JP2000167763A - 半導体デバイスの研磨装置 - Google Patents
半導体デバイスの研磨装置Info
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- JP2000167763A JP2000167763A JP34449498A JP34449498A JP2000167763A JP 2000167763 A JP2000167763 A JP 2000167763A JP 34449498 A JP34449498 A JP 34449498A JP 34449498 A JP34449498 A JP 34449498A JP 2000167763 A JP2000167763 A JP 2000167763A
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- polishing pad
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイスの表面研磨加工において平坦
化を向上する。 【解決手段】 回転する定盤２の上面に貼り付けたポリ
シングパッド１を、定盤２側に設けられた弾性層３と半
導体デバイス側に設けられた硬質樹脂層４とを積層して
構成し、硬質樹脂層４の上面に、ポリシングパッドの外
周に始点及び終点を有しかつポリシングパッドの回転中
心近傍に折り返し点を有する曲線状をなすスラリーガイ
ド溝７を設け、硬質樹脂層をＡＢＳ樹脂材を含むビニル
系コポリマー材にする。 【効果】 ポリシングパッドの表面を適度な硬さとぬれ
性を有する硬質樹脂層にすると共に溝によりスラリーの
分散性及び保持性を良くしたことから、特にセリア系ス
ラリーによるポリシングにおいて従来のものに対して高
い加工速度を達成しかつ表面粗さを小さくでき、半導体
デバイスの表面の平坦化を向上し得る。
化を向上する。 【解決手段】 回転する定盤２の上面に貼り付けたポリ
シングパッド１を、定盤２側に設けられた弾性層３と半
導体デバイス側に設けられた硬質樹脂層４とを積層して
構成し、硬質樹脂層４の上面に、ポリシングパッドの外
周に始点及び終点を有しかつポリシングパッドの回転中
心近傍に折り返し点を有する曲線状をなすスラリーガイ
ド溝７を設け、硬質樹脂層をＡＢＳ樹脂材を含むビニル
系コポリマー材にする。 【効果】 ポリシングパッドの表面を適度な硬さとぬれ
性を有する硬質樹脂層にすると共に溝によりスラリーの
分散性及び保持性を良くしたことから、特にセリア系ス
ラリーによるポリシングにおいて従来のものに対して高
い加工速度を達成しかつ表面粗さを小さくでき、半導体
デバイスの表面の平坦化を向上し得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
研磨装置に関し、特に化学的機械的研磨におけるポリシ
ングパッドに関するものである。
研磨装置に関し、特に化学的機械的研磨におけるポリシ
ングパッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスは集積度を高める
ために多層化されるようになってきたが、そのため半導
体デバイスの表面の平坦化が低下して表面に段差が生じ
る場合が出てきた。また、半導体デバイスの製造工程に
おいて、微細加工の線幅が細くなると、光リソグラフィ
の光の波長が短くなるため、開口係数ＮＡも大きくなっ
て、高解像度を得るために焦点深度が浅くなってしま
う。
ために多層化されるようになってきたが、そのため半導
体デバイスの表面の平坦化が低下して表面に段差が生じ
る場合が出てきた。また、半導体デバイスの製造工程に
おいて、微細加工の線幅が細くなると、光リソグラフィ
の光の波長が短くなるため、開口係数ＮＡも大きくなっ
て、高解像度を得るために焦点深度が浅くなってしま
う。
【０００３】上記したように集積度を高めるために多層
化された半導体デバイスの製造における半導体デバイス
の表面が必ずしも平坦ではないため、半導体デバイスの
製造における微細加工の線幅が細くかつ複雑になるに連
れて、半導体デバイスの表面に段差が生じるようになっ
てきている。
化された半導体デバイスの製造における半導体デバイス
の表面が必ずしも平坦ではないため、半導体デバイスの
製造における微細加工の線幅が細くかつ複雑になるに連
れて、半導体デバイスの表面に段差が生じるようになっ
てきている。
【０００４】上記段差の存在により、配線切れや局所的
な抵抗値の増大を招き、断線による電流容量の低下など
をもたらしたり、耐圧劣化やリークの発生を招くという
問題が生じる。また、段差の存在により半導体露光装置
の焦点深度が実質的に浅くなるため、歩留まり及び信頼
性を向上させるために解像度を増大させようとすると、
焦点深度がより一層浅くなってしまい、加工が困難であ
るという問題がある。
な抵抗値の増大を招き、断線による電流容量の低下など
をもたらしたり、耐圧劣化やリークの発生を招くという
問題が生じる。また、段差の存在により半導体露光装置
の焦点深度が実質的に浅くなるため、歩留まり及び信頼
性を向上させるために解像度を増大させようとすると、
焦点深度がより一層浅くなってしまい、加工が困難であ
るという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】解像度を増大させた微
細加工を容易に行い得るためには半導体デバイス側の平
坦化が必要であり、例えば特開平７−３２１０７６号公
報に開示されているように、化学的機械的研磨（ＣＭＰ
法）を用いたものがあり、その構造の一例を図６に示
す。
細加工を容易に行い得るためには半導体デバイス側の平
坦化が必要であり、例えば特開平７−３２１０７６号公
報に開示されているように、化学的機械的研磨（ＣＭＰ
法）を用いたものがあり、その構造の一例を図６に示
す。
【０００６】図６において、矢印Ａに示されるように回
転する定盤２上にポリシングパッド１１が貼り付けら
れ、そのポリシングパッド１１の上方であってかつ定盤
２の回転中心から偏倚した位置で矢印Ｂに示されるよう
に回転するウエハホルダ８が設けられて、そのウエハホ
ルダ８により、半導体デバイスとしての半導体ウエハ５
がポリシングパッド１１に対峙するように保持されてい
る。
転する定盤２上にポリシングパッド１１が貼り付けら
れ、そのポリシングパッド１１の上方であってかつ定盤
２の回転中心から偏倚した位置で矢印Ｂに示されるよう
に回転するウエハホルダ８が設けられて、そのウエハホ
ルダ８により、半導体デバイスとしての半導体ウエハ５
がポリシングパッド１１に対峙するように保持されてい
る。
【０００７】上記半導体ウエハ５をパッキングパッド１
２を介して圧力機構９によりポリシングパッド１１に押
し付け、かつ研磨剤供給機構１０により研磨剤６をポリ
シングパッド１１上に滴下しながら、定盤２及びウエハ
ホルダ８を上記矢印Ａ及びＢに示されるようにそれぞれ
回転させることにより、半導体ウエハ５が自転しつつ揺
動運動を行うようになり、その表面が研磨される。
２を介して圧力機構９によりポリシングパッド１１に押
し付け、かつ研磨剤供給機構１０により研磨剤６をポリ
シングパッド１１上に滴下しながら、定盤２及びウエハ
ホルダ８を上記矢印Ａ及びＢに示されるようにそれぞれ
回転させることにより、半導体ウエハ５が自転しつつ揺
動運動を行うようになり、その表面が研磨される。
【０００８】しかしながら、上記ポリシングパッド１１
には発泡ウレタン材が用いられており、セリア系スラリ
ーでの加工速度は良好であるが、シリカ系スラリーでの
加工速度が遅いという欠点がある。また、荷重がかかる
とポリシングパッド１１が圧縮変形を起こし易い。さら
に、例えばＴＥＧパターンウエハのパターン形状を消滅
して平坦化することが困難であるという問題があった。
には発泡ウレタン材が用いられており、セリア系スラリ
ーでの加工速度は良好であるが、シリカ系スラリーでの
加工速度が遅いという欠点がある。また、荷重がかかる
とポリシングパッド１１が圧縮変形を起こし易い。さら
に、例えばＴＥＧパターンウエハのパターン形状を消滅
して平坦化することが困難であるという問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決し
て、半導体デバイスの表面の平坦化を向上し得る研磨装
置を実現するために、本発明に於いては、回転する定盤
上にポリシングパッドを貼り付け、前記定盤の上方にて
前記定盤の回転中心から偏倚して回転するホルダにより
半導体デバイスをその表面を前記ポリシングパッドに対
峙させた状態に保持すると共に、スラリーを前記ポリシ
ングパッド上に供給して前記半導体デバイスの表面を研
磨するようにした半導体デバイスの研磨装置であって、
前記ポリシングパッドが、前記定盤側に設けられた弾性
層と、前記半導体デバイス側に設けられた硬質樹脂層と
からなり、前記硬質樹脂層の表面に、前記スラリーを保
持し得ると共に前記定盤及び前記ホルダの回転により前
記半導体デバイスの表面の全面に前記スラリーが分散す
るようにガイドするスラリーガイド溝を設け、前記スラ
リーガイド溝が、前記ポリシングパッドの外周に始点及
び終点を有しかつ前記ポリシングパッドの回転中心近傍
に折り返し点を有する曲線状をなすものとした。
て、半導体デバイスの表面の平坦化を向上し得る研磨装
置を実現するために、本発明に於いては、回転する定盤
上にポリシングパッドを貼り付け、前記定盤の上方にて
前記定盤の回転中心から偏倚して回転するホルダにより
半導体デバイスをその表面を前記ポリシングパッドに対
峙させた状態に保持すると共に、スラリーを前記ポリシ
ングパッド上に供給して前記半導体デバイスの表面を研
磨するようにした半導体デバイスの研磨装置であって、
前記ポリシングパッドが、前記定盤側に設けられた弾性
層と、前記半導体デバイス側に設けられた硬質樹脂層と
からなり、前記硬質樹脂層の表面に、前記スラリーを保
持し得ると共に前記定盤及び前記ホルダの回転により前
記半導体デバイスの表面の全面に前記スラリーが分散す
るようにガイドするスラリーガイド溝を設け、前記スラ
リーガイド溝が、前記ポリシングパッドの外周に始点及
び終点を有しかつ前記ポリシングパッドの回転中心近傍
に折り返し点を有する曲線状をなすものとした。
【００１０】これによれば、表面に段差を有する半導体
デバイスの表面を研磨する際に、ポリシングパッドの加
工面が硬いことから、その加工面が段差の溝底に接触す
ることなく加工していくことができると共に、スラリー
ガイド溝の経路長を長くすることができ、スラリーが溝
内保持される時間を長くすることができると同時に、溝
内のスラリー及び研磨屑の流れを円滑化することができ
る。
デバイスの表面を研磨する際に、ポリシングパッドの加
工面が硬いことから、その加工面が段差の溝底に接触す
ることなく加工していくことができると共に、スラリー
ガイド溝の経路長を長くすることができ、スラリーが溝
内保持される時間を長くすることができると同時に、溝
内のスラリー及び研磨屑の流れを円滑化することができ
る。
【００１１】また、前記硬質樹脂層が、ＡＢＳ樹脂材を
含むビニル系コポリマー材からなると良い。
含むビニル系コポリマー材からなると良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に添付の図面に示された具体
例に基づいて本発明の実施の形態について詳細に説明す
る。
例に基づいて本発明の実施の形態について詳細に説明す
る。
【００１３】図１は、本発明が適用された化学的機械的
研磨装置に用いられるポリシングパッド１の要部拡大断
面図である。なお、本装置は、従来例で示したものと同
様の構造であって良く、その詳しい説明を省略する。
研磨装置に用いられるポリシングパッド１の要部拡大断
面図である。なお、本装置は、従来例で示したものと同
様の構造であって良く、その詳しい説明を省略する。
【００１４】図１において、本ポリシングパッド１は、
定盤２の上面に貼り付けられており、その定盤２側に設
けられた弾性層３と半導体デバイス側に設けられた硬質
樹脂層４とを積層してなる。弾性層３としては従来のポ
リシングパッドに用いられていた発泡ウレタン材や他の
発泡性樹脂材であって良く、硬質樹脂層４としては無発
泡性高分子材であるＡＢＳ樹脂材を含むビニル系コポリ
マー材であると良い。
定盤２の上面に貼り付けられており、その定盤２側に設
けられた弾性層３と半導体デバイス側に設けられた硬質
樹脂層４とを積層してなる。弾性層３としては従来のポ
リシングパッドに用いられていた発泡ウレタン材や他の
発泡性樹脂材であって良く、硬質樹脂層４としては無発
泡性高分子材であるＡＢＳ樹脂材を含むビニル系コポリ
マー材であると良い。
【００１５】また、加工対象の半導体ウエハ５の表面５
ａに対峙する硬質樹脂層４の上面には、ポリシングパッ
ド１上に供給されるスラリー６を硬質樹脂層４の全面に
分散させるスラリーガイド溝７が設けられている。この
溝７を設けることにより、研磨屑の排出や、使用済みス
ラリー６の排出や、溝７のエッジによる研磨効率を向上
することができる。また、スラリー量をウエハ表面５ａ
に均一に分散し、余分なスラリー６を排出することによ
って研磨面を均一な温度にすることができ、ウエハ表面
５ａの温度上昇を一定に保つことができるなどの効果が
あり、その効果を有効にするために、本発明によれば図
２に示されるように溝７の形状を工夫している。
ａに対峙する硬質樹脂層４の上面には、ポリシングパッ
ド１上に供給されるスラリー６を硬質樹脂層４の全面に
分散させるスラリーガイド溝７が設けられている。この
溝７を設けることにより、研磨屑の排出や、使用済みス
ラリー６の排出や、溝７のエッジによる研磨効率を向上
することができる。また、スラリー量をウエハ表面５ａ
に均一に分散し、余分なスラリー６を排出することによ
って研磨面を均一な温度にすることができ、ウエハ表面
５ａの温度上昇を一定に保つことができるなどの効果が
あり、その効果を有効にするために、本発明によれば図
２に示されるように溝７の形状を工夫している。
【００１６】溝７の形状にあっては、研磨屑や使用済み
スラリー６を効率良く排出するために、（１）流路抵抗
の少ない緩やかな曲線にしたり、（２）溝７の経路をで
きるだけ滑らかな曲線にしたり、（３）流れの損失を少
なくするために急激な流速変化がないようにすると良
い。
スラリー６を効率良く排出するために、（１）流路抵抗
の少ない緩やかな曲線にしたり、（２）溝７の経路をで
きるだけ滑らかな曲線にしたり、（３）流れの損失を少
なくするために急激な流速変化がないようにすると良
い。
【００１７】上記（１）・（２）の要求に対しては、円
の伸開線・螺線・サイクロイド曲線・レムニスケートな
どが適しているが、特に円の伸開線と対数うずまき線が
最も適している。
の伸開線・螺線・サイクロイド曲線・レムニスケートな
どが適しているが、特に円の伸開線と対数うずまき線が
最も適している。
【００１８】また、上記（３）の要求に対しては、ポリ
シングパッド１の外周における溝７の形状を、図３に示
されるように溝幅ｂを外周に向かうに連れて拡開して半
径方向外向きに開放すると良い。特に、ポリシングパッ
ド１の外周における溝７の開放位置における接線と溝７
の経路延長線とのなす角度βが１７．５度〜２７．５度
であると良く、通常は２２．５度が良い。なお、スラリ
ーの消費量抑える目的の場合には上記角度βを上記以外
の角度にしても良い。
シングパッド１の外周における溝７の形状を、図３に示
されるように溝幅ｂを外周に向かうに連れて拡開して半
径方向外向きに開放すると良い。特に、ポリシングパッ
ド１の外周における溝７の開放位置における接線と溝７
の経路延長線とのなす角度βが１７．５度〜２７．５度
であると良く、通常は２２．５度が良い。なお、スラリ
ーの消費量抑える目的の場合には上記角度βを上記以外
の角度にしても良い。
【００１９】上記ポリシングパッド１の外周部における
溝７から外方に排出されるスラリー６や研磨屑の流れ
は、急に大気放出されることから速度変化による損失が
発生するので、上記したように拡開形状にすると良い。
また、溝７の拡幅部分の経路長Ｌは、溝幅ｂに対して２
〜３倍程度であると良い。ただし、コストや産業廃棄物
対策などの関係でスラリー６の消費量を抑える目的の場
合には、逆に溝幅ｂを狭めると良い。
溝７から外方に排出されるスラリー６や研磨屑の流れ
は、急に大気放出されることから速度変化による損失が
発生するので、上記したように拡開形状にすると良い。
また、溝７の拡幅部分の経路長Ｌは、溝幅ｂに対して２
〜３倍程度であると良い。ただし、コストや産業廃棄物
対策などの関係でスラリー６の消費量を抑える目的の場
合には、逆に溝幅ｂを狭めると良い。
【００２０】さらに、図２に示されるように溝７の曲線
をポリシングパッド１の直径Ｄに対して左右対称、また
はポリシングパッド１の回転中心（図のＯ）に対して点
対称にすることにより、ポリシングパッド１の外周に始
点及び終点を有しかつポリシングパッド１の回転中心
（図のＯ）近傍に折り返し点を有する曲線状に形成する
ことができ、溝７の経路長を長くすることができるた
め、スラリー６の保持時間を向上することができる。な
お、図２では説明上、溝７の１経路を示しており、実際
には硬質樹脂層４の全面に溝７を複数配設している。
をポリシングパッド１の直径Ｄに対して左右対称、また
はポリシングパッド１の回転中心（図のＯ）に対して点
対称にすることにより、ポリシングパッド１の外周に始
点及び終点を有しかつポリシングパッド１の回転中心
（図のＯ）近傍に折り返し点を有する曲線状に形成する
ことができ、溝７の経路長を長くすることができるた
め、スラリー６の保持時間を向上することができる。な
お、図２では説明上、溝７の１経路を示しており、実際
には硬質樹脂層４の全面に溝７を複数配設している。
【００２１】すなわち、ポリシングパッド１の外周から
溝７内に入り込んだスラリー６は、ポリシングパッド１
の回転方向が図２の矢印Ａの向きの場合、溝７内を図１
の矢印に示されるように流れる。したがって、単なる放
射状に設けた溝に対して、溝７内にスラリー６が長く保
持されることになり、スラリー消費率が向上して、コス
トや産業廃棄物対策などに対して有効である。
溝７内に入り込んだスラリー６は、ポリシングパッド１
の回転方向が図２の矢印Ａの向きの場合、溝７内を図１
の矢印に示されるように流れる。したがって、単なる放
射状に設けた溝に対して、溝７内にスラリー６が長く保
持されることになり、スラリー消費率が向上して、コス
トや産業廃棄物対策などに対して有効である。
【００２２】特に、溝７の断面形状を図４に示されるよ
うに、内部で拡幅された形状にすることにより、スラリ
ー６を溝７内により一層長く保持することかできる。
うに、内部で拡幅された形状にすることにより、スラリ
ー６を溝７内により一層長く保持することかできる。
【００２３】次に、従来の発泡ウレタン材からなるポリ
シングパッドを用いた場合と、本発明に基づく積層構造
のポリシングパッドを用いた場合とによる加工能率と平
坦度との実験結果を以下に示す。加工条件としては、試
料に酸化膜付きＳｉウエハとＴＥＧパターンウエハとを
用い、ポリシング装置にはリング式小型ポリシング装置
を用い、その定盤の回転数を３０ｒｐｍとし、加工圧力
を４Ｎ／ｃｍ2とし、研磨時間を１分とし、スラリーに
はシリカスラリー（１０wt％のＳｉＯ2、粒径０．１μ
ｍ、ｐＨ１０．６）とセリアスラリー（１０wt％のＣｅ
Ｏ2、粒径０．２２μｍ、ｐＨ８．８）とを用いた。ま
た、加工能率（加工速度）の評価方法は干渉式膜厚計を
用い、表面粗さにはＡＦＭを用いた。
シングパッドを用いた場合と、本発明に基づく積層構造
のポリシングパッドを用いた場合とによる加工能率と平
坦度との実験結果を以下に示す。加工条件としては、試
料に酸化膜付きＳｉウエハとＴＥＧパターンウエハとを
用い、ポリシング装置にはリング式小型ポリシング装置
を用い、その定盤の回転数を３０ｒｐｍとし、加工圧力
を４Ｎ／ｃｍ2とし、研磨時間を１分とし、スラリーに
はシリカスラリー（１０wt％のＳｉＯ2、粒径０．１μ
ｍ、ｐＨ１０．６）とセリアスラリー（１０wt％のＣｅ
Ｏ2、粒径０．２２μｍ、ｐＨ８．８）とを用いた。ま
た、加工能率（加工速度）の評価方法は干渉式膜厚計を
用い、表面粗さにはＡＦＭを用いた。
【００２４】例えば発泡ウレタン材からなる弾性層３の
硬度（ＪＩＳ Ａ）は３９であり、ビニル系コポリマー
材からなる硬質樹脂層４の硬度（ＪＩＳ Ａ）は９８．
５である。一方、従来のポリシングパッドの硬度（ＪＩ
Ｓ Ａ）も８２である。
硬度（ＪＩＳ Ａ）は３９であり、ビニル系コポリマー
材からなる硬質樹脂層４の硬度（ＪＩＳ Ａ）は９８．
５である。一方、従来のポリシングパッドの硬度（ＪＩ
Ｓ Ａ）も８２である。
【００２５】上記加工条件で試料を加工した結果、加工
速度において、従来のものに対して本発明のものが、シ
リカスラリーで同程度（約１２０μｍ／分）であるがセ
リアスラリーで２倍以上になった。また、表面粗さも、
シリカスラリーで同程度であるがセリアスラリーで小さ
くなった。なお、このセリアスラリーを用いて高い加工
能率が得られるのは、硬質樹脂層４が適度な硬さとぬれ
性を有することによる影響が大であると考えられる。
速度において、従来のものに対して本発明のものが、シ
リカスラリーで同程度（約１２０μｍ／分）であるがセ
リアスラリーで２倍以上になった。また、表面粗さも、
シリカスラリーで同程度であるがセリアスラリーで小さ
くなった。なお、このセリアスラリーを用いて高い加工
能率が得られるのは、硬質樹脂層４が適度な硬さとぬれ
性を有することによる影響が大であると考えられる。
【００２６】さらに、ＴＥＧパターンウエハの段差解消
過程を、従来の発泡ウレタン材のポリシングパッドを用
いた場合と、本発明の積層構造のポリシングパッドを用
いた場合とについて図５を参照して以下に示す。図５に
おいて、加工前を波線で示し、０．６μｍ加工後の段差
の状態を、従来の場合には想像線で、本発明の場合を実
線でそれぞれ示している。図から明らかなように、従来
の場合には段差がある程度残ってしまうが、本発明によ
れば概ね平坦にすることができた。
過程を、従来の発泡ウレタン材のポリシングパッドを用
いた場合と、本発明の積層構造のポリシングパッドを用
いた場合とについて図５を参照して以下に示す。図５に
おいて、加工前を波線で示し、０．６μｍ加工後の段差
の状態を、従来の場合には想像線で、本発明の場合を実
線でそれぞれ示している。図から明らかなように、従来
の場合には段差がある程度残ってしまうが、本発明によ
れば概ね平坦にすることができた。
【００２７】これは、発泡ウレタン材のポリシングパッ
ドの場合にはパターン溝の底部との接触が多く、パター
ンの形状を保ったまま加工が進むのに対して、硬質のパ
ッドの場合には加工面がパターンの溝底まで接触せず、
上部から順次加工されるためであると考えられる。
ドの場合にはパターン溝の底部との接触が多く、パター
ンの形状を保ったまま加工が進むのに対して、硬質のパ
ッドの場合には加工面がパターンの溝底まで接触せず、
上部から順次加工されるためであると考えられる。
【００２８】
【発明の効果】このように本発明によれば、ポリシング
パッドの表面を硬質樹脂層にすると共に溝によりスラリ
ーの分散を良くしたことから、特にセリア系スラリーに
よるポリシングにおいて従来の発泡ウレタン材を用いた
ものに対して２倍以上の高い加工速度が達成され、かつ
表面粗さにおいても従来のポリシングパッドよりも小さ
くすることができ、半導体デバイスの表面の平坦化を向
上し得る。また、シリカ系スラリーに対しても、従来に
対して何ら劣ることなく研磨することができる。特に、
硬質樹脂層がＡＢＳ樹脂材を含むビニル系コポリマー材
からなると良く、上記効果が顕著である。
パッドの表面を硬質樹脂層にすると共に溝によりスラリ
ーの分散を良くしたことから、特にセリア系スラリーに
よるポリシングにおいて従来の発泡ウレタン材を用いた
ものに対して２倍以上の高い加工速度が達成され、かつ
表面粗さにおいても従来のポリシングパッドよりも小さ
くすることができ、半導体デバイスの表面の平坦化を向
上し得る。また、シリカ系スラリーに対しても、従来に
対して何ら劣ることなく研磨することができる。特に、
硬質樹脂層がＡＢＳ樹脂材を含むビニル系コポリマー材
からなると良く、上記効果が顕著である。
【図１】本発明が適用されたポリシングパッドの要部拡
大断面図。
大断面図。
【図２】本発明に基づく溝の曲線形状を示す平面図。
【図３】図２の矢印III線について見た要部拡大図。
【図４】図２の矢印IV−IV線について見た溝の要部拡大
断面図。
断面図。
【図５】ＴＥＧパターンデバイスの段差に対する平坦化
加工を示す説明図。
加工を示す説明図。
【図６】化学的機械的研磨装置の構成を示す概略図。
１ ポリシングパッド ２ 定盤 ３ 弾性層 ４ 硬質樹脂層 ５ 半導体ウエハ、５ａ 表面 ６ スラリー ７ 溝 ８ ウエハホルダ ９ 圧力機構 １０ 研磨剤供給機構 １１ ポリシングパッド １２ パッキングパッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 AB04 AC04 CA01 CB01
Claims (2)
- 【請求項１】 回転する定盤上にポリシングパッドを貼
り付け、前記定盤の上方にて前記定盤の回転中心から偏
倚して回転するホルダにより半導体デバイスをその表面
を前記ポリシングパッドに対峙させた状態に保持すると
共に、スラリーを前記ポリシングパッド上に供給して前
記半導体デバイスの表面を研磨するようにした半導体デ
バイスの研磨装置であって、 前記ポリシングパッドが、前記定盤側に設けられた弾性
層と、前記半導体デバイス側に設けられた硬質樹脂層と
からなり、 前記硬質樹脂層の表面に、前記スラリーを保持し得ると
共に前記定盤及び前記ホルダの回転により前記半導体デ
バイスの表面の全面に前記スラリーが分散するようにガ
イドするスラリーガイド溝を設け、 前記スラリーガイド溝が、前記ポリシングパッドの外周
に始点及び終点を有しかつ前記ポリシングパッドの回転
中心近傍に折り返し点を有する曲線状をなすことを特徴
とする半導体デバイスの研磨装置。 - 【請求項２】 前記硬質樹脂層が、ＡＢＳ樹脂材を含む
ビニル系コポリマー材からなることを特徴とする請求項
１に記載の半導体デバイスの研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34449498A JP3823308B2 (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 半導体デバイス研磨装置及びポリシングパッド |
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| JP34449498A JP3823308B2 (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 半導体デバイス研磨装置及びポリシングパッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000167763A true JP2000167763A (ja) | 2000-06-20 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3823308B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7488236B2 (en) | 2001-11-13 | 2009-02-10 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and method of producing the same |
| WO2019199073A1 (ko) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | 삼성전자 주식회사 | 글래스 표면 연마를 위한 연마 조성물, 연마 조성물을 이용한 연마 장치 및 연마 방법 |
| CN113696092A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-26 | 福建晶安光电有限公司 | 衬底用抛光垫及抛光装置及其抛光工艺 |
-
1998
- 1998-12-03 JP JP34449498A patent/JP3823308B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7651761B2 (en) | 2001-11-13 | 2010-01-26 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Grinding pad and method of producing the same |
| US8318825B2 (en) | 2001-11-13 | 2012-11-27 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and method of producing the same |
| WO2019199073A1 (ko) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | 삼성전자 주식회사 | 글래스 표면 연마를 위한 연마 조성물, 연마 조성물을 이용한 연마 장치 및 연마 방법 |
| CN113696092A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-26 | 福建晶安光电有限公司 | 衬底用抛光垫及抛光装置及其抛光工艺 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3823308B2 (ja) | 2006-09-20 |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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