KR101116536B1 - 다이싱용 점착 시트, 다이싱 방법 및 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
제품 품위의 저하나 비용적인 불이익이 없고, 다이싱시의 실 형상 쓰레기의 발생이 적은 것으로서, 익스팬드 공정에서도 필름이 찢어지는 일이 없고, 칩핑 발생이 낮게 억제되는 다이싱용 점착 시트를 제공한다.
기재 필름(11)상의 한 면 이상에 점착제층(12)이 설치되어 이루어지는 다이싱용 점착 시트(1)에 있어서, 상기 기재 필름(11)이 2층 이상의 다층 필름이고, 상기 다층 필름의 2층 이상이 프로필렌을 중합 성분으로서 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머이고, 융점 피크 온도가 120 내지 170℃인 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하고, 또한 상기 2층 이상에 함유된 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 각각의 프로필렌 함유량이 다르다.
Description
도 1은 본 발명의 다이싱용 점착 시트의 일례를 나타내는 단면도이다.
부호의 설명
1 다이싱용 점착 시트
11 기재 필름
11a 다이싱측 기재층
11b 시트 배면측 기재층
12 점착제층
13 세퍼레이터
본 발명은 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다. 또한 상기 다이싱용 점착 시트를 사용하여 다이싱을 실시하는 방법에 관한 것이다. 또한 상기 다이싱용 점착 시트를 사용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 다이싱용 점착 시트는 반도체 웨이퍼 등의 소자 소편을 절단 분리(다이싱)할 때, 상기 반도체 웨이퍼 등의 피절단물을 고정하기 위해서 사용하는 반도체 웨이퍼 다이싱용 점착 시트로서 특히 유용하다. 예컨대, 본 발명의 다이싱용 점착 시트는 실리콘 반도체 다이싱용 점착 시트, 화합물 반도체 웨이퍼 다이싱용 점착 시트, 반도체 패키지 다이싱용 점착 시트, 유리 다이싱용 점착 시트 등으로서 사용할 수 있다.
종래부터 실리콘, 갈륨, 비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼는 대직경의 상태로 제조된 후, 소자 소편에 절단 분리(다이싱)되고, 또한 마운트 공정으로 옮겨진다. 이 때, 반도체 웨이퍼는 점착 시트에 첨부되어 유지된 상태로 다이싱 공정, 세정 공정, 익스팬드 공정, 픽업 공정, 마운트 공정의 각 공정이 실시된다. 상기 점착 시트로서는 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재상에 아크릴계 점착제가 1 내지 200μm 정도 도포되어 이루어진 것이 일반적으로 사용되고 있다.
상기 다이싱 공정에 있어서는 회전하면서 이동하는 둥근 칼에 의해서 웨이퍼의 절단이 실시되지만, 그 때 반도체 웨이퍼를 유지하는 다이싱용 점착 시트의 기재 내부까지 절단을 실시하는 풀 컷트라고 불리는 절단 방식이 주류를 이루고 있다. 그리고 풀컷트에 의한 절단 방법으로서는 점착 시트의 내부까지 절단이 실시되는 결과, 기재인 플라스틱 필름 자체가 실 형상이 된 절단 쓰레기가 발생한다. 이 실 형상 쓰레기가 칩(피절단체) 측면 등에 접착하면, 접착된 실 형상 쓰레기는 그대로 후 공정에서 마운트화되고, 밀봉되어 버려, 반도체 소자의 신뢰성을 현저히 저하시키는 원인이 된다는 문제가 있었다. 또한, 픽업 공정에서는 개개의 칩을 CCD 카메라로 인식하여 위치를 맞춘 후에 픽업이 실시되지만, 실 형상 쓰레기가 있다는 인식 에러를 일으킨다는 불량도 있다.
이러한 문제를 해결하기 위한 수단으로서, 예컨대, 기재로서 에틸렌-메타크릴레이트 공중합체를 사용한 점착 시트가 제안되어 있다(일본특허 공개공보 제 1993-156214호 참조). 그러나 이 점착 시트에서는 실 형상 쓰레기의 발생은 어느 정도 적어지지만, 이후, 고신뢰성 반도체 제조의 다이싱 공정에 견딜 수 있을 정도의 레벨을 만족하지 못했다. 또한 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 공정 시, 다이싱에서의 절단 부분보다 시트 기재가 찢어지기 쉬워, 대량의 익스팬드를 필요로 하는 공정에서는 안정적으로 사용하기 곤란하다.
또한, 기재 필름에 1 내지 80MRad의 전자선 또는 γ선 등의 방사선을 조사한 필름을 사용한 점착 시트가 제안되어 있다(일본특허 공개공보 제 1993-211234호 참조). 그러나 이 점착 시트에서는 방사선 조사에 의한 필름 손상이 커 외관적으로 양호한 필름이 수득되기 어렵고, 필름 제조에 있어서 막대한 비용이 들어, 품위면 및 가격면에서 바람직하지 못하다. 또한, 본 방법에 따르면, 필름이 잘 찢어지는 성질을 조장하기 때문에, 익스팬드가 필요한 다이싱용 점착 시트에 대해서는 특히 바람직하지 않다.
또한, 기재 필름으로서, 프로필렌 및 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 중합 성분으로서 함유하고, 또한 융점 피크 온도가 120℃ 이상인 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 사용한 점착 시트가 제안되어 있다(일본특허 공개공보 제 2003-7654호 참조). 이 점착 시트는 실 형상 쓰레기의 발생을 억제할 수 있다.
한편, 점착 시트를 사용한 다이싱 공정에서는 절단된 반도체 소자(웨이퍼)의 뒷면에 칩핑이라고 불리는 균열(크랙)이 발생한다는 문제가 있다. 최근, IC card 등의 보급에 따라, 반도체 소자의 박형화가 진행되고 있어서, 반도체 소자의 칩핑은 반도체 소자의 중대한 강도 저하를 초래하여, 그 신뢰성을 현저히 저하시킨다는 문제가 있고, 또한 수율을 저하시킨다. 그러나 상기 일본특허 공개공보 제 2003-7654호의 점착 시트는 익스팬드 공정에 있어서의 필름의 찢어짐과, 칩핑의 양자를 충분히 만족시킨다고는 할 수 없었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술에 따른 문제를 해결하고자 하는 것으로, 제품 품위의 저하 또는 비용적인 불이익이 없고, 다이싱시의 실 형상 쓰레기의 발생이 적고, 익스팬드 공정에 있어서도 필름이 찢어지지 않고, 또한 칩핑의 발생을 낮게 억제하는 다이싱용 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기 다이싱용 점착 시트를 사용한 다이싱 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 다이싱용 점착 시트를 사용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것, 상기 제조 방법에 의해 수득된 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 다이싱용 점착 시트를 구성하는 기재 필름에 관해서 예의 검토한 결과, 기재 필름으로서 특정한 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 사용한 다층 필름을 수득함으로써 상기 목적을 달성할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하는 데 이르렀다.
즉, 본 발명은 기재 필름상의 한 면 이상에 점착제층이 마련되어 이루어지는 다이싱용 점착 시트에 있어서,
상기 기재 필름이 2층 이상의 다층 필름이고,
상기 다층 필름의 2층 이상은 프로필렌을 중합 성분으로서 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머이고, 융점 피크 온도가 120 내지 170℃인 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하고 있고,
또한, 상기 2층 이상에 함유된 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 각각의 프로필렌 함유량이 다른 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다.
상기 본 발명의 다이싱용 점착 시트의 기재 필름은 다층 필름에 의해 구성되어 있고, 다층 필름의 2층 이상은 프로필렌을 중합 성분으로서 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머이고, 융점 피크 온도가 120 내지 170℃인 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하고 있다. 이러한 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 다이싱시에 기재 필름의 신장이 저하되어, 다이싱시의 실 형상 쓰레기의 발생을 억제한다. 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 융점 피크 온도는 바람직하게는 140℃ 이상, 더 바람직하게는 160℃ 이상이다. 융점 피크 온도는 일반적으로는 JIS K7121에 준거하여 시차 주사 열량계(DSC)로 측정된다.
또한 상기 다층 필름에 있어서, 2층 이상에 함유된 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 각각의 프로필렌 함유량이 다른 것이 사용된다. 프로필렌 함유량을 바꿈으로써, 각 층에는 다른 성질을 부여할 수 있다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 2층 이상의 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 다층 필름은 프로필렌 함유량이 적은 쪽의 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층이 점착제층 측이 되는 것이 바람직하다.
프로필렌 함유량이 상대적으로 적은 층은 다이싱의 컷팅이 실시되는 층으로 사용함으로써, 칩핑을 억제할 수 있다. 또한, 다이싱 후의 픽업성을 양호하게 할 수 있다. 한편, 프로필렌 함유량이 상대적으로 많은 층은 다이싱의 컷팅이 실시되지 않는 층으로서 사용함으로써, 익스팬드 공정에 있어서도 찢어짐에 대한 강도를 필름에 부여할 수 있다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 상기 2층 이상의 다층 필름의 1층 이상에 함유된 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 프로필렌 함유량은 45 내지 90몰%이고, 또한, 다른 1층 이상에 함유된 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 프로필렌 함유량은 65 내지 98몰%인 것이 바람직하다.
프로필렌 함유량이 45 내지 90몰%인 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층은 다이싱의 컷팅이 실시되는 층의 하나로서 사용하는 것이 바람직하다. 상기 층에 사용하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 프로필렌 함유량은 50 내지 85몰%이 바람직하고, 또한 55 내지 78몰%인 것이 바람직하다.
프로필렌 함유량이 65 내지 98몰%인 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하 는 층은 다이싱의 컷팅이 실시되지 않는 층의 하나로서 사용하는 것이 바람직하다. 상기 층에서 사용하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 프로필렌 함유량은 70 내지 96몰%가 바람직하고, 78 내지 96몰%인 것이 더 바람직하다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의, o-다이클로로벤젠을 용매로서 사용한 온도 0 내지 140℃ 사이의 온도 상승 용해 분별에 있어서의 0℃에서의 용출분은 전체 용출량에 대하여 10 내지 60중량%인 것이 바람직하다.
상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 0℃에서의 용출분의 전체 용출량에 대한 비율은 다이싱시의 실 형상 쓰레기의 발생을 억제하고, 또한 익스팬드성 또는 기재 필름의 점착제층과의 접착성을 만족할 수 있는 바람직한 범위이다. 0℃에서의 용출분의 비율이 적어지면, 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 성형하여 수득되는 기재 필름이 딱딱하고, 익스팬드시의 신장성이 나빠지는 등, 픽업도 실시하기 어려워지는 경향이 있다는 점에서, 상기 0℃에서의 용출분의 비율은 20중량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 0℃에서의 용출분의 비율이 많아지면, 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 성형하여 수득되는 기재 필름의 점착제층과의 접착성이 뒤떨어지는 경향이 있다는 점에서 상기 0℃에서의 용출분의 비율은 50중량% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 온도 상승 용해 분별(Temperature Rising Elution Fractionation: TREF)이란, 공지의 분석법이다. 원리적으로는 고온에서 폴리머를 용매에 완전히 용해시킨 후 냉각하여, 용액 중에 존재하는 불활성 담체의 표면에 엷은 폴리머층을 형성시킨다. 이 때, 결정화하기 쉬운 고결정성 성분으로부터, 결정화하기 어려운 저결정성 또는 비결정성 성분의 순서로 폴리머층이 형성된다. 계속해서, 연속 또는 단계적으로 승온시키면, 상기와 반대로, 저결정성 또는 비결정성 성분으로부터 용출하여, 최후에 고결정성 성분이 용출한다. 이 각 온도에서의 용출량과 용출 온도에 의해서 그려지는 용출 곡선으로부터 폴리머의 조성 분포를 분석하는 것이다.
측정 장치로서는 코로스 분별 장치(미쓰비시 화학(주) 제품, CFC?T150A)를 사용했다. 측정해야 할 샘플(올레핀계 열가소성 엘라스토머)을 용매(o-다이클로로벤젠)를 사용하여, 농도 30mg/ml이 되도록 140℃에서 용해하고, 이것을 측정 장치 내의 샘플 루프 내에 주입했다. 이하의 측정은 설정 조건에 따라 자동적으로 실시되었다. 샘플 루프 내에 유지된 시료 용액은 용해 온도차를 사용하여 분별하는 TREF 컬럼(불활성체인 유리 비즈가 충전된 내경 4mm, 길이 150mm의 장치 부속의 스테인레스 컬럼)에 0.4ml 주입되었다. 상기 샘플은 1℃/분의 속도로 140℃에서 0℃의 온도까지 냉각되고, 상기 불활성 담체로 코팅되었다. 이 때 고결정 성분(결정화하기 쉬운 것)으로부터 저결정 성분(결정화하기 어려운 것)의 순으로 불활성 담체 표면에 폴리머층이 형성된다. TREF 컬럼은 0℃에서 추가로 30분간 유지한 후, 하기와 같이 단계적으로 승온되어, 각각의 온도에 있어서 30분간 유지되면서, 그 온도에 있어서의 용출분이 측정되었다. 용출 온도(℃): 0, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 49, 52, 55, 58, 61, 64, 67, 70, 73, 76, 79, 82, 85, 88, 91, 94, 97, 100, 102, 120, 140.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 2층 이상이, 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50중량% 이상 함유하고 있는 것이 바람직하다.
기재 필름 중의 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 함유량은, 실 형상 쓰레기 발생 방지 효과로부터, 단층 필름 또는 다층 필름의 1층 이상이, 보통 50중량% 이상, 바람직하게는 80중량% 이상인 것이 바람직하다. 기재 필름을 다층으로 한 경우에는 예컨대, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하는 신장성이 낮은 층을 풀 컷트시에 둥근 칼의 컷팅이 실시되는 깊이까지의 적어도 일층(한층 더)에 마련함으로써 다이싱시의 실 형상 쓰레기의 발생을 방지할 수 있고, 다른 층에 익스팬드시에 필요한 신장성이 우수한 층을 마련함으로써, 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머가 포함하는 층의 낮은 신장성을 보충할 수 있다. 기타, 대전 방지성이 우수한 층 등의 기능층을 마련하여 다층화하여 대전 방지 성능 등의 추가 기능을 부가할 수도 있다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 점착제층의 두께는 1 내지 200μm인 경우에 효과적이다.
점착제층을 두껍게 하는 것은, 다이싱 중의 반도체 웨이퍼의 진동 등의 원인에 의해서, 다이싱 품위를 현저히 저하시켜, 비용적으로도 불리해지기 때문에 점착제층의 두께는 1 내지 200μm, 특히 바람직하게는 3 내지 50μm이 된다. 보통, 다이싱 공정으로서는 다이싱용 점착 시트에 대해 둥근 칼이 5 내지 230μm 정도의 컷팅, 절단을 실시하기 때문에, 점착제층이 그 컷팅 깊이 보다 얇고, 기재 필름까지 컷팅이 실시되어, 기재 필름에 의한 실 형상 쓰레기가 문제가 되는 경우에 본 발명의 다이싱용 점착 시트는 효과적으로 기능한다.
상기 다이싱용 점착 시트에 있어서, 점착제층은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
방사선 경화형 점착제층을 사용하면, 방사선을 조사함으로써 점착력을 저하시킬 수 있어서, 웨이퍼 등을 절단 분리한 후에, 웨이퍼 등으로부터의 점착 시트의 제거를 용이하게 할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 다이싱용 점착 시트를 피절단물에 붙인 후, 상기 점착 시트의 기재 필름까지 컷팅을 실시함으로써 피절단물을 다이싱하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은 상기 다이싱용 점착 시트를, 반도체 부품에 첨부한 후에 상기 점착 시트의 기재 필름까지 컷팅을 실시함으로써 다이싱을 실시하는 공정, 및 상기 점착 시트의 익스팬드 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 다이싱용 점착 시트를, 도 1을 참조하면서 구체적으로 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이 본 발명의 다이싱용 점착 시트(1)는 기재 필름(11)과, 상기 기재 필름(11)의 적어도 한 면에 마련된 점착제층(12)과, 또한 필요에 따라 점착층(12)과 접하고 기재 필름(11)과는 반대측 면에 붙여진 세퍼레이터(13)로 구성되어 있다. 도 1에서는 기재 필름(11)의 한 면에 점착제층(12)을 갖지만, 점착제층(12)은 기재 필름의 양면에 형성할 수도 있다. 기재 필름은 2층 이상 의 다층 필름이다. 도 1로서는 기재 필름(11)이 2층인 경우를 예시하고 있다. 다이싱측 기재층(11b)는 점착제층(12)의 측에 있어서, 다이싱시에 컷팅이 실시되는 층이 될 수 있다. 한편, 시트 배면측 기재층(11a)은 점착제층(12)과는 반대측에 있고, 다이싱시에 커팅이 실시되지 않는 층으로 할 수 있다. 다이싱용 점착 시트(1)는 시트를 감아 테이프 형상으로 실시할 수도 있다.
기재 필름(11)의 2층 이상은 프로필렌을 중합 성분으로서 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머이다. 올레핀계 열가소성 엘라스토머는, 보통 프로필렌 외에, 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 중합 성분으로서 함유한다. 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀으로서는 부텐-1, 3-메틸펜텐-1, 4-메틸펜텐-1, 헥센-1, 옥텐-1 등을 들 수 있다. 올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는 프로필렌과 에틸렌과의 공중합체가 바람직하다.
올레핀계 열가소성 엘라스토머를 구성하는 각 중합 성분의 비율은 올레핀계 열가소성 엘라스토머가 상기 융점 피크 온도, 온도 상승 용해 분별에 관계되는 요건을 만족하는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 프로필렌의 비율은 보통, 45 내지 98중량%의 범위로 조정되고, 이 범위에서 프로필렌 함유량이 다른 2종 이상의 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 사용하는 것이 바람직하다. 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀은 프로필렌의 비율을 뺀 잔량이다.
상술한 바와 같이, 1층 이상은 프로필렌 함유량이 45 내지 90몰%의 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층이고, 상기 층은 컷팅이 실시되는 측의 층으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 다른 1층 이상은 프로필렌 함유량이 65 내지 98몰% 의 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층이고, 상기 층은 컷팅이 실시되지 않는 측의 층으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 올레핀계 열가소성 엘라스토머는 상기 중합 성분을 함유하는 것이고, 상기 융점 피크 온도, 온도 상승 용해 분별에 관계된 조건을 만족하는 것이면 그 제조 방법은 제한되지 않는다. 예컨대, 1단계에서 프로필렌 단독 중합체 또는 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀과의 램덤 공중합체를 제조한 후, 둘째 단계 이후에서 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 기타 α-올레핀의 램덤 공중합체를 제조하는, 적어도 2단계 이상의 순차 중합 방법; 프로필렌 단독 중합체 또는 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀의 램덤 공중합체와, 에틸렌과 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀과의 램덤 공중합체, 또는 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8과 프로필렌과의 램덤 공중합체를 각각 별도로 중합한 것을 블렌드하는 제조 방법을 들 수 있다. 이들 방법으로서는 적어도 2단계 이상의 순차 중합 방법이 바람직하다.
이하, 이 순차 중합 방법에 관해서 상술한다. 순차 중합에 사용되는 촉매는 특별히 한정되지 않지만, 유기 알루미늄 화합물과, 티탄 원자, 마그네슘 원자, 할로겐 원자, 및 전자 공여성 화합물을 필수로 하는 고체 성분으로 이루어지는 것이 바람직하다.
여기서, 유기 알루미늄 화합물로서는 이 종의 중합이 공지된 화학식(Rl)mAlX(3-m)(상기 식에서, R1은 탄소수 1 내지 12의 탄화수소 잔기이고, X는 할로겐 원자를 나타내고, m은 1 내지 3의 정수이다.)로 표시되는 화합물, 예컨대, 트라이메틸알루미늄, 트라이에틸알루미늄 등의 트라이알킬알루미늄, 다이메틸알루미늄클로라이드, 다이에틸알루미늄클로라이드 등의 다이알킬알루미늄할라이드, 메틸알루미늄세스퀴클로라이드, 에틸알루미늄세스퀴클로라이드 등의 알킬알루미늄세스퀴할라이드, 메틸알루미늄다이클로라이드, 에틸알루미늄다이클로라이드 등의 알킬알루미늄다이할라이드, 다이에틸알루미늄하이드라이드 등의 알킬알루미늄하이드라이드 등을 들 수 있다.
또한 티탄 원자, 마그네슘 원자, 할로겐 원자, 및 전자 공여성 화합물을 필수로 하는 고체 성분으로서는, 또한 이 종류의 중합에 있어서 공지된 것을 사용할 수 있다. 티탄 원자의 공급원이 되는 티탄 화합물로서는 화학식: Ti(OR2)(4-n)Xn
(상기 식에서, R2는 탄소수 1 내지 10의 탄화수소 잔기이고, X는 할로겐 원자를 나타내고, n은 0 내지 4의 정수이다.)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 4염화티탄, 테트라에톡시티탄, 테트라부톡시티탄 등이 바람직하다. 마그네슘 원자의 공급원이 되는 마그네슘 화합물로서는 예컨대, 다이알킬마그네슘, 마그네슘다이할라이드, 다이알콕시마그네슘, 알콕시마그네슘할라이드 등을 들 수 있고, 특히 마그네슘다이할라이드 등이 바람직하다. 또한, 할로겐 원자로서는 불소, 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있다. 이들 할로겐 원자 중 염소가 바람직하다. 또한, 이들 할로겐 원자는 보통, 상기 티탄 화합물로부터 공급되지만, 알루미늄의 할로겐 화합물, 규소의 할로겐 화합물, 텅스텐의 할로겐 화합물 등의 기타 할로겐 공급원으로 부터 공급될 수도 있다.
전자 공여성 화합물로서는 알콜류, 페놀류, 케톤류, 알데하이드류, 카복실산류, 유기산 또는 무기산 및 그 유도체 등의 산소-함유 화합물, 암모니아, 아민류, 나이트릴류, 아이소사이아네이트류 등의 질소-함유 화합물을 들 수 있다. 특히 무기산 에스터, 유기산 에스터, 유기산 할라이드 등이 바람직하고, 규소에스터, 아세트산셀로솔브에스터, 프탈산할라이드 등이 더 바람직하고, 화학식: R3R4
(3-p)
Si(OR5)p(상기 식에서, R3는 탄소수 3 내지 20, 바람직하게는 4 내지 10의 분지쇄상 지방족 탄화수소 잔기 또는 탄소수 5 내지 20, 바람직하게는 6 내지 10의 환상 지방족 탄화수소 잔기를 나타내고, R4는 탄소수 1 내지 20, 바람직하게는 1 내지 10의 분지쇄 또는 직쇄상 지방족 탄화수소 잔기를 나타내고, p는 1 내지 3의 정수이다.)로 표시되는 유기 규소 화합물, 예컨대, t-뷰틸-메틸-다이에톡시실레인, 사이클로헥실-메틸-다이메톡시실레인, 사이클로헥실-메틸-다이에톡시실레인 등이 특히 바람직하다.
순차 중합법에 있어서, 제 1 단계에서는 프로필렌 또는 추가로 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 공급하고, 상기 촉매의 존재 하에 온도 50 내지 150℃, 바람직하게는 50 내지 100℃, 프로필렌의 분압 0.5 내지 4.5MPa, 바람직하게는 1 내지 3.5MPa의 조건에서 프로필렌 단독 중합체 등을 중합하고, 계속해서 제 2 단계에서 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀을 공급하고, 상기 촉매의 존재 하에 온도 50 내지 150℃, 바람직하게는 50 내지 100℃, 프로필 렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀의 분압 각각 0.3 내지 4.5MPa, 바람직하게는 0.5 내지 3.5MPa의 조건으로, 프로필렌과 에틸렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀 공중합체의 중합을 실시함으로써 이루어진다.
또한, 이 때의 중합은 회분식, 연속, 반회분식 중 어떤 것에 의할 수 있다. 또한, 제 1 단계의 중합은 기상 또는 액상 중에서 실시되고, 제 2 단계의 중합도 기상 또는 액상 중에서 실시된다. 단지, 각 단계는 기상 중에서 실시하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 각 단계의 체류 시간은 각각 0.5 내지 10시간, 바람직하게는 1 내지 5시간이다.
또한 상기 방법에 의해 제조되는 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 분체 입자에 끈적임 등의 문제가 생길 때는 분체 입자의 유동성을 부여할 목적으로, 제 1 단계에서의 중합 후, 제 2 단계에서의 중합 개시 전 또는 중합 도중에, 활성 수소 함유 화합물을 첨가하는 것이 바람직하다. 활성 수소 함유 화합물의 첨가량으로서는 촉매의 고체 성분 중의 티탄 원자에 대하여 100 내지 1000배 몰로, 또한, 촉매의 유기 알루미늄 화합물에 대하여 2 내지 5배몰의 범위가 바람직하다. 또한, 활성 수소 함유 화합물로서는 예컨대, 물, 알콜류, 페놀류, 알데하이드류, 카복실산류, 산아마이드류 암모니아, 아민류 등을 들 수 있다.
또한, 상기 방법에 의해 제조되는 올레핀계 열가소성 엘라스토머의, JIS K7210에 준거하여 온도 230℃, 하중 21.18N에서 측정한 멜트플로레이트(MFR)는 0.1 내지 50g/10분이고, JIS K7112에 준거하여 수중 치환법으로써 측정한 밀도는 0.87 내지 0.89g/cm3 정도이며, JIS K7203에 준거하여 온도 23℃에서 측정한 휨 탄성율은 600MPa 이하인 것이 된다.
올레핀계 열가소성 엘라스토머는 공지된 유기 퍼옥사이드 또는 추가로 2중 결합을 분자 내에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 갖는 가교제의 존재 하에서 동적으로 열처리하여 MFR을 조정할 수도 있다.
본 발명의 기재 필름(11)은 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하고 있는 층을 2층 이상 갖고 있다. 또한, 상기 2층 이상에 함유된 올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는 각각의 프로필렌 함유량이 다른 것을 사용하고 있다. 상기 각 층은 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층만으로 형성할 수 있다. 기타, 각 층은 필요에 따라 다른 플라스틱 수지 또는 엘라스토머와의 혼합체로 이루어지는 층으로 실시할 수도 있다. 이러한 플라스틱 수지 또는 엘라스토머로서는 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리부텐 등의 공지된 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리염화바이닐, 폴리우레탄, 폴리 스티렌, 스타이렌계 엘라스토머, 에틸렌과 프로필렌 및/또는 탄소수 4 내지 8의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌-프렌-α올레핀 공중합체(고무) 등의 통상의 플라스틱 또는 엘라스토머 시트용 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 기재 필름 중의 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 함유량은 실 형상 쓰레기 발생 방지 효과로부터, 통상, 50중량% 이상, 바람직하게는 80중량% 이상이 바람직하다. 또한, 본 발명의 기재 필름은 상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층을 2층 이상 함유하고 있으면, 다 른 플라스틱 수지 또는 엘라스토머에 의해 형성되는 층을 추가로 마련할 수도 있다.
또한, 기재 필름(11) 중에는 광유 등의 연화제, 탄산칼슘, 실리카, 활석, 운도, 점토 등의 충전재, 산화 방지제, 광 안정제, 대전 방지제, 윤활제, 분산제, 중화제, α-정핵제, β-정핵제 등의 각종 첨가제가 필요에 따라 배합될 수도 있다.
본 발명의 기재 필름(11)은 2층 필름 또는 3층 이상의 다층 필름이며, 다층 공압출법 등의 통상적인 방법에 따라 제작할 수 있다. 또한, 드라이 라미네이트법 등의 관용의 필름 적층법에 의해 제조할 수 있다.
기재 필름(11)의 두께는 보통 10 내지 300μm, 바람직하게는 30 내지 200μm 정도이다. 기재 필름(다층 필름)(11)에 있어서, 각 층의 두께는 다이싱시에 둥근 칼이 도달한다고 상정되는 범위를 고려하여 적당히 결정된다. 보통, 점착제층(12)이 접하는 표면에서 다이싱시에 둥근 칼은 150μm 정도까지 도달한다고 상정된다. 따라서, 보통, 다이싱시에 둥근 칼이 도달한다고 상정되는 층(도 1에서는 층11b)의 두께, 즉, 바람직하게는 프로필렌 함유량이 적은 쪽의 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층의 두께는 10 내지 150μm 정도, 바람직하게는 20 내지 120μm의 범위로 조정된다. 한편, 다이싱시에 둥근 칼이 그 정도로 깊게 도달하지 않으면 상정되는 층(도 1에서는 층11a)의 두께, 즉, 프로필렌 함유량이 많은 쪽의 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하고 있는 층의 두께가 20 내지 150μm 정도, 바람직하게는 30 내지 100μm의 범위로 조정된다.
또한, 수득된 기재 필름(11)은 필요에 따라 1축 또는 2축 연신 처리를 실시 할 수도 있다. 연신 처리를 실시하는 경우에는 60 내지 100℃ 정도로 실시하는 것이 바람직하다. 이렇게 하여 제막된 기재 필름은 필요에 따라 매트 처리, 코로나 방전 처리, 프라이머 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 실시할 수 있다.
점착제층(12)은 공지 내지 관용의 점착제를 사용할 수 있다. 이러한 점착제는 전혀 제한되지 않지만, 예컨대 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에터계 등의 각종 점착제가 사용된다.
상기 점착제로서는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 아크릴계 점착제 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머는 보통 (메트)아크릴산알킬의 중합체 또는 공중합성 단량체와의 공중합체가 사용된다. 아크릴계 폴리머의 주요 단량체로서는 그 호모 폴리머의 유리 전이 온도가 20℃ 이하인 (메트)아크릴산알킬이 바람직하다.
(메트)아크릴산알킬의 알킬기로서는 예컨대, 메틸기, 에틸기, 뷰틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소노닐기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 공중합성 단량체로서는 (메트)아크릴산의 하이드록시알킬에스터(예컨대, 하이드록시에틸에스터, 하이드록시뷰틸에스터, 하이드록시헥실에스터 등), (메트)아크릴산글리시딜에스터, (메트)아크릴산, 이타콘산, 무수말레산, (메트)아크릴산아마이드, (메트)아크릴산N-하이드록시메틸아마이드, (메트)아크릴산알킬아미노알킬, (예컨대, 다이메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-뷰틸아미노에틸메타크릴레이트 등), 아세트산바이닐, 스타이렌, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다.
또한, 점착제로서는 자외선, 전자선 등에 의해 경화하는 방사선 경화형 점착 제나 가열 발포형 점착제를 사용할 수도 있다. 또한, 다이싱?다이본드 겸용 가능한 점착제일 수도 있다. 본 발명에 있어서는 방사선 경화형 점착제, 특히 자외선 경화형 점착제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제로서 방사선 경화형 점착제를 사용하는 경우에는 다이싱 공정 전 또는 후에 점착제에 방사선이 조사되기 때문에 상기 기재 필름은 충분한 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
방사선 경화형 점착제는 예컨대, 상기 베이스 폴리머(아크릴계 폴리머)와, 방사선 경화 성분을 함유하여 이루어진다. 방사선 경화 성분은 분자 중에 탄소-탄소 2중 결합을 갖고, 라디칼 중합에 의해 경화 가능한 단량체, 올리고머 또는 폴리머를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화 성분으로서는 예컨대, 트라이메틸올프로판트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨트라이(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산다이올다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜다이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리쓰리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가알콜과의 에스터화물; 에스터아크릴레이트 올리고머; 2-프로펜일-다이-3-뷰텐일시아누레이트, 2-하이드록시에틸비스(2-아크릴옥시에틸)아이소사이아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)아이소사이아누레이트 등의 아이소사이아누레이트 또는 아이소사이아누레이트 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 방사선 경화형 점착제의 베이스 폴리머(아크릴계 폴리머)로서는 폴리머 측쇄에 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 방사선 경화형 폴리머를 사용할 수도 있다. 이 경우에 있어서는 특별히 상기 방사선 경화 성분을 첨가할 필요는 없다.
방사선 경화형 점착제를 자외선에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제 가 필요하다. 중합 개시제로서는 예컨대, 벤조일메틸에터, 벤조인프로필에터, 벤조인아이소부틸에터 등의 벤조인알킬에터류; 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류; 벤질다이메틸케탈 등의 방향족 케탈류; 폴리바이닐벤조페논; 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 다이메틸티오크산톤, 다이에틸티오크산톤 등의 티오크산톤류 등을 들 수 있다.
상기 점착제에는 또한 필요에 따라, 가교제, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제 등의 관용의 첨가제를 함유시킬 수 있다. 가교제로서는 예컨대, 폴리아이소사이아네이트 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 아지리딘 화합물, 에폭시 수지, 무수화물, 폴리아민, 카복실기 함유 폴리머 등을 들 수 있다.
본 발명의 다이싱용 점착 시트(1)는 예컨대, 기재 필름(11)의 표면에, 점착제를 도포하여 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층(12)을 형성하고, 필요에 따라 이 점착제층(12)의 표면에 세퍼레이터(13)를 접착함으로써 제조할 수 있다. 또한, 별도, 세퍼레이터(13)에 점착제층(12)을 형성한 후, 이들을 기재 필름(11)에 접착하는 방법 등을 채용할 수 있다.
점착제층(12)의 두께는 점착제의 종류, 또는 다이싱 컷팅 깊이에 의해 보다 적절히 결정할 수 있다. 상기 점착제층(12)의 두께는 보통 1 내지 200μm, 바람직하게는 3 내지 50μm 정도이다.
세퍼레이터(13)는 라벨 가공을 위해, 또는 점착제층(12)을 평활하게 하는 목적을 위해, 필요에 따라 마련된다. 세퍼레이터(13)의 구성 재료로서는 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(13)의 표면에는 점착제층(12)으로부터의 박리성을 높이기 위해 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시될 수도 있다. 또한, 강성을 높이는 등의 목적에 따라, 1축 또는 2축 연신 처리 또는 다른 플라스틱 필름 등으로 적층을 실시할 수도 있다. 세퍼레이터의 두께는 보통 10 내지 200μm, 바람직하게는 25 내지 100μm정도이다.
실시예
이하, 실시예에 따라 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되지 않는다.
실시예 1
(기재 필름의 제작)
미쓰비시 화학(주) 제품인 「상품명: 제라스 5053」와 미쓰비시 화학 (주) 제품인 「상품명: 제라스 7053」을 (주)푸라코사 제품인 2종 2층 T다이 성형기(설정 온도 230℃)에 공급하여 제막했다. 이에 의해, 두께 100μm(층비= 50:50), 폭 29cm의 2층 기재 필름을 제작했다.
미쓰비시 화학 (주) 제품인 「상품명: 제라스 5053」는 프로필렌 성분 72.5몰% 및 에틸렌 성분 17.5몰%의 올레핀계 열가소성 엘라스토머이고, o-다이클로로벤젠을 용매로서 사용한, 온도 0 내지 140℃ 사이의 온도 상승 용해 분별에 있어서의 0℃에서의 용출분이 전체 용출량에 대하여 41.7중량%이고, 융점 피크 온도가 164℃이고, 밀도가 0.88g/cm3이고, MFR(230℃, 21.18N)이 6.8g/10분이다.
한편, 미쓰비시 화학 (주) 제품인 「상품명: 제라스 7053」는 프로필렌 성분 86.0몰% 및 에틸렌 성분 14.0몰%의 올레핀계 열가소성 엘라스토머이며, o-다이클로로벤젠을 용매로서 사용한, 온도 0 내지 140℃ 사이의 온도 상승 용해 분별에 있어서의 0℃에서의 용출분이 전체 용출량에 대하여 21.5중량%이고, 융점 피크 온도가 164℃이고, 밀도가 0.89g/cm3이고, MFR(230℃, 21.18N)이 7.0g/10분이다.
(점착제의 조제)
아크릴산뷰틸 95중량부 및 아크릴산 5중량부를 톨루엔 속에서 통상적인 방법에 의해 공중합시켜 수득된 중량 평균 분자량 500,000의 아크릴계 공중합체를 함유하는 용액에, 다이펜타에리쓰리톨헥사아크릴레이트(상품명 「카야랏드 DPHA」, 니혼화약 (주) 제품) 60중량부, 광중합 개시제(상품명 「일가큐아 184」, 치바?스페셜티?케미컬사 제품) 3중량부, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「콜로네이트L」, 일본 폴리 우레탄 (주) 제품) 5중량부를 첨가하여, 아크릴계 자외선 경화형 점착제 용액을 조제했다.
(다이싱용 점착 시트의 제작)
상기에서 조제한 점착제 용액을, 상기에서 수득된 기재 필름의 코로나 처리면상에 도포하고, 80℃에서 10분간 가열 가교하여, 두께 20μm의 자외선 경화형 점착제층을 형성했다. 또한, 점착제층의 형성은 미쓰비시 화학 (주) 제품인 「상품명: 제라스 5053」에 의해 형성된 층측에 실시했다. 계속해서, 상기 점착제층면에 세퍼레이터를 접착하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
비교예 1
실시예 1의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(스미토모 화학 (주) 제품, 상품명 아크리프트 WD201)를 T다이 성형기에 의해 두께 100μm이 되도록 제막한 필름을 사용한 점 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱용 점착 시트를 제작했다. 또한, 에틸렌-메타크릴산 공중합체의 융점 피크 온도는 100℃이고, 밀도는 0.93g/cm3, MFR(190℃, 21.18N) 2.0g/10분이다.
비교예 2
실시예 1의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서, 미쓰비시 화학 (주) 제품인 「상품명: 제라스 5053」을 T다이 성형기에 의해 단층으로 두께 100μm가 되도록 제막한 필름을 사용한 점 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
비교예 3
실시예 1의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서, 미쓰비시 화학 (주) 제품인 「상품명: 제라스 7053」을 T다이 성형기에 의해 단층으로 두께 100μm이 되도록 제막한 필름을 사용한 점 외에는 실시예 1와 동일하게 하여 다이싱용 점착 시트를 제작했다.
비교예 4
실시예 1의 다이싱용 점착 시트의 제작에 있어서, 기재 필름으로서, 미쓰비 시 화학 (주) 제품인 「상품명: 제라스 5053」과 스미토모 화학 (주) 제품인 「상품명 아크리프트 WM 305)를 2종 2층 T다이 성형기(설정 온도 230℃)에 공급하여, 두께 100μm(층 비= 50:50)이 되도록 제막한 2층 기재 필름을 사용한 점 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱용 점착 시트를 제작했다. 또한, 점착제층의 형성은 제라스 5053에 의해 형성된 층 측에 실시했다.
(평가 시험)
실시예 및 각 비교예에서 수득된 다이싱용 점착 시트를 하기의 방법에 의해 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(피쉬 아이)
실시예 및 각 비교예에 있어서, 다이싱용 점착 시트를 30m 제작하고, 육안으로 직경 1mm 이상의 피쉬 아이의 개수를 계측했다. 표 1에는 1m2 당 개수를 나타낸다.
(칩핑 평가)
실시예 및 각 비교예에서 수득된 다이싱용 점착 시트에, 이면이 백 그라인드(#2000 마무리)된 두께 150μm의 6인치 웨이퍼를 마운트했다. 그 후, 이하의 조건에 의해, 다이싱용 점착 시트가 부착된 웨이퍼를 23℃(실온)에서 다이싱했다. 다이싱 후, 시트 이면으로부터 자외선을 조사(500mJ/cm2)하고, 계속해서 임의의 반도체칩 50개를 픽업(박리)했다. 계속해서, 반도체칩 측면의 칩핑의 칩 두께 방향의 깊이를 광학 현미경(200배)으로 관찰하고, 그 크기마다 칩핑수(개수)를 카운트했 다.
(수율)
칩핑 평가를 실시한 임의의 반도체칩 50개에 관해서, 칩핑 사이즈가 50μm 이상이 아닌 것의 비율을 수율(%)로 했다.
<다이싱 조건>
다이싱 장치: DISCO사 제품, DFD-651
블레이드: DISCO사 제품, 27HECC
블레이드 회전수: 40000rpm
다이싱 속도: 120mm/sec
다이싱 깊이: 25μm
컷트 모드: 다운 컷트
다이싱 사이즈: 2.5× 2.5mm
(익스팬드 평가)
실시예 및 각 비교예에서 수득된 다이싱용 점착 시트에, 이면이 백 그라인드(#2000 마무리)된 두께 150μm의 6인치 웨이퍼를 마운트했다. 그 후, NEC 머시너리(주) 제품인 CPS-100를 사용하여, 끌어내림량 15mm의 익스팬드를 실시하고, 그 상태(익스팬드)로 필름의 찢어짐 유무를 육안으로 관찰했다.
(실 형상 쓰레기)
상기 다이싱 조건에 의해 절단된 웨이퍼 표면을 광학 현미경으로 관찰했다. 웨이퍼 중앙부의 다이싱 라인을 세로와 가로 각 1개에 관해서 관찰하여, 확인된 실 형상 쓰레기를 카운트했다.
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예의 다이싱용 점착 시트에서는 피쉬 아이(실 형상 쓰레기의 발생)가 관찰되지 않는다. 또한, 칩핑 사이즈 50μm 이상의 발생은 매우 적어 수율이 양호하고, 익스팬드 공정에 있어서도 필름이 찢어지지 않는다는 점이 관찰된다. 한편, 비교예 1, 3 및 4에서는 칩핑 사이즈 50μm 이상의 발생이 많고, 수율이 양호하지 않다. 비교예 2에서는 익스팬드일 때에 필름이 찢어져서, 익스팬드를 필요로 하는 공정에서는 사용할 수 없었다.
Claims (9)
- 기재 필름상의 한 면 이상에 점착제층이 설치되어 이루어지는 다이싱용 점착 시트에 있어서,상기 기재 필름이 2층 이상의 다층 필름이고,상기 다층 필름의 2층 이상이 프로필렌을 중합 성분으로서 함유하는 올레핀계 열가소성 엘라스토머이고, 융점 피크 온도가 120 내지 170℃인 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하고,또한, 상기 2층 이상의 다층 필름의 1층 이상에 함유된 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 프로필렌 함유량이 45 내지 90몰%이고, 다른 1층 이상에 함유된 올레핀계 열가소성 엘라스토머가 프로필렌 함유량이 65 내지 98몰%이며, 프로필렌 함유량이 적은 쪽의 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 층이 점착제층 측에 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머의 o-다이클로로벤젠을 용매로서 사용한 온도 0 내지 140℃ 사이의 온도 상승 용해 분별에 있어서의 0℃에서의 용출분이 전체 용출량에 대하여 10 내지 60중량%인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
- 제 1 항에 있어서,상기 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 함유하는 2층 이상이, 올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50중량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
- 제 1 항에 있어서,점착제층의 두께가 1 내지 200μm인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
- 제 1 항에 있어서,점착제층이 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
- 제 1 항에 따른 다이싱용 점착 시트를, 피절단물에 붙인 후, 상기 점착 시트의 기재 필름까지 컷팅을 실시함으로써 피절단물을 다이싱하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
- 제 1 항에 따른 다이싱용 점착 시트를, 반도체 부품에 붙인 후에 상기 점착 시트의 기재 필름까지 컷팅을 실시함으로써 다이싱을 실시하는 공정, 및 상기 점착 시트의익스팬드 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
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JP5441459B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-03-12 | グンゼ株式会社 | バックグラインドフィルム及びその製造方法 |
JP5441458B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-03-12 | グンゼ株式会社 | バックグラインドフィルム及びその製造方法 |
JP5519189B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2014-06-11 | 日東電工株式会社 | 電子部品のダイシング用粘着シート |
JP2011018669A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Nitto Denko Corp | 半導体ウェハダイシング用粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体ウェハのダイシング方法 |
JP5412359B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | 積層フィルムおよび粘着テープ |
JP5210346B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2013-06-12 | 電気化学工業株式会社 | 粘着シート及び電子部品の製造方法 |
JP5363662B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-12-11 | リンテック株式会社 | 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法 |
JP5019656B1 (ja) * | 2011-10-21 | 2012-09-05 | 古河電気工業株式会社 | 半導体デバイス用ダイシング加工用粘着テープ |
JP6129629B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2017-05-17 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法 |
JP6264865B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-01-24 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングフィルム |
JP2016162787A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルム |
JP6539336B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2019-07-03 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 |
KR102476430B1 (ko) * | 2015-12-08 | 2022-12-09 | 린텍 가부시키가이샤 | 다이싱 시트 및 다이싱 시트의 제조 방법 |
CN111128879A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-08 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 晶圆及其切割方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57190064A (en) | 1981-05-19 | 1982-11-22 | Toray Ind Inc | Adhesive tape |
KR20030004077A (ko) * | 2001-06-27 | 2003-01-14 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱용 점착 시트 |
JP2003013019A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
JP2003257894A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106618B2 (ja) * | 1991-05-17 | 1995-11-15 | アキレス株式会社 | 多層シート状物 |
JP2545170B2 (ja) * | 1991-12-05 | 1996-10-16 | リンテック株式会社 | ウェハ貼着用粘着シ―トおよびウェハダイシング方法 |
JPH08283671A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-10-29 | Nitto Denko Corp | 表面保護用接着フィルム |
DE69914418T2 (de) * | 1998-08-10 | 2004-12-02 | Lintec Corp. | Dicing tape und Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe |
US6713166B2 (en) * | 2000-09-28 | 2004-03-30 | Gunze Co., Ltd. | Laminating film and laminate |
JP4578050B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2010-11-10 | グンゼ株式会社 | ウェハダイシングテープ用基材 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57190064A (en) | 1981-05-19 | 1982-11-22 | Toray Ind Inc | Adhesive tape |
KR20030004077A (ko) * | 2001-06-27 | 2003-01-14 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱용 점착 시트 |
JP2003013019A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
JP2003257894A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
Also Published As
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