KR20230020906A - 칩의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 결정 구조를 갖는 기판으로부터 원하는 형상의 칩을 확실하게 제조할 수 있는 칩의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
결정 구조를 갖는 기판으로부터 원하는 형상의 칩을 제조하는 칩의 제조 방법으로서, 기판에, 제조해야 할 칩의 윤곽과, 칩의 윤곽에 접하여 기판의 분할을 보조하는 직선형의 분할 보조선을 설정하는 분할 예정 라인 설정 단계와, 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 기판의 상면으로부터 미리 정해진 위치에 위치시켜, 칩의 윤곽 및 분할 보조선을 따라 조사함으로써, 기판의 내부에 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와, 분할 기점이 형성된 기판에 대하여 외력을 부여함으로써 기판을 분할하는 분할 단계를 포함한다.

Description

칩의 제조 방법{CHIP MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 칩의 제조 방법에 관한 것이다.
유리 기판 등의 판형물로부터 원하는 형상의 칩을 제조하는 경우, 칩의 윤곽을 따라 레이저빔을 조사할 수 있는 레이저 가공 장치가 이용된다. 상기한 레이저 가공 장치로서, 예컨대, 판형물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 판형물의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성하는 것(특허문헌 1 참조)이나, 판형물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 소요 위치에 위치시켜 세공과 세공을 둘러싸는 비정질을 포함하는 실드 터널을 형성하는 것(특허문헌 2 참조) 등이 존재한다.
그러나, 만일 원 형상의 부품을 잘라내기 위한 분할 기점을 형성하였다고 해도, 분할 기점의 외측과 내측은 곡선형으로 밀착되어 있기 때문에, 양자를 효율적으로 확실하게 분할하기 어려워, 숙련자의 수작업에 의존할 필요가 있어 가공 효율이 나쁘다고 하는 문제가 있었다.
그래서, 본 발명자들은, 분할 기점이 환형으로 형성된 판형물을 확실하게 효율적으로 분할할 수 있는 분할 공구를 개발하였다(특허문헌 3 참조). 상기한 분할 공구를 이용함으로써, 유리 등 결정성을 갖지 않는 기판은 확실하게 분할할 수 있게 되었다.
[특허문헌 1] 일본 특허 제3408805호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2014-221483호 공보 [특허문헌 3] 일본 특허 공개 제2017-202589호 공보
한편, 탄화규소와 같은 결정 구조를 갖는 기판은, 상기 분할 공구를 이용하여도, 분할시에 결정 방위를 따라 깨질 확률이 매우 높아, 원하는 형상의 칩을 잘라내기 어렵다고 하는 새로운 과제가 부각되었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 결정 구조를 갖는 기판으로부터 원하는 형상의 칩을 확실하게 제조할 수 있는 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 결정 구조를 갖는 기판으로부터 원하는 형상의 칩을 제조하는 칩의 제조 방법으로서, 상기 기판에, 제조해야 할 칩의 윤곽과, 상기 칩의 윤곽에 접하여 상기 기판의 분할을 보조하는 직선형의 분할 보조선을 설정하는 분할 예정 라인 설정 단계와, 상기 분할 예정 라인 설정 단계를 실시한 후, 상기 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 상기 기판의 상면으로부터 내부의 미리 정해진 위치에 위치시켜, 상기 칩의 윤곽 및 상기 분할 보조선을 따라 조사함으로써, 상기 기판의 내부에 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와, 분할 기점이 형성된 상기 기판에 대하여 외력을 부여함으로써 상기 기판을 분할하는 분할 단계를 구비하고, 상기 분할 보조선은, 상기 기판의 상면에 있어서, 상기 결정 구조를 구성하는 단위 격자 중 상기 분할 보조선이 지나가는 단위 격자의 모든 변과 교차하고 또한 상기 제조해야 할 칩의 윤곽에 접하는 접선인 칩의 제조 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 분할 보조선은, 상기 기판의 상면에 있어서, 상기 기판의 결정 구조를 구성하는 단위 격자의 일 방향의 변에 대하여 수직으로 교차하도록 설정된다.
바람직하게는, 상기 기판은 SiC 기판이다.
본원 발명은, 결정 구조를 갖는 기판으로부터 원하는 형상의 칩을 확실하게 제조할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 칩의 제조 방법의 흐름을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 도 1에 도시된 분할 예정 라인 설정 단계 후의 기판을 모식적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 분할 기점 형성 단계의 일 상태를 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시된 분할 기점 형성 단계 후의 기판을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 4의 기판의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 5의 일부를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 4의 기판에 형성된 실드 터널을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 8은 도 1에 도시된 분할 단계의 일 상태를 모식적으로 나타낸 측면도이다.
도 9는 도 1에 도시된 분할 단계의 도 8 이후의 일 상태를 모식적으로 나타낸 측면도이다.
도 10은 도 1에 도시된 분할 단계의 일 상태에 있어서의 기판을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 11은 제1 비교예의 분할 보조선에 의해 분할된 기판을 모식적으로 나타낸 평면도이다.
도 12는 제2 비교예의 분할 보조선에 의해 분할된 기판을 모식적으로 나타낸 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따른 칩의 제조 방법에 대해서 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 칩의 제조 방법의 흐름을 나타낸 플로우 차트도이다. 실시형태의 칩의 제조 방법은, 분할 예정 라인 설정 단계 1과, 분할 기점 형성 단계 2와, 분할 단계 3을 구비한다.
(분할 예정 라인 설정 단계 1)
도 2는 도 1에 도시된 분할 예정 라인 설정 단계 1 후의 기판(10)을 모식적으로 나타낸 평면도이다. 분할 예정 라인 설정 단계 1은, 기판(10)에, 제조해야 할 칩(20)의 윤곽(21)과, 칩(20)의 윤곽(21)에 접하여 기판(10)의 분할을 보조하는 직선형의 분할 보조선(30)을 설정하는 단계이다.
기판(10)은, 예컨대, 탄화규소(SiC) 등으로 형성되는 판형물이다. 기판(10)은, 결정 구조를 갖는다. 도 2에 도시된 실시형태의 기판(10)은, 상면시에 있어서, 6개의 격자점(11)을 연결한 육각 형상의 단위 격자(12)를 갖는다. 기판(10)에는, 예컨대, 결정 방위를 나타내는 오리엔테이션 플랫(Orientation Flat) 또는 노치 등이 형성되어 있다.
분할 예정 라인 설정 단계 1에서는, 우선, 기판(10)의 상면에, 제조해야 할칩(20)의 윤곽(21)을 설정한다. 제조해야 할 칩(20)의 윤곽(21)은, 실시형태에 있어서, 원 형상이다. 또한, 칩(20)의 형상은, 실시형태에서는 원 형상이지만, 본 발명에서는 원 형상에 한정되지 않고, 원하는 형상이어도 좋다.
분할 예정 라인 설정 단계 1에서는, 다음에, 기판(10)의 상면에 분할 보조선(30)을 설정한다. 분할 보조선(30)은, 기판(10)의 칩(20)에 대한 분할을 보조하는 직선형의 선이다. 분할 보조선(30)은, 제조해야 할 칩(20)의 윤곽(21)에 접하는 접선이다. 분할 보조선(30)은, 결정 구조의 단위 격자(12)를 구성하는 격자점(11)을 연결하는 선, 즉 단위 격자(12)의 변(13) 중 어느 것과도 평행하지 않도록 설정된다. 바꿔 말하면, 분할 보조선(30)은, 분할 보조선(30)이 지나가는 단위 격자(12)의 모든 변(13) 또는 변(13)의 연장선과 교차하도록 설정된다. 분할 보조선(30)은, 실시형태에 있어서, 기판(10)의 결정 구조를 구성하는 단위 격자(12)의 일 방향의 변(13)에 대하여 수직으로 교차하도록 설정된다.
(분할 기점 형성 단계 2)
도 3은 도 1에 도시된 분할 기점 형성 단계 2의 일 상태를 모식적으로 나타낸 사시도이다. 도 4는 도 1에 도시된 분할 기점 형성 단계 2 후의 기판(10)을 모식적으로 나타낸 사시도이다. 도 5는 도 4의 기판(10)의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 6은 도 5의 일부를 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 7은 도 4의 기판(10)에 형성된 실드 터널(50)을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
분할 기점 형성 단계 2는, 기판(10)의 내부에 칩(20)으로 분할하기 위한 분할 기점을 형성하는 단계이다. 분할 기점은, 실시형태에 있어서, 실드 터널(50)이다. 실시형태의 분할 기점 형성 단계 2에서는, 레이저 가공 장치를 이용하여 실드 터널(50)을 형성한다. 레이저 가공 장치는, 기판(10)을 지지하는 도시하지 않은 지지 테이블과, 레이저빔 조사 유닛(40)과, 지지 테이블과 레이저빔 조사 유닛(40)을 상대적으로 이동시키는 도시하지 않은 이동 유닛을 구비한다.
레이저빔 조사 유닛(40)은, 레이저 가공 장치의 유지 테이블에 지지된 기판(10)에 대하여, 레이저빔(41)을 조사한다. 레이저빔(41)은, 기판(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔(41)이다.
분할 기점 형성 단계 2에서는, 우선, 기판(10)을 지지하는 지지 테이블과 레이저빔 조사 유닛(40)을 상대적으로 이동시켜, 레이저빔(41)의 집광점을 기판(10)의 상면으로부터 소정 위치에 위치시킨다. 다음에, 레이저빔(41)이 칩(20)의 윤곽(21) 및 분할 보조선(30)을 따라 조사되도록, 기판(10)과 레이저빔(41)의 집광점을 상대적으로 이동시키면서, 레이저빔(41)을 기판(10)의 내부로 조사한다.
이에 따라, 칩(20)의 윤곽(21) 및 분할 보조선(30)을 따라 기판(10)의 내부에 위치시킨 레이저빔(41)의 집광점 부근으로부터 기판(10)의 상면을 향해, 세공(52)과, 세공(52)을 둘러싸는 비정질의 개질부(51)가 성장하고, 소정의 간격으로 실드 터널(50)이 형성된다. 세공(52)의 내경(53)은, 1 ㎛ 정도이고, 개질부(51)의 외경(54)은, 5 ㎛ 정도이며, 서로 인접한 개질부(51)끼리의 간격은 10 ㎛ 정도이다.
(분할 단계 3)
도 8은 도 1에 도시된 분할 단계 3의 일 상태를 모식적으로 나타낸 측면도이다. 도 9는 도 1에 도시된 분할 단계 3의 도 8 이후의 일 상태를 모식적으로 나타낸 측면도이다. 도 10은 도 1에 도시된 분할 단계 3의 일 상태에 있어서의 기판(10)을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
분할 단계 3은, 분할 기점[실드 터널(50)]이 형성된 기판(10)을 칩(20)으로 분할하는 단계이다. 실시형태의 분할 단계 3에서는, 확장 장치(60)를 이용하여 기판(10)에 대하여 외력을 부여함으로써 분할한다. 확장 장치(60)는, 클램프 부재(61)와, 푸시업 부재(62)를 구비한다.
분할 단계 3에서는, 우선, 환형의 프레임(70)에 익스팬드 테이프(71)를 붙임과 더불어, 기판(10)에 익스팬드 테이프(71)를 접착시켜, 기판(10)을 프레임(70)의 개구 내에 고정한다. 다음에, 기판(10)을 유지하는 프레임(70)의 외주를 클램프 부재(61)로 고정한다. 이때, 푸시업 부재(62)의 선단이, 프레임(70)의 내주연과 기판(10)의 외주연 사이의 익스팬드 테이프(71)에 접촉한다. 또한, 푸시업 부재(62)의 선단은, 롤러 부재를 포함하는 것이 바람직하다.
분할 단계 3에서는, 다음에, 클램프 부재(61)에 대하여 푸시업 부재(62)를 상대적으로 상승시킨다. 익스팬드 테이프(71)는, 외주부가 프레임(70)을 통해 클램프 부재(61)로 고정되어 있기 때문에, 프레임(70)의 내주연과 기판(10)의 칩(20)의 윤곽(21) 사이의 부분이 면 방향으로 확장된다. 익스팬드 테이프(71)에 방사 방향의 인장력이 작용함으로써, 기판(10)의 칩(20)과, 칩(20)의 외측 부분의 분할 보조선(30)으로 구획된 부분이, 칩(20)의 윤곽(21) 및 분할 보조선(30)을 경계로 하여 분할된다.
(제1 비교예)
도 11은 제1 비교예의 분할 보조선(31)에 의해 분할된 기판(10-1)을 모식적으로 나타낸 평면도이다. 제1 비교예의 분할 보조선(31)은, 기판(10-1)의 상면에 있어서, 제조해야 할 칩(20)의 윤곽(21)에 접하고, 칩(20)의 외측으로 연장되는 법선이다.
제1 비교예에서는, 분할 예정 라인 설정 단계 1에 있어서, 기판(10-1)의 상면에, 제조해야 할 칩(20)의 윤곽(21)과, 분할 보조선(31)을 설정한다. 그 후, 제1 비교예에서는, 분할 기점 형성 단계 2 및 분할 단계 3을, 실시형태와 마찬가지로 실시한다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 비교예에서는, 분할 후의 칩(20)에, 분할 보조선(31) 중 하나와 칩(20)의 윤곽(21)의 교점으로부터, 분할 보조선(31)으로부터 연장되도록 칩(20)의 내측으로 뻗어 신장된 균열(22)이 발생하였다.
(제2 비교예)
도 12는 제2 비교예의 분할 보조선(32)에 의해 분할된 기판(10-2)을 모식적으로 나타낸 평면도이다. 제2 변형례의 분할 보조선(32)은, 기판(10-2)의 상면에 있어서, 제조해야 할 칩(20)의 윤곽(21)에 접하는 접선으로서, 결정 구조를 구성하는 단위 격자(12)의 일 방향의 변(13)과 평행하다.
제2 비교예에서는, 분할 예정 라인 설정 단계 1에 있어서, 기판(10-2)의 상면에, 제조해야 할 칩(20)의 윤곽(21)과, 분할 보조선(32)을 설정한다. 그 후, 제2비교예에서는, 분할 기점 형성 단계 2 및 분할 단계 3을, 실시형태와 마찬가지로 실시한다. 도 12에 도시된 바와 같이, 제2 비교예에서는, 분할 후의 칩(20)에, 분할 보조선(32)과 교차하여 칩(20)의 내측을 횡단하도록 신장된 균열(23)이 발생하였다.
이상 설명한 바와 같이, 실시형태에 따른 칩의 제조 방법은, 기판(10)으로부터 원하는 형상의 칩(20)을 얻기 위해, 제조해야 할 칩(20)의 윤곽(21)의 외측에 형성하는 분할 보조선(30)을, 기판(10)의 결정 방위를 고려하여 설정한다.
예컨대, 분할 예정 라인 설정 단계 1에 있어서, 분할 보조선(30)은, 실시형태에서는, 단위 격자(12)의 육각형의 대각선, 즉 가장 먼 격자점(11)끼리를 연결한 선에 대하여 직각으로 설정하였으나, 기판(10)이 육방정인 경우, 육각형의 대각선에 대하여 60°보다 크고 120°보다 작은 범위에서 설정하면 좋다. 또한, 기판이 정방정인 경우, 사각형의 대각선에 대하여 0°보다 크고 180°보다 작은 범위에서 설정하면 좋다.
이와 같이, 기판(10)의 결정 방위에 대하여 분할에 이상적인 각도로 형성함으로써, 분할시의 균열(22, 23)이 칩(20)의 내부로 신장되는 확률을 각별히 억제할 수 있기 때문에, 확실히 원하는 형상의 칩(20)을 얻을 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.
예컨대, 분할 기점 형성 단계 2 후, 분할 단계 3 전에, 에칭 가공을 실시하여도 좋다. 또한, 분할 단계 3에 있어서, 실시형태에서는 확장 장치(60)로 익스팬드함으로써 분할하였지만, 특허문헌 3의 분할 공구 등을 이용하여 분할하여도 좋다.
또한, 실시형태에서는, 하나의 기판(10)에 대하여 하나의 칩(20)을 형성하는 예를 들어 설명하였으나, 본 발명에서는, 하나의 기판(10)에 대하여, 복수의 칩(20)을 형성하여도 좋다. 이 경우, 칩(20)의 윤곽(21)과 이것에 대응하는 분할 보조선(30)을 세트로 하고, 각각의 세트마다 별개의 영역으로 구획하는 새로운 분할 보조선을 형성하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 각각의 칩(20)이 인접한 칩(20)이나 분할 보조선(30)의 영향을 받아, 칩(20)의 내부에 균열이 신장되는 것을 억제할 수 있다.
10, 10-1, 10-2 : 기판 11 : 격자점
12 : 단위 격자 13 : 변
20 : 칩 21 : 윤곽
22, 23 : 균열 30, 31, 32 : 분할 보조선
41 : 레이저빔

Claims (3)

  1. 결정 구조를 갖는 기판으로부터 원하는 형상의 칩을 제조하는 칩의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판에, 제조해야 할 칩의 윤곽과, 상기 칩의 윤곽에 접하여 상기 기판의 분할을 보조하는 직선형의 분할 보조선을 설정하는 분할 예정 라인 설정 단계와,
    상기 분할 예정 라인 설정 단계를 실시한 후, 상기 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 상기 기판의 상면으로부터 내부의 미리 정해진 위치에 위치시켜, 상기 칩의 윤곽 및 상기 분할 보조선을 따라 조사함으로써, 상기 기판의 내부에 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 단계와,
    분할 기점이 형성된 상기 기판에 대하여 외력을 부여함으로써 상기 기판을 분할하는 분할 단계를 포함하고,
    상기 분할 보조선은, 상기 기판의 상면에 있어서, 상기 결정 구조를 구성하는 단위 격자 중 상기 분할 보조선이 지나가는 단위 격자의 모든 변과 교차하고, 또한 상기 제조해야 할 칩의 윤곽에 접하는 접선인 것인 칩의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분할 보조선은, 상기 기판의 상면에 있어서, 상기 기판의 결정 구조를 구성하는 단위 격자의 일 방향의 변에 대하여 수직으로 교차하도록 설정되는 것인 칩의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 SiC 기판인 것인 칩의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2014221483A (ja) 2013-05-13 2014-11-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法
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