TW555830B - Method for producing electroluminescent element - Google Patents

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Mitsuhiro Kashiwabara
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Description

555830 五、發明說明（1) 【發明之詳細說明】 【發明所屬之技術領域】 本發明為關於形成圖型之電場發光元件（以下簡稱為EL) 元件之製造方法。 【先前之技術】 EL元件為經由來自對向電極所注入之空穴及電子為於發 光層内結合，並以此能量激起發光層中的螢光物質，進行 對應於螢光物質顏色的發光，並且以自發光之面狀顯示元 件型式受到注目。其中，使用有機物質做為發光材料的有 機薄膜EL顯示器’即使外加電壓為弱至1 〇v，亦可實現高 亮度之發光，其發光效率為高，且可為單純的元件構造進 行發光’並且被期待應用於發光顯示出特定圖型廣告等之 低價的簡易顯示裝置。 、 么於製造使用此類EL元件之顯示器時，通常將電極層和有 械EL層予以圖型化。此EL元件的圖型化方法可為透過投影 1罩將發光材料殿積之方法、以噴墨進行塗覆之方法、以 备、外線照射將特定之發光色素予以破壞之方法、篩板印刷 f等二但，，此些方法並無法提供可實現發光效率和光之 ^出效率高、製造工程簡便和形成高精細圖型的EL元件。 【本發明所欲解決之課題】 十明為鑑於上述情事，以提供可實現發光效率和抽出 政率南、製造工程簡便和形成高精細圖型之£[元件之製造 方法為其主要目的。 【用以解決課題之手段】
555830 五、發明說明（2) 一 ^的目的，本發明為提供令構成EL 件之 徵故元件的製造方法。 卩刷去予以圖型化為其特 一 f根據本發明之EL元件的製造方法 曰”機EL層為經由光學平版印刷法予 ：之至少 #1因：先前所進行之以澱積予以圖型化之方法:而取 =為：需要具備高精確度定線備J比較， 較為麵易且廉價地一二叹備寺，故 式之圖型化法相比較，則因為二與使用噴墨方 =和基體進行前處理故為：不=:;;=型化之構 確度之關係而言， =墨磁頭之吐出精 造方* 1 ，若根據本發明之以元件 於上述發明；為=廉價地取得高精細之EL元件。、 形成的有機E L声以j Ϊ ^學平版印刷法予以圖型化所 為必須之層，且於於止士 u马於EL凡件中，發光層 又，於上m ^ s先叫可取得必要的高精細圖型。 顯像液m::勿中’上述發光層於光阻物溶劑、光阻物 述發光層所用之、'二：液中為不溶，ι ’光阻物於形成上 乾式蝕刻之方法H為不溶ί佳。例如’雖然根據使用 刷法之種類而里， 用乾式溥膜之方法等之光學平版印 中’較佳使用。ί於使用一般之濕式光學平版印刷法 =用滿足此類要件的發光層及光阻物。 R ， tov 1- 、+、八 v 經過數回之光二^，中，上述發光層以不同種類之發光層 于十版印刷法予以形成發光層為佳。因為經 mi 90123579.ptd 第5頁 555830
由令發光層作成不同種類之數種發光層，例如，若選擇 紅、綠及藍等，則可使其全色彩化。 此時，形成第2回以後之上述發光層的發光層形成用溶 劑，、較佳為對於已形成的發光層為呈貧溶劑。因為此類新 形成發光層中所用之發光層形成用溶劑，對於已形成之發 光層為呈貧溶劑，故在已形成之發光層上再形成發光層 時’不會產生混色。 此％，形成第2回以後發光層之發光層形成用溶劑，相 對於已形成發光層之溶解度以25°c、1氣壓中，為〇1克/ 克溶劑以下為佳。若為此程度之溶解度，則即使於已形成 之發光層上形成新的發光層時，亦不會令已形 被溶劑溶出、發生混色。 X曰 又’上述經過數回所形成之發光層的形成順序，亦以上 迷务光層所得之光波長為由短波長者開始依序形成為佳。 身又，將能$咼之短波長發光材料、與能量低之長波長 發光材料之二種發光材料予以混合時，乃以來自長波長發 光材料之發光為主。於本發明中，因為發光之光波長為由 紅波長者開始依序形成，故其後所形成之發光層的發光材 料為呈長波長的發光材料，即使於其後所形成之發光層中 現合先前所形成之發光層的發光材料時，所混入之先前形丨_ 成的短波長發光材料幾乎不會發光，且令成為混色等問題 之可能性極為降低。 如此，經過數回形成發光層時，上述發光層為發出紅、 綠及藍光三種發光層為佳。因為以全色彩發光上，通常以
9〇123S7q 第6頁 以圖型化 如上述將 ，但並非 衝層予以 之EL元件 層為佳。 製造廉價 液中為不 為不溶為 刷法之種 中，必須 發光層所 用之溶劑 溶劑、光 使用於形 且形成者 之EL元件 以光學平 滿足上述 化，為經 五、發明說明（4) 紅又綠^及藍之三原色發光為佳。 所形成Μ ί ^明中，上述使用光學平版印刷法予 听化成的有機EL層亦可為 丁 " 發光層予以圖型化時較佳為；】：於本發明中’ 特別限定於此，且亦可使用光學平版印刷法 中，於發光效左方ί ί ί 有機高分子所形成 此時以光學平：印刷法；兩：：：：衝層和發光 且高品質的EL元件。 予以圖型化，則可 此時，上述緩衝層於光阻 j，且’光阻物於形成上述緩阻物剝離 佳。同上述發光層之情況，=層所用之溶劑中 L而異，但於全部以濕式進行學平版印 滿足上述要件。 之忐子平版印刷法 更且，令光阻物溶劑、光 用之溶劑中不溶之緩 4離液、及形成 中不溶的光阻物予以圖』化且=形成緩衝層所 :t顯像液、及光阻物剝離液中’將光阻物 ::光層所用之溶劑中不且：：發光層， 广如上述，於發 ；：以圖型化 t，將緩衝層與發光層組合為I城π分子所形成 版印刷法形成滿足上述要件的 且此時，首先 要件之發光層之方法為佳。、’”層’其次形成 於本發明中，上述使 十版印刷法之圖型 i \\326\2d-\90-ll\90123579.ptd 第7頁 555830 五、發明說明（5) 由在圖型化之有機EL層上將光阻物予以冷 現’使得光阻物圖型化後，使用乾:广：:、顯 分之有機EL層予以除去、圖型化亦^。相除去光阻物部 高有機EL層予以乾式#刻之方法，則可形成更 此日守，上述乾式蝕刻以反應性離子蝕列A # 、 離子银刻，則可有效進行有舰層的=為L。以反應性 又，於上述乾式蝕刻中，較佳使用邱 二Ϊ用氧氣單體或含氧之氣體，則不氣 ::大氣壓等離子體Ί ΐ: i ϊ二子體:：。 的圖型化。 且1進仃尚生產性 為經由：i;::右土述使用光學平版印刷法之圖型化， 顯像，使得光阻物機孔層上將光阻物予以塗佈、曝光、 部分之化後，於超音波洛中將除去光阻物 虿^EL層予以除去、圖型化為佳。 化、广則可令使用光阻物將有機el層圖型 進行高精ϋ的圖U細且有鼠層材料流出等不適，可 件本：：=:?:至广層被圖型化之有舰層_元 之表面處理之助圖塑化之構成物及輔助圖型化 士处理之任一者為其特徵的EL元件。 I月之EL 7L件，因為不具有此類間隔壁等，故具有低 90l23579.ptd 第8頁 555830 五、發明說明（6) 費用之優良。 又，本發明為提供具有至少一層有 述有機EL層為經圖型化之發光層，於 邊端部所形成之膜厚不均勻區域之寬 特徵的EL元件。 於本發明之EL元件中，因為膜厚不 // m以下，故可令圖型間的間隔變小 型。此處，所謂「膜厚不均勻區域」 膜厚至膜厚減少之區域，為表示平坦 90%以下膜厚之區域。 更且，本發明為提供具有至少一層 上述有機EL層為可發光出複數顏色之 層’發光出鄰近不同顏色之發光層間 其特徵的EL元件。如此，因為可縮小 進行更高品質的畫像顯示。 其中’較佳至少具有基板、和上述 電極層、和形成覆蓋上述電極層之邊 光部分之絕緣層。因為可防止不需發 低元件短路所造成的缺陷，並且取得 元件。 【發明之實施形態】 以下’首先說明關於本發明之EL元 說明關於可根據此EL元件製造方法所 有之新穎特徵之本發明的EL元件。 90123579.ptd 機EL層的EL元件，上 上述圖型化之發光層 度為15 /zm以下為其 均勻區域之寬度為1 5 ’可作成高精細的圖 為表示由平坦部分之 部分之平坦膜厚之 有機EL層的EL元件， 經圖型化的複數發光 距離為3 0 // m以下為 畫素間的距離，故可 基板上形成圖型狀之 緣部分及元件之非發 光部分的短路，且減 長壽命且安定發光之 件之製造方法，其次 製造之具有先前所未 §11111
第9頁 555830 五、發明說明（7) 件之製造方法 本發明之EL元件之製造方法為令構成EL元件之至少—層 的有機EL層，使用光學平版印刷法予以圖型化為其特徵: 於本發明之EL元件之製造方法中，因為令構成EL元件之 至少一層的有機EL層經由光學平版印刷法予以形成，故若 與先前透過投影光罩進行之澱積法相比較，則不需要真办 4置專，故可輕易且廉價進行有機層的圖型化。另二 面，若與喷墨法之圖型化相比較，則並無進行將基體言 細圖型化之丽處理和於圖型間設置撥液性凸部等之必…月 性。即，若根據本發明之EL元件之製造方法，則可 得具有高精細圖型之高品質的E L元件。 、 貝 的：：i、具體說明關於此類本發明之EL元件之製造方法中 的谷構成。 1 (有機EL層） 本發明中所謂的EL元件為指且右s ,丨、 ^ 機EL層，具體而言，為至=當層經圖型，之有 極層上所形成的EL層、和上述孔> ^、和上述第—電 所Μ #认u 麻士述EL層上所形成的第二電極層 所構成，於上述EL層中包合5 + 私卜 71
層。 匕3至少一層經圖型化之有機EL 此處，EL層必須至少包含骖本屆 層、空穴輸送層、空穴注“、^外爲亦可組合緩衝 等。 电于輸适層、電子注入層 又，上述經圖型化之有拖ϋτ a + 何層，但於本發明中，以於二/^為構成上述EL層的任 1先層或緩衝層為佳’其中亦以 555830 五、發明說明（8) 發光層做為有機EL層予以圖型 發揮至最大限度，故為佳=者士因可將本 -將此發光層與緩衝層做 = 可稱為最佳例。 叹兀什卞以 具體而言，於第' —雷；1¾ ® ,^ 兔極層上將做為有機EL芦 由光丰平版印刷法予以圖型化 9 機EL層之發光層經由光學 ^ ^且於其上 再於其上形成第二電極以圖型 先層為三種發光層，經由三回 』特 形成全色彩之EL元件為最佳例先子千版印刷法 於本發明中，具有將此類有 ::平版印刷法進行圖型化此點特^ 由先前所用之方法進行製造。 八他層 (光學平版印刷法） 於本發明之EL元件之製造方法中，且 圖型化為經由光學平版印刷法進行此點二述 對應於綱圖型之任意圖型以二溶解性 光學平版印刷法。 乂下’ (光阻物） 於本發明中可使用的光阻物可為正 :定’但較佳為於發光層等有機阢層形：用： 發明之效果 之方面而 圖型化者， 之緩衝層經 再令做為有 化形成，並 別以上述發 予以圖型化 化時，使用 之製法可經 有機EL層之 此光學平版 變化，形成 說明關於此 ，並無特別 剜中為不溶 具體可使用之光阻物可列舉酚醛清漆樹脂系 橡膠
90123579.ptd 第11頁 555830 五、發明說明（9) 疊氮系等。 (光阻物溶劑） ;本备明中，將上述光阻物塗 為了於光阻物製膜時可防止發“;=之光阻物溶劑， ，物材料混合和溶解、並且保=有舰層與光 點，目，丨士 t 寺有機EL材料之溶劑。芒去；t + :則本發明可使用的光阻物溶劑 /j右考慮此 >成用材料等之有機EL =、擇對於發光層 氣塵為。，U克/克溶劑;之溶解度於25t Μ 〇·_1(克/克溶劑）以下之溶劑之；’且更佳為選擇 例如’將形成緩衝層材料於 :芳香族系等無極性有機溶劑中 1; ;:解，且發光層 酸自旨、丙二醇單曱;甲丙二醇…醋 醇單_酸酉旨為首之溶纖劑酷二：甲鱗醋酸匕旨、乙二 丙二醇單曱醚、乙二醇單 ··义―曰\丙—醇單乙醚、 劑類、甲醇、乙醇、丨_ 丁 g/、’、、乙之醇f乙鱗為首之溶纖 類、醋酸乙酯、醋酸丁 t ^ : — 丁醇、環己醇為首之醇 :，若滿足條件之其以 上之混合溶劑。 且亦可為一種以 (光阻物顯像液） 又，本發明可使用夕伞 有機EL層之材料即可， 顯像液若為可溶解形成上述 —般所用的有機鹼系顯像液，疋：肚而吕，可使用 卜 了使用無機驗、或可 $ 12頁 W326\2d.\90-ll\90123579.ptd 555830 五 發明說明（10) ___ 將光阻物顯像之水溶液。推一 以洗淨。 違仃光阻物顯像後，期望以水予 本發明可使用之顯像液較佳為 二t形成用材料之溶解度㈣^ 〇· 001 (克/克顯像液）以下之顯像液，且更佳^ • 0001(克/克顯像液）以下之顯像液。 ’、、、k擇 (光阻物剝離液） 更且，本發明可使用之光阻物剝離液必須〜 有機EL層，並且溶解光阻層， 不/谷解上述 :其原樣使用。又’於使用正型光 J且物 二曱基乙 及其混 以2 -丙醇 ，使用光阻物顯像液所列之液體進行剝離τυν曝光 5且’亦可使用強驗水溶液、二 :、二甲基亞礙、Ν-甲基H各烧嗣等：劑 :物、市售之光阻物剝離液。於剝離光阻物 予以洗濯，並再以水洗濯亦可。 ^ (圖型化方法） 本發明所用之以光學平版印刷法之圖型化，且 於使用正型之光阻物時，首先於入 ，、奴而s ， 其上將上述光阻物溶劑中溶= : = 機Μ後’於 访工 A 4 合解上迹先阻物材料的光阻物溶 ::以全面塗佈並乾燥，則可首先形成 =阻層進：圖型曝光’並將曝光部分之 ：
:部之光阻物。其後去光阻物未覆被部曝 層，將有機EL層予以圖型化之方法。 戍L
555830 五、發明說明（li) " ---- 尚王面开y成如上述有機EL層之方法為與通常之有機el 層之形成相同，並無特別限制，除了澱積法以外，可列舉 電極沈2法、使用材料之熔融液、溶液或混合液之旋塗 法、澆鑄法、浸潰法、棒塗法、刮刀塗層法、輥塗法、照 相凹版塗層法、彎曲印刷法、喷霧塗層法等之塗佈方法。 於本發明所用之光學平版印刷法中，如上述於圖型化之 有機EL層上塗佈光阻物，並且曝光、顯像後，使用乾式蝕 刻將除去光阻物部分之有機EL層予以除去亦可。 通常，光阻層為被成膜為更厚於有機EL層，故經由全體 性地進行乾式蝕刻，則可除去有機£1層。 此時，光阻層之膜厚於〇 ·丨〜丨〇 # m之範圍内為佳，且更 佳為0· 5〜5 //m之範圍内。作成此類膜厚，則可依舊保 阻物的光阻機能，並且可進行高加卫精確度的乾式姓刻。 如此1光學平版印刷法之—部分組合乾式餘刻法 令蝕刻邊端部更加尖銳（sharp)，故可令圖型邊 之膜厚不均勻區域的寬度更加狹窄，其結$ 高精細圖型化之結果。 運成更加 本發明所用之乾式蝕刻法中，乾式蝕 刻為佳。，經由使用反應、性離子钮刻，則^ ^應性離子餘 學性反應，作成分子量小之化合物 有機？接受化 由基板上除去’可進行蝕刻精確度高、：π瘵發則可 又，於本發明中，於上述乾式蝕刻時，.二之加工。 體或含氧之氣體。使用氧氣單體或含氧二佳使用氧氣單 膜以氧化反應分解除去，可由基板上…土 - ’則可將有機 示去不需要的有機
第〗4頁 WMm W326\2d-\90-ll\90123579.ptd 555830 五、發明說明（12) " " --- 物’並且可進行餘刻精確度高、短時間之加工。又，於此 條件下，並未將通常所用之IT〇等氧化物透明導電膜予以 :Ϊ 1故不會損害電極特性，且於淨化電極表面方面亦為 =且，本發明中，上述之乾式蝕刻較佳 用大氣壓等離子體，則可在大氣壓下進 此時：雖ί : J; J蝕刻，可縮短處理時間並且減低費用。 :予以為 整：應氛圍氣的氣體組：I由乱體之更換及循環而任意調 層ϋ : H =學平版印刷法中’於圖型化之有機EL 物部分之有機EL屏：且曝光、顯像後，以溶劑將除去光阻 劑必須為不會剝:去作成圖型亦可。此時所用之溶 於本發以外’可選擇滿足條件之溶劑。 層上塗佈光阻I =^印=中，於圖型化之有機el 去光阻物部分之右嫵*光顯像後，於超音波浴中將除 之溶劑必須為不合剝：：：除去作成圖型亦可。所使用 …光層之塗；物解或制離， 化，將使卜用 且可進行高精確度流：有機EL層材料等不適，並 的圖型化，故為佳。=上：：於短時間進行高精確度 __尚於上述光阻物顯像時，亦可使^ 90123579.ptd 第15頁 555830 五、發明說明（13) 此超音波浴進行 於本發明中， 中，以20〜1〇〇千 佳，於此類條件 (緩衝層） 於本發明中， 至少一層為經圖 層或發光 此緩衝層 本發明 地設置於 包含有機 提局對於 坦化機能 本發明 二極體特 因此，期 電阻高時 中，亦可 於本發 法予以圖 料較佳選 溶者，更 為不溶之 層圖型 〇 所謂之 陽極與 物、特 發光層 的導電 所用之 性、並 望根據 ，即使 未設置 明中， 型化形 擇於光 佳令形 材料。 此超音 赫之振 下，可 如此於 型化的 化形成 緩衝層 發光層 別為有 之空穴 性高分 緩衝層 防止交 本發明 未圖型 緩衝層 緩衝層 成做為 阻物溶 成緩衝 ^浴中所用之超音波條件為於25 t 動周波數，且進行〇·1〜60秒鐘為 ;短犄間進行咼精確度的圖型化。 二個電極層所夾住的EL層中，必須 :機EL層，如上述，較佳為將緩衝 為有機EL層。以下，首先說明關於 ，為令電荷可輕易進行注入發光層 之間、或陰極與發光層之間，且為 機導電對等之層。例如，可為具有 注入效率、並且令電極等之凹凸平 〇 於其導電性高時，為了保持元件的 調失真’乃期望將其予以圖型化。 予以圖型化形成。尚，於緩衝層之 化亦可，又，於省略緩衝層之元件 〇 及發光層兩者為經由光學平版印刷 上述有機EL層時’形成緩衝層之材 劑及發光層形成所用之溶劑中為不 層之材料為選擇於光阻物剝離丨夜中
五、發明說明（14) 另一方面，於發光層 '—~ 由光學平版印刷法所圖型:真空製膜等予以形成、且經 時，形成緩衝層之材料較# = f僅為緩衝層做為有機EL層 離液中不溶之材料。 &擇於光阻物溶劑及光阻物剝 形成本發明所用之緩會 吩衍生物、聚苯胺衍生物T e的材料具體可列舉出聚烷基咦 聚合物、無機氧化物之溶膠安等，空穴輸送性物質之 的聚合膜、含有路易士酸之嬙、二鼠甲烷等之有機物 如上述溶解性之條件者即頁祛化合物膜等，但若為滿足 經由反應、聚合或炮燒等滿足f H，限定，且於製膜後 空製膜等製膜出發光芦睡，^ 述條件亦可。又，經由真 空穴注入材料、空穴^送材^使用—般所用之緩衝材料、 又於本發明中形成緩衝層時所用之a 、 衝材料分散或溶解即可， 谷刎，若為可將緩 型化等，必須製膜數回的緩衝2限=彩之圖 緩衝層溶劑，更佳為不會溶解; w。本發明可使用之緩衝層溶劑 ^的，衝層溶 溶解度於、丨氣愿下為〇.。。1( ：：，先阻物材料之 劑，且f祛糸，S裡n nrm , 士 1兑/克洛劑）以下之溶 η思ΐί為、擇 克/克溶劑）以下之溶劑。又， 、，友衝層浴劑再佳為選擇發光材料之溶解度於25。〇 下為0.001 (克/克溶劑）以下之溶劑，特別以選 虱查 醇_二克/克溶劑)以下之溶劑為佳。可列舉 ΐ美之醇類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醮胺、-甲基亞砜、Ν-甲基-2_D比咯烷_等之溶劑，但若滿一 第17頁 90123579.ptd 五、發明說明（15) 亦可混合使用二種以上之溶 又 之其他溶劑亦可使用 劑。 使用圖1具體說明此類 圖型化之例。 衝層使用光學平版印刷法予以 圖1為示出根據本發明 圖型化，製造單色EL元件 法，進行緩衝層及發光層之 般，於基體1上，於圖型之順序圖。首先如圖l(a)所示 衝層3。其次如圖1(b)所f第一電極層2之上全面形成緩 阻層4並且進行預烘烤。复=，於緩衝層3之上形成正型光 以部分性遮光，進行紫外、綠人如圖1 (c)所示般，以光罩5予 示般，若經由光阻物顯像液:型曝光6。其次如圖1(d)所 除去曝光部的光阻物及緩徐从顯像、並進行水洗，則可 若經由光阻物剝離液將心。3次，如圖1(e)所示般， 極層2之緩衝層3之圖型。盆;制離，則可形成覆蓋第一電 1上圖型化之第-電極層2和第_ : f 1⑴所示般，於基體 上，全面形成發光層7。其次如_亟層2所設置之緩衝層3 上形成正型光阻層4並且進行預二妹g。所示般，於發光層7 邊又，以光罩5予以部分性遮光，進 /、_人如圖1 (h )所示 :欠如圖⑴）所示般，若經由光阻物^外線圖型曝光6。其 灯水洗，則可除去曝光部的光阻物。^夜予以顯像、並進 般’若經由發光層之溶劑進行洗淨，次’如圖1 (j )所示 出的發光層7。其次如圖j⑴所示般，、奸可除去圖型化所剝 將光阻物剥離。最後如圖1 (1)所示般，ϋ光阻物剝離液 並朝向圖下方放出EL元件9，則可製造^成第二電極層8
Wi! 90123579.ptd 第18頁
555830 五、發明說明（16) (發光層） 其次，說明關於根掳士政 機EL層的發光層。 X明予以圖型化所形成之做λ亡 形成此類發光層之材料，… 行發光者即可，並無特別限定]=^發出螢光之材料且進 j發：機能和空穴輪送機能‘發：：之材料’可兼 層之材料較佳為於上述光阻物溶巧輪，，成，且形成發光 及上述光阻物剝離液中為不溶之ς上述先阻物顯像液、 學平版印刷法予以圖型化時所ΐ之：L將發光 為使用於形成發光層所用之溶劑 斤f之^且*，較佳 本發明可使用之發 ；才料。 j列舉例如下列材料。 土素系材料可列舉甲環戊丙胺衍 Γ :;苯胺衍生“1二唾衍生物… 物一本乙烯基苯衍生物、二1Γ κ甘& 林何生 sii〇^生物、嘆吩環化合物、吼咬環土化入芳物基衍生物' 物、外衍生物、低聚嗓吩衍生物、：°物_、周酮， 哇二聚物…琳二聚物等。 -田馬細何生n 1 物系材料 金屬錯合物系材料可列舉喳啉醇鋁錯合 :::物、苯雄鋅錯合物、苯並嘴唾鋅錯合物：偶氮予 錯7合物、士琳辞錯合物、銷錯合物等、於中心金屬 ;1二η、β4、或Tb、Eu、Dy等稀土金屬，且於配位 土 /、有、二。坐、噻二唾、苯基吡啶、苯基笨並味唑、嗜啉 | .'f, 90123579.ptd 第19頁 五、發明 3構ΐ等之金屬錯合物等 吩衍生物、聚：J: /聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚噻 生物、聚苟衍生物二何生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍 金屬錯合物4:材；予乙：！：=:、上述色素體、 於本發明中，由活用材料等。 印刷法以良好精产：用：光層用塗佈液經由光學平版 使用上述之高八】2成發光層之優點的觀點而言，更佳 …糸材料做為發光材料。 下：ϊ::i:t之發光效率、令發光波長變化之目的 素衍生物、紅！烯：：：材：可列舉例如义衍生物、香豆 物、她生色:酮：生！、祕衍生 ，生物、十環缚、素、並四苯衍生4勿…琳 用溶液 製用之溶液與緩衝層使用•，為了防止發光層 料材料混合和溶解，並且保持發光材 不木之叙先特性，期望不會溶解緩衝層。 =2類觀點而言，發光層塗佈用溶劑對於緩衝層 較佳選擇於25t、^氣壓為。.001(克/克溶劑)以 劑。，谷别，且更佳為選擇〇. 〇〇〇1(克/克溶劑）以下之溶 更且，發光層塗佈用溶劑於塗佈數層發光層之情形中， 第20頁 90l23579.ptd 555830 五、發明說明（18) 方、^二色以後之發光層製膜時，為了防止伞 材料混合和溶解 光阻層與發光 望不會溶解光阻物。 t化之發光層，乃期 由，類觀點而言，發光層塗佈溶劑 溶劑，且更3 C ]氣塵為〇.〇°1(克/克溶劑)以下之 山’热π更仏為選擇〇.0 0 0 1 (克/克溶劑）以下之溶劑。彻 、、羡衝層溶解於水系和DMF、DMS0、醇類等之極性、二 #、 匆為一般的酚醛清漆系光阻物之情形，可使 ， 本^ —甲笨之各異構物及其混合物、三曱基笨、 ^ 二—對〜繳花烴、枯烯、乙基苯、二乙基苯、丁基 本三^苯、二氯苯之各異構物及其混合物等為首之芳香/ 糸洛悧、茴1醚、苯乙醚、丁基苯醚、四氫呋喃、2〜丁矢 酮:、4J二$燒、二乙_、二異丙ϋ、二苯驗、二爷_、 、一-享甲_專為首之_系溶劑、二氯甲烧、1，1 -二氣乙 ^ 1 ’ t 一氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烯、氯仿、四氣化 碳、氣基萘等之氯系溶劑、環己酮等，若為滿足條件之 其他溶劑則亦可使用，且亦可為二種以上之混合溶劑。 (形成數種發光層之情況） 〃方/本發明中，上述發光層為不同種類之發光層經由數回 光學平版印刷法所形成的發光層為佳。經由將發光層作成 不同種類的數層發光層，例如，若選擇紅、綠及藍等，則 可予以全色彩化。 此時，根據以下所示之理由，上述第2回以後所形成之 發光層的發光層形成用溶劑，較佳對於已形成之發光層為
555830 五、發明說明（19) 貧溶劑。尚，於本發明中，所謂「貧溶劑」為指溶解溶質 之能力小的溶劑。 ’、 即’於已形成之發光層（以下，稱為已形成發光層）上， 再將發光層形成用塗料予以塗佈形成發光層時，通常於已 形成發光層上形成光阻層，故發光層形成用塗料不會全面 性接觸已形成發光層。但是，已形成發光層之邊緣部通常 未覆蓋光阻層，故於此部分之發光層形成用塗料為與已形 成發光層接觸。如此接觸時，已形成發光層對於發光層形 成用塗料所含之溶劑為輕易溶解時，於發光層形成用^料 中乃溶入已形成發光層的發光材料，發生混色。本發明 用以解決此類問題點，㈣使用發光層形成用溶劑，相對 於已形成發光層為貧溶劑，則可解決上述問題點。 圖2為示出本發明之虬元件之製造方法之一例。於此例 中士百先如圖2(a)所示般，於基體丨丨上形成經圖型化 一電極層12及緩衝層13。關於此緩衝層詳述於後。 以ΐί二其上將第一發光層形成用塗料使用旋塗法等予 。纟第一發光層形成用塗料至少由發出第-色 將“ J ΐ:劑：和視需要所添加之摻混劑等所構成。 層形成用塗料予以乾燥硬化，則可 ^成第一發光層14(圖2(a))。 丄於此第一發光層14上，將正型光阻 :=:層15(圖2(b))，使得形成第一發光層i4 J ‘ 2(⑼。其後將正型外^17照射圖型（圖 I光部分以光阻物顯像液
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五、發明說明（21) 其次，如圖2 (g) p r 〜 圖2(h)所示般，配：J’全面形成正型光阻層15，並如 分予以遮蔽，並以擎：形成第-及第二發光層之部 像液予以顯像、水、，，進灯曝光。其後經由光阻物δ 正型光阻層，並4去；成第—及第二發光層部分:: 像液除去露出的第二發^⑷刀1其後第二發光層顯 選擇使用相對於第—二二二i 4，第二發光層顯像液為 發光層顯像時，第二2 ^ f為貝溶劑者。其係因為在第二 第一發光層之邊端部曰^^像’夜與第—發光層為於上述 層顯像液使用相對二 为接觸，故經由上述第二發光 色等問題。 、 叙光層為貧溶劑者，則可迴避混 經由此類第二發并层 示般，僅將未殘存“二：第則可如圖2⑴所 去，並且僅殘留-型光阻=覆以：發：層18除 二發光層1 8之顯像工鞋由，介叮=钣之口P刀。尚，於此第 更且，與第一及第二 展、"/用後述之乾式蝕刻法。 層形成用塗料使用輪;“：：：：：地，將第三發光 光層形成用塗料亦與上述第一 =佈。此時之第三發 樣地，具有發光材料和溶劑、及視成用塗料同 又，此時所用之第三發光層形成：：^ ==劑、。、 第技第二發光層18為貧溶劑的溶劑。、上述 如些塗佈弟三發光層形成用塗料時， 般，於最初形成之第一蘇#展! 4夕、息山J如圖2( J )所不 盥淨饰之第- π氺思&先層14之邊J而部a中第一發光層 與，佈之第二餐先層形成用塗料接觸，更且於第二發光層 第24頁 \\326\2d-\90-ll\90123579.ptd 555830 五、發明說明（22) 1 8 ^邊端部b及邊端部C中第二發光層與 形成用塗料接觸。此時亦同樣地， 發光層 溶劑相對於第-發光層14及第：發=形成用 中溶出之二先層18於第三發光層形成用塗料 料乾燥、二:後令第三發光層形成用塗 “中發生= 發先層19時’亦不會於第三發光層 次’Λ第三發光層19上全面形成正型光阻層⑸圖 一、第/及人第一如H2(k) ^不般’配置光罩16將形成第 行曝光以遮蔽，並以紫外線!7進 第三發光：用=顯象液予以顯•、水洗。其後使用 屏爾姑A曰用”、、1像液進订顯像，但此時亦同樣令第-恭冰 18、特別Λ針於夂八上發先層14及第二發光層 發光材料為貧溶劑者。®此，於此第三 發光層18、特別為此歧發 先層14和/或第二 會發生混色等問題。一先材+顯像液中溶出，並且不 圖三=;1象液將第三發光層19顯像，則* 層19除去，並留=阻層未覆被部分之第三發光 苴後，苦以古 其 光阻層15所覆被之部分。 之部分開：液；行剝離處理，則由形成光阻物 第一發光層14(通常為駐^^且t圖2(m)所不般，剝出形成 色）、第三發光声19(Ί 、第二發光層18(通常為綠 尤層19(通常為紅色）之三色發光層。最後如 第25頁 \\326\2d-\90-ll\90123579.ptd 發明說明（23) __ $ 2 (η)般，若於此些發光層上形 造於圖下方放出EL發光21的阢元件 電極層2〇，則可製 於本發明中，所謂貧溶劑，=表八 發光層的發光層形成用溶劑，相割;Ζ弟二回以後所形成之 光層構成材料於2 5 °C、1氣壓中已形成之發光層的發 以下，特別於本發明中，上过 & ~度為〇 · 1克/克溶劑 下為佳。 边心知度為0·05克/克溶劑以 若為此程度之溶解度，則於 成用溶劑中溶解已形成的發井Μ之發光層的發光層形 發光層内即使混入已二:ΐ層構成材料，且於新形成的 I Ί文此八匕形成的發光 極少，故不會發生混色等問題尤s構成材料，亦因其量為 又於本發明中，經過數回光學平π 時，此些複數發光層關於由各形成發光層 長側依序形成為佳。其理由為如所传之光波長由短波 即，通常，螢光性發光材料混合二 能量高裎声夕：料八V $ 巴W上日等，來自激發 動，並且i，、列對於低程度之激發子引起能量的移 LG::;:最低激發狀態的螢光。即，能量高的 時，二异、，古：八和旎量低的長波長發光成分混合存在 A Μ itb 4^叙光成分的發光乃成為主要發光。本發明 為利用此類發光材料之性皙 開始依序形成，則可=出短波長光之發光層 〗了方、先則紐波長發光材料所形成之第一 t ί 成更長波長發光材料所形成的第二發光層。 =1於上34第"'發光層所圖型化之基體上將第二發光層 製膜時，即使來自第一發光層圖型化邊緣部之發光材k 555830 五、發明說明（24) 一部分溶解，並且與第二發光層混合，亦僅令第一發光層 中之發光材料的激發能量為呈現能量移動，並且觀察到來 自第二發光層的發光，使得發光特性之降低為呈最小限 度。 關於此點’再使用上述圖2予以說明。圖2(a)至（e)因為 與上述說明相同，故於此處省略說明。於圖2 ( f )中，將第 二發光層形成用塗料使用旋塗法等予以全面塗佈。此時之 第二發光層形成用塗料為如上述與第一發光層形成用塗料 同樣地，由發光材料及溶劑、及視需要所添加之摻混劑等 所構成，並且選擇第二發光層所使用之發光材料之發光， 為比上述第一發光層所用之發光材料之發光更長波^的發 光材料。 此時，如圖2 ( f )所闡 VI力又 形成用塗料 述，於基體 盖其表面， 露出的狀態 塗料，則第 部a中接觸< 有溶劑，故 料之溶解性 於上述第二 一發光層之 態下，若經 、與第一發 1 1上殘留之 而經：由發光 。因此，於 一發光層1 4 ’此時，第-雖然亦根據 而異，但第 發光層形成 發光材料於 由乾燥固化 光層1 4發生接觸之部分。即，如 第一發光層14為以正型光阻層15^ 層顯像液所顯像之邊端部a為呈设 其上若塗佈上述第二發光層形成用 與第二發光層形成用塗料於4; -發光層形成用塗料因為如上而 此溶劑與第一發光層所 a / 一發光層之發光材料之一〔光材 】塗=容出的可能性。：：ίί 第一务光層形成用塗料 、第 形成第二發光層1 8，則’一之狀 、j昂一發光層
555830 五、發明說明（25) 】8成為含有第一發光層中之發光材料。作曰 因為第一發光層1之發光材料與第二發光；於此例中， 如上述之基準，即，選擇第一發光層之m之發光材料為 光為比第二發光層之發光材料所發出之s ^材料所發出之 即使於第二發光層中混入第一發光層之 j短波長，故 上述理由亦可令第一發光層之發光材材料時，根據 光的可能性變少。 、昂一發光層中發 其後，圖2(g)及圖2(i)為進行與上 與形成第-及第二發光層同樣地，將J 之工程。 料使用⑬塗法等予以全面塗佈。 層形成用塗 塗料亦與上述之第一及第二發 / = ς發光層形成用 有發光材料和溶劑、及視需要所J料同樣地’具 之發光材料乃選擇令此第三發光層所用此時所用 之螢光，比上述第一於来屏:★ 之叙光材料所發出 材料所發出之螢光更^波^。 V第二發光層所用之發光 如此塗佈第三發光 般，於最初所形成夕二/成用主料日可，亦例如圖2( j )所示 層與所塗佈之^二私也一發光層1 4之邊端部a，第一發光 光層形成用塗料接觸：光層與所塗佈之第二發( 光材料及第-恭水旺此日守亦冋樣地，第一發光層中之發 成用塗料中之二、之發光材料為溶解於第三發光層形 料中之可能性：：時並=至第三發光層形成用塗 為選擇比第一發光；由為上迷弟三發光層中之發光材料 久e中之發光材料及第二發光層中之發光
90123579.ptd 第28頁 555830 五、發明說明（26) 材料所發出之螢光更長波長，故根據上述理由， 層之發光材料及第二發光層中之發光材料於第三發^中 發光的可能性少，並且可減低發生混色。 X曰 之月二ί此’將形成發光層之發光材料為以發光 之先波長紐者依序塗佈為佳。具體而言 $先 色彩畫像，發光材料乃使用發出紅^取付全 使用此類發光材料時，此發光材光材料，但 色、綠色、紅色之順序，將含有此 序，即藍 以塗佈、形成為佳。 二么先材科之發光層予 此處，本發明可使用之發出藍 二苯乙烯基苯衍生物、鸡二唑 f先之舍光材料可列舉 ，基口卡口坐衍生物、聚對伸苯基衍聚合物、聚乙 中以高分子材料之聚乙烯基味。坐2承知竹生物等，其 物、聚芴衍生物等為特佳 物、聚對伸苯基衍生 ，發出綠色=於此。 丑素衍生物、及其聚合物、 舉喳吖酮衍生物、香 聚芴衍生物等，其中以高分鉍2苯基伸乙烯基衍生物、 何生物、聚芴衍生物等為佳，；、〃之聚對伸苯基伸乙烯基 更且，發出紅色登光之發非特別限定於此。 噻吩化合物及其聚合物、聚對=可列舉香豆素衍生物， 噻吩衍生物、聚易衍生物等，=基伸乙烯基衍生物、濟 本基伸乙烯基衍生物、聚噻二以高分子材料之聚對小 佳，但並非特別限定於此。订生物、聚芴衍生物等為 \\326\2d-\90-ll\90123579.
Ptd 第29 555830 五、發明說明（27) (其他之有機EL層） 1. 電荷輸送層 亦可列舉電子注入層做 入層包含空穴注入層和/ $、。本t明之有機EL層。此電荷注 11 _ 4 0 11號公報所記载般子/主入層。例如特開平 可，並無特別限定。 右為EL凡件所一般使用者即 尚’構成上述層之發光 送材料可分別單獨使用，:、空穴輸送材料、或電子輪 之層可為一層或數層。 ’、可此合使用。含有相同材料 2. 電極層 於本發明中，電極屑 將基體上先設置之電極層稱：】E—L 用者則無限定， 層後所設置之電極層稱為第二電極層。:此於形成有機EL 極和陰極所構成，且陽極二 二電極層為由陽 明’陽極以易注入空穴且:力=明或半透 又’亦可混合複數之材料。任何電極U =料為佳。 者為佳’且—般為使用金屬材料，並且使用J阻儘可能小 化合物均可。 使用有機物或無機 較佳之陽極材料可列舉例如ίτ〇、 陰極材料可列舉例如•合：、金。較佳之 以外）、金屬,及功函數么二合金⑷U、 尤口p刀，並且防止於 90123579.ptd 第30頁 555830 五 '發明說明（28) 不要部分之發光短路， 亦可。如此處理下，可 且可取得長壽命且安定 如通常所知般，例如 左右膜厚之圖型， 予以圖型化時，期望絕 小之情況，形成1 // m以 得不會被乾式钱刻所損 厚。 ' iJSL元件 其次，說明關於本發 有以下說明的三個實施 造方法進行製造。以下 (第一實施態樣） 預先σ又置絕緣層做為發光八 減低元件短路¥ m 1 +邻刀開口 發光之元件寺所造成之缺陷，並 化性之樹脂材料等形成 t以本务明之乾式蝕刻將 緣層為具有齡彳4 钱EL層 上、例如】5】“生，於而"生 宝為佳，且之膜厚，使 。為l且更佳為形成2〜之膜 件。本發明之盯元件為具 悲樣，其均可根據上述EL元件之制 ，說明各實施態樣。 衣 本發明之EL元件的第一實施態樣為具有至少一声經 化之有機EL層的EL元件，其特徵為不具有間隔壁、辅助 型化之構成物及輔助圖型化之表面處理之任何一者。回 本實施態樣之EL元件儘管具有經圖型化之有機EL層，但 仍然不具有間隔壁、輔助圖型化之構成物及輔助圖^化: 表面處理之任何一者。因此，具有利於費用性之優點。 於本實施態樣中，上述有機EL層較佳以無法經殿積法形 成的高分子材料予以形成。又’上述有機EL層特別以必^ 圖型化之發光層為佳。 ' 關於其他構成，因為同於上述EL元件製造方法中所說明
90123579.ptd 第31頁 555830 五、發明說明（29) 者’故於此處省略說明。 (第二實施態樣）
本發明之EL元件的第二實施態樣 層的EL元件，其特徵為上述有機=少-層有機EL 層，於上述圖型化_ > #θ為！圖型化之發光 U么九層遺知部所形成 之寬度為15/ζηι以下、較佳為1〇一 寺：：均勻區域 下。此處，所謂「膜厚不均句 =為7㈣以 根據如上述EL元件製造方法所得域。 平版印刷法將發光層予以圖型 ：：，經由光學 墨法等所圖型化者，可婉由姓判f 务光層為不同於喷 勻性高且發光戶月、真#、t /條件而自由地控制厚度均 域，即本發明所謂之膜 了调1邊緣£ 竣A吉☆ β处 、子不句勻區域的寬度，且可作成邊 緣為直立形狀，即膜厚不均勻區 :成遺 錐狀，即膜厚不均勾區域之寬度變寬；：；：：’或邊緣為 均ί2面、,ΐ!、經由噴墨法所圖型化之發光層的膜厚不 構成此類圖；：==:7予寬度。因此’難以將 ιμ ^ ^ 风谷色之畫素予以緻密地配置。 此處，圖3為示出本發明EL元 句區域，即邊端部分層中的膜厚不均 化之發光層的膜厚不均勻區域。出/則經由喷墨法所圖型 經由喷墨法所圖型化之發：二邊此些圖所闡明般，先前 ί;2/:本發明件發光層中之膜厚不均勾區域之寬 第32頁 \\326\2d-\90.11\90123579.ptd 555830 五、發明說明（30) 本實施態樣之EL元件，因為發 區域寬度為在上述值以了，丄t邊緣部膜厚不均勻 π脾久蚩^ 可縮小各晝素間的距離，萨 此可將各晝素敏也、配置，具有 一。 错 EL元件之優點。 成可取付冋。口貝晝像之 於本實施態樣中，形成於氺 ^ ^ L7 ^ ^ ΛΑ Jk - X光層之材料較佳為無法以殿積 法予以形成的有機高分子材料。 知 如此取得全色彩書像為苴 ^先層至 > 為二層， 材料等因與上述心=广關於其他構成、 明。 干之衣&方法相同，故於此處省略說 (第三實施態樣） 士發明之EL元件的第三實施
層的EL元件，上诫右嫵PT麻达 Ν ^ ^ ^ 層有機EL μ ^ ^ ^有機虬層為可發光出數色之圖型化的數 續心九層，發光出不同顏色 J数 ⑽以下、較佳為2。=%=1 離為30 的EL元件。 寺侄為1 5 // m以下為其特徵 所ί成ί ΐ ΐ謂發光層間之距離為表示圖型化之各發光芦 所構成之晝素間的距離。 合心尤層 發光層之濕式圖型化中最熟知 分的均勻性低、、u根據膜邊緣部 的濕潤擴展範圍U ΐ L Ϊ不安定、而為了規定油墨 型的形成# Ϊ』 性的斜坡並進行撥墨性圖 40丄ΓΛ4:圖型化發光層間的距離-般通常至少設置為 件的Η创/ 晝素齒距小，例如42㈣齒距以下之元
忏的圖型化並不可能。 ,< 7L 另一方面’本實施態樣之EL元件，為可經由濕式製膜製 555830 五、發明說明（31) 造高分子或低分子發光層的EL元件，因為發光層的圖型化 精確度高，又，圖型化之發光層的邊緣部分為與經由乾把 所形成者不同，並且使用浴解或I虫刻除去不要部分之手 法，故發光層之膜均勻性高，且由圖型化終端例如具有僅 傾斜5 // m左右的區域。因此，於製作全色彩顯示器之情彤 :，可縮小發光部分之各畫素間的距離，如此可令開口^ 變大。又，因為可縮小晝素間的距離，故各畫素可緻密地 S己置。
層與第二實施態樣同樣地，於本實施態樣中亦以形成發光 &之材料較佳為無法以澱積法予以形成的有機高分子材 '成為又，發光層至少為三層，如此取得全色彩晝像為其構 方二佳。尚，關於其他構成、材料因與上述EL元件之製造 相同’故於此處省略說明。 、其他） 示述第一實施態樣、第二實施態樣及第三實施態樣 之φ —件中’至少具有基板、和上述基板上形成圖梨 〜电極声、$ 活 部八 9 和设蓋上述電極層之邊端部分及元件之非發 刀之絕緣層為其構成為佳。 如此將开^ #面 如上 风圖型狀之電極層邊緣部分以絕緣層覆蓋，
二可減低元件短路等所造成之缺陷。 %處，所用 板，目I丨也 之基板若為通常EL元件中所用之玻璃等之 〜無特別限定。 X ’關於雷k 法欄所％、 極層及絕緣層’因為與上述E L元件之製造 明者相同，故於此處省略說明。
第34頁 555830 五、發明說明（32) (具體材料之組合） 如上述利用對於特定溶液之溶解性並且可進行本發明EL 元件圖型化之合適材料的組合例如為下。 緩衝層：聚烷基噻吩衍生物、聚苯胺衍生物 發光層：聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚氟衍生物、聚 乙稀基咔嗤衍生物 光阻物：正型光阻物（酚醛清漆樹脂系） 光阻物溶劑：溶纖劑、溶纖劑醋酸酯 光阻物顯像液：有機鹼顯像液 光阻物剝離液：溶纖劑、溶纖劑酯酸酯、丙酮 發光層形成溶劑：二曱苯、曱苯 另一方面，一般所用之EL元件材料和光阻材料，例如下 列之組合並不適於本發明（但，各個材料與其他材料系之 組合乃成為合適材料）。 緩衝層：聚烧基σ塞吩衍生物、聚苯胺衍生物 發光層：具有下列構造之TPD/AU3、聚乙烯基咔唑+ 口"| 二唑衍生物+螢光色素
TPD ΝΝ
90123579.ptd 第35頁 555830 、發明說明（33) 〇丫〇\
Alq3 光阻物：正型光 光阻物溶劑：溶 光阻物顯像液： 光阻物剝離液： 号X光層形成溶劑 膜） 於本發明中，若 衍生物+螢光色素 二唑衍生物和螢光 TPD/Alq3 ，亦於光 經由光學平版印刷 而為不適當。 尚，本發明並非 例示，與本發明申 上具有相同構成， 發明之技術範圍中 【實施例】 以下示出實施例 阻物（紛酸清漆樹脂系） 纖劑、溶纖劑醋酸酯 有機鹼顯像液 溶纖劑、溶纖劑酯酸酯、丙酮 :二氯乙烷（TPD/AU3之情況為真空成 於發光層中使用聚乙烯基咔唑+㈣二唑 ，則因於光阻物之成膜、剝離時溶出 色素’故為不適當。又，於發光層使用 阻物之成膜、剝離時溶出τρΐ)及Alq3、 法之加熱工程令TPD結晶化等之理由下 =疋於上述實施形態。上述實施形態為 請專利範圍所記載之技術性思想於實質 且達成同樣之作用效果者均被包含於本 ’進一步說明本發明
\\326\2d-\90-ll\90123579.ptd 第36頁 555830 五、發明說明（34) [實施例1 :發光層為單層之情況] (緩衝層之圖型化） 將3忖口、板厚丨· lmm之圖型化1了〇基板洗淨，作為本實 施例中所用之基體及第一電極層。 採集下列化學式（丨）所示之緩衝層塗佈液（聚（3, 4)乙烯 二氧基嗔吩/聚苯乙烯磺酸酯（PEDT/PSS) : Biei公司製 (Baytron P)0.5毫升，並於基體之中心部滴下，進行旋
於2500rpni保持20秒鐘形成緩衝層，並於15〇。(：乾燥5分 鐘。其結果，膜厚為8 0 0 A。 採集正型光阻液（東京應化公司製；OFPR-80 0 ) 2毫升， 並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5〇〇rpm保持1〇秒 鐘，其後，於2 0 0 Or pm保持2 0秒鐘形成緩衝層。其結果，
90123579.ptd 第37頁 555830 五、發明說明（35) 膜厚為約1 /nil。於8(TC進行30分鐘預烘烤。其後，與曝光 光罩共同安裝於定線曝光機，並對欲除去緩衝層之部^進 行紫外線曝光。以光阻物顯像液（東京應化公司製；°刀 NMD-3)顯像2 0秒鐘後並水洗，除去曝光部之光阻《物、及緩 衝層、。於120 t：後烘烤30分鐘後，以丙_將光阻物全部除 去’並於丙酮中形成任意圖型的不溶緩衝層。 (發光層的圖型化） 曰 一於緩衝層為經圖型化之基體上，採集下列化學式（2 )所 不之聚對伸苯基伸乙烯基衍生物發光高分子肫^即^之
Iwt%二甲苯溶液2毫升，並於基體中心部滴下，進行旋 塗〇
—〇 (2) 於20 0〇rpm保持10秒鐘形成發光層，並於8〇它乾燥卜卜 時。其結果，膜厚為8〇〇 A。 、私集正型光阻液（東京應化公司製’· ⑽毫升， ，於，體之中心部滴下，進行旋塗。於5〇〇,保持1〇秒 鈿:、後灰2 〇 〇 0 rpm保持2 0秒鐘形成緩衝層。其結果， 膜厚為約1 // m。於8 Π；隹/ 〇 n u δ U L進仃3 0分鐘預烘烤。其後，與曝光 光^ 1 ^女t於定線曝光機’並對欲除去發光層之部分進 打東外線曝光。以光阻物顯像液（東京應化公司製；
第38頁 555830 五、發明說明（36) NMD-3)顯像20秒鐘後並水洗，除去曝光 。(：後烘烤30分鐘後’以甲苯將除去光阻物=阻物。於90 以除去，以丙酮將光阻物全部除去，二 刀之發光層予 圖型的不溶發光層。 μ 亚於丙綱中形成任意 於90 °C乾燥1小時後，其次於所得之基體上 二電極層（上方電極）之Ca澱積成5 0 0人之厚产，2做為弟 保護層之Ag澱積成2 5 0 0 A之厚度，作成EL元又件’再將做為 所得圖型之解像度雖然依賴正型光阻物的 例為實現先前激積光罩法、喷墨法所不可能的^戶但本 形成1 0 // m之高精細線條。 $ X °可 (EL元件之發光特性的評價） 於I TO電極（第一電極層）側連接陽極、Ag電 層）側連接陰極，並且經由電源計，外加直流電流。一外力極 10V時察見發光，並可評價其並無使用光學平版印刷法= 型化所造成之發光開始電壓之惡化。又，亦未察見發Θ 率之降低。更且，經由將緩衝層予以圖型化，則可4古= 極線間的絕緣性並減少交調失真的發生率。 阿呩 [實施例2 ··發光層為三層之情況] 同實施例1將緩衝層予以圖型化。 於做為第一發光層之緩衝層被圖型化之基體上，採集聚 對伸苯基伸乙烯基衍生物發光高分子MEH-PPV 2lwt%二甲 苯溶液2毫升，並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於 2〇〇Orpm保持10秒鐘形成發光層。其結果，膜厚為8〇〇入。 採集正型光阻液（東京應化公司製；〇FPR-80〇)2毫升， 第39頁 90123579.ptd 555830
並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5〇〇rpm保持ι〇秒 叙，其後，於2 0 0 Orpm保持20秒鐘形成光阻層。其結果， 膜厚為約1 //m。於80 °C進行預烘烤3〇分鐘。其後，與曝 光罩共同安裝於定線曝光機，並對第一色發光部以^ = f去發光層之部分進行紫外線曝光。以光阻物顯像液（東 斤、應化公司製；NMD-3)顯像2〇秒鐘後並水洗，除去曝光 之光阻物。於90 C後烘烤30分鐘後，以曱苯除去已脫 :物部士之發光層，取得第一發光部為經光阻物所保護且 第一、第二發光部之緩衝層為露出的基體。 將做為第二發光層之聚對伸苯基伸乙烯基衍生物發光 分子MEH - PPV之Iwt%二曱苯溶液採集2毫升，於基體之中心 部滴下，進行旋塗。於2〇〇 〇rpm保持1〇秒鐘形成發光層。 其結果，膜厚為8 0 0 A。 曰 採集正型光阻液（東京應化公司製；〇FpR-8〇〇)2毫升， 並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5〇〇rpm保持1〇秒 鐘，其後，於20Q〇rpm保持20秒鐘形成光阻層。其結果， 膜厚為約1 。於80 T：進行預烘烤3〇分鐘。盆後，°與曝光 光罩共同安裝於定線曝光機，並對第一、第二發光部=外 之？去發光層之部分進行紫外線曝光。以光阻物顯像液 (東π應化公司製；NMD-3)顯像20秒鐘後並水洗，除去曝 光部之光阻物。於90 °C後烘烤30分鐘後，以曱苯除去已+脫 ^光阻物部分之發光層，取得第一及第二發光部為經光阻 物所保護且第三發光部之緩衝層為露出的基體。 將做為第三發光層之聚對伸苯基伸乙烯基衍生物發光高
555830 五、發明說明（38) 分子MEH-PPV之Iwt%二曱苯溶液採集2毫升，於基體之中心 部滴下，進行旋塗。於2 0 0 〇rpin保持10秒鐘形成發光層。 其結果，膜厚為800A。 採集正型光阻液（東京應化公司製；〇FPR —8〇〇)2毫升， 並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5 〇 〇rpm保持1 〇秒 鐘，其後，於2 0 0 Or pm保持20秒鐘形成光阻層。其結果， 膜厚為約1 //m。於8 Ot進行預烘烤30分鐘。其後，與曝 光罩共同女I於疋線曝光機，並對第一至第三發光部二外 之欲>除去發光層之部分進行紫外線曝光。以光^物顯像卜 (東京應化公司製；NMD-3)顯像20秒鐘後並水洗，除去曝 光部之光阻物。於90 r後烘烤30分鐘後，以曱苯除去已* ^光阻物部分之發光層，取得第一至第三發光 物所保護之基體。 巧尤Ra 於9 0 °C乾燥1小時後，其次於所得之基體上，將做 二電極層（上方電極）之Ca澱積成5〇〇 A之厚度， 保護層之Ag澱積成25 00 A之厚度，作成EL元件。 為 二圖型2解像度雖然依賴正型光阻物的解像力 貝現先丽澱積光罩法、噴墨法所不可能的解像度 化成1 0 // m之高精細線條。 τ
(EL元件之發光特性的評價） I 声極（第一電極層）側連接陽極、“電極（第二電朽 曰）側連接陰極，並且經由電源計，外加 極 益使用光與平版察見發光’並可評價其並 用先于千版印刷法圖型化所造成之發光開始電屋之惡 \\326\2d-\90-]]\90]23579. ptd 第41頁
555830 五、發明說明（39) 化。又，亦未察見發光效率之降4 父目周失真 予以圖型化，則可提高陽極線間的二更且’經由將緩衝芦 的發生率。 、力緣性並減少 曰 [實施例3 :溶劑之變更] 除了於發光層使用下述化學式（3 唑、於發光層溶劑使用曱苯以外，所示之聚乙烯基咔 件。 同貫施例1製作E L分 *-( CH2-CH )ίΓ- 兀 Ν、 ⑶ 所得圖型之解像度雖然依賴 例為實現先前澱積光罩法、噴黑^阻物的解像力，但本 形成1 0 # m之高精細線條。、土 /斤不可能的解像度。可 (EL元件之發光特性的評價） 於ITO t極（第-電極層）側連接陽極、心電 層）側連接陰極，並且錄士 # 弟一電極 1 5 V時察見發光，並可坪宜’甘、:蚀二=直流電流°外加 型化所造成之發光開始？/之並 率之降低。更且，經由將；:亦未察見發光效 極螝的頌# ht ¥ Λ由將衝層予以圖型化，則可提高陽 「才線間的、，“性並減少交調失真的發生率。 [實施例4 :經由乾式餘刻予以圖型化] (緩衝層之製膜） _
Mil 第42頁 90123579.ptd 555830 五、發明說明（40) 將3对口、板厚丨.imm之圖型化17()基板洗淨，作為 施例中所用之基體及第一電極層。採集緩衝層塗佈液貫 (Biel公司製；Baytr〇n p(上述化學式（1)所示 升，並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於25〇〇r_ = 20秒鐘形成層。其結果，膜厚為80 0 A。 ’、持 (發光層之圖型化） 於緩衝層被圖型化之基體上，採集聚對伸 ^ 衍生物發光高分子MEH-PPVilwt%二甲苯溶液2二乙烯基 基體之中心部滴下，進行旋塗。於2〇〇 ^ ’並於 成層。其結果，膜厚為8 0 0 A。 ⑽保持1〇秒鐘形 採集正型光阻液（東京應化公司製；〇 並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5〇〇r =升’ 鐘，其後，於20 00rpm保持20秒鐘形成層。其^士保持10秒 為約1 。於80 t：進行預烘烤3〇分鐘。其後、，、D ’膜厚 ^同女裝於定線曝光機，並對欲除去發光層之二〔光光罩 卜=曝光。以光阻物顯像液(東京應化公司曰。：進行紫 仏20秒鐘後並水洗，除去曝光部之光阻物。、，NMD~3)顯 於12(TC後烘烤30分鐘後，以15〇毫托 =率進行20分鐘氧等離子體處理。光阻 且以150W<
發光層厚5 立以μ ，从y贫八 勿因為比緩衝展R 緩衝；ί上：令光阻物未保護部分之發光/ h層被剝離，並且剝出ΙΤ0電極。取^先層和 光阻物所保護之基體。 务光部為經 t 2所仔之基體上將緩衝層塗佈液旋塗，取π» η η 將做為第二發光層之聚對伸苯基伸乙歸之基^ 第43頁 90l23579.ptd 555830
五、發明說明（41) 生物發光高分子MEH-PPV之lwt%二曱苯溶液採集2毫升，並 於基體之中心部滴下，進行旋塗。於2 0 0 0 r pm保持1 〇秒鐘 形成層。其結果，膜厚為8 〇 〇 A。 採集正型光阻液（東京應化公司製；0FPR-80 0 ) 2毫升， 並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5 0 0 r p m保持1 〇秒 鐘，其後，於2 0 0 0rpm保持20秒鐘形成層。其結果，膜厚 為約1 /zm。於8 0 °C進行預烘烤30分鐘。其後，與曝光光罩 共同安裝於定線曝光機，並對第一色及第二色發光部以外 之欲除去發光層之部分進行紫外線曝光。以光阻物顯像液 (東京應化公司製；NMD-3)顯像20秒鐘後並水洗，除去曝 光部之光阻物。 μ “ 於120 t後烘烤30分鐘後，以15〇毫托之壓力且以“㈣之 功率進行2 0分鐘氧等離子體處理。光阻物因為比緩衝層及 發光層厚5倍以上，故僅令光阻物未保護部分之發光層曰和 緩衝層被剝離，並且剝出ITO電極。取得第一及第二發光 部為經光阻物所保護之基體。 x ^所得之基體上將緩衝層塗佈液旋塗，取得8〇〇A之緩 ，將做為第三發光層之聚對伸苯基 =:光:分子腦-PPV以wt%二甲苯溶液採#2毫升 之：心部滴下，進行旋塗。於2_r 形成層。其結果，膜厚為8 0 〇 A。 Ϊ ί ί ^ ί^ 51 t ； 〇Ρ^-8〇〇)2 ^ ^ ^ 鐘：2 ^ ^ ° W ，進仃旋塗。於500rpm保持1 0秒 ，'後 Ρ1Ώ保持2G秒鐘形成層。其結果，膜厚 響
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第44頁 W326\2d>\9〇-n\9〇i23579.ptd 555830
為約1 //m。於8 0 °C進行預烘烤30分鐘。其後，與曝、，、， 共同安裝於定線曝光機，並對第一色至第三色發^ =光罩 之欲除去發光層之部分進行紫外線曝光。 二°以外 ^ . 兀阻物辱i德、、右 〔東京應化公司製；NMD-3)顯像20秒鐘後並水哚，^ 1豕/夜 光部之光阻物。 *去曝 於12 0 °C後烘烤30分鐘後，以150毫托之壓力且、 功率進行20分鐘氧等離子體處理。光阻物n50W< 發光層厚5倍以上，故僅令光阻物未保護部分、之^衝層及 緩衝層被剝離。取得第一至第三發光部為經^>層和 之基體。其後，以丙酮除去全部的光阻物、。先卩物所保謨 於1 〇 0 C乾燥1小時後，其次，於所得之其辦 第二電極層（上方電極）之Ca澱積成5〇 〇 A之土广’將做為 為保護層之Ag澱積成2 5 0 0 Λ之厚度，製作Ρτ予-又，再將做 (EL元件之發光特性的評價） 、 凡件。
於ΙΤΟ電極側連接正極、Ag電極側連接 電源計，外加直流電流。外加i 〇v時於第二：铱並且經由 分別察見發光。 主弟二發光部 [貫施例5 ··大氣等離子體之使用]
除了使用大氣壓等離子體代替氧等離 實施例4進行元件製作。與實施例4同樣可以外 一至第二發光部分別察見發光。 /成圖型， [貫施例6 :超音波浴之使用] (緩衝層之製膜） 將6忖口 板厚1. lmni之圖型化17〇基板洗淨 作為基體
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五、發明說明（43) 述‘集」緩衝層？佈液(Biel公司製；Baytr〇n ' ρ Ί 所示））0.5毫升，並於基體之中心部滴 :厚ί二旋/。。於25〇〇rpm保持20秒鐘形成層。其結果， 私集正型光阻液（東京應化公司製，· 〇fpr_8〇〇)2毫 並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5〇〇rpm保持1〇秒 鐘，其後，於20〇〇rpm保持2〇秒鐘形成層。其結果，膜 為約。，t：進分鐘預烘烤。其後，與曝光光罩 共同女裝於疋線曝光機，並對欲除去緩衝層之部分進 外線曝光。以光阻物顯像液（東京應化公司製；nmd_㈧顯、 像20秒鐘後並水洗，除去曝光部之光阻物。於i2(rc後烘 烤30分鐘後’以丙酌將光阻物完全除去，並於丙酮中妒成 任意圖型的不溶緩衝層。 ^ (發光層之製膜） 徠集聚 對伸苯基伸乙烯基衍生物發光高分子MEH-Ppv之丨^%二甲 苯溶液2宅升’並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於 20 0 0rpm保持10秒鐘形成發光層。其結果，膜厚為8〇〇入 於做為第一發光層之緩衝層被圖型化之基體上
採集正型光阻液（東京應化公司製；〇FPR — 8〇〇)2毫升， 並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5 0 0rpm保持1〇秒 鐘，其後，於2 0 0 0rpm保持20秒鐘形成光阻層。其結果， 膜厚為約1 μ m。於8 0 °C進行預烘烤3 〇分鐘。其後，與曝光 光罩共同安裝於定線曝光機’並對第一色發&部以^欲 除去發光層之部分進行紫外線曝光。以光阻物顯像液（東
\\326\2d-\90-H\90123579.ptd
555830 五、發明說明（44) 司製；__3)顯像2。秒鐘後並水洗，除去 苯 方、1 2 〇 ^後烘烤3 0分鐘後，於超音波浴中以 :除去已脫除光阻物部分之發甲 光阻物所保護之基體。 仟弟知光°卩為經 八：二\第二發光層之聚對伸苯基伸乙烯基衍生物發光-之1…二甲苯溶液採集2毫升，於基體 果：厚=塗。於_rPm保持1 〇秒鐘形成層。其、： 楚:為 以丙酮剝離光阻物，則可將圖型化之 形成之光阻物、與第二發光層予以制 ▽圖盂化之弟一發光層露出。 ” ί Ϊ正型光阻液（東京應化公司製；0FPR-80 0 ) 2毫升， 二、:體之中心部滴下，進行旋塗。於50 Orpin保持1〇秒 =尸^後，於20〇〇rpm保持2〇秒鐘形成光阻層。其結果， 約！ _。於80。〇進行預烘烤3〇分鐘。其後，盘 :卜：安裝於定線曝光機，並對第-色和第二色發光部 像液cVt除去發光層之部分進行紫外線曝光。以光阻物顯 俱 厅、應化公司製；NMD —3)顯像2〇秒鐘後並水洗， ΐίΓ;”：物。於120t後供烤30分鐘後，於超音波 隻一曱本除去已脱除光阻物部分之發光層，取得第一及 弟一發光部為經光阻物所保護之基體。 八：：為第三發光層之聚對伸苯基伸乙烯基衍生物發光汽 ；Γτ m 里/ ，進仃鉍塗。於2 0 0 〇rpm保持10秒鐘形成層。其結 膜厚為8 Q G A。以丙_剝離光阻物，％可將圖型化之 555830
第一及第二發光層上方所形成之光阻物、與第三發光層予 以剝離，令圖型化之第一及第二發光層露出。 曰 採集正型光阻液（東京應化公司製；OFPR-80 0 ) 2毫升，
並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5 0 0rpm保持ι0秒 鐘，其後，於2 0 0 Qrpm保持20秒鐘形成光阻層。其結果， 膜厚為約1 // m。於80 °C進行預烘烤30分鐘。其後，與曝光 光罩共同安裝於定線曝光機，並對第一至第三發光部以外 之欲除去發光層之部分進行紫外線曝光。以光阻物顯像液 (東京應化公司製；NMD-3)顯像20秒鐘後並水洗，除去曝 光部之光阻物。於1 2 〇 °C後烘烤3 0分鐘後，於超音波浴中 以甲苯除去已脫除光阻物部分之發光層，取得第一至第三 ，光部為經光阻物所保護之基體。其後，以丙酮將光阻^ 完全除去，令圖型化之發光層露出。 々於10 0 °C乾燥1小時後，其次，於所得之基體上，將做為 第二電極層（上方電極）之。澱積成5〇〇人之厚度，再將做 為保護層之Ag澱積成2 5 0 0 A之厚度，製作EL元件。 (EL元件之發光特性的評價） 。於ITO電極側連接正極、人§電極側連接負極，並且經由
電源計，外加直流電流。外加丨〇v時於第一至第三發光部 分別察見發光。 [實施例7 :絕緣層之形成] ΐ3_忖<口、板厚1 ·1 mm之圖型化1 T〇基板洗淨，作成基體 及第-電極層。此時ΙΤ〇圖型為線寬84_且間隔為16 。上述間隔部分與1T0之邊端部（各5#m)，以26/zm寬
\\326\2d-\90-ll\90123579.ptd 第48頁 555830 五、發明說明（46) 度，以絕緣性之UV硬化型抵+, 形成 ^ n^· ^ r 、于月曰所構成之負型光阻物^ 之膜厚5 // in的絕緣層。苴仙 刃所 件。 /、他，同實施例4處理形成El元 於形成第一 缺相，可發揮做為絕緣層的機能， 〜第三鉢二啄a 別察見發光。因此，可知即使 t γ '光部i 4之情況形成圖型。 卩使形成絕緣層，亦可同實施令 [實施例8 :發光層之溶劑] (發光層之製膜）
^忖口、板厚1.1_之圖型化IT〇基板洗淨，作為基體 及弟=電極層。採集緩衝層塗佈液（Biel公司製；Baytro】 (上述化學式（1 )所示））0 · 5毫升，並於基體之中心部滴 下，進行旋塗。於2 5 0 〇rpm保持2〇秒鐘形成層。其結 膜厚為8 0 0 A。 採集正型光阻液（東京應化公司製；〇FpR_8〇〇)2毫升，
並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5〇〇rpm保持1〇秒 鐘，其後，於2 0 0 〇rpm保持20秒鐘形成層。其結果，膜厚 為約1 /zm。於8 0 t：進行預烘烤30分鐘。其後，與曝光光罩 共同女I於疋線曝光機，並對欲除去緩衝層之部分進行紫 外線曝光。以光阻物顯像液（東京應化公司製；—3)顯 像2 (3秒鐘後並水洗，除去曝光部之光阻物及緩衝層。於 1 2 0 °C後烘烤3 0分鐘後，以丙酮將光阻物完全除去，並於 丙酮中形成任意圖型的不溶緩衝層。 (發光層之製膜）
\\326\2d-\90-ll\90123579.pid 第49頁 555830 五、發明說明（47) 於做為第一發光層之緩衝層被圖型化之基體上，採集聚 乙烯基叶唾（上述化學式（3)所示）之2wt%曱苯溶液2毫升， 並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於2〇〇〇rpm保持1〇秒 鐘形成層。其結果，膜厚為8 〇 〇 A。 採集正型光阻液（東京應化公司製；OFPR-80 0 ) 2毫升，
並於基體之中心部滴下，進行旋塗。於5 〇 〇 r pm保持丨〇秒 名里’其後’於2 0 Q Q r p m保持2 0秒鐘形成層。其結果，膜厚 為約1 //m。於80。(：進行預烘烤30分鐘。其後，與曝光光罩 共同安裝於定線曝光機，並對第一色發光部以外之欲除去 發光層之部分進行紫外線曝光。以光阻物顯像液（東京應 化么司衣，N M D - 3 )顯像2 0秒鐘後並水洗，除去曝光部之光 阻物。於12 0 °C後烘烤30分鐘後，於超音波浴中以甲苯（第 一發光層顯像液）除去已脫除光阻物部分之發光層，取得 第一發光部為經光阻物所保護之基體。 將做為第二發光層之聚對伸苯基伸乙烯基衍生物發光高 分子MEH-PPV(上述化學式（2)所示）之lwt%二曱苯溶液採集 2毫升，於基體之中心部滴下，進行旋塗。於2〇〇〇rpm保持 1 0秒鐘形成層。其結果，膜厚為8 0 0 A。 採集正型光阻液（東京應化公司製；OFPR-80 0 ) 2毫升， 並於基體之中心部滴下’進行旋塗。於5 〇 〇 r p m保持1 Q秒 鐘，其後，於2 0 0 0rpm保持20秒鐘形成光阻層。其結果， 膜厚為約1 # m。於8 0 °C進行預烘烤3 0分鐘。其後，與曝光 光罩共同安裝於定線曝光機，並對第一發光層和第二發光 層之發光部以外之欲除去發光層之部分進行紫外線曝光。
\\326\2d-\90-ll\90123579.ptd 第50頁 555830 五 發明說明（48) 以光阻物顯像液（東京應化公司製，· NMD_3)顯像2〇秒鐘後 亚水洗，除去曝光部之光阻物。於][2〇 t後烘烤3〇分鐘 後’於超音波浴中以甲苯（第二發光層顯像液）除去已脫除 光阻物部分之發光層，取得第一及第二發光層為經光阻物 所保護之基體。 其後，以丙酮將光阻物完全除去，令圖型化之發光層露 出。 θ 々於1 0 0 °C乾燥1小時後，其次，於所得之基體上，將做為 第二電極層（上方電極）之Ca澱積成5 0 0 A之厚度，再將做 為保護層之Ag澱積成2500A之厚度，製作EL元件。 此處，第二發光層之發光層形成用溶劑及發光層顯像液 二甲苯相對於第一發光層於25 ti氣壓之溶解度為〇 〇ι 克/克溶劑，又，相對於第二發光層於25 ti氣壓 度為0 · 1克/克溶劑。 / (E L元件之發光特性的評價） 於ITO電極側連接正極、Ag電極側連接負極，並且經由 電源計，外加直流電流。外加lov時察見來 之發光，且於外加m時察見來自第先= 未產生混色。 匕I心知尤，並 [比較例1 ] 除了:MEH:PPV做為第一發光層、聚乙稀基叶哇做為第 一發光層：外’同實施例進行元件 發光層之塗佈時及第二發光# °果於第一 PI , ^ .么、+ 〜尤層之样頁像時流出第一發光S ， 引起此色，…法取得良好的圖型。 曰 第51頁 \\326\2d-\90-11\90123579.ptd 555830 五、發明說明（49) #此時第^發光層之發光層形成用溶劑及發光層顯像液甲 ，相對於第一發光層於25 °C、1氣壓之溶解度為0· 1克/克 〉谷劑’又’相對於第二發光層於2 5 °C、1氣壓之溶解产爲 〇 · 1克/克溶劑。 X ”' [實施例9 :發光層之發光波長] (緩衝層之製膜） 將6忖口、板厚丨· lmm之圖型化17〇基板洗淨 及第-電極層。採集緩衝層塗Bie =體 =上述化學式⑴所示))0.5毫升，並於基體之 :厚=\塗。於25°一持2°秒鐘形成層。其… 並ίϊΐΓί阻液(東京應化公司製；〇FP"〇°)2毫升， 鐘，、^ 部滴下’進行旋塗。於500rpm保持10秒 膜=，於2_聊保持2G秒鐘形成光阻層。其 光：：二^於80t進行3〇分鐘預烘烤。其後 ”：同*裝於定線曝光·，並對欲，去緩衝声之；2 二，夕線曝光。以光阻物顯像液（東京應化公曰。刀進 J : = t後烘_分鐘後，以丙„ 去並於丙酮中形成任意圖型之不溶緩衝声。 示 (發光層之製膜） 曰 於做為第一發光層之緩衝層被圖型化之 色發光材料之聚乙烯基咔唑（上土版上，採集藍 甲苯溶液…，並於基體之中= Ϊ(3)進 == 90123579.ptd 第52頁 555830 五、發明說明（50) — -- 2〇〇yPm保持10秒鐘形成發光層。其結果，膜厚為8〇〇入。 、，採集正型光阻液（東京應化公司製；OFPR-80 0 ) 2毫升， 並於基虹之中心部滴下，進行旋塗。於5 〇 〇 r 保持1 〇秒 鐘，其後，於20〇〇rpm保持20秒鐘形成層。其結果，膜厚 為約。於80 t：進行預烘烤3〇分鐘。其後，與曝光光罩 =同安裝於定線曝光機，並對第一發光層之發光部以外之 奴除去發光層之部分進行紫外線曝光。以光阻物顯像液 (東京應化公司製；NMD-3)顯像2〇秒鐘後並水洗，除去曝 光部=光阻物。於：[20 t後烘烤3()分鐘後，於超音波浴中 =甲苯除去已脫除光阻物部分之發光層，取得第一發 為經光阻物所保護之基體。 曰 、將做為第二發光層之聚對伸笨基伸乙烯基衍生物發光 上述化學式⑴所示）之^%甲苯溶液採集2。 二户方:基盔之中心部滴下，進行旋塗。於2〇〇〇rpm保持 1〇秒鐘形成發光層。I结果，膜厚為8()(^。以 ^ 物、與"光層予弟：發光層上方所形成之光阻 出。乐-“層予以剝離，令圖型化之第-發光層露 、=集正型光阻液（東京應化公司製；〇FpR_8〇 亚於基體之中心部滴下，進行旌泠 开 於 * μ 丁 $疋皇。於5⑽rpm保持ι〇秒 =’其後，於2_rPm保持2〇秒鐘形成層。其社果， $約1 //Π1。於80 C進行預烘烤3〇分鐘。其後， 光予 t同安裝於定線曝光機，並對第-發光層ί第。光 發光部以外之欲除去發光声之却 务光層之 尤層之部分進行紫外線曝光。以光
\\326\2d-\90-H\90i23579.pid 第53頁 555830 五、發明說明（51) 阻物顯像液（東京應化公司製；NMD —3)顯像2〇秒鐘後並水 洗，除去曝光部之光阻物。於12〇t後烘烤3〇分鐘後，於 ，音波=中以曱苯除去已脫除光阻物部分之發光層，取得 第一及第二發光層為經光阻物所保護之基體。 其後，以丙酮將光阻物完全除去，令圖型化之發光層露 出。 ，〇〇 〇C乾燥1小時後，其次，於所得之基體上，將做為 第一電極層（上方包極）之Ca^積成5〇〇a之厚度，再將做 為保護層之Ag澱積成25〇〇 A之厚度，製作EL元件。 (EL元件之發光特性的評價） + 於I TO電極侧連接正極、Ag，電極側連接負極，並且經由 =，外加直流電流。外加2〇v時，由第一發光層察見 來自4乙細基^坐之以430nm附近為波峰波長的發光，且 於外加10V%，由第二發光層察見來自meh —ppv之以⑽ 附近為波峰的發光。 然推測第二發光層中’來自第一發光層邊端部 二二Λ 部分流出，並與第二發光層發光部之 二二但並未察見來自聚乙稀基味哇的發光。 L比較例2 ] 第除工：1ΕΗ~ΡΓ做為第一發光層、以聚乙烯基咔唑做為 第一赉光層以外，同實施例進行元件製作。 =0電極側連接正極、Ag電極側連接負極，並且經由 來/自ΜδΕΗ’ P夕直1(1流。外加1〇V時，由第一發光層察見 末自MEH-PPV之以5 9 0韻附近為波缘波長的發光，且於外加 555830 五、發明說明（52) 1 0V時，由第二發光層察見來自聚7| , 來乙烯基咔唑及MEH-PPV之 於430nm及5 9 0nm附近具有二個波峰的發光。 < 於第二發光層塗佈時，於圖型： 1匕終了立即由第一發氺JS 之邊端部流出MEH-PPV，並且成兔—斤 ^ m , t ^ 又馬在第二發光層之發光部 引起與聚乙烯基咔唑混色之原因。 [發明之效果] 若根據本發明，令EL元件内夕, α 與平版㈣卞不 至少一層有機EL層經由光 學千版印刷法予以圖型化而取得， 殺積予以圖型化法相比較，％因氣故右與先則所進订之以 直允执借蓉，将π ⑴因為不需要具備定線機構的 真工叹備寻，故可較容易且廉價地 唷墨予以圖型化法相比較，丨 衣t 另方面右與 槿乎铷4 A4 相 1 則因不需要對於輔助圖型化之 構造物和基體進行兪#拽笪 ^ 〜 吐出精破声m 言為佳，更且由噴墨磁頭之 f古4生細冈剂々 則本發明之製造方法可稱為對於 更同和細圖型之形成上，為 鉻昍々-从 风 局更佳之方法。因此，若根據本 二的EL元Ϊ。之製造方法’則可較容易且廉價地取得高精 物又且；：；ίΓ月’則可提供於發光層内不會混入不純 且七九效革和光之抽出效率 簡略化、量產化和妒成古 亚可只 、 調失直H tin t圯成回色釤且均勻發光之圖型、減低交 门天具王口P之EL TL件的製造方 更具體而言，例4ώ八 及^凡件0 皁純矩陣型元件护舌Λ 士 AA ^ 曰 A > … 45動中的交調失真。又，縱W ，玉丨 純矩陣型亓杜J:t令緩衝層予以圖裂化’則可減低 由令塗佈所製 I、 九層予以圖型化，則可同時進行激光除
去、和通常所進行炊 J J丨J J 丁之以擦拭將不溶物除去，ϋ且可令工程
555830 五、發明說明（53) 簡略化。更且，不需要使用間隔壁、具有輔助圖型化撥墨 性之構成物及具有輔助圖型化撥墨性之表面處理任一者方 面均可令工程簡略化。又，本發明於以任意圖型發光之EL 元件或全色彩發光之EL元件任一者、及再使用柔軟性基體 之EL元件中，均於控制發光色、及圖型化方面均為優良。 【元件編號之說明】 卜 11 基 體 3、 13 緩 衝 層 4、 15 正 型 光 阻 層 7 發 光 層 14 第 一 發 光 層 18 第 二 發 光 層 19 第 三 發 光 層
90123579.ptd 第56頁 555830 圖式簡單說明 圖1(a)〜（1)為示出本發明EL元件之製造方法之一例，為 示出進行緩衝層之圖型化、製造單色EL元件之順序的工程 圖。 圖2 ( a)〜（η )為示出本發明EL元件之製造方法之其他例， 為示出進行三色發光層之圖型化、製造全色彩顯示之EL元 件之順序的工程圖。 圖3為示出將本發明EL元件中之發光層邊緣部分之截面 放大的放大截面圖。 圖4為示出將先前噴墨法所形成之發光層邊緣部分之截 面放大的放大截面圖。
90123579.ptd 第57頁

Claims (1)

  1. 種電場發光元件之製造方法，：μ： M w 發光元件之至少—11 a t ie ^ f a其特徵為令構成電場 4# 1 5 --- 法予以圖型化 ’發光層，使用光學平版印刷 2 ·如申請專利範圍第1項之雷 其中，㈣闲决風：Γ / 發先7^件之製造方法， 層為發光層。 予以圖型化之有機電場發光 3 ·如申請專利範圍第2項之雷尸名乂止-止 其中，兮π也® Γ 貝 < 電％發先兀件之製造方法， 物剝離液中為不溶，且，光阻顯像液、及光阻 溶劑中為不溶。 尤阻物為於形成該發光層所用之 4 ·如申請專利範圍第2項 其中，該發光層為令不同種類電之牛之製造方法， 印刷法所形成的發光層。、之务先層經過數回光學平版 I5中=請專利範圍第4項之電場發光元件之製造方法， 劑，相對於已“：ί Ϊ 發光層的發光層形成用溶 :目：於已形成之發光層為呈貧溶劑。 苴中，,I^ 項之電場發光元件之製造方法， ;之二方:f形成之發光層’第二回以後所形成之發光 Ο !成用溶劑的溶解度於、1氣壓中，為 ϋ· 0001〜〇· 1克/克溶劑。 η Λ如，請專利範圍第4項之電場發光元件之製造方法， ;所π °亥ΐ f數回所形成之發光層的形成順序為由該發光 光；長為由短波長者開始依序形成。 8.如申請專利範圍第7項之電場發光元件之製造方法，
    丨555830 Λ 修正 曰 -i^J〇123579 六、申請專利範圍 其中該發光層發光出έ工、 9·如申請專利範圍第及監产的三種發光層。 其中該使用亦與 員之電3麥發光元件之梦造方、表 w r a便用先學平版印 卞又衣仏方法， 為緩衝層。 予^圖型化之有機電場發光層 ίο.如申請專利範圍第9 其中該緩衝層為於 、，豕务先凡件之製造方法， 且，光阻物為於ί及光阻物剝離液中為不溶， 1 !·如申請專利範圍第二曰所 '之溶劑中為不溶。 法，jl a八止 弟 員之電場發光元件之势造方 泛具為令先阻物溶 卞 < 衣Xe方 用之溶劑中不溶之緩衝声， 」y液〕及形成發光層所 不溶之光阻物予以@：’於形成緩衝層所用溶劑中 圖t化开^成後，冷"决日仏ν*·> +1 顯像液、及光阻舲4丨胁、々山 7光阻物洛劑、光阻物 阻物剝離液中不溶之發光声，祜田# / 光層所用溶劑中不、、六々止加仏t 九盾使用於形成發 12如申合之先阻物予以圖型化形成。 • 甲明專利乾圍第1至11項中任一項 之製造方法，1申兮祜田止風T/ 員之電％發光元件 由在圖型化之^^ Π印刷法之圖型化，為經 ...,ye τ 有機電场發光層上將光阻物塗佈、氓氺翻 像使得光阻物予以R荆π % ,, m ^ 曝先、顯 部分之有機使用乾式姓刻將除去光阻物 有棧電％發光層除去予以圖型化。 法13.ΛΆ專Λ範圍第12項之電場發光元件之製造方 八中β軋式蝕刻為反應性離子蝕刻。 、、1 4·如申請專利範圍第〗2項之電場發光元件之製造方 法，其為於該乾式蝕刻中，使用氧單體或含氧氣體。 、1 5·如申請專利範圍第〗2項之電場發光元件之製造方 法，其為於該乾式蝕刻中，使用大氣壓等離子體' c:\專利案件總檔案侧則23579聰加％替換ptc第59頁 555830 修正 羞號 90123579 六、申請專利範圍 16.如申請專利範圍第丨至丨丨項中任一 之製造方法，其中，該光學平版印刷法之型η兀件 在圖型化之有機電場發光層上將光阻二、=、’為經由 使得光阻物予以圖型化後，於超$ ^光、顯像 分之有機電場發光層除去予以圖型去光阻物部 1 7 · —種電場發光元件，其特徵 化有機電場發光層之電場發光元件、，不具有^間層^里、圖型 圖型化之構成物及辅助圖型化之表面處ς之：：：：甫助 一種電場發光元件，其特徵為具有至少一層 之電場發光元件’胃有機電場發光層為經圖型化 度光層邊端部所形成之膜厚 上一/\場發光元件，其特徵為具有至少-層有機電 =先層之電場發光元件，該有機電場發光層為可發出複 ^顏色之經圖型化的複數發光層，發光出鄰近不同顏色之 务光層間之距離為1 〇〜3 〇 # m。 20.如申請專利範圍第17至19項中任一 件，其為至少具有基板、於該基板上形成圖型狀之電^ 層、和覆蓋該電極層邊緣部分及元件非發光部分所形成的 絕緣層。
    c:\ 專利案件總檔案\90\90123579\90]23579(替換)-l.ptc 第60頁
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490997B (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element
KR100508699B1 (ko) * 2001-08-09 2005-08-17 학교법인 한양학원 Ａｆｍ 리소그래피용 아조 화합물 레지스트
JP2003127169A (ja) * 2001-10-22 2003-05-08 Seiko Precision Inc Ｅｌインサート成形品の製造方法
SG143063A1 (en) 2002-01-24 2008-06-27 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP3910864B2 (ja) * 2002-03-04 2007-04-25 ローム株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
EP1343206B1 (en) 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
CN100440579C (zh) * 2002-04-10 2008-12-03 大日本印刷株式会社 电致发光元件的制造方法
JP2003317949A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4217868B2 (ja) * 2002-05-07 2009-02-04 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法
JP4544811B2 (ja) * 2002-05-09 2010-09-15 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
GB0224121D0 (en) * 2002-10-16 2002-11-27 Microemissive Displays Ltd Method of patterning a functional material on to a substrate
EP1566987B1 (en) 2002-11-27 2011-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for fabricating electroluminescent element
JP2004212933A (ja) * 2002-12-31 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びアレイ基板の製造方法
JP2004273438A (ja) * 2003-02-17 2004-09-30 Pioneer Electronic Corp エッチング用マスク
NL1023125C2 (nl) * 2003-04-08 2004-10-13 Tno Methode voor het bewerkstelligen van een gestructureerde polymere halfgeleider, en een lichtemitterende diode, transistor, fotodiode of sensor omvattende een gestructureerde polymere halfgeleider zoals verkregen met de methode.
US7002292B2 (en) * 2003-07-22 2006-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US6953705B2 (en) * 2003-07-22 2005-10-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for removing an organic layer during fabrication of an organic electronic device
JP4743577B2 (ja) * 2004-01-09 2011-08-10 大日本印刷株式会社 発光素子およびその製造方法
JP4451193B2 (ja) * 2004-04-12 2010-04-14 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
JP2006318876A (ja) * 2004-06-29 2006-11-24 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法及びエレクトロルミネッセント素子
JP2006032623A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Sharp Corp 半導体レーザ素子の製造方法
JP4485277B2 (ja) * 2004-07-28 2010-06-16 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
EP1807733A2 (en) * 2004-09-24 2007-07-18 Showa Denko K.K. Patterning and film-forming process, electroluminescence device and manufacturing process therefor, and electroluminescence display apparatus
US8350238B2 (en) * 2004-12-30 2013-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Device patterning using irradiation
EP2960299A1 (en) 2005-05-20 2015-12-30 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Polymer composition and polymer light-emitting device using the same
JP2007305734A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Showa Denko Kk 表示素子及びその製造方法
TWI323047B (en) * 2006-11-28 2010-04-01 Univ Nat Taiwan The method for forming electronic devices by using protection layers
JP4767897B2 (ja) * 2007-03-30 2011-09-07 富士フイルム株式会社 表示装置の製造方法及びそれにより製造された表示装置
JP2010157493A (ja) * 2008-12-02 2010-07-15 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP4983940B2 (ja) * 2009-03-04 2012-07-25 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
WO2011018110A1 (en) * 2009-08-12 2011-02-17 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Method of manufacturing an organic light emitting diode by lift-off
US8809111B2 (en) 2009-10-20 2014-08-19 Cornell University Methods of making patterned structures of fluorine-containing polymeric materials and fluorine-containing polymers
KR101156435B1 (ko) * 2010-01-08 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084189B1 (ko) * 2010-01-21 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2012209166A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Canon Inc 有機ｅｌ装置の製造方法
JP2012216493A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び製造装置
JP5901325B2 (ja) * 2011-03-30 2016-04-06 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6049279B2 (ja) 2011-04-27 2016-12-21 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法、電子機器
JP5995477B2 (ja) 2011-04-27 2016-09-21 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
EP2579313B1 (en) * 2011-09-22 2021-10-27 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
CN102709487B (zh) * 2011-10-17 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板及其制造方法
JP2014011084A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Canon Inc 有機ｅｌ装置の製造方法
JP2014011083A (ja) 2012-06-29 2014-01-20 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置の製造方法
GB201517273D0 (en) * 2015-09-30 2015-11-11 Univ Manchester Resist composition
KR102606282B1 (ko) 2017-06-19 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
GB2568516A (en) * 2017-11-17 2019-05-22 Flexenable Ltd Organic semiconductor devices
KR20200080491A (ko) * 2018-12-26 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 유기발광 표시장치의 제조방법
JP2022115080A (ja) 2021-01-27 2022-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11815689B2 (en) 2021-04-30 2023-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11699391B2 (en) 2021-05-13 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4687541A (en) * 1986-09-22 1987-08-18 Rockwell International Corporation Dual deposition single level lift-off process
HU202017B (en) * 1986-12-12 1991-01-28 Recytec Sa Method for reutilizing dry cells, mounted printed circuits and electronic details
JP2774351B2 (ja) 1990-03-26 1998-07-09 出光興産株式会社 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US5300788A (en) * 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JP4124379B2 (ja) * 1995-08-08 2008-07-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
EP0956593B1 (en) 1996-04-10 2009-09-02 Cambridge Display Technology Limited Organic light emitting diode colour display
JP3552435B2 (ja) 1996-12-04 2004-08-11 株式会社日立製作所 有機発光素子及びその作成方法
JP3537591B2 (ja) * 1996-04-26 2004-06-14 パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP3622874B2 (ja) * 1996-07-31 2005-02-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH118069A (ja) 1997-02-17 1999-01-12 Nippon Steel Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US5965280A (en) 1997-03-03 1999-10-12 Hewlett-Packard Company Patterned polymer electroluminescent devices based on microlithographic processes
JPH10270167A (ja) 1997-03-24 1998-10-09 Chemprokasei Kaisha Ltd 新規発光材料、新規電子輸送材料およびそれを用いた有機ｅｌ素子
US6274979B1 (en) * 1997-09-17 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Organic light emitting diodes
JP3948082B2 (ja) 1997-11-05 2007-07-25 カシオ計算機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH11312583A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子の製造方法
US6171765B1 (en) 1998-05-26 2001-01-09 Agilent Technologies, Inc. Photolithographic processing for polymer LEDs with reactive metal cathodes
KR100282393B1 (ko) * 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
US6127693A (en) * 1998-07-02 2000-10-03 National Science Council Of Republic Of China Light emitting diode with blue light and red light emitting polymers
EP0986112A3 (en) 1998-09-11 2004-02-04 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) An efficient method for fabricating organic light emitting diodes
JP2000113982A (ja) 1998-10-08 2000-04-21 Sony Corp 有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP2000113981A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Sony Corp 有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP3019095B1 (ja) * 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
US6372154B1 (en) * 1999-12-30 2002-04-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent ink for printing of organic luminescent devices
JP4406991B2 (ja) 2000-02-24 2010-02-03 パナソニック株式会社 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法
JP4053209B2 (ja) * 2000-05-01 2008-02-27 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
US6433358B1 (en) * 2000-09-11 2002-08-13 International Business Machines Corporation Method for producing an organic light emitting device (OLED) and OLED produced thereby
CN100440579C (zh) * 2002-04-10 2008-12-03 大日本印刷株式会社 电致发光元件的制造方法
JP2003317949A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4426190B2 (ja) * 2003-01-24 2010-03-03 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法

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