TW202402543A - 背面研磨薄膜基材用樹脂組成物、背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜 - Google Patents

背面研磨薄膜基材用樹脂組成物、背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜 Download PDF

Info

Publication number
TW202402543A
TW202402543A TW112108828A TW112108828A TW202402543A TW 202402543 A TW202402543 A TW 202402543A TW 112108828 A TW112108828 A TW 112108828A TW 112108828 A TW112108828 A TW 112108828A TW 202402543 A TW202402543 A TW 202402543A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ethylene
resin composition
mass
less
copolymer
Prior art date
Application number
TW112108828A
Other languages
English (en)
Inventor
西嶋孝一
佐久間雅巳
町屋宏昭
Original Assignee
日商三井 陶氏聚合化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三井 陶氏聚合化學股份有限公司 filed Critical 日商三井 陶氏聚合化學股份有限公司
Publication of TW202402543A publication Critical patent/TW202402543A/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08L23/08—Copolymers of ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L53/02—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers of vinyl-aromatic monomers and conjugated dienes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物包含：乙烯-不飽和酯共聚物(A)；選自在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率為0.1 g/10分以上且未滿25 g/10分之乙烯-α-烯烴共聚物(B)、及苯乙烯系樹脂(C)中之至少一種；將乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)之合計量設為100質量份時，乙烯-不飽和酯共聚物(A)之含有量為超過60質量份且未滿100質量份。

Description

背面研磨薄膜基材用樹脂組成物、背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜
本發明係關於一種背面研磨薄膜基材用樹脂組成物、背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜。
在IC等半導體裝置之製造過程中，為了使形成有電路圖案之半導體晶圓薄膜化，一般進行研磨半導體晶圓之背面之背面研磨步驟。在背面研磨步驟中，為了保護半導體晶圓之電路圖案面不受污染等，且保持薄壁化之半導體晶圓，將黏著薄膜(背面研磨薄膜)黏貼於電路圖案面。而且，在背面研磨步驟後，一般係進行切割步驟，其在經研磨之半導體晶圓之背面黏貼著具有伸縮性之晶圓加工用薄膜(切割薄膜)，並將半導體晶圓分斷為晶片單元。
由於在半導體晶圓之表面形成有電路圖案，故而存在凹凸。因此，若背面研磨薄膜之柔軟性低，則在半導體晶圓表面與背面研磨薄膜之間產生間隙，而有在背面研磨中半導體晶圓與背面研磨薄膜發生剝離之虞。因此，對於背面研磨薄膜係要求柔軟性(凹凸追隨性)，即便存在凹凸仍密著於半導體晶圓。
又，背面研磨步驟後，雖然背面研磨薄膜自半導體晶圓表面剝離，但若在剝離時半導體晶圓表面殘存背面研磨薄膜之一部分，則有半導體晶圓被污染之虞。背面研磨薄膜之一部分殘存於半導體晶圓的情形亦稱為殘膠。因此，背面研磨薄膜要求剝離性，以使其不發生殘膠。
進而，亦要求相對於半導體晶圓在研磨時產生之摩擦熱或在背面研磨薄膜基材塗佈黏著劑時所施加之熱、及在藉由水洗淨研磨屑之後之乾燥時所施加之熱，背面研磨薄膜不易產生應變或翹曲等變形(耐熱收縮性)。
作為背面研磨薄膜基材，由柔軟性、剝離性、不易產生變形之觀點而言，作為一例，係使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(以下，有時簡稱為EVA)。
例如，在專利文獻1中記載有一種背面研磨用黏著膠帶，其係於基材薄膜上設置有用於黏貼固定晶圓之黏著劑層者，其中，基材薄膜係包含具有15重量%～30重量%之乙酸乙烯酯含量之1種以上之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂60重量%～98重量%、及熔點為100℃以上之1種以上之聚烯烴系樹脂2重量%～40重量%之混合物之單層薄膜。而且，記載有藉由此種背面研磨用黏著膠帶，具有在晶圓之背面研磨步驟中可防止晶圓破損之充分之柔軟性，且具備對於在各步驟中所接收之熱亦不致容易收縮之耐熱收縮性。
又，在專利文獻2中記載有一種黏著性薄膜，其含有(A)乙烯-丙烯-二烯共聚物60重量份、及(B)乙烯-乙酸乙烯酯共聚物40重量份，且藉由在50℃～90℃之溫度下加熱而表現黏著性。而且，其記載有藉由此種黏著性薄膜，可根據使用溫度條件而增減黏著性，且藉由冷卻而容易地剝離。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-33000號公報 [專利文獻2]日本專利特開平2-129282號公報
(發明所欲解決之問題)
然而，由於EVA之柔軟性高，故而在將背面研磨薄膜切斷為半導體晶圓之形狀時，有產生切屑或銑屑。若產生切屑或銑屑，則有半導體晶圓被污染之虞或在背面研磨步驟後之步驟中造成不良影響之虞。即，企盼拉裂性之改善。
與此相對，專利文獻2之黏著薄膜係由製膜性之觀點而言，以乙烯-丙烯-二烯共聚物為主要成分，故而柔軟性不充分。又，專利文獻1之基材薄膜雖然以EVA為主要成分，但由於包含熔點為100℃以上之聚烯烴系樹脂，故而柔軟性不充分。又，在該等文獻中，亦未提及起因於EVA之高柔軟性造成之拉裂性降低。
本發明係鑒於上述課題而完成者。其目的在於提供一種可實現柔軟性優異、進而拉裂性亦優異之背面研磨薄膜基材的背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，並提供背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜。 (解決問題之技術手段)
即，本發明提供以下之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物。 [1]一種背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其包含：乙烯-不飽和酯共聚物(A)；選自由根據JIS K 7210：1999在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率為0.1 g/10分以上且未滿25 g/10分之乙烯-α-烯烴共聚物(B)、及苯乙烯系樹脂(C)所構成群中之至少一種；且在將前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)、前述乙烯-α-烯烴共聚物(B)及前述苯乙烯系樹脂(C)之合計量設為100質量份時，前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)之含有量為超過60質量份且未滿100質量份。 [2]如[1]所記載之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中，前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)之由不飽和酯衍生之構成單位之含有量為15質量%以上且46質量%以下。 [3]如[1]或[2]所記載之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中，前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)之根據JIS K 7210：1999在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率為0.1 g/10分以上且100 g/10分以下。 [4]如[1]~[3]中任一項所記載之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中，前述乙烯-α-烯烴共聚物(B)之熔點為未滿100℃。 [5]如[1]~[4]中任一項所記載之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中，前述苯乙烯系樹脂(C)之根據JIS K 7210：1999在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率為0.01 g/10分以上且50 g/10分以下。 [6]如[1]~[5]中任一項所記載之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中，前述苯乙烯系樹脂(C)為苯乙烯系彈性體。 [7]如[1]~[6]中任一項所記載之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中，將背面研磨薄膜用樹脂組成物之整體設為100質量%時，前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)、前述乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)之合計量為70質量%以上且100質量%以下。 [8]如[1]~[7]中任一項所記載之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中，前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
本發明提供以下之背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜。 [9]一種背面研磨薄膜基材，其包含至少一層含有[1]～[8]中任一項所記載之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物之層。 [10]如[9]所記載之背面研磨薄膜基材，其中，前述包含背面研磨薄膜基材用樹脂組成物之層根據JIS K 7215：1996測定之硬度(蕭氏硬度A)之初期値為75以下。 [11]如[9]或[10]所記載之背面研磨薄膜基材，其中，前述包含背面研磨薄膜基材用樹脂組成物之層根據JIS K 7215：1996測定之硬度(蕭氏硬度A)於測定開始後15秒後之值為72以下。 [12]一種背面研磨薄膜，其包含[9]～[11]中任一項所記載之背面研磨薄膜基材、及積層於前述背面研磨薄膜基材之至少一面之黏著層。 (對照先前技術之功效)
根據本發明之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，可實現柔軟性優異、進而拉裂性亦優異之背面研磨薄膜基材。
在本發明說明書中，使用「～」表示之數值範圍係意味著包含「~」之前後所記載之數值作為下限值及上限值之範圍。又，「(甲基)丙烯酸」係包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者而使用之表述，「(甲基)丙烯酸酯」係包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者而使用之表述。
1.關於背面研磨薄膜基材用樹脂組成物 本發明之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物(以下，亦簡稱為「樹脂組成物」)主要用於背面研磨薄膜之基材，但該樹脂組成物之用途並不限定於背面研磨薄膜之基材。
如上所述，對於背面研磨薄膜之基材，不僅要求可追隨半導體晶圓之表面凹凸之柔軟性，亦要求在將該基材切斷為半導體晶圓之形狀時，不產生切屑或銑屑，即拉裂性之改善。
對此，本案發明人等進行了深入研究，發現一種樹脂組成物，其包含：乙烯-不飽和酯共聚物(A)；選自在190℃、荷重2160 g下所測定之熔體流動速率為0.1 g/10分以上且未滿25 g/10分之乙烯-α-烯烴共聚物(B)、及苯乙烯系樹脂(C)中之至少一種；且將乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)之合計量設為100質量份時，乙烯-不飽和酯共聚物(A)之含有量為超過60質量份且未滿100質量份；該樹脂組成物具有柔軟性，且可改善拉裂性。
其理由可考量如下。即，由於EVA等乙烯-不飽和酯共聚物(A)具有高柔軟性，故而在將包含含有其之樹脂組成物之層切斷為半導體晶圓之形狀時，容易產生切屑或銑屑等。與此相對，熔體流動速率低之乙烯-α-烯烴共聚物(B)或具有比較剛直之結構之苯乙烯系樹脂(C)可與乙烯-不飽和酯共聚物(A)良好地相溶，且賦予樹脂組成物適度之強度。藉此，認為可維持來自乙烯-不飽和酯共聚物(A)之高柔軟性，且可改善拉裂性，可抑制切斷為特定之形狀時產生切屑或銑屑。
如上所述，本案之樹脂組成物包含乙烯-不飽和酯共聚物(A)、與選自乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)中之至少一種。
在上述樹脂組成物中，將乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)之合計量設為100質量份時，乙烯-不飽和酯共聚物(A)之含有量為超過60質量份且未滿100質量份，較佳為65質量份以上且95質量份以下，更佳為70質量份以上且90質量份以下，進一步更佳為75質量份以上且85質量份以下。若乙烯-不飽和酯共聚物(A)之含有量為下限值以上，則樹脂組成物之柔軟性容易進一步提高，若為上限值以下，則樹脂組成物之拉裂性不易受損。
在上述樹脂組成物中，將乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)、及苯乙烯系樹脂(C)之合計量設為100質量份時，乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)之合計量為超過0質量份且未滿40質量份，較佳為5質量份以上且35質量份以下，更佳為10質量份以上且30質量份以下，進一步更佳為15質量份以上且25質量份以下。若乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)之合計量為下限值以上，則樹脂組成物之拉裂性容易進一步提高，若為上限值以下，則樹脂組成物之柔軟性不易受損。
上述樹脂組成物中之乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)之合計量無特別限制，將樹脂組成物之整體設為100質量%時，較佳為70質量%以上且100質量%以下，更佳為80質量%以上且100質量%以下，進一步更佳為90質量%以上且100質量%以下，特別較佳為95質量%以上且100質量%以下，尤其較佳為98質量%以上且100質量%以下，極佳為99質量%以上且100質量%以下。
以下，針對樹脂組成物所包含之各成分進行說明，其後，針對樹脂組成物之物性進行說明。
＜乙烯-不飽和酯共聚物(A)＞ 乙烯-不飽和酯共聚物(A)係使乙烯與不飽和酯共聚而成之聚合物。
不飽和酯之例包含乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯等乙烯酯；或(甲基)丙烯酸烷基酯等不飽和羧酸酯。其中，較佳為乙烯酯，更佳為乙酸乙烯酯。
即，乙烯-不飽和酯共聚物(A)例如較佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁酸乙烯酯共聚物、或乙烯-硬脂酸乙烯酯共聚物，更佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
乙烯-不飽和酯共聚物(A)之由乙烯衍生之構成單位之含有量係相對於乙烯-不飽和酯共聚物(A)之全部構成單位，較佳為54質量%以上且85質量%以下，更佳為58質量%以上且80質量%以下，進一步更佳為62質量%以上且74質量%以下，特別較佳為65質量%以上且72質量%以下，尤其較佳為66質量%以上且69質量%以下。若由乙烯且之構成單位之含有量為下限值以上，則樹脂組成物不致過於柔軟，故而容易進一步抑制膠黏或殘膠等。若由乙烯衍生之構成單位之含有量為上限值以下，則樹脂組成物之柔軟性不易受損。
乙烯-不飽和酯共聚物(A)之由不飽和酯衍生之構成單位之含有量係相對於乙烯-不飽和酯共聚物(A)之全部構成單位，較佳為15質量%以上且46質量%以下，更佳為20質量%以上且42質量%以下，進一步更佳為26質量%以上且38質量%以下，特別較佳為28質量%以上且35質量%以下，尤其較佳為31質量%以上且34質量%以下。若由不飽和酯衍生之構成單位之含有量為下限值以上，則樹脂組成物之柔軟性容易進一步提高，在作為背面研磨薄膜之基材時凹凸追隨性容易進一步提高。若由不飽和酯衍生之構成單位之含有量為上限值以下，則容易進一步抑制樹脂組成物之膠黏或殘膠等。
乙烯-不飽和酯共聚物(A)亦可進一步包含由乙烯及不飽和酯以外之其他單體衍生之構成單位。此種其他單體之例包含丙烯、丁烯、己烯等烯烴。
乙烯-不飽和酯共聚物(A)根據JIS K 7210：1999在190℃、2160 g下測定之熔體流動速率較佳為0.1 g/10分以上且100 g/10分以下，更佳為1 g/10分以上且70 g/10分以下，進一步更佳為15 g/10分以上且50g/10分以下，特別較佳為25 g/10分以上且35 g/10分以下。若乙烯-不飽和酯共聚物(A)之熔體流動速率為下限值以上，則樹脂組成物之柔軟性容易進一步提高，作為背面研磨薄膜之基材時之凹凸追隨性容易進一步提高。若乙烯-不飽和酯共聚物(A)之熔體流動速率為上限值以下，則容易進一步抑制樹脂組成物之膠黏或殘膠等。
此外，乙烯-不飽和酯共聚物(A)可使用1種，亦可將2種以上組合而使用。
本實施形態之乙烯-不飽和酯共聚物(A)之製造方法無特別限定，可根據周知之方法製造。例如，可藉由將各聚合成分在高溫及高壓下進行自由基共聚而獲得。又，乙烯-不飽和酯共聚物(A)亦可使用市售者。
＜乙烯-α-烯烴共聚物(B)＞ 乙烯-α-烯烴共聚物(B)為乙烯與碳原子數3以上之α-烯烴之共聚物。
作為α-烯烴，較佳為碳原子數3～20之α-烯烴。碳原子數3～20之例包含丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十一碳烯、1-十二碳烯、1-十三碳烯、1-十四碳烯、1-十五碳烯、1-十六碳烯、1-十七碳烯、1-十八碳烯、1-十九碳烯、1-二十碳烯等直鏈狀之α-烯烴；3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、2-乙基-1-己烯、2,2,4-三甲基-1-戊烯等支鏈狀之α-烯烴。該等α-烯烴可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合而使用。其中，α-烯烴之碳原子數係由通用性(成本、量產性或獲得之容易程度)方面而言，較佳為3～10，由使樹脂組成物之柔軟性不易降低方面而言，較佳為4～8。
乙烯-α-烯烴共聚物(B)較佳為乙烯-丙烯共聚物、乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-4-甲基-1-戊烯共聚物、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物，由更良好地維持樹脂組成物之柔軟性之觀點而言，更佳為乙烯-1-丁烯共聚物。
將構成乙烯-α-烯烴共聚物(B)之全部構成單位之含有量設為100質量%時，由α-烯烴衍生之構成單位之含有量較佳為5質量%以上且未滿50質量%，更佳為10質量%以上且40質量%以下，更佳為10質量%以上且30質量%以下。若由α-烯烴衍生之構成單位之含有量在上述範圍內，則樹脂組成物之柔軟性更不易受損。
乙烯-α-烯烴共聚物(B)根據JIS K 7210：1999在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率為0.1 g/10分以上未滿25 g/10分，較佳為0.3 g/10分以上且15 g/10分以下，更佳為0.5g/10分以上且10 g/10分以下，進一步更佳為0.7g/10分以上且5 g/10分以下。若乙烯-α-烯烴共聚物(B)之熔體流動速率為下限值以上，則樹脂組成物之柔軟性不易受損。若乙烯-α-烯烴共聚物(B)之熔體流動速率為上限值以下，則可賦予樹脂組成物適度之強度，故而拉裂性容易進一步提高。
乙烯-α-烯烴共聚物(B)根據JIS K 7112：1999測定之密度較佳為840 kg/m³以上且930 kg/m³以下，更佳為850 kg/m³以上且910 kg/m³以下，特別較佳為860 kg/m³以上且890 kg/m³以下，尤其較佳為865 kg/m³以上且880 kg/m³以下。
乙烯-α-烯烴共聚物(B)之熔點較佳為未滿100℃，更佳為90℃以下，進一步更佳為80℃以下，特別較佳為70℃以下。若乙烯-α-烯烴共聚物(B)之熔點在上述範圍內，則良好地維持樹脂組成物之柔軟性，且拉裂性容易進一步提高。乙烯-α­烯烴共聚物(B)之熔點例如可使用差示掃描量熱儀(DSC)等，根據JIS K 7121(1987年)進行測定。
乙烯-α-烯烴共聚物(B)之熔點例如可根據α-烯烴之種類或含有量進行調整。例如，構成乙烯-α-烯烴共聚物(B)之α-烯烴之碳原子數愈大，含有量愈多，乙烯-α-烯烴共聚物(B)之熔點愈容易變低。
乙烯-α-烯烴共聚物(B)可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合而使用。
＜苯乙烯系樹脂(C)＞ 苯乙烯系樹脂(C)只要至少具有苯乙烯作為構成單位之樹脂即可，可為苯乙烯之均聚物，亦可為苯乙烯與其他單體之聚合物。苯乙烯系樹脂(C)之例包含苯乙烯系彈性體、屬於丙烯腈與苯乙烯之共聚物的ABS系樹脂、聚苯乙烯等。該等中，較佳為苯乙烯系彈性體。所謂苯乙烯系彈性體，意指在室溫下為橡膠彈性體之苯乙烯系聚合物。
苯乙烯系彈性體之例包含嵌段共聚物、或其氫化物，該嵌段共聚物包含由苯乙烯嵌段(苯乙烯聚合物)所構成之硬鏈段與由伸烷基嵌段所構成之軟鏈段；苯乙烯與伸烷基之無規共聚物、或其氫化物；或將該苯乙烯系彈性體進行酸改性而成之酸改性苯乙烯系彈性體等。
上述嵌段共聚物中之苯乙烯嵌段只要為2個以上之苯乙烯聚合而成之部位即可，伸烷基嵌段只要為2個以上之烯烴聚合而成之部位即可。伸烷基嵌段可為一種烯烴之均聚物，亦可為兩種以上烯烴之共聚物。
上述嵌段共聚物之例包含苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SB)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物(SI)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)。
如上所述，苯乙烯系彈性體亦可為上述嵌段共聚物之氫化物。在該氫化物中，苯乙烯嵌段及伸烷基嵌段之兩者均可經氫化，亦可僅苯乙烯嵌段或伸烷基嵌段之任一者經氫化，進而亦可僅苯乙烯嵌段及伸烷基嵌段之一部分經氫化。
上述嵌段共聚物之氫化物之例包含屬於苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SB)之氫化物的苯乙烯-乙烯-丁烯嵌段共聚物(SEB)、屬於苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)之氫化物的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、屬於苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)之氫化物的苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)等。
如上所述，苯乙烯系彈性體之例亦包含苯乙烯與伸烷基之無規共聚物。該例包含苯乙烯-丁二烯無規共聚物、苯乙烯-異戊二烯無規共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯無規共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯無規共聚物、苯乙烯-異丁烯無規共聚物、苯乙烯-乙烯-異戊二烯無規共聚物等。
如上所述，苯乙烯系彈性體亦可為上述無規共聚物之氫化物。該例包含苯乙烯-丁二烯無規共聚物之氫化物(HSBR)等。
在未經酸改性之苯乙烯系彈性體中，上述中較佳為氫化物，更佳為苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)及苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)，苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)係由不致損害自樹脂組成物獲得之背面研磨薄膜之基材之柔軟性、可使形成拉裂性良好之觀點而言為特佳。
另一方面，苯乙烯系彈性體可為如上述般使包含上述嵌段共聚物或無規共聚物、或其等之氫化物之彈性體，藉由不飽和羧酸或其衍生物經接枝改性而成之酸改性苯乙烯系彈性體。酸改性苯乙烯系彈性體可為使包含上述嵌段共聚物或無規共聚物、或其等之氫化物之彈性體藉由一種不飽和羧酸或其衍生物經接枝改性而成者，亦可為使二種以上不飽和羧酸或其衍生物經接枝改性而成者。
用於接枝改性之不飽和羧酸之例包含(甲基)丙烯酸、或2-乙基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸等。另一方面，用於接枝改性之不飽和羧酸衍生物之例包含馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐等酸酐；馬來酸單甲酯、馬來酸單乙酯等酸酯；醯胺；酸鹵化物等。該等中，馬來酸或馬來酸酐係由與苯乙烯系彈性體之反應性之觀點而言為較佳。
酸改性苯乙烯系彈性體係藉由在自由基起始劑之存在下，使不飽和羧酸或其衍生物與上述嵌段共聚物或無規共聚物等進行接枝聚合而獲得。自由基起始劑只要為用於聚烯烴之接枝反應者即可，可使用周知之化合物。
酸改性苯乙烯系彈性體之酸值較佳為超過0 mgCH 3ONa/g且未滿20 mgCH 3ONa/g，更佳為超過0 mgCH 3ONa/g且未滿11 mgCH 3ONa/g，進一步更佳為0.5 mgCH 3ONa/g以上且11 mgCH 3ONa/g以下。
進而，苯乙烯系樹脂(C)之例亦包含ABS系樹脂。ABS系樹脂係包含由丙烯腈衍生之構成單位及由苯乙烯衍生之構成單位之樹脂，該例包含藉由混合法、接枝法或接枝混合法等各種製造方法而合成之橡膠強化苯乙烯系聚合物。ABS樹脂之具體例包含使苯乙烯及丙烯腈、以及根據需要之甲基丙烯酸甲酯、α-甲基苯乙烯、乙烯雙馬來醯亞胺、馬來醯亞胺等其他單體與聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯橡膠、乙烯-丙烯-二聚橡膠等橡膠成分進行接枝聚合而成者。
又，苯乙烯系樹脂(C)之例亦包含主要使苯乙烯聚合而成之聚苯乙烯。聚苯乙烯之例除了藉由懸浮聚合法、連續聚合法等製造方法而合成之一般用聚苯乙烯以外，亦包含使苯乙烯與丁二烯橡膠等橡膠成分進行接枝聚合所獲得之耐衝擊性聚苯乙烯等。
由苯乙烯衍生之構成單位之含有量係相對於苯乙烯系樹脂(C)之全部構成單位，較佳為1質量%以上且85質量%以下，更佳為5質量%以上且75質量%以下，進一步更佳為5質量%以上且65質量%以下。若由苯乙烯衍生之構成單位之含有量為下限值以上，則容易賦予樹脂組成物適度之強度，故而拉裂性容易進一步提高。若由苯乙烯衍生之構成單位之含有量為上限值以下，則樹脂組成物之柔軟性不易受損。
苯乙烯系樹脂(C)之根據據JIS K 7210：1999在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率較佳為0.01 g/10分以上且50 g/10分以下，更佳為0.1 g/10分以且上10 g/10分以下，進一步更佳為0.2 g/10分以上且5 g/10分以下。又，根據JIS K 7210：1999在230℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率較佳為0.1 g/10分以上且100 g/10分以下，更佳為0.3 g/10分以上且50 g/10分以下，進一步更佳為0.5 g/10分以上且15 g/10分以下。若苯乙烯系樹脂(C)之熔體流動速率為下限值以上，則樹脂組成物之柔軟性不易受損。若苯乙烯系樹脂(C)之熔體流動速率為上限值以下，則容易賦予樹脂組成物適度之強度，故而拉裂性容易進一步提高。
苯乙烯系樹脂(C)可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合而使用。
＜其他聚合物及添加劑＞ 樹脂組成物係在不損害本發明效果之範圍內，根據需要，亦可包含除上述乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)以外之其他聚合物或各種添加劑、賦黏樹脂、抗靜電劑、紫外線吸収劑、填充材料等。
其他聚合物之例包含聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴。樹脂組成物中之其他聚合物之量係相對於乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)及苯乙烯系樹脂(C)之合計100質量份，較佳為30質量份以下，更佳為20質量份以下。
另一方面，添加劑之例包含抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、顏料、染料、潤滑劑、抗結塊劑、防黴劑、抗菌劑、阻燃劑、阻燃助劑、交聯劑、交聯助劑、發泡劑、發泡助劑、纖維強化材料等。
作為賦黏樹脂，較佳係使用選自由脂肪族系烴樹脂、脂環族系烴樹脂及苯並呋喃-茚樹脂等所構成之群中之烴樹脂、或萜烯樹脂。 於樹脂組成物包含賦黏樹脂之情形下，將乙烯-不飽和酯共聚物(A)與賦黏樹脂之合計設為100質量份時，賦黏樹脂之含有量較佳為4質量份以下，更佳為3質量份以下，進一步更佳為2質量份以下，特別較佳為0.1質量份以下。 又，將乙烯-不飽和酯共聚物(A)、苯乙烯系樹脂(C)及賦黏樹脂之合計設為100質量份時，賦黏樹脂之含有量較佳為2質量份以下，更佳為1質量份以下，進一步更佳為0.5質量份以下，特別較佳為0.1質量份以下。
又，抗靜電劑之例包含低分子型抗靜電劑或高分子型抗靜電劑，但較佳為高分子型抗靜電劑。高分子型抗靜電劑之例包含於分子內具有磺酸鹽之乙烯共聚物、烷基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、甜菜鹼等。又，高分子型抗靜電劑之其他例亦包含聚醚、聚醯胺彈性體、聚酯彈性體、聚醚醯胺或聚醚酯醯胺之無機質子酸之鹽等。作為無機質子酸之鹽，可列舉鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽、鋅鹽或銨鹽。
紫外線吸收劑之例包含二苯甲酮系、苯甲酸酯系、苯并三唑系、氰基丙烯酸酯系、受阻胺系等。
填充材料之例包含二氧化矽、黏土、碳酸鈣、硫酸鋇、玻璃珠、滑石等。
添加劑或抗靜電劑、紫外線吸収劑、填充材料之量係根據其種類適宜選擇。
＜樹脂組成物之製造方法及樹脂組成物之物性＞ 本發明之樹脂組成物之製造方法無特別限制，只要係可使乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)、苯乙烯系樹脂(C)及根據需要之其他聚合物或添加劑混合之方法即無特別限制。例如，可在將全部成分乾摻合後進行熔融混煉，亦可先混煉一部分成分，然後加入其後之成分。
混煉後之樹脂組成物之形狀無特別限制，例如可為顆粒狀等，亦可加工成長條狀或片葉狀之片狀。
樹脂組成物係如上述般具有由乙烯-不飽和酯共聚物(A)衍生之高柔軟性。具體而言，包含樹脂組成物之層根據JIS K 7215：1996測定之硬度(蕭氏硬度A)之初期値無特別限制，但較佳為75以下，更佳為73以下，進一步更佳為71以下。
包含樹脂組成物之層根據JIS K 7215：1996測定之硬度(蕭氏硬度A)於測定開始後15秒後之値無特別限制，但較佳為72以下，更佳為69以下，進一步更佳為67以下。若包含樹脂組成物之層之硬度(蕭氏硬度A)之初期値及15秒後之值分別在上述範圍內，則包含樹脂組成物之層具有更高之柔軟性，故而在作為背面研磨薄膜之基材使用之情形下，凹凸追隨性進一步良好。
包含樹脂組成物之層之硬度(蕭氏硬度A)可藉由例如乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)、苯乙烯系樹脂(C)之種類或熔體流動速率、其等之組成比等進行調整。例如，若將由乙烯-不飽和酯共聚物(A)之不飽和酯衍生之構成單位之含有量增多，或將熔體流動速率增大，則包含樹脂組成物之層之硬度容易變低。又，若將乙烯-不飽和酯共聚物(A)之相對含有量增多，或將熔體流動速率增高，則包含樹脂組成物之層之硬度容易變低。
包含樹脂組成物之層根據JIS K 7210：1999，在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率無特別限定，例如較佳為0.1 g/10分以上且100 g/10分以下，更佳為1 g/10分以上且70 g/10分以下，進一步更佳為5 g/10分以上且50 g/10分以下，特別較佳為10 g/10分以上且40 g/10分以下。若包含樹脂組成物之層之熔體流動速率在上述範圍內，則不僅成形性良好，且柔軟性與拉裂性進一步良好。
包含樹脂組成物之層之每1 mm厚之MD方向(Machine Direction，機器方向)及TD方向(Transverse Direction，寬度方向)之拉裂強度分別較佳為20 N/mm以下，更佳為15 N/mm以下。若包含樹脂組成物之層之拉裂強度在上述範圍內，則具有良好之拉裂性，故而在作為背面研磨薄膜之基材時，容易切斷為半導體晶圓之形狀，亦不易進一步產生切屑或銑屑等。
拉裂強度可按照以下程序進行測定。 使用澆鑄成型機，在加工溫度200℃下將樹脂組成物澆鑄成形，準備250 μm厚之薄膜。將所獲得之薄膜切成150 mm×50 mm之大小，自50 mm寬之中央朝長邊方向切入75 mm之切口。使用Autograph，依夾頭間距75 mm、速度1000 mm/分，上下拉裂切入有切口之試樣，求出其平均強度。而且，將平均強度除以試樣之厚度測定值，算出每1 mm厚之強度(單位為N/mm)作為拉裂強度。
包含樹脂組成物之層之拉裂強度可根據例如乙烯-α-烯烴共聚物(B)、苯乙烯系樹脂(C)之種類或熔體流動速率、含有量等進行調整。例如，若將乙烯-α-烯烴共聚物(B)或苯乙烯系樹脂(C)之含有量增多，或將熔體流動速率降低，則包含樹脂組成物之層之拉裂強度容易變低，拉裂性進一步良好。
2.關於背面研磨薄膜基材 背面研磨薄膜基材只要具有至少一層之上述之包含樹脂組成物之層之基材即可。該背面研磨薄膜基材具有上述之包含樹脂組成物之層，故而具有優異之柔軟性與拉裂性。該背面研磨薄膜基材可較佳地作為背面研磨薄膜之基材而使用，但並不限定於該用途。
該背面研磨薄膜基材之構成無特別限定，可僅具有一層上述之包含樹脂組成物之層，亦可具有2層以上之上述包含樹脂組成物之層。進而，根據需要亦可積層其他樹脂層。
背面研磨薄膜基材之例包含：僅由上述之包含樹脂組成物之層所構成的1層結構之積層體；由上述之包含樹脂組成物之層及其他樹脂層之2層所構成的2層結構之積層體；由上述之包含樹脂組成物之層/其他樹脂層/上述之包含樹脂組成物之層的3層所構成的3層結構之積層體。又，背面研磨薄膜基材係除了上述以外，亦可進一步包含含有黏著劑之層、或黏著片等。
此處，上述之包含樹脂組成物之層可為僅由上述樹脂組成物所構成之層，亦可為包含上述樹脂組成物、及在不損害本發明之目的及効果之範圍內之其他成分之層，但由背面研磨薄膜基材之柔軟性或拉裂性之觀點而言，實質上較佳為上述之包含樹脂組成物之層。
上述之包含樹脂組成物之層之厚度無特別限制，但由提高背面研磨薄膜基材之半導體晶圓之保持性或耐熱收縮性之觀點而言，較佳為適度地厚，較佳為50 μm以上且500 μm以下，更佳為60 μm以上且400 μm以下。
上述之包含樹脂組成物之層根據JIS K 7215：1996測定之硬度(蕭氏硬度A)之初期値及15秒後之值較佳為如上所述。又，上述之包含樹脂組成物之層之每1 mm厚之MD方向及TD方向之拉裂強度較佳亦如上所述。
另一方面，其他樹脂層之例係包含含有以下成分之層：直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯-α-烯烴共聚物、聚丙烯、乙烯-不飽和羧酸共聚物或其離聚物、乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸烷基酯三元共聚物或其離聚物、乙烯-不飽和羧酸烷基酯共聚物、乙烯-乙烯酯共聚物、乙烯-不飽和羧酸烷基酯-一氧化碳共聚物、其等之不飽和羧酸接枝物、聚氯乙烯等。其他樹脂層可僅包含該等樹脂之一種，亦可包含二種以上。
其他樹脂層之厚度無特別限定，但由不使包含樹脂組成物之層之柔軟性或拉裂性受損之觀點而言，較佳為10 μm以上且100 μm以下，更佳為15 μm以上且80 μm以下。
此處，關於背面研磨薄膜基材整體之厚度，若考量作為背面研磨薄膜之構成構件而使用，由提高背面研磨時之半導體晶圓之保持性或耐熱收縮性之觀點而言，較佳為50 μm以上，由提高半導體晶圓之電路面之凹凸追隨性之觀點而言，較佳為600 μm以下。其中，背面研磨薄膜基材整體之厚度更佳為60 μm以上且480 μm以下。
背面研磨薄膜基材表面可進行各種處理，例如可實施電暈處理等。進而，亦可進行電子束線照射。
背面研磨薄膜基材之製造方法無特別限制，可藉由周知之成形法而製造。例如，製造僅由上述之包含樹脂組成物之層所構成之背面研磨薄膜基材之情形下，只要藉由先前周知之T字模澆鑄成形法、T字模切斷成形法、吹塑成形法、擠出層壓法、壓延成形法等，使上述樹脂組成物等成形即可。
另一方面，在背面研磨薄膜基材為上述之包含樹脂組成物之層與其他樹脂層之積層體之情形下，將上述之樹脂組成物與其他樹脂藉由共擠出層壓法等進行成形即可。又，亦可各自分別製作上述包含樹脂組成物之層與其他樹脂層，將該等藉由接著劑或接著片等進行貼合即可。接著劑或接著片之材料之例包含各種乙烯共聚物、或其等之不飽和羧酸接枝物等。又，背面研磨薄膜基材為上述之包含樹脂組成物之層與其他樹脂層之積層體之情形下，可首先形成上述之包含樹脂組成物之層及其他樹脂層中之任一者，在該一者之層上，藉由T字模薄膜成形機、擠出塗佈成形機等形成另一層，並積層。
3.關於背面研磨薄膜 本發明之背面研磨薄膜只要包含上述之背面研磨薄膜基材、及積層於其至少一面之黏著層即可，亦可根據需要包含其他構成。此外，上述之背面研磨薄膜基材包含多層之情形下，較佳為將背面研磨薄膜基材中之包含樹脂組成物之層與黏著層積層。
構成黏著層之黏著劑可為一般之背面研磨薄膜之黏著層用之黏著劑。黏著劑之例包含橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚乙烯醚系黏著劑；放射線硬化型黏著劑；加熱發泡型黏著劑等。其中，若考量背面研磨薄膜自半導體晶圓之剝離性，則黏著層較佳為包含放射線硬化型黏著劑，更佳為包含紫外線硬化型黏著劑。
紫外線硬化型黏著劑通常包含可自由基聚合之自由基聚合性化合物(可為單體、低聚物或聚合物中之任一者)、及光聚合起始劑，亦可根據需要進一步包含交聯劑、賦黏劑、填充材料、抗老化劑、著色劑等添加劑等。
自由基聚合性化合物之例包含：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯等(甲基)丙烯酸烷基酯之單體或低聚物；(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯等(甲基)丙烯酸羥烷基酯之單體或低聚物；上述(甲基)丙烯酸烷基酯及/或(甲基)丙烯酸羥烷基酯與其他單體(例如(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸酐、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等)之共聚單體或低聚物；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇之酯單體、及其低聚物；三聚氰酸2-丙烯基二-3-丁烯基酯、三聚異氰酸2-羥乙基雙(2-丙烯醯氧基乙基)酯、三聚異氰酸三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)酯、三聚異氰酸三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)酯等三聚異氰酸酯等。
光聚合起始劑之例係包含苯偶姻甲醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻烷基醚類；α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮、氯化氧硫 、十二烷基氧硫 、二甲基氧硫 、二乙基氧硫𠮿 等氧硫𠮿 類。
交聯劑之例包含多異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、多胺、含羧基聚合物等。
黏著層之厚度係根據黏著劑之種類適宜選擇，較佳為3 μm～100 μm，進一步較佳為3 μm～50 μm。
又，背面研磨薄膜之黏著層亦可藉由隔離物進行保護。若黏著層為由隔離物進行保護，則可使黏著層之表面保持平滑。又，可使背面研磨薄膜之處理或搬運變得容易，且亦可在隔離物上進行標籤加工。該隔離物在使用背面研磨薄膜時被剝離。
隔離物亦可為紙或聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等合成樹脂薄膜等。又，為了提高自黏著層之剝離性，針對與隔離物之黏著層接觸之面，亦可根據需要實施矽酮處理或氟處理等脫模處理。隔離物之厚度通常為10 μm～200 μm，較佳為25 μm～100 μm左右。
背面研磨薄膜之製造方法無特別限制，例如，亦可在上述之切割基材上利用周知之方法塗佈黏著劑而製造。此時黏著劑之塗佈可藉由凹版輥式塗佈機、反向輥式塗佈機、接觸輥式塗佈機、浸輥式塗佈機、棒式塗佈機、刀式塗佈機、噴霧式塗佈機等進行。又，亦可在剝離片上塗佈黏著劑而形成黏著層，將該黏著層轉印於背面研磨薄膜基材，使背面研磨薄膜基材與黏著層積層。又，亦可藉由共擠出等同時形成背面研磨薄膜基材與黏著層。 [實施例]
以下，參照實施例說明本發明。根據實施例，本發明之範圍不受限定地解釋。熔體流動速率(MFR) 係根據JIS K 7210：1999進行測定。熔點係根據JISＫ 7121(1987年)進行測定。
[材料之準備] 各成分係使用以下物質。
＜乙烯-不飽和酯共聚物(A)＞ ・EVA：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(由乙烯衍生之構成單位之含有量67質量%，由乙酸乙烯酯衍生之構成單位之含有量33質量%，MFR(190℃、荷重2160 g)30 g/10分)
＜乙烯-α-烯烴共聚物(B)＞ ・PO1：乙烯-1-丁烯共聚物(三井化學公司製，TAFMER DF710(商品名)，MFR(190℃、荷重2160 g)1.2 g/10分，密度870 kg/m 3，熔點55℃)
＜苯乙烯系樹脂(C)＞ ・苯乙烯系樹脂1：氫化苯乙烯系熱塑性彈性體SEBS(由苯乙烯衍生之構成單位之含有量30質量%，旭化成公司製，Tuftec H1041(商品名)，MFR(190℃、荷重2160 g)0.3 g/10分，MFR(230℃、荷重2160 g)5 g/10分) ・苯乙烯系樹脂2：氫化苯乙烯系熱塑性彈性體SEBS(由苯乙烯衍生之構成單位之含有量18質量%，旭化成公司製，Tuftec H1062(商品名)，MFR(190℃、荷重2160 g)0.7 g/10分，MFR(230℃、荷重2160 g)4.5 g/10分) ・苯乙烯系樹脂3：氫化苯乙烯系熱塑性彈性體SEBS(由苯乙烯衍生之構成單位之含有量13質量%，Kratonpolymers公司製，Kraton G1657MS(商品名)，MFR(190℃、荷重2160 g)1.6 g/10分，MFR(230℃、荷重2160 g)8.5 g/10分) ・苯乙烯系樹脂4：氫化苯乙烯系熱塑性彈性體酸改性SEBS(由苯乙烯衍生之構成單位之含有量30質量%，旭化成公司製，Tuftec M1913(商品名)，MFR(190℃、荷重2160 g)0.3 g/10分，MFR(230℃、荷重2160 g)5 g/10分，酸值10 mgCH 3ONa/g) ・苯乙烯系樹脂5：氫化苯乙烯系熱塑性彈性體SEBS(由苯乙烯衍生之構成單位之含有量62質量%，旭化成公司製，Tuftec SOE1611(商品名)，MFR(190℃、荷重2160 g)4 g/10分) ・苯乙烯彈性體6：氫化苯乙烯系熱塑性彈性體SEBS(由苯乙烯衍生之構成單位之含有量10質量%，JSR公司製，Dynaron 1320P(商品名)，MFR(190℃、荷重2160 g)0.7 g/10分，MFR(230℃、荷重2160 g)3.5 g/10分)
＜其他樹脂＞ ・PO2：乙烯-1-丁烯共聚物(三井化學公司製，TAFMER DF7350(商品名)，MFR(190℃、荷重2160 g)25 g/10分，密度870 kg/m³，熔點55℃) ・LDPE：高壓法低密度聚乙烯(MFR(190℃、荷重2160 g)1.1 g/10分，密度917 kg/m 3) ・EMAA：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(由苯乙烯衍生之構成單位之含有量91質量%，由甲基丙烯酸衍生之構成單位之含有量9質量%，MFR(190℃、荷重2160 g)2.5 g/10分，密度930 kg/m 3)
[實施例1～7及比較例1～4] 以表1所示之比例(質量比)，將乙烯-不飽和酯共聚物(A)、乙烯-α-烯烴共聚物(B)或苯乙烯系樹脂(C)進行乾摻合，使填裝量為10 kg。其次，向30 mm 軸擠出機(L/D＝32)之樹脂投入口投入經乾摻合之混合物，在加工溫度160℃下進行熔融混煉，獲得背面研磨薄膜基材用樹脂組成物。
對於所獲得之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，依據JIS K 7210：1999，在190℃、荷重2160 g下測定熔體流動速率(MFR)。測定結果於表1中顯示。
[柔軟性之評價] 將所獲得之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物使用設定為160℃之熱壓機製成150 mm×150 mm×3 mm厚之背面研磨薄膜基材。將製成之背面研磨薄膜基材衝壓成寬20 mm×長100 ｍｍ之長條狀，將該試片在23℃、相對濕度50％之環境中保存2周。其後，重疊2片背面研磨薄膜基材，以Asker自動橡膠硬度計P1-D型測定硬度(蕭氏硬度A)。測定值係讀取初期値及15秒後之值。測定條件為根據JIS K 7215：1996。測定結果示於表1。
關於硬度(蕭氏硬度A)之初期値，根據以下之基準評價柔軟性。 A(良好)：71以下 B(稍微良好)：超過71且75以下 C(不良)：超過75
關於硬度(蕭氏硬度A)之15秒後之値，根據以下之基準評價柔軟性。 A(良好)：67以下 B(稍微良好)：超過67且72以下 C(不良)：超過72
[拉裂性評價] 將所獲得之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物使用40 mm 鑄成型機，依加工溫度200℃、轉速100轉、加工速度3 m/分進行澆鑄成形，製成250 μm厚之背面研磨薄膜基材。自所獲得之背面研磨薄膜基材切取150 mm×50 mm之試樣，自50 mm寬之中央朝長邊方向切入75 mm之切口。使用Autograph，依夾頭間距75 mm、速度1000 mm/分，上下拉裂切入有切口之試樣，求出其平均強度。將平均強度除以試樣之厚度測定值，算出每1 mm厚之強度N/mm，作為拉裂強度。拉裂強度係針對背面研磨薄膜基材之MD方向(Machine Direction，機器方向)及TD方向(Transverse Direction，寬度方向)之各者進行測定。測定結果示於表1｡
關於拉裂強度，係根據以下之基準評價拉裂性。MD方向與TD方向之基準共通。 A(良好)：15 N/mm以下 B(稍微良好)：超過15 N/mm且20 N/mm以下 C(不良)：超過20 N/mm
[表1]
   實施例 比較例
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4
乙烯-不飽和酯共聚物(A) EVA 80 80 80 80 80 80 80 100 80 80 80
乙烯-α-烯烴共聚物(B) PO1 20                              
苯乙烯系 樹脂(C) 苯乙烯系樹脂1    20                           
苯乙烯系樹脂2       20                        
苯乙烯系樹脂3          20                     
苯乙烯系樹脂4             20                  
苯乙烯系樹脂5                20               
苯乙烯系樹脂6                   20            
其他樹脂 PO2                         20      
LDPE                            20   
EMAA                               20
樹脂組成物之熔體流動速率(190℃)[g/10分] 17 16 16 21 19 22 17 30 29 21 23
評價結果 硬度(蕭氏硬度A)初期 69 71 69 68 71 70 65 69 69 77 77
A A A A A A A A A C C
硬度(蕭氏硬度A)15秒後 65 67 64 63 67 64 60 65 64 73 73
A A A A A A A A A C C
拉裂強度(MD方向)[N/mm] 12.4 10.2 8.2 8.3 10.4 9.5 10.8 21.0 18.4 18.2 19.8
A A A A A A A C B B B
拉裂強度(TD方向)[N/mm] 14.9 11.1 8.9 10.3 9.7 12.8 12.4 27.0 41.6 21.2 51.4
A A A A A A A C C C C
根據表1可知，使用實施例1～7之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物之背面研磨薄膜基材，係在維持EVA之柔軟性不變之同時，拉裂性優異。與此相對，使用比較例1～4之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物之背面研磨薄膜基材係無法維持EVA之柔軟性，或者即便維持EVA之柔軟性但拉裂性亦不良。
綜上所述，可確認到根據本實施形態之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，可於維持EVA之柔軟性不變之同時，實現拉裂性優異之背面研磨薄膜基材。
本申請案主張基於2022年3月14日申請之日本專利特願2022-39221之優先權。將該申請發明專利說明書中記載之內容全部援用至本案發明專利說明書。 (產業上之可利用性)
根據本發明之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，可實現柔軟性優異、進而拉裂性亦優異之背面研磨薄膜基材。因此，在半導體裝置之製造領域非常有用。

Claims (12)

  1. 一種背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其包含： 乙烯-不飽和酯共聚物(A)； 選自由根據JIS K 7210:1999，在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率為0.1 g/10分以上且未滿25 g/10分之乙烯-α-烯烴共聚物(B)、及苯乙烯系樹脂(C)所構成之群中之至少一種；且 將前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)、前述乙烯-α-烯烴共聚物(B)及前述苯乙烯系樹脂(C)之合計量設為100質量份時，前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)之含有量為超過60質量份且未滿100質量份。
  2. 如請求項1之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中， 前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)之由不飽和酯衍生之構成單位之含有量為15質量%以上且46質量%以下。
  3. 如請求項1之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中， 前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)根據JIS K 7210：1999在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率為0.1 g/10分以上且100 g/10分以下。
  4. 如請求項1之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中， 前述乙烯-α-烯烴共聚物(B)之熔點未滿100℃。
  5. 如請求項1之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中， 前述苯乙烯系樹脂(C)根據JIS K 7210：1999在190℃、荷重2160 g下測定之熔體流動速率為0.01 g/10分以上且50 g/10分以下。
  6. 如請求項1之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中， 前述苯乙烯系樹脂(C)為苯乙烯系彈性體。
  7. 如請求項1之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中， 將背面研磨薄膜用樹脂組成物之整體設為100質量%時，前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)、前述乙烯-α-烯烴共聚物(B)及前述苯乙烯系樹脂(C)之合計量為70質量%以上且100質量%以下。
  8. 如請求項1之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物，其中， 前述乙烯-不飽和酯共聚物(A)為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
  9. 一種背面研磨薄膜基材，其具備至少一層之包含請求項1至8中任一項之背面研磨薄膜基材用樹脂組成物之層。
  10. 如請求項9之背面研磨薄膜基材，其中，前述包含背面研磨薄膜基材用樹脂組成物之層根據JIS K 7215：1996測定之硬度(蕭氏硬度A)之初期値為75以下。
  11. 如請求項9之背面研磨薄膜基材，其中，前述包含背面研磨薄膜基材用樹脂組成物之層根據JIS K 7215：1996測定之硬度(蕭氏硬度A)於測定開始後15秒後之値為72以下。
  12. 一種背面研磨薄膜，其包含： 請求項9之背面研磨薄膜基材、及 積層於前述背面研磨薄膜基材之至少一面之黏著層。
TW112108828A 2022-03-14 2023-03-10 背面研磨薄膜基材用樹脂組成物、背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜 TW202402543A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022039221 2022-03-14
JP2022-039221 2022-03-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202402543A true TW202402543A (zh) 2024-01-16

Family

ID=88023130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112108828A TW202402543A (zh) 2022-03-14 2023-03-10 背面研磨薄膜基材用樹脂組成物、背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202402543A (zh)
WO (1) WO2023176620A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4351487B2 (ja) * 2003-07-14 2009-10-28 ロンシール工業株式会社 ウエハバックグラインド用粘着テープ
CN101896567B (zh) * 2008-02-05 2014-04-30 三井-杜邦聚合化学株式会社 粘合性树脂组合物及粘合膜或片材
KR102483810B1 (ko) * 2018-08-08 2023-01-03 미츠이·다우 폴리케미칼 가부시키가이샤 다이싱 필름 기재용 수지 조성물, 다이싱 필름 기재 및 다이싱 필름

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023176620A1 (ja) 2023-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6617215B2 (ja) ダイシングシート
WO2002042389A1 (fr) Bande adhesive pour usinage de tranches et procedes de fabrication et d'utilisation associes
JP6928183B2 (ja) ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム
JPH11323273A (ja) 粘着シート
JP4651472B2 (ja) 半導体製造テープ用基材フィルム
TWI665283B (zh) 切割片用基材膜及切割片
JP6472972B2 (ja) ダイシングテープ基材用樹脂組成物およびダイシングテープ基材
JP3984075B2 (ja) ダイシング用粘着シート
JP6198948B2 (ja) ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
TW202402543A (zh) 背面研磨薄膜基材用樹脂組成物、背面研磨薄膜基材及背面研磨薄膜
JP3779123B2 (ja) 半導体ウエハ用シート
JP6106526B2 (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2003013019A (ja) ダイシング用粘着シート
JP2023053783A (ja) バックグラインド工程用フィルム及び粘着層付バックグラインド工程用フィルム
JP2022167401A (ja) バックグラインド工程用フィルム
WO2024053490A1 (ja) ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材、およびダイシングフィルム
JP2004292578A (ja) 粘着シート用基材および粘着シート
JP2023082949A (ja) 複層フィルム、粘着フィルム、および半導体製造工程用粘着フィルム
JP2004292579A (ja) 粘着シート用基材および粘着シート