JPH07193030A - 半導体ウェハの製造方法 - Google Patents

半導体ウェハの製造方法

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JPH07193030A
JPH07193030A JP35491493A JP35491493A JPH07193030A JP H07193030 A JPH07193030 A JP H07193030A JP 35491493 A JP35491493 A JP 35491493A JP 35491493 A JP35491493 A JP 35491493A JP H07193030 A JPH07193030 A JP H07193030A
Authority
JP
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Application
Patent type
Prior art keywords
semiconductor wafer
tape
surface
edge portion
edge part
Prior art date
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Pending
Application number
JP35491493A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiya Fukunaga
寿也 福永
Original Assignee
Komatsu Electron Metals Co Ltd
Kyushu Komatsu Denshi Kk
コマツ電子金属株式会社
九州コマツ電子株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 表面にポリシリコン膜が堆積された半導体ウ
ェハのエッジ部に堆積されたポリシリコン膜を簡単に除
去する。 【構成】 半導体ウェハのエッジ部に堆積されたポリシ
リコン膜を、表面に砥粒が設けられたテープを該エッジ
部に摺動させることにより除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも片面にポリ
シリコン膜を堆積させた半導体ウェハの製造方法に関す
るものである。

【0002】

【従来の技術】近年、トランジスター、IC等のデバイ
スのプロセス機構が複雑化し、その加工における工程数
も増加する傾向にあるため、その基材である半導体ウェ
ハに対する汚染を皆無にすること、特に一旦ウェハに付
着した不純物を完全に除去することは極めて困難であ
り、極微量の不純物の付着でもデバイス性を悪化させ、
製品の歩留りを低下させる原因となっている。この問題
を解決する方法としてEG法が採用されてきた。これ
は、半導体ウェハのウェハ裏面に結晶欠陥や歪を形成し
て熱処理を行い、汚染物質を捕獲、固着させるものであ
る。特にサンドブラストによりウェハ裏面に歪をつける
バックサイド法が採用されてきたが、耐久性が悪いこと
や二次加工の際にウェハに発生したパーティクルを嫌う
ことから、ウェハ裏面にポリシリコン膜を堆積する方法
に移行してきている。これはスライスされたウェハ面に
CVD法等によりポリシリコン膜を0.5〜1.5μm
程度堆積させ、ポリシリコン膜の結晶粒界やポリシリコ
ン膜とウェハ基面との境界に不純物金属を捕獲、固着す
る、即ちゲッタリングする方法である。

【0003】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法により製造された半導体ウェハは、堆積させ
たポリシリコンがウェハのエッジ部にも堆積してしま
い、ウェハ表面に鏡面加工を施した後に行われるエピタ
キシャル成長工程において、半導体ウェハのエッジ部に
ひげ状の突起物(ノジュール)が発生し、これがデバイ
スプロセス工程中に繰り返される搬送、ハンドリングに
よる摩擦等による塵芥発生の原因となっており、製品の
歩留りを低下させる原因となっていた。

【0004】

【課題を解決するための手段】このため本発明では、少
なくとも片面にポリシリコン膜を堆積させた半導体ウェ
ハの製造方法において、半導体ウェハのエッジ部に堆積
されたポリシリコン膜を、表面に研磨物を設けたテープ
を該半導体ウェハのエッジ部に摺動させて除去するよう
にしたものである。

【0005】

【作用】本発明に係る半導体ウェハの製造法によれば、
半導体ウェハ面にポリシリコン膜を堆積させる際に、同
時に堆積される半導体ウェハのエッジ部のポリシリコン
膜は、テープ研磨により除去されるので、半導体ウェハ
のエッジ部にダメージ層が残ることなく、また十分な面
粗さに仕上げられる。また、鏡面面取りもこのテープ研
磨により同時にすることができ、1つの工程が減り非常
に効率的である。その後少なくともポリシリコン膜が堆
積された面に酸化膜を形成した後、再びエッジ部の酸化
膜を除去し、ウェハの表面に鏡面加工を施した後のエピ
タキシャル成長工程において、半導体ウェハのエッジ部
のひげ状の突起物(ノジュール)の発生が無くなり、こ
のためデバイスプロセス工程中における塵芥の発生を低
減することができる。

【0006】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明に係る半導体ウェハの製造方法を示
す要部正面断面図、図2は本発明に係る製造方法で製造
された半導体ウェハの正面断面図である。

【0007】本実施例の半導体ウェハの製造方法は図1
に示すように、半導体ウェハ1、回転台3およびテープ
研磨機構4により構成されている。

【0008】半導体ウェハ1のウェハ基部11の裏面1
2およびエッジ部13にはポリシリコン膜2が堆積され
ている。この状態の半導体ウェハ1を回転台3の吸着板
31で吸着保持し、回転軸32が回転すると、半導体ウ
ェハ1は水平方向に回転する。

【0009】テープ研磨機構4は、テープ41と、テー
プ41を摺動させるための駆動ローラー42および43
と、テープ41に張力を持たせ無限軌道を作るためのガ
イドローラー44および45、及びテープ41をウェハ
1のエッジ部13に堆積されているポリシリコン膜2に
押しつけるためのガイドローラー46および47とから
構成されている。

【0010】半導体ウェハ1を研磨するテープ41の研
磨面48には、例えば#2000〜#8000の炭化珪
素の砥粒を約60〜70μmの厚みにバインダーで固め
て接着されている。このテープ41の材質は強さ伸び等
の機械的性質から、ポリエステル、ポリカーボネート、
又は延伸ナイロン等のプラスチックが使用され、その厚
みは約50μmが好ましい。

【0011】上記のようなテープ研磨機構4において、
テープ41の研磨面48が外側、即ち半導体ウェハ1の
エッジ部13に面するようにテープ41をセットする。
この状態で駆動ローラー42および43を駆動させるこ
とにより、テープ41を矢印Aの方向に送りながら、回
転台3の吸着板31に保持されて水平方向に回転してい
る半導体ウェハ1のエッジ部13がガイドローラー46
と47の間に入るようにして、テープ41の研磨面48
がエッジ部13に対して垂直方向に摺動するように、テ
ープ41をエッジ部13のポリシリコン膜2に押し付
け、それと同時にこの研磨面48とエッジ部13の研磨
部にノズル51により切削水5を噴射する。尚、前記切
削水5は、半導体ウェハ1の摩滅屑やテープ41の研磨
面48から剥離した砥粒を研磨部から除去することが目
的であり、純水を使用する。

【0012】上記の如く,半導体ウェハ1が回転し、テ
ープ41が半導体ウェハ1のエッジ部13に対して垂直
方向に摺動すると、エッジ部13のポリシリコン膜2は
テープ41に接着されている砥粒により次第に研磨除去
され、最終的に半導体ウェハ1のエッジ部13はポリシ
リコン膜2が除去された図2の状態になって研磨作業は
終了する。

【0013】半導体ウェハ1の回転数、テープ41に接
着された砥粒番手、テープ41の送り速度、エッジ部1
3への押圧力および張力等の条件の組み合わせは、要求
される半導体ウェハ1のエッジ部13の面粗さ、加工時
間等により決定され、例えば砥粒番手#2,000〜#
4,000を使用した場合は、その送り速度を約15m
m/分とし、半導体ウェハの回転数は約200rpmと
するのが好ましい。

【0014】尚、上記実施例ではテープ41の摺動方向
を半導体ウェハ1のエッジ部13に対して垂直方向に摺
動していたが、これに限定されず摺動方向をエッジ部1
3に対し水平方向に摺動させるようにしたものでもよ
い。

【0015】

【発明の効果】本発明の方法で半導体ウェハを製造する
ことにより、次のような優れた効果が得られる。 (1)エッジ部のポリシリコン膜が十分に除去できるの
で、エピタキシャル成長工程でのひげ状の突起物(ノジ
ュール)の発生が防止できる。 (2)デバイス工程中での塵芥の発生を防止できる。 (3)エッジ部の研削面が十分に滑らかなため、研削を
すると同時に鏡面面取りも行うことができ、工程を1つ
減らすことができ非常に効率的である。 (4)機械的な研磨によりポリシリコン膜を除去するの
で、化学薬品等の使用による危険性がなく、作業が安全
である。

【0016】

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明に係る半導体ウェハの製造法方を示す要
部正面断面図である。

【図2】本発明に係る製造方法で製造された半導体ウェ
ハの正面断面図である。

【符号の説明】

1 半導体ウェハ 2 ポリシリコン膜 3 回転台 4 テープ研磨機構 5 切削水 11 ウェハ基部 12 裏面 13 エッジ部 31 吸着板 32 回転軸 41 テープ 42 駆動ローラー 43 駆動ローラー 44 ガイドローラー 45 ガイドローラー 46 ガイドローラー 47 ガイドローラー 48 研磨面 51 ノズル

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも片面にポリシリコン膜を堆積
    させた半導体ウェハの製造方法において、半導体ウェハ
    のエッジ部に堆積されたポリシリコン膜を、表面に研磨
    物を設けたテープを該半導体ウェハのエッジ部に摺動さ
    せて除去することを特徴とする半導体ウェハの製造方法
  2. 【請求項2】 半導体ウェハを回転させると共に、表面
    に砥粒を設けたテープを該半導体ウェハのエッジ部に対
    し垂直方向に摺動させることを特徴とする請求項1記載
    の半導体ウェハの製造方法
  3. 【請求項3】 半導体ウェハを回転させると共に、表面
    に砥粒を設けたテープを該半導体ウェハのエッジ部に対
    し水平方向に摺動させることを特徴とする請求項1記載
    の半導体ウェハの製造方法
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