JP6616029B2 - 半導体製造装置及び半導体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体製造装置及び半導体の製造方法に関するものであり、特に、ダイシングテープが貼られたリングフレーム(「ウェーハフレーム」とも言う)上にウェーハを簡単にマウントすることができるようにした半導体製造装置及び半導体の製造方法に関するものである。

従来、一般に、半導体装置や電子部品等が形成された半導体ウェーハ(単に「ウェーハ」という)の裏面をグラインディングし、その後、ダイシングしてＩＣ等のチップに分割するのに、ウェーハの外径に対応した大きさの、ダイシングテープが貼られたリングフレーム、及び、チャックテーブルを有するダイシング装置を必要としていた（例えば、特許文献１参照）。すなわち、例えば外径３００ｍｍのウェーハをダイシングする場合は、内径が３５０ｍｍのリングフレーム、及び、３００ｍｍ用のチャックテーブルを設けたダイシング装置が用いられている。

また、ウェーハの径は、生産性の向上を目指して年々大口径化が進み、今日では、最大外径が３００ｍｍから４５０ｍｍと大きくなっている。この傾向は今後も続き、更に大口径になることが予想される。それに伴い、ウェーハをマウントとするためのウェーハマウンタや、チップをパッケージ基板へボンディングするダイボンダー等や、個片化時に使用するダイシングテープ、リングフレーム、それを収納するためのキャリアについても、大口径化に対応した準備をする必要がある。このため、コストと時間が大変かかることが予想される。

そこで、従来、大口径ウェーハを、ダイシングテープが貼られたリングフレームにマウントした後、そのリングフレームと共に大口径用のダイサーにセットし、その大口径ウェーハを４つ以上に小さく分割し、その小さく分割されたウェーハを小径用のダイサーでダイシングしてＩＣ等のチップに分割するようにした、ダイシングシステムも提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特許文献２に開示される技術は、大口径ウェーハを４つ以上に小さく分割し、小径用のダイサーで分割処理できるようにしている。しかしながら、このような方法では、大口径ウェーハを４つ以上に分割する大口径ダイサーを少なくとも１台は必要とする。このため、大口径のウェーハを分割処理するには、大口径化に対応したダイサーを準備する必要がある。

また、ウェーハをダイサーにセットする際、ダイシングテープが貼られたリングフレームにウェーハをマウントした後、そのウェーハをリングフレームと共にダイサー(ダイシングソー)にセットし、ダイシングをしてＩＣ等のチップに分割するようにしている。このウェーハとダイシングテープの貼り付けでは、ウェーハをダイシングテープに貼り付ける際、ウェーハとダイシングテープとの間に空気が入り込んで気泡(空気溜まり)ができ易い。そこで、ウェーハとダイシングテープを貼り付けるとき、ウェーハとダイシングテープとの間に入り込む気泡をなくすようにするウェーハ接着装置も提案されおり、例えば特許文献３で知ることができる。

特許文献３で知られるウェーハ接着装置は、接着剤を塗布したウェーハをマウント板に載置し、そのウェーハを、中に加圧流体が導入されて中央が下方に突出する有弾性の中空のパッドで押圧するようにしたものであり、ウェーハの全面にパッドが接触した際、パッド内の加圧流体を流出させ、代わりに背面に案内板を当接させてウェーハを押圧するようにしたものである。このウェーハ接着装置では、パッドを押し付ける際、ウェーハとマウント板間の空気はウェーハの周辺部から徐々に排出されて、気泡がなくる。

特開２００７−２７５６２号公報。 特開平９−１４８２７５号公報。 特許第３９４７９８９号公報。

特許文献２に開示される技術は、大口径ウェーハを４つ以上に小さく分割し、小径用のダイサーで分割処理できるようにしている。しかしながら、このような方法では、大口径ウェーハを４つ以上に分割する大口径ダイサーを少なくとも１台は必要とする。このため、大口径のウェーハを分割処理するには、大口径化に対応したダイサーを準備する必要があり、コストと時間がかかる問題があった。

また、ウェーハをダイサーにセットする際、ダイシングテープが貼られたリングフレームにウェーハをマウントした後、そのウェーハをリングフレームと共にダイサー(ダイシングソー)にセットし、ダイシングしてＩＣ等のチップに分割するようにしている。

したがって、特許文献２に開示される技術の場合も、ウェーハをダイシングテープに貼り付ける際、ウェーハとダイシングテープとの間に空気が入り込んで気泡ができ易く、ダイシング時に品質への影響が懸念される。この場合、特許文献３で知られるウェーハ接着方法を使用して気泡をなくすことも考えられる。しかしながら、特許文献３で知られるウェーハ接着方法では、ウェーハが円板に近い形状である場合は、ウェーハのほぼ中央に中空のパッドを配置して押し付けると、ウェーハとマウント板間の空気を外側に排出することができる。しかしながら、大口径ウェーハを複数個に分割して小片化した場合では、ウェーハのサイズや形が様々に異なる。そのため、ウェーハ中心も円板のウェーハとは異なり、正確には定まらないので、ウェーハの中心を意識してアライメントの必要が生じる。これにより、円形でないようなウェーハには対応できない場合があるという問題点があった。

そこで、ウェーハをダイシングテープに貼り付ける際に、ウェーハの形状やサイズ等の加工条件による影響を受けることなくウェーハとダイシングテープとの間に入り込む気泡を無くし、ダイシングテープ上にウェーハを密着させて精度良くマウントすることができる半導体製造装置及び半導体の製造方法を提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１記載の発明は、表面側にバックグラインディングテープを貼り付けてなるウェーハを、ダイシングテープが貼られたリングフレーム上にマウントする半導体製造装置において、エアの導入により徐々に膨らみ、その膨らみにより前記ダイシングテープを前記ウェーハに徐々に押し付け、該ダイシングテープと前記ウェーハを貼り合わせてマウントするバルーンと、前記ウェーハの保持を解除することなく前記ウェーハの小片化及び前記小片化された各ウェーハを個別にマウントする保持手段と、を備える半導体製造装置を提供する。

この構成によれば、エアの導入によりバルーンを膨らませて、そのバルーンをダイシングテープ越しにウェーハに向けて押し付ける。すると、バルーンの押し付けにより、ダイシングテープがウェーハの該裏面に貼り付けられ、そのウェーハをリングフレームにマウントすることができる。ここでは、エアを導入しながらバルーンを徐々に膨らませ、バルーンは膨らみ具合に合わせてダイシングテープを介してウェーハに接触する。したがって、接触した位置からウェーハとダイシングテープとの間の空気が排出されながら徐々にダイシングテープとウェーハとが密着され、間に空気溜まりができることなくリングフレーム上にウェーハがマウントされる。このような構成では、ダイシングテープはウェーハの中心から貼り付ける必要はない。そして、ウェーハの形状が円板形でなく、例えば扇形等、その形状やサイズ等が異なっていたとしても柔軟に対応できる。因みに、前述した特許文献３で知られるように中央が突出したパッドを押し付けるようにした構造では、ウェーハの中心を意識してアライメントの必要があり、ウェーハの形状が円板形以外になったときには対応できない。

請求項２記載の発明は、請求項１に記載の装置において、前記ダイシングテープを挟んで上側に前記ウェーハを配置し、下側に前記バルーンを配置してなる、半導体製造装置を提供する。

この構成によれば、バルーンはエアを抜くと縮んで、ダイシングテープから自動的に離れるので、押圧力の解除操作が簡単になり、装置の簡略化が図れる。

請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の装置において、前記ウェーハは、略円板状をした１個のウェーハから複数個に分割して小片化されている、半導体製造装置を提供する。

この構成によれば、ウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサー等を使用しなくてもダイシングをすることができる。

請求項４記載の発明は、ダイシングテープが貼られたリングフレーム上にウェーハをマウントする半導体の製造方法において、エアが導入されて徐々に膨らまされるバルーンを、前記ウェーハに対して前記ダイシングテープ越しに配置し、前記バルーンの膨らみに伴わせて前記ダイシングテープを前記ウェーハに向けて押し付け、前記ウェーハを保持する保持手段が前記ウェーハを小片化した後に前記ウェーハの保持を解除することなく前記小片化された各ウェーハを個別にマウントする、半導体の製造方法を提供する。

この方法によれば、エアを導入してバルーンを徐々に膨らましながら、そのバルーンをダイシングテープ越しにウェーハの裏面略中心(中央)に向けて押し付ける。すると、バルーンの押し付けにより、ダイシングテープがウェーハの該裏面に貼り付けられ、そのウェーハをリングフレームにマウントすることができる。そして、貼り付けの際には、接触した位置からウェーハとダイシングテープとの間の空気が排出されながら徐々にダイシングテープとウェーハとが密着され、間に空気溜まりができることなくリングフレーム上にウェーハがマウントされる。したがって、このような方法では、ダイシングテープはウェーハの中心から貼り付ける必要はない。そして、ウェーハの形状が円板形でなく、例えば扇形等、その形状やサイズ等が異なっていたとしても柔軟に対応できる。

請求項５記載の発明は、請求項４に記載の方法において、前記ダイシングテープを挟んで上側に前記ウェーハを配置し、前記バルーンを前記ダイシングテープの下側から膨らませて前記ダイシングテープを前記ウェーハに押し付けるようにしてなる、半導体製造方法を提供する。

この方法によれば、この構成によれば、バルーンのエアを抜くと縮んで、ダイシングテープから自動的に離れるので、押圧力の解除操作が簡単になる。

本発明は、ウェーハをダイシングテープに貼り付ける際、エアを導入しながら徐々にバルーンを膨らませることによって、ウェーハとダイシングテープとの間に入り込む気泡を無くして、ウェーハとダイシングテープとを密着状態に貼り合わせてリングフレーム上にウェーハを簡単にマウントすることができる。さらに、ウェーハの径が大口径化しても、また形状が円板形でなく、例えば扇形等、その形状やサイズ等が異なっていたとしても柔軟に対応できる。さらに、バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて、バックグラインディングテープと熱圧着テープの少なくとも一部を一体化した後、熱圧着テープを剥がすようにした場合では、その圧着テープを剥がす動作と同時にバックグラインディングテープもウェーハから剥がすことができるので、作業性の向上が期待できる。

本発明の実施形態における半導体製造装置の概略構成ブロック図。 本発明の実施形態における半導体製造方法の実施手順を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のバックグラインディング装置とウェーハ搬送手段の概略構成を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のアライメント部の概略構成を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のレーザユニットによるテープ分断ラインの加工を説明する図で、(ａ)はその側面図、(ｂ)はその平面図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のレーザユニットによるウェーハカット用分割ラインの加工を説明する図で、(ａ)はその側面図、(ｂ)はその平面図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のセパレートテーブルの構成を説明する図で、(ａ)はその側面図、(ｂ)はその平面図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のセパレートテーブルを用いたウェーハを分割する仕方を説明する図で、(ａ)は分割前の側面図、(ｂ)は分割時の側面図、(ｃ)はウェーハをＸ軸に沿って半分に分割する場合の説明図、(ｄ)はウェーハをＹ軸に沿って４分の１に分割する場合の説明図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のセパレートテーブルの構成を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のセパレートテーブルの構成を説明する図で、(ａ)はセパレートテーブルが上側を向いている状態を示す図、(ｂ)はセパレートテーブルが下側を向いている状態を示す図、(ｃ)は分割セパレートテーブルの動きを説明する。 本発明の実施形態における半導体製造装置のウェーハマウント手段において、リングフレームが配置される状態を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のウェーハマウント手段においてダイシングテープをバルーンでウェーハに向けて押し付ける構造を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のバックグラインディングテープ剥離部の構成及び動作を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のフレームキャリアにリングフレームが収納される状態を説明する図。 本発明の実施形態における小片化されたウェーハがリングフレームにマウントされた状態を説明する図で、(ａ)〜(ｄ)はそれぞれ異なる小片化されたウェーハがマウントされている状態を示している図、(ｅ)は小片化される前のウェーハを示している。

本発明はウェーハをダイシングテープに貼り付ける際、ウェーハとダイシングテープとの間に入り込む気泡を無くし、リングフレームのダイシングテープ上に密着させて精度良くマウントすることができる半導体の製造方法を提供するという目的を達成するために、ダイシングテープが貼られたリングフレーム上にウェーハをマウントする半導体の製造方法において、膨らまされたバルーンを、前記ダイシングテープ越しに前記ウェーハに向けて押し付け、前記ウェーハを保持する保持手段が前記ウェーハを小片化した後に前記ウェーハの保持を解除することなく前記小片化された各ウェーハを個別にマウントする、ようにしたことにより実現した。

また、本発明はウェーハをダイシングテープに貼り付ける際に、ウェーハの形状やサイズ等の加工条件による影響を受けることなくウェーハとダイシングテープとの間に入り込む気泡を無くし、リングフレームのダイシングテープ上に密着させて精度良くマウントすることができる半導体製造装置を提供するという目的を達成するために、表面側にバックグラインディングテープを貼り付けてなるウェーハを、ダイシングテープが貼られたリングフレーム上にマウントする半導体製造装置において、エアの導入により徐々に膨らみ、その膨らみにより前記ダイシングテープを前記ウェーハに徐々に押し付け、該ダイシングテープと前記ウェーハを貼り合わせてマウントするバルーンと、前記ウェーハの保持を解除することなく前記ウェーハの小片化及び前記小片化された各ウェーハを個別にマウントする保持手段と、を備えるようにして実現した。

以下、本発明の実施の一形態を添付図面に示す好適な実施例に基づいて詳細に説明する。

図１〜図１５は本発明に係る半導体製造装置の一実施形態を示すもので、図１はその半導体製造装置の概略構成ブロック図、図２は製造工程図、図３〜図１５は製造工程における各処理部の構成及び処理方法を説明するための説明図である。

図１に示すように、半導体製造装置１０は、制御部１１と、バックグラインディング装置１２と、アライメント部１３と、レーザ照射部１４と、ウェーハ分割部１５と、ウェーハ裏返し保持手段１６と、リングフレーム配置手段１７と、ウェーハマウント手段１８と、バックグラインディングテープ剥離部１９と、ウェーハ搬送手段２１と、フレームキャリア２２を備えている。

前記制御部１１は、半導体製造装置１０の中心的処理機能を担う、例えばコンピュータであって、各種の処理を行う。また、制御部１１には、各種の処理プログラムが格納されたメモリ１１１が設けられている。

ウェーハ搬送手段２１は、図３〜図１１に示すように、ウェーハＷの裏面を、真空引きして吸着保持し、そのウェーハＷを各処理部へ順に搬送するための搬送チャック２１１を備えている。その搬送チャック２１１は、その吸着面全体に多数の吸引用の孔が設けられており、その多数の孔でウェーハＷの裏面全体を真空吸着保持することにより、ウェーハＷの反りを矯正し、平坦度を５μｍ以下にして保持する機能を有している。また、ウェーハＷは、表面(主面)に樹脂テープ等でなる伸長可能（伸び縮み可能）なバックグラインディングテープＧＴが貼り付けられて、その主面が保護されている。

前記バックグラインディング装置１２は、図３に示すようにウェーハＷを保持する真空チャックテーブル１２１を有している。そのバックグラインディング装置１２では、該バックグラインディング装置１２でのウェーハＷの主面側を下に向けて真空チャックテーブル１２１上に載置し、該真空チャックテーブル１２１でウェーハＷを保持した状態で、裏面側を研削して薄化することができるようになっている。

前記アライメント部１３は、図４に示すようにアライメントユニット(例えば、アライメントカメラ)１３１を有している。そのアライメント部１３は、前記バックグラインディング装置１２でのグラインディングを終え、その記バックグラインディング装置１２から前記搬送チャック２１１でチャックされて、主面を下側に向けて取り出されたウェーハＷのアライメントを、前記アライメントユニット１３１によりバックグラインディングテープＧＴ越しに行う。そのアライメントユニット１３１は、ウェーハＷと略平行にＸ−Ｘ方向とＹ−Ｙ方向に移動可能である。また、アライメントとしては、例えばウェーハＷの中心位置、シータ方向、スクライブライン、カット位置等であり、そのアライメントは一般的な方法を用い、例えば外形認識からの中心位置アライメント、二点を認識してのスクライブライン・カット位置アライメントを行う。

前記レーザ照射部１４は、図５及び図６に示すように、レーザ照射手段としてのレーザユニット１４１を有する。レーザユニット１４１は、ウェーハＷの主面に対して下側に配置された照射口からレーザをウェーハＷの主面に向けて照射可能に形成されている。すなわち、前記搬送チャック２１１により主面を下側に向けて取り出されて、そのまま主面を下側に向けてセットされるウェーハＷの主面に対しレーザを照射可能に形成されている。したがって、ここではウェーハＷの反転動作等を入れずに、効率良くプロセスを回すことができ、またレーザユニット１４１におけるレーザの照射口の清掃作業等を行う場合にも作業者に無理な体勢を強いることなく、作業者が自然な体勢で容易に実施することができるようにしている。また、例えばブロー等を設けて清掃回数を減らす対策等も容易に導入することができるようになっている。そして、ここでのレーザ照射では、まず、図５に示すように、ウェーハＷの主面に貼り付けられているバックグラインディングテープＧＴに向けて、波長が２６６ｎｍ程の短波長のレーザを照射し、ウェーハＷの主面上にテープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙを形成する。続いて、図６に示すように、そのテープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙに沿って同じく波長が２６６ｎｍ程の短波長のレーザをウェーハＷの主面に照射し、ウェーハＷの内部に深さが５〜５０μｍ程度の改質層がＶ溝状に形成されるウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙを設けるようにして、２段階で加工処理する。

このように、先にバックグラインディングテープＧＴに向けて波長が２６６ｎｍ程の短波長のレーザを照射した場合では、バックグラインディングテープＧＴへの熱の影響が少なく、また同時にウェーハＷが溶融しないようにして、バックグラインディングテープＧＴだけを分断することができる。また、バックグラインディングテープＧＴの分断後は、テープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙ内に隙間ができ、バックグラインディングテープＧＴのテープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙと各々対応しているウェーハＷの主面では、ウェーハＷの主面からバックグラインディングテープＧＴがほぼ取り除かれて、ウェーハＷの主面が露出された状態にある。したがって、テープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙに沿ってレーザを照射すると、バックグラインディングテープＧＴの影響を受けること無く、ウェーハＷの主面にはほぼ同じ強さのレーザがウェーハＷ内に照射され、ウェーハＷの内部に脆弱性が略一様の改質層が、例えば表層から５〜５０μｍ程度の深さにわたってウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙとして形成されることになる。これにより、ウェーハＷの正確な割断が可能になる。

更に詳述すると、そのレーザユニット１４１は、ウェーハＷと略平行にＸ-Ｘ方向とＹ-Ｙ方向に移動可能である。そして、本実施例では、図５(ｂ)に示すように、前記バックグラインディングテープＧＴに対して前記ウェーハＷを略４等分するようにレーザをＸ-Ｘ方向とＹ-Ｙ方向に十字状に照射し、該バックグラインディングテープＧＴにテープ分断ラインＬ１Ｘと、該テープ分断ラインＬ１Ｘと直角に交差するテープ分断ラインＬ１Ｙを各々設けて、バックグラインディングテープＧＴを４つに分断することができるようになっている。また、図６(ｂ)に示すように、バックグラインディングテープＧＴの分断により形成されたテープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙにそれぞれ沿って、レーザをＸ-Ｘ方向とＹ-Ｙ方向に十字状に照射すると、ウェーハＷの内部にウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘと、該ウェーハＷカット用分割ラインＬ２Ｘと直角に交差するウェーハＷカット用分割ラインＬ２Ｙを各々設けることができる。

なお、本実施例において、ウェーハＷをカットする工程に、ブレードによるカットではなく、レーザを使用したカットを行う理由は、次の(１)〜(３)等による。(１)レーザは加工単位が微小のため、バックグラインディングテープＧＴとウェーハＷをそれぞれ効率良く加工することが可能である。これに対して、ブレードはバックグラインディングテープＧＴとウェーハＷを同時に切断するため、品質への影響が懸念される。(２)レーザはドライプロセスが可能なため、加工環境の制約を受けにくい。これに対してブレードは水が必要なため、水を使用する環境(機能)を整える必要がある。(３)ブレードは加工対象に合わせてブレードの選定が必要で手間がかかるが、レーザは出力等をパラメータで可変できるため、手間が省ける。

前記ウェーハ分割部１５は、図７〜図１０に示すように、前記ウェーハＷの４等分された部分にそれぞれ対応する、４つの分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄを設けてなるセパレートテーブル１５１を有している。その分割セパレートテーブル部１５１ａ〜１５１ｄは、それぞれが単独で、ウェーハＷを真空吸着するのを可能にする「吸着機構１５２」と、隣接する他の分割セパレートテーブル部に対して片側を下または上側に例えば５〜１０ｍｍ程度移動させて隣接する分割セパレートテーブル部同士で山形若しくは谷形に折り曲げて傾かせるのを可能にする「傾き動作機構１５３」と、隣接する他の分割セパレートテーブル部に対してそれぞれ、図１０の(c)に示すようにＸ、Ｙ軸方向(左右、前後方向)に５〜１０ｍｍ程度の移動を可能にする「Ｘ／Ｙ軸動作機構１５４」と、隣接する他の分割セパレートテーブルに対してＺ軸方向(上下方向)に５〜１０ｍｍ程度移動可能な「Ｚ軸動作機構１５５」と、を持っている。なお、前記傾き動作機構１５３とＸ／Ｙ軸動作機構１５４とＺ軸動作機構１５５の、各可動は、例えばボールネジによる往復送り動作、又はエアシリンダによる往復送り動作を使用する。また、図１０(c)は、各分割セパレートテーブル部１５１ａ〜１５１ｄでＸ、Ｙ方向にそれぞれ往復移動できる状態を示している。

さらに、各分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄは、図１０において、軸１５６ａがZ軸方向(上下方向)に位置固定で、軸１５６ｂ、１５６ｃがＺ軸方向に移動可能になっている。そして、軸１５６ｂ、１５６ｃがＺ軸方向に単独で移動すると、各分割セパレートテーブル部１５１ａ〜１５１ｄをそれぞれ傾動又は上下方向に移動させて、前記山形若しくは谷形に折り曲げて傾かせることができる。

前記セパレートテーブル１５１の構成についてさらに詳述すると、前記セパレートテーブル１５１には、図８の(ｃ)、(ｄ)に示すように、前記レーザユニット１４１により前記ウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙが形成されたウェーハＷを、その中心を該セパレートテーブル１５１の中心に合わせるとともに、前記折り曲げライン１５１Ｘ、１５１Ｙにそれぞれ、ウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙを合わせて配置し、かつ、吸着機構１５２で真空吸着すると、そのウェーハＷをセパレートテーブル１５１上に保持できるようになっている。

また、ウェーハＷをセパレートテーブル１５１上にセットした状態で、前記傾き動作機構１５３を駆動させて、図８の(ｂ)に示すように、分割セパレートテーブル部１５１ｃ、１５１ｄの片側(又は両側)を、隣接している分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｂに対してＺ軸方向(上又は下方向)に例えば５〜１０ｍｍ程度傾けて山形に折り曲げると、ウェーハＷが図８の(ｃ)に示すウェーハカット用分割ライン１５１Ｘに沿って割断されて、２つのウェーハ半体ＷＡ、ＷＢに分割することができる。更に、同じく固定セット状態で前記傾き動作機構１５３を駆動させて、同じく図８の(ｂ)に示すように、分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｄの片側(又は両側)を、隣接している分割セパレートテーブル部１５１ｂ、１５１ｃに対してＺ軸方向(上又は下方向)に例えば５〜１０ｍｍ程度傾けて折り曲げると、ウェーハＷを図８の(ｄ)に示すウェーハカット用分割ライン１５１Ｙに沿って割断されて、４つの小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄに分割することができるようになっている。

前記ウェーハ裏返し保持手段１６は、図１０に示すように前記ウェーハ分割部１５内に設けられており、前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄを保持してなるセパレートテーブル１５１を１８０°裏返し可能な回転軸１６１と、回転軸１６１を駆動可能なモータ１６２(図１参照)を有している。

そして、ウェーハ裏返し保持手段１６は、図９及び図１０に示すように、セパレートテーブル１５１を小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄと共に図１０の(ａ)の状態から１８０°裏返し、図９及び図１０の(ｂ)の状態となるように制御する。すなわち、図９及び図１０の(ｂ)に示す状態は、バックグラインディングテープＧＴが貼り付けられている主面が上側、裏面が下側をそれぞれ向いた状態にして、それぞれウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄをセパレートテーブル１５１に保持している。

前記リングフレーム配置手段１７は、図１１に示すように、ウェーハＷを保持するための粘着テープであるダイシングテープＤＴが貼り付けられた枠状のリングフレーム(「ウェーハフレーム」とも言う)１７１を有する。該リングフレーム１７１の内径は、前記小片化される前のウェーハＷの外径よりも小さく、かつ、前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの外径よりも大きく設定されている。そして、前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄを、リングフレーム１７１に貼られたダイシングテープＤＴ上に貼り付けてセット可能になっている。より具体的には、ここでのリングフレーム１７１は、例えばウェーハＷの外径３００ｍｍ用で、内径が３５０ｍｍのリングフレームであり、小片化される前のウェーハＷの外径は４５０ｍｍである。したがって、外径３００ｍｍ用のリングフレーム１７１は、外径４５０ｍｍのウェーハＷをそのままでは使用することができない。しかし、外径４５０ｍｍのウェーハＷは既に４つに小片化されているので、４５０ｍｍのウェーハＷの場合でも外径３００ｍｍ用のリングフレーム１７１を使用することができる。

そして、前記リングフレーム配置手段１７は、図１１に示すように、ダイシングテープＤＴが貼り付けられたリングフレーム１７１を前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの下へ、そのリングフレーム１７１の中心と選択されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの中心を略一致させて、順番に移動することができるようになっている。

前記ウェーハマウント手段１８は、図１２に示すように、前記リングフレーム１７１の前記ダイシングテープＤＴの下側に膨らんだ状態(又は後から膨らまされて)で配置されるバルーン１８１を有する。該バルーン１８１は、シリコンゴム等で屈曲自在な袋として形成されており、その中にエアを入れて丸く膨らまされる。そして、そのバルーン１８１は、前記リングフレーム配置手段１７におけるリングフレーム１７１と共に小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか１つの下へ順に移動された後、エアが導入されて徐々に膨らまされ、その膨らみに伴ってダイシングテープＤＴを徐々に押し上げ、その対応している小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの下面(裏面)にそれぞれ、該ダイシングテープＤＴ越しに押し付けられるようになっている。また、ダイシングテープＤＴを介した押し付けにより、ダイシングテープＤＴ上に小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの一つを該ダイシングテープＤＴの粘着力で貼り付け、リングフレーム１７１上に小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの一つをマウントすることができるようになっている。なお、ダイシングテープＤＴを小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか１つに押し付けるとき、より確実に貼り付けるためにウェーハＷ側からも圧力がかけられる。

ここで、エアが導入されて徐々に膨らませたバルーン１８１を小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの下面(裏面)に、ダイシングテープＤＴを介して徐々に押し付けた場合では、膨らまされたバルーン１８１のダイシングテープＤＴへの接触は、ダイシングテープＤＴの中心(中央)の位置から外側に向かって徐々に拡がるようにして接触して行く。したがって、小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）の下面(裏面)に接触するダイシングテープＤＴも、小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）の中心位置(中央)から外側に向かって徐々に拡がるように接触して行く。これにより、ダイシングテープＤＴと小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）との間にある空気は、接触に伴って外側に押し出される。そして、小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）はダイシングテープＤＴとの間に空気が介在しない状態で密に接触され、リングフレーム１７１上に確実に粘着保持された状態でマウントされる。また、このようにして小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）をマウントしたリングフレーム１７１は、ウェーハ搬送手段２１により前記バックグラインディングテープ剥離部１９に搬送されるようになっている。一方、ダイシングテープＤＴを徐々に押し上げて小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）と該ダイシングテープＤＴとの貼り付けを終えたバルーン１１８は、その内部に導入されているエアを抜くと、瞬時に下側に縮んでダイシングテープＤＴから離れるようになっている。

前記バックグラインディングテープ剥離部１９は、図１３に示すように、小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）のマウントが済んで、ウェーハ搬送手段２１で搬送されて来たリングフレーム１７１を、真空吸着保持して位置決めする吸着ステージ１９１と、その吸着ステージ１９１に吸着保持されているリングフレーム１７１上の小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）の主面に貼り付けられているバックグラインディングテープＧＴ上に剥離テープＲＴを貼り付け、そのバックグラインディングテープＧＴを該剥離テープＲＴと共に持ち上げて剥がすバックグラインディングテープ剥離手段１９２とが設けられている。そして、このようにしてバックグラインディングテープＧＴが剥がされたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）をマウントしたリングフレーム１７１は、ウェーハ搬送手段２１により前記フレームキャリア２２へ搬送され、該フレームキャリア２２内に収納保管されるようになっている。

前記フレームキャリア２２は、ウェーハ搬送手段２１により搬送されて来る、バックグラインディングテープＧＴが剥がされたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）をマウントしているリングフレーム１７１を、各々収納して保管する複数段の棚２２１を有している。

図２は、上述した半導体製造装置１０における処理手順の一例を示す工程図である。その図２に示す工程図に従って半導体製造装置１０における処理手順の一例を、次に図１，図３〜図１４と共に説明する。

図２に示す工程図は、バックグラインディング装置１２でグラインディングを終えた外径が４５０ｍｍのウェーハＷをバックグラインディング装置１２から取り出し、そのウェーハＷの外径よりも小さい内径３５０ｍｍのリングフレーム１７１にマウントするまでの工程を示している。また、その工程は処理順に大きく分けると、アライメント工程（Ａ）、アブレーション加工工程（Ｂ）、ウェーハカットライン形成工程（Ｃ）、ウェーハ分割工程（Ｄ）、ウェーハ裏返し工程（Ｅ）、ウェーハマウント工程（Ｆ）、バックグラインディングテープ剥離工程（Ｇ）の順になる。なお、本例では外径４５０ｍｍのウェーハＷを、そのウェーハＷの外径よりも小さい内径３５０ｍｍのリングフレーム１７１にマウントして処理する場合について説明するが、その寸法はこれに限定されるものではなく、大きな外径を有したウェーハＷを小さな内径を有したリングフレーム１７１にマウントしてダイシングを可能にする場合に適用できるものである。

そして、先ず、アライメント工程（Ａ）では、図３に示すようにバックグラインディング装置１２内で、主面（表面）側にバックグラインディングテープＧＴを貼り付けた状態で、裏面側の研削を終えて薄化されたウェーハＷを、ウェーハ搬送手段２１の搬送チャック２１１で裏面全体を真空吸着保持し、バックグラインディング装置１２内より取り出す。ここでのウェーハＷは、バックグラインディングテープＧＴが貼り付けられた主面側を下に向けて取り出される。また、その際、搬送チャック２１１でウェーハＷの裏面全体が真空吸着されることにより、そのウェーハＷの反りが矯正されて平坦化される。さらに、搬送チャック２１１に保持されて平坦化されているウェーハＷの主面に対し、図４に示すように下側からアライメントユニット(アライメントカメラ)１３１を向け、バックグラインディングテープＧＴ越しにウェーハＷのアライメントを行う。

なお、このアライメント工程（Ａ）でのアライメントは、バックグラインディングテープＧＴの視認性が悪く、バックグラインディングテープＧＴ越しのアライメントが不可能のような場合は、グラインディングを終えたウェーハＷを搬送チャック２１１で吸着する前に、例えば赤外線カメラを使用して研削面(研磨面)を撮像してアライメントを実施し、そのデータをメモリ１１１に記憶しておく。そして、位置合わせ後に、そのウェーハＷを搬送チャック２１１で吸着して次工程に搬送し、別途使用時にアライメントデータを読み出す手段に変更することも可能である。

前記アブレーション加工工程(Ｂ)では、図５に示すように、ウェーハＷの下側から搬送チャック２１１に吸着されていない面、すなわちバックグラインディングテープＧＴが貼られている主面側に向けて、波長が２６６ｎｍのレーザをウェーハＷの下側に配置されているレーザユニット１４１の上側を向いた図示しない照射口から照射し、そのレーザが照射されたバックグラインディングテープＧＴの部分だけを溶融させて切断するアブレーション加工を行う。このアブレーシヨン加工は、アライメント工程（Ａ）でアライメントした位置を基準にして、ウェーハＷを四等分するようにバックグラインディングテープＧＴに対してレーザをＸ-Ｘ方向とＹ-Ｙ方向に十字状に照射し、図５の(ｂ)に示すように、該バックグラインディングテープＧＴにテープ分断ラインＬ１Ｘと、該テープ分断ラインＬ１Ｘと直角に交差するテープ分断ラインＬ１Ｙを設ける。また、テープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙが設けられた部分は、テープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙの形成によって隙間が作られる。

前記ウェーハカットライン形成工程（Ｃ）では、図６に示すように、前記アブレーション加工工程(Ｂ)の場合と同様に、ウェーハＷの下側に配置されているレーザユニット１４１の上側を向いた図示しない照射口より、すなわちウェーハＷの下側から該ウェーハＷの主面側に向けてそれぞれ、波長が２６６ｎｍのレーザをそれぞれテープ分断ラインＬ１Ｘとテープ分断ラインＬ１Ｙに沿って十字状に照射し、ウェーハＷの主面側内部に、深さがそれぞれ５〜５０μm程度のＶ字溝状をした改質層でなる、ウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘと該ウェーハＷカット用分割ラインＬ２Ｘと直角に交差するウェーハＷカット用分割ラインＬ２Ｙを、図６の(ｂ)に示すように十字状に設ける。

また、前記アブレーション加工工程(Ｂ)とウェーハカットライン形成工程（Ｃ）での加工をそれぞれ終えたウェーハＷは、図７の(ａ)に示すように搬送チャック２１１で保持されたまま、前記ウェーハ分割工程（Ｄ）に搬送され、ウェーハ分割部１５のセパレートテーブル１５１上に搬送される。そして、ウェーハ分割工程（Ｄ）に搬送されたウェーハＷは、図８(ａ)に示すように、主面側(バックグラインディングテープＧＴ側)を下側に向けて、すなわちバックグラインディングテープが貼り付けられていない裏面側を上側にしてウェーハＷの中心をウェーハ分割部１５の中心に合わせるとともに、図８の(ｃ)、(ｄ)に示すように、折り曲げライン１５１Ｘ、１５１Ｙにそれぞれウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙを合わせてセパレートテーブル１５１上に配置される。

前記ウェーハ分割工程（Ｄ）では、セパレートテーブル１５１上に配置されたウェーハＷを吸着機構１５２の真空吸着により保持する。次いで、傾き動作機構１５３を駆動させて、図８の(ｂ)、(ｃ)に示すように、分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｂの片側を、隣接している分割セパレートテーブル部１５１ｃ、１５１ｄに対してＺ軸方向(上方向)に例えば５〜１０ｍｍ程度傾けて山形に折り曲げる。この折り曲げで、ウェーハＷはウェーハカット用分割ライン１５１Ｘに沿って割断され、２つのウェーハ半体ＷＡ、ＷＢに分割される。更に、同じく固定セット状態で前記傾き動作機構１５３を駆動させて、図８の(ｂ)、(ｄ)に示すように、分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｄの片側を、隣接している分割セパレートテーブル部１５１ｂ、１５１ｃに対して、Ｚ軸方向(上方向)に例えば５〜１０ｍｍ程度傾けて折り曲げる。この折り曲げで、ウェーハＷはウェーハカット用分割ライン１５１Ｙに沿って更に割断され、４つの小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄに分割される。

前記ウェーハ分割工程（Ｄ）でのウェーハ分割が終了すると、ウェーハ裏返し工程（Ｅ）に移行する。前記ウェーハ分割工程（Ｄ）では、モータ１６２を駆動させて回転軸１６１を１８０°回転させる。この回転軸１６１の回転により、前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄを真空吸着保持しているセパレートテーブル１５１は、回転軸１６１と共に１８０°回転し、図９、図１０の(ｂ)に示すように１８０°裏返しされる。また、そのセパレートテーブル１５１の裏返しにより、セパレートテーブル１５１に吸着保持されている４つの小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄは、それぞれ主面側(バックグラインディングテープＧＴ側)を上側、裏面側を下側に向けて保持される。その後、ウェーハマウント工程(Ｆ)に移行する。

前記ウェーハマウント工程(Ｆ)では、図１１に示すように、ウェーハ裏返し工程（Ｅ）で裏返しされてセパレートテーブル１５１で保持されている、小片化された４つのウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）のいずれか１つのウェーハの下側に、ダイシングテープＤＴが張られたリングフレーム１７１が移動される。なお、ここでのリングフレーム１７１は内径３５００ｍｍのものであるが、既に４分割されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）の最大外径よりも大きい。また、以下の説明では、簡略化するために選択されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）は、ウェーハＷｄとして説明する。そして、リングフレーム１７１の中心を、選択されたウェーハＷｄの中心と略一致させる。

また、ほぼ同時に、図１２に示すように、リングフレーム１７１の下側にバルーン１８１が配置され、そのバルーン１８１内にエアが導入されて該バルーン１８１が徐々に膨らまされる。バルーン１８１が膨らむのに連動してバルーン１８１がダイシングテープＤＴを徐々に押し上げ、該ダイシングテープＤＴ越しに、その選択されたウェーハＷｄの下面(裏面)にバルーン１８１が徐々に押し付けられる。そして、ダイシングテープＤＴを介したバルーン１８１の押し付けにより、選択されたウェーハＷｄの裏面が該ダイシングテープＤＴ上に、該ダイシングテープｄＴの粘着力により貼り付けられ、そのウェーハＷｄが主面を上側にしてリングフレーム１７１にマウントされる。また、マウントが済むと、バルーン１１８は、その内部に導入されているエアが抜かれ、瞬時に下側に縮んでダイシングテープＤＴから離れる。さらに、リングフレーム１７１にマウントされたウェーハＷｄと対応している、分割セパレートテーブル部１５１aによるウェーハＷｄへの真空吸着が解かれる。そして、その選択されたウェーハＷｄは、ウェーハ搬送手段２１の搬送によりリングフレーム１７１と共にバックグラインディングテープ剥離工程（Ｇ）に搬送される。

バックグラインディングテープ剥離工程（Ｇ）では、ウェーハＷｄをマウントして前記ウェーハマウント工程(Ｆ)から搬送されて来たリングフレーム１７１を吸着ステージ上に配置する。そして、図１３に示すように吸着ステージ１９１でダイシングテープＤＴの下面を真空吸着して保持する。その後、リングフレーム１７１の主面に貼り付けられているバックグラインディングテープＧＴ上に剥離テープＲＴが、バックグラインディングテープ剥離手段１９２によって貼り付けられる。また、その後、バックグラインディングテープＧＴが剥離テープＲＴと共に持ち上げられてウェーハＷｄから剥がされる。バックグラインディングテープＧＴが剥がされたら、リングフレーム１７１は吸着ステージ１９１による吸着保持が解かれ、さらにウェーハ搬送手段２１によって前記フレームキャリア２２に搬送される。そして、フレームキャリア２２では、図１４に示すように棚２２１に収納されて保管される。これにより、一連の処理動作が終了する。次いで、残りの小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ）が同様にして処理され、フレームキャリア２２に収納されて保管される。

図１５は、このようにして各小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）が、リングフレーム１７１上にマウントされた状態を示している。すなわち、図１５の(ａ)は小片化されたウェーハＷａがリングフレーム１７１上にマウントされた状態、(ｂ)は小片化されたウェーハＷｂがリングフレーム１７１上にマウントされた状態、(ｃ)は小片化されたウェーハＷｃがリングフレーム１７１上にマウントされた状態、小片化されたウェーハＷｄがリングフレーム１７１上にマウントされた状態を各々示し、(ｅ)は小片化される前のウェーハＷを示している。

以上説明したように、上記実施例の構成によれば、バルーン１８１を膨らませて、このバルーン１８１をダイシングテープＤＴ越しに小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）の裏面略中心(中央)に向けて押し付けると、バルーン１８１の押し付けにより、ダイシングテープＤＴが小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）の裏面に密着して貼り付けられ、間に気泡が作られること無く簡単にウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）をリングフレーム１７１に精度良くマウントすることができる。また、このマウント方法では、ダイシングテープＤＴはウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）の中心から貼り付ける必要はないので、ウェーハの形状が円板形でなく、例えば扇形等、その形状やサイズ等が異なっていたとしても柔軟に対応することができる。

さらに、上記実施例では、外径が４００ｍｍのウェーハＷを４等分して３００ｍｍ用のリングフレーム１７１にマウントする場合について説明したが、４００ｍｍのウェーハＷを略中心から放射状に３等分する等して、外径が３００ｍｍよりも小さく小片化されたウェーハに分割してもよいものである。

また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。例えば、上記実施例では、分割して小片化されたウェーハをリングフレームにマウントする場合について説明したが、小片化してないウェーハをリングフレームにマウントする場合にも適用されるものである。

１０ 半導体製造装置
１１ 制御部
１１１ メモリ
１２ バックグラインディング装置
１２１ 真空チャックテーブル
１３ アライメント部
１３１ アライメントユニット
１４ レーザ照射部
１４１ レーザユニット(レーザ照射手段)
１５ ウェーハ分割部
１５１ セパレートテーブル
１５１ａ〜１５１ｄ 分割セパレートテーブル部
１５１Ｘ 折り曲げライン
１５１Ｙ 折り曲げライン
１５２ 吸着機構
１５３ 傾き動作機構
１５４ Ｘ／Ｙ軸動作機構
１５５ Ｚ軸動作機構
１６ ウェーハ裏返し保持手段
１６１ 回転軸
１６２ モータ
１７ リングフレーム配置手段
１７１ リングフレーム
１８ ウェーハマウント手段
１８１ バルーン
１９ バックグラインディングテープ剥離部
１９１ 吸着ステージ
１９２ バックグラインディングテープ剥離手段
２１ ウェーハ搬送手段
２１１ 搬送チャック
２２ フレームキャリア
２２１ 棚
ＤＴ ダイシングテープ
ＧＴ バックグラインディングテープ
ＲＴ 剥離テープ
Ｗ ウェーハ
ＷＡ、ＷＢ ウェーハ半体
Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ 小片化されたウェーハ
１５１Ｘ、１５１Ｙ 折り曲げライン
Ｌ２Ｘ、Ｌ２Ｙ ウェーハカット用分割ライン
Ｌ１Ｘ、Ｌ１Ｙ テープ分断ライン

Claims (5)

1. 表面側にバックグラインディングテープを貼り付けてなるウェーハを、ダイシングテープが貼られたリングフレーム上にマウントする半導体製造装置において、
   エアの導入により徐々に膨らみ、その膨らみにより前記ダイシングテープを前記ウェーハに徐々に押し付け、該ダイシングテープと前記ウェーハを貼り合わせてマウントするバルーンと、
   前記ウェーハの保持を解除することなく前記ウェーハの小片化及び前記小片化された各ウェーハを個別にマウントする保持手段と、
   を備えることを特徴とする半導体製造装置。
2. 前記ダイシングテープを挟んで上側に前記ウェーハを配置し、下側に前記バルーンを配置してなる、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記ウェーハは、略円板状をした１個のウェーハから複数個に分割して小片化されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造装置。
4. ダイシングテープが貼られたリングフレーム上にウェーハをマウントする半導体の製造方法において、
   エアが導入されて徐々に膨らまされるバルーンを、前記ウェーハに対して前記ダイシングテープ越しに配置し、前記バルーンの膨らみに伴わせて前記ダイシングテープを前記ウェーハに向けて押し付け、前記ウェーハを保持する保持手段が前記ウェーハを小片化した後に前記ウェーハの保持を解除することなく前記小片化された各ウェーハを個別にマウントする、ことを特徴とする半導体の製造方法。
5. 前記ダイシングテープを挟んで上側に前記ウェーハを配置し、前記バルーンを前記ダイシングテープの下側から膨らませて前記ダイシングテープを前記ウェーハに押し付けるようにしてなる、ことを特徴とする請求項４に記載の半導体製造方法。

Images