CN102834900B - 切片用基材薄膜以及切片 - Google Patents

Abstract

提供一种在具有基材薄膜2和在基材薄膜2的一个面上叠设的粘着剂层3的切片1中使用的基材薄膜2，由单层或者多层的树脂薄膜形成，至少与粘着剂层3相接的树脂薄膜，是由以乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物为主成分，并含有对100质量份的乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物为0.3-17.0质量份的环氧化合物的树脂组合物成形而成的。使用该切片用基材薄膜2的切片1，可以不需要给与电子线以及γ线等的物理能量，就可以有效地减少在被切断物切断时发生的切屑，进一步本发明的切片的扩张性也优良。

Description

切片用基材薄膜以及切片

技术领域

本发明涉及半导体晶片等的被切断物被切成元件小片分离时，所述被切断物贴附的切片以及在所述切片中使用的基材薄膜。

背景技术

硅，镓砷等的半导体晶片以及各种封装体类（以下，也将它们通称为「被切断物」），在大尺寸的状态下被制造，它们被以元件小片（以下，也称「芯片」）切断分离（切断）后，被送往下一个的工序的安装工序。此时，半导体晶片等的被切断物为被预先粘结在粘着片上的状态，经过被切断，洗净，干燥，扩张，拾取以及安装的各工序。

以往，从被切断物的切断工序到拾取工序的工序中，在基材薄膜上形成有粘着剂层切片被使用。这样的切片中，通常，作为基材薄膜，聚烯烃类薄膜或者聚氯乙烯基类薄膜等被使用。

但是切断时，与被切断物一起，粘着剂层或者基材薄膜的一部也被切断，从切片有切屑发生，得到的芯片被污染。

进行切断的方法之一，为全部切断，在该方法中，回转的圆刀，在将半导体晶片等的被切断物完全切断的同时，切片的粘着剂层以及基材薄膜的一部也被切断。此时，基材薄膜的一部与回转刀磨擦，摩擦热将其熔融，进一步被拉伸时，切断线上发生线状的切屑。然后所述线状的屑上有粘着剂附着。

如所述的那样的线状的屑在芯片上大量附着的情况下进行封装，封装热将线状的屑分解，会将封装破坏，这将会成为得到的部件会成会动作不良的原因。粘着剂附着的线状的屑，用洗净除去是困难的，由此成品率会为显著变差。如此，使用切片进行切断的场合，就有将线状的切屑的发生加以防止的要求。

另外，作为被切断物，在固化的树脂中封装的封装体被切断的场合，与半导体晶片切断的场合相比，要使用更厚的切断板，以更深的切入深度进行切断。如此封装体被作为切断物被切断时，应该切断基材薄膜的量多，由此线状的切屑会大量发生。

为了解决所述课题，专利文献1，公开了作为切片的基材薄膜，使用电子线或者γ线进行1-80Ｍｒａｄ照射的聚烯烃类薄膜内容的发明。在所述发明中，用电子线或者γ线的照射，使基材薄膜构成树脂交联，从而抑制切屑的发生。

专利文献1中，作为电子线或者γ线为照射的聚烯烃类薄膜，可以例举聚乙烯，聚丙烯，聚甲基戊烯，乙烯醋酸乙烯基共聚物，乙烯（甲基）丙烯酸共聚物，乙烯甲基（甲基）丙烯酸酯共聚物，乙烯乙基（甲基）丙烯酸共聚物，乙烯离子聚合物共聚物，乙烯乙烯基醇共聚物，聚丁烯等的树脂。

专利文献

专利文献1:日本特开平5－211234号公报

发明内容

但是，所述的那样的树脂中，电子线或者γ线的照射，有所述弹性以及强度为变差的可能。即，为了将线状的切屑的发生加以防止，一定量以上的电子线或者γ线的照射是必要的，所述电子线或者γ线照射而进行的交联，会使树脂的固化会进行到不必要的程度，弹性变差，变脆。如此基材薄膜的弹性以及强度变差，在切断后进行的扩张工序中，片的扩张率（扩张性）变小，基材就会断裂。

另一方面中，所述的那样的树脂中薄膜制膜后，如用电子线或者γ线照射，基材薄膜中活性氧发生。所述基材薄膜中发生的活性氧，会对此后形成的粘着剂层有坏影响的场合。具体地说，粘着剂层的粘着物性就会变得为不整齐，另外最坏的场合为基材薄膜和粘着剂层的层间剥离就会发生，从而成为大问题。

另外，电子线或者γ线的照射，由于所述的那样的树脂要变为薄膜状后进行，从而会增加一个制造工序。进一步，电子线以及γ线发生装置，从产业的观点来看价格贵，制造成本比一般的基材薄膜高。

本发明，就是鉴于所述的实际情况而成的，本发明，提供了一种不需要施加电子线以及γ线等的物理能量，被切断物的切断时发生的切屑就可以减低，并且进一步扩张性也优良的切片用基材薄膜以及切片。

为了达成所述目的，第1，本发明，提供了一种切片用基材薄膜，其用于具有基材薄膜和在所述基材薄膜的一个面上叠设的粘着剂层的切片，

所述基材薄膜由单层或者多层的树脂薄膜构成，

至少与所述粘着剂层相接的所述树脂薄膜是由以乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物为主成分，并含有对100质量份的所述乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物为0.3-17.0质量份的环氧化合物的树脂组合物成形而成的。（发明1）。

在此，本发明中的「切片」，半导体元件与基板的接着片也含在其中，另外，为了将环框架贴附，具有其他的基材以及粘着剂层之物也含在其中。进一步，本发明中的「片」中，也含有「条」的概念。

根据所述发明（发明1），树脂薄膜以含有乙烯（甲基）丙烯酸共聚物以及规定量的环氧化合物的树脂组合物作为原料，由此，在该树脂薄膜的制造时，乙烯（甲基）丙烯酸共聚物中的（甲基）丙烯酸和环氧化合物的环氧基或者缩水甘油基进行反应，形成适度的交联结构，由此，切断时发生的切屑减低。因此，电子线以及γ线等的物理的能量就变得不必要了，被切断物切断时发生的切屑就可以效果良好地减低。另外，由于不使用电子线以及γ线等，可以得到优良的扩张性。

所述发明（发明1）中，与所述粘着剂层相接的所述树脂薄膜，优选在温度190℃，负荷2.16ｋｇｆ的熔体流动速率的值为0.5-4.0ｇ／10ｍｉｎ（发明2）。

所述发明（发明1，2）中，优选所述环氧化合物为具有双酚Ａ骨架（发明3）。

所述发明（发明1-3）中，优选所述环氧化合物的数均分子量为800以上（发明4）。

第2，本发明提供一种切片，其具有所述切片用基材薄膜（发明1-4）和所述切片用基材薄膜的一个面上叠置的粘着剂层（发明5）。

根据本发明的切片用基材薄膜，不使用电子线以及γ线等的物理的能量，就可以使被切断物切断时发生的切屑效果良好地减低。该切片用基材薄膜以及切片，由于不使用电子线以及γ线，所以没有弹性以及强度变差的问题，可以得到优良的扩张性，另外，对粘着剂层也没有坏影响。

附图说明

[图1]本发明的一实施方式的切片的截面图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。

图1为本发明的一实施方式中切片的截面图。另外，本实施方式的切片，可以为仅在切断工序使用之物，也可以为芯片接着工序中兼用的半导体元件与基板的接着片。

如图1所述得那样，本实施方式中切片1，具有基材薄膜2和在基材薄膜2的一个面（图1中为上面）上叠置的粘着剂层3。另外，切片1的使用前，为了粘着剂层3得到保护，优选在粘着剂层3的露出面（图1中为上面）叠置剥离可能的剥离片。所述切片1为条状，标签状等，可以为各种形状。

基材薄膜2，由单层或者多层的树脂薄膜形成，至少与粘着剂层3相接的树脂薄膜（单层的场合为该树脂薄膜；多层的场合为与粘着剂层3相接的树脂薄膜），由以乙烯（甲基）丙烯酸共聚物为主成分，并含有对该乙烯（甲基）丙烯酸共聚物100质量份，为0.3-17.0质量份的环氧化合物的树脂组合物而形成。

在此，本说明书中的「（甲基）丙烯酸」指丙烯酸以及甲基丙烯酸的两方。「乙烯（甲基）丙烯酸共聚物」可以为乙烯丙烯酸共聚物，也可以为乙烯-甲基丙烯酸共聚物，另外也可以为乙烯丙烯酸－甲基丙烯酸共聚物。

与粘着剂层3相接的树脂薄膜，以含有所述的那样乙烯（甲基）丙烯酸共聚物以及规定量的环氧化合物的树脂组合物为原料，该树脂薄膜的制造时，乙烯（甲基）丙烯酸共聚物中的（甲基）丙烯酸和环氧化合物的环氧基或者缩水甘油基反应，适度的交联结构被形成，由此，切断时发生的切屑减低。另外，乙烯（甲基）丙烯酸共聚物中的乙烯成分，被认为对树脂薄膜赋予良好的扩张性。

所述乙烯（甲基）丙烯酸共聚物中，从丙烯酸以及／或者甲基丙烯酸得来的构成单位，在共聚物中以4-20质量％的比例含有为优选，特别是以5-12质量％的比例含有为优选。

乙烯（甲基）丙烯酸共聚物中的（甲基）丙烯酸的含有量4质量％未满，树脂薄膜的结晶性高度形成，切断后扩张时，基材薄膜2变为瓶颈，有得不到均一的扩张性的危险。另一方面，（甲基）丙烯酸的含有量超过20质量％时，基材薄膜2本身发粘，用装置进行切断时，切片1的搬送会变得困难。

乙烯（甲基）丙烯酸共聚物中，丙烯酸以及／或者甲基丙烯酸来的构成单位以外的部分，基本上为从乙烯来的构成单位，只要在对本实施方式中切片1的目的没有损害的范围内，含有从丙烯等的α－烯烃，甲基（甲基）丙烯酸酯，乙基（甲基）丙烯酸酯，烷基乙烯基酯等来的构成单位也可。从这样的其他的单体来的构成单位，在所述乙烯（甲基）丙烯酸共聚物中，可以以10质量％未满的比例被含有。

关于乙烯（甲基）丙烯酸共聚物的共聚合方式，没有特别的限制，随机，嵌段，接枝共聚物任一种都可。另外，乙烯（甲基）丙烯酸共聚物的分子量为，优选质量平均分子量（Ｍｗ）10，000-1，000，000，特别是以50，000-500，000为优选。

与粘着剂层3相接的树脂薄膜的原料树脂组合物的主成分，可以为1种的乙烯（甲基）丙烯酸共聚物，也可以为2种类以上的乙烯（甲基）丙烯酸共聚物的混合。

与粘着剂层3相接的树脂薄膜的原料树脂组合物含有环氧化合物，通过向作为主成分的所述乙烯（甲基）丙烯酸共聚物配合环氧化合物，半导体晶片以及封装体等的被切断物被切断时发生的切屑可以被效果良好减低。

在此，本说明书中的「环氧化合物」也含有环氧树脂。

作为环氧化合物，可以是分子内具有环氧基的化合物，以具有环氧基1个以上的化合物为优选，环氧基为2个以上有的化合物为更优选，特别是环氧基为2个的化合物为优选。

作为含有环氧基1个以上的环氧化合物，双酚Ａ，双酚Ｆ，双酚Ｓ，间苯二酚，线型酚醛，甲酚酚醛清漆等的双酚类的缩水甘油醚；丁二醇，聚乙二醇，聚丙二醇等的醇类的缩水甘油醚；邻苯二甲酸，间苯二甲酸，四氢邻苯二甲酸等的羧酸的缩水甘油酯；苯胺异氰脲酸酯等的将接着在氮原子的活性氢被缩水甘油基置换了的缩水甘油型或者烷基缩水甘油型的环氧化合物；通过具有碳－碳双键的脂环式结构的化合物的其双键被氧化从而环氧基被导入的所谓的脂环式环氧化合物；双苯基型环氧树脂，杂环式环氧树脂，缩水甘油胺型环氧树脂，缩水甘油酯型环氧树脂，乙内酰脲型环氧树脂，异氰脲酸酯型环氧树脂，磷含有环氧树脂，芪型环氧树脂，氢醌型环氧树脂，的萘骨架型环氧树脂，ＤＰＰ（二ｎ－戊基邻苯二甲酸酯）型环氧树脂，三羟苯基甲烷型环氧树脂，二环戊二烯苯酚型环氧树脂，含硅环氧树脂，双酚Ａ乙烯氧化物加成的二缩水甘油醚，双酚Ａ丙烯氧化物加成的二缩水甘油醚，环己二甲基甲醇的二缩水甘油醚，脂肪族多价醇的聚缩水甘油醚，多碱酸的聚缩水甘油酯，以及它们的卤化物（溴化环氧树脂等）以及核氢添加物等的环氧树脂等。这些环氧化合物可以1种单独使用，或者2种以上组合使用。

所述之中，优选环氧化合物为具有含有2个环氧基的双酚Ａ骨架之物为优选。具体地说，双酚Ａ型环氧树脂，双酚Ａ乙烯氧化物加成的二缩水甘油醚，双酚Ａ丙烯氧化物加成的二缩水甘油醚，低聚物改性双酚Ａ型环氧树脂等为优选。具有双酚Ａ骨架的环氧化合物，切屑的减低效果更为优良。

环氧化合物的数平均分子量（Ｍｎ）的下限值，优选250，特别是800为优选。另外，环氧化合物的Ｍｎ的上限值优选5000，特别是优选4000。如环氧化合物的Ｍｎ为250未满时，由于化合物为液体，制膜工序时有燃烧的危险，处理困难。另外，单位质量所占的官能基的数增加，制膜工序时会发生凝胶化，有难以良好地制膜的场合。另一方面，环氧化合物的Ｍｎ超过5000，与乙烯（甲基）丙烯酸共聚物进行熔融混练时，分散性差，对制膜性具有坏影响。另外，所述数平均分子量为，凝胶渗透色谱（ＧＰＣ）法测定的聚苯乙烯换算的值。

与粘着剂层3相接的树脂薄膜的原料树脂组合物中的环氧化合物的含有量，对乙烯（甲基）丙烯酸共聚物100质量份，为0.3-17.0质量份，优选为0.5-15.0质量份。如环氧化合物的含有量为0.3质量份未满，切屑减低效果难以得到。环氧化合物的含有量为超过17.0质量份时，交联的程度过度，良好的制膜困难。

与粘着剂层3相接的树脂薄膜的原料树脂组合物中，在不损害本实施方式中切片1的目的范围内，可以含有聚乙烯，聚丙烯，聚甲基戊烯，乙烯醋酸乙烯基酯共聚物，乙烯（甲基）丙烯酸甲基酯共聚物，乙烯（甲基）丙烯酸乙基酯共聚物等的乙烯（甲基）丙烯酸酯共聚物，乙烯离子键聚合物共聚物，乙烯乙烯基醇共聚物，聚丁烯等的树脂。这些乙烯（甲基）丙烯酸共聚物以及环氧化合物以外的树脂，在所述原料树脂组合物中可以以50质量％未满的比例含有。

与粘着剂层3相接的树脂薄膜，可以通常方法制造，例如，使乙烯（甲基）丙烯酸共聚物和环氧化合物以及根据需要含有的其他的树脂混练，从所述混练物直接，或者经制片后，用挤出等方法进行制膜。环氧化合物，以母料的方式中使用也可以。混练时的温度优选为180-230℃。

与粘着剂层3相接的树脂薄膜优选为，按ＪＩＳＫ7210：1999，温度190℃，负荷2.16ｋｇｆ中的熔体流动速率（ＭＦＲ）的值为，0.5-4.0ｇ／10ｍｉｎ，特别是1.0-2.5ｇ／10ｍｉｎ为优选。在ＭＦＲ在所述的范围内，用挤出成形，就可以得到均质具有良好的膜厚精度的树脂薄膜。

基材薄膜2为多层的场合，处于不与粘着剂层3相接的位置的树脂薄膜为，只要对切片1的功能没有损害，就没有特别的限定，可以从种种的树脂薄膜进行选择。作为该树脂薄膜，可以例举聚乙烯薄膜，聚丙烯薄膜，聚丁烯薄膜等的聚烯烃薄膜；乙烯醋酸乙烯基共聚物薄膜，乙烯（甲基）丙烯酸酯薄膜等的乙烯共聚物薄膜；聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯，聚乙烯萘二甲酸薄膜等的聚酯薄膜；聚氨酯薄膜；聚氯化乙烯基薄膜；聚酰胺薄膜等，另外，也可以选择乙烯（甲基）丙烯酸共聚物薄膜。

多层的基材薄膜2，可以是用共挤出等将各树脂薄膜一同制膜，同时叠置而进行制造，也可将各个的树脂薄膜制膜的后，用接着剂等进行叠置来制造。另外，在用共挤出对多层的基材薄膜2进行制造的场合，不与粘着剂层3相接的树脂薄膜，也优选具有与上述的粘着剂层3相接的树脂薄膜的ＭＦＲ同样的ＭＦＲ。如与粘着剂层3相接的树脂薄膜一同，与粘着剂层3不相接的树脂薄膜也具有所述那样的ＭＦＲ，可以抑制得到的基材薄膜2中的厚度方向的大的叠置混乱。

基材薄膜2的厚度为，通常40-500μｍ，优选为60-200μｍ。基材薄膜2为多层的场合，基材薄膜2的总厚之中，与粘着剂层3相接的树脂薄膜的厚度为，通常40μｍ以上，优选为60μｍ以上。切断板切入切片1的深度为，由于通常为40μｍ未满，如果与粘着剂层3相接的树脂薄膜为所述的厚度时，切断板不到达其他的树脂薄膜，这样就可以防止其他的树脂薄膜的切屑的发生。

本实施方式的基材薄膜2的断裂伸长度为，100％以上优选，特别是200％以上优选。断裂伸长度为100％以上的基材薄膜2，扩张工序时不易断裂，被切断物切断而形成的芯片易于间隔。

另外，本实施方式的基材薄膜2的拉伸弹性模量为，优选80-160Ｍｐ。拉伸弹性模量如80ＭＰａ未满，切片1在晶片上贴附后，在环框架固定时，由于基材薄膜2柔软，松驰发生，会发生搬送错误。另一方面，如拉伸弹性模量超过160ＭＰａ，扩张工序时所加的负荷变大，从环框架的切片1本身剥离等的问题就有发生的危险。

作为粘着剂层3构成粘着剂，作为切片，可以使用通常被使用之物，也可以使用例如橡胶类，丙烯酸类，环氧类，硅氧烷类，聚乙烯基醚类等的粘着剂，能量线固化型粘着剂（含有紫外线固化型粘着剂）以及加热固化型粘着剂。另外，在本实施方式中的切片1作为半导体元件与基板的接着片使用的场合，可以作为同时兼备晶片固定功能和模具接着功能的粘接着剂，热可塑性接着剂，Ｂ段接着剂等被使用。

粘着剂层3的厚度为，通常为3-100μｍ，优选为5-80μｍ程度。

所述的那样的切片1为，可以用常法进行制造。例如，可以将粘着剂层3的构成粘着剂与根据需要进一步含有溶媒涂布剂进行调制，用辊涂布机，刀涂布机，辊刀涂布机，气刀涂布机，模具涂布机，棍涂布机，凹板涂布机，帘式涂布机等的塗布机在基材薄膜2的一个面上进行涂布干燥，形成粘着剂层3而进行制造。或者，将所述涂布剂，在需要的剥离片的剥离面上进行涂布干燥，粘着剂层3形成后，在所述粘着剂层3上将基材薄膜2压着进行制造。

以上说明的实施方式，是为了对本发明的理解容易理解。并不对本发明进行限定。因此，所述实施方式公开的各要素，在本发明的技术的范围内的设计变更以及等同物也含在本发明中。

实施例

以下，用实施例等对本发明进行进一步具体地说明，本发明的范围并不限于这些实施例等。

〔实施例1〕

乙烯甲基丙烯酸共聚物（三井杜邦聚合化学公司制，NUCRELＮ0903Ｈ，甲基丙烯酸含有率：9质量％）100质量份，作为环氧化合物Ｍｎ为1600的2官能性双酚Ａ型环氧树脂（日本环氧树脂公司制，产品名：ｊＥＲ1055）0.5质量份，用二轴混练机（东洋精机制作所公司制，LaboPlastomill）210℃熔融混练，得到挤出用原材料。将所述原材料，用小型Ｔ模具挤出机（东洋精机制作所公司制，LaboPlastomill）挤出成形，得到厚度140μｍ的基材薄膜。

另一方面，将由ｎ－丁基丙烯酸和95质量份以及丙烯酸5质量份进行共聚合形成的共聚物（Ｍｗ：500，000）100质量份，聚氨酯丙烯酸低聚物（Ｍｗ：8000）120质量份，异氰酸酯类固化剂（日本聚氨酯公司，CORONATEＬ）5质量份，光聚合开始剂（Ciba Specialty Chemicals公司制，IRGACURE 184）4质量份混合，得到能量线固化型粘着剂组合物。

将得到的能量线固化型粘着剂组合物在所述基材薄膜的一个面上进行涂布，使干燥后的膜厚为10μｍ，在100℃1分钟干燥，使粘着剂层形成，将其作为切片。

〔实施例2〕

除了实施例1中的环氧化合物的配合量变为1.0质量份以外，与实施例和同样，进行切片的制造。

〔实施例3〕

除将实施例1中的环氧化合物的配合量变为15.0质量份以外，与实施例1同样，进行切片制造。

〔实施例4〕

除了将实施例1中的环氧化合物，变为Ｍｎ900的2官能性双酚Ａ型环氧化合物（日本环氧树脂公司制，产品名：ｊＥＲ1001）1.0质量份以外，与实施例1同样，进行切片的制造。

〔实施例5〕

除了将实施例1中的作为环氧化合物，变为Ｍｎ为3600的2官能性双酚Ａ型环氧化合物（日本环氧树脂公司制，产品名：ｊＥＲ1009）1.0质量份外为，与实施例1同样进行切片的制造。

〔实施例6〕

除了将实施例5中的环氧化合物的配合量变为0.5质量份以外，与实施例5同样进行切片的制造。

〔实施例7〕

除了将实施例5中的环氧化合物的配合量变为15.0质量份以外，与实施例5同样进行切片的制造。

〔实施例8〕

除了将实施例1中的环氧化合物，变为Ｍｎ为310的聚乙二醇二缩水甘油醚（Nagase chemteX公司制，DENACOL ＥＸ－841）1.0质量份，与实施例1同样进行切片的制造。

〔实施例9〕

除了将实施例1中的环氧化合物，变为Ｍｎ为940的聚丙二醇二缩水甘油醚（Nagase chemteX公司制，DENACOL ＥＸ－931）1.0质量份以外，与实施例1同样进行切片的制造。

〔比较例1〕

除了将实施例1中的环氧化合物的配合量变为0.1质量份以外，与实施例1同样进行切片的制造。

〔比较例2〕

除了将实施例1中的环氧化合物的配合量变为20.0质量份以外，与实施例1同样进行进行切片的制造的。

〔比较例3〕

除了将实施例5中的环氧化合物的配合量变为0.1质量份以外，与实施例5同样进行制造。

〔比较例4〕

除了将实施例5中的环氧化合物的配合量变为20.0质量份以外，与实施例5同样进行切片的制造。

〔比较例5〕

除了将实施例1中的环氧化合物替换为Ｍｎ为310的聚乙二醇（ＰＥＧ）（东京化成公司制）1.0质量份以外，与实施例1同样进行切片的制造。

〔比较例6〕

除了实施例1中配合环氧化合物以外，与实施例1同样进行切片的制造。

〔实验例1〕（拉伸弹性模量·断裂伸长度测定）

将实施例以及比较例中制造的基材薄膜裁断为15ｍｍ×140ｍｍ的实验片，按ＪＩＳＫ7161：1994以及ＪＩＳＫ7127：1999，对拉伸弹性模量以及断裂伸长度进行测定。具体地说，将所述实验片用拉伸实验机（岛津制作所制，autograph ＡＧ－ＩＳ500Ｎ），卡盘间距离设定为100ｍｍ，200ｍｍ／ｍｉｎ的速度进行拉伸实验，对拉伸弹性模量（ＭＰａ）以及断裂伸长度（％）进行测定。实验片为没有屈服点的场合，将拉伸断裂变形作为断裂伸长度，在具有屈服点的场合，将拉伸断裂标称应变作为断裂伸长度，对断裂伸长度进行测定。结果列于表1。

〔实验例2〕（扩张性实验）

在实施例以及比较例中制造的切片的粘着剂层上将6英寸晶片贴附后，该切片装在平面框架上，用20μｍ厚的金刚石板，将晶片切成5ｍｍ²的芯片。接着，用扩张冶具（ＮＥＣ机械公司制，芯片焊接机ＣＳＰ-100ＶＸ），将切片以速度300ｍｍ／分，拉下10ｍｍ。对此时的晶片全体的扩张状态进行目视确认，进行判定。结果列于表1。表中，○为芯片全体均一排列，△为有不均一的部分，×为切片裂开。

〔实验例3〕（切屑）

将实施例以及比较例中制造的切片的粘着剂层贴附在ＢＧＡ型封装体模块上贴附，设置切断装置（东京精密公司制，ＡＷＤ－4000Ｂ），在以下的条件下进行切断。

·部件（被粘着体）：ＢＧＡ型封装体模块（京瓷化学公司制，ＫＥ－Ｇ1250）

·部件尺寸：550ｍｍ×440ｍｍ，厚度1.55ｍｍ

·切断板：迪斯科公司制Ｚ1100ＬＧ2Ｓ3Ｔ1

·板回转数：30，000ｒｐｍ

·切断速度：100ｍｍ／秒

·切割深度：从粘着剂层表面切割30μｍ深

·切断尺寸：5ｍｍ×5ｍｍ

此后，从基材薄膜侧进行紫外线照射（160ｍＪ／ｃｍ2），将切断的芯片剥离。纵以及横的切断线中，分别将在中央附近的纵的1条线以及横的1条线所发生的线状屑的个数用数码显微镜（基恩士公司制，ＶＨＸ-100，倍率：10

0倍）进行计数。线状屑的个数为0-10个的为○，11-20个的为△，21个以上的为×。结果列于表1。

〔实验例5〕（随时间的粘着力的变化）

将实施例以及比较例中制造的切片裁为25ｍｍ×250ｍｍ，进行实验片制作。所述实验片贴附于＃2000硅氧烷晶片，使2ｋｇ的橡胶辊进行1个来回的运动将两者压着。在所述状态中23℃，50％ＲＨ的条件下进行20分以上放置后，从基材薄膜侧进行紫外线的照射（160ｍＪ／ｃｍ²），使用万能型拉伸实验机（ORIENTEC公司制，Tensilon），以300ｍｍ／ｍｉｎ的速度进行180°剥离，进行粘着力的测定，将所述值作为ｆ1。

另一方面，将切片在70℃的条件下（70℃的恒温槽）48时间加热后，返回室温，用与所述粘着力同样的方法进行粘着力的测定，所述值作为ｆ2。将该两值代入以下所述的式，将随时间的粘着力变化的变化率：Ｒ（％）算出。结果表示于表1。如Ｒ为50％以内，可以判断在随时间的粘着力变化中，添加物（环氧化合物，ＰＥＧ）没有影响。

Ｒ＝（ｆ2－ｆ1）×100／ｆ1

〔实验例6〕（ＭＦＲ测定）

将实施例以及比较例中得到的基材薄膜裁为10ｍｍ×10ｍｍ，制作实验片（约4ｇ）。对所述实验片，按ＪＩＳＫ7210：1999，用热流动评价装置（岛津制作所公司制，ＣＦＴ－100Ｄ），负荷2.16ｋｇ，实验温度190℃对ＭＦＲ（ｇ／10ｍｉｎ）进行测定。结果列于表1。

〔实验例7〕（制膜性）

对实施例以及比较例中得到的基材薄膜的外观目视检查。没有大异物以及着色胶状物的为○，虽然有大的异物以及着色胶状物，但是触摸时感觉不到凹凸的为△，明显地感到凹凸的为×。结果列于表1。

[表1]

[表1续]

从表1可以明确得知，实施例中制造的切片，切屑少。另外，实施例中得到的基材薄膜，通过挤出成形可以良好地制膜，扩张性也优良。

产业上的利用可能性

本发明中切片用基材薄膜以及切片，在半导体晶片以及各种封装体类等的切断时可以被适宜地使用。

符号的说明

1…切片

2…基材薄膜

3…粘着剂层

Claims (5)

1.一种切片用基材薄膜，用于具有基材薄膜和在所述基材薄膜的一个面上叠设的粘着剂层的切片，

所述基材薄膜由单层或者多层的树脂薄膜构成，

至少与所述粘着剂层相接的所述树脂薄膜是由以乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物为主成分，并含有对100质量份的所述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物为0.3-17.0质量份的环氧化合物的树脂组合物成形而成的。

2.权利要求1所述的切片用基材薄膜，其特征在于:与所述粘着剂层相接的所述树脂薄膜在温度190℃，负荷2.16kgf的熔体流动速率的值为0.5-4.0g/10min。

3.权利要求1所述的切片用基材薄膜，其特征在于:所述环氧化合物具有双酚A骨架。

4.权利要求1所述的切片用基材薄膜，其特征在于:所述环氧化合物的数均分子量为800以上。

5.一种切片，具有权利要求1-4的任一项所述的切片用基材薄膜和在所述切片用基材薄膜的一个面上叠设的粘着剂层。