TWI228620B

TWI228620B - Liquid crystal display element, and use of phase difference film used the same for

Info

Publication number: TWI228620B
Application number: TW091123125A
Authority: TW
Inventors: Yuhei Ono; Akihiko Uchiyama
Original assignee: Teijin Ltd
Priority date: 2001-10-09
Filing date: 2002-10-07
Publication date: 2005-03-01
Also published as: KR100875869B1; CA2434069C; EP1435541A1; WO2003032060A1; CN1491370A; CA2434069A1; KR20040038896A; CN1228674C; US7012663B2; EP1435541A4; HK1063218A1; JP3648240B2; JPWO2003032060A1; US20040239852A1

Description

1228620 A7 B7 五、發明説明（1) 【發明所屬之技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關液晶分子長軸於無外加電壓時爲相對於液晶晶兀的基板以接近垂直方向配向的垂直配向型的液晶顯示元件。【先前技術】一般液晶顯示元件，係一對的基板間具有液晶層的液晶晶元及挾具其之直交配置的一對偏光薄膜及相位差薄膜爲主所構成的。此液晶顯示元件廣泛使用於時鐘、計算機等的小型物至顯示器、電視等的大型物。有關此液晶顯示元件，向來作爲液晶者係使用具有正介電係數異方性的液晶分子的TN (Twisted Nematic)型爲主流。此TN型，於無外加電壓時，鄰接構成液晶晶元一邊基板的液晶分子之配向方向，相對於鄰接他邊基板的液晶分子的方向約扭轉 90° 。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製有關TN型的液晶顯示元件，爲實現良質顯示黑色、高對比已有種種的開發。理想的TN型係外加電壓時，相對於該基板面液晶分子長軸必要約略以垂直方向配向的狀態顯示黑色。但是，爲外加電壓的狀態時與該基板鄰接的液晶分子維持水平配向，由於液晶分子的複折射變化光的偏光狀態。其結果，由相對於基板的垂直方向觀看時亦不能顯示完全的黑色。因此實現高對比有困難。對此，垂直配向型，所謂 VA (Vertical Aligned)型的液晶顯示元件，構成液晶晶元的一對基板間在無外加電壓本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 1228620 A 7 B7 五、發明説明（3 時，相對於該基板面液晶分子長軸約略以垂直方向配向。因而與該基板鄰接的液晶分子亦與相對於該基板面略以垂直方向配向之故，光通過液晶層時差不多不變化其偏光狀態。即通常的VA型比TN型由相對於基板的垂直方向觀看時，可實現顯示良好、高對比而完全的黑色。可是，相關於向來的VA型，爲改善視野角的技術提案，例如日本特開平1 1 -95208號公報記載，液晶晶元及該液晶晶元的上下互相的吸收軸直交配置的一對偏光薄膜，及該液晶晶元至少與該偏光薄膜的一邊之間配置由一片或二片的相位差薄膜所構成的視野角補償用相位薄膜所成的垂直配向向列型液晶顯示裝置（參考申請專利範圍第1項及實施例1〜4(段落0030〜003 4))。日本特開2000- 1 3 1 693號公報揭示，VA型的液晶顯示裝置，其基板與偏光板之間配置特定的二軸性相位差板，以該相位差板的面內的遲相軸與相對於液晶層相位差板同側配設的該偏光板的吸收軸約略平行或垂直配置的液晶顯不裝置。具體的說，特定的二片相位差板層合者（參考段落0064’圖54)或特定的二片相位差板於挾持液晶晶元位置各配置一片者（參考段落0070，圖60)。但是，此等的公報所記載的VA.型的液晶顯示裝置之任一者僅能改善某一特定波長的視野角。即，顯示黑色的液晶顯示元件，降低由傾斜方向觀看時的波長的穿透率其結果擴大視野角。但是由於遺落該特定的波長以外的波長的光，有黑色被著色可視的問題。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------_裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 1228620 A7 ___B7 __ 五、發明説明（$ 本發明的主要目的爲，提供新穎的VA型的液晶顯示元件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的其他目的爲提供顯示黑色時，可視光的範圍漏光少’顯示無彩色的黑色的VA型的液晶顯示元件。本發明的他項目的爲提供有關使用相位差薄膜，顯示黑色的VA型的液晶顯示元件，在可視光的全範圍漏光少，爲無彩色的黑色的新穎方法。【發明內容】【發明之揭示】由以下說明可了解本發明的其他目的及優點。本發明者等查明上述黑色因漏光而著色的問題與穿透光的波長分散關係。即上述問題所使用的相位差薄膜，改善某一特定波長的視野角特性的起因而考慮其產生的漏光。本發明者等著眼於相位差薄膜相關的相位差的波長分散特性，控制其波長分散性爲重點，更有效以倂用複數特定的相位差薄膜，完成本發明。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製依本發明，其目的及優點爲，有關一對的基板間，液晶分子的長軸於無外加電壓時，挾持相對於該基板約垂直方向的配向液晶所成的液晶晶元，及挾埋如該液晶晶元配置且偏光軸相互直交的第1 及第2偏光薄膜，及該液晶晶元及該第1及第2偏光薄膜之間至少具備合計二片相位差薄膜（A，C)的液晶顯示元件，其特徵爲；本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 1228620 A7 B7 五、發明説明（4 其相位差薄膜（A)爲滿足下述式（1)及/或（2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R (λ 1 ) / R ( λ 2 ) < 1 (Ο Κ ( A 1 ) / Κ ( λ 2 ) <1 (2) 此處，有關上述式（U'm’RUi)及R(A2) 各自的波長 λΐ、λ2爲R(Al)/R(A2)相位差薄膜的膜面之相位差，K ( λ i ) / K ( λ 2 )各自的波長λ i、λ 2 爲Κ ( λ i ) / Κ ( λ 2 )相位差薄膜的膜厚方向之相位差，波長λι及入2 滿足 400nm< λι< A2〈700nm 的關係；且相位差薄膜（C)爲同時滿足下述式（3)及/或 (4)的關係之液晶顯示元件 η X ^ n y > η ζ (3) 1 <Κ(λι)/Κ(λ2) (4) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此處，η χ爲相位差薄膜的膜面最大折射率，n y爲該相位差薄膜的膜面最大折射率所示方向的直交方位的折射率’ η z爲相位差薄膜的法向方向的折射率，κ，λ i及入2的定義與上述相同。【用以貫施發之最佳型態】有關本發明之垂直配向型液晶晶元（VA型的液晶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐）一 1228620 A7 B7 五、發明説明（9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 元），至少其一邊爲附有電極的透明基板以一定的距離面對面配置，其間隙所挾持的液晶分子長軸具有於無外加電壓時與基板約略垂直方向的配向構造。約略垂直方向之配向係基板與表面像素部相關的液晶分子長軸所成的角度的平均値爲約略垂直者，一般爲80°以上者，更理想爲85° 者，最理想爲87°以上者。又，如日本特開200 1 -23 575 0 號公報所記載無外加電壓時顯示像素部以外，液晶相對於基板並行配向者亦可。有關VA型的液晶晶元，於平行基板間之液晶僅以垂直配向時，在外加電壓時液晶以種種方位角方向傾斜，配向不連續的部份，所謂混亂度，以隨機產生不能得到均勻的顯示的現象。關於此混亂度已有種種的硏究在進行。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S ID 9 8 DIGE S T，（ 1 9 9 8) p . 1 0 8 1「A W i d e V i e w i n g Angle Polymer Stabilized Homeotropic Aligned LCD 」或 Display99Late newspapers，(1 999) p.31「A Wide viewing Angle Back Side Exposure MVA TFT LCD with Novel Structure and Process」所記載之於基板形成突起物，曰本特開平7- 1 99 1 90號公報記載於像素電極置窗部而控制外加電壓時液晶分子的傾斜方向。更且，如日本Sharp技術報弟 80 號 2001 年 8 月 p.ll「使用 Continuous Pinwheel Alignment (CP A)型AS V-LCD的開發」所記載，亦有於液晶添加掌型劑在外加電壓時液晶扭轉倒塌的逆TN型。如此垂直配向型的液晶晶元於外加電壓時相關的液晶的配向狀態有種種形態的取向，本發明不因外加電壓時的液晶配向本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1228620 A7 B7 五、發明説明（^ 狀態而受限制。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明所使用的液晶晶兀’例如穿透型的液晶顯示元件時，波長5 5 0 nm之該液晶的厚度方向相位差（以下爲「K(5 5 0)」）値，通常設定於-400〜-200 nm的程度。此處，厚度方向相位差，以液晶挾持的基板間的距離及相對於基板之垂直方向的液晶之折射率異方性的積表示。有關本發明的液晶顯示元件，例如例如穿透型的液晶顯示元件時，觀看側之反側通常具備後照光，如此的液晶晶元的上下以約略與穿透軸直交的角度配置第1及第2偏光薄膜。相位差薄膜與偏光薄膜的相關位置關係，液晶晶元及第1偏光薄膜之間或液晶晶元與第2偏光薄膜之間至少在其一邊至少配置相位差薄膜A及C的一種。具體的配置例如第1圖〜第6圖所示。經濟部智慧財產局貞工消費合作社印製相位差薄膜A，由於有效的補償偏光板的假軸差異，以與第1或第2偏光薄膜鄰接爲理想。又，相位差薄膜 C，由於有效的補償液晶晶元的厚度方向的相位差，以與液晶晶元鄰接爲理想。又本發明相關的鄰接係以粘著劑直接相互貼合者。相位差薄膜A及/或C，由於不提供相對於由正面射入的偏光的相位差，其遲相軸以與第1及/或第2偏光薄膜的偏光軸平行或直交的配置爲理想。但是，液晶晶元與第1偏光薄膜之間及液晶晶元與第2偏光薄膜之間以約略同一特性的其他相位差薄膜（例如λ /4板），與該相互的其他相位差薄膜的遲相軸實質上平行或直交的配置亦可。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -9 - 1228620 A7 ___ B7_ 五、發明説明（i g亥相iu差薄膜A及C的波長5 5 0 n m的膜面相位差 (以下以「R (550)稱之」）値爲3 00 _以下，κ (5 5 0 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 値爲400 nm以下者爲理想，最適値爲相位差薄膜a及C 的平均折射率（以下爲「η」），相位差薄膜A及C的組合、配置而變化。此處，有關本發明相位差薄膜的膜面相位差 R ( λ ) 及厚度方向相位差 Κ (λ)各自以下述式（12)及（13) 所示， R = (n x - n y ) χ d (12) Κ = { (η x + n y ) / 2 -η z } χ d (13) 上述式中η χ、 η y、η ζ爲相位差薄膜的三次元折射率，各自的相位薄膜膜面之χ軸方向，y軸方向，相位差薄膜垂直的z軸方向的折射率。又，d爲相位差薄膜的厚度 (nm)。λ爲400〜700nm的波長。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製即，n x、 n y、η z爲表示相位差薄膜的光學異方向性的指標。特別是本發明相關的相位差薄膜時， η χ :薄膜膜最大的折射率 n y :與薄膜膜最大的折射率所示方向直交方位的折射率 η z :薄膜法向方向的折射率此處，高分子薄膜爲單延伸時的延伸方向’雙軸延伸時爲更能提升配向方向的延伸方向，即以化學構造而言高本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -10- 1228620 Μ _Β7 五、發明説明（^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 分子主鏈的配向方向的折射率爲最大時光學異方性爲正，其配向方向的折射率爲最小時的光學異方性爲負。本發明相位薄膜的光學異方性被認爲折射率橢圓體依公知的折射率橢圓體之公式求取的方法求出其三次元折射率。此三次元折射率對所使用的光源波長有依存性，以使用光源的波長定義爲理想。本發明相關之相位差薄膜A及C之折射率異方性各自如以下分類。相位差薄膜A : n x > n y = η z 相位差薄膜C:nx ^ n y > η z 本發明係至少合計2片的相位差薄膜，即相位差薄膜 A及相位差薄膜C組合使用。相位差薄膜A於可視範圍持有測定波長爲短波長則實質相位差小的特性，相反的相位差薄膜C，具有測定波長爲短波長則實質相位差大的特性。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製由此特定的2種類的相位差薄膜的組合，可解決上述課題可考慮如以下的理由。相位差薄膜A以補償偏光板的假軸差異爲主，相位差薄膜C則補償一對偏光薄膜間所存在之厚度方向相位差。此處，爲補償廣波長範圍偏光板的假軸差異，以不依存波長之等角度的相位差（deg)給予偏光爲理想。即此相位差以 nm表示時，意味著確實持有短波長相位差小的特性。一方面，一對偏光薄膜間所存在的厚度方向相位差由寬波長範圍補償，一對偏光薄膜可使用 VA液晶晶元以外作爲偏光薄膜保護層的TAC薄膜等。此本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1228620 A7 B7 五、發明説明（3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 等係具有光學異方性，其中亦以具有類似大厚度方向相位差的V A液晶晶元的相位差波長分散，即以持有波長短相位差大的特性者爲理想。即，相位差薄膜A，以單層其相位差的波長分散特性能滿足下述式（1)或（2)的關係爲理想。 R ( λ 1 ) / R ( λ 2 ) < 1 (1) Κ ( λ 1 ) / Κ ( λ 2 ) <1 (2) 換言之，相差差膜面及/或厚度方向相位差（R，K) 具有波長短相位差小的特性。又，相位差薄膜A爲滿足上述特性，不以該相位差薄膜A以外以複數片的其他相位差薄膜層合，實質上爲單一層，即視野角特性的提升由一片的薄膜所成，成本及生產性亦爲有利。又如述，該相位差薄膜A爲控制若千上述特性，可含有少量的液晶。此處Ai，λ2爲滿足下述式（14)的任意波長。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 400 nm < λ ι < λ 2 < 700 nm (14) 相位差薄膜A，理想爲滿足下述式（1 - 1)及/或 (1 - 2) R (450) / R (5 50) < 1 (1-1) K (450) / K (550) < 1 (1-2) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •12- 1228620 A7 ____ B7五、發明説明（l)〇更由具有滿足下述式（5)及/或（6)之波長分散特性可補償寬波長範圍。 1 < R (650) / R (5 5 0) 1 < K (650) / K (5 50) (5)(6) 更以具滿足下述式（10)及/或（11)之波長分散特性爲理想， 0.6 < R (450) / R (5 5 0) < 〇.97 1.01 < K (650) / K (5 50) < 1.4 (10)(11) 相位差的比越接近測定波長的比可適於補償偏光板假軸的差異。上述相位差薄膜A理想爲滿足下述式（7)的關係 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 < R (5 5 0) <300 (7) 本發明使用的相位差薄膜C，同時滿足下述式（3)及 (4)(理想爲（4 -1)及/或（4 - 2))的關係。 ^ n y > Π ζ κ ( λ 1 ) / Κ ( λ 2 (3) (4) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -13- 1228620 A7 B7 五、發明説明（l)l K (650) / K (550)< 1 (4-1) 1 < K (450) / K (5 50) (4 - 2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 即通常相位差薄膜C爲雙軸延伸薄膜，薄膜的厚度方向的折射率η z爲最小。所以具有波長越短厚度方向的相位差K越大的特徵。相位差薄膜C，由滿足下述式（8)的關係可補償液晶厚度方向相位差的效果爲理想。 50 < K (5 5 0) < 400 (8) 相位差薄膜C，爲不妨礙補償相位差薄膜A偏光板假軸的差異的效果，以滿足下述式（9)爲理想。 R (550) < 30 (9) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製特別是，有關本發明相位差薄膜A滿足上述式（7)且相位差薄膜C滿足上述式（8)，各自適於補償偏光板的假軸差異及液晶晶元厚度方向的相位差。本發明的液晶顯示元件係第1及第2偏光薄膜同時由如下述兩側具有保護層的偏光元件所成時，一方面的保護層相位差薄膜A及C，且液晶晶元之波長550 nm的厚度方向的相位差的合計爲如-200〜2〇〇 nm，以使用上述相位差薄膜A及C爲理想。又，使用相位差薄膜A及C以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -14- 1228620 A7 ___ B7 五、發明説明（h (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 外的相位差薄膜時，含此等的相位差薄膜的厚度的相位差的合計爲如-200〜200 nm，以使用上述相位差薄膜A及C 爲理想。本發明所使用的相位差薄膜A，可使用例如WOO0 / 2 6 7〇5號公報（對應EP 1 04526 1號公報）所記載者。具體而言，相位差薄膜A可使用滿足下述（a)或（b) 的條件之高分子配向薄膜。 (a) (1)由含有具正折射異方性高分子的單體單元 (以下以第1單體單元稱之）及具有負折射率異方性的高分子的單體單元（以下以第2單體單元稱之）之高分子所構成之薄膜， (2) 該第1單體單元爲基準的高分子的R (450) / R (5 5 0)係比該第2單體單元爲基準的高分子的R (450) / R (5 5 0)小，且， (3) 具有正折射率異方性，之高分子配向薄膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (b) (1)由含有具正折射異方性高分子的單體單元 (以下以第1單體單元稱之）及具有負折射率異方性的高分子的單體單元（以下以第2單體單元稱之）之高分子所構成之薄膜， (2) 該第1單體單元爲基準的高分子的R (45 0) / R (550)係比該第2單體單元爲基準的高分子的R (45 0) / R (550)大，且， (3) 具有負折射率異方性，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -15- 1228620 A7 B7 五、發明説明（如之高分子配向薄膜。滿足上述（a) (b)之條件形態的例有滿足下述條件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁」 (c) (d)者。 (c) (1)由含有具正折射異方性高分子及具有負折射率異方性的高分子所混合之高分子及/或由含有具正折射異方性高分子的單體單元及具有負折射率異方性的高分子所混合之高分子的單體單元所成的共聚物所構成的薄膜， (2) 該第1單體單元爲基準的高分子的R (450) / R (5 5 0)係比該第2單體單元爲基準的高分子的R (450) / R (5 5 0)小，且， (3) 具有正折射率異方性，之高分子配向薄膜。 (d) (1)由含有具正折射異方性高分子及具有負折射率異方性的高分子所混合之高分子及/或由含有具正折射異方性高分子的單體單元及具有負折射率異方性的高分子所混合之高分子的單體單元所成的共聚物所構成的薄膜，經濟部智惡財產局員工消費合作社印災 (2) 該第1單體單元爲基準的高分子的R (450) / R (5 50)係比該第2單體單元爲基準的高分子的R (450) / R (5 50)大，且， (3) 具有負折射率異方性，之高分子配向薄膜。此處，具有正或負折射率異方性之高分子係給予具有正或負折射率異方性高分子配向薄膜的高分子。有關此高分子配向材料的具體的材料如以下說明。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇X 297公釐） -16- 1228620 A7 _____B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項苒填寫本頁) 相關之高分子材料，成形加工時以加熱者爲多，又依使用用途，以耐熱性優者爲理想，玻璃轉移點溫度爲1 20 °C 以上，理想者爲140°C以上。低於120°C，依顯示元件的使用條件，有發生配向緩和等情況的問題。又，高分子材料以吸水率在1重量％以下者爲理想。高分子材料的吸收率超過1重量％時，作爲相位差薄膜實質上有光學特性變化或尺寸變化等問題的情形。高分子材料的吸水率以0.5重量％以下爲理想。使用的高分子材料無特定的限制，耐熱性優、光學性能良好、可溶液製膜之材料爲佳。例如聚芳酯、聚酯、聚碳酸酯、聚烯烴、聚醚、聚碼、聚醚碼等的熱可塑性聚合物。經濟部智慧財產局S工消費合作社印製使用此熱可塑性聚合物時，如上述，具正折射異方性高分子及具有負折射率異方性的高分子所混合之高分子（2 種以上的高分子之混合物）及/或由含有具正折射異方性高分子的單體單元及具有負折射率異方性的高分子所混合之高分子的單體單元所成的共聚物更爲適。此等2種以上組合使用亦可，又1種類以上的混合物及1種類以上的共聚物組合使用亦可。混合高分子者，須爲由光學的透明者所相溶混合，或各各的高分子的折射率爲約略相等者爲理想。混合高分子的具體組合，合適的可列舉如具有負光學異方性高分子的聚（甲基丙烯酸酯）與具有正光學異方性的聚（偏氯乙烯）、聚（環氧乙烷）及聚（氟化偏氯乙烯-共-三氟乙烯）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17- 1228620 A7 B7 五'發明説明（也 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所成群中至少選擇1種聚合物的組合，具有負光學異方性高分子的聚苯乙烯、聚（苯乙烯-共-月桂醯基馬來酸酐縮醯亞胺）、聚（苯乙烯v共-環己基馬來酸酐縮醯亞胺）及聚 (苯乙烯-共-苯基馬來酸酐縮醯亞胺）所成群中至少選擇1 種聚合物的組合’具有負光學異方性聚（苯乙烯-共-馬來酸酐）與具有正光學異方性的聚碳酸酯的組合，具有正光學異方性的聚（丙烯腈-共-丁二烯）與具有負光學異方性的聚 (丙條腈·共-苯乙烯）的組合，具有正光學異方性的聚碳酸酯與具有負光學異方性聚碳酸酯的組合。但不限定於此。特別是由透明性的觀點，以具有正光學異方性的聚碳酸酯與具有負光學異方性聚碳酸酯的組合混合物爲理想。經濟部智慧財產局員工消費合作社印％共聚物可使用例如聚（丁二烯-共-聚苯乙烯）、聚 (乙烯-共-聚苯乙烯）、聚（丙烯腈-共-丁二烯）、聚（丙烯腈-共-丁二烯-共-苯乙烯）、聚碳酸酯共聚物、聚酯共聚物、聚酯碳酸酯共聚物、聚芳酯共聚物等。特別是，由於具芴基骨幹節段能得到負光學異方性，具有具芴基骨幹的聚碳酸酯共聚物、聚酯共聚物、聚酯碳酸酯共聚物、聚芳酯共聚物等爲理想。其中亦特別以透明性、耐熱性、生產性優之聚碳酸酯共聚物或聚碳酸酯們的混合物高分子爲理想的使用對象。該聚碳酸酯以具有具芴基骨幹構造的聚碳酸酯爲理想。例如含下述式（A)所示的重複單元。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2i〇x 297公釐） -18- 1228620 A 7 B7

Rl 戶2

五、發明説明（也 (A) 上述式（A)中，Ri〜R8爲1種由各自獨立的氫原子、鹵原子及碳數1〜6的烴基所選出的基。其烴基可列舉如甲基、乙基、異丙基、環己基等的烷基，苯基等的芳基。其中，以氫原子、甲基爲理想。 X爲如下述式所不的荀基。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慈財產局員工消費合作社印製

上述式（A)所示重複單元以全重複單元的1〜99莫耳％爲理想，30莫耳％以上爲理想。上述芳香族聚碳酸酯以含上述式（A)所示重複單元a 30〜90莫耳％，及下述式（B)所示重複單元b 佔全體的70〜10莫耳％的芳香族聚碳酯的共聚物及/或混合高分子爲更理想。 r9

(B) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1228620 A7 ___B7 五、發明説明（如上述式（B)中，R9〜R16爲！種由各自獨立的氫原子、鹵原子及碳數1〜22的烴基所選出的基。其碳數i 〜2 2的烴基可列舉如甲基、乙基、異丙基、環己基等的碳數1〜9的烷基，苯基、雙苯基、叔-苯基等的芳基。其中，以氫原子、甲基爲理想。上述式（B)中的Y所示爲下述式群。 c——ArR1_c~——R19 ΓΓΑΓ3

1/ CIV

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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^21 -Si- -C~〇一一r20—〇一C—— R22 以及 ——r23一上述式群中，R 17〜R i9 、R21&R22爲1種由各自獨立的氫原子、鹵原子及碳數1〜22的烴基所選出的基。相關的烴基可列舉如同上述者。R 20及R23爲各自獨立的碳數1〜20的烴基所選出的基。相關的烴基可列舉如同上述本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20- 1228620 A 7 B7 五、發明説明（伯者。Ari〜Ar3爲各自獨立的苯基、萘基等的碳數6〜10 的芳基。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述式（Α)的含量以全重複單元的35〜85莫耳％爲理想，45〜80莫耳％爲更理想。特別是上述式（A)，R 1〜R 8爲氫原子或其一部份爲甲基時，且上述式（B)R9〜Rl6爲氫原子、γ爲異丙基 0寺’ i：述式（A)的含量依所要求的相位差的波長分散性而定。含量的下爲4 5莫耳％，理想爲5 〇莫耳％，更理想爲5 5 莫耳％。上限爲80莫耳％、理想爲75莫耳。/。、理想爲70莫耳％。特別理想的範圍爲5 5〜7 0莫耳％。有關上述芳香族聚碳酸酯爲共聚物時，上述式（A)及 (B)所示重複單位各自以2種以上組合者亦可，混合高分子時’上述重複單位各自以2種以上組合亦可。此處上述莫耳比無關於共聚物、混合物，構成高分子配向薄膜的聚碳酸酯全體嵌段，可由核磁共振裝置（NMR) 求出。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述芳香族聚碳酸酯的共聚物及混合物可由公知的方法製造得到。該製造方法可使用適切的二羥基化合物及光氣的聚縮合方法、熔融聚縮合法等。混合高分子的製造方法以可相互相溶的2種類以上的聚碳酸酯熔融混合等而混合爲理想，不完全相溶者亦以成分間的折射率相合可控制成分間的光散亂，可提高透明性。上述芳香族聚碳酸酯的特性粘度爲0.3〜2.0 dl / g爲理想。低於0.3則性脆不能保持機械強度的問題，超過3.0 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 1228620 A7 _____B7 _ 五、發明説明（也時溶液粘度過高在溶液製膜時產生模線等的問題，或聚合終了時精製困難的問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有關於本發明的相位差薄膜C，亦與上述相位差薄膜A 同樣，以耐熱性爲理想，玻璃轉移點溫度爲1 2 0 °C以上，理想爲由140°C以上之高分子料料成者爲理想。低於12(TC依顯示元件的使用條件，有產生配向緩和的問題。又，吸水率亦以1重量％爲理想。使用的高分子材料無特別的限制，可列舉如聚芳酯、聚酯、聚碳酸酯、聚烯烴、聚醚、聚碼、聚醚碼等的熱可塑性聚合物。其中，亦以耐熱性優、透明性優、光學性能良好、可溶液製膜的材料爲佳。例如芳香族聚碳酸酯、聚烯烴等。本發明的相位差薄膜以透明者爲理想，模糊値爲3%以下，全光線透過率爲85%以上者爲理想。本發明的相位差薄膜中，可含苯基水楊酸、2-羥基二苯甲酮、三苯基磷酸酯等的紫外線吸收劑，或爲改變顏色的增白劑、抗氧化劑等。經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製本發明的相位差薄膜的製造方法，可使用公知的溶融擠壓法，溶液製膜法等。由薄膜的膜厚、外觀等的觀點以使用溶液製膜法爲理想。具體的，使用聚碳酸酯作爲高分子材料時，該聚碳酸酯以二氯甲烷、二氧雜戊環等的有機溶劑溶解’使用溶液製膜法形成未延伸薄膜。接著以常法進行一單軸或雙軸延伸，得到所期望的具有相位差相位差薄膜。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） -22- 1228620 A7 _B7 五、發明説明（io 製造相位差薄膜A時的延伸方法，可利用輥輪速度差的輥輪縱單軸延伸方法，薄膜的橫向利用具針的挾具挾持，挾持部份以拉幅器的薄膜流動方向速度差的拉幅器縱單軸延伸方法，拉幅器的橫方向擴的的拉幅器橫單軸延伸法等的連續延伸方法，由薄膜特性的均勻性的觀點以使用輥單軸延伸法爲理想。一方面，製造相位差薄膜C的延伸方法，可列舉如上述的單軸延伸法縱橫分別延伸的逐次雙軸延伸法、薄膜流動方向以附有速度差的拉幅器依幅方向擴張的同時雙軸延伸法，更有依此方式延伸重複數回的多段延伸法等。爲得到相位差薄膜已列舉數種的連續延伸法的例，本發明的相位差薄膜的延伸方法不限定於此，由生產性的觀點以連續延伸爲理想，但不特別必要爲連續延伸。依如上述的延伸方法代表的方法延伸時，相位差薄膜中爲提高延伸性的目的，可含有公知的可塑劑之鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二丁酯等的鄰苯二甲酸酯，磷酸三丁酯等的磷酸酯，脂肪族二鹼酯，甘油衍生物，甘醇衍生物等。延伸時，前述薄膜製膜時所使用的有機溶劑亦可殘留於薄膜中延伸。此有機溶劑的量的對比爲固體成分的1〜20重量％爲理想。又，上述可塑劑以外，液晶的添加劑，本發明相位差薄膜可得到變化的相位差波長分散。添加量爲聚合物固體成分即構成相位差薄膜的高分子材料的重量對比以10重量 %以下爲理想，3重量％以下更爲理想。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 1228620 A7 ____ B7_一五、發明説明（全 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有關本發明的相位差薄膜的膜厚，以1 // m至3 0 0 // m 者爲理想。又，本發明以相位差薄膜表示，共通者有稱之爲「薄膜」或「薄片」。又’相位差薄膜C係高分子材料亦可將液晶性高分子配向固定於延伸薄膜以外的基材（延至或未延伸薄膜）者。更進一步由薄膜厚度的觀點該基材以上述相位差薄膜A者爲理想。如上述，爲相位差薄膜A的相位差小如短波長，構成高分子配向薄膜的高分子的化學構造很重要，相位差波長分散確有部份依該化學構造而決定，注意其依製膜條件、添加劑、延伸條件、混合狀態、分子量等而變動。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明使用的偏光薄膜，可使用公知的偏光薄膜。例如可列舉如碘或二色性色素等分散於聚乙烯基醇等的聚合物（亦稱爲結合聚合物）中，由延至等至少將碘等配向固定的薄膜，主鏈型或側鏈型的聚乙炔延伸的薄膜等。聚乙烯基醇使用爲結合聚合物的偏光薄膜時，通常，以醋酸纖維素層合於該偏光薄膜作爲該保護薄膜爲多。因此，有關本發明偏光薄膜亦含此層合保護薄膜者。又，本發明的相位差薄膜亦可兼作保護薄膜。使用的偏光薄膜的厚度，使用上述結合聚合物形態時，通常爲30〜3 00 // m。又，由塗覆液晶性二色性的材料配向固定於基材上時，厚度爲0.01〜30 /z m的程度。本發明的液晶顯示元件，係含相位差薄膜，液晶面板的V A型的液晶晶元，偏光薄膜所組合構成。相位差薄膜與 $紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） '' -24- 1228620 A7 B7 五、發明説明（念偏光薄膜鄰接，即以直接接觸爲理想。爲能密合可使用公知的粘著劑或接著劑。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，本發明的液晶顯示元件係液晶晶元的對方（背面）可設置後照光使用。此時，液晶顯示元件與後照光之間可設置稜鏡薄片、擴散薄膜等的各種光學薄膜等。本發明的液晶顯示元件主要可使用於液晶顯示器、液晶投射器等的液晶顯示元件。特別是，廣視野角必要的垂直配向型的液晶顯示元件非常有用。本發明的液晶顯示元件設置後照光的理想構成例如第1 圖〜第6圖所示。但是本發明的液晶顯示元件不限定此構成。此處，第1〜4圖所示，各自的偏光薄膜及相位差薄膜 A以鄰接者爲理想。經濟部智慈財產局8工消費合作社印製此等構成例的相位差薄膜A，不僅使用1片亦可以複數片的相位差薄膜層合使用，同樣的相位差薄膜C亦可使用複數層合片的相位差薄膜C。但是，數片相位差薄膜層合時以具有該相位差薄膜的最大折射率，即彙集所謂光學軸方向爲理想。又，有關上述構成，可爲後照光及後照光側的偏光薄膜爲反射板或半穿透反射板的反射型或半穿透反射型。本發明的合適的形態如下。一對的基板間，液晶分子的長軸於無外加電壓時，挾持相對於該基板約垂直方向配向的VA液晶所成的液晶晶元，及挾埋如該液晶晶元配置且偏光軸相互直交的第1及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 1228620 A7 B7 五、發明説明（僉第2偏光薄膜，及該液晶晶元及該偏光薄膜之間至少具備合計二片相位差薄膜（A，C)的液晶顯示元件，其單層相位差薄膜A，滿足下述式.（10)及/或（π 0.6 < R (450) / R (5 50) < 0.97 1.01 < K (650) / K (5 50) <1.4 (1〇) (11) 而相位差薄膜C，同時滿足下述式（3)及（4-1)與 (4-2) K (650) / K (5 5 0) < 1 1 < Κ (450) / Κ (5 5 0) (3) (4-1) (4-2) 該相位差薄膜Α第1偏光薄膜或第2偏光薄膜鄰接，該相位差薄膜C與液晶晶元鄰接的配置，該相位差薄膜A 的遲相軸與第1偏光薄膜的偏光軸平行或直交，該相位差薄膜A滿足下述式（7) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 < R (5 5 0) <300 ⑺ 且，該相位差薄膜C滿足下述式（8) 50 < K (5 5 0) < 400 (8) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） -26- 1228620 A7 B7 五、發明説明（么且滿足下述式（9) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R (550) < 30 (9) 而且，該相位差薄膜A爲含具有芴基骨幹的聚碳酸酉旨者所成液晶顯示元件。此處，R、κ、n X、n y、n z的定義與上述相同。即依本發明，由使用本發明的相位差薄膜A及相位差薄膜C的組合，明確的可提供全可視光的範圍漏光少，顯示無彩色的黑色VA型的液晶顯示元件。依本發明，可提供一對的基板間，具備液晶分子的長軸於無外加電壓時，挾持相對於該基板約垂直方向的配向液晶所成的液晶晶元，及挾埋如該液晶晶元配置且偏光軸相互直交的第1及第2偏光薄膜，及該液晶晶元及該第1 及第2偏光薄膜之間至少具備合計二片相位差薄膜（A，C) 的液晶顯示元件，補償全可視光範圍的視野角的方法，經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製其相位差薄膜（A)爲滿足下述式（1)及/或（2) R ( λ 1 ) / R ( λ 2 ) <1 (1) Κ ( λ 1 ) / Κ ( λ 2 ) <1 (2) 且相位差薄膜（C)爲同時滿足下述式（3)及/或 (4)的關係之方法。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27- 1228620 A7 _ B7 五、發明説明（龙 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此處，有關上述式（1)、（2)，R ( λ i )及 R ( λ 2 ) 各自的波長 λ i、λ 2爲R U i ) / R ( λ 2 )相位差薄膜的膜面之相位差，Κ ( λ i ) / Κ ( λ 2 )各自的波長λ i、λ 2 爲Κ ( λ i ) / Κ ( λ 2 )相位差薄膜的膜厚方向之相位差，波長λι及λ2 滿足 400 nm < λι < 入2 < 7〇〇 nm 的關係。 η X爲相位差薄膜的膜面最大折射率，n y爲該相位差薄膜的膜面最大折射率所示方向的直交方位的折射率，η ζ爲相位差薄膜的法向方向的折射率，Κ，λ i及λ 2的定義與上述相同。此方法，即上述相位差薄膜Α及相位差薄膜C適用於 VA型液晶顯示元件的具體方法可由上述說明而理解。依本發明，提供滿足下述式（1)及/或（2) R ( λ 1 ) / R ( λ 2 ) <1 (1) Κ ( λ 1 ) / Κ ( λ 2 ) <1 (2) 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製的相位差薄膜Α及滿足下述式（3)及/或（4)的關係 Πχ^ Ily^> πζ (3) 1 <Κ(λι)/Κ(λ2) (4) 的相位差薄膜C的組合，作爲V的液晶顯示元件的相本紙張尺度適用中國國家標李（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28- 1228620 A7 B7 __ 五、發明説明（永位差薄膜（視野角補償薄膜）使用。此處，R、K、nx、ny、nz的定義與上述相同。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此使用，即上述相位差薄膜A及相位差薄膜C適用於 VA型液晶顯示元件的具體使用可由上述說明而理解。發明的效果如以上所說明，由相位差小如短波長的相位差薄膜 A，與相位差大如短波長的相位差薄膜C的組合，可提供全可視光的範圍漏光少，顯示無彩色的黑色VA型的液晶顯示元件。因此可實現全可視光範圍的廣視野角化。【實施方式】以下以實施例詳細說明本發明，本發明不限定於此。 (評價法）本發明申請的說明中所記載的材料特性値依以下的評價法所得。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1)膜面相位差R値、度方向相位差K値的測定膜面相位差R値及厚度方向相位差K値，以分光偏振光橢圓計『Μ 1 5 0』（日本分光（株）製）測定。由入射光線與相位差的表面爲直交狀態測定R値。又，Κ値由改變入射光與相位差的表面的表面的角度，測定各角度的相位差値，依公知的折射率橢圓體之式由曲線固定求出三次元折射率的n x、 n y、η ζ 。又，此時，其他必要作爲參數的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -29- 1228620 A7 __ B7 五、發明説明（余平均折射率η，以ABE折射計（日本（株）AT AGO公司製的『ABE折射率計2-T』）測定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (2) 吸水率的測定乾燥狀態的薄膜，除膜厚爲130 ± 50“ m外，依據日本JIS K7209記載的『塑膠的吸水率及沸騰吸水率試驗方法』測定。試驗片的大小爲5 0 mm的正方形，水溫2 5 °C，樣本以浸漬24小時後，測定重量變化。單位爲重量。/。。 (3) 高分子的玻璃轉移點溫度（Tg)的測定以『DSC2920 Modulated DSC』（TA Instruments 公司製）測定。不是測定成形後的相位差薄膜，而係測定高分子製造後的片狀物或薄片的狀態。 (4) 薄膜膜厚測定以日本ANRITU公司製的電子顯微鏡測定。 (5) 高分子共聚合比的測定以『JNM-alpha600』（日本電子公司製）的 PROTON NMR測定。特別是，雙酚A與雙甲酚芴的共聚物時，使用重苯作爲溶媒，由各自的甲基的PROTON強度比算出。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (6) 聚碳酸酯共聚物的聚合爲製造實施例所使用的聚碳酸酯的單體如以下所示

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐） -30- 1228620 A7 B7 五、發明説明（灰

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 具備攪拌機、溫度計及環流冷卻器的反應槽，投入氫氧化鈉水溶液及離子交換水，以此將具有上述構造的單體 [X]及[Y]依3 3 : 67的莫耳比溶解，加入少量的硫化氫。其次加入二氯甲烷，於20 °C吹入光氣60分鐘。更力口入叔-丁基苯酚乳化後，加入三乙基胺於3 0 °C攪拌3小時終止反應。反應終了後分取有機相，蒸發二氯甲烷得到聚碳酯聚物。所得的共物的組成比與投入的單體的量比約略相同。經濟部智惡財產局員工消費合作社印製 [實施例1] 由上述所得聚碳酸酯共聚物以二氯甲烷，製作成固體成分濃度1 8重量％的膠漿溶液。由此膠漿溶液以溶液流涎法於支撐物上製作薄膜流狀物。將其由支撐物剝離，緩緩昇溫至Tg-20°C乾燥，得到薄膜。其次此薄膜於23 0°C單軸延伸1.6倍得到相位差薄膜A (共聚合p C 1)。確認此薄膜的測定波長越爲短波長相位差越小，且，折射率異方向性爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（21〇X 297公釐） -31 - 1228620 A7 ____ B7 五、發明説明（洳正。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，日本JSR (株製）ARTON以二氯甲烷溶解，製作成固體成分濃度1 8重量％的膠漿溶液。此膠漿溶液與上述同樣製作成薄膜，於175t雙軸延伸1.3倍到相位差薄膜c (ARTON 1)。確認此薄膜的測定波長越爲短波長相位差越大。其次，製作持有如下述表1所示的特性的VA液晶晶元，以市售的碘系偏光薄膜之日本（株）SANRITZ製『HLC2-5618』與上述相位差薄膜使用粘著劑層合如表2所示構成。此面板由傾斜方向的所有角度觀看幾乎無光遺漏’差不多爲完全黑色，遺漏的光亦爲無著色者。 [實施例2] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印災雙酚A型聚碳酸酯（日本帝人化成（株）製Cl400) 以二氯甲烷溶解，製作成固體成分濃度1 8重量％的膠漿溶液。此膠漿溶液與實施例1同樣製作成薄膜，於1 6 5 °C雙軸延伸1 . 1倍到相位差薄膜C (PC 1)。確認此薄膜的測定波長越爲短波長相位差越大。以PC1代替上述表2所示的ARTON1以外，製作成與實施例1同樣的面板構成。此面板由傾斜方向的所有角度觀看幾乎無光遺漏，差不多爲完全黑色，遺漏的光亦爲無著色者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -32- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1228620 A7 B7 五、發明説明（洳表1 η (550) 1.504 d (μηι) 4 R (450) (nm) 0 R (5 5 0) (nm) 0 R (65 0) (nm) 0 K (450) (nm) -325 K (5 5 0) (nm) -3 10 K (650) (nm) -305 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-33- 1228620 A7 B7 五、發明説明（如表2 實施例 1 實施例2 比較例1 第1偏光薄膜第1偏光薄膜第1偏光薄膜 (穿透軸9(Τ ) (穿透軸90° ) (穿透軸90° ) 共聚合PCI 共聚合PC2 ARTON1 (遲相軸90° ) (遲相軸90° ) (遲相軸90° ) 液晶晶兀液晶晶元液晶晶兀 ARTON 1 PC1 ARTON 3 第2偏光薄膜第2偏光薄膜第2偏光薄膜 (穿透軸〇° ) (穿透軸0° ) (穿透軸〇° ) 後照光後照光後照光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [比較例1] 曰本JSR (株製）ARTON以二氯甲烷溶解，製作成固體成分濃度1 8重量％的膠漿溶液。此膠漿溶液與上述同樣製作成薄膜，於17S °C雙軸延伸1.4倍到相位差薄膜C (ARTON 2)。於175°C雙軸延伸1.3倍到相位差薄膜C (ARTON 3) 〇使用此等的薄膜製作成如表2所示的面板構成。此面板由傾斜方向4 5 °的角度觀看確認有光遺漏，遺漏的光亦爲著色之黑色。使用實施例、比較例的相位差薄膜的光學特性如下述表3所示。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34- 1228620 A7 B7 五、發明説明（金表3 共聚合PCI ARTON1 PCI ARTON2 ARTON3 η(550) 1.6240 1.5175 1.5875 1.5175 1.5175 R (450) (nm) 123 0 0 141 0 R (550) (nm) 150 0 R (650) (nm) 159 0 K (450) (nm) 62 222 270 71 212 K (550) (nm) 75 220 250 70 210 K (650) (nm) 80 219 245 70 209 nx(550) 1.6250 1.5182 1.5883 1.5184 1.5182 ny(550) 1.6235 1.5182 1.5883 1.5170 1.5182 nz(550) 1.6235 1.5160 1.5858 1.5170 1.5182 延伸後膜厚(//m) 90 150 80 80 150 玻璃轉移點溫度(°C) 225 170 160 170 170 吸水率(重量％) 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製【商業上之利用領域】依本發明，可提供由使用2片相位差小如短波長的相位差薄膜A，與相位差大如短波長的相位差薄膜C組合的相位差薄膜，減少全寬帶域漏光，顯示鮮明的黑色幾乎無彩色的VA型的液晶顯示元件。此液晶顯示元件可提供畫質優、品質高的液晶顯示裝置。【圖式簡單說明】本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -35- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1228620 A7 B7 五、發明説明（由第1圖所示爲構成本發明的液晶顯不兀件的例。第2圖所示爲構成本發明的液晶顯示元件的一例。第3圖所示爲構、成本發明的液晶顯示元件的一例。第4圖所示爲構成本發明的液晶顯示元件的一例。第5圖所示爲構成本發明的液晶顯示元件的一例。第6圖所示爲構成本發明的液晶顯示元件的一例。符號說明 1P :第1偏光薄膜 A :相位差薄膜A L : V A晶晶兀 C :相位差薄膜C 2P :第2偏光薄膜 B :後照光本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims

1228620 A8 B8 C8 D8 修正替換本外年Θ月少7曰經濟部智慧財產局員工消費合作社印製々、申請專利範圍第9 1 1 23 125號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國93年9月27日修正 1. 一種液晶顯示元件，其係具備：在一對的基板間挾持著當液晶分子之長軸於無外加電壓時，對於該基板約垂直方向配向之液晶所成的液晶晶元，及被配置以挾持該液晶晶元，且偏光軸相互直交的第1及第2偏光薄膜，及該液晶晶兀及該第1及第2偏光薄膜之間至少合計二片之相位差薄膜（A，C)的液晶顯示元件，其特徵爲；相位差薄膜（Α)滿足下述式（1)及/或（2) R ( λ 1 ) / R ( λ 2 ) <1 (1) Κ ( λ 1 ) / Κ ( λ 2 ) <1 (2) (上述式（1)、（2)中，R ( λ !)及R ( λ 2 )係分別爲波長 λ i、λ 2之相位差薄膜的膜面之相位差，K ( λ i )及 κ ( λ 2 )係分別爲波長λ i ' λ 2之相位差薄膜之厚度方向之相位差，λ i及λ 2係滿足 400 nm < λ i < λ 2 < 700 nm之關係的波長）的關係，且相位差薄膜（C)爲同時滿足下述式（3)及（4)的關係， η X ^ n y > η ζ (3) 1 <Κ(λ!)/Κ(λ2) (4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐久 -1 8 8 8 8 ABCD 1228620 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (η x爲相位差薄膜的膜面最大折射率，n y爲與該相位差薄膜之面內之最大折射率之方向的形成直交方位的折射率，η z爲相位差薄膜之法線方向的折射率，K，λ i 及λ2的定義與上述相同）。 2.如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中相位差薄膜Α與第1或第2的偏光薄膜鄰接。 3 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中相位差薄膜C與液晶晶元鄰接。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中相位差薄膜A之遲軸相與偏光薄膜之偏光軸平行或直交。 5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中上述式（1)及（2)之；I i爲波長450 nm，λ 2的爲波長550 nm ° 6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中相位差薄膜A滿足下述式（5)及/或（6) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 < R (650) / R (5 50) (5) 1 < K (650) / K (5 50) (6) R (650)及R (5 5 0)係分別波長650 nm及5 50 nm之相位差薄膜之面內相位差，K (650)及K (550)係分別波長650 nm及550 nm之相位差薄膜厚度方向之相位差。 7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中相位本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -2 - 1228620 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍差薄膜c滿足下述式（4 - 1) K (650) / κ (5 50) < 1 R及K的定義與上述相同。 8.如申請專利範圍第1項之液晶裹頁差薄膜A滿足下述式（7) 10 < R (5 50) < 300 且，相位差薄膜C，滿足下述式（8 50 < K (5 50) < 400 (4-1 $元件，其中相位 ⑺ (8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R及K的定義與上述相同。 > 件，宜中相位 9.如申請專利範圍第1項之液晶_ # 差薄膜A及C均由吸水率！重量%以下的高分子材料所得者。 1 0.如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件’其中相位差薄膜A爲單層。 1 1 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中相位差薄膜A係由具有正折射率異方性之高分子單體單元及具有負折射率異方性之高分子的單體單元所構成之高分子配向薄膜所構成。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 -3 - 1228620 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 I2.如申請專利範圍第11項之液晶顯示元件，其中相位差薄膜A係由含有具芴骨幹的聚碳酸酯所構成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 3 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中相位差薄膜C滿足下述式（9) R (550 ) < 30 (9) R的定義與上述相同。 I4.如申請專利範圍第1項之液晶顯示元件，其中第1 偏光及第2偏光薄膜均由兩側具有保護層之偏光元件所構成時，其中之一的保護層、相位差薄膜A及C及液晶晶元之波長5 5 0 nm之厚度方向之相位差合計爲-200〜200 nm ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 . —種液晶顯不兀件，其係具備：在一對基板間挾持著當液晶分子之長軸於無外加電壓時，對於該基板約垂直方向配向之液晶所成的液晶晶元，及被配置以挾持該液晶晶兀，且偏光軸相互直交的第1及第2偏光薄膜，及該液晶晶元及該偏光薄膜之間至少具備合計二片相位差薄膜 (A，C)的液晶顯示元件，其特徵爲；相位差薄膜A爲單層，且滿足下述式（10)及/或 (11)的關係， 0.6 < R (450) / R (550) < 0.97 (1〇) 1.01 < K (650) / K (5 50) < 1.4 ⑴）本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -4 1228620 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍相位差薄膜c且同時滿足下述式（3)(及（4-υ及/或 (4-2)}的關係， > Κ (650) / Κ (550) < 1 1 < Κ (450) / Κ (5 50) (3) (4-1) (4 一 2 ) 該相位差薄膜Α係與第1偏光薄膜或第2偏光薄膜相鄰接，該相位差薄膜C係配置於與液晶晶元相鄰接’該相位差薄膜A之遲相軸係與第1偏光薄膜之偏光軸平行或直交，該相位差薄膜A滿足下述式（7) 10 < R (5 50) < 300 ⑺ — (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ，1Τ 且，該相位差薄膜C滿足下述式（8) 50 < K (5 50) < 400 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (8) 且滿足下述式（9) R (550) <30 R、Κ、 η X、η 的 (9) 定義與上述相同，R (45〇) 爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐), 5 1228620 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 450 nm之相位差薄膜之面相位差，R (5 50)爲5 50 nm之厚度方向相位差， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該相位差薄膜A爲含具有芴基骨幹的聚碳酸酯者所構成者。 1 6 . —種液晶顯示元件，其係具備··在一對基板間挾持著當液晶分子之長軸於無外加電壓時，對於該基板約垂直方向配向之液晶所成的液晶晶元，及被配置以挾持該液晶晶元，且偏光軸相互直交的第1及第2偏光薄膜，及該液晶晶元及該偏光薄膜之間至少合計二片相位差薄膜（A， C)的液晶顯示元件，其特徵爲；波波400〜70 nm之範圍，相位差薄膜A係當波長越短，薄膜面內及/或厚度方向的相位差實質上越大，相位差薄膜C係當波長越短，厚度方向之相位差實質上越小，且滿足下述式（3) η X ^ n y > η z (3) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 nx、ny、nz的定義與上述相同。 1 7. —種方法，其係具備：在一對基板間挾持著液晶分子之長軸於無外加電壓時，對於該基板約垂直方向配向之液晶所成的液晶晶元，及被配置以挾持該液晶晶元，且偏光軸相互直交的第1及第2偏光薄膜，及該液晶晶元及該第1及第2偏光薄膜之間至少合計二片相位差薄膜（A， C)，藉此補償液晶顯示元件之全可視光範圍之視野角的方氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐L 1228620 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製夂、申請專利範圍法，其特徵爲；相位差薄膜（A)爲滿足下述式（1)及/或（2) R ( λ 1 ) / R ( λ 2 ) <ι (1) κ ( λ 1 ) / Κ ( λ 2 ) <1 (2) (上述式（1)、（2)中，R ( λ i )及 R ( λ 2 )係分別爲波長 λ i、λ 2之相位差薄膜之面內相位差，Κ ( λ i ) 及Κ ( λ 2 )係分別爲波長λ、、λ 2之相位差薄膜之膜厚度方向的相位差，λ i，又2係滿足 400 nm < λ i < λ 2 < 700 nm之關係的波長）的關係，且相位差薄膜（C)爲同時滿足下述式（3)及（4·)的關係， η X ^ n y > η ζ (3) 1 <Κ(λι)/Κ(λ2) (4) (η χ爲相位差薄膜之膜面內的最大折射率，n y爲與該相位差薄膜之面內之最大折射率所示方向呈直交之方位的折射率，η z爲相位差薄膜之法線方向的折射率，K，及λ2的定義與上述相同。 1 8. —種視野角補償薄膜，其特徵爲組合滿足下述式 (1)及/或（2)之關係的相位差薄膜（Α) R ( λ 1 ) / R ( λ 2 ) <1 (1) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1228620 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 κ ( λ 1 ) / K ( λ 2 ) <1 (2) 與滿足下述式（3)及（4)之關係 η χ ^ η y > η ζ (3) 1 <Κ(λι)/Κ(λ2) (4) (R、K、λι、A2、nx、ny、n2；的定義與上述相同）之相位差薄膜C之VA型的液晶顯示元件用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐g