KR20030051189A - 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물 - Google Patents

오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20030051189A
KR20030051189A KR1020020058334A KR20020058334A KR20030051189A KR 20030051189 A KR20030051189 A KR 20030051189A KR 1020020058334 A KR1020020058334 A KR 1020020058334A KR 20020058334 A KR20020058334 A KR 20020058334A KR 20030051189 A KR20030051189 A KR 20030051189A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
substrate
optionally substituted
antireflective
group
Prior art date
Application number
KR1020020058334A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100934436B1 (ko
Inventor
웨이턴제럴드비.
트레포나스Ⅲ피터
콜레이수잔
Original Assignee
쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. filed Critical 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨.
Publication of KR20030051189A publication Critical patent/KR20030051189A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100934436B1 publication Critical patent/KR100934436B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D167/00—Coating compositions based on polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/002—Priming paints
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

제 1 측면으로, 폴리에스테르 수지 성분을 함유하는 유기 코팅 조성물, 특히 스핀 상태의(spin-on) 반사방지 코팅 조성물이 제공된다. 다른 측면으로, 다중 하이드록시 화합물을 중합하여 수득된 수지 성분을 함유하는 코팅 조성물이 제공된다. 본 발명의 코팅 조성물은 직접회로판을 제조하기 위해 오버코팅된 포토레지스트 층과 함께 특히 유용하게 사용된다.

Description

오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물{Coating compositions for use with an overcoated photoresist}
본 출원은 그의 전체내용이 본 원에 참고로 포함되는 2001년 9월 26일 출원된 미국 가특허출원 제 60/325,254호의 이점을 청구한다.
본 발명은 기판 후면으로부터의 노광 조사선이 오버코팅된(overcoated) 포토레지스트 층으로 반사되는 것을 감소시킬 수 있고/있거나 평탄화(planarizing) 또는 바이어-충전(via-fill) 층으로서 작용할 수 있는 조성물(특히 반사방지 코팅 조성물(antireflective coating composition) 또는 "ARC")에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 폴리에스테르 수지 성분을 함유하는 유기 코팅 조성물, 특히 반사방지 코팅 조성물에 관한 것이다.
포토레지스트는 기판에 이미지를 전사하기 위해 사용되는 감광성 필름이다. 포토레지스트의 코팅 층을 기판상에 형성한 다음, 포토레지스트 층을 포토마스크 (photomask)를 통해 활성화 조사(activating radiation)원에 노광시킨다. 포토마스크는 활성화 조사선에 불투명한 영역 및 활성화 조사선에 투명한 다른 영역을 갖는다. 활성화 조사선에 노광되면 포토레지스트 코팅의 광유도된(photoinduced) 화학적 변형이 일어나며 이로 인해 포토마스크 패턴이 포토레지스트-코팅된 기판으로 전사된다. 노광후, 포토레지스트를 현상하여 기판의 선택적 처리가 가능한 릴리프(relief) 이미지를 제공한다.
포토레지스트는 포지티브(positive)-작용성이거나 네거티브(negative)-작용성일 수 있다. 대부분의 네거티브-작용성 포토레지스트의 경우, 활성화 조사선에 노광된 코팅 층 부분은 포토레지스트 조성물의 중합가능한 시약과 광활성 화합물의반응으로 중합되거나 가교결합된다. 그 결과, 노광된 코팅 부분은 비노광된 부분보다 현상액에 덜 용해된다. 포지티브-작용성 포토레지스트의 경우, 노광된 부분은 현상액에 보다 잘 용해되는 반면, 비노광 영역은 현상액에 비교적 덜 용해된다. 포토레지스트 조성물은 문헌[Deforest,Photoresist Materials and Processes, McGraw Hill Book Company, New York, ch.2, 1975 및 Moreau,Semiconductor Lithography, Principles, Practices and Materials, Plenum Press, New York, ch.2 and 4]에 기술되어 있다.
포토레지스트는, 주로 실리콘 또는 갈륨 아르세나이드와 같은 고광택성 (highly polished) 반도체 슬라이스(slice)를 회로 기능을 수행하는 전자 전도 경로(바람직하게는 마이크론 또는 서브마이크론 기하구조)의 복합 매트릭스로 전환시키는 것을 목적으로 하는 반도체 제조에 사용된다. 이러한 목적을 성취하기 위해서는 포토레지스트를 적절히 처리하는 것이 중요하다. 여러 포토레지스트 처리 단계들 간에는 강한 상호의존성이 있지만, 고해상도의 포토레지스트 이미지를 성취하는데 가장 중요한 단계 중 하나는 노광 단계일 것으로 판단된다.
포토레지스트를 노광하기 위해 사용된 활성화 조사선이 반사되면, 포토레지스트 층에서 패턴화된 이미지의 해상도에 제한이 생기는 경우가 종종 발생한다. 기판/포토레지스트 계면으로부터 조사선이 반사되면 포토레지스트에서 조사선 세기에 공간적 편차가 생겨 현상시 포토레지스트의 선폭이 불균해질 수 있다. 조사선은 또한 기판/포토레지스트 계면으로부터 노광을 의도하지 않는 포토레지스트 영역으로 산란됨으로써 역시 선폭의 변화를 초래할 수 있다. 산란양 및 반사량은 전형적으로 영역간에 차이가 있으며, 따라서 선폭이 더욱 불균일해진다. 기판 토포그래피(topography)에서의 변형이 또한 해상도를 제한하는 문제를 야기할 수 있다.
반사되는 조사선 문제를 감소시키기 위해 시도된 한 방법으로서 기판 표면과 포토레지스트 코팅 층 사이에 삽입되는 조사선 흡수층을 사용하여 왔다. 참조예: PCT 출원 제 WO 90/03598, EPO 출원 제 0 639 941 A1호 및 미국특허 제 4,910,122호, 제 4,370,405호, 제 4,362,809호 및 제 5,939,236호. 이러한 층은 또한 반사방지 층 또는 반사방지 조성물로서 언급되어 있다. 참조: 모두 쉬플리 캄파니 (Shipley Company)에 양도되었으며 매우 유용한 반사방지 조성물이 개시된 미국 특허 제 5,939,236호; 제 5,886,102호; 제 5,851,738호; 및 제 5,851,730호.
본 발명자들은 오버코팅된 포토레지스트 층과 함께 사용하기 위한 새로운 반사방지 조성물을 밝혀냈다.
보다 구체적으로, 카복시-함유 화합물(예를 들어 카복실산, 에스테르, 무수물 등) 및 하이드록시-함유 화합물, 바람직하게는 글리콜, 예를 들어 에틸렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜 또는 글리세롤, 또는 다른 디올, 트리올, 테트라올 등과 같은 다중 하이드록시 그룹을 갖는 화합물을 중합하여 제공된 에스테르 반복 단위(폴리에스테르)를 함유한 수지 성분을 가지는, 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 유기 코팅 조성물, 특히 반사방지 조성물이 제공된다.
바람직하게, 에스테르 작용기는 펜던트(pendant) 또는 측쇄 단위로서 보다는 폴리머 주쇄(backbone)의 성분 또는 이들 내에 존재한다. 에스테르 부분은 또한 펜던트 그룹으로 존재할 수 있으나, 바람직하기로, 폴리머는 또한 폴리머 주쇄를따라 에스테르 작용기를 함유한다. 또한, 에스테르 반복 단위가 임의로 치환된 카보사이클릭 아릴 그룹, 예를 들어 임의로 치환된 페닐, 나프틸 또는 안트라세닐 치환체와 같은 방향족 치환체를 측쇄로서, 또는 보다 바람직하게는 폴리머 주쇄를 따라 포함하는 것이 바람직하다.
제 1 측면으로, 하나 이상의 모노머, 올리고머 또는 다른 중합 서브단위, 또는 하이드록시 그룹, 예를 들어 모노머 하나당 2, 3 또는 4개의 하이드록시 그룹을 포함하는 물질을 중합하여 수득된 수지 성분을 포함하는, 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 유기 코팅 조성물, 특히 반사방지 조성물이 제공된다. 바람직하게, 이와 같은 하이드록시를 함유하는 중합성 물질은 반응하여, 특히 하이드록시를 함유하는 카복시-함유 화합물(예를 들어 카복실산 에스테르, 무수물 등)의 반응에 의해 상기 언급한 바와 같은 폴리에스테르 수지를 형성한다. 예시적인 하이드록시-함유 중합성 물질로 디올, 트리올 및 테트라올, 예를 들어 글리콜, 예컨대 에틸렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜, 또는 글리세롤이 포함된다.
본 발명의 코팅 조성물은 바람직하게는 가교결합 조성물이며, 예를 들어 열(thermal) 또는 활성화 조사선 처리시 가교결합되거나 경화되는 물질을 함유한다. 전형적으로, 조성물은 가교결합제 성분, 예를 들어 멜라민 또는 벤조구아나민 화합물과 같은 아민-함유 물질 또는 수지를 함유할 것이다.
바람직하게, 본 발명의 가교결합 조성물은 조성물 코팅 층의 열처리를 통하여 경화될 수 있다. 적합하게도, 코팅 조성물은 또한 가교결합 반응을 촉진하기 위해 산 또는 더욱 바람직하게는 산 발생제 화합물, 특히 서멀 애시드(thermalacid) 발생제 화합물을 함유한다.
반사방지 코팅 조성물, 및 바이어-충전과 같은 다른 용도로 사용하기 위해, 이 조성물은 바람직하게 포토레지스트 조성물 층을 조성물 층상에 도포하기 전에 가교결합된다.
본 발명의 반사방지 조성물은 또한 바람직하게는 오버코팅된 레지스트 층을 노광하기 위해 사용된, 레지스트 층으로 반사되는 바람직하지 않은 조사선을 흡수할 수 있는 발색단 그룹을 포함하는 성분을 함유한다. 이러한 발색단 그룹은 폴리에스테르 수지 또는 산 발생제 화합물과 같은 다른 조성물 성분과 함께 존재할 수 있거나, 조성물은 이러한 발색단 단위를 함유할 수 있는 다른 성분, 예를 들어 발색단 치환체를 포함하는 폴리에스테르 수지가 아닌 다른 수지, 또는 하나 이상의 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 안트라센 또는 임의로 치환된 나프틸 그룹과 같은 하나 이상의 발색단 부분을 함유하는 소형 분자(예를 들어 MW 약 1000 또는 500 미만)를 포함할 수 있다.
특히 반사방지 용도로 사용되는 본 발명의 코팅 조성물에 포함시키기에 일반적으로 바람직한 발색단으로는 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸, 임의로 치환된 안트라세닐, 임의로 치환된 펜안트라세닐, 임의로 치환된 퀴놀리닐 등과 같은 단일 환 및 다중 환 방향족 그룹이 모두 포함된다. 특히 바람직한 발색단은 오버코팅된 레지스트 층을 노광하기 위해 사용된 조사선에 따라 변할 수 있다. 보다 구체적으로, 오버코팅된 레지스트를 248 ㎚에서 노광하는 경우, 임의로 치환된 안트라센 및 임의로 치환된 나프틸이 반사방지 조성물의 바람직한 발색단이다.오버코팅된 레지스트를 193 ㎚에서 노광하는 경우, 임의로 치환된 페닐 및 임의로 치환된 나프틸이 반사방지 조성물의 특히 바람직한 발색단이다. 바람직하게, 이러한 발색단 그룹은 반사방지 조성물의 수지 성분, 예를 들어 상기 언급된 폴리에스테르 수지에 결합된다(예를 들어, 펜던트 그룹). 특히 바람직한 발색단 그룹은 아릴 디카복실레이트, 특히 나프틸 디카복실레이트 및 페닐 디카복실레이트 그룹이다.
본 발명의 코팅 조성물은 전형적으로 유기 용매 용액으로 제제화되어 바람직하게는 스핀-코팅(즉, 스핀 상태의(spin-on) 조성물)에 의해 기판에 도포된다. 바람직한 측면으로, 본 발명의 조성물은 하나 이상의 옥시이소부티르산 에스테르, 특히 메틸-2-하이드록시이소부티레이트를 함유하는 용매 성분과 함께 제제화된다. 특히 바람직한 본 발명의 코팅 조성물은 특히 폴리머 주쇄 성분으로서 에스테르 반복 단위를 갖는 폴리에스테르 수지를 포함하며 메틸-2-하이드록시이소부티레이트와 같은 하나 이상의 옥시이소부티르산 에스테르를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된다.
본 발명의 다른 측면으로, 노광 파장에서 반사방지 조성물에 목적하는 실(real)(n) 굴절율 및 허(imagenary)(k) 굴절율 값을 제공하도록 선택된 복수개의 수지를 가지는, 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 반사방지 조성물이 제공된다. 알려진 바와 같이, 노광 파장에서 반사방지 조성물의 굴절율은 복소수 N=nik(여기에서, n은 N의 실수부이며 통상 "굴절율"로 불리는 것과 동등하고, k는 N의 허수부이며 노광 파장의 함수로서 흡수 계수와 관련이 있다)이다.
더욱 특히, 본 발명의 상기 측면에서, 본 발명의 반사방지 조성물은 복수개의 수지와 함께 제제화되어 목적하는 실 및 허 굴절율 값을 제공하며, 이때 수지중 적어도 하나는 바람직하게는 폴리에스테르 수지이고/이거나 다중 하이드록시 물질로부터 형성된다. 바람직한 혼합 파트너는 아크릴레이트 수지, 예를 들어 쉬플리 캄파니에 양도된 미국 특허 제 5,886,102호에 개시된 것과 같은 안트라센 아크릴레이트 폴리머(특히 하이드록시에틸 메타크릴레이트 또는 하이드록시에틸 아크릴레이트 및 메틸안트라센 메타크릴레이트 또는 다른 안트라센 아크릴레이트의 중합 반복단위를 함유하는 폴리머)이다.
본 발명의 반사방지 조성물에 폴리에스테르 수지 및 아크릴레이트 수지를 혼합(블렌딩)하여 약 1.5(특히 1.50) 내지 약 2.1(특히 2.10)의 목적하는 표적 실지수 n 및 약 0.2(특히 0.20) 내지 약 0.7(특히 0.70)의 목적하는 허지수 k를 제공하는 바람직한 방법이 포함된다. 바람직하게, 폴리에스테르 수지는 나프탈렌 그룹을 포함하며, 폴리아크릴레이트 수지는 안트라센 그룹 또는 다른 발색단 부분, 예를 들어 페닐을 포함한다.
다양한 포토레지스트가 본 발명의 코팅 조성물과 조합하여(즉, 오버코팅하여) 사용될 수 있다. 본 발명의 반사방지 조성물과 함께 사용하기에 바람직한 포토레지스트는, 화학-증폭형 레지스트, 특히 하나 이상의 포토애시드 발생제 화합물, 및 광발생 산의 존재하에서 탈블로킹 또는 절단 반응을 거치게 되는 단위, 예를 들어 포토애시드-불안정 에스테르, 아세탈, 케탈 또는 에테르 단위를 함유하는 수지 성분을 함유하는 포지티브-작용성 포토레지스트이다. 예를 들어, 활성 조사선에 노광시 가교결합(즉, 경화 또는 경질)되는 레지스트와 같이 네가티브-작용성 포토레지스트가 또한 본 발명의 코팅 조성물과 함께 사용될 수 있다. 본 발명의 코팅 조성물과 함께 사용하기에 바람직한 포토레지스트는 비교적 단파장 조사선[예를 들어 약 248 ㎚와 같이 260 ㎚ 미만 또는 300 ㎚ 미만의 파장을 가진 조사선, 또는 약 157 ㎚ 또는 193 ㎚와 같이 약 170 ㎚ 미만 또는 200 ㎚ 미만의 파장을 가진 조사선]에 의해 이미지화될 수 있다.
본 발명은 또한 포토레지스트 릴리프 이미지를 형성하는 방법 및 본 발명의 반사방지 조성물 단독으로 또는 포토레지스트 조성물과 함께 코팅된 기판(예를 들어, 마이크로일렉트로닉 웨이퍼 기판)을 포함하는 신규한 제품을 제공한다.
본 발명의 그 밖의 다른 측면이 하기에 기술된다.
도 1은 후속하는 실시예 34의 폴리에스테르 수지를 갖는 반사방지 조성물상의 현상된 포토레지스트 릴리프 이미지의 SEM을 나타낸다.
도 2는 후속하는 실시예 35의 폴리에스테르 수지를 갖는 반사방지 조성물상의 현상된 포토레지스트 릴리프 이미지의 SEM을 나타낸다.
도 3은 후속하는 실시예 36의 폴리에스테르 수지를 갖는 반사방지 조성물상의 현상된 포토레지스트 릴리프 이미지의 SEM을 나타낸다.
도 4는 후속하는 실시예 45의 폴리에스테르 수지를 갖는 반사방지 조성물(실시예 45a, 45b 및 45c의 서로 다른 세 개의 레지스트)상의 현상된 포토레지스트 릴리프 이미지의 SEM을 나타낸다.
도 5는 후속하는 실시예 50 내지 54에서 형성된 1:1 라인(line) 및 스페이스 (space)(140 nm 마스킹 선형도(masking linearity))를 나타낸다.
본 발명에 이르러, 본 발명자들은 오버코팅된 포토레지스트 층과 함께 특히 유용한 신규 유기 코팅 조성물을 제공한다. 본 발명의 바람직한 코팅 조성물은 스핀-코팅에 의해 도포되고(스핀-상태의 조성물) 용매 조성물로서 제제화될 수 있다. 본 발명의 코팅 조성물은 특히 오버코팅된 포토레지스트를 위한 반사방지 조성물 및/또는 오버코팅된 포토레지스트 조성물 코팅 층을 위한 평탄화 또는 바이어-충전 조성물로서 유용하다.
상술한 바와 같이, 에스테르 반복단위를 함유하는 유기 코팅 조성물이 제공된다. 에스테르 그룹은 포토애시드(photoacid)에 불안정하지 않다. 즉, 노광전 베이킹, 활성 조사선에의 노광, 노광후 가열, 및/또는 현상의 전형적인 리소그래피(lithographic) 처리동안 탈블로킹되거나 절단되지 않는다. 바람직하게, 에스테르 반복 단위는 폴리머 주쇄에 존재한다. 즉, 에스테르 그룹((-(C=O)O-)이 폴리머 길이를 형성하는 측쇄 또는 실질적으로 직쇄상에 존재한다. 폴리올과 알킬 프탈레이트의 반응에 의해 제공될 수 있는 방향족 치환체, 예를 페닐, 나프틸 또는 안트라센 그룹을 함유하는 에스테르 그룹이 또한 바람직하다.
이러한 폴리에스테르 수지는 다른 반복단위를 펜던트 또는 측쇄 단위로서, 또는 폴리머 주쇄를 따라 다른 반복 단위로서 함유할 수 있다. 예를 들어, 수지는 코폴리머(예를 들어 수지 주쇄를 따라 두 개의 다른 반복단위), 터폴리머(예를 들어 수지 주쇄를 따라 세 개의 다른 반복단위), 테트라폴리머(예를 들어 폴리머 주쇄를 따라 네 개의 다른 반복단위) 또는 펜타폴리머(예를 들어 폴리머 주쇄를 따라 다섯 개의 다른 반복단위)일 수 있다. 예를 들어, 에테르 및 에스테르 반복단위, 또는 에스테르 및 에테르 단위와 함께 알킬렌 반복단위를 함유하는 폴리머가 적합할 것이다. 하나 이상의 산소 원자를 함유하는 추가의 반복 단위가 많은 응용예에 대하여 바람직하다.
본 발명의 코팅 조성물에 사용될 수 있는 예시적인 바람직한 수지는 하나 이상의 카복실(예를 들어, 에스테르, 무수물, 카복사이클릭 산) 그룹을 하나 이상의 하이드록시 그룹, 바람직하게는 적어도 두 개의 하이드록시 그룹을 함유하는 화합물과 함께 반응시켜 형성된 것이 포함된다. 카복실-함유 화합물은 또한 바람직하게 두개 이상의 카복실(-C=OO-) 그룹을 함유할 수 있다. 카복실 및 하이드록시 화합물은 산의 존재하에, 코폴리머 또는 다른 고차 폴리머를 목적으로 하는 경우에는 임의로 다른 화합물과 함께, 적절히 반응하여 폴리에스테르 수지를 제공한다.
이러한 폴리에스테르 수지는 적합하게는 반응 용기에 폴리올, 카복실레이트 화합물, 및 형성된 수지내로 혼입될 다른 화합물, 산, 예를 들어 설폰산(예를 들어 메탄 설폰산 또는 파라-톨루엔 설폰산) 등을 도입하여 제조한다. 반응 혼합물을 적합하게는 승온, 예를 들어 적어도 약 80 ℃, 보다 전형적으로는 적어도 약 100 ℃, 110 ℃, 120 ℃, 130 ℃, 140 ℃ 또는 150 ℃에서 폴리머를 형성하기에 충분한 시간, 예를 들어 적어도 약 2, 3, 4, 5, 6, 8, 12, 16, 20, 24 시간동안 교반한다. 유용한 수지를 합성하기에 바람직한 예시적인 조건은 이후 실시예에 상세히 설명되었다.
상기 언급한 바와 같이, 다른 측면에서, 본 발명은 하나 이상의 모노머, 올리고머 또는 다른 중합 서브단위, 또는 하이드록시 그룹, 예를 들어 모노머 하나당 2, 3 또는 4개의 하이드록시 그룹을 포함하는 물질을 중합하여 수득된 수지 성분을 포함하는, 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 유기 코팅 조성물, 특히 반사방지 조성물을 제공한다.
바람직하게, 조성물을 형성하기 위한 다중 하이드록시 화합물의 반응후, 도입된 단위는 적어도 하나, 적합하게는 2 또는 3개, 또는 그 이상의 비반응 하이드록시 그룹을 가질 것이다. 특히, 조성물 수지의 하이드록시 그룹은 수지를 함유하는 반사방지 조성물의 가교결합를 위한 부위로서 작용할 수 있다.
상기 언급된 바와 같이, 다중 하이드록시 화합물은 적절히 반응하여 폴리에스테르 수지를 형성한다. 그러나, 다중 하이드록시 화합물은 본 발명에 따라 다른 수지, 예를 들어 폴리에테르, 폴리우레탄 또는 다른 수지내로 도입되어 반사방지 조성물에 사용될 수 있다.
예시적인 하이드록시-함유 중합성 물질로는 디올, 트리올 및 테트라올이 포함된다. 적합한 하이드록시-함유 중합성 물질은 다른 헤테로원자 치환체, 특히 질소 및 황(특히 알킬티오(설파이드), 알킬설피닐 또는 알킬설포닐 부분으로서 존재할 수 있는 황)을 포함할 수 있다. 반응하여 본 발명의 조성물 수지를 형성할 수 있는 대표적인 다중 하이드록시-함유 물질은 적어도 두개의 탄소원자, 더욱 전형적으로 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 또는 10개의 탄소원자를 갖는다. 중합성 다중 하이드록시-함유 물질은 적합하게는 측쇄 또는 직쇄 화합물일 수 있다.
본 발명의 반사방지 조성물을 형성하는 반응에 특히 적합한 디올로는 예를 들어 에틸렌 글리콜; 1,3-프로판디올; 1,2-프로판디올; 2,2-디메틸-1,3-프로판디올; 2,2-디에틸-1,3-프로판디올; 2-에틸-3-메틸-1,3-프로판디올; 2-메틸-2-프로필-1,3-프로판디올; 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올; 1,4-부탄디올; 2-메틸-1,4-부탄디올; 1,2-부탄디올; 1,3-부탄디올; 2,3-부탄디올; 2,3-디메틸-2,3-부탄디올; 1,5-펜탄디올; 1,2-펜탄디올; 2,4-펜탄디올; 2-메틸-2,4-펜탄디올; 1,6-헥산디올; 2,5-헥산디올; 1,2-헥산디올; 1,5-헥산디올; 2-에틸-1,3-헥산디올; 2,5-디메틸-2,5-헥산디올; 1,7-헵탄디올; 1,8-옥탄디올; 1,2-옥탄디올; 1,9-노난디올; 1,10-데칸디올; 1,2-데칸디올; 1,12-도데칸디올; 1,2-도데칸디올; 1,2-테트라데칸디올; 1,2-헥사데칸디올; 1,16-헥사데칸디올; 1,2-사이클로부탄디메탄올; 1,4-사이클로헥산디메탄올; 1,2-사이클로헥산디메탄올; 5-노보넨-2,2-디메탄올; 3-사이클로헥센-1,1-디메탄올; 디사이클로헥실-4,4'-디올; 1,2-사이클로펜탄디올; 1,3-사이클로펜탄디올; 1,2-사이클로옥탄디올; 1,4-사이클로옥탄디올; 1,5-사이클로옥탄디올; 1,2-사이클로헥산디올; 1,3-사이클로헥산디올; 1,4-사이클로헥산디올; 1,2-사이클로헵탄디올; 2,2,4,4-테트라메틸-1,3-사이클로부탄디올; 1,2-사이클로도데칸디올; 데카하이드로나프탈렌-1,4-디올; 데카하이드로나프탈렌-1,5-디올; 3-클로로-1,2-프로판디올; 1,4-디브로모부탄-2,3-디올; 2,2,3,3-테트라플루오로-1,4-부탄디올; 디에틸렌 글리콜; 트리에틸렌 글리콜; 테트라에틸렌 글리콜; 펜타에틸렌 글리콜; 디프로필렌 글리콜; 이소소바이드; 이소만나이드; 1,3-디옥산-5,5-디메탄올; 1,4-디옥산-2,3-디올; 1,4-디에탄-2,5-디올; 1,2-디티안-4,5-디올; 2-하이드록시에틸디설파이드; 3,6-디티아-1,8-옥탄디올; 3,3'-티오디프로판올; 2,2'-티오디에탄올; 1,3-하이드록시아세톤; 1,5-디하이드록시-2,2,4,4-테트라클로로-3-펜타논; 글리세르알데하이드; 벤조피나콜; 1,1,4,4-테트라페닐-1,4-부탄디올; 3,4-비스(p-하이드록시페놀)-3,4-헥산디올; 1,2-벤젠디메탄올; 1,4-벤젠디메탄올; 2,3,5,6-테트라메틸-p-크실렌-α,α'-디올; 2,4,5,6-테트라클로로벤젠-1,3-디메탄올; 2,3,5,6-테트라클로로벤젠-1,4-디메탄올; 2,2-디페닐-1,3-프로판디올; 3-(4-클로로페녹시)-1,2-프로판디올; 2,2'-(p-페닐렌디옥시)-디에탄올; 5-니트로-m-크실렌-α,α'-디올; 1,8-비스(하이드록시메틸)나프탈렌; 2,6-비스(하이드록시메틸)-p-크레졸; O,O'-비스(2-하이드록시에틸)벤젠; 1,2-O-이소프로필리덴크실로푸라노스; 5,6-이소프로필리덴아스코르브산; 2,3-O-이소프로필리덴스레이톨 등이 포함된다.
본 발명의 반사방지 조성물을 형성하는 반응에 특히 적합한 트리올로는 예를들어 글리세롤; 1,1,1-트리스(하이드록시메틸)에탄; 2-하이드록시메틸-1,3-프로판디올; 2-에틸-2-(하이드록시메틸)-1,3-프로판디올; 2-하이드록시메틸-2-프로필-1,3-프로판디올; 2-하이드록시메틸-1,4-부탄디올; 2-하이드록시에틸-2-메틸-1,4-부탄디올; 2-하이드록시메틸-2-프로필-1,4-부탄디올; 2-에틸-2-하이드록시에틸-1,4-부탄디올; 1,2,3-부탄트리올; 1,2,4-부탄트리올; 3-(하이드록시메틸)-3-메틸-1,4-펜탄디올; 1,2,5-펜탄트리올; 1,3,5-펜탄트리올; 1,2,3-트리하이드록시헥산; 1,2,6-트리하이드록시헥산; 2,5-디메틸-1,2,6-헥산트리올; 트리스(하이드록시메틸)니트로메탄; 2-메틸-2-니트로-1,3-프로판디올; 2-브로모-2-니트로-1,3-프로판디올; 1,2,4-사이클로펜탄트리올; 1,2,3-사이클로펜탄트리올; 1,3,5-사이클로헥산트리올; 1,3,5-사이클로헥산트리메탄올; 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산; 1,2-O-이소프로필리덴이도푸라노스; 1,2-O-이소프로필리덴글루코푸라노스; 메틸크실로피라노사이드; 크로콘산 등이 포함된다.
본 발명의 반사방지 조성물을 형성하는 반응에 특히 적합한 테트라올로는 예를 들어 1,2,3,4-부탄테트롤; 2,2-비스(하이드록시메틸)-1,3-프로판디올; 1,2,4,5-펜탄테트롤; 테트라하이드록시-1,4-벤조퀴논; α-메틸만노피라노사이드; 2-데옥시갈락토스; 3-O-메틸글루코스; 리보스; 크실로스 등이 포함된다.
반사방지 용도를 위해, 적합하게는, 수지를 형성하기 위해 반응시킨 하나 이상의 화합물은 발색단으로 작용하여 오버코팅된 포토레지스트 코팅 층을 노광하기 위해 사용된 조사선을 흡수할 수 있는 부분을 포함한다. 예를 들어, 프탈레이트 화합물(예를 들어, 프탈산 또는 디알킬 프탈레이트(즉, 각각의 에스테르가 1-6개의탄소원자를 갖는 디-에스테르, 바람직하게는 디-메틸 또는 에틸 프탈레이트))은 방향족 또는 비방향족 폴리올 및 임의로 다른 반응성 화합물과 중합하여 193 ㎚와 같은 서브-200 ㎚의 파장에서 이미지화되는 포토레지스트와 함께 사용되는 반사방지 조성물에 특히 유용한 폴리에스테르를 제공한다. 유사하게, 248 ㎚ 또는 193 ㎚과 같이 서브-300 ㎚ 또는 서브-200 ㎚의 파장에서 이미지화되는 오버코팅된 포토레지스트와 함께 조성물에 사용되는 수지의 경우에는, 나프틸 화합물, 이를테면 하나 또는 둘 또는 그 이상의 카복실 치환체, 예를 들어 디알킬, 특히 디-C1-6알킬 나프탈렌디카복실레이트를 함유하는 나프틸 화합물이 중합될 수 있다. 반응성 안트라센 화합물, 예를 들어 하나 이상의 메틸 에스테르 또는 에틸 에스테르 그룹과 같은 하나 이상의 카복시 또는 에스테르 그룹을 갖는 안트라센 화합물이 또한 바람직하다.
발색단 단위를 함유하는 화합물은 또한 하나, 바람직하게는 두개 이상의 하이드록시 그룹을 함유할 수 있으며, 카복실-함유 화합물과 반응할 수 있다. 예를 들어, 하나, 둘 또는 그 이상의 하이드록실 그룹을 갖는 페닐 화합물 또는 안트라센 화합물이 카복실-함유 화합물과 반응할 수 있다.
또한, 반사방지 조성물은 폴리에스테르 수지 성분과 별개의 발색단 단위를 함유하는 물질을 함유할 수 있다. 예를 들어, 코팅 조성물은 페닐, 안트라센, 나프틸 등의 단위를 함유하는 중합 또는 비중합 화합물을 포함할 수 있다. 그러나, 에스테르-수지가 발색단 부분을 함유하는 것이 때때로 바람직하다.
언급된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 반사방지 코팅 조성물은, 예를 들어 열 및/또는 조사선 처리에 의해 가교결합될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 바람직한 반사방지 코팅 조성물은 반사방지 조성물의 하나 이상의 다른 성분과 가교결합할 수 있는 별도의 가교결합제 성분을 포함할 수 있다. 일반적으로 바람직한 가교결합 반사방지 조성물은 별도의 가교결합제 성분을 포함한다. 본 발명의 특히 바람직한 반사방지 조성물은 별도의 성분들: 수지, 가교결합제 및 서멀 애시드 발생제 화합물을 함유한다. 또한, 본 발명의 가교결합 반사방지 조성물은 바람직하게는 또한 오버코팅된 포토레지스트 층의 푸팅(footing) 또는 노칭(notching)의 제거를 증진시키는 아민 염기성 첨가제를 함유할 수 있다. 가교결합 반사방지 조성물은 바람직하게는 반사방지 층상에 포토레지스트 층을 적용하기 전에 가교결합된다. 서멀 애시드 발생제의 활성화로 반사방지 조성물이 열에 의해 가교결합되는 것이 일반적으로 바람직하다.
본 발명의 가교결합 반사방지 조성물은 바람직하게는 반사방지 조성물 코팅 층의 경화동안 가교반응을 촉진하거나 증진시키기 위하여 이온성 또는 실질적으로 중성의 서멀 애시드 발생제, 예를 들어 암모늄 아렌설포네이트 염을 포함한다. 전형적으로, 하나 이상의 서멀 애시드 발생제가 반사방지 조성물에 조성물의 건조 성분들(용매 담체를 제외한 모든 성분)의 총 중량에 대해 약 0.1 내지 10 중량%, 보다 바람직하게는 약 2 중량%의 농도로 존재한다.
상술한 바와 같이, 반사방지 조성물은 적합하게는 추가의 수지 성분을 함유할 수 있다. 적합한 수지 성분은 바람직하지 않은 반사가 일어나기 전에 오버코팅된 레지스트 층을 이미지화하는데 사용된 조사선을 흡수하기 위한 발색단 단위를 함유할 수 있다.
딥(deep) UV 응용예(즉, 오버코팅된 레지스트가 딥 UV 조사선에 의해 이미지화됨)의 경우, 반사방지 조성물의 폴리머는 바람직하게는 딥 UV 범위(전형적으로 약 100 내지 300 ㎚)의 반사를 흡수할 것이다. 따라서, 폴리머는 바람직하게는 딥 UV 발색단인 단위, 즉 딥 UV 조사선을 흡수하는 단위를 함유한다. 고도로 콘쥬게이트된(conjugated) 부분이 일반적으로 적합한 발색단이다. 방향족 그룹, 특히 폴리사이클릭 탄화수소 또는 헤테로사이클릭 단위, 예를 들어 각 환에 3 내지 8 개의 멤버 및 환 1 개당 0 내지 3 개의 N, O 또는 S 원자를 가진 2 내지 3 또는 4 개의 융합되거나 개별적인 환을 갖는 그룹이 전형적으로 바람직한 딥 UV 발색단이다. 이러한 발색단은 임의로 치환된 페난트릴, 임의로 치환된 안트라실, 임의로 치환된 아크리딘, 임의로 치환된 나프틸, 임의로 치환된 퀴놀리닐, 및 하이드록시퀴놀리닐 그룹과 같은 환-치환된 퀴놀리닐을 포함한다. 임의로 치환된 안트라세닐 그룹이 오버코팅된 레지스트를 248 ㎚에서 이미지화하는데 특히 바람직하다. 바람직한 반사방지 조성물 수지는 펜던트 안트라센 그룹을 갖는다. 바람직한 수지는 쉬플리 캄파니의 유럽 공개출원 제 813114A2 호의 4 페이지에 설명된 화학식 I의 수지를 포함한다.
또 다른 바람직한 수지 결합제는 임의로 치환된 퀴놀리닐 그룹, 또는 하이드록시퀴놀리닐과 같은 하나 이상의 N, O 또는 S의 환 원자를 가진 퀴놀리닐 유도체를 포함한다. 폴리머는 폴리머 주쇄로부터 펜던트된 카복시 및/또는 알킬 에스테르 단위와 같은 다른 단위를 함유할 수 있다. 특히 바람직한 반사방지 조성물 수지는 이러한 단위를 함유한 아크릴 폴리머, 예를 들어 쉬플리 캄파니의 유럽 공개출원 제 813114A2 호의 4-5 페이지에 설명된 화학식 II의 수지이다.
193 ㎚에서 이미지화하는 경우, 반사방지 조성물은 바람직하게는 페닐 발색단 단위를 가진 수지를 함유할 수 있이다. 예를 들어, 193 ㎚에서 이미지화된 포토레지스트와 함께 사용하기에 적합한 반사방지 수지의 하나는 스티렌, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 및 메틸메타크릴레이트(30:38:32 몰비)의 중합 단위로 구성된 터폴리머이다. 이러한 페닐 그룹 함유 수지와 반사방지 조성물에서 이의 용도가 쉬플리 캄파니에 양도되고 1998년 출원된 미국출원 제 09/153,575호 및 대응 유럽 공개출원 제 EP87600A1에 개시되어 있다.
상술한 바와 같이, 특히 바람직한 발색단은 수지 성분상의 한 그룹(주쇄 단위 또는 측쇄) 또는 소형 분자(MW 약 1000 또는 500 미만) 성분으로서 존재할 수 있는 것과 같은 임의로 치환된 아릴 디카복실레이트 부분, 특히 임의로 치환된 카보사이클릭 아릴 부분, 예를 들어 페닐 또는 나프틸 디카복실레이트 그룹을 포함한다. 나프틸렌 디카복실레이트가 오버코팅된 포토레지스트의 노광 조사선의 바람직하지 않은 반사를 흡수하는데 특히 효과적일 수 있음이 밝혀졌다. 이러한 아릴 디카복실레이트 그룹은 다양한 접근법으로 본 발명의 코팅 조성물에 포함될 수 있다. 예를 들어, 나프틸 디카복실레이트 단위를 포함하는 에스테르 반복 단위를 갖거나 갖지 않는 수지가 사용될 수 있다. 예를 들어, 나프틸 디카복실레이트 그룹(예를 들어, 아크릴레이트의 에스테르 부분을 형성하는 카복실레이트 그룹의 하나)을 갖는 아크릴레이트가 다른 모노머와 중합하여 나프틸 디카복실레이트 부분을 갖는 수지를 제공할 수 있다. 다른 나프틸 환 위치에서 카복실레이트에 의해 치환되는 것이 또한 적합하다 할 지라도, 카복실레이트 그룹에 의해 2 및 6 위치가 치환된 나프틸렌이 특히 적합하다.
이와 같은 수지 또는 다른 성분을 포함하는 코팅 조성물은 상술된 바와 같이 사용된다. 따라서, 예를 들어 조성물은 적합하게는 가교결합제 및 산 공급원, 예를 들어 산 또는 산 발생제 화합물, 특히 서멀 애시드 발생제 화합물을 포함할 수 있으며, 이에 따라 적용된 코팅 조성물은 오버코팅된 포토레지스트 층의 도포전에 열 처리에 의해 가교결합될 수 있다.
바람직하게, 본 발명의 반사방지 조성물의 수지는 약 1,000 내지 약 10,000,000 달톤, 보다 전형적으로는 약 5,000 내지 약 1,000,000 달톤의 중량 평균 분자량(Mw) 및 약 500 내지 약 1,000,000 달톤의 수평균 분자량(Mn)을 가질 것이다. 본 발명의 폴리머의 분자량(Mw 또는 Mn)은 겔투과 크로마토그래피에 의해 적절히 결정된다.
흡수 발색단을 갖는 코팅 조성물 수지가 일반적으로 바람직하지만, 본 발명의 반사방지 조성물은 공-수지로서 또는 단독 수지 결합제 성분으로서 다른 수지를 함유할 수 있다. 예를 들어, 페놀수지, 예컨대 폴리(비닐페놀) 및 노보락이 사용될 수 있다. 이러한 수지가 쉬플리 캄파니의 유럽출원 EP 542008호에 개시되어 있다. 포토레지스트 수지 결합제로서 이후 기재되는 다른 수지가 또한 본 발명의 반사방지 조성물의 수지 결합제 성분으로 사용될 수 있다.
본 발명의 반사방지 조성물의 이러한 수지 성분의 농도는 비교적 광범위하게 달라질 수 있으며, 일반적으로 수지 결합제는 코팅 조성물의 전체 건조 성분(용매 담체를 제외한 모든 성분)의 약 50 내지 95 중량%, 보다 전형적으로는 전체 건조 성분의 약 60 내지 90 중량%의 농도로 사용된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 가교결합형 코팅 조성물은 또한 가교결합제 성분을 함유한다. 본원에 참고로서 포함되는 쉬플리 캄파니의 유럽출원 제 542008호에 개시된 반사방지 조성물 가교결합제를 비롯한 다양한 가교결합제가 사용될 수 있다. 예를 들어, 적합한 반사방지 조성물 가교결합제는 아메리칸 시아나미드 (American Cyanamid)에 의해 제조되고 상표명 Cymel 300, 301, 303, 350, 370, 380, 1116 및 1130으로 시판되는 멜라민 수지를 비롯한 멜라민 수지와 같은 아민계 가교결합제를 포함한다. 아메리칸 시아나미드로부터 입수가능한 글리콜우릴 (glycoluril)을 비롯한 글리콜우릴이 특히 바람직하다. 명칭 Cymel 1123 및 1125하에 아메리칸 시아나미드로부터 입수가능한 벤조구아나민 수지, 및 명칭 Beetle 60, 65 및 80하에 아메리칸 시아나미드로부터 입수가능한 우레아 수지와 같은 수지를 비롯한 벤조구아나민 및 우레아계 물질이 또한 적합할 것이다. 상업적으로 입수가능한 것 이외에, 이러한 아민계 수지는 예를 들어 알코올-함유 용액에서 아크릴아미드 또는 메타크릴아미드 코폴리머를 포름알데하이드와 반응시킴에 의해, 또는 별법으로 N-알콕시메틸 아크릴아미드 또는 메타크릴아미드를 다른 적합한 모노머와 공중합시킴으로써 제조될 수 있다.
실질적으로 중성인 적합한 가교결합제는 하이드록시 화합물, 특히 C1-8하이드록시알킬 치환체와 같은 하나 이상의 하이드록시 또는 하이드록시 알킬 치환체를 가진 페닐 또는 다른 방향족 화합물과 같은 다작용성 화합물을 포함한다. 일반적으로 페놀 화합물, 예를 들어 디-메탄올페놀(C6H3(CH2OH)2OH) 및 인접한 (1-2개의 환 원자내에) 하이드록시 및 하이드록시알킬 치환체를 가진 다른 화합물, 특히 하나 이상의 메탄올 또는 다른 하이드록시알킬 환 치환체, 및 이러한 하이드록시알킬 치환체에 인접한 적어도 하나의 하이드록시를 가진 페닐 또는 다른 방향족 화합물이 바람직하다.
본 발명의 반사방지 조성물에 사용된 메톡시 메틸화된 글리콜우릴과 같은 실질적으로 중성인 가교결합제가 우수한 리소그래피 성능 특성을 제공할 수 있음이 밝혀졌다.
일반적으로 본 발명의 반사방지 조성물의 가교결합제 성분은 반사방지 조성물의 전체 고형분(용매 담체를 제외한 모든 성분)의 약 5 내지 50 중량%, 보다 전형적으로는 전체 고형분의 약 7 내지 25 중량%의 양으로 존재한다.
특히 반사 조절을 위해 사용되는 본 발명의 코팅 조성물은 또한 오버코팅된 포토레지스트 층을 노광하는데 사용된 조사선을 흡수하는 추가의 염료 화합물을 함유할 수 있다. 다른 임의의 첨가제로는 표면 평탄화제(leveling agent), 예를 들어 유니온 카바이드(Union Carbide)로부터 상표명 Silwet 7604로 입수가능한 평탄화제, 또는 3M 캄파니로부터 입수가능한 계면활성제 FC 171 또는 FC 431을 포함한다.
본 발명의 코팅 조성물은 또한 전형적으로 산 또는 서멀 애시드 발생제 화합물과 같은 다른 산 공급원 이외에 하나 이상의 포토애시드 발생제 화합물을 포함할 수 있다. 이와 같은 포토애시드 발생제 화합물(PAG)을 사용하는데 있어서, 포토애시드 발생제는 가교결합 반응을 촉진하기 위한 산 공급원으로는 사용되지 않으며, 따라서 바람직하게 포토애시드 발생제는 코팅 조성물(가교결합 코팅 조성물의 경우)의 가교결합동안 실질적으로 활성화되지 않는다. 이러한 포토애시드 발생제의 용도가 쉬플리 캄파니에 양도된 미국특허 제 6,261,743 호에 개시되었다. 특히, 열에 의해 가교결합되는 반사방지 조성물에 대해, 코팅 조성물 PAG는 오버코팅된 레지스트 층의 후속 노광 중에 PAG가 활성화되어 산을 생성할 수 있도록 가교결합 반응 조건에 실질적으로 안정해야 한다. 구체적으로, 바람직한 PAG는 약 140 또는 150 내지 190℃의 온도에서 5 내지 30 분 이상 노출시 실질적으로 분해되거나, 붕괴되지 않는다.
본 발명의 반사방지 조성물 또는 다른 코팅에 사용하기에 일반적으로 바람직한 포토애시드 발생제는, 예를 들어 오늄염, 예를 들면 디(4-t-부틸페닐)요오도늄 퍼플루오로옥탄 설포네이트, 할로겐화 비이온성 포토애시드 발생제, 예를 들어 1,1-비스[p-클로로페닐]-2,2,2-트리클로로에탄 및 포토레지스트 조성물에 사용할 수 있는 것으로 알려진 다른 포토애시드 발생제를 포함한다. 본 발명의 적어도 몇몇 반사방지 조성물의 경우, 계면활성제로서 작용할 수 있고, 반사방지 조성물/레지스트 코팅 층 계면에 인접한 반사방지 조성물 층의 상부 가까이에 집중될 수있는 반사방지 조성물 포토애시드 발생제가 바람직할 것이다. 따라서, 예를 들어 바람직한 PAG는 연장된 지방족 그룹, 예를 들어 탄소수 4 이상, 바람직하게는 6 내지 15의 치환되거나 비치환된 알킬 또는 알리사이클릭 그룹, 또는 불소화 그룹, 예를 들어 바람직하게는 2 이상의 플루오로 치환체를 갖는 C1-15알킬 또는 C2-15알케닐을 포함한다.
본 발명의 액체 코팅 조성물을 제조하기 위해, 코팅 조성물의 성분을 적합한 용매, 예를 들어 하나 이상의 옥시이소부티르산 에스테르, 특히 상기 언급된 바와 같은 메틸 2-하이드록시이소부티레이트, 에틸 락테이트 또는 하나 이상의 글리콜 에테르, 예를 들면 2-메톡시에틸 에테르(디글림), 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르; 에테르 및 하이드록시 부분 둘 다를 갖는 용매, 예를 들어 메톡시 부탄올, 에톡시 부탄올, 메톡시 프로판올 및 에톡시 프로판올; 에스테르, 예를 들어 메틸 셀로졸브(cellosolve) 아세테이트, 에틸 셀로졸브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 이염기성 에스테르, 프로필렌 카보네이트 및 감마-부티로락톤과 같은 다른 용매중에 용해시킨다. 본 발명의 반사방지 코팅 조성물에 바람직한 용매는 임의로 아니솔과 혼합된 메틸-2-하이드록시이소부티레이트이다. 용매중의 건조 성분의 농도는 적용 방법과 같은 수개의 요인에 따라 달라질 것이다. 일반적으로, 반사방지 조성물의 고체 함량은 코팅 조성물의 총 중량에 대해 약 0.5 내지 20 중량%로 변하며, 바람직하게 고체 함량은 코팅 조성물의 총 중량에대해 약 2 내지 10 중량%로 변한다.
포지티브-작용성 및 네거티브-작용성 포토애시드-발생 조성물을 포함하여, 다양한 포토레지스트 조성물이 본 발명의 코팅 조성물과 함께 사용될 수 있다. 본 발명의 반사방지 조성물과 함께 사용되는 포토레지스트는 전형적으로 수지 결합제 및 광활성 성분, 전형적으로 포토애시드 발생제 화합물을 포함한다. 바람직하게, 포토레지스트 수지 결합제는 이미지화된 레지스트 조성물에 알칼리 수성 현상성을 부여하는 작용 그룹을 갖는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 반사방지 조성물과 함께 사용하기에 특히 바람직한 포토레지스트는 화학 증폭형 레지스트, 특히 화학 증폭형 포지티브-작용성 레지스트 조성물이며, 이때 레지스트 층중의 광활성화 산은 하나 이상의 조성물 성분에 대해 탈보호형 반응을 유도하여 레지스트 코팅 층의 노광 및 비노광 영역 사이에 상이한 용해도를 제공한다. 여러 가지 화학 증폭형 레지스트 조성물이 예를 들어, 모두 화학 증폭형 포지티브-작용성 레지스트의 제조 및 사용에 대한 내용이 본 원에 참고로 인용되는 미국 특허 제 4,968,581호; 4,883,740호; 4,810,613호; 4,491,628호 및 5,492,793호에 기재되어 있다. 본 발명의 코팅 조성물은 포토애시드의 존재하에 탈블록킹화되는 아세탈 그룹을 갖는 포지티브 화학-증폭형 포토레지스트와 함께 특히 적합하게 사용된다. 이러한 아세탈계 레지스트가 예를 들어 미국 특허 제 5,929,176호 및 제 6,090,526호에 개시되어 있다.
본 발명의 반사방지 조성물은 또한 하이드록실 또는 카복실레이트와 같은 극성 작용 그룹을 포함하는 수지 결합제를 갖는 레지스트를 비롯한 다른 포지티브 레지스트와 함께 사용될 수 있으며, 수지 결합제는 레지스트를 수성 알칼리 용액으로 현상시키기에 충분한 양으로 레지스트 조성물에 사용된다. 일반적으로 바람직한 레지스트 수지 결합제는 당업계에서 노보락 수지로 알려진 페놀 알데하이드 축합물, 알케닐 페놀의 호모 및 코폴리머와 N-하이드록시페닐-말레이미드의 호모 및 코폴리머를 포함한 페놀수지이다.
본 발명의 기본 코팅 조성물과 함께 사용하기에 바람직한 포지티브-작용성 포토레지스트는 하기 1) 내지 4) 그룹중에서 하나 이상의 수지 및 이미지화에 유효한 양의 포토애시드 발생제 화합물을 함유한다:
1) 248 nm에서 이미지화하기에 특히 적합한 화학적 증폭형 포지티브 레지스트를 제공할 수 있는 산-불안정성 그룹을 포함하는 페놀 수지.
이러한 류의 특히 바람직한 수지는 다음과 같다:
i) 비닐 페놀 및 알킬 아크릴레이트의 중합 단위를 함유하는 폴리머(여기에서, 중합 알킬 아크릴레이트 단위는 포토애시드의 존재하에서 탈블록킹 반응될 수 있다). 포토애시드-유도된 탈블록킹 반응을 거칠 수 있는 알킬 아크릴레이트의 예로 t-부틸 아크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 메틸아다만틸 아크릴레이트, 메틸아다만틸 메타크릴레이트, 및 포토애시드-유도된 반응을 거칠 수 있는 다른 비환식 알킬 및 알리사이클릭 아크릴레이트가 포함된다. 예를 들어 본 원에 참고로 인용된 미국 특허 제 6,042,997호 및 5,492,793호에 기술된 폴리머;
ii) 비닐 페놀, 하이드록시 또는 카복시 환 치환체를 함유하지 않는 임의로 치환된 비닐 페닐(예: 스티렌) 및 상기 i)의 폴리머에 대해 예시된 탈블록킹 그룹과 같은 알킬 아크릴레이트의 중합 단위를 함유하는 폴리머, 예를 들어 본 원에 참고로 인용된 미국 특허 제 6,042,997호에 기술된 폴리머; 및
iii) 포토애시드와 반응할 아세탈 또는 케탈 부분을 포함하는 반복 단위 및 임의로 페닐 또는 페놀 그룹과 같은 방향족 반복 단위를 함유하는 폴리머, 예를 들어 본 원에 참고로 인용된 미국 특허 제 5,929,176호 및 6,090,526호에 기술된 폴리머.
2) 페닐, 또는 서브-200 nm 파장, 예를 들어 193 nm에서 이미지화하기에 특히 적합한 화학적 증폭형 포지티브 레지스트를 제공할 수 있는 다른 방향족 그룹을 실질적으로 또는 전혀 함유하지 않는 수지.
이러한 류의 특히 바람직한 수지는 다음과 같다:
i) 예를 들어 임의로 치환된 노보넨과 같은 비방향족 사이클릭 올레핀(엔도사이클릭 이중결합)의 중합 단위를 함유하는 폴리머, 예를 들어 본 원에 참고로 인용된 미국 특허 제 5,843,624호 및 6,048,664호에 기술된 폴리머;
ii) 알킬 아크릴레이트 단위, 예를 들어 t-부틸 아크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 메틸아다만틸 아크릴레이트, 메틸아다만틸 메타크릴레이트, 및 다른 비환식 알킬 및 알리사이클릭 아크릴레이트를 함유하는 폴리머, 예를 들어 모두 본 원에 참고로 인용된 미국 특허 제 6,057,083호, 유럽 공개출원 EP01008913A1 및 EP00930542A1 및 미국의 계류중인 특허 출원 제 09/143,462호에 기술된 폴리머;
iii) 중합 무수물 단위, 특히 중합 무수 말레산 및/또는 무수 이타콘산 단위를 함유하는 폴리머, 예를 들어 본 원에 참고로 인용된 유럽 공개출원EP01008913A1 및 미국 특허 제 6,048,662호에 기술된 폴리머.
3) 헤테로원자, 특히 산소 및/또는 황(무수물 이외, 즉 단위는 케토 환 원자를 함유하지 않는다)을 함유하는 반복 단위를 가지며 어떠한 방향족 단위도 실질적으로 또는 전혀 갖지 않는 갖는 수지. 바람직하게, 헤테로알리사이클릭 단위는 수지 주쇄에 융합되며, 수지가 노보넨 그룹 및/또는 무수 말레산 또는 무수 이타콘산의 중합으로 제공된 것과 같은 무수물 단위가 중합하여 제공된 융합된 탄소 알리사이클릭 단위를 포함하는 것이 또한 바람직하다. 이러한 수지는 PCT/US01/14914 및 미국 출원 제 09/567,634호에 기술되어 있다.
4) 예를 들어, 테트라플루오로에틸렌, 불소화 방향족 그룹, 예컨대 플루오로-스티렌 화합물 등이 중합하여 제공될 수 있는 것과 같은 불소 치환체를 함유하는 수지(플루오로중합체). 이러한 수지의 예가 PCT/US99/21912에 기술되어 있다.
본 발명의 코팅 조성물상에 오버코팅된 포지티브 또는 네거티브 작용성 포토레지스트에 사용하기에 적합한 포토애시드 발생제로는 하기 화학식의 화합물과 같은 이미도설포네이트가 포함된다:
상기 식에서,
R은 캄포르, 아다만탄, 알킬(예를 들어 C1-12알킬), 및 퍼플루오로(C1-12알킬)과 같은 퍼플루오로알킬(특히 퍼플루오로옥탄설포네이트, 퍼플루오로노난설포네이트) 등이다.
특히 바람직한 PAG는 N-[(퍼플루오로옥탄설포닐)옥시]-5-노보넨-2,3-디카복스이미드이다.
본 발명의 코팅 조성물로 오버코팅된 레지스트의 경우 설포네이트 화합물, 특히 설포네이트 염이 또한 적합한 PAG이다. 193 ㎚ 및 248 ㎚ 이미지화에 적합한 두 가지 시약은 하기 PAG 1 및 2 이다:
이러한 설포네이트 화합물은 상기 PAG 1의 합성을 상세히 설명하고 있는 유럽 특허출원 제 96118111.2호(공개번호 0783136)에 기술된 바와 같이 제조될 수 있다.
상기-서술한 캄포르설포네이트 그룹 이외에 음이온과 복합된 상기 두 개의 요오도늄 화합물이 또한 적합하다. 특히, 바람직한 음이온은 화학식 RSO3-[여기서, R은 아다만탄, 알킬(예를 들어 C1-12알킬), 및 퍼플루오로(C1-12알킬)과 같은퍼플루오로알킬], 특히 퍼플루오로옥탄설포네이트, 퍼플루오로노난설포네이트 등인 것을 포함한다.
다른 공지된 PAG가 또한 본 발명의 레지스트에 사용될 수 있다.
본 발명의 코팅 조성물로 오버코팅된 포토레지스의 바람직한 임의의 첨가제는 현상된 레지스트 릴리프 이미지의 해상도를 향상시킬 수 있는 첨가 염기, 특히 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 또는 테트라부틸암모늄 락테이트이다. 193 ㎚에서 이미지화된 레지스트의 경우, 바람직한 첨가 염기는 디아자바이사이클로 운데센 또는 디아자바이사이클로노넨과 같은 입체장해(hindered) 아민이다. 첨가 염기는 비교적 소량, 예를 들어 총 고체에 대하여 약 0.03 내지 5 중량%으로 적절히 사용된다.
본 발명의 오버코팅된 코팅 조성물과 함께 사용하기에 바람직한 네거티브-작용성 레지스트 조성물은 산에 노출시 경화하거나 가교결합하거나 경질되는 물질과 포토애시드 발생제의 혼합물을 포함한다.
특히 바람직한 네거티브-작용성 레지스트 조성물은 페놀 수지와 같은 수지 결합제, 가교결합제 성분 및 본 발명의 광활성 성분을 포함한다. 이러한 조성물 및 그의 용도가 유럽 특허출원 제 0164248호 및 0232972호, 및 새커레이 (Thackeray) 등에 의한 미국 특허 제 5,128,232호에 기재되어 있다. 수지 결합제 성분으로서 사용하기에 바람직한 페놀 수지는 노보락 및 상기 언급된 바와 같은 폴리(비닐페놀)을 포함한다. 바람직한 가교결합제는 멜라민, 글리콜우릴을 포함한 아민계 물질, 벤조구아나민계 물질 및 우레아계 물질을 포함한다. 일반적으로,멜라민-포름알데하이드 수지가 가장 바람직하다. 이러한 가교결합제는 시판되고 있으며, 예로는 Cymel 300, 301 및 303의 상품명으로 아메리칸 시아나미드에 의해 판매되고 있는 멜라민 수지가 있다. 글리콜우릴 수지는 Cymel 1170, 1171, 1172, Powderlink 1174의 상품명으로 아메리칸 시아나미드에 의해 시판되고 있고, 우레아계 수지는 Beetle 60, 65 및 80의 상품명으로 시판되고 있으며, 벤조구아나민 수지는 Cymel 1123 및 1125의 상품명으로 시판되고 있다.
본 발명의 반사방지조성물과 함께 사용되는 레지스트의 적합한 포토애시드 발생제 화합물은 각각 본 원에 참고로 인용되는 미국특허 제 4,442,197호, 4,603,101호 및 4,624,912호에 개시된 것과 같은 오늄염; 및 새커레이 등에 의한 미국 특허 제 5,128,232호에서의 할로겐화 광활성 화합물 및 설폰화 에스테르 및 설포닐옥시 케톤을 포함한 설포네이트 포토애시드 발생제와 같은 비이온성 유기 광활성 화합물을 포함한다. 벤조인 토실레이트, t-부틸페닐 알파-(p-톨루엔설포닐옥시)-아세테이트 및 t-부틸 알파-(p-톨루엔설포닐옥시)-아세테이트를 포함한 적합한 설포네이트 PAG의 개시에 대해서는 문헌[J. of Photopolymer Science and Technology, 4(3): 337-340 (1991)]을 참조 바란다. 바람직한 설포네이트 PAG가 또한 신타(Sinta) 등에 의한 미국 특허 제 5,344,742 호에 개시되어 있다. 상기 캄포설포네이트 PAG 1 및 2가 또한 본 발명의 반사방지 조성물과 함께 사용되는 레지스트 조성물, 특히 본 발명의 화학-증폭형 레지스트에 대한 바람직한 포토애시드 발생제이다.
본 발명의 반사방지 조성물과 함께 사용하기 위한 포토레지스트는 또한 다른물질을 함유할 수 있다. 예를 들어, 다른 임의의 첨가제는 액티닉(actinic) 및 콘트라스트(contrast) 염료, 줄무늬 방지제(anti-striation agent), 가소제, 속도 향상제 등을 포함한다. 이러한 임의의 첨가제는 전형적으로 포토레지스트 조성물에 적은 농도로 존재할 것이나, 이중 충전제 및 염료는 비교적 상당한 농도, 예를 들면 레지스트 건조 성분의 총 중량에 대해 약 5 내지 50 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
"임의로 치환된" 다양한 치환체 및 물질(수지, 소형 분자 화합물, 산 발생제 등을 포함)은 하나이상의 가능한 위치에서, 예를 들어 할로겐(F, Cl, Br, I); 니트로; 하이드록시; 아미노; C1-8알킬과 같은 알킬; C2-8알케닐과 같은 알케닐; C1-8알킬아미노와 같은 알킬아미노; 페닐, 나프틸, 안트라세닐 등과 같은 카보사이클릭 아릴 등에 의해 적절히 치환될 수 있다.
사용시, 본 발명의 코팅 조성물은 스핀 코팅과 같은 다양한 방법에 의해 기판에 코팅 층으로 도포된다. 일반적으로, 코팅 조성물은 약 0.02 내지 0.5 ㎛의 건조층 두께, 바람직하게는 약 0.04 내지 0.20 ㎛의 건조층 두께로 기판상에 도포된다. 기판은 적합하게는 포토레지스트를 포함한 프로세스에 사용되는 기판이다. 예를 들어, 기판은 실리콘, 이산화규소 또는 알루미늄-알루미늄 옥사이드 마이크로일렉트로닉 웨이퍼일 수 있다. 갈륨 아르세나이드, 실리콘 카바이드, 세라믹, 석영 또는 구리 기판이 또한 사용될 수 있다. 액정 디스플레이 또는 다른 평판 디스플레이 응용에 사용되는 기판, 예를 들어 유리 기판, 인듐 틴 옥사이드가 코팅된기판 등이 또한 적절히 사용된다. 광학 및 광전자 장치(예 도파관)용 기판이 또한 사용될 수 있다.
바람직하게, 도포된 코팅 층은 포토레지스트 조성물이 반사방지 조성물위에 도포되기 전에 경화된다. 경화 조건은 반사방지 조성물의 성분에 따라 달라질 것이다. 특히, 경화 온도는 코팅 조성물에 사용되는 특정 산 또는 산 (열) 발생제에 따라 달라질 것이다. 전형적인 경화 조건은 약 80 내지 225 ℃에서 약 0.5 내지 40 분이다. 경화 조건은 바람직하게는 코팅 조성물의 코팅 층을 포토레지스트 용매 및 알칼리 현상 수용액에 실질적으로 용해되지 않도록 한다.
상기 경화 후, 포토레지스트를 코팅 조성물의 표면 위에 도포한다. 하부(bottom) 코팅 조성물의 도포와 함께, 오버코팅된 포토레지스트는 스피닝, 딥핑(dipping), 메니스커스(meniscus) 또는 롤러 코팅(roller coating)과 같은 표준 수단에 의해 도포될 수 있다. 도포후, 포토레지스트 코팅 층을 전형적으로 가열에 의해 바람직하게는 레지스트 층으로부터 점착성이 없어질 때까지 건조시켜 용매를 제거한다. 최선으로는, 하부 조성물 층과 오버코팅된 포토레지스트 층의 상호 혼합이 절대로 일어나지 않아야 한다.
그후, 레지스트 층을 종래의 방식으로 마스크를 통해 활성화 조사선에 의해 이미지화시킨다. 노광 에너지는 레지스트 시스템의 광활성 성분을 효과적으로 활성화시켜 레지스트 코팅 층에 패턴화 이미지를 제공할 만큼 충분하여야 한다. 전형적으로, 노광 에너지는 약 3 내지 300 mJ/㎠의 범위이며, 부분적으로 노광 도구(tool) 및 사용되는 특정 레지스트와 레지스트 처리에 따라 달라진다. 노광된 레지스트 층을, 필요하다면, 노광후 베이크(bake) 처리하여 코팅 층의 노광 영역과 비노광 영역 사이에 용해도 차이를 제공하거나 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 네거티브 산-경화 포토레지스트는 전형적으로 산-촉진된 가교결합 반응을 유도하는 노광후 가열을 필요로 하며, 많은 종류의 화학 증폭형 포지티브-작용성 레지스트는 산-촉진된 탈보호반응을 유도하도록 노광후 가열을 필요로 한다. 전형적으로, 노광후 베이크 조건은 약 50 ℃ 이상의 온도, 보다 구체적으로는 약 50 내지 약 160 ℃의 온도를 포함한다.
그후 노광된 레지스트 코팅 층을 바람직하게 수성 염기성 현상액, 예를 들어 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 중탄산나트륨, 소듐 실리케이트, 소듐 메타실리케이트, 수성 암모니아 등으로 예시되는 알칼리에 의해 현상한다. 또한, 유기 현상액이 사용될 수도 있다. 일반적으로, 현상은 당업계에서 인정한 방법에 따른다. 현상에 이어, 산-경화 포토레지스트의 최종 베이크를 때로 약 100 내지 약 150 ℃의 온도에서 수분동안 수행하여 현상된 노광 코팅 층 영역을 추가로 경화시킨다.
그후 현상된 기판은 포토레지스트가 벗겨진 기판 영역이 선택적으로 처리될 수 있으며, 예를 들어 당업계에 잘 알려진 방법에 따라 포토레지스트가 벗겨진 기판 영역을 화학적으로 에칭하거나 플레이팅한다. 적합한 에칭제는 불화수소산 에칭 용액 및 산소 플라즈마 에칭과 같은 플라즈마 가스 에칭을 포함한다. 플라즈마 가스 에칭은 반사방지 코팅 층을 제거한다.
이후 실시예가 본 발명을 설명하나, 이들로 한정되지 않는다. 본 발명에언급된 모든 문헌은 참고로 인용된다.
실시예 1-24: 수지 합성
하기 실시예 1 내지 16 각각에서, 모든 시약은 먼저 반응기에 첨가 순서를 거의 상관치 않고 반응기에 도입되었다. 반응 설비는 100 ㎖(실시예 1-3, 7, 8, 10, 12-16 및 20-24) 또는 250 ㎖(실시예 4-6, 9, 11, 17-19) 삼목 플라스크, 기계 교반기가 설치된 환저 플라스크, 온도 조절 박스, 온도 프로브, 가열 맨틀, 응축기, Dean-Stark 트랩 및 질소 퍼지 주입구(스위프(sweep))로 구성된다. 각 반응물은 하기 표 1에 제시된 시간 및 온도로 가열되었다. GPC는 하기 표 1에 제시된 모든 폴리머 샘플 및 용액에 수행되었다. Buchner 깔대기에서 여과에 의해 모든 고체 폴리머를 수집한 후, 공기 건조시키고, 진공중 40-70 ℃에서 건조시켰다. 단일 용기 제조의 경우, 용융 폴리머를 제제화에 유리한 용매에 용해시켰다. 용액 백분율은 이론적 수율에 대한 것이다.
실시예 1: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(12.48 g, 52.17 밀리몰), 디메틸 1,4-사이클로헥산디카복실레이트(4.91 g, 24.5 밀리몰), 디메틸 프탈레이트(2.34 g, 12.0 밀리몰), 디메틸 이소프탈레이트(2.34 g, 12.0 밀리몰), 이소소르바이드(5.86 g, 40.1 밀리몰), 글리세롤(2.81 g, 30.5 밀리몰), p-톨루엔설폰산 모노하이드레이트 (PTSA)(0.26 g, 1.4 밀리몰) 및 톨루엔(20 ㎖). 생성된 폴리머를 테트라하이드로푸란(THF)에 용해시키고, t-부틸메틸 에테르(MTBE)와 헥산의 혼합물에 침전시켜 11.6 g(42%)을 수득하였다.
실시예 2: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 이소프탈레이트(18.52 g, 95.37 밀리몰), 디메틸 프탈레이트(2.33 g, 12.0 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산 (15.63 g, 59.39 밀리몰), 글리세롤(4.80 g, 52.1 밀리몰) 및 PTSA(0.54 g, 2.8 밀리몰). 생성된 폴리머를 THF에 용해시켰다. 폴리머를 물, 이소프로판올(IPA) 또는 MTBE로부터 침전시킬 수 있다. 총 26 g(70%)의 폴리머를 수득하였다.
실시예 3: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(18.26 g, 76.34 밀리몰), 디메틸 이소프탈레이트(2.33 g, 12.0 밀리몰), 디메틸 프탈레이트(2.33 g, 12.0 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(15.91 g, 60.91 밀리몰), 글리세롤(5.58 g, 60.6 밀리몰) 및 PTSA(0.55 g, 2.9 밀리몰). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, MTBE에서 침전시켜 26 g(69%)을 수득하였다.
실시예 4: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(45.5 g, 190 밀리몰), 디메틸 이소프탈레이트(5.8 g, 30 밀리몰), 디메틸 프탈레이트(5.8 g, 30 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(39.2 g, 150 밀리몰), 글리세롤(14.3 g, 155 밀리몰) 및 PTSA(1.1 g, 5.8 밀리몰). 생성된 폴리머를 충분한 메틸 2-하이드록시이소부티레이트(HBM)에 용해시켜 9.5% 용액을 제조하였다.
실시예 5: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(58.7 g, 245 밀리몰), 글리세롤(27.1 g, 294 밀리몰) 및 파라-톨루엔 설폰산 모노하이드레이트(PTSA)(0.57 g, 3.0 밀리몰). 충분한 메틸 2-하이드록시이소부티레이트(HBM)을 첨가하여 11% 용액을 제조하였다.
실시예 6: 193 nm ARC 및 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 테레프탈레이트(48.5 g, 250 밀리몰), 에틸렌 글리콜(12.4 g, 200 밀리몰), 글리세롤(9.0 g, 100 밀리몰) 및 PTSA(0.54 g, 2.8 밀리몰). 충분한 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PMA)를 첨가하여 8% 용액을 제조하였다.
실시예 7: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 2,6-나프탈렌디카복실레이트(24.33 g, 99.63 밀리몰), 디메틸테레프탈레이트(19.44 g, 100.1 밀리몰), 에틸렌 글리콜(7.63 g, 123 밀리몰), 글리세롤(7.29 g, 79.2 밀리몰) 및 PTSA(0.46 g, 2.4 밀리몰). 생성된 폴리머를 HBM, 아니솔 및 메틸 2-메톡시이소부티레이트(MBM)의 용매 혼합물에 용해시켜 10% 용액을 제조하였다.
실시예 8: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 2,6-나프탈렌디카복실레이트(30.5 g, 125 밀리몰), 디메틸테레프탈레이트(14.5 g, 74.7 밀리몰), 에틸렌 글리콜(7.20 g, 116 밀리몰), 글리세롤(7.30 g, 79.3 밀리몰) 및 PTSA(0.47 g, 2.5 밀리몰). 생성된 폴리머를 아니솔과 테트라하이드로푸르푸릴 알콜의 혼합물에 용해시켜 10% 용액을 제조하였다.
실시예 9: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 2,6-나프탈렌디카복실레이트(47.70 g, 195.3 밀리몰), 디메틸테레프탈레이트(25.90 g, 133.4 밀리몰), 글리세롤(32.90 g, 357.2 밀리몰), PTSA(0.84 g, 4.4 밀리몰) 및 아니솔(36 g). 생성된 폴리머를 메틸 2-하이드록시이소부티레이트(HBM)과 아니솔의 용매 혼합물에 용해시켜 10% 용액을 제조하였다.
실시예 10: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 2,6-나프탈렌디카복실레이트(25.61 g, 104.8 밀리몰), 디메틸테레프탈레이트(13.58 g, 69.93 밀리몰), 글리세롤(16.72 g, 181.5 밀리몰), PTSA(0.45 g, 2.4 밀리몰) 및 아니솔(18.8 g). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, IPA에 침전시켜 36.9 g(83%)을 제조하였다.
실시예 11: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(31.78 g, 132.9 밀리몰), 디메틸 이소프탈레이트(4.09 g, 21.1 밀리몰), 디메틸 프탈레이트(4.10 g, 21.1 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(27.42 g, 105.0 밀리몰), 글리세롤(9.65 g, 105 밀리몰), PTSA(0.65 g, 3.4 밀리몰) 및 아니솔(25 g). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, MTBE에 침전시켜 47.2 g(72%)을 제조하였다.
실시예 12: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(16.7 g, 70.0 밀리몰), 디메틸 테레프탈레이트(34.9 g, 180 밀리몰), 에틸렌 글리콜(7.80 g, 126 밀리몰), 글리세롤(13.8 g, 150 밀리몰), PTSA(0.28 g, 1.5 밀리몰) 및 아니솔(8 g). 생성된 폴리머를 충분한 HBM에 용해시켜 10% 용액을 제조하였다.
실시예 13: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 나프탈렌디카복실레이트(16.82 g, 68.88 밀리몰), 디메틸 테레프탈레이트(8.91 g, 45.9 밀리몰), 글리세롤(10.99 g, 119 밀리몰), PTSA(0.44 g, 2.3 밀리몰) 및 아니솔(37 g). 생성된 폴리머를 HBM과 아니솔의 용매 혼합물에 용해시켜 6.5% 용액을 제조하였다. Buchner 깔대기에 통과시켜 잔류 모노머 내용물을 용액으로부터 여과하였다.
실시예 14: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 나프탈렌디카복실레이트(30.48 g, 124.8 밀리몰), 글리세롤 (11.96 g, 129.9 밀리몰), PTSA(0.69 g, 3.6 밀리몰) 및 아니솔(43 g). 생성된 폴리머를 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 알콜(PM)과 아니솔의 용매 혼합물에 용해시켜 18.4% 용액을 제조하였다.
실시예 15: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 나프탈렌디카복실레이트(32.46 g, 132.9 밀리몰), 디메틸 이소프탈레이트(3.20 g, 16.5 밀리몰), 디메틸 프탈레이트(3.25 g, 16.7 밀리몰), 글리세롤(15.96 g, 173.3 밀리몰), PTSA(0.44 g, 2.3 밀리몰) 및 아니솔(38 g). 생성된 폴리머를 PM과 아니솔의 용매 혼합물에 용해시켜 21.1% 용액을 제조하였다.
실시예 16: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 나프탈렌디카복실레이트(25.59 g, 104.7 밀리몰), 디메틸 테레프탈레이트(13.57 g, 69.88 밀리몰), 글리세롤(15.32 g, 166.3 밀리몰), 도데실벤젠설폰산(DDBSA)(0.91 g, 2.8 밀리몰) 및 아니솔(19 g). 생성된 폴리머를 PM과 아니솔의 용매 혼합물에 용해시켜 22.3% 용액을 제조하였다.
실시예 17: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 2,6-나프탈렌디카복실레이트(61.1 g, 250 밀리몰), 트리스(하이드록시메틸)에탄(30.0 g, 250 밀리몰), PTSA(10.2 g, 53.6 밀리몰) 및 아니솔(68 g). 생성된 폴리머를 HBM을 사용하여 25% 용액으로 희석한 후, IPA에서 침전시켜 64.1 g(85%)을 수득하였다.
실시예 18: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 테레프탈레이트(31.15 g, 16.04 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(46.09 g, 17.64 밀리몰), PTSA(1.35 g, 0.710 밀리몰) 및 아니솔(52 g). 생성된 폴리머를 HBM을 사용하여 25% 용액으로 희석한 후, IPA에서 침전시켜 45.3 g(67%)을 수득하였다.
실시예 19: 248 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(63.53 g, 265.6 밀리몰), 디메틸 이소프탈레이트(8.15 g, 42.0 밀리몰), 디메틸 프탈레이트(8.27 g, 42.6 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(54.90 g, 210.2 밀리몰), 글리세롤(19.32 g, 209.8 밀리몰) 및 PTSA(1.31 g, 6.89 밀리몰). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, MTBE에서 침전시켜 97.5 g(74%)을 수득하였다.
실시예 20: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(27.23 g, 113.8 밀리몰), 디메틸 이소프탈레이트(3.65 g, 18.8 밀리몰), 디메틸 프탈레이트(3.37 g, 17.4 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(43.12 g, 165.1 밀리몰) 및 PTSA(0.68 g, 3.6밀리몰). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, MTBE에서 침전시켜 62.6 g(92%)을 수득하였다.
실시예 21: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(35.80 g, 149.7 밀리몰), 1,3,5-트리스 (2-하이드록시에틸)시아누르산(43.07 g, 164.9 밀리몰) 및 PTSA(0.69 g, 3.6 밀리몰). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, IPA에서 침전시켜 53.2 g(77%)을 수득하였다.
실시예 22: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 니트로테레프탈레이트(11.08 g, 46.32 밀리몰), 디메틸 5-니트로이소프탈레이트(24.73 g, 103.4 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(43.06 g, 164.9 밀리몰) 및 PTSA(0.69 g, 3.6 밀리몰). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, IPA에서 침전시켜 53.4 g(77%)을 수득하였다.
실시예 23: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 테레프탈레이트(31.11 g, 160.2 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(45.80 g, 175.3 밀리몰) 및 PTSA(0.67 g, 3.5 밀리몰). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, MTBE에서 침전시켜 50.0 g(75%)을 수득하였다.
실시예 24: 193 nm ARC에 특히 적합한 폴리머
충전: 디메틸 프탈레이트(30.91 g, 159.2 밀리몰), 1,3,5-트리스(2-하이드록시에틸)시아누르산(46.06 g, 176.3 밀리몰) 및 PTSA(0.67 g, 3.5 밀리몰). 생성된 폴리머를 THF에 용해시키고, MTBE에서 침전시켜 51.1 g(76%)을 수득하였다.
실시예 25-41: 폴리머 평가
상기 언급된 실시예의 폴리머가 광밀도(OD)(하기 표 2 참조), 내용매성(하기 표 3 참조), 산화물 에칭율(하기 표 4 참조) 또는 광학적 파라미터(하기 표 5 참조)에 의해 추가로 특정화되었다. 실시예 25-41은 수행된 시험(들)과 관련하여 고유한 제제임을 설명하고 있다.
제시된 성분들을 도입 순서는 상관치 않고 깨끗한 병에 도입하여 제제화된 각 샘플을 제조하였다. 샘플을 완전히 용해될 때까지 진탕하거나 롤러상에 놓아 둔다. 그후, 각 샘플을 0.2 ㎛의 PTFE 막 필터에 통과시켜 깨끗한 병에 도입하였다.
제제화된 샘플로 스핀-코팅된 모든 웨이퍼(실리콘 또는 석영)의 경우, 스핀 시간은 30초이고, 스핀-속도는 대응되는 표에 제시된 바와 같이 다양하다. 이어서, 웨이퍼를 표에 제시된 온도에서 60 초간 열판(hotplate)상에서 베이킹하였다 (baked). 실리콘 웨이퍼상의 필름 두께를 엘립소메트리(ellipsometry)로 측정하였다.
일반적인 OD 결정법
OD 측정을 위해, 제제화된 샘플을 실리콘 및 석영 웨이퍼상에 코팅하였다. 실리콘상의 필름 두께를 측정하였다. 석영상의 필름 흡수율을 UV 스펙트로포토메트리(spectrophotometry)로 결정하였다. 흡수율을 블랭크 석영 웨이퍼에 대해 측정하였다. 두께 및 흡수율 측정으로부터, OD가 표 2에 제시된 대응 파장에서 계산되었다.
일반적인 내용매성 측정법
내용매성을 시험하기 위한 각 샘플 용액을 실리콘 웨이퍼상에 스핀-코팅하였다. 웨이퍼의 두께를 를 엘립소메트리로 측정하였다. 포토레지스트 업계에 일반적으로 사용되는 용매인 에틸 락테이트(EL)를 웨이퍼 표면상에 붓고 60초간 고정되도록 방치하였다. 그후, 웨이퍼를 4000 rpm에서 60 초간 스핀 건조하였다. 두께를 다시 측정하고, 차이를 하기 표 3에 나타내었다.
일반적인 에칭율 측정법
에칭율을 시험하기 위한 각 샘플 용액을 두개의 실리콘 웨이퍼상에 스핀-코팅하고, 필름 두께를 측정하였다. 그후, 필름을 30 초간 산화물 에칭(Honeywell)하였다. 이어서, 에칭된 필름의 두께를 측정하고, 차이를 평균내어 표 4에 기록된 에칭율을 얻었다.
일반적인 광학적 파라미터 측정법
광학적 파라미터를 시험하기 위한 각 샘플 용액을 실리콘 웨이퍼상에 스핀-코팅하였다. 엘립소메트리 기술을 응용하여 실(n) 및 허 (k) 굴절율을 결정하였다. 결과를 표 5에 나타내었다.
실시예 25
제제: 실시예 1에서 제조된 폴리머(1 g) 및 PM(19 g). 샘플의 OD를 조사하였다.
실시예 26
제제: 실시예 2에서 제조된 폴리머(1.237 g), 테트라메톡시글리콜우릴 가교결합제(TMG)(0.234 g), 가소제(0.301 g), PTSA(0.0054 g), 포토애시드 발생제(0.0090 g), 계면활성제(0.0126 g) 및 HBM(28.2 g). 샘플의 에칭율을 조사하였다.
실시예 27
제제: 실시예 2에서 제조된 폴리머(0.466 g), HBM(9.57 g), TMG(0.121 g) 및 PTSA(0.0075 g). 샘플의 내용매성, 에칭율 및 광학적 파라미터를 조사하였다.
실시예 28
제제: 실시예 3에서 제조된 폴리머(0.474 g), HBM(9.67 g), TMG(0.137 g) 및 PTSA(0.0070 g). 샘플의 내용매성, 에칭율 및 광학적 파라미터를 조사하였다.
실시예 29
제제: 실시예 4에서 제조된 폴리머 용액(4.28 g), HBM(5.62 g) 및 TMG(0.10g). 샘플의 OD 및 내용매성을 조사하였다.
실시예 30
제제: 실시예 5에서 제조된 폴리머 용액(3.66 g), HBM(6.25 g) 및 TMG(0.10 g). 샘플의 OD, 내용매성 및 광학적 파라미터를 조사하였다.
실시예 31
제제: 실시예 6에서 제조된 폴리머 용액(4.62 g), PMA(5.26 g) 및 TMG(0.12 g). 샘플의 OD, 내용매성, 에칭율 및 광학적 파라미터를 조사하였다.
실시예 32
제제: 실시예 5에서 제조된 폴리머 용액(4.00 g), 실시예 6에서 제조된 폴리머 용액(4.50 g), HBM(11.32 g) 및 TMG(0.20 g). 샘플의 OD, 내용매성, 에칭율 및 광학적 파라미터를 조사하였다.
실시예 33
제제: 실시예 7에서 제조된 폴리머 용액(7.99 g), TMG(0.20 g), HBM(1.8 g), PMA(5.0 g) 및 아니솔(5.0 g). 샘플의 OD 및 내용매성을 조사하였다.
실시예 34
제제: 실시예 8에서 제조된 폴리머 용액(8.02 g), TMG(0.20 g), 아니솔(8.19 g) 및 테트라하이드로푸르푸릴 알콜(3.60 g). 샘플의 OD 및 내용매성을 조사하였다.
실시예 35
제제: 실시예 9에서 제조된 폴리머 용액(4.00 g), HBM(20.90 g) 및 TMG(0.10 g). 샘플의 OD 및 내용매성을 조사하였다.
실시예 36
실시예 9에서 제조된 폴리머 용액(200 g)에 Amberlite IRN-150(5 g)을 첨가하였다. 샘플을 롤러상에 24 시간동안 놓아 둔 후, 여과에 의해 용액으로부터 이온-교환 수지를 제거하였다. 샘플(4.0 g)을 HBM(20 g) 및 TMG(0.10 g)와 함께 제제화하는데 사용하였다. 샘플의 내용매성을 조사하였다.
실시예 37
제제: 실시예 9에서 제조된 폴리머 용액(12.00 g), HBM(17.71 g) 및 TMG(0.30 g). 샘플의 에칭율을 조사하였다.
실시예 38
제제: 실시예 10에서 제조된 폴리머(0.400 g), 아니솔(6.13 g), 테트라하이드로푸르푸릴 알콜(8.09 g), HBM(10.29 g), PTSA(2.5 ㎎) 및 TMG(0.100 g). 샘플의 내용매성을 조사하였다.
실시예 39
제제: 실시예 12에서 제조된 폴리머 용액(12.0 g), HBM(7.4 g), TMG(0.6 g) 및 PTSA(60 ㎎). 샘플의 에칭율을 조사하였다.
실시예 40
제제: 실시예 14에서 제조된 폴리머 용액(4.8 g), PM(7.0 g), 아니솔(8.0 g) 및 TMG(0.24 g). 샘플의 에칭율을 조사하였다.
실시예 41
제제: 실시예 16에서 제조된 폴리머 용액(4.8 g), PM(12.4 g), 아니솔(2.6 g) 및 TMG(0.24 g). 샘플의 내용매성을 조사하였다.
실시예 42: ARC 제조 및 리소그래피 처리
본 발명의 ARC 조성물을 나프틸 및 테레프탈릴 그룹을 함유하는 저분자량 폴리에스테를 사용하여 단일용기 반응으로 제조하였다. ARC는 또한 가교결합제 성분(멜라민/벤조구아니민 가교결합제)을 함유한다.
70 중량% 메틸 2-하이드록시이소부티레이트 및 30 중량% 아니솔로 구성된 용매를 70 중량% 폴리머, 29.3 중량% 아니솔 및 0.7% p-톨루엔설폰산으로 구성된 따뜻한 폴리머 용융물에 첨가하여 70 중량% 메틸 2-하이드록시이소부티레이트 및 30 중량% 아니솔로 구성된 용매 혼합물중의 약 25 몰% 2,6-나프탈렌디카복실레이트 그룹, 25 몰% 테레프탈레이트 그룹, 50% 글리세롤 및 0.070% p-톨루엔설폰산으로 구성된 저 MW 폴리에스테르(MW 800)의 10 중량% 용액을 제조하였다. 그후, 이 10% 폴리머 용액을 반사방지 조성물을 제조하는데 사용하였다.
상기 10% 폴리머 용액 6.986 g, Cymel 1123 0.2 g, 헥사메톡시 멜라민 0.1g, R-08 계면활성제(DaiNippon Ink Co.) 0.0014 g을 1-메톡시-2-프로판올 13.654 g 및 메틸 2-하이드록시이소부티레이트 29.059 g에 용해시켜 반사방지 조성물을 제조하였다. 이어서, 용액을 0.1 마이크론 기공 크기의 Teflon 막을 통해 여과하여 깨끗한 병에 도입하였다.
반사방지 코팅을 150 mm 실리콘 웨이퍼상에 약 2000 rpm으로 스핀 코팅하고, Tel Mark 8 웨이퍼 코팅 트랙 머신을 사용하여 200 ℃, 근접(proximity) 열판상에서 베이킹하였다. 베이킹후 반사방지 필름 코팅 두께는 34 nm이었다.
이어서, ShinEtsu-551 딥-UV 포토레지스트를 반사반지 필름의 상부에 스핀 코팅하고, 110 ℃에서 60 초간 베이킹하여 410 nm 두께의 포토레지스트 필름을 수득하였다. 그후, 포토레지스트를 0.60 개구수(NA)(2/3 애뉼라 세팅(annular setting))를 갖는 248 nm KrF 웨이퍼 스테퍼를 사용하여 표적 마스크를 통해 노광하였다. 레지스트 필름을 115 ℃에서 60 초간 후-노광 베이킹한 후, Shipley MF CD-26 현상액(2.38% 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 수용액)을 사용하여 표준 60초 단일-퍼들(single-puddle) 과정으로 현상하였다.
60,000 배율의 주사 전자 현미경으로 레지스트 패턴의 질을 조사하였다. 결과는 레지스트와 반사방지 층 사이의 계면이 샤프하고 깨끗하며 패턴 충실성이 우수하였다. 레지스트 패턴은 반사 간섭 현상에 의해 야기되는 "정재파(standing wave)" 인위구조를 갖지 않는다. 반사방지 코팅사의 레지스트 패턴의 주사 전자 현미경 이미지(SEM)가 도 1에 나타나 있다. 이 SEM은 상기 제조된 실시예 34의 반사방지 조성물을 사용한 0.18 마이크론 1:1 라인:스페이스 패턴의 결과이다.
실리콘 웨이퍼상에 도포된 상기 제조된 실시예 42의 반사방지 층에 대한 실 및 허 굴절율을 엘립소메트리 기술을 이용하여 측정하였다. 실 굴절율은 n = 1.986이고, 허 굴절율은 k = 0.536이다.
상기 제조된 실시예 42의 반사방지 조성물에 대한 실 및 허 굴절율은 PROLITH 2 시뮬레이션 패키지(Finle Technology, division of ASML, The Netherlands)를 사용하여 포토레지스트내 반사방지 스택(stack)에 대해 248 nm에서 반사율을 계산하기 위한 입력 파라미터로 사용되었다. 결과는 두께 34 nm의 반사방지 필름을 사용하였을 때 반사율이 0.5%이었다.
실시예 43: ARC 제조 및 리소그래피 처리
본 발명의 ARC를 단일-용기 제조로 제조하였다. ARC는 나프틸 및 테레프탈릴 그룹을 갖는 적당한 분자량의 폴리에스테르 및 가교결합제(멜라민/글리콜우릴 가교결합제)를 함유한다.
상기 실시예 34의 10% 폴리머 용액 6.986 g, 테트라메톡시글리콜우릴 0.2 g, 헥사메톡시 멜라민 0.1 g, R-08 계면활성제(DaiNippon Ink Co.) 0.0014 g을 1-메톡시-2-프로판올 13.654 g 및 메틸 2-하이드록시이소부티레이트 29.059 g에 용해시켜 반사방지 조성물을 제조하였다.
반사방지 조성물을 상기 실시예 42와 동일한 방법으로 여과하여 리소그래피에 대해 시험하였다. 60,000 배율의 주사 전자 현미경으로 레지스트 패턴의 질을 조사하였다. 결과는 레지스트와 반사방지 층 사이의 계면이 샤프하고 깨끗하며패턴 충실성이 우수하였다. 레지스트 패턴은 반사 간섭 현상에 의해 야기되는 "정재파" 인위구조를 갖지 않는다. 반사방지 코팅상의 레지스트 패턴의 주사 전자 현미경 이미지(SEM)가 도 2에 나타나 있다. 이 SEM은 상기 제조된 실시예 43의 반사방지 조성물을 사용한 0.18 마이크론 1:1 라인:스페이스 패턴의 결과이다.
실리콘 웨이퍼상에 도포된 상기 제조된 실시예 43의 반사방지 층에 대한 실 및 허 굴절율을 엘립소메트리 기술을 이용하여 측정하였다. 실 굴절율은 n = 1.984이고, 허 굴절율은 k = 0.502이다.
상기 제조된 실시예 43의 반사방지 조성물에 대한 실 및 허 굴절율은 PROLITH 2 시뮬레이션 패키지(Finle Technology, division of ASML, The Netherlands)를 사용하여 포토레지스트내 반사방지 스택에 대해 248 nm에서 반사율을 계산하기 위한 입력 파라미터로 사용되었다. 결과는 두께 33 nm의 반사방지 필름을 사용하였을 때 반사율이 1.0%이었다.
실시예 44: ARC 제조 및 리소그래피 처리
나프틸 및 테레프탈릴 그룹을 갖는 폴리에스테르와 가교결합제(멜라민/벤조구아나민 가교결합제)를 혼합하여 본 발명의 ARC를 단일 용기 방법으로 제조하였다.
Mw가 3000으로 증가되고 반응 시간을 연장한 것을 제외하고 상기 실시예 1과 관련된 폴리머를 합성하였다. 70 중량% 메틸 2-하이드록시이소부티레이트 및 30 중량% 아니솔의 용매 혼합물중의 0.070 중량% p-톨루엔설폰산을 갖는 Mw 3000의 폴리에스테르의 10 중량% 용액을 상기 실시예 42와 동일한 방법으로 제조하였다.
상기 폴리머는 반사방지 조성물로 제제화되었을 때 실시예 42의 폴리머와 다소 상이한 용해성을 나타낸 것으로 밝혀졌다. 따라서, 본 발명자들은 용매 조성물을 조정하여 스핀하게 되면 결함이 실질적으로 없는 반사방지 조성물을 제공하는 균질 용액을 얻을 수 있음을 알아냈다. 이에 따라, 실시예 3의 10% 폴리머 용액 6.986 g, 테트라메톡시글리콜우릴 0.2 g, 헥사메톡시 멜라민 0.1 g, R-08 계면활성제 (DaiNippon Ink Co.) 0.0014 g을 1-메톡시-2-프로판올 22.05 g, 아니솔 4.90 g 및 메틸 2-하이드록시이소부티레이트 17.65 g에 용해시켜 반사방지 조성물을 제조하였다.
반사방지 조성물을 상기 실시예 42와 동일한 방법으로 여과하였다. 반사방지 필름 질을 KLA8100 "톱-다운(top-down)" 저전압 주사 전자 현미경 조사 도구로 조사하였다. 필름은 광학적 결합이 없으며 또한 조사 도구로 관찰될 수 있는 결함도 없었다.
반사방지 조성물을 실시예 42와 동일한 방법으로 리소그래피에 대해 시험하였다. 60,000 배율의 주사 전자 현미경으로 레지스트 패턴의 질을 조사하였다. 결과는 레지스트와 반사방지 층 사이의 계면이 샤프하고 깨끗하며 패턴 충실성이 우수하였다. 레지스트 패턴은 반사 간섭 현상에 의해 야기되는 "정재파" 인위구조를 갖지 않는다. 반사방지 코팅상의 레지스트 패턴의 주사 전자 현미경 이미지 (SEM)가 도 3에 나타나 있다. 이 SEM은 상기 제조된 실시예 44의 반사방지 조성물을 사용한 0.18 마이크론 1:1 라인:스페이스 패턴의 결과이다.
실리콘 웨이퍼상에 도포된 상기 제조된 실시예 44의 반사방지 층에 대한 실 및 허 굴절율을 엘립소메트리 기술을 이용하여 측정하였다. 실 굴절율은 n = 1.985이고, 허 굴절율은 k = 0.598이다.
실시예 45: ARC 제조 및 리소그래피 처리
나프틸 및 테레프탈릴 그룹을 함유하는 단일 용기 폴리에스테르와 멜라민/벤조구아나민 가교결합제 및 안트라세닐 아크릴레이트 폴리머의 혼합물로부터 ARC를 제조하여 평가하였다. 실시예 45d의 경우, ARC는 나프틸 그룹 및 트리스(하이드록시메틸)에탄을 포함하는 실시예 17의 폴리에스테르와 벤조구아나민 가교결합제 및 안트라세닐 아크릴레이트 폴리머로부터 제조되었다.
본 실시예에서, 폴리에스테르와 안트라센을 포함하는 아크릴레이트 폴리머를 반사방지 조성물에 혼합하였다. 즉, 23 몰% 9-안트라세닐 메틸렌 메타크릴레이트, 29 몰% 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트, 45.6 몰% 메틸 메타크릴레이트 및 2,4 몰% 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트로 구성된 Mw 160,000의 측쇄 아크릴레이트 폴리머와 실시예 3의 10 중량% 폴리에스테르 용액을 혼합하여 반사방지 조성물을 제조하였다. 따라서, 반사방지 조성물은 상기 언급된 폴리머를 사용하여 하기 표(건조 폴리머로서 g으로 표시된 중량)에 따라 제조되었다:
조성물 아크릴레이트폴리머 폴리에스테르 Cymel 1123 헥사메톡시멜라민 p-톨루엔설폰산 아니솔 1-메톡시-2-프로판올 R-08 메틸2-하이드록시이소부티레이트
45a 0 0.699 0.200 0.100 0.007 4.90 22.05 0.0014 22.05
45b 0.489 0.210 0.200 0.100 0.007 4.90 22.05 0.0014 22.05
45c 0.349 0.349 0.200 0.100 0.007 4.90 22.05 0.0014 22.05
실리콘 웨이퍼상에 도포된 상기 제조된 실시예 45의 반사방지 층에 대한 실 및 허 굴절율(n 및 k)을 엘립소메트리 기술을 이용하여 측정하였다. 실 및 허 굴절율은 반사를 최소화하는 최적의 반사방지 두께를 결정하기 위해, PROLITH 2 시뮬레이션 패키지(Finle Technology, division of ASML, The Netherlands)를 사용하여 포토레지스트내 반사방지 스택에 대해 248 nm에서 반사율을 계산하기 위한 입력 파라미터로 사용되었다. 결과는 다음과 같다:
조성물 실 지수 n 허 지수 k 반사를 최소화하는 두께
45a 1.9489 0.5885 33 nm
45b 1.8042 0.5496 39 nm
45c 1.7359 0.5092 43 nm
45d 1.82 0.59 40 nm
반사방지 코팅 45a 내지 45c를 200 mm 실리콘 웨이퍼상에 약 2000 rpm으로 스핀 코팅하고, Tel Mark 8 웨이퍼 코팅 트랙 머신을 사용하여 200 ℃, 근접 열판상에서 베이킹하였다. 베이킹후 반사방지 필름 코팅 두께는 34 nm이었다. 이어서, ShinEtsu-551 딥-UV 포토레지스트를 반사반지 필름의 상부에 스핀 코팅하고, 90 ℃에서 60 초간 베이킹하여 600 nm 두께의 포토레지스트 필름을 수득하였다. 그후, 포토레지스트를 0.60 NA를 갖는 248 nm KrF 웨이퍼 스테퍼를 사용하여 표적 마스크를 통해 노광하였다. 레지스트 필름을 110 ℃에서 60 초간 후-노광 베이킹한 후, Shipley MF CD-26 현상액(2.38% 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 수용액)을 사용하여 표준 60초 단일-퍼들 과정으로 현상하였다.
반사방지제상의 1:1 180 nm L:S 패턴의 주사 전자 현미경 결과를 도 4에 나타내었다. 실시예 45a 내지 45c의 릴리프 이미지는 모두 레지스트:반사방지제 계면에서 "푸팅" 또는 언더커팅(undercutting) 없이 우수한 패턴 충실성을 나타내었다.
실시예 46: ARC 제조 및 리소그래피 처리
다량의 나프토에이트 그룹을 함유하는 폴리에스테르로부터 ARC를 제조하여 평가하였다.
폴리에스테르 폴리머내 2,6-나프탈렌디카복시레이트 그룹의 농도가 증가한 것을 제외하고 상기 실시예 45와 유사한 폴리머를 합성하였다. 반사방지 조성물을 이들 폴리머로부터 제조하고, 상기 실시예 45와 유사한 방법으로 테스트하였다. 결과는 다음과 같다:
실시예 Mw 실 지수 n 허 지수 k 레지스트:반사방지제 계면의리소그래피 결과
45a 3000 2.012 0.5946 깨끗한 계면, 푸팅 없음
45b 3000 2.059 0.5749 깨끗한 계면, 푸팅 없음
상기 결과로부터 2,6-나프탈렌디카복실레이트를 고농도로 함유하는 폴리머는 또한 고성능 반사방지 코팅을 제공할 것임을 알 수 있다.
실시예 47: 193 nm에 특히 적합한 ARC
폴리에스테르 폴리머를 사용하여 193 nm 반사 조절용 조성물을 제조하였다. 폴리에스테르는 디메틸니트로테레프탈레이트, 1,3,5-트리스하이드록시에틸시아누르산, 디메틸이소프탈레이트, 디메틸프탈레이트 및 글리세롤의 열 축합 반응으로 제조되었다. 반사방지 조성물은 2.6% 폴리에스테르 폴리머 GW3488-13, 0.75% 테트라메톡시글리콜우릴(Cytec), 0.041% Nacure 5225(King Ind.) 및 96.6% 메틸-2-하이드록시이소부티레이트(Aldrich)를 포함한다. 조성물을 0.2 ㎛ 필터를 통해 여과하였다.
제조된 반사방지 조성물을 스핀 코터에 의해 실리콘 웨이퍼상에 코팅하고, 215 ℃의 온도에서 60 초간 열판상에서 가열하였다. 81 nm의 균일한 두께의 가교결합된 유기 필름이 수득되었다. 포지티브 작용성 193 nm 포토레지스트(Shipley Company TS10)를 가교결합된 유기 반사방지 필름 상부에 스핀 코팅하였다; 그후, 포토레지스트 필름을 120 ℃의 온도에서 60 초간 열판상에서 가열하였다. 포토레지스트를 NA가 0.60 이고 부분 간섭성이 0.70인 GCA 193 nm 스테퍼에서 패턴화된 193 nm 조사선에 노광시켰다. 노광후, 포토레지스트를 120 ℃의 온도에서 60 초간 열판상에서 가열하였다. 이어서, 포토레지스트를 테트라메틸암모늄 하이드록사이드의 0.26N 수용액과 접촉시켰다. 60 초후, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 용액을 증류 탈염수로 웨이퍼로부터 세정해 내고 웨이퍼를 스핀 건조시켰다. 라인 및 스페이스 패턴이 얻어졌다.
실시예 48: 193 nm에 특히 적합한 ARC
디메틸니트로테레프탈레이트, 디메틸테레프탈레이트, 에틸렌 글리콜 및 글리세롤을 열 축합 반응시켜 제조된 폴리에스테르 폴리머를 사용하여 193 nm 반사 조절용 조성물을 제조하였다. 반사방지 조성물은 3.06 중량% 폴리에스테르 폴리머,0.80 중량% 테트라메톡시글리콜우릴(Cytec), 0.14 중량% p-톨루엔설폰산(Aldrich) 및 96.0 중량% 메틸-2-하이드록시이소부티레이트를 혼합하여 제조된다. 퍼센트는 조성물의 총 중량에 기준한다. 조성물을 0.2 ㎛ 필터를 통해 여과하였다.
반사방지 조성물을 스핀 코터에 의해 실리콘 웨이퍼상에 코팅하고, 215 ℃의 온도에서 60 초간 열판상에서 가열하였다. 82 nm의 균일한 두께의 가교결합된 유기 필름이 수득되었다. 포지티브 작용성 193 nm 포토레지스트(Shipley Company TS10)를 가교결합된 유기 반사방지 필름 상부에 스핀 코팅하였다; 그후, 포토레지스트 필름을 120 ℃의 온도에서 60 초간 열판상에서 가열하였다. 포토레지스트를 NA가 0.60 이고 부분 간섭성이 0.70인 GCA 193 nm 스테퍼에서 패턴화된 193 nm 조사선에 노광시켰다. 노광후, 포토레지스트를 120 ℃의 온도에서 60 초간 열판상에서 가열하였다. 이어서, 포토레지스트를 테트라메틸암모늄 하이드록사이드의 0.26N 수용액과 접촉시켰다. 60 초후, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 용액을 증류 탈염수로 웨이퍼로부터 세정해 내고 웨이퍼를 스핀 건조시켰다. 라인 및 스페이스 패턴이 얻어졌다.
리소그래피 결과
193 nm 조사선으로 패턴화된 웨이퍼의 단면을 절단하고, 주사 전자 현미경(SEM)으로 조사하였다. 150 nm 피쳐(feature) 크기에서 조밀(dense) 라인 및 스페이스 패턴과 분리된 라인 패턴을 "정재파"(노광후 반사광 간섭을 변조하는 포토애시드 농도에 의해 레지스트 측벽에 얼룩)를 포함한 프로파일 결함에 대해 평가하였다. 실시예 45 또는 실시예 46의 반사방지 조성물상에 패턴화된 레지스트 피쳐에서는 정재파가 관찰되지 않았다.
AR 코팅 레지스트 E사이즈(150 nm 1:1) 결과
실시예 45 TS10 24 mJ/㎠ 정재파 없음
실시예 46 TS10 24 mJ/㎠ 정재파 없음
실시예 49-54: 반사방지 코팅 제제 및 특정화
상기 실시예의 반사방지 코팅 조성물을 광밀도(OD), 193 nm에서 광학적 성질, 산화물 에칭율 및 리소그래피 성질에 대해 특정화하였다(표 6, 도 5 참조).
제시된 성분들을 깨끗한 병에 도입하여 테스트용 샘플을 제조하였다. 샘플을 완전히 용해될 때까지 진탕하거나 롤러상에 놓아 두었다. 그후, 각 샘플을 0.2 ㎛의 PTFE 막 필터에 통과시켜 깨끗한 병에 도입하였다. 웨이퍼(실리콘 또는 석영)를 제제화된 샘플로 30-60 초의 스핀 시간동안 스핀-코팅하며; 이때 스핀-속도는 40-120 nm의 필름 두께를 얻기 위하여 필요에 따라 변화시킨다. 이어서, 스핀-코팅된 웨이퍼를 215 ℃의 온도에서 60 초간 열판상에서 베이킹하였다. 필름 두께를 엘립소메트리로 측정하였다.
일반적인 OD 결정법
샘플을 실리콘 및 석영 웨이퍼상에 스핀-코팅하였다. 실리콘상의 필름 두께를 석영 웨이퍼상의 필름 두께에 대한 대용으로 측정하였다. 비코팅된 석영 웨이퍼에 대한 석영상의 필름 흡수율을 UV 스펙트로포토메트리에 의해 193 nm에서 결정하였다. 제제의 OD를 필름 두께 및 흡수율 측정치를 이용하여 산정하였다(표 6 참조).
일반적인 광학적 파라미터 측정법
제제화된 샘플을 실리콘 웨이퍼상에 스핀-코팅하였다. 엘립소메트리 기술을 응용하여 193 nm에서 실(n) 및 허 (k) 굴절율을 결정하였다(표 6 참조).
일반적인 에칭율 측정법
제제화된 샘플을 실리콘 웨이퍼상에 스핀-코팅하였다. 엘립소메트리를 사용하여 필름 두께를 측정하였다. 이어서, 필름을 30-60 초간 산화물 에칭(C4F8/O2/CO/Ar)하였다. 에칭된 필름의 두께를 재측정하고, 벌크 에칭율을 계산하였다(표 6 참조).
일반적인 리소그래피 평가 방법
실시예 50-54의 반사방지 코팅을 150 mm 실리콘 웨이퍼상에 약 2000-3000 rpm으로 스핀 코팅하고, FSI Polaris 2200 웨이퍼 코팅 트랙 머신을 사용하여 215 ℃, 근접 열판상에서 베이킹하였다. 베이킹후 반사방지 필름 코팅 두께는 80-82 nm이었다. 이어서, 193 nm 포토레지스트를 반사반지 필름 상부에 스핀 코팅하고, 120 ℃에서 90 초간 베이킹하여 330 nm 두께의 포토레지스트 필름을 수득하였다.그후, 포토레지스트를 0.60 NA 및 0.70 부분 감섭성을 갖는 193 nm ArF 웨이퍼 스테퍼를 사용하여 표적 마스크를 통해 노광하였다. 노광된 레지스트 필름을 120 ℃에서 60 초간 후-노광 베이킹한 후, 시판 현상액(2.38% 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 수용액)을 사용하여 표준 60초 단일-퍼들 과정으로 현상하였다.
75,000 배율의 주사 전자 현미경(SEM)으로 레지스트 패턴의 질을 조사하였다. SEM 이미지는 레지스트와 반사방지 층 사이의 계면이 샤프하고 깨끗하며 패턴 충실성이 우수한 것으로 나타났다. 레지스트 패턴은 반사 간섭 현상에 의해 야기되는 "정재파" 인위구조를 갖지 않는다. 실시예 49-53의 반사방지 코팅상의 140 nm 1:1 라인:스페이스 레지스트 패턴의 SEM 이미지가 도 5에 나타나 있다.
실시예 46의 반사방지 조성물에 대한 실 및 허 굴절율은 PROLITH 2 시뮬레이션 패키지(Finle Technology, division of ASML, The Netherlands)를 사용하여 포토레지스트내 반사방지 스택(stack)에 대해 193 nm에서 반사율을 계산하기 위한 입력 파라미터로 사용되었다. 시뮬레이션 결과는 두께 80 nm의 실시예 49 반사방지 필름을 사용하였을 때 반사율이 0.9%인 것으로 나타났다.
상기 본 발명의 설명은 단지 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐이며, 이후 청구범위에 기술된 본 발명의 내용 또는 영역을 벗어남이 없이 수정 및 변형될 수 있다.

Claims (148)

  1. 폴리에스테르 수지를 함유하는 반사방지 조성물 층; 및 반사방지 조성물 층상의 포토레지스트 층을 포함하는 코팅 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 방향족 그룹을 포함하는 기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 펜던트(pendant) 그룹으로서 방향족 그룹을 포함하는 기판.
  4. 제 1 항 또는 3 항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 수지의 주쇄(backbone) 단위로서 방향족 그룹을 포함하는 기판.
  5. 제 2 항 내지 4 항중 어느 한항에 있어서, 방향족 그룹이 카보사이클릭 아릴 그룹인 기판.
  6. 제 5 항에 있어서, 카보사이클릭 아릴 그룹이 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸 또는 임의로 치환된 안트라센인 기판.
  7. 제 1 항 내지 6 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 기판.
  8. 제 1 항 내지 6 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 카보사이클릭 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 기판.
  9. 제 1 항 내지 6 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 페닐 디카복실레이트 그룹 또는 임의로 치환된 나프틸 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 기판.
  10. 제 1 항 내지 9 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 글리세롤 그룹을 포함하는 기판.
  11. 제 1 항 내지 9 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 트리하이드록시시아누레이트 그룹을 포함하는 기판.
  12. 제 1 항 내지 11 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물 층이 가교결합제(crosslinker) 성분을 추가로 포함하는 기판.
  13. 제 1 항 내지 12 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 가교결합된 기판.
  14. 제 1 항 내지 13 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 산 또는 산 발생제 화합물을 추가로 포함하는 기판.
  15. 제 1 항 내지 14 항중 어느 한항에 있어서, 수지 주쇄가 에스테르 반복 단위를 포함하는 기판.
  16. 제 1 항 내지 15 항중 어느 한항에 있어서, 수지의 에스테르 반복 단위가 방향족 부분을 포함하는 기판.
  17. 제 16 항에 있어서, 방향족 부분이 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸 및 임의로 치환된 안트라세닐로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 그룹인 기판.
  18. 제 1 항 내지 17 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 코폴리머인 기판.
  19. 제 1 항 내지 17 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 터폴리머인 기판.
  20. 제 1 항 내지 17 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 테트라폴리머인 기판.
  21. 제 1 항 내지 20 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 아크릴레이트 단위를 포함하는 기판.
  22. 제 1 항 내지 21 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 에스테르 단위 이외의 반복 단위상에 발색단 그룹을 포함하는 기판.
  23. 제 1 항 내지 22 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 폴리에스테르 수지가 아닌 다른 물질내에 존재하는 발색단 그룹을 포함하는 기판.
  24. 제 1 항 내지 23 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 층이 임의로 치환된 안트라세닐, 임의로 치환된 나프틸렌 또는 임의로 치환된 페닐 그룹을 포함하는 기판.
  25. 제 1 항 내지 24 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 폴리에스테르 수지와 상이한 추가의 수지를 포함하는 기판.
  26. 제 1 항 내지 25 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지 또는 추가의상이한 수지가 약 30,000 보다 큰 중량 평균 분자량을 갖는 기판.
  27. 제 1 항 내지 25 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 가소제 물질을 포함하는 기판.
  28. 제 1 항 내지 27 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 하나 이상의 옥시이소부티르산 에스테르를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된 기판.
  29. 제 1 항 내지 27 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 메틸-2-하이드록시이소부티레이트를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된 기판.
  30. 제 1 항 내지 29 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 조성물이 화학-증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물인 기판.
  31. 제 1 항 내지 29 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 조성물이 네거티브 레지스트인 기판.
  32. 제 1 항 내지 31 항중 어느 한항에 있어서, 마이크로일렉트로닉 웨이퍼 기판인 기판.
  33. 두개 이상의 하이드록시 그룹을 포함하는 물질로부터 수득된 수지를 갖는 반사방지 조성물 층; 및 반사방지 조성물 층상의 포토레지스트 층을 포함하는 코팅 기판.
  34. 제 33 항에 있어서, 수지에 혼입된 물질이 다중 하이드록시 그룹을 갖는 반복 단위를 제공하는 기판.
  35. 제 33 항 또는 34 항에 있어서, 물질이 디올인 기판.
  36. 제 33 항 또는 34 항에 있어서, 물질이 트리올인 기판.
  37. 제 33 항 또는 34 항에 있어서, 물질이 테트라올인 기판.
  38. 제 33 항 내지 37 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 폴리에스테르인 기판.
  39. 제 33 항 내지 38 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 펜던트 그룹으로서 방향족 그룹을 포함하는 기판.
  40. 제 33 항 내지 38 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 수지의 주쇄 단위로서 방향족 그룹을 포함하는 기판.
  41. 제 39 항 또는 40 항에 있어서, 방향족 그룹이 카보사이클릭 아릴 그룹인 기판.
  42. 제 41 항에 있어서, 카보사이클릭 아릴 그룹이 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸 또는 임의로 치환된 안트라센인 기판.
  43. 제 33 항 내지 42 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 기판.
  44. 제 33 항 내지 42 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 카보사이클릭 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 기판.
  45. 제 33 항 내지 44 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 페닐 디카복실레이트 그룹 또는 임의로 치환된 나프틸 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 기판.
  46. 제 33 항 내지 45 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 글리세롤 또는 트리하이드록시시아누레이트 그룹을 포함하는 기판.
  47. 제 33 항 내지 46 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물 층이 가교결합제 성분을 추가로 포함하는 기판.
  48. 제 33 항 내지 47 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 가교결합된 기판.
  49. 제 33 항 내지 48 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 산 또는 산 발생제 화합물을 추가로 포함하는 기판.
  50. 제 33 항 내지 49 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 층이 임의로 치환된 안트라세닐, 임의로 치환된 나프틸렌 또는 임의로 치환된 페닐 그룹을 포함하는 기판.
  51. 제 33 항 내지 50 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 다중-하이드록시 물질로부터 형성된 수지와 상이한 추가의 수지를 포함하는 기판.
  52. 제 33 항 내지 51 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 가소제 물질을 포함하는 기판.
  53. 제 33 항 내지 52 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 하나 이상의옥시이소부티르산 에스테르를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된 기판.
  54. 제 33 항 내지 52 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 메틸-2-하이드록시이소부티레이트를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된 기판.
  55. 제 33 항 내지 54 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 조성물이 화학-증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물인 기판.
  56. 제 33 항 내지 55 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 조성물이 네거티브 레지스트인 기판.
  57. 제 33 항 내지 56 항중 어느 한항에 있어서, 마이크로일렉트로닉 웨이퍼 기판인 기판.
  58. 폴리에스테르 수지를 포함하는 반사방지 조성물을 기판상에 도포하고;
    포토레지스트 조성물 층을 반사방지 조성물 층상에 도포하며;
    포토레지스트 층을 노광하고 현상하여 레지스트 릴리프(relief) 이미지를 제공하는 것을 포함함을 특징으로 하여 포토레지스트 릴리프 이미지를 형성하는 방법.
  59. 제 58 항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 방향족 그룹을 포함하는 방법.
  60. 제 58 항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 펜던트 그룹으로서 방향족 그룹을 포함하는 방법.
  61. 제 58 항 내지 60 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 수지의 주쇄 단위로서 방향족 그룹을 포함하는 방법.
  62. 제 58 항 내지 61 항중 어느 한항에 있어서, 방향족 그룹이 카보사이클릭 아릴 그룹인 방법.
  63. 제 62 항에 있어서, 카보사이클릭 아릴 그룹이 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸 또는 임의로 치환된 안트라센인 방법.
  64. 제 58 항 내지 63 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 방법.
  65. 제 58 항 내지 63 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 카보사이클릭 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 방법.
  66. 제 58 항 내지 65 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 페닐 디카복실레이트 그룹 또는 임의로 치환된 나프틸 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 방법.
  67. 제 58 항 내지 66 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 중합된 글리세롤 그룹을 포함하는 방법.
  68. 제 58 항 내지 67 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 중합된 트리하이드록시시아누레이트 그룹을 포함하는 방법.
  69. 제 58 항 내지 68 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 가교결합제 성분을 추가로 포함하는 방법.
  70. 제 58 항 내지 69 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 포토레지스트의 도포전에 가교결합되는 방법.
  71. 제 58 항 내지 70 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 층을 약 300 ㎚ 미만의 파장을 갖는 조사선으로 노광시키는 방법.
  72. 제 58 항 내지 70 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 층을 약 200 ㎚미만의 파장을 갖는 조사선으로 노광시키는 방법.
  73. 제 58 항 내지 제 70 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 층을 약 248 ㎚의 파장을 갖는 조사선으로 노광시키는 방법.
  74. 제 58 항 내지 70 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 층을 약 193 ㎚의 파장을 갖는 조사선으로 노광시키는 방법.
  75. 제 58 항 내지 74 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 산 또는 산 발생제 화합물을 추가로 포함하는 방법.
  76. 제 58 항 내지 75 항중 어느 한항에 있어서, 수지 주쇄가 에스테르 반복 단위를 포함하는 방법.
  77. 제 58 항 내지 76 항중 어느 한에 있어서, 수지의 에스테르 반복 단위가 방향족 부분을 포함하는 방법.
  78. 제 77 항에 있어서, 방향족 부분이 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸 및 임의로 치환된 안트라세닐로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 그룹인 방법.
  79. 제 58 항 내지 78 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 코폴리머인 방법.
  80. 제 58 항 내지 78 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 터폴리머인 방법.
  81. 제 58 항 내지 78 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 테트라폴리머인 방법.
  82. 제 58 항 내지 81 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 아크릴레이트 단위를 포함하는 방법.
  83. 제 58 항 내지 82 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 에스테르 단위 이외에, 발색단 그룹을 함유하는 반복 단위를 포함하는 방법.
  84. 제 58 항 내지 83 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 폴리에스테르 수지가 아닌 다른 물질내에 존재하는 발색단 그룹을 포함하는 방법.
  85. 제 85 항 내지 84 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 층이 임의로 치환된안트라세닐, 임의로 치환된 나프틸렌 또는 임의로 치환된 페닐 그룹을 포함하는 방법.
  86. 제 58 항 내지 85 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 폴리에스테르 수지와 상이한 추가의 수지를 포함하는 방법.
  87. 제 58 항 내지 86 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지 또는 추가의 상이한 수지가 약 30,000 보다 큰 중량 평균 분자량을 갖는 방법.
  88. 제 58 항 내지 87 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 가소제 물질을 포함하는 방법.
  89. 제 58 항 내지 88 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 하나 이상의 옥시이소부티르산 에스테르를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된 방법.
  90. 제 58 항 내지 89 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 메틸-2-하이드록시이소부티레이트를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된 방법.
  91. 제 58 항 내지 90 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 조성물이 화학-증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물인 방법.
  92. 제 58 항 내지 90 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 조성물이 네거티브 레지스트인 방법.
  93. 제 58 항 내지 92 항중 어느 한항에 있어서, 기판이 마이크로일렉트로닉 웨이퍼 기판인 방법.
  94. 두개 이상의 하이드록시 그룹을 포함하는 물질로부터 수득된 수지를 갖는 반사방지 조성물을 기판상에 도포하고;
    포토레지스트 조성물 층을 반사방지 조성물 층상에 도포하며;
    포토레지스트 층을 노광하고 현상하여 레지스트 릴리프 이미지를 제공하는 것을 포함하여 포토레지스트 릴리프 이미지를 형성하는 방법.
  95. 제 94 항에 있어서, 수지에 혼입된 물질이 다중 하이드록시 그룹을 갖는 반복 단위를 제공하는 방법.
  96. 제 94 항 또는 95 항에 있어서, 물질이 디올인 방법.
  97. 제 94 항 또는 95 항에 있어서, 물질이 트리올인 방법.
  98. 제 94 항 또는 95 항에 있어서, 물질이 테트라올인 방법.
  99. 제 94 항 내지 98 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 폴리에스테르인 방법.
  100. 제 94 항 내지 99 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 펜던트 그룹으로서 방향족 그룹을 포함하는 방법.
  101. 제 94 항 내지 100 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 수지의 주쇄 단위로서 방향족 그룹을 포함하는 방법.
  102. 제 100 항 또는 101 항에 있어서, 방향족 그룹이 카보사이클릭 아릴 그룹인 방법.
  103. 제 102 항에 있어서, 카보사이클릭 아릴 그룹이 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸 또는 임의로 치환된 안트라센인 방법.
  104. 제 94 항 내지 103 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 방법.
  105. 제 94 항 내지 104 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 카보사이클릭 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 방법.
  106. 제 94 항 내지 105 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 임의로 치환된 페닐 디카복실레이트 그룹 또는 임의로 치환된 나프틸 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 방법.
  107. 제 94 항 내지 106 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 글리세롤 또는 트리하이드록시시아누레이트 그룹을 포함하는 방법.
  108. 제 94 항 내지 107 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물 층이 가교결합제 성분을 추가로 포함하는 방법.
  109. 제 94 항 내지 108 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 가교결합된 방법.
  110. 제 94 항 내지 109 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 산 또는 산 발생제 화합물을 추가로 포함하는 방법.
  111. 제 94 항 내지 110 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 층이 임의로 치환된 안트라세닐, 임의로 치환된 나프틸렌 또는 임의로 치환된 페닐 그룹을 포함하는 방법.
  112. 제 94 항 내지 111 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 다중-하이드록시 물질로부터 형성된 수지와 상이한 추가의 수지를 포함하는 방법.
  113. 제 94 항 내지 112 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 가소제 물질을 포함하는 방법.
  114. 제 94 항 내지 113 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 하나 이상의 옥시이소부티르산 에스테르를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된 방법.
  115. 제 94 항 내지 113 항중 어느 한항에 있어서, 반사방지 조성물이 메틸-2-하이드록시이소부티레이트를 포함하는 용매 성분과 함께 제제화된 방법.
  116. 제 94 항 내지 115 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 조성물이 화학-증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물인 방법.
  117. 제 94 항 내지 115 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 조성물이 네거티브 레지스트인 방법.
  118. 제 94 항 내지 117 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 층을 약 300 ㎚ 미만의 파장을 갖는 조사선으로 노광시키는 방법.
  119. 제 94 항 내지 117 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 층을 약 200 ㎚ 미만의 파장을 갖는 조사선으로 노광시키는 방법.
  120. 제 94 항 내지 117 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 층을 약 248 ㎚의 파장을 갖는 조사선으로 노광시키는 방법.
  121. 제 94 항 내지 117 항중 어느 한항에 있어서, 포토레지스트 층을 약 193 ㎚의 파장을 갖는 조사선으로 노광시키는 방법.
  122. 폴리에스테르 수지; 산 또는 산 발생제 화합물; 및 가교결합제 화합물을 포함하는 반사방지 코팅 조성물.
  123. 제 122 항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 방향족 그룹을 포함하는 조성물.
  124. 제 122 항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 펜던트 그룹으로서 방향족 그룹을 포함하는 조성물.
  125. 제 122 항 내지 124 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지가 수지의 주쇄 단위로서 방향족 그룹을 포함하는 조성물.
  126. 제 123 항 내지 125 항중 어느 한항에 있어서, 방향족 그룹이 카보사이클릭 아릴 그룹인 조성물.
  127. 제 126 항에 있어서, 카보사이클릭 아릴 그룹이 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 나프틸 또는 임의로 치환된 안트라센인 조성물.
  128. 제 122 항 내지 127 항중 어느 한항에 있어서, 임의로 치환된 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 조성물.
  129. 제 122 항 내지 127 항중 어느 한항에 있어서, 임의로 치환된 카보사이클릭 아릴 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 조성물.
  130. 제 122 항 내지 127 항중 어느 한항에 있어서, 임의로 치환된 페닐 디카복실레이트 그룹 또는 임의로 치환된 나프틸 디카복실레이트 그룹을 갖는 성분을 포함하는 조성물.
  131. 제 122 항 내지 130 항중 어느 한항에 있어서, 옥시이소부티르산 에스테르를갖는 용매 성분을 포함하는 조성물.
  132. 제 122 항 내지 130 항중 어느 한항에 있어서, 메틸-2-하이드록시이소부티레이트를 갖는 용매 성분을 포함하는 조성물.
  133. 제 122 항 내지 132 항중 어느 한항에 있어서, 폴리에스테르 수지 또는 추가의 상이한 수지가 약 30,000 보다 큰 중량 평균 분자량을 갖는 조성물.
  134. 제 122 항 내지 133 항중 어느 한항에 있어서, 가소제 물질을 포함하는 조성물.
  135. 두개 이상의 하이드록시 그룹을 포함하는 물질로 부터 수득된 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는, 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 유기 반사방지 코팅 조성물.
  136. 제 135 항에 있어서, 수지에 혼입된 물질이 다중 하이드록시 그룹을 갖는 반복 단위를 제공하는 조성물.
  137. 제 135 항 또는 136 항에 있어서, 물질이 디올인 조성물.
  138. 제 135 항 또는 136 항에 있어서, 물질이 트리올인 조성물.
  139. 제 135 항 또는 136 항에 있어서, 물질이 테트라올인 조성물.
  140. 제 135 항 또는 139 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 폴리에스테르인 조성물.
  141. 제 135 항 내지 140 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 펜던트 그룹으로서 방향족 그룹을 포함하는 조성물.
  142. 제 135 항 내지 140 항중 어느 한항에 있어서, 수지가 수지의 주쇄 단위로서 방향족 그룹을 포함하는 조성물.
  143. 제 141 항 또는 142 항에 있어서, 방향족 그룹이 카보사이클릭 아릴 그룹인 조성물.
  144. 적어도 두개의 상이한 수지를 혼합하여 반사방지 조성물을 형성함을 특징으로 하여, 오버코팅된 포토레지스트 층과 함께 사용되는 반사방지 조성물의 목적하는 실(real) 굴절율 및 허(imagenary) 굴절율 값을 얻는 방법.
  145. 제 144 항에 있어서, 제조된 반사방지 조성물의 코팅 층을 기판상에 도포하고, 포토레지스트 코팅 층을 반사방지 조성물 코팅 층상에 도포하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  146. 제 144 항 또는 145 항에 있어서, 폴리에스테르 수지를 폴리아크릴레이트 수지와 혼합하여 반사반지 조성물을 형성하는 방법.
  147. 제 144 항 내지 146 항중 어느 한항에 있어서, 반사반지 조성물이 약 1.5 내지 약 2.0의 실 굴절율 및 약 0.2 내지 약 0.7의 허 굴절율을 갖도록 제조되는 방법.
  148. 제 144 항 내지 147 항중 어느 한항에 있어서, 수지의 적어도 하나가 안트라센 부분을 포함하는 방법.
KR1020020058334A 2001-09-26 2002-09-26 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물 KR100934436B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US32525401P 2001-09-26 2001-09-26
US60/325,254 2001-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030051189A true KR20030051189A (ko) 2003-06-25
KR100934436B1 KR100934436B1 (ko) 2009-12-29

Family

ID=23267093

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020058334A KR100934436B1 (ko) 2001-09-26 2002-09-26 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물
KR1020020058335A KR20030051190A (ko) 2001-09-26 2002-09-26 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물
KR1020100112362A KR101379219B1 (ko) 2001-09-26 2010-11-12 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물
KR1020130142311A KR20130132717A (ko) 2001-09-26 2013-11-21 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020058335A KR20030051190A (ko) 2001-09-26 2002-09-26 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물
KR1020100112362A KR101379219B1 (ko) 2001-09-26 2010-11-12 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물
KR1020130142311A KR20130132717A (ko) 2001-09-26 2013-11-21 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물

Country Status (6)

Country Link
US (4) US6852421B2 (ko)
EP (2) EP1298492A3 (ko)
JP (3) JP4478379B2 (ko)
KR (4) KR100934436B1 (ko)
CN (2) CN1326959C (ko)
TW (2) TW591341B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101033483B1 (ko) * 2009-06-15 2011-05-09 한국표준과학연구원 혈액 검사용 항온조 장치
KR20170054987A (ko) * 2015-10-31 2017-05-18 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000077575A1 (en) * 1999-06-10 2000-12-21 Alliedsignal Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6824879B2 (en) 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
EP1378796A4 (en) * 2001-04-10 2004-07-14 Nissan Chemical Ind Ltd COMPOSITION FOR FORMING ANTI-REFLECTIVE FILM FOR LITHOGRAPHIC PROCESS
TW591341B (en) * 2001-09-26 2004-06-11 Shipley Co Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
WO2003044600A1 (en) * 2001-11-15 2003-05-30 Honeywell International Inc. Spin-on anti-reflective coatings for photolithography
US20030215736A1 (en) * 2002-01-09 2003-11-20 Oberlander Joseph E. Negative-working photoimageable bottom antireflective coating
US8012670B2 (en) 2002-04-11 2011-09-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist systems
US7244542B2 (en) * 2002-05-30 2007-07-17 Shipley Company, L.L.C. Resins and photoresist compositions comprising same
CN1669130A (zh) * 2002-09-20 2005-09-14 霍尼韦尔国际公司 用于低介电常数材料的夹层增粘剂
US20040067437A1 (en) * 2002-10-06 2004-04-08 Shipley Company, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP4171920B2 (ja) 2002-10-09 2008-10-29 日産化学工業株式会社 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物
JP2004177952A (ja) * 2002-11-20 2004-06-24 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 多層フォトレジスト系
JP2004206082A (ja) * 2002-11-20 2004-07-22 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 多層フォトレジスト系
US7361447B2 (en) * 2003-07-30 2008-04-22 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
CN100537053C (zh) 2003-09-29 2009-09-09 Hoya株式会社 掩膜坯及掩膜坯的制造方法
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
WO2005066240A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions
JP4769455B2 (ja) * 2003-12-30 2011-09-07 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． コーティング組成物
US20050215713A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Hessell Edward T Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits
CN1965268B (zh) 2004-04-09 2011-08-03 日产化学工业株式会社 含有缩合类聚合物的半导体用防反射膜
EP1600814A3 (en) * 2004-05-18 2008-12-17 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP1598702A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-23 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP4606136B2 (ja) * 2004-06-09 2011-01-05 富士通株式会社 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置
US7172969B2 (en) * 2004-08-26 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Method and system for etching a film stack
US7691556B2 (en) 2004-09-15 2010-04-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
JP4697466B2 (ja) * 2004-11-01 2011-06-08 日産化学工業株式会社 スルホン酸エステルを含有するリソグラフィー用反射防止膜形成組成物
US20060255315A1 (en) * 2004-11-19 2006-11-16 Yellowaga Deborah L Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof
EP1691238A3 (en) * 2005-02-05 2009-01-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP1705519B1 (en) * 2005-03-20 2016-07-06 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Method of treating a microelectronic substrate
US7632626B2 (en) 2005-04-19 2009-12-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. Anti-reflective coating forming composition for lithography containing polymer having ethylenedicarbonyl structure
EP1742108B1 (en) 2005-07-05 2015-10-28 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
CN100396372C (zh) * 2005-07-14 2008-06-25 天津大学 含有针状TiO2锐钛矿晶粒的光催化涂覆剂及其制备方法
US7470500B2 (en) * 2005-07-19 2008-12-30 Az Electronic Materials Usa Corp. Organic bottom antireflective polymer compositions
CN101268419A (zh) 2005-09-27 2008-09-17 日产化学工业株式会社 含有异氰脲酸化合物与苯甲酸化合物的反应生成物的形成防反射膜的组合物
US7461446B2 (en) * 2005-10-24 2008-12-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for repairing photoresist layer defects using index matching overcoat
KR100703007B1 (ko) 2005-11-17 2007-04-06 삼성전자주식회사 감광성 유기 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한패턴 형성 방법
US7919222B2 (en) 2006-01-29 2011-04-05 Rohm And Haas Electronics Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP1829942B1 (en) * 2006-02-28 2012-09-26 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US7563563B2 (en) * 2006-04-18 2009-07-21 International Business Machines Corporation Wet developable bottom antireflective coating composition and method for use thereof
US9196270B1 (en) 2006-12-07 2015-11-24 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetoresistive element having small critical dimensions
US8642246B2 (en) * 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
US20080286689A1 (en) * 2007-05-14 2008-11-20 Hong Zhuang Antireflective Coating Compositions
US8017296B2 (en) * 2007-05-22 2011-09-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition comprising fused aromatic rings
US8039201B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
KR101404141B1 (ko) * 2008-01-30 2014-06-10 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 유황원자를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 레지스트패턴의 형성방법
US9638999B2 (en) 2008-02-22 2017-05-02 Brewer Science Inc. Dual-layer light-sensitive developer-soluble bottom anti-reflective coatings for 193-nm lithography
US8859673B2 (en) * 2008-02-25 2014-10-14 Honeywell International, Inc. Processable inorganic and organic polymer formulations, methods of production and uses thereof
US8316527B2 (en) 2008-04-01 2012-11-27 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing at least one magnetoresistive device
US7989144B2 (en) * 2008-04-01 2011-08-02 Az Electronic Materials Usa Corp Antireflective coating composition
US20090253080A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Dammel Ralph R Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning
US20090253081A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 David Abdallah Process for Shrinking Dimensions Between Photoresist Pattern Comprising a Pattern Hardening Step
US7932018B2 (en) * 2008-05-06 2011-04-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition
US8349195B1 (en) 2008-06-27 2013-01-08 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a magnetoresistive structure using undercut free mask
US8221965B2 (en) * 2008-07-08 2012-07-17 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US8329387B2 (en) * 2008-07-08 2012-12-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US20100040838A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Abdallah David J Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image
US20100092894A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Weihong Liu Bottom Antireflective Coating Compositions
US20100119980A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Rahman M Dalil Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings
US20100119979A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Rahman M Dalil Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings
US20100151392A1 (en) * 2008-12-11 2010-06-17 Rahman M Dalil Antireflective coating compositions
US8324316B2 (en) * 2009-02-06 2012-12-04 Eastman Chemical Company Unsaturated polyester resin compositions containing 2,2,2,4-tetramethyl-1,3-cyclobutanediol and articles made therefrom
US9029461B2 (en) * 2009-02-06 2015-05-12 Eastman Chemical Company Aliphatic polyester coating compositions containing tetramethyl cyclobutanediol
US8163850B2 (en) 2009-02-06 2012-04-24 Eastman Chemical Company Thermosetting polyester coating compositions containing tetramethyl cyclobutanediol
US8168721B2 (en) * 2009-02-06 2012-05-01 Eastman Chemical Company Coating compositions containing tetramethyl cyclobutanediol
US9029460B2 (en) * 2009-02-06 2015-05-12 Stacey James Marsh Coating compositions containing acrylic and aliphatic polyester blends
EP2216684B1 (en) 2009-02-08 2015-10-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of forming a photoresist image comprising an undercoat layer
US8084186B2 (en) * 2009-02-10 2011-12-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane
US9244352B2 (en) * 2009-05-20 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US8501383B2 (en) * 2009-05-20 2013-08-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US20100316949A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 Rahman M Dalil Spin On Organic Antireflective Coating Composition Comprising Polymer with Fused Aromatic Rings
US8486609B2 (en) * 2009-12-23 2013-07-16 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US8507192B2 (en) * 2010-02-18 2013-08-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions and methods of using same
US8445181B2 (en) 2010-06-03 2013-05-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
EP2472329B1 (en) 2010-12-31 2013-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP2472328B1 (en) 2010-12-31 2013-06-19 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP5485185B2 (ja) * 2011-01-05 2014-05-07 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
JP6137483B2 (ja) * 2011-08-04 2017-05-31 日産化学工業株式会社 縮合系ポリマーを有するｅｕｖリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
CN104487484B (zh) 2012-06-26 2020-07-31 三菱化学株式会社 高分子化合物的制造方法及高分子化合物
US8999624B2 (en) * 2012-06-29 2015-04-07 International Business Machines Corporation Developable bottom antireflective coating composition and pattern forming method using thereof
US9541834B2 (en) 2012-11-30 2017-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ionic thermal acid generators for low temperature applications
KR102255221B1 (ko) 2013-12-27 2021-05-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 나노리소그래피용 유기 바닥 반사방지 코팅 조성물
US9598602B2 (en) 2014-11-13 2017-03-21 Eastman Chemical Company Thermosetting compositions based on phenolic resins and curable poleyester resins made with diketene or beta-ketoacetate containing compounds
US9650539B2 (en) 2014-10-27 2017-05-16 Eastman Chemical Company Thermosetting compositions based on unsaturated polyesters and phenolic resins
US9487619B2 (en) 2014-10-27 2016-11-08 Eastman Chemical Company Carboxyl functional curable polyesters containing tetra-alkyl cyclobutanediol
TWI592760B (zh) * 2014-12-30 2017-07-21 羅門哈斯電子材料韓國有限公司 與經外塗佈之光致抗蝕劑一起使用之塗層組合物
US10544329B2 (en) 2015-04-13 2020-01-28 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
US20160340471A1 (en) 2015-05-19 2016-11-24 Eastman Chemical Company Aliphatic polyester coating compositions containing tetramethyl cyclobutanediol
US20170088665A1 (en) 2015-09-25 2017-03-30 Eastman Chemical Company POLYMERS CONTAINING CYCLOBUTANEDIOL AND 2,2 BIS(HYDROXYMETHYL) AlKYLCARBOXYLIC ACID
US9988553B2 (en) 2016-02-22 2018-06-05 Eastman Chemical Company Thermosetting coating compositions
US10011737B2 (en) 2016-03-23 2018-07-03 Eastman Chemical Company Curable polyester polyols and their use in thermosetting soft feel coating formulations
US11262656B2 (en) * 2016-03-31 2022-03-01 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
KR102391745B1 (ko) * 2016-05-20 2022-04-28 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 레지스트 하층막 형성 조성물
US11448964B2 (en) 2016-05-23 2022-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
KR20210040357A (ko) * 2018-07-31 2021-04-13 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 레지스트 하층막 형성 조성물
TWI721304B (zh) * 2018-08-14 2021-03-11 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的塗料組合物
KR102288386B1 (ko) 2018-09-06 2021-08-10 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
CN113126432A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物
CN113402703B (zh) * 2021-06-21 2023-04-07 厦门恒坤新材料科技股份有限公司 一种底部抗反射膜树脂和组合物及图案形成方法
KR20240039091A (ko) * 2021-07-30 2024-03-26 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 레지스트 보조막 조성물, 및 해당 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법
CN115808847B (zh) * 2023-01-18 2023-04-28 苏州润邦半导体材料科技有限公司 一种光刻胶底部的抗反射涂层树脂及其制备方法和应用
CN117720769B (zh) * 2024-02-07 2024-04-30 四川兴晶铧科技有限公司 一种复合阻燃增效剂以及一种阻燃尼龙材料

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3265694A (en) * 1960-07-25 1966-08-09 Dow Chemical Co Oxyalkylated isocyanuric acid
US3448084A (en) * 1964-06-10 1969-06-03 Gulf Oil Corp Polyesters from tris(2-hydroxyethyl) isocyanurate
US3780133A (en) * 1968-10-30 1973-12-18 Allied Chem Diphenol containing polyesters derived from tris (2-hydroxyalkyl)isocyanurates
US3763276A (en) * 1968-10-30 1973-10-02 Allied Chem Enamel compositions of diphenol containing polyesters derived from tris-(2-hydroxyalkyl)isocyanurates and diisocyanates
US3651173A (en) * 1969-05-31 1972-03-21 Matsushita Electric Works Ltd Polyester resins crosslinked by allyl derivatives of isocyanuric acid
US3658801A (en) * 1969-06-10 1972-04-25 Dart Ind Inc Trisubstituted isocyanurates
US3737432A (en) * 1971-06-17 1973-06-05 Pd George Co Bridged isocyanurates
US3968015A (en) * 1973-10-11 1976-07-06 Raychem Corporation Poly(tetramethyleneterephthalate) crosslinked by irradiation
FR2295990A1 (fr) * 1974-12-24 1976-07-23 Rhone Poulenc Ind Compositions reticulables a base de polyesters satures
US4020233A (en) * 1976-01-22 1977-04-26 W. R. Grace & Co. Heat activated ethylenically unsaturated-polythiol compositions
JPS592707B2 (ja) * 1976-09-29 1984-01-20 三菱レイヨン株式会社 ポリエステル組成物
FR2401205A1 (fr) * 1977-05-23 1979-03-23 Rhone Poulenc Ind Compositions saturees reticulables ameliorees pour peinture en poudre
FR2432541A1 (fr) * 1978-08-01 1980-02-29 Rhone Poulenc Ind Compositions saturees reticulables pour peinture en poudre
US5128230A (en) * 1986-12-23 1992-07-07 Shipley Company Inc. Quinone diazide containing photoresist composition utilizing mixed solvent of ethyl lactate, anisole and amyl acetate
US4966932A (en) * 1987-09-30 1990-10-30 Mcgregor Charles W Ultra-high solids theic polyester enamels
JP2674179B2 (ja) * 1989-01-30 1997-11-12 住友化学工業株式会社 樹脂組成物
US6528235B2 (en) 1991-11-15 2003-03-04 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
US5612303B1 (en) * 1993-06-15 2000-07-18 Nitto Chemical Industry Co Ltd Solvent composition
JP3619261B2 (ja) * 1993-06-15 2005-02-09 三菱レイヨン株式会社 溶剤組成物
US5607824A (en) 1994-07-27 1997-03-04 International Business Machines Corporation Antireflective coating for microlithography
KR100367534B1 (ko) * 1994-09-14 2003-06-02 미쯔비시 레이온 가부시끼가이샤 안정성이개선된옥시이소부티르산에스테르를함유하는용제조성물
US5525457A (en) 1994-12-09 1996-06-11 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same
JPH0943839A (ja) * 1995-05-25 1997-02-14 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 反射防止膜形成用組成物
US5693691A (en) * 1995-08-21 1997-12-02 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings compositions
JP3436843B2 (ja) * 1996-04-25 2003-08-18 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用下地材及びそれを用いたリソグラフィー用レジスト材料
US5886102A (en) 1996-06-11 1999-03-23 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
JP3679206B2 (ja) * 1996-09-20 2005-08-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法
DE69707635T2 (de) * 1996-12-24 2002-08-08 Fuji Photo Film Co Ltd Zusammensetzung für Antireflexunterschichten und Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters damit
JP3632875B2 (ja) * 1996-12-24 2005-03-23 富士写真フイルム株式会社 反射防止膜材料用組成物
US5939236A (en) * 1997-02-07 1999-08-17 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions comprising photoacid generators
JP3851414B2 (ja) * 1997-06-04 2006-11-29 富士写真フイルム株式会社 反射防止膜材料組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法
JP3473887B2 (ja) * 1997-07-16 2003-12-08 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
US6156479A (en) 1997-09-30 2000-12-05 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-refective coatings
US5935760A (en) * 1997-10-20 1999-08-10 Brewer Science Inc. Thermosetting polyester anti-reflective coatings for multilayer photoresist processes
US6190839B1 (en) 1998-01-15 2001-02-20 Shipley Company, L.L.C. High conformality antireflective coating compositions
JP4165922B2 (ja) * 1998-03-17 2008-10-15 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 光吸収性ポリマーおよびその反射防止膜への応用
CN1300383A (zh) * 1998-04-29 2001-06-20 部鲁尔科学公司 得自纤维素粘合剂的快速蚀刻、热固性抗反射涂料
JP4164942B2 (ja) * 1998-05-29 2008-10-15 Ｊｓｒ株式会社 アクリル系共重合体およびそれを含有する反射防止膜形成組成物並びにレジスト膜の形成方法
US6410209B1 (en) 1998-09-15 2002-06-25 Shipley Company, L.L.C. Methods utilizing antireflective coating compositions with exposure under 200 nm
JP3852889B2 (ja) * 1998-09-24 2006-12-06 富士写真フイルム株式会社 フォトレジスト用反射防止膜材料組成物
US6117618A (en) * 1998-11-04 2000-09-12 Advanced Micro Devices, Inc. Carbonized antireflective coating produced by spin-on polymer material
US6048662A (en) 1998-12-15 2000-04-11 Bruhnke; John D. Antireflective coatings comprising poly(oxyalkylene) colorants
US6316165B1 (en) 1999-03-08 2001-11-13 Shipley Company, L.L.C. Planarizing antireflective coating compositions
JP4507026B2 (ja) * 1999-04-06 2010-07-21 東洋紡績株式会社 ハレーション防止用組成物およびそれを用いた感光性樹脂積層体
JP2000290930A (ja) * 1999-04-07 2000-10-17 Chichibu Sangyo Kk コンクリート面への防水シート施工方法および施工装置
TW502133B (en) * 1999-06-10 2002-09-11 Wako Pure Chem Ind Ltd Resist composition, agent and method for reducing substrate dependence thereof
US6455784B1 (en) * 1999-10-27 2002-09-24 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Curable sheet for circuit transfer
CN1402840A (zh) 1999-11-30 2003-03-12 部鲁尔科学公司 用于聚合物防反射涂料的非芳族发色团
AU2001244719A1 (en) * 2000-04-04 2001-10-15 Daikin Industries Ltd. Novel fluoropolymer having acid-reactive group and chemical amplification type photoresist composition containing the same
US6323310B1 (en) 2000-04-19 2001-11-27 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating compositions comprising polymerized aminoplasts
US6653411B2 (en) 2000-04-19 2003-11-25 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating compositions comprising polymerized aminoplasts
EP1148246A3 (en) * 2000-04-19 2002-11-20 Unipulse Corporation Scroll compressor and scroll-type pressure transformer
TW556047B (en) 2000-07-31 2003-10-01 Shipley Co Llc Coated substrate, method for forming photoresist relief image, and antireflective composition
WO2002014954A2 (en) 2000-08-17 2002-02-21 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
CN1316315C (zh) 2000-09-19 2007-05-16 希普利公司 抗反射组合物
TW588072B (en) 2000-10-10 2004-05-21 Shipley Co Llc Antireflective porogens
JP2002182396A (ja) * 2000-12-18 2002-06-26 Toyobo Co Ltd 感光性樹脂積層体
US6444320B1 (en) 2001-01-08 2002-09-03 Brewer Science Thermosetting anti-reflective coatings for full-fill dual damascene process
US6582879B2 (en) * 2001-03-27 2003-06-24 Korea Research Institute Of Chemical Technology Reactive photo acid-generating agent and heat-resistant photoresist composition with polyamide precursor
EP1378796A4 (en) 2001-04-10 2004-07-14 Nissan Chemical Ind Ltd COMPOSITION FOR FORMING ANTI-REFLECTIVE FILM FOR LITHOGRAPHIC PROCESS
TW591341B (en) * 2001-09-26 2004-06-11 Shipley Co Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US6716767B2 (en) 2001-10-31 2004-04-06 Brewer Science, Inc. Contact planarization materials that generate no volatile byproducts or residue during curing
US6844131B2 (en) 2002-01-09 2005-01-18 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US8012670B2 (en) 2002-04-11 2011-09-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist systems
US7217491B2 (en) * 2002-06-07 2007-05-15 Battelle Memorial Institute Antireflective coatings
US20040067435A1 (en) * 2002-09-17 2004-04-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming material
US20040067437A1 (en) * 2002-10-06 2004-04-08 Shipley Company, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP1598702A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-23 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP1742108B1 (en) * 2005-07-05 2015-10-28 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US7919222B2 (en) * 2006-01-29 2011-04-05 Rohm And Haas Electronics Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP1829942B1 (en) * 2006-02-28 2012-09-26 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
DE102006032167B4 (de) * 2006-07-12 2014-11-27 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Triallylisocyanurat (TAIC)
US8501383B2 (en) * 2009-05-20 2013-08-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP2472329B1 (en) * 2010-12-31 2013-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101033483B1 (ko) * 2009-06-15 2011-05-09 한국표준과학연구원 혈액 검사용 항온조 장치
KR20170054987A (ko) * 2015-10-31 2017-05-18 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
US6852421B2 (en) 2005-02-08
CN1326960C (zh) 2007-07-18
US7582360B2 (en) 2009-09-01
CN1482191A (zh) 2004-03-17
JP2009104165A (ja) 2009-05-14
JP2003233195A (ja) 2003-08-22
KR20030051190A (ko) 2003-06-25
EP1298492A3 (en) 2004-08-18
JP4667509B2 (ja) 2011-04-13
EP1298493A3 (en) 2004-08-18
KR20100137397A (ko) 2010-12-30
TW594418B (en) 2004-06-21
US20040209200A1 (en) 2004-10-21
KR101379219B1 (ko) 2014-03-31
JP4386331B2 (ja) 2009-12-16
EP1298492A2 (en) 2003-04-02
US7163751B2 (en) 2007-01-16
US8927681B2 (en) 2015-01-06
JP4478379B2 (ja) 2010-06-09
US20070092746A1 (en) 2007-04-26
EP1298493A2 (en) 2003-04-02
CN1326959C (zh) 2007-07-18
US20030180559A1 (en) 2003-09-25
CN1482192A (zh) 2004-03-17
US20120034562A1 (en) 2012-02-09
KR100934436B1 (ko) 2009-12-29
TW591341B (en) 2004-06-11
KR20130132717A (ko) 2013-12-05
JP2003177547A (ja) 2003-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100934436B1 (ko) 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물
JP4738054B2 (ja) オーバーコートされるフォトレジストと共に使用するコーティング組成物
US8142988B2 (en) Coating compositions for use with an overcoated photoresist
KR101362836B1 (ko) 상층 코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅조성물
JP2015134926A (ja) 上塗りフォトレジストと共に使用するためのコーティング組成物
EP1600814A2 (en) Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP2007233386A (ja) オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物
US20040067437A1 (en) Coating compositions for use with an overcoated photoresist
KR20120078674A (ko) 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용되기 위한 코팅조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141201

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161123

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171117

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 10