TW591341B - Coating compositions for use with an overcoated photoresist - Google Patents

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玖、發明說明： (相關申請案） 本申請案係主張2001年9月26日申請之美國臨時申請案第⑼254 號之優先權，該臨時申請案之全部内容將併入本文中以作為來考。 [發明所屬之技術領域] 本發明係有關一種組成物（特別是抗反射塗層組成物或”ARCs，，），其可 使所曝光輻射自基板背面反射回外覆光阻層中的現象降低及/或具有平坦 化或導孔填充層的功能。更侧的是，本發縣有關於有機塗層組成物， 特別是抗反射塗層組成物，其含有聚酯樹脂成分。 [先前技術] 光阻劑翻於將影像轉移至基板上之錄性_。光剛之塗層係於 基材上形成’然後使光Μ透過光罩曝光於活化輻概。鮮有部分區域 不讓活化骑線透過’而其他區域職活化輻射線透過。曝光於活化輕射 使光阻劑塗較光紐錢行化學舰反應，藉贿光罩關雜移至塗 布光阻劑的基材上。曝光後，光_賴影產生獅像，錢可對基材進 行選擇性加工。 μ光阻劑可為正型侧或㈣作用。對大多數負型侧光組劑而言，該 等’：)、光於/¾化‘射之麵部分會使絲敝成物巾的光活性化合物與可聚 合試劑之·生聚合或交聯反應。結果使得曝光之塗層部分比未曝光部分 車不易4顯#射。對正型作用光_而言，曝光部分則較易溶於顯影 而未曝光之區域則仍較難溶於顯影液中。光阻劑組成物已說明於

Deforest^Photores.st Mater.als and Processes, McGraw ΗΠ1 B〇〇k 92] 82修正本 5 591341

Company, New York ^2# ^ 1975 W^Moreau^Semiconductor Lithography, Principles, Practices and Materials, Plenum Press, New York ^ %2 與4章。 光阻劑之主要騎城造半導體，其巾之—目的為_高度研磨的半 導體薄片（例如石夕或魏鎵)轉換成可執行電路功能之較佳為微米或次微米 幾何形狀的具有導祕徑的複合基體。為達成此項目的之_為進行光阻 劑的適當加n雜各種光賴加1步狀間互綱立，但咸信曝光 步驟為達成高解析度光阻劑影像之最重要步驟之一。 用於對光阻劑曝光的活储射之反射作舰常會_光阻層中所形成 圖案之影像解析度。來自基材/光_界面之_線反射會使光阻劑產生輕 射強度的空間性變異，因而造細糾光_線寬的不均—。輻射線亦會 自基材/光_界面散射至不欲曝光之光_區域，再次造祕寬出現變 異。散射與反射的量通常會隨區域而異，進—步造成不均—的線寬。基材 表面形貌的變化亦可引起解析度限制上的問題。 另-種用以減少反雜射線問題之方法為使用置於基材表面與光阻劑 塗層之間魄射線吸收層。請參見例如：PCT巾請娜9_598、申請 案第0639 941 A1號及美國專利案第4,91〇，122、侧，棚、4 362，刪及 5, 939’》號。鱗層㈣為抗反射層或抗反射組成物。亦請參見泥咖 公司的美國專利案第5, 939, 236、5, 886，搬、5, 851，观及5, 851，73〇號， 其中揭示極有用之抗反射組成物。 [發明内容] 92182修正本 6 591341 本發明人現揭示與外覆光阻層一起使用之新穎抗反射組成物 (丨丨 ARCsn)。 更具體而言，本發明係提供有機塗層組成物，特別是與外覆光阻劑一 起使用之抗反射組成物，其包括含有s旨重複單元（聚自旨）之樹脂成分，該等 酯重複單元係例如經由含緩基之化合物(例如舰、酿、酸肝等）及含經基 之化合物，較佳為具有多健基之化合物例如二醇(例如乙二醇或丙二醇、 或甘油、或其他二_、三賴及瞒鮮）之聚合反應而形成。 醋官能基較佳«合物的骨幹成份而不是罐或·單元鳴部分亦 可為側基，但較佳為聚合物亦含有沿絲合物鱗.官祕。亦較佳為 其中醋重複單元包括耗齡代，例如視需要取代之碳環料細如視需 要L取代之苯基、奈基或祕等取代基），g旨重複單元可為側鏈或更佳為沿 著聚合物的骨幹。 另-方面’本發明係提供有機塗層組成物，特別是與外覆光阻劑一起 使用之抗反射組成物，其包括樹脂成分，該樹脂成分係經由—種或多種單 體、募聚合物或其他聚合之次單元或包括_(例如每個單體具有2、如 個經基）的物質進行聚合反應而獲得。難為如上述使鱗含之可聚合 物質反應則彡絲齡m 是使含經基及含絲之化合物(例如缓酸、 醋、酸_)反應。含祕之可聚合物f的實例包含二_、三醇類及四醇 類例如二醇，例如乙二醇或丙二醇、或丙三醇。 本發明塗層組成物較佳為交聯組成物及含有可交聯或例如經熱處理或 活化輕射處理可硬化的物f。通f該組成物含有交聯舰分例如含胺物質 92】82修正本 7 (例如二聚氰胺或苯代三聚氰二胺之化合物或樹脂）。 本發明父聯組成物較佳可經由組成物塗層的熱處理而硬化。塗層組成 物亦適合含有酸或更佳含有酸產生劑化合物，特別是熱酸產生劑化合物， 以促進交聯反應。 對於用作為抗反射塗層組成物，以及例如填充導孔的其他應用，較佳 為將光阻劑組成物層塗布於該組成物層上之前先使該組成物進行交聯。 本發明抗反射組成物亦較佳含有包括可吸收非期望之輻射的發色基團 之成分，該非期望之輻射係外覆光阻層曝光而反射至光阻層。該等發色基 團可與其他組成物成分(例如聚酯樹脂或酸產生劑化合物）一起存在，或該 組成物可包括其他包含該等發色團單元(例如自含有發色團取代物之聚酯 樹脂分離之樹脂）之成分、或含有一個或多個發色團部分(例如一個或多個 視需要經取代之苯基、視需要經取代之蒽基或視需要經取代之萘基）之小分 子(MW低於約1〇〇〇或500)。 通常包含於本發明塗層組成物之較佳發色團，特別適用於抗反射應用 者包含單環及多環芳香基(例如視需要經取代之苯基、視需要經取代之萘 基、視需要經取代之蒽基、視需要經取代之菲基及視需要經取代之喹啉基 等）。特佳發色團可隨對外覆光阻層曝光所使用的輻射而異。更特別的是， 於248奈米下對外覆光阻劑曝光，視需要經取代之蒽基及視需要經取代之萘 基為抗反射、组成物t特佳發色團。於193奈米下對外覆光阻劑曝光，視需要 經取代之苯基及視需要經取代之萘基為抗反射組成物之特佳發色團。較佳 為該等發色基團係連結（例如側基）至抗反射組成物之樹脂成分（例如上述 92] 82修正本 8 591341 之聚酯樹脂）。特佳發色基團為芳香基二羧酸酯，特別是萘基二羧酸酯及苯 基二叛酸g旨。 通常可將本發明塗層組成物調配成有機溶劑溶液並利用旋塗法（即旋 塗式組成物）塗布於基材上。於較佳方面，將本發明組成物與包括一種或多 種羥基異丁酸酯，特別是2-羥基異丁酸甲酯之溶劑一起調配。本發明特佳 塗層組成物包含聚酯樹脂，特別是含有酯重複單元作為聚合物骨幹之成分 者，並與包括一種或多種羥基異丁酸酯（例如2—羥基異丁酸甲酯）之溶劑成 分一起調配。 另一方面，本發明係提供與外覆光阻層一起使用之抗反射組成物，其 具有多種經選擇的樹脂，以提供曝光波長下抗反射組成酬需折射率的實 數部份值(η)與虛數部份值(k)。習知抗反射組成物之折射率於曝光波長下 為複數N=nik，其中!1為!^之實數部分，相當於通常所稱之”折射率，，，而^為^ 之虛數部分且與作為曝光波長函數之吸收係數有關。 方;本發明之一觀點，更特別是本發明抗反射組成物係與多種樹脂一起 調配，且該等樹脂中之至少―種較佳為聚輯脂及/或由多絲物質所形成 者，以提供目標折射率之實數部分值與虛數部分祕。較佳之摻合部分為 丙稀酸_脂’例如蒽丙烯酸醋聚合物（特別是含有甲基丙稀酸瘦基乙醋或 丙稀酸乙酷及甲紐甲基丙稀_旨或其他蒽丙稀_等聚合重複單元 之聚合物）’如Shipley公司之美國專利第5 886, 1()2號所揭示者。 較佳方法包含藉由將聚醋樹脂及丙烯酸醋樹脂混合(摻合)於本發明抗 反射組成物中以獲得所需目標折射率的實數部份n在約15(特別是工·⑹至 92182修正本 9 591341 約2.1(特別是2.⑻之間，所需折射率虛數部做在敝2(特別划肩至約. 〇· 7(特別疋G. 7G)之間。聚輯脂較佳包括萘基，而聚丙烯義樹脂較佳包、 括蒽基或其他發色團部分(例如苯基）。 多種光阻劑可與本發明塗層組成物結合（即外覆）-起使用。與本發日月, 抗反射、减物起使用之較佳光輔係化學放大型光_，尤其是正型作 * 用光阻.敍型作用光阻劑含有—賊多種級產生雜合物及樹赋 .· /树月曰成刀3有在光產生g㈣存在下會進行脫封阻或斷裂反應之單a · (例如光S夂不女疋醋、縮酸、縮酮或_單元）。負型作用光阻劑亦可與本發籲 月k層、、且成物起使用，例如在活化輕射下曝光發生交聯（即固化或硬化） 反應之光阻劑。較佳與本發明塗層組成物—起使用之光阻劑可用較短波長 的輪射成像，例如該輻射之波長低於綱奈米或低於編奈米⑽如約⑽奈 米）或抓射線之波長低於約200奈米或低於約17〇奈米（例如約193奈米或 157奈米）。 本舍明進-步提供形成光阻劑浮雕像之方法及提供製造包括單獨塗布 有本Uk反射組成物、或塗布有本發明抗反射組成物與光阻劑組成物^ _ 者的基材(彳政電子晶圓基材）之新穎物件。 本發明其他方面揭示如下。 本發明現提供新财缝雜錢，其雜職合與外覆絲層—起 / 使用本發明紐塗層喊物可使雌塗法(旋塗式化合物)並概成溶劑. 組成物予財布。本伽塗層域物尤其適合时為外覆絲劑之抗反射 組成物及/或作為外觀轉域驗層辭坦化或填充導孔之喊物。 · 92182修正本 10 591341 如上述，本發明係提供含有_重複單元之有機塗層組成物。該等醋基 非為光酸不蚊’即在—般曝光烤、活域射下之曝光、曝光後加熱 及/或顯影之郷製財，鮮元不會進行脫封喊其麟裂反應。 醋重複單元較麵存在㈣合物骨幹巾，即該雜基(_㈣則係存在於 支鏈上或於實質上形絲合物長度之線型鏈上。亦難為鮮雜含有芳 9娜代物’例如本基、奈基賴基，例如可藉由鄰苯二酸絲與多醇之 反應而獲得。 該《樹射含有其他作為雕_鏈單元之重複單元、或其他沿著 聚合物骨幹之重複單元。例如御m可為絲物_。兩種沿細脂骨幹之 不同重複單元）、三聚物(例如三種沿著樹脂骨幹之不同重複單元）、四聚物 (例如四種沿絲合物骨幹之不同重複單元）或五雜(例如五種沿著聚八 物骨幹之不同重複單元）。例如適合麵含有驗_«單元、與醚或顆 單元-起之伸絲重複單元的聚合物。在許多應社另外含有—個或多個 氧原子的重複單元為較佳。 可用於本發明塗層組成物之較佳樹脂實例包括使含有一個或多個幾基 (例如醋' _、碳環酸等）的化合物與含有—個或多個絲，較佳含衫 少兩個祕的化合物-起反顧形成者。該含齡之化合物雜佳可含有 兩個或兩個以上之雜(-C替）。崎基化合物與_基化合物係適I於 心的存在下反應，右需要形成共聚物或其他高階聚合物，則可視需要與其 他化合物反應，以形成聚酯樹脂。 w、 該等聚峨脂係適合藉由將多醇、_親合物、其他欲併入形成樹 92182修正本 1] 591341 脂之化合物、及例如磺酸(例如甲雜或對？苯顧_轉裝填至反應容 器中而製備。該反應混合物係適合於高溫（至少約赃，更通常在至少1〇〇 c、110°c、12(TC、13(TC、14G°C或150。〇下攪拌一段足以形成聚合物的 時間（例如2、3、4、5、6、8、12、16、2G、24小時）。所用樹脂之合成較 佳條件的實例於下述實施例中詳述。 如上述，另-方面，本發明提供有機塗層組成物，特別是提供與外覆 光阻齊卜起使狀抗反射組成物，其包括由_誠多鮮體、募聚合物或 其他聚合之次單元或包括經基(例如每單體有2、3或4健基)的物質進行聚 5反應而獲得之樹脂成分。 較佳於使多羥基化合物反應形成組成物之後，合併單元具有至少一 個、適合兩個或三個或更多個之未反應減。其中，組成物樹脂之該等經 基可用作為含有該樹脂之抗反射組成物交聯用的位置。 如上述，使多羥基化合物適當地反應以形成聚醋樹脂。然而，可將多 规基化合物併人其他樹脂（例如聚_、雜基曱酸g旨或其他樹脂）中，並用 於本發明抗反射組成物。 含經基可聚合物質之實例包含二醇、三醇及四醇。適合之含經基可聚 口物貝可含有其他雜原子取代，制是氮及硫，尤其硫可存在於絲硫(硫 化物）、院基亞續醯基或烧績酿基部分中。通常可反應形成本發明組成物樹 脂之含多經基物質具有至少兩個碳原子，更通常具有3、4、5、6、7、89 或10個碳原子。可聚合含⑯基物f可為適合的分支型或直鏈型化合物。 特別適用於反應以形成本發明抗反射組成物樹脂之二醇包含例如乙二 12 92】82修正本 591341 醉、1，3-丙二醇、1，2_丙二醇、2, 2-二甲基-1，3-丙二醇、2, 2-二乙基-1，3-丙二醇、2-乙基-3-甲基-1,3-丙二醇、2-甲基-2-丙基-1，3-丙二醇、2-丁 基-2_乙基-1，3-丙二醇、1，4-丁二醇、2-甲基-1，4-丁二醇、1，2-丁二醉、 1，3-丁二醇、2, 3-丁二醇、2, 3-二甲基_2, 3-丁二醇、1，5-戊二醇、1，2-戊 二醇、2, 4-戊二醇、2-甲基-2, 4-戊二醇、1，6-己二醇、2, 5-己二醇、1，2-己二醉、1，5-己二醇、2_乙基-1，3_己二醇、2, 5_二甲基-2，5-己二醇、1，7-庚二醇、1，8-辛二醇、1，2-辛二醇、1，2-辛二醇、1，9-壬二醇、1，10-癸二 醇、1，2-癸二醇、1，12-十二烷二醇、1，2-十二烷二醇、1，2-十四烷二醇、 1,2-十六烷二醇、1，16-十六烷二醇、1，2-環丁烷二甲醇、1，4-環己烷二甲 醇、1，2-環己烧二甲醇、5-原冰片稀-2, 2-二甲醇、3-環己稀-1，1-二甲醇、 二環己基-4, 4’ -二醇、1，2-環戊二醇、1，3-環戊二醇、1，2-環辛二醇、1，4-環辛二醇、1，5-環辛二醇、1，2-環己二醇、1，3-環己二醇、1，4-環己二醇、 1，2-環庚二醇、2, 2, 4, 4-四曱基-1，3-環丁二醇、1，2-環十二烷二醇、十氫 化萘-1，4-二醇、十氫化萘-1，5-二醇、3-氯-1，2-丙二醇、1，4-二溴丁烧-2, 3-二醇、2, 2, 3, 3-四氟-1，4-丁二醇、二甘醇、三甘醇、四甘醇、五甘醇、 二丙二醇、異山梨醇、異甘露醇、1，3-二噁烷-5, 5-二甲醇、1,4-二噁烷-2, 3_二醇、1，4_二嚷烧-2, 5_二醇、1，2_二唾烧_4, 5-二醇、2_經乙基二硫 化物、3, 6-噻-1，8-辛二醇、3, 3’ -硫代二丙醇、2, 2’ -硫代二乙醇、1，3-羥 基丙酮、1，5-二羥基-2, 2, 4, 4-四氣-3-戊酮、甘油醛、苯頻哪醇、1，1，4, 4-四苯基-1，4-丁二醇、3, 4-雙（對-羥基酚)-3, 4-己二醇、1，2-苯二甲醇、1，4-苯二曱酵、2, 3, 5，6-四曱基-對-二甲苯-d，6K ’-二醇、2, 4，5，6-四氯苯- 13 92】82修正本 591341 1’3—甲醇、2’3,5’6-四氣苯-1，4-二甲醇、22_二苯基_13_丙二醇、3_ (4-氣苯氧基H，2—丙二醇、2, 2’ _(對_伸苯基二氧基)_二乙醇、5—碗基-間 一二甲苯ϋ -二醇、i，8-雙(經甲基)蔡、2, 6_雙(經甲基)令甲驗、 〇’ 〇雙(2-經乙基）苯、1’ 2-0-異亞丙基咲喃糖、5, 6_異亞丙基抗壞血酸及 2, 3-0-異亞丙基秀克來醇等。 特別翻於反應以形成本發明抗反射域物概之三醇包含例如丙三 醇1，1’1麥(輕曱基）乙烧、2-經曱基_13_丙二醇、2_乙基_2_(經甲 基)-1，3-丙二醇、2-經甲基_2—丙基3_丙二醇、2經甲基乂 4—丁二醇、 2-經乙基-2-甲基-1，4-丁二醇、2_經曱基_2_丙基_14_丁二醇、2_乙基_2_ 經乙基-i，4-丁二醇、L 2, 3-丁三醇、i 2,4_丁三醇、3售甲基)_3_甲基 1’ 4戊一醇、1，2, 5-戊二醇' 1，3, 5-戊三醇、1，2, 3-三經基己烧、1，2, 6- 二經基己烧、2, 5-二曱基-1，2, 6-己三醇、參(經甲基)墙基曱烧、2_甲基_ 2-琐基-1，3-丙二醇、2-漠-2-硝基-1，3-丙二醇、l 2, 4_環戊三醇、l 2, 3_ 環戊三醇、1，3, 5-環己三醇、1，3, 5-環己三曱醇、i 3, 5_三(2_經乙基）氰 尿西文、1,2-0-異亞丙基咲喊艾杜糖、ui異亞丙基咲喊葡糖、甲基吼。南 木苷及克酮酸等。 特別適用於反應以形成本發明抗反射組成物樹脂之四醇包含例如 1，2’ 3, 4-丁四醇、2, 2-雙(羥甲基汽3_丙二醇、L 2, 4, 5_戊四醇、四羥基 -1，4-苯醒、曱基甘鍾絲、2_脫氧半乳糖、砂甲基葡萄糖、核糖 及木糖等。 對於抗反射應用方面，-種或多種可反應形成樹脂之化合物適合包括 92182修正本 14 591341 能作為發色__分’㈣彳㈣於曝光輕触趣狀傭。例如， 鄰苯二_旨化合物[例如鄰苯二酸、鄰苯二酸二_(即，二s旨例如各具有丄 至6個碳原子之_’較佳為鄰苯二酸二甲醋或鄰苯二酸乙醋）]可與芳香族或 非芳香族多·視需要其減紐化合物輯聚合反應，則彡成聚醋，其 特別適用於與次奈米（例如193奈米）波長下成像之光阻劑一起使用的抗 反射組成物。同樣地，可將萘基化合物聚合成樹脂，該樹脂制於與次綱 奈米波長或次200奈米波長(例如248奈米或193奈米）下成像之外覆光阻劑 -起使用的域物中，該萘基化合物例如為含有—個或兩個或更多個縣 取代基(例如二烧基特別是“Η烧基萘二細_之萘基化合物。亦較佳為 反應性蒽化合物，例如具有―個❹健基或g旨基，例如—個❹個甲酷 基或乙S旨基。 含有發色團單元之化合物亦可含有—個輸佳兩個❹她基且可與 含叛基之化合物反應。例如’具有—個、兩個或更多個織之苯基化合物 或蒽化合物可與含羧基之化合物反應。 此外，抗反射組成物可含具有與聚酯樹脂成份分開之發色團單元的物 質。例如，塗層組成物可包括含有苯基、蒽基、萘基等單元之聚合或非聚 合化合物。然而通常以含有發色團部分之酯樹脂為較佳。 如上所述，本發明較佳抗反射塗層組成物可經交聯，例如藉由熱及/戍 ㈣處理。例如，本發瞻佳抗反射塗層組成物可含有分I交聯劑成份， 該交聯劑成份可與一種或多種抗反射組成物之其他成分進行交聯。通常較 佳之交聯抗反射組成物包括分開的交聯劑成份。本發明特佳之抗反射組成 92182修正本 15 591341 物含有彼此分開的成分：樹脂、交聯劑及熱酸產生劑化合物。此外，本發 ‘ 明交聯抗反射組成物亦可含有鹼性胺添加劑以促使外覆光阻層之基腳 、 (footing)或缺口（notching)問題的消除。交聯抗反射組成物較佳在將光 阻層塗佈在抗反射塗層上之前先進行交聯反應。通常以藉由熱酸產生劑之 / 活化作用而進行之抗反射組成物的熱誘發交聯反應為較佳。 . € 本發明交聯抗反射組成物較佳包括離子性或實質上中性之熱酸產生 ·， 劑，例如砷磺酸銨鹽，於抗反射組成物塗層之固化期間用以催化或促進交 . 聯反應。通常-贼多觀酸產生劑⑽有乾組成物成分(除溶纖體料 # 之全部成分)之約0.1至10重量％，更佳為所有乾組成物成分之約2重量％的 濃度存在於抗反射組成物中。 如上所述，抗反射域物可適#地含有其他獅齡。適合之樹脂成 分可含有發色團單元，該等發色團單元係用於在非期望之反射現象發生之 前吸收使外覆光阻層成像之輻射。 在深_應用方面（即外覆光阻劑係使用深_射成像），抗反射組成 物之聚合物較佳可吸收深uv範圍（通常在⑽奈米至編奈米之間）的祕 參 光。如此’聚合物較佳含有深uv發㈣之單元，即讀深_射之單元。 高度共輛料财適合鱗㈣。芳錄，_是純烴或雜環單元，通 常為較佳之雜發色團’例如具有二至三至四個之稠合環或分開環祕 .- 團，而各環為啦8員環且每環含有零至三侧、_子。該麵包含 視需要經取代编、彳觀職概、㈣獅㈣㈣需. 要工取代之⑺基、視冑魏喊之獅基及魏代之麵基(例如絲哪 92182修正本 16 591341 基）。視需要經取代之蒽基係特佳用以使外覆光阻劑於248奈米下成像。較《 佳之抗反射組成物樹脂具有蒽側基。較佳樹脂包含如Shipley公司之歐洲公 開申請案813114A2第4頁所揭示之式丨者。 ， 其他較佳樹脂黏結劑包括視需要經取代之喹啉基或含有一個或多個 / N 0或S%原子之喹啉基衍生物，例如羥基喹啉基。聚合物可含有其他自聚·· 合物骨幹如縣及/或絲g旨單元的單元。難抗反射喊麟脂 於丙稀酉夂中含有該等單兀，例如Shipley公司之歐洲公開申請案813馳2第 4至第5頁所揭示之式η樹脂。 於193奈米下成像’抗反射組成物較佳可含有具苯基發色團單元之樹 月曰例如’ -種與193奈米下成像之光阻劑一起使用之適合抗反射樹脂為由 苯乙稀、甲基丙烯酸2，乙0旨及甲基_酸甲g旨⑽：38 ·· 32莫耳比）的聚 合單兀所組紅三雜。例如Shipley公司之1998巾請的美國專利案第 09/153, 575號及相關歐洲公開申請案Ep876〇〇A1皆已揭示含有苯基之樹脂 及該樹脂於抗反射組成物中的用途。 如上所述，特佳發色團包含視需要經取代之芳香基二叛酸醋部分，特鲁 別是視需要經取代之碳環芳香基部分(例如苯基或萘基二魏酸酷基)例如可 為樹脂上之基團（骨幹單元或側鏈）或小&子⑽低於約刚〇或5⑽成分。頃 發現萘二麟S旨可相當有效吸收外覆光阻劑曝光時所使用之輻射的非期$ · 反射光。糊各種方法本伽塗層組成物中可包括芳香基二魏自旨基。例 · 如，可使用之樹脂可具有或可不具有醋重複單元，該等重複單元包括蔡基 羧IS曰單元例如4有奈基二緩酸酷基(例如緩酸酯基之一形成丙稀酸 591341 醋的醋部分)之丙烯_可與其他單體進柿合反應以職具有萘基二缓 酸酯部分之樹脂。 萘之2-及6-位置_適合經猶目旨基取代，_萘環其他位置亦適合 經叛酸酯取代。 如上述’使用包括樹脂或其他成分之塗層組成物。如此，例如，該组· 成物可適合包括交聯劑及例如酸或酸產生劑化合物，特別是熱酸產生劑化 .. 合物之酸源’藉此於塗布外覆光阻層之前可綱熱處理使塗布之塗層組成 . 物先進行交聯。 · 本發明抗反射組成物之樹脂較佳具有約丨，〇〇〇至約1〇, 〇〇〇, 〇〇〇道爾 頓’更通常為約5, 000至約1，〇〇〇, 〇〇〇道爾頓之重量平均分子量(mw)，且具 有約500至約1，OGG，咖道爾頓之數量平均分子量(Mn)。本發明聚合物之分 子量(Mw或Μη)可適合利用凝膠滲透層析法來測定。 雖然具有吸收發色團之塗層組成物樹脂係通常較佳，本發明抗反射組 成物可包括其他樹脂作為共樹脂或作為唯一的樹脂黏結劑成份。例如，可 使用酚醛塑料，如聚（乙烯基酚）類及酚醛清漆類。該些樹脂係揭示於 鲁

Shipley公司已併入之歐洲申請案ΕΡ 542008中。亦可將下述其他作為光阻 劑樹脂黏結劑之樹脂使用於本發明抗反射組成物之樹脂黏結劑成份中。 本發明塗層組成物之樹脂成分濃度可於相當寬廣的範圍内變化，且通 · 常樹脂黏結劑係以全部塗層組成物乾成分之約50至95重量％，更通常為全 · 部乾成分（除溶劑載體以外之全部成分）之約60至90重量％的濃度予以使 m 用0 ]8 92】82修正本 591341 如上述，本發明交聯型塗層組成物亦含有交聯劑成份。可使用多種交 聯劑，包含併入本文作為參考之Shipley公司的歐洲申請案EP 542008中所 揭示之該些抗反射組成物交聯劑。例如，適合之抗反射組成物交聯劑包含 胺糸交聯劑包含三聚氰胺物質，包含三聚氰胺樹脂（例如由American

Cyanamid公司製造，並以商品名 Cymel 300、3(U、303、350、370、380、 1116及1130出售）。以甘脲（包含由American Cyanamid公司所售之甘脲）為 特佳。本代二聚氰二胺及脲系物質亦適合，例如含由American Cyanamid公 司以商品名Cymel 1123及1125出售之苯代三聚氰二胺樹脂，及由American Cyanamid公司以商品名Beetle 60、65及80出售之脲樹脂。除了市售可得 外，胺系樹脂可予以製備，例如藉由丙烯醯胺或曱基丙烯醯胺共聚物與甲 醛於含醇之溶液中反應、或藉由N-烷氧基甲基丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺與 其他適合單體之共聚合反應。 適合之實質上中性交聯劑包含羥基化合物，特別是多官能的化合物例 如笨基或其他具有一個或多個羥基或羥烷基取代基(例如羥烷基取代基） 之芳香族化合物。酚化合物通常較佳為例如二甲醇酚馬〇Η)〇耵及其 他具有相鄰（於丨至2個環原子⑴酿基及減絲狀化合物，特別是苯 基或其他具有一個或多個甲醇或其他羥烷基環取代基且至少一個與該羥烷 基取代基相鄰之羥基的芳香族化合物。 頃發現實質上巾性較聯_如祕本發明抗反射組錢巾之甲氧基 曱基化甘脲可提供優異之微影性能特性。 本發明抗反射組成物之交聯劑成份通常係以所有抗反射組成物之固體 92182修正本 19 591341 (除〜丨載體以外之全部成分)之約5至5q重量％，更通常為所有固體之約7 至25重量％的量存在。 本發明塗層喊物，制是在控做射·上，亦可包含其他會吸收 卜復光阻層曝光所使用之#射的染料化合物。其他視需要添加劑包含表面 平整劑，例如由Union Carbide公司以商品名Silwet 76〇4出售之平整劑、 或由3M公司出售之界面活性劑％ pi或pc 431。 除了其他例如酸或熱酸產生劑化合物之酸源以外，本發明塗層組成物 亦通吊可έ有一種或多種光酸產生劑化合物。至於該光酸產生劑化合物 (PGA)之崎，級產生劑不是料為促進交聯反應之酸源，目啸佳為光 酸產生劑在塗層組成物(於交聯塗層組成物的例子）交聯反應期間不會實質 上活化。Shipley公司的美國專利案第6, 261，743號中揭示光酸產生劑的用 途。特別是，關於經熱交聯之塗層組成物，塗層組成物pAG實質上應在交聯 反應的條件下穩定，使得PAG在後續外覆絲層曝光綱可抑活化並產生 酸。具體而言，較佳PAGs實質上不會分解或不會因於14(rc^15(rc^19(rc 的溫度下曝光5分鐘至30分鐘或30分鐘以上而降解。 通吊用於本發明抗反射組成物或其他塗層之較佳光酸產生劑包含鍚鹽 類例如全氟辛雜二(4-第三丁絲基)讀卜經純之_子性光酸產生 劑例如1，1-雙[對-氯苯基]—2, 2, 2-三氯乙烧、及其他所揭示之用於光阻劑 組成物的光酸產生劑。對於本發明至少一些抗反射組成物，該等抗反射組 成物之光酸產生劑較佳可作為界面活性劑並可在抗反射組成物層之上部分 附近，即抗反射組成物/光阻塗層的界面附近形成聚集體。如此，例如，較 20 92182修正本 591341 佳之PAG可包含延長的脂肪族基，例如具有4個或4個以上，較佳為6個至l5 個或更多個碳原子之經取代或未經取代之烷基或脂環族基、或例如具有一 個或較佳兩個或更多個氟取代基之Cii5烧基或“烯基的敦化基團。 為了製備本發明之液態塗層組成物，將塗層組成物成分溶解於適合之 溶劑，例如一種或多種羥基異丁酸酯特別是如上所述甲基—2-羥基異丁酸 酯、乳酸乙酯或一種或多種二醇酯例如2_甲氧基乙基醚（二甘醇二甲醚）、 乙二醇單甲基丙二醇單甲基鱗；具有醚及絲部分之溶劑例如甲氧基 丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇及乙氧基丁醇之溶劑；例如甲基溶纖素乙 酸酯、乙基溶纖素乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、二丙二醇單曱基醚乙 酉欠酉曰及其他’容劑例如一價酸酯、碳酸丙稀酯及丁内酯。本發明抗反射塗 層、’且成物之車乂佳，谷劑為曱基一2一羥基異丁酸酯，可視需要與笨甲醚摻合。溶 劑中乾成分的錢係依數麵素(例如塗布綠）而定。财抗反射組成物 之固體含量在塗層組成物總重之約㈠至卻重量％的範圍内變化，較佳在塗 層組成物總重之約2至1〇重量％的範圍内變化。 多種光阻敝成物可與本發明塗層組成物，包含正型侧及負型作用 光酸產生組成物-起使用。與本發明抗反射組成物—起使用之光阻劑包括 樹脂黏結劑及絲性成分，通常為光随生紙合物。光_樹脂黏結劑 較佳係具有可辭驗水溶賴祕光_組成物之齡能力的官能基。 如上述’與本發明抗反射組祕—起使用之特佳光賴為化學放大型 光阻劑，特狀正型作用化學放大型光阻劑«物，其中光阻層中之光活 化酸誘發-種或多她成分之聽反應，藉此提供光阻劑塗層之 92182修正本 591341 曝光區域與未曝光區域之間的溶解度差。—些化學放大型光阻劑組成物已 述於例如美國專利案第4,編，58卜4, 883, 74G、4, 81()，613、4, 491，628及 5, 492, 793號，其中之化學放大型正光_的製備方法及其用途將併入本文 作為蒼考。本發明塗層喊祕制適合與化學放大型正光阻劑一起使 用，而該等化學放大型正光刚具有於光酸的存在下可進行脫封阻之祕 基。該等祕系光阻劑已述於例如美國專利案第5,929, 17_，刪，526 號。 本發明抗反射組成物亦可與其他正光關—起使用，包括含有樹脂黏 結劑者，该等樹脂黏結劑包括例如羥基或羧酸酯之極性官能基且光阻劑組 成物中之該樹脂黏結劑的用量為足以使光阻劑於鹼性水溶液中顯影的量。 通常較佳光阻樹脂黏結劑為紛系樹脂包含習知稱為祕清漆(n〇v〇lak)樹 脂之酚醛縮合物、烯基酚之均聚物及共聚物及N-羥苯基—馬來醯亞胺之均聚 物及共聚物。 較佳之與位於其下之本發明塗層組成物一起使用之較佳正型作用光阻 劑含有有效成像1之光酸產生劑化合物及一種或多種選自下列組群之樹 脂： 1)酚系樹脂，其含有酸不穩定基使化學放大型正光阻劑特別適合於248 奈米下成像。此類型之特佳樹脂包含；i)聚合物，其含有乙烯基酚及丙 稀酸烧S旨之聚合單元’其中聚合丙稀酸烧酯單元可於光酸的存在下進行脫 封阻反應。可進行光酸誘發之脫封阻反應之丙烯酸烷酯實例包含例如丙稀 酸第三丁S旨、曱基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸曱基金剛烷酯、曱基丙烯酸曱 22 92182修正本 591341 基金剛垸s旨及其他可進行光酸誘發反應之非環狀烧基及脂環族丙稀酸醋， 例如美國專利案第6肩2, 997及5, 492, 793號之聚合物，將併人本文作為參 考，η)聚合物，其含有乙烯基酚、視需要經取代之不含有羥基或羧基環 取代基的乙烯基苯基(例如苯乙烯）、及丙烯酸烧酯例如上述聚合物丄）中所 ·· 述脫封阻基等之聚合單元，該等聚合物例如為美國專利案第6, 〇42, 號所 L者將併人本文作林考；及山）聚合物，其含有包括可與光酸反應之 或_同部分_複單元、及視需要之芳香族重複單元例如苯基或盼 基，例如美目專第5,戰176及6，_，526號所述之聚合物，將併人本 _ 文作為茶考。 2)貫質上或完全不含苯基或其他耗族基之樹脂，其可使化學放大型 料阻劑特別適合於次觸奈米（例如193奈米）波長下成像。此類型之特佳 樹月曰包含，:〇聚合物，其含有例如視需要經取代之原冰㈣之非芳香族環 , 843, 624^6,048, 儿斤心之水口物將併入本文作為翏考；⑴聚合物，其含有丙稀酸烧酯 早凡例如丙烯酸第三丁g旨、甲基丙稀酸第三丁醋、丙稀酸甲基金剛烧醋、φ 甲基丙_甲基金職s旨、及其他麵狀麟及脂環族丙稀酸酯，例如美 〆專繼第6, 057, 083號、歐洲公開申請案Ep〇1〇〇8913A1及Ep_3〇542Ai及 關未審定專_細/143,462麵述之聚合物，將併人本文作為參考；· 1)水。物其3有^合酸酐單元，制是聚合馬練酐及/或衣康麟 ·· 單兀例U人洲么開申凊案卿咖咖及美國專利案第匕峨662號所述· 者，將併入本文作為參考。 - 92182修正本 3)包括含有-個雜原子，特別是氧及/或硫(但酸酐以外，即該單元不 含_基環原子)之重複單元的_，且該繼健實質上或完约含任何芳 香族單元。較佳為將雜脂環單元稠合至樹脂骨幹，且更佳為射該樹脂包 括稠合碳脂環單元，例如齡原冰㈣基及績_單元(例如藉由馬來酸 奸或衣康贿之聚合反應而形成）之聚合反應而形成，該等樹脂係揭示於 PCT/US01/14914及美國申請案第〇9/567, 634號中。 0含有氟取代（氣聚合物)之樹脂，例如可藉由四氟乙稀及例如氣-笨 乙烯化合物之t/ib耗基等之聚合反應而形成，該等樹脂實例係揭示於例 如PCT/US99/21912中。 於外覆在本發明塗層組成物之上的正型或負型作用光阻劑中所使用之 適合光酸產生劑包含亞胺基磺酸酯例如下式化合物： n^n^oso2r 〇 其中R為樟腦、金剛烷、烷基(例如Ci，烷基）及全氟烷基例如全氟(Cl 12烷 基），特別是全氟辛磺酸酯及全氟壬磺酸酯等。特佳2PAGgN—[(全敦辛石备 醯基）氧基]-5-原冰片烯一2, 3-二羧醯亞胺。 磺酸鹽化合物亦為用以外覆本發明塗層組成物之光阻劑的適合pAGs， 特別是磺酸鹽。用於在193奈米及248奈米下成像之兩種適合試劑為下列 PAGs 1及PAG 2 : 24 92] 82修正本 591341 該等續酸鹽化合物可依據歐洲專利申請案961181112(公開號〇783i36) 所揭示之上述PAG 1詳細合成方法而製備。 與上述樟腦械喊以外之_子複合之上述兩㈣鏺化合物亦為適 合者。特別是，雛陰軒⑽规〇3_者射岭金喂、綠(例如％ 烧基)及全魏細如全H戒基），_是缝辛雜躲全氟丁顧 鹽等。 其他已知PAGs亦可用於本發明光阻劑中。 外覆本發«層組成物之光阻劑的較佳視需要添加劑為加成驗，特別 是虱氧化四丁銨(丽）、或乳酸四丁銨，其可加麵影光關雜像之解 析度。至於193奈米成像之光阻劑，較佳加成驗為受阻胺例如二氮雜二環十 -石反稀或二氮雜二環壬稀。適合以較少量（例如相對於固體總重之約請至 5重量％ )使用加成鹼。 與本發明塗層組成物-起使用之負型作用光阻劑組成物包括多種曝露 至酸時將固化、交聯或硬化之物質混合物，及光酸產生劑。 較佳負型作用光阻劑組成物包括樹脂黏結劑例如本發明酚系樹脂、交 成分及光活性成分。鱗喊物及翻途6揭示於等人之歐 92182修正本 25 591341 洲專利申請案0164248及0232972及美國專利案第5,128, 232號。用作為樹脂 黏結劑成分之較佳酚系樹脂包含酚醛清漆類及聚（乙烯基酚)例如上述者。 杈佳交聯劑包含胺系物質，其包含三聚氰胺、甘脲及苯代三聚氰二胺樹脂 系材料及脲系材料。通常以三聚氰胺一甲醛樹脂為最佳。該等交聯劑皆為市 售ΊΓ传’例如二聚氰胺樹脂係由American Qyanamid公司製造並以商品名

Cymel 300、301及303出售，甘脈樹脂係由American Cyanamid公司製造並 以商品名Cymel 1170、117卜1172及Powderlink 1174出售，脲系樹脂係 以商品名Beetle 60、65及80出售；及苯代三聚氰二胺係以商品gCymel 1123及1125出售。 適合與本發明抗反射組成物一起使用之光阻劑的光酸產生劑化合物包 括鍚鹽，例如美國專利案第4, 442,197、4, 603,10及4, 624, 912號所揭示者， 各將併入本文作為參考；以及非離子性有機光活性化合物例如鹵化光活性 化合物，例如Thackeray等人之美國專利案第5,128, 232號所揭示者及磺酸 S曰光酸產生劑包括確化酯及磺醯氧基酮類。請參考光聚合物科學及技術期 刊’ 4(3) . 337-340(1991)有關適合續S曼PAGs的揭示，其包含安息香甲苯石黃 酸酯、第三丁苯基α(對甲苯磺醯氧基)-乙酸酯、及第三丁基α(對甲苯磺 &&氧基)-乙酸酯。較佳績酸PAGS亦揭示於sinta等人之美國專利案第 5, 344, 742號。上述樟腦磺酸PAG丨及!^^ 2亦為與本發明抗反射組成物一起 使用之光阻劑組成物的較佳光酸產生劑，特別是本發明化學放大型光阻 劑。 與本發明抗反射組成物一起使用之光阻劑亦可含有其他物質。例如， 92182修正本 26 591341 其他視需要添加劑包含光化及對比染料、防㈣、塑化劑及速度提昇劑等。· 除了填料及染料以外，該等視需要添加劑通常以少量存在於光阻劑組成物 中，而填料及染料可以較高濃度(例如光阻劑乾成分總重之約5至5〇重量％ , 的量)存在。 . 視需要經取代’’之各種取代基及物質（包含樹脂、小分子化合物及酸產 生劑等）可適合經例如鹵素(F、α、Br、υ、墙基、、胺基、絲例如 烷基、烯基例如Cw烯基、烷胺基例如Cis烷胺基、碳環芳香基例如苯基、 蔡基及戚基寻取代在一個或多個可利用位置。 至於使用，可利用各種方法(例如旋塗法）將本發明塗層組成物塗布在 基材上作為塗層。通常塗布於基材上之塗層組合物的乾層厚度為約請微 米至〇· 5微米之間，車交佳乾層厚度為約〇· 〇4微米至〇· 2〇微米之間。該基材適 合為任何用於需要光阻_㈣基材。例如，該基材可切、二氧化石夕或 紹-氧化織電子元件晶圓。亦可使用坤化鎵、碳化石夕、陶竟、石英或銅基 材。用於液晶顯不器或其他平板齡II應財面之基材亦適合予以使用， 例如玻璃基材及銦聽化物塗布基材等。驗光學及光電元件(例如波導㈤馨 之基材亦適合予以使用。 較佳塗布塗層係於將光_組成物施塗於抗反射組成物上之前先固 化。固化條舰抗反射組成物之成分*異。_是@化溫度驗特定酸或 · 用於塗層組成物之酸(熱)產生劑而定。通常固化條件為在約8代至225。0下 進行約G. 5分鐘至40分鐘。IU化較佳條件為使塗布域物塗層實質上不溶於 · 光阻劑溶劑及鹼性顯影水溶液中。 · 92182修正本 27 固化後，將光阻劑塗布於塗層組成物的表面P如同底部塗層組成物 之塗布，纖_可藉任何鮮方法例如、缝、_塗或魅 予以塗布。塗布後，光阻劑塗層通常進行加熱乾燥以移除溶劑，較佳乾漂 到光阻層科黏為止。最勒實紅未發生底部域物層與外覆光組層的 交混情形。 然後利用習知方法使光組層透過光罩在活化輕射下成像。曝光能量係、. 足以有效減触_、狀光紐成細在光《層巾形顧案絲像。· 曝光能量通常在約3至·毫焦耳/平方厘米之間且部分依曝光工具及伽 ^ 之特足光_及光_加工處理而定。紐在塗層之曝光及未曝光區域間 增加或提昇溶解度差異，則可使曝光光阻層進行曝光後供烤。例如，負型 k硬化型光阻劑通常需要曝光後加熱以誘發酸促進的交聯反應，且許多化 子放大型正型作用光阻劑需要曝光後加熱以誘發酸促進的脫保護反應。曝 光後焕烤祕魏常包含細。€社之溫度，更制觸5此至約 16〇°C之溫度。 然後使曝光後的光阻劑塗層進行顯影，較佳使用水性顯影劑，例如氫 _ 氧化四丁銨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳、碳酸氫鈉、㊉酸納、偏石夕酸 鈉及氨水等所示例之驗。或者可使用有機顯影劑。通常顯影係根據習知認 可私序進行。顯影後，通常在龍至約15此下對酸硬化光阻舰行最 ， 後烘烤數分鐘以進-步·經顯影之曝光塗層區域。 赠 然後經顯影之基材可於不含光阻劑之該等基材區域進行選擇性加工處 理’例如依習知程序對不含光阻劑之該等基材區域進行化學性蝕刻或鍍 28 92182修正本 591341 覆。適合之侧含氫_侧毅及例如魏_電漿之氣刻電 漿。氣體電漿蝕刻可移除抗反射塗層。 下列非限繼實施例_以說明本_，本域及之财文件皆全部 併入本文作為參考。 [實施方式] 實施例1至24 :樹脂合成 於下列實施例1至16之每-實施例中，將所有試線初以些微量(相對 於添加量等級)裝填至反應器。反應裝置係由配備有機械式攪拌器、温控 箱、溫度探測計、加熱罩、冷凝器、丁及斯達克陕(Dean__Stark杜即)及氮 氣充氣入口（清洗）之100毫升（實施例1至3、7、8、1〇、12至16及2〇至24)或 250毫升（實施例4至6、9、11及17至19)三頸圓底燒瓶所構成。各反應之加 熱時間及加熱溫度將示於下表1中。對所有聚合物樣品進行Gpc，溶液係如 下表1所示。所有固體聚合物係利用瓷漏斗過濾收集、接者進行空氣乾燥、 然後在4(TC至70°C下進行真空乾燥。至於一槽製備法，係將熔融聚合物溶 解於對配方有利之溶劑中。溶液百分率係根據理論產率。 實施例1 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：硝基對苯二曱酸二甲酯（12. 48克，52.17毫莫耳）、1，4環己烧 二羧酸二甲酯（4· 91克，24· 5毫莫耳）、鄰苯二甲酸二曱酯（2. 34克，12. 0毫 莫耳）、異笨二甲酸二甲酯（2· 34克，12. 0毫莫耳）、異山梨醇（5. 86克，40. 1 毫莫耳）、丙三醇(2. 81克，30· 5毫莫耳）、對甲苯磺酸單水合物(PTSA)(0. 26 克’ 1.4毫莫耳）及曱苯(20毫升）。將所得聚合物溶解於四氫呋喃（THF)中， 29 92182修正本 乃1341 然後於第三丁基甲基ϋ(ΜΤΒΕ)及己烷之混合液中沉澱出來，得到u. 6克（42 % )之聚合物。 實施例2 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：異苯二甲酸二曱酯（18· 52克，95· 37毫莫耳）、鄰苯二甲酸二 甲酿（2.33克’ 12.0毫莫耳）、1，3, 5-三(2-羥乙基）氰尿酸(15· 63克，59.39 耄莫耳）、丙三醇(4. 80克，52· 1毫莫耳）及PTSA(0· 54克，2· 8毫莫耳）。將 所得聚合物溶解於THF中，然後自水、異丙醇（IPA)或MTBE中沉澱出來，再 予以收集，得到26克（70% )之聚合物。 實施例3 :特別適合用於丨93奈米ARC之聚合物 裝填物：硝基對苯二甲酸二甲酯（18· 26克，76· 34毫莫耳）、異苯二曱 酸二曱酯（2· 33克，12.0毫莫耳）、鄰苯二曱酸二曱酯（2· 33克，12.0毫莫 耳）、1，3, 5-三（2-羥乙基）氰尿酸（15. 91克，60· 91毫莫耳）、丙三醇(5. 58 克’60. 6毫莫耳)及PTSA(0· 55克，2. 9毫莫耳）。將所得聚合物溶解於thf中， 然後於MTBE中沉澱出來，得到26克（69% )之聚合物。 實施例4 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物··硝基對苯二甲酸二甲酯（45.5克，190毫莫耳）、異苯二甲酸二 甲酯（5· 8克，30毫莫耳）、鄰苯二甲酸二曱酯（5· 8克，30毫莫耳）、1，3, 5-二（2-.乙基）氰尿酸(39· 2克，150毫莫耳）、丙三醇（14. 3克，155毫莫耳） 及PTSA(1· 1克，5. 8毫莫耳）。將所得聚合物溶解於足夠之2-羥基異丁酸曱 酯（HBM)中，以製備9. 5%之溶液。 實施例5 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 30 92182修正本 裝填物··硝基對苯二曱酸二曱酯（58.7克，245毫莫耳）、丙三醇(27. i 克’ 294毫莫耳)及對曱苯磺酸單水合物(PTSA)(0.57克，3.0毫莫耳）。添加 足夠之2-羥基異丁酸曱酯（HBM)，以製備11%之溶液。 實施例6 :特別適合用於193奈米ARC及248奈米ARC之聚合物 裝填物：對笨二曱酸二甲酯（48. 5克，250毫莫耳）、乙二醇(12· 4克， 200毫莫耳）、丙三醇(9· 〇克，1〇〇毫莫耳)及PTSA(0· 54克，2· 8毫莫耳）。添 加足夠之丙二醇曱基醚乙酸酯（PMA)，以製備8%之溶液。 實施例7 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 裝填物：2, 6-萘二羧酸二曱酯（24. 33克，99· 63毫莫耳）、對苯二甲酸 二曱酯（19· 44克，1〇〇· 1毫莫耳）、乙二醇(7· 63克，123毫莫耳）、丙三醇(7. 29 克’ 79· 2宅莫耳)及PTSA(0· 46克，2. 4毫莫耳）。將所得聚合物溶解於匪、 笨曱醚及2-曱氧基異丁酸曱酯（MBM)之溶劑混合液中，以製備1〇%之溶液。 實施例8 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 裝填物：2, 6-萘二羧酸二曱酯（30. 5克，125毫莫耳）、對笨二曱酸二甲 酷（14. 5克，74. 7毫莫耳）、乙二醇（7. 20克，116毫莫耳）、丙三醇(7· 30克， 79· 3毫莫耳）及PTSA(0· 47克，2· 5毫莫耳）。將所得聚合物溶解於笨甲醚及 四氫糠醇(MBM)之混合液中，以製備1〇%之溶液。 實施例9 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 裝填物：2, 6-蔡二羧酸二甲酯（47· 70克，195. 3毫莫耳）、對笨二甲酸 二曱酯（25· 90克，133. 4毫莫耳）、丙三醇(32· 90克，357. 2毫莫耳）、 PTSA(0. 84克，4· 4毫莫耳）及苯曱醚(36克）。將所得聚合物溶解於2-羥基異 31 92182修正本 591341 丁酸甲酯（HBM)及苯甲醚之混合液中，以製備10%之溶液。 · 實施例10 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 . 裝填物：2, 6-萘二羧酸二甲酯（25. 61克，104· 8毫莫耳）、對苯二甲酸 . 二甲酯（13· 58克，69· 93毫莫耳）、丙三醇（16. 72克，181· 5毫莫耳）、 ； ?丁8八(0.45克，2.4毫莫耳)及苯甲醚（18.8克）。將所得聚合物溶解於1'邢， / 然後於IPA中沉澱出來，得到36. 9克（83% )之聚合物。 ·_ 實施例11 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物··硝基對苯二甲酸二甲酯（31. 78克，132. 9毫莫耳）、異苯二甲 · 酸二曱酯（4. 09克，21· 1毫莫耳）、鄰苯二甲酸二甲酯（4· 10克，21.1毫莫 耳）、1，3, 5-三（2-羥乙基）氰尿酸(27. 42克，105. 0毫莫耳）、丙三醇(9. 65 克，105毫莫耳）、PTSA(0· 65克，3. 4毫莫耳)及苯甲醚(25克）。將所得聚合 物溶解於THF中，然後於MTBE中沉澱出來，得到47. 2克（72% )之聚合物。 實施例12 ··特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：硝基對苯二甲酸二甲酯（16. 7克，70.0毫莫耳）、對苯二曱酸 二曱酯（34· 9克，180毫莫耳）、乙二醇(7· 80克，126毫莫耳）、丙三醇（13. 8 · 克，150毫莫耳）、PTSA(0· 28克，1· 5毫莫耳)及苯甲醚(8克）。將所得聚合 物溶解於足夠之HBM中，以製備10%之溶液。 實施例13 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 · 裝填物：萘二羰酸二甲酯（16· 82克，68· 88毫莫耳）、對苯二甲酸二甲 · 酿（8· 91克，45. 9毫莫耳）、丙三醇（10· 99克，119毫莫耳）、PTSA(0. 44克， 2· 3毫莫耳）及苯曱醚（37克）。將所得聚合物溶解於hbm及笨甲之溶劑混合 92182修正本 32 591341 液中，以製備6· 5%之溶液。使殘餘單體通過瓷漏斗而自溶液中濾除。 實施例14 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 裝填物：萘二羧酸二曱酯（3〇· 48克，124· 8毫莫耳）、丙三醇（π. 96克， 129· 9毫莫耳）、PTSA(0· 69克，3· 6毫莫耳)及苯曱醚(43克）。將所得聚合物 溶解於丙二醇甲基醚醇(PM)及苯甲醚之溶劑混合液中，以製備is. 4%之溶 液。 實施例15 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 裝填物：萘二羧酸二甲酯（32. 46克，132· 9毫莫耳）、異苯二曱酸二曱 酯（3· 20克，16· 5毫莫耳）、鄰苯二甲酸二曱酯（3· 25克，16. 7毫莫耳）、丙 三醇（15· 96克，173. 3毫莫耳）、PTSA(0· 44克，2· 3毫莫耳)及苯甲醚(38克）。 將所得聚合物溶解於PM及苯甲醚之溶劑混合液中，以製備21.1%之溶液。 實施例16 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 裝填物：萘二羧酸二曱酯（25· 59克，104· 7毫莫耳）、對苯二曱酸二曱 酯（13· 57克，69· 88毫莫耳）、丙三醇（15· 32克，166· 3毫莫耳）、十二烷基 苯磺酸(DDBSA)(0·91克，2·8毫莫耳）及苯甲醚（19克）。將所得聚合物溶解 於PM及苯曱醚之混合液中，以製備22. 3%之溶液。 實施例17 :特別適合用於248奈米ARC之聚合物 裝填物：2, 6-萘二羧酸酯（61.1克，250毫莫耳）、三（羥甲基）乙烷(30. 〇 克，250毫莫耳）、PTSAO0· 2克，53· 6毫莫耳)及苯曱醚(68克）。將所得聚 合物以HBM稀釋成25%之溶液，然後於IPA中沉澱出來，得到64.1克（85% ) 之聚合物。 92] 82修正本 591341 實施例18 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：對苯二曱酸二曱酯（31· 15克，16· 04毫莫耳）、1，3, 5-三(2-羥 乙基）氰尿酸(46. 09克，17· 64毫莫耳）、PTSAC1· 35克，〇· 710毫莫耳)及苯 曱醚(52克）。將所得聚合物以HBM稀釋成25%之溶液，然後於IPA中沉殿出 來，得到45. 3克(67% )之聚合物。 實施例19 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：硝基對苯二甲酸二甲酯（63· 53克，265· 6毫莫耳）、異苯二曱 酸二曱酯（8· 15克，42.0毫莫耳）、鄰苯二甲酸二曱酯（8. 27克，42_ 6毫莫 耳）、1，3, 5-三（2-羥乙基）氰尿酸(54· 90克，210· 2毫莫耳）、丙三醇（19. 32 克’ 209· 8毫莫耳)及PTSA(1. 31克，6. 89毫莫耳）。將所得聚合物溶解於THF 中，然後於MTBE中沉澱出來，得到97. 5克（74% )之聚合物。 實施例20 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：硝基對苯二曱酸二曱酯（27. 23克，113. 8毫莫耳）、異苯二甲 酸二曱酯（3. 65克，18. 8毫莫耳）、鄰苯二甲酸二曱酯（3. 37克，17. 4毫莫 耳）、1，3, 5-三（2-羥乙基）氰尿酸(43.12克，165. 1毫莫耳）及PTSA(0. 68克， 3· 6毫莫耳）。將所得聚合物溶解於THF中，然後於MTBE中沉澱出來，得到62· 6 克（92% )之聚合物。 實施例21 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：硝基對苯二曱酸二甲酯（35. 80克，149. 7毫莫耳）、1，3, 5-三 (2-羥乙基）氰尿酸(43. 07克，164. 9毫莫耳）及PTSAC0. 69克，3. 6毫莫耳）。 將所得聚合物溶解於THF中，然後於IPA中沉澱出來，得到53. 2克（77% )之 34 92182修正本 591341 聚合物。 實施例22 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：硝基對苯二曱酸二曱酯（11. 08克，46· 32毫莫耳）、5-硝基異 苯二甲酸二甲酯（24. 73克，103. 4毫莫耳）、1，3, 5-三(2-羥乙基）氰尿酸 (43· 06克，164. 9毫莫耳)及PTSA(0. 69克，3. 6毫莫耳）。將所得聚合物溶解 於THF中，然後於IPA中沉澱出來，得到53. 4克（77% )之聚合物。 實施例23 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物：對苯二甲酸二曱酯（31· 11克，160. 2毫莫耳）、1，3, 5-三(2-羥 乙基）氰尿酸(45· 80克，175· 3毫莫耳)及PTSA(0· 67克，3. 5毫莫耳）。將所 得聚合物溶解於THF中，然後於MTBE中沉澱出來，得到50.0克（75% )之聚合 物0 實施例24 :特別適合用於193奈米ARC之聚合物 裝填物··鄰苯二甲酸二曱酯（30· 91克，159. 2毫莫耳）、1，3, 5-三(2-羥 乙基）氰尿酸(46· 06克，176· 3毫莫耳）及PTSA(0· 67克，3· 5毫莫耳）。將所 得聚合物溶解於THF中，然後於MTBE中沉澱出來，得到51· 1克（76% )之聚合 物0 35 92182修正本 表1反應條件及合成實施例結果 實施例 反應溫度 CC) 反應時間 (小時） Mw(RI) Mn(RI) PDI 1 170 至 200 14 2475 1517 2 160 12 7921 2709 3 150 12 4552 2066 4 140 至 145 20 1715 1021 5 134 至 142 48 1475 1079 6 145 至 150 15 5205 1909 2?73^ 7 150 至 200 1 4 4065 1782 8 160 15 8638 2318 _3^72 9 150 至 160 5.5 12250JV) 425(UV) 10 150 至 160 13 16, 459 3902 _4^22 11 145 至 155 14 29, 067 3785 12 140 至 150 23 2066 1137 1. 82 13 150 18 2321 1298 1.78 14 150 24 11,025 2243 X91 ^ 15 150 12 5424 1913 ^2783^ 16 150 15.5 5464 2010 2?^ 17 150 3.3 5958 2703 2.20 18 150 7 4355 2201 ΊΓ97^ 19 150 12 2772 1656 Γ67^ 20 150 7. 25 4118 2033 21 150 7. 25 2745 1633 1 RR 22 150 3 2472 1561 Γ- 1.58 23 150 2 Γ 3562 l 2056 24 150 8 2849 1772 -· ·喔 實施例25至41 :聚合物評估 591341 進一步對上述諸實施例聚合物的光學密度(0D)(下表2)、耐溶劑性（下 表3)、氧化物姓刻速率（下表4)、或光學參數(下表5)予以鑑定。實施例烈 至41說明所進行各種試驗之獨特的配方。 各調配的樣品係藉由將所指示的成分裝填至清潔瓶中且不考慮裝填等 36 92182修正本 591341 級而製備。接者，將樣品搖動或置於輥上直至完全溶解為止。然後使各樣 品通過0.2微米之PTFE膜過濾器而進入清潔瓶中。 將所調配之樣品旋塗於所有晶圓（石夕或石英），旋轉時間為_，旋轉 速率依對應的表所示而變異。將晶圓置於加熱板上於表中所示的溫度下供 烤60秒。於矽晶圓上之膜厚度係利用橢圓儀量測。 OD測定的一般步驟 對於OD量測，係將調配的樣品塗布树晶圓及石英晶圓上。量測石夕晶 圓上之膜厚度。石英上之舰收率翻謂光譜法測定。讀率係對照空 白石英晶_#測。由厚度及吸收率之量測，_依表2所示之對應波長下 計算。 量Μ耐溶劑性的一船本％ 將試驗耐溶劑性之各樣品溶液旋塗在石夕晶圓上。利用瀬儀量測晶圓 厚度將抓乙醋（EL)(其為光阻劑技藝中通常使用之溶劑)傾倒至晶圓表

並月爭置60fy。然後使晶圓於⑽厂卿下旋乾秒。接者，再次量測 厚度，而差異記錄於下表3中。 :弋驗姓刻之各樣品溶液旋塗在兩片石夕晶圓上，並量測膜厚度。然後 對該等驗魏化物勤KHQneywell)_ 。接者量測#刻後的膜厚度，並 平均差異崎算記錄於下表4巾之侧速率。 將试驗光學茶數之各樣品溶液旋塗在石夕晶圓上。利用橢圓對稱技術來 37 92182修正本 591341 測定折射率之實數部分(η)及虛數部分(k)。該等結果係記錄於下表5中。 . 實施例25 ； 配方：由實施例1得到之聚合物（1克)及PM(19克）。對樣品進行qD試驗。 . 實施例26 - 磬 配方：由實施例2製得之聚合物（1· 237克）、四甲氧基甘脲交聯劑 / (TMG)(0· 234克）、塑化劑（〇· 301 克）、PTSA(0· 0054克）、光酸產生劑（〇. 0090 · 克）、界面活性劑（0· 0126克）及ΗΒΜ(28· 2克）。對樣品進行蝕刻試驗。 . 實施例27 · 配方：由實施例2得到之聚合物（〇· 466克）、ΗΒΜ(9· 57克）、TMG(0.121 克）及PTSA(0· 0075克）。對樣品進行耐溶劑性、蝕刻及光學參數試驗。 實施例28 配方：由實施例3製得之聚合物（0. 474克）、ΗΒΜ(9· 67克）、TMG(0.137 克）及PTSA(0· 0070克）。對將樣品進行耐溶劑性、蝕刻及光學參數試驗。 實施例29 配方：由實施例4製得之聚合物溶液(4.28克）、ΗΒΜ(5·62克）及TMG(0· 10 # 克）。對樣品進行OD及耐溶劑性試驗。 實施例30 配方：由實施例5製得之聚合物溶液(3. 66克）、ΗΒΜ(6·25克）及TMG(0· 10 · 克）。對樣品進行OD、耐溶劑性及光學參數試驗。 ·: 實施例31 配方··由實施例6製得之聚合物溶液(4. 62克）、ΡΜΑ(5· 26克）及TMG(0· 12 92】82修正本 38 591341 克）。對樣品進行OD、耐溶劑性、蝕刻及光學參數試驗。 實施例32 配方：由實施例5製得之聚合物溶液(4· 00克）、由實施例6製備之聚合 物溶液(4· 50克）、HBM(11. 32克）及TMG(0. 20克）。對樣品進行〇D、耐溶劑性、 姓刻及光學參數試驗。 實施例33 配方：由實施例7製得之聚合物溶液(7. 99克）、TMG(0· 20克）、ΗΒΜ(1· 8 克）、ΡΜΑ(5· 0克）及苯曱醚(5. 0克）。對樣品進行0D及耐溶劑性試驗。 實施例34 配方：由實施例8製得之聚合物溶液(8. 02克）、TMG(0. 20克）、苯甲醚 (8.19克)及四氫糠醇(3· 60克）。對樣品進行0D及耐溶劑性試驗。 實施例35 配方··由實施例9製得之聚合物溶液(4. 〇〇克）、ΗΒΜ(20· 90克）及 TMG(0· 10克）。對樣品進行0D及耐溶劑性試驗。 實施例36 將Amberhte IRN-150(5克）添加至由實施例9製得之聚合物溶液(200克) 中。然後將樣品置於輥上24小時，接者將離子交換樹脂自溶液中過濾去除。 將樣品（4· 〇克）與HBM(20克）及TMG(0.10克）一起調配使用。對樣品進行耐溶 劑性試驗。 實施例37 配方：由實施例9製得之聚合物溶液（丨2· 〇〇克）、ΗΒΜ(17· 71克）及 39 92] 82修正本 591341 TMG(0· 30克）。對樣品進行蝕刻試驗。 實施例38 配方：由實施例10製得之聚合物樣品（〇. 4〇〇克）、苯甲醚(6· 13克）、四 氫糠醇(8. 09克）、ΗΒΜ(10· 29克）、PTSA(2. 5毫克)及TMG(0· 1〇〇克）。對樣品 進行财溶劑性試驗。 實施例39 配方：由實施例12製得之聚合物溶液（12. 〇克）、ΗΒΜ(7· 4克）、TMG(0· 6 克）及PTSA(60毫克）。對樣品進行蝕刻試驗。 實施例40 配方：由實施例14製得之聚合物溶液(4. 8克）、ΡΜ(7· 0克）、苯甲醚(8. 〇 克）及TMG(0· 24克）。對樣品進行蝕刻試驗。 實施例41 配方：由實施例16製得之聚合物溶液(4· 8克）、ρμ(12· 4克）、苯甲醚(2· 6 克）及TMG(0· 24克）。對樣品進行对溶劑性試驗。 表2光學密度 實施例 聚合物 .旋轉速率 (rpm) 烘烤溫度 (°C) 波長 (奈米） 〇D(l/微訂 25 1 2400 105 J 193 9.1 29 4 2400 180 193 105 30 5 r—2侧 180 193 9.0 31 6 2400 180 193 14.2 — 31 6 2400 180 卜248 Ο 32 5 ^ 6 3600 180 193 12.5—~ 33 7 3600 l 180 248 11.1 ~ 34 8 3600 180 248 12.5~ 35 9 2400 205 248 10.6~ 40 92】82修正本 591341 表3財溶劑性 實施例 聚合物 旋轉速率 (rpm) 烘烤溫度 (°C) 厚度變化 (埃） 27 2 2400 150 - 2 28 3 2400 150 - 2 29 4 2400 180 - 2 30 5 2400 180 - 9 31 6 2400 180 -4 32 5 ^ 6 2400 180 -2 33 7 2400 180 -130 34 8 3600 180 未變化 35 9 2400 155 -6 36 9 2400 155 完全剝除 38 10 2400 180 +1 41 16 2400 150 未變化 表4 #刻速率 實施例 聚合物 旋轉速率 (rpm) 烘烤溫度 ΓΟ #刻速率 (埃/分鐘） 26 2 2000 150 970 28 3 2400 150 1172 31 6 2400 180 994 32 5 ^ 6 2400 180 1099 37 9 2400 180 888 39 12 2400 185 — 41 14 2000 185 — 41 92〗82修正本

591341 實施例42 : ARC製備及微影製程 本發明ARC域物係时萘基麵笨二之低分子量㈣毅一槽 反應中製備。ARC亦含有交聯成分(三聚氰胺/苯代三聚氰二亞胺交聯劑）。 由含有約25莫耳％ 2, 6-奈二叛酸自旨基、25莫耳％對苯二酸酯基、5〇重 ΐ%之丙二醇及0.070重夏％對-曱苯續酸於7〇重量％ 2-羥基異丁酸甲醋及 30重量％苯甲醚之溶劑混合液中所組成之1Q重量％麵聚酷⑽_)溶液 係藉由將該等溶劑添加至由70重量％聚合物、29. 3重量％笨曱醚及〇· 7重量 %對曱本石尹、8义所組成之溫熱5^合炫融物中而製備。然後將該重量％之聚 合物溶液用於製備抗反射組成物。 抗反射組成物係將6. 986克之上述10%聚合物溶液、〇 2克之 1123、G· 1克之六曱氧基二聚氰胺、〇· ’4克之r—〇8界面活性劑(此皿卯⑽

Ink公司）添加至13· 654克之1-甲氧基-2-丙醇及29_ 059克之2-經基異丁酸 曱酯中。然後使溶液通過0· 1微米孔徑之特夫綸膜而過渡並流入清潔瓶中。 將抗反射塗層以約2000rpm旋塗在150毫米之矽晶圓上，然後使用Tel Mark 8晶圓塗布履帶機以近接式加熱板於200°c下進行烘烤。烘烤後之抗反 92182修正本 42 591341 射膜塗層厚度為34奈米。接者，將ShinEtsu-551深UV光I1 且劑旋塗在抗反射 膜表面上，並以ll(TC/6〇秒進行烘烤而得到41〇奈米厚之光阻膜。然後光阻 劑以具有0·60 NA(2/3環紋設定）之248奈米KrF晶圓步進機透過目標光罩曝 光。接者使該光阻膜進行115°c/60秒曝光後烘烤，然後以標準60秒單一混 掉程序使用Shipley MF CD-26顯影劑（2. 38%氫氧化四甲氨水溶液）來顯 影。 以具60, 000倍率之掃描式電子顯微鏡檢視光阻圖案品質。結果顯示優 異的圖案精確性，其具有輪廓清晰之光阻劑與抗反射層間界面。該光阻圖 案顯示並無由反射干擾現象引起之”駐波，，加工效應。第丨圖顯示於抗反射塗 層上之光阻圖案的掃描式電子顯微鏡照像(SEM)。SEM顯示使用上述實施例 34所製備之抗反射組成物之〇· 18微米丨：丨之線：線間距圖案結果。 利用橢圓對稱技術量測塗布在矽晶圓上之前述實施例42所製備之抗反 射層之折料貫數部分及虛數部分。騎料實數部細丨· 及該折射率 虛數部分k=0. 536。 將月’j述貝施例42所製備之抗反射組成物之折射率實數部分及虛數部分 用作為輸人參數以·LITH2模擬套裝軟體(FinleTeehnQlQgy，舰部門， 何鬧）計算堆姐光阻層下之抗反射層於248奈訂之反概。結果顯示當 抗反射膜之厚度為34奈米時反射比為。 實施例43 : ARC製備及微影製程 本發明組成物係利用-槽製備法製備。ARC含有具蔡基與對苯二酿 基之中等分子量的聚s旨及交聯劑（三聚氰胺/甘服交聯劑）。 92】82修正本 43 591341 抗反射組成物係藉由將6. 986克之上述實施例34所製備之10重量°/◦聚 · 合物溶液、0· 2克之四曱氧基甘脲、〇. 1克之六曱氧基三聚氰胺、〇· 〇〇14克 ： 之R-08界面活性劑（DaiNippon Ink公司）添加至13. 654克之1-甲氧基-2-丙 - 醇及29· 059克之2-羥基異丁酸曱酯中而製備。 / 然後將抗反射組成物過濾，並以上述實施例42之相同方法進行微影測 / 試。然後以具60, 000倍率之掃描式電子顯微鏡檢視光阻圖案品質。結果顯 ’ 示優異的圖案精確性，其具有輪廓清晰之光阻劑與抗反射層間界面。該光 - 阻圖案顯示並無由反射干擾現象引起之”駐波”加工效應。第2圖顯示於抗反 籲 射塗層上之光阻圖案的掃描式電子顯微鏡鏡照像(SEM)。SEM顯示使用上述 實施例43所製備之抗反射組成物之〇· 18微米1 : 1之線：線間距圖案。 利用橢圓對稱技術量測塗布在石夕晶圓上之實施例43所製備之抗反射層 之折射率實數部分及虛數部分。該折射率實數部分η=1· 984及該折射率虛數 部分k=0. 502。 將實施例43之抗反射層之折射率實數部分及虛數部分用作為輸入參數 以PR0LITH 2模擬套裝軟體(Finle Technology，ASML部門，荷蘭）計算堆疊 · 於光阻層下之抗反射層於248奈米下之反射比。結果顯示當抗反射膜之厚度 為33奈米時反射比為1.0%。 實施例44 ·· ARC製備及微影製程 - • 本發明ARC係藉由將含有具萘基與對苯二醯基之聚酯與交聯劑（三聚氰 · 胺/笨代三聚氰二亞胺交聯劑）混合並利用一槽步驟而製備。 ·’ 除了將反應時間延長使Mw增加至3000以外，合成與上述實施例丨有關之 · 92182修正本 44 591341 聚合物。Mw為3000之聚自旨及 含有0.070重量％對-甲苯磺酸於7〇重量％ 2-羥基異丁酸甲酯及3〇重量 : %苯甲醚之溶劑混合液中之10重量％之溶液係依照與上述實施例42之相同 · 方法予以製備。 · 麟 頃發現當將該聚合物調配成抗反射組成物時，該聚合物之溶解度性質 v 略不同於實施例42之聚合物。因此，本發明人發現將溶劑組成物調整成均 ·， 相溶液，將其旋塗可形成實質上無缺陷之抗反射膜。如此，抗反射組成物 係藉由將6. 986克之實施例3所製備之1〇重量％聚合物溶液、〇· 2克之四甲氧 鲁 基甘脲、0.1克之六甲氧基三聚氰胺、〇·〇014克之R—08界面活性劑 (DaiNippon Ink公司）混合至22· 05克之1-甲氧基一2-丙醇、4. 90克之苯甲醚 及17· 65克之2-羥基異丁酸甲酯中而製備。 然後將抗反射組成物依照與實施例42之相同方法過濾。接者，利用 KLA8100”由上而下（top-down)”之低電壓掃描式電子顯微鏡檢視工具檢驗 抗反射膜品質。發現戎膜並無光學缺陷，且亦無檢視工具能觀察到之缺陷。 該抗反射組成物利用與實施例42之相同方法進行微影測試。然後以具 鲁 60, 000倍率之掃描式電子顯微鏡檢視光阻圖案品質。結果顯示優異的圖案 精確性，其具有輪廓清晰之光阻劑與抗反射層間界面。該光阻圖案顯示並 無由反射干擾現象引起之π駐波”加工效應。第3圖顯示於抗反射塗層上之光 · 阻圖案的掃描式電子顯微鏡鏡照像(SEM)。SEM顯示使用上述實施例44所製 · 備之抗反射組成物之〇. 18微米1 : 1之線：線間距圖案。 利用橢圓對稱技術量測塗布在矽晶圓上之實施例44之抗反射層之折射 45 92182修正本 591341 率貫數部分及虛數部分。該折射率實數部分η=1· 985及該折射率虛數部分 k=0· 598 〇 實施例45 : ARC製備及微影製程 由一槽具有萘基及對苯二醯基之聚酯與三聚氰胺/苯代三聚氰二亞胺 交聯劑及丙烯酸蒽酯聚合物之混合物製成之Arc的製備及評估。於實施例 45d之例子中，ARC係由實施例17中包括萘基及三（羥甲基）乙烷之聚酯與苯 代三聚氰二亞胺交聯劑及丙烯酸蒽酯聚合物來製備。 於此實施例中，聚酯與包括蒽之丙烯酸酯聚合物係混合於抗反射組成 物中。如此，抗反射組成物係藉由將實施例3之1〇重量％聚酯溶液與伽為 160, 000之支鏈丙烯酸酯聚合物（其係由23莫耳％甲基丙烯酸9一蒽基伸甲 酉曰、29莫耳％曱基丙烯酸2-羥基乙酯、45. 6莫耳％甲基丙烯酸甲酯及2. 4莫 耳％ —甘醇二曱基丙烯酸酯所組成）混合而製備。因此，抗反射組成物係依 據下表（以克表示乾聚合物重量）使用上句所述之聚合物而製備： 丙:bp醆S旨聚 封勿 Cymel 1123 六甲氧基三 聚触 對甲苯 石嫩 苯甲 卜曱縣-2-丙醇 R-08 2-多碰異 丁酸甲酯 45a 0 0.699 0.200 0.100 0.007 4.90 22.05 0.0014 22 05 45b 0.489 0.210 0.200 0.100 0.007 4.90 22.05 0. 〇〇14 22 05 45c 0.349 0.349 0.200 0.100 0.007 22.05 0.0014 22.05 利用橢圓對稱技術量測塗布在矽晶圓上之實施例45之抗反射層之折射 率貫數部分及虛數部分(η及k)。為了決定最適之抗反射膜厚度以使反射比 最小化’將折射率實數部分及虛數部分用作為輸入參數以p觀TH 2模擬套 裝軟體(Fmle Teehnology，ASML部Η，韻）計算堆4於光Μ下之抗反 射層於248奈米下之反射比。結果顯示於下表中。 46 92] 82修正本 組成物 實數部份η (折射率） 虛數部分k (折射率）_ 使反射比最小化之厚度 45a 1.9489 0. 5885 33奈米 45b 1.8042 1 0.5496 39奈米 43奈米 45c 1.7359 0. 5092 45d 1.82 0.59 40奈米_ 591341 然後將45a至45c之抗反射塗層以約2〇〇〇rpm旋塗在2〇〇毫米之矽晶圓 上’然後使用Tel Mark 8晶圓塗布履帶機以近接式加熱板於2〇〇〇c下進行烘 烤。烘烤後之抗反射膜塗層厚度為34奈米。接者，將ShinEtsu—4〇2深⑽光 阻劑旋塗在抗反射膜表面上，並以9(rc/60秒烘烤而得到6〇〇奈米厚之光阻 膜。然後光阻劑以具有〇· 60 NA之248奈米KrF晶圓步進機透過目標光罩曝 光。接者使該光阻膜進行1HTC/60秒曝光後烘烤，然後以標準6〇秒單一混 拌程序使用Shipley MF CD-26顯影劑（2. 38%氫氧化四甲氨水溶液）來顯 影。 第4圖顯示於抗反射塗層上之180奈米1 : 1之[:s圖案的掃描式電子顯 微鏡照像結果。該些實施例45a至45c之浮雕像皆顯示優異的圖案精確性而 在光阻層：抗反射層的界面並無基腳（footing)產生或側侵蝕 (undercutting)的證據。 實施例46 : ARC製備及微影製程 由含較高量之萘甲酸酯基的聚酯製成之ARC製備及評估。 除了增加於該聚酯聚合物中之2, 6-萘二魏酸酯基的濃度以外，合成與 上述實施例45類似之聚合物。抗反射組成物係由該等聚酯聚合物來製備， 並依照與上述實施例45相同之方法測試。結果列於下表： 47 92】82修正本 實施例 Mw 實數部份η (折射率） 虛數部分k (折射率） 光阻劑：抗反射層界面之 微影結果 45a 3000 2.012 0. 5946 清晰界面，無基腳 45b 3000 2.059 0Γ5749 清晰界面，無基腳 591341 結果顯示含較高濃度之2, 6-萘二羧酸酯之聚合物亦可形成高性能之抗 反射塗層。

實施例47 :特別適合用於193奈米之ARC 使用聚酯聚合物製備193奈米反射對照物之組成物。該聚酯係藉由硝基 對笨二曱酸二曱酯、1，3, 5-三羥乙基氰尿酸、異苯二甲酸二曱酯、鄰苯二 甲酸二甲酯及丙三醇之熱縮合反應而製備。該抗反射組成物含有2·⑽聚酯 聚合物GW3488-13、0·75% 四甲氧基甘脲(cytec)、(L041% Nacure 5225(King 工業公司）及96· 6% 2-羥基異丁酸甲酯（Aldrich)。將該組成物經過〇· 2微米 過濾器過濾。 利用旋塗機將製備之抗反射組成物塗布在矽晶圓上，然後K215〇c溫度 之加熱板上加熱60秒。可得到81奈米均一厚度之交聯有機膜。接者，將正 型作用193奈米光阻劑（Shipley公司TS10)旋塗在交聯有機抗反射膜之表面 上’然後將光阻膜於120°C溫度之加熱板上加熱60秒。然後以具有NA=〇. 6Q 及部分同調性=〇· 70之GCA 193奈米步進機使光阻劑於圖案化之193奈米輻射 下曝光。曝光後，將光阻劑於12〇°C溫度之加熱板上加熱60秒。然後使光阻 劑與0. 26N之氫氧化四甲銨水溶液接觸。60秒後，以蒸餾去離子水將氫氧化 四曱敍溶液自晶圓洗除，然後將晶圓旋乾。獲得線與線間距圖案。

實施例48 :特別適合用於193奈米之ARC 48 92182修正本 591341 使用聚酯聚合物製備193奈米反射對照物之組成物，該聚酯聚合物係藉 由硝基對苯二甲酸二甲酯、對苯二甲酸二甲酯、乙二醇及丙三醇之熱縮合 反應而製備。以組成物之總重為基準，該抗反射組成物係藉由將3. 〇6 wt% 該聚酯聚合物、0· 80 wt%四曱氧基甘脲(Cytec)、0· 14 wt%對-甲笨石黃酸 (Aldrich)及96.0 wt%之2-羥基異丁酸甲酯混合而製備。將該組成物經過 0.2微米過濾器過濾。 利用旋塗機將抗反射組成物塗布在石夕晶圓上，然後於215。〇溫度之加熱 板上加熱60秒。可得到82奈米均一厚度之交聯有機膜。接者，將正型作用 193奈米光阻劑（Shipley公司TS10)旋塗在交聯有機抗反射膜之表面上，然 後將光阻膜於120°C溫度之加熱板上加熱60秒。然後以具有ΝΑ=〇· 60及部分 同調性=0_ 70之GCA 193奈米步進機使光阻劑於圖案化之193奈米輻射下曝 光。曝光後，將光阻劑於120°C溫度之加熱板上加熱6〇秒。然後使光阻劑與 0.26N之氫氧化四甲銨水溶液接觸。60秒後，以蒸餾去離子水將氫氧化四曱 銨溶液自晶圓洗除，然後將晶圓旋乾。獲得線與線間距圖案。 微影製程結果： 以193奈米輻射圖案化之晶圓藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)橫切檢視。 評估150奈米圖像大小之密集的線與線間距圖案及單離線圖案的外觀缺 陷，包含’’駐波由可調整曝光後光酸濃度之反射光的干擾所造成之光阻劑 側壁不均一）。實施例45或實施例46之抗反射組成物上圖案化之光阻劑特徵 圖像觀察不到駐波效應。 AR塗層 光阻劑 E大小（150奈米1 : 1) 結果 92】82修正本 49 591341 實施例45 TS10 24毫焦耳/平方厘米無駐波 實施例46 TS10 24毫焦耳/平方厘米無駐波 實施例49至54 ··抗反射塗層配方及鑑定 對上述諸實施例的抗反射塗層組成物的光學密度_、193奈米下之光 學性質、氧化物蝕刻速率及微影性質予以鑑定（表6，第5圖）。 測試用的樣品係藉由將所指示的成分裝填至清潔瓶中加以調配。接者 將樣品搖動或置於輥上直至完全溶解為止。然後使各樣品通敬2微米之

PTFE膜過餘而進人清潔瓶中。以3G麵秒之旋轉時間將所繼之樣品旋 塗在曰曰圓（石夕或石英）上；依需要改變旋轉速率以獲得4〇至⑽奈米之膜厚 度。將旋塗後之晶圓於215t之加熱板上供烤⑼秒。膜厚度(於梦晶㈣係 利用橢圓儀量測。 迎測定的一船舟鄉 將樣品旋塗抑晶圓及石英晶圓上。量财晶圓上謂厚度作為石英 晶圓上之取代物膜厚度。石英上之膜吸收率(相對於未塗布之石英晶圓）係

利霸光譜法於193奈米下測定。該配方之_使崎度及吸收率之量測 來計算（表6)。

太將所舰之各樣品分纖塗在各％晶圓上。橢圓對稱技術來測定 193奈米下之折辦的實數部分⑹及餘部分⑴(表6)。 將所調配之各樣品溶液分別旋塗在各石夕晶圓上。膜厚度係利用擴圓儀 92 Ϊ 82修正本 50 來里測。然後對該等膜進行氧化物触刻（(^/02/ω/ΑΓ)30秒至60秒。接者 再量測蝕刻後的膜厚度，並計算整體蝕刻速率（表6)。 赶隹微影製程的一般步驟 將實施例50至54之抗反射塗層以約2000 rpm至3〇〇〇 rpm旋塗在15〇毫米 之石夕晶圓上，然後使用FSI Polaris 2觸晶圓塗布履帶機以近接式加熱板 於215 C下進打烘烤。烘烤後之抗反射膜塗層厚度為8()奈米至82奈米。接 者’將193奈米光阻劑旋塗在抗反射膜表面±，並以12『c/g〇秒進行供烤而 得到33G奈米厚之光賴。然後以具有請之數值孔隙及Q· 7()之部分同調性 的193奈米ArF晶圓步進機使光阻劑透過目標光罩曝光。使曝光後之光阻劑 進仃120 C/60秒之曝光後烘烤，然後以標準6〇秒單一混拌程序使用市售顯 影劑（2· 38%之氫氧化四甲銨水溶液）來顯影。 以75, 000倍率之掃描式電子顯微鏡(SEM)檢視光阻圖案品質。SEM影像 顯示優異關鐘確性，其具有清晰之光阻触抗反射制界面。該光阻 圖案顯不並無由反射干擾現象引起之”駐波”加工效應。第5圖顯示實施例仙 至53之抗反射塗層上之140奈米1 : 1之線··線間距光阻圖案之SEM影像。 將貫施例46之抗反射塗層組成物之折射率實數部分及虛數部分用作為 輸入參數以PROLITH 2模擬套裝軟體(Finle Techn〇i〇gy，ASML部門，荷蘭） 計算堆疊於光阻層下之抗反射層於193奈米下之反射比。模擬結果顯示當實 施例49之抗反射膜厚度為80奈米時反射比為〇. 9%。 51 92】82修正本 591341 表6實施例49至54之0D、光學參數及氧化物蝕刻速率 實施例 49 ------ 50 聚合物 ~19~~ ~~20-- "0D/微米~~ (193奈米） 9^3 Γ0Γ6 nTk (193奈米） ΠΓ6〇7μ〇~^ ~~ΤΓ8270739 51 21 11.4 1-84/0. 38 一~52 ~~22-- ΓΓ7~~ --~----— 53 23 13.8 54 24 13.0 1.79/0.45 ' 氧化物餘刻速率 童） 1172 T35? U25； 1395^ mf Τΐδ? 本發明前文說明僅供說明之用，須了解於未悖籬下、出4 · 乂申^專利範圍所 陳述之本發明精神和範圍下，當可作各種之變化與修改。 鲁 [圖式簡單說明] 第1圖顯示位於具有聚酯樹脂之抗反射組成物上的顯影後光阻亦彳…雕 像之SEM，即下述實施例34。 第2圖顯示位於具有聚酯樹脂之抗反射組成物上的顯影後光阻叫浮雕 像之SEM，即下述實施例35。 第3圖顯示位於具有聚醋樹脂之抗反射組成物上的顯影後光阻劑浮雕 像之SEM。W碰補36 _ 第4圖顯示位於具有聚醋樹脂之抗反射組成物上的顯影後光阻劑浮雕 像之SEM，即下述實施例45 (貫施例45a、4沾及45(：之三種不同光阻）。 第5圖顯示下述實施例50至54所產生之I:1之線與線間距（140奈米 ： 罩幕線性）。 、. 92182修正本 52

Claims (1)

1. 591341 13.如申請專利範圍第！項之基材，其中，該樹脂之醋重複單元包括綱.， 分。 14·如申請專利範圍第13項之基材，其中，該芳族部分係一個或多個選自視，. 需要經取狀苯基、視轉經取狀隸或視轉雖狀縣喊。. 15. 如申請專利範圍第1項之基材，其中，該聚醋樹脂為共聚物。 ，:、 16. 如申請專利範圍第1項之基材，其中，該聚酷樹脂為三聚物。 ' 17. 如申請專利範’1項之基材’其巾，該聚_脂為四聚物。 . 18. 如申請專利範圍第出？項中任一項之基材，其中，該聚賴脂包括力# 烯酸S旨單元。 19·如申請專利範圍第1至17項中任—項之基材，其中，該聚醋樹脂包括酯 單元以外之重複單元上的發色基團。 20. 如申請專利範圍第1至π項中任_項之基材，其中，該抗反射組成物包 括發色基團’該些發色基團係存在於與該聚酷樹脂成份分開之物質中。 21. 如申請專利範圍第項中任—項之基材，其中，該抗反射層包括視 需要經取代之蒽基、視需要經取代之萘基或視需要經取代之苯基。 _ 22. 如申請專利範圍第κ17項中任一項之基材，其中，該抗反射組成物包 括與該聚酯樹脂不同之另一樹脂。 23·如申清專利範圍第1至17項中任一項之基材，其中，該聚酷樹脂或另一 ， 不同之樹脂具有大於30, 000之重量平均分子量。 24·如申請專繼圍幻至17項巾任_項之紐，其巾，該抗反射組成物包 括塑化劑材料。 54 92] 82修正本 25. 如申物觸歸耐任—奴雜，其+，純域組成物係 以包括-種或多種輕基異丁_之溶劑成分來調配。 26. 如申請專利範圍第丨至17項中 貝之基材’其中，該抗反射組成物係 以包括甲基-2-經基異丁酸醋之溶劑成分來調配。 27. 如申請專利範圍第丨至17項中任—項 t 、 土材中，该光阻劑組成物為 化學放大型正光阻劑組成物。 28. 如申請專利範圍第117中 項之基材，其中，該光阻劑組成物為 負光阻劑。 29. 如申請專利範圍第丨至17項中 項之紐，其巾，縣材為微電子晶 圓基材。 30· —種經塗布之基材，包括： 抗反射組成物層，該抗反射組成物層包括自包含兩個或兩個以上經 基的物質所獲得之樹脂，其中，該樹脂包括芳香基作為側基及/或作為 樹脂之骨幹單元；以及 位於該抗反射組成物層上之光阻劑 申月專利祀圍第30項之基材’其中，該物質併入該樹脂時形成具有多 個羥基之重複單元。 32·如申請專利範圍第3〇項之基材，其中，該物質為二醇。 33.如申請專利範圍第_之基材，其中，該物質為三醇。 34_如申請專利範圍第3〇項之基材，其中，該物質為四醇。 35.如申請專利範圍第3〇項之基材，其中，該樹脂為聚酿。 92182修正本 55 591341 %如申請翻卿_墙，其巾，_物環芳香基。 37·如申請專利觸36項之基材’其中，該碳環耗基_要經取代之 苯基、視需要經取代之隸、或視轉魏代之嵐基。 38·如申請專利範圍第3〇至37項中任一項 、土材，其中，該抗反射組成物包 括包含視需要經取代之芳香基二緩_旨基之成分。 服如申鱗利翻第·37射任—奴雜，其巾，該抗反射組成物包 括包含視需要經取奴碳環料基二_自旨基之成分。 40.如申請專利範圍第3〇至37項中任一項之基材，其中，該抗反射組成物包 括包含視需要經取代之苯基二_絲或視需要經取代之萘基二驗 酯基之成分。 4L如申物_第3()至3兩任—項之基材其中，該樹脂包括丙三醇 或三羥基氰尿酸酯基。 42. 如申請專利範圍·至37項中任1之基材，其中該抗反射组成物復 包括交聯劑成分。 43. 如申請專利翻至37項中任_項之基材，其中，該抗反射組成物係 經交聯。 44·如申μ專她g第30至37項巾任-項之基材，其巾，該抗反射組成物復 包括酸或酸產生劑化合物。 45. 如申請專利範圍第3〇至37項中任—項之基材，其中，該抗反射層包括視 需要經取代之蒽基、視需要經取代之蔡基或視需要經取代之苯基。 46. 如申請專利範圍第30至37項中任一項之基材，其中，該抗反射組成物復 92182修正本 56 591341 包括與由該多羥基物質所形成的樹脂不同之另一樹脂。 47.如申請專利翻脚至37項巾任_項之紐，射，該抗反射组成物包 括塑化劑材料。 48.如申請專利範圍·至37項中任—項之基材，其中，該抗反射組成物係 以包括一種或多種羥基異丁酸酯之溶劑成分來調配。 仪如申請專利範圍第30至37項中任—項之基材，其中，該抗反射組成物係 以包括曱基-2-羥基異丁酸酯之溶劑成分來調配。 说如申請專繼圍至37射任-項之紐，其中，該光阻劑組成物為 化學放大型正光阻劑組成物。 51.如申請專利範圍第30至37項中任—項之基材，其中，該光阻劑組成物為 負光阻劑。 说如申請專利範圍至37項中任—項之基材，其中，該基材為微電子晶 圓基材。 53. —種光阻劑浮雕像之形成方法，包括·· 方、基材上塗布k反射組成物層，該抗反射組成物包括聚自旨樹脂，其 中，該聚S旨樹脂包括芳香基作為側基及/或作為該樹脂之骨幹單元； 於該抗反射組成物層上塗布光阻劑組成物層；以及 對該光阻劑層曝光及顯影以產生光阻劑浮雕像。 54. 如申明專彻圍細項之方法，其巾，該料基為碳環芳香基。 55. 如申μ專利縫第54項之方法，其巾，該碳環芳香基為視 需要經取代之 苯土視為要經取代之萘基、或視需要經取代之蒽基。 92182修正本 57 591341 56·如申請專利範圍第53項之方法’其中，該抗反射組成物包括包含視需要 經取代之芳香基二羧酸酯基之成分。 57·如申請專利範圍第53項之方法，其中，該抗反射組成物包括包含視需要 經取代之碳環芳香基二羧酸酯基之成分。 58·如申請專利範圍第53項之方法，其中，該抗反射組成物包括包含視需要 經取代之本基二魏酸I旨基或視需要經取代之萘基二魏酸醋基之成分。 59·如申請專利範圍第53項之方法，其中，該聚酯樹脂包括聚合之丙三醇 基。 60·如申請專利範圍第53項之方法，其中，該聚酯樹脂包括聚合之三羥基氰 尿酸酉旨。 61·如申請專利範圍第53項之方法，其中，該抗反射組成物復包括交聯劑成 分。 62.如申請專利範圍第53項之方法，其中，該抗反射組成物係於塗布該光阻 劑之前先進行交聯。 63·如申請專利範圍第53項之方法，其中，該光阻層係以短於3〇〇奈米波長 之轄射曝光。 64.如申請專利範圍第Μ項之方法’其中’該光阻層係以短於200奈米波長 之韓射曝光。 65•如申請專利範圍第53項之方法，其中，該光阻層係以248奈米波長之輻 射曝光。 66·如申請專利範圍第53項之方法，其中，該光阻層係以193奈米波長之輻 92182修正本 58 591341 射曝光。 67.如申請專利範圍第53項之方法，其中，該抗反射組成·包括酸或酸產 生劑化合物。 68·如申凊專利範圍第53項之方法，其中，該樹脂骨幹包括酯重複單元。 69.如申請專利範圍第53項之方法，其中，該樹脂之該酯重複單元包括芳族 部分。 70·如申凊專利範圍弟69項之方法，其中，該芳族部分係一個或多個選自視 需要經取代之苯基、視需要經取代之萘基或視需要經取代之蒽基的基。 71.如申請專利範圍第53項之方法，其中，該聚酯樹脂為共聚物。 72·如申請專利範圍第53項之方法，其中，該聚酯樹脂為三聚物。 73. 如申請專利範圍第53項之方法，其中，該聚酯樹脂為四聚物。 74. 如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該聚酯樹脂包括丙 稀酸單元。 75·如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該聚酯樹脂包括酯 單元以外之重複單元，其含有發色基團。 76·如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物包 括發色基團，該些發色基團係存在於與該聚酯樹脂分開之物質中。 77·如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該抗反射層包括視 需要經取代之蒽基、視需要經取代之萘基或視需要經取代之苯基。 78·如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物包 括與該聚酯樹脂不同之另一樹脂。 59 92182修正本 591341 79·如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該聚酯樹脂或另一 不同之樹脂具有大於30, 000之重量平均分子量。 80·如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物包 括塑化劑材料。 81·如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物係 以包括一種或多種經基異丁酸S旨之溶劑成分來調配。 82. 如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物係 以包括曱基-2-羥基異丁酸酯之溶劑成分來調配。 83. 如申請專利範圍第53至73項中任一項之方法，其中，該光阻劑組成物為 化學放大型正光阻劑組成物。 如申請專利翻第53至73項中任-項之方法，其中，該光阻劑組成物為 負光阻劑。 听如申請專利翻第53至73項中任—項之方法，其中，該基材為微電子晶 圓基材。 86· 一種光阻劑浮雕像之形成方法，包括·· 於基材上塗布抗反射組成物層，該抗反射組成物包括自包含兩個或 兩個以上搜基的物質所獲得之樹脂，其巾，該樹脂包括料基作為側基 及/或作為該樹脂之骨幹單元； 於該抗反射組成物層上塗布光阻劑組成物層 ;以及 對違光阻齡成物層曝歧顯影以產生光關浮雕像。 ★申清專利範圍第86項之方法，其中，該物f併人該樹脂時形成具有多 60 92] 82修正本 個羥基之重複單元。 ’該物質為二醇。 ，該物質為三醇。 ，該物質為四醇。 ，該樹脂為聚酯。 ，該芳香基為碳環芳香基。 88.如申請專利範圍第86項之方法，其中 89·如申請專利範圍第86項之方法，其中 90·如申請專利範圍第86項之方法，其中 91·如申請專利範圍第86項之方法，其中 92·如申請專利範圍第86項之方法，其中 93·如申請專利範圍第92項之方法，其中，該碳環芳香基為視需要經取代之 苯基、視需要經取代之萘基、或視需要經取代之蒽基。 94·如申晴專利範圍第86項之方法，其中，該抗反射組成物包括包含視需要 經取代之芳香基二羧酸酯基之成分。 95.如申請專利範圍第86項之方法，其中，該抗反射組成物包括包含視需要 經取代之碳環芳香基二羧酸酯基之成分。 96. 如申請專利範圍第86項之方法，其中，該抗反射組成物包括包含視需要 經取代之苯基二羧酸酯基或視需要經取代之萘基二羧酸酯基之成分。 97. 如申請專利範圍第86項之方法，其中，該樹脂包括丙三醇或三羥基氰尿 酸S旨基。 98·如申請專利範圍第86項之方法，其中，該抗反射組成物層復包括交聯劑 成分。 99. 如申請專利範圍第86項之方法，其中，該抗反射組成物係經交聯。 100. 如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物 復包括酸或酸產生劑化合物。 61 92182修正本 591341 !〇1·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該抗反射層包括 視需要經取代之蒽基、視需要經取代之萘基或視需要經取代之笨基。 ^2.如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物 包括與該多羥基物質所形成的樹脂不同之另一樹脂。 切3·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物 包括塑化劑材料。 i〇4·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物 係以包括一種或多種羥基異丁酸酯之溶劑成分來調配。 1〇5·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該抗反射組成物 係以包括曱基-2-經基異丁酸S旨之溶劑成分來調配。 1〇6·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該光阻劑組成物 為化學放大型正光阻劑組成物。 107·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該光阻劑組成物 為負光阻劑。 108·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該光阻層係以短 於300奈米波長之輻射曝光。 109·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該光阻層係以短 於200奈米波長之輻射曝光。 110·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該光阻層係以248 奈米波長之輪射曝光。 111·如申請專利範圍第86至99項中任一項之方法，其中，該光阻層係以193 62 92182修正本 591341 奈米波長之輻射曝光。 112. —種抗反射塗層組成物，包括： 聚酯;f紂脂，其中，該聚酯;f封脂包括芳香基作為側基及/或作為封脂 之骨幹單元；酸或酸產生劑化合物；以及交聯劑化合物。 113·如申請專利範圍第112項之組成物，其中，該芳香基為碳環芳香基。 114·如申請專利範圍第113項之組成物，其中，該碳環芳香基為視需要經取 代之苯基、視需要經取代之萘基、或視需要經取代之蒽基。 115. 如申請專利範圍第112項之組成物，其中，該抗反射組成物包括包含視 需要經取代之芳香基二羧酸酯基之成分。 116. 如申清專利範圍第112項之組成物，其中，該抗反射組成物包括包含視 需要經取代之碳環芳香基二羧酸酯基之成分。 1Π·如申請專利範圍第112項之組成物，其中，該抗反射組成物包括包含視 需要經取代之苯基二羧酸酯基或視需要經取代之萘基二羧酸酯基之成 分。 118.如申明專利範圍第η?至H7項中任一項之組成物，其中，該抗反射組 成物包括包含一種或多種羥基異丁酸酯之溶劑成分。 119·如申明專利範圍第η?至η?項中任一項之組成物，其中，該抗反射組 成物包括包含甲基-2-羥基異丁酸酯之溶劑成分。 120·如申清專利範圍第112至117項中任一項之組成物，其中，該聚酯樹脂 或另一不同之樹脂具有大於30, 000之重量平均分子量。 121·如申請專利範圍第112至117項中任-項之組成物，其中，該抗反射組 63 92182修正本 591341 成物包括塑化劑材料。 122·種與外覆光阻劑一起使用之有機抗反射塗層組成物，包括：由包括 兩個或兩個以上羥基的物質所形成之樹脂，其中，該樹脂包括芳香基作 為側基及/或作為該樹脂之骨幹單元。 123. 如申請專利範圍第122項之組成物，其中，該物質併入該樹脂時形成具 有多個羥基之重複單元。 124. 如申請專利範圍第丨22項之組成物，其中，該物質為二醇。 125·如申請專利範圍第122項之組成物，其中，該物質為三醇。 126·如申請專利範圍第122項之組成物，其中，該物質為四醇。 127·如申請專利範圍第122至126項中任一項之組成物，其中，該樹脂為聚 酯。 128·如申請專利範圍第122項之組成物，其中，該芳香基為碳環芳香基。 129· -種用以獲得與外覆光阻層_起使用之抗反射組成物的所需折射率之 貫數部份值與虛數部份值，包括將至少兩種不同之樹脂混合以形成該抗 反射組成物。 130·如申請專利範圍第129項之方法，復包括於基材上塗布所製備之抗反射 組成物，以及於邊抗反射組成物塗層上塗布光阻塗層。 131·如申請專利範圍第129項之方法，其中，聚醋樹脂係與聚丙稀酸醋樹脂 混合以形成該抗反射組成物。 132·如申請專利範圍第129至131項中任一項之方法，其中，該抗反射組成 物係經製備以使折射率實數部份紅5至2· Q及折射率虛數部份為〇. 2至 64 92182修正本 591341 0.7。 133.如申請專利範圍第129至131項中任一項之方法，其中，該些樹脂至 少其中之一包括蒽部分。 65 92182修正本