KR20030004077A - 다이싱용 점착 시트 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기재 필름상의 한면 이상에 점착제 층이 구비되어 이루어진 다이싱(dicing)용 점착 시트에 있어서, 상기 기재 필름이 프로필렌 및 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 중합성분으로서 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하고, 또한 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 융점 피크 온도가 120℃ 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다. 상기 점착 시트는 제품 품질의 저하나 비용면에서 불이익이 없고, 더구나 다이싱시의 실 모양 부스러기의 발생이 적다. 특히 기재 필름이 결정 조핵제를 갖는 경우에 다이싱시의 실 모양 부스러기의 발생이 적다. 또한 기재 필름에 에틸렌계 중합체를 함유시킴으로써 다이싱시의 칩핑 발생을 방지할 수 있다.

Description

다이싱용 점착 시트{ADHESIVE SHEET FOR DICING}
본 발명은 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다. 또한, 상기 다이싱용 점착 시트를 사용하여 다이싱을 실시하는 방법, 상기 다이싱 방법에 의해 수득되는 피절단체 소편에 관한 것이다. 본 발명의 다이싱용 점착 시트는 반도체 웨이퍼 등의 소자 소편을 절단 분리(다이싱)할 때에, 이 반도체 웨이퍼 등의 피절단물을 고정하기 위해 사용하는 반도체 웨이퍼 다이싱용 점착 시트로서 특히 유용하다. 예컨대, 본 발명의 다이싱용 점착 시트는 실리콘 반도체 다이싱용 점착 시트, 화합물 반도체 웨이퍼 다이싱용 점착 시트, 반도체 패키지 다이싱용 점착 시트, 유리 다이싱용 점착 시트 등으로 사용할 수 있다.
종래부터 규소, 갈륨, 비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼는 큰 입경의 상태로 제조된 뒤, 소자 소편으로 절단분리(다이싱)되고, 다시 탑재 공정이 이행된다. 이 때, 반도체 웨이퍼는 점착 시트에 접착되어 유지된 상태로 다이싱 공정, 세척 공정, 익스팬드 공정, 픽업 공정, 탑재 공정의 각 공정이 실시된다. 상기 점착 시트로서는 플라스틱 필름으로 이루어진 기재상에 아크릴계 점착제가 1 내지 200 ㎛ 정도가 도포되어 이루어진 것이 일반적으로 사용되고 있다.
상기 다이싱 공정에 있어서는 회전하면서 이동하는 둥근날에 의해 웨이퍼의 절단이 이루어지지만, 그 때에 반도체 웨이퍼를 유지하는 다이싱용 점착 시트의 기재 내부까지 절삭을 실시하는 풀 컷이라 불리는 절단 방식이 주류로 되어 왔다. 그리고, 풀 컷에 의한 절단 방법에서는 점착 시트의 내부까지 절삭이 실시되므로 기재인 플라스틱 필름 자신에서 실 형상의 절단 부스러기가 발생한다. 이 실 모양 부스러기가 칩(피절단체) 측면 등에 부착되면, 부착된 실 모양 부스러기는 그대로 후속 공정에서 탑재 및 밀봉되므로, 반도체 소자의 신뢰성을 현저히 저하시키는 원인이 된다는 문제점이 있었다. 또한, 픽업 공정에 있어서는 개개의 칩을 CCD 카메라로 인식하여 위치 조정한 후에 픽업이 이루어지지만, 실 모양 부스러기가 있으면 인식 에러를 일으키는 문제도 있다.
이러한 문제를 해결하는 수단으로서, 예컨대 일본특허공개공보 제93-156214호에는 기재로서 에틸렌-메타크릴레이트 공중합체를 사용한 점착 시트가 제안되어있다. 그러나, 이 점착 시트에서는 실 모양 부스러기의 발생은 어느 정도 감소되기는 하지만, 향후 고신뢰성 반도체 제조의 다이싱 공정에 견딜 수 있는 수준을 만족시킬 만한 것은 아니다.
또한, 일본특허공개공보 제93-211234호에서는 기재 필름에 1 내지 80 MRad의 전자선 또는 γ선 등의 방사선을 조사한 필름을 사용한 점착 시트가 제안되어 있다. 그러나, 이 점착 시트에서는 방사선 조사에 의한 필름 손상이 크고, 외관이 양호한 필름을 얻기 어려울 뿐더러, 필름 제조를 위한 막대한 비용이 추가되어 품질면 및 가격면에서 바람직하지 못하다.
또한, 풀 컷에 의한 절단 방법에서는 웨이퍼를 완전히 절단하기 때문에, 그 절단 품질은 다이싱용 점착 시트에 따라 좌우된다. 예컨대, 최근 들어서는 웨이퍼의 박형화에 따라 웨이퍼 뒷면에 발생하는 칩핑라고 불리는 크랙이 웨이퍼의 항절강도의 저하를 초래하여 중대한 문제가 되고 있다.
이러한 문제를 해결하는 수단으로서, 예컨대, 일본특허공개공보 제93-335411호에는 우선, 소자가 형성된 반도체 웨이퍼에 다이싱에 의해 소정 깊이의 홈을 형성하고, 이러한 후 다이싱된 절삭 깊이까지 백 그라인드(이면 연삭)을 실시함으로써 박형화된 반도체 소자를 제조하는 방법(선다이싱법)이 제안되어 있다. 그러나, 이 방법에서는 칩핑의 발생은 억제할 수 있지만, 미리 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼에 수십 내지 수백 ㎛의 홈을 넣기 때문에, 백 그라인드 공정에 반송되는 과정의 크랙이나, 백 그라인드 공정에서 홈으로부터 연삭수가 유입되어 웨이퍼 표면이 연삭수에 의해 오염되는 문제점이 발생하여 반도체 웨이퍼의 수율 저하를 초래하게된다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술에 따른 문제를 해결하고자 하는 것으로, 제품 품질의 저하 또는 비용적인 불이익이 없고, 더구나 다이싱시의 실 모양 부스러기 발생이 적은 다이싱용 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술에 따른 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 반도체 웨이퍼 등의 피절단체의 수율이 좋고, 게다가 다이싱시의 칩핑 발생을 방지할 수 있는 다이싱용 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 다이싱용 점착 시트를 사용한 다이싱 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 상기 다이싱 방법에 의해 수득되는 피절단체 소편을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하고자 다이싱용 점착 시트를 구성하는 기재 필름에 대해서 예의 검토한 결과, 기재 필름에 특정한 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 사용함으로써 상기 목적을 달성할 수 있다는 점을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 기재 필름상의 한 면 이상에 점착제 층이 구비된 다이싱용 점착 시트에 있어서, 상기 기재 필름이 프로필렌 및 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 중합성분으로 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하고,또한 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 융점 피크 온도가 120℃ 이상 170℃ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 다이싱(dicing)용 점착 시트의 일례를 나타낸 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명g3
1: 다이싱용 점착 시트11: 기재 필름
12: 점착제 층13: 세퍼레이터
상기 본 발명의 다이싱용 점착 시트의 기재 필름을 구성하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 프로필렌 및 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 중합성분으로 함유하는 것 중에서도 융점 피크 온도가 120℃ 이상 170℃ 이하인 것이 다이싱시에 기재 필름의 신장률이 저하되어 다이싱시의 실 모양 부스러기의 발생을 억제할 수 있다는 것을 발견한 것이다. 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 융점 피크 온도는 바람직하게는 140℃이상, 더욱 바람직하게는 160℃ 이상이다. 융점 피크 온도는 일반적으로는 JIS K7l21에 준거하여 시차주사열량계(DSC)로 측정된다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 용매로서 o-디클로로벤젠을 사용하며 온도 0 내지 140℃에서 수행한 온도상승용리분별에서의 전체 용출량에 대한 0℃에서의 용출 분율이 10 내지 60 중량%인 것이 바람직하다.
상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 0℃에서의 용출 분율의 전체 용출량에 대한 비율은 다이싱시의 실 모양 부스러기의 발생을 억제할 수 있으면서, 익스팬드성이나 기재 필름의 점착제 층과의 접착성을 만족시킬 수 있는 바람직한 범위이다. 0℃에서의 용출 분율의 비율이 적어지면, 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 성형하여 수득되는 기재 필름이 딱딱하고, 익스팬드시의 신장성이 나빠지는 외에 픽업도 힘들어지는 경향이 있는 점에서, 상기 0℃에서의 용출 분율의 비율은 10 중량% 이상, 또한 20 중량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 0℃에서의 용출 분율의 비율이 많아지면, 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 성형하여 수득되는 기재 필름의 점착제 층과의 접착성이 떨어지는 경향이 있는 점에서 상기 0℃에서의 용출 분율의 비율은 60 중량% 이하, 50 중량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 온도상승용리분별(Temperature Rising Elution Fractionation; TREF)이란 공지된 분석법이다. 원리적으로는 고온에서 폴리머를 용매에 완전히 용해시킨 후에 냉각하여, 용액 중에 존재시켜 둔 불활성 담체의 표면에 얇은 폴리머층을 형성시킨다. 이 때, 결정화하기 쉬운 고결정성 성분으로부터 결정화되기 어려운 저결정성 또는 비결정성 성분의 순으로 폴리머층이 형성된다. 이어서, 연속 또는 단계적으로 승온시키면, 상기와 반대로 저결정성 또는 비결정성 성분부터 용출되고, 마지막으로 고결정성 성분이 용출된다. 이 각 온도에서의 용출량과 용출 온도에 의해 그려지는 용출 곡선으로부터 폴리머의 조성 분포를 분석하는 것이다.
측정 장치로서는 크로스 분별장치(미쓰비시화학(주) 제조, CFC·T150A)를 사용했다. 측정해야 할 샘플(올레핀계 열가소성 엘라스토머)를 용매(o-디클로로벤젠)를 사용하여 농도 30 mg/ml가 되도록 140℃에서 용해시키고, 이를 측정 장치내의 샘플 루프내에 주입하였다. 이하의 측정은 설정 조건에 따라 자동적으로 실시되었다. 샘플 루프 내에 유지된 시료 용액은 용해 온도의 차이를 이용하여 분별하는 TREF 컬럼(불활성체인 유리 비즈가 충전된 내경 4 mm, 길이 150 mm의 장치 부속의 스테인레스 컬럼)에 0.4 ml 주입되었다. 이 샘플은 1℃/분의 속도로 140℃에서 0°의 온도까지 냉각하고, 상기 불활성 담체에 코팅하였다. 이 때 고결정 성분(결정화되기 쉬운 것)으로부터 저결정 성분(결정화되기 어려운 것)의 순으로 불활성 담체 표면에 폴리머층이 형성된다. TREF 컬럼은 0℃에서 추가로 30분간 유지시킨 뒤 이하와 같이 단계적으로 승온하고, 각각의 온도에서 30분간 유지하면서, 그 온도에 있어서의 용출 분율이 측정되었다. 용출 온도(℃): 0, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 49, 52, 55, 58, 61, 64, 67, 70, 73, 76, 79, 82, 85, 88, 91, 94, 97, 100, 102, 120, 140.
상기 본 발명의 다이싱용 점착 시트는 상기 기재 필름이 추가로 폴리프로필렌에 대해 결정 조핵작용을 하는 결정 조핵제를 함유하는 것이 바람직하다. 기재 필름에 결정 조핵제를 함유시킴으로써 실 모양 부스러기의 발생을 더욱 억제할 수 있는 것을 발견한 것이다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 상기 결정 조핵제의 함유량이 기재 필름전체에 대해 0.0001 내지 1 중량%인 것이 바람직하다. 결정 조핵제의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 상기 범위 내로 조정했을 경우에 특히 본 발명의 효과를 유효하게 발휘한다. 결정 조핵제의 상기 함유량이 적어지면 결정 조핵작용이 부족하여 본 발명의 효과를 얻기 어려워지기 때문에, 결정 조핵제의 상기 함유량은 0.0001 중량% 이상, 바람직하게는 0.0005 중량% 이상이다. 한편, 결정 조핵제의 상기 함유량이 많아지면 기재 필름으로서의 유연성이 부족해져서 익스팬드시의 신장성이 악화되는 경향이 있을 뿐더러, 픽업도 어려워지는 경향이 있기 때문에 결정조핵제의 상기 함유량은 1 중량% 이하, 바람직하게는 0.1 중량% 이하이다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 결정 조핵제로서는 폴리 3-메틸-1-부텐을 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 기재 필름이 단층필름이며, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.
또한 상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 기재 필름이 다층필름이며, 이 다층필름중 하나 이상의 층이 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.
기재 필름 중의 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 함유량은 실 모양 부스러기 발생 방지효과 면에서 단층 필름 또는 다층필름중 하나 이상의 층이 통상 50 중량% 이상, 바람직하게는 80 중량% 이상인 것이 좋다. 기재 필름을 다층으로 했을 경우에는, 예컨대, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하는 신장성이 낮은 층을 풀컷시에 둥근날의 절개가 이루어지는 깊이까지의 한층 이상에 구비함으로써 다이싱시의 실 모양 부스러기의 발생을 방지할 수 있고, 다른 층에 익스팬드시에 필요한 신장성이 우수한 층을 구비함으로써, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 포함하는 층의 낮은 신장성을 보충할 수 있다. 기타, 대전 방지성이 우수한 층 등의 기능층을 구비함으로써 다층화하여, 대전 방지성능 등의 추가 기능을 부가할 수도 있다.
본 발명의 다이싱용 점착 시트는 상기 기재 필름이 추가로 에틸렌을 중합 성분의 주성분으로 하는 에틸렌계 중합체를 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다이싱용 점착 시트는 프로필렌 및 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 중합성분으로 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머 중에서도 융점 피크 온도가 120℃ 이상 170℃ 이하인 것과, 에틸렌을 중합 성분의 주성분으로 하는 에틸렌계 중합체를 함유하는 기재 필름이, 다이싱시에 칩핑의 발생을 억제할 수 있는 것을 발견한 것이다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 상기 에틸렌계 중합체의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머에 대하여, 바람직하게는 5 내지 50 중량%이며, 더욱 바람직하게는 10 내지 40 중량%이다. 상기 범위 내로 조정했을 경우에 특히 본 발명의 효과를 유효하게 발휘한다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 상기 에틸렌계 중합체가 밀도 0.94 내지 0.97 g/cm3의 고밀도 폴리에틸렌 및/또는 밀도 0.91 내지 0.94 g/cm3의 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌인 것이 바람직하다. 에틸렌계 중합체는 특별히 제한되지 않지만, 상기 예시한 것이 칩핑의 발생을 억제하는 데 있어서 바람직하다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 기재 필름이 단층필름이며, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체를 이들의 합량으로 하여 50 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서 기재 필름이 다층필름이며, 이 다층필름중 하나 이상의 층이 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체를 이들 합량으로 하여 50 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.
기재 필름 중의 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체의 합량은 칩핑 발생 방지효과 면에서 단층 필름 또는 다층 필름중 하나 이상의 층이 보통, 50 중량% 이상, 바람직하게는 80 중량% 이상인 것이 좋다. 기재 필름을 다층으로 했을 경우에는 예컨대 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체를 포함하는 층을 풀 컷시에 둥근날의 절개가 이루어지는 깊이까지의 한층 이상에 구비함으로써, 다이싱시의 칩핑 발생을 방지할 수 있고, 다른 층에 익스팬드시에 필요한 신장성이 우수한 층을 구비함으로써, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머가 포함하는 층의 낮은 신장성을 보충할 수 있다. 그밖에, 대전방지성이 우수한 층 등의 기능층을 구비하여 다층화하여 대전방지성능 등의 추가 기능을 부가할 수도 있다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 점착제 층의 두께는 1 내지 200 ㎛ 인 경우에 유효하다.
점착제 층을 두껍게 하는 것은 다이싱 중의 반도체 웨이퍼의 진동 등의 원인에 의해 다이싱 품질을 현저히 저하시키고, 비용면에서도 불이익이 되기 때문에, 점착제 층의 두께는 1 내지 200 ㎛, 특히 바람직하게는 3 내지 50 ㎛이다. 보통, 다이싱 공정에서는 다이싱용 점착 시트에 대해 둥근날이 5 내지 230 ㎛ 정도의 절개, 절단을 하고 있기 때문에 점착제 층이 그 절개 깊이보다 얇고, 기재 필름까지 절개가 이루어져 기재 필름에 의한 실 모양 부스러기가 문제가 되는 경우나, 기재 필름에 의한 칩핑의 영향이 문제가 되는 경우에 본 발명의 다이싱용 점착 시트는 유효하게 기능한다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 점착제 층은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
방사선 경화형 점착제 층을 사용하면, 방사선을 조사함으로써 점착력을 저하시킬 수 있고, 웨이퍼 등을 절단분리한 후에, 웨이퍼 등으로부터의 점착 시트의 제거를 용이하게 할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 다이싱용 점착 시트를 피절단체에 접착시킨 후에 상기 점착 시트의 기재 필름까지 절개함으로써 피절단체를 다이싱하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법에 관한 것이다.
적용 피절단체로서는 반도체 소자가 유효하다. 또한, 본 발명은 상기 다이싱 방법에 의해 피절단체를 다이싱함으로써 제작된 피절단체 소편에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 다이싱용 점착 시트를 도 1을 참조하면서 상세히 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이 본 발명의 다이싱용 점착 시트(1)는 기재 필름(11), 이 기재 필름(11)의 한쪽 면 이상에 구비된 점착제 층(12), 및 추가로 필요에 따라 점착층과 접하여, 기재 필름과는 반대측 면에 접착된 세퍼레이터(13)로 구성되어 있다. 도 1에서는 기재 필름(11)의 한 면에 점착제 층(12)을 갖지만, 점착제 층은 기재 필름의 양면에 형성할 수도 있다. 다이싱용 점착 시트는 시트를 감아 테이프 형상으로 할 수도 있다.
기재 필름은 프로필렌 및 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 중합 성분으로 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하여 이루어진다.
올레핀계 열가소성 엘라스토머의 중합 성분인 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀으로서는 부텐-1, 3-메틸펜텐-1, 4-메틸펜텐-1, 헥센-1, 옥텐-1 등을 들 수 있다. 올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는 프로필렌과 에틸렌의 공중합체가 바람직하다.
올레핀계 열가소성 엘라스토머를 구성하는 각 중합성분의 비율은 올레핀계 열가소성 엘라스토머가 상기 융점 피크 온도, 온도상승용리분별에 관련된 요건을 만족시키는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 프로필렌의 비율은 보통, 50 내지 95 중량%, 더욱 바람직하게는 60 내지 92 중량%이다. 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀은 프로필렌의 비율을 뺀 잔량이다.
본 발명의 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 상기 중합성분을 함유하고, 또한 상기 융점 피크 온도, 온도상승용리분별에 관련된 조건을 만족시키는 것이다. 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 제조방법으로서는, 예컨대, 1단계에 프로필렌 단독중합체, 또는 프로필렌과 소량의 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀의 랜덤 공중합체를 제조한 후, 2단계 이후에서 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 다른 α-올레핀의 랜덤 공중합체를 제조하는, 적어도 2단계 이상의 축차중합법; 프로필렌 단독 중합체 또는 프로필렌과 소량의 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀의 랜덤 공중합체와, 에틸렌과 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀과의 랜덤 공중합체, 또는 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8과 프로필렌의 랜덤 공중합체를 각각 따로 중합한 것을 블렌드하는 제조 방법을 들 수 있다. 이들 방법으로서는 적어도 2단계 이상의 축차 중합법이 바람직하다.
이하, 이 축차중합법에 대해서 상술한다. 축차중합에 사용되는 촉매는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 유기 알루미늄 화합물과, 티탄 원자, 마그네슘 원자,할로겐 원자, 및 전자공여성 화합물을 필수로 하는 고체 성분으로 이루어진 것이 바람직하다.
여기에서, 유기 알루미늄 화합물로서는 이러한 종류의 중합에 있어서 공지된, 화학식 (R1)mAlX(3-m)(상기 식에서, R1은 탄소수 1 내지 12의 탄화수소 잔기이고, X는 할로겐 원자를 나타내고, m은 1 내지 3의 정수이다.)로 표시되는 화합물, 예컨대, 트리메틸알루미늄, 트리에틸알루미늄 등의 트리알킬알루미늄, 디메틸알루미늄 클로라이드, 디에틸알루미늄 클로라이드 등의 디알킬알루미늄 할라이드, 메틸알루미늄세스퀴클로라이드, 에틸알루미늄 세스퀴클로라이드 등의 알킬알루미늄 세스퀴할라이드, 메틸알루미늄 디클로라이드, 에틸알루미늄 디클로라이드 등의 알킬알루미늄 디할라이드, 디에틸알루미늄 하이드라이드 등의 알킬알루미늄 하이드라이드 등을 들 수 있다.
또한, 티탄 원자, 마그네슘 원자, 할로겐 원자, 및 전자공여성 화합물을 필수로 하는 고체성분으로서는 역시 이 종류의 중합에 있어서 공지된 것을 사용할 수 있다. 티탄 원자의 공급원이 되는 티탄 화합물로서는 화학식: Ti(OR2)4-nXn(상기 식에서, R2는 탄소수 1 내지 10의 탄화수소 잔기이고, X는 할로겐 원자를 나타내고, n은 0 내지 4의 정수이다.)로 표시되는 화합물을 들 수 있고, 그 중에서도, 4염화 티탄, 테트라에톡시티탄, 테트라부톡시티탄 등이 바람직하다. 마그네슘 원자의 공급원이 되는 마그네슘 화합물로서는 예컨대, 디알킬마그네슘, 마그네슘 디할라이드, 디알콕시 마그네슘, 알콕시 마그네슘 할라이드 등을 들 수 있고, 그 중에서도 마그네슘 디할라이드 등이 바람직하다. 또한, 할로겐 원자로서는 불소, 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있고, 그 중에서도 염소가 바람직하며, 이들은, 보통 상기 티탄 화합물로부터 공급되지만, 알루미늄의 할로겐 화합물, 규소의 할로겐 화합물, 텅스텐의 할로겐 화합물 등의 다른 할로겐 공급원으로부터 공급될 수 있다.
전자 공여성 화합물로서는 알콜류, 페놀류, 케톤류, 알데히드류, 카복실산류, 유기산 또는 무기산 및 그 유도체 등의 질소 함유 화합물, 암모니아, 아민류, 니트릴류, 이소시아네이트류 등의 질소 함유 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 무기산 에스테르, 유기산 에스테르, 유기산 할라이드 등이 바람직하며, 규소 에스테르, 아세트산 셀로솔브 에스테르, 프탈산 할라이드 등이 더욱 바람직하고, 화학식 R3R4 (3-p)Si(OR5)p(상기 식에서, R3은 탄소수 3 내지 20, 바람직하게는 4 내지 10의 분지쇄형 지방족 탄화수소 잔기 또는 탄소수 5 내지 20, 바람직하게는 6 내지 10의 환상 지방족 탄화수소 잔기를 나타내고, R4는 탄소수 1 내지 20, 바람직하게는 1 내지 10의 분지쇄형 또는 직쇄형 지방족 탄화수소 잔기를 나타내고, p는 1 내지 3의 정수이다.)로 표시되는 유기 규소 화합물, 예컨대, t-부틸-메틸-디에톡시실란, 시클로헥실-메틸-디메톡시실란, 시클로헥실-메틸-디에톡시실란 등이 특히 바람직하다.
축차 중합법에 있어서, 제 1 단계에서는 프로필렌 또는 추가로 소량의 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 공급하여 상기 촉매의 존재하에서 온도50 내지 150℃, 바람직하게는 5O 내지 100℃이고, 프로필렌의 분압이 O.5 내지 4.5 MPa, 바람직하게는 1 내지 3.5 MPa의 조건으로 프로필렌 단독 중합체 등을 중합하고, 계속해서 제 2 단계에서 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 공급하여 상기 촉매의 존재하에서 온도가 50 내지 150℃, 바람직하게는 50 내지 100℃이고 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀의 분압이 각각 0.3 내지 4.5 MPa, 바람직하게는 0.5 내지 3.5 MPa인 조건으로 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀 공중합체의 중합을 실시함으로써 이루어진다.
또한, 그 때의 중합은 회분식, 연속, 반회분식중 어느 하나에 따를 수 있고, 제 1 단계의 중합은 기상 또는 액상중에서 실시하고, 제 2 단계의 중합은 기상 또는 액상중에서 실시하지만, 특히 기상중에서 실시하는 것이 바람직하다. 각 단계의 체류 시간은 각각 0.5 내지 10시간, 바람직하게는 1 내지 5시간이다.
또한, 상기 방법에 의해 제조되는 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 분체 입자에 끈적임 등의 문제가 발생할 때에는, 분체 입자의 유동성을 부여할 목적으로 제 1 단계에서의 중합 후, 제 2 단계에서의 중합 개시전 또는 중합 도중에 활성수소 함유 화합물을 촉매의 고체 성분중의 티탄 원자에 대하여 100 내지 1000배몰로, 또한, 촉매의 유기 알루미늄 화합물에 대하여 2 내지 5배 몰의 범위로 첨가하는 것이 바람직하다. 활성 수소 함유 화합물로서는, 예컨대, 물, 알콜류, 페놀류, 알데히드류, 카복실산류, 산 아미드류 암모니아, 아민류 등을 들 수 있다.
또한, 상기 방법에 의해 제조되는 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 JISK7210에 준거하여 온도 230℃, 하중 21.18N에서 측정한 용융흐름지수(MFR)는 0.1 내지 50 g/10분이고, JIS K7112에 준거하여 수중 치환법으로 측정한 밀도는 0.87 내지 0.89 g/cm3정도이고, JIS K7203에 준거하여 온도 23℃에서 측정한 굴곡 탄성률이 600 MPa 이하인 것이 된다.
올레핀계 열가소성 엘라스토머는 공지된 유기 퍼옥사이드 또는 추가로 2중 결합을 분자 내에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상을 갖는 가교제의 존재하에서 동적으로 열처리하여 MFR을 조정할 수도 있다.
본 발명의 기재 필름은 구성수지로서 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유할 수 있고, 이 올레핀계 열가소성 엘라스토머 단독으로 기재 필름을 구성할 수 있을 뿐 아니라, 필요에 따라 다른 플라스틱 수지 또는 엘라스토머와의 혼합체로부터 기재 필름을 구성할 수도 있다. 이러한 플라스틱 수지 또는 엘라스토머로서는 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리부텐 등의 공지된 폴리올레핀, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리염화비닐, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 스티렌계 엘라스토머, 에틸렌과 프로필렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀으로 이루어진 에틸렌-프로필렌 고무나 에틸렌-α올레핀 공중합체(고무) 등의 관용적인 플라스틱 또는 엘라스토머 시트용 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 기재 필름 중의 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 함유량은 실 모양 부스러기 발생 방지 효과 면에서 보통, 50 중량% 이상, 바람직하게는 80중량% 이상이 좋다.
기재 필름에 의한 칩핑의 영향이 문제가 되는 경우에는 올레핀계 열가소성엘라스토머와 에틸렌을 중합성분의 주성분으로 하는 중합체를 혼합하는 것이 바람직하다.
올레핀계 열가소성 엘라스토머와 혼합하는 상기 에틸렌계 중합체로서는 에틸렌을 중합성분으로하여 50%몰 이상 함유하는 중합체를 특별히 제한없이 사용할 수 있다.
에틸렌계 중합체로서는 예컨대, 밀도 O.91 내지 O.94 g/cm3의 고압법 저밀도폴리에틸렌; 밀도 0.94 내지 O.97 g/cm3의 고밀도 폴리에틸렌; 밀도 O.91 내지 O.94 g/cm3의 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌; 탄소수 3 내지 8의 α-올레핀, 예컨대, 프로필렌, 1-부텐, 1-헥센, 1-옥텐과의 공중합체인, 밀도 0.88 내지 0.91 g/cm3의 메탈로센계 에틸렌-α-올레핀 공중합체; 밀도 0.85 내지 0.88 g/cm3의 에틸렌-α-올레핀 공중합 고무 등을 들 수 있다. 이들 제법은, 특별히 제한되지 않지만, 예컨대, 고압 라디칼 중합법, 지글러계 촉매 또는 메탈로센계 촉매를 대표로 하는 단일 부위 촉매에 의한 배위 음이온 중합법에 의해 제조된다. 또한 에틸렌계 중합체로서는 예컨대, 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체(EVA), 에틸렌과 메타크릴산 및/또는 메타크릴산 에스테르의 공중합체, 에틸렌과 아크릴산 및/또는 아크릴산 에스테르의 공중합체, 에틸렌과 메타크릴산 및/또는 아크릴산의 금속염의 공중합체(이오노머), 에틸렌-프로필렌-비공역디엔 공중합 고무(EPDM), 에틸렌-스티렌 공중합체, 에틸렌-노르보넨 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 에틸렌계 중합체 중에서도, 밀도 0.94내지 0.97 g/cm3의 고밀도 폴리에틸렌 및/또는 밀도 O.91 내지 O.94 g/cm3의 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌이 바람직하다. 특히 0.94 내지 0.97 g/cm3의 고밀도 폴리에틸렌이 바람직하다.
올레핀계 열가소성 엘라스토머에 대한 에틸렌계 중합체의 비율은 상술한 바와 같이, 5 내지 50 중량%인 것이 바람직하다. 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체의 혼합방법으로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대, 밴버리 믹서, 단축 압출기, 2축 압출기 등에 의해 용융혼련하는 방법, 제막시에 혼합하는 방법(드라이블렌드) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 용융혼련하는 방법이 바람직하다. 또한, 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체를 용융혼련할 때에는 공지된 유기 퍼옥사이드나 2중 결합을 분자내에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상을 갖는 가교제의 존재하에 동적으로 열처리할 수도 있다.
또한, 기재 필름 중의 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체의 합량은 칩핑 방지효과 면에서 보통, 50 중량% 이상, 바람직하게는 80 중량% 이상이 좋다.
또한, 기재 필름 중에는 광유 등의 연화제, 탄산칼슘, 실리카, 활석, 마이카, 점토 등의 충전재, 산화 방지제, 광 안정제, 대전방지제, 윤활제, 분산제, 중화제, α정핵제, β정핵제 등의 각종 첨가제가 필요에 따라 배합될 수 있다.
상기 첨가제 중에서도, 본 발명의 기재 필름은 첨가 성분으로서 폴리프로필렌에 대해 결정 조핵작용을 하는 결정 조핵제를 함유하는 것이 바람직하다. 기재필름 중의 결정 조핵제의 함유량은 0.0001 내지 1 중량%인 것이 바람직하다.
결정 조핵제는 특별히 한정되지 않고, 각종 무기 화합물, 각종 카복실산 또는 그의 금속염, 디벤질리덴 소르비톨계 화합물, 아릴 포스페이트계 화합물, 환상 다가금속 아릴 포스페이트계 화합물과 지방족 모노카복실산 알칼리 금속염 또는 염기성 알루미늄·리튬·히드록시·카보네이트·하이드레이트와의 혼합물, 각종 고분자 화합물 등의 α정 조핵제 등을 들 수 있다. 이들 결정 조핵제는 단독으로 사용할 수 있고, 또한 2종 이상을 병용할 수도 있다.
무기 화합물의 예로서는 활석, 명반, 실리카, 산화 티탄, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 카본 블랙, 점토 광물 등을 들 수 있다.
카복실산의 예로서는 지방족 모노카복실산을 제외한 카복실산을 들 수 있다. 예컨대, 말론산, 숙신산, 아디프산, 말레산, 아젤라산, 세박산, 도데칸이산, 시트르산, 부탄트리카복실산, 부탄테트라카복실산, 나프텐산, 시클로펜탄 카복실산, 1-메틸시클로펜탄카복실산, 2-메틸시클로펜탄카복실산, 시클로펜텐카복실산, 시클로헥산카복실산, 1-메틸시클로헥산카복실산, 4-메틸시클로헥산카복실산, 3,5-디메틸시클로헥산카복실산, 4-부틸시클로헥산카복실산, 4-옥틸시클로헥산카복실산, 시클로헥센카복실산, 4-시클로헥센-1, 2-디카복실산, 벤조산, 톨루일산, 크실릴산, 에틸벤조산, 4-t-부틸벤조산, 살리실산, 프탈산, 트리멜리트산, 피로멜리트산 등의 산을 들 수 있다. 이들 카복실산의 금속염으로서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 아연 또는 알루미늄의 정염 또는 염기성염 등을 들 수 있다.
디벤질리덴 소르비톨계 화합물의 예로서는 1·3, 2·4-디벤질리덴 소르비톨, 1·3-벤질리덴-2·4-p-메틸벤질리덴 소르비톨, 1·3-벤질리덴-2·4-p-에틸벤질리덴 소르비톨, 1·3-p-메틸벤질리덴-2·4-벤질리덴 소르비톨, 1·3-p-에틸벤질리덴-2·4-벤질리덴 소르비톨, 1·3-p-메틸벤질리덴-2·4-p-에틸벤질리덴 소르비톨, 1·3-p-에틸벤질리덴-2·4-p-메틸벤질리덴 소르비톨, 1·3,2·4-비스(p-메틸벤질리덴)소르비톨, 1·3, 2·4-비스(p-에틸벤질리덴)소르비톨, 1·3,2·4-비스(p-n-프로필벤질리덴)소르비톨, 1·3, 2·4-비스(p-i-프로필벤질리덴)소르비톨, 1·3, 2·4-비스(p-n-부틸벤질리덴)소르비톨, 1·3, 2·4-비스(p-s-부틸벤질리덴)소르비톨, 1·3, 2·4-비스(p-t-부틸벤질리덴)소르비톨, 1·3-(2',4'-디메틸벤질리덴)-2·4-벤질리덴 소르비톨, 1·3-벤질리덴-2·4-(2',4'-디메틸벤질리덴)소르비톨, 1·3, 2·4-비스(2',4'-디메틸벤질리덴)소르비톨, 1·3,2·4-비스(3',4'-디메틸벤질리덴)소르비톨, 1·3, 2·4-비스(p-메톡시벤질리덴)소르비톨, 1·3, 2·4-비스(p-에톡시벤질리덴)소르비톨, 1·3-벤질리덴-2·4-p-클로르벤질리덴소르비톨, 1·3-p-클로르벤질리덴-2·4-벤질리덴 소르비톨, 1·3-p-클로르벤질리덴-2·4-p-메틸벤질리덴 소르비톨, 1·3-p-클로르벤질리덴-2·4-p-에틸벤질리덴 소르비톨, 1·3-p-메틸벤질리덴-2·4-p-클로르벤질리덴 소르비톨, 1·3-p-에틸벤질리덴-2·4-p-클로르벤질리덴 소르비톨, 1·3, 2·4-비스(p-클로르벤질리덴)소르비톨 등을 들 수 있다.
아릴 포스페이트계 화합물의 예로서는 리튬-비스(4-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-비스(4-t-부틸페닐)포스페이트, 리튬-비스(4-큐밀페닐)포스페이트, 나트륨-비스(4-큐밀페닐)포스페이트, 칼륨-비스(4-t-부틸페닐)포스페이트, 칼슘-모노(4-t-부틸페닐)포스페이트, 칼슘-비스(4-t-부틸페닐)포스페이트, 마그네슘-모노(4-t-부틸페닐)포스페이트, 마그네슘-비스(4-t-부틸페닐)포스페이트, 아연-모노(4-t-부틸페닐)포스페이트, 아연-비스(4-t-부틸페닐)포스페이트, 알루미늄 디히드록시(4-t-부틸페닐)포스페이트, 알루미늄 히드록시옥시-비스(4-t-부틸페닐)포스페이트, 알루미늄-트리스(4-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-메틸렌비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-에틸리덴비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-메틸렌비스(4-큐밀-6-t-부틸페닐)포스페이트, 리튬-2,2'-메틸렌비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 리튬-2,2'-에틸리덴비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 리튬-2,2'-메틸렌비스(4-큐밀-6-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-에틸리덴비스(4-i-프로필-6-t-부틸페닐)포스페이트, 리튬-2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페닐)포스페이트, 리튬-2,2'-메틸렌-비스(4-에틸-6-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-부틸리덴-비스(4,6-디메틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-부틸리덴-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-t-옥틸메틸렌-비스(4,6-디메틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-t-옥틸메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-메틸렌-비스(4-에틸-6-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨(4,4'-디메틸-6,6'-디-t-부틸-2,2'-비페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-에틸리덴-비스(4-s-부틸-6-t-부틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-메틸페닐)포스페이트, 나트륨-2,2'-메틸렌-비스(4,6-디에틸페닐)포스페이트, 칼륨-2,2'-에틸리덴-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 칼슘-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 마그네슘-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 아연-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 알루미늄-트리스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 칼슘-비스[2,2'-메틸렌-비스(4-메틸-6-t-부틸페닐)포스페이트], 칼슘-비스[2,2'-에틸리덴-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 칼슘-비스「2,2'-티오비스(4-메틸-6-t-부틸페닐)포스페이트], 칼슘-비스[2,2'-티오비스(4-에틸-6-t-부틸페닐)포스페이트], 칼슘-비스[2,2'-티오비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 마그네슘-비스[2,2'-티오비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 마그네슘-비스[2,2'-티오비스(4-t-옥틸페닐)포스페이트], 바륨-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 칼슘-비스[(4.4'-디메틸-6,6'-디-t-부틸-2,2'-비페닐)포스페이트], 마그네슘-비스[2,2'-에틸리덴-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 바륨-비스[2,2'-에틸리덴-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 알루미늄-트리스[2,2'-에틸리덴-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 알루미늄 디히드록시-2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 알루미늄 디히드록시-2,2'-메틸렌-비스(4-큐밀-6-t-부틸페닐)포스페이트, 알루미늄 히드록시-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 알루미늄 히드록시-비스[2,2'-메틸렌-비스(4-큐밀-6-t-부틸페닐)포스페이트], 티탄 디히드록시-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 주석 디히드록시-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 지르코늄옥시-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트], 알루미늄 디히드록시-2,2'-메틸렌-비스(4-메틸-6-t-부틸페닐)포스페이트, 알루미늄 히드록시-비스[2,2'-메틸렌-비스(4-메틸-6-t-부틸페닐)포스페이트], 알루미늄 디히드록시-2,2'-에틸리덴-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트, 알루미늄 히드록시-비스[2,2'-에틸리덴-비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스페이트] 등을 들 수 있다.
상기 아릴 포스페이트계 화합물 중의 환상 다가금속 아릴 포스페이트계 화합물과 혼합 사용되는 지방족 모노카복실산의 알칼리 금속 염의 예로서는 아세트산, 락트산, 프로피온산, 아크릴산, 옥틸산, 이소옥틸산, 노난산, 데칸산, 라우르산, 밀리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 올레산, 리놀릭산, 리놀레산, 12-히드록시스테아르산, 리시놀산, 베헨산, 에루크산, 몬탄산, 멜리스산, 스테아로일 락트산, β-도데실머캅토 아세트산, β-도데실머캅토 프로피온산, β-N-라우릴아미노프로피온산, β-N-메틸-N-라우로일아미노프로피온산 등의 리튬, 나트륨 또는 칼륨염을 들 수 있다.
고분자 화합물의 예로서는 폴리에틸렌, 폴리 3-메틸-l-부텐, 폴리 3-메틸-1-펜텐, 폴리 3-에틸-1-펜텐, 폴리4-메틸-1-펜텐, 폴리4-메틸-1-헥센, 폴리4, 4-디메틸-1-펜텐, 폴리4, 4-디메틸-1-헥센, 폴리4-에틸-1-헥센, 폴리 3-에틸-1-헥센, 폴리알릴나프탈렌, 폴리알릴노르보난, 아택틱 폴리스티렌, 신디오택틱 폴리스티렌, 폴리디메틸 스티렌, 폴리비닐 나프탈렌, 폴리알릴벤젠, 폴리알릴톨루엔, 폴리비닐시클로펜탄, 폴리비닐시클로헥산, 폴리비닐시클로헵탄, 폴리비닐트리메틸실란, 폴리알릴트리메틸실란 등을 들 수 있다.
또한, 이들 고분자 화합물은 바람직하게는 일본특허공개공보 제90-43204호 공보 등에 보이는 바와 같이, 고체촉매성분 1g당 상기 고분자 화합물을 구성하는 단량체를 0.01 내지 10Og 중합시키는 예비중합을 거친 뒤, 프로필렌의 단독중합 또는 프로필렌과 소량의 에틸렌 및/또는 α-올레핀과의 공중합을 실시하는 방법에 의해, 상기 고분자 화합물을 0.01 내지 0.15 중량% 정도의 농도로 함유하는 프로필렌 중합체로서 얻을 수 있다. 이를 올레핀계 열가소성 엘라스토머에 첨가하는 방법에 의해 결정 조핵제로서의 고분자 화합물을 올레핀계 열가소성 엘라스토머에 균일하게 효율적으로 혼합할 수 있고, 극미량으로 우수한 결정 조핵작용을 얻는 것이 가능하다.
본 발명에 있어서의 결정 조핵제로서는 저분자 화합물의 경우에는 기재와 점착제 층과의 접착성 저하, 및 금속 이온에 의한 반도체 오염의 관점에서 고분자 화합물이 바람직하게 사용된다. 고분자 화합물 중에서도, 폴리 3-메틸-1-부텐이 바람직하다.
본 발명의 기재 필름은 압출법 등의 통상적인 방법에 따라 제작할 수 있고, 그 두께는 보통 10 내지 300 ㎛, 바람직하게는 30 내지 200 ㎛ 정도이다. 기재 필름은 단층 필름 또는 다층 필름중 어느 하나일 수 있지만, 점착제 층이 접하는 표면으로부터 150 ㎛ 정도이어서, 다이싱시에 둥근날이 도달하면 상정되는 층은 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층으로 하는 것이 바람직하다. 다층 필름은 예컨대, 상기 폴리올레핀 등을 다른 층의 재료에 사용하여 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 관용적인 필름 적층법에 의해 제조할 수 있다.
또한, 수득된 기재 필름은 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신처리를 실시할 수 있다. 연신처리를 실시하는 경우에는 60 내지 100℃ 정도에서 실시하는 것이 바람직하다. 이렇게 해서 제막된 기재 필름은 필요에 따라 매트 처리, 코로나 방전처리, 프라이머 처리 등의 관용의 물리적 또는 화학적 처리를 실시할 수 있다.
점착제 층은 공지되거나 통상적으로 사용된 점착제를 사용할 수 있다. 이러한 점착제는 어떠한 제한도 되지 않지만, 예컨대 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에테르계 등의 각종 점착제가 사용된다.
상기 점착제로서는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 아크릴계 점착제의 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머는 보통, (메타)아크릴산 알킬의 중합체 또는 공중합성 단량체와의 공중합체가 사용된다. 아크릴계 폴리머의 주 단량체로서는 그 호모폴리머의 유리전이온도가 20℃ 이하인 (메타)아크릴산 알킬이 바람직하다.
(메타)아크릴산알킬의 알킬기로서는 예컨대, 메틸기, 에틸기, 부틸기, 2-에틸 헥실기, 옥틸기, 이소노닐기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 공중합성 단량체로서는 (메타)아크릴산의 히드록시알킬에스테르(예컨대, 히드록시에틸 에스테르, 히드록시부틸 에스테르, 히드록시헥실 에스테르 등), (메타)아크릴산 글리시딜 에스테르, (메타)아크릴산, 이타콘산, 무수말레산, (메타)아크릴산 아미드, (메타)아크릴산N-히드록시메틸아미드, (메타)아크릴산 알킬아미노알킬, (예컨대, 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸 메타크릴레이트 등), 비닐 아세테이트, 스티렌, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다.
또한, 점착제로서는 자외선, 전자선 등에 의해 경화하는 방사선 경화형 점착제나 가열 발포형 점착제를 사용할 수도 있다. 또한, 다이싱·다이본드 겸용 가능한 점착제일 수도 있다. 본 발명에 있어서는 방사선 경화형 점착제, 특히 자외선 경화형 점착제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제로서 방사선 경화형 점착제를 사용하는 경우에는 다이싱 공정전 또는 후에 점착제에 방사선이 조사되기 때문에 상기 기재 필름은 충분한 방사선 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다.
방사선 경화형 점착제는 예컨대, 상기 베이스 폴리머(아크릴계 폴리머)와, 방사선 경화성분을 함유하여 이루어진다. 방사선 경화 성분은 분자 중에 탄소-탄소 2중결합을 가지며, 라디칼 중합에 의해 경화가능한 단량체, 올리고머 또는 폴리머를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화 성분으로서는 예컨대, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산과 다가알콜과의 에스테르화물; 에스테르 아크릴레이트 올리고머; 2-프로페닐-디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-아크릴록시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴록시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 방사선 경화형 점착제는 베이스 폴리머(아크릴계 폴리머)로서, 폴리머측쇄에 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 방사선 경화형 폴리머를 사용할 수도 있고, 이 경우에 있어서는 특히 상기 방사선 경화성분을 가할 필요는 없다.
방사선 경화형 점착제를 자외선에 의해 경화시키는 경우에는 광 중합 개시제가 필요하다. 중합 개시제로서는 예컨대, 벤조일 메틸 에테르, 벤조인 프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르 등의 벤조인 알킬 에테르류; 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈류; 폴리비닐벤조페논; 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤류 등을 들 수 있다.
상기 점착제에는 추가로 필요에 따라, 가교제, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제 등의 관용의 첨가제를 함유시킬 수 있다. 가교제로서는 예컨대, 폴리이소시아네이트 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 아질리딘 화합물, 에폭시 수지, 무수화물, 폴리아민, 카복실기 함유 폴리머 등을 들 수 있다.
본 발명의 다이싱용 점착 시트(1)는 예컨대, 기재 필름(11)의 표면에 점착제를 도포하여 건조시켜(필요에 따라 가열가교시켜서) 점착제 층(12)을 형성하고, 필요에 따라 이 점착제 층(12)의 표면에 세퍼레이터(13)를 점착함으로써 제조할 수 있다. 또한, 별도로 세퍼레이터(13)에 점착제 층(12)을 형성한 후, 이들을 기재 필름(11)에 접착하는 방법 등을 채용할 수 있다.
점착제 층의 두께는 점착제의 종류, 또는 다이싱 절삭 깊이에 의해 적적히 결정할 수 있지만, 보통은 1 내지 200 ㎛, 바람직하게는 3 내지 50 ㎛ 정도이다.
세퍼레이터는 라벨 가공을 위해, 또는 점착제 층을 평활하게 할 목적을 위해 필요에 따라 구비된다. 세퍼레이터의 구성 재료로서는 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 합성 수지필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터의 표면에는 점착제 층으로부터의 박리성을 높이기 위해서, 필요에 따라 실리콘처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리처리가 실시될 수 있다. 또한, 강성을 높이는 등의 목적에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리나 다른 플라스틱 필름 등으로 적층을 실시할 수 있다. 세퍼레이터의 두께는 보통, 10 내지 200 ㎛, 바람직하게는 25 내지 100 ㎛ 정도이다.
이하, 실시예에 의거하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
(기재 필름의 제작)
미쓰비시 화학(주) 제조의 「상품명: 젤라스 5053」를 (주)플라코사 제조 T 다이 성형기(설정온도 230℃)에 공급하여 제막하고, 두께 100 ㎛, 폭 29 cm의 기재 필름을 제작했다.
미쓰비시 화학(주) 제조의 「상품명: 젤라스 5053」는 프로필렌 성분 79 중량% 및 에틸렌 성분 21 중량%의 올레핀계 열가소성 엘라스토머이며, o-디클로로벤젠을 용매로 사용한, 온도 0 내지 140℃의 사이의 온도상승용리분별에 있어서의 0℃ 에서의 용출 분율이 전체 용출량에 대해 41.7 중량%이며, 융점 피크 온도가 164℃, 밀도 0.88 g/cm3, MFR(230℃, 21.18 N) 6.8 g/10분이다.
(점착제의 조제)
아크릴산 부틸 95 중량부 및 아크릴산 5 중량부를 톨루엔 중에서 통상적인 방법에 따라 공중합시켜서 수득된 중량평균분자량 50만의 아크릴계 공중합체를 함유하는 용액에 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(상품명「카야레드 DPHA」, 니혼카야쿠(주) 제조) 60 중량부, 광중합 개시제(상품명「이르가큐어 184」, 치바 스페셜티 케미칼즈사 제조) 3 중량부, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명「콜로네이트 L」, 일본폴리우레탄(주) 제조) 5 중량부를 가하여 아크릴계 자외선 경화형 점착제 용액을 조제했다.
(다이싱용 점착 시트의 제작)
상기에서 조제한 점착제 용액을 상기에서 수득된 기재 필름의 코로나 처리면상에 도포하고, 80℃에서 10분간 가열 가교하여 두께 20 ㎛의 자외선 경화형 점착제 층을 형성하였다. 이어서, 이 점착제 층면에 세퍼레이터를 부착하여 자외선 경화형 다이싱용 접착 시트를 제작하였다.
실시예 2
(기재 필름의 제작)
실시예 1에서 사용한 미쓰비시 화학(주) 제조의「상품명 젤라스 5053」과 닛폰 폴리켐(주) 제조의 「상품명: 커넬 KF261」을 전자: 후자(중량비)= 80:20의 비율로 이축혼련기(실린더 입경 45 mm, L/D=34, 이케가이사 제조「PCM-45」, 설정 온도200℃)에 공급하여 용융혼련함으로써 펠렛화한 것을 실시예 1과 동일하게 제막하여 기재 필름을 얻었다.
닛폰 폴리켐(주) 제조의「상품명: 커넬 KF261」은 밀도 0.898 g/cm3, MFR(190℃, 21.18 N) 2.2 g/10분의 메탈레센계 저밀도 폴리에틸렌이다.
(다이싱용 점착 시트의 제작)
실시예 1에서 조제한 점착제 용액을 상기에서 얻어진 기재 필름의 코로나 처리면상에 도포하고, 80℃에서 10분간 가열가교하여 두께 50 ㎛의 자외선 경화형 점착제 층을 형성했다. 이어서, 이 점착제 층면에 세퍼레이터를 부착하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
실시예 3
(기재 필름의 제작)
미쓰비시 화학(주) 제조의「상품명: 젤라스 5053」과, 예비중합으로 폴리 3-메틸-1-부텐을 0.08 중량% 도입한 MFR(230℃, 21.18 N) 4.9g/10분의 프로필렌 단독중합체를 전자:후자(중량비)=100:1의 비율로 이축혼련기(실린더 입경 45 mm, L/D-34, 이케가이사 제조「PCM-45」, 설정온도 200℃)에 공급하여 용융혼련함으로써 펠렛화했다. 이어서, 이 펠렛을 (주)플라코사 제조 T다이 성형기(설정온도 230℃)에 공급하여 제막하고, 두께 100 ㎛, 폭 29 cm의 기재 필름을 제작했다. 제작한 기재 필름 중의 결정 조핵제(폴리 3-메틸-1-부텐)의 함유량은 0.00079 중량%이다.
(점착제의 조제)
아크릴산 부틸 90 중량부 및 아크릴산 10 중량부를 톨루엔 중에서 통상적인 방법에 따라 공중합시켜서 수득된 중량평균분자량 50만의 아크릴계 공중합체를 함유하는 용액에 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(상품명「카야레드 DPHA」, 니혼카야쿠(주) 제조) 60 중량부, 광중합 개시제(상품명「이르가큐어 184」, 치바 스페셜티 케미칼즈사 제조)3 중량부, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명「콜로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄(주) 제조) 5 중량부를 가하여 아크릴계 자외선 경화형 점착제 용액을 조제했다.
(다이싱용 점착 시트의 제작)
상기에서 조제한 점착제 용액을 상기에서 수득된 기재 필름의 코로나 처리면상에 도포하고, 80℃에서 10분간 가열가교하여 두께 20 ㎛의 자외선 경화형 점착제 층을 형성했다. 이어서, 이 점착제 층면에 세퍼레이터를 부착하여 자외선 경화형다이싱용 점착 시트를 제작했다.
실시예 4
(기재 필름의 제작)
(1) 실시예 1에서 사용한 미쓰비시 화학(주) 제조의「상품명 젤라스 5053」, (2) 닛폰 폴리켐(주) 제조의「상품명:노바테크 HD HB330」 및 (3) 예비중합으로 폴리 3-메틸-1-부텐을 0.08 중량% 도입한 MFR(230℃, 21.18N) 4.8 g/10분의 프로필렌단독 중합체를 (1):(2):(3)(중량비)= 80:20:1의 비율로 2축 혼련기(실린더 입경 45 mm, L/D=34, 이케가이사 제조「PCM-45」, 설정온도 200℃)에 공급하여 용융혼련함으로써 펠렛화한 것을 실시예 3와 같이 제막하여 기재 필름을 얻었다. 제작한 기재 필름 중의 결정 조핵제(폴리 3-메틸-1-부텐)의 함유량은 0.00079 중량%이다.
닛폰 폴리켐(주) 제조의 「상품명:노바테크 HD HB330」는 밀도 0.953 g/cm3, MFR(190℃, 21.18 N) 0.35 g/10분의 고밀도 폴리에틸렌이다.
(다이싱용 점착 시트의 제작)
실시예 3에서 조제한 점착제 용액을 상기에서 수득된 기재 필름의 코로나 처리면상에 도포하고, 80℃에서 10분간 가열가교하여 두께 50 ㎛의 자외선 경화형 점착제 층을 형성하였다. 이어서, 이 점착제 층면에 세퍼레이터를 부착하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
비교예 1
실시예 1의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서 저밀도 폴리에틸렌을 T다이 압출법에 의해 두께 100 ㎛이 되도록 제막하여 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱용 점착 시트를 제작하였다. 또한, 저밀도 폴리에틸렌은 융점 피크 온도가 110℃, 밀도 0.923 g/cm3, MFR(190℃, 21.18 N) 1.5 g/10분이다.
비교예 2
실시예 1의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서 에틸렌-메타아크릴산 공중합체를 T다이 압출법에 의해 두께 100 ㎛이 되도록 제막하여 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱용 점착 시트를 제작했다. 또한, 에틸렌-메타아크릴산 공중합체는 융점 피크 온도가 100℃, 밀도 0.930 g/cm3, MFR(190℃, 21.18 N) 3 g/10분이다.
비교예 3
실시예 1의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서 에틸렌-메타크릴산 공중합물(MFR-2.0)을 T다이 압출법에 의해 두께 1OO ㎛이 되도록 제막하고, 한 면에 코로나 처리를 실시하여 얻어진 기재 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
(평가 시험)
실시예 및 비교예에서 수득된 다이싱용 점착 시트를 하기의 방법에 의해 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(1) 다이싱성 평가
다이싱용 점착 시트에 두께 350 ㎛의 6인치 웨이퍼를 탑재하여 이하의 조건으로 다이싱했다.
(다이싱 조건)
다이서: DISCO사 제조, DFD-651
블레이드: DISCO사 제조, NBC-ZH205O 27HEDD
블레이드 회전수: 45000 rpm
다이싱 속도: 1OO mm/초
다이싱 깊이: 기재 필름에 대해 30 ㎛
다이싱 사이즈: 2.5 mm×2.5 mm
컷 모드: 다운 컷트
다이싱 후, 절단된 칩 표면의 실 모양 부스러기의 발생상황을 광학 현미경(200)으로 관찰하여, 실 모양 부스러기의 크기마다 개수를 카운트했다.
실 모양 부스러기의 크기(㎛)마다의 갯수
100㎛ 미만 100 내지 500 ㎛ 500㎛ 이상
실시예 1 51 0 0
실시예 2 13 0 0
실시예 3 0 0 0
실시예 4 0 0 0
비교예 1 100 이상 100 이상 100 이상
비교예 2 100 이상 100 이상 67
비교예 3 100 이상 100 이상 67
표 1로부터, 실시예의 다이싱용 점착 시트에서는 실 모양 부스러기의 발생이 적음이 보였다. 게다가, 1OO ㎛ 이상의 실 모양 부스러기는 발생하지 않았다. 특히, 결정 조핵제를 함유하는 기재 필름을 사용한 실시예 3, 4의 다이싱용 점착 시트에서는 실 모양 부스러기의 발생이 적음이 보였다. 또한, 실시예, 비교예의 웨이퍼는 제품 품질이 저하되지는 않았다.
실시예 5
(기재 필름의 제작)
미쓰비시 화학(주) 제조의「상품명: 젤라스 5053」과, 닛폰 폴리켐(주) 제조의「상품명: 노바텍 HD HB330」를 전자: 후자(중량비)=80:20의 비율로 2축 혼련기(실린더 입경 45 mm, L/D=34, 이케가이사 제조「PCM-45」, 설정온도 200℃)에 공급하여 용융혼련함으로써 펠렛화했다. 이어서, 이 펠렛을 (주)플라코사 제조 T다이 성형기(설정온도 230℃)에 공급하여 제막하여 두께 100 ㎛, 폭 29 cm의 기재 필름을 제작했다.
(다이싱용 점착 시트의 제작)
실시예 3에서 조정한 점착제 용액을 상기에서 수득된 기재 필름의 코로나 처리면상에 도포하고, 80℃에서 10분간 가열가교하여 두께 5㎛의 자외선 경화형 점착제 층을 형성했다. 이어서, 이 점착제 층면에 세퍼레이터를 부착하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
실시예 6
(기재 필름의 제작)
미쓰비시 화학(주)사 제조의 「상품명: 젤라스 5053」과, 닛폰 폴리켐(주) 제조의「상품명: 노바텍 LL UF420」를 전자:후자(중량비)=80:20의 비율로, 2축 혼련기(실린더 입경 45 mm, L/D=34, 이케가이사 제조「PCM-45」, 설정온도 200℃)에 공급하여 용융혼련함으로써 펠렛화했다. 이 펠렛을 사용한 것 이외에는 실시예 5와 같이 제막하여 기재 필름을 얻었다.
닛폰 폴리켐(주) 제조의 「상품명: 노바텍 LL UF420」」는 밀도 0.925 g/cm3, MFR(190℃, 21.18N) 0.8 g/10분의 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌이다.
(다이싱용 점착 시트의 제작)
실시예 3에서 조제한 점착제 용액을 상기에서 수득된 기재 필름의 코로나 처리면상에 도포하고, 80℃에서 10분간 가열가교하여, 두께 20 ㎛의 자외선 경화형 점착제 층을 형성했다. 이어서, 이 점착제 층면에 세퍼레이터를 부착하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
비교예 4
실시예 5의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서 폴리프로필렌(닛폰 폴리켐(주) 제조, 상품명 노바테크 FL6CK) 50 중량부와 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합물(스미토모가가쿠(주) 제조, 상품명 아크리프트 WM305) 50 중량부를 드라이블렌드에 의해 혼합압출 성형한 두께 80㎛의 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1와 동일하게 하여 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
비교예 5
실시예 5의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서 두께 80 ㎛의 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
(평가 시험)
실시예 및 비교예에서 수득된 다이싱용 점착 시트를 하기 방법에 의해 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(칩핑 평가)
실시예 및 비교예에서 수득된 다이싱용 점착 시트에 이면을 백 그라인드(# 2000 마무리)된 두께 150 ㎛의 6인치 웨이퍼를 탑재한 후, 이하의 조건으로 다이싱했다. 다이싱 후, 시트 이면으로부터 자외선을 조사(5OO mJ/cm2)하고, 이어서 임의의 반도체칩 5O개를 픽업(박리)했다. 수득된 반도체 측면의 칩핑의 칩두께 방향의 깊이를 광학현미경(200배)으로 관찰하고, 그 크기마다 칩핑수(개수)를 카운트했다.
(수율)
칩핑 평가의 임의의 반도체칩 50개의 칩에 대해서 칩핑 사이즈 50㎛ 내지 이상이 아닌 것의 비율을 수율로 했다.
<다이싱성 평가>
다이서: DISCO사 제조, DFD-651
블레이드: DISCO 사 제조, NBC-ZH205O 27HEDD
블레이드 회전수: 40000 rpm
다이싱 속도: 120 mm/초
다이싱 깊이: 기재 필름에 대하여 30 ㎛
다이싱 사이즈: 2.5 mm×2.5 mm
컷 모드: 다운 컷
칩핑 카운트(개) 수율(%)
칩핑 사이즈
25 ㎛∼ 50 ㎛∼ 75 ㎛∼ 100 ㎛∼ 합계
실시예 5 5 0 0 0 5 100
실시예 6 8 1 0 0 9 98
비교예 4 8 5 3 1 17 82
비교예 5 2 2 3 10 17 70
표 2로부터, 실시예 5, 6의 다이싱용 점착 시트에서는 칩핑 사이즈 50 ㎛ 내지 이상의 칩핑이 매우 적어 수율이 양호하다. 한편, 비교예 4, 5에서는 칩핑 사이즈 50㎛ 이상에서 발생율이 높아 수율이 좋지 않다.
본 발명에 따라, 기재 필름이 특정한 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유함으로써 다이싱시에 피절단체의 수율을 높이면서도 실 모양의 부스러기의 발생율 및 칩핑 발생이 현저히 감소하였다.

Claims (22)

  1. 기재 필름의 한면 이상에 점착제 층이 구비된 다이싱용 점착 시트에 있어서,
    상기 기재 필름이 프로필렌 및 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 중합성분으로 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하며, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 융점 피크 온도가 120℃ 이상 170℃ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱(dicing)용 점착 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    용매로서 o-디클로로벤젠을 사용하여 온도 0 내지 140℃에서 수행한 온도상승용리분별에서의 전체 용출량에 대한 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 용출 분율이 10 내지 60 중량%인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    기재 필름이 추가로 폴리프로필렌에 대해 결정 조핵 작용을 하는 결정 조핵제를 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    결정 조핵제의 함유량이 기재 필름의 총량을 기준으로 0.0001 내지 1 중량%인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  5. 제 3 항에 있어서,
    결정 조핵제가 폴리 3-메틸-1-부텐인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  6. 제 1 항에 있어서,
    기재 필름이 단층필름이며, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50 중량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  7. 제 1 항에 있어서,
    기재 필름이 다층필름이며, 상기 다층필름중 하나 이상의 층이 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50 중량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  8. 제 1 항에 있어서,
    기재 필름이 주 중합성분으로서 에틸렌을 함유하는 에틸렌계 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  9. 제 3 항에 있어서,
    기재 필름이 주 중합성분으로서 에틸렌을 함유하는 에틸렌계 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  10. 제 8 항에 있어서,
    에틸렌계 중합체의 함유량이 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 양을 기준으로 5 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  11. 제 8 항에 있어서,
    에틸렌계 중합체가 밀도 0.94 내지 0.97 g/cm3의 고밀도 폴리에틸렌 및/또는 밀도 O.91 내지 O.94 g/cm3의 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  12. 제 8 항에 있어서,
    기재 필름이 단층필름이며, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체를 50 중량% 이상(두 성분의 합량) 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  13. 제 8 항에 있어서,
    기재 필름이 다층필름이며, 상기 다층필름중 하나 이상의 층이 올레핀계 열가소성 엘라스토머와 에틸렌계 중합체를 50 중량% 이상(두 성분의 합량) 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  14. 제 1 항에 있어서,
    점착제 층의 두께가 1 내지 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  15. 제 1 항에 있어서,
    점착제 층이 방사선 경화형 점착제로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
  16. 제 1 항에 따른 다이싱용 점착 시트를 피절단물에 접착시킨 후, 상기 점착 시트의 기재 필름까지 절삭을 실시함으로써 피절단물을 다이싱하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
  17. 제 3 항에 따른 다이싱용 점착 시트를 피절단물에 접착시킨 후, 상기 점착 시트의 기재 필름까지 절삭을 실시함으로써 피절단물을 다이싱하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
  18. 제 8 항에 따른 다이싱용 점착 시트를 피절단물에 접착시킨 후, 상기 점착 시트의 기재 필름까지 절삭을 실시함으로써 피절단물을 다이싱하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
  19. 제 9 항에 따른 다이싱용 점착 시트를 피절단물에 접착시킨 후, 상기 점착 시트의기재 필름까지 절삭을 실시함으로써 피절단물을 다이싱하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    피절단체가 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
  21. 제 16 항에 따른 다이싱 방법에 의해 피절단체를 다이싱함으로써 제작된 피절단체 소편.
  22. 제 20 항에 따른 다이싱 방법에 의해 피절단체를 다이싱함으로써 제작된 피절단체 소편.
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