TWI232235B - Adhesive sheet for dicing - Google Patents

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TWI232235B
TWI232235B TW91113528A TW91113528A TWI232235B TW I232235 B TWI232235 B TW I232235B TW 91113528 A TW91113528 A TW 91113528A TW 91113528 A TW91113528 A TW 91113528A TW I232235 B TWI232235 B TW I232235B
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cutting
adhesive sheet
adhesive
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film
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TW91113528A
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Inventor
Shouji Yamamoto
Kenjiro Takayanagi
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Description

切 的 步 固 1232235 A7 B7 五、發明説明 發明的背景 發明之技術領域 本發明是關於一切割用黏著劑 .關於一 if # …月材。而且，本發明是 自、種使用该切割用黏著劑片材門 藉由該切割方法獲得之 j方法，以及關於 丰導姊日在小兀件的情況中，諸如 牛日日0切割與分隔（切割 著劑片；bM七炎m ) 依據本發明之切割用黏 用的”、、於切割半導體晶® _著劑枝特別有 用於固定將被切割的材料，諸如半導體晶圓。 ==’_本發以㈣㈣著劑片材可以被用作 導體的黏著劑片材、用於切割化合物半導體晶圓的 …片材、用於切割半導體封裝的點著劑月材、用於切 割破璃的黏著劑片材與類似物。 相關技藝的說明 -照慣例，由石夕、鎵或石中製成的半導體晶圓是以較大的 直從狀恶被產生’然後將其切割並分隔(分割)成小的元件 片，並且被轉移至固定的步驟。在此程序中，對藉由黏著 在黏著劑片材上而被維持住之該半導體晶圓進行個別的 驟’绪如分割步驟、清洗步驟、擴張步驟、拾取步驟與 定步驟。一大約1至2〇〇微米厚度含有塗覆在一具有塑膠薄 朕組成之基料上的丙烯酸系黏著劑之片材，通常被用作黏 者劑片材。 在切割步驟中，該晶圓是以旋轉並移動的圓形刀片切 割，但是所謂完全切割的切割系統是一主流，其中維持該 半‘體晶圓之該切割用黏著劑月材的基材，被切割至該基
木效’Λ尺度璉用中闽幽家標準（CNS) .A1規秸（210X297公犮） 1 1232235
==。因為該黏著嶋藉由該完全切割方法， 而被切#其内部，該基材，也就是一 維狀的邊料。當爷總給壯！ ^、曰展王減 士 錢維狀邊料附著到晶片（切割件）的側邊 犄，該附著的纖維狀邊料合 ·， "士. 彳邊枓曰在後面的步驟被固定並包含在 :片中’而造成所得半導體元件之可靠性會顯著下降的問 喊。在拾取的步驟中，個別的晶片在以電荷耗合裝置（CCD) 的相機確認定位之後被拾取，但是如果有纖維狀邊料時， 也會造成確認錯誤的不便。 舉例來說日本專利申請公報第156214號（1993年）提 出使用乙稀-甲基丙稀酸酿共聚物作為基料之黏著劑片 材，可以做為解決該些問題的方法。此點著劑片材黏結會 使纖維狀邊材的產生有某一程度的減少，但是在該分割步 驟中，無法滿;t地持久產生高可靠性的半導體。 另外，日本專利申請公報第211234號㈣林）提出， 使用以電子束或諸如在U80Mra.d〇光輕射照射之薄膜 作為點著劑片材。不過’此點著劑片材會由於輻射照射而 被嚴㈣壞’因此幾乎無法提供有優異外觀的薄膜，同時 會顯著增加薄膜製造成本’因此在品質水準與成本方面， 它是較不好的。 晶圓在完全切割的切割方法中被完全切割，如此該切 割物的品質水準是隨著使用之切割用黏著劑片材而改變。 舉例來說，近年來晶圓變薄，而所謂破碎的碎裂會發生在 該晶圓的背面，這會造成晶圓抗彎曲強度下降的嚴重問題。 舉例來說，曰本專利申請公報第3354π號（1993年） 1232235 A7 B7 3 五、發明説明 ------------------------ (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) 提出一種產生變溥的半導體元件（藉由首先實施切割）的方 法，其中首先對於其上形成有-元件之半導體晶圓進行切 割，以形成預定深度的溝槽，然後進行背面研磨，直至該 •切割凹槽的深度，做為解決該些問題的手段。在此方法中， 碎裂的發生是可以被避免的，但是因為先前半導體晶圓具 有因為切割造成之數十至數百微米深度的割:展，如此會產 生諸如在該背面研磨步驟之前發生龜裂，以及在背面研磨 步驟中，研磨的水由該凹槽污染晶圓表面的問題，因此會 導致半導體晶圓產率下降。 發明之概要說明 本發明的-個目的是提供一切割用黏著劑片材，由於 較少降低產品品質水準，以及在切割期間較少有纖維狀邊料產 生，其沒有經濟上的缺點，因此可以解決上述先前技藝的問 題。 本發明的另一個目的是提供一種切割用黏著劑片 材其用於此夠達到諸如半導體晶圓之切片的良好產率， 同時能夠避免在切割期間碎裂的產生，以解決上述先前技 藝的問題。 本發明的再一個目的是提供一種利用該經黏著劑貼 附之切割用片材的切割方法。 不. 本發明的再另-個目的是提供由該切割方法獲得 小切片 為了解決上述這也 之 ^ 問碭，本發明人對於組成該切割用 I占著劑片材之基材、落 σ 柯4¾進行大量的研究，結果發現上 面說 糾.規祐（2](.)X297公犮） 6 1232235 A7
亦即’本發明是關於切割用黏著劑片材，其包含提供 ::至少―表面上具有-黏著劑層的基材薄膜，其中該基 材賴包含具有作為聚合的組成份之丙稀和乙婦綠8 個碳烤烴的烯煙基熱塑性彈性體，而且該些稀烴基熱 塑性彈性體的炫融溫度峰是在12〇至17〇它。 本發明人發現，特別是在含有丙婦和乙婦及/或心8個 碳的α-烯烴作為聚合組成份，並且組成依據本發明之該切 割用黏著劑片材之該基材_的該些婦絲熱塑性彈性體 '，具有炼融溫度峰是在12G至17{rc之彈性體，在切割期 間該基材㈣的延伸會減少，藉此可避免㈣期間產生纖 維狀邊料。該烯烴基熱塑性彈性體的熔融溫度峰較好是在 wot或更高的溫度，更好s16Gt或更高。該熔融溫度峰 通常是依據JIS K7121號，以示差掃瞄熱卡計（DSC)做測量。 在該切割用黏著劑片材中，以鄰·二氣苯做為溶劑時， 在〇 c時該烯烴基熱塑性彈性體之沖提餾份對其在〇至 C的溫度範圍，溫度升南沖提分餾的總沖提餾份的比例較 好是在10至60wt%。 在o°c時，該烯烴基熱塑性彈性體之沖提餾份對其總 沖提餾份的比例，較好是在切割期間可以避免纖維狀邊料 產生，同時該基材薄膜的擴展性質及其對該黏著劑層的黏 著可以被滿足的範圍。當在Ot：時之沖提餾份的比例較低 時，由該烯烴基熱塑性彈性體壓模，而獲得之基材薄膜是 太紙適用中阑國家標準（CNS) A4规# (210X297公炝） 1232235 A7 五、發明説明 堅硬至使其在擴展㈣期間的拉伸性變差，同時也使拾取 變困難’所以在(TC時之沖提館份的比例較好㈣w⑼或 更多，更好是20 wt%或更多。另一方面，當在ot：時之沖 提德份的比例較高時，由壓模該稀烴基熱塑性彈性體而獲 付之基材膜與該接著層的黏著性會變低，因此，在代時 之沖提館份的比例較好是6G wt%或更少，更好是50 wt% 或更少。 溫度上升沖提分館（TREF戌—已知的分析方法。從原 理的觀點而言，聚合物在高溫下完全溶解在溶劑中，然後 降低溫度而在-被允許存在於溶液中的惰性載體上形成一 薄聚合物層。在此程序期間，會依容易結晶、高結晶成分 而至幾乎不結晶、低結晶或不結晶的順序形成聚合物層。 然後，當聚合物層被連續或階段式加熱的時候，其沖提液 是依據相反的順序出現，那就是，幾乎不結晶或不結晶的 成分首先被沖提出來，而且高結晶的成分是最後被沖提出 來。藉由在該些沖提溫度下，晝出沖提分率的量對沖提溫 度的圖，而晝出沖提曲線，可分析聚合物中該些成分的分 饰。 布置分鶴裝置（CFC-T150A，三菱化學的公司）被用 來作為測量裝置。將欲測定的樣品在140°C下，溶解在一溶 劑（鄰-二氣苯）而形成30毫克/毫升的濃度，並且將其注入測 里裝置中的樣品環中。在預定的條件下自動進行下列測 试。保持在樣品環中的樣品溶液有〇 · 4毫升的體積，被注入 TREF管柱（内部直徑4公釐、長度150公釐的不鎸鋼管柱， 木紙度.、!以]屮丨⑷與家標苹（QC)六4规梠UK)X297公^
1232235 _____B7_ 五、發明説明（6 ) 有惰性的玻璃珠充填），其中樣品的成分依據其溶解溫度而 被分餾分離。該樣品以每分鐘的速率由14〇它冷卻至〇 C，並且被塗佈在前述的惰性載體上。在此程序中，從高 度結晶的（容易結晶的）成分至低結晶的（幾乎不結晶的）成 分之聚合物層依據此順序，形成在該惰性載體的表面上。 該TREF管柱在(TC下再保持30分鐘，然後如下所示階段式 的加熱，同時該管柱在每一個溫度下保持3〇分鐘，測量在 母一溫度下的沖提分德物，沖提溫度（它·）： 0,5，10，15,20,25,30,35,40,45,49,52,55,58,61，64,67,70,7 3’76,79,82,85,88,91，94,97, 1〇〇，1〇2，120，140。 在依據本發明之切割用黏著劑片材中，該基材薄膜較 好進一步包含在聚丙烯上具有結晶成核作用之結晶成核 劑。一般發現藉由將結晶成核劑併入該基材薄膜中，可以 進一步避免纖維狀邊料的產生。 在切割用黏著劑片材中，該結晶成核劑的含量較好是 整個基材薄膜的〇._1JL1 wt%。該結晶成核劑的含量沒 有特別的限制，但當該含量被調整至上述的範圍時，所呈 現之本發明的效果會特別冑用。成核作用會隨著結晶成核 刈的3里減少而降低，因此要使其難於達到本發明的效 C，所以，钂成核劑的含量是〇〇〇〇1 wt%或更多，較好是 〇· 0005 Wt%或更多。另一方面，增加成核劑的量會使基 材4膜木軟性變差，因此在擴展步驟期間會使拉伸性變 差’拾取變困難，所以該結晶成核劑的含量是工或更 低’較好是0.1 Wt%或更低。 (請先閱讀背面之注意事項再場寫本頁') ··裝- 1232235 A7 B7 7 五、發明説明 在切割用黏著劑月材中，聚3-曱基小丁烯較好可以被 使用作為結晶成核劑。 在切割用黏著劑片材中，該基材薄膜較好是單層薄 膜而且έ有50 Wt%或更多的婦烴基熱塑性彈性體。 在切割用黏著劑片材中，該基材薄膜較好是多層薄 膜，而且在該多層薄膜中至少一層含有5〇糾％或更多的 烯烴基熱塑性彈性體。 由避免纖維狀邊料產生的觀點而言，.在該基材薄膜中 的烤煙基熱塑性彈性體的含量被選定，使得其在單層薄膜 或多層薄膜的至少一層中的含量通常是5〇wt%或更多，較 好是wt%或更多。當該基材薄膜是呈多層薄膜時，一含 有該稀烴基熱塑性彈性體隸伸性差之層被配置在至少一 用於完全切割之圓刀片切割的深度’藉此可以避免杨割 期間產生纖維狀邊料’同時具有優異之擴展時，所需要^ 拉伸性之層被配置成其它的層’藉此含有該稀煙基:塑性 彈性體之層的較差拉伸性可以被補整。此外，諸如有優里 抗靜電性質的功能性層可以被配置 ^ /、Τ Μ形成一具有 諸如抗靜電效能之額外功能的多層薄膜。 在依據本發明之切割用黏著劑片材 * 丫 4基材薄媒較 好進一步包含具有以乙烯為主要聚人 ^ Κ σ成分之乙烯系聚合 物。 在依據本發明之切割用黏著劑片材中，在含有丙稀盘 乙稀及[或]具有4到8個碳原子之稀煙作為共聚合 稀 烴基熱塑性彈性體，以及含有乙烯作 ^ 卞為主要聚合成分.之乙 10 1232235 A7 五 發明説明 體’包含具有120至17〇t之炫點峰值的彈性 月-、”乂基材薄膜，被發現在切割期間可以避免碎裂。 右广刀割用黏著劑片材中，該乙稀系列聚合物6;含量沒 心別的限制’但較好是相關的_烴基熱塑性彈 =叫，更好抑。#含量被調整至且上述 的範圍時。本發明會呈現特別的效果。， 在切割用黏著劑片材中’該乙烯系列聚合物較好是密 ，在〇·94至0.97克/立方公分之高密度聚乙焊，及[或]密度 0.91至〇·94克/立方公分之線性低密度聚乙烯。該乙烯系 面 -·-[ .............-.......•裝…： (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁') 列聚合物沒有特別的限制，但為了避免碎裂，較好是上’、 舉例說明的聚乙烯。 •在切割用黏著劑片材中，該基材薄膜較好是單層 膜，且含有該烤煙基熱塑性彈性體與該乙稀系列聚合物： 量之50 wt%。 ' 在切割用黏著劑片材中，該基材薄膜較好是多層： 膜，且在該多層薄膜中至少有一層含有該稀烴基熱塑性$ 性體與該乙烯系列聚合物總量之5〇 wt%。 由避免纖維狀邊料產生的觀點而言，在該基材薄膜^ 的該婦煙基熱塑性彈性體與該乙烤系歹聚合物總含量被$ 定，使得其在該單層薄膜或多層薄膜中至少一層的含量$ 常大約是50 wt%或更多，較好是8〇 wt%或更多。當該j 材薄膜是呈多層狀時，含有該烯烴基熱塑性彈性體與該乙 烯系列聚合物層被配置成至少一用於完全切割之圓刀片七 的深度，藉此可以避免在切割期間產生纖維狀邊料，同担 试 尸设 A m 屮 1:¾ ® ts準（CNS )六4规指（2]0Χ297公:f ) η 1232235 A7 五、發明説明（9 ) 具有優異之擴展時所需要的拉伸性之層被配置成其它的 層，藉此含有該烯烴基熱塑性彈性體之層的較差拉伸性可 以破補整。此外，諸如有優異抗靜電性質的功能性層可以 被配置在其中，以形成一具有諸如抗靜電效能之額外功# 的多層薄膜。 b 田蛐著劑層的厚度是1至200微米時，該切割用黏著劑 片材是有效的。 增厚該黏著劑層不僅在經濟上是不利的，也會因為例 如切割期間半導體晶圓的振動，而顯著降低切割品質水 準，因此該黏著劑層厚度較好是在1至2〇〇微米，特別好是 在3至50微米。在切割步驟中，切割用黏著劑片材中經常是 以圓形刀片切割成大約5至23〇微米的深度，所以當該黏： 劑片材比該切割的深度更薄時，將使被切割之該基材薄膜 f成纖維狀邊料的問題，或者當該基材薄膜的碎裂的影響 是-問題時，依據本發明之切割用黏著劑片材的功 效的。 在切割用黏著劑片材中，該黏著劑較好是由輕射固化 的黏著劑形成。 稭由使用輻射固化的黏著劑層，其#占著性會因為輕射 而被降低，以便在例如晶圓被切割並分開之後，該點著田劑 片材能容易地從該些晶圓上移除。 此外’本發明是關於一種切割的方法，其包含將上述 之切割用黏著劑片材沾點在將被切割的材料上，然後切割 至該基材薄膜的深度’藉此分割將被切割的材料。。 '>h /Ϊ l·：： .3,^ J^J ψ );§ j^j ( 0¾ ) ( 210X291^;^ ) 1232235 A7 B7 五、發明説明（1〇 半導體兀件可以有效地作為被切割的材料。另外，本 發明是關於藉由上面說之切割方法分割將被切割的材料， 而製備成的小切片。 圖式之概要說明 第1圖是依據本發明之切割用黏著劑片材的一實施例 的截面圖式。 較佳實施例的說明 U下，將麥考第1圖而對依據本發明之切割用黏著劑 片材作詳細說明。如第1圖所示，依據本發明之切割用黏著 劑片材是由基材薄膜11、配置在該基材薄膜U的至少-側 上之黏著劑層12’以及如果需要，有一與該黏著劑層接觸 亚且膠點在該黏著劑層上沒有該基材薄膜的一側之分隔物 13°在第1圖中，該黏著劑層12被配置在該基材薄膜n的一 側’但是該黏著劑層也可形成在該基材薄膜的兩側。該切 割用黏著劑片材也可以帶狀型式作捲繞。 或基材薄膜包含—具有作為聚合反應成分之丙烤和 乙稀及[或]含有4至8個碳原？之烤烴㈣烴基献塑性 彈性體。 ^含有4至8個碳原子的烯烴，包括丁烯-1、3-曱基戊 /曱基戊婦·1、己稀]、戍稀巧與類似物可作為婦煙基 熱塑性彈性體中$人& _ 千+ 5反應成分。該烯烴基熱塑性彈性體較 好是丙烯‘乙烯共聚物。 " 士在稀烴基熱塑性彈性體中，每合反應的含量沒 与寸別的限制，其是在使該稀烴基熱塑性彈性體可以滿足 谝）彳丨Ψ闽闳g 、私’.’MLNS)糾.規袼（2](·)Χ297公焚） 1232235 A7 ~----- --B7_ 五、發明説明（11 ) 該熔融溫度峰值與溫度上升沖提分率需求的範 圍中，但是 丙烯含量通常是50至95 wt% ’更好是6〇至92 wt%。乙烯 及[或]含有4至8個碳原子的α_烯烴較好是其他不包括丙 烯之烯烴基熱犁性彈性體。 本發明之烯烴基熱塑性彈性體，含有上述聚合反應成 ^，並且可以滿足熔融溫度峰值與溫度上升沖提分率的需 求。產生該烯烴基熱塑性彈性體的方法，包含一個含有至 ^兩個階段之連續聚合的方法，其中，舉例來說，聚丙烯 均質聚合物或含有_、小量乙料[或]含有4至8個碳原 子的α -烯烴之無規共聚物是在第一階段中被產生，而且在 第一及後續的階段中，含有丙烤、乙婦及[或]含有4至8個 碳原子的其他α-烯烴之無規共聚物被產生；以及聚丙烯均 質聚合物或含有丙烯、小量乙烯及[或]含有4至8個碳原子 的α-烯烴之無規共聚物，和包含乙烯及[或]含有4至8個碳 原子的α -烯烴之無規共聚物，或含有乙烯及[或]含有々至^ 個碳原子的α-烯烴及丙烯被個別地聚合，並且被摻合在一 起的方法。在這些方法中，該包含至少兩個階段之連續聚 - 合反應的方法是較好的。 以下，該連續聚合反應的方法將被說明。該連續聚合 反應使用的催化劑沒有特別的限制，但是該催化劑較好包 含有機鋁化合物，以及一包含鈦原子、鎂原子、齒素原子 和授電子化合物為基本成分的固態成分。 在這裡，有機鋁化合物是一在此種聚合反應中眾所周 知的化合物，其由通式（κ])ηιΑ1χ(νη〇表示，其中R]表示含 木纸張尺度適用屮丨引沒家標:彳抖规祀U]0X297.公g.) 14 (請先閱讀背面之注意寧項再場寫本頁)
1232235 A7 ___ B7 五、發明説明（12 ) 有1到12個碳原子之碳氫基團、χ表示齒素原子，而且 到3㈣數，同時，其實施例包含三燒基紹，諸如三甲基紹 或三乙基叙、二烧基銘鹵化物，諸如二甲基|g氣化物或二 乙基紹氣化物，、炫基紹-倍半氣化物⑽抑⑽服）·，諸 如甲基銘-倍半氣化物或乙基紹一倍半氣化物、烧基紹二 氣化物’諸如甲基鋁二氯化物或乙基鋁二氣化物、以及烷 基銘氯化物，諸如二乙基鋁氯化物。 ~ 另外，含有鈦原子、鎂原子、鹵素原.子和授電子化合 物作為主要成分之該固態成分，也可以是在此種聚合反應 中眾所周知的化合物。作為鈥原子提供者之該欽化合物包 含那些由通式Ti(〇R 2 ) 4·2)Χη表示的化合物，其中R2表示含 有1到12個碳原子之碳氫基團、X表示鹵素原子、而且nh 到4的整數，同時特別地，四氯化欽、四乙氧基欽、四丁氧 基鈦和類似物是較佳的。作為鎂原子提供者的鎂化合物， 例如包含二院基鎮、鎮二鹵化物、二烧氧基鎮、烧氧基鎂 _化物和類似物，其中鎂二鹵化物是較佳的。該些鹵素原 子包含氟、氯、漠和峨，其中氯是較佳的，而且這些齒素 通常是由上述鈦化合物所供應，但是也可以由其他_素授 體’諸如_化鋁、函化矽和鎢齒化物供應。 該授電子化合物包括含氧化合物，諸如醇、酚、酮、 醛、羧酸、有機酸和無機酸或其衍生物，以及含氮化合物， 諸如氨、月安、月奢和異氰酸鹽。特職，該授電子化合物較 好是無機酸酯、有機酸酯和有機酸鹵化物，更好的是矽酯、 1乙氧基乙g曰和g大酸基鹵化物，而且最好的是由通式 K 3；^ η] Ί·> |va g ( PNc ) ( 2.10)(297^:¾ ) 15
訂 t 1232235
A7 ________B7 五、發明説明（13 ) R3R4(3-P)Si(〇R5)p表示的有機石夕化物，其中只3表示含有3至 20,較好是4至職碳原子之分支的脂族碳氫基，或者是 含4有5至20，較好是6至1〇個碳原子之脂肪環狀碳氫基_ ; R表不表不含有1至20,較好是1至1〇個碳原子之分技的或 線性的碳IL基團；而且…到3的整數，較佳的實施例包括 三級丁基-甲基-二乙氧基矽烷、環己基·甲基-二乙氧基矽 在連續聚合反應的方法中，丙婦和小.量的乙稀及[或 含有4至8個碳原子之α，煙被饋入，並且在第一階段" 催化劑存在下，在50至，較好是別㈣代的溫度， 〇.5至4.着3的㈣部份分歷，較好是⑴着磁聚合， 以產生例如丙_質聚合物，同時在第二階段，丙蝉和乙 稀及[或]含有㈣個碟原子之α-敎被獻，並且在催化 劑存在下，與上面的均f聚合物，在5Q至i5Qt ’較好是％ 至1〇〇C的溫度，。·5至3.5MPa之丙烯和乙稀及[或]含有4至 8個碳原子之α，煙的部份分麼下共聚合，以生成包含丙 烯# :乙稀及[或]3有4至8個碳原子之α 烯烴的共聚合物。 。玄來合作用可以在批次、連續或半批次系統中進行， ^階段聚合是在氣相或液相進行，而且第二階段的聚合 也疋在氣相或液相進行，特職，較好是在氣相中進行。 在每一階段的滯留相加至叫時，較好是⑴小時。 如果由上述的方、、土 $ 4 Α /產生的该些烯烴基熱塑性 !體:?粒子：有諸如沾黏與類似的問題時，較好是在第- “之俊’以及第二階段聚合之前或聚合期間加入一 (210X297^-¾ )
1232235 A7 ----— B7 ---—--—------ - _ _ 五、發明説明（14 ) 有活ϋ氫的化合物’其添加範圍是在該催化劑之該固態 成分中的㈣'子之⑽至刪倍的莫耳數，同時是在催化劑 之有機純合物的2至5倍的莫耳數的範圍中。該含活性氣 :化合物例如.包括水、醇、酚、醛、缓酸、酸性醯胺、氨、 胺和類似物。 由上述方法產生之該稀煙型熱塑性彈性體，且有在 挪。c、21.18牛頓的負荷下，依據日本工業規格κ72ΐ〇測定 為0.1至50克/10分鐘的熔融流動速率（MFR)，而且依據日本 工業規格⑺12,利用水中替代方法測定的密度大約0.87 到0.89克/立方公分，同時依據日拉業規格侧3,如 °C測定的剛性模數是6〇〇馗以或更小。 該烯烴熱塑性彈性體也可以在眾所周知的有機過氧 化物存在下被動態加熱處理，而且如果需要，可添加每― 分子中含有-個或更多個，較好是兩個或更多個雙鍵之交 聯劑，藉此調整該MFR。 。。本發明中的基材薄膜可以含有該上述的烯烴熱塑性 彈性體作為組成份樹脂，而且可以僅由該烤煙基熱塑性彈 性體，或者如果需要可由其與其他熱塑性樹脂或彈性體组 成。所使用的塑夥樹脂或彈性體較好包括傳統的卿或彈 性體月材樹脂，舉例來句妹』5 牛例木。兒，遠如聚丙烯、聚乙烯和聚丁烯 以及聚對對苯二甲酸乙二醋、聚氣乙稀、聚胺黯'聚苯乙 烯、苯乙稀型彈性體、乙稀丙稀橡膠或含有乙烤和丙稀及 [或]含有4至8個碳原子的i稀煙乙场1.炼煙共聚物（橡 膠）之眾所周知的聚烯烴。如上所述，在基材薄膜中之稀烴 17
Ί5
1232235 五、發明説明
基熱塑性彈性體的含I# B 3里通常是50 wt%或更多，較 ‘或以1有效_免纖維㈣料生成。 當該基材薄膜之碎裂的影響是一問題時，該基材薄膜 較好含有稀煙熱塑性彈性體和一含有乙烤作為主要聚合 分之聚合物的混合物。 田忒乙烯系列聚合物與該烯烴熱塑性彈性體混人 時，含有至少50莫耳％ 7、洽从* w X ~ ° 、 乙烯作為攻合成分之聚合物可以被 使用，而沒有任何特別的限制。 該乙烤系列聚合物包括，例如密度〇.91至〇.94克/立方 公分之高屢低密度聚乙稀，·密度0.94至㈣克/立方公分之 高密度聚乙烯；密度〇·91至0·94克/立方公分之線性低密度 聚乙烤；密度0.88至〇.91克/立方公分之金屬茂⑽⑽⑽叫 型乙烯-α-烯烴，例如含有3至8個碳原子之心烯烴共聚 物’如1-丁烯、;U己烯或!·辛烯之共聚物橡膠，·密度0.85 至0.88克/立方公分之乙烯· α •烯烴共聚物橡。產生這些乙 烯系列聚合物的方法沒有特別地限制，但 舉例來說，可以由高壓自由基聚合方法，錢用=勒 (Ziegler)型催化劑，藉由配位陰離子聚合方法，或諸如金 屬茂型催化劑之單-反應位置的催化劑而被生成。該乙稀 系列聚合物包括，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（eva)、乙 稀和甲基丙稀酸及[或]甲基丙烤酸酷共聚物、乙稀和丙歸 酸及[或]丙烤酸酷共聚物、乙烯和金屬甲基丙稀酸醋及 [或]金屬丙烯酸酯共聚物（離聚物）、乙烯-丙烯-非共軛二 烯共聚物橡膠（EPDM)、乙烯-苯乙烯共聚物、乙烯_冰原片 .18
1232235 推混。 A7 B7 五、發明説明（16 ) 烯共聚物和類似物。這些乙烯系列聚合物之中，具有密度 0.94至0·97克/立方公分之高密度聚乙烯及[或]密度〇.91至 0.94克/立方公分之線性低密度聚乙烯是較佳的。特別地， 具有控、度0.94至0·97克/立方公分之高密度聚乙烯是較好 的。 該乙烯系列聚合物與烯烴熱塑性彈性體的比例較好 是如上述5至50 wt%。混合該烯烴熱塑性彈性體與乙烯系 列聚合物的方法沒有特別的限制，但是舉例來說，利用班 伯里（Banbury)混合機、單軸押出機或雙軸押出機之熔融混 煉的方法，與在該薄膜產生期間將其混合（乾摻混）的方法 可以被考慮。特別地，熔融混煉的方法是較好的。在熔融 混煉期間，該烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物，也可 以在已知的有機觸媒或是每一個分子中含有一個或更多 個’較好是兩個或更多個雙鍵之交聯劑存在下被動態熱處 理。 在基材薄膜中，該烯烴熱性彈性體和乙烯系列聚合物 的總量通常是50 wt%或更多，較好是8〇或更多，以 有效的避免纖維狀邊料生成。 如果需要，該基材薄膜可以與諸如礦物油之柔軟劑、 如碳酸約'石夕石、滑石粉、雲母和點土之填充劑，與諸如 2氧化劑、光安定劑、抗靜電劑1滑劑、分散劑 '中和 』、α'结晶成核劑和結晶成核劑之各種不同的添加劑 在這些添加劑之中，在聚丙稀上具“'结晶成核作用 财咖C]⑺Α4规指（2Ϊ0Χ297公:染） 19
!232235 A7 五、發明説明 之結晶成核劑較好被包含1中 七 > 作為本發明之基材薄膜的 加劑。在基材薄膜中，社 、 、·口日日成核劑的含量較好是000 至 1 wt% 〇 該結晶成核劑沒有特別的限制，其實施例包括各種無 機化合物、各種羧酸或及其金屬鹽類、二亞节基 (dibenzylidene)山梨糖醇型化合物、芳香基磷動旨型化^ 物、環狀多價金屬芳香基磷酸8|型化合物與驗金屬脂料 羧酸醋或鹼性鋁·鋰-羥基-碳酸鹽_水合物，和諸如各種不同 的聚合體化合物之α -結晶成核劑。這些結晶成核劑可以單 獨使用或以其混合物使用。 無機化合物的實施例包括滑石、礬、矽石、二氧化鈦、 氧化鈣、氧化鎂、碳黑、黏土礦物和相似物。 該羧酸的實施例包括除含脂肪單羧酸之外的緩酸。其 ^例包括丙—酸、破I拍酸、己二酸、順·— 丁炼二酸、壬 二酸、癸二酸-[1，1〇]、十二烷二元酸、檸檬酸、丁烷三羧 酸、丁烷四羧酸、環烷酸、環戊烷羧酸、1-甲基環戊烷羧 酸、2-甲基環戊烧羧酸、環戊烯羧酸、環己烷羧酸、i _曱 基環環己烷羧酸、4-曱基環己烷羧酸、3,5-二甲基環環己 烷羧、4-丁基環環己烷羧、4-辛基環己烷羧酸、環己烯羧 酸、4-環己烯-i，2-二羧酸、苯曱酸、曱苯曱酸、二甲苯甲 酸、乙基笨曱酸、4-三級丁基苯曱酸、水楊酸、酞酸、偏 苯三酸（trimellitic acid)和苯均四酸（pyromellitic acid)。其 與經 ' 鋼、_、糕、妈、總、鋇、鋅或紹之一般的鹽類或 鹼性鹽類可以被考慮作為這些羧酸的鹽類。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝丨 二w口 ·線· 20 1232235
發明説明 ^ ^亞苄基山梨糖醇型化合物包括，例如1.3,2·4-二亞 :基山梨糖醇、U-二亞节基么心對·甲基二亞节基山梨糖 醇、1.3、亞节基_2本對·乙基二亞节基山梨糖醇、u·對、 甲基一亞苄基：2 4•二亞苄基山梨糖醇、hi對-乙基二亞苄 基-2.4-對-一亞节基山梨糖醇、13•對-甲基二亞节基众扣 對-乙基二亞苄基山梨糖醇、13♦乙基二亞节基·“·對、 甲基，亞节基山梨糖醇、一雙.甲基二亞节基）山 醇^3,2·4'雙·（對-乙基二亞苄基）山梨糖醇、1.3,2.4_ 雙-(對-正·丙某-$楚I、 一— 亞卞基）山梨糖醇、1·3,2.4-雙-(對-異·丙基 二亞节基）山梨糖醇、j 3 2 摊 (卜正· 丁基二亞节基）山梨 亞卞基）山梨糖醇、 一 一又對、級-丁基二亞节基）山梨糖醇、1.3<2, 4，— 亞节基)2.4_對·乙基二亞节基山梨糖醇、a二亞 Γ， （2 4 — 一甲基二亞苄基）山梨糖醇、1·3,2.4-雜. (2 ·4—二甲基二亞f基）山梨糖醇、ΐ 3,2.心雙心，4，—= 山甲基）山梨糖醇、丄3,2·4-雙俱甲氧基二亞节基一） 山木糖酵、1·3,2·4-雙-(對-乙氧基二
二四朵# 兄卞基）山梨糖醇、H 一亞卞基-2.4-對-氯二亞节基山梨 0 . ^ 對-虱二亞爷其 -2·4-二亞节基山梨糖醇、U·對、氣二亞 亞卞基 ^ ^ ^ 兄下暴_2·心對-甲其一 卞基山梨糖醇、W對-氯二亞节基-2.4-對·乙其_二― 山梨糖^基一亞苄基 广搪H3♦甲基二亞节基么4|氯二 酉孚、料 贫一 卞基山梨糖 】·3-對-乙基一亞卡基·2.心對-氣二亞 雙-(對-氯二亞f基）山梨糖醇。A *糖醇和 該芳香基填酸鹽型化合物包括， 含里、雙(扣三級一丁 用'軸㈣鮮（⑽）Α4^ ::.........%:: Irtr先IW讀背面之注意寧項再填寫本K') 訂— 1232235 A7 ___B7______ 五、發明説明（19 ) 苯基）磷酸鹽、鈉-雙（4-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋰-雙（4·枯笨 基）磷酸鹽、鈉-雙（4-枯苯基）磷酸鹽、鉀-雙（4-三級-丁苯基） 磷酸鹽、鈣-單（心三級-丁苯基）磷酸鹽、鈣-雙三級-丁苯 基）磷酸鹽、鎮單（4-三級-丁苯基）磷酸鹽、鎂-雙（4-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋅-單（4-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋅-雙（‘ 三級-丁苯基）磷酸鹽、鋁-二羥基-(4-三級-丁苯基）磷酸鹽、 鋁-羥基•雙（4-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋁-三-(4-三級-丁苯基） 磷酸鹽、鈉-2,2、亞曱基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽、 鈉-2,2，-亞乙基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽、鈉 亞甲基-雙（4-枯基-6-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋰-2,2，-亞曱基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋰_2,2，-亞乙基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋰-2,2，-亞甲基-雙（4-枯基-6-三級-丁苯基）磷酸鹽、鈉-亞乙基-雙（4-異丙基-6-三級-丁苯基） 磷酸鹽、鋰-2,2，-亞甲基-雙（4-曱基-6-三級-丁苯基）磷酸 鹽、鋰-2,2，-亞曱基-雙（4-乙基-6-三級-丁苯基）磷酸鹽、鈉 -2,2’-亞丁基-雙（4,6-二-曱苯基）磷酸鹽、鈉-2,25-亞丁基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽、鈉-2,2、三級-辛亞曱基-雙 (4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽、鈉亞曱基-雙（4·曱基-6-三級-丁苯基）磷酸鹽、鈉-2,2，-亞甲基-雙（4-乙基-6-三級-丁苯基）填酸鹽、納（4,4’_二甲基-6,6 -二-三級-丁基-2,2’-二苯基）磷酸鹽、鈉2,2，-亞乙基-雙（心二級·丁基-6-三級-丁 苯基）磷酸鹽、鈉2,2，-亞甲基-雙（4>二-甲苯基）磷酸鹽、鈉 2,2，-亞曱基-雙（4,6-二-乙苯基）磷酸鹽、鉀2,2’_亞乙基-雙 (4,6-二-丁苯基）磷酸鹽、#5-雙[2,2匕亞甲基-雙（4,6-二-三級 (請先M讀背面之注意寧項再場寫本頁)
,¾ fl) 'Ρ Ιΐ! 1¾ ( CNS ) A4；i：a,^ ( ) 1232235 _B7_ 五、發明説明（2° ) -丁苯基）磷酸鹽]、鎂-雙[2,2、亞甲基-雙（4,6-二-三級-丁苯 基）磷酸鹽]、鋅-雙[2,2，-亞曱基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷 酸鹽]、鋁-三[2,25-亞曱基-雙（4,6~二-三級-丁苯基）磷酸 鹽]、鈣-雙[2，,2，-亞甲基-雙（4-甲基-6-三級-丁苯基）磷酸 鹽]、鈣-雙[2,2、亞乙基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽、 鈣-雙[2,2、硫雙（4-甲基-6-三級-丁苯基）磷酸鹽]、鈣-雙 [2,25-硫雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽]、鎂-雙[2,2，-硫雙 (4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽]、鎂-雙[2,2、硫雙（4-三級-辛 苯基）磷酸鹽]、鋇-雙[2,25-亞曱基-雙（4,6-二-三級-丁苯基） 磷酸鹽]、鈣-雙[(4,4，-二曱基-6,6、二-三級-丁基-2,2，-二苯 基）磷酸鹽]、鎂-雙[2,2’_亞乙基-雙（4,6-二-三級-丁苯基） 磷酸鹽]、鋇-雙[2,25-亞乙基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸 鹽]、鋁-三[2,2，-亞乙基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽]、 鋁-二羥基-2,2、亞乙基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋁 -二羥基_2,2、亞乙基-雙（4-枯基-6-三級-丁苯基）磷酸鹽、鋁 -羥基-雙[2,2、亞曱基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸鹽]、鋁-羥基-雙[2,2、亞乙基-雙（4-枯基-6-三級-丁苯基）磷酸鹽]、 鈦-二羥基-雙[2,25-亞曱基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸 鹽]、錫-二羥基-雙[2,25-亞曱基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷 酸鹽]、鍅-氧-雙[2,2，-亞曱基-雙（4,6-二-三級-丁苯基）磷酸 鹽]、鋁-二羥基-2,2，-亞曱基-雙（4-曱基-6-三級-丁苯基）磷 酸鹽、鋁-羥基一雙[2,2，-亞甲基-雙（‘甲基-6-三級-丁苯基） 磷酸鹽]、鋁-二羥基亞乙基-雙（4,6-二-三級-丁苯基） 磷酸鹽、铭-羥基-雙[2,27-亞乙基一雙（4,6-二-三級-丁苯基） •I· .：K ^ ιτΐ ']·> 1:¾ J^! ( CNS ) ( 210X297^;^ ) 1232235 A7 B7 21 五、發明説明 磷酸鹽]。 . (請先閲讀背面之注意寧項再填寫本頁') 與環狀多價芳香族磷酸鹽型化合物被使用作成混合 物，而非上述的芳香族磷酸鹽型化合物之脂肪單羧酸的鹼 金屬鹽類，包括醋酸、乳酸、丙酸、丙烯酸、辛酸、異辛 酸、壬酸、癸酸、月桂酸、肉豆藏酸（myristic acid)、十六 酸（palmitic acid)、硬脂酸、油酸、亞麻仁油酸（lin〇lic acid)、蘇子油酸（iinoieic acid)、I2·經基硬脂酸、蓖麻油酸 (ricinoleic acid)、二十二酸（behenic acid)、芬子酸（erucic acid) ' 褐煤酸（montanic acid)、三十烷酸（menssic acid)硬 脂酸乳酸（stearoyllactic acid)、石-十二烷基·.硫基乙酸（点 -dodecylmeixaptpaceticacid)、十二烷基硫基丙酸、冷· 正-月桂胺基丙酸與石-正-曱基-正-月桂胺基丙酸的鋰、鈉 或钟鹽。 泫聚合體化合物包括，例如聚乙烤、聚1曱基丁 烯、聚3-曱基小戊烯、聚3·乙基小戊烯、聚‘曱基小戊烯、 聚4-曱基I己烯、聚4,4-二甲基小己稀、聚^乙基小己 烯、聚丙稀基餅苯(polyallylnaphthaIene)、聚丙稀雙環 庚烷、無規聚苯乙烯、間規聚苯乙烯、聚二甲基苯乙烯、 聚乙烯耕苯、聚丙稀苯、聚丙歸曱苯、聚乙稀環戍烧、聚 乙烯環己烷、聚乙烯環庚烷、聚 从 ♦ G佈一 T基矽烷和聚丙 三曱基矽烷。 這些聚合體化合物可以由例如曰本專 43204號(199〇)所示之方法獲得，含有濃度在大：〇心 015 wt%之上述該些聚合艘化合物的丙稀聚合物，其中組 24 1232235 A7 _________ _B7 五、發明説明（22 ) 成β些*合體化合物之〇 〇1至細克單體被初步聚合，然後 再僅二丙稀ΛΚ合或與丙稀及小量的乙稀及/或α ·烯烴共聚 口藉由將所待的產⑯添加至該烤烴基熱塑性彈性體，作 為結晶成核劑之該聚合體化合物可以有效地且均句地與該 ㈣工基熱塑性彈性體混合，是以在非常小量下可以獲得優 異的結晶成核作用。 當該結晶成核劑是一低分子量化合物時，該基材薄膜 I亥读占著劑層之間的黏著降低，而且半導體會被金屬離子 5染，所以在本發明中使用的結晶成核劑較好是高分子量 的化〇物。在這些聚合體化合物中，聚孓甲基4_丁烯是較 佳的。 本發明的基材薄膜可以藉由傳統的技術而被製備，諸 士押出，而且其厚度通常大約是1〇至3〇〇微米，較好大約是 3〇至200微米。該基材薄膜可以是單一或多層的薄膜，但是 由與該接著層接觸的表面至在分割期間圓形刮刀可以到達 處，大約是150微米的深度，範圍的一層狀物，其較好是一 含有該烯烴基熱塑性彈性體的一層狀物。該多層薄膜，舉 例來說，可以使用上面的聚烯烴等，以諸如共押出或乾積 層之傳統的薄膜積層，積層在其他層中而被製備。 如果需要’該所得的基材薄膜可以進行單-或雙-轴拉 伸。拉伸較好是在大約60至100t進行。如果需要，所製備 的賴可藉由修邊（matting)、_光放電、上底塗或類似動 作’進行傳統的物理或化學處理。 該點著劑層可以使用已知的或傳統的黏著劑。此些黏 A A用巾®阁，《捣準（CNS ) Μ规祐U]0X297公货） 25 (請先Μ讀背面之注意寧項再填寫本頁) 訂· 1232235 A7 ____ _B7 五、發明説明（23 ) 著劑沒有特別的限制，各種不同的橡膠系列、丙婦酸系列、 矽系列或聚乙烯醚系列與類似物都可以被使用。 4二黏著劑較好是丙烯酸系列的黏著劑。在該丙样酸 系列黏著劑中被使用作為該基質聚合物的丙烤酸聚合物通 常是（甲基）丙婦酸院酿或其與共聚合單體之共聚物。在該 丙婦酸聚合物中的主要單體較好是一個產生具有2(TC或更 低之玻璃轉移溫度的均質聚合物的(甲基)丙烯酸烷酯。 在該（甲基）丙烯酸烷酯中的烷基基困包括，例如甲 基乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、異壬基與類似物。 該共聚合單體包括(甲基)丙烯酸羥基烷酯(舉例來說，羥基 乙醋、經基丁_、經基己醋與類似物）、（甲基）丙婦酸縮水 甘油酉曰（曱基）丙稀g交、依康酸（itac〇nic acid)、馬來酸野、 (曱基）丙__、（曱基）丙烯酸N·經甲基醯胺、（甲基） 丙稀酸曱胺基㈣（舉例來說，甲基丙烤酸二甲胺基乙醋、 甲基丙烯酸-三級-丁胺基乙酿等）、乙酸乙稀醋、苯乙稀、 丙烯腈與類似物。 使用的黏著劑是一可由紫外光、電子束固化與類似物 之輕射固化黏著劑，或一熱發泡黏著劑。另夕卜也可作為 分割沖模接合之黏著劑可以被使用。在本發明中，輻射 >化的‘著劑’特別地’較好是使用一紫外光固化的黏著 劑。當使用的黏著劑是一輻射固化的黏著劑時，會在切割 乂、之如或之後，使用輻射照射該黏著劑，所以該基材薄 月冥較好有足夠的輻射滲透率。 該輻射固化黏著劑包括，例如該上面的基質聚合物（丙 ____________________ 个或:,;幻夂咬.¾用中闯標苹（c咫）44规秸~^^^7 厂 ..................i.裝…； (請先閱讀背面之注意事項再墙寫本S) •τ. 1232235 A7 B7 ___ 五、發明説明（24 ) 如酸聚合物）與一幸S射固化成分。該輕射固化成分可以是， 在分子中具有碳-碳雙鍵而且能夠由自由基聚合反應固化 之單體、寡聚物或聚合物之該些成分之一 ◊該輻射固化成 分包括，例如多價鍵醇與（、甲基）丙烯酸之間的酯類，諸如 三曱基丙烯酸三甲醇酯丙烷、三甲基丙烯酸異戊四醇酯、 二（甲基）丙烯酸四乙二醇酯、二（甲基）丙烯酸4,6-己二醇 酯、二（曱基）丙烯酸新戊二醇酯與六（甲基）丙烯酸二異戊四 醇酯；丙烤酸酯寡聚物；和諸如2-丙烯·二冬丁烯-三聚氰 酸酯、2-羥乙基二（2-丙烯氧乙基）異三聚氰酸酯與三（2_曱 基丙烯氧乙基）異三聚氰酸酯之異三聚氰酸酯或異三聚氰 酸酯化合物。 另外’在該輻射固化黏著劑中，使用的該基質聚合物 (丙烯酸聚合物）可以是一在該聚合物側鏈中具有碳-碳雙 鍵之輻射固化聚合物，同時在此情況中，不需要添加上面 說明的輻射固化成分。 對於經由紫外線固化該輻射固化黏著劑而言，光聚合 起始劑是需要的。該聚合起始劑包括，舉例來說，諸如笨 甲酿甲驗、安息香丙_與安息香異丁驗之安息香烧基峻； 諸如苄基、安息香、二笨_與^ -羥基環己基苯酮之芳香 酮；諸如苄基二曱基縮酮之芳香縮酮；聚乙烯二苯酮；和 諸如氣硫二苯曱酮氧化物、十二烷基硫二苯曱酮氧化物、 二甲基硫二苯甲酮氧化物與二乙基硫二笨甲酮氧化物之硫 一术甲酮氧化物。 如杲需要，該黏著劑也可以包含傳統的添加劑，諸如 ❸⑷財I麵糸;丨鲜（⑽）六4规抬（2職297公焚） 27 1232235 A7 B7
五、發明説明（25 交聯劑、膠黏劑、填充劑、老化抑制劑與上色劑。該交聯 劑包括，例如多異氰酸鹽化合物' 三聚氰胺樹脂、脲樹脂、 氮丙啶化合物、環氧樹脂、酸酐、聚胺和含羧基聚合物。 依據本發日月之切割用黏著劑片材，舉例來說可以藉由 在基材薄膜11的表面上塗佈一黏著劑，乾燥該黏著劑（如果 需要，可熱交聯它）而形成一黏著劑層12，然後，如果需要， 將一分隔物13沾黏在該黏著劑層12的表面上而被製成。另 一方面，分別在該分隔物13上形成該黏著劑層12，然後將 它們沾黏在該基材薄膜^的方法也可以被使用。 該黏著劑層的厚度可以根據該黏著劑的型式或經由切 /割的切口深度而適當地被決定，但是其通常大約是⑴⑼ 微米’較好大約3至50微米。 為了標明或弄平該黏著劑層，如果需要可以配置一分 隔物。組成該分隔物的材料包括諸如紙、聚乙烯、聚丙烯 聚對笨二甲酸乙料合成樹脂薄膜。為了改善該黏著劑層 : 的目#’如果需|，該分隔物的表面可以矽、長鏈 炫基、氟化合物等進行處理。為了改善㈣的目的，該分 :物可以進行單軸或雙軸拉伸’或與其它的塑膠薄膜積 分隔物的厚度通常大约是酿微米，較好大約是 25至100微米。 八、疋 實施例 下，本發明將參考該些實施例而被更詳細的說明 其不是用來限制本發明。 實施例1 U.NS ) A4 规格（2 ] () g 7 公梵） 28 1232235 A7 ____ B7_ 五、發明説明（26 ) (基材薄膜的製備） 由三菱化學公司製造的Zelas5053(商品名）被饋至由 Plako公司製造的τ型模頭之鑄造機（設定在23〇它吟溫 度），以製備厚.度100微米且寬度29公分的基材薄膜。 由三菱化學公司製造的Zelas5〇53(商品名）是一由79 wt%丙烯成分與21 wt%乙烯成分組成之烯烴基熱塑性彈 性體，同時，以鄰-二氯苯做為溶劑，此商品化產品在〇它 的總沖提餾份對在〇至14(rc的溫度範圍下溫度升高沖提分 餾之總沖提餾份的比例是41·7 wt%，該熔融溫度峰值是 164C，密度是〇·88克/立方公分，而且MFR(23(rc，21 18 牛頓）是6.8克/1〇分鐘。 (黏著劑的製備） 60伤重量的六丙烯酸二異戍四醇酯（Kayarad dpha(商品名），曰本Kayaku公司），3份重量的光聚合起始 劑（IrgaCUrel84(商品名），希巴（Ciba)特用化學品）和5份重量 的聚異氰酸酯化合物（c〇l〇nate L(商品名），日本聚胺酯公 司）被添加至一含有以一般方式在甲苯中共聚合95份重量 丙焊&SL 丁 Sg與5份重量丙烯酸而得，重量平均分子量5〇〇〇〇〇 之丙烯酸共聚物溶液中，藉此製備一丙烯酸紫外線固化黏 著劑溶液。 (切割用黏著劑片材的製備） 上面製備的黏著劑溶液被塗佈在由上面獲得之該基 材薄膜的一輝光處理表面上，並且在80°c交聯10分鐘，以 在其上形成厚度20微米紫外線固化黏著劑層。然後，一分 29 '''R ^ "!h i：1J 'iJ i；-' ^ ( CNS ) A4^,；te ( 2 j〇X297^；Af ) 1232235 A7 __ B7___ 五、發明説明（27 ) 隔物被沾黏在該黏著劑層的表面，製備切割用紫外線固化 •黏著劑片材。 實施例2 貫施例1肀使用的Zelas5053(商品名，三菱化學公司） 和 Kernel KF261(日本化聚公司（p〇】ychein c〇.，LTD))以 80 : 20(重量比）的比例被饋入一雙軸捏合機（pcM_45圓柱 直徑45公釐，長度/直徑=34，溫度設定在23(Γ(：，比“^公 司），並且被熔融揉煉成顆粒，然後以和實施例i相同的方 式形成薄膜，藉此獲得一基材薄膜。 由曰本聚化公司生產的Kernel KF261是一密度0.898 克/立方公分，而且MFR(230°C，21.18牛頓）是2.2克/10分鐘 之金屬茂低密度聚乙烯。 (切割用黏著劑片材的製備） 在實施例1中製備的黏著劑溶液被塗佈在由上面獲得 之該基材薄膜的輝光處理表面上，並且在⑼^熱交聯1〇分 鐘，以在其上形成厚度50微米之紫外線固化黏著劑層。然 後，一分隔物被沾黏在該黏著劑層的表面，製備切割用紫 . 外線固化黏著劑片材。 實施例3 (基材薄膜的製備）
Zelas5053(商品名，三菱化學公司）和具有mfr(23〇 C 一 [Μ牛頓）疋4.8克/10分鐘之丙稀均質聚合物，其中 〇·〇8 wt%的聚3·甲基u稀已經在初步聚合中被引入，以 100】（重里比）的比例被饋入一雙軸捏合機（ρ(：]νΜ5圓杈 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本¾) .裝· 訂· 1232235 A7 ___ __ B7_ 五、發明説明（28 ) 直徑45公釐’長度/直徑=34，溫度設定在2〇〇°C，Ikegai公 司），，並且被溶融揉煉成顆粒。然後，該些顆粒被饋至由 Plako公司製造的T型模頭之鑄造機（設定在23〇的溫 度），以製備厚度100微米且寬度29公分的基材薄膜。因此 在製備的基材薄膜中，該結晶成核劑（聚3_曱基^丁烯）是 0·00079 wt%。 (黏著劑的製備） 60份重量的六丙烯酸二異戊四醇酯（Kayarad DPHA(商品名），日本Kayakii公司），3份重量的光聚合起始 劑（Irgacurel84(商品名），汽巴精化（Ciba))和5份重量的聚異 氰酸酯化合物（Colonate L(商品名），日本聚胺酯公司）被添 加至一含有由一般方式在曱苯中共聚合9〇份重量丙烯酸丁 酷與10份重量丙烯酸而得，重量平均分子量5〇〇〇〇〇之丙烯 酸共聚物溶液中，藉此製備一丙烯酸紫外線固化黏著劑溶 液。 (切割用黏著劑片材的製備） 上面製備的黏著劑溶液被塗佈在由上面獲得之該基 .材薄膜的一輝光處理表面上，並且在80°C熱交聯10分鐘， 以在其上形成厚度20微米紫外線固化黏著劑層。然後，一 分隔物被沾黏在該黏著劑層的表面，製備切割用紫外線固 化黏著劑月材。 實施例4 (基材薄膜的製備） 貫施例1中使用的Zelas5053(商品名，三菱化學公司）、 fCNS)A4«,^ (210)(297^¾) 3] (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁'} .裝· ，訂· 1232235 ίκΊ 五、發明説明（29 )
Novateck HD HB330(商品名，日本化聚公司）和具有 ]\^11(230 〇，21.18牛頓）是4.8克/1〇分鐘之丙烤均質聚合 (請先Μ讀背面之注意寧項再填寫本頁、} 物，其中0.08 wt%的聚3-曱基1-丁烯已經在初步聚合中被 引入，以80:2p:l(重量比）的比例被饋入一雙軸捏合機 (PCM-45圓柱直徑45公釐，長度/直徑=34，溫度設定在2〇〇 °C，Ikegai公司），並且被熔融揉煉成顆粒。然後，以與實 施例3相同的方法形成基質片材。因此在製備的基材薄膜 中，該結晶成核劑（聚3-曱基1-丁烯）是〇〇〇〇79wt% ^ 由曰本化聚公司生產的Novateck HD HB330是一具有 0.953克/立方公分之密度，以及〇35克/1〇分鐘之mfr的高 密度聚丙烯。 -τ (切割用黏著劑片材的製備） 將實施例3製備的黏著劑溶液塗佈在由上面獲得之該 基材4肤的一輝光處理表面上，並且在8〇。〇熱交聯1〇分 釦以在其上形成厚度20微米紫外線固化黏著劑層。然後， 一分隔物被沾黏在該黏著劑層的表面，製備切割用紫外線 固化黏著劑片材。 - 比較實施例1 除了由低社度聚乙烯之1模口押出製備厚度忉〇微米 的湾膜作為所使用的基材薄膜之外，利用與實施例1相同的 :式製備切割用黏著劑片材。該低密度聚乙稀之熔融溫度 手為110C、社、度是(^奶克/立方公分，同時(⑽。c， 21.18牛頓）是15克/1〇分鐘。 比較貫*施例2 +·紙 hi 政過州中 g ㈣·::μ 1232235 A7 五、發明説明（3〇 ) 除了由乙烯1基丙烯酸共聚物之τ•模口押出製備厚 度100微来的薄膜作為所使用的基材薄膜之外，利用與實: 例1相同的方式製備切割用黏著劑片材。該乙烯-甲基丙J 酸共聚物之炫，融溫度修為10(rc、冑度是0 930克二方公 分，同時MFR(19(TC，2ΐ·1δ牛頓）是3克/1〇分鐘。 “ 比較實施例3 除了所使用的基材薄膜是由乙婦·甲基丙稀酸共聚物 (M^R ^2·0)之厂模口押出厚度微来的基材薄膜，之後將 所得的薄膜之-表面進行輝光處理而製成之外，利用與實 施例1相同的方式製備切割用uv固化黏著劑片材。 (評估試驗） 在實施例與比較實施例中獲得之切割用點著劑片材 以下面說明的方法進行評估。結果顯示於表1中。 (1)切割效能的評估 350微米厚之六时晶圓被固定在切割用黏著劑片材 上’然後在下列條件下切割。 (切割條件） 切剎機：DFD-651，迪斯可公司 刀片·· NBC‘ZH2050 27HFDD，迪斯可公司 刀片旋轉數目：每分鐘45000轉 切割速率1〇〇公釐/秒 切割深度：至基材薄膜3〇微米的深度 切割大小：2.5公釐χ2·5公釐 切割模式：向下切 -It '：κ i? 1232235 A7 _B7_ 五、發明説明（31 ) 在切割之後，於光學顯微鏡（2〇〇x)下可以觀察到該此 分割晶片的表面上有纖維狀邊料的出現，並且計算預定大 小範圍中纖維狀邊料的數目。 表1· 在預定大小範圍中纖維狀邊料的數'i'' 小於100微米 100至500微米 500微米^"^"~ 實施例1 51 0 0 ~ ' 實施例2 13 0 0 實施例3 0 0 0~^ 實施例4 0 0 ~ 0 ' 比較實施例1 100或更多 100或更多 1100或更多 比較實施例2 100或更多 100或更多 67- 比較實施例3 100或更多 100或更多 67 如表1所見，在實施例中之切割用黏著劑片材顯示會 產生較少的纖維狀邊料。這些黏著劑片顯示不會產生100 微米或更大之尺寸的纖維狀邊料。特別地，含有結晶成核 劑之實施例3和實施例4之切割用黏著劑片材，可以發現會 造成較少的纖維狀邊料產生。在實施例與比較實施例中的 該些晶圓沒有發現品質水準降低。 實施例5
Zelas5053(商品名，三菱化學公司）和Novateck HD HB330(日本化聚公司（p〇iyChem c〇.5 LTD))以 80 : 20(重量 比）的比例被饋入一雙軸捏合機（PCM-45圓柱直徑45公 i ’長度/直徑=34，溫度設定在200°C，Ikegai公司），並且 被熔融揉煉成顆粒，然後將該些顆粒饋入一由p】ak〇公司製 造的T-模口鑄造機（溫度設定在23〇。〇），以製備厚度ι〇〇微 米且寬度29公分的基材薄膜。 (切割用黏著劑片材的製備） 34 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁' }
1232235 A7 B7 五、發明説明（32 將貝施例3製備的黏著劑溶液塗佈在由上面獲得之該 基材薄膜的一輝光處理表面上，並且在80°C熱交聯1〇分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1里，以在其上形成厚度5微米紫外線固化黏著劑層。然後， 一分隔物被沾點在該黏著劑層的表®，製備切割用紫外線 固化黏著劑片材。 實施例6
ZelaS5〇53(商品名，三菱化學公司）和N〇vateck LL UF42〇(日本化聚公司（Polychem Cg·，LTD))以 80 : 20(重量 比）的比例被饋入一雙軸捏合機（pcM_45圓柱直徑“公 釐，長度/直徑1=34，溫度設定在200°C，Ikegai公司），並且 被炫融揉煉成顆粒，使用該些顆粒，以與實施例5相同的方 式獲得一基材薄膜。 ’ -^τ· 由曰本化聚公司生產的Novateck LL UF420是一具有 〇·925克/立方公分之密度，以及〇8克/1〇分鐘之mfr的線性 低密度聚丙烤。 (切割用黏著劑片材的製備） 將實施例3製備的黏著劑溶液塗佈在由上面獲得之該 基材薄膜的一輝光處理表面上，並且在8〇。〇熱交聯忉分 鐘，以在其上形成厚度2〇微米紫外線固化黏著劑層。然後， 一分隔物被沾黏在該黏著劑層的表面，製備切割用紫外線 固化黏著劑片材。 比較實施例4 在實施例5之切割用黏著劑#材的製備中，除了所使 用的基材薄膜是由乾式摻混50份重量聚丙烯（N〇vaieck 35 1232235
A7 五、發明説明 FL6CK，由曰本化聚公司製造）與5〇份重量的乙烤_甲基丙 稀酸甲S旨共聚物（Aqulift WM3G5住友化學公司），然後將 該摻合物押出成-基材薄膜，而產生崎来厚度的基材薄 膜以外，以與實施例1相同的方式製備黏著劑片材。. 比較實施例5 在實施例5之切割用#占著劑片材的製備中，除了所使 賴基材薄膜是—80微米厚度的低密度聚乙稀以外，以與 貫施例1相同的方式製備黏著劑片材。 (評估試驗） 、在實施例與比較實施例中獲得之切割用黏著劑片材 以下面„兒明的方法進行評估。結果顯示於表2中。 (碎裂評估） 、背面進行背面研磨（#2〇〇〇處理）之15〇微米厚的六吋晶 :被固疋在由實施例與比較實施例獲得之每一切割用黏著 劑片材上’而且每1材在下面的條件下被分割。在切割 之後，該片材的背面以紫外線（5〇〇毫焦耳/平方公分）照 射’然後由其中任意、挑出（釋放）5〇個半導體晶片。於光學 ，微鏡_x)下，觀察所得半導體之側邊上每_碎裂的深 度’在晶片碎裂方向’並且計算預定大小範圍中碎裂的數 (產率） 產率是以具有大小5〇微米或更小的碎裂之半導體晶 片…亥5G個用於評估碎裂之任意.半導體晶片的比例。 (切割條件） -36 - 先 閲 讀 背 面 之 注 意： 事 項 再 填 % 本 頁
1232235 A7 B7 五、發明説明（34 切割機：DFD-651，迪斯可公司 刀片：NBC-ZH2050 27HFDD，迪斯可公石 /a司 刀片旋轉數目：每分鐘40000轉 切割速率120公釐/秒 切割深度：至基材薄膜30微米的深度 切割大小：2·5公釐x2.5公釐 切割模式：向下切 ~ 表2.
訂- --------------------•裝…： (分先M讀背面之注意事項再填寫本W) 由表2可以發現’實施例5和實施例6之切割用黏著劑 片材具有非“、數目碎裂尺寸為5〇微米或更大之碎裂，其 顯不有良好的產率。另_方面，在比較實施例植$中，合 明顯產生碎裂尺寸為5〇微米或更大之碎裂，其顯示; 的產率。 民 元件標號對照 1…黏著劑片材 11···基材薄膜 12…黏著劑層 13…分隔 ,,,；κ R) φ ® ( CNS ) ( 2]〇X297^;if )

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 1. 2. 3. 4. 5. 6. 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 7. 8. AS B8 C8 D8 -種：割用黏著劑片材，其包含有一在其至少一心 =有-點著劑層的基材薄膜，其中該基材薄膜包含_ 含有丙歸和[稀及/或包括4至8個碳源子之i烯烴f 為聚^成分的烯烴基熱塑性彈性體，而且該稀煙基# 塑性彈性體的熔融溫度峰是120至17(TC。 士 =明專利摩巳圍第2項之切割用黏著劑片材，其中名 、鄰氯苯為〉谷劑中，該烯烴基熱塑性彈性體在〇。〔 的沖提館份，對其在〇至⑽。c溫度範圍之溫度上升片 提分餾中的總沖提餾份的比例是1〇至6〇。 如申凊專利範圍第"之切割用黏著劑片材，其中訪 基材薄膜進一步包含有一在聚丙烯上具有一結晶成 核作用的結晶成核劑。 如：請專利範圍第3項之切割用點著劑片材，其中該 結晶成核劑的含量相對於整個該基材薄膜是〇 〇〇〇1至 1 wt% 〇 如申請專利範圍第3項之切割用黏著劑片材，其中該 結晶成核劑是聚3-曱基-1-丁烯。 如申請專利範圍第1項之切割用黏著劑片材，其中該 基材薄膜是-單層薄膜，而且含有至少50 wt%的該烯 烴基熱塑性彈性體。 如申請專利範圍第1項之切割用黏著劑片材，其中該 基材薄膜是一多層薄膜，而且該多層薄膜中至少一層 含有至少50 wt%的該烯烴基熱.塑性彈性體。 如申請專利範圍第丨項之切割用黏著劑片材，其中該 太紙谌尺/^ i说用中(¾固玄橒ilWr· Μ.ς、) a 4祁格丨〇 X 297公兌） 1232235 A3 B8 CS D8 申請專利範圍 基材薄膜進-步包含有-包含乙稀作為 分之乙烯系列聚合物。 9. 如申請專利範圍第3項之切割用黏著劑片材，士 基材薄膜進-步包含有一包含乙婦作為主要聚入= 分之乙烯系列聚合物。 Α σ成 瓜如申請專利範圍第8項之切割用黏著劑片材， 乙烯系列聚合物的含量相對於該烯烴基熱塑性彈硅 體是5至50 wt%。 11 如辛請專利範圍第8項之切割用黏著劑片材，其中該 乙烯系列聚合物是具有一Ο ΜΟ Μ/立方公分之密 度的同雄度聚乙烯及/或具有一〇91至〇94克/立方八 为之遂、度的線性低密度聚乙稀。 12·如申請專利範圍第8項之切割用黏著劑片材，其中該 基材薄膜是-單層薄膜，而且含有該稀煙基熱塑性彈/ 性體與該乙烯系列聚合物的總量至少5〇之。 13·如申請專利範圍第8項之切割用黏著劑片材，其中該 基材薄膜是-多層薄膜，而且該多層薄膜中至少一層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 含有該稀烴基熱塑性彈性體與該乙稀系列聚合物的 總量至少50 wt%。 14 如申請專利範圍第1項之切割用黏著劑月材，其中該 黏著劑層的厚度是1至200微米。 15.如申請專利範圍第！項之切割用黏著劑月材，其中該 黏著劑層是由一輻射固化的黏著劑所形成。 16· —種切割的方法，其包含將如申請專利範圍第丨項之 太紙^χ 297~^y 1232235 、申請專利範圍 刀°J用黏著劑片材黏貼在一將被切割的材料上，然後 切割該黏著劑片材至該基材薄膜的深度，藉此分割該 將被切割之材料。17· 切割:方法’其包含將如中請專利範圍第3項之 刀口J用黏著劑月材黏貼在一將被切割的材料上，然後 切I亥黏者劑片材至該基材薄膜的深度，藉此分割該 將被切割之材料。 一種切割的方法，其包含將如中請專利範圍第8項之 刀口1J用黏著劑片材黏貼在一將被切割的材料上，然後 』雜著劑片材至該基材薄膜的深度，藉此分割該 將被切割之材料。 一種切割的方法，其包含將如中請專利範.圍第9項之 d用黏著劑片材黏貼在一將被切割的材料上，然後 Ί亥黏者劑片材至該基材薄膜的深度，藉此分割該 將被切割之材料。 2〇·如申請專利範圍第16項的方法，其中該將被分割的材 料是一半導體元件。 種小切月，其係藉由以申請專利範圍第啊之切割 方法切割該將被分割之材料而產生。 ° 種小切片’其係藉由以申請專利範圍第項之切割 方法切割該將被分割之材料而產生。 注 意 18. 19 il 本紙張尺度 297公发）
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