JP2018064121A - 半導体の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】大口径のウェーハWを、例えば4分の1に分割して4つの小片化されたウェーハWaにし、その小片化されたウェーハWaを汎用化された小さな内径を有するリングフレーム171にマウントして使用するようにすることにより、ウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサーを使用しなくてもダイシングをすることができるようにした。
【選択図】図2
Description
(1)グラインディングを終えて薄化されたウェーハをアライメント工程において、そのウェーハの中心位置、回転方向、スクライブライン、カット位置等のアライメントを行う。
(2)次いで、アブレーション加工工程において、ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープに、ウェーハを少なくとも3等分するようにレーザを照射し、該バックグラインディングテープを少なくとも3つ以上に分断する。これにより、分断されたバックグラインディングテープ間には、その分断によりライン状の隙間ができ、その隙間の部分ではバックグラインディングテープがウェーハの表面から無くなり、ウェーハの表面が略露出する。
(3)次いで、ウェーハカットライン形成工程において、ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ライン、すなわち隙間に沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成する。この際、前のバックグラインディングテープの切断により、バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインと対応しているウェーハの表面部分では、ウェーハの表面からバックグラインディングテープがほぼ取り除かれて露出した状態にある。したがって、テープ分断ラインに沿ってウェーハの表面に照射されたレーザは、ウェーハのほぼ同じ深さ位置まで照射され、同じ深さの改質部でなるウェーハカット用分割ラインをウェーハの表面側に形成する。これにより、ウェーハをウェーハカット用分割ラインに沿って精度良く割断(分割)することが可能になる。
(4)次いで、ウェーハ分割工程において、ウェーハをバックグラインディングテープが貼り付けられていない裏面側を上側にしてセパレートテーブル上にセットし、そのウェーハをウェーハカット用分割ラインに沿ってそれぞれ折り曲げると、3つ以上の小片化されたウェーハに分割することができる。
(5)次いで、ウェーハマウント工程において、ダイシングテープが貼られたリングフレームを、3つ以上に小片化されたウェーハ(以下、「分割ウェーハ」という)のうちの、いずれか1つの分割ウェーハの裏面の略真下に配置するとともに、ダイシングテープを分割ウェーハの該裏面に貼り付けて、その分割ウェーハをリングフレームにマウントすることができる。
(6)次いで、バックグラインディングテープ剥離工程において、分割ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープを剥離すると、その小さく分割されたウェーハを小径用のダイサーを使用してダイシングし、IC等のチップに分割することができる状態になる。
(1)バックグラインディング装置でグラインディングを終えて薄化されたウェーハをアライメント部において、そのウェーハの中心位置、回転方向、スクライブライン、カット位置等のアライメントを行う。
(2)次いで、レーザ照射部において、ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープに、レーザ照射手段によりレーザを、ウェーハを少なくとも3等分するように照射して、該バックグラインディングテープを少なくとも3つ以上に分断する。これにより、分断されたバックグラインディングテープ間には、その分断によりライン状の隙間ができ、その隙間の部分ではバックグラインディングテープがウェーハの表面から無くなり、ウェーハの表面が露出する。
(3)続いて、同じくレーザ照射部において、ウェーハの表面に、レーザ照射手段によりレーザを、前記バックグラインディングテープの分断されたライン、すなわち隙間に沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成する。この際、前のバックグラインディングテープの切断により、テープ分断ラインと対応しているウェーハの表面部分では、ウェーハの表面からバックグラインディングテープがほぼ取り除かれて露出した状態にある。したがって、テープ分断ラインに沿ってウェーハの表面に照射されたレーザは、ウェーハのほぼ同じ深さ位置まで照射され、同じ深さの改質部でなるウェーハカットラインをウェーハの表面側に形成する。これにより、ウェーハをウェーハカットラインに沿って精度良く割断することが可能になる。
(4)次いで、ウェーハ分割部において、ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、分割テーブル部を他の分割テーブル部に対してそれぞれ変位させると、3つ以上の小片化されたウェーハに分割することができる。
(5)次いで、リングフレーム配置手段において、ダイシングテープが貼られたリングフレームを、3つ以上に小片化された分割ウェーハのうちの、いずれか1つの分割ウェーハの裏面の略真下に配置する。
(6)次いで、ウェーハマウント手段において、ダイシングテープが分割ウェーハの該裏面に貼り付けられ、その分割ウェーハをリングフレームにマウントすることができる。
(7)次いで、バックグラインディングテープ剥離部において、分割ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープを剥離し、表面のダイシングテープを取り除いてフレームキャリア等に収納保管し、その後、小径用のダイサーを使用してダイシングし、IC等のチップに分割することができる状態になる。
(1)レーザは加工単位が微小のため、バックグラインディングテープGTとウェーハWをそれぞれ効率良く加工することが可能である。これに対して、ブレードはバックグラインディングテープGTとウェーハWを同時に切断するため、品質への影響が懸念される。
(2)レーザはドライプロセスが可能なため、加工環境の制約を受けにくい。これに対してブレードは水が必要なため、水を使用する環境(機能)を整える必要がある。
(3)ブレードは加工対象に合わせてブレードの選定が必要で手間がかかるが、レーザは出力等をパラメータで可変できるため、手間が省ける。
11 制御部
111 メモリ
12 バックグラインディング装置
121 真空チャックテーブル
13 アライメント部
131 アライメントユニット
14 レーザ照射部
141 レーザユニット(レーザ照射手段)
15 ウェーハ分割部
151 セパレートテーブル
151a〜151d 分割セパレートテーブル部
151X 折り曲げライン
151Y 折り曲げライン
152 吸着機構
153 傾き動作機構
154 X/Y軸動作機構
155 Z軸動作機構
16 ウェーハ裏返し保持手段
161 回転軸
162 モータ
17 リングフレーム配置手段
171 リングフレーム
18 ウェーハマウント手段
181 バルーン
19 バックグラインディングテープ剥離部
191 吸着ステージ
192 バックグラインディングテープ剥離手段
21 ウェーハ搬送手段
211 搬送チャック
22 フレームキャリア
221 棚
DT ダイシングテープ
GT バックグラインディングテープ
RT 剥離テープ
W ウェーハ
WA、WB ウェーハ半体
Wa、Wb、Wc、Wd 小片化されたウェーハ
151X、151Y 折り曲げライン
L2X、L2Y ウェーハカット用分割ライン
L1X、L1Y テープ分断ライン
Claims (6)
- 表面側にバックグラインディングテープを貼り付けた状態で裏面側のグラインディングを終えたウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対して前記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射し、該バックグラインディングテープを3つ以上に分断するアブレーション加工工程と、
前記ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインに沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成するウェーハカットライン形成工程と、
前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも3つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割工程と、
ダイシングテープが貼られたリングフレームを前記小片化されたウェーハのうちのいずれか1つのウェーハの略裏面真下に配置するとともに、前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの該裏面に貼り付けて該小片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント工程と、
前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥離するバックグラインディングテープ剥離工程と、
を含むことを特徴とする半導体の製造方法。 - 前記テープ分断ライン及び前記ウェーハカット用分割ラインは、互いに前記ウェーハの略中心を通って略十字状に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体の製造方法。
- 前記バックグラインディングテープ剥離工程は、前記バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて一体化し、該熱圧着テープの剥離と一体に前記バックグラインディングテープを前記ウェーハから剥離することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体の製造方法。
- 表面側にバックグラインディングテープが貼り付けられたウェーハの裏面側をグラインディングするバックグラインディング装置と、
レーザ照射手段を有して、該レーザ照射手段により前記ウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対し前記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射して該バックグラインディングテープを3つ以上に分断するとともに、該バックグラインディングテープの分断されたラインに沿って前記ウェーハの表面にレーザを照射して該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成するレーザ照射部と、
前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも3つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割部と、
ダイシングテープが貼られたリングフレームを前記小片化されたウェーハのうちのいずれか1つのウェーハの略裏面真下に配置するリングフレーム配置手段と、
前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの裏面に貼り付けて該小片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント手段と、
前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥がすバックグラインディングテープ剥離部と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記バックグラインディングテープ剥離部は、前記バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて一体化し、該熱圧着テープの剥離と一体に前記バックグラインディングテープを前記ウェーハから剥離することを特徴とする請求項4に記載の半導体の製造装置。
- 前記ウェーハカット用分割ラインは、前記ウェーハの略中心を通って十字状に形成され、
前記ウェーハ分割部は、前記十字状に形成されている前記ウェーハカット用分割ラインの1つの分割ラインを基準にして前記ウェーハを2つのウェーハ半体に分割し、その後、該2つのウェーハ半体をそれぞれ、該2つのウェーハ半体と交差しているウェーハカット用分割ラインを基準に更に2つのウェーハ半体に分割して4つの小片化されたウェーハに形成する、ことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体製造装置。
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