TWI225273B - Method for manufacturing semiconductor device and polishing apparatus - Google Patents

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玫、發明說明 ⑸月^^應敘明’發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 一本龟明係主張以曰本專利申請編號2001_35981 §為優先 權/、申明日為西元^(^年丨丨月26曰，且其全部内容以參 資料包含於此。 背景技術 1 ·技術領域 本發明係關於半導體裝置之製造方法及研磨裝置，特別 是關於包：於製造中產生之基板表面粗糙之去除，或去除 基板上附著物之步驟之半導體裝置之製造方法及為實施复 之研磨裝置。 2.先前技術 近年，伴隨著半導體元件之細微化，半導體裝置之高積 體化，於半導體裝置之製造途中，去除附著於基板上之微 粒或去除無用膜相形重要。例如，作為應去除微粒中重要 者’於半導體裝置之製造步驟中於作為基板之晶圓之斜邊 部及邊緣部產生之起因於加工之表面粗糙之發塵。 於此，於本說明書，例如如示於圖1 7，經過晶圓90中心 之剖面之主表面側之端緣線於晶圓端彎曲之部分稱為斜邊 部B，由该斜邊部b沿基板主表面向晶圓9〇内側之寬幅為數 mm左右之表面略平坦的部分稱為邊緣部E，該斜邊部6與 邊緣部E合稱為端緣部。 如此之起因於加工之表面粗糙為，形成例如溝渠電容之 溝渠，特別是深溝渠於Si晶圓90之表面之RIE(Reactive I〇n Etching ··反應離子蝕刻）步驟發生。 1225273 ⑺ 發明說明續頁 以下，簡單說明該步驟。首先，如圖17所示，形成於以 晶圓90上之矽氮化膜91與&〇2膜92之積層膜以圖案化形成 硬遮罩HM。 其次如圖18所示，將上述硬遮罩作為遮罩HM*si晶圓9〇 以RIE法蝕刻，形成深溝渠93。此時，於以晶圓卯之斜邊部 B及邊緣部E’ 一般地，產生針狀凸起94〇此為被認為，rie 時所產生之副生成物附著於Si晶圓9〇之露出表面之斜邊部 B及邊緣部E，作為蚀刻遮罩之作用，而心⑶日日日圓之表 面。 先刖，為高精度地形成開口徑為次微米等級，高寬比為 數十之非常高之深溝渠93之RIE製程條件則，於斜邊部肢 邊緣部E必然地產生針狀凸起94。 針狀凸起94依地方有所不同，但高度最大將近ι〇_，於 S!晶圓90之搬送時或製程時破損，產生以以為主體之微粒 。此連繫到起因於微粒之良率降低。因此，有必要於製造 步驟途中快速地去除針狀凸起94。 針狀凸起94之去除，先前，以咖⑽⑽㈣叫㈣㈣ j學乾式钱刻)法進行。例如，如圖19所示，以晶圓％之 主表面，即於裝置表面全體塗布光阻95，盆 ，及邊緣部E之數咖寬幅區域之光阻，露出針狀凸二。 以：二：用CDE法’將為覆蓋光阻％之部分之以晶圓90 去以去除斜邊部B及邊緣㈣之針狀凸起94。 凸起94之斜邊部B及邊緣部E之表面狀態示於 如圖21所示，將保護裝置表面之光阻95剝離。 (3) (3)1225273 發明說明續頁 如此，於CDE法，將針狀凸起94去除時，由 已於晶圓90主表面上形成深溝渠 ❼ ； 俘螬，二士 Λ 〒、衣置表面以光阻95 保“而有必要光阻塗布、剝離光阻 等向的蝕刻，雖麸丨丨斜丨丨合咕w 乂丄 又’由方； 於會殘留對應m 乾= ΐ伏之凹凸96(參照圖2G、_)，要將表面粗 才把疋全去除非常困難。 凹凸96，下一步驟以後所進行之cMp等之加工 、研磨塵埃容易殘積，有成問題之情形。再者，於cde 法=-牧晶圓所需之處理時間，通常長達5分鐘以上，有將 產能降低，提高製造成本之問題。 、 然而，近年，於半導體裝置之領域，作為導線材料之a 、作為下世代DRAM或FeRAM之電容電極材料之以或… 作為電容介電體材料2Ta0、PZT等，新材料接連被導入。 然後’成了應認真考慮，於量產化上，由於該等新材料之 污染問題之時期。 特別是，於半導體裝置製造步驟中附著於晶圓之斜邊部 、邊緣部及背面而成污染源之新材料膜之去除，係為重要 課題。例如，作為電容電極使用2Ru膜成膜於晶圓上時， 去除附著於斜邊部、邊緣部及背面之Ru臈為重要。 如此地作為Ru膜之成膜方法，現在—般利用者為cvd法 、。此時，雖然有因裝置構成之程度之差，但不可避免於斜 邊部、邊緣部及背面之附著之RU膜。 又，於濺鍍法利用邊緣阻擋環時，由於對斜邊部及邊緣 部之濺鍍粒子（Ru)之繞入而使Ru膜之附著完全消失有所困 1225273 _明說明續頁 難。特別是，不使形成於晶圓外周部晶片之良率降低，而 奴將邊緣阻擋寬幅縮小時，起因於Ru附著之問題則更大。 ^論任二成膜方法，以成膜後之晶圓之斜邊部、、邊緣部 或背面附著有Ru膜。該種附著於斜邊部等附著之汉11膜，由 於將成下步驟之污染之原因，須於其前去除。 附著於斜邊部等之以膜之去除，由先前以濕餘刻法進行 二該濕餘刻法’係於將背面朝上於水平旋轉之以晶圓滴下 樂液之方式為一般。關於斜邊部及邊緣部則，以調整晶圓 之旋轉數等，藉由調整藥液向裝置側繞入量以對應。 。RU膜呀，由於去除速率為10 nm/min左右而慢，對曰 圓-牧之去除時間通常長達5分鐘以上，有產能降低之問： 嗔本身之去除之外，亦有去除擴散到底材晶圓 ❿之：要。但於擴散Ru之去除，有藉由附加其他可蝕刻 “才之樂液之濕蝕刻之必要。此更將產能降低。又 對裝置給予損傷的適當的藥液不存在的問題。 發明之揭示 關於本發明之一態樣之半導體裂置之製造方法係，於其 成元件之一部分，藉由使研磨面於前述周緣二 被研磨表面磨觸地由前述周緣部到前述基板面内方 设之研磨體研磨至少前述基板之周緣部。 、 又，關於本發明之其他態樣之研磨裝置包含：研 -係包含與基板接觸研磨該基板之至少周緣部之研磨^ . 件’其將前述研磨體由前述周緣部於前述基板面内 方向對基板面以未滿9〇度張設。 -9- (5) (5)1225273 麵說明續覆 圖示之簡要說明 圖^ 1A為於該發明之一實施形態之研磨$置安裝以晶圓之 狀悲由正上方俯視之概略平面圖。 圖1B為示於圖1A之研磨裝置安裝Si晶圓之狀態由橫向所 視之概略側面圖。 圖2A為研磨示於圖以之以晶圓之凹〇部之研磨輪之放大 之側面圖。 圖2B為說明利用圖2A之研磨輪研磨以晶圓之凹口部之圖。 圖3為顯示本發明之其他實施形態粗削研磨及修飾研磨 所利用之研磨裝置之概略平面圖。 圖4為顯示II由本發明之實施形態之研磨裂置進行研磨 之晶圓之斜邊部及邊緣部之表面形狀之剖面圖。 圖5為顯示第1實施形態之研磨裝置之變形例之概略構成 之側面圖。 圖6A、6B、6C為顯示於該發明之更其他之實施形態之各 個研磨膠片與晶圓之相對的3個配置例之圖。 圖7為顯示於該纟明之進—步其他之實施形態之研磨裝 利用長尺之彈性部件研磨晶圓之斜邊部及邊緣部之圖。 圖8為顯示於該發明之進一步其他之實施形態之研磨裝 利用彈性部件將研磨膠片押向斜邊部及邊緣部研磨之 其他方法。 為··、、員不於戎發明之進一步其他之實施形態之研磨裝 將分別S置之研磨膠片對Si晶@之端緣部之主表面側 /、者面側各個接觸之構成。 -10- (6) 響雙嚇 磨裝置 圖10為關於本發明之進一步其他之實施形態之研 之構成概略地顯示之平面圖。 圖11A為顯不關於本發明之進一步其他之實施形態之研 磨裝置之概略平面圖。 圖11B為關於圖11A之實施形態之研磨|置由才黃向所示之 概略側面圖。 圖12為顯示於該發明之其他實施形態之半導體裝置之製 迨方法，幵> 成Ru膜之製程後之Si晶圓之表面構造之剖面圖。 圖13A為顯示關於本發明之進一步其他之實施形態之研 磨裝置之概略平面圖。 圖1 3B為關於圖1 3 A之實施形態之研磨裝置由橫向所示 構成之概略側面圖。 圖14為顯示利用示於圖13A、13B之研磨裝置研磨背面之 S i晶圓之表面狀態之剖面圖。 圖15A〜15D為顯示關於該發明之一實施形態之半導體裝 置之製造方法之斜邊部之種種形狀之圖。 圖16A〜16F為顯示為對應於示於圖15A〜15D之種種斜邊 部之形狀控制研磨膠片之接觸形狀之，關於該發明之一實 加形悲之半導體裝置之製造方法之種種夾具之形狀之側面 圖。 圖17為顯示關於該發明之一實施形態之半導體裝置之势 造方法’於形成溝渠電容之深溝渠之製程後之晶圓構成2 剖面圖。 圖1 8為顯示接續圖1 7之製程後之晶圓表面狀態之剖面圖。 1225273 ⑺ 發明說明續頁: 圖19為顯示為去除產生於圖18之製程之針狀凸起之先前 方法之一例之剖面圖。 圖20為顯示接續圖1 9先前之去除針狀凸起之方法之剖面 圖。 圖2 1為顯示接續圖2 0之針狀凸起去除後之晶圓端部之形 狀之咅彳面圖。 為實施發明之最佳形態 以下，邊參照圖面詳細說明本發明之種種實施形態。 本實施形態為’例如DRAM之構成元件之溝渠電容之一 部分之深溝渠，於Si晶圓表面以RIE法形成時，為去除Si 晶圓之斜邊部及邊緣部產生之表面粗糙之研磨方法。 於本實施形態成研磨對象者係，與先前同樣地，經由圖 17及圖18所示步驟形成具有針狀凸起94之晶圓90。因此， 以下，為避免重複說明，研磨對象之說明將參照圖丨7及圖 18進行。 於该貫施形態’如示於圖17之晶圓90之主表面，即於裝 置面用於形成硬遮罩HM之矽氮化膜91之厚度為200 nm， Si〇2膜92之厚度為900 nm。又，利用該硬遮罩hm所形成圖 18之深溝渠93之開口徑為0.25 μηι、深度為7 μχη。 利用圖17所示硬遮罩ΗΜ將該深溝渠93以RIE形成則，如 圖18所示地，於si晶圓9〇之主表面側包含斜邊部及與邊緣 部E之周緣部有針狀凸起94之形成。 其次’前進到於圖18之RIE步驟所產生之針狀凸起94之去 示乂驟。於本貫施形怨’利用圖1A、圖1 b所示研磨裝置進 -12- ^25273

圓90之 示之概 ⑻ 行針狀凸起94之去除。圖1A為於研磨裝置安裝^曰 狀態由正上方俯視之概略平面圖，圖1B為由橫向所 略側面圖。 於圖1A、圖1B ’ Si晶圓90為因應研磨時產生於Si晶圓9( 周圍空間之微塵，將藉由前述硬遮罩腹形成深溝渠％之裝 置面朝下安裝。Si晶圓9G藉由複數之保持滾輪，在此為伟 保持滾輪la、lb、le、ld所夾，成可於水平面内旋轉。滾

輪la〜Id，雖未示於圖，但以固定於特定之框上之軸上可自 由旋轉地保持。 滾輪la之旋轉軸lax與馬達M結合，向途中所示之箭頭方 向驅動旋轉。在此4個滾輪la〜ld之中僅丨個以馬達“驅動， 但亦可於其他滾輪比〜1(1中！個乃至數個以相同馬達Μ或其 他馬達驅動。 於Si晶圓90之周緣部有作為研磨體之2條帶狀之研磨膠 片2a、2b之研磨面接觸地設置。該等2條研磨膠片以、几 分別，沿著通過Si晶圓90之中心之線，於Si晶圓9〇之周緣 部的前端向Si晶圓90之中心折返。該研磨膠片2a、2b，係 固定研磨材形式，例如具有粒度#1〇〇〇〇號的鑽石於PET膠 片上以錄基曱酸酯型接著劑結合之研磨面的構成。 一邊的研磨膠片2a之一端，於Si晶圓90之上方，即於由 背面側的周緣部向面内方向特定距離之位置，複數圈捲於 送出滾輪2aRl上，其係可自由旋轉地保持於未示於圖之框 上者。研磨膠片2a之另一端，於Si晶圓90之下方，即於由 主面側的周緣部向面内方向特定距離之位置，捲於捲取滚 -13- (9) (9)1225273 響麵續頁 輪2aR2上，其係可自由旋轉地保持於未示於圖之框上者。 捲:取滾輪2aR2,雖未示㈣，例如藉由馬達等以旋轉驅動 。因？ ’研磨膠片2a可接觸Si晶圓9〇之周緣部地對該面内 方向施予張力。另-邊的研磨膠片2b亦相同地施予張力^ 構成。 •由於研磨膠片2a、2b由有彈性的PET膠片所形成，因此於

Sl晶圓9〇之端緣部曲折則該曲折部成直線狀。另-方面 因Si晶圓90之端緣部為圓弧狀，研磨"2a、2^ 内面不與晶圓90之端緣部密著。^，將研磨膠片m 之見幅以例如30 _左右則’例如晶圓9〇之 麵時，將啦膠片之柔軟性加入考慮則，認為研磨膠片23 、2b以該寬幅全體與晶圓9〇之端緣部接觸無妨。 再者研磨勝片2&與呂丨晶圓90之周緣部之往w 觸4之部分之外側有’因應必要嵌:彈性體蓋:及I 盍—字形·彎曲之形狀形成，該開角度為，預先成 ::::=一一 捲取滾輪2aR2間張設之角度’係略同之 ί:之Γ:ΐΓ:磨膠片2a、2b分別略二寬 因此，於施予研磨膠片2a、2b弭士从d 性蓋〜卜研磨膠片 合晶圓90之周緣部之外型 4b ^好配 再者，該彈性體蓋2藉=::積接觸押緊。 猎由固疋於未示於圖設於Si晶圓 -14- 1225273 (ίο) 發明說明續頁 90之周緣下方之框上之押接板5a，如被研磨膠片2a按壓地 配置。該押接板5a由橡膠板等之彈性體所形成，於其上面 之一端經由彈性體蓋4a及研磨膠片2a，如按壓於圖18所示 形成於Si晶圓90之斜邊部B與邊緣部E之針狀凸起部94地配 置。 如前述地，夾著Si晶圓90之中心與押接板5a對稱之位置 ’張設有同樣的研磨膠片2b經由Si晶圓90之周緣部於送出 滾輪2bRl與捲取滾輪2bR2間。於其外側面配置v字狀彎曲 之彈性體蓋4b重疊，藉由押接板5b由下方按壓於Si晶圓9〇 之周緣部。 再者，Si晶圓90周緣部與研磨膠片2b之接觸部附近之， Si晶圓90之旋轉上流側上方，配置有供給作為研磨液之藥 液或純水之研磨液供給噴嘴3。供給於Si晶圓9〇上面之研磨 液，藉由於接觸部之毛細現象與重力，繞入形成於Si晶圓 90之周緣部下側面之被研磨部之針狀凸起部94。但，該供 給量，調節為上述被研磨部變濕的程度。再者，研磨液供 給喷嘴3，於此僅配置於一邊的研磨膠片孔側，亦可同樣地 配置於另一邊的研磨膠片2a側。 又，於Si晶圓90下側之中央部，放射狀地配置複數之氣 體喷射喷嘴6a。該等氣體喷射噴嘴係6a，為將研磨時產生 之微塵由被研磨部吹走之空氣或氮氣等之清潔氣體噴射者 ，至少2支為分別配置為直接朝向以研磨膠片2a、几研磨部 分。清潔氣體經由管6b由未示於圖之氣體源導入腔體6c内 ，由此以均等的壓力供給喷嘴6a。 •15- 00 1225273 發明說明續10 再者’於旋轉之幻晶圓90之 俏測器7，i Α伯、目^〜 ^配置有.凹口 形之凹陷，即二 位而形成於Si晶圓90周緣部之半圓 ,盆垃- M參照圖2A、2B)之位置；及鑽石砂认8 /、接受該凹口谓測器7之輸出以研磨凹口 N之内部。- 緣:==如圖2績示，具有與形成一晶_之周 以形成之研磨面之滑輪形狀，於旋轉轴 圍稭由未不於圖之馬達旋轉驅動。 Π 再者，於圖1A鑽石砂輪8雖遠離Si晶圓9〇之周緣部配 但於針狀凸起部94之研磨結束後藉由凹口㈣器？侦測凹 口 N則’ 示於圖之移動機構將該鑽石砂輪8移動至圖 2B之位置，⑴晶® 9G於該位置停止的狀態下進行研磨凹口 N 〇 以下，詳細說明利用圖1A、圖⑺所示研磨裝置之半導體 裝置之製造方法。如圖18所示將形成針狀凸起94之裝置面 朝下Si晶圓90安裝於圖以、圖1B之圖示位置則，馬達μ被 驅動，經由滾輪la使Si晶圓90向箭頭的方向例如以一定速 度旋轉。此時，由研磨液供給喷頭3供給特定量之研磨液， 由噴射噴嘴6a將清潔氣體向包含Si晶圓9〇周緣部之研磨部 噴射。如此地，形成於Si晶圓9〇之斜邊部3及邊緣部£之針 狀凸起94藉由Si晶圓90之旋轉被濕式研磨。再者，於此雖 利用2條研磨膠片2a、2b例示，但實際上可藉由利用更多的 數的研磨膠片，可更快速地，充分地進行研磨。 於Si晶圓90旋轉時，研磨膠片2a、2b藉由彈性橡膠等所 -16- (12) 1225273 發明說明續頁

成之彈性體蓋4a、4b向晶圓9Q之周緣部之裝置側，背面側 按壓的同時，由下側，藉由押接板5a、％將晶圓9〇押接。 因此，於Sl晶圓90之圓周部之特別是形成針狀凸起％之部 分壓力集中’藉由研磨膠片2a、2·率佳地研磨針狀凸起 94。此時，研磨膠片2a、2b本身張設於送出滾輪〜以、^ 與，取滾輪2aR2、2bR2之間的同時，藉由彈性體蓋^、4i 之彈性及押接板5a、5b之彈性使研磨膠片2&、孔之研磨面 與針狀凸起94以相對較大的面積磨觸，不產生研磨之偏斜 隨著研磨之進行，由於研磨谬片2a、2^研磨面將引起 堵塞，驅動捲取滚輪2aR2、2bR2捲取特定長度之研磨膠片 2a、2b，使之以新的研磨面接觸以晶圓。 再者’如上述地，由於藉由彈性體蓋物、仆之彈性及押 接板5a、5b之彈性使研磨膠片2a、以研磨面與針狀 94以相對較大的面積磨觸，因此即使對研磨膠片〜、孔於 送出滾輪2aRl、2bRl與捲取滾於、 2bR2之間不施予特 別強：張力，研磨膠片2a、2b實質上成由si晶圓9〇 部至則述晶圓9 0之面内方向張設。 。、·

二該實施形態’藉由彈性體蓋4 a、4 b，使研磨膠片2 &、 可以其寬幅全體對晶圓9〇之圓周面接觸地構成 若無該彈性體蓋4a、朴則，研磨膠片2a、2b其寬幅 晶圓90之直徑之尺寸為大時僅中央部可與si晶圓二接觸； 例々口即使Si晶圓90之直徑為約· _， :鱼 =一觸之長度成頂多〜 觸面積擴大，研磨效率差。但是，由於研磨膠片2a、2b; -17- 1225273

晶圓90之面内方向有施予張力 之周圓面之接觸面積變廣。 發明說明續頁 因此與形成有針狀凸起94 1 k善於研磨膠Η 9 q 、2b與晶圓90之接觸面之壓力的 / 旦、爪可將於接觸面研磨 里之起伏充分地變小。於該接觸面研磨 ， 呵原里起伙減低的效果 …、法早僅以押接板5a、5b按壓研磨膠片2a、几得之，了 解到需要經由具有彈性之部件按壓以得之。

如此地擴張貢獻於研磨部分之研磨膠片“、几盥&曰曰圓 9·0之接觸面積使研磨速率變大的同時，為減低於接觸：之 f力之起伏使研磨量同―’可知道因應需要利用形成為仿 曰曰圓90周緣部之外型形狀之形狀之彈性體蓋“、扑為佳。 再者，於該實施形態，為研磨包含Si晶圓9〇之裝置面之 斜邊部B及邊緣部E寬幅為數„1„1之區域，將由彈性體所成 之押接板5a、5b對晶圓90之周緣部之被研磨面由垂直方向 押接，調整研磨膠片2a、2b於邊緣部e區域以壓力換算例如 1kg重/cm2左右接觸。研磨膠片2a、几向包含斜邊部B及邊

緣部E之被研磨部之接觸之強度，以彈性體蓋^、朴之彈力 調整。 又，研磨膠片2a、2b向Si晶圓90之周緣部之接觸範圍為 ，可依如圖1B所示角度Θ(晶圓90與研磨膠片2a、2b所成角 之2倍）改變，將該角度θ以對應斜邊部B之形狀相異種種之 晶圓之端圓部以可得最佳的研磨結果地調整。 例如，斜邊部B之形狀大致分別則如圖15A所示晶圓％之 斜邊部B全體為圓弧狀的全圓型、圖15B所示晶圓9〇之表面 -18- 1225273 v J 嚷說明續頁 與T 2面相交之有稜角型，如圖i5c所示邊斜部3之圓弧部 二 \ 表面正父之面與連接之中間型、與如圖1 5 D所示 平面狀的斜邊部B與晶圓9 〇之側緣之前端部之圓弧部連接 之中間型。 在此，於該等晶圓9〇之端緣部之斜邊部B與晶圓9〇之表面 與境界部’對於斜邊部3之2條切線所成之角度α，示於圖 1Β之研磨膠片2a、2b之開角度Θ需小。 於圖1B，於研磨膠片2a、2b與Si晶圓90之接觸面之壓力 =大小為，將作用於彈性體蓋4a、4b之張力設為τ、彈性體 蓋4a、4b之寬幅設為w、斜邊部B之剖面之曲率半徑設為， p則變為t/pw。惟，研磨膠片2a、2b之厚度對曲率半徑為p

相比’認為充分之小。依此，曲率半徑為p於橫跨斜邊部B 剖面全體上略一定的圖15A之全圓型，可知於接觸面壓力 之起伏小。 另一方面，於斜邊剖面具有直線部分之圖丨5B有稜角型則 :由於於直線的部分之曲率半徑大，於該直線的部分研磨 膠片被按壓至晶圓90表面之壓力變小，產生壓力的起伏。 該問題雖有程度的差但於圖15C、15D的情形亦相同。 ^為改善如此地壓力之起伏，只要進一步使與直線部分平 行的剛性體面由彈性體蓋4a、4b之背面按壓研磨膠片以、 2b地構成即可。 圖16A〜16F為顯示由上述之思考所準備該發明之進一步 其他的實施形態所用之種種形狀之剛體。 圖16A為顯示具有對應具有示於圖15B之形狀之斜邊部b -19- (15) I發明說明續頁 之晶圓90準備之梯形狀之溝51A之剛體51。準備於該剛體 51安裝彈性體膠片4之零件52安裝於研磨裝置。 /圖16B所不，於泫零件52將Si晶圓9〇之端緣部按壓，使 彈f生體膠片4與Si晶圓90之端緣部形狀成相同形狀地，使之 文升y至著溝5 1A之内面按壓。藉由該彈性體膠片4變形而 產生應力。於該狀態將研磨膠片2插入彈性體膠片4與晶圓 9〇之端緣部之間則，由於研磨膠片2因彈性體膠片4之變形 應力可對晶圓90之斜邊部之直線部分均等的壓力按壓。 乂下將δ亥’憂形應力成所望的研磨荷重地，具體地決定 剛體5 1之溝5丨人之内側面之形狀之方法於以下敘述。 首先，將彈性體膠片4配合剛體51之溝51 a之内側面之形 狀（不接觸地）折曲至特定的角度，於此狀態下，如圖l6C所 不地，將溝5 1A假想之内側面vS，使之沿圖丨5B之斜邊部B 之直線部分地，沿虛線所示直線延長之角度地決定之。 该假想的虛線所示之内側面vs至如圖丨6D所示地，於法 線方向僅向彈性體膠片4移動後述之距離3之以實線所示之 面為剛體5 1之溝5 1A之貫際之内側面。距離d為，將彈性 體膠片4之厚度设為D、楊氏係數設為£則，可滿足 E · (d/D) =研磨荷重 之關係。只要將厚度D ,楊氏係數E，所需之彈性體膠片4 之變形應力（研磨荷重）事先因應研磨膠片2之材質等決定 ’將該等值帶入該式則，可求距離d。 圖15C、15D所示地斜邊部B之形狀為中間型的情形，亦 同樣地，於直線部分平行的鋼體51之溝51A内面如圖16£、 -20- 1225273 (16) 發明說明續頁 Λ, v - . f ，Λ ；. ：_> ' ·',：：''··；/ .· 厂 1 6 F所示地’由彈性體膠片4之背面向晶圓9 ο之側圓部押腹 地形成剛體5 1即可。 如此地，研磨膠片2向斜邊部]3接觸之強度，於圖15Α之 全圓型之情形，以彈性體膠片4之變形應力Τ，又，圖15Β 之有稜角型與圖1 5 C、1 5 D之中間型的情形可以彈性體膠片 4之變形應力與距離d調節。 再者’與斜邊部B另外地，為研磨裝置面之邊緣部e之數 mm之區域，將圖⑶之彈性體押接板5a、几之上面由垂直方 向押接，調整研磨膠片2a、2b對邊緣部E以壓力換算為 98066·5 Pa(=l Kg 重/cm2)左右地接觸。 又’由放射狀氣體喷射喷嘴6a吹向裝置面上之清潔氣體 為，流速5 m/sec以上而由裝置面之中央向周邊部且以淺的 角度入射為宜。再者，放射狀氣體喷射噴嘴以，不僅裝置 面側，於Si晶圓90之背面亦設置則更有效果。 如以上地於圖18之Si晶圓90形成之針狀凸起94被研磨去 除之狀態示於圖4。由圖4可明瞭，針狀凸起94完全被去除 ’可知由斜邊部B至邊緣部E可得無凹凸之平滑的研磨面。

Si晶圓90之周緣部之針狀凸起94雖可藉由圖ία、1B之研 磨裝置去除，圖2B所示形狀之凹口 N之内部側壁部形成之 钱刻粗糙無法去除。該凹口 N部分之研磨以圖2A所示形狀 之鑽石砂輪8進行。 首先，藉由圖1A所示凹口偵測器7偵測形成於Si晶圓9〇 之凹口 N之位置。凹口 N被偵測則停止馬達μ。此時，該凹 口 Ν恰好到鑽石砂輪8前方時停止馬達μ，Si晶圓90會停止 • 21 - 1225273 κ } 發明說明續頁 地事先調整位置關係。其後，將鑽石砂輪8藉由未示於圖之 移動機構移動至圖2Β之位置與凹口Ν接合。作為研磨材的 * 規格為’利用例如粒度#10000左右者則研磨面將合極 · 滑。 9 ' 圖2Β為，當鑽石砂輪8抵接凹口 ν的狀態由正上方俯視之 平面圖於貫際研磨時’將鑽石紗輪8之側面之研磨溝$匕 之側面配合凹口 N之斜邊部，經由旋轉軸8a將鑽石砂輪8橫 方向、上下方向移動，研磨對應於斜邊部B、邊緣部E位置 馨 之凹口N内部壁面全體。 於參照圖ΙΑ、1B之研磨裝置之說明，作為進行Si晶圓9〇 之周緣部之研磨膠片2a、21)配合最終修飾之粗糙度利用粒 度為一定程度細微者未交換而用到最後。但，實際上為了 縮短研磨時間，將同時使用之研磨膠片數變多，且，採取 起初利用擁有粗粒度研磨面之研磨膠片，於修飾時交換為 擁有細粒度之研磨面之研磨膠片之方法。 如此構成之該發明之其他實施形態之研磨裝置示於圖3 。示於圖3之研磨裝置為顯示，於si晶圓9〇之周緣部被擁有 · 粗粒度的研磨面之4個研磨膠片2al、2a2、2a3、2a4接觸進 行研磨之狀態。該等研磨膠片2 a 1〜2 a4係與圖1A、1B之實 施形態相同地’分別與彈性體蓋4a 1〜4a4組合而設，與前述 實施形態相同地，施予研磨膠片2a 1〜2a4特定之壓力。 另一方面，修飾用之細粒度之研磨膠片2bl、2b2、2b3、 · 2b4 ’亦以與彈性體蓋4b 1〜4b4組合而設之狀態，設置於與 Si晶圓90不接觸之待命位置。 -22- (18) 發明說明續頁 於該狀態與示於圖1B相同地藉由未示於圖之馬達，使保 持錢la向箭頭方向驅動，使得Si晶圓9〇逆時鐘方向旋轉 ’错由研磨膠片2al〜2a4研磨該周緣部^此時，雖未示於圖 3’與圖1A、1B之實施形態相同地，由研磨液供給噴嘴對 研磨部供給研磨液進行濕式研磨亦可。又，與喷嘴6a相同 地，將未示於圖之噴嘴設於裝置面侧以清潔氣體吹走藉由 研磨所產生之粉塵亦可。 例如’利用圖3之研磨裝置，藉由以下之條件進行圖丨8之 形成於斜邊部B及邊緣部E之針狀凸起94之研磨。 第1研磨膠片（2&1〜2匕4):粒度#40〇〇號之鑽石於1^丁勝片 上以銨基甲酸酯型接著劑結合者（粗磨用）。 第2研磨膠片（2bl〜2b4):粒度#1〇〇〇〇號之鑽石於pET膠片 上以錢基曱酸酯型接著劑結合者（修飾用）。 該等之第1、第2之研磨膠片各個寬幅為3 cm者沿著例如 300 mm直徑之晶圓90圓周，分別如圖3所示地各設置4處。 接觸力：第1研磨膠片（2al〜2a4)、第2之研磨膠片 (2bl〜2b4)之任一情形均由彈性體蓋（4al〜4a4、4Μ〜4Μ)所 施之押壓力設定為1 Kg重。 角度Θ :全部設定為30度。

Si晶圓90之旋轉數：lOOrpm。 由對應於喷嘴3未示於圖之喷嘴供給之研磨液：純水（雖 未示於圖，但4個喷嘴近接於研磨膠片2a 1〜2a4使用，每1 喷嘴供給1 0 ml/min。） 首先，如圖3所示，將粗磨用之研磨膠片2a 1〜2a4沿著Si -23- (19) 1225273

晶圓90圓周4處接觸， 磨）去除針狀凸起94。 鐘的研磨。以該研磨（粗磨研 其次’將粗磨用夕U e 膠片2M〜2b4，進行二磨膠片W〜234切換為修飾用之研磨 將完全去除殘存於s心：::：：。藉由該修飾研磨 ，斜邊部B、it緣部周緣$表面粗磨研磨之損傷 之鏡面。 表面成為平均粗糙度Ra為3 nm以下

二U利用與^ ^ ^ 1相同的鑽石砂輪進行凹σ N之研 。猎使鑽石砂輪以1000 rpm旋轉研磨30秒鐘，於凹口 之針狀凸起完全被去除。 μ PM α 此後，於其他的製成單元， 於Si晶圓90邊以pVA海綿擦拭 水溶液洗淨、潤絲、乾燥，以 狀凸起之研磨步驟。 以斜邊部B及邊緣部e為主體 ’利用純水或者介面活性劑 結束斜邊部B及邊緣部E之針 如此地，作為研磨膠片柔軟帶狀的基材，利用藉由例如 PET膠片上續基甲酸酷型接著劑結合鑽石粉末之固定研 隸方式者，可不需於先前之CDE法不可或缺之藉由光阻

保«置面。其結果，省去保護用光阻塗布，針狀凸起去 除後之光阻剝離之2步驟。 又，依照利用該發明之實施形態之研磨I置之研磨法， 如圖4所示，於斜邊部b及邊緣部E之針狀凸起以去除後之 研磨面成為平滑面。依此，示於圖2〇、圖21於先前之cde 法成問題之針狀凸起之去除後所殘存之，對應於最初，，針，， 的高度的起伏之凹凸96,於下一步驟以後進行之CMp等加 •24- 1225273 (20) 發明說明續頁 工時塵埃容易殘積的問題可解決。 又，如圖ΙΑ、1B所示地，將具有使清潔氣體由噴嘴以噴 射之構成之洗淨部以作為單元組入，只要藉由本實施形態 之研磨裝置進行針狀凸起94之去除，每i片晶圓之處理時間 如上述地可使之為3分鐘左右。依此，比起先前的CDE法之 5分鐘以上，縮短處理時間，提高產能。 再者，依照該發明之實施形態，將示於圖1B之研磨裝置 作為1單元，可構成複數（11)單元之研磨裝置。例如，如圖5 所示’與圖1A相同地’作為保持滾輪la、lb、…之旋轉軸 利用長的旋轉軸AX1、AX2、…，於該旋轉軸上Αχι、Αχ2 ···固又保持滾輪la、lb並將第1之晶圓保持的同時， 利用保持滾輪la(n-l)、lb(n-l)、ian、lbn分別保持第 之晶圓90(n-l)、第n之晶圓9〇11地構成。 例如，於旋轉軸1AX之一端結合馬達^1則，藉由驅動該i 台的馬達Μ ,可使設置於單元之所有晶圓9〇-1〜9〇n同時旋 轉。以此產能可更提高。 於圖5之研磨裝置則，更可將研磨膠片2a-1、2b-1共通利 用於所有單元。即，於最上部之單元設送出滾輪2aRl、2bRi 於最下部之單元設捲取滾輪2aR2、2bR2 ,於此間張設長 ，的研磨膠片2a-l、2b-l。因此，於中間單元，該等研磨 膠片各個以引導滾輪GR於施與張力的狀態下引導。 即，晶圓90-1係，由研磨膠片2a-〗、與彈性體蓋4a-1 ^ 4b-l，及押接板5a]、化巧研磨。相同地，晶圓90(^0 係，由研磨膠片2a-l、2b-l與彈性體蓋4a(n-1)、4b(n-1)， -25- 1225273 (21) 發明說明續頁 及押接板5a(n-l)、5b(n-l)研磨。又，晶圓90η係，由研磨 膠片2a-l、2b-l與彈性體蓋4an、4bn，及押接板5an、5bn 研磨。 再者，由於以上所述之研磨裝置之裝置構成簡單，震置 單體的價格變便宜。又，使用原料亦僅純水或者微量的藥 液’可大幅刪減製程成本。如此地依照各實施例，於刪減 成本之點很大的利基。

再者，於該發明之各實施形態之研磨裝置，可搭載於研 磨中監視研磨之狀態，將結果回饋研磨動作之In_situ型的 監視機構。 作為監視機構，雖未示於圖，例如對圖18之晶圓9〇之名 狀凸起94照射光之光源、㈣該光之光散射之光偵測器 與基於偵測結果判定研磨終點之判定部以構成之，可 用習知之光學方法的機構。 研磨初期由於斜邊部B、邊续卹 逆1透緣部E面粗糙，照射晶圓9〇< 光散射，反射強度弱。但’隨著研磨的進行，研磨面移卢

鏡面反射而反射強度增強。判定部，以光谓測器所帅 光強度（反射強度）與預先決定之等級（臨限值）比較，當 強度達臨限值以上之時點作為研磨終點判定。 各實施形態之研磨裝置之構成，於不脫離本發明之 之範圍，可加以變化。特別θ 接觸之方法，配合晶圓圓^ ’使研磨膠片對於晶圓圓月 變形β Β曰囡回周之端圓部之形狀可認為有各， 於以上之各實施形態 如圖6所示，研磨膠片2，其長邊 ' 26 - 1225273 (22) 發明說明續頁 方向於送出滾輪2aRl與捲取滾輪2aR2間，與晶圓之斜邊部 B正交地配置。該配置時，研磨膠片2有可能被拉向箭頭所 示S曰圓之斜邊部B旋轉方向而扭曲。又，因研磨膠片2之捲 取疑轉軸2aR2與晶圓之旋轉軸正交，研磨膠片2之捲取驅動 部D對晶圓旋轉驅動部，無法緻密地收容。 為改善該等之點，亦有將研磨膠片2之長邊方向與晶圓斜 邊面B平行地配置之方法（圖6B)。但，該配置時，用於研磨

膠片2研磨之有效面積將極端地變小，利用昂貴的研磨膠片 時，並不划算。 ^ 於此，如圖6C所示，考慮使研磨膠片2之長邊方向對晶s 之斜邊面B傾斜之方法。使之如此則，研磨膠片2變不易去 曲，又，可使用於研磨之有效面積變大。

關於利用彈性部件，研磨膠片2向斜邊部B及邊緣部E之存 重施加，亦可考慮別的方法。例如，如圖7所示，亦有將^ ^膠片2a、2b與拉長之彈性體蓋4al、4Μ重疊，將兩者同 時捲於捲取滾輪2aR2、2bR2上捲取之構成。於此，亦有崎 磨膠片2a 2b之材質其本身以如彈性橡膠之彈性體之構成。 取代利用彈性體蓋4之構成，如圖8所示，將具有彈 时之軟塾9%於研磨膠片2之構成亦可。該軟塾9係，由薄的 : :膜所成之袋子中充滿空氣等之氣體或水等流體密封 ； 卡原理，無關於晶圓90之斜邊面之形狀可期 待^加均等的壓力之效果。 ::於如以上各實施例，以一個研磨膠片2將晶圓之 、面及背面之兩面側之斜邊面接觸之機構，例如如示於 -27- 1225273 (23) 發明說明續頁 圖9亦有使之接觸各單面側之構成。該構成較能使研磨膠 片確貫地沿著斜邊面之曲面。

圖9之構成係於圖1B之構成，將研磨膠片2a之捲取滾輪 2aR2由晶圓90之端圓部對晶圓90之表面以約9〇度之角度向 下方垂下之位置移動。另一方之研磨膠片2b則，相反地將 研磨膠片2b之送出滾輪2bRl之位置，由晶圓9〇之端圓部對 晶圓90之表面以約90度向上方起立之位置移動。彈性體蓋 4a、4b亦配合該研磨膠片2a、2b之曲折角度整型之。=時 ’僅彈性體蓋4b以押接板5b押上地構成。 如此地構成則，形成於晶圓9〇之裝置面側之斜邊面之針 狀凸起藉由研磨膠片2b、彈性體蓋4b、彈性體押接板外可 有效地研磨，將晶圓90之背面側之斜邊面藉由另一方之研 磨膠片2a與彈性體蓋4a同時被研磨。 再者，於如此之兩個斜邊面分別使研磨膠片與各單面側 接觸之構成，研磨膠片2a、2b及彈性體蓋4a、仆之彎曲角 度Θ成90度以上，由於由直線之彎曲角度變少，可用難彎曲

較厚之研磨膠片。再者，例如作為研磨膠片利用薄膜狀之 研磨材亦可。 又，雖將晶圓90之旋轉利用滾輪“〜；^邊保持以進行，亦 可於晶圓之背面以真空吸著吸盤保持以驅動旋轉。 又’研磨之製程條件亦可，適當地變更。研磨膠片之形 態、研磨材之種類、亦並非限定者。例如於研磨材亦可使 用BaC〇3等對矽擁有機械化學作用之材料。 又，作為利關1A之喷嘴3之濕式研磨之供給液體，純水 -28- (24) 以外，將矽濕蝕刻 亦可使用。又，介面:二，列如K〇H水溶液，驗離子水等 該等之举液，依^劑水溶液等亦可使用。藉由使^ ，速率或者表面平坦度等提升研磨特性之、:果寸：可期待 又’以排除研磨眉盘 面上將吹氣體之方式而=圖1Α利用由噴嘴―裳置 圖為關於本二之而進=置且面上，放純等液體亦可。 之概略圖。此為將曰八、他之實轭形態之研磨裝置 圖。再者，：ai^S9°安裝之狀態由正上方俯視之概略 詳細說明。 部分付以㈣符號，省略其 取代研磨膠片T D 、a相異之處為，以紐帶狀的研磨 :’即’利用研磨紐帶20。研磨紐帶2〇為，p】 “曰卓^刀子樹脂所成之紐帶之表面，藉由將 二材以接著劑結合者。盡量多的條數之研磨紐帶20沿著 ®9〇之®周接觸地配置’可圖研磨速率之提升。

=該方式，由於研磨紐帶2G的寬幅小，因與晶圓9⑷ 、，邛之接觸部可認為是略平面，其利基係於研磨膠片方5 丄因應需f設為使將接觸部沿晶圓圓周之彈性體蓋等變？ ^特别疋將研磨紐帶20之剖面作為長方形，使長邊命 接觸晶圓圓周面，由於接觸距離會變長，由研磨紐帶⑽ 扭曲防止以及研磨速率提升的觀點為佳。

圖11為，顯示關於本發明之進一步其他之實施形態之研 磨裝置之概略圖。圖^八為將晶圓9〇安裝之狀態由正上方俯 視之概略圖，圖Η B為由橫向所視之概略圖。再者，與圖^ A -29- 1225273 、1B對應之部分付以相同符號，省略其詳細說明。 本研磨裝置與第1實施形態相異之處為，非濕式研磨而以 乾式研磨進行之處。於乾式研磨則，一般研磨屑等之微粒 容易靜電地附著晶圓90。特別是，該等微粒飛散而有污染 裝置面之危險。 於此，於本實施形態，為排除研磨時產生之研磨屑為目 的，設氣體喷射喷嘴30以空氣或者氮氣等之氣體吹之。具

體地為，對於向裝置面側飛散之微粒則，於晶圓9〇之下方 。又放射狀氣體喷射贺鳴30。此與圖ία、1B之喷嘴6a相同者。 放射狀氣體噴射喷嘴30，由裝置面之中心放射狀地，對 裝置面以淺角度入射地，以流速5 m/sec以上之氣流向裝置 面σ人之。以此，可有效地排除研磨屑。再者，放射狀氣體 喷射喷嘴30，不僅裝置面側，於晶圓背面側亦設置則，更 有效果。 再者，研磨正後，靜電地附著於斜邊面之微粒，由切線 方向氣體噴射噴嘴31吹出之氣流以排除之。去體地為，對 研磨膠片2a、2b擦出正後之晶圓90之外周面，沿晶圓9〇之 外周切線向晶圓旋轉方向將氣體以流速1〇 m/sec以上吹之。 利用乾式研磨則，可節約不使用由圖i八之研磨液供給喷 嘴3供給例如純水，不需伴隨此之廢液處理。又，積極的利 用稱為機械化學作用之固相反應研磨時，已知乾式較濕式 研磨速率快。依此，為矽擁有機械化學作用之BaC03等之 研磨材使用於研磨膠片2&, 2b時，本實施形態之乾式研磨 成有效的手法。 -30- 1225273 1^^：明續頁 於以下所述之實施形態，用於作為堆疊式電容之電容 極（下部電極）之Ru膜於裝置面上以CVD法成料，晶圓之 斜邊部、邊緣部及背面附著，說明成為污染源之Ru膜藉由 研磨法去除。再者’亦明瞭該Ru膜作為插塞或導線形^時 亦產生相同的問題。 如圖12所示，於成膜矽氮化膜97之晶圓9〇上，將作為下 部電容電極利用之Ru膜98以批次式之CVD法僅成膜3〇 時’ Ru膜98不僅裝置面’晶圓之斜邊部、邊緣部及背面亦 被成膜30 m左右。此種利用以膜98之電容器係為，例如有 内溝之立體電容。該立體電容係，使用於例如dram* FeRAM 者。 附著於斜邊部B、邊緣部E及背面之1111膜98，會為下一步 驟可來裝置污染的關係上，去除成為必要。斜邊部B及邊緣 部E之Ru膜98之去除藉由第1之實施形態說明之圖1A、1B 之研磨裝置進行。研磨條件如下。 研磨膠片（2a、2b) ·粒度#1〇〇〇〇號之鑽石於pet膠片上以 錢基甲酸酯型接著劑結合者。惟，將寬幅3 cm者沿著20.32 cm (8英吋）之晶圓90之圓周8處接觸地配置。 接觸力：藉由彈性體蓋（4a、4b)所施之押壓力設定為1 Kg 重。 角度Θ : 30度。 旋轉數：100 rpm 研磨液：純水（每1噴嘴供給1〇 ml/min) 藉由一分鐘的研磨，可將附著於斜邊部B及邊緣部E之Ru -31 - 1225273 κ } 明續頁 膜98完全地去除。 其次’將附著於晶圓凹口（未示於圖）之斜邊部及邊緣部之 Ru膜98之去除，以與第1實施形態相同地，藉由鑽石砂輪進 行。將相同砂輪以1〇〇〇巧^^走轉研磨3〇秒，可完全的去除 上述部分之Ru膜98。 由’附著於晶圓90之背面之1^膜98，藉由如圖13A、13B 所不研磨裝置去除。圖13A為將晶圓9〇安裝的狀態由正上 方俯視之概略圖’圖1 3 B為由橫方向所示概略圖。

Si晶圓90 ’將裝置面朝下安裝，藉由滾輪41a〜41d夾住， 可於水平面旋轉。然後，由噴頭形狀之研磨液供給喷嘴42 ，將純水滴至晶圓背面。於此，於彈性體捲有研磨膠片之 研磨膠片滾輪43 ,邊旋轉接觸si晶圓90之背面，濕式研磨 晶圓背面。 研磨膠片滾輪43係，於圓柱狀彈性橡膠，發泡銨基甲酸 酯等接著研磨膠片以捲者，作為尺寸為，2〇32(8英吋）晶圓 用則’直徑30 mm左右，長210 mm左右。 又，由PVA海綿所成之滾輪44，經由由洗淨液供給噴嘴 45供給之洗淨液，邊旋轉邊接觸以晶圓之裝置面。滾輪料 之作用為，施予研磨膠片滾輪43荷重。 於如此之研磨裝置，藉由以下之條件進行研磨。 滾輪43上之研磨膠片：利用粒度#1〇〇〇〇號之鑽石於ρΕΤ 膠片上以銨基甲酸酯型接著劑結合者。 研磨膠片滾輪43之按壓力：設定為1 Kg重。 研磨膠片滾輪之旋轉數·· 100 rpm -32- 1225273 (28) 發明說明續頁 晶圓旋轉數：100 rpm 研磨液··純水（200 ml/min供給） 洗淨液：純水（1000 ml/min供給） 藉由2分鐘的研磨，將附著於背面之Ru膜98完全去除（圖 14) 〇 此後，於其他的單元，包含斜邊部B將晶圓9 0全體以PVA 海綿邊擦拭，利用純水或者界面活性劑水溶液洗淨之，潤 絲，乾燥，以結束斜邊部、邊緣部及背面之Ru膜之研磨去 除。 去除Ru膜98而露出之底層矽氮化膜97上，以ICP分析確認 Ru之污染被洗淨到1 〇1Gat〇rns/cm2以下。 於先前之濕餘刻法則，例如，於藥液利用硝酸二錄鈽2〇% 水溶液時，光使Ru污染低於l〇uatoms/cm2就要5分鐘以上， 為達l〇1Gatoms/cm2以下則更需將底層之矽氮化膜97以稀氟 酸等其他藥液濕蝕刻2分鐘左右。依此，於先前法則，為去 除斜邊部B、邊緣部E及背面之Ru膜，每1片，需要7分鐘以 上的時間。 另一方面，藉由本實施形態之研磨之去除方法則，即使 斜邊部+邊緣部與背面分開進行，為3.5分鐘。 再者，可將斜邊部+邊緣部用裝置（圖ΙΑ、ιΒ)與背面用裝 置（圖13A、13B)，以互不干涉的情形下一體化。一體化時 ’可同時進行斜邊部+邊緣部與背面之Ru膜研磨去除。以 此’處理時間更可縮短為2.5分鐘。依此，可聯繫到大幅的 產能提升。 -33- (29)1225273 發明說明續] :二：本實施形態之研磨方法之 ，裝置早體價格變便宜，又，你田広。 口傅风間早 藥液，可達幅刪減製程成本。’、;斗亦僅純水與微量的 可搭载將研磨中的狀態監視，將結果回 :丨：二動作之一監視機構。作為監視機構 例如伴Uu膜厚度變化之電阻變化之機構者為宜。

遙：：21以例如與旋轉中的晶圓擦觸亦不傷及晶圓之 、月曰等所成之端子（2個）、於端子間施加電壓之電塵 源、測定（監視）流於端子間之電流，即流於^膜中之電流 之電流測定裝置所構成者。 隨著研磨的進行，因以膜之膜厚變薄電阻上升，而電流 :變小。然後’ RU膜完全被去除底層之矽氮化膜等絕緣膜 露出的階段，t流值成零。於該時間，加上將磨去擴散至 矽底層之Ru成分之時間以決定研磨終點。

關於斜邊部之RU膜之研磨監視，將端子接觸斜邊部，關 於者面之Ru膜研磨監視，端子接觸背面地，分別設定端子 之形狀或者端子之位置。由於係與運動中之面接觸，不使 接觸脫離地’將端子以彈簧押之或其本身以彈性體者為佳。 施加之電壓，考慮到對晶圓上裝置之影響則，盡量小為 佳’以mV以下之等級之電壓為佳。又，非直流，而交流之 南頻波’且較容易放大電流波形，平滑化等處理之利基。 本實施形態之研磨裝置之構成，於不脫離發明主旨的範 圍内’可變化。研磨之製程條件，亦可適當的變更。研磨 膠片之形態，研磨材之種類，亦非限定者。 -34- 1225273 發明說明續寅 __ . ^ ，、4列如硝酸二銨鈽水溶液、過硫酸銨水溶液等 =fU匕劑亦可使用。藉由使用該等藥液，可期待研 提升之效果。 干 藉由研磨法去除污染膜之特點為，由研磨材的機械性的 去除作用之參與。因此，對去除化學安定的膜亦有效，又 2散至底層之上述化學安定之膜成分，亦可藉由將底層 1、一 —部分以去除。由於該理由’藉由本研磨法所能去除 染源，不限於以膜，可擴大到Cii膜、pzt膜、BST膜 等，爾後，一般導入半導體製造之新材料膜。 、 又，於本實施形態、，將作為元件之一部分堆疊 < 電容之 下部電極例舉，但插塞或導線，或該等3者中2者以上亦可。 再^，本發明，並非限定於上述實施形態者。例如，於 上述實施形態利用si晶圓作為基板時說明，但利用s〇i晶圓 亦可。再者，SiGe晶圓等之其他半導體晶圓，或者裝置面 以SiGe形成之Si晶圓亦可。 如以上詳述依照本發明之實施形態於 :，形成於基板之周緣部、背面上，或者附著之 效的去除之半導體裝置之製造方法及製造裝置可實現。 其^憂點及變化可藉該技藝上之技術輕易達成。故本發 明之犯圍極廣，不限於本處所述之特定細節及其實施形_ 。如附加申請專利範圍及其等效者所定義，其餘變化亦； 基於相同於本發明之精神及一般性之發明概念。 -35-

Claims (1)

1225273 拾、申請專利範圍 1· 一種半導體裝置之製造方法， ^ 面形成一部分之元件； 一特徵在於：於基板之表 2. 3. 4. 6. 迷基板之至少周緣部， 磨表面，使研磨面磨觸地由前=於前述周緣部之被兩 方向張設之研磨體研磨。34周緣部向前述基板面户 如申請專利範圍第1項之半瀑 於前述研磨之前步料前述H造方法，其4 製程形成。 砍兀件之一部分藉由乾蝕安 m利範圍第2項之半導體褒置之製造方法，" 至:、研磨前述基板之周緣部之步驟係為，;牛 形成之步驟時，去除於前_ 之周緣邛所產生之表面粗糙之步驟。 !了請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法，” 别述元件之一部分係，溝渠電容之溝渠。 '、 如申請專利範圍第!項之半導體裝置之製造方法，豆中 =形成前述元件之-部分時，由前述元件之—部分ς構 成材料所成之附著膜至少附著於前述基板之周緣部。 :申請專利範圍第5項之半導體裝置之製造方法，其中 前述附著膜，將成下步驟之污染源之膜。 ^ $申請專利範圍第5項之半導體裝置之製造方法，其中 別述兀件之一部分係，堆疊式電容之下部電極，插塞及 導線之至少一者。 如申請專利範圍第5項之半導體裝置之製造方法，其中

7· 申讀專麵圍續頁 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 進步’具有去除附著於前述基基板背面之前述附著膜 之步驟。 2申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中 月J述研磨係’固定研磨材方式之濕式研磨。 2申請專利範圍第9項之半導體裝置之製造方法，其中 月J述固疋研磨材方式係，作為前述研磨體利用研磨膠片 者。 2申請專利範圍第10項之半導體裝置之製造方法，其中 前述研磨膠片，以具有彈性之部件，向前述基板之至少 周緣部按壓。 如申請專利範圍第10項之半導體裝置之製造方法，其中 則述研磨膠片，以具有彈性可變形之彈性體，向前述基 板之至少周緣部按壓。 如申請專利範圍第i項之半導體裝置之製造方法，其中 前述研磨以乾式進行。 如申請專利範圍第丨項之半導體裝置之製造方法，其中 研磨前述基板之至少周緣部之步驟，具有將前述基板之 至少周緣部粗磨，與將前述基板之至少周緣部修飾研磨。 種研磨裝置’其特徵在於包含：研磨體，其係具有與 基板接觸並研磨該基板之至少周緣部之研磨面； 張设部件，其將前述研磨體由前述周緣部向前述基板 面内方向對基板面低於9〇度張設。 如申請專㈣圍第15項之研磨裝置，其巾前述張設部件 ，合有將刖述研磨體向前述基板之周緣部按壓之彈性體 1225273 輸專利範圍續頁 17. 18. 19. 20. 蓋。 如申請專利範圍第16項之研磨裝置，其中進一步，含有 為將前述彈性體蓋向前述基板之周緣部按壓之剛體。 如申請專利範圍第1 5項之研磨裝置，其中前述張設部件 ’含有將前述研磨體向前述基板之周緣部按壓之軟墊， 前述軟墊係具有以薄的彈性體形成之袋中密封流體之 構成。 如申請專利範圍第1 5項之研磨裝置，其中具備於前述基 板之研磨中將氣流吹向該基板上之機構，及於前述基板 上流放液體機構之至少一方。 如申請專利範圍第1 5項之研磨裝置，其中前述研磨體， 具有以一端為送出滾輪，另一端為捲取滚輪所捲起之長 條之帶形狀。