JP2002357844A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反射型もしくは半透過型液晶表示装置におい
て、反射電極となる金属膜にＡｌ−Ｎｄ合金を用いて成
膜を２００℃程度の比較的高い温度で行うと、配向膜材
料によっては液晶表示装置の色味が黄変するという問題
が有った。 【解決手段】反射電極３１を構成する金属膜の成膜温度
を１７０℃以下で行うことにより、反射電極３１の微細
な表面凹凸の平均ピッチを１μｍ以下に制御し、波長域
２００ｎｍ〜４００ｎｍでの反射率を波長４００ｎｍで
の反射率の９０％以上とする。また、反射電極３１上に
形成される配向膜３４の波長域３００ｎｍ〜６００ｎｍ
の光透過率を９５％以上とする。
て、反射電極となる金属膜にＡｌ−Ｎｄ合金を用いて成
膜を２００℃程度の比較的高い温度で行うと、配向膜材
料によっては液晶表示装置の色味が黄変するという問題
が有った。 【解決手段】反射電極３１を構成する金属膜の成膜温度
を１７０℃以下で行うことにより、反射電極３１の微細
な表面凹凸の平均ピッチを１μｍ以下に制御し、波長域
２００ｎｍ〜４００ｎｍでの反射率を波長４００ｎｍで
の反射率の９０％以上とする。また、反射電極３１上に
形成される配向膜３４の波長域３００ｎｍ〜６００ｎｍ
の光透過率を９５％以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、特に反射電極を有する反射型液晶
表示装置もしくは反射、透過型（以下半透過型と呼ぶ）
液晶表示装置及びその製造方法に関する。
その製造方法に関し、特に反射電極を有する反射型液晶
表示装置もしくは反射、透過型（以下半透過型と呼ぶ）
液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年携帯、ＰＤＡ用途の小型の液晶表示
装置が広く普及している。これらに用いられる液晶表示
装置は軽量・薄型化、低消費電力化の要求から、反射型
もしくは半透過型の液晶表示装置が用いられている。
装置が広く普及している。これらに用いられる液晶表示
装置は軽量・薄型化、低消費電力化の要求から、反射型
もしくは半透過型の液晶表示装置が用いられている。
【０００３】図２４に特開２０００−２５８７８７号公
報に示された、一般的な反射型液晶表示装置の断面図を
示す。
報に示された、一般的な反射型液晶表示装置の断面図を
示す。
【０００４】この反射型液晶表示装置は、石英ガラス、
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板（ＴＦＴ基板）
１１０上に、スイッチング素子である薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を形成する。まず、絶縁性基板１１０上にク
ロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属から
なるゲート電極１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び多結
晶シリコン膜からなる能動層１１３を順に形成する。そ
の能動層１１３には、ゲート電極１１１上方のチャネル
１１３ｃと、チャネル１１３ｃ上に設けたストッパ絶縁
膜１１４をマスクにしてチャネル１１３ｃの両側にイオ
ン注入して形成されるソース１１３ｓ及びドレイン１１
３ｄとが設けられている。
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板（ＴＦＴ基板）
１１０上に、スイッチング素子である薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を形成する。まず、絶縁性基板１１０上にク
ロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属から
なるゲート電極１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び多結
晶シリコン膜からなる能動層１１３を順に形成する。そ
の能動層１１３には、ゲート電極１１１上方のチャネル
１１３ｃと、チャネル１１３ｃ上に設けたストッパ絶縁
膜１１４をマスクにしてチャネル１１３ｃの両側にイオ
ン注入して形成されるソース１１３ｓ及びドレイン１１
３ｄとが設けられている。
【０００５】次に、ゲート絶縁膜１１２、能動層１１３
及びストッパ絶縁膜１１４上の全面にＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎx膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１１５
を形成し、ドレイン１１３ｄに対応して設けたコンタク
トホールにアルミニウム（Ａｌ）等の金属を充填してド
レイン電極１１６を形成する。さらに全面に例えば有機
樹脂からなり、表面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を
形成する。そして、この平坦化絶縁膜１１７のソース１
１３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、こ
のコンタクトホールを介してソース１１３ｓと接続する
Ａｌからなり、ソース電極を兼ねた反射電極１１９を平
坦化絶縁膜１１７上に形成する。次に、この反射電極１
１９上にポリイミド等の有機樹脂からなる配向膜１２０
を形成する。
及びストッパ絶縁膜１１４上の全面にＳｉＯ2膜、Ｓｉ
Ｎx膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１１５
を形成し、ドレイン１１３ｄに対応して設けたコンタク
トホールにアルミニウム（Ａｌ）等の金属を充填してド
レイン電極１１６を形成する。さらに全面に例えば有機
樹脂からなり、表面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を
形成する。そして、この平坦化絶縁膜１１７のソース１
１３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、こ
のコンタクトホールを介してソース１１３ｓと接続する
Ａｌからなり、ソース電極を兼ねた反射電極１１９を平
坦化絶縁膜１１７上に形成する。次に、この反射電極１
１９上にポリイミド等の有機樹脂からなる配向膜１２０
を形成する。
【０００６】また、ＴＦＴ基板１１０に対向し、絶縁性
基板からなる対向基板１３０には、ＴＦＴ基板側に赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色及び遮光機能を有す
るブラックマトリックス１３２を備えたカラーフィルタ
１３１、その上に形成された樹脂からなる保護膜１３
３、その全面に形成された対向電極１３４及び配向膜１
３５を備えており、その反対側の面には、位相差板１４
３と偏光板１４４が配置されている。そして、ＴＦＴ基
板１１０及び対向基板１３０の周辺をシール材（図示せ
ず）により接着し、それにより形成された空間にツイス
ティドネマティック（ＴＮ）液晶１２１が挟持される。
基板からなる対向基板１３０には、ＴＦＴ基板側に赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色及び遮光機能を有す
るブラックマトリックス１３２を備えたカラーフィルタ
１３１、その上に形成された樹脂からなる保護膜１３
３、その全面に形成された対向電極１３４及び配向膜１
３５を備えており、その反対側の面には、位相差板１４
３と偏光板１４４が配置されている。そして、ＴＦＴ基
板１１０及び対向基板１３０の周辺をシール材（図示せ
ず）により接着し、それにより形成された空間にツイス
ティドネマティック（ＴＮ）液晶１２１が挟持される。
【０００７】ここで、反射電極１１９はＡｌとネオジウ
ム（Ｎｄ）の合金からなっている。Ｎｄ濃度を１ｗｔ％
以上にすることにより、ヒロックが発生せず、平坦な表
面になり、基板温度２００℃程度の温度で成膜しても、
室温（非加熱）で成膜した純Ａｌと同様に高反射率の反
射電極を得ることができることが述べられている。
ム（Ｎｄ）の合金からなっている。Ｎｄ濃度を１ｗｔ％
以上にすることにより、ヒロックが発生せず、平坦な表
面になり、基板温度２００℃程度の温度で成膜しても、
室温（非加熱）で成膜した純Ａｌと同様に高反射率の反
射電極を得ることができることが述べられている。
【０００８】一方、特開平５−８０３２７号公報には、
液晶表示用拡散反射板の製造方法として、有機膜上に反
射膜を形成する際、１００℃〜２５０℃に加熱しながら
行い、有機膜と反射膜との熱膨張率の違いにより有機膜
にシワを発生させ、さらに、成膜時に反射膜を構成する
Ａｌ膜もしくは白金（Ｐｔ）膜をグレイン成長させて、
反射膜に微細な凹凸を形成し、散乱反射特性を向上させ
ることが述べられている。
液晶表示用拡散反射板の製造方法として、有機膜上に反
射膜を形成する際、１００℃〜２５０℃に加熱しながら
行い、有機膜と反射膜との熱膨張率の違いにより有機膜
にシワを発生させ、さらに、成膜時に反射膜を構成する
Ａｌ膜もしくは白金（Ｐｔ）膜をグレイン成長させて、
反射膜に微細な凹凸を形成し、散乱反射特性を向上させ
ることが述べられている。
【０００９】また、特開２０００−１１１９０６号公報
には、凹凸を有する反射層が形成されている電気光学装
置の製造方法として、反射層の下に凹凸を形成し、この
凹凸の上に反射層となる金属膜を８０〜２５０オングス
トローム／ｍｉｎ、成膜温度１００℃〜３００℃の条件
で形成し、さらに金属膜の形成後に加熱処理して、金属
膜表面に平均ピッチ１〜２μｍ、深さ０．２μｍの微細
な凹凸を形成し、散乱反射特性を向上させることが述べ
られている。
には、凹凸を有する反射層が形成されている電気光学装
置の製造方法として、反射層の下に凹凸を形成し、この
凹凸の上に反射層となる金属膜を８０〜２５０オングス
トローム／ｍｉｎ、成膜温度１００℃〜３００℃の条件
で形成し、さらに金属膜の形成後に加熱処理して、金属
膜表面に平均ピッチ１〜２μｍ、深さ０．２μｍの微細
な凹凸を形成し、散乱反射特性を向上させることが述べ
られている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、反射型液晶
表示装置もしくは半透過型液晶表示装置の反射電極とな
る金属膜に特開２０００−２５８７８７号公報に述べら
れているようなＡｌ−Ｎｄ合金を用いても、本発明者の
実験により、成膜を２００℃程度の比較的高い温度で行
うと、配向膜材料によっては液晶表示装置の色味が黄変
する（見栄えが黄色っぽくなる）という問題があること
が判明した（後述する）。
表示装置もしくは半透過型液晶表示装置の反射電極とな
る金属膜に特開２０００−２５８７８７号公報に述べら
れているようなＡｌ−Ｎｄ合金を用いても、本発明者の
実験により、成膜を２００℃程度の比較的高い温度で行
うと、配向膜材料によっては液晶表示装置の色味が黄変
する（見栄えが黄色っぽくなる）という問題があること
が判明した（後述する）。
【００１１】一方、反射電極となる金属膜の成膜を非加
熱または７０℃未満の低い温度で行うと、スイッチング
素子と反射電極とを塗布系の層間絶縁膜を介して接続し
た反射型液晶表示装置もしくは半透過型液晶表示装置の
場合、反射電極となる金属膜とスイッチング素子の電極
となる下層金属膜との間のコンタクト抵抗が高くなり、
画素電極への書き込みが悪化するという問題がある。ま
た、反射電極となる金属膜の成膜を特に非加熱で行う
と、成膜時の凝縮熱による基板の温度上昇による有機層
間絶縁膜からの出ガスにより、金属膜が変質し、反射率
が低下するという問題がある。この現象は反射電極とな
る金属膜にＡｌまたはＡｌを主体とする合金を使用した
場合特に顕著で、この場合Ａｌが白濁する（白く曇り、
反射率が低下する）という問題がある。
熱または７０℃未満の低い温度で行うと、スイッチング
素子と反射電極とを塗布系の層間絶縁膜を介して接続し
た反射型液晶表示装置もしくは半透過型液晶表示装置の
場合、反射電極となる金属膜とスイッチング素子の電極
となる下層金属膜との間のコンタクト抵抗が高くなり、
画素電極への書き込みが悪化するという問題がある。ま
た、反射電極となる金属膜の成膜を特に非加熱で行う
と、成膜時の凝縮熱による基板の温度上昇による有機層
間絶縁膜からの出ガスにより、金属膜が変質し、反射率
が低下するという問題がある。この現象は反射電極とな
る金属膜にＡｌまたはＡｌを主体とする合金を使用した
場合特に顕著で、この場合Ａｌが白濁する（白く曇り、
反射率が低下する）という問題がある。
【００１２】本発明の目的は、液晶表示装置の色味が黄
変することを防止し、高い反射率を得ることが可能で、
かつ書き込み不良のない反射型液晶表示装置もしくは半
透過型液晶表示装置を提供することである。
変することを防止し、高い反射率を得ることが可能で、
かつ書き込み不良のない反射型液晶表示装置もしくは半
透過型液晶表示装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板上にバス配線と、前記バス配線に接続されるス
イッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される
反射電極を有する液晶表示装置において、前記反射電極
の表面凹凸が、平均ピッチ１μｍ以下であることを特徴
としている。
は、基板上にバス配線と、前記バス配線に接続されるス
イッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される
反射電極を有する液晶表示装置において、前記反射電極
の表面凹凸が、平均ピッチ１μｍ以下であることを特徴
としている。
【００１４】また、本発明の液晶表示装置は、前記液晶
表示装置において、前記反射電極の波長域２００ｎｍ〜
４００ｎｍの反射率が波長４００ｎｍでの反射率の９０
％以上であることを特徴としている。
表示装置において、前記反射電極の波長域２００ｎｍ〜
４００ｎｍの反射率が波長４００ｎｍでの反射率の９０
％以上であることを特徴としている。
【００１５】また、本発明の液晶表示装置は、前記反射
電極がＡｌとＮｄの合金からなり、Ｎｄの濃度が０．５
ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることを特徴としてい
る。
電極がＡｌとＮｄの合金からなり、Ｎｄの濃度が０．５
ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることを特徴としてい
る。
【００１６】また、本発明の液晶表示装置は、前記液晶
表示装置において、前記反射電極上に形成される配向膜
の波長域３００ｎｍ〜６００ｎｍの光透過率が９５％以
上であることを特徴としている。
表示装置において、前記反射電極上に形成される配向膜
の波長域３００ｎｍ〜６００ｎｍの光透過率が９５％以
上であることを特徴としている。
【００１７】さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、基板上にバス配線と、前記バス配線に接続されるス
イッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される
反射電極を有する液晶表示装置の製造方法において、前
記反射電極の成膜時の基板温度を１７０℃以下とするこ
とを特徴としている。
は、基板上にバス配線と、前記バス配線に接続されるス
イッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される
反射電極を有する液晶表示装置の製造方法において、前
記反射電極の成膜時の基板温度を１７０℃以下とするこ
とを特徴としている。
【００１８】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、前記液晶表示装置の製造方法において、前記反射電
極を塗布系の層間絶縁膜上に形成し、その成膜時の基板
温度を７０℃以上１７０℃以下とすることを特徴として
いる。
は、前記液晶表示装置の製造方法において、前記反射電
極を塗布系の層間絶縁膜上に形成し、その成膜時の基板
温度を７０℃以上１７０℃以下とすることを特徴として
いる。
【００１９】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、前記反射電極の成膜時の基板加熱を少なくとも成膜
前に行うことを特徴としている。
は、前記反射電極の成膜時の基板加熱を少なくとも成膜
前に行うことを特徴としている。
【００２０】以上のように、反射型液晶表示装置もしく
は半透過型液晶表示装置の反射電極にＡｌとＮｄの合金
を用い、成膜を１７０℃以下の温度で行うことにより、
微細な表面凹凸の平均ピッチが１μｍ以下、望ましくは
０．６μｍ以下の微細で凹凸の少ないモホロジーを有す
る反射電極を形成でき、これにより波長２００ｎｍ〜４
００ｎｍの紫外光領域での光吸収を低減し、液晶表示装
置の色味の黄変を防止することができる。なお、ここで
言うモホロジーとは、反射電極を構成する金属膜の結晶
組織による表面形態を指し、反射電極表面の微細な凹凸
のことである。従って、反射電極が下地膜の凹凸によっ
て反映される凹凸とは異なる。（以下同じ） 同時に、特に塗布系の層間絶縁膜上に反射電極を形成す
る反射型液晶表示装置もしくは半透過型液晶表示装置の
場合、反射電極にＡｌとＮｄの合金を用い、基板を事前
に７０℃〜１７０℃の温度に加熱して成膜を行うことに
より、塗布系の層間絶縁膜からの出ガスの影響をなく
し、反射電極の白濁を防止して高反射率にし、かつ反射
電極となる金属膜とスイッチング素子の電極となる下層
金属膜との間のコンタクト抵抗の増大を防止できる。
は半透過型液晶表示装置の反射電極にＡｌとＮｄの合金
を用い、成膜を１７０℃以下の温度で行うことにより、
微細な表面凹凸の平均ピッチが１μｍ以下、望ましくは
０．６μｍ以下の微細で凹凸の少ないモホロジーを有す
る反射電極を形成でき、これにより波長２００ｎｍ〜４
００ｎｍの紫外光領域での光吸収を低減し、液晶表示装
置の色味の黄変を防止することができる。なお、ここで
言うモホロジーとは、反射電極を構成する金属膜の結晶
組織による表面形態を指し、反射電極表面の微細な凹凸
のことである。従って、反射電極が下地膜の凹凸によっ
て反映される凹凸とは異なる。（以下同じ） 同時に、特に塗布系の層間絶縁膜上に反射電極を形成す
る反射型液晶表示装置もしくは半透過型液晶表示装置の
場合、反射電極にＡｌとＮｄの合金を用い、基板を事前
に７０℃〜１７０℃の温度に加熱して成膜を行うことに
より、塗布系の層間絶縁膜からの出ガスの影響をなく
し、反射電極の白濁を防止して高反射率にし、かつ反射
電極となる金属膜とスイッチング素子の電極となる下層
金属膜との間のコンタクト抵抗の増大を防止できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態について
図面を参照して説明する。第１の実施形態は凹凸を有す
る有機層間絶縁膜上に反射電極を形成する反射型表示装
置の例である。図１は、本発明の第１の実施形態の液晶
表示装置に使用する薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦ
Ｔ基板）の構成を示す概念図である。また、図２は本発
明の第１の実施形態の液晶表示装置のパネル平面図、図
３は図２のＡ−Ａ線、Ｃ−Ｃ線及び一画素部分（後述す
る図４のＢ−Ｂ線部分の断面に対応）のパネル断面図で
ある。
図面を参照して説明する。第１の実施形態は凹凸を有す
る有機層間絶縁膜上に反射電極を形成する反射型表示装
置の例である。図１は、本発明の第１の実施形態の液晶
表示装置に使用する薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦ
Ｔ基板）の構成を示す概念図である。また、図２は本発
明の第１の実施形態の液晶表示装置のパネル平面図、図
３は図２のＡ−Ａ線、Ｃ−Ｃ線及び一画素部分（後述す
る図４のＢ−Ｂ線部分の断面に対応）のパネル断面図で
ある。
【００２２】図１、図３に示すように、ＴＦＴ基板１０
には、透明絶縁性基板１０ａ上に複数の走査線１１と複
数の信号線１２がほぼ直交して配設され、その交点近傍
にこれらに接続されてスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）１４が設けられ、これらがマトリク
ス状に配置されている。また走査線と平行に複数の共通
配線１３が配設され、ＴＦＴ１４に接続される画素電極
（反射電極）３１との間で保持容量が形成される。液晶
に電圧を印加するための反射電極３１は走査線１１、信
号線１２、ＴＦＴ１４とは有機層間絶縁膜３２を介して
分離され、この上に設けられている。有機層間絶縁膜３
２には凹凸が形成され、その形状を反映して反射電極３
１にも凹凸（反射電極の表面モホロジー凹凸とは異な
る）が形成される。
には、透明絶縁性基板１０ａ上に複数の走査線１１と複
数の信号線１２がほぼ直交して配設され、その交点近傍
にこれらに接続されてスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）１４が設けられ、これらがマトリク
ス状に配置されている。また走査線と平行に複数の共通
配線１３が配設され、ＴＦＴ１４に接続される画素電極
（反射電極）３１との間で保持容量が形成される。液晶
に電圧を印加するための反射電極３１は走査線１１、信
号線１２、ＴＦＴ１４とは有機層間絶縁膜３２を介して
分離され、この上に設けられている。有機層間絶縁膜３
２には凹凸が形成され、その形状を反映して反射電極３
１にも凹凸（反射電極の表面モホロジー凹凸とは異な
る）が形成される。
【００２３】また、走査線１１の端部にはアドレス信号
を入力する走査線端子１５が、信号線１２の端部にはデ
ータ信号を入力する信号線端子１６がそれぞれ設けられ
ている。また、共通配線１３は通常ＴＦＴ基板の両側で
共通配線結束線１７により相互に結束され、その端部に
共通配線端子１８が設けられ、対向基板２０上の対向電
極３３と同電位が与えられる。ここでは、概念的に走査
線端子１５と信号線端子１６がＴＦＴ基板１０のそれぞ
れ一辺ずつを占めるように示しているが、本発明の液晶
表示装置は小型携帯用途のため、双方がＴＦＴ基板１０
の一辺にまとめて設けられる。（図２参照） 一方、図２、図３に示すように、対向基板２０には、透
明絶縁性基板２０ａ上に表示領域に対応してカラーフィ
ルタ２１と液晶に電圧を印加するための対向電極３３が
設けられ、周辺部にブラックマトリクス２２が設けられ
ている。反射電極３１が遮光層も兼ねるので、表示領域
にはブラックマトリクスは設けられていない。ブラック
マトリクス２２は液晶表示装置の見栄えをよくする（黒
をより黒らしくし、見栄えを鮮明にさせる）ためのもの
である。
を入力する走査線端子１５が、信号線１２の端部にはデ
ータ信号を入力する信号線端子１６がそれぞれ設けられ
ている。また、共通配線１３は通常ＴＦＴ基板の両側で
共通配線結束線１７により相互に結束され、その端部に
共通配線端子１８が設けられ、対向基板２０上の対向電
極３３と同電位が与えられる。ここでは、概念的に走査
線端子１５と信号線端子１６がＴＦＴ基板１０のそれぞ
れ一辺ずつを占めるように示しているが、本発明の液晶
表示装置は小型携帯用途のため、双方がＴＦＴ基板１０
の一辺にまとめて設けられる。（図２参照） 一方、図２、図３に示すように、対向基板２０には、透
明絶縁性基板２０ａ上に表示領域に対応してカラーフィ
ルタ２１と液晶に電圧を印加するための対向電極３３が
設けられ、周辺部にブラックマトリクス２２が設けられ
ている。反射電極３１が遮光層も兼ねるので、表示領域
にはブラックマトリクスは設けられていない。ブラック
マトリクス２２は液晶表示装置の見栄えをよくする（黒
をより黒らしくし、見栄えを鮮明にさせる）ためのもの
である。
【００２４】これらのＴＦＴ基板１０と対向基板２０の
対向面に液晶分子を配向させる配向膜３４が設けられ、
両基板がシール材２３と面内スペーサー３５とを介して
所定間隔に重ね合わされ、その中に液晶３６が挟持され
ている。液晶３６を注入したシール材の空間は封孔材２
４で密閉されている。さらに、対向基板２０のＴＦＴ基
板１０との対向面とは反対側の面には１／４波長板３７
と偏向板３８が設けられ、液晶表示パネルとなる。図２
には図示していないが、この後、走査線端子１５と信号
線端子１６の部分に駆動回路であるＩＣチップがＣＯＧ
（チップオングラス）実装され、液晶表示装置が完成さ
れる。
対向面に液晶分子を配向させる配向膜３４が設けられ、
両基板がシール材２３と面内スペーサー３５とを介して
所定間隔に重ね合わされ、その中に液晶３６が挟持され
ている。液晶３６を注入したシール材の空間は封孔材２
４で密閉されている。さらに、対向基板２０のＴＦＴ基
板１０との対向面とは反対側の面には１／４波長板３７
と偏向板３８が設けられ、液晶表示パネルとなる。図２
には図示していないが、この後、走査線端子１５と信号
線端子１６の部分に駆動回路であるＩＣチップがＣＯＧ
（チップオングラス）実装され、液晶表示装置が完成さ
れる。
【００２５】図３に示したように、対向基板２０の裏面
側から入射した入射光３９は対向基板２０、液晶３６層
を透過し、ＴＦＴ基板１０表面の所定の凹凸を有する反
射電極３１上で反射され、再び液晶３６層、対向基板２
０を透過して、出射光４０として外部に出射される。
側から入射した入射光３９は対向基板２０、液晶３６層
を透過し、ＴＦＴ基板１０表面の所定の凹凸を有する反
射電極３１上で反射され、再び液晶３６層、対向基板２
０を透過して、出射光４０として外部に出射される。
【００２６】次に、本発明の第１の実施形態の液晶表示
装置のＴＦＴ基板の構成及びその製造方法について、図
４〜図８を参照して詳細に説明する。図４は本実施形態
の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素部分の構成を示す
平面図であり、図５、図６、図７は図４のＢ−Ｂ線部分
に対応する工程断面図である。ここでは、スイッチング
素子として逆スタガード構造のＴＦＴを用いた例を示
し、図１の一番左側の最外周画素部の図を示す。また、
図８は走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子
１８の短辺方向（端子は平面的に見ると細長い矩形状に
配置されるので、その短辺方向という意味）の工程断面
図である。
装置のＴＦＴ基板の構成及びその製造方法について、図
４〜図８を参照して詳細に説明する。図４は本実施形態
の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素部分の構成を示す
平面図であり、図５、図６、図７は図４のＢ−Ｂ線部分
に対応する工程断面図である。ここでは、スイッチング
素子として逆スタガード構造のＴＦＴを用いた例を示
し、図１の一番左側の最外周画素部の図を示す。また、
図８は走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子
１８の短辺方向（端子は平面的に見ると細長い矩形状に
配置されるので、その短辺方向という意味）の工程断面
図である。
【００２７】図４、図７に示すように、本実施形態の液
晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素部分は、互いに直交す
る走査線１１及び信号線１２と、これらの配線で囲まれ
る画素領域に各々設けられたスイッチング素子であるＴ
ＦＴ１４と、各画素領域に入射する光を反射すると共
に、対向基板２０との間に狭持された液晶３６に電圧を
印加する反射電極３１と、反射電極３１に所定の凹凸を
形成するための第１の絶縁膜５１及び第２の絶縁膜５２
とを含み、ゲート電極４１は走査線１１に、ドレイン電
極４２は信号線１２に、ソース電極４３は反射電極３１
に各々接続されている。なお、この反射電極３１は、液
晶に電圧を印加する画素電極としても機能するため、各
画素毎に分離する必要があり、走査線１１及び信号線１
２上で画素毎に分離されている。
晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素部分は、互いに直交す
る走査線１１及び信号線１２と、これらの配線で囲まれ
る画素領域に各々設けられたスイッチング素子であるＴ
ＦＴ１４と、各画素領域に入射する光を反射すると共
に、対向基板２０との間に狭持された液晶３６に電圧を
印加する反射電極３１と、反射電極３１に所定の凹凸を
形成するための第１の絶縁膜５１及び第２の絶縁膜５２
とを含み、ゲート電極４１は走査線１１に、ドレイン電
極４２は信号線１２に、ソース電極４３は反射電極３１
に各々接続されている。なお、この反射電極３１は、液
晶に電圧を印加する画素電極としても機能するため、各
画素毎に分離する必要があり、走査線１１及び信号線１
２上で画素毎に分離されている。
【００２８】また、ＴＦＴ側基板１０は、透明絶縁性基
板１０ａ上のＴＦＴ領域にゲート電極４１が形成され、
その上にゲート絶縁膜５３を介して半導体層４４（ａ−
Ｓｉ層４４ａ及びｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂ）が形成さ
れ、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂ上には、ドレイン電極４２
及びソース電極４３が形成されている。そして、各々の
画素領域には、反射電極３１に所定の凹凸を形成するた
めの第１の絶縁膜５１が不規則に配設され、その上には
第１の絶縁膜５１の段差をなだらかにする第２の絶縁膜
５２が形成されている。
板１０ａ上のＴＦＴ領域にゲート電極４１が形成され、
その上にゲート絶縁膜５３を介して半導体層４４（ａ−
Ｓｉ層４４ａ及びｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂ）が形成さ
れ、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂ上には、ドレイン電極４２
及びソース電極４３が形成されている。そして、各々の
画素領域には、反射電極３１に所定の凹凸を形成するた
めの第１の絶縁膜５１が不規則に配設され、その上には
第１の絶縁膜５１の段差をなだらかにする第２の絶縁膜
５２が形成されている。
【００２９】ここで、第１の絶縁膜５１は、表示領域全
面に渡って均一な反射光学特性を発揮するために、表示
領域内部に不規則に形成されるが、表示領域の外側（図
４の左側の領域）は、端子電極等を設ける領域であるた
めに、第１の絶縁膜５１は形成されていない。一方、第
２の絶縁膜５２は、コンタクトホール４５部を除く表示
領域内部に連続して形成されると共に、第１の絶縁膜５
１を完全に覆うように表示領域の外側にも多少の広がり
をもって形成されている。そして、ＴＦＴ１４を保護す
るパッシベーション膜５４、第１の絶縁膜５１及び第２
の絶縁膜５２の上に反射電極３１が形成され、ソース電
極４３上の第２の絶縁膜５２、パッシベーション膜５４
にそれぞれ設けたコンタクトホール４５、５５部におい
てソース電極４３と接続されている。
面に渡って均一な反射光学特性を発揮するために、表示
領域内部に不規則に形成されるが、表示領域の外側（図
４の左側の領域）は、端子電極等を設ける領域であるた
めに、第１の絶縁膜５１は形成されていない。一方、第
２の絶縁膜５２は、コンタクトホール４５部を除く表示
領域内部に連続して形成されると共に、第１の絶縁膜５
１を完全に覆うように表示領域の外側にも多少の広がり
をもって形成されている。そして、ＴＦＴ１４を保護す
るパッシベーション膜５４、第１の絶縁膜５１及び第２
の絶縁膜５２の上に反射電極３１が形成され、ソース電
極４３上の第２の絶縁膜５２、パッシベーション膜５４
にそれぞれ設けたコンタクトホール４５、５５部におい
てソース電極４３と接続されている。
【００３０】この反射電極３１表面は、第１の絶縁膜５
１及び第２の絶縁膜５２による凹凸が反映され、反射電
極３１表面の凹凸傾斜角度の構成が反射光の光学特性を
決定することとなる。それゆえ、凹凸の傾斜角度は所望
の反射光学特性が得られるように設計される。なお、こ
のとき凹凸は、凸ピッチ、凹ピッチ、凸高さ、凹深さの
いずれかについて、異なる２種以上の値で構成されてい
ればよい。
１及び第２の絶縁膜５２による凹凸が反映され、反射電
極３１表面の凹凸傾斜角度の構成が反射光の光学特性を
決定することとなる。それゆえ、凹凸の傾斜角度は所望
の反射光学特性が得られるように設計される。なお、こ
のとき凹凸は、凸ピッチ、凹ピッチ、凸高さ、凹深さの
いずれかについて、異なる２種以上の値で構成されてい
ればよい。
【００３１】また、第１の絶縁膜５１の膜厚の下限は、
上記反射光学特性により規定されると共に、寄生容量の
観点からも制限される。すなわち、第１の絶縁膜５１が
薄く形成されると、入射光の反射方向を大きく変化させ
ることができなくなると共に、反射電極３１と走査線１
１、信号線１２との間隔が狭くなるため、これらの配線
との間の寄生容量が大きくなり、信号の遅延を引き起こ
して正しい信号の送信ができなくなったり、信号線と画
素との間の電界が強まるため、付近の液晶に影響を及ぼ
し液晶分子の配向方向に乱れが生じたり、応答が遅くな
る等、表示品位を損ねることになる。従って、第１の絶
縁膜５１は１〜３μｍ程度の膜厚で形成される。一方、
第２の絶縁膜５２は、第１の絶縁膜５１の凹凸を適度に
緩和し、表面をなだらかな曲面とするために設けるもの
であるため、薄すぎると上記効果を発揮することができ
ず、また、厚すぎると第１の絶縁膜５１の凹凸を相殺し
て平坦化してしまうことになる。従って、第２の絶縁膜
５２の膜厚としては、０．３〜１．５μｍ程度の範囲が
好ましい。
上記反射光学特性により規定されると共に、寄生容量の
観点からも制限される。すなわち、第１の絶縁膜５１が
薄く形成されると、入射光の反射方向を大きく変化させ
ることができなくなると共に、反射電極３１と走査線１
１、信号線１２との間隔が狭くなるため、これらの配線
との間の寄生容量が大きくなり、信号の遅延を引き起こ
して正しい信号の送信ができなくなったり、信号線と画
素との間の電界が強まるため、付近の液晶に影響を及ぼ
し液晶分子の配向方向に乱れが生じたり、応答が遅くな
る等、表示品位を損ねることになる。従って、第１の絶
縁膜５１は１〜３μｍ程度の膜厚で形成される。一方、
第２の絶縁膜５２は、第１の絶縁膜５１の凹凸を適度に
緩和し、表面をなだらかな曲面とするために設けるもの
であるため、薄すぎると上記効果を発揮することができ
ず、また、厚すぎると第１の絶縁膜５１の凹凸を相殺し
て平坦化してしまうことになる。従って、第２の絶縁膜
５２の膜厚としては、０．３〜１．５μｍ程度の範囲が
好ましい。
【００３２】次に、上記構成のＴＦＴ基板の製造方法に
ついて説明する。図５（ａ）〜図７及び図８に示すよう
に、この製造工程は、大別すると、（１）ゲート電極４
１の金属膜の成膜、パターンニング、（２）ゲート絶縁
膜５３、ａ−Ｓｉ層４４ａ、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂの
成膜、パターンニング、（３）ドレイン電極４２、ソー
ス電極４３の金属膜の成膜、パターンニング、（４）パ
ッシベーション膜５４の成膜、パターンニング、（５）
端子部接続電極６３の透明導電膜の成膜、パターンニン
グ、（６）第１の絶縁膜５１の成膜、パターンニング及
び表面形状変換処理、（７）第２の絶縁膜５２の成膜、
パターンニング、（８）反射電極３１の金属膜の成膜、
パターンニングの全部で８工程からなる。
ついて説明する。図５（ａ）〜図７及び図８に示すよう
に、この製造工程は、大別すると、（１）ゲート電極４
１の金属膜の成膜、パターンニング、（２）ゲート絶縁
膜５３、ａ−Ｓｉ層４４ａ、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂの
成膜、パターンニング、（３）ドレイン電極４２、ソー
ス電極４３の金属膜の成膜、パターンニング、（４）パ
ッシベーション膜５４の成膜、パターンニング、（５）
端子部接続電極６３の透明導電膜の成膜、パターンニン
グ、（６）第１の絶縁膜５１の成膜、パターンニング及
び表面形状変換処理、（７）第２の絶縁膜５２の成膜、
パターンニング、（８）反射電極３１の金属膜の成膜、
パターンニングの全部で８工程からなる。
【００３３】まず、厚さ０．５ｍｍの無アルカリガラス
からなる透明絶縁性基板１０ａ上に、スパッタにより厚
さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＣｒ等の金属膜を成膜し、
公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を
用いて、ゲート電極４１、走査線１１（図示せず）、共
通配線１３（図示せず）、走査線端子１５、信号線端子
１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１を形成す
る。なお、配線材料としては、Ｃｒに限らず、ＭｏやＡ
ｌもしくはＡｌ合金上にＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）等
のバリアメタルを形成した積層構造の配線膜のように、
抵抗が低く、薄膜形成及びフォトリソグラフィー技術に
よるパターンニングが容易な材料であればよい。（図５
（ａ）、図８（ａ）） 次に、プラズマＣＶＤにより厚さ３００ｎｍ〜５００ｎ
ｍの窒化シリコン（ＳｉＮx）からなるゲート絶縁膜５
３を成膜し、引き続きプラズマＣＶＤによりゲート絶縁
膜５３上に厚さ１５０ｎｍ〜３００ｎｍのドーピングさ
れていないアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）と厚さ３
０ｎｍ〜５０ｎｍのｎ +型にドーピングされたアモルフ
ァスシリコン（ｎ +型ａ−Ｓｉ）を成膜し、フォトリソ
工程を通してパターンニングし、ａ−Ｓｉ層４４ａとｎ
+型ａ−Ｓｉ層４４ｂからなる半導体層４４を形成す
る。ａ−Ｓｉ層４４ａはＴＦＴ１４の能動層となるもの
であり、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂはドレイン電極４２及
びソース電極４３とａ−Ｓｉ層４４ａとのオーミックコ
ンタクトを確保するためのものである。（図５（ｂ）、
図８（ｂ）） 次に、スパッタにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＣ
ｒ等の金属膜を成膜、フォトリソ工程を通してパターン
ニングし、ドレイン電極４２、ソース電極４３、信号線
１２を形成する。その後、ドレイン電極４２、ソース電
極４３をマスクにしてドライエッチングを行い、ドレイ
ン電極４２とソース電極４３の間のｎ +型ａ−Ｓｉ層４
４ｂを除去する。これは、ドレイン電極４２とソース電
極４３との間をｎ +型ａ−Ｓｉ層１３ｂを介して直接電
流が流れるのを防止するためである。ここでも配線材料
としては、Ｃｒに限らず、ＭｏやＡｌもしくはＡｌ合金
の上下にＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ等のバリアメタルを形成した
積層構造の配線膜のように、抵抗が低く、薄膜形成及び
フォトリソグラフィー技術によるパターンニングが容易
な材料であればよい。（図５（ｃ）、図８（ｂ）） 次に、プラズマＣＶＤにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎ
ｍの窒化シリコンを成膜してパッシベーション膜５４を
形成し（図８（ｃ））、ソース電極４３上のパッシペー
ション膜５４と、走査線端子１５、信号線端子１６、共
通配線端子１８の端子部金属膜６１上のパッシペーショ
ン膜５４及びゲート絶縁膜５３とをパターニングして、
それぞれコンタクトホール５５および端子部コンタクト
ホール６２を開口する。このとき、図示していないが、
共通配線１３の端部上のパッシベーション膜５４および
ゲート絶縁膜５３と、信号線端子１６の端子部金属膜６
１端部上のパッシベーション膜５４及びゲート絶縁膜５
３と、信号線端子１６側の信号線１２端部上のパッシベ
ーション膜５４とを同時にパターンニングして開口す
る。このパッシベーション膜５４は、イオン等の不純物
がａ−Ｓｉ層４４ａに拡散し、ＴＦＴ１４が動作不良を
起こすのを防ぐためのものである。（図５（ｄ）、図８
（ｄ）） 次に、スパッタにより厚さ４０ｎｍ〜１００
ｎｍのＩＴＯ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を
通してパターンニングし、走査線端子１５、信号線端子
１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１上に接続電
極６３と、共通配線１３の端部上に共通配線結束線１７
（図示せず）と、信号線端子１６の端子部金属膜６１と
信号線１２とを接続するための接続電極（図示せず）と
を形成する。このとき、表示領域には透明導電膜のパタ
ーンは形成しない。従って、ソース電極４３にＭｏやＡ
ｌもしくはＡｌ合金の上下にＭｏを積層したような金属
膜を用いた場合、ＩＴＯのパターニングはシュウ酸等の
Ｍｏをエッチングしないエッチング液で行う必要があ
る。ソース電極４３にＣｒやＡｌもしくはＡｌ合金の上
下にＣｒやＴｉを積層したような金属膜を用いた場合
は、王水系や塩化第２鉄系のエッチング液を用いてもさ
しつかえない。ここで、表示領域には透明導電膜のパタ
ーンは形成しないのは、コンタクトホール５５部におい
て、後述するＩＴＯ−Ａｌ間の電池作用による透明導電
膜の剥がれの危険性をできるだけ回避するためである。
また、走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子
１８の端子部金属膜６１上に透明導電膜で接続電極６３
を形成するのは、ＣＯＧ実装時の端子部での接続信頼性
を確保するためである。（図５（ｄ）、図８（ｅ））次
に、例えば、感光性ノボラック樹脂を厚さ１〜３μｍ塗
布し、フォトリソ工程を通しアルカリ現像液でパターニ
ングして、表示領域内部に不規則に第１の絶縁膜５１を
形成する。第１の絶縁膜５１としては、感光性を有さな
い樹脂又は感光性を有する樹脂のいずれを用いることも
でき、感光性を有さない樹脂を用いる場合の形成工程
は、基板上への（１）第１の絶縁膜５１の塗布、（２）
第１の絶縁膜５１のパターンニング用レジスト塗布、
（３）露光、（４）現像、（５）第１の絶縁膜５１のエ
ッチング、（６）レジスト剥離の各工程処理からなる。
一方、感光性を有する樹脂を用いる場合の形成工程は、
基板上への（１）第１の絶縁膜５１の塗布、（２）露
光、（３）現像の各工程処理からなり、パターンニング
用レジストの塗布、剥離の工程を省略することができ
る。（図６（ａ）、図８（ｅ）） 次に、この第１の絶
縁膜５１に所定の表面形状変換処理を施して、なだらか
な凸形状にする。これは、８０℃〜２００℃程度の温度
で熱処理を行うことで、パターン形成後の第１の絶縁膜
５１表面をメルトさせ、滑らかな形状に変換するもので
ある。表面形状変換処理は熱処理に限定されず、例え
ば、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）のような薬
品による溶融処理等を用いてもよい。表面形状変換処理
後、２００℃〜２５０℃程度の温度で再度焼成を行う。
（図６（ｂ）、図８（ｅ）） 次に、例えば、感光性ノボラック樹脂を厚さ０．３〜
１．５μｍ塗布し、フォトリソ工程を通しアルカリ現像
液でパターニングし、２００℃〜２５０℃程度の温度で
焼成して、第２の絶縁膜５２を形成すると共に、ソース
電極４３上のパッシベーション膜５４に開口されたコン
タクトホール５５に対応して、画素部コンタクトホール
４５を形成する。（図６（ｃ）、図８（ｅ）） ここでは、第１の絶縁膜５１と第２の絶縁膜５２はノボ
ラック系の有機樹脂材料を用いた例を示した。例えば、
ＪＳＲ製のＰＣ４０３等を用いることができる。しか
し、これらの材料は、同じ種類である必要はなく、異な
る種類であってもよい。また、ノボラック樹脂のみでは
なく、アクリル樹脂とポリイミド樹脂、シリコン窒化膜
とアクリル樹脂、シリコン酸化膜とポリイミド樹脂等の
無機系樹脂と有機系樹脂の組み合わせを用いても、ある
いはその逆の組み合わせを用いても、所望の凹凸を形成
することができる。
からなる透明絶縁性基板１０ａ上に、スパッタにより厚
さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＣｒ等の金属膜を成膜し、
公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を
用いて、ゲート電極４１、走査線１１（図示せず）、共
通配線１３（図示せず）、走査線端子１５、信号線端子
１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１を形成す
る。なお、配線材料としては、Ｃｒに限らず、ＭｏやＡ
ｌもしくはＡｌ合金上にＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）等
のバリアメタルを形成した積層構造の配線膜のように、
抵抗が低く、薄膜形成及びフォトリソグラフィー技術に
よるパターンニングが容易な材料であればよい。（図５
（ａ）、図８（ａ）） 次に、プラズマＣＶＤにより厚さ３００ｎｍ〜５００ｎ
ｍの窒化シリコン（ＳｉＮx）からなるゲート絶縁膜５
３を成膜し、引き続きプラズマＣＶＤによりゲート絶縁
膜５３上に厚さ１５０ｎｍ〜３００ｎｍのドーピングさ
れていないアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）と厚さ３
０ｎｍ〜５０ｎｍのｎ +型にドーピングされたアモルフ
ァスシリコン（ｎ +型ａ−Ｓｉ）を成膜し、フォトリソ
工程を通してパターンニングし、ａ−Ｓｉ層４４ａとｎ
+型ａ−Ｓｉ層４４ｂからなる半導体層４４を形成す
る。ａ−Ｓｉ層４４ａはＴＦＴ１４の能動層となるもの
であり、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂはドレイン電極４２及
びソース電極４３とａ−Ｓｉ層４４ａとのオーミックコ
ンタクトを確保するためのものである。（図５（ｂ）、
図８（ｂ）） 次に、スパッタにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＣ
ｒ等の金属膜を成膜、フォトリソ工程を通してパターン
ニングし、ドレイン電極４２、ソース電極４３、信号線
１２を形成する。その後、ドレイン電極４２、ソース電
極４３をマスクにしてドライエッチングを行い、ドレイ
ン電極４２とソース電極４３の間のｎ +型ａ−Ｓｉ層４
４ｂを除去する。これは、ドレイン電極４２とソース電
極４３との間をｎ +型ａ−Ｓｉ層１３ｂを介して直接電
流が流れるのを防止するためである。ここでも配線材料
としては、Ｃｒに限らず、ＭｏやＡｌもしくはＡｌ合金
の上下にＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ等のバリアメタルを形成した
積層構造の配線膜のように、抵抗が低く、薄膜形成及び
フォトリソグラフィー技術によるパターンニングが容易
な材料であればよい。（図５（ｃ）、図８（ｂ）） 次に、プラズマＣＶＤにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎ
ｍの窒化シリコンを成膜してパッシベーション膜５４を
形成し（図８（ｃ））、ソース電極４３上のパッシペー
ション膜５４と、走査線端子１５、信号線端子１６、共
通配線端子１８の端子部金属膜６１上のパッシペーショ
ン膜５４及びゲート絶縁膜５３とをパターニングして、
それぞれコンタクトホール５５および端子部コンタクト
ホール６２を開口する。このとき、図示していないが、
共通配線１３の端部上のパッシベーション膜５４および
ゲート絶縁膜５３と、信号線端子１６の端子部金属膜６
１端部上のパッシベーション膜５４及びゲート絶縁膜５
３と、信号線端子１６側の信号線１２端部上のパッシベ
ーション膜５４とを同時にパターンニングして開口す
る。このパッシベーション膜５４は、イオン等の不純物
がａ−Ｓｉ層４４ａに拡散し、ＴＦＴ１４が動作不良を
起こすのを防ぐためのものである。（図５（ｄ）、図８
（ｄ）） 次に、スパッタにより厚さ４０ｎｍ〜１００
ｎｍのＩＴＯ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を
通してパターンニングし、走査線端子１５、信号線端子
１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１上に接続電
極６３と、共通配線１３の端部上に共通配線結束線１７
（図示せず）と、信号線端子１６の端子部金属膜６１と
信号線１２とを接続するための接続電極（図示せず）と
を形成する。このとき、表示領域には透明導電膜のパタ
ーンは形成しない。従って、ソース電極４３にＭｏやＡ
ｌもしくはＡｌ合金の上下にＭｏを積層したような金属
膜を用いた場合、ＩＴＯのパターニングはシュウ酸等の
Ｍｏをエッチングしないエッチング液で行う必要があ
る。ソース電極４３にＣｒやＡｌもしくはＡｌ合金の上
下にＣｒやＴｉを積層したような金属膜を用いた場合
は、王水系や塩化第２鉄系のエッチング液を用いてもさ
しつかえない。ここで、表示領域には透明導電膜のパタ
ーンは形成しないのは、コンタクトホール５５部におい
て、後述するＩＴＯ−Ａｌ間の電池作用による透明導電
膜の剥がれの危険性をできるだけ回避するためである。
また、走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子
１８の端子部金属膜６１上に透明導電膜で接続電極６３
を形成するのは、ＣＯＧ実装時の端子部での接続信頼性
を確保するためである。（図５（ｄ）、図８（ｅ））次
に、例えば、感光性ノボラック樹脂を厚さ１〜３μｍ塗
布し、フォトリソ工程を通しアルカリ現像液でパターニ
ングして、表示領域内部に不規則に第１の絶縁膜５１を
形成する。第１の絶縁膜５１としては、感光性を有さな
い樹脂又は感光性を有する樹脂のいずれを用いることも
でき、感光性を有さない樹脂を用いる場合の形成工程
は、基板上への（１）第１の絶縁膜５１の塗布、（２）
第１の絶縁膜５１のパターンニング用レジスト塗布、
（３）露光、（４）現像、（５）第１の絶縁膜５１のエ
ッチング、（６）レジスト剥離の各工程処理からなる。
一方、感光性を有する樹脂を用いる場合の形成工程は、
基板上への（１）第１の絶縁膜５１の塗布、（２）露
光、（３）現像の各工程処理からなり、パターンニング
用レジストの塗布、剥離の工程を省略することができ
る。（図６（ａ）、図８（ｅ）） 次に、この第１の絶
縁膜５１に所定の表面形状変換処理を施して、なだらか
な凸形状にする。これは、８０℃〜２００℃程度の温度
で熱処理を行うことで、パターン形成後の第１の絶縁膜
５１表面をメルトさせ、滑らかな形状に変換するもので
ある。表面形状変換処理は熱処理に限定されず、例え
ば、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）のような薬
品による溶融処理等を用いてもよい。表面形状変換処理
後、２００℃〜２５０℃程度の温度で再度焼成を行う。
（図６（ｂ）、図８（ｅ）） 次に、例えば、感光性ノボラック樹脂を厚さ０．３〜
１．５μｍ塗布し、フォトリソ工程を通しアルカリ現像
液でパターニングし、２００℃〜２５０℃程度の温度で
焼成して、第２の絶縁膜５２を形成すると共に、ソース
電極４３上のパッシベーション膜５４に開口されたコン
タクトホール５５に対応して、画素部コンタクトホール
４５を形成する。（図６（ｃ）、図８（ｅ）） ここでは、第１の絶縁膜５１と第２の絶縁膜５２はノボ
ラック系の有機樹脂材料を用いた例を示した。例えば、
ＪＳＲ製のＰＣ４０３等を用いることができる。しか
し、これらの材料は、同じ種類である必要はなく、異な
る種類であってもよい。また、ノボラック樹脂のみでは
なく、アクリル樹脂とポリイミド樹脂、シリコン窒化膜
とアクリル樹脂、シリコン酸化膜とポリイミド樹脂等の
無機系樹脂と有機系樹脂の組み合わせを用いても、ある
いはその逆の組み合わせを用いても、所望の凹凸を形成
することができる。
【００３４】また、ここではフォトリソ法を用いて第１
の絶縁膜５１と第２の絶縁膜５２を形成する方法を述べ
たが、印刷法を用いてもよい。この場合は製造工程が簡
略化できる。さらに、液相成長法などの湿式処理、プラ
ズマ重合法などの乾式処理を用いて形成することもでき
る。即ち、本願でいう塗布系の絶縁膜（層間絶縁膜）と
は出ガスを生じる絶縁膜の総称である。
の絶縁膜５１と第２の絶縁膜５２を形成する方法を述べ
たが、印刷法を用いてもよい。この場合は製造工程が簡
略化できる。さらに、液相成長法などの湿式処理、プラ
ズマ重合法などの乾式処理を用いて形成することもでき
る。即ち、本願でいう塗布系の絶縁膜（層間絶縁膜）と
は出ガスを生じる絶縁膜の総称である。
【００３５】次に、スパッタにより厚さ５０ｎｍ〜２０
０ｎｍのＭｏ膜と厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＡｌ−
Ｎｄ合金膜を順次成膜し、フォトリソ工程を通してパタ
ーンニングし、高反射率の反射電極３１を形成する。こ
のパターニングは、４０℃〜６０℃に加熱したリン酸、
酢酸及び硝酸からなる混酸によるウェットエッチングに
より行う。このとき、反射電極３１は、各々の画素のソ
ース電極４３と接続され、画素電極としても機能するた
めに、各々の画素領域の間（走査線１１上、及び信号線
１２上）で除去されると共に、表示領域の外側も合わせ
て除去される。従って、走査線端子１５、信号線端子１
６、共通配線端子１８の各端子部上にはＭｏとＡｌ−Ｎ
ｄ合金膜は残っていない。ここで、Ｍｏ膜は端子部の接
続電極６３である透明導電膜（ＩＴＯ膜）とＡｌ−Ｎｄ
合金膜とのバリアメタルであり、フォトリソ工程の現像
時に現像液がしみ込んで発生するＩＴＯ−Ａｌ間の電池
作用による透明導電膜の剥がれを防止する役割があり、
この電池作用を防止するために十分な膜厚が必要にな
る。（図６（ｄ）、図８（ｅ）） 次に、反射電極３１となる金属膜の成膜方法について詳
細に述べる。スパッタ装置において、図６（ｃ）、図８
（ｅ）の状態のＴＦＴ基板１０をまず加熱室に搬送し、
７０℃〜１７０℃の温度に加熱して、１〜２分間程度第
１及び第２の絶縁膜に含まれる水分を十分放出させる。
次にＴＦＴ基板１０を成膜室に搬送し、速やかにＭｏ膜
とＡｌ−Ｎｄ合金膜の成膜を連続して行う。ここで、加
熱室と成膜室は異なるチャンバーで独立に真空排気され
る方が望ましい。これはＴＦＴ基板１０の塗布系の絶縁
膜（第１及び第２の絶縁膜）からの出ガスが、Ｍｏ膜や
Ａｌ−Ｎｄ合金膜の膜質や下層の金属膜との間のコンタ
クト抵抗に悪影響を与えないようにするためである。加
熱と成膜が同じチャンバーで行われる場合は、加熱時間
を２〜５分程度に長めにとり、基板加熱（保温）の最中
にチャンバーを十分排気することが大切である。これに
より、白濁のない高反射率のＡｌ−Ｎｄ合金膜が得ら
れ、同時にソース電極４３と反射電極３１の間のコンタ
クト抵抗を低く安定化できる（後述する）。
０ｎｍのＭｏ膜と厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＡｌ−
Ｎｄ合金膜を順次成膜し、フォトリソ工程を通してパタ
ーンニングし、高反射率の反射電極３１を形成する。こ
のパターニングは、４０℃〜６０℃に加熱したリン酸、
酢酸及び硝酸からなる混酸によるウェットエッチングに
より行う。このとき、反射電極３１は、各々の画素のソ
ース電極４３と接続され、画素電極としても機能するた
めに、各々の画素領域の間（走査線１１上、及び信号線
１２上）で除去されると共に、表示領域の外側も合わせ
て除去される。従って、走査線端子１５、信号線端子１
６、共通配線端子１８の各端子部上にはＭｏとＡｌ−Ｎ
ｄ合金膜は残っていない。ここで、Ｍｏ膜は端子部の接
続電極６３である透明導電膜（ＩＴＯ膜）とＡｌ−Ｎｄ
合金膜とのバリアメタルであり、フォトリソ工程の現像
時に現像液がしみ込んで発生するＩＴＯ−Ａｌ間の電池
作用による透明導電膜の剥がれを防止する役割があり、
この電池作用を防止するために十分な膜厚が必要にな
る。（図６（ｄ）、図８（ｅ）） 次に、反射電極３１となる金属膜の成膜方法について詳
細に述べる。スパッタ装置において、図６（ｃ）、図８
（ｅ）の状態のＴＦＴ基板１０をまず加熱室に搬送し、
７０℃〜１７０℃の温度に加熱して、１〜２分間程度第
１及び第２の絶縁膜に含まれる水分を十分放出させる。
次にＴＦＴ基板１０を成膜室に搬送し、速やかにＭｏ膜
とＡｌ−Ｎｄ合金膜の成膜を連続して行う。ここで、加
熱室と成膜室は異なるチャンバーで独立に真空排気され
る方が望ましい。これはＴＦＴ基板１０の塗布系の絶縁
膜（第１及び第２の絶縁膜）からの出ガスが、Ｍｏ膜や
Ａｌ−Ｎｄ合金膜の膜質や下層の金属膜との間のコンタ
クト抵抗に悪影響を与えないようにするためである。加
熱と成膜が同じチャンバーで行われる場合は、加熱時間
を２〜５分程度に長めにとり、基板加熱（保温）の最中
にチャンバーを十分排気することが大切である。これに
より、白濁のない高反射率のＡｌ−Ｎｄ合金膜が得ら
れ、同時にソース電極４３と反射電極３１の間のコンタ
クト抵抗を低く安定化できる（後述する）。
【００３６】なお、上記でＭｏ膜成膜時の基板加熱とＡ
ｌ−Ｎｄ合金膜成膜時の基板加熱は必ずしも同じ温度で
行う必要はなく、例えば、Ｍｏ膜成膜時を１５０℃、Ａ
ｌ−Ｎｄ合金膜成膜時を１２０℃のように、Ｍｏ膜成膜
時の基板加熱温度を高く制御してもよい。これはＭｏ膜
成膜時の基板加熱温度が低いと、Ｍｏ膜の結晶性が悪く
なり、Ａｌ−Ｎｄ合金膜の膜質やＡｌ−Ｎｄ合金／Ｍｏ
膜のエッチング性に悪影響を与えるためである。
ｌ−Ｎｄ合金膜成膜時の基板加熱は必ずしも同じ温度で
行う必要はなく、例えば、Ｍｏ膜成膜時を１５０℃、Ａ
ｌ−Ｎｄ合金膜成膜時を１２０℃のように、Ｍｏ膜成膜
時の基板加熱温度を高く制御してもよい。これはＭｏ膜
成膜時の基板加熱温度が低いと、Ｍｏ膜の結晶性が悪く
なり、Ａｌ−Ｎｄ合金膜の膜質やＡｌ−Ｎｄ合金／Ｍｏ
膜のエッチング性に悪影響を与えるためである。
【００３７】また、Ａｌ−Ｎｄ合金膜のＮｄ濃度は０．
５ｗｔ％以上とするのが望ましい。これにより、後工程
の配向膜焼成等の熱処理工程でのヒロックを抑制でき、
高反射率の反射電極３１が得られる。さらに、成膜時の
基板温度を１７０℃以下にすることにより、反射電極３
１の表面モホロジー（微細な凹凸）を平均ピッチ１μｍ
以下に制御でき、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍの反射
率を可視光領域の反射率の９０％以上にすることでき
る。これにより、配向膜の種類にかかわらず、黄変のな
い反射電極３１を得ることができる（後述する）。一
方、Ｎｄ濃度は１０ｗｔ％以下とするのが望ましい。こ
れにより、高反射率のＡｌ−Ｎｄ合金膜が得られる（後
述する）。
５ｗｔ％以上とするのが望ましい。これにより、後工程
の配向膜焼成等の熱処理工程でのヒロックを抑制でき、
高反射率の反射電極３１が得られる。さらに、成膜時の
基板温度を１７０℃以下にすることにより、反射電極３
１の表面モホロジー（微細な凹凸）を平均ピッチ１μｍ
以下に制御でき、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍの反射
率を可視光領域の反射率の９０％以上にすることでき
る。これにより、配向膜の種類にかかわらず、黄変のな
い反射電極３１を得ることができる（後述する）。一
方、Ｎｄ濃度は１０ｗｔ％以下とするのが望ましい。こ
れにより、高反射率のＡｌ−Ｎｄ合金膜が得られる（後
述する）。
【００３８】なお、ここでは、反射電極３１の材料とし
て、反射率が高くＴＦＴプロセスとの整合性がよいＡｌ
−Ｎｄ合金を用いた例を示したが、これに限定されるも
のではなく、反射率の高い金属であれば良く、例えば、
Ａｌ−Ｔｉ合金やＡｌ−Ｍｏ合金等の他のＡｌ合金、あ
るいは、さらに高反射率の銀（Ａｇ）もしくは銀合金を
用いてもよい。
て、反射率が高くＴＦＴプロセスとの整合性がよいＡｌ
−Ｎｄ合金を用いた例を示したが、これに限定されるも
のではなく、反射率の高い金属であれば良く、例えば、
Ａｌ−Ｔｉ合金やＡｌ−Ｍｏ合金等の他のＡｌ合金、あ
るいは、さらに高反射率の銀（Ａｇ）もしくは銀合金を
用いてもよい。
【００３９】次に、上記ＴＦＴ基板１０の上に、印刷に
より厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍの配向膜３４を形成し、
２００℃〜２３０℃程度の温度で焼成し、配向処理を行
う。一方、透明絶縁性基板２０ａ上に表示領域に対応し
て、カラーフィルタ２１とその上にＩＴＯ等の透明導電
膜からなる対向電極３３が形成され、周辺部にブラック
マトリクス２２が形成された対向基板２０の上に、同様
に、印刷により厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍの配向膜３４
を形成し、２００℃〜２３０℃程度の温度で焼成し、配
向処理を行う。ここで、配向膜は波長域３００ｎｍ〜６
００ｎｍの光透過率が９５％以上であるものを用いるの
が望ましい。これにより、黄変のない反射電極３１を得
ることができる（後述する）。
より厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍの配向膜３４を形成し、
２００℃〜２３０℃程度の温度で焼成し、配向処理を行
う。一方、透明絶縁性基板２０ａ上に表示領域に対応し
て、カラーフィルタ２１とその上にＩＴＯ等の透明導電
膜からなる対向電極３３が形成され、周辺部にブラック
マトリクス２２が形成された対向基板２０の上に、同様
に、印刷により厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍの配向膜３４
を形成し、２００℃〜２３０℃程度の温度で焼成し、配
向処理を行う。ここで、配向膜は波長域３００ｎｍ〜６
００ｎｍの光透過率が９５％以上であるものを用いるの
が望ましい。これにより、黄変のない反射電極３１を得
ることができる（後述する）。
【００４０】これらのＴＦＴ基板１０と対向基板２０と
を、エポキシ系樹脂接着剤からなるシール材２３（図示
せず）及びプラスチック粒子等からなる面内スペーサー
３５（図示せず）を介して、各々の膜面が対向するよう
にして所定間隔に重ね合わせる。その後、ＴＦＴ基板１
０と対向基板２０との間に液晶３６を注入し、液晶３６
を注入したシール材２３（図示せず）の空間（注入口）
をＵＶ硬化型アクリレート系樹脂からなる封孔材２４
（図示せず）で密閉する。最後に、対向基板２０の膜面
とは反対側の面に、１／４波長板３７と偏向板３８を貼
って、液晶表示パネルを完成する。（図７） この後、図示していないが、走査線端子１５部、信号線
端子１６部、共通配線端子１８部に駆動回路となるＩＣ
チップをＣＯＧ実装し、液晶表示装置を完成する。以上
のようにして、高反射率で黄変がなく、書き込み不良の
問題のない反射型液晶表示装置が得られる。
を、エポキシ系樹脂接着剤からなるシール材２３（図示
せず）及びプラスチック粒子等からなる面内スペーサー
３５（図示せず）を介して、各々の膜面が対向するよう
にして所定間隔に重ね合わせる。その後、ＴＦＴ基板１
０と対向基板２０との間に液晶３６を注入し、液晶３６
を注入したシール材２３（図示せず）の空間（注入口）
をＵＶ硬化型アクリレート系樹脂からなる封孔材２４
（図示せず）で密閉する。最後に、対向基板２０の膜面
とは反対側の面に、１／４波長板３７と偏向板３８を貼
って、液晶表示パネルを完成する。（図７） この後、図示していないが、走査線端子１５部、信号線
端子１６部、共通配線端子１８部に駆動回路となるＩＣ
チップをＣＯＧ実装し、液晶表示装置を完成する。以上
のようにして、高反射率で黄変がなく、書き込み不良の
問題のない反射型液晶表示装置が得られる。
【００４１】次に、本発明の第２の実施形態について図
面を参照して説明する。第２の実施形態も凹凸を有する
有機層間絶縁膜上に反射電極を形成する反射型表示装置
の例である。本実施形態は、ＴＦＴ基板の製造工程の簡
略化を目的とするものであり、他の部分の構造、製造方
法については、前述した第１の実施形態と全く同様であ
る。
面を参照して説明する。第２の実施形態も凹凸を有する
有機層間絶縁膜上に反射電極を形成する反射型表示装置
の例である。本実施形態は、ＴＦＴ基板の製造工程の簡
略化を目的とするものであり、他の部分の構造、製造方
法については、前述した第１の実施形態と全く同様であ
る。
【００４２】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の
ＴＦＴ基板の構成及びその製造方法について、図４、図
５、図８〜図１０を参照して詳細に説明する。図４は本
実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素部分の構
成を示す平面図であり、図５、図９〜図１０は図４のＢ
−Ｂ線部分に対応する工程断面図である。ここでは、ス
イッチング素子として逆スタガード構造のＴＦＴを用い
た例を示し、図１の一番左側の最外周画素部の図を示
す。また、図８は走査線端子１５、信号線端子１６、共
通配線端子１８の短辺方向の工程断面図である。
ＴＦＴ基板の構成及びその製造方法について、図４、図
５、図８〜図１０を参照して詳細に説明する。図４は本
実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素部分の構
成を示す平面図であり、図５、図９〜図１０は図４のＢ
−Ｂ線部分に対応する工程断面図である。ここでは、ス
イッチング素子として逆スタガード構造のＴＦＴを用い
た例を示し、図１の一番左側の最外周画素部の図を示
す。また、図８は走査線端子１５、信号線端子１６、共
通配線端子１８の短辺方向の工程断面図である。
【００４３】本実施形態では、図１０（ｂ）に示すよう
に、反射電極３１に所定の凹凸を形成するため、絶縁膜
７１が一体的に形成され、不規則にかつなだらかに配設
されている。即ち、第１の実施形態における第１の絶縁
膜と第２の絶縁膜の役割が、本実施形態の絶縁膜７１に
持たされている。
に、反射電極３１に所定の凹凸を形成するため、絶縁膜
７１が一体的に形成され、不規則にかつなだらかに配設
されている。即ち、第１の実施形態における第１の絶縁
膜と第２の絶縁膜の役割が、本実施形態の絶縁膜７１に
持たされている。
【００４４】上記構成のＴＦＴ基板の製造工程は、図５
（ａ）〜図５（ｃ）、図９（ａ）〜図１０（ｂ）及び図
８に示すように、大別すると、（１）ゲート電極４１の
金属膜の成膜・パターンニング、（２）ゲート絶縁膜５
３、ａ−Ｓｉ層４４ａ、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂの成
膜、パターンニング、（３）ドレイン電極４２、ソース
電極４３の金属膜の成膜、パターンニング、（４）パッ
シベーション膜５４の成膜、パターンニング、（５）端
子部接続電極６３の透明導電膜の成膜、パターンニン
グ、（６）絶縁膜７１の成膜、パターンニング及び表面
形状変換処理、（７）反射電極３１の金属膜の成膜、パ
ターンニングの全部で７工程からなる。
（ａ）〜図５（ｃ）、図９（ａ）〜図１０（ｂ）及び図
８に示すように、大別すると、（１）ゲート電極４１の
金属膜の成膜・パターンニング、（２）ゲート絶縁膜５
３、ａ−Ｓｉ層４４ａ、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂの成
膜、パターンニング、（３）ドレイン電極４２、ソース
電極４３の金属膜の成膜、パターンニング、（４）パッ
シベーション膜５４の成膜、パターンニング、（５）端
子部接続電極６３の透明導電膜の成膜、パターンニン
グ、（６）絶縁膜７１の成膜、パターンニング及び表面
形状変換処理、（７）反射電極３１の金属膜の成膜、パ
ターンニングの全部で７工程からなる。
【００４５】工程（１）〜（５）は、第１の実施形態と
全く同様であり、透明絶縁性基板１０ａ上にＴＦＴ１４
と、走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１
８を形成する。（図９（ａ）、図８（ｅ）） 次に、例えば、感光性ノボラック樹脂からなる絶縁膜７
１を厚さ２〜４．５μｍ塗布する。そして、この絶縁膜
７１を露光、現像して凹凸を形成するが、本実施形態で
は、フォトマスクとして露光の光を透過する透過領域
と、所定の量だけ減衰して透過する半透過領域と、遮光
領域とが形成されたハーフトーンマスクを用いることを
特徴とする。即ち、凸部を形成する領域７２ａには遮光
領域が対応し、凹部を形成する領域７２ｂには半透過領
域が対応し、絶縁膜７１を完全に除去する領域７２ｃに
は透過領域が対応するように位置合わせをして露光を行
う。（図９（ｂ）） 次に、現像を行い、遮光領域では絶縁膜７１はそのまま
残り、半透過領域ではある程度絶縁膜７１がエッチング
されるために、絶縁膜７１に所定の凹凸が形成される。
なお、絶縁膜７１を完全に除去する領域（透過領域７２
ｃ）の隣には、必ずある程度の膜が残る領域（半透過領
域７２ｂ）を配置するようにし、絶縁膜７１によって急
峻な段差が生じないようにしている。このように、露光
の際に、ハーフトーンマスクを用いて、長い時間露光す
るか強い光を当てて、絶縁膜７１を完全に感光させて現
像にて絶縁膜７１を完全に除去する領域、短い時間露光
するか弱い光を当てて、絶縁膜７１をある程度残す領
域、光を当てずに膜を除去しない領域をつくることによ
り、第１の実施形態の第１の絶縁膜５１と第２の絶縁膜
５２の形成工程を一つの工程で行うことができる。（図
９（ｃ）） 次に、第１の実形態と同様に、表面形状変換処理を行
う。これは、８０℃〜２００℃程度の温度で熱処理を行
うことにより、パターン形成後の絶縁膜７１の表面をメ
ルトさせ、滑らかな形状に変換させる。なお、表面形状
変換処理では熱処理に限定されず、例えば、薬品による
溶融処理等を用いてもよい。表面形状変換処理後、２０
０℃〜２５０℃程度の温度で再度焼成を行う。（図１０
（ａ）） 次に、第１の実形態と同様に、スパッタにより厚さ５０
ｎｍ〜２００ｎｍのＭｏ膜と厚さ１００ｎｍ〜３００ｎ
ｍのＡｌ−Ｎｄ合金膜を順次成膜し、フォトリソ工程を
通してパターンニングし、高反射率の反射電極３１を形
成し、ＴＦＴ基板を完成させる。高反射率の反射電極３
１の形成方法は第１の実施形態と全く同様である。（図
１０（ｂ）、図８（ｅ）） このように、ハーフトーンマスクを用いることにより、
凹凸を有する絶縁膜７１を一工程で形成することがで
き、第１の実施形態に比べて工程の削減を図ることがで
きる。
全く同様であり、透明絶縁性基板１０ａ上にＴＦＴ１４
と、走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１
８を形成する。（図９（ａ）、図８（ｅ）） 次に、例えば、感光性ノボラック樹脂からなる絶縁膜７
１を厚さ２〜４．５μｍ塗布する。そして、この絶縁膜
７１を露光、現像して凹凸を形成するが、本実施形態で
は、フォトマスクとして露光の光を透過する透過領域
と、所定の量だけ減衰して透過する半透過領域と、遮光
領域とが形成されたハーフトーンマスクを用いることを
特徴とする。即ち、凸部を形成する領域７２ａには遮光
領域が対応し、凹部を形成する領域７２ｂには半透過領
域が対応し、絶縁膜７１を完全に除去する領域７２ｃに
は透過領域が対応するように位置合わせをして露光を行
う。（図９（ｂ）） 次に、現像を行い、遮光領域では絶縁膜７１はそのまま
残り、半透過領域ではある程度絶縁膜７１がエッチング
されるために、絶縁膜７１に所定の凹凸が形成される。
なお、絶縁膜７１を完全に除去する領域（透過領域７２
ｃ）の隣には、必ずある程度の膜が残る領域（半透過領
域７２ｂ）を配置するようにし、絶縁膜７１によって急
峻な段差が生じないようにしている。このように、露光
の際に、ハーフトーンマスクを用いて、長い時間露光す
るか強い光を当てて、絶縁膜７１を完全に感光させて現
像にて絶縁膜７１を完全に除去する領域、短い時間露光
するか弱い光を当てて、絶縁膜７１をある程度残す領
域、光を当てずに膜を除去しない領域をつくることによ
り、第１の実施形態の第１の絶縁膜５１と第２の絶縁膜
５２の形成工程を一つの工程で行うことができる。（図
９（ｃ）） 次に、第１の実形態と同様に、表面形状変換処理を行
う。これは、８０℃〜２００℃程度の温度で熱処理を行
うことにより、パターン形成後の絶縁膜７１の表面をメ
ルトさせ、滑らかな形状に変換させる。なお、表面形状
変換処理では熱処理に限定されず、例えば、薬品による
溶融処理等を用いてもよい。表面形状変換処理後、２０
０℃〜２５０℃程度の温度で再度焼成を行う。（図１０
（ａ）） 次に、第１の実形態と同様に、スパッタにより厚さ５０
ｎｍ〜２００ｎｍのＭｏ膜と厚さ１００ｎｍ〜３００ｎ
ｍのＡｌ−Ｎｄ合金膜を順次成膜し、フォトリソ工程を
通してパターンニングし、高反射率の反射電極３１を形
成し、ＴＦＴ基板を完成させる。高反射率の反射電極３
１の形成方法は第１の実施形態と全く同様である。（図
１０（ｂ）、図８（ｅ）） このように、ハーフトーンマスクを用いることにより、
凹凸を有する絶縁膜７１を一工程で形成することがで
き、第１の実施形態に比べて工程の削減を図ることがで
きる。
【００４６】なお、本実施形態では、ハーフトーンマス
クを用いて凹凸を形成する方法について述べたが、ハー
フトーンマスクを用いる方法の他にも、半残し領域と全
残し領域用に別々のマスクを用い、露光量を変えること
によって同様の凹凸を形成する方法や、露光の解像能力
の限界よりも微細にパターンを配置することで、擬似的
に半透過とする方法で、絶縁膜７１に照射する露光量を
場所によって変える方法を適用することもできる。
クを用いて凹凸を形成する方法について述べたが、ハー
フトーンマスクを用いる方法の他にも、半残し領域と全
残し領域用に別々のマスクを用い、露光量を変えること
によって同様の凹凸を形成する方法や、露光の解像能力
の限界よりも微細にパターンを配置することで、擬似的
に半透過とする方法で、絶縁膜７１に照射する露光量を
場所によって変える方法を適用することもできる。
【００４７】次に、本発明の第３の実施形態について図
面を参照して説明する。第３の実施形態は凹凸を有する
有機層間絶縁膜上に反射電極を形成し、かつ透明導電膜
からなる画素電極も形成する半透過型液晶表示装置の例
である。本実施形態は、ＴＦＴ基板の製造工程に透明導
電膜からなる画素電極の形成工程が追加されるだけで、
他の部分の構造、製造方法については、前述した第１の
実施形態と全く同様である。
面を参照して説明する。第３の実施形態は凹凸を有する
有機層間絶縁膜上に反射電極を形成し、かつ透明導電膜
からなる画素電極も形成する半透過型液晶表示装置の例
である。本実施形態は、ＴＦＴ基板の製造工程に透明導
電膜からなる画素電極の形成工程が追加されるだけで、
他の部分の構造、製造方法については、前述した第１の
実施形態と全く同様である。
【００４８】本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の
ＴＦＴ基板の構成及びその製造方法について、図１１〜
図１５及び図８を参照して詳細に説明する。図１１は本
実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素部分の構
成を示す平面図であり、図１２〜図１５は図１１のＢ−
Ｂ線部分に対応する工程断面図である。ここでは、スイ
ッチング素子として逆スタガード構造のＴＦＴを用いた
例を示し、図１の一番左側の最外周画素部の図を示す。
また、図８は走査線端子１５、信号線端子１６、共通配
線端子１８の短辺方向の工程断面図である。
ＴＦＴ基板の構成及びその製造方法について、図１１〜
図１５及び図８を参照して詳細に説明する。図１１は本
実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素部分の構
成を示す平面図であり、図１２〜図１５は図１１のＢ−
Ｂ線部分に対応する工程断面図である。ここでは、スイ
ッチング素子として逆スタガード構造のＴＦＴを用いた
例を示し、図１の一番左側の最外周画素部の図を示す。
また、図８は走査線端子１５、信号線端子１６、共通配
線端子１８の短辺方向の工程断面図である。
【００４９】本実施形態では、図１１、図１５に示すよ
うに、本実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素
部分は、互いに直交する走査線１１及び信号線１２と、
これらの配線で囲まれる画素領域に各々設けられたスイ
ッチング素子であるＴＦＴ１４と、各画素領域に入射す
る光を反射、透過すると共に、対向基板２０との間に狭
持された液晶３６に電圧を印加する反射電極３１、透明
導電膜からなる画素電極８１と、反射電極３１に所定の
凹凸を形成するための第１の絶縁膜５１及び第２の絶縁
膜５２とを含み、ゲート電極４１は走査線１１に、ドレ
イン電極４２は信号線１２に、ソース電極４３は反射電
極３１に、反射電極３１は透明導電膜からなる画素電極
８１に各々接続されている。
うに、本実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一画素
部分は、互いに直交する走査線１１及び信号線１２と、
これらの配線で囲まれる画素領域に各々設けられたスイ
ッチング素子であるＴＦＴ１４と、各画素領域に入射す
る光を反射、透過すると共に、対向基板２０との間に狭
持された液晶３６に電圧を印加する反射電極３１、透明
導電膜からなる画素電極８１と、反射電極３１に所定の
凹凸を形成するための第１の絶縁膜５１及び第２の絶縁
膜５２とを含み、ゲート電極４１は走査線１１に、ドレ
イン電極４２は信号線１２に、ソース電極４３は反射電
極３１に、反射電極３１は透明導電膜からなる画素電極
８１に各々接続されている。
【００５０】ここで、反射電極３１は画素電極８１の周
囲を囲むようにして形成され、画素電極８１を構成する
透明導電膜の周囲が反射電極３１を構成する金属膜で被
覆され、この部分で電気的接続がとられるようになって
いる。
囲を囲むようにして形成され、画素電極８１を構成する
透明導電膜の周囲が反射電極３１を構成する金属膜で被
覆され、この部分で電気的接続がとられるようになって
いる。
【００５１】上記構成のＴＦＴ基板の製造工程は、図１
２（ａ）〜図１５及び図８に示すように、大別すると、
（１）ゲート電極４１の金属膜の成膜・パターンニン
グ、（２）ゲート絶縁膜５３、ａ−Ｓｉ層４４ａ、ｎ +
型ａ−Ｓｉ層４４ｂの成膜、パターンニング、（３）ド
レイン電極４２、ソース電極４３の金属膜の成膜、パタ
ーンニング及びパッシベーション膜５４の成膜、（４）
第１の絶縁膜５１の成膜、パターンニング及び表面形状
変換処理、（５）第２の絶縁膜５２の成膜、パターンニ
ング、（６）パッシベーション膜５４のパターンニン
グ、（７）画素電極８１及び端子部接続電極６３の透明
導電膜の成膜、パターンニング、（８）反射電極３１の
金属膜の成膜、パターンニングの全部で８工程からな
る。
２（ａ）〜図１５及び図８に示すように、大別すると、
（１）ゲート電極４１の金属膜の成膜・パターンニン
グ、（２）ゲート絶縁膜５３、ａ−Ｓｉ層４４ａ、ｎ +
型ａ−Ｓｉ層４４ｂの成膜、パターンニング、（３）ド
レイン電極４２、ソース電極４３の金属膜の成膜、パタ
ーンニング及びパッシベーション膜５４の成膜、（４）
第１の絶縁膜５１の成膜、パターンニング及び表面形状
変換処理、（５）第２の絶縁膜５２の成膜、パターンニ
ング、（６）パッシベーション膜５４のパターンニン
グ、（７）画素電極８１及び端子部接続電極６３の透明
導電膜の成膜、パターンニング、（８）反射電極３１の
金属膜の成膜、パターンニングの全部で８工程からな
る。
【００５２】工程（１）〜（３）は、第１の実施形態の
パッシベーション膜５４成膜までの工程と全く同様であ
り、透明絶縁性基板１０ａ上にＴＦＴ１４を形成する。
パッシベーション膜５４の開口はこの時点では行わな
い。（図１２（ｄ）、図８（ｃ））工程（４）〜（５）
は、第１の実施形態の工程（６）〜（７）と全く同様で
ある。但し、本実施形態は半透過型液晶表示装置のた
め、第１の絶縁膜５１と第２の絶縁膜５２の色つきを防
止するため、現像後に全面露光を行うことが、第１の実
施形態と異なる。（図１３（ｃ）、図８（ｃ）） 次に、ソース電極４３上のパッシべーション膜５４と、
走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の
端子部金属膜６１上のパッシベーション膜５４及びゲー
ト絶縁膜５３とをパターンニングして、それぞれコンタ
クトホール５５、端子部コンタクトホール６２を開口す
る。このとき、図示していないが、共通配線１３の端部
上のパッシベーション膜５４及びゲート絶縁膜５３と、
信号線端子１６の端子部金属膜６１端部上のパッシペー
ション膜５４及びゲート絶縁膜５３と、信号線端子１６
側の信号線１２端部上のパッシペーション膜５４とを、
同時にパターンニングして開口する。（図１４（ａ）、
図８（ｄ）） 次に、スパッタにより厚さ４０ｎｍ〜１００ｎｍのＩＴ
Ｏ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を通してパタ
ーンニングし、画素電極８１と、走査線端子１５、信号
線端子１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１上に
接続電極６３と、共通配線１３の端部上に共通配線結束
線１７（図示せず）と、信号線端子１６の端子部金属膜
６１と信号線１２とを接続するための接続電極（図示せ
ず）とを形成する。このとき、透明導電膜の成膜も、第
１の実施形態で述べた反射電極３１となる金属膜の成膜
と同様な方法で行ない、出ガスの影響を避けることが望
ましい。また、ソース電極４３上の画素部コンタクトホ
ール４５上には透明導電膜のパターンは形成しないのも
第１の実施形態で述べた通りである。（図１４（ｂ）、
図８（ｅ）） 次に、第１の実施形態と同様に、スパッタにより厚さ５
０ｎｍ〜２００ｎｍのＭｏ膜と厚さ１００ｎｍ〜３００
ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金膜を順次成膜し、フォトリソ工程
を通してパターンニングし、高反射率の反射電極３１を
形成し、ＴＦＴ基板を完成させる。高反射率の反射電極
３１の形成方法は第１の実形態と全く同様である。この
とき、反射電極３１は、各々の画素のソース電極４３及
び画素電極８１と接続され、各々の画素領域の間（走査
線１１上、及び信号線１２上）で除去されると共に、表
示領域の外側も合わせて除去される。従って、走査線端
子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の各端子部
上にはＭｏとＡｌ−Ｎｄ合金膜は残っていない。この事
情も、第１の実施形態と全く同様である。また、画素電
極８１を構成する透明導電膜（ＩＴＯ膜）の周囲を反射
電極３１を構成する金属膜（Ａｌ−Ｎｄ合金／Ｍｏ膜）
で被覆するようにしているので、フォトリソ工程の現像
時に現像液が金属膜を通して透明導電膜の端部からしみ
込む危険性がなく（透明導電膜の端部上はフォトレジス
トが現像されず、金属膜が現像液にさらされることがな
いため）、ＩＴＯ−Ａｌ間の電池作用による透明導電膜
の剥がれを防止することができ、液晶表示装置の点欠陥
不良を大幅に低減できる。（図１４（ｃ）、図８
（ｅ）） 以降、第１の実施形態と全く同様にして、液晶表示パネ
ルを製造し（図１５）、液晶表示装置を完成する。以上
のようにして、高反射率で黄変がなく、書き込み不良の
問題のない半透過型液晶表示装置が得られる。
パッシベーション膜５４成膜までの工程と全く同様であ
り、透明絶縁性基板１０ａ上にＴＦＴ１４を形成する。
パッシベーション膜５４の開口はこの時点では行わな
い。（図１２（ｄ）、図８（ｃ））工程（４）〜（５）
は、第１の実施形態の工程（６）〜（７）と全く同様で
ある。但し、本実施形態は半透過型液晶表示装置のた
め、第１の絶縁膜５１と第２の絶縁膜５２の色つきを防
止するため、現像後に全面露光を行うことが、第１の実
施形態と異なる。（図１３（ｃ）、図８（ｃ）） 次に、ソース電極４３上のパッシべーション膜５４と、
走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の
端子部金属膜６１上のパッシベーション膜５４及びゲー
ト絶縁膜５３とをパターンニングして、それぞれコンタ
クトホール５５、端子部コンタクトホール６２を開口す
る。このとき、図示していないが、共通配線１３の端部
上のパッシベーション膜５４及びゲート絶縁膜５３と、
信号線端子１６の端子部金属膜６１端部上のパッシペー
ション膜５４及びゲート絶縁膜５３と、信号線端子１６
側の信号線１２端部上のパッシペーション膜５４とを、
同時にパターンニングして開口する。（図１４（ａ）、
図８（ｄ）） 次に、スパッタにより厚さ４０ｎｍ〜１００ｎｍのＩＴ
Ｏ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を通してパタ
ーンニングし、画素電極８１と、走査線端子１５、信号
線端子１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１上に
接続電極６３と、共通配線１３の端部上に共通配線結束
線１７（図示せず）と、信号線端子１６の端子部金属膜
６１と信号線１２とを接続するための接続電極（図示せ
ず）とを形成する。このとき、透明導電膜の成膜も、第
１の実施形態で述べた反射電極３１となる金属膜の成膜
と同様な方法で行ない、出ガスの影響を避けることが望
ましい。また、ソース電極４３上の画素部コンタクトホ
ール４５上には透明導電膜のパターンは形成しないのも
第１の実施形態で述べた通りである。（図１４（ｂ）、
図８（ｅ）） 次に、第１の実施形態と同様に、スパッタにより厚さ５
０ｎｍ〜２００ｎｍのＭｏ膜と厚さ１００ｎｍ〜３００
ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金膜を順次成膜し、フォトリソ工程
を通してパターンニングし、高反射率の反射電極３１を
形成し、ＴＦＴ基板を完成させる。高反射率の反射電極
３１の形成方法は第１の実形態と全く同様である。この
とき、反射電極３１は、各々の画素のソース電極４３及
び画素電極８１と接続され、各々の画素領域の間（走査
線１１上、及び信号線１２上）で除去されると共に、表
示領域の外側も合わせて除去される。従って、走査線端
子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の各端子部
上にはＭｏとＡｌ−Ｎｄ合金膜は残っていない。この事
情も、第１の実施形態と全く同様である。また、画素電
極８１を構成する透明導電膜（ＩＴＯ膜）の周囲を反射
電極３１を構成する金属膜（Ａｌ−Ｎｄ合金／Ｍｏ膜）
で被覆するようにしているので、フォトリソ工程の現像
時に現像液が金属膜を通して透明導電膜の端部からしみ
込む危険性がなく（透明導電膜の端部上はフォトレジス
トが現像されず、金属膜が現像液にさらされることがな
いため）、ＩＴＯ−Ａｌ間の電池作用による透明導電膜
の剥がれを防止することができ、液晶表示装置の点欠陥
不良を大幅に低減できる。（図１４（ｃ）、図８
（ｅ）） 以降、第１の実施形態と全く同様にして、液晶表示パネ
ルを製造し（図１５）、液晶表示装置を完成する。以上
のようにして、高反射率で黄変がなく、書き込み不良の
問題のない半透過型液晶表示装置が得られる。
【００５３】次に、本発明の第４の実施形態について図
面を参照して説明する。第４の実施形態は、第１から第
３までの実施形態のように、出射光の散乱を凹凸を有す
る反射電極で行うのではなく、対向基板２０側のカラー
フィルタ２１上につけた散乱膜９１で行う反射型液晶表
示装置の例である。本実施形態では、ＴＦＴ基板１０に
凹凸を有する絶縁膜を形成する工程がない。即ち、反射
電極３１は、パッシベーション膜５４上に直接形成され
る。
面を参照して説明する。第４の実施形態は、第１から第
３までの実施形態のように、出射光の散乱を凹凸を有す
る反射電極で行うのではなく、対向基板２０側のカラー
フィルタ２１上につけた散乱膜９１で行う反射型液晶表
示装置の例である。本実施形態では、ＴＦＴ基板１０に
凹凸を有する絶縁膜を形成する工程がない。即ち、反射
電極３１は、パッシベーション膜５４上に直接形成され
る。
【００５４】本発明の第４の実施形態の液晶表示装置の
構成及びその製造方法について、図１６を参照して簡単
に説明する。図１６は本実施形態の液晶表示装置のパネ
ル断面図であり、図２のＡ−Ａ線、Ｃ−Ｃ線及び一画素
部分の断面図である（Ｂ−Ｂ線部分は図４に示される断
面に対応している）。
構成及びその製造方法について、図１６を参照して簡単
に説明する。図１６は本実施形態の液晶表示装置のパネ
ル断面図であり、図２のＡ−Ａ線、Ｃ−Ｃ線及び一画素
部分の断面図である（Ｂ−Ｂ線部分は図４に示される断
面に対応している）。
【００５５】上記構成の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製
造工程は、大別すると、（１）ゲート電極４１の金属膜
の成膜・パターンニング、（２）ゲート絶縁膜５３、ａ
−Ｓｉ層４４ａ、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂの成膜、パタ
ーンニング、（３）ドレイン電極４２、ソース電極４３
の金属膜の成膜、パターンニング、（４）パッシベーシ
ョン膜５４の成膜、パターンニング、（５）端子部接続
電極６３の透明導電膜の成膜、パターンニング、（６）
反射電極３１の金属膜の成膜、パターンニングの全部で
６工程からなる。これは、第１の実施形態から工程
（６）〜工程（７）を削除したものであるので、説明は
省略する。
造工程は、大別すると、（１）ゲート電極４１の金属膜
の成膜・パターンニング、（２）ゲート絶縁膜５３、ａ
−Ｓｉ層４４ａ、ｎ +型ａ−Ｓｉ層４４ｂの成膜、パタ
ーンニング、（３）ドレイン電極４２、ソース電極４３
の金属膜の成膜、パターンニング、（４）パッシベーシ
ョン膜５４の成膜、パターンニング、（５）端子部接続
電極６３の透明導電膜の成膜、パターンニング、（６）
反射電極３１の金属膜の成膜、パターンニングの全部で
６工程からなる。これは、第１の実施形態から工程
（６）〜工程（７）を削除したものであるので、説明は
省略する。
【００５６】但し、反射電極３１が、塗布系の絶縁膜で
なく、プラズマＣＶＤにより形成された窒化シリコンか
らなるパッシベーション膜５４上に形成されるため、反
射電極となる金属膜の成膜方法が第１の実施形態と少し
異なる。つまり、本実施形態では、スパッタ装置におい
て、図５（ｄ）、図８（ｅ）の状態のＴＦＴ基板１０を
まず加熱室に搬送し、室温のまま、または１７０℃以下
の温度に加熱した後、ＴＦＴ基板１０を成膜室に搬送
し、速やかにＭｏ膜とＡｌ−Ｎｄ合金膜の成膜を連続し
て行う。ここで、加熱室と成膜室は同じチャンバーであ
っても、異なるチャンバーであってもよい。これは第１
の実施形態と異なり、ＴＦＴ基板１０には塗布系の絶縁
膜が存在せず、出ガスの影響がほとんどないためであ
る。これにより、白濁のない高反射率のＡｌ−Ｎｄ合金
膜が得られる（後述する）。本実施形態では、パッシベ
ーション膜５４の膜厚を３００ｎｍ〜８００ｎｍ程度に
厚くするのが望ましい。なお、パッシベーション膜５４
上を塗布系の絶縁膜で平坦化する場合は、第１の実施形
態で工程（６）（第１の絶縁膜５１による凹凸形成工
程）が削除されるだけであり、反射電極となる金属膜の
成膜方法は第１の実施形態と同じになるので、出ガスの
影響をほとんどなくすという目的を有する本実施形態に
はそぐわない。
なく、プラズマＣＶＤにより形成された窒化シリコンか
らなるパッシベーション膜５４上に形成されるため、反
射電極となる金属膜の成膜方法が第１の実施形態と少し
異なる。つまり、本実施形態では、スパッタ装置におい
て、図５（ｄ）、図８（ｅ）の状態のＴＦＴ基板１０を
まず加熱室に搬送し、室温のまま、または１７０℃以下
の温度に加熱した後、ＴＦＴ基板１０を成膜室に搬送
し、速やかにＭｏ膜とＡｌ−Ｎｄ合金膜の成膜を連続し
て行う。ここで、加熱室と成膜室は同じチャンバーであ
っても、異なるチャンバーであってもよい。これは第１
の実施形態と異なり、ＴＦＴ基板１０には塗布系の絶縁
膜が存在せず、出ガスの影響がほとんどないためであ
る。これにより、白濁のない高反射率のＡｌ−Ｎｄ合金
膜が得られる（後述する）。本実施形態では、パッシベ
ーション膜５４の膜厚を３００ｎｍ〜８００ｎｍ程度に
厚くするのが望ましい。なお、パッシベーション膜５４
上を塗布系の絶縁膜で平坦化する場合は、第１の実施形
態で工程（６）（第１の絶縁膜５１による凹凸形成工
程）が削除されるだけであり、反射電極となる金属膜の
成膜方法は第１の実施形態と同じになるので、出ガスの
影響をほとんどなくすという目的を有する本実施形態に
はそぐわない。
【００５７】また、Ａｌ−Ｎｄ合金膜のＮｄ濃度につい
ては、第１の実施形態と全く同様に、０．５ｗｔ％以上
１０ｗｔ％以下とするのが望ましい。さらに、成膜時の
基板温度を１７０℃以下にすることにより、反射電極の
表面モホロジー（微細な凹凸）を平均ピッチ１μｍ以下
に制御でき、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍの反射率を
波長４００ｎｍでの反射率の９０％以上にすることでき
る。これにより、後工程の配向膜焼成等の熱処理工程で
のヒロックを抑制でき、高反射率の反射電極３１が得ら
れると同時に、配向膜の種類にかかわらず、黄変のない
反射電極３１を得ることができる（後述する）。
ては、第１の実施形態と全く同様に、０．５ｗｔ％以上
１０ｗｔ％以下とするのが望ましい。さらに、成膜時の
基板温度を１７０℃以下にすることにより、反射電極の
表面モホロジー（微細な凹凸）を平均ピッチ１μｍ以下
に制御でき、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍの反射率を
波長４００ｎｍでの反射率の９０％以上にすることでき
る。これにより、後工程の配向膜焼成等の熱処理工程で
のヒロックを抑制でき、高反射率の反射電極３１が得ら
れると同時に、配向膜の種類にかかわらず、黄変のない
反射電極３１を得ることができる（後述する）。
【００５８】以降、第１の実施形態と同様にして、液晶
表示パネルを製造し、液晶表示装置を完成するが、第１
の実施形態と異なるのは、対向基板２０のカラーフィル
タ２１上に散乱膜９１を設けていることである。この散
乱膜９１は、例えば、ノボラック系樹脂の中にプラスチ
ック粒子等からなるビーズを混入したものから構成され
ている。プラスチック粒子の径や配合割合を最適化する
ことにより、凹凸を形成した反射電極と同様な散乱効果
が得られる。以上のようにして、高反射率で黄変がな
く、書き込み不良の問題のない反射型液晶表示装置が得
られる。
表示パネルを製造し、液晶表示装置を完成するが、第１
の実施形態と異なるのは、対向基板２０のカラーフィル
タ２１上に散乱膜９１を設けていることである。この散
乱膜９１は、例えば、ノボラック系樹脂の中にプラスチ
ック粒子等からなるビーズを混入したものから構成され
ている。プラスチック粒子の径や配合割合を最適化する
ことにより、凹凸を形成した反射電極と同様な散乱効果
が得られる。以上のようにして、高反射率で黄変がな
く、書き込み不良の問題のない反射型液晶表示装置が得
られる。
【００５９】なお、以上の実施形態では、スイッチング
素子として逆スタガードチャネルエッチ型のＴＦＴを用
いた例を述べたが、チャネル保護型のＴＦＴや順スタガ
ード型のＴＦＴを用いてもよい。また、これらスタガー
ド型のＴＦＴのみならずコプレナー型のＴＦＴを用いて
もよく、さらに、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴを用
いてもよい。また、スイッチング素子として、ＴＦＴで
なく、ＭＩＭダイオードを用いてもよい。また、スイッ
チング素子を有する基板と対向基板は、ガラス基板でな
く、これ以外の基板、例えばプラスチック基板、セラミ
ックス基板、半導体基板（半透過型液晶表示装置の場合
は除く）等を用いてもよい。
素子として逆スタガードチャネルエッチ型のＴＦＴを用
いた例を述べたが、チャネル保護型のＴＦＴや順スタガ
ード型のＴＦＴを用いてもよい。また、これらスタガー
ド型のＴＦＴのみならずコプレナー型のＴＦＴを用いて
もよく、さらに、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴを用
いてもよい。また、スイッチング素子として、ＴＦＴで
なく、ＭＩＭダイオードを用いてもよい。また、スイッ
チング素子を有する基板と対向基板は、ガラス基板でな
く、これ以外の基板、例えばプラスチック基板、セラミ
ックス基板、半導体基板（半透過型液晶表示装置の場合
は除く）等を用いてもよい。
【００６０】さらに、本発明は、アクティブマトリック
ス型液晶表示装置のみならず、ＳＴＮ液晶表示装置等に
も適用できる。また、第４の実施形態の反射電極となる
金属膜の成膜方法は、下地に塗布系の絶縁膜を用いな
い、例えば、反射電極の凹凸を粗面化したガラス基板で
形成するような、反射型もしくは半透過型液晶表示装置
全般に広く応用できることは言うまでもない。
ス型液晶表示装置のみならず、ＳＴＮ液晶表示装置等に
も適用できる。また、第４の実施形態の反射電極となる
金属膜の成膜方法は、下地に塗布系の絶縁膜を用いな
い、例えば、反射電極の凹凸を粗面化したガラス基板で
形成するような、反射型もしくは半透過型液晶表示装置
全般に広く応用できることは言うまでもない。
【００６１】次に、本発明の数値限定の根拠について、
図１７〜図２３を参照して以下に説明する。
図１７〜図２３を参照して以下に説明する。
【００６２】図１７は、Ａｌ−Ｎｄ合金成膜時の基板温
度とＡｌ−Ｎｄ合金膜の微細な表面凹凸の平均ピッチと
の関係を示すグラフの一例である。ここで、Ａｌ−Ｎｄ
合金の組成はＮｄ４．５ｗｔ％のものを用い、これをガ
ラス基板上にスパッタにより基板温度を変えて成膜し、
サンプルとした。表面凹凸は５万倍の真上からのＳＥＭ
写真を撮り、定規で計測して求めた。サンプルの斜め方
向からのＳＥＭ写真から、Ａｌの表面モホロジーは基板
温度が下がるにつれて微細になり、凹凸の大きさ、深さ
共小さくなることを確認した。基板温度が２００℃のと
きは、凹凸の平均ピッチは１．５μｍ程度だが、１５０
℃で０．９μｍ程度、１００℃以下で０．５μｍ以下と
なることがわかった。一方、凹凸の深さは、正確ではな
いが、基板温度が２００℃のとき０．５μｍ程度、１５
０℃のとき０．３μｍ程度、１００℃以下で０．１μｍ
〜０．２μｍ程度になっている。
度とＡｌ−Ｎｄ合金膜の微細な表面凹凸の平均ピッチと
の関係を示すグラフの一例である。ここで、Ａｌ−Ｎｄ
合金の組成はＮｄ４．５ｗｔ％のものを用い、これをガ
ラス基板上にスパッタにより基板温度を変えて成膜し、
サンプルとした。表面凹凸は５万倍の真上からのＳＥＭ
写真を撮り、定規で計測して求めた。サンプルの斜め方
向からのＳＥＭ写真から、Ａｌの表面モホロジーは基板
温度が下がるにつれて微細になり、凹凸の大きさ、深さ
共小さくなることを確認した。基板温度が２００℃のと
きは、凹凸の平均ピッチは１．５μｍ程度だが、１５０
℃で０．９μｍ程度、１００℃以下で０．５μｍ以下と
なることがわかった。一方、凹凸の深さは、正確ではな
いが、基板温度が２００℃のとき０．５μｍ程度、１５
０℃のとき０．３μｍ程度、１００℃以下で０．１μｍ
〜０．２μｍ程度になっている。
【００６３】図１８は、図１７の成膜により得られたＡ
ｌ−Ｎｄ合金膜の反射率を示すグラフの一例である。こ
こで、反射率は測定装置に付属しているＡｌ蒸着膜の反
射率を１００％として規格化している。成膜時の基板温
度が１２０℃のときは、短波長側になるにつれて、反射
率が徐々に上がっていることがわかる。一方、成膜時の
基板温度が２００℃のときは、４００ｎｍ程度までは、
同じ傾向を示すが、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長域で
急激に反射率が低下することがわかった。
ｌ−Ｎｄ合金膜の反射率を示すグラフの一例である。こ
こで、反射率は測定装置に付属しているＡｌ蒸着膜の反
射率を１００％として規格化している。成膜時の基板温
度が１２０℃のときは、短波長側になるにつれて、反射
率が徐々に上がっていることがわかる。一方、成膜時の
基板温度が２００℃のときは、４００ｎｍ程度までは、
同じ傾向を示すが、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長域で
急激に反射率が低下することがわかった。
【００６４】図１９、図２０は、Ａｌ−Ｎｄ合金膜の膜
厚がそれぞれ１５０ｎｍ、３００ｎｍのときの、成膜時
の基板温度による反射率を示すグラフの一例である。こ
の反射率は図１８で成膜時の基板温度が１２０℃のとき
のサンプルの反射率を１００％として規格化した相対的
な反射率である。グラフ中でＲＴは室温で成膜したデー
タである。成膜時の基板温度が１５０℃以上では、２０
０ｎｍ〜４００ｎｍの波長域で反射率が低下する傾向が
見られ、特に、２００℃のときは急激に低下することが
わかる。また、Ａｌ膜厚が厚いほど、この傾向が大きい
ことがわかる。
厚がそれぞれ１５０ｎｍ、３００ｎｍのときの、成膜時
の基板温度による反射率を示すグラフの一例である。こ
の反射率は図１８で成膜時の基板温度が１２０℃のとき
のサンプルの反射率を１００％として規格化した相対的
な反射率である。グラフ中でＲＴは室温で成膜したデー
タである。成膜時の基板温度が１５０℃以上では、２０
０ｎｍ〜４００ｎｍの波長域で反射率が低下する傾向が
見られ、特に、２００℃のときは急激に低下することが
わかる。また、Ａｌ膜厚が厚いほど、この傾向が大きい
ことがわかる。
【００６５】図２１は配向膜の透過率を示すグラフの一
例である。ここでは、日産化学製の配向膜とＪＳＲ製の
一般的な配向膜を用いた。配向膜によっては、６００ｎ
ｍより短波長側の透過率が低下するものがあることがわ
かった。成分であるポリイミド等に色がつきやすい材料
を用いた場合、このような透過率特性になると推定され
る。
例である。ここでは、日産化学製の配向膜とＪＳＲ製の
一般的な配向膜を用いた。配向膜によっては、６００ｎ
ｍより短波長側の透過率が低下するものがあることがわ
かった。成分であるポリイミド等に色がつきやすい材料
を用いた場合、このような透過率特性になると推定され
る。
【００６６】図２２はＡｌ−Ｎｄ合金のＮｄ濃度と熱処
理によるヒロック及び反射率との関係を示す表である。
ここで、ヒロックは、配向膜焼成と同等の２３０℃、１
時間の熱処理行い、光学顕微鏡により観察した。Ｎｄ濃
度が０．１ｗｔ％のときはヒロックが発生した（×印）
が、０．５ｗｔ％以上では発生しなかった（○印）。ま
た、反射率は、Ｎｄ濃度が０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％で
は、室温で成膜した純Ａｌと同等の反射率を維持できた
が、１０ｗｔ％では波長４００ｎｍで約６〜８％低下
し、さらに、２０ｗｔ％では、波長４００ｎｍで１０％
以上低下した。
理によるヒロック及び反射率との関係を示す表である。
ここで、ヒロックは、配向膜焼成と同等の２３０℃、１
時間の熱処理行い、光学顕微鏡により観察した。Ｎｄ濃
度が０．１ｗｔ％のときはヒロックが発生した（×印）
が、０．５ｗｔ％以上では発生しなかった（○印）。ま
た、反射率は、Ｎｄ濃度が０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％で
は、室温で成膜した純Ａｌと同等の反射率を維持できた
が、１０ｗｔ％では波長４００ｎｍで約６〜８％低下
し、さらに、２０ｗｔ％では、波長４００ｎｍで１０％
以上低下した。
【００６７】図２３はＡｌ−Ｎｄ合金（Ｎｄ濃度４．５
ｗｔ％）の成膜時の基板温度と製造した液晶表示装置の
色見、反射率及び下層金属膜と反射電極となる金属膜と
のコンタクト抵抗との関係を示す表である。色見につい
ては、Ａｌ−Ｎｄ合金の成膜時の基板温度が２００℃の
ときで、かつ、配向膜を図２１に示した配向膜Ｂのよう
な透過率特性を持つものを用いたときのみ、黄変が観察
された（×印）。また、反射率については、基板温度が
１７０℃、２００℃では、波長４００ｎｍで約１〜５％
低下した（△印）（図１９、図２０参照）。基板温度が
２０℃（室温）では、ガラス上では全く問題ないが、有
機絶縁膜上では、出ガスの影響で白濁を生じ、波長４０
０ｎｍで５％程度低下した（△印）。また、コンタクト
抵抗については、基板温度が７０℃以上の場合は問題な
かったが、基板温度が２０℃（室温）では、出ガスの影
響でコンタクト抵抗の増大が確認された（×印）。
ｗｔ％）の成膜時の基板温度と製造した液晶表示装置の
色見、反射率及び下層金属膜と反射電極となる金属膜と
のコンタクト抵抗との関係を示す表である。色見につい
ては、Ａｌ−Ｎｄ合金の成膜時の基板温度が２００℃の
ときで、かつ、配向膜を図２１に示した配向膜Ｂのよう
な透過率特性を持つものを用いたときのみ、黄変が観察
された（×印）。また、反射率については、基板温度が
１７０℃、２００℃では、波長４００ｎｍで約１〜５％
低下した（△印）（図１９、図２０参照）。基板温度が
２０℃（室温）では、ガラス上では全く問題ないが、有
機絶縁膜上では、出ガスの影響で白濁を生じ、波長４０
０ｎｍで５％程度低下した（△印）。また、コンタクト
抵抗については、基板温度が７０℃以上の場合は問題な
かったが、基板温度が２０℃（室温）では、出ガスの影
響でコンタクト抵抗の増大が確認された（×印）。
【００６８】以上の実験結果を総合すると、液晶表示装
置の反射電極を構成するＡｌ−Ｎｄ合金膜に関し、下地
がプラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコンのような
絶縁膜の場合は、その成膜温度は１７０℃以下であるこ
とが望ましい。一方、下地が樹脂のような塗布系の絶縁
膜の場合は、７０℃以上１７０℃以下であることが望ま
しい。これにより、配向膜に図２１の配向膜Ｂのような
透過率特性のものを用いた場合でも、液晶表示装置の色
見の黄変を防止し、高反射率にすることができる。同時
に、下層金属膜と反射電極となる金属膜とのコンタクト
不良を防止することができる。このとき、図１７から、
反射電極を構成するＡｌ−Ｎｄ合金膜の表面モホロジー
は、その微細な凹凸の平均ピッチが１μｍ以下であるこ
とが望ましく、さらに望ましくは、０．６μｍ以下であ
ればよい。即ち、このような表面モホロジーに制御する
必要がある。また、図１９、図２０から、反射電極を構
成するＡｌ−Ｎｄ合金膜の反射率は、波長域２００ｎｍ
〜４００ｎｍの反射率が波長４００ｎｍでの反射率の９
５％以上であることが望ましい。すなわち、このような
反射率特性を有する膜質に制御する必要がある。
置の反射電極を構成するＡｌ−Ｎｄ合金膜に関し、下地
がプラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコンのような
絶縁膜の場合は、その成膜温度は１７０℃以下であるこ
とが望ましい。一方、下地が樹脂のような塗布系の絶縁
膜の場合は、７０℃以上１７０℃以下であることが望ま
しい。これにより、配向膜に図２１の配向膜Ｂのような
透過率特性のものを用いた場合でも、液晶表示装置の色
見の黄変を防止し、高反射率にすることができる。同時
に、下層金属膜と反射電極となる金属膜とのコンタクト
不良を防止することができる。このとき、図１７から、
反射電極を構成するＡｌ−Ｎｄ合金膜の表面モホロジー
は、その微細な凹凸の平均ピッチが１μｍ以下であるこ
とが望ましく、さらに望ましくは、０．６μｍ以下であ
ればよい。即ち、このような表面モホロジーに制御する
必要がある。また、図１９、図２０から、反射電極を構
成するＡｌ−Ｎｄ合金膜の反射率は、波長域２００ｎｍ
〜４００ｎｍの反射率が波長４００ｎｍでの反射率の９
５％以上であることが望ましい。すなわち、このような
反射率特性を有する膜質に制御する必要がある。
【００６９】一方、反射電極を構成するＡｌ−Ｎｄ合金
膜のＮｄ組成は０．５ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である
ことが望ましく、さらに望ましくは、０．５ｗｔ％以上
５ｗｔ％以下であればよい。これにより、後工程での熱
処理による反射電極へのヒロックの発生を防止でき（従
って、配向処理時のラビングロールの汚染等を防止で
き）、同時に、高反射率の液晶表示装置にすることがで
きる。
膜のＮｄ組成は０．５ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である
ことが望ましく、さらに望ましくは、０．５ｗｔ％以上
５ｗｔ％以下であればよい。これにより、後工程での熱
処理による反射電極へのヒロックの発生を防止でき（従
って、配向処理時のラビングロールの汚染等を防止で
き）、同時に、高反射率の液晶表示装置にすることがで
きる。
【００７０】また、液晶表示装置の反射電極上に形成さ
れる配向膜は、波長域３００ｎｍ〜６００ｎｍの光透過
率が９５％以上であることが望ましい。これにより、液
晶表示装置の色見の黄変を防止することができる。
れる配向膜は、波長域３００ｎｍ〜６００ｎｍの光透過
率が９５％以上であることが望ましい。これにより、液
晶表示装置の色見の黄変を防止することができる。
【００７１】反射電極の表面モホロジーと配向膜との組
合せで、反射型もしくは半透過型液晶表示装置の色見の
黄変が発生するのは、いまだ明確ではないが、次のよう
なメカニズムが推定される。即ち、反射電極表面の凹凸
が大きいと、この中に配向膜が入りこみ、配向膜を通過
する光路が実効的に長くなり、その分、図２１の配向膜
Ｂのような吸収を受けやすくなるためと考えられる。特
に、反射型液晶表示装置では、配向膜を光が計４回通過
するため、透過型液晶表示装置よりも配向膜による光吸
収が多くなる。紫外光領域での光吸収が増えた結果、液
晶表示装置の色見が黄変すると考えられる。
合せで、反射型もしくは半透過型液晶表示装置の色見の
黄変が発生するのは、いまだ明確ではないが、次のよう
なメカニズムが推定される。即ち、反射電極表面の凹凸
が大きいと、この中に配向膜が入りこみ、配向膜を通過
する光路が実効的に長くなり、その分、図２１の配向膜
Ｂのような吸収を受けやすくなるためと考えられる。特
に、反射型液晶表示装置では、配向膜を光が計４回通過
するため、透過型液晶表示装置よりも配向膜による光吸
収が多くなる。紫外光領域での光吸収が増えた結果、液
晶表示装置の色見が黄変すると考えられる。
【００７２】ここで述べた事情は、反射電極がＡｌ−Ｎ
ｄ合金や他のＡｌ合金の場合のみならず、他の反射電極
材料、例えば、Ａｌよりも反射率の高い銀、銀合金の場
合も全く同じように当てはまると考えられる。
ｄ合金や他のＡｌ合金の場合のみならず、他の反射電極
材料、例えば、Ａｌよりも反射率の高い銀、銀合金の場
合も全く同じように当てはまると考えられる。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高反射率で色見に黄変がなく、ソース電極と反射電極間
のコンタクト抵抗に起因する書き込み不良のない反射型
もしくは半透過型液晶表示装置を高歩留で提供すること
ができる。
高反射率で色見に黄変がなく、ソース電極と反射電極間
のコンタクト抵抗に起因する書き込み不良のない反射型
もしくは半透過型液晶表示装置を高歩留で提供すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置に使用
する薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦＴ基板）の構成
を示す概念図である。（第２、第３及び第４の実施形態
と共通）
する薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦＴ基板）の構成
を示す概念図である。（第２、第３及び第４の実施形態
と共通）
【図２】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置のパネ
ル平面図である。（第２、第３及び第４の実施形態と共
通）
ル平面図である。（第２、第３及び第４の実施形態と共
通）
【図３】図２のＡ−Ａ線、Ｃ−Ｃ線及び一画素部分（図
４のＢ−Ｂ線部分の断面に対応）のパネル断面図であ
る。
４のＢ−Ｂ線部分の断面に対応）のパネル断面図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置のＴＦ
Ｔ基板の一画素部分の構成を示す平面図である。（第２
の実施形態と共通）
Ｔ基板の一画素部分の構成を示す平面図である。（第２
の実施形態と共通）
【図５】図４のＢ−Ｂ線部分に対応する工程断面図であ
る。（第２の実施形態と共通）
る。（第２の実施形態と共通）
【図６】図５に続く製造工程を示す工程断面図である。
（第２の実施形態と共通）
（第２の実施形態と共通）
【図７】図６に続く製造工程を示す工程断面図であり、
パネル断面図である。
パネル断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の走査
線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の短辺
方向の工程断面図である。（第２及び第３の実施形態と
共通）
線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の短辺
方向の工程断面図である。（第２及び第３の実施形態と
共通）
【図９】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置のＴＦ
Ｔ基板の製造工程を示す工程断面図であり、図４のＢ−
Ｂ線部分に対応し、図５の工程（ｃ）に続く工程断面図
である。
Ｔ基板の製造工程を示す工程断面図であり、図４のＢ−
Ｂ線部分に対応し、図５の工程（ｃ）に続く工程断面図
である。
【図１０】図９に続く製造工程を示す工程断面図であ
る。
る。
【図１１】本発明の第３の実施形態の液晶表示装置のＴ
ＦＴ基板の一画素部分の構成を示す平面図である。
ＦＴ基板の一画素部分の構成を示す平面図である。
【図１２】図１１のＢ−Ｂ線部分に対応する工程断面図
である。
である。
【図１３】図１２に続く製造工程を示す工程断面図であ
る。
る。
【図１４】図１３に続く製造工程を示す工程断面図であ
る。
る。
【図１５】図１４に続く製造工程を示す工程断面図であ
り、パネル断面図である。
り、パネル断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態の液晶表示装置のパ
ネル断面図であり、図２のＡ−Ａ線、Ｃ−Ｃ線及び一画
素部分（図４のＢ−Ｂ線部分の断面に対応）の断面図で
ある。
ネル断面図であり、図２のＡ−Ａ線、Ｃ−Ｃ線及び一画
素部分（図４のＢ−Ｂ線部分の断面に対応）の断面図で
ある。
【図１７】Ａｌ−Ｎｄ合金成膜時の基板温度とＡｌ−Ｎ
ｄ合金膜の表面凹凸の平均ピッチとの関係を示すグラフ
の一例である。
ｄ合金膜の表面凹凸の平均ピッチとの関係を示すグラフ
の一例である。
【図１８】図１７の成膜により得られたＡｌ−Ｎｄ合金
膜の反射率を示すグラフの一例である。
膜の反射率を示すグラフの一例である。
【図１９】Ａｌ−Ｎｄ合金膜の膜厚が１５０ｎｍのとき
の、成膜時の基板温度による反射率を示すグラフの一例
である。
の、成膜時の基板温度による反射率を示すグラフの一例
である。
【図２０】Ａｌ−Ｎｄ合金膜の膜厚が３００ｎｍのとき
の、成膜時の基板温度による反射率を示すグラフの一例
である。
の、成膜時の基板温度による反射率を示すグラフの一例
である。
【図２１】配向膜の透過率を示すグラフの一例である。
【図２２】Ａｌ−Ｎｄ合金のＮｄ濃度と熱処理によるヒ
ロック及び反射率との関係を示す表である。
ロック及び反射率との関係を示す表である。
【図２３】Ａｌ−Ｎｄ合金（Ｎｄ濃度４．５ｗｔ％）の
成膜時の基板温度と製造した液晶表示装置の色見、反射
率及び下層金属膜と反射電極となる金属膜とのコンタク
ト抵抗との関係を示す表である。
成膜時の基板温度と製造した液晶表示装置の色見、反射
率及び下層金属膜と反射電極となる金属膜とのコンタク
ト抵抗との関係を示す表である。
【図２４】従来の一般的な反射型液晶表示装置の断面図
である。
である。
１０ ＴＦＴ基板 １１ 走査線 １２ 信号線 １３ 共通配線 １４ ＴＦＴ １５ 走査線端子 １６ 信号線端子 １７ 共通配線結束線 １８ 共通配線端子 ２０ 対向基板 ２１ カラーフィルタ ２２ ブラックマトリクス ２３ シール材 ２４ 封孔材 ３１ 反射電極 ３２ 有機層間絶縁膜 ３３ 対向電極 ３４ 配向膜 ３５ 面内スペーサー ３６ 液晶 ３７ １／４波長板 ３８ 偏向板 ４１ ゲート電極 ４２ ドレイン電極 ４３ ソース電極 ４４ 半導体層 ４５ 画素部コンタクトホール ５１ 第１の絶縁膜 ５２ 第２の絶縁膜 ５３ ゲート絶縁膜 ５４ パッシベーション膜 ５５ コンタクトホール ６１ 端子部金属膜 ６２ 端子部コンタクトホール ６３ 接続電極 ７１ 絶縁膜 ８１ 画素電極 ９１ 散乱膜
フロントページの続き (72)発明者 山本 篤 秋田県秋田市御所野下堤三丁目１番１号 秋田日本電気株式会社内 (72)発明者 進藤 知英 秋田県秋田市御所野下堤三丁目１番１号 秋田日本電気株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 LA01 LA04 LA20 2H091 FA16Y FB08 GA02 GA07 GA13 LA20 2H092 HA05 JA24 JB07 KB14 PA02 PA06 PA12
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上にバス配線と、前記バス配線に接
続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に
接続される反射電極を有する液晶表示装置において、前
記反射電極の表面凹凸が、平均ピッチ１μｍ以下である
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 基板上にバス配線と、前記バス配線に接
続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に
接続される反射電極を有する液晶表示装置において、前
記反射電極の波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍの反射率が
波長４００ｎｍでの反射率の９０％以上であることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記反射電極がアルミニウム（Ａｌ）と
ネオジウム（Ｎｄ）の合金からなり、ネオジウムの濃度
が０．５ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることを特徴と
する請求項１及び請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 基板上にバス配線と、前記バス配線に接
続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に
接続される反射電極を有する液晶表示装置において、前
記反射電極上に形成される配向膜の波長域３００ｎｍ〜
６００ｎｍの光透過率が９５％以上であることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項５】 基板上にバス配線と、前記バス配線に接
続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に
接続される反射電極を有する液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記反射電極の成膜時の基板温度を１７０℃以
下とすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 基板上にバス配線と、前記バス配線に接
続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に
接続される反射電極を有する液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記反射電極を塗布系の層間絶縁膜上に形成
し、その成膜時の基板温度を７０℃以上１７０℃以下と
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記反射電極の成膜時の基板加熱を少な
くとも成膜前に行うことを特徴とする請求項６記載の液
晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030472A JP3908552B2 (ja) | 2001-03-29 | 2002-02-07 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TW091105754A TW569070B (en) | 2001-03-29 | 2002-03-25 | Liquid crystal display panel having reflection electrodes improved in smooth surface morphology and process for fabrication thereof |
| US10/106,378 US7176994B2 (en) | 2001-03-29 | 2002-03-27 | Liquid crystal display panel having reflection electrodes improved in smooth surface morphology and process for fabrication thereof |
| KR10-2002-0017370A KR100515176B1 (ko) | 2001-03-29 | 2002-03-29 | 평활 표면의 형태가 향상된 반사 전극을 가지는 액정 표시패널 및 그 제조 방법 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006018239A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置のパッド構造及び液晶表示装置のパッド製造方法 |
| JP2006301625A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Toppoly Optoelectronics Corp | 半透過型ディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US7593075B2 (en) | 2005-02-14 | 2009-09-22 | Nec Lcd Technologies, Ltd | Reflector in liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| CN101241289B (zh) * | 2003-10-09 | 2010-06-09 | 精工爱普生株式会社 | 液晶显示装置和电子设备 |
| WO2010134236A1 (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
| US7876039B2 (en) | 2004-10-27 | 2011-01-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display having pad electrode |
| WO2012053477A1 (ja) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
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Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100491258B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2005-05-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| JP4316896B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2009-08-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置とその製造方法 |
| JP3972825B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2007-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
| TWI226484B (en) * | 2003-08-06 | 2005-01-11 | Display Optronics Corp M | Pixel for a fringe field switching reflective and transflective liquid crystal display |
| EP1668406B1 (en) * | 2003-09-22 | 2011-03-23 | TPO Hong Kong Holding Limited | Method of manufacturing liquid crystal display device |
| US8901268B2 (en) * | 2004-08-03 | 2014-12-02 | Ahila Krishnamoorthy | Compositions, layers and films for optoelectronic devices, methods of production and uses thereof |
| JP2006163317A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | 拡散反射構造体及びその製造方法並びにこれを用いた表示装置 |
| US8149346B2 (en) | 2005-10-14 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| KR101165472B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2012-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
| KR20070082957A (ko) * | 2006-02-20 | 2007-08-23 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 |
| JP5241141B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶表示装置、液晶プロジェクタ及びリアプロジェクション装置 |
| JP4818839B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2011-11-16 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TWI332099B (en) * | 2006-09-29 | 2010-10-21 | Chimei Innolux Corp | Transflective liquid crystal display device |
| US7839560B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Packaged spatial light modulator and a display system using the same |
| JP5429584B2 (ja) | 2007-09-26 | 2014-02-26 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 表示装置及びそれらを用いた携帯機器、端末装置 |
| CN101561610B (zh) * | 2009-06-09 | 2012-11-14 | 友达光电股份有限公司 | 半穿透半反射式像素结构及显示面板 |
| US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
| TWI430415B (zh) * | 2009-12-01 | 2014-03-11 | Xintec Inc | 晶片封裝體及其製造方法 |
| JP5179604B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2013-04-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置用Ａｌ合金膜 |
| CN103548420B (zh) * | 2011-05-24 | 2016-08-17 | 株式会社神户制钢所 | 含有有机el显示器用的反射阳极电极的配线结构 |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| TWI537656B (zh) | 2014-03-14 | 2016-06-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| US9507222B2 (en) * | 2014-03-14 | 2016-11-29 | Innolux Corporation | Display device |
| US9659973B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-05-23 | Innolux Corporation | Display device |
| US9750140B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-08-29 | Innolux Corporation | Display device |
| US10324345B2 (en) | 2014-03-14 | 2019-06-18 | Innolux Corporation | Display device and display substrate |
| US9570365B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-02-14 | Innolux Corporation | Display device and test pad thereof |
| US9513514B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-12-06 | Innolux Corporation | Display device |
| CN104393023B (zh) * | 2014-12-01 | 2018-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| KR102343277B1 (ko) * | 2015-03-26 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반사층을 포함하는 표시 장치 |
| EP3194502A4 (en) | 2015-04-13 | 2018-05-16 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
| US10304813B2 (en) * | 2015-11-05 | 2019-05-28 | Innolux Corporation | Display device having a plurality of bank structures |
| US9880415B2 (en) * | 2016-01-11 | 2018-01-30 | Giantplus Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display module |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5694386A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-30 | Suwa Seikosha Kk | Liquiddcrystal display unit |
| JPS62165628A (ja) | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 液晶表示素子 |
| DE3924554A1 (de) * | 1989-07-25 | 1991-01-31 | Roehm Gmbh | Anisotrope fluessigkristalline polymer-filme |
| DE69220643T2 (de) * | 1991-09-10 | 1998-01-22 | Sharp Kk | Flüssigkristall-Anzeigegerät vom Reflexionstyp und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP3094546B2 (ja) | 1991-09-24 | 2000-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示体用拡散反射板の製造方法、及び液晶表示体の製造方法 |
| JPH0618874A (ja) | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Ricoh Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JPH0784252A (ja) | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2912176B2 (ja) | 1994-12-28 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| EP0786684A4 (en) | 1995-07-17 | 1998-04-29 | Seiko Epson Corp | REFLECTIVE COLOR LIQUID CRYSTAL DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THIS |
| US6094252A (en) * | 1995-09-05 | 2000-07-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | GH LCD having particular parameters and characteristics |
| JP2798066B2 (ja) | 1996-08-05 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスター、その製造方法および表示装置 |
| JP3758768B2 (ja) | 1996-11-20 | 2006-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
| JPH10209160A (ja) | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Casio Comput Co Ltd | 配線及びそれを用いた表示装置 |
| JP3346217B2 (ja) * | 1997-04-04 | 2002-11-18 | カシオ計算機株式会社 | 配線の形成方法および表示装置の製造方法 |
| JP3390633B2 (ja) | 1997-07-14 | 2003-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US6108064A (en) * | 1997-11-06 | 2000-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective-type liquid crystal display device including a single polarizer plate |
| JP3432125B2 (ja) | 1997-11-21 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6295109B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD with plurality of pixels having reflective and transmissive regions |
| JP4021053B2 (ja) | 1998-05-16 | 2007-12-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2000047240A (ja) | 1998-05-29 | 2000-02-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2000010124A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Ricoh Co Ltd | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| TW522273B (en) * | 1998-08-07 | 2003-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflection type liquid crystal display element |
| JP2000098361A (ja) | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP2000105367A (ja) | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、その製造方法及び電子機器 |
| GB9821311D0 (en) * | 1998-10-02 | 1998-11-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | Reflective liquid crystal display device |
| JP3406242B2 (ja) * | 1998-10-15 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3452839B2 (ja) | 1998-10-20 | 2003-10-06 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| KR100450542B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2004-10-01 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 조명 장치 및 이를 이용한 액정 표시 장치 |
| JP3085530B2 (ja) | 1998-11-18 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP3517363B2 (ja) | 1998-11-27 | 2004-04-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| US6103322A (en) * | 1998-12-23 | 2000-08-15 | Elsicon Inc. | Materials for inducing alignment of liquid crystals and liquid crystal optical elements |
| JP2000214487A (ja) | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2000258787A (ja) | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP2000305104A (ja) | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2000314897A (ja) | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2000336447A (ja) | 1999-05-26 | 2000-12-05 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜、ターゲット材及び薄膜形成方法 |
| JP4674774B2 (ja) | 1999-06-10 | 2011-04-20 | カシオ計算機株式会社 | 配線の製造方法及び表示装置の製造方法 |
| TW548484B (en) * | 1999-07-16 | 2003-08-21 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device, electronic apparatus and substrate for liquid crystal device |
| JP3141886B2 (ja) | 1999-11-15 | 2001-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| US6577356B2 (en) * | 1999-12-08 | 2003-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma addressed liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| KR100661825B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2006-12-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
| JP2001350142A (ja) | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2002023181A (ja) | 2000-07-12 | 2002-01-23 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-02-07 JP JP2002030472A patent/JP3908552B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-25 TW TW091105754A patent/TW569070B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-27 US US10/106,378 patent/US7176994B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-29 KR KR10-2002-0017370A patent/KR100515176B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-04-14 US US11/105,418 patent/US7123325B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-06-30 US US11/478,507 patent/US7633580B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101241289B (zh) * | 2003-10-09 | 2010-06-09 | 精工爱普生株式会社 | 液晶显示装置和电子设备 |
| JP2006018239A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置のパッド構造及び液晶表示装置のパッド製造方法 |
| US8023086B2 (en) | 2004-06-30 | 2011-09-20 | Lg Display Co., Ltd. | Pad structure of liquid crystal display device and fabrication method thereof |
| US7876039B2 (en) | 2004-10-27 | 2011-01-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display having pad electrode |
| US8182301B2 (en) | 2004-10-27 | 2012-05-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of fabricating flat panel display having pad electrode |
| US7593075B2 (en) | 2005-02-14 | 2009-09-22 | Nec Lcd Technologies, Ltd | Reflector in liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| JP2006301625A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Toppoly Optoelectronics Corp | 半透過型ディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP4578430B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2010-11-10 | 統寶光電股▲ふん▼有限公司 | 半透過型ディスプレイパネル及びその製造方法 |
| WO2010134236A1 (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
| WO2012053477A1 (ja) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
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