TW569070B - Liquid crystal display panel having reflection electrodes improved in smooth surface morphology and process for fabrication thereof - Google Patents

Description

569070 五、發明說明（1) 發明背景 發明領域 本發明係有關一種液晶顯示面板，且更特別的是有關一 種具有反射電極之液晶顯示面板亦即以下稱爲「反射式液 晶顯示面板」或是「反射式透明液晶顯示面板」的裝置及 其製造方法。 相關技術說明 第1圖顯示的是日本專利申請案第2000-258787號文件 中所揭示之反射式液晶顯示面板的典型實例。其中係將習 知反射式液晶顯示面板分解成一對基板結構S 1/S2、液晶 LC1、封裝層（未標示）以及各空間層（未標示）。各基板結構 S 1和S2相互間係藉由各空間層而間隔開，且係與該封裝 層一起形成一內部空間。該內部空間係塡充有液晶LC1。 此例中，係將扭轉向列相液晶封裝於落在各基板結構S1 與S2之間的內部空間內。圖中的橢圓代表的是液晶分子 且係以符號1 2 1標示出。 基板結構S1係裝配於絕緣基板11 0上。該絕緣基板1 1 0 係由石英或非鹼玻璃製成的。切換電晶體陣列係裝配於該 絕緣基板11 〇上。各切換電晶體指的是薄膜電晶體且第1 圖中只顯示了一個薄膜電晶體。其他薄膜電晶體都是與該 薄膜電晶體同時裝配成的。該薄膜電晶體係做下列方式裝 配成的。首先，將由諸如鉻或鉬之類折射性金屬製成的閘 極電極1 1 1形成於絕緣基板Π 0上。該絕緣基板1 1 〇覆蓋 有閘極絕緣層11 2，並於該閘極絕緣層1 1 2上施行圖案製 569070 五、發明說明（2) 作以形成一主動層1 1 3。該主動層1 1 3係由多晶矽形成的 。將絕緣截止器1 1 4形成於該主動層1 1 3上。落在該閘極 電極Π 1上方的部分主動層1 1 3係扮演著該薄膜電晶體之 通路區113c的角色。以該絕緣截止器114當作離子植入 遮罩，將攙雜物雜質離子植入到該主動層113之內，並在 該通路區113c的兩側形成汲極區113d及源極區113s。 在所得結構的整個表面上接續沈積以二氧化矽（Si02，）、 氮化矽（SiNx)及二氧化矽（Si02)而組合形成內夾絕緣層 11 5。於該內夾絕緣層1 1 5內形成一接觸孔而抵達該汲極 區113d。將諸如鋁層之類的金屬層製作成圖案以形成汲 極電極1 1 6。該汲極電極11 6會穿透形成於該內夾絕緣層 I 1 5內的接觸孔而與該汲極區11 3d保持接觸。 藉由實例，將有機複合樹脂沈積於所得結構的整個表面 上而形成平坦層Π7。於該平坦層117及該內夾絕緣層 II 5內形成一接觸孔。使該源極區11 3s露出於該接觸孔內 。於該平坦層11 7上施行圖案製作以形成一反射電極11 9 。該反射電極119會穿透該接觸孔而與該源極區113s保 持接觸。如是，該反射電極119會進一步扮演著源極電極 的角色。使該反射電極Π 9及該平坦層11 7的露出表面覆 蓋以由諸如聚亞胺之類有機複合樹脂形成的配向層1 20。 使另一基板結構S2與上述基板結構S 1相對同時將之裝 配於絕緣基板130上。該絕緣基板130具有兩個主表面。 其主表面之一係與該基板結構S 1呈相對且以下稱之爲 「內側表面」。以下稱與該內側表面反面的另一主表面爲 569070 五、發明說明（3) 「外側表面」。 在該絕緣基板130的內側表面上施行圖案製作以形成各 彩色濾光片1 3 1及黑色矩陣1 32。各彩色濾光片1 3 1會在 三原色亦即紅色R、綠色G及藍色B中作選擇且分別與各 反射電極119對齊。該黑色矩陣132是不透明的且會與各 薄膜電晶體對齊。使各彩色濾光片1 3 1及黑色矩陣1 32覆 蓋以由合成樹脂構成的保護層133並使該保護層133覆蓋 以相反電極134。令該相反電極134與配向層135層壓在 —起。另一方面，將相差板1 43形成於該絕緣基板1 3 0的 外側表面上並覆蓋以偏光板144。 於上述習知反射式液晶顯示面板中，該反射電極1 1 9係 由鋁-鉚合金（亦即Al-Nd合金）形成的。日本專利申請案 公開文件中教授的是該合金係含有等於或大於1重量％的 _。該日本專利申請案公開文件中堅稱等於或大於1重量 %的細能夠有效地對抗形成小丘的作用。該日本專利申請 案公開文件中進一步堅稱在200°C等級的基板溫度下成長 的鋁-鉚合金能夠達成與室溫下成長的鋁層一般高的反射 率。 曰本專利公開申請案第5-80327號文件中揭示了另一種 和反射板有關的習知技術。該日本專利申請案公開文件中 教授了 一種用於形成擴散式反射板的方法。該方法係從製 備有機化合物層開始。在1〇〇到250°C的溫度下將由鋁或 鉑構成的反射層成長於該有機化合物層上。在將反射性物 質亦即鋁或鈾成長於該有機化合物層上時，會肇因於該有 569070 五、發明說明（4) 機化合物層與該反射性物質之間在熱膨脹係數上的差異而 於該有機化合物層內出現皺紋，且該反射性物質會在該有 機化合物層上形成顆粒。因此，該反射板是有皺紋的。這 會造成對該反射板之不規則反射性質的改良。 曰本專利公開申請案第2000- 1 1 1 906號文件中揭示了另 一種和反射板有關的習知技術。該日本專利申請案公開文 件中教授了另一種用於製造出具有粗糙反射層之光電裝置 的方法。該光電裝置含有「液晶顯示面板」且該習知方法 係包含下列步驟。首先藉由使用磨刀法或η蝕刻法於下層 內形成各凸塊，並在100到300°C的溫度下以80到250 埃/分鐘的速率將金屬成長於各凸塊上。將各凸塊從該下 層轉移到該金屬層上。該金屬層會扮演著反射層的角色。 至於該金屬，該日本專利申請案公開文件提到「用於該反 射層的材料是鋁或任意一種（金屬）」。不過，該日本專利 申請案公開文件並未提及「任意一種金屬」的具體實例。 在成長了該金屬之後，使該反射板接受熱處理以便以1到 2微米的平均節距於該反射板的表面上形成各小型凸塊。 各小型凸塊的深度係落在0.2微米的等級上。藉由各小型 凸塊的優點改良該反射板的不規則反射性質。不過，該曰 本專利申請案公開文件並未提及另一目的。 曰本專利公開申請案第2000- 1 1 1 906號文件中進一步教 授了 一種使各液晶分子均勻地指向某一方向的配向層。該 曰本專利申請案公開文件中教授了該配向層係由「高分子 有機化合物」形成的。該日本專利申請案公開文件中列舉 569070 五、發明說明（5) 了兩種高分子有機化合物亦即聚亞胺及聚乙烯醇。不過， 該曰本專利申請案公開文件並未提及使影像形成平面變黃 的現象，且並未在平均節距與某一波長之光組成的反射率 之間的關係作出任何確定的說明。 本發明的發明人已對各習知技術進行硏究。本發明的發 明人已依照日本專利公開申請案第2000-258787號文件的 教導製造了具有由鋁-铷合金形成之反射電極之習知液晶 顯示面板的各種樣品。 某些樣品含有由不同物質製成的各配向層120。在這些 樣品中，係以200°C左右的溫度在基板上成長該鋁-铷合金 ，之後再將各配向層1 20形成於各反射電極1 1 9上方。本 發明的發明人係將各基板結構S1/S2及其他組件組合成某 些樣品。本發明的發明人已發現某些樣品具有泛黃的影像 形成平面。 在未在該基板上施加任何熱能下以落在7〇°C等級的溫 度在基板上成長具有各反射電極的其他樣品。細言之，本 發明的發明人係在每一個樣品的絕緣基板上製作出各薄膜 電晶體，並將該有機化合物散佈於各薄膜電晶體上以便形 成該內夾絕緣層Π7。用於該源極區113ss的各接觸孔係 形成於該內夾絕緣層1 1 7內，並以落在從室溫到70°C範 圍內的某一基板溫度將該鋁-鉚合金沈積於該內夾絕緣層 1 1 7上方。將該鋁-铷合金製作成圖案以形成各反射電極 1 1 9。在形成該配向層1 20之後，令該基板結構S 1與 其他基板結構S2以完成每一個樣品。將各樣品分類成反 569070 五、發明說明（6) 射式液晶顯示面板及反射式透明液晶顯示面板。本發明的 發明人會驅動各樣品且發現未完全將該影像承載信號寫入 到各像素電極內。這是因爲各反射電極11 9與該源極區 Π 3 s間之接觸電阻太高的事實。此外，在未在該基板上施 加任何熱能下成長該鋁-铷合金的例子裡，該內夾絕緣層 Π 7的溫度會肇因於該鋁合金在沈積上的熱能集中作用 以及發生於該有機化合物內的除氣作用而升高。該氣體會 使該鋁-鉚合金的品質產生變化，並使各反射電極119變 朦朧。這會造成反射率減低。 本發明的發明人進一步製造出日本專利公開申請案第 2000- 1 1 1 906號文件中所揭示光電裝置的樣品。使具有各 小型凸塊的樣品從下層轉移到該光電裝置上。不過，各小 型凸塊無法有效地對抗泛黃的影像形成平面。 這類問題是在日本專利公開申請案第2000-258787號文 件中所揭示之習知液晶顯示面板內遭遇到的。 發明之扼要說明 因此，本發明的重要目的在於提供一種液晶顯示面板， 其中即使含有相對於紫外線之透明度小於相對於可見光之 透明度的配向層也不含任何泛黃的影像形成平面。 同時，本發明的重要目的在於提供一種用於製造該液晶 顯示面板的方法。 根據本發明的某一槪念提供的一種液晶顯示面板，係包 括：第一基板結構，其中包含具有由等於或小於1微米之 平均節距表出之表面形態的各反射板，以及形成於各反射 569070 五、發明說明（7) 板上方而相對於其波長等於或小於400奈米之光組成具有 第一透明度且相對於可見光之光組成具有大於該第一透明 度的第二透明度的配向層；第二基板結構，具有與該 配向層相對的內側表面，以及封裝於該配向層與該內側表 面之間空間內而與各反射板一起形成許多像素的液晶，以 便取決於產生於各反射板附近之區域性電場強度選擇性地 改變該許多像素的透明度。 根據本發明的另一槪念提供的一種用於製造該液晶顯示 面板的方法，係包括下列步驟：a)製造出該第一基板結構 的中間結構；b)在將該中間結構加熱到某一等於或小於 1 7〇°C之溫度的條件下於該中間結構上方成長高反射性物 質以形成高反射性物質層；c)將該高反射性物質層製作成 圖案以形成各反射板；d)使反射板陣列覆蓋有相對於其波 長等於或小於400奈米之光組成具有第一透明度且相對於 可見光之光組成具有大於該第一透明度的第二透明度的配 向層以完成該第一基板結構；e)組合該第一基板結構和該 第二基板結構，其方式是使該配向層落在與該第二基板結 構之內側表面相對處；f)將液晶封裝於落在該配向層與該 內側表面之間的空間內。 圖式簡單說明 該液晶顯示面板的特性及優點以及用於製造該液晶顯示 面板的方法將會因爲以下參照所附圖示對顯示用實施例的 詳細說明而變得更明顯，其中 第1圖係用以顯示該日本專利公開申請案第20 0 0- 569070 五、發明說明（8) 25 8787號文件中所揭示之習知反射式液晶顯示面板結構 的截面圖示， 第2圖係用以顯示根據本發明之反射式液晶顯示面板結 構的截面圖示， 第3圖係用以顯不該反射式液晶顯示面板中所結合之某 一基板結構內各組件配置的簡略平面圖示， 第4圖係用以顯示該反射式液晶顯示面板中所結合之另 一基板結構內各組件配置的簡略平面圖示， 第5圖係用以顯示如第3圖所示之基板結構上各薄膜電 晶體及各反射電極之線路圖的平面圖示， 第6A到61圖係沿著第5圖之B-B線段擷取以顯示該液 晶顯示面板之製造處理程序的截面圖示， 第7A到7E圖係在另一橫截面上用以顯示該液晶顯示 面板之製造處理程序的截面圖示， 第8A到8E圖係用以顯示另一種製造根據本發明中另 一液晶顯示面板之處理程序中各基本步驟的截面圖示， 第9圖係用以顯示又一種根據本發明之液晶顯示面板內 所結合各像素組件之配置的平面圖示， 第10A到10K圖係用以顯示一種製造該液晶顯示面板 之處理程序的截面圖示， 第1 1圖係用以顯示再一種根據本發明之液晶顯示面板 結構的截面圖示， 第1 2圖係用以顯示濺鍍法中基板溫度與各平均節距之 間關係的曲線圖， -1 0 - 569070 五、發明說明（9) 第1 3圖係用以顯示各光組成之相對反射率的曲線圖， 第14圖係用以顯示厚度爲150奈米之鋁-鉚合金在各光 組成上之相對反射率的曲線圖， 第15圖係用以顯不厚度爲300奈米之銘-細合金在各光 組成上之相對反射率的曲線圖， 第1 6圖係用以顯示在不同的有機化合物內量測得之透 明度與各光組成之間關係的曲線圖， 第1 7圖係用以顯示鉚含量與小丘/反射率之間關係的曲 線圖，以及 第1 8圖係用以顯示基板溫度、影像形成平面上的顏色 、反射率及接觸電阻之間關係的曲線圖。 較佳實施例的詳細說明 第一實施例 參照第2圖，一種根據本發明的液晶顯示面板係具體實 施爲包含：一對基板結構10/20 ;液晶層LC2 ;封裝層23 ;以及球形空間層35。基板結構1 0和20係呈互爲相對 的，且該封裝層23及該球形空間層35會使基板結構1 〇 和20保持相互間隔開。細言之，該封裝層23係沿著各基 板結構1 0/20之周緣而延伸的，且各球形空間層3 5係散 佈在該封裝層23內部。該封裝層23及該球形空間層35 係三夾於基板結構1 0與20之間，且該液晶層LC2會塡 充由各基板結構10/20及該封裝層23所界定出的空間。 各橢圓形代表的是各液晶分子且係標示爲符號36。 同時，參照第2和3圖以說明該基板結構1 〇。該基板 -11- 569070 五、發明說明（1〇) 結構1 〇係裝配於透明絕緣基板l〇a上且係包含：掃瞄信 號用導電條11 ;資料信號用導電條1 2 ;定常電壓用導電 條1 3 ;薄膜電晶體1 4陣列；以及反射電極3 1。掃瞄信號 用導電條1 1係沿著透明絕緣基板10 a上的平行方向延伸 而連接於各列薄膜電晶體1 4之閘極電極上。掃瞄信號係 透過各信號端子1 5供應到各導電條11上以便依序打開各 列薄膜電晶體14。 資料信號用導電條1 2係沿著與掃瞄信號用導電條1 1垂 直的方向延伸而連接於成行的薄膜電晶體1 4之汲極區上 。資料信號係透過各信號端子1 6供到應各導電條1 2上以 便將代表將要產生之影像的片段資料資訊分布到各行薄膜 電晶體1 4上。雖則資料信號用導電條！ 2會與掃瞄信號用 導電條Π交叉，然而用於資料信號用導電條1 2會藉由閘 極絕緣層53與掃瞄信號用導電條1 1呈電氣隔離。如是， 掃瞄信號用導電條11和資料信號用導電條1 2會在該透明 絕緣層1 〇a的中央區域上方定義出許多交叉點，並分別將 該許多交叉點指定到各薄膜電晶體1 4上。 雖則吾人係沿著第3圖中該基板結構1 〇的邊線及端點 線配置指定到掃瞄信號的各端子1 5以及指定到資料信號 的各端子1 6，然而也可沿著作可攜式應用之反射式液晶 顯示面板中基板結構的邊線配置這兩種端子1 5/1 6(參照第 4圖）。 定常電壓用導電條1 3係以拓寬的間隔沿著平行於掃瞄 信號用導電條11的方向延伸。導電條1 3的寬闊部分分別 -12- 569070 五、發明說明（11) 是和各薄膜電晶體14有關的且係扮演著各保持電容器之 相反電極的角色。各端子1 8係透過延伸於各導電條1 2兩 側之各分布條1 7連接到各導電條1 3上，且透過各端子 1 8及各分布條1 7將共同電壓加到各導電條1 3上。最後 該共同電壓會達到各相反電極。 各反射電極3 1係配置於矩陣內且分別係連接到各薄膜 電晶體14的源極區上。如是，各反射電極3 1係分別扮演 著各像素電極的角色。將一由有機化合物構成的內夾絕緣 層32塞進各薄膜電晶體14與各反射電極31之間，且令 各反射電極3 1分別落在與其底下的各相反電極相對的位 置上。反射電極3 1陣列係覆蓋有配向層34。該配向層34 係由能夠使影像形成平面泛黃之有機化合物形成的。 該內夾絕緣層32係形成有非常大的凸塊而各非常大凸 塊會使各反射電極3 1變粗糙。各反射電極3 1含有具平坦 表面形態的上表面。各上表面上的粗糙度是具有等於或小 於1微米的平均節距。較佳的是各平均節距都是等於或小 於0.6微米。該平坦表面形態會防止影像形成平面變黃。 這是因爲該平坦表面形態會減低在其波長爲從200奈米到 400奈米之紫外光組成上之光吸收率的緣故。各反射電極 3 1上表面的粗糙度和該相非常大凸塊是不相同的。於此 規格中，「表面形態」一詞指的是晶體結構表面上的粗糙 度。 另一基板結構20係裝配於透明絕緣基板20a上。從第 4圖可以看出，於該透明絕緣層20a的中央區域內施行圖 -13- 569070 五、發明說明（12) 案製作以形成各彩色濾光片2 1並使之爲黑色矩陣22所圍 繞。此例中，該黑色矩陣22係形成於周緣區域內而不致 佔據該中央區域。該黑色矩陣22會使影像的反差變好。 令各彩色濾光片2 1亦即紅色濾光片、綠色濾光片及藍色 濾光片分別與各反射電極3 1對齊並使之覆蓋有相反電極 33。該相反電極33則轉而覆蓋有配向層34。將共同電壓 加到該相反電極33上。換句話說，該相反電極33具有與 各支持電容器之相反電極相等的電位位準。該基板結構 10的配向層34係藉由封裝層23及球形空間層35與另一 基板結構20的配向層34間隔開，而液晶LC2則會塡充 各配向層34之間的縫隙。液晶LC2係透過該封裝層23 內所形成的開口而注入的並以栓塞24封閉該開口。各點 虛線A-A和C-C代表的如第2圖所示各點虛線A-A和C-C下方的截面。 每一個薄膜電晶體14都會與連接於該薄膜電晶體上的 反射電極3 1、與該反射電極對齊的彩色濾光片2 1、該相 反電極3 3及其間的一片液晶LC2構成一像素。一組紅、 綠和藍色濾光片，與之對齊的反射電極3 1，連接於該反 射電極31上的薄膜電晶體14以及其間的幾片液晶LC2 會組合而形成一彩色像素。亦即，以具有紅色濾光片之像 素、具有綠色濾光片之像素和具有藍色濾光片之像素會一 體地構成每一個彩色像素，且由許多彩色像素形成該影像 形成平面。 該基板結構20進一步含有1 /4波板3 7和偏光板3 8。該 -14- 569070 五、發明說明（13) 1/4波板37係固定在該透明絕緣基板2〇a的表面（亦即， 製作有彩色濾光片21及黑色矩陣22圖案之表面的反面） 上並覆蓋有該偏光板38。 雖則第4圖未標示出，吾人係將一半導體晶片裝設於各 端子1 6上，並將該半導體晶片上的驅動電路連接到該液 晶顯示面板上。將該液晶顯示面板和該COG(晶片在玻璃 上）積體電路會一體地構成一液晶顯示單元。 該液晶顯示單元係做下列方式運作。掃瞄信號會依序打 開各列薄膜電晶體14，而資料信號會將代表部分影像的 各資料資訊片段帶到與該選出列的各薄膜電晶體1 4有關 的各反射電極3 1上。該資料信號會到達所選出的各反射 電極31，並在各選出反射電極31與該共同電極33之間 產生各區域電場。各液晶分子3 6會在各區域電場出現選 擇性上升的現象。當該資料信號到達與最後一列薄膜電晶 體14有關各反射電極31時，液晶LC2會變成局部透明 的，且入射光39會在各反射電極3 1上受到反射。該反射 光40會穿透該透明液晶LC2並在該影像形成平面上形成 影像。 該入射光39會穿透每一個配向層34兩次。若各反射電 極3 1具有由大於1微米之平均節距表出之表面粗糙形態 ，則該配向層會在厚度上產生廣泛的變化，且該配向層 34內的光學路徑會取決於各入射點在各入射光線之間有 所差異。於該反射式液晶顯示面板中，該差異會增加兩倍。 該配向層34係由其相對於紫外線組成之透明度小於相對 -15· 569070 五、發明說明（14) 於可見光組成之透明度之有機化合物形成的。當光39在 配向層34內行進時，其各紫外線組成會比各可見光組成 被吸收得更多。這會造成泛黃的影像形成平面。 相反地，根據本發明的各反射電極3 1具有由等於或小 於1微米之平均節距表出之表面粗糙形態。該配向層34 具有實質上呈均勻的厚度，且該入射光39中某一光線的 光徑是幾乎等於該入射光39中另一光線的光徑。即使各 光線通過該配向層3 4兩次，其差異也不嚴重而各紫外線 組成不致在該配向層34內被吸收掉。如是，具有平坦表 面形態的各反射電極3 1能夠有效地對抗泛黃的影像形成 平面。 以下將參照第5、6A到61及7A到7E圖說明一種用於 該液晶顯示面板的製造方法。第5圖顯示的是分別連接到 各反射電極3 1的薄膜電晶體1 4。如第5圖所示之各薄膜 電晶體1 4係落在該陣列的最外側位址。各薄膜電晶體14 具有倒置的活動結構，點虛線B-B指的是如第6A到61圖 所示的截面。第7A到7E圖顯示的是該基板結構周緣區 的截面圖示。該截面圖示係沿著平行於各端子15/16/18 之短邊的線段而擷取的。 爲了更淸楚地了解該方法，吾人將參照第5圖說明各彩色 像素的線路圖及其結構。如第5圖所示，掃瞄信號用導電 條Π係依相互平行的方式而延伸，而資料信號用導電條 1 2則依垂直於該掃瞄信號用導電條11的方式而延伸。共 同電壓用導電條1 3係依平行於該掃瞄信號用導電條1 1且 -16- 569070 五、發明說明（15) 靠近各相關導電條11的方式交替地延伸。各導電條11和 12會定義出許多矩形區，且各薄膜電晶體14會分別佔據 各矩形區。該內夾絕緣層32係三夾於各寬闊部分與各反 射電極3 1之間，以致分別在各矩形區上方產生各保持電 容器。各反射電極3 1具有互爲相似的結構。每一個薄膜 電晶體14都含有：閘極電極41 ;閘極絕緣層53 (參見第 6B圖）；汲極電極42 ;源極電極43及主動層44。未攙雜 非晶矽層44a和重劑量攙雜η型非晶矽層44b形成了該主 動層44。 各薄膜電晶體1 4的閘極電極4 1以及掃瞄信號用導電條 1 1皆係在該透明絕緣基板1 〇a的主表面上施行圖案製作 而形成的，且各閘極電極4 1會浮現有相關的掃瞄信號用 導電條1 1。每一個閘極電極4 1都覆蓋有閘極絕緣層53， 且該主動層44係在該閘極絕緣層53上施行圖案製作而形 成的，其方式是使之落在相關的閘極電極41上方。每一 個主動層44皆扮演著該薄膜電晶體14之汲極區及源極區 的角色。 汲極電極42、源極電極43及資料信號用導電條1 2係 在該閘極絕緣層53上施行圖案製作而形成的。各汲極電 極42會浮現有相關的導電條1 2並使之與該主動層44內 的汲極區保持接觸。另一方面，該源極電極43與該主動 層44內的源極區保持接觸。該汲極電極42、源極電極43 及資料信號用導電條12皆覆蓋有惰性層54(參見第6D圖） 。該惰性層54會防止各薄膜電晶體1 4受到破壞，並將兩 -17- 569070 五、發明說明（16) 個絕緣層5 1和52層壓在該惰性層54上。該絕緣層5 1會 形成陡峭的凸塊，兩另一絕緣層52則會使各陡峭凸塊變 緩和。如是，各絕緣層5 1和52會產生各原始凸塊並將之 轉移到各反射電極3 1上以便形成各大型凸塊。各大型凸 塊的目的是在該影像形成平面之上產生均勻的反射特徵。 爲了這個理由，該絕緣層5 1係依不規則方式形成於被指 定爲各彩色像素之基板結構的中央區域上。不過，該絕緣 層5 1不會延伸到被指定爲各端子之周緣區域內。另一方 面，該絕緣層52會延伸到該中央區域上方且會穿透到該 周緣區域內，以致各原始凸塊完全地覆蓋有該絕緣層52 。將惰性層54及絕緣層5 1/52會一體地構成該內夾絕緣 層32。 各源極接觸孔45係形成於各絕緣層5 1/52以及該惰性 層54內。各源極接觸孔45會分別到達各源極電極43。 各反射電極3 1會穿透各源極接觸孔45且分別與各源極電 極43保持接觸。 將各原始凸塊從該絕緣層5 1轉移到各反射電極3 1上， 而各大型凸塊則會將預定的光學特徵分派到反射光40上 。如是，各大型凸塊與該影像形成平面上所形成影像的均 等性有很深的相關性。因爲這個理由，設計出各大型凸塊 以達成其光學特徵。於設計工作中，必須將凸塊節距、谷 壑節距、凸塊高度及谷壑深度列入考量。各大型凸塊的設 計方式是使節距、高度及深度之一具有一個以上的數値亦 即具有兩個數値或兩個以上的數値。 -18- 569070 五、發明說明（17) 該絕緣層5 1進一步具有對各像素之電氣特徵的影響。 如第5圖所示，掃瞄信號用導電條1 1及資料信號用導電 條1 2會與各反射電極3 1及該內夾絕緣層3 2呈局部重疊 ，亦即將該惰性層54及各絕緣層5 1/52塞入各導電條 1 1/12與各反射電極3 1之間。各導電條1 1/12、該內夾絕 緣層3 2及各反射電極3 1會不必要地形成各寄生電容器。 若該絕緣層51太薄，則該入射光39不會在方向上有太大 的變化，且各寄生電容器都具有極大的電容。該極大電容 會使行經各導電條11/12的信號變慢，而幾乎無法將各資 料資訊片段書寫到各反射電極3 1之內。此外，不必要地 使各區域電場變強，且各強區域電場會使各像素附近之液 晶分子的方位產生嚴重的亂流。這會造成影像形成平面上 所產生的影像具有很差的反差。爲了防止各像素出現這類 問題，必要的是使該絕緣層5 1的厚度落在從1微米到3 微米之間的範圍內。 另一絕緣層52係設計成可使各陡峭凸塊變緩和。若該 絕緣層52太薄，則製造商會受害於很差的步驟覆蓋率。 另一方面，若該絕緣層52太厚，則無法於各反射電極31 內形成各大型凸塊。此例中，係使該絕緣層5 2的厚度落 在從0.3微米到1.5微米之間的範圍內。 第6A到61和7A到7E圖顯示的一種處理程序係包含 下列步驟：（1)對金屬層施行圖案製作以形成各閘極電極 41、各端子15716/18及各導電條11/13 ; (2)在該閘極絕緣 層上對各非晶矽層施行圖案製作以形成各主動層44 ; (3) -19- 569070 五、發明說明（18) 對金屬層施行圖案製作以形成各導電條1 2以及各源極/汲 極電極43/42 ; (4)於該惰性層54內形成各接觸孔；（5)對 一透明導電層施行圖案製作以形成各端子連接電極；（6) 對一絕緣層施行圖案製作以形成各原始凸塊；（7)於沈積 在各原始凸塊上方之該絕緣層52內形成各接觸孔；（8)對 金屬層施行圖案製作以形成各反射電極3 1。 該方法係從製備透明絕緣基板1 〇a開始。該透明絕緣基 板10a係由厚度爲0.5毫米之非鹼性玻璃形成的。對鉻靶 施行濺鑛以便在該透明絕緣基板l〇a的整個表面上方沈積 其厚度落在從1〇〇到3 00奈米範圍內的鉻層。於該鉻層上 製備一光阻蝕刻遮罩（未標示）並局部地將該鉻層蝕刻掉。 在該透明絕緣基板l〇a的主表面上留下各閘極電極41、掃 瞄信號用導電條Π、定常電壓用導電條1 3及各端子 15/16/18用金屬層61。雖則圖中看不到掃瞄信號用導電 條11及共同電壓用導電條1 3，吾人係將所得結構顯示於 第6A及7A圖中。 各閘極電極41、各導電條11/13及各金屬層61可由另 一種金屬或合金形成的，至於該金屬/合金係形成於一薄 膜內並製作成圖案。舉例言之，該另一種金屬/合金指的 是鉬、鋁或鋁合金。各閘極電極41、各導電條1/13及各 金屬層6 1可具有諸如覆蓋有由鉻、鉬或鈦構成之阻擋金 屬層的鋁、鋁合金或鉬層之類的多重層結構。 隨後，藉由使用電漿輔助化學氣相沈積技術在所得結構 的整個表面上方沈積厚度爲300奈米到500奈米的氮化矽 -20- 569070 五、發明說明（19) (SiNx)並形成閘極絕緣層53。令各閘極電極4 1及各金屬 層6 1覆蓋以閘極絕緣層5 3。第7 B圖顯示的是覆蓋有閘 極絕緣層5 3的金屬層6 1。 同時藉由使用電漿輔助化學氣相沈積技術在該閘極絕緣 層53上方沈積厚度爲150到3 00奈米的未攙雜非晶矽， 並進一步沈積厚度爲3 0到5 0奈米的重劑量攙雜η型非晶 矽層。該未攙雜非晶矽會形成未攙雜非晶矽層，而該重劑 量攙雜η型非晶矽層別會在該未攙雜非晶矽層上形成η + 型非晶矽層。藉由使用光微影技術製備一光阻蝕刻遮罩， 並對該未攙雜非晶矽層及η +型非晶矽層施行圖案製作以 形成如第7Β圖所示之未攙雜非晶矽條44a及η +型非晶矽 條44b。該未攙雜非晶矽條44a和該η +型非晶矽條44b 會組合而形成各主動層44，並將各主動層44配置於各閘 極電極4 1上方的各間隔上。該n +型非晶矽條44b會連同 各源極/汲極電極43/42 —起形成各歐姆接點。 隨後，藉由使用濺鍍技術在所得結構的整個表面上方沈 積厚度爲1〇〇奈米到300奈米的鉻層。藉由使用光微影技 術製備一光阻蝕刻遮罩。利用該光阻蝕刻遮罩，藉由使用 乾蝕刻技術對該鉻層施行圖形製作以形成各汲極電極42 、源極電極43及資料信號用導電條1 2。 各源極/汲極電極43/42及各導電條12可由另一種金屬 或合金形成的，至於該金屬/合金係形成於一薄膜內並製 作成圖案。舉例言之，該另一種金屬/合金指的是鉬、鋁 或鋁合金。各導電條12及各源極/汲極電極43/42可具有 -21 - 569070 五、發明說明（2〇) 諸如覆蓋有由鉻、鉬或鈦構成之阻擋金屬層的鋁、鋁合金 或鉬層之類的多重層結構。 利用各源極/汲極電極43/42當作蝕刻遮罩，藉由使用 乾蝕刻技術對該n +型非晶矽條44b施行局部鈾刻而使各 歐姆接觸部分相互間隔開。如是，只於該未攙雜非晶矽條 44a內形成通路區，並藉由相關閘極電極4 1上的閘極電 位控制該通路區的導電性。換句話說，電流不會直接在各 歐姆接觸部分之間流動。所得結構係顯示於第6C圖。 隨後，藉由使用電漿輔助化學氣相沈積技術在所得結構 的整個表面上方沈積厚度爲300奈米到500奈米的氮化矽 (SiNx)並形成惰性層54。令各汲極電極42及各源極電極 43覆蓋以該惰性層54，並使該閘極絕緣層53爲該惰性層 54所覆蓋（參見第7C圖）。該惰性層54會防止該未攙雜非 晶矽條44a受到不必要離子的污染因此不致在各薄膜電晶 體1 4內出現不正常的現象。 藉由使用光微影技術於該惰性層54上製備一光阻蝕刻 遮罩。利用該光阻蝕刻遮罩，局部地將該閘極絕緣層53 及/或該惰性層54蝕刻掉以形成各接觸孔5 5/62，且如第 6D和7D圖所示使各源極電極43及各金屬層61曝露於各 接觸孔55/62中。雖則圖中未標示，然而吾人也同時於該 惰性層54及/或該閘極絕緣層53內形成各接觸孔，以致 使共同電壓用導電條13、各金屬層61、與各金屬層61相 鄰之資料信號用導電條1 2曝露於各接觸孔中。 隨後，藉由使用濺鍍技術沈積厚度爲40奈米到100奈 -22- 569070 五、發明說明（21) 米的諸如ITO(錫銦氧化物）之類透明材料，並對該錫銦氧 化物層施行圖案製作以形成會與用於各端子1 5/1 6/ 1 8之 各金屬層6 1保持接觸的各連接電極63、互連條1 7以及 各導電條1 2與各端子1 6之間的互連結構。不過，吾人不 會在指定爲影像形成平面的中央區域內留下該錫銦氧化物 層。因爲這個理由，若各源極電極4 3係由三夾於鉬層間 之鉬或鋁或是三夾於鉬層間之鋁合金形成的，則吾人將會 藉由某種對鉬不具活性之蝕刻劑對該錫銦氧化物層進行蝕 刻。吾人可以在蝕刻作用中使用含草酸的蝕刻劑。另一方 面，若各源極電極43係由鉻、鋁或是三夾於鉻或鈦間之 鋁形成的，則該蝕刻劑可以是王水系列或是氯化鐵系列。 爲什麼從指定爲影像形成平面的中央區域內將該錫銦氧化 物移除的理由是該錫銦氧化物會與鋁一起形成一電池。即 使在將該錫銦氧化物層壓於各源極電極43上時，該錫銦 氧化物層也會肇因於該電池現象而容易剝落。各金屬層 61上的各錫銦氧化物層63會強化該COG(晶片在玻璃上） 在裝設上的可靠度。第7E圖顯示的是一個藉由層壓金屬 層61和錫銦氧化物層63而施行的端子15/16/18。 隨後，將具有光敏線型酚醛淸漆樹脂的溶液散佈於所得 結構上方並形成厚度爲1微米到3微米的光敏線型酚醛淸 漆樹脂層。將用於原始凸塊的圖案影像轉移到該光敏線型 酚醛淸漆樹脂層上並於鹼性顯影溶液內使該隱藏影像顯影 。然後，在指定爲影像形成平面.的中央區域內依不規則的 方式將各凸塊形成於具有該光敏線型酚醛淸漆樹脂的絕緣 -23- 569070 五、發明說明（22) 層5 1內（參見第6E圖）。各凸塊係由各陡峭壁定義出。在 將光敏物質用於該絕緣層5 1時，係透過包含下列步驟的 處理程序製作各原始凸塊··（1)散佈光敏物質；（2)將圖案 轉移到該光敏物質層上；以及（3)對產生於該光敏物質層 內的隱藏影像進行顯影。 該絕緣層5 1係由光敏或非光敏物質形成的。若將光敏 物質用於該絕緣層5 1，則透過包含下列步驟的處理程序 製作各原始凸塊：（1)散佈光敏物質；（2)以光阻層塗覆該 非光敏物質層；（3)將圖案轉移到該光阻層上；（4)對隱藏 影像進行顯影；（5)藉由使用已製作成圖案的光阻層對該 非光敏物質層進行蝕刻；以及（6)從該非光敏物質層的上 表面將已製作成圖案的光阻層移除。如是，因爲光敏物質 的使用使該處理程序變得很簡單。 隨後，使各陡峭壁變緩和。將如第6E圖所示之所得結 構放進爐槽內，並以80°C到200°C的熱能對各凸塊進行處 理。令各凸塊的表面部分於高溫環境中接受回流處理，並 使各陡峭壁變成緩和壁。如是，透過回流作用使該絕緣層 5 1形成有各原始凸塊。吾人可以藉由於諸如N-甲基-2-吡 咯烷酮之類化學物質中熔化各表面部分形成各原始凸塊。 在200°C到250°C的溫度下烘烤該樹脂，而得到如第6F圖 所示具有各原始凸塊的絕緣層5 1。 隨後，將具有光敏線型酚醛淸漆樹脂的溶液散佈於所得 結構上方並形成厚度爲〇 · 3微米到1 · 5微米的光敏線型酉分 醛淸漆樹脂層。將圖案影像轉移到該光敏線型酚醛淸漆樹 -24- 569070 五、發明說明（23) 脂層上並於鹼性顯影溶液內使該隱藏影像顯影。然後，該 光敏線型酚醛淸漆樹脂層內形成各接觸孔45。各凸塊係 由各陡峭壁定義出。在200°C到250°C的溫度下烘烤該光 敏線型酚醛淸漆樹脂層，並使該絕緣層5 1覆蓋有絕緣層 52。分別將各接觸孔55套入各接觸孔45內，使各源極電 極43分別曝露在如第6G圖所示的各接觸孔45中。 此例中，各絕緣層5 1/52係由線型酚醛淸漆系列中之有 機化合物形成的。另一種用於各絕緣層51/52的可取得物 質是由JSR公司製造其型號爲PC403的產品。各絕緣層 5 1和52可能具有不同的物質。例如，選擇性地將丙烯酸 樹脂及聚亞胺用於各絕緣層5 1/52。吾人也可以選擇性地 將有機物質及無機物質的組合用於各絕緣層5 1/52。有機 物質及無機物質之組合實例有氮化矽及丙烯酸樹脂的組合 以及氧化矽及聚亞胺的組合。各原始凸塊係形成於由任意 一種有機/無機物質層構成的絕緣層51內。 於第一實施例中，係將光微影技術用在各絕緣層51/52 。吾人可以透過一種印刷技術形成各絕緣層5 1/52。該印 刷技術能夠使該方法變簡單。用於各絕緣層5 1/52的其他 可用技術有諸如液相成長技術之類的溼蝕刻法以及諸如電 漿聚合技術之類的乾蝕刻法。如是，將其中可觀測到除氣 作用的各種絕緣物質層稱爲「各絕緣層51/52」。 隨後，藉由使用濺鍍技術在所得結構上方沈積厚度爲 50奈米到200奈米及100奈米到300奈米的鉬層及鋁铷 合金層，並於該內夾絕緣層32上方使該鉬層及鋁鉚合金 -25- 569070 五、發明說明（24) 層層壓在一起。該鉬層會穿透各接觸孔4 5/5 5能與各源極 電極43保持接觸。 藉由使用光微影技術在鋁-铷層上製備一光阻鈾刻遮罩 ，並透過40°C到60°C的溼蝕刻法選擇性地將鋁-铷層及鉬 層鈾刻掉以便形成如第6H圖所示的各反射電極3 1。該溼 蝕刻劑含有磷酸、醋酸及硝酸。由於各反射電極3 1也會 進一步扮演著各像素電極的角色，各反射電極3 1係以沿 著各導電條11和各導電條1 2的間隔間隔開。從該周緣區 域上將該鉬層及錦-铷層移除。如是，永遠不會在各端子 15/16/18上留下鉬層及鋁-鉚層。該鉬層係在該錫銦氧化 物層63與該鋁-铷層之間扮演著阻擋金屬層的角色。在對 該鋁-铷層施行圖案製作時，該阻擋金屬層會防止該錫銦 氧化物層63接觸到該溼蝕刻劑。若該溼蝕刻劑抵達該錫 銦氧化物層63，則會在該錫銦氧化物層63與鋁-铷層之間 產生不必要的電池而使該錫銦氧化物層6 3有剝落的傾向 。如是，使該鉬層足夠厚防止該錫銦氧化物層63接觸到 該溼蝕刻劑。 以下將詳細地說明各濺鍍條件。首先，將如第6G圖所 示之所得基板結構塞入加熱槽內，並在真空中以70t到 1 7〇°C的溫度對該基板結構加熱1到2分鐘。於高溫環境 中將水蒸發掉並從各絕緣層5 1/52中將之排除。在從各絕 緣層5 1/52中將水排除掉時，將該基板結構從加熱槽輸送 到濺鑛槽內。於該濺鍍槽內建立真空，並於該濺鍍槽內接 續地將該鉬層及該鋁-鉚層沈積於該基板結構上方。 -26- 569070 五、發明說明（25) 較佳的是於該濺鍍槽內依與加熱槽無關的方式建立真空 。若於單一槽內施行加熱及濺鍍作業，則來自各絕緣層 5 1/52的蒸氣除氣作用會改變所濺鑛金屬/合金的品質，且 不必要地增加了各反射電極與各源極電極之間的接觸電阻 。若於相同的槽內施行加熱及濺鍍作業，則使加熱作業延 長爲2到5分鐘，且較佳的是於濺鍍期間從該槽內施行各 氣體組成的除氣作用。 在上述條件下如是沈積的鋁-鉚合金不具有朦朧的表面 且據此達成了高反射率。此外，各源極電極43與各反射 電極3 1之間的接觸電阻是既低又穩定。 在鉬層的沈積作業與鋁-鉚層的沈積作業間可具有不同 的基板溫度。較佳的是該鉬層之沈積作業中的基板溫度會 高於該鋁-铷層之沈積作業中的基板溫度。例如，以 150°C之基板溫度施行該鉬層的沈積作業，且舉例而言以 120°C之基板溫度施行該鋁-鉚層的沈積作業。這是因爲存 在著在非常低之基板溫度下施行之沈積作業會使鉬的結晶 變差的事實。該很差的結晶在鋁合金的結晶內極具影 響力，而很差的結晶不會允許溼蝕刻劑在各反射電極31 內形成很好的輪廓。當然，在鉬層的沈積作業與鋁-铷合 金的沈積作業間可能具有相同的基板溫度。 較佳的是該鋁-铷合金含有至少0.5重量％的鉚。等於或 大於0.5重量％的_含量能夠於該配向層34的燃燒期間有 效地對抗小丘的形成並保持極高的反射率。另外較佳的是 於鋁-铷合金的沈積作業期間使該基板結構維持在1 70°C或 -27- 569070 五、發明說明（26) 更低的溫度。在170°C或更低溫度的沈積作業會使各反射 電極3 1的表面形態具有等於或小於1微米的平均節距， 且相對於其波長爲400奈米之可見光組成的反射率，所得 的各鋁-铷電極會在其波長爲從200奈米到400奈米的光 組成上達到等於或大於90%的反射率。無論用於該配向層 34的物質爲何，其波長爲從200奈米到400奈米的光組 成能夠有效地對抗泛黃的影像形成平面。不過，較佳的是 其铷含量不大於1 〇重量％。若其鉚含量超過1 0重量％， 各反射電極3 1會變朦朧且無法在可見光組成上達成極高 的反射率。如是，鉚含量的較佳範圍是從0.5重量％到10 重量％。 此例中，從高反射率以及與各薄膜電晶體1 4之製造方 法呈良好校準的觀點該鋁-鉚合金是必要的。不過，吾人 可以在呈現出高反射率的金屬/合金中取用任意一種金屬 或合金用於各反射電極3 1。吾人可以將另一種諸如鋁-鈦 合金或鋁-鉬合金之類的鋁合金用於各反射電極3 1。否則 ，可由諸如銀之類高反射性金屬形成各反射電極3 1。 最後，將各配向層34形成於反射電極3 1陣列內。細言 之，藉由使用印刷技術將有機化合物印刷於所得結構上。 該有機化合物層的厚度爲50奈米到100奈米。在200 °C 到23 0°C的溫度下對該有機化合物層進行烘烤使之配向。 結果，得到該基板結構1 0。 依與上述處理程序無關的方式將另一基板結構20裝配 於該透明絕緣層20a上。在該透明絕緣層20a上施行圖案 -28- 569070 五、發明說明（27) 製作以形成各彩色濾光片2 1，並將錫銦氧化物沈積於各 彩色濾光片2 1上方以形成各相反電極3 3。黑色矩陣22 係形成於圍繞各彩色濾光片2 1的周緣區域內。將厚度爲 5 0奈米到1 00奈米的有機化合物印刷到該相反電極3 3上 ，並在200°C到230°C的溫度下對該有機化合物層進行烘 烤。透過該配向處理完成該配向層34。較佳的是該有機 化合物會使該配向層在從300奈米到600奈米的光組成上 達成等於或大於95%的透明度。 將由合成樹脂構成的球形空間層3 5分散到該基板結構 1 0的中央區域內，並沿著該基板結構的邊緣將由環氧樹 脂構成的封裝作用劑設於周緣區域上。如第61圖所示使 各基板結構1 0和20互爲相對並加以組合。各球形空間層 3 5係藉由預定縫隙使各基板結構1 0與20保持間隔開。 該封裝層具有一開口（參見第4圖），且液晶LC2係透過該 開口注入到該縫隙內。係以一片落在丙烯酸系列內的紫外 線可烘烤樹脂24並使該片紫外線可烘烤樹脂24固化而封 閉該開口。如是，將液晶LC2限制於各基板結構1 〇和20 之間的空間內。 接續將1/4波板37及偏光板38黏貼到該透明絕緣層 20a上。雖則圖中未標示，然而吾人係將一半導體晶片裝 設於所得結構的周緣區域上，並將該半導體晶片的各導電 襯墊連接到用於掃瞄信號、資料信號及共同電壓的各端子 15/16/18 上。 從前述說明吾人將會了解到，根據本發明的液晶顯示面 -29- 569070 五、發明說明（28) 板係包含具有平均節距爲等於或小於1微米之平坦表面形 態的各反射電極。該平坦表面形態會減低對其波長落在從 2 00奈米到400奈米範圍內之光的吸收率，且能夠防止該 影像形成平面變黃。 此外，在等於或低於170t的基板溫度下成長鋁-鉚合 金時，該鋁-鉚合金層之表面形態具有等於或小於1微米 的平均節距。 第二實施例 根據本發明的另一種液晶顯示面板是類似於第一實施例 中的液晶顯示面板，除了落在各薄膜電晶體1 4與各反射 電極3 1之間的內夾絕緣層以外。因爲這個理由，係以結 合於第一實施例中之各對應層、條及基板的相同符號標示 出本實施例中的其他各層、條及基板。以下將參照第5、 6A到6D、7A到7E及8A到8E圖說明根據本發明第二實 施例之液晶顯示面板的製造方法。第8A到8E圖係用以 顯示沿著第5圖中B-B線段擷取的截面圖示。· 該方法係包括下列步驟：（1)對金屬層施行圖案製作以形 成各閘極電極4 1和掃瞄信號用導電條11 ; (2)對閘極絕緣 層53上的未饞雜/n +型多晶矽層施行圖案製作以形成各主 動層44 ; (3)對金屬層施行圖案製作以形成各汲極/源極電 極42/43和資料信號用導電條12 ; (4)形成各惰性層54 ; (5 )對透明導電層施行圖案製作以形成各端子連接電極；（6) 於該內夾絕緣層71內形成各凸塊；（7)對合金層施行圖案 製作以形成各反射電極3 1。 -30- 569070 五、發明說明（29) 該方法係從製備透明絕緣基板l〇a開始施行，且步驟（Π 到（5)係類似於第一實施例中的各步驟。如第7E和8A圖 所示吾人係在該透明絕緣基板l〇a上或上方施行圖案製作 以形成薄膜電晶體1 4陣列、惰性層54、掃瞄信號用端子 1 5、資料信號用端子1 6及共同電壓用端子1 8。 隨後，將光敏線型酚醛淸漆樹脂散佈於所得結構上方並 形成厚度爲2.0微米到4.5微米的光敏線型酚醛淸漆樹脂 層71。使半色調遮罩與所得結構對齊，並將圖案影像從 該半色調遮罩轉移到如第8B圖所示之光敏線型酚醛淸漆 樹脂層71上。該半色調遮罩具有一透明圖案、一半透明 圖案及一不透明圖案。該透明圖案對曝光用光而言是透明 的，而該不透明圖案則無法透射該曝光用光。該曝光用光 會在該半透明圖案受到部分吸收。該不透明圖案係指定爲 不受鈾刻區72a亦即該內夾絕緣層7 1的高臺部分，該半 透明圖案係指定爲受鈾刻區72b亦即該內夾絕緣層7 1的 谷壑部分。該半色調遮罩係指定爲將要完全蝕刻掉的其他 部分72c。該半色調遮罩的設計方式是使該半透明圖案與 該透明圖案呈相鄰。以光照射該半色調遮罩，並使影像承 載光落在該光敏線型酚醛淸漆樹脂層7 1上。該影像承載 光會於該光敏線型酚醛淸漆樹脂層71內形成一隱藏影像。 使該隱藏影像顯影。在該結構上留下與該不透明圖案對 齊的區並從該結構上移除與該透明圖案對齊的區。局部地 蝕刻掉與該半透明圖案對齊的區以致於該內夾絕緣層7 1 內形成各谷壑。該半透明圖案會與該透明圖案相鄰。換句 -31- 569070 五、發明說明（3〇) 話說，該不透明圖案不會與該透明圖案相連。雖則吾人係 將各凸塊形成於該內夾絕緣層7 1內，然而該內夾絕緣層 7 1具有如第8C圖所示的緩和輪廓。 該半色調遮罩會改變該曝光用光的強度，使該隱藏影像 擴散到對應於該光強度之擴散作用的深度。吾人可藉由改 變曝光時間形成該隱藏影像。如是，於單一內夾絕緣層 7 1內形成各凸塊。該內夾絕緣層7 1係對應到兩個絕緣層 5 1和52。如是，吾人能夠透過非常簡單的程序形成各凸 塊。 隨後，以80°C到200°C的熱能對所得結構進行處理，並 令該內夾絕緣層7 1接受回流。該內夾絕緣層7 1的表面會 變緩和。吾人可藉由使用化學物質產生該緩和表面。以 200°C到25 0°C的溫度烘烤該內夾絕緣層71，且如第8D圖 所示於該內夾絕緣層7 1內形成各原始凸塊。 剩餘的處理程序是類似於第一實施例中的各處理程序。 藉由使用濺鍍法在所得結構的整個表面上方沈積厚度爲 5 0奈米到200奈米及100奈米到300奈米的鉬層以及鋁 鉚層。基礎的加熱及濺鍍條件是類似於第一實施例中的條 件。如第8 E圖所示，透過光微影技術及鈾刻法對該銘铷 層及鉬層施行圖案製作以形成各反射電極3 1。各反射電 極3 1皆含有其平均節距等於或小於1微米的表面形態。 令反射電極3 1陣列以及該內夾絕緣層7 1的露出表面覆 蓋有配向層34。另一基板結構20係依類似於第一實施例 的方法加以製造的。將基板結構1 〇和20組合在一起，並 -32- 569070 五、發明說明（31) 將液晶封裝於落在基板結構1 0和20之間的縫隙。 各反射電極3 1皆含有其平均節距等於或小於1微米的 平坦表面形態，並在其波長爲從200奈米到400奈米之光 組成上達成極大的反射率。這些光組成上的極大反射率能 夠有效地對抗泛黃的影像形成平面。 由於係在與第一實施例相同的條件下成長該反射性材料 ，故達成了平坦表面形態。此外，能夠透過簡單的程序於 該內夾絕緣層71內形成各原始凸塊，而減低了製造成本。 可將該半色調遮罩取代爲一組光罩。此例中，係藉由使 用該組光罩之一產生用於部分蝕刻區72b的隱藏影像，並 藉由使用另一光罩產生用於完全蝕刻區72c的隱藏影像。 除此之外，可藉由使用另一種具有超出該曝光用光之解析 度極限之極細圖案的半色調遮罩產生該圖案影像，而穿透 該極綑圖案的光會產生用於部分蝕刻區72b的隱藏影像。 第三實施例 將注意力轉向第9圖，某些像素會佔據被指定爲結合於 根據本發明又一實施例內彩色像素陣列之中央區域的周緣 。用以施行第三實施例的液晶顯示面板是分類在反射式透 明液晶顯示面板中。結合一倒置的活動式薄膜電晶體1 4 、一反射電極31、一相反電極33(參見第10K圖）、一透 明像素電極81、一彩色濾光片21 (參見第10K圖）及一片 液晶形成一像素，而以具有紅色濾光片的像素、具有綠色 濾光片的像素及、具有藍色濾光片的像素當作一體構成類 似於第一實施例的彩色像素。 -33- 569070 五、發明說明（32) 各掃瞄信號用導電條π係依並聯方式配置於透明絕緣 基板l〇a上，且分別連接到各相關列中各薄膜電晶體14 的閘極電極4 1上。各共同電壓用導電條1 3係依並聯方式 配置於各導電條11上且與各導電條11呈交流配置。導電 條1 3含有落在各間隔上的寬闊部分。各資料信號用導電 條12會沿著垂直於各導電條11/13的方向延伸，且分別連 接到各相關行中各薄膜電晶體14的汲極電極42上。如是 ，各導電條11及各導電條12係依像晶格的方式配置於該 透明絕緣基板l〇a上方，且界定出分別指定到各像素的矩 形區。該薄膜電晶體14及寬闊部分會佔據相關的矩形區 ，且會與相關的反射電極3 1及透明像素電極8 1重疊。該 反射電極3 1係連接到該相關薄膜電晶體14的源極電極 43上，且會依電氣方式連接到該透明像素電極8 1上。該 透明像素電極8 1係爲相關的反射電極3 1所圍繞，且該透 明像素電極8 1的外圍會與該反射電極3 1的內緣保持接觸 。如是，各資料信號用導電條12可透過該薄膜電晶體14 亦即該汲極電極42、主動層44及源極電極43依電氣方 式連接到該反射/透明像素電極3 1/81上，並將代表將要 產生影像中某一部分的資料資訊的片段寫入該反射/透明 像素電極3 1 / 8 1之內。 一內夾絕緣層54/5 1 /52係交錯配置在薄膜電晶體14陣 列與各反射/透明像素電極3 1/8 1之間，以致依與該薄膜 電晶體1 4相關的方式設置各保持電容器。將各原始凸塊 形成於該內夾絕緣層54/5 1/52，並將之轉移到各反射電極 -34- 569070 五、發明說明（33) 31上。在預定條件下沉積反射性物質，以致各反射電極 31都含有平坦的表面形態。該表面形態的特徵是落在各 平均間隔上的粗糙度是等於或小於1微米。 以下將參照第10A到10K及7A到7E圖說明根據本發 明第三實施例之液晶顯示面板的製造方法。第10A到10K 圖係用以顯示沿著第9圖中B_B線段擷取的截面圖示。根 據本發明第三實施例之製造方法係類似於第一實施例的處 理程序，除了用於形成該透明像素電極8 1的步驟之外。 用以施行第三實施例的處理程序係包括下列步驟··（1)對 金屬層施行圖案製作以形成各閘極電極41、各金屬層61 和各導電條11/13 ; (2)對閘極絕緣層53上的未攙雜/n +型 多晶矽層施行圖案製作以形成各主動層44 ; (3)對金屬層 施行圖案製作以形成各汲極/源極電極42/43和導電條12 ;(4)對惰性層54上的絕緣層施行圖案製作以形成各原始 凸塊；（5)使各原始凸塊覆蓋有另一絕緣層（6)於該惰性層 54內形成各源極接觸孔45 ; (7)對透明導電層施行圖案製 作以形成各端子連接電極61及透明像素電極81 ;以及（8) 對反射性金屬層施行圖案製作以形成各反射電極3 1。 製備該透明絕緣基板l〇a，且對一鉻層施行圖案製作以 形成如第10 A圖所示之各閘極電極4 1、各掃瞄信號用導 電條11及各共同電壓用導電條1 3。使各閘極電極4 1及 各導電條11/13覆蓋有該閘極絕緣層53，並將未饞雜非晶 矽層44a及重劑量攙雜的η型非晶矽層44b沈積到該閘極 絕緣層53上方。對各未攙雜非晶矽層44a/44b施行圖案 -35- 569070 五、發明說明（34) 製作以形成如第10B圖所示之各主動層44 °將鉻層沈積 到所得結構的整個表面上方並施行圖案製作以形成各汲極 /源極電極42/43和導電條12。令每一個主動層44的兩個 端點部分覆蓋有各汲極/源極電極42/43，並藉由使用各汲 極/源極電極42/43當作如第10C圖所示之蝕刻遮罩局部地 將該n +型非晶矽層44b蝕刻掉。如是’將薄膜電晶體1 4 陣列形成於該透明絕緣基板l〇a上。使薄膜電晶體1 4陣 列覆蓋有該惰性層54。不過，各接觸孔45並非形成於該 惰性層54內。如是，直到將各源極接觸孔45形成於該惰 性層54內爲止該處理程序係類似於第一實施例。 對該絕緣層5 1施行圖案製作以形成各凸塊（參見第1 0E 圖），且令各凸塊的表面部分接受回流處理以便使之變緩 和。如第10F圖所示係將各原始凸塊形成於該絕緣層5 1 內。如第10G圖所示各原始凸塊係覆蓋有絕緣層52。如 是，步驟（4)和（5)係對應到用以施行第一實施例之處理程 序中的步驟（6)和（7)。其差異是在於該絕緣層51/52內顯 影出各隱藏影像之後在沒有任何遮罩下接受光線的曝光。 光線的曝光作用能夠有效地對抗著色現象。由於該液晶顯 示面板屬反射性透明的型式，較佳的是接受抗著色處理。 選擇性地將該閘極絕緣層53及/或惰性層54蝕刻掉以 便形成各源極接觸孔55及各端子接觸孔62(參見第10H 和7D圖），並使各源極電極43及各金屬層61曝露在各源 極接觸孔5 5及各端子接觸孔6 2中。同時於該閘極絕緣層 53及惰性層54內形成各接觸孔，並使各導電條1 3的端 -36- 569070 五、發明說明（35) 點部分、用於各端子1 6的金屬層6 1以及各導電條1 2上 靠近各端子1 6的端點部分分別曝露在各接觸孔中。 隨後，藉由使用濺鍍法在所得結構的整個表面上方沈積 厚度爲100奈米到300奈米的錫銦氧化物層。對該錫銦氧 化物層施行圖案製作以形成各透明像素電極8 1、用於各 端子15/16/18的連接電極63、共同連接條17以及各端子 1 6與各導電條1 2之間的互連結構。依類似於用以成長用 於各反射電極之反射性物質的方式施行該錫銦氧化物的成 長以便防止各透明像素電極8 1出現除氣現象。由於吾人 係從各接觸孔55中移除該錫銦氧化物層，故各源極電極 43仍然會曝露在各源極接觸孔5 5中。將所得結構顯示於 第101和7E圖。 隨後，藉由使用濺鍍法在所得結構上方接續沈積厚度爲 50奈米到200奈米及100奈米到300奈米的鉬層及鋁鉚 合金層，並對該鉬層及鋁鉚合金層施行圖案製作以形成如 第10 J圖所示之各反射電極3 1。亦即，從沿著各導電條 1 1和1 2的狹窄區域以及指定爲各端子的周緣區域移除該 鉬層及鋁鉚層。如是，使各反射電極3 1相互呈電氣隔離 。各反射電極3 1分別係透過各源極接觸孔55與各相關薄 膜電晶體14的源極電極43保持接觸。各反射電極31的 內緣會與各相關透明像素電極8 1的外緣保持接觸。該鉬 層係交錯配置在各透明像素電極8 1與該鋁-铷層之間，而 在各透明像素電極8 1的外緣上留下光阻蝕刻遮罩。雖則 吾人係藉由使用蝕刻劑對該鋁-鉚層及鉬層施行圖案製作 -37- 569070 五、發明說明（36 ) ，然而光阻蝕刻遮罩不會允許該蝕刻劑穿透到落在各透明 像素電極8 1與該鉬層之間的縫隙內。不致在各透明像素 電極8 1與該鋁-鉚層之間產生任何電池現象。各透明像素 電極8 1不致受到破壞且永遠不會從絕緣層52上剝落下來。 將配向層34形成於反射電極3 1陣列以及該絕緣層52 的露出表面上而完成基板結構1 0。吾人係依與該基板結 構10分離的方式製備另一基板結構20。如第10K圖所示 令該基板結構1 0與該基板結構20對齊，而將液晶封裝於 落在該基板結構1 0與20之間的縫隙內。 吾人係在與第一實施例相同的條件下施行該濺鍍法而於 各反射電極31的上表面上達成平坦的形態。各上表面上 的粗糙度係由等於或小於1微米的平均節距表出。相對於 可見光組成的反射率，（所得的電極）會在其波長爲從200 奈米到400奈米的光組成上達到等於或大於90%的反射率 。如是，各反射電極3 1有效地對抗泛黃的影像形成平面。 第四窨施例 將注意力轉向第Π圖，根據本發明再一實施例的液晶 顯示面板大體包括：兩個基板結構10和20A ;封裝層23 ;球形空間層35及用以塡充落在基板結構1〇與20A間之 縫隙內的液晶LC3。各點虛線A-A、B-B和C-C代表的分 別是對應到沿著第4圖之點虛線A-A、沿著第5圖之點虛 線B-B和沿著第4圖之點虛線C-C擷取的截面。 該基板結構1 〇是類似於第一實施例中的基板結構1 0。 不過，另一基板結構20A是不同於第一實施例中的基板結 -38- 569070 五、發明說明（37) 構。將一不規則反射板92塞入各彩色濾光片2 1與各相反 電極3 3之間。據此，內夾絕緣層3 1 A是不含皺紋的，而 直接在惰性層54’上施行圖案製作以形成反射電極3 1。 用以施行第四實施例之液晶顯示面板係藉由下列處理程 序加以製造的。該處理程序係包括下列步驟：（1)對金屬層 施行圖案製作以形成各導電條11/13和各閘極電極41 ; (2)對閘極絕緣層53上的未攙雜/n +型多晶矽層施行圖案製 作以形成各主動層44 ; (3)對金屬層施行圖案製作以形成 各汲極/源極電極42/43和導電條12 ; (4)以惰性層54覆 蓋各汲極/源極電極42/43和導電條12 ; (5)對透明導電層 施行圖案製作以形成各端子連接電極63 ;以及（6)對金屬 層施行圖案製作以形成各反射電極3 1。如是，用以施行 第四實施例之製造方法不包含用以施行第一實施例之液晶 顯示面板的製造方法中的步驟（6)和（7)。 於該處理程序中，並未將該惰性層54’散佈到薄膜電晶 體1 4陣列上方。該惰性層54·係由氮化矽形成的且係藉由 使用電漿輔助化學氣相沈積法沈積該氮化矽。在依類似於 如第6D和7D圖所示之方式於該惰性層54’內形成各源極 /端子接觸孔時，係將所得結構輸送到加熱槽內並在室溫 下加以保存或是以1 70°C或更低的溫度進行加熱。之後’ 將所得結構輸送到濺鍍槽內。該濺鍍槽可能是與該加熱槽 完全相同或是不相同的。於該濺鍍槽內’接續地將鉬層及 鋁-铷層沈積於該基板結構上方。這是因爲來自該惰性層 5 4,的除氣作用是可忽略的緣故。該鋁-铷層不致呈朦朧 -39- 569070 五、發明說明（38) 而呈現出極高的反射率。較佳的是該惰性層5 4'會比該惰 性層54更厚。該惰性層54’具有落在從300奈米到800奈 米範圍內的厚度。若令薄膜電晶體14陣列覆蓋有惰性層 54，則將之散佈於薄膜電晶體14陣列上方之後加以烘烤 以取代該惰性層54’。吾人只從該處理程序排除用於形成 各原始凸塊的步驟，而用於對各金屬/合金層施行圖案製 作以形成各反射電極3 1的步驟是類似於用於第一實施例 之方法中所結合的步驟。如是，對各反射電極3 1仍然需 要排除除氣作用的影響且是不必要的。 不過，吾人係在與第一實施例相同的條件下形成各反射 電極31。該鋁-铷合金的铷含量係落在從0.5重量％到10 重量％的範圍內，且該鋁-鉚合金係在等於或小於17(TC的 基板溫度下成長的。吾人係在各反射電極31的上表面上 方產生具有等於或小於1微米之平均節距的表面形態。結 果，相對於可見光組成的反射率，各反射電極3 1會在其 波長爲從200奈米到400奈米的光組成上達到等於或大於 90%的反射率，且能夠在用於形成配向層34的烘烤步驟 中防止小丘的形成。如是，無論該配向層34所用的物質 爲何，各反射電極3 1都不會使該影像形成平面變黃。此 外，各源極電極43與各反射電極3 1之間的接觸電阻不會 增加以致確定能夠將資料資訊片段書寫到各像素之內。 另一方面，另一基板結構20A包含一不規則反射板91 ，且其製造方法是不同於結合第一實施例加以說明的方法 。該不規則反射板9 1係由散佈有粒子之線型酚醛淸漆樹 -40- 569070 五、發明說明（39) 脂形成的。舉例言之，這類粒子係由合成樹脂形成的珠子 且係散佈於線型酚醛淸漆樹脂內。這類珠子的尺寸及混煉 比例是最佳化的，以致該不規則反射板9 1達成與形成有 凸塊之各反射電極3 1相同的光散射特徵。用以施行本發 明的液晶顯示面板會達成極高的反射率、無泛黃之影像形 成平面、且無法將資料資訊的片段寫入到各像素。 限制理由 本發明的發明人係依下列方式硏究最佳的表面形態及濺 鍍條件。首先，吾等在不同的基板溫度値下將鋁-鉚合金 濺鍍到玻璃基板上。該鋁合金的鉚含量是4.5重量％。 吾等係透過掃瞄式電子顯微鏡以五千倍的放大倍率觀測表 面形態，並沿著某一斜角方向拍攝各樣品之表面形態照片 。吾等量測粗糙度的平均節距並將此等平均節距繪製於第 1 2圖中。吾等發現其粗糙度會在減低其基板溫度時變平 坦。當基板溫度爲200°C時其平均節距爲1.5微米。在基 板溫度減爲150°C時則其平均節距係落在〇·9微米的等級 。當吾人以等於或小於10CTC的基板溫度進行濺鍍時，其 平均節距爲等於或小於0.5微米。該粗糙度的深度會隨著 粗糙度一起減小。當基板溫度爲200°C時其深度係落在 0.5微米的等級。在基板溫度減爲150°C時則其深度會減 小爲大約0.3微米。當吾人以等於或小於l〇〇°C的基板溫 度進行濺鍍時，其深度會減小爲大約0.2到0.1微米。 隨後，吾等量測各鋁-鉚層在各光組成上的反射率’並 相對於鋁層的反射率對此反射率施行正規化處理，換句話 -41 - 569070 五、發明說明（4〇) 說將鋁層的反射率繪製成1 〇〇%，將其相對反射率繪製於 第13圖中。 當吾人以200°C的基板溫度進行濺鍍時，其平均節距係 落在1.5微米的等級（參見第12圖），則該相對反射率的峰 値會落在波長爲400奈米左右的光組成上，且該相對反射 率會在峰値兩側下降。另一方面，在以120°C的基板溫度 進行濺鍍時，其平均節距係落在0.7微米的等級，且不會 在波長爲400奈米以下的光組成上減小其相對反射率。該 鋁-铷合金上的相對反射率會呈現出與1.5微米的平均節 距上之鋁-铷合金相同的傾向。不過，平均節距落在0.7 微米的鋁-鉚合金即使在波長減得比400奈米小時也會增 加其相對反射率。吾等確認的是其平均節距落在等於或小 於1.0微米的各鋁-鉚合金層不會在波長等於或小於400 奈米的光組成上減小其相對反射率。吾等的結論是其平均 節距落在等於或小於1.0微米的表面形態能夠有效地對抗 泛黃的影像形成平面。 隨後，吾等硏究厚度對反射率的影響。吾等在不同的基 板溫度値下濺鍍具有各種厚度値的鋁-鉚合金。吾等量測 各鋁-铷層上的反射率並使之相對於表爲第13圖中120°C 曲線的反射率對此反射率施行正規化處理，換句話說將在 1 20°C下濺鍍成之鋁-鉚合金層的反射率繪製成100%。將 厚度爲150奈米之鋁-鉚合金層上已正規化或相對的反射 率繪製於第14圖中。同樣地，將厚度爲300奈米之鋁-_ 合金層上的相對反射率繪製於第1 5圖中。於第1 4和1 5 -42- 569070 五、發明說明（41) 圖中，「RT」代表的是「室溫」。 比較第1 4和1 5圖的曲線，吾人可以了解的是當該鋁-铷合金層的厚度增加時其於紫外線光組成上的相對反射率 會減低。例如，在厚度爲150奈米時以100°C濺鍍成的鋁_ 铷合金層仍然會呈現出增加其於紫外線光組成上的相對反 射率。不過，當厚度增加爲150奈米時以l〇〇°C濺鍍成的 鋁-铷合金層所呈現出與參考樣品亦即以120°C沈積成的 鋁-铷合金層具有相同傾向的相對反射率。無論其厚度爲 何，以200°C濺鍍成的鋁-铷合金層都會於紫外線光組成上 呈現出很糟的相對反射率。 隨後，吾等硏究了用於配向層34之有機化合物在各光 組成上的透明度。配向層「A」指的是由Nissan化學公司 製造的產品，而配向層「B」指的是由JSR化學公司製造 的產品。配向層「A」與配向層「B」之間的成份是不相 同的。雖則配向層「A」和「B」兩者都含有聚亞胺，然 而其成份是不相同的。用於配向層「A」的有機化合物 會呈現出落在幾乎97%與99%之間範圍內的透明度。不過 ，用於配向層「B」的有機化合物會呈現出隨著波長逐漸 下降的透明度。在將配向層「B」用在液晶顯示面板內時 ，會使影像形成平面變得泛黃。不過，吾人已在液晶顯示 面板內使用了根據本發明的各反射電極，故能夠防止該影 像形成平面變黃。 吾等硏究了鉚含量對小丘形成現象及反射率的影響。吾 等濺鍍了具有不同铷含量的鋁-鉚合金，並以23 0°C的熱能 -43- 569070 五、發明說明（42) 對該鋁合金層進行一小時的處理。該熱處理的條件是 類似用於配向層34之烘烤步驟中的條件。在施行熱處理 之後，吾等係透過光學顯微鏡對該鋁-鉚合金層進行觀測 看看各鋁-鉚合金層上是否出現小丘。其觀測結果係總結 於第17圖中。吾等係在铷含量小於0.5重量％亦即0·1重 量％時觀測到小丘，而將該等樣品標記爲「’ χ」。其铷含量 落在0.1重量％與0.5重量％之間的各樣品會呈現出與室溫 下所沈積之純鋁層一般大的反射率，該等樣品係標記爲 「〇」。其_含量爲10重量％之樣品在波長爲400奈米之 光組成上的反射率會減低6到8%，該等樣品係標記爲‘ 「△」。不過，其鉚含量爲20重量％之樣品在波長爲400 奈米之光組成上的反射率會減低比1 〇 °/。還多’該等樣品係 標記爲「X」。如是，吾等的結論是其細含量將會落在〇· 5 重量％與10重量％之間的範圍內。 最後，吾等係從三個觀點亦即該影像形成平面上的顏色 、反射率以及該源極電極43與各反射電極3 1之間的接觸 電阻對各樣品進行評估。其評估結果係總結於第1 8圖中 。各樣品分別係在有機化合物層上形成有鋁-铷層且該鋁-鉚層含有4.5重量％的铷含量。各鋁-铷層皆覆蓋有配向層 「Β」。不過，各鋁-鉚層係以不同的基板溫度値沈積成的 。在具有以200°C沈積成的鋁-铷層的樣品上其影像形成平 面是泛黃的，因此將該樣品標記爲「X」。在具有以1 7〇°C 及20(TC沈積成之鋁-铷層的各樣品上其於波長爲400奈米 之光組成上的反射率會減低1到5%。因爲這個理由，吾 -44- 569070 五、發明說明（43) 等會將該樣品標記爲「△」。雖則以20°C沈積成之鋁-鉚層 會在玻璃基板上呈現出良好的反射率，然而該鋁-鈸1層會 肇因於來自該有機化合物層的除氣作用而變朦朧，且其於 波長爲400奈米之光組成上的反射率會減低5%。因爲這 個理由，吾等會將該樣品標記爲「△」。只要其基板溫度 是等於或大於70°C，則各樣品都會呈現出很低的接觸電 阻。不過，當吾人以室溫亦即20°C沈積該鋁-铷合金層時 ，其接觸電阻會肇因於該除氣作用而增加。因爲這個理由 ，吾等會將該樣品標記爲^ X」。吾等的結論是將該鋁-鈸I 層沈積到透過電漿輔助化學氣相沈積技術而成長的諸如以 等於或小於1 70°C的基板溫度濺鍍成的氮化矽之類絕緣層 上。另一方面，在藉由散佈及烘烤樹脂而形成該絕緣層時 ，該鋁-鉚合金層係藉由以170°C到200°C之間的基板溫度 施行濺鍍法而沈積成的。 吾等也對其他含有由一種反射率大於鋁之物質形成之反 射電極3 1的樣品進行硏究。這種物質的實例是銀及銀合 金。這類樣品會呈現出類似於該鋁-铷合金的反射率、小 丘形成現象及接觸電阻。 即使當該配向層係由有機化合物形成而呈現出與用於配 向層「B」之有機化合物相像的波長相依性時，根據本發 明的各反射電極也能夠防止該影像形成平面變黃而達成高 反射率，且能夠使之以低接觸電阻與各源極電極43保持 接觸。根據本發明的各反射電極具有由等於或小於1微米 之平均節距表出的表面形態。更佳的是，具有等於或小於 -45- 569070 五、發明說明（44) 1微米之平均節距的表面形態。同時更佳的是，相對於其 波長爲400奈米之可見光組成的反射率，根據本發明的各 反射電極會在其波長爲從200奈米到400奈米的光組成上 達到等於或大於95%的反射率（參見第14和15圖）。換句 話說，吾人必需控制各處理參數，其方式是使各反射電極 具有上述表面形態及反射率。 同時較佳的是，該鋁-鉚層含有落在0.5重量％與1〇重 量％之間範圍內的鉚含量。更佳的是，含有落在0 · 5重量 %與5重量％之間範圍內的鉚含量，因爲該鋁-鉚層會在沒 有小丘下呈現出很大的反射率（參見第17圖）的緣故。該 小丘是吾人所不想要的，因爲會使摩擦滾筒受到污染的緣 故。 若該配向層34指的是一種由在波長爲從300奈米到 600奈米之光組成上具有等於或大於95 %之透明度的有機 化合物形成的例如配向層「A」（參見第1 6圖），則該影像 形成平面較不易泛黃。 雖則吾人已顯示並說明了根據本發明的各特定實施例， 熟悉習用技術的人應該能在不偏離本發明所附申請專利範 圍之精神及架構下作各種改變和修正。 例如，吾人可以將該倒置的活動式通路蝕刻薄膜電晶體 1 4取代成諸如通路保護式薄膜電晶體、非倒置的活動式 薄膜電晶體或是共面型薄膜電晶體之類的另一類電晶體。 各薄膜電晶體都可含有由多晶矽形成的主動層。 吾人可以將本發明應用在STN(超扭轉向列）液晶顯示面 -46- 569070 五、發明說明（45 ) 板上。吾人可以將結合於第四實施例之反射電極形成步驟 應用在用於反射式液晶顯示面板及反射式透明液晶顯示面 板的製造方法上。這類液晶顯示面板可含具有將要轉移到 各反射電極上之粗糙表面的玻璃基板。 符號之說明 1 0,20,20A 基板結構 1 0 a，2 0 a 透明絕緣基板 11 掃瞄信號用導電條 12 資料信號用導電條 13 共同電壓用導電條 14 薄膜電晶體 15,16 信號端子 17 分布條 18 端子 20 基板結構 20a 透明絕緣層 21 彩色濾光片 22 黑色矩陣 23 封裝層 24 栓塞 3 1 反射電極 3 1 A，32 內夾絕緣層 33 相反電極 34 配向層 -47- 569070 五 發明說明 (46) 35 球形空間層 36 液晶分子 37 1/4波板 38 偏光板 39 入射光 40 反射光 41 閘極電極 42 汲極電極 43 源極電極 44 主動層 44a 未攙雜非晶矽層 44b 重劑量攙雜的η型非晶矽層 45 源極接觸孔 51,52 絕緣層 53 閘極絕緣層 54,54' 惰性層 55,62 接觸孔 61 金屬層 63 端子連接電極 71 內夾絕緣層（光敏線型酚醛淸漆樹脂層） 72 完全蝕刻部分 72a 不受蝕刻區 72b 部分蝕刻區 72c 完全蝕刻區 81 透明像素電極 -48- 569070 五、發明說明（47) 91,92 不規則反射板 110 絕緣基板 111 閘極電極 112 閘極絕緣層 113 主動層 113c 通路區 113d 汲極區 113s 源極區 114 絕緣截止器 115 內夾絕緣層 116 汲極電極 117 平坦層 119 反射電極 120 配向層 121 液晶分子 130 絕緣基板 131 彩色濾光片 132 黑色矩陣 133 保護層 134 相反電極 135 配向層 143 相差板 144 偏光板 LC1，LC2，LC3 液晶 S1/S2 基板結構 -49-

Claims (1)

1. 569070 ——4III舌秦-- ^、+請專利範圍 1. 一種液晶顯示面板，包括： 第一基板結構（1 〇)，其中包含反射板（3 1)以及形成於該 等反射板（31)上方而相對於其波長等於或小於400奈米 之光組成具有第一透明度且相對於可見光之光組成具有 大於該第一透明度的第二透明度的配向層（34); 第二基板結構（20 ; 20A)，具有與該配向層相對的內側 表面；以及 封裝於該配向層與該內側表面之間空間內而與各反射 板一起形成許多像素的液晶，以便取決於產生於該等反 射板附近之區域性電場強度選擇性地改變該許多像素的 透明度； 其特徵爲 該等反射板（31)具有由等於或小於1微米之平均節距 表出的表面形態。 2·如申請專利範圍第1項之液晶顯示面板，其中該等反射 板（31)係由其反射率大於鋁之反射性物質形成的。 3·如申請專利範圍第2項之液晶顯示面板，其中該反射性 物質係選自一種由鋁-铷合金、銀及銀合金構成的族群。 4.如申請專利範圍第2項之液晶顯示面板，其中該反射性 物質指的是一種由鋁-铷合金。 5·如申請專利範圍第4項之液晶顯示面板，其中由該鋁_ 鉚合金形成的該等反射板（31)在其波長爲從200奈米到 400奈米的光組成上所呈現出的反射率會等於或大於其 波長爲400奈米之可見光組成的反射率。 -50- 569070 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示面板，其中該鋁-鈸1合 金含有落在0.5重量％與10重量％之間的铷。 7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示面板，其中該第一基 板結構（1〇)進一步包含複數個切換電晶體（14)，而分別 將個別的控制節點（41)選擇性地連接到掃瞄線（11)上， 分別將個別的資料輸入節點（42)選擇性地連接到資料線 (12)上，並分別將個別的資料輸出節點（43)選擇性地連接 到扮演著各像素電極角色各反射電極（31)上。 8. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示面板，其中該第一基 板結構（1〇)進一步包含複數個切換電晶體（14)，而分別 將個別的控制節點（41)選擇性地連接到掃瞄線（11)上， 分別將個別的資料輸入節點（42)選擇性地連接到資料線 (12)上，並分別將個別的資料輸出節點（43)選擇性地連 接到扮演著各像素電極角色的該等反射電極（3 1)上；且 該第二基板結構（20; 20A)進一步包含分別與該等像素 電極（31)及一相反電極（33)對齊的彩色濾光片（21) ’以 便在該等像素電極（13)與該相反電極（33)之間產生該區 域電場。 9. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示面板’其中該等反射 板（3 1)係由其反射率大於鋁之反射性物質形成的。 1 0.如申請專利範圍第9項之液晶顯示面板’其中該反射性 物質係選自一種由鋁-鉚合金、銀及銀合金構成的族群。 11.如申請專利範圍第9項之液晶顯示面板’其中該反射性 物質指的是一種由鋁-鉚合金。 -51 - 569070 六、申請專利範圍 12.如申請專利範圍第11項之液晶顯示面板，其中由該鋁-I如合金形成的該等反射板（31)在其波長爲從200奈米到 4〇〇奈米的光組成上所呈現出的反射率會等於或大於其 波長爲400奈米之可見光組成的反射率。 1 3 .如申請專利範圍第11項之液晶顯示面板，其中該鋁-_合金含有落在〇·5重量％與10重量％之間的鉚。 14. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示面板，其中該第一基 板結構（1〇)進一步包含分別依電氣方式連接到各反射板 (3 1)上的各透明像素電極（81)。 15. 如申請專利範圍第14項之液晶顯示面板，其中每一個 透明像素電極（8 1)的外緣部分都會依電氣方式連接到相 關的反射板（3 1)之一的內緣部分上。 16. 如申請專利範圍第14項之液晶顯示面板，其中各反射 板（3 1)係由其反射率大於鋁之反射性物質形成的。 17. 如申請專利範圍第16項之液晶顯示面板，其中該反射 性物質係選自一種由鋁-鉚合金、銀及銀合金構成的族群。 18. 如申請專利範圍第16項之液晶顯示面板，其中該反射 性物質指的是一種由鋁-鉚合金。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之液晶顯示面板，其中由該鋁-_合金形成的該等反射板（3 1)在其波長爲從200奈米到 400奈米的光組成上所呈現出的反射率會等於或大於其 波長爲400奈米之可見光組成的反射率。 20.如申請專利範圍第18項之液晶顯示面板，其中該鋁_ _合金含有落在0.5重量％與10重量％之間的鉚。 -52- 569070 ^、申請專利範圍 2 1 · —種用於液晶顯示面板的製造方法，包括下列步驟： a) 製造出該第一基板結構的中間結構； b) 在將該中間結構加熱到某一等於或小於1 70°C之溫度 的條件下於該中間結構上方成長高反射性物質以形成 高反射性物質層； c) 將該高反射性物質層製作成圖案以形成反射板；

   d) 使反射板陣列覆蓋有相對於其波長等於或小於400奈 米之光組成具有第一透明度且相對於可見光之光組成 具有大於該第一透明度的第二透明度的配向層以完成 該第一基板結構； e) 組合該第一基板結構和該第二基板結構，其方式是使 該配向層落在與該第二基板結構之內側表面相對處； 以及 f) 將液晶封裝於落在該配向層與該內側表面之間的空間 內； 其特徼爲 該高反性物質下在以某一等於或小於1 70°C的基板溫 度形成中間結構的條件下成長的。 22.如申請專利範圍第21項之製造方法，其中該步驟a)包 含下列子步驟： 心1)製備一種具有該第一基板結構（10)的基礎結構； a-2)散佈具有該有機化合物的溶液以便形成第一有機 化合物層（51); a-3)對該第一有機化合物層（5 1)施行圖案製作以形成 -53- 569070 六、申請專利範圍 凸塊；以及 a-4)令該等凸塊覆蓋有第二有機化合物層（52)以致能 夠將該等凸塊轉移到用以形成部分中間結構的第二有機 化合物層（52)上，且該高反射性物質係在攝氏70度與 170度間之該某一溫度處成長。 23·如申請專利範圍第22項之製造方法，其中係在步驟b) 之前爲該中間結構加熱以便使氣體從該等凸塊以及該 第二有機化合物層（52)釋出。 24·如申請專利範圍第21項之製造方法，其中該等反射板 (3 1 )係由選自一種由鋁-鉚合金、銀及銀合金構成之族 群的高反射性物質形成的。 -54-