JP2001072947A - ダイシング用粘着シート - Google Patents

ダイシング用粘着シート

Info

Publication number
JP2001072947A
JP2001072947A JP25235199A JP25235199A JP2001072947A JP 2001072947 A JP2001072947 A JP 2001072947A JP 25235199 A JP25235199 A JP 25235199A JP 25235199 A JP25235199 A JP 25235199A JP 2001072947 A JP2001072947 A JP 2001072947A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensitive adhesive
pressure
dicing
polymer
adhesive sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP25235199A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3340979B2 (ja
Inventor
Masashi Yamamoto
昌司 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17236091&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2001072947(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP25235199A priority Critical patent/JP3340979B2/ja
Priority to MYPI20003848 priority patent/MY127020A/en
Priority to US09/642,664 priority patent/US6506490B1/en
Priority to SG200004831A priority patent/SG83813A1/en
Priority to EP00119206A priority patent/EP1081758B1/en
Priority to DE60045502T priority patent/DE60045502D1/de
Publication of JP2001072947A publication Critical patent/JP2001072947A/ja
Publication of JP3340979B2 publication Critical patent/JP3340979B2/ja
Application granted granted Critical
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241Polyolefin, e.g.rubber
    • C09J7/243Ethylene or propylene polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00Presence of (meth)acrylic polymer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/274Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848Three or more layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製品品位の低下やコスト的不利益を被ること
なく、ダイシング時の糸状屑の発生を防止できるダイシ
ング用粘着シートを提供する。 【解決手段】 本発明のダイシング用粘着シートは、基
材フィルム上に被切断体を貼着固定するための粘着剤層
が設けられており、前記基材フィルムが単層又は多層構
造を有し、且つ該基材フィルムのうち少なくとも前記粘
着剤層に接する層が2種以上のポリマーからなる半相溶
系又は非相溶系のポリマーブレンドで構成されている。
ポリマーブレンドを構成するポリマーの少なくとも1種
が結晶化度40%以上の高結晶性オレフィン系樹脂であ
って、且つそのポリマーの構成比率が1〜50重量%で
あってもよい。また、ポリマーブレンドを構成するポリ
マーの少なくとも1種が結晶化度40%未満の低結晶性
オレフィン系樹脂であって、且つそのポリマーの構成比
率が50〜99重量%であってもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハなど
を素子小片に切断分離(ダイシング)する際に、該半導
体ウエハ等の被切断体を固定するために用いるダイシン
グ用粘着シートに関する。
【0002】
【従来の技術】シリコン、ガリウム、砒素などの半導体
ウエハは大径の状態で製造された後、素子小片に切断分
離(ダイシング)され、さらにマウント工程に移され
る。この際、半導体ウエハは粘着シートに貼付けされた
状態でダイシング、洗浄、エキスパンディング、ピック
アップ、マウンティングの各工程が加えられる。半導体
ウエハのダイシング工程からピックアップ工程に至る工
程では、プラスチックフィルムからなる基材上に粘着剤
が塗布されてなる粘着シートが用いられてきた。
【0003】前記ダイシング工程では、回転する丸刃に
よってウエハを切断するが、その際にウエハを保持する
粘着シート内部まで切込を行うフルカットと呼ばれる切
断方法が主流となってきている。フルカットではシート
内部まで切込が行われているため、プラスチックフィル
ム自身がその摩擦熱により溶融状態となり、ダイシング
後のダイシングライン上にプラスチックフィルム自身の
糸状屑が発生する。この糸状屑がチップ側面などに付着
すると、そのまま後工程においてマウント、封止されて
しまい、半導体素子の信頼性を著しく低下させるといっ
た問題があった。
【0004】このような問題を解決する手段として、例
えば、特開平5−156214号公報には、基材として
エチレン−メタクリレート共重合体を用いる方法が提案
されている。しかし、この方法では、糸状屑の発生は多
少少なくなるものの、今後求められる高信頼性半導体の
ダイシングに耐え得るレベルではなく、不十分である。
また、特開平5−211234号公報では、基材フィル
ムに1〜80Mradの電子線又はγ線等の放射線を照
射したフィルムを用いる方法が提案されている。しか
し、この方法では、放射線照射によるフィルムダメージ
が大きく、外観的に良好なフィルムが得られにくい上、
フィルム製造において多大なコストがかかり、品位面及
び価格面で好ましくない。さらに、特開平11−436
56号公報では、無延伸ポリプロピレン層上に粘着加工
を施した粘着シートが提案されているが、無延伸ポリプ
ロピレンではエキスパンドの際に基材が裂け易いため、
基材が裂けないような限定されたエキスパンド条件内で
しか使うことができず、一般的には十分な方法とは言い
難い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
従来技術に伴う問題を解決しようとするものであり、そ
の目的は、製品品位の低下やコスト的不利益を被ること
なく、ダイシング時の糸状屑の発生を防止できるダイシ
ング用粘着シートを提供することにある。本発明の他の
目的は、ダイシング時の糸状屑の発生を防止できるとと
もに、様々なエキスパンド条件に十分対応できるだけの
柔軟性を兼ね備えたダイシング用粘着シートを提供する
ことにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記目的を達
成するために鋭意検討した結果、基材フィルムを2種以
上のポリマーからなる特定のポリマーブレンドで構成す
ることにより、ダイシング時の糸状屑の発生を防止でき
ることを見出し、本発明を完成した。
【0007】すなわち、本発明は、基材フィルム上に被
切断体を貼着固定するための粘着剤層が設けられたダイ
シング用粘着シートであって、前記基材フィルムが単層
又は多層構造を有し、且つ該基材フィルムの少なくとも
前記粘着剤層に接する層が2種以上のポリマーからなる
半相溶系又は非相溶系のポリマーブレンドで構成されて
いるダイシング用粘着シート(以下、「粘着シート1」
と称することがある)を提供する。
【0008】前記粘着シート1において、ポリマーブレ
ンドを構成するポリマーの少なくとも1種が結晶化度4
0%以上の高結晶性オレフィン系樹脂であり、且つその
ポリマーの構成比率が1〜50重量%であってもよい。
また、ポリマーブレンドを構成するポリマーの少なくと
も1種が結晶化度40%未満の低結晶性オレフィン系樹
脂であり、且つそのポリマーの構成比率が50〜99重
量%であってもよい。
【0009】本発明は、また、基材フィルム上に被切断
体を貼着固定するための粘着剤層が設けられたダイシン
グ用粘着シートであって、前記基材フィルムが単層又は
多層構造を有し、且つ該基材フィルムの少なくとも前記
粘着剤層に接する層が、結晶化度40%未満の低結晶性
ポリマーと結晶化度40%以上の高結晶性ポリマーとの
ポリマーブレンドで構成されているダイシング用粘着シ
ート(以下、「粘着シート2」と称することがある)を
提供する。
【0010】前記粘着シート2において、ポリマーブレ
ンド中の低結晶性ポリマーの含有量が50〜99重量%
であり、高結晶性ポリマーの含有量が1〜50重量%で
あってもよい。また、前記粘着シート1又は2におい
て、粘着剤層は、例えば放射線硬化型粘着剤層であって
もよい。
【0011】なお、ダイシング時の糸状屑の発生メカニ
ズムは、概ね次の通りであることが推定されている。す
なわち、ウエハなどのダイシングにおいては、通常3
0,000rpm以上の高速で回転するブレード(丸
刃)により、ウエハがテープ(粘着シート)の表層部と
ともにダイシングされる。その際、図1に見られるよう
に、高速回転するブレードによって基材フィルム表層部
が摩擦熱で溶融状態になり切断されるため、溶融状態の
基材樹脂がブレードに巻上げられ、その後ダイシング装
置の切削冷却水で該溶融樹脂が冷却固化し、糸状屑が生
成するものと考えられる。
【0012】本発明によれば、上記のように基材フィル
ムが特定のポリマーブレンドで構成されているので、基
材樹脂が溶融状態となっても、溶融樹脂が巻き上がる際
に、互いのポリマーの結合力の弱さ、又は溶融粘度、融
点の違いなどの理由から、2種以上のポリマー間で分離
し易く、ミクロな小間切れ状態となり、糸状屑の発生が
顕著に抑制される。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、必要に応じて図
面を参照しつつ詳細に説明する。本発明のダイシング用
粘着シートは、基材フィルムと、該基材フィルムの少な
くとも一方の面に設けられた粘着剤層と、更に必要に応
じて、該粘着剤層と接し、基材とは反対側に貼付された
セパレータとで構成されている。図2は本発明のダイシ
ング用粘着シートの一例を示す概略断面図であり、11
は基材フィルム、12は粘着剤層、13はセパレータを
示す。
【0014】基材フィルム11は2種以上のポリマーか
らなるポリマーブレンドで構成されている。ポリマーブ
レンドの分散形態(相溶状態)は、(相図を形成する)
半相溶系ポリマーブレンド又は非相溶系ポリマーブレン
ドの何れであってもよい。例えば、SEM又はTEM
で、必要に応じて染色等の前処理をして観察した際に、
複数のポリマー間に適度なミクロ分散もしくは相分離が
観察される状態が好ましい。本発明において特に好まし
いポリマーブレンドは非相溶系ポリマーブレンドであ
る。
【0015】基材フィルム11は、ダイシング後のエキ
スパンドに耐え得る柔軟性を有していることが好まし
く、そのため、ポリマーブレンドを構成するポリマーの
少なくとも1種類(以下、ポリマーAと略称する場合が
ある)は、例えば低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリ
エチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共
重合ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、
アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重
合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダ
ム、交互)共重合体、及びこれらの架橋体などの軟質ポ
リマー(特に、軟質オレフィン系樹脂)であるのが好ま
しい。該ポリマーAの赤外二色法により求めた結晶化度
は、柔軟性を考慮すると40%未満がよく、さらに好ま
しくは35%未満である。また、該ポリマーAのポリマ
ーブレンド全体に対する割合は、好ましくは50重量%
以上(例えば、50〜99重量%)、さらに好ましくは
60重量%以上(例えば、60〜95重量%)である。
【0016】また、前記ポリマーブレンドを構成するポ
リマーの他の1種類は、前記ポリマーAと共に半相溶系
又は非相溶系のポリマーブレンドを形成可能なポリマー
(以下、ポリマーBと略称する場合がある)であれば特
に限定されないが、その代表的な例として、例えば、中
密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ホモポリプロ
ピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどの硬質ポ
リマー(特に、硬質オレフィン系樹脂)が挙げられる。
このポリマーBの結晶化度(赤外二色法)は40%以上
が好ましく、さらに好ましくは45%以上である。ま
た、ポリマーBのポリマーブレンド全体に対する割合
は、エキスパンド性を損なわない範囲で適宜選択でき、
好ましくは50重量%以下(例えば、1〜50重量
%)、さらに好ましくは40重量%以下(例えば、5〜
40重量%)である。糸状屑防止効果を高める上では、
ポリマーAとポリマーBの融点の差が15℃以上ある方
が好ましい。
【0017】なお、前記ポリマーブレンドが、結晶化度
40%未満の低結晶性ポリマー(低結晶性オレフィン系
樹脂等)と結晶化度40%以上の高結晶性ポリマー(高
結晶性オレフィン系樹脂等)とからなる場合(粘着シー
ト2の場合)には、該ポリマーブレンドは必ずしも半相
溶系又は非相溶系である必要はなく、相溶系であっても
よい。この場合には相溶状態の如何に拘わらず糸状屑の
発生を抑制できる。
【0018】基材フィルム11の厚みは、通常10〜3
00μm、好ましくは30〜200μm程度である。基
材フィルム11は、従来より公知の製膜方法により製膜
できる。例えば、基材フィルム11を構成すべき2以上
のポリマーをブレンドした後、押出成形等することによ
り基材フィルム11を製造できる。ポリマーのブレンド
方法としては、従来より知られる、加熱されたキシレン
などの溶媒中での湿式攪拌による方法、2軸押出機など
を用いた混練による方法、ブレンダーもしくはミキサー
を使った乾式混合による方法など様々な方法が適用でき
る。押出方法としては、公知の方法、例えば、湿式キャ
スティング法、インフレーション押出法、Tダイ押出法
などが利用できる。
【0019】基材フィルム11は単層又は多層フィルム
の何れであってもよい。多層フィルムの場合には、少な
くとも表層部(粘着剤層に接する層)が前記のようなポ
リマーブレンドで構成されていればよい。前記多層フィ
ルムは、共押出法、ドライラミネート法などの慣用のフ
ィルム積層法により製造できる。
【0020】基材フィルム11には、必要に応じて一軸
又は二軸の延伸処理を施してもよい。また、基材フィル
ム11の表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放
電処理、プライマー処理などの慣用の物理的又は化学的
処理を施すことができる。なお、粘着剤層12が紫外線
等の放射線硬化型粘着剤からなる場合には、ダイシング
工程の前又は後に粘着剤層12に放射線を照射するた
め、基材フィルム11は十分な放射線透過性を有してい
る必要がある。
【0021】粘着剤層12は、公知乃至慣用の粘着剤組
成物で構成できる。このような粘着剤としては、何ら限
定されるものではないが、例えばゴム系、アクリル系、
シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の粘着剤が用い
られる。また、粘着剤として、放射線硬化型や加熱発泡
型の粘着剤を用いることもできる。さらに、ダイシング
・ダイボンディング兼用可能な粘着剤であってもよい。
本発明においては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いるこ
とが好ましい。
【0022】前記粘着剤のうちアクリル系粘着剤として
は、通常、(メタ)アクリル酸エステルの単独重合体又
は共重合性コモノマーとの共重合体が用いられる。これ
らの共重合体を構成するモノマー又はコモノマーとし
て、例えば、(メタ)アクリル酸のアルキルエステル
(例えば、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエ
ステル、2−エチルヘキシルエステル、オクチルエステ
ル、イソノニルエステル等)、(メタ)アクリル酸のヒ
ドロキシアルキルエステル(例えば、ヒドロキシエチル
エステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキ
シルエステル等)、(メタ)アクリル酸グリシジルエス
テル、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン
酸、(メタ)アクリル酸アミド、(メタ)アクリル酸N
−ヒドロキシメチルアミド、(メタ)アクリル酸アルキ
ルアミノアルキルエステル(例えば、ジメチルアミノエ
チルメタクリレート、t−ブチルアミノエチルメタクリ
レート等)、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル
などが挙げられる。主モノマーとしては、通常、ホモポ
リマーのガラス転移点が−50℃以下のアクリル酸アル
キルエステルが使用される。
【0023】また、紫外線硬化型粘着剤は、例えば、前
記(メタ)アクリル酸エステルの単独重合体又は共重合
性コモノマーとの共重合体(アクリル系ポリマー)と、
紫外線硬化成分(前記アクリル系ポリマーの側鎖に炭素
−炭素二重結合を付加させる成分)と、光重合開始剤
と、必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、充填剤、老化
防止剤、着色剤等の慣用の添加剤とで構成できる。
【0024】前記紫外線硬化成分としては、分子中に炭
素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能
なモノマー、オリゴマー、ポリマーであればよく、例え
ば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、
テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、
1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネ
オペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジペン
タエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどの
(メタ)アクリル酸と多価アルコールとのエステル;エ
ステルアクリレートオリゴマー;2−プロペニルジ−3
−ブテニルシアヌレート、2−ヒドロキシエチルビス
(2−アクリロキシエチル)イソシアヌレート、トリス
(2−メタクリロキシエチル)イソシアヌレートなどの
イソシアヌレートまたはイソシアヌレート化合物などが
挙げられる。なお、アクリル系ポリマーとして、ポリマ
ー側鎖に炭素−炭素二重結合を有する紫外線硬化型ポリ
マーを使用する場合においては、特に上記の紫外線硬化
成分を加える必要はない。
【0025】前記重合開始剤としては、その重合反応の
引金となり得る適当な波長の紫外線を照射することによ
り開裂しラジカルを生成する物質であればよく、例え
ば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピ
ルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどのベン
ゾインアルキルエーテル類;ベンジル、ベンゾイン、ベ
ンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトンなどの芳香族ケトン類;ベンジルジメチルケター
ルなどの芳香族ケタール類;ポリビニルベンゾフェノ
ン;クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、
ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントンなど
のチオキサントン類などが挙げられる。
【0026】前記架橋剤には、例えば、ポリイソシアネ
ート化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、
酸無水物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーな
どが含まれる。
【0027】粘着剤層12の厚さは、粘着剤の種類にも
よるが、通常は1〜100μm、好ましくは3〜50μ
m程度である。
【0028】セパレータ13は、ラベル加工のため、又
は粘着剤層面を平滑にする目的のために必要に応じて設
けられる。セパレータ13の構成材料としては、紙、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ
ート等の合成樹脂フィルムなどが挙げられる。セパレー
タ13の表面には、粘着剤層12からの剥離性を高める
ため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処
理、フッ素処理などの離型処理が施されていてもよい。
セパレータ13の厚みは、通常10〜200μm、好ま
しくは25〜100μm程度である。
【0029】本発明のダイシング用粘着シートは、例え
ば、基材フィルム11の表面に、粘着剤を含む組成物を
塗布し、乾燥させて(必要に応じて加熱架橋させて)粘
着剤層12を形成し、必要に応じてこの粘着剤層12の
表面にセパレータ13を貼り合わせることにより製造で
きる。
【0030】本発明のダイシング用粘着シートは、例え
ば、シリコン半導体ウエハダイシング用粘着シート、化
合物半導体ウエハダイシング用粘着シート、半導体パッ
ケージダイシング用粘着シート、ガラスダイシング用粘
着シートなどとして使用できる。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、基材フィルムが特定の
ポリマーブレンドで構成されているので、ダイシング時
の熱により溶融しても、糸状屑の成長する前に構成樹脂
間で分断が生じるためか、糸状屑の発生を抑制でき、チ
ップの信頼性を向上できる。また、構成樹脂中の軟質プ
ラスチック樹脂の分量を調整することで、十分なエキス
パンド性も確保できるため、作業性、スループットも向
上させることができる上、基材の外観を含めたフィルム
としての均質性も良好であるので、歩留まりも向上す
る。
【0032】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
【0033】実施例1 アクリル酸ブチル95重量部及びアクリル酸5重量部を
酢酸エチル中で常法により共重合させて得られた数平均
分子量80万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(商品名
「カヤラッド DPHA」、日本化薬株式会社製)60
重量部、ラジカル重合開始剤(商品名「イルガキュア6
51」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製)3重
量部、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネート
L」、日本ポリウレタン製)5重量部を加えて、アクリ
ル系紫外線硬化型粘着剤溶液を調製した。この溶液を、
以下の方法で得た厚さ100μmの基材フィルムのコロ
ナ処理面に塗布し、80℃で10分間加熱架橋して、厚
さ10μmの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次い
で、粘着剤層面にセパレータを貼り合わせて紫外線硬化
型ダイシング用粘着シートを製造した。前記基材フィル
ムは、低密度ポリエチレン(LDPE)樹脂(融点11
0℃)70重量部とホモポリプロピレン(HPP)樹脂
(融点160℃)30重量部を、予めドライブレンダー
にて十分ブレンドし、インフレーション押出機で押出温
度230℃にて押出成形し、その後、片面にコロナ処理
を施すことにより作製した。成形後の低密度ポリエチレ
ンの結晶化度(赤外二色法)は10%、ホモポリプロピ
レンの結晶化度(赤外二色法)は65%であった。基材
フィルムの断面をTEMで観察したところ、樹脂間に相
分離が見られた。
【0034】実施例2 ランダムポリプロピレン(RPP)樹脂(融点140
℃)60重量部、高密度ポリエチレン(HDPE)樹脂
(融点135℃)30重量部、エチレンプロピレンラバ
ー(EPR)10重量部をブレンダーで十分ドライブレ
ンドした後、二軸押出機で混練りし、樹脂ペレットとし
た。その樹脂ペレットを、Tダイ押出機により210℃
で押出し、基材フィルムとした他は実施例1に準じて紫
外線硬化型ダイシング用粘着シートを得た。この基材フ
ィルムのランダムポリプロピレンの結晶化度(赤外二色
法)は15%、高密度ポリエチレンの結晶化度(赤外二
色法)は45%であった。基材フィルムの断面をTEM
で観察したところ、樹脂間に相分離が見られた。
【0035】実施例3 エチレン−メタクリル酸共重合体(EMAA)樹脂(融
点95℃)70重量部、エチレンプロピレンラバー(E
PR)10重量部、ホモポリプロピレン(HPP)樹脂
(融点160℃)20重量部をブレンダーで十分ドライ
ブレンドした後、二軸押出機で混練りし、樹脂ペレット
とした。その樹脂ペレットをTダイ押出機により200
℃で押出し、基材フィルムとした他は実施例1に準じて
紫外線硬化型ダイシング用粘着シートを得た。この基材
フィルムのエチレン−メタクリル酸共重合体の結晶化度
(赤外二色法)は25%、ポリプロピレンワックスの結
晶化度(赤外二色法)は70%であった。基材フィルム
の断面をTEMで観察したところ、樹脂間に相分離が見
られた。
【0036】実施例4 アクリル酸ブチル95重量部及びアクリル酸5重量部を
酢酸エチル中で常法により共重合させて得られた数平均
分子量80万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、
ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、
日本ポリウレタン製)5重量部を加えて、アクリル系感
圧粘着剤溶液を調製した他は、実施例1に準じて感圧ダ
イシング用粘着シートを得た。
【0037】比較例1 基材フィルムとして、低密度ポリエチレン(LDPE)
フィルムを用いた他は実施例1に準じて、紫外線硬化型
ダイシング用粘着シートを得た。この時の低密度ポリエ
チレンフィルムの結晶化度(赤外二色法)は、10%で
あった。
【0038】比較例2 基材フィルムとして、エチレン−アクリル酸共重合体
(EMAA)フィルムを用いた他は、実施例1に準じ
て、紫外線硬化型ダイシング用粘着シートを得た。この
時のエチレン−アクリル酸共重合体フィルムの結晶化度
(赤外二色法)は、25%であった。
【0039】比較例3 基材フィルムとして、ホモポリプロピレン(HPP)フ
ィルム(融点160℃)を用いた他は、実施例1に準じ
て、紫外線硬化型ダイシング用粘着シートを得た。
【0040】比較例4 粘着剤として実施例4に示す感圧粘着剤を用いたほか
は、比較例1に準じて感圧ダイシング用粘着シートを得
た。
【0041】評価試験 実施例及び比較例で得たダイシング用粘着シートを下記
の方法により評価した。 (1)ダイシング性評価 ダイシング用粘着シートに厚さ350μmの6インチウ
エハをマウントし、以下の条件でダイシングを行った。 ダイシング条件 ダイサー:DISCO製 DFD−651 ブレード:DISCO製 27HECG ブレード回転数:40,000rpm ダイシング速度:100mm/sec ダイシング深さ:テープ表面から30μm ブレード厚:50μm ダイシングサイズ:5mm×5mm カットモード:ダウンカット ダイシング後、紫外線硬化型粘着シートの場合には紫外
線を照射(450mJ/cm2)し、次いで半導体チッ
プを剥離し、剥離後のシート表面の糸状屑の発生状況を
光学顕微鏡(200倍率)で観察し、糸状屑の大きさ毎
に個数をカウントした。結果を表1に示す。
【表1】
【0042】(2)エキスパンド性評価 ダイシング性評価と同様に、ダイシング用粘着シートに
6インチウエハをマウントし、ダイシングを行った。そ
の後、シートをダイボンダー(ニチデン機械製、CPS
−100)で固定リングを10mm引下げてエキスパン
ドした。エキスパンド時のシートが十分に拡張されてい
るかどうか、目視により確認した。なお、紫外線硬化型
粘着シートの場合には、紫外線を照射(460mJ/c
2)した後のシートについてもエキスパンド性を評価
した。結果を表2に示す。
【表2】
【図面の簡単な説明】
【図1】ダイシング用粘着シートに貼着したシリコンウ
エハをダイシングする際の粘着シートの断面を示す説明
図である。
【図2】本発明のダイシング用粘着シートの一例を示す
断面図である。
【符号の説明】
1 ダイシング用粘着シート 11 基材フィルム 12 粘着剤層 13 セパレータ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材フィルム上に被切断体を貼着固定す
    るための粘着剤層が設けられたダイシング用粘着シート
    であって、前記基材フィルムが単層又は多層構造を有
    し、且つ該基材フィルムのうち少なくとも前記粘着剤層
    に接する層が2種以上のポリマーからなる半相溶系又は
    非相溶系のポリマーブレンドで構成されているダイシン
    グ用粘着シート。
  2. 【請求項2】 ポリマーブレンドを構成するポリマーの
    少なくとも1種が結晶化度40%以上の高結晶性オレフ
    ィン系樹脂であり、且つそのポリマーの構成比率が1〜
    50重量%である請求項1記載のダイシング用粘着シー
    ト。
  3. 【請求項3】 ポリマーブレンドを構成するポリマーの
    少なくとも1種が結晶化度40%未満の低結晶性オレフ
    ィン系樹脂であり、且つそのポリマーの構成比率が50
    〜99重量%である請求項1又は2記載のダイシング用
    粘着シート。
  4. 【請求項4】 基材フィルム上に被切断体を貼着固定す
    るための粘着剤層が設けられたダイシング用粘着シート
    であって、前記基材フィルムが単層又は多層構造を有
    し、且つ該基材フィルムの少なくとも前記粘着剤層に接
    する層が、結晶化度40%未満の低結晶性ポリマーと結
    晶化度40%以上の高結晶性ポリマーとのポリマーブレ
    ンドで構成されているダイシング用粘着シート。
  5. 【請求項5】 ポリマーブレンド中の低結晶性ポリマー
    の含有量が50〜99重量%であり、高結晶性ポリマー
    の含有量が1〜50重量%である請求項4記載のダイシ
    ング用粘着シート。
  6. 【請求項6】 粘着剤層が放射線硬化型粘着剤層である
    請求項1〜5の何れかの項に記載のダイシング用粘着シ
    ート。
JP25235199A 1999-09-06 1999-09-06 ダイシング用粘着シート Expired - Fee Related JP3340979B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25235199A JP3340979B2 (ja) 1999-09-06 1999-09-06 ダイシング用粘着シート
MYPI20003848 MY127020A (en) 1999-09-06 2000-08-22 Pressure-sensitive adhesive sheets for dicing
US09/642,664 US6506490B1 (en) 1999-09-06 2000-08-22 Pressure-sensitive adhesive sheets for dicing
SG200004831A SG83813A1 (en) 1999-09-06 2000-08-25 Pressure-sensitive adhesive sheets for dicing
EP00119206A EP1081758B1 (en) 1999-09-06 2000-09-05 Pressure-sensitive adhesive sheet
DE60045502T DE60045502D1 (de) 1999-09-06 2000-09-05 Druckempfindliche Klebefolie

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25235199A JP3340979B2 (ja) 1999-09-06 1999-09-06 ダイシング用粘着シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001072947A true JP2001072947A (ja) 2001-03-21
JP3340979B2 JP3340979B2 (ja) 2002-11-05

Family

ID=17236091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25235199A Expired - Fee Related JP3340979B2 (ja) 1999-09-06 1999-09-06 ダイシング用粘着シート

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6506490B1 (ja)
EP (1) EP1081758B1 (ja)
JP (1) JP3340979B2 (ja)
DE (1) DE60045502D1 (ja)
MY (1) MY127020A (ja)
SG (1) SG83813A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009123915A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Gunze Ltd ダイシング用基体フィルム
WO2015193990A1 (ja) * 2014-06-18 2015-12-23 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
WO2015193991A1 (ja) * 2014-06-18 2015-12-23 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7141300B2 (en) * 2001-06-27 2006-11-28 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for dicing
US6734370B2 (en) 2001-09-07 2004-05-11 Irvine Sensors Corporation Multilayer modules with flexible substrates
JP4566527B2 (ja) * 2003-08-08 2010-10-20 日東電工株式会社 再剥離型粘着シート
JP4677758B2 (ja) 2004-10-14 2011-04-27 日立化成工業株式会社 ダイボンドダイシングシート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
JP4799205B2 (ja) * 2006-02-16 2011-10-26 日東電工株式会社 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法
JP4925173B2 (ja) * 2006-06-02 2012-04-25 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート、及びそれを用いた被切断体の加工方法
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
US7935402B2 (en) 2007-05-03 2011-05-03 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Ophthalmic blocking pad
WO2009096020A1 (ja) * 2008-01-31 2009-08-06 Nichiban Co., Ltd. 耐チッピングシート
EP2103664B2 (en) * 2008-03-18 2019-06-05 The Procter and Gamble Company Release sheet material
JP5541847B2 (ja) * 2008-04-30 2014-07-09 日東電工株式会社 剥離ライナー付き粘着シート
JP2011148943A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Nitto Denko Corp 保護シートおよびその利用
KR101393878B1 (ko) 2010-09-30 2014-05-12 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 확장성 필름, 다이싱 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5998730B2 (ja) 2011-09-16 2016-09-28 日立化成株式会社 粘着フィルム及び粘着フィルムの製造方法
US20140220336A1 (en) * 2013-02-05 2014-08-07 Honeywell International Inc. Pressure-sensitive adhesives that minimize plasticizer migration, pressure-sensitive adhesive articles with such pressure-sensitive adhesives, and methods for fabricating such pressure-sensitive adhesives

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4143858A (en) 1977-08-29 1979-03-13 Eastman Kodak Company Substantially amorphous polyolefins useful as pressure-sensitive adhesives
JPS63181347A (ja) * 1987-01-21 1988-07-26 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シ−ト及びこれを用いる半導体ウエハ−のダイシング方法
JP2698881B2 (ja) * 1989-05-19 1998-01-19 日東電工株式会社 膨脹型粘着部材
DE69225586T2 (de) 1991-02-12 1999-01-28 Landec Corp Temperaturzonen spezifische druckempfindliche klebmittelzusammensetzungen, klebmittelgebinde und damit verbundene verfahren zu ihrer benutzung
US5538771A (en) 1991-06-28 1996-07-23 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor wafer-securing adhesive tape
DE4226081A1 (de) 1992-08-06 1994-02-10 Henkel Kgaa Thermoplastischer Schmelzklebstoff
JP3521099B2 (ja) 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
US6042902A (en) 1997-10-20 2000-03-28 Hoechst Celanese Corporation Adhesives for making multilayer films comprising liquid crystalline polymers and poly(ethylene terephthalate) or polycarbonate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009123915A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Gunze Ltd ダイシング用基体フィルム
WO2015193990A1 (ja) * 2014-06-18 2015-12-23 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
WO2015193991A1 (ja) * 2014-06-18 2015-12-23 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JPWO2015193990A1 (ja) * 2014-06-18 2017-04-20 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JPWO2015193991A1 (ja) * 2014-06-18 2017-04-20 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
US10438831B2 (en) 2014-06-18 2019-10-08 Lintec Corporation Base film for dicing sheets and dicing sheet

Also Published As

Publication number Publication date
SG83813A1 (en) 2001-10-16
DE60045502D1 (de) 2011-02-24
EP1081758B1 (en) 2011-01-12
JP3340979B2 (ja) 2002-11-05
MY127020A (en) 2006-11-30
EP1081758A1 (en) 2001-03-07
US6506490B1 (en) 2003-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3340979B2 (ja) ダイシング用粘着シート
JP4549239B2 (ja) ダイシング用粘着シート
JP5596129B2 (ja) ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
US7183007B2 (en) Dicing adhesive sheet and dicing method
WO2012042869A1 (ja) 拡張性フィルム、ダイシングフィルム、および半導体装置の製造方法
JP2002155249A (ja) ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
WO2014038353A1 (ja) ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP4554908B2 (ja) ダイシング用粘着シート、ダイシング方法および半導体素子の製造方法
JP4947564B2 (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP4531355B2 (ja) ダイシング用粘着シートおよび半導体素子の製造方法
JP2009242586A (ja) 粘着テープ基材及び粘着シート
JP2003142433A (ja) ダイシング用粘着シートおよびダイシング方法
JP2010212310A (ja) 素子のダイシング方法
JP2004228420A (ja) 半導体ウェハー固定用粘着テープ
JP4623694B2 (ja) ダイシング用粘着シート
JP3984075B2 (ja) ダイシング用粘着シート
JP4286043B2 (ja) ウエハダイシング用粘着テープ
JP3443110B2 (ja) ダイシング用粘着シート
JP4351487B2 (ja) ウエハバックグラインド用粘着テープ
JP2005116920A (ja) 半導体加工用粘着シートおよび半導体加工方法
JP5519189B2 (ja) 電子部品のダイシング用粘着シート
US20110076490A1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for retaining elements and method of producing elements
JP3548547B2 (ja) ダイシング用粘着シート
JP2005297247A (ja) 粘着テープ用基材及び粘着シート
JP4763878B2 (ja) 半導体ウエハダイシング用粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3340979

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140816

Year of fee payment: 12

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees