도체 칩 외측의 상기 유리기판의 배선패턴과 전기적 접속을 이루고, 상기 촬상용 반도체 칩의 화상신호를 처리하는 화상처리용 반도체 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 고안의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자한다.
도 2는 본 고안의 제 1 실시예에 따른 이미지 센서 장치(30)를 포함하는 CMOS 카메라 시스템(100)을 나타내는 개략도이다. CMOS 카메라 시스템(100)은 CMOS 카메라(40)와 화상처리용 반도체 소자(60)가 일체로 형성된 이미지 센서 장치(30)와, 컨트롤 유니트(23)와 디스플레이 장치(24)가 실장된 마더보드(22) 그리고 이미지 센서 장치(20)와 마더보드(22)를 전기적으로 연결하는 플랙서블 배선기판(21)으로 구성된다.
제 1 실시예에 따른 이미지 센서 장치(20)를 도 3을 참조로 하여 좀더 상세히 설명하면, MOS 카메라(30)는 촬상영역(38)을 중심으로 해서 일면의 외곽에 배선패턴(34)이 형성된 유리기판(31)과, 유리기판(31)의 타면에 설치되고, 촬상영역(38)에 대향 배치된 렌즈(45)를 갖는 렌즈 유니트(33) 및 촬상영역(38)에 대향하게 배치되며 유리기판의 배선패턴(34)에 플립 칩 본딩된 촬상용 반도체 칩(35)을 포함한다. 화상처리용 반도체 소자(50)는 촬상용 반도체 칩(35) 위에 배치되고, 촬상용 반도체 칩(35) 외측의 유리기판의 배선패턴(34)과 전기적 접속을 이루어 촬상용 반도체 칩(35)의 화상신호를 처리한다.
CMOS 카메라(30)에 대해서 좀더 상세히 설명하면, 유리기판(31)은 소정의 두께를 갖는 유리판(32)의 일면에 니켈 (Ni)또는 금(Au) 소재의 금속층을 패터닝하여 형성된 배선패턴(34)을 포함하며, 배선패턴(34)은 유리판(32) 중심 부분의 촬상영역(38)의 외측에 형성된다. 제 1 실시예에서는 렌즈 유니트(33)가 형성된 유리판의 촬상영역(38)에 적외선 커팅 필터(IR cutting filter)나 고주파 컷팅 필터(HFcutting filter)와 같은 필터(36)가 부착되어 있다.
렌즈 유니트(33)는 유리기판의 촬상영역(38)보다는 큰 개구부(47)를 갖는 렌즈 몸체(43)와, 렌즈 몸체의 개구부(47)에 결합된 렌즈(45)를 포함하며, 렌즈(45)가 촬상영역(38)에 대향 배치되게 렌즈 몸체(43)가 유리기판(31)의 타면에 접착제(39)에 의해 부착된다.
촬상용 반도체 칩(35)은 활성면의 가장자리 둘레에 소정의 높이의 금속 범프(41)가 다수개 형성되어 있으며, 유리기판의 배선패턴(34)에 촬상용 반도체 칩의 금속 범프(41)가 플립 칩 본딩된다. 금속 범프(41)의 소재로는 금(Au) 또는 솔더(solder)가 사용될 수 있다. 촬상용 반도체 칩(35)의 외곽과 플립 칩 본딩된 부분은 절연성 봉지수지로 봉지하여 제 1 수지봉합부(37)가 형성되며, 제 1 수지봉합부(37)는 플립 칩 본딩된 부분의 신뢰성의 향상과 플립 칩 본딩된 부분의 강도의 보강을 도모한다. 절연성 봉지수지로는 절연성의 에폭시 수지, 절연성의 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.
화상처리용 반도체 소자(50)는 테이프 배선기판(51)에 화상처리용 반도체 칩(53)이 실장된 칩 온 보드(Chip On Board; COB) 패키지 형태를 갖는다. 테이프 배선기판(51)은 폴리이미드 테이프(52)와, 폴리이미드 테이프(52)의 일면에 형성된 배선층(54)과, 폴리이미드 테이프(54)의 타면의 외곽에 형성된 솔더 패드(58)를 포함하며, 솔더 패드(58)와 배선층(54)은 비아(56)에 의해 전기적으로 연결되어 있다. 화상처리용 반도체 칩(53)은 테이프 배선기판(51)의 일면에 부착되어 테이프 배선기판의 배선층(54)과 본딩 와이어(55)에 의해 전기적 접속을 이룬다. 테이프배선기판(51) 일면에 실장된 화상처리용 반도체 칩(53)과, 본딩 와이어(55)로 연결된 배선층(54) 부분은 절연성 봉지수지로 봉합하여 형성된 제 2 수지봉합부(57)에 의해 보호된다. 그리고 테이프 배선기판(51)의 일면의 외곽에 플랙서블 배선기판이 접속할 수 있는 커넥터(80)가 양쪽에 형성되어 있다. 예컨대, 커넥터(80) 중에서 하나는 전원 공급용으로, 다른 하나는 화상 신호 전송용으로 사용될 수 있다.
그리고, 이와 같은 구조를 갖는 CMOS 카메라의 촬상용 반도체 칩(35) 위에 화상처리용 반도체 소자(50)를 배치하고, 촬상용 반도체 칩(35)과 간섭하지 않는 범위에서 제 2 수지봉합부(57) 외측의 테이프 배선기판(51)은 하향 절곡되어 테이프 배선기판의 솔더 패드(58)와 CMOS 카메라의 유리기판의 배선패턴(34)에 사이에 솔더 볼(70)을 개재하여 접합한다.
본 고안의 제 1 실시예에서는 필터(36a)가 렌즈 유니트(33)가 형성된 유리판의 촬상영역(38)에 부착된 예를 개시하였지만, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 고안의 제 2 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(120)는 제 1 실시예에 따른 필터가 부착된 유리기판 타면에 반대면에 필터(136)가 부착된 구조를 갖는다. 필터(136)는 금속 범프(141)가 형성된 촬상용 반도체 칩(135)의 면과 마주보는 유리기판(131)의 일면에 부착된다.
한편, 이후에 설명된 다른 실시예에 따른 이미지 센선 패키지에 있어서, CMOS 카메라는 제 1 실시예 또는 제 2 실시예에 따른 CMOS 카메라와 동일한 구조를 갖기 때문에, CMOS 카메라에 대한 설명은 제 1 실시예 또는 제 2 실시예에 따른 CMOS 카메라와 동일하다는 설명으로 대신하고 상세한 설명은 생략한다. 그리고,화상처리용 반도체 소자와, 화상처리용 반도체 소자와 CMOS 카메라의 연결 구조를 중심으로 설명하겠다.
도 5는 제 3 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(220)를 도시하고 있다. 제 3 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 CMOS 카메라(30)는 제 1 실시예에 따른 CMOS 카메라와 동일한 구조를 갖는다. 그리고 화상처리용 반도체 소자(150)는 제 1 실시예에 따른 화상처리용 반도체 소자의 제 2 수지봉합부(157)가 촬상용 반도체 칩(35)의 배면에 접착제(165)를 개재하여 적층된 구조를 갖는다. 그리고 제 2 수지봉합부(157) 외측의 테이프 배선기판(151)은 하향 절곡되어 테이프 배선기판의 배선층(154)과 유리기판의 배선패턴(34)이 솔더 볼(170)에 의해 전기적 접속을 이룬다. 이때 커넥터(180)는 테이프 배선기판(151)의 타면에 형성되며, 제 3 실시예에서는 제 2 수지봉합부(157)가 형성된 테이프 배선기판(151)의 일면에 대향하는 테이프 배선기판(151)의 타면에 형성된다.
도 6은 제 4 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(320)를 도시하고 있다. 제 4 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 CMOS 카메라(130)는 제 2 실시예에 따른 CMOS 카메라와 동일한 구조를 갖는다. 그리고 화상처리용 반도체 소자(150)는 제 3 실시예에 따른 화상처리용 반도체 소자와 동일한 구조를 갖는다. 즉 제 4 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(320)를 제 3 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(220)와 비교했을 때, 필터(136)가 금속 범프(141)가 형성된 촬상용 반도체 칩(135)의 면에 마주보는 유리기판(131)의 일면에 부착된 차이점을 갖는다.
도 7은 제 5 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(420)를 도시하고 있다. 제5 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 CMOS 카메라(30)는 제 1 실시예에 따른 CMOS 카메라와 동일한 구조를 갖는다. 화상처리용 반도체 소자(250)는 촬상용 반도체 칩(35) 위에 배치되고, 촬상용 반도체 칩(35) 외측의 유리기판의 배선패턴(34)과 전기적 접속을 이루어 촬상용 반도체 칩(35)의 화상신호를 처리한다.
화상처리용 반도체 소자(250)는 테이프 배선기판(251)에 화상처리용 반도체 칩(253)이 실장된 COB 패키지 형태를 갖는다. 테이프 배선기판(251)은 폴리이미드 테이프(252)와, 폴리이미드 테이프(252)의 일면에 형성된 범프 패드(261)와, 폴리이미드 테이프(252)의 타면에 형성된 배선층(254)을 포함하며, 범프 패드(261)와 배선층(254)은 비아(256)에 의해 전기적으로 연결된 배선기판이다. 화상처리용 반도체 칩(253)은 활성면에 가장자리 부분에 다수개의 금속 범프(263)가 형성되어 있으며, 테이프 배선기판(251)의 일면의 범프 패드(261)에 플립 칩 본딩된다. 화상처리용 반도체 칩(253)의 외곽과 플립 칩 본딩된 부분은 절연성 봉지수지로 봉합하여 형성된 제 2 수지봉합부(257)에 의해 보호된다. 그리고 테이프 배선기판(251)의 일면의 외곽에 플랙서블 배선기판이 접속할 수 있는 커넥터(280)가 양쪽에 형성되어 있다.
그리고 이와 같은 구조를 갖는 CMOS 카메라의 촬상용 반도체 칩(35) 위에 화상처리용 반도체 소자(250)를 배치하고, 제 2 수지봉합부(257) 외측의 테이프 배선기판(251)은 하향 절곡되며, 화상처리용 반도체 소자(250) 외곽의 테이프 배선기판(251)과 CMOS 카메라의 유리기판(31)은 솔더 볼(270)을 매개로 접합된 구조를 갖는다. 이때 서로 마주보는 테이프 배선기판(251)의 타면에 형성된 배선층(254)과 유리기판의 배선패턴(34)은 솔더 볼(270)에 의해 접합된다.
도 8은 제 6 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(520)를 도시하고 있다. 제 6 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(520)를 제 5 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(420)와 비교했을 때, 필터(136)가 금속 범프(141)가 형성된 촬상용 반도체 칩(135)의 면에 마주보는 유리기판(131)의 일면에 부착된 점을 제외하면 동일한 구조를 갖는다.
도 9는 제 7 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(620)를 도시하고 있다. 제 7 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 CMOS 카메라(30)는 제 1 실시예에 따른 CMOS 카메라와 동일한 구조를 갖는다. 그리고 화상처리용 반도체 소자(350)는 제 5 실시예에 따른 화상처리용 반도체 소자의 배면과 촬상용 반도체 칩(35)의 배면이 마주보게 적층된 구조를 갖는다. 그리고 제 2 수지봉합부(357) 외측의 테이프 배선기판(351)은 하향 절곡되어 테이프 배선기판(351)과 유리기판의 배선패턴(34)이 솔더 볼(370)에 의해 전기적 접속을 이룬다. 커넥터(380)는 테이프 배선기판(351)의 타면에 형성되며, 제 7 실시예에서는 제 2 수지봉합부(357)가 형성된 테이프 배선기판(351)의 일면에 대향하는 테이프 배선기판(351)의 타면에 형성된다.
도 10은 제 8 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(720)를 도시하고 있다. 제 8 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(720)를 제 7 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(620)와 비교했을 때, 필터(136)가 금속 범프(141)가 형성된 촬상용 반도체 칩(135)의 면에 마주보는 유리기판(131)의 일면에 부착된 점을 제외하면 동일한 구조를 갖는다.
도 11은 제 9 실시예에 따른 이미지 센서 패키지(820)를 도시하고 있다. 제 9 실시예에 다른 이미지 센서 패키지(820)는 다른 실시예에 따른 이미지 센서 패키지와 렌즈 유니트(233)가 상이한 구조를 갖고 있다. 즉, 다른 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 렌즈 몸체는 유리기판의 하면에 부착된 구조를 갖는 데 반하여, 제 9 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 렌즈 몸체(243)는 유리기판(131)과 화상처리용 반도체 소자(350)의 외곽에 끼움결합된 구조를 갖는다. 따라서, 제 9 실시예에 개시된 렌즈 유니트(233)는 제 1 내지 8 실시에에 따른 이미지 센서 패키지의 렌즈 유니트 대신에 설치할 수도 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 고안의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 고안의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 고안의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
따라서, 본 고안의 구조를 따르면 유리기판을 이용한 CMOS 카메라에 화상처리용 반도체 소자가 일체로 형성되기 때문에, CMOS 카메라 시스템을 더욱 소형화시킬 수 있다.
본 고안에서는 촬상용 반도체 소자가 유리기판에 실장되어 봉합된 구조를 갖는데, 유리기판은 흡습성이 거의 없기 때문에, CMOS 카메라 시스템의 흡습에 따른불량을 억제할 수 있다.
그리고, 렌즈 유니트를 끼움 결합 방식으로 체결하여 CMOS 카메라 시스템을 구현할 수 있기 때문에, 렌즈 유니트를 유리기판의 하부면에 부착하는 방식에 비해서 제조 공정이 단순화되어 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (19)

  1. CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치로서,
    촬상영역을 중심으로 해서 일면의 외곽에 배선패턴이 형성된 유리기판과;
    상기 유리기판의 타면에 설치되고, 상기 촬상영역에 대향 배치된 렌즈를 갖는 렌즈 유니트와;
    상기 촬상영역에 대향하게 상기 유리기판의 배선패턴에 플립 칩 본딩된 촬상용 반도체 칩과;
    상기 촬상용 반도체 칩 위에 배치되고, 상기 촬상용 반도체 칩 외측의 상기 유리기판의 배선패턴과 전기적 접속을 이루고, 상기 촬상용 반도체 칩의 화상신호를 처리하는 화상처리용 반도체 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 유리기판 타면의 촬상영역에 부착된 적외선 커팅 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 촬상용 반도체 칩의 외곽과 플립 칩 본딩된 부분을 절연성 봉지수지로 봉지하여 형성된 제 1 수지봉합부를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 소자는
    테이프 배선기판과;
    상기 테이프 배선기판의 일면에 실장되어 상기 테이프 배선기판의 전기적 접속을 이루는 화상처리용 반도체 칩과;
    상기 테이프 배선기판과 상기 화상처리용 반도체 칩의 전기적 연결 부분을 절연성 봉지수지로 봉지하여 형성된 제 2 수지봉합부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 촬상용 반도체 칩 위에 상기 화상처리용 반도체 소자를 배치하고, 상기 촬상용 반도체 칩과 간섭하지 않는 범위에서 상기 제 2 수지봉합부 외측의 상기 테이프 배선기판 부분은 하향 절곡되며, 상기 하향 절곡된 테이프 배선기판과 마주보는 상기 유리기판의 배선패턴을 접합하는 솔더 볼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 칩과 상기 테이프 배선기판은 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결되며, 상기 제 2 수지봉합부는 상기 테이프 배선기판의 일면에 실장된 상기 화상처리용 반도체 칩과 상기 본딩 와이어를 봉지하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 소자의 제 2 수지봉합부가 상기촬상용 반도체 칩의 배면에 접착되는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 칩은 상기 테이프 배선기판에 플립 칩 본딩되며, 상기 제 2 수지봉합부는 상기 화상처리용 반도체 칩의 외곽과 플립 칩 본딩된 부분을 봉지하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 칩의 배면이 상기 촬상용 반도체 칩의 배면과 접착되는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 유리기판 일면의 촬상영역에 부착된 적외선 커팅 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 촬상용 반도체 칩의 외곽과 플립 칩 본딩된 부분을 절연성 봉지수지로 봉지하여 형성된 제 1 수지봉합부를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 소자는
    테이프 배선기판과;
    상기 테이프 배선기판의 일면에 실장되어 상기 테이프 배선기판의 전기적 접속을 이루는 화상처리용 반도체 칩과;
    상기 테이프 배선기판과 상기 화상처리용 반도체 칩의 전기적 연결 부분을 절연성 봉지수지로 봉지하여 형성된 제 2 수지봉합부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 촬상용 반도체 칩 위에 상기 화상처리용 반도체 소자를 배치하고, 상기 촬상용 반도체 칩과 간섭하지 않는 범위에서 상기 제 2 수지봉합부 외측의 상기 테이프 배선기판 부분은 하향 절곡되며, 상기 하향 절곡된 테이프 배선기판과 마주보는 상기 유리기판의 배선패턴을 접합하는 솔더 볼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 칩과 상기 테이프 배선기판은 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결되며, 상기 제 2 수지봉합부는 상기 테이프 배선기판의 일면에 실장된 상기 화상처리용 반도체 칩과 상기 본딩 와이어를 봉지하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 소자의 제 2 수지봉합부가 상기 촬상용 반도체 칩의 배면에 접착되는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  16. 제 12항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 칩은 상기 테이프 배선기판에 플립 칩 본딩되며, 상기 제 2 수지봉합부는 상기 화상처리용 반도체 칩의 외곽과 플립 칩 본딩된 부분을 봉지하는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 화상처리용 반도체 칩의 배면이 상기 촬상용 반도체 칩의 배면과 접착되는 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  18. 제 1항 내지 제 17항의 어느 한 항에 있어서, 상기 렌즈 유니트는 상기 유리기판의 타면에 설치되고 상기 유리기판의 촬상영역보다는 큰 개구부를 갖는 렌즈 몸체를 포함하며, 상기 렌즈 몸체의 개구부에 상기 렌즈가 결합된 것을 특징으로 하는 CMOS 카메라 시스템용 이미지 센서 장치.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 렌즈 몸체는 상기 유리기판과 상기 화상처리용 반도체 소자의 외곽에 끼움결합된 것을 특징으로 하는 CMOS 카마라 시스템용 이미지 센서 장치.
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