TWI232235B - Adhesive sheet for dicing - Google Patents
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Description
切 的 步 固 1232235 A7 B7 五、發明説明 發明的背景 發明之技術領域 本發明是關於一切割用黏著劑 .關於一 if # …月材。而且,本發明是 自、種使用该切割用黏著劑片材門 藉由該切割方法獲得之 j方法,以及關於 丰導姊日在小兀件的情況中,諸如 牛日日0切割與分隔(切割 著劑片;bM七炎m ) 依據本發明之切割用黏 用的”、、於切割半導體晶® _著劑枝特別有 用於固定將被切割的材料,諸如半導體晶圓。 ==’_本發以㈣㈣著劑片材可以被用作 導體的黏著劑片材、用於切割化合物半導體晶圓的 …片材、用於切割半導體封裝的點著劑月材、用於切 割破璃的黏著劑片材與類似物。 相關技藝的說明 -照慣例,由石夕、鎵或石中製成的半導體晶圓是以較大的 直從狀恶被產生’然後將其切割並分隔(分割)成小的元件 片,並且被轉移至固定的步驟。在此程序中,對藉由黏著 在黏著劑片材上而被維持住之該半導體晶圓進行個別的 驟’绪如分割步驟、清洗步驟、擴張步驟、拾取步驟與 定步驟。一大約1至2〇〇微米厚度含有塗覆在一具有塑膠薄 朕組成之基料上的丙烯酸系黏著劑之片材,通常被用作黏 者劑片材。 在切割步驟中,該晶圓是以旋轉並移動的圓形刀片切 割,但是所謂完全切割的切割系統是一主流,其中維持該 半‘體晶圓之該切割用黏著劑月材的基材,被切割至該基
木效’Λ尺度璉用中闽幽家標準(CNS) .A1規秸(210X297公犮) 1 1232235
==。因為該黏著嶋藉由該完全切割方法, 而被切#其内部,該基材,也就是一 維狀的邊料。當爷總給壯! ^、曰展王減 士 錢維狀邊料附著到晶片(切割件)的側邊 犄,該附著的纖維狀邊料合 ·, "士. 彳邊枓曰在後面的步驟被固定並包含在 :片中’而造成所得半導體元件之可靠性會顯著下降的問 喊。在拾取的步驟中,個別的晶片在以電荷耗合裝置(CCD) 的相機確認定位之後被拾取,但是如果有纖維狀邊料時, 也會造成確認錯誤的不便。 舉例來說日本專利申請公報第156214號(1993年)提 出使用乙稀-甲基丙稀酸酿共聚物作為基料之黏著劑片 材,可以做為解決該些問題的方法。此點著劑片材黏結會 使纖維狀邊材的產生有某一程度的減少,但是在該分割步 驟中,無法滿;t地持久產生高可靠性的半導體。 另外,日本專利申請公報第211234號㈣林)提出, 使用以電子束或諸如在U80Mra.d〇光輕射照射之薄膜 作為點著劑片材。不過’此點著劑片材會由於輻射照射而 被嚴㈣壞’因此幾乎無法提供有優異外觀的薄膜,同時 會顯著增加薄膜製造成本’因此在品質水準與成本方面, 它是較不好的。 晶圓在完全切割的切割方法中被完全切割,如此該切 割物的品質水準是隨著使用之切割用黏著劑片材而改變。 舉例來說,近年來晶圓變薄,而所謂破碎的碎裂會發生在 該晶圓的背面,這會造成晶圓抗彎曲強度下降的嚴重問題。 舉例來說,曰本專利申請公報第3354π號(1993年) 1232235 A7 B7 3 五、發明説明 ------------------------ (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) 提出一種產生變溥的半導體元件(藉由首先實施切割)的方 法,其中首先對於其上形成有-元件之半導體晶圓進行切 割,以形成預定深度的溝槽,然後進行背面研磨,直至該 •切割凹槽的深度,做為解決該些問題的手段。在此方法中, 碎裂的發生是可以被避免的,但是因為先前半導體晶圓具 有因為切割造成之數十至數百微米深度的割:展,如此會產 生諸如在該背面研磨步驟之前發生龜裂,以及在背面研磨 步驟中,研磨的水由該凹槽污染晶圓表面的問題,因此會 導致半導體晶圓產率下降。 發明之概要說明 本發明的-個目的是提供一切割用黏著劑片材,由於 較少降低產品品質水準,以及在切割期間較少有纖維狀邊料產 生,其沒有經濟上的缺點,因此可以解決上述先前技藝的問 題。 本發明的另一個目的是提供一種切割用黏著劑片 材其用於此夠達到諸如半導體晶圓之切片的良好產率, 同時能夠避免在切割期間碎裂的產生,以解決上述先前技 藝的問題。 本發明的再一個目的是提供一種利用該經黏著劑貼 附之切割用片材的切割方法。 不. 本發明的再另-個目的是提供由該切割方法獲得 小切片 為了解決上述這也 之 ^ 問碭,本發明人對於組成該切割用 I占著劑片材之基材、落 σ 柯4¾進行大量的研究,結果發現上 面說 糾.規祐(2](.)X297公犮) 6 1232235 A7
亦即’本發明是關於切割用黏著劑片材,其包含提供 ::至少―表面上具有-黏著劑層的基材薄膜,其中該基 材賴包含具有作為聚合的組成份之丙稀和乙婦綠8 個碳烤烴的烯煙基熱塑性彈性體,而且該些稀烴基熱 塑性彈性體的炫融溫度峰是在12〇至17〇它。 本發明人發現,特別是在含有丙婦和乙婦及/或心8個 碳的α-烯烴作為聚合組成份,並且組成依據本發明之該切 割用黏著劑片材之該基材_的該些婦絲熱塑性彈性體 ',具有炼融溫度峰是在12G至17{rc之彈性體,在切割期 間該基材㈣的延伸會減少,藉此可避免㈣期間產生纖 維狀邊料。該烯烴基熱塑性彈性體的熔融溫度峰較好是在 wot或更高的溫度,更好s16Gt或更高。該熔融溫度峰 通常是依據JIS K7121號,以示差掃瞄熱卡計(DSC)做測量。 在該切割用黏著劑片材中,以鄰·二氣苯做為溶劑時, 在〇 c時該烯烴基熱塑性彈性體之沖提餾份對其在〇至 C的溫度範圍,溫度升南沖提分餾的總沖提餾份的比例較 好是在10至60wt%。 在o°c時,該烯烴基熱塑性彈性體之沖提餾份對其總 沖提餾份的比例,較好是在切割期間可以避免纖維狀邊料 產生,同時該基材薄膜的擴展性質及其對該黏著劑層的黏 著可以被滿足的範圍。當在Ot:時之沖提餾份的比例較低 時,由該烯烴基熱塑性彈性體壓模,而獲得之基材薄膜是 太紙適用中阑國家標準(CNS) A4规# (210X297公炝) 1232235 A7 五、發明説明 堅硬至使其在擴展㈣期間的拉伸性變差,同時也使拾取 變困難’所以在(TC時之沖提館份的比例較好㈣w⑼或 更多,更好是20 wt%或更多。另一方面,當在ot:時之沖 提德份的比例較高時,由壓模該稀烴基熱塑性彈性體而獲 付之基材膜與該接著層的黏著性會變低,因此,在代時 之沖提館份的比例較好是6G wt%或更少,更好是50 wt% 或更少。 溫度上升沖提分館(TREF戌—已知的分析方法。從原 理的觀點而言,聚合物在高溫下完全溶解在溶劑中,然後 降低溫度而在-被允許存在於溶液中的惰性載體上形成一 薄聚合物層。在此程序期間,會依容易結晶、高結晶成分 而至幾乎不結晶、低結晶或不結晶的順序形成聚合物層。 然後,當聚合物層被連續或階段式加熱的時候,其沖提液 是依據相反的順序出現,那就是,幾乎不結晶或不結晶的 成分首先被沖提出來,而且高結晶的成分是最後被沖提出 來。藉由在該些沖提溫度下,晝出沖提分率的量對沖提溫 度的圖,而晝出沖提曲線,可分析聚合物中該些成分的分 饰。 布置分鶴裝置(CFC-T150A,三菱化學的公司)被用 來作為測量裝置。將欲測定的樣品在140°C下,溶解在一溶 劑(鄰-二氣苯)而形成30毫克/毫升的濃度,並且將其注入測 里裝置中的樣品環中。在預定的條件下自動進行下列測 试。保持在樣品環中的樣品溶液有〇 · 4毫升的體積,被注入 TREF管柱(内部直徑4公釐、長度150公釐的不鎸鋼管柱, 木紙度.、!以]屮丨⑷與家標苹(QC)六4规梠UK)X297公^
1232235 _____B7_ 五、發明説明(6 ) 有惰性的玻璃珠充填),其中樣品的成分依據其溶解溫度而 被分餾分離。該樣品以每分鐘的速率由14〇它冷卻至〇 C,並且被塗佈在前述的惰性載體上。在此程序中,從高 度結晶的(容易結晶的)成分至低結晶的(幾乎不結晶的)成 分之聚合物層依據此順序,形成在該惰性載體的表面上。 該TREF管柱在(TC下再保持30分鐘,然後如下所示階段式 的加熱,同時該管柱在每一個溫度下保持3〇分鐘,測量在 母一溫度下的沖提分德物,沖提溫度(它·): 0,5,10,15,20,25,30,35,40,45,49,52,55,58,61,64,67,70,7 3’76,79,82,85,88,91,94,97, 1〇〇,1〇2,120,140。 在依據本發明之切割用黏著劑片材中,該基材薄膜較 好進一步包含在聚丙烯上具有結晶成核作用之結晶成核 劑。一般發現藉由將結晶成核劑併入該基材薄膜中,可以 進一步避免纖維狀邊料的產生。 在切割用黏著劑片材中,該結晶成核劑的含量較好是 整個基材薄膜的〇._1JL1 wt%。該結晶成核劑的含量沒 有特別的限制,但當該含量被調整至上述的範圍時,所呈 現之本發明的效果會特別冑用。成核作用會隨著結晶成核 刈的3里減少而降低,因此要使其難於達到本發明的效 C,所以,钂成核劑的含量是〇〇〇〇1 wt%或更多,較好是 〇· 0005 Wt%或更多。另一方面,增加成核劑的量會使基 材4膜木軟性變差,因此在擴展步驟期間會使拉伸性變 差’拾取變困難,所以該結晶成核劑的含量是工或更 低’較好是0.1 Wt%或更低。 (請先閱讀背面之注意事項再場寫本頁') ··裝- 1232235 A7 B7 7 五、發明説明 在切割用黏著劑月材中,聚3-曱基小丁烯較好可以被 使用作為結晶成核劑。 在切割用黏著劑片材中,該基材薄膜較好是單層薄 膜而且έ有50 Wt%或更多的婦烴基熱塑性彈性體。 在切割用黏著劑片材中,該基材薄膜較好是多層薄 膜,而且在該多層薄膜中至少一層含有5〇糾%或更多的 烯烴基熱塑性彈性體。 由避免纖維狀邊料產生的觀點而言,.在該基材薄膜中 的烤煙基熱塑性彈性體的含量被選定,使得其在單層薄膜 或多層薄膜的至少一層中的含量通常是5〇wt%或更多,較 好是wt%或更多。當該基材薄膜是呈多層薄膜時,一含 有該稀烴基熱塑性彈性體隸伸性差之層被配置在至少一 用於完全切割之圓刀片切割的深度’藉此可以避免杨割 期間產生纖維狀邊料’同時具有優異之擴展時,所需要^ 拉伸性之層被配置成其它的層’藉此含有該稀煙基:塑性 彈性體之層的較差拉伸性可以被補整。此外,諸如有優里 抗靜電性質的功能性層可以被配置 ^ /、Τ Μ形成一具有 諸如抗靜電效能之額外功能的多層薄膜。 在依據本發明之切割用黏著劑片材 * 丫 4基材薄媒較 好進一步包含具有以乙烯為主要聚人 ^ Κ σ成分之乙烯系聚合 物。 在依據本發明之切割用黏著劑片材中,在含有丙稀盘 乙稀及[或]具有4到8個碳原子之稀煙作為共聚合 稀 烴基熱塑性彈性體,以及含有乙烯作 ^ 卞為主要聚合成分.之乙 10 1232235 A7 五 發明説明 體’包含具有120至17〇t之炫點峰值的彈性 月-、”乂基材薄膜,被發現在切割期間可以避免碎裂。 右广刀割用黏著劑片材中,該乙稀系列聚合物6;含量沒 心別的限制’但較好是相關的_烴基熱塑性彈 =叫,更好抑。#含量被調整至且上述 的範圍時。本發明會呈現特別的效果。, 在切割用黏著劑片材中’該乙烯系列聚合物較好是密 ,在〇·94至0.97克/立方公分之高密度聚乙焊,及[或]密度 0.91至〇·94克/立方公分之線性低密度聚乙烯。該乙烯系 面 -·-[ .............-.......•裝…: (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁') 列聚合物沒有特別的限制,但為了避免碎裂,較好是上’、 舉例說明的聚乙烯。 •在切割用黏著劑片材中,該基材薄膜較好是單層 膜,且含有該烤煙基熱塑性彈性體與該乙稀系列聚合物: 量之50 wt%。 ' 在切割用黏著劑片材中,該基材薄膜較好是多層: 膜,且在該多層薄膜中至少有一層含有該稀烴基熱塑性$ 性體與該乙烯系列聚合物總量之5〇 wt%。 由避免纖維狀邊料產生的觀點而言,在該基材薄膜^ 的該婦煙基熱塑性彈性體與該乙烤系歹聚合物總含量被$ 定,使得其在該單層薄膜或多層薄膜中至少一層的含量$ 常大約是50 wt%或更多,較好是8〇 wt%或更多。當該j 材薄膜是呈多層狀時,含有該烯烴基熱塑性彈性體與該乙 烯系列聚合物層被配置成至少一用於完全切割之圓刀片七 的深度,藉此可以避免在切割期間產生纖維狀邊料,同担 试 尸设 A m 屮 1:¾ ® ts準(CNS )六4规指(2]0Χ297公:f ) η 1232235 A7 五、發明説明(9 ) 具有優異之擴展時所需要的拉伸性之層被配置成其它的 層,藉此含有該烯烴基熱塑性彈性體之層的較差拉伸性可 以破補整。此外,諸如有優異抗靜電性質的功能性層可以 被配置在其中,以形成一具有諸如抗靜電效能之額外功# 的多層薄膜。 b 田蛐著劑層的厚度是1至200微米時,該切割用黏著劑 片材是有效的。 增厚該黏著劑層不僅在經濟上是不利的,也會因為例 如切割期間半導體晶圓的振動,而顯著降低切割品質水 準,因此該黏著劑層厚度較好是在1至2〇〇微米,特別好是 在3至50微米。在切割步驟中,切割用黏著劑片材中經常是 以圓形刀片切割成大約5至23〇微米的深度,所以當該黏: 劑片材比該切割的深度更薄時,將使被切割之該基材薄膜 f成纖維狀邊料的問題,或者當該基材薄膜的碎裂的影響 是-問題時,依據本發明之切割用黏著劑片材的功 效的。 在切割用黏著劑片材中,該黏著劑較好是由輕射固化 的黏著劑形成。 稭由使用輻射固化的黏著劑層,其#占著性會因為輕射 而被降低,以便在例如晶圓被切割並分開之後,該點著田劑 片材能容易地從該些晶圓上移除。 此外’本發明是關於一種切割的方法,其包含將上述 之切割用黏著劑片材沾點在將被切割的材料上,然後切割 至該基材薄膜的深度’藉此分割將被切割的材料。。 '>h /Ϊ l·:: .3,^ J^J ψ );§ j^j ( 0¾ ) ( 210X291^;^ ) 1232235 A7 B7 五、發明説明(1〇 半導體兀件可以有效地作為被切割的材料。另外,本 發明是關於藉由上面說之切割方法分割將被切割的材料, 而製備成的小切片。 圖式之概要說明 第1圖是依據本發明之切割用黏著劑片材的一實施例 的截面圖式。 較佳實施例的說明 U下,將麥考第1圖而對依據本發明之切割用黏著劑 片材作詳細說明。如第1圖所示,依據本發明之切割用黏著 劑片材是由基材薄膜11、配置在該基材薄膜U的至少-側 上之黏著劑層12’以及如果需要,有一與該黏著劑層接觸 亚且膠點在該黏著劑層上沒有該基材薄膜的一側之分隔物 13°在第1圖中,該黏著劑層12被配置在該基材薄膜n的一 側’但是該黏著劑層也可形成在該基材薄膜的兩側。該切 割用黏著劑片材也可以帶狀型式作捲繞。 或基材薄膜包含—具有作為聚合反應成分之丙烤和 乙稀及[或]含有4至8個碳原?之烤烴㈣烴基献塑性 彈性體。 ^含有4至8個碳原子的烯烴,包括丁烯-1、3-曱基戊 /曱基戊婦·1、己稀]、戍稀巧與類似物可作為婦煙基 熱塑性彈性體中$人& _ 千+ 5反應成分。該烯烴基熱塑性彈性體較 好是丙烯‘乙烯共聚物。 " 士在稀烴基熱塑性彈性體中,每合反應的含量沒 与寸別的限制,其是在使該稀烴基熱塑性彈性體可以滿足 谝)彳丨Ψ闽闳g 、私’.’MLNS)糾.規袼(2](·)Χ297公焚) 1232235 A7 ~----- --B7_ 五、發明説明(11 ) 該熔融溫度峰值與溫度上升沖提分率需求的範 圍中,但是 丙烯含量通常是50至95 wt% ’更好是6〇至92 wt%。乙烯 及[或]含有4至8個碳原子的α_烯烴較好是其他不包括丙 烯之烯烴基熱犁性彈性體。 本發明之烯烴基熱塑性彈性體,含有上述聚合反應成 ^,並且可以滿足熔融溫度峰值與溫度上升沖提分率的需 求。產生該烯烴基熱塑性彈性體的方法,包含一個含有至 ^兩個階段之連續聚合的方法,其中,舉例來說,聚丙烯 均質聚合物或含有_、小量乙料[或]含有4至8個碳原 子的α -烯烴之無規共聚物是在第一階段中被產生,而且在 第一及後續的階段中,含有丙烤、乙婦及[或]含有4至8個 碳原子的其他α-烯烴之無規共聚物被產生;以及聚丙烯均 質聚合物或含有丙烯、小量乙烯及[或]含有4至8個碳原子 的α-烯烴之無規共聚物,和包含乙烯及[或]含有4至8個碳 原子的α -烯烴之無規共聚物,或含有乙烯及[或]含有々至^ 個碳原子的α-烯烴及丙烯被個別地聚合,並且被摻合在一 起的方法。在這些方法中,該包含至少兩個階段之連續聚 - 合反應的方法是較好的。 以下,該連續聚合反應的方法將被說明。該連續聚合 反應使用的催化劑沒有特別的限制,但是該催化劑較好包 含有機鋁化合物,以及一包含鈦原子、鎂原子、齒素原子 和授電子化合物為基本成分的固態成分。 在這裡,有機鋁化合物是一在此種聚合反應中眾所周 知的化合物,其由通式(κ])ηιΑ1χ(νη〇表示,其中R]表示含 木纸張尺度適用屮丨引沒家標:彳抖规祀U]0X297.公g.) 14 (請先閱讀背面之注意寧項再場寫本頁)
1232235 A7 ___ B7 五、發明説明(12 ) 有1到12個碳原子之碳氫基團、χ表示齒素原子,而且 到3㈣數,同時,其實施例包含三燒基紹,諸如三甲基紹 或三乙基叙、二烧基銘鹵化物,諸如二甲基|g氣化物或二 乙基紹氣化物,、炫基紹-倍半氣化物⑽抑⑽服)·,諸 如甲基銘-倍半氣化物或乙基紹一倍半氣化物、烧基紹二 氣化物’諸如甲基鋁二氯化物或乙基鋁二氣化物、以及烷 基銘氯化物,諸如二乙基鋁氯化物。 ~ 另外,含有鈦原子、鎂原子、鹵素原.子和授電子化合 物作為主要成分之該固態成分,也可以是在此種聚合反應 中眾所周知的化合物。作為鈥原子提供者之該欽化合物包 含那些由通式Ti(〇R 2 ) 4·2)Χη表示的化合物,其中R2表示含 有1到12個碳原子之碳氫基團、X表示鹵素原子、而且nh 到4的整數,同時特別地,四氯化欽、四乙氧基欽、四丁氧 基鈦和類似物是較佳的。作為鎂原子提供者的鎂化合物, 例如包含二院基鎮、鎮二鹵化物、二烧氧基鎮、烧氧基鎂 _化物和類似物,其中鎂二鹵化物是較佳的。該些鹵素原 子包含氟、氯、漠和峨,其中氯是較佳的,而且這些齒素 通常是由上述鈦化合物所供應,但是也可以由其他_素授 體’諸如_化鋁、函化矽和鎢齒化物供應。 該授電子化合物包括含氧化合物,諸如醇、酚、酮、 醛、羧酸、有機酸和無機酸或其衍生物,以及含氮化合物, 諸如氨、月安、月奢和異氰酸鹽。特職,該授電子化合物較 好是無機酸酯、有機酸酯和有機酸鹵化物,更好的是矽酯、 1乙氧基乙g曰和g大酸基鹵化物,而且最好的是由通式 K 3;^ η] Ί·> |va g ( PNc ) ( 2.10)(297^:¾ ) 15
訂 t 1232235
A7 ________B7 五、發明説明(13 ) R3R4(3-P)Si(〇R5)p表示的有機石夕化物,其中只3表示含有3至 20,較好是4至職碳原子之分支的脂族碳氫基,或者是 含4有5至20,較好是6至1〇個碳原子之脂肪環狀碳氫基_ ; R表不表不含有1至20,較好是1至1〇個碳原子之分技的或 線性的碳IL基團;而且…到3的整數,較佳的實施例包括 三級丁基-甲基-二乙氧基矽烷、環己基·甲基-二乙氧基矽 在連續聚合反應的方法中,丙婦和小.量的乙稀及[或 含有4至8個碳原子之α,煙被饋入,並且在第一階段" 催化劑存在下,在50至,較好是別㈣代的溫度, 〇.5至4.着3的㈣部份分歷,較好是⑴着磁聚合, 以產生例如丙_質聚合物,同時在第二階段,丙蝉和乙 稀及[或]含有㈣個碟原子之α-敎被獻,並且在催化 劑存在下,與上面的均f聚合物,在5Q至i5Qt ’較好是% 至1〇〇C的溫度,。·5至3.5MPa之丙烯和乙稀及[或]含有4至 8個碳原子之α,煙的部份分麼下共聚合,以生成包含丙 烯# :乙稀及[或]3有4至8個碳原子之α 烯烴的共聚合物。 。玄來合作用可以在批次、連續或半批次系統中進行, ^階段聚合是在氣相或液相進行,而且第二階段的聚合 也疋在氣相或液相進行,特職,較好是在氣相中進行。 在每一階段的滯留相加至叫時,較好是⑴小時。 如果由上述的方、、土 $ 4 Α /產生的该些烯烴基熱塑性 !體:?粒子:有諸如沾黏與類似的問題時,較好是在第- “之俊’以及第二階段聚合之前或聚合期間加入一 (210X297^-¾ )
1232235 A7 ----— B7 ---—--—------ - _ _ 五、發明説明(14 ) 有活ϋ氫的化合物’其添加範圍是在該催化劑之該固態 成分中的㈣'子之⑽至刪倍的莫耳數,同時是在催化劑 之有機純合物的2至5倍的莫耳數的範圍中。該含活性氣 :化合物例如.包括水、醇、酚、醛、缓酸、酸性醯胺、氨、 胺和類似物。 由上述方法產生之該稀煙型熱塑性彈性體,且有在 挪。c、21.18牛頓的負荷下,依據日本工業規格κ72ΐ〇測定 為0.1至50克/10分鐘的熔融流動速率(MFR),而且依據日本 工業規格⑺12,利用水中替代方法測定的密度大約0.87 到0.89克/立方公分,同時依據日拉業規格侧3,如 °C測定的剛性模數是6〇〇馗以或更小。 該烯烴熱塑性彈性體也可以在眾所周知的有機過氧 化物存在下被動態加熱處理,而且如果需要,可添加每― 分子中含有-個或更多個,較好是兩個或更多個雙鍵之交 聯劑,藉此調整該MFR。 。。本發明中的基材薄膜可以含有該上述的烯烴熱塑性 彈性體作為組成份樹脂,而且可以僅由該烤煙基熱塑性彈 性體,或者如果需要可由其與其他熱塑性樹脂或彈性體组 成。所使用的塑夥樹脂或彈性體較好包括傳統的卿或彈 性體月材樹脂,舉例來句妹』5 牛例木。兒,遠如聚丙烯、聚乙烯和聚丁烯 以及聚對對苯二甲酸乙二醋、聚氣乙稀、聚胺黯'聚苯乙 烯、苯乙稀型彈性體、乙稀丙稀橡膠或含有乙烤和丙稀及 [或]含有4至8個碳原子的i稀煙乙场1.炼煙共聚物(橡 膠)之眾所周知的聚烯烴。如上所述,在基材薄膜中之稀烴 17
Ί5
1232235 五、發明説明
基熱塑性彈性體的含I# B 3里通常是50 wt%或更多,較 ‘或以1有效_免纖維㈣料生成。 當該基材薄膜之碎裂的影響是一問題時,該基材薄膜 較好含有稀煙熱塑性彈性體和一含有乙烤作為主要聚合 分之聚合物的混合物。 田忒乙烯系列聚合物與該烯烴熱塑性彈性體混人 時,含有至少50莫耳% 7、洽从* w X ~ ° 、 乙烯作為攻合成分之聚合物可以被 使用,而沒有任何特別的限制。 該乙烤系列聚合物包括,例如密度〇.91至〇.94克/立方 公分之高屢低密度聚乙稀,·密度0.94至㈣克/立方公分之 高密度聚乙烯;密度〇·91至0·94克/立方公分之線性低密度 聚乙烤;密度0.88至〇.91克/立方公分之金屬茂⑽⑽⑽叫 型乙烯-α-烯烴,例如含有3至8個碳原子之心烯烴共聚 物’如1-丁烯、;U己烯或!·辛烯之共聚物橡膠,·密度0.85 至0.88克/立方公分之乙烯· α •烯烴共聚物橡。產生這些乙 烯系列聚合物的方法沒有特別地限制,但 舉例來說,可以由高壓自由基聚合方法,錢用=勒 (Ziegler)型催化劑,藉由配位陰離子聚合方法,或諸如金 屬茂型催化劑之單-反應位置的催化劑而被生成。該乙稀 系列聚合物包括,例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(eva)、乙 稀和甲基丙稀酸及[或]甲基丙烤酸酷共聚物、乙稀和丙歸 酸及[或]丙烤酸酷共聚物、乙烯和金屬甲基丙稀酸醋及 [或]金屬丙烯酸酯共聚物(離聚物)、乙烯-丙烯-非共軛二 烯共聚物橡膠(EPDM)、乙烯-苯乙烯共聚物、乙烯_冰原片 .18
1232235 推混。 A7 B7 五、發明説明(16 ) 烯共聚物和類似物。這些乙烯系列聚合物之中,具有密度 0.94至0·97克/立方公分之高密度聚乙烯及[或]密度〇.91至 0.94克/立方公分之線性低密度聚乙烯是較佳的。特別地, 具有控、度0.94至0·97克/立方公分之高密度聚乙烯是較好 的。 該乙烯系列聚合物與烯烴熱塑性彈性體的比例較好 是如上述5至50 wt%。混合該烯烴熱塑性彈性體與乙烯系 列聚合物的方法沒有特別的限制,但是舉例來說,利用班 伯里(Banbury)混合機、單軸押出機或雙軸押出機之熔融混 煉的方法,與在該薄膜產生期間將其混合(乾摻混)的方法 可以被考慮。特別地,熔融混煉的方法是較好的。在熔融 混煉期間,該烯烴熱塑性彈性體和乙烯系列聚合物,也可 以在已知的有機觸媒或是每一個分子中含有一個或更多 個’較好是兩個或更多個雙鍵之交聯劑存在下被動態熱處 理。 在基材薄膜中,該烯烴熱性彈性體和乙烯系列聚合物 的總量通常是50 wt%或更多,較好是8〇或更多,以 有效的避免纖維狀邊料生成。 如果需要,該基材薄膜可以與諸如礦物油之柔軟劑、 如碳酸約'石夕石、滑石粉、雲母和點土之填充劑,與諸如 2氧化劑、光安定劑、抗靜電劑1滑劑、分散劑 '中和 』、α'结晶成核劑和結晶成核劑之各種不同的添加劑 在這些添加劑之中,在聚丙稀上具“'结晶成核作用 财咖C]⑺Α4规指(2Ϊ0Χ297公:染) 19
!232235 A7 五、發明説明 之結晶成核劑較好被包含1中 七 > 作為本發明之基材薄膜的 加劑。在基材薄膜中,社 、 、·口日日成核劑的含量較好是000 至 1 wt% 〇 該結晶成核劑沒有特別的限制,其實施例包括各種無 機化合物、各種羧酸或及其金屬鹽類、二亞节基 (dibenzylidene)山梨糖醇型化合物、芳香基磷動旨型化^ 物、環狀多價金屬芳香基磷酸8|型化合物與驗金屬脂料 羧酸醋或鹼性鋁·鋰-羥基-碳酸鹽_水合物,和諸如各種不同 的聚合體化合物之α -結晶成核劑。這些結晶成核劑可以單 獨使用或以其混合物使用。 無機化合物的實施例包括滑石、礬、矽石、二氧化鈦、 氧化鈣、氧化鎂、碳黑、黏土礦物和相似物。 該羧酸的實施例包括除含脂肪單羧酸之外的緩酸。其 ^例包括丙—酸、破I拍酸、己二酸、順·— 丁炼二酸、壬 二酸、癸二酸-[1,1〇]、十二烷二元酸、檸檬酸、丁烷三羧 酸、丁烷四羧酸、環烷酸、環戊烷羧酸、1-甲基環戊烷羧 酸、2-甲基環戊烧羧酸、環戊烯羧酸、環己烷羧酸、i _曱 基環環己烷羧酸、4-曱基環己烷羧酸、3,5-二甲基環環己 烷羧、4-丁基環環己烷羧、4-辛基環己烷羧酸、環己烯羧 酸、4-環己烯-i,2-二羧酸、苯曱酸、曱苯曱酸、二甲苯甲 酸、乙基笨曱酸、4-三級丁基苯曱酸、水楊酸、酞酸、偏 苯三酸(trimellitic acid)和苯均四酸(pyromellitic acid)。其 與經 ' 鋼、_、糕、妈、總、鋇、鋅或紹之一般的鹽類或 鹼性鹽類可以被考慮作為這些羧酸的鹽類。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝丨 二w口 ·線· 20 1232235
發明説明 ^ ^亞苄基山梨糖醇型化合物包括,例如1.3,2·4-二亞 :基山梨糖醇、U-二亞节基么心對·甲基二亞节基山梨糖 醇、1.3、亞节基_2本對·乙基二亞节基山梨糖醇、u·對、 甲基一亞苄基:2 4•二亞苄基山梨糖醇、hi對-乙基二亞苄 基-2.4-對-一亞节基山梨糖醇、13•對-甲基二亞节基众扣 對-乙基二亞苄基山梨糖醇、13♦乙基二亞节基·“·對、 甲基,亞节基山梨糖醇、一雙.甲基二亞节基)山 醇^3,2·4'雙·(對-乙基二亞苄基)山梨糖醇、1.3,2.4_ 雙-(對-正·丙某-$楚I、 一— 亞卞基)山梨糖醇、1·3,2.4-雙-(對-異·丙基 二亞节基)山梨糖醇、j 3 2 摊 (卜正· 丁基二亞节基)山梨 亞卞基)山梨糖醇、 一 一又對、級-丁基二亞节基)山梨糖醇、1.3<2, 4,— 亞节基)2.4_對·乙基二亞节基山梨糖醇、a二亞 Γ, (2 4 — 一甲基二亞苄基)山梨糖醇、1·3,2.4-雜. (2 ·4—二甲基二亞f基)山梨糖醇、ΐ 3,2.心雙心,4,—= 山甲基)山梨糖醇、丄3,2·4-雙俱甲氧基二亞节基一) 山木糖酵、1·3,2·4-雙-(對-乙氧基二
二四朵# 兄卞基)山梨糖醇、H 一亞卞基-2.4-對-氯二亞节基山梨 0 . ^ 對-虱二亞爷其 -2·4-二亞节基山梨糖醇、U·對、氣二亞 亞卞基 ^ ^ ^ 兄下暴_2·心對-甲其一 卞基山梨糖醇、W對-氯二亞节基-2.4-對·乙其_二― 山梨糖^基一亞苄基 广搪H3♦甲基二亞节基么4|氯二 酉孚、料 贫一 卞基山梨糖 】·3-對-乙基一亞卡基·2.心對-氣二亞 雙-(對-氯二亞f基)山梨糖醇。A *糖醇和 該芳香基填酸鹽型化合物包括, 含里、雙(扣三級一丁 用'軸㈣鮮(⑽)Α4^ ::.........%:: Irtr先IW讀背面之注意寧項再填寫本K') 訂— 1232235 A7 ___B7______ 五、發明説明(19 ) 苯基)磷酸鹽、鈉-雙(4-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋰-雙(4·枯笨 基)磷酸鹽、鈉-雙(4-枯苯基)磷酸鹽、鉀-雙(4-三級-丁苯基) 磷酸鹽、鈣-單(心三級-丁苯基)磷酸鹽、鈣-雙三級-丁苯 基)磷酸鹽、鎮單(4-三級-丁苯基)磷酸鹽、鎂-雙(4-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋅-單(4-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋅-雙(‘ 三級-丁苯基)磷酸鹽、鋁-二羥基-(4-三級-丁苯基)磷酸鹽、 鋁-羥基•雙(4-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋁-三-(4-三級-丁苯基) 磷酸鹽、鈉-2,2、亞曱基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽、 鈉-2,2,-亞乙基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽、鈉 亞甲基-雙(4-枯基-6-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋰-2,2,-亞曱基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋰_2,2,-亞乙基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋰-2,2,-亞甲基-雙(4-枯基-6-三級-丁苯基)磷酸鹽、鈉-亞乙基-雙(4-異丙基-6-三級-丁苯基) 磷酸鹽、鋰-2,2,-亞甲基-雙(4-曱基-6-三級-丁苯基)磷酸 鹽、鋰-2,2,-亞曱基-雙(4-乙基-6-三級-丁苯基)磷酸鹽、鈉 -2,2’-亞丁基-雙(4,6-二-曱苯基)磷酸鹽、鈉-2,25-亞丁基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽、鈉-2,2、三級-辛亞曱基-雙 (4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽、鈉亞曱基-雙(4·曱基-6-三級-丁苯基)磷酸鹽、鈉-2,2,-亞甲基-雙(4-乙基-6-三級-丁苯基)填酸鹽、納(4,4’_二甲基-6,6 -二-三級-丁基-2,2’-二苯基)磷酸鹽、鈉2,2,-亞乙基-雙(心二級·丁基-6-三級-丁 苯基)磷酸鹽、鈉2,2,-亞甲基-雙(4>二-甲苯基)磷酸鹽、鈉 2,2,-亞曱基-雙(4,6-二-乙苯基)磷酸鹽、鉀2,2’_亞乙基-雙 (4,6-二-丁苯基)磷酸鹽、#5-雙[2,2匕亞甲基-雙(4,6-二-三級 (請先M讀背面之注意寧項再場寫本頁)
,¾ fl) 'Ρ Ιΐ! 1¾ ( CNS ) A4;i:a,^ ( ) 1232235 _B7_ 五、發明説明(2° ) -丁苯基)磷酸鹽]、鎂-雙[2,2、亞甲基-雙(4,6-二-三級-丁苯 基)磷酸鹽]、鋅-雙[2,2,-亞曱基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷 酸鹽]、鋁-三[2,25-亞曱基-雙(4,6~二-三級-丁苯基)磷酸 鹽]、鈣-雙[2,,2,-亞甲基-雙(4-甲基-6-三級-丁苯基)磷酸 鹽]、鈣-雙[2,2、亞乙基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽、 鈣-雙[2,2、硫雙(4-甲基-6-三級-丁苯基)磷酸鹽]、鈣-雙 [2,25-硫雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽]、鎂-雙[2,2,-硫雙 (4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽]、鎂-雙[2,2、硫雙(4-三級-辛 苯基)磷酸鹽]、鋇-雙[2,25-亞曱基-雙(4,6-二-三級-丁苯基) 磷酸鹽]、鈣-雙[(4,4,-二曱基-6,6、二-三級-丁基-2,2,-二苯 基)磷酸鹽]、鎂-雙[2,2’_亞乙基-雙(4,6-二-三級-丁苯基) 磷酸鹽]、鋇-雙[2,25-亞乙基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸 鹽]、鋁-三[2,2,-亞乙基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽]、 鋁-二羥基-2,2、亞乙基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋁 -二羥基_2,2、亞乙基-雙(4-枯基-6-三級-丁苯基)磷酸鹽、鋁 -羥基-雙[2,2、亞曱基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸鹽]、鋁-羥基-雙[2,2、亞乙基-雙(4-枯基-6-三級-丁苯基)磷酸鹽]、 鈦-二羥基-雙[2,25-亞曱基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸 鹽]、錫-二羥基-雙[2,25-亞曱基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷 酸鹽]、鍅-氧-雙[2,2,-亞曱基-雙(4,6-二-三級-丁苯基)磷酸 鹽]、鋁-二羥基-2,2,-亞曱基-雙(4-曱基-6-三級-丁苯基)磷 酸鹽、鋁-羥基一雙[2,2,-亞甲基-雙(‘甲基-6-三級-丁苯基) 磷酸鹽]、鋁-二羥基亞乙基-雙(4,6-二-三級-丁苯基) 磷酸鹽、铭-羥基-雙[2,27-亞乙基一雙(4,6-二-三級-丁苯基) •I· .:K ^ ιτΐ ']·> 1:¾ J^! ( CNS ) ( 210X297^;^ ) 1232235 A7 B7 21 五、發明説明 磷酸鹽]。 . (請先閲讀背面之注意寧項再填寫本頁') 與環狀多價芳香族磷酸鹽型化合物被使用作成混合 物,而非上述的芳香族磷酸鹽型化合物之脂肪單羧酸的鹼 金屬鹽類,包括醋酸、乳酸、丙酸、丙烯酸、辛酸、異辛 酸、壬酸、癸酸、月桂酸、肉豆藏酸(myristic acid)、十六 酸(palmitic acid)、硬脂酸、油酸、亞麻仁油酸(lin〇lic acid)、蘇子油酸(iinoieic acid)、I2·經基硬脂酸、蓖麻油酸 (ricinoleic acid)、二十二酸(behenic acid)、芬子酸(erucic acid) ' 褐煤酸(montanic acid)、三十烷酸(menssic acid)硬 脂酸乳酸(stearoyllactic acid)、石-十二烷基·.硫基乙酸(点 -dodecylmeixaptpaceticacid)、十二烷基硫基丙酸、冷· 正-月桂胺基丙酸與石-正-曱基-正-月桂胺基丙酸的鋰、鈉 或钟鹽。 泫聚合體化合物包括,例如聚乙烤、聚1曱基丁 烯、聚3-曱基小戊烯、聚3·乙基小戊烯、聚‘曱基小戊烯、 聚4-曱基I己烯、聚4,4-二甲基小己稀、聚^乙基小己 烯、聚丙稀基餅苯(polyallylnaphthaIene)、聚丙稀雙環 庚烷、無規聚苯乙烯、間規聚苯乙烯、聚二甲基苯乙烯、 聚乙烯耕苯、聚丙稀苯、聚丙歸曱苯、聚乙稀環戍烧、聚 乙烯環己烷、聚乙烯環庚烷、聚 从 ♦ G佈一 T基矽烷和聚丙 三曱基矽烷。 這些聚合體化合物可以由例如曰本專 43204號(199〇)所示之方法獲得,含有濃度在大:〇心 015 wt%之上述該些聚合艘化合物的丙稀聚合物,其中組 24 1232235 A7 _________ _B7 五、發明説明(22 ) 成β些*合體化合物之〇 〇1至細克單體被初步聚合,然後 再僅二丙稀ΛΚ合或與丙稀及小量的乙稀及/或α ·烯烴共聚 口藉由將所待的產⑯添加至該烤烴基熱塑性彈性體,作 為結晶成核劑之該聚合體化合物可以有效地且均句地與該 ㈣工基熱塑性彈性體混合,是以在非常小量下可以獲得優 異的結晶成核作用。 當該結晶成核劑是一低分子量化合物時,該基材薄膜 I亥读占著劑層之間的黏著降低,而且半導體會被金屬離子 5染,所以在本發明中使用的結晶成核劑較好是高分子量 的化〇物。在這些聚合體化合物中,聚孓甲基4_丁烯是較 佳的。 本發明的基材薄膜可以藉由傳統的技術而被製備,諸 士押出,而且其厚度通常大約是1〇至3〇〇微米,較好大約是 3〇至200微米。該基材薄膜可以是單一或多層的薄膜,但是 由與該接著層接觸的表面至在分割期間圓形刮刀可以到達 處,大約是150微米的深度,範圍的一層狀物,其較好是一 含有該烯烴基熱塑性彈性體的一層狀物。該多層薄膜,舉 例來說,可以使用上面的聚烯烴等,以諸如共押出或乾積 層之傳統的薄膜積層,積層在其他層中而被製備。 如果需要’該所得的基材薄膜可以進行單-或雙-轴拉 伸。拉伸較好是在大約60至100t進行。如果需要,所製備 的賴可藉由修邊(matting)、_光放電、上底塗或類似動 作’進行傳統的物理或化學處理。 該點著劑層可以使用已知的或傳統的黏著劑。此些黏 A A用巾®阁,《捣準(CNS ) Μ规祐U]0X297公货) 25 (請先Μ讀背面之注意寧項再填寫本頁) 訂· 1232235 A7 ____ _B7 五、發明説明(23 ) 著劑沒有特別的限制,各種不同的橡膠系列、丙婦酸系列、 矽系列或聚乙烯醚系列與類似物都可以被使用。 4二黏著劑較好是丙烯酸系列的黏著劑。在該丙样酸 系列黏著劑中被使用作為該基質聚合物的丙烤酸聚合物通 常是(甲基)丙婦酸院酿或其與共聚合單體之共聚物。在該 丙婦酸聚合物中的主要單體較好是一個產生具有2(TC或更 低之玻璃轉移溫度的均質聚合物的(甲基)丙烯酸烷酯。 在該(甲基)丙烯酸烷酯中的烷基基困包括,例如甲 基乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、異壬基與類似物。 該共聚合單體包括(甲基)丙烯酸羥基烷酯(舉例來說,羥基 乙醋、經基丁_、經基己醋與類似物)、(甲基)丙婦酸縮水 甘油酉曰(曱基)丙稀g交、依康酸(itac〇nic acid)、馬來酸野、 (曱基)丙__、(曱基)丙烯酸N·經甲基醯胺、(甲基) 丙稀酸曱胺基㈣(舉例來說,甲基丙烤酸二甲胺基乙醋、 甲基丙烯酸-三級-丁胺基乙酿等)、乙酸乙稀醋、苯乙稀、 丙烯腈與類似物。 使用的黏著劑是一可由紫外光、電子束固化與類似物 之輕射固化黏著劑,或一熱發泡黏著劑。另夕卜也可作為 分割沖模接合之黏著劑可以被使用。在本發明中,輻射 >化的‘著劑’特別地’較好是使用一紫外光固化的黏著 劑。當使用的黏著劑是一輻射固化的黏著劑時,會在切割 乂、之如或之後,使用輻射照射該黏著劑,所以該基材薄 月冥較好有足夠的輻射滲透率。 該輻射固化黏著劑包括,例如該上面的基質聚合物(丙 ____________________ 个或:,;幻夂咬.¾用中闯標苹(c咫)44规秸~^^^7 厂 ..................i.裝…; (請先閱讀背面之注意事項再墙寫本S) •τ. 1232235 A7 B7 ___ 五、發明説明(24 ) 如酸聚合物)與一幸S射固化成分。該輕射固化成分可以是, 在分子中具有碳-碳雙鍵而且能夠由自由基聚合反應固化 之單體、寡聚物或聚合物之該些成分之一 ◊該輻射固化成 分包括,例如多價鍵醇與(、甲基)丙烯酸之間的酯類,諸如 三曱基丙烯酸三甲醇酯丙烷、三甲基丙烯酸異戊四醇酯、 二(甲基)丙烯酸四乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸4,6-己二醇 酯、二(曱基)丙烯酸新戊二醇酯與六(甲基)丙烯酸二異戊四 醇酯;丙烤酸酯寡聚物;和諸如2-丙烯·二冬丁烯-三聚氰 酸酯、2-羥乙基二(2-丙烯氧乙基)異三聚氰酸酯與三(2_曱 基丙烯氧乙基)異三聚氰酸酯之異三聚氰酸酯或異三聚氰 酸酯化合物。 另外’在該輻射固化黏著劑中,使用的該基質聚合物 (丙烯酸聚合物)可以是一在該聚合物側鏈中具有碳-碳雙 鍵之輻射固化聚合物,同時在此情況中,不需要添加上面 說明的輻射固化成分。 對於經由紫外線固化該輻射固化黏著劑而言,光聚合 起始劑是需要的。該聚合起始劑包括,舉例來說,諸如笨 甲酿甲驗、安息香丙_與安息香異丁驗之安息香烧基峻; 諸如苄基、安息香、二笨_與^ -羥基環己基苯酮之芳香 酮;諸如苄基二曱基縮酮之芳香縮酮;聚乙烯二苯酮;和 諸如氣硫二苯曱酮氧化物、十二烷基硫二苯曱酮氧化物、 二甲基硫二苯甲酮氧化物與二乙基硫二笨甲酮氧化物之硫 一术甲酮氧化物。 如杲需要,該黏著劑也可以包含傳統的添加劑,諸如 ❸⑷財I麵糸;丨鲜(⑽)六4规抬(2職297公焚) 27 1232235 A7 B7
五、發明説明(25 交聯劑、膠黏劑、填充劑、老化抑制劑與上色劑。該交聯 劑包括,例如多異氰酸鹽化合物' 三聚氰胺樹脂、脲樹脂、 氮丙啶化合物、環氧樹脂、酸酐、聚胺和含羧基聚合物。 依據本發日月之切割用黏著劑片材,舉例來說可以藉由 在基材薄膜11的表面上塗佈一黏著劑,乾燥該黏著劑(如果 需要,可熱交聯它)而形成一黏著劑層12,然後,如果需要, 將一分隔物13沾黏在該黏著劑層12的表面上而被製成。另 一方面,分別在該分隔物13上形成該黏著劑層12,然後將 它們沾黏在該基材薄膜^的方法也可以被使用。 該黏著劑層的厚度可以根據該黏著劑的型式或經由切 /割的切口深度而適當地被決定,但是其通常大約是⑴⑼ 微米’較好大約3至50微米。 為了標明或弄平該黏著劑層,如果需要可以配置一分 隔物。組成該分隔物的材料包括諸如紙、聚乙烯、聚丙烯 聚對笨二甲酸乙料合成樹脂薄膜。為了改善該黏著劑層 : 的目#’如果需|,該分隔物的表面可以矽、長鏈 炫基、氟化合物等進行處理。為了改善㈣的目的,該分 :物可以進行單軸或雙軸拉伸’或與其它的塑膠薄膜積 分隔物的厚度通常大约是酿微米,較好大約是 25至100微米。 八、疋 實施例 下,本發明將參考該些實施例而被更詳細的說明 其不是用來限制本發明。 實施例1 U.NS ) A4 规格(2 ] () g 7 公梵) 28 1232235 A7 ____ B7_ 五、發明説明(26 ) (基材薄膜的製備) 由三菱化學公司製造的Zelas5053(商品名)被饋至由 Plako公司製造的τ型模頭之鑄造機(設定在23〇它吟溫 度),以製備厚.度100微米且寬度29公分的基材薄膜。 由三菱化學公司製造的Zelas5〇53(商品名)是一由79 wt%丙烯成分與21 wt%乙烯成分組成之烯烴基熱塑性彈 性體,同時,以鄰-二氯苯做為溶劑,此商品化產品在〇它 的總沖提餾份對在〇至14(rc的溫度範圍下溫度升高沖提分 餾之總沖提餾份的比例是41·7 wt%,該熔融溫度峰值是 164C,密度是〇·88克/立方公分,而且MFR(23(rc,21 18 牛頓)是6.8克/1〇分鐘。 (黏著劑的製備) 60伤重量的六丙烯酸二異戍四醇酯(Kayarad dpha(商品名),曰本Kayaku公司),3份重量的光聚合起始 劑(IrgaCUrel84(商品名),希巴(Ciba)特用化學品)和5份重量 的聚異氰酸酯化合物(c〇l〇nate L(商品名),日本聚胺酯公 司)被添加至一含有以一般方式在甲苯中共聚合95份重量 丙焊&SL 丁 Sg與5份重量丙烯酸而得,重量平均分子量5〇〇〇〇〇 之丙烯酸共聚物溶液中,藉此製備一丙烯酸紫外線固化黏 著劑溶液。 (切割用黏著劑片材的製備) 上面製備的黏著劑溶液被塗佈在由上面獲得之該基 材薄膜的一輝光處理表面上,並且在80°c交聯10分鐘,以 在其上形成厚度20微米紫外線固化黏著劑層。然後,一分 29 '''R ^ "!h i:1J 'iJ i;-' ^ ( CNS ) A4^,;te ( 2 j〇X297^;Af ) 1232235 A7 __ B7___ 五、發明説明(27 ) 隔物被沾黏在該黏著劑層的表面,製備切割用紫外線固化 •黏著劑片材。 實施例2 貫施例1肀使用的Zelas5053(商品名,三菱化學公司) 和 Kernel KF261(日本化聚公司(p〇】ychein c〇.,LTD))以 80 : 20(重量比)的比例被饋入一雙軸捏合機(pcM_45圓柱 直徑45公釐,長度/直徑=34,溫度設定在23(Γ(:,比“^公 司),並且被熔融揉煉成顆粒,然後以和實施例i相同的方 式形成薄膜,藉此獲得一基材薄膜。 由曰本聚化公司生產的Kernel KF261是一密度0.898 克/立方公分,而且MFR(230°C,21.18牛頓)是2.2克/10分鐘 之金屬茂低密度聚乙烯。 (切割用黏著劑片材的製備) 在實施例1中製備的黏著劑溶液被塗佈在由上面獲得 之該基材薄膜的輝光處理表面上,並且在⑼^熱交聯1〇分 鐘,以在其上形成厚度50微米之紫外線固化黏著劑層。然 後,一分隔物被沾黏在該黏著劑層的表面,製備切割用紫 . 外線固化黏著劑片材。 實施例3 (基材薄膜的製備)
Zelas5053(商品名,三菱化學公司)和具有mfr(23〇 C 一 [Μ牛頓)疋4.8克/10分鐘之丙稀均質聚合物,其中 〇·〇8 wt%的聚3·甲基u稀已經在初步聚合中被引入,以 100】(重里比)的比例被饋入一雙軸捏合機(ρ(:]νΜ5圓杈 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本¾) .裝· 訂· 1232235 A7 ___ __ B7_ 五、發明説明(28 ) 直徑45公釐’長度/直徑=34,溫度設定在2〇〇°C,Ikegai公 司),,並且被溶融揉煉成顆粒。然後,該些顆粒被饋至由 Plako公司製造的T型模頭之鑄造機(設定在23〇的溫 度),以製備厚度100微米且寬度29公分的基材薄膜。因此 在製備的基材薄膜中,該結晶成核劑(聚3_曱基^丁烯)是 0·00079 wt%。 (黏著劑的製備) 60份重量的六丙烯酸二異戊四醇酯(Kayarad DPHA(商品名),日本Kayakii公司),3份重量的光聚合起始 劑(Irgacurel84(商品名),汽巴精化(Ciba))和5份重量的聚異 氰酸酯化合物(Colonate L(商品名),日本聚胺酯公司)被添 加至一含有由一般方式在曱苯中共聚合9〇份重量丙烯酸丁 酷與10份重量丙烯酸而得,重量平均分子量5〇〇〇〇〇之丙烯 酸共聚物溶液中,藉此製備一丙烯酸紫外線固化黏著劑溶 液。 (切割用黏著劑片材的製備) 上面製備的黏著劑溶液被塗佈在由上面獲得之該基 .材薄膜的一輝光處理表面上,並且在80°C熱交聯10分鐘, 以在其上形成厚度20微米紫外線固化黏著劑層。然後,一 分隔物被沾黏在該黏著劑層的表面,製備切割用紫外線固 化黏著劑月材。 實施例4 (基材薄膜的製備) 貫施例1中使用的Zelas5053(商品名,三菱化學公司)、 fCNS)A4«,^ (210)(297^¾) 3] (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁'} .裝· ,訂· 1232235 ίκΊ 五、發明説明(29 )
Novateck HD HB330(商品名,日本化聚公司)和具有 ]\^11(230 〇,21.18牛頓)是4.8克/1〇分鐘之丙烤均質聚合 (請先Μ讀背面之注意寧項再填寫本頁、} 物,其中0.08 wt%的聚3-曱基1-丁烯已經在初步聚合中被 引入,以80:2p:l(重量比)的比例被饋入一雙軸捏合機 (PCM-45圓柱直徑45公釐,長度/直徑=34,溫度設定在2〇〇 °C,Ikegai公司),並且被熔融揉煉成顆粒。然後,以與實 施例3相同的方法形成基質片材。因此在製備的基材薄膜 中,該結晶成核劑(聚3-曱基1-丁烯)是〇〇〇〇79wt% ^ 由曰本化聚公司生產的Novateck HD HB330是一具有 0.953克/立方公分之密度,以及〇35克/1〇分鐘之mfr的高 密度聚丙烯。 -τ (切割用黏著劑片材的製備) 將實施例3製備的黏著劑溶液塗佈在由上面獲得之該 基材4肤的一輝光處理表面上,並且在8〇。〇熱交聯1〇分 釦以在其上形成厚度20微米紫外線固化黏著劑層。然後, 一分隔物被沾黏在該黏著劑層的表面,製備切割用紫外線 固化黏著劑片材。 - 比較實施例1 除了由低社度聚乙烯之1模口押出製備厚度忉〇微米 的湾膜作為所使用的基材薄膜之外,利用與實施例1相同的 :式製備切割用黏著劑片材。該低密度聚乙稀之熔融溫度 手為110C、社、度是(^奶克/立方公分,同時(⑽。c, 21.18牛頓)是15克/1〇分鐘。 比較貫*施例2 +·紙 hi 政過州中 g ㈣·::μ 1232235 A7 五、發明説明(3〇 ) 除了由乙烯1基丙烯酸共聚物之τ•模口押出製備厚 度100微来的薄膜作為所使用的基材薄膜之外,利用與實: 例1相同的方式製備切割用黏著劑片材。該乙烯-甲基丙J 酸共聚物之炫,融溫度修為10(rc、冑度是0 930克二方公 分,同時MFR(19(TC,2ΐ·1δ牛頓)是3克/1〇分鐘。 “ 比較實施例3 除了所使用的基材薄膜是由乙婦·甲基丙稀酸共聚物 (M^R ^2·0)之厂模口押出厚度微来的基材薄膜,之後將 所得的薄膜之-表面進行輝光處理而製成之外,利用與實 施例1相同的方式製備切割用uv固化黏著劑片材。 (評估試驗) 在實施例與比較實施例中獲得之切割用點著劑片材 以下面說明的方法進行評估。結果顯示於表1中。 (1)切割效能的評估 350微米厚之六时晶圓被固定在切割用黏著劑片材 上’然後在下列條件下切割。 (切割條件) 切剎機:DFD-651,迪斯可公司 刀片·· NBC‘ZH2050 27HFDD,迪斯可公司 刀片旋轉數目:每分鐘45000轉 切割速率1〇〇公釐/秒 切割深度:至基材薄膜3〇微米的深度 切割大小:2.5公釐χ2·5公釐 切割模式:向下切 -It ':κ i? 1232235 A7 _B7_ 五、發明説明(31 ) 在切割之後,於光學顯微鏡(2〇〇x)下可以觀察到該此 分割晶片的表面上有纖維狀邊料的出現,並且計算預定大 小範圍中纖維狀邊料的數目。 表1· 在預定大小範圍中纖維狀邊料的數'i'' 小於100微米 100至500微米 500微米^"^"~ 實施例1 51 0 0 ~ ' 實施例2 13 0 0 實施例3 0 0 0~^ 實施例4 0 0 ~ 0 ' 比較實施例1 100或更多 100或更多 1100或更多 比較實施例2 100或更多 100或更多 67- 比較實施例3 100或更多 100或更多 67 如表1所見,在實施例中之切割用黏著劑片材顯示會 產生較少的纖維狀邊料。這些黏著劑片顯示不會產生100 微米或更大之尺寸的纖維狀邊料。特別地,含有結晶成核 劑之實施例3和實施例4之切割用黏著劑片材,可以發現會 造成較少的纖維狀邊料產生。在實施例與比較實施例中的 該些晶圓沒有發現品質水準降低。 實施例5
Zelas5053(商品名,三菱化學公司)和Novateck HD HB330(日本化聚公司(p〇iyChem c〇.5 LTD))以 80 : 20(重量 比)的比例被饋入一雙軸捏合機(PCM-45圓柱直徑45公 i ’長度/直徑=34,溫度設定在200°C,Ikegai公司),並且 被熔融揉煉成顆粒,然後將該些顆粒饋入一由p】ak〇公司製 造的T-模口鑄造機(溫度設定在23〇。〇),以製備厚度ι〇〇微 米且寬度29公分的基材薄膜。 (切割用黏著劑片材的製備) 34 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁' }
1232235 A7 B7 五、發明説明(32 將貝施例3製備的黏著劑溶液塗佈在由上面獲得之該 基材薄膜的一輝光處理表面上,並且在80°C熱交聯1〇分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1里,以在其上形成厚度5微米紫外線固化黏著劑層。然後, 一分隔物被沾點在該黏著劑層的表®,製備切割用紫外線 固化黏著劑片材。 實施例6
ZelaS5〇53(商品名,三菱化學公司)和N〇vateck LL UF42〇(日本化聚公司(Polychem Cg·,LTD))以 80 : 20(重量 比)的比例被饋入一雙軸捏合機(pcM_45圓柱直徑“公 釐,長度/直徑1=34,溫度設定在200°C,Ikegai公司),並且 被炫融揉煉成顆粒,使用該些顆粒,以與實施例5相同的方 式獲得一基材薄膜。 ’ -^τ· 由曰本化聚公司生產的Novateck LL UF420是一具有 〇·925克/立方公分之密度,以及〇8克/1〇分鐘之mfr的線性 低密度聚丙烤。 (切割用黏著劑片材的製備) 將實施例3製備的黏著劑溶液塗佈在由上面獲得之該 基材薄膜的一輝光處理表面上,並且在8〇。〇熱交聯忉分 鐘,以在其上形成厚度2〇微米紫外線固化黏著劑層。然後, 一分隔物被沾黏在該黏著劑層的表面,製備切割用紫外線 固化黏著劑片材。 比較實施例4 在實施例5之切割用黏著劑#材的製備中,除了所使 用的基材薄膜是由乾式摻混50份重量聚丙烯(N〇vaieck 35 1232235
A7 五、發明説明 FL6CK,由曰本化聚公司製造)與5〇份重量的乙烤_甲基丙 稀酸甲S旨共聚物(Aqulift WM3G5住友化學公司),然後將 該摻合物押出成-基材薄膜,而產生崎来厚度的基材薄 膜以外,以與實施例1相同的方式製備黏著劑片材。. 比較實施例5 在實施例5之切割用#占著劑片材的製備中,除了所使 賴基材薄膜是—80微米厚度的低密度聚乙稀以外,以與 貫施例1相同的方式製備黏著劑片材。 (評估試驗) 、在實施例與比較實施例中獲得之切割用黏著劑片材 以下面„兒明的方法進行評估。結果顯示於表2中。 (碎裂評估) 、背面進行背面研磨(#2〇〇〇處理)之15〇微米厚的六吋晶 :被固疋在由實施例與比較實施例獲得之每一切割用黏著 劑片材上’而且每1材在下面的條件下被分割。在切割 之後,該片材的背面以紫外線(5〇〇毫焦耳/平方公分)照 射’然後由其中任意、挑出(釋放)5〇個半導體晶片。於光學 ,微鏡_x)下,觀察所得半導體之側邊上每_碎裂的深 度’在晶片碎裂方向’並且計算預定大小範圍中碎裂的數 (產率) 產率是以具有大小5〇微米或更小的碎裂之半導體晶 片…亥5G個用於評估碎裂之任意.半導體晶片的比例。 (切割條件) -36 - 先 閲 讀 背 面 之 注 意: 事 項 再 填 % 本 頁
1232235 A7 B7 五、發明説明(34 切割機:DFD-651,迪斯可公司 刀片:NBC-ZH2050 27HFDD,迪斯可公石 /a司 刀片旋轉數目:每分鐘40000轉 切割速率120公釐/秒 切割深度:至基材薄膜30微米的深度 切割大小:2·5公釐x2.5公釐 切割模式:向下切 ~ 表2.
訂- --------------------•裝…: (分先M讀背面之注意事項再填寫本W) 由表2可以發現’實施例5和實施例6之切割用黏著劑 片材具有非“、數目碎裂尺寸為5〇微米或更大之碎裂,其 顯不有良好的產率。另_方面,在比較實施例植$中,合 明顯產生碎裂尺寸為5〇微米或更大之碎裂,其顯示; 的產率。 民 元件標號對照 1…黏著劑片材 11···基材薄膜 12…黏著劑層 13…分隔 ,,,;κ R) φ ® ( CNS ) ( 2]〇X297^;if )
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 1. 2. 3. 4. 5. 6. 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 7. 8. AS B8 C8 D8 -種:割用黏著劑片材,其包含有一在其至少一心 =有-點著劑層的基材薄膜,其中該基材薄膜包含_ 含有丙歸和[稀及/或包括4至8個碳源子之i烯烴f 為聚^成分的烯烴基熱塑性彈性體,而且該稀煙基# 塑性彈性體的熔融溫度峰是120至17(TC。 士 =明專利摩巳圍第2項之切割用黏著劑片材,其中名 、鄰氯苯為〉谷劑中,該烯烴基熱塑性彈性體在〇。〔 的沖提館份,對其在〇至⑽。c溫度範圍之溫度上升片 提分餾中的總沖提餾份的比例是1〇至6〇。 如申凊專利範圍第"之切割用黏著劑片材,其中訪 基材薄膜進一步包含有一在聚丙烯上具有一結晶成 核作用的結晶成核劑。 如:請專利範圍第3項之切割用點著劑片材,其中該 結晶成核劑的含量相對於整個該基材薄膜是〇 〇〇〇1至 1 wt% 〇 如申請專利範圍第3項之切割用黏著劑片材,其中該 結晶成核劑是聚3-曱基-1-丁烯。 如申請專利範圍第1項之切割用黏著劑片材,其中該 基材薄膜是-單層薄膜,而且含有至少50 wt%的該烯 烴基熱塑性彈性體。 如申請專利範圍第1項之切割用黏著劑片材,其中該 基材薄膜是一多層薄膜,而且該多層薄膜中至少一層 含有至少50 wt%的該烯烴基熱.塑性彈性體。 如申請專利範圍第丨項之切割用黏著劑片材,其中該 太紙谌尺/^ i说用中(¾固玄橒ilWr· Μ.ς、) a 4祁格丨〇 X 297公兌) 1232235 A3 B8 CS D8 申請專利範圍 基材薄膜進-步包含有-包含乙稀作為 分之乙烯系列聚合物。 9. 如申請專利範圍第3項之切割用黏著劑片材,士 基材薄膜進-步包含有一包含乙婦作為主要聚入= 分之乙烯系列聚合物。 Α σ成 瓜如申請專利範圍第8項之切割用黏著劑片材, 乙烯系列聚合物的含量相對於該烯烴基熱塑性彈硅 體是5至50 wt%。 11 如辛請專利範圍第8項之切割用黏著劑片材,其中該 乙烯系列聚合物是具有一Ο ΜΟ Μ/立方公分之密 度的同雄度聚乙烯及/或具有一〇91至〇94克/立方八 为之遂、度的線性低密度聚乙稀。 12·如申請專利範圍第8項之切割用黏著劑片材,其中該 基材薄膜是-單層薄膜,而且含有該稀煙基熱塑性彈/ 性體與該乙烯系列聚合物的總量至少5〇之。 13·如申請專利範圍第8項之切割用黏著劑片材,其中該 基材薄膜是-多層薄膜,而且該多層薄膜中至少一層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 含有該稀烴基熱塑性彈性體與該乙稀系列聚合物的 總量至少50 wt%。 14 如申請專利範圍第1項之切割用黏著劑月材,其中該 黏著劑層的厚度是1至200微米。 15.如申請專利範圍第!項之切割用黏著劑月材,其中該 黏著劑層是由一輻射固化的黏著劑所形成。 16· —種切割的方法,其包含將如申請專利範圍第丨項之 太紙^χ 297~^y 1232235 、申請專利範圍 刀°J用黏著劑片材黏貼在一將被切割的材料上,然後 切割該黏著劑片材至該基材薄膜的深度,藉此分割該 將被切割之材料。17· 切割:方法’其包含將如中請專利範圍第3項之 刀口J用黏著劑月材黏貼在一將被切割的材料上,然後 切I亥黏者劑片材至該基材薄膜的深度,藉此分割該 將被切割之材料。 一種切割的方法,其包含將如中請專利範圍第8項之 刀口1J用黏著劑片材黏貼在一將被切割的材料上,然後 』雜著劑片材至該基材薄膜的深度,藉此分割該 將被切割之材料。 一種切割的方法,其包含將如中請專利範.圍第9項之 d用黏著劑片材黏貼在一將被切割的材料上,然後 Ί亥黏者劑片材至該基材薄膜的深度,藉此分割該 將被切割之材料。 2〇·如申請專利範圍第16項的方法,其中該將被分割的材 料是一半導體元件。 種小切月,其係藉由以申請專利範圍第啊之切割 方法切割該將被分割之材料而產生。 ° 種小切片’其係藉由以申請專利範圍第項之切割 方法切割該將被分割之材料而產生。 注 意 18. 19 il 本紙張尺度 297公发)
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