KR20210125726A - 웨이퍼 트리밍 장치 - Google Patents

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KR20210125726A
KR20210125726A KR1020200043250A KR20200043250A KR20210125726A KR 20210125726 A KR20210125726 A KR 20210125726A KR 1020200043250 A KR1020200043250 A KR 1020200043250A KR 20200043250 A KR20200043250 A KR 20200043250A KR 20210125726 A KR20210125726 A KR 20210125726A
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안정석
강운병
이충선
이택훈
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삼성전자주식회사
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Abstract

웨이퍼 트리밍 장치가 설명된다. 상기 웨이퍼 트리밍 장치는 타깃 웨이퍼를 흡착하여 고정시키는 척 테이블, 상기 타깃 웨이퍼의 노치를 트리밍하는 노치 트리밍부, 및 상기 타깃 웨이퍼의 에지를 트리밍하는 에지 트리밍부를 포함할 수 있다. 상기 노치 트리밍부는 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 수직하는 회전축을 중심으로 회전하는 노치 트리밍 블레이드를 포함할 수 있다. 상기 에지 트리밍부는 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 평행하는 회전축을 중심으로 회전하는 에지 트리밍 블레이드를 포함할 수 있다.

Description

웨이퍼 트리밍 장치{WAFER TRIMMING DEVICE}
본 발명은 에지 트리밍 및 노치 트리밍을 함으로써, 백그라인딩 공정 단계에서 노치 베벨 영역의 크랙을 방지할 수 있는 웨이퍼 트리밍 장치에 관한 것이다.
반도체 칩의 두께가 얇아짐에 따라, 후공정인 웨이퍼 백그라인딩 공정 시 트리밍(Trimming)이 되지 않은 노치(Notch) 베벨(Bevel) 영역에 크랙(Crack)이 발생할 수 있다. 기존의 에지 트리밍 블레이드(Blade)는 반경이 넓어서, 노치의 베벨까지 제거할 수 없다. 에지 트리밍 자체의 폭을 넓혀 노치 부분까지 포함하여 트리밍할 경우, 에지 트림(Edge Trim) 영역의 증가로 인해 GD(Good Die) 영역이 줄어들 수 있고, 백그라인딩 이후의 웨이퍼에는 노치가 사라지게 되는 문제가 있다. 따라서, GD 영역을 감소시키지 않으면서 노치 영역의 베벨을 제거하여 백그라인딩 공정시 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있는 기술이 요구된다.
본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼의 에지(edge) 및 노치(notch) 영역을 수직으로 트리밍(trimming)함으로써, 베벨(bevel) 영역을 제거할 수 있고, 백그라인딩(back-grinding) 공정시 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있는 것이다.
또한, 본 개시의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는, 에지와 노치를 각각 별도로 트리밍함으로써, 트리밍 폭을 최소화할 수 있고, GD(Good Die) 영역이 줄어드는 것을 방지할 수 있는 것이다.
본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치는 타깃 웨이퍼를 흡착하여 고정시키는 척 테이블, 상기 타깃 웨이퍼의 노치를 트리밍하는 노치 트리밍부, 및 상기 타깃 웨이퍼의 에지를 트리밍하는 에지 트리밍부를 포함할 수 있다. 상기 노치 트리밍부는 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 수직하는 회전축을 중심으로 회전하는 노치 트리밍 블레이드를 포함할 수 있다. 상기 에지 트리밍부는 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 평행하는 회전축을 중심으로 회전하는 에지 트리밍 블레이드를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치는 타깃 웨이퍼를 흡착하여 고정시키는 척 테이블, 및 상기 타깃 웨이퍼의 노치 및 에지를 트리밍하는 바 형태의 트리밍부를 포함할 수 있다. 상기 트리밍부는 중심축 및 상기 중심축을 중심으로 회전하는 트리밍 블레이드를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치는 타깃 웨이퍼를 흡착하여 고정시키는 척 테이블, 상기 타깃 웨이퍼의 노치를 트리밍하는 노치 트리밍부, 및 상기 타깃 웨이퍼의 에지를 트리밍하는 에지 트리밍부를 포함할 수 있다. 상기 노치 트리밍부는 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 수직하는 회전축을 중심으로 회전하는 노치 트리밍 블레이드를 포함할 수 있다. 상기 에지 트리밍부는, 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 평행하는 회전축을 중심으로 회전하는 에지 트리밍 블레이드, 수평 제어 모듈, 및 수직 제어 모듈을 포함할 수 있다. 상기 수직 제어 모듈의 중심과 상기 타깃 웨이퍼의 중심은 수직으로 정렬될 수 있다. 상기 에지 트리밍부는 상기 수직 제어 모듈의 중심을 회전축으로 회전할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 트리밍 장치는 웨이퍼의 에지 및 노치 영역의 트리밍 단면이 수직이 되도록 각각 별도로 트리밍함으로써, 베벨 영역을 제거하여 백그라인딩 공정시 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 트리밍 폭을 최소화하여 GD(Good Die) 영역이 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
도 1 및 2는 백그라인딩 전후의 베벨 영역을 도시한 도면들이다.
도 3, 4, 5a, 5b, 및 6은 본 개시의 다양한 실시예들에 의한 웨이퍼 트리밍 장치들을 도시한 도면들이다.
도 7, 8, 9 및 10은 본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치를 이용한 웨이퍼 트리밍 과정을 도시한 도면들이다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치를 이용해 트리밍된 웨이퍼의 노치 영역을 확대한 도면이다.
도 12 및 13은 본 개시의 일 실시예에 의해 트리밍된 웨이퍼를 백그라인딩 한 경우를 도시한 도면들이다.
도 14는 본 개시의 일 실시예에 의해 트리밍된 웨이퍼의 백그라인딩 공정 후의 노치 영역을 확대한 도면이다.
도 1은 에지(edge) 및 노치(notch) 트리밍을 하지 않은 경우나, 에지 및 노치 영역을 수직으로 트리밍하지 않은 경우의 베벨(bevel)(B) 영역을 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼(W)의 에지 및 노치의 하면에 베벨(B) 영역이 포함된 경우, 캐리어 웨이퍼(CA) 및 웨이퍼(W) 사이에 틈이 발생할 수 있다.
도 2는 에지 및 노치 트리밍을 하지 않은 경우나, 에지 및 노치 영역을 수직으로 트리밍하지 않은 경우에 백그라인딩(back-grinding) 후의 웨이퍼(W')를 측면에서 도시한 도면이다. 도 2를 참조하면, 백그라인딩 후의 최종 웨이퍼(W')의 하면에도 베벨(B)이 포함될 수 있다. 웨이퍼(W')의 최종 두께(hf)가 작아질수록 베벨(B) 영역에서, 백그라인딩 공정 중 또는 공정 후, 크랙(crack)이 발생할 확률이 높아진다.
도 3, 4, 5a, 5b, 및 6은 본 개시의 다양한 실시예들에 의한 웨이퍼 트리밍 장치(1, 2, 3)들을 도시한 도면들이다.
도 3을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치(1)는, 척 테이블(10), 노치 트리밍부(20), 및 에지 트리밍부(30)를 포함할 수 있다. 척 테이블(10)은 타깃 웨이퍼(W)를 흡착하여 고정시킬 수 있다. 척 테이블(10)은 진공 등의 방법으로 타깃 웨이퍼(W)를 흡착하여 고정시킬 수 있다. 일 실시예에서, 척 테이블(10)은 회전할 수 있다. 도 3을 참조하면, 척 테이블(10)은 시계방향으로 회전하고 있으나, 이에 한정되지 않는다.
노치 트리밍부(20)는 타깃 웨이퍼(W)의 노치(Notch, N)를 트리밍할 수 있다. 도 3을 참조하면, 노치 트리밍부(20)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하는 회전축을 중심으로 회전하는 노치 트리밍 블레이드(20b)를 포함할 수 있다. 도 3을 참조하면 노치 트리밍 블레이드(20b)는 시계방향으로 회전하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 노치 트리밍 블레이드(20b)는 바-형태(Bar-shape)를 가질 수 있다. 노치 트리밍부(20)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하게 배열될 수 있다. 노치 트리밍 블레이드(20b)는 평탄한 하면을 가질 수 있다. 노치 트리밍 블레이드(20b)가 평탄한 하면을 가진 경우, 트리밍된 노치의 상면이 평탄할 수 있다.
일 실시예에서, 노치 트리밍부(20)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하는 방향으로 노치를 트리밍할 수 있다. 즉, 노치 트리밍부(20)는 드릴(drill)과 유사한 방식으로 타깃 웨이퍼(W)를 상면으로부터 하방으로 눌러 내리면서 노치를 트리밍할 수 있다. 이 경우, 노치 트리밍부(20)는 트리밍 하고자 하는 노치 트림(Notch Trim, NT)의 높이만큼 타깃 웨이퍼(W)의 상면으로부터 하방으로 이동할 수 있다.
일 실시예에서, 노치 트리밍부(20)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하는 방향으로 노치를 트리밍할 수 있다. 즉, 노치 트리밍부(20)는 그라인딩(grinding)과 유사한 방식으로 타깃 웨이퍼(W)의 노치 측면으로부터 웨이퍼(W) 중심 방향으로 들어오며 노치를 트리밍할 수 있다. 이 경우, 노치 트리밍부(20)는 트리밍 하고자 하는 노치 트림의 높이에서 고정되어 타깃 웨이퍼(W)의 측면으로부터 웨이퍼(W) 중심 방향으로 이동할 수 있다. 노치 트리밍부(20)는 트리밍하고자 하는 노치 트림의 폭만큼 웨이퍼 중심 방향으로 이동할 수 있다.
일 실시예에서, 노치 트리밍부(20)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하는 방향으로 노치를 트리밍함과 동시에 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하는 방향으로 노치를 트리밍할 수도 있다.
일 실시예에서, 노치 트리밍 블레이드(20b)의 최하면은, 척 테이블(10)의 최상면과 공면(co-planar)을 가질 수 있다. 이 경우, 노치 트리밍 블레이드(20b)는 노치 트림의 높이를 타깃 웨이퍼(W)의 높이와 같도록 트리밍할 수 있다.
예를 들어, 12인치 타깃 웨이퍼(W)의 노치는 약 3mm의 너비를 가지므로, 노치 트리밍 블레이드는 3mm 이하의 지름을 가질 수 있다.
에지 트리밍부(30)는 타깃 웨이퍼(W)의 에지(Edge, E)를 트리밍할 수 있다. 도 3을 참조하면, 에지 트리밍부(30)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하는 회전축을 중심으로 회전하는 에지 트리밍 블레이드(30b)를 포함할 수 있다. 도 3을 참조하면, 에지 트리밍 블레이드(30b)는 반시계방향으로 회전하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 에지 트리밍 블레이드(30b)는 판면이 평탄한 원판-형태(Disk-shape)를 가질 수 있다. 에지 트리밍 블레이드(30b)가 평탄한 판면을 가진 경우, 판면에 의해 트리밍되는 에지의 측면이 평탄할 수 있다. 에지 트리밍부(30)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하게 배열될 수 있다. 즉, 에지 트리밍부(30)의 에지 트리밍 블레이드(30b)는 타깃 웨이퍼(W)와 수직으로 배열될 수 있다. 도 3을 참조하면, 에지 트리밍 시, 에지 트림(ET)의 폭을 균일하게 유지하기 위해 척 테이블(10)이 회전할 수도 있다.
일 실시예에서, 에지 트리밍부(30)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하는 방향으로 에지를 트리밍할 수 있다. 즉, 에지 트리밍부(30)는 원형 톱과 유사한 방식으로 타깃 웨이퍼(W)를 상면으로부터 하방으로 눌러 내리면서 에지를 트리밍할 수 있다. 이 경우, 에지 트리밍부(30)는 트리밍 하고자 하는 에지 트림(Edge Trim, ET)의 높이만큼 타깃 웨이퍼(W)의 상면으로부터 하방으로 이동할 수 있다.
일 실시예에서, 에지 트리밍부(30)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하는 방향으로 에지를 트리밍할 수 있다. 즉, 에지 트리밍부(30)는 그라인딩(grinding)과 유사한 방식으로 타깃 웨이퍼(W)의 에지 측면으로부터 웨이퍼(W) 중심방향으로 들어오며 에지를 트리밍할 수 있다. 이 경우, 에지 트리밍부(30)는 트리밍 하고자 하는 에지 트림의 높이에서 고정되어 타깃 웨이퍼(W)의 측면으로부터 웨이퍼(W) 중심 방향으로 이동할 수 있다. 에지 트리밍부(30)는 트리밍하고자 하는 에지 트림의 폭만큼 웨이퍼 중심 방향으로 이동할 수 있다.
일 실시예에서, 에지 트리밍부(30)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하는 방향으로 에지를 트리밍함과 동시에 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하는 방향으로 에지를 트리밍할 수도 있다.
일 실시예에서, 에지 트리밍 블레이드(30b)는, 타깃 웨이퍼(W)의 높이보다 큰 지름을 가질 수 있다. 필요에 따라, 에지 트리밍 블레이드(30b)는 에지 트림의 높이를 타깃 웨이퍼(W)의 높이와 같도록 트리밍할 수도 있다.
도 4, 5a 및 5b를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치(2)는, 타깃 웨이퍼(W)를 흡착하여 고정시키는 척 테이블(10) 및 타깃 웨이퍼(W)의 노치 및 에지를 트리밍하는 바 형태(bar-shaped)의 트리밍부(40)를 포함할 수 있다.
트리밍부(40)는 타깃 웨이퍼(W)의 노치(N) 및 에지(E)를 트리밍할 수 있다. 트리밍부(40)는 중심축 및 중심축을 중심으로 회전하는 트리밍 블레이드(40b)를 포함할 수 있다. 이동식 트리밍부(40)는 중심축이 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하게 정렬된 상태로 배열된 수직 모드(40v) 및 중심축이 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하게 정렬된 상태로 배열된 수평 모드(40h)로 배치될 수 있다. 도 4 및 도 5a를 참조하면, 트리밍부(40)는 수직 모드(40v)에서 노치를 트리밍하고, 수평 모드(40h)에서 에지를 트리밍할 수 있다. 일 실시예에서, 트리밍부(40)는 수직 모드(40v)에서 에지를 트리밍할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 수직 모드(40v)의 트리밍부(40)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하는 회전축을 중심으로 회전하는 트리밍 블레이드(40b)를 포함할 수 있다. 도 4를 참조하면, 수직 모드(40v)에서의 트리밍 블레이드(40b)는 시계방향으로 회전하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 트리밍 블레이드(40b)는 평탄한 하면을 가질 수 있다. 트리밍 블레이드(40b)가 평탄한 하면을 가진 경우, 노치 트림(NT)의 상면 또는 에지 트림(ET)의 상면이 평탄할 수 있다.
도 5a를 참조하면, 수평 모드(40h)의 트리밍부(40)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하는 회전축을 중심으로 회전하는 트리밍 블레이드(40b)를 포함할 수 있다. 도 5a를 참조하면, 수평 모드(40h)에서의 트리밍 블레이드(40b)는 반시계방향으로 회전하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 트리밍 블레이드(40b)는 수평 모드(50h)에서 평탄한 측면을 가질 수 있다. 트리밍 블레이드(40b)가 평탄한 측면을 가진 경우, 에지 트림(ET)의 측면이 평탄할 수 있다.
트리밍부(40)는, 수직 모드(40v) 또는 수평 모드(40h)에서, 각각 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하거나 평행하는 방향으로 에지를 트리밍할 수 있다. 에지 트리밍 시, 에지 트림(ET)의 폭을 균일하게 유지하기 위해 척 테이블(10)이 회전할 수도 있다.
트리밍부(40)는, 수직 모드(40v)에서, 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하거나 평행하는 방향으로 노치(N)를 트리밍할 수 있다. 노치는 타깃 웨이퍼(W)의 일부분에 배치되는 바, 노치 트리밍 시, 척 테이블(10)은 회전하지 않을 수 있다. 노치 영역을 수직으로 트리밍하기 위해, 노치 트리밍 시, 트리밍부(40)는 수직 모드(40v)로 배열되는 것이 바람직하다.
도 5b를 참조하면, 트리밍부(40)는, 중심축이 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하게 정렬된 상태에서 타깃 웨이퍼(W)와 평행하게 회전하는 회전 모드(40r)를 가질 수도 있다. 일 실시예에서, 척 테이블(10)이 회전하는 대신 트리밍부(40)가 직접 이동 및 회전함으로써 타깃 웨이퍼(W)의 에지를 트리밍할 수 있다. 일 실시예에서, 트리밍부(40)는, 중심축이 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하게 정렬된 상태에서 타깃 웨이퍼(W)와 평행하게 회전할 수도 있다.
도 6을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치(3)는, 타깃 웨이퍼(W)를 흡착하여 고정시키는 척 테이블(10), 타깃 웨이퍼(W)의 노치를 트리밍하는 노치 트리밍부(20), 및 타깃 웨이퍼(W)의 에지를 트리밍하는 회전식 에지 트리밍부(35)를 포함할 수 있다. 도 6을 참조하면, 노치 트리밍부(20)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하는 회전축을 중심으로 회전하는 바 형태의 노치 트리밍 블레이드(20b)를 포함할 수 있다. 노치 트리밍부(20)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 수직하게 배열될 수 있다.
회전식 에지 트리밍부(35)는 타깃 웨이퍼(W)의 주면에 평행하는 회전축을 중심을 회전하는 에지 트리밍 블레이드(35b), 에지 트리밍 블레이드(35b)의 수평 위치를 조절하는 수평 제어 모듈(35h) 및 에지 트리밍 블레이드(35b)의 수직 위치를 조절하는 수직 제어 모듈(35v)을 포함할 수 있다. 수직 제어 모듈(35v)의 중심과 타깃 웨이퍼(W)의 중심은 수직으로 정렬될 수 있다. 회전식 에지 트리밍부(35)는 수직 제어 모듈(35v)의 중심을 회전축으로 하여 회전할 수 있다. 일 실시예에서, 척 테이블(10)이 회전하는 대신 회전식 에지 트리밍부(35)가 직접 이동 및 회전함으로써 타깃 웨이퍼(W)의 에지를 트리밍할 수 있다.
도 7, 8, 9 및 10은 본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치(1, 2, 3)를 이용한 웨이퍼 트리밍 과정을 도시한 도면들이다. 도 7을 참조하면, 타깃 웨이퍼(W)는 노치(N)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 타깃 웨이퍼는 12인치(inch) 웨이퍼일 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 타깃 웨이퍼(W)는 에치 트림(ET) 및 노치 트림(NT)을 포함할 수 있다. 에치 트림(ET)은 타깃 웨이퍼(W)의 에지 테두리에 포함될 수 있다. 에지 트림은 타깃 웨이퍼(W)의 에지가 하방으로 리세스되어 형성될 수 있다. 노치 트림(NT)은 타깃 웨이퍼(W)의 노치(N) 부분이 하방 및 타깃 웨이퍼(W)의 중심 방향으로 리세스되어 형성될 수 있다. 일 실시예에서 노치 트림(NT)의 깊이와 에지 트림(ET)의 깊이는 상이할 수 있다.
일 실시예에서, 노치 트림(NT)의 깊이는 타깃 웨이퍼(W)의 높이와 동일하여, 탑뷰(top-view)에서 노치 트림(NT)이 가시적이지 않을 수 있다. 도 10을 참조하면 일 실시예에서, 에치 트림(ET)의 깊이 또한 타깃 웨이퍼(W)의 높이와 동일하여, 탑뷰에서 에지 트림(ET)이 가시적이지 않을 수도 있다. 트리밍 공정 후의 웨이퍼 또는 트리밍 공정 및 백그라인딩(Backgrinding) 공정 후, 웨이퍼(W')의 직경은 트리밍 공정 전의 도 7에서의 타깃 웨이퍼(W)의 직경보다 작고, 노치(N')의 폭은 트리밍 공정 전의 도 7에서의 노치(N)의 폭보다 크다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 의한 웨이퍼 트리밍 장치(1, 2, 3)를 이용해 트리밍된 웨이퍼(W)의 노치(N) 영역(X)을 확대한 도면이다. 예를 들어, 12인치 웨이퍼를 이용하는 경우, 노치(N)의 초기 너비(wni)는 약 3mm, 초기 폭(dni)은 약 0.75mm 내지 1.25mm일 수 있다. 백그라인딩 공정 후의 웨이퍼는 에지 트림(ET)의 폭(det)만큼 반지름이 줄어든다. 따라서, 백그라인딩 공정 이후에도 노치가 잔존하려면, 노치(N)의 초기 폭(dni)과 노치 트림(NT)의 폭(dnt)의 합이 에지 트림(ET)의 폭(det)보다 커야 한다.
일 실시예에서, 웨이퍼 상의 반도체 GD(Good Die) 영역에 영향을 주지 않기 위해, 에지 트림(ET)의 폭(det)은 3mm 이하일 수 있다. 또한, 에지 트림(ET)의 폭(det)은 베벨(B) 영역의 폭보다 커야 한다. 예를 들어, 타깃 웨이퍼(W)의 베벨(B) 영역의 폭이 380μm인 경우, 에지 트림(ET)의 폭(det)은 380μm 보다 클 수 있다. 바람직하게는, 에지 트림(ET)의 폭(det)은 베벨(B) 영역의 폭의 3배일 수 있다. 이 경우, 베벨(B) 영역을 모두 제거 가능하면서, GD 영역에는 영향을 주지 않을 수 있다.
도 11을 참조하면, 노치(N)는 초기 너비(wni) 이상으로 트리밍되기 때문에, 노치 트림(NT)은 초기 너비(wni)보다 큰 최종 너비(wnf)를 가질 수 있다. 또한, 노치(N)의 최종 폭(dnf)은 노치(N)의 초기 폭(dni)과 노치 트림(NT)의 폭(dnt)의 합에서 에지 트림(ET)의 폭(det)을 뺀 값을 가질 수 있다. 노치 트림(NT)의 폭(dnt)은 베벨(B) 영역의 폭보다 커야 한다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 의해 트리밍된 웨이퍼(W)를 백그라인딩을 위해 캐리어 웨이퍼(CA)에 접착층(AD)으로 접착한 모습을 도시한 도면이고, 도 13은 본 개시의 일 실시예에 의해 트리밍된 웨이퍼의 백그라인딩 공정 후의 모습(W')을 도시한 도면이다. 도 12 및 도 13을 참조하면, 트림(Trim, T)의 높이는 최종 반도체 웨이퍼(W')의 두께(hf)보다 크다. 예를 들어, 12인치 웨이퍼의 두께는 약 775μm이고, 백그라인딩 공정 이후에 목표로 하는 최종 반도체 칩의 두께는 200μm 내지 600μm 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 트림(T)의 높이는 600μm 이하일 수 있다. 즉, 본 개시의 일 실시예에서, 노치 트리밍부(20)는, 타깃 웨이퍼(W)의 노치 트림(NT)이 600μm 이하의 높이를 갖도록 트리밍할 수 있고, 에지 트리밍부(30, 35)는 타깃 웨이퍼의 에지 트림(ET)이 600μm 이하의 높이를 갖도록 각각 트리밍할 수 있다. 에지 트림(ET)의 높이와 노치 트림(NT)의 높이는 상이할 수 있다. 일 실시예에서, 트림(T)의 높이는 최종 반도체 칩의 두께보다 100μm 내지 200μm 더 클 수 있다.
도 14는 본 개시의 일 실시예에 의해 트리밍된 웨이퍼의 백그라인딩 공정 후, 웨이퍼(W')의 노치(N') 영역(Y)을 확대한 도면이다. 도 14를 참조하면, 백그라인딩 공정 후의 노치(N') 영역(Y)은 일정한 높이(hf)를 갖는 수직 곡면의 내면을 가질 수 있다. 본 개시의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 트리밍 장치(1, 2, 3)는 웨이퍼(W)의 에지(Edge, E) 및 노치(Notch, N) 영역의 트리밍 단면이 수직이 되도록 에지 및 노치를 각각 별도로 트리밍함으로써, 베벨(Bevel, B) 영역을 제거하여 백그라인딩 공정시 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 트리밍 폭을 최소화하여 GD(Good Die) 영역이 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
1, 2, 3: 웨이퍼 트리밍 장치
10: 척 테이블 20: 노치 트리밍부
20b: 노치 트리밍 블레이드 30: 에지 트리밍부
30b: 에지 트리밍 블레이드 35: 회전식 에지 트리밍부
35b: 에지 트리밍 블레이드 35h: 수평 제어 모듈
35v: 수직 제어 모듈 40: 트리밍부
40b: 트리밍 블레이드
AD: 접착층 B: 베벨
CA: 캐리어 웨이퍼 ET: 에지 트림
N, N': 노치 NT: 노치 트림
W, W': 웨이퍼

Claims (10)

  1. 타깃 웨이퍼를 흡착하여 고정시키는 척 테이블;
    상기 타깃 웨이퍼의 노치를 트리밍하는 노치 트리밍부; 및
    상기 타깃 웨이퍼의 에지를 트리밍하는 에지 트리밍부를 포함하고,
    상기 노치 트리밍부는 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 수직하는 회전축을 중심으로 회전하는 노치 트리밍 블레이드를 포함하고,
    상기 에지 트리밍부는 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 평행하는 회전축을 중심으로 회전하는 에지 트리밍 블레이드를 포함하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 노치 트리밍부는, 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 수직하는 방향으로 상기 노치를 트리밍하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 노치 트리밍부는, 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 평행하는 방향으로 상기 노치를 트리밍하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 노치 트리밍 블레이드의 최하면은, 상기 척 테이블의 최상면과 공면을 가지는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 노치 트리밍 블레이드는 3mm 이하의 지름을 가지고,
    상기 노치 트리밍부는, 상기 타깃 웨이퍼의 노치 트림이 600μm 이하의 높이를 갖도록 트리밍하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 에지 트리밍부는, 상기 타깃 웨이퍼의 에지 트림이 2mm 이하의 폭 및 600μm 이하의 높이를 갖도록 트리밍하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  7. 타깃 웨이퍼를 흡착하여 고정시키는 척 테이블; 및
    상기 타깃 웨이퍼의 노치 및 에지를 트리밍하는 바 형태의 트리밍부를 포함하고,
    상기 트리밍부는 중심축 및 상기 중심축을 중심으로 회전하는 트리밍 블레이드를 포함하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 트리밍부는,
    상기 중심축이 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 수직하게 정렬된 상태로 상기 노치를 트리밍하고,
    상기 중심축이 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 평행하게 정렬된 상태로 상기 에지를 트리밍하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 트리밍부는,
    상기 타깃 웨이퍼와 평행하게 회전하며 상기 에지를 트리밍하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 트리밍부는,
    상기 중심축이 상기 타깃 웨이퍼의 주면에 수직하게 정렬된 상태로 상기 노치 및 에지를 트리밍하는, 웨이퍼 트리밍 장치.
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